KR101854779B1 - 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101854779B1
KR101854779B1 KR1020110108284A KR20110108284A KR101854779B1 KR 101854779 B1 KR101854779 B1 KR 101854779B1 KR 1020110108284 A KR1020110108284 A KR 1020110108284A KR 20110108284 A KR20110108284 A KR 20110108284A KR 101854779 B1 KR101854779 B1 KR 101854779B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength conversion
particles
wavelength
light
host layer
Prior art date
Application number
KR1020110108284A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130044031A (ko
Inventor
박성규
오정택
이유원
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110108284A priority Critical patent/KR101854779B1/ko
Publication of KR20130044031A publication Critical patent/KR20130044031A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101854779B1 publication Critical patent/KR101854779B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/23—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour
    • G02F1/25—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour as to hue or predominant wavelength
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/007—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movable or deformable optical element controlling the colour, i.e. a spectral characteristic, of the light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치가 개시된다. 광학 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함한다.

Description

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL MEMBER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
실시예는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.
이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.
이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.
양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.
양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 휘도 및 색 재현율을 가지는 광학 부재 및 표시장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광학 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광이 입사되는 파장 변환 부재; 및 상기 파장 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재는 상기 제 1 파장 변환 입자들 및 상기 제 2 파장 변환 입자들을 하나의 호스트층에 포함한다. 특히, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 양자점이고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 입사광을 제 1 파장 대의 광으로 변환시키고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 입사광을 제 2 파장 대의 광으로 변환시킬 수 있다.
특히, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 입사광을 녹색광으로 변환시키고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 입사광을 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 광학 부재를 형성하기 위해서, 형광체가 먼저 첨가되고, 상기 분산성 향상 입자들이 사용될 수 있다. 이에 따라서, 기계적인 충격에 강한 형광체가 먼저 분산되고, 상기 분산성 향상 입자들이 형광체의 응집을 막을 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재의 제조방법은 형광체 및 양자점 등을 용이하게 분산시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 향상된 휘도 및 색 재현성을 가질 수 있다.
또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 보호막을 포함하거나, 둘 이상의 Ⅱ족 원소들의 화합물을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 1 파장 변환 입자를 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 형태의 제 1 파장 변환 입자를 도시한 단면도이다.
도 6은 제 1 파장 변환 입자의 카드뮴의 조성을 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8은 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 9는 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 단면도이다.
도 10은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재에 의해서 생성된 백색 광의 파장 대 별 세기를 도시한 도면이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 12는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 13은 도 12에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 14는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 15 내지 도 17은 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 18은 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 19는 제 4 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 20은 도 18에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 21은 제 4 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 제 1 파장 변환 입자를 도시한 단면도이다. 도 5는 다른 형태의 제 1 파장 변환 입자를 도시한 단면도이다. 도 6은 제 1 파장 변환 입자의 카드뮴의 조성을 도시한 도면이다. 도 7 및 도 8은 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 파장 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.
상기 파장 변환 부재(501)는 상기 광원(300) 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 파장 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 600㎚ 내지 약 700㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 파장 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 파장 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(530) 및 실링부(540)를 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.
상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 파장 변환층(530)은 호스트층(531), 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(532), 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(533) 및 다수 개의 분산성 향상 입자들(535)을 포함한다.
상기 호스트층(531)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532), 상기 제 2 파장 변환 입자들(533) 및 상기 분산성 향상 입자들(535)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(531)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532), 상기 제 2 파장 변환 입자들 및 상기 분산성 향상 입자들(535)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(531)은 실리콘계 수지 등과 같은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(531)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(531)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(531)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 호스트층(531)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 파장 변환 입자들은 상기 호스트에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 농도로 분산될 수 있다.
상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 입사광을 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.
