KR101852898B1 - Light emitting device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008842 WTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
실시예에 따른 발광소자는, 지지 부재와, 지지 부재 상에 배치되며 제1 층, 제2 층 및 제1 및 제2 층 사이에 형성되는 제3 층을 포함하는 언도프드 반도체층과, 언도프드 반도체층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함한 발광 구조물과, 제1 층과 제2 반도체층을 연결하는 제1 전극과, 제2 층과 제1 반도체층을 연결하는 제2 전극을 포함하며, 제3 층은 제1 및 제2 층보다 낮은 전기 저항을 갖게 형성된다.A light emitting device according to an embodiment includes a support member, an undoped semiconductor layer disposed on the support member and including a first layer, a second layer, and a third layer formed between the first and second layers, A light emitting structure including a first semiconductor layer disposed on the semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; and a light emitting structure connecting the first and second semiconductor layers A first electrode, and a second electrode connecting the second layer and the first semiconductor layer, wherein the third layer is formed to have a lower electrical resistance than the first and second layers.
Description
실시예는 발광소자에 관한 것이다. An embodiment relates to a light emitting element.
LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.LED (Light Emitting Diode) is a device that converts electrical signals into infrared, visible light or light using the characteristics of compound semiconductors. It is used in household appliances, remote controls, display boards, The use area of LED is becoming wider.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.
이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다. As the use area of the LED is widened as described above, it is important to increase the luminance of the LED as the brightness required for a lamp used in daily life and a lamp for a structural signal is increased.
출원번호 10-2005-0067018 에서는 역전압 인가시, 언도프드 반도체층을 통해 제2 전류 패스가 형성되어 ESD 에 의한 파손이 방지되는 발광소자를 개시한다. 그러나, 언도프드 반도체층은 전기 저항이 크며, 전류 패스 형성이 어렵다는 단점이 있다.10-2005-0067018 discloses a light emitting device in which, when a reverse voltage is applied, a second current path is formed through the undoped semiconductor layer to prevent breakage by ESD. However, the undoped semiconductor layer is disadvantageous in that it has high electrical resistance and difficult to form a current path.
실시예는 역방향 바이어스 인가시 전류 패스 형성이 용이하여 신뢰성이 개선된 발광소자를 제공한다. Embodiments provide a light emitting device having improved reliability by facilitating formation of a current path when a reverse bias is applied.
실시예에 따른 발광소자는, 지지 부재와, 지지 부재 상에 형성되며 제1 층, 제2 층 및 제1 및 제2 층 사이에 배치되는 제3 층을 포함하는 언도프드 반도체층과, 언도프드 반도체층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함한 발광 구조물과, 제1 층과 제2 반도체층을 연결하는 제1 전극과, 제2 층과 제1 반도체층을 연결하는 제2 전극을 포함하며, 제3 층은 제1 및 제2 층보다 낮은 전기 저항을 갖게 형성된다.A light emitting device according to an embodiment includes a support member, an undoped semiconductor layer formed on the support member and including a first layer, a second layer and a third layer disposed between the first and second layers, A light emitting structure including a first semiconductor layer disposed on the semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; and a light emitting structure connecting the first and second semiconductor layers A first electrode, and a second electrode connecting the second layer and the first semiconductor layer, wherein the third layer is formed to have a lower electrical resistance than the first and second layers.
실시예는 역방향 바이어스 인가시 제2 전류 패스 형성이 용이하여 신뢰성이 개선된 발광소자를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device having improved reliability by facilitating formation of a second current path when a reverse bias is applied.
도 1 은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 도면,
도 2 는 도 1 의 A 영역의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면,
도 3 은 실시예에 따른 발광소자의 순방향 바이어스 인가시 구동도,
도 4 는 실시예에 따른 발광소자의 역방향 바이어스 인가시 구동도,
도 5 는 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 사시도,
도 6 은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 단면도,
도 7 은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 단면도,
도 8 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템을 도시한 사시도,
도 9 는 도 8 의 조명 시스템의 C - C' 단면을 도시한 단면도,
도 10 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도, 그리고
도 11 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
FIG. 2 is a diagram showing an energy band diagram of region A of FIG. 1,
3 is a driving diagram of a forward bias applied to the light emitting device according to the embodiment,
4 is a driving diagram of a light emitting device according to an embodiment of the present invention when reverse bias is applied,
5 is a perspective view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment,
6 is a sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment,
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment,
8 is a perspective view showing an illumination system including a light emitting device according to an embodiment,
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line C-C 'of the illumination system of Fig. 8,
10 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment, and
11 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.
