KR101852237B1 - Perovskite photovoltaic cell module - Google Patents

Perovskite photovoltaic cell module Download PDF

Info

Publication number
KR101852237B1
KR101852237B1 KR1020150068615A KR20150068615A KR101852237B1 KR 101852237 B1 KR101852237 B1 KR 101852237B1 KR 1020150068615 A KR1020150068615 A KR 1020150068615A KR 20150068615 A KR20150068615 A KR 20150068615A KR 101852237 B1 KR101852237 B1 KR 101852237B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
perovskite solar
layer
shunt
cell module
Prior art date
Application number
KR1020150068615A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160135408A (en
Inventor
김동환
이해석
강윤묵
이승훈
김영도
박효민
김성탁
정태원
Original Assignee
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고려대학교 산학협력단 filed Critical 고려대학교 산학협력단
Priority to KR1020150068615A priority Critical patent/KR101852237B1/en
Priority to CN201680006331.3A priority patent/CN107210368B/en
Priority to PCT/KR2016/003378 priority patent/WO2016186317A1/en
Publication of KR20160135408A publication Critical patent/KR20160135408A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101852237B1 publication Critical patent/KR101852237B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/04—Oxides; Hydroxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H10K39/12—Electrical configurations of PV cells, e.g. series connections or parallel connections
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

페로브스카이트 태양 전지 모듈은 제1 셀 영역 및 제2 셀 영역으로 구획된 투명 기판, 투명 기판 상에 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 형성되고, 투명 전극, 페로브스카이트 물질로 이루어진 흡수층 및 흡수층으로부터 정공이 유입되는 금속 전극을 각각 구비하는 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들, 제1 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 금속 전극 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 투명 전극을 상호 연결시켜, 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들을 전기적으로 연결시키는 연결부 및 연결부과 흡수층 사이에 개재되어 흡수층에 형성된 전자가 연결부로 이동되는 것을 억제하는 션트 억제막을 포함한다.The perovskite solar cell module includes a transparent substrate divided into a first cell region and a second cell region, a transparent electrode formed on each of the first and second cell regions on the transparent substrate, and a transparent electrode made of a perovskite material First and second perovskite solar cells each having a metal electrode into which holes from the absorption layer and the absorption layer are introduced, a metal electrode included in the first perovskite solar cell, and a second perovskite solar cell A plurality of transparent electrodes formed on the first and second perovskite solar cells, the first and second perovskite solar cells being electrically connected to each other, Inhibiting film.

Description

페로브스카이트 태양 전지 모듈{PEROVSKITE PHOTOVOLTAIC CELL MODULE}[0001] PEROVSKITE PHOTOVOLTAIC CELL MODULE [0002]

본 발명은 페로브스카이트 태양 전지 모듈에 관한 것으로, 구체적으로는 페로브스카이트 구조를 갖는 물질을 흡수층으로 포함하는 태양 전지 셀들이 상호 전기적으로 연결된 페로브스카이트 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a perovskite solar cell module, and more particularly, to a perovskite solar cell module in which solar cells including a material having a perovskite structure as an absorption layer are electrically connected to each other.

석유 및 석탄과 같은 기존의 화석에너지 자원이 고갈되고, 후쿠시마 원전사고의 예처럼 안전한 에너지원으로 대체할 수 있고, 지구 온난화 문제가 대두되면서 환경오염을 줄일 수 있는 에너지원 개발에 많은 연구가 되고 있으며 이 중 태양광을 이용한 태양 에너지는 무한히 이용할 수 있어 특히 많은 연구가 진행되고 있다.There have been many studies on the development of energy sources that can reduce environmental pollution due to depletion of existing fossil energy resources such as petroleum and coal, substitution of safe energy source as an example of Fukushima nuclear power plant accident, and global warming problem Among them, solar energy using solar light can be used indefinitely, and especially a lot of research is going on.

태양광을 이용한 태양전지는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로 실리콘 태양전지가 대표적이고, 일반적인 상용 태양전지는 p형과 n형의 반도체로 구성되고, 전후면 전극을 갖추어 광조사에 의해 생성된 전자와 정공은 분리되어 전극에 수집된다. 이로써 태양전지 모듈의 단위 셀들이 형성된다.Photovoltaic solar cells use photovoltaic effect to convert light energy into electrical energy. Typical commercial solar cells are p-type and n-type semiconductors, Electrons and holes generated by the light irradiation with the front and rear electrodes are separated and collected in the electrode. Whereby the unit cells of the solar cell module are formed.