상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함한다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하는 나노 입자일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 직경은 1 nm 내지 50 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)로 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 양자점이 사용될 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 제 1 금속 원소 및 제 2 금속 원소를 포함하는 화합물 반도체를 포함한다. 이때, 상기 제 1 금속 원소 및 상기 제 2 금속 원소는 Ⅱ족 원소일 수 있다. 즉, 상기 제 1 금속 원소는 제 1 Ⅱ족 원소이고, 상기 제 2 금속 원소는 상기 제 1 Ⅱ족 원소와 다른 제 2 Ⅱ족 원소일 수 있다. 또한, 상기 화합물 반도체는 두 종류 이상의 금속 원소들을 포함한다. 즉, 상기 화합물 반도체는 제 3 금속 원소도 포함할 수 있다. 상기 화합물 반도체는 더 많은 종류의 금속 원소들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 화합물 반도체는 Ⅵ족 원소를 포함할 수 있다. 즉, 상기 화합물 반도체는 Ⅱ족-Ⅵ족계 화합물 반도체일 수 있다. 더 자세하게, 상기 화합물 반도체는 제 1 Ⅵ족 원소 및 상기 제 1 Ⅵ족 원소와 다른 제 2 Ⅵ족 원소를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 금속 원소 및 상기 제 2 금속 원소는 Cd, Zn, Pb 또는 Hg 등의 금속으로부터 선택될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제 1 Ⅵ족 원소 및 상기 제 2 Ⅵ족 원소는 S, Se 또는 Te 등으로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 화합물 반도체는 아래의 화학식 1로 표시될 수 있다.
화학식 1
AXB1 - XCYD1 -Y
여기서, A는 Ⅱ족 원소이고, B는 A와 다른 Ⅱ족 원소이고, C는 Ⅵ족 원소이고, D는 C와 다른 Ⅵ족 원소이고, 0<X<1이고, 0<Y<1이다. 더 자세하게, A는 카드뮴이고, B는 아연일 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 금속 원소는 카드뮴이고, 상기 제 2 금속 원소는 아연이고, 상기 제 1 Ⅵ족 원소는 셀레늄이고, 상기 제 2 Ⅵ족 원소는 황일 수 있다. 즉, 상기 화합물 반도체는 CdZnSeS계 화합물 반도체일 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 단일 입자 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 다층 구조가 아닌, 단일 구조의 입자일 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 전체적으로 상기 화합물 반도체로 구성될 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 나노 입자(532a) 및 상기 나노 입자(532a)의 주위에 보호막(532b)을 포함할 수 있다. 상기 보호막(532b)은 상기 나노 입자(532a)의 주위를 둘러싼다. 상기 보호막(532b)은 상기 나노 입자(532a)의 외부면에 증착된다. 즉, 상기 보호막(532b)은 상기 나노 입자(532a)의 외부 표면에 증착되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호막(532b)은 상기 나노 입자(532a)의 외부면에 직접 배치된다. 상기 보호막(532b)은 상기 나노 입자(532a)의 외부면에 코팅된다. 상기 보호막(532b)은 상기 나노 입자(532a)의 외부면에 전체적으로 코팅될 수 있다.
이에 따라서, 상기 나노 입자(532a) 및 상기 보호막(532b)에 의해서, 나노 입자(532a) 복합체가 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노 입자(532a) 복합체는 코어/껍질 구조를 가질 수 있다.
상기 보호막(532b)은 Ⅱ족-Ⅵ족계 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막(532b)은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다.
상기 보호막(532b)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 보호막(532b)은 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 금속 산화물은 상기 제 1 금속 원소 또는 상기 제 2 금속 원소의 산화물일 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물은 Ⅱ족 원소의 산화물일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물은 카드뮴 옥사이드 또는 징크 옥사이드일 수 있다.
상기 금속 산화물은 상기 제 1 금속 원소 및 상기 제 2 금속 원소 이외의 금속의 산화물일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물은 틴 옥사이드, 알루미늄 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드로부터 선택될 수 있다.
상기 보호막(532b)은 증착에 의해서 형성될 수 있다. 상기 보호막(532b)이 형성되기 위해서, 상기 나노 입자(532a)가 용매에 균일하게 분산된다. 상기 용매는 유기 용매일 수 있다. 상기 용매의 예로서는 1-옥타데센(1-octadecene), 톨루엔(toluene) 또는 트리옥틸포스핀옥사이드(trioctylphosphine oxide) 등을 들 수 있다.
이후, 상기 나노 입자(532a)가 분산된 용매에 상기 보호막(532b)을 형성하기 위한 유기 금속 화합물이 첨가된다. 상기 유기 금속 화합물은 상기 보호막(532b)으로 사용되는 금속 산화물의 공급원이다. 첨가되는 유기 금속 화합물의 양은 상기 용매에 혼합된 나노 입자(532a)의 양 및 형성하고자 하는 보호막(532b)의 두께 등에 따라서 다양하게 조절될 수 있다.
