KR101855511B1 - 반도체공정의 배기가스 정제장치 - Google Patents

반도체공정의 배기가스 정제장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 직류전원을 이용한 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스의 화학적 결합을 분해시킨 후, 2차 반응 챔버에서 장시간의 고온을 유지한 후 배출되도록 설계하여 재결합을 방지함과 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각을 위한 구조를 개선하여, 저전력으로 고효율의 배기가스 처리를 구현한 반도체공정의 배기가스 정제장치에 관한 것으로, 직류 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스를 화학적 분해하는 플라즈마발생부(110); 상기 플라즈마발생부(110)의 하단부에 설치되어 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배출된 배기가스가 고온으로 일정시간 유지한 후 수조부(130)로 배출되도록 유로를 2중으로 형성한 고온챔버부(130); 및 상기 고온챔버부(130)로부터 유입된 배기가스를 정제 처리하여 배출구(140)로 배출하는 수조부(130)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체공정의 배기가스 정제장치{Exhaust gas purification apparatus for semiconductor production process}
본 발명은 반도체 제조공정에서 발생되는 배기가스를 처리하기 위한 정제장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직류전원을 이용한 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스의 화학적 결합을 분해시킨 후, 2차 반응 챔버에서 장시간의 고온을 유지한 후 배출되도록 설계하여 재결합을 방지함과 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각을 위한 구조를 개선하여, 저전력으로 고효율의 배기가스 처리를 구현한 반도체공정의 배기가스 정제장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 제조하는 공정에서는 독성이 강하고 부식성이 강한 각종 공정가스와 함께 클리닝가스를 포함하여 여러 종류의 가스가 사용되고 있는데, 반도체 제조공정 후에 발생되는 배기가스에는 상기 가스들의 미반응가스를 포함하여 각종 반응생성물이나 더스트 등의 미립자가 다량 함유되어 있다.
따라서 반도체 제조공정에서 배출되는 배기가스가 그대로 외부로 배출되는 경우 환경에 심대한 영향을 줄 수 있으므로 배기가스는 적절한 정화 처리장치를 거친 후 외부로 배출되어진다.
반도체 제조공정에서 발생되는 배기가스는 다양한 방법을 적용하여 처리하고 있는데, 통상 공기와 접촉시켜 처리하거나, 가열하여 연소시켜 처리하거나, 물에 통과시켜 처리하거나, 약제와 반응시켜 처리하는 방법이 주로 사용되고 있다.
등록실용신안 20-0377501에는 반도체 공정의 배기가스 처리장치가 개시된다.
상기 기술은 배기가스가 유입되는 유입구를 갖는 커버와, 상기 커버와 결합되며, 외부 하단에 처리된 가스가 배출되는 배출구를 갖는 몸체와, 상기 몸체 내부에 내장되어 유입된 배기가스내의 연소성 가스상을 연소시키는 히터와, 내부의 가스흐름을 제어함과 아울러 연소생성물이나 더스트 등의 미립자를 포집하기 위해 형성된 적어도 하나 이상의 원통형격자를 포함하여 구성되며, 반도체 제조공정에서 발생되는 프로세스 배기가스나 클리닝 배기가스, 미반응 배기가스 등의 배기가스를 배출함에 있어 연소성을 갖는 유해한 가스상의 물질을 고온으로 연소시켜 안전한 상태로 배출되도록 함과 아울러 배기가스 내에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자뿐만 아니라 연소시 생성되는 연소 생성물을 효과적으로 포집하여 제거할 수 있는 효과를 제공한다.
그러나 이와 같은 종래의 배기가스 처리장치는 배기가스를 고온으로 1차분해 한 후, 2차적으로 재결합을 방지하기 위해 고온 유지가 절대적으로 필요함에도 불구하고, 1차분해 후 급냉용 물 분사를 바로 수행하는 구조로 형성되어, 재결합율이 높아지고 처리 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
또한 고온(1200℃) 열화에 의한 파우더 적체 및 부식이 발생되는 문제점도 발생되었다.