실시예에 대한 설명에서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴이나 타 구조물의 "위(on)"에, "아래(under)"에, 상측(upper)에, 또는 하측(lower)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)", "아래(under)", 상측(upper), 및 하측(lower)은 "직접(directly)" 또는 "다른 층, 또는 구조물을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on", "under", or "on" Quot; on ", " under ", " upper ", and lower " lower " directly "or" indirectly "through " another layer, or structure ".
또한 각 층, 또는 구조물들간의 위치관계에 대한 설명은 본 명세서, 또는 본 명세서에 첨부되는 도면을 참조하도록 한다.Further, the description of the positional relationship between the respective layers or structures is referred to the present specification or the drawings attached hereto.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.
도 1 은 실시예에 따른 발광소자의 단면도, 도 2 는 도 1 의 A 영역의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 2 is an energy band diagram of an A region in FIG.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 지지 부재(110)와, 지지 부재(110) 상에 배치되며 제1 층(122), 제2 층(124) 및 제1 및 제2 층(122, 124) 사이에 배치되는 제3 층(126)을 포함하는 언도프드 반도체층(120)과, 언도프드 반도체층(120) 상에 배치되는 제1 반도체층(132), 제2 반도체층(136), 및 상기 제1 반도체층(132)과 상기 제2 반도체층(136) 사이에 배치되는 활성층(134)을 포함한 발광 구조물(130)과, 제1 층(122)과 제2 반도체층(126)을 연결하는 제1 전극(142)과, 제2 층(124)과 제1 반도체층(122)을 연결하는 제2 전극(144)을 포함하며, 제3 층(126)은 제1 및 제2 층(122, 124)보다 낮은 전기 저항을 갖게 형성된다.Referring to FIG. 1, a
지지부재(110)는 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 사파이어(Al2O3) 지지부재에 비해 열전도성이 큰 SiC 지지부재일 수 있다. 다만, 지지부재(110)의 굴절율은 광 추출 효율을 위해 제1 반도체층(132)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다.The
한편, 지지부재(110)의 상측 면에는 광 추출 효율을 높이기 위해 PSS(PSS : Patterned Sapphire SubStrate) 구조가 마련될 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 지지부재 (110)는 PSS 구조를 가지거나, 또는 가지지 않을 수 있다.On the other hand, a PSS (Patterned Sapphire Substrate) structure may be provided on the upper surface of the
한편, 지지부재(110) 상에는 언도프드 반도체층(120)이 형성될 수 있다.On the other hand, the
언도프드 반도체층(120)은 n 형 또는 p 형 도펀트가 도핑되지 아니하며, 버퍼층으로 기능할 수 있다. 따라서, 언도프드 반도체층(120)은 지지부재(110)와 제1 반도체층(132) 사이의 격자 부정합을 완화하고 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 할 수 있다. The
언도프드 반도체층(120)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, 반도체층과 지지부재(110)와의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있으며 이에 한정되지 않는다. 언도프드 반도체층(120)은 지지부재(110)상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 언도프드 반도체층(120)은 언도프드 반도체층(120)상에 성장하는 제1 반도체층(132)의 결정성을 향상시킬 수 있다. The
한편, 언도프드 반도체층(120)은 지지기판(110) 상의 제1 층(122), 제2 층(124) 및 제1 층(122)과 제2 층(124) 사이에 배치되는 제3 층(126)을 포함하며, 제1층(122)과 제1 전극(142), 및 제2 층(124)과 제2 전극(144)은 전기적으로 연결될 수 있다. 한편,, 제2 층(124)은 제1 층(122)보다 큰 밴드갭을 갖게 형성되고, 제3 층(126)은 제1 층(122)과 제2 층(124) 간의 에너지 밴드갭 차이로 형성되는 2-DEG (2 - dimensional electron gas) 층일 수 있다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.On the other hand, the
언도프드 반도체층(120) 상에는 제1 반도체층(132), 활성층(134), 및 제2 반도체층(136)을 포함한 발광 구조물(130)이 형성될 수 있다.The
언도프드 반도체층(120) 상에는 제1 반도체층(132)이 위치할 수 있다. 제1 반도체층(132)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 활성층(134)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 반도체층(132)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
상기 제1 반도체층(132) 상에는 활성층(134)이 형성될 수 있다. 활성층(134)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 이중접합구조, 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The
활성층(134)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 다중 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.Well