상기 유기 금속 화합물은 금속이 산소와 직접 결합된 구조를 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 유기 금속 화합물은 카르복실레이트 또는 알콕사이드일 수 있다. 즉, 상기 유기 금속 화합물은 카르복실산의 금속염 또는 알콜의 금속염일 수 있다.
예를 들어, 상기 유기 금속 화합물은 아세틱산(acetic acid), 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(myristic acid) 또는 라우르산(lauric acid)의 금속 착화합물일 수 있다. 이때, 상기 유기 금속 화합물에 포함되는 금속은 Ⅱ족 원소일 수 있다. 또한, 상기 유기 금속 화합물에 포함되는 금속의 예로서는 알루미늄, 주석 또는 티타늄 등을 들 수 있다.
상기 제 1 파장 변환 입자들(532)의 위치에 따라서, 상기 제 1 금속 원소의 함량 및 상기 제 2 금속 원소의 함량이 달라질 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)의 위치에 따라서, 상기 화합물 반도체의 조성이 달라질 수 있다. 더 자세하게, 상기 나노 입자(532a)는 전체적으로 상기 제 1 금속 원소 및 상기 제 2 금속 원소를 포함하면서도, 상기 나노 입자(532a)의 직경 방향을 기준으로 상기 제 1 금속 원소의 조성 및 상기 제 2 금속 원소의 조성이 달라질 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 금속 원소의 함량은 상기 나노 입자(532a)의 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 작아질 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속 원소의 함량은 상기 나노 입자(532a)의 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 커질 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1에서, 상기 나노 입자(532a)의 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 X는 점점 더 작아질 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 금속 원소가 카드뮴인 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 카드뮴의 조성은 중심으로부터 외곽으로 멀어질수록 점점 작아질 수 있다.
즉, 상기 화합물 반도체가 CdZnSeS계 화합물 반도체인 경우, 상기 나노 입자(532a)의 중심 부분에서는 카드뮴의 조성이 아연의 조성보다 훨씬 더 높고, 외곽 부분에서는 카드뮴의 조성이 아연의 조성보다 훨씬 낮을 수 있다. 또한, 상기 나노 입자(532a)의 중심으로부터의 거리에 따라서, 상기 카드뮴의 조성은 비선형적으로 감소될 수 있다. 특히, 상기 카드뮴의 조성은 상기 나노 입자(532a)의 중심으로부터 멀어질수록 둘 이상의 변곡점을 가지도록 감소될 수 있다.
상기 제 1 파장 변환 입자들(532)을 형성하기 위해서, 용매에서 두 종류 이상의 금속 전구체들 및 한 종류 이상의 Ⅵ족 원소 전구체들이 첨가되고 혼합된다.
상기 용매는 1-옥타데센(1-octadecene), 톨루엔(toluene) 또는 트리옥틸포스핀옥사이드(trioctylphosphine oxide) 등과 같은 유기 용매가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 전구체들은 제 1 금속 전구체 및 제 2 금속 전구체일 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속 전구체들은 Ⅱ족 금속 전구체일 수 있다. 상기 금속 전구체들의 예로서는 알킬카르복실 산 금속 착화합물(alkylcarboxylic acid metal complex)물질일 수 있다. 예를 들어, 금속 전구체들은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(myristic acid) 또는 라우르산(lauric acid)의 금속 착화합물 일 수 있다. 특히, 상기 금속 전구체들은 상기 알킬카르복실 산의 카드뮴 (Cd) 착화합물 또는 아연 (Zn) 착화합물일 수 있다. 또한, 상기 금속 전구체들은 금속의 수산화물일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 전구체들의 예로서는 수산화 카드뮴(Cd(OH)2), 산화 카드뮴 (CdO), 수산화 아연(Zn(OH)2) 또는 산화 아연(ZnO) 등을 들 수 있다.
상기 제 1 금속 전구체는 카드뮴을 포함하고, 상기 제 2 금속 전구체는 아연을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속 전구체는 상기 알킬카르복실 산의 카드뮴 (Cd) 착화합물, 수산화 카드뮴(Cd(OH)2) 또는 산화 카드뮴 (CdO)일 수 있다. 또나, 상기 제 2 금속 전구체는 상기 알킬카르복실 산의 아연 착화합물, 수산화 아연(Zn(OH)2) 또는 산화 아연(ZnO) 일 수 있다.