등록실용신안 20-0377501, 공개특허공보 10-2009-0131768, 공개특허공보 10-2008-0112153, 등록실용신안공보 20-0330048
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 직류전원을 이용한 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스의 화학적 결합을 분해시킨 후, 2차 반응 챔버에서 장시간의 고온을 유지한 후 배출되도록 설계하여 재결합을 방지함과 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각을 위한 구조를 개선하여, 저전력으로 고효율의 배기가스 처리를 구현한 반도체공정의 배기가스 정제장치를 제공하는 것에 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 직류 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스를 화학적 분해하는 플라즈마발생부; 상기 플라즈마발생부의 하단부에 설치되어 상기 플라즈마발생부로부터 배출된 배기가스가 고온으로 일정시간 유지한 후 수조부로 배출되도록 유로를 2중으로 형성한 고온챔버부; 및 상기 고온챔버부로부터 유입된 배기가스를 정제 처리하여 배출구로 배출하는 수조부를 포함하고; 상기 고온챔버부는 원통형의 2중 케이스부와, 상기 2중 케이스부의 중앙으로 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배출되는 가스가 유입되는 내관부와, 상기 내관부를 감싸도록 일정 간격을 유지하며 설치되는 외관부로 구성되며, 상기 내관부와 외관부 사이에는 제1유로가 형성되고, 상기 외관부와 케이스부 사이에는 제2유로가 형성되도록 구성된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따르자면 상기 플라즈마발생부는 유해 배기가스가 유입되고 동시에 아크방전을 통해 반응된 가스를 고온챔버부로 배출하는 본체부와, 상기 본체부의 안착공에 절연플렌지를 통해 안착 결합되는 양극지지부와, 상기 양극지지부의 장착공에 장착되는 1차양극부, 자석고정부 및 2차양극부로 이루어진 양극부와, 상기 1차양극부의 상단에 설치되며 음극부를 지지하는 음극지지부와, 상단부가 상기 양극지지부 외측으로 돌출되도록 설치되는 음극부와, 상기 본체부의 상단에 결합 고정되는 커버부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따르자면 상기 2차양극부의 내부에는 1차양극부에서 발생된 아크를 전이시켜 2차 직류 저온 플라즈마가 균일하게 회전되도록 자력을 발생하는 다수개의 자석이 일정한 간격으로 설치 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따르자면 상기 고온챔버부의 상단에는 상단연결부를 통해 파우더고착방지부가 설치 고정되며, 상기 파우더고착방지부는 외부로부터 질소 가스가 공급되는 질소유입구가 형성되고, 내부에는 상기 질소유입구와 연통되는 오리피스 배관이 설치되되, 고온챔버부의 내관부과 외관부의 상단 변곡부위로 질소를 분사하도록 다수개의 토출구가 등간격으로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따르자면 상기 고온챔버부의 하단에는 워터스프레이부가 연결 설치되며, 상기 워터스프레이부는 상기 고온챔버부의 하단연결부에 체결 고정되는 연결부와, 물을 분사하는 분사노즐과, 저면에 설치되는 배수구로 구성된 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명은 직류전원을 이용한 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스의 화학적 결합을 분해시킨 후, 2차 반응 챔버에서 장시간의 고온을 유지한 후 배출되도록 설계하여 재결합을 방지함과 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각을 위한 구조를 개선하여, 저전력으로 고효율의 배기가스 처리를 구현한 장점을 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체공정의 배기가스 정제장치의 전체 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마발생부, 파우더고착방지부, 고온챔버부 및 워터스프레이부의 확대 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마발생부의 부분 분해 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마발생부의 전체 분해 사시도,
도 5는 본 발명에 따른 플라즈마발생부의 측단면도,
도 6은 본 발명에 따른 파우더고착방지부, 고온챔버부 및 워터스프레이부의 측단면도,
도 7은 본 발명에 따른 수조부의 구성도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체공정의 배기가스 정제장치의 전체 구성도, 도 2는 본 발명에 따른 플라즈마발생부, 파우더고착방지부, 고온챔버부 및 워터스프레이부의 확대 사시도, 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마발생부의 부분 분해 사시도, 도 4는 본 발명에 따른 플라즈마발생부의 전체 분해 사시도, 도 5는 본 발명에 따른 플라즈마발생부의 측단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명 반도체공정의 배기가스 정제장치(100)는,
직류 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스를 화학적 분해하는 플라즈마발생부(110)와, 상기 플라즈마발생부(110)의 하단부에 설치되어 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배출된 배기가스가 고온으로 일정시간 유지한 후 수조부(150)로 배출되도록 유로를 상하 2중으로 형성한 고온챔버부(130)와, 상기 고온챔버부(130)로부터 유입된 배기가스를 정제 처리하여 배출구(151)로 배출하는 수조부(150)를 포함한다.