활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 상기 활성층(134)의 장벽층의 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 가질 수 있다. 예를 들어, 도전성 클래드층(미도시)은 GaN, AlGaN 또는 InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전성 클래드층(미도시)은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다. A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the
제2 반도체층(136)은 활성층(124)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(136)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
한편, 활성층(134)과 제2 반도체층(136) 사이에 중간층(138)이 형성될 수 있으며, 중간층(138)은 고 전류 인가시 제1 반도체층(132)으로부터 활성층(134)으로 주입되는 전자가 활성층(134)에서 재결합되지 않고, 제2 반도체층(136)으로 흐르는 현상을 방지하는 전자 차단층(Electron blocking layer)일 수 있다. 중간층(138)은 활성층(134)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 제1 반도체층(130)으로부터 주입된 전자가 활성층(134)에서 재결합되지 않고 제2 반도체층(136)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 활성층(134)에서 전자와 정공의 재결합 확률을 높이고 누설전류를 방지할 수 있다.An
한편, 상술한 중간층(138)은 활성층(134)에 포함된 장벽층의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 가질 수 있으며, p 형 AlGaN 과 같은 Al 을 포함한 반도체층으로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.Meanwhile, the
상술한 제1 반도체층(132), 활성층(134), 중간층(138), 및 제2 반도체층(136)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
또한, 제1 반도체층(132) 및 제2 반도체층(136) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층은 다양한 도핑 농도 분포를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the doping concentrations of the conductive dopants in the
또한, 제1 반도체층(132)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(136)이 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 제2 반도체층(136) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. The
한편, 언도프드 반도체층(120)의 제1 층(122)의 일 영역이 노출되고 상기 영역에 제1 전극(142)이 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(142)은 제2 반도체층(136) 상의 일 영역으로 연장되어 제1 층(122)과 제2 반도체층(136) 상의 일 영역을 연결할 수 있다. Meanwhile, one region of the
또한, 언도프드 반도체층(120)의 제2 층(124)의 일 영역이 노출되고 상기 영역에 제2 전극(144)이 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(144)은 제1 반도체층(132) 상의 일 영역에 연장되어 제2 층(124)과 제1 반도체층(132) 상의 일 영역을 연결할 수 있다.In addition, one region of the
한편, 제1 층(122), 및 제2 층(124)의 일부가 노출되게 하는 방법은 소정의 식각 방법을 사용할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 식각방법은 습식 식각, 건식 식각방법을 사용할 수 있다.Meanwhile, the method of exposing the
한편, 제1 및 2 전극(142, 144)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있으며, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며 이에 한정하지 아니한다.The first and
또한, 제2 전극(144)과 제2 층(124)은 쇼트키 접합(schottky contact)을 형성할 수 있다. 따라서, 제2 층(124)과 제2 전극(144)은 쇼트키 다이오드를 형성할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 전극(142, 144)을 통해 순방향 바이어스가 인가될 경우, 제2 층(124)과 제2 전극(144)이 쇼트키 접합을 형성하므로, 제2 층(124)과 제2 전극의 접합으로 형성된 쇼트키 다이오드는 역방향 전압이 인가되는 조건이 형성된다. 따라서, 제1 전극(142)에서 언도프드 반도체층(120)을 통해 제2 전극(144)으로 전류가 흐르는 것이 차단되며 누설전류가 방지될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 전극(142, 144)을 통해 역방향 바이어스가 인가될 경우, 제2 층(124)과 제2 전극(144)이 쇼트키 접합을 형성하므로, 제2 층(124)과 제2 전극의 접합으로 형성된 쇼트키 다이오드는 순방향 전압이 인가되는 조건이 형성된다. 따라서, 제2 전극(144)에서 언도프드 반도체층(120)을 통해 제1 전극(142) 방향으로 흐르는 제2 전류 패스가 형성될 수 있다.In addition, the
한편, 제1 전극(142)과 언도프드 반도체층(120)의 측면, 또는 발광 구조물(130)의 측면이 접촉하여 불필요한 쇼트가 발생하는 것을 방지하기 위해, 제1 전극(142)과 언도프드 반도체층(120)의 측면 사이, 또는 제1 전극(142)과 발광 구조물(130)의 측면 사이에 절연층(150)이 형성될 수 있다.On the other hand, in order to prevent unnecessary short-circuiting between the
도 2는 도 1의 A 영역의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing an energy band diagram of region A of FIG. 1. FIG.