상기 Ⅵ족 원소 전구체들은 Ⅵ족 원소의 화합물일 수 있다. 더 자세하게, 상기 Ⅵ족 원소 전구체들은 셀레늄(Se), 황(S) 또는 텔레륨(Te)의 화합물 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 Ⅵ족 원소 전구체들의 예로서는 트리옥틸포스핀셀레늄(TOPSe), 트리옥틸포스핀황(TOPS), 트리옥틸포스핀텔루륨(TOPTe), 트리부틸포스핀셀레늄(TBPSe), 트리부틸포스핀황(TBPS), 트리부틸포스핀텔레늄(TBPTe), 트리이소프로필포스핀셀레늄(TPPSe), 트리이소프로필포스핀황(TPPS) 또는 트리이소프로필포스핀텔레늄(TPPTe) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 반응 용액에는 계면 활성제가 더 첨가될 수 있다.
또한, 상기 반응 용액에는 친핵성 촉매가 더 포함될 수 있다. 상기 친핵성 촉매는 상기 반응 용액에서의 반응 속도를 조절할 수 있다. 상기 친핵성 촉매로 아민 또는 포스핀 등이 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 친핵성 촉매로 사용되는 물질의 예로서는 알킬 아민(alkylamine) 또는 알킬 포스핀(alkylphosphin) 등을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 친핵성 촉매로 사용되는 물질의 예로서는 헥실아민(hexylamine), 옥틸아민(octylamine), 다이헥실아민(dihexylamine), 다이옥틸아민(dioctylamine), 올레일아민(oleylamine), 다이옥틸포스핀(dioctylphosphine), 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine) 또는 물 등을 들 수 있다.
이후, 상기 반응 용액은 가열된다. 상기 반응 용액의 가열 속도는 약 20℃/분 내지 약 30℃/분 일 수 있다. 또한, 상기 반응 용액은 상온에서 약 50℃ 내지 약 400℃의 온도까지 가열될 수 있다. 더 자세하게, 상기 반응 용액은 약 180℃ 내지 약 310℃의 온도까지 가열될 수 있다.
또한, 상기 반응 용액은 약 190℃ 내지 약 210℃의 온도까지 상승될 수 있다. 또한, 상기 반응 용액은 약 220℃ 내지 약 230℃의 온도까지 상승될 수 있다. 또한, 상기 반응 용액은 약 245℃ 내지 약 255℃의 온도까지 상승될 수 있다. 상기 반응 용액은 약 270℃ 내지 약 280℃의 온도까지 상승될 수 있다. 상기 반응 용액은 약 290℃ 내지 약 310℃의 온도까지 상승될 수 있다.
또한, 상기 반응 용액은 일정 온도까지 상승된 후, 약 1분 내지 약 15분 동안 온도를 유지할 수 있다.
이에 따라서, 본 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 형성된다. 이때, 상기 제 1 금속 전구체에 포함된 제 1 금속 원소 및 상기 제 2 금속 전구체에 포함된 제 2 금속 원소를 포함하는 화합물 반도체가 형성된다.
특히, 상기 제 1 금속 전구체가 카드뮴 화합물이고, 상기 제 2 금속 전구체가 아연 화합물인 경우, 카드뮴의 반응 속도 상수가 훨씬 크다. 이에 따라서, 반응 초기에는 카드뮴이 주로 황 및/또는 셀레늄과 반응하기 때문에, 상기 나노 입자(532a)의 중심 부분에는 카드뮴의 함량이 매우 높게 된다. 또한, 카드뮴이 반응함에 따라서, 카드뮴 화합물의 농도가 낮아지고, 카드뮴의 반응속도가 감소될 수 있다. 이에 따라서, 상기 나노 입자(532a)의 외곽으로 갈수록 카드뮴의 조성이 낮아지고, 아연의 함량이 높아지게 된다.
이후, 상기 반응 용액은 냉각될 수 있다. 상기 반응 용액은 상온까지 급속하게 냉각될 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 용액은 약 100℃/분의 속도로 냉각될 수 있다.