또한 상기 플라즈마발생부(110)와 고온챔버부(130)의 사이에는 상기 고온챔버부(130)의 내부 상단에 파우더가 고착되는 것을 방지하기 위하여 오리피스 배관을 통해 고온챔버부(130)로 질소(N2) 가스를 토출하는 파우더고착방지부(120)가 더 개재될 수 있다.
또한 워터스프레이부(140)를 상기 고온챔버부(130)의 하단에 위치시켜 고온 열화에 의한 부식을 최소화 할 수 있도록 구성한다.
상기 플라즈마발생부(110)는 반도체공정에서 발생되는 유해 배기가스가 유입되고 동시에 아크방전을 통해 반응된 가스를 고온챔버부(130)로 배출하는 본체부(111)와, 상기 본체부(111)의 안착공(111b)에 안착 결합되는 양극지지부(113)와, 상기 양극지지부(113)의 장착공(113a)에 장착되는 1차양극부(116), 자석고정부(115) 및 2차양극부(114)로 이루어진 양극부와, 상기 1차양극부(116)의 상단에 설치되며 음극부(118)를 지지하는 음극지지부(117)와, 상단부가 상기 양극지지부(113) 외측으로 돌출되도록 설치되는 음극부(118)와, 상기 본체부(111)의 상단에 결합 고정되는 커버부(119)를 포함한다.
보다 상세하게는 상기 본체부(111)는 측면으로 복수개의 배기가스 유입관(111a)이 형성되고, 중앙에는 양극지지부(113)가 안착되는 안착공(111b)이 형성된다.
상기 양극지지부(113)는 상기 본체부(111)의 안착공(111b)에 절연플렌지(112)를 통해 안착 고정되며, 중앙의 장착공(113a)에는 1차양극부(116), 자석고정부(115) 및 2차양극부(114)로 이루어진 양극부가 안착 고정된다.
상기 1차양극부(116)는 직류전원이 음극부(118)에 인가되면 1차 아크가 발생되어 질소(N2) 1차 저온플라즈마를 발생시킨다.
상기 2차 양극부(114)는 상기 1차 양극부(116)에서 발생된 아크를 전이 시켜 질소(N2) 2차 직류 저온 플라즈마가 균일하게 발생 및 회전되도록 하여준다.
상기 2차 양극부(114)에는 다수개의 자석(114a)이 일정한 간격으로 삽입 설치된다.
상기 자석(114a)은 6개가 균일한 간격으로 설치되는 것이 바람직하며, 상기 자석의 자력에 의해 발생된 플라즈마 방전 불꽃이 균일하게 회전되도록 하여준다.
상기 자석고정부(115)는 상기 6개의 자석(114a)을 고정 커버하기 위한 장치이다.
상기 음극지지부(117)는 중앙의 관통공(117a)에 음극부(118)가 삽입 설치되고, 상단에는 냉각수가 유입 및 유출되는 연결부재(111a,117b)가 결합된다.
상기 음극부(118)은 냉각수가 유입되는 유로공(118a)이 형성되고, 상기 커버부(119)에는 다수개의 절연볼트가 체결된다.
또한 상기 음극부(118)의 유로공(118a) 단부에는 연결부재(118b)를 통해 냉각수 유입관(H1)이 연결되고, 상기 음극부(118) 측면에 형성된 구멍에는 연결부재(118c)를 통해 냉각수 연결관(H2)이 연결부재(117b)를 통해 음극지지부(117)에 연결되도록 구성된다.
또한 상기 음극관(118)은 물론, 음극지지부(117), 1차양극부(116) 및 2차양극부(114)의 내부에는 모두 냉각수 유로(R)를 형성하고, 냉각수가 순환되도록 하여 고온열화에 의한 부품 파손을 방지하도록 구성된다.
따라서 상기 냉각수의 순환구조를 살펴보면, 상기 유입관(H1)을 통해 음극관(118)으로 유입된 냉각수는 음극관(118)의 유로공(118a)을 통해 충진되어 내부를 냉각함과 동시에 연결관(H2)을 통해 음극지지부(117), 1차양극부(116) 및 2차양극부(114)를 순환 한 후, 음극지지부(117)의 유로(R) 및 연결부재(117a)를 통해 외부로 배출된다.