하지만, 한 개의 태양전지 셀에서 생산되는 전압과 전류는 미미하여 출력을 얻기 위해서 다수의 태양전지 셀들을 직렬 또는 병렬로 연결한 후 옥외 사용을 위해 패키징하게 되고 이러한 형태를 태양전지 모듈이라 한다.However, since the voltage and current generated in one solar battery cell is insignificant, a plurality of solar battery cells are connected in series or in parallel to obtain an output, and are packaged for outdoor use, and this form is called a solar battery module.

한편, 페로브스카이트 구조를 갖는 물질로 흡수층을 포함하는 태양 전지 셀은 기존의 실리콘 박막 태양 전지에 비하여 전하 분리 및 광전하 축적 특성이 우수하여 우수한 광전 변환 효율을 가질 수 있다.On the other hand, a solar cell including an absorption layer made of a material having a perovskite structure has excellent photoelectric conversion efficiency due to excellent charge separation and photoelectric storage characteristics as compared with conventional silicon thin film solar cells.

상기 페로브스카이트 태양 전지 셀들을 상호 전기적으로 연결시켜 페로브스카이트 태양 전지 모듈을 제조할 때 레이저 스크라이빙 공정 또는 기계적 스크라이빙 공정을 통하여 흡수층이 패터닝화 될 수 있다. 이 때, 상기 스크라이빙 공정시 구조물에 발생할 수 있는 흡수층에서의 손상 또는 션트(SHUNT) 등의 문제가 발생할 수 있다. 특히, 금속 전극과 흡수층 사이의 접촉을 통한 상기 흡수층에서 발생한 전자가 투명 전극으로 이동하지 않고 상기 금속 전극으로 이동하는 션트 현상이 발생하여 상기 페로브스카이트 태양 전지 모듈의 광전 변환 효율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.When manufacturing the perovskite solar cell module by electrically connecting the perovskite solar cells, the absorber layer may be patterned through a laser scribing process or a mechanical scribing process. At this time, damage or shunts in the absorption layer may occur in the structure during the scribing process. Particularly, electrons generated in the absorbing layer through contact between the metal electrode and the absorbing layer do not move to the transparent electrode but shunt phenomenon moves to the metal electrode, thereby lowering the photoelectric conversion efficiency of the perovskite solar cell module May occur.

상술한 종래 기술 상의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 션트 발생을 억제하여 광전 변환 효율을 개선할 수 있는 페로브스카이트 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a perovskite solar cell module capable of suppressing shunt generation and improving photoelectric conversion efficiency.

본 발명의 실시예들에 따른 페로브스카이트 태양 전지 모듈은, 제1 셀 영역 및 제2 셀 영역으로 구획된 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 상기 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 형성되고, 투명 전극, 페로브스카이트 물질로 이루어진 흡수층 및 상기 흡수층으로부터 정공이 유입되는 금속 전극을 각각 구비하는 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들, 상기 제1 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 금속 전극 및 상기 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 투명 전극을 상호 연결시켜, 상기 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들을 전기적으로 연결시키는 연결부 및 상기 연결부 및 상기 흡수층 사이에 개재되어 상기 흡수층에 형성된 전자가 상기 연결부로 이동되는 것을 억제하는 션트 억제막을 포함한다.A perovskite solar cell module according to embodiments of the present invention includes a transparent substrate divided into a first cell region and a second cell region, and a second substrate region formed on each of the first and second cell regions on the transparent substrate First and second perovskite solar cells each having a transparent electrode, an absorption layer made of a perovskite material, and a metal electrode into which holes are introduced from the absorption layer, a first perovskite solar cell And a transparent electrode included in the second perovskite solar cell to interconnect the first and second perovskite solar cells with each other, and a connection part for electrically connecting the first and second perovskite solar cells, And a shunt suppressing film interposed between the first electrode and the second electrode to inhibit electrons formed in the absorption layer from moving to the connection portion.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결부는 상기 금속 전극의 단부 및 상기 투명 전극의 상부와 물리적으로 콘택할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the connection portion may physically contact an end portion of the metal electrode and an upper portion of the transparent electrode.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결부 및 상기 금속 전극은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the connection portion and the metal electrode may be made of the same material.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 션트 억제막은 상기 흡수층보다 확산 거리가 짧은 것을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the shunt suppressing film may have a shorter diffusion distance than the absorption layer.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 션트 억제막은 유전 물질로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the shunt suppressing film may be made of a dielectric material.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 페로브스카이트 태양 전지 셀들 각각은 상기 투명 전극 및 상기 흡수층 사이에 개재되어 전자가 흡수층으로 복귀하는 것을 억제하는 블로킹층을 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, each of the perovskite solar cells may further include a blocking layer interposed between the transparent electrode and the absorber layer to prevent electrons from returning to the absorber layer.