상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 두 종류 이상의 금속 원소들을 포함하는 화합물 반도체를 포함한다. 이에 따라서, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 각각의 금속 원소의 조성에 따라서, 밴드갭 에너지를 적절하게 조절할 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 직경에 제한되지 않고, 밴드갭 에너지를 자유롭게 조절할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 큰 직경을 가지면서도 긴 파장대의 광을 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 2㎚ 내지 약 8㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 500㎚ 내지 약 600㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 2㎚ 내지 약 3㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 500㎚ 내지 약 510㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 3㎚ 내지 약 4㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 520㎚ 내지 약 530㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 3.5㎚ 내지 약 4.5㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 540㎚ 내지 약 550㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 4.5㎚ 내지 약 5.5㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 555㎚ 내지 약 565㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 5.5㎚ 내지 약 6.5㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 570㎚ 내지 약 580㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)는 약 6.5㎚ 내지 약 7.5㎚의 직경을 가지고, 약 300㎚ 내지 약 400㎚의 파장을 가지는 입사광을 약 580㎚ 내지 약 590㎚의 파장을 가지는 광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 중심에 가까울수록 반응성이 높은 금속 원소의 조성이 높아지고, 외곽에 가까울수록 반응성이 낮은 금속 원소의 조성이 높아질 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 높은 안정성을 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 단일 입자 구조를 가지면서도 높은 안정성을 가질 수 있다.
상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 호스트층(531) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 호스트층 내에 균일하게 분산될 수 있다.
상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)보다 더 큰 직경을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 직경은 약 1㎛ 내지 약 50㎛일 수 있다.
상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 광을 약 600㎚ 내지 약 700㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 적색 형광체일 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 형광체의 예로서는 프라세오디뮴 또는 알루미늄이 도핑된 스트론튬 티타늄 옥사이드계 형광체(예를 들어, SrTiO3:Pr,Al) 또는 프라세오디뮴이 도핑된 칼슘 티타늄 옥사이드계 형광체(예를 들어, CaTiO3:Pr) 등을 들 수 있다.
상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트층(531) 내에 배치된다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트층(531) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533) 사이에 균일하게 분산될 수 있다.
상기 분산성 향상 입자들(535)은 투명할 수 있다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 분산성 향상 입자들(535)로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등과 같은 산화물을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 분산성 향상 입자들(535)로 실리카 입자들이 사용될 수 있다.
상기 분산성 향상 입자들(535)의 직경은 약 10㎚ 내지 약 10㎛일 수 있다. 또한, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트층(531)에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 비율로 포함될 수 있다.
상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트층(531) 내에서 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 분산성을 향상시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 입사광의 경로를 변경시키는 산란 입자 기능을 수행할 수 있다.
상기 파장 변환 부재(501)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(533)이 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등에 균일하게 분산된다. 이때, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)는 초음파 분산에 의해서 분산될 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들에 초음파가 인가되어, 상기 제 2 파장 변환 입자들이 작은 직경을 가지도록 분쇄될 수 있다.
이때, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 형광체를 포함하기 때문에, 상기 초음파 분산과 같은 격렬하게 분산되더라도 자체적인 성능이 저하되지 않는다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 포함되지 않는 상황에서, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 먼저 격렬한 방법으로 분산될 수 있다.
이후, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 분산된 수지 조성물에 분산성 향상 입자들(535)이 첨가된다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 수지 조성물의 점도를 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 다시 응집되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 분산성을 유지시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 수지 조성물에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 비율로 첨가될 수 있다.
이후, 상기 수지 조성물에 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 첨가된다. 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(532)보다 덜 격렬한 방법에 의해서 상기 수지 조성물에 분산될 수 있다.
이후, 도 8을 참조하면, 상기 수지 조성물은 하부 기판(510) 상에 균일하게 코팅된다. 상기 수지 조성물은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등에 의해서 상기 하부 기판(510)의 상면에 코팅될 수 있다.
이후, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 침전된 후, 상기 코팅된 수지 조성물은 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 파장 변환층이 형성된다.
이후, 상기 파장 변환층(530) 상에 상부 기판(520)이 라미네이트되고, 실링부가 형성된다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(501)가 형성될 수 있다.
상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530) 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에도 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면을 덮는다.
또한, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 밀착된다.
이에 따라서, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.
또한, 상기 파장 변환 부재(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.
상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정패널(20)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 하나의 호스트층(531)에 포함된다. 특히, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 양자점이고, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 입사광을 제 1 파장 대의 광으로 변환시키고, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 입사광을 제 2 파장 대의 광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재(501)를 형성하기 위해서, 형광체가 먼저 첨가되고, 상기 분산성 향상 입자들(535)이 사용될 수 있다. 이에 따라서, 기계적인 충격에 강한 형광체가 먼저 분산되고, 상기 분산성 향상 입자들(535)이 형광체의 응집을 막을 수 있다. 따라서, 상기 파장 변환 부재(501)의 제조방법은 형광체 및 양자점 등을 용이하게 분산시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 휘도 및 색 재현성을 가질 수 있다.