한편, 상기 고온챔버부(130)는 도 6에서와 같이 원통형의 2중 케이스부(131)와, 상기 2중 케이스부(131)의 중앙으로 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배출되는 가스가 유입되는 내관부(132)와, 상기 내관부(132)를 감싸도록 일정 간격을 유지하며 설치되는 외관부(133)로 구성되며, 상기 내관부(132)와 외관부(133) 사이에는 제1유로(134)가 형성되고, 상기 외관부(133)와 케이스부(131) 사이에는 제2유로(135)가 형성되도록 구성된다.
또한 상기 고온챔버부(130)는 그 내부구성을 내관부(132) 및 외관부(133), 2중관으로 구성하여 유로를 연장함으로서, 상기 플라즈마발생부(110)로 유입된 배기가스의 온도가 일정시간 동안 고온을 유지토록 함으로써 재결합율을 방지하도록 한 것이다.
즉 상기 플라즈마발생부(110)로부터 유입된 배기가스가 내관부(132)를 통해 하방으로 흐르고 하단에서 다시 제1유로(134)를 통해 상방으로 흐른 다음, 외관부(133)와 케이스부(131) 사이의 제2유로(135)를 통해 다시 하방으로 흐르도록 하여, 고온지역을 연장 유지하여 반응된 배기가스의 재결합을 크게 낮춰 무해한 가스로 변환시키는 구조이다.
또한 상기 고온챔버부(130)의 상단에는 상단연결부(131a)를 통해 파우더고착방지부(120)가 설치 고정되는 데, 상기 파우더고착방지부(120)는 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배기되는 가스가 상기 고온챔버부(130)의 내관부(132)로 유입되도록 안내해주며, 동시에 외부로부터 질소(N2) 가스가 공급되는 질소유입구(121)가 형성되고, 내부에는 오리피스 배관(122)을 통해 고온챔버부(130)로 질소(N2)를 분사하는 토출구를 다수개 구성하되, 상기 토출구는 고온챔버부(130)의 내관부(132)과 외관부(133)의 상단 변곡부위에 형성하여, 이 부위에서 발생되는 배기가스 와류에 의한 파우더 고착을 방지하는 역할을 수행하도록 구성된다.
상기 오리피스 배관(122)을 통해 고온챔버부(130) 내부로 질소를 토출하는 토출구는 60ㅀ도 간격으로 6개 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 고온챔버부(130)의 하단에는 하단연결부(131b)를 통해 워터스프레이부(140)가 연결 고정된다.
상기 워터스프레이부(140)는 고온챔버부(130)로부터 배출되는 배기가스를 물 분사를 통해 냉각 처리하는 것으로, 상기 고온챔버부(131)의 하단연결부(131b)와 체결 고정되는 연결부(141)와, 물을 분사하는 분사노즐(142)과, 저면에 설치되는 배수구(143)로 구성된다.
상기 워터스프레이부(140)는 종래 고온챔버부(130)의 상단에 설치되는 것을 고온챔버부(140)의 하단에 설치하여, 가스처리 영역을 800℃에서 600℃로 확장시켜 배기가스의 재결합 방지로 처리 효율이 높아져, 고온 열화에 의한 파우더 적체 및 부식을 방지하게 된다.
상기 수조부(150)는 상부에 고온챔버부(130) 및 배출구(151)가 장착되는 고온챔버부 장착부(152) 및 배출구 장착부(153)가 형성되고, 내부 중앙에는 격벽(154)이 형성되고, 상기 격벽(154)의 상단 일부분에는 개방공(155)이 형성되고, 배출구(151)가 위치하는 공간에는 제1수위센서(156), 제2수위센서(157) 및 제3수위센서(158)가 설치되도록 구성된다.
따라서 이의 작동을 살펴보면, 고온챔버부(130)가 위치하는 수조부(150)의 내부 공간에서 물의 수위가 일정 높이 이상이 되면 격벽(154)의 개방공(155)을 통해 배출구(151) 측의 내부 공간의 물이 이동된다.