상술한 바와 같이, 언도프드 반도체층(120)은 제1층(122), 제2 층(124), 및 제1 층(122)과 제2 층(124) 사이에 형성되는 제3 층(126)을 포함할 수 있다.As described above, the
제1 층(122) 내지 제3 층(126)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 반도체 재료를 포함하며, 제2 층(124)은 제1 층(122)보다 큰 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.The
즉, 제2 층(124)은 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질의 함량이 제1 층(122)보다 클 수 있으며, 예컨대 제2 층(124)은 제1 층(122) 보다 더 큰 Al 함량을 가질 수 있다. 즉, 제2 층(124)의 y 값은 제1 층(122)의 y 값보다 클 수 있다.That is, the
도 2 에 도시된 바와 같이, 에너지 밴드갭이 서로 상이한 제1 층(122)과 제2 층(124)이 접촉하게 형성됨에 따라서, 페르미 준위 Ef 의 평형 상태를 유지하기 위해 제1 층(122)과 제2 층(124) 사이 영역에 밴드 오프셋(band offset) 영역이 형성된다. 밴드 오프셋 영역이 형성됨으로써, 제1 층(122)과 제2 층(124) 사이 영역에는 밴드가 휜 제3 층(126)이 형성되며, 제3 층(126)은 전자가 집중되어 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas) 영역을 형성할 수 있다. 따라서, 제3 층(126)은 제1 층(122) 및 제2 층(124)보다 전자의 이동성이 향상되어 낮은 저항을 가질 수 있다.2, the first layer (122 to thus maintain a balanced state of the Fermi level E f in the formed the energy band gap is different from the
제1 층(122)과 제2 층(124) 사이에 2-DEG 층으로 형성되어 낮은 저항을 갖는 제3 층(126)이 형성됨으로써, 역방향 바이어스 인가시 낮은 저항을 갖는 제3 층(126)을 통해 제2 전류 패스가 형성될 수 있다. 따라서, 역방향 바이어스 인가시 ESD 에 의한 발광소자(100)의 파손, 및 누설전류 발생이 방지되며, 발광소자(100)의 신뢰성이 개선될 수 있다. 또한, 역방향 바이어스 인가시 발광소자(100) 내에 제2 전류 패스가 형성되므로, 별도의 ESD 보호 소자가 필요 없게 되어 발광소자(100)를 포함한 발광 장치의 구성이 더욱 용이해지며, 경제성이 향상될 수 있다.A
도 3 및 도 4 는 각각 실시예에 따른 발광소자의 순방향 바이어스 및 역방향 바이어스 인가시 구동을 나타낸 구동도이다.FIG. 3 and FIG. 4 are driving diagrams illustrating a driving operation of the light emitting device according to the embodiment, respectively, when the forward bias and the reverse bias are applied.