도 9는 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재는 제 3 파장 변환 입자들(534)을 포함한다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 호스트층(531) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 호스트층(531) 내에 균일하게 분산될 수 있다.
상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 호스트층(531)에 약 0.1wt% 내지 약 0.5wt%의 농도로 포함될 수 있다.
상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 제 1 파장 변환 입자들(532)보다 더 큰 직경을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)의 직경은 약 0.5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다.
상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 황색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 청색광을 약 540㎚ 내지 약 570㎚ 사이의 파장대를 가지는 황색광으로 변환시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 상기 청색광을 황색광으로 변환시키는 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)이 사용될 수 있다.
상기 제 3 파장 변환 입자들(534)로 형광체가 사용될 수 있다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)로 황색 형광체가 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 황색 형광체의 예로서는 이트륨 알루미늄 가넷계(yttrium aluminum garnet;YAG) 형광체 등을 들 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)에 의해서, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)에 의해서 형성된 백색 광에서, 약 555㎚ 내지 약 560㎚의 파장 대(Y)의 세기가 증가될 수 있다.
이에 따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)는 향상된 휘도를 가지는 백색 광을 생성할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)를 포함하는 표시장치는 향상된 휘도 및 색 재현성을 가질 수 있다.
또한, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)과 함께 수지 조성물에 분산될 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)를 형성하기 위해서, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533) 및 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)이 먼저 분산된 후, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 나중에 분산될 수 있다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 12는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 13은 도 12에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 14는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 15 내지 도 17은 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 파장 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 파장 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620), 파장 변환층(630) 및 실링부(640)를 포함한다.
도 13에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.
또한, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 파장 변환층(630) 사이에 배치된다. 또한, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 샌드위치한다. 또한, 상기 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630)의 측면을 덮는다. 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 지지한다. 또한, 상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620) 및 상기 실링부(640)는 외부의 물리적인 충격 및 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(630)을 보호한다.
본 실시예에 따른 파장 변환 부재는 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제 1 투명 기판(611) 상에 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(632), 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(633) 및 다수 개의 분산성 향상 입자들(535)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 상기 수지 조성물의 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 제 1 투명 기판(611) 상에 예비 파장 변환층(635)이 형성된다.
이후, 상기 예비 파장 변환층(635) 상에 제 2 투명 기판(621)이 라미네이팅된다.
도 16을 참조하면, 상기 제 1 투명 기판(611), 상기 예비 파장 변환층(635) 및 제 2 투명 기판(621)은 한꺼번에 절단된다. 이에 따라서, 다수 개의 예비 파장 변환 부재들(601)이 형성된다. 상기 예비 파장 변환 부재들(601)은 각각 하부 기판(610), 파장 변환층(630) 및 상부 기판(620)을 포함한다. 이때, 상기 하부 기판(610), 상기 파장 변환층(630) 및 상기 상부 기판(620)은 같은 절단 공정에 의해서 형성되므로, 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면(605)을 포함한다.
도 17을 참조하면, 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)이 서로 마주보도록, 상기 예비 파장 변환 부재들(601)이 서로 정렬된다. 이후, 상기 예비 파장 변환 부재들(601)의 측면, 즉, 절단면(605)에 실링부(640)가 형성된다.
이후, 상기 파장 변환 부재들(600)은 서로 떼어내질 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 제 1 파장 변환 입자들(632) 및 제 2 파장 변환 입자들(633)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 파장 변환 입자들(631) 및 제 2 파장 변환 입자들의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
도 18은 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 19는 제 4 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 20은 도 19에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 21은 제 4 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 18 내지 도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 파장 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.
또한, 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 파장 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.
상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 파장 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.
또한, 도 18 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720), 파장 변환층(730) 및 실링부(640)를 포함한다.