이때 제1수위센서(156) 내지 제3수위센서(158)는 수위를 감지하여, 수위가 제3수위센서(158) 위치에 이르면 물 배출펌프의 동작을 중지하고, 수위가 제2수위센서(157)의 위치에 이르면 물 배출펌프의 동작을 개시하여 물을 외부로 배출하며, 물의 수위가 제1수위센서(156)의 위치에 이르면 워터스프레이부(140)의 분사노즐(142)의 구동을 중지시킨다.
이러한 수조부(150) 구조는 부산물로 발생되는 분말형태의 파우더를 수조 밑부분으로 침전시켜 플라즈마 처리된 가스들만이 배출구(151)로 배출되도록 하여 파우더에 의한 막힘이나 고장을 방지하게 된다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 대한 작동 및 작용에 대하여 이하 설명한다.
먼저, 플라즈마발생부(110)의 본체부(111) 유입관(111a)으로 반도체 제조공정에서 배출되는 유해 배기가스가 인입되면 유입된 배기가스는 본체부(111)의 내부공간(S1)과 2차양극부(114)의 내측 공간(S2)으로 유입되게 된다.
이와 같은 상태에서 직류전원이 음극부(118) 및 양극부에 인가되면, 양 전극사이에서는 아크방전에 따른 플라즈마가 발생되며, 상기 2차양극부(114)의 내부공간(S2) 및 본체부(111)의 내부공간(S1)에 유입된 유해한 배기가스는 플라즈마 처리되어 화학적 분해 처리된다.
또한 이와 같은 플라즈마 방전 동작 시 상기 2차양극부(114)에 등간격으로 설치된 6개 자석(114a)의 자력에 의해 플라즈마는 양극부 주위에 균일하게 발생되어 플라즈마 처리 효율이 증가되며, 플라즈마 처리된 배기가스는 파우더고착방지부(120)를 통해 고온챔버부(130)로 배출된다.
동시에 상기 플라즈마발생부(110)의 주요부에는 냉각수가 순환되는 데, 유입관(H1)을 통해 음극관(118)으로 유입된 냉각수는 음극관(118)의 유로공(118a)을 통해 충진되어 내부를 냉각함과 동시에 연결관(H2)을 통해 음극지지부(117), 1차양극부(116) 및 2차양극부(114)를 순환 한 후, 음극지지부(117)의 유로(R) 및 연결부재(117a)를 통해 외부로 배출되는 순환을 수행하여, 고온열화에 의한 부품 파손을 방지하게 된다.
상기 고온챔버부(130)로 배출된 플라즈마 처리된 고온의 가스는 내관부(132)→제1유로(134)→제2유로(135)를 통해 워터스프레이부(140)로 배출된다.
또한 상기 제1유로(134) 및 제2유로(135)와 같은 구조에 의해 고온의 가스가 장시간 고온챔버부(130) 내부에 머물게 되어, 고온을 유지함으로서 처리된 배기가스의 재결합율을 낮추어 정제 효율이 높아지게 된다.
또한 파우더고착방지부(120)의 질소유입구(121)로 공급되는 질소가스는 내부의 오리피스 배관(122)의 토출구를 통해 상기 고온챔버부(130)의 내관부(132)과 외관부(133)의 상단 변곡부위로 배출되어, 이 부위에서 발생되는 배기가스 와류에 의한 파우더 고착을 방지하는 역할을 수행하게 된다.
또한 상기 고온챔버부(130)의 하부로 배출되는 배기가스는 워터스프레이부(140)를 통과하면서 분사노즐(142)에 의한 물 분사로 냉각 처리되어 배수구(143)로 배출된다.
이때 상기 워터스프레이부(140)의 동작에 의해 고온 열화에 의한 파우더 적체 및 부식을 방지하게 된다.
따라서 상기 워터스프레이부(140)의 배수구(143)로 배출된 물, 가스 및 부산물은 수조부(150)에 저장되며, 물의 수위가 일정 높이 이상이 되면 격벽(154)의 개방공(155)을 통해 배출구(151) 측의 내부 공간의 물이 이동된다.