도 3 을 참조하면, 순방향 바이어스 인가시, 제1 전극(142)을 통해 정극성 전압이 인가되고, 제2 전극(144)을 통해 부극성 전압이 인가될 수 있다. 이때, 제2 반도체층(136)으로부터 활성층(134)을 지나 제1 반도체층(132) 방향으로 진행하는 제1 전류 패스 C1 이 형성되며, 활성층(134)에서 전자와 정공의 재결합이 발생하여 광을 생성할 수 있다.Referring to FIG. 3, when forward bias is applied, a positive voltage may be applied through the
한편, 이때 상술한 바와 같이 제2 전극(144)과 언도프드 반도체층의 제2 층(124)이 쇼트키 접합을 형성하므로, 제1 전극(142)으로부터 언도프드 반도체층(120)을 통과하여 제2 전극(144) 방향으로 진행하는 전류 패스가 형성되지 아니하며, 누설전류 발생이 방지될 수 있다.At this time, since the
도 4 를 참조하면, 역방향 바이어스 인가시, 제2 전극(144)을 통해 정극성 전압이 인가되고, 제1 전극(142)을 통해 부극성 전압이 인가될 수 있다. 이때, 발광 구조물(130)은 역방향 바이어스 인가로 인해 전류 패스를 형성되지 아니한다. Referring to FIG. 4, when a reverse bias is applied, a positive voltage may be applied through the
한편, 상술한 바와 같이 제3 층(126)은 서로 밴드갭이 상이한 제1 층(122)과 제2 층(124)이 접하게 형성됨으로써 2-DEG 층으로 형성된 제3 층(126)이 형성되며, 제3 층(126)은 낮은 전기 전도성을 가짐으로써, 역방향 바이어스 인가시 제2 전극(144)으로부터 제3 층(126)을 통과하여 제1 전극(142) 방향으로 흐르는 제2 전류 패스 C2 가 형성될 수 있다. 제3 층(126)은 제1 층(122) 및 제2 층(124)에 비해서 낮은 전기 전도성을 가짐으로써, 제2 전류 패스 C2 의 형성이 더욱 용이해지며, 누설전류가 방지되고 발광소자(100)의 신뢰성이 개선될 수 있다. Meanwhile, as described above, the
도 5 내지 도 7 은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 사시도 및 단면도이다.5 to 7 are a perspective view and a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
도 5 내지 도 7 을 참조하면, 발광소자 패키지(500)는 캐비티(520)가 형성된 몸체(510), 몸체(510)에 실장되는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결되는 발광소자(530), 및 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있다. 5 to 7, the light emitting
몸체(510)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(510)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. The
몸체(510)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(530)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the
광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.Concentration of light emitted to the outside from the
한편, 몸체(510)에 형성되는 캐비티(520)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the
발광소자(530)는 제1 리드 프레임(540) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(530)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The
또한, 발광소자(530)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.The
봉지재(미도시)는 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be filled in the
봉지재(미도시)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(520) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be formed of silicon, epoxy, or other resin material. The encapsulant may be filled in the
또한 봉지재(미도시)는 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(500)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. In addition, the encapsulant (not shown) may include a phosphor, and the phosphor may be selected to be a wavelength of light emitted from the
이러한 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor may be one of a blue light emitting phosphor, a blue light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a sulfur green light emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, a yellow red light emitting phosphor, an orange light emitting phosphor, and a red light emitting phosphor depending on the wavelength of light emitted from the
즉, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(530)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(500)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor may be excited by the light having the first light emitted from the
이와 유사하게, 발광소자(530)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(530)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the
이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such a fluorescent material may be a known fluorescent material such as a YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.
제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 540 and 550 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium , Hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). Also, the first and second lead frames 540 and 550 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the present invention is not limited thereto.