상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 실링부(640)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 제 1 파장 변환 입자들(732) 및 제 2 파장 변환 입자들(733)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 파장 변환 입자들(432) 및 제 2 파장 변환 입자들(733)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
또한, 각각 파장 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드(400)에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 호스트층;
    상기 호스트층 내에 배치되는 무기 물질을 포함하는 복수의 분산성 향상 입자들;
    상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및
    상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고,
    상기 분산성 향상 입자는 실리콘 옥사이드를 포함하며,
    상기 분산성 향상 입자들은 상기 호스트층에 0.5wt% 내지 5wt%의 비율로 포함되고,
    상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하고,
    상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함하고,
    상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하는 나노 입자와, 상기 나노 입자의 주위를 둘러싸고, 금속 산화물을 포함하는 보호막을 포함하며, 상기 나노 입자는 카드뮴 및 아연을 포함하는 화합물 반도체를 포함하고,
    상기 나노 입자의 중심 부분은 상기 카드뮴의 조성이 상기 아연의 조성보다 높고, 상기 나노 입자의 외곽 부분은 상기 카드뮴의 조성이 상기 아연의 조성보다 낮은 광학 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 파장 변환 입자들의 직경은 1㎚ 내지 50㎚이고, 상기 제 2 파장 변환 입자들의 직경은 1㎛ 내지 50㎛이며, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 입사광을 녹색 광으로 변환시키고, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 입사광을 적색 광으로 변환시키는 광학 부재.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 광원;
    상기 광원으로부터 출사되는 광이 입사되는 파장 변환 부재; 및
    상기 파장 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
    상기 파장 변환 부재는
    호스트층;
    상기 호스트층 내에 배치되는 무기 물질을 포함하는 복수의 분산성 향상 입자들;
    상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및
    상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고,
    상기 분산성 향상 입자는 실리콘 옥사이드를 포함하며,
    상기 분산성 향상 입자들은 상기 호스트층에 0.5wt% 내지 5wt%의 비율로 포함되고,
    상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하고,
    상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함하고,
    상기 제 1 파장 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하는 나노 입자와, 상기 나노 입자의 주위를 둘러싸고, 금속 산화물을 포함하는 보호막을 포함하며, 상기 나노 입자는 카드뮴 및 아연을 포함하는 화합물 반도체를 포함하고,
    상기 나노 입자의 중심 부분은 상기 카드뮴의 조성이 상기 아연의 조성보다 높고, 상기 나노 입자의 외곽 부분은 상기 카드뮴의 조성이 상기 아연의 조성보다 낮은 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 파장 변환 부재는 상기 호스트층 내에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 복수의 분산성 향상 입자들을 포함하며, 상기 분산성 향상 입자는 실리콘 옥사이드를 포함하며,
    상기 분산성 향상 입자들은 상기 호스트층에 0.5wt% 내지 5wt%의 비율로 포함되는 표시장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 카드뮴의 조성은 상기 나노 입자의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 작아지고, 상기 아연의 조성은 상기 나노 입자의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 커지는 표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 카드뮴의 조성은 상기 나노 입자의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 비선형적으로 감소하며, 상기 카드뮴의 조성은 상기 나노 입자의 중심부로부터 외곽으로 갈수록 둘 이상의 변곡점을 가지도록 감소되는 표시장치.
KR1020110108284A 2011-10-21 2011-10-21 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 KR101854779B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110108284A KR101854779B1 (ko) 2011-10-21 2011-10-21 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110108284A KR101854779B1 (ko) 2011-10-21 2011-10-21 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130044031A KR20130044031A (ko) 2013-05-02
KR101854779B1 true KR101854779B1 (ko) 2018-05-04

Family

ID=48656652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110108284A KR101854779B1 (ko) 2011-10-21 2011-10-21 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101854779B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130044031A (ko) 2013-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9766392B2 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101786097B1 (ko) 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
US9529138B2 (en) Display device
KR101210180B1 (ko) 광학 부재 및 이의 제조방법
KR101870446B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101870443B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101338695B1 (ko) 표시 장치, 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법
KR101210173B1 (ko) 표시장치
KR101792882B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101956058B1 (ko) 표시장치
TWI485885B (zh) 奈米粒子複合物、光轉換構件和具有其之顯示裝置、及其製造方法
KR101854779B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101382974B1 (ko) 광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법
KR101862873B1 (ko) 광학 부재, 발광장치 및 표시장치
KR101210084B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101262502B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101877485B1 (ko) 광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치
KR101956055B1 (ko) 표시장치
KR101934419B1 (ko) 광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법
KR101854817B1 (ko) 표시장치
KR20130121609A (ko) 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법
KR101349426B1 (ko) 광학 부재 및 표시장치
KR101327027B1 (ko) 광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법
KR101812338B1 (ko) 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101393748B1 (ko) 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right