이때 제1수위센서(156) 내지 제3수위센서(158)는 수위를 감지하여, 수위가 제3수위센서(158) 위치에 이르면 물 배출펌프의 동작을 중지하고, 수위가 제2수위센서(157)의 위치에 이르면 물 배출펌프의 동작을 개시하여 물을 외부로 배출하며, 물의 수위가 제1수위센서(156)의 위치에 이르면 워터스프레이부(140)의 분사노즐(142)의 구동을 중지시키며, 동시에 배출구(151)를 통해서는 정제된 가스가 배출된다.
이와 같이 본 발명은 직류전원을 이용한 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스의 화학적 결합을 분해시킨 후, 2차 반응 챔버에서 장시간의 고온을 유지한 후 배출되도록 설계하여 재결합을 방지함과 동시에 수용성 가스처리 및 온도 냉각을 위한 구조를 개선하여, 저전력으로 고효율의 배기가스 처리할 수 있게 되는 것이다.
110: 플라즈마 발생부 111: 본체부
112: 절연프렌지 113: 양극지지부
114: 2차양극부 115: 자석고정부
116: 1차양극부 117: 음극지지부
118: 음극부 119: 커버부
120: 파우더고착방지부 130: 고온챔버부
131: 케이스부 132: 내관부
133: 외관부 134: 제1유로
135: 제2유로 140: 워터스프레이부
150: 수조부

Claims (5)

  1. 직류 저온 플라즈마를 발생하여 유입된 배기가스를 화학적 분해하는 플라즈마발생부(110);
    상기 플라즈마발생부(110)의 하단부에 설치되어 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배출된 배기가스가 고온으로 일정시간 유지한 후 수조부(150)로 배출되도록 유로를 2중으로 형성한 고온챔버부(130); 및
    상기 고온챔버부(130)로부터 유입된 배기가스를 정제 처리하여 배출구(151)로 배출하는 수조부(150)를 포함하고;
    상기 고온챔버부(130)는 원통형의 2중 케이스부(131)와, 상기 2중 케이스부(131)의 중앙으로 상기 플라즈마발생부(110)로부터 배출되는 가스가 유입되는 내관부(132)와, 상기 내관부(132)를 감싸도록 일정 간격을 유지하며 설치되는 외관부(133)로 구성되며, 상기 내관부(132)와 외관부(133) 사이에는 제1유로(134)가 형성되고, 상기 외관부(133)와 케이스부(131) 사이에는 제2유로(135)가 형성되도록 구성되고,
    상기 고온챔버부(130)의 상단에는 상단연결부(131a)를 통해 파우더고착방지부(120)가 설치 고정되며,
    상기 파우더고착방지부(120)는 외부로부터 질소(N2) 가스가 공급되는 질소유입구(121)가 형성되고, 내부에는 상기 질소유입구(121)와 연통되는 오리피스 배관(122)이 설치되되, 고온챔버부(130)의 내관부(132)과 외관부(133)의 상단 변곡부위로 질소를 분사하도록 다수개의 토출구가 등간격으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체공정의 배기가스 정제장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마발생부(110)는 유해 배기가스가 유입되고 동시에 아크방전을 통해 반응된 가스를 고온챔버부(130)로 배출하는 본체부(111)와, 상기 본체부(111)의 안착공(111b)에 절연플렌지(112)를 통해 안착 결합되는 양극지지부(113)와, 상기 양극지지부(113)의 장착공(113a)에 장착되는 1차양극부(116), 자석고정부(115) 및 2차양극부(114)로 이루어진 양극부와, 상기 1차양극부(116)의 상단에 설치되며 음극부(118)를 지지하는 음극지지부(117)와, 상단부가 상기 양극지지부(113) 외측으로 돌출되도록 설치되는 음극부(118)와, 상기 본체부(111)의 상단에 결합 고정되는 커버부(119)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체공정의 배기가스 정제장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 2차양극부(114)의 내부에는 1차양극부(116)에서 발생된 아크를 전이시켜 2차 직류 저온 플라즈마가 균일하게 회전되도록 자력을 발생하는 다수개의 자석(114a)이 일정한 간격으로 설치 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체공정의 배기가스 정제장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온챔버부(130)의 하단에는 워터스프레이부(140)가 연결 설치되고,
    상기 워터스프레이부(140)는 상기 고온챔버부(130)의 하단연결부(131b)에 체결 고정되는 연결부(141)와, 물을 분사하는 분사노즐(142)과, 저면에 설치되는 배수구(143)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체공정의 배기가스 정제장치.
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