제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(530)는 제1 및/또는 제2 리드 프레임(540, 550)상에 실장되며, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 발광소자(530)와 직접 접촉하거나 또는 솔더링 부재(미도시)와 같은 전도성을 갖는 재료를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(530)는 와이어 본딩을 통해 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)에 전원이 연결되면 발광소자(530)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(510)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(530)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first and second lead frames 540 and 550 are electrically separated from each other. The first and second lead frames 540 and 550 are mounted on the first and / or second lead frames 540 and 550 and the first and second lead frames 540 and 550 are in direct contact with the
한편, 도 7 을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(500)는 광학 시트(580)를 포함할 수 있으며, 광학 시트(580)는 베이스부(582) 및 프리즘 패턴(584)을 포함할 수 있다.7, the light emitting
베이스부(582)는 프리즘 패턴(584)를 형성하기 위한 지지체로서 열적 안정성이 우수하고 투명한 재질로 이루어진 것으로, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 및 폴리에폭시로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The
또한, 베이스부(582)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 일 예로 베이스부(582)를 형성하는 재질에 형광체(미도시)를 골고루 분산시킨 상태에서 이를 경화하여 베이스부(582)를 형성할 수 있다. 이와 같이 베이스부(582)를 형성하는 경우는 형광체(미도시)는 베이스부(582) 전체에 균일하게 분포될 수 있다. Further, the
한편, 베이스부(582) 상에는 광을 굴절하고, 집광하는 입체 형상의 프리즘 패턴(584)이 형성될 수 있다. 프리즘 패턴(584)을 구성하는 물질은 아크릴 레진일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.On the other hand, a three-
프리즘 패턴(584)은 베이스부(582)의 일 면에서 일 방향을 따라 상호 인접하여 평행하게 배열된 복수의 선형 프리즘을 포함하며, 선형 프리즘의 축 방향에 대한 수직 단면은 삼각형일 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The
프리즘 패턴(584)은 광을 집광하는 효과가 있기 때문에, 도 8 의 발광소자 패키지(500)에 광학 시트(580)를 부착하는 경우는 광의 직진성이 향상되어 발광소자 패키지(500)의 광의 휘도가 향상될 수 있다.When the
한편, 프리즘 패턴(584)에는 형광체(미도시)가 포함될 수 있다.Meanwhile, the
형광체(미도시)는 분산된 상태로 프리즘 패턴(584)을 형성하는, 예를 들면 아크릴 레진과 혼합하여 페이스트 또는 슬러리 상태로 만든 후, 프리즘 패턴(584)을 형성함으로써 프리즘 패턴(584) 내에 균일하게 포함될 수 있다.The phosphors (not shown) are dispersed in the
이와 같이 프리즘 패턴(584)에 형광체(미도시)가 포함되는 경우는 발광소자 패키지(500)의 광의 균일도 및 분포도가 향상됨은 물론, 프리즘 패턴(584)에 의한 광의 집광효과 외에 형광체(미도시)에 의한 광의 분산효과가 있기 때문에 발광소자 패키지(500)의 지향각을 향상시킬 수 있다.When a phosphor (not shown) is included in the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(500)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting
도 8 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 9 는 도 8 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line C-C 'of the lighting device of FIG.
도 8 및 도 9 를 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.8 and 9, the
몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.A light emitting
발광소자 패키지(644)는 기판(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(642)로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 기판 등을 사용할 수 있다.The light emitting
발광소자 패키지(644)는 연장된 리드 프레임(미도시)를 포함하여 향상된 방열 기능을 가질 수 있으므로, 발광소자 패키지(644)의 신뢰성과 효율성이 향상될 수 있으며, 발광소자 패키지(644) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 사용 연한이 연장될 수 있다.The reliability and efficiency of the light emitting
커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The
커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The
한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.Since the light generated in the light emitting
마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing
도 10 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.10 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.
도 10 은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.10, the
액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.The liquid
컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The
박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 714 is electrically connected to a printed
박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 714 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.
백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(752, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(747)로 구성된다.The
발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 기판(722)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 720 may include a substrate 722 such that a plurality of light emitting device packages 724 and a plurality of light emitting device packages 724 are mounted to form an array.
한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(752)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(752)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.The
도 11 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 10 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.11 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 10 are not repeatedly described in detail.
도 11 은 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.11, the liquid
액정표시패널(810)은 도 10 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 810 is the same as that described with reference to FIG. 10, detailed description is omitted.
백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.The
발광소자 모듈(823)은 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 기판(821)을 포함할 수 있다.The light emitting
반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The
한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.Light generated in the light emitting
실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The configuration and the method of the embodiments described above are not limitedly applied, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively combined so that various modifications can be made. .
또한, 이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
100 : 발광소자 120 : 언도프드 반도체층
122 : 제1 층 124 : 제2 층
126 : 제3 층 130 : 발광 구조물
132 : 제1 반도체층 134 : 활성층
136 : 제2 반도체층100: light emitting device 120: undoped semiconductor layer
122: first layer 124: second layer
126: Third layer 130: Light emitting structure
132: first semiconductor layer 134: active layer
136: second semiconductor layer
Claims (7)
상기 지지 부재 상에 순차적으로 형성되는 제1 층, 제3 층 및 제2 층을 포함하는 언도프드 반도체층;
상기 언도프드 반도체층 상에 순차적으로 배치되는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함한 발광 구조물;
상기 제1 층과 상기 제2 반도체층을 연결하는 제1 전극;
상기 제2 층과 상기 제1 반도체층을 연결하는 제2 전극;을 포함하며,
상기 제3 층은 상기 제1 층 및 상기 제2 층보다 낮은 전기 저항을 가지며,
상기 제1 층과 상기 제2 층은 서로 상이한 밴드갭을 가지고, 상기 제3 층은 밴드 오프셋 영역을 가지며,
상기 제3 층은 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas)으로 구성되는 발광소자.A support member;
An undoped semiconductor layer including a first layer, a third layer and a second layer sequentially formed on the supporting member;
A light emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer sequentially disposed on the undoped semiconductor layer;
A first electrode connecting the first layer and the second semiconductor layer;
And a second electrode connecting the second layer and the first semiconductor layer,
Wherein the third layer has a lower electrical resistance than the first layer and the second layer,
Wherein the first layer and the second layer have different band gaps, the third layer has a band offset region,
And the third layer is formed of 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas).
상기 제2 층은 상기 제1 층보다 큰 밴드갭을 갖는 발광소자.The method according to claim 1,
And the second layer has a band gap larger than that of the first layer.
상기 제1 층은,
Inx1Aly1Ga1-x1-y1N (0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성을 갖고,
상기 제2 층은,
Inx2Aly2Ga1-x2-y2N (0≤x2≤1, 0≤y2≤1, 0≤x2+y2≤1)의 조성을 가지며,
상기 y2 는 상기 y1 보다 큰 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first layer comprises:
Having a composition of In x1 Al y1 Ga 1-x1 -y1 N (0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1 + y1≤1),
Wherein the second layer comprises:
In x 2 Al y 2 Ga 1 -x 2 -y 2 N (0? X 2? 1 , 0? Y 2? 1 , 0? X 2 + y 2? 1)
And y2 is larger than y1.
상기 제2 층과 상기 제2 전극은 쇼트키 접합을 형성하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the second layer and the second electrode form a Schottky junction.
상기 제1 전극과 상기 발광 구조물의 측면 사이에 배치되는 절연층;을 더 포함하는 발광소자.
The method according to claim 1,
And an insulating layer disposed between the first electrode and a side surface of the light emitting structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110106031A KR101852898B1 (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110106031A KR101852898B1 (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130041641A KR20130041641A (en) | 2013-04-25 |
| KR101852898B1 true KR101852898B1 (en) | 2018-04-27 |
Family
ID=48440750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110106031A KR101852898B1 (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101852898B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101614370B1 (en) | 2015-04-07 | 2016-04-21 | 엘지전자 주식회사 | Semiconductor light emitting device, transfer head of the semiconductor light emitting device, and method for transferring the semiconductor light emitting device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609968B1 (en) | 2005-06-29 | 2006-08-08 | 엘지전자 주식회사 | Light emitting diode with the function of electrostatic discharge protection and fabricating method thereof |
| US20070069218A1 (en) | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Ming-Sheng Chen | Light-emitting diode chip |
| KR100999784B1 (en) | 2010-02-23 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method of fabricating the light emitting device and light emitting device package |
-
2011
- 2011-10-17 KR KR1020110106031A patent/KR101852898B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609968B1 (en) | 2005-06-29 | 2006-08-08 | 엘지전자 주식회사 | Light emitting diode with the function of electrostatic discharge protection and fabricating method thereof |
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| KR100999784B1 (en) | 2010-02-23 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method of fabricating the light emitting device and light emitting device package |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR20140097723A (en) | Light emitting device |
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