여기서, 상기 션트 억제막은 상기 블로킹층 및 상기 연결부 사이에 개재될 수 있다.Here, the shunt suppressing layer may be interposed between the blocking layer and the connection portion.

본 발명의 실시예들에 따르면, 연결부 및 상기 흡수층 사이에 개재되어 상기 흡수층에 형성된 전자가 상기 연결부로 이동되는 것을 억제하는 션트 억제막이 구비된다. 이로써, 페로브스카이트 태양 전지 모듈 제작 시 발생하는 손상 및 션트를 억제할 수 있다. 이로써, 페로브스카이트 태양 전지 모듈의 효율이 증대될 수 있다.According to embodiments of the present invention, there is provided a shunt suppressing film interposed between the connecting portion and the absorbing layer to inhibit electrons formed in the absorbing layer from moving to the connecting portion. As a result, damage and shunt generated in the manufacture of the perovskite solar cell module can be suppressed. As a result, the efficiency of the perovskite solar cell module can be increased.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 페로브스카이트 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a perovskite solar cell module according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a perovskite solar cell module according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the accompanying drawings, the sizes and the quantities of objects are shown enlarged or reduced from the actual size for the sake of clarity of the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "comprising", and the like are intended to specify that there is a feature, step, function, element, or combination of features disclosed in the specification, Quot; or " an " or < / RTI > combinations thereof.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a perovskite solar cell module according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈(100)은 투명 기판(110), 제1 태양 전지 셀(120), 제2 태양 전지 셀(130), 연결부(140) 및 션트 억제막(150)을 포함한다.1, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate 110, a first solar cell 120, a second solar cell 130, a connection part 140, And a shunt suppressing film 150.

상기 투명 기판(110)은 유리 기판 또는 고분자 기판을 포함할 수 있다. 상기 투명 기판(110)의 하면으로 통하여 외부의 태양광이 입사될 수 있다. The transparent substrate 110 may include a glass substrate or a polymer substrate. External sunlight can be incident through the lower surface of the transparent substrate 110. [

상기 투명 기판(110)은 복수의 셀 영역들(111, 112)로 구분될 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 기판은 제1 셀 영역(111) 및 제2 셀 영역(112)으로 구분된다. 상기 셀 영역들(111, 112) 각각에는 페로브스카이트 태양 전지 셀들 각각이 형성될 수 있다.The transparent substrate 110 may be divided into a plurality of cell regions 111 and 112. For example, the transparent substrate may be divided into a first cell region 111 and a second cell region 112. Each of the cell regions 111 and 112 may include perovskite solar cells.

상기 제1 태양 전지 셀(120)은 상기 투명 기판(110) 상에 상기 제1 셀 영역(111)에 형성된다. 상기 제1 태양 전지 셀(120)은 상기 투명 기판(110)을 통하여 입사된 태양광을 이용하여 광전 변환을 수행하여 전력을 발생한다. The first solar cell 120 is formed on the first cell region 111 on the transparent substrate 110. The first solar cell 120 performs photoelectric conversion using sunlight incident through the transparent substrate 110 to generate electric power.

상기 제1 태양 전지 셀(120)은 투명 전극(121), 흡수층(123) 및 금속 전극(125)을 포함한다. The first solar cell 120 includes a transparent electrode 121, an absorption layer 123, and a metal electrode 125.

상기 투명 전극(121)은 상기 투명 기판(110) 상에 형성된다. 상기 투명 전극(121)은 예를 들면, ITO, FTO, ZnO, ATO, PTO, AZO, IZO 와 같은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 투명 전극(121)으로는 상기 흡수층(123)에서 광전 효과에 의하여 발생한 전자가 흐를 수 있다.The transparent electrode 121 is formed on the transparent substrate 110. The transparent electrode 121 may be formed of a transparent conductive oxide such as ITO, FTO, ZnO, ATO, PTO, AZO, or IZO. As the transparent electrode 121, electrons generated by the photoelectric effect in the absorption layer 123 can flow.

상기 흡수층(123)은 상기 투명 전극(121) 상에 형성된다. 상기 흡수층(123)은 태양광을 흡수하여 광전 효과를 통하여 전자 및 정공의 캐리어 쌍을 형성한다. The absorption layer 123 is formed on the transparent electrode 121. The absorption layer 123 absorbs sunlight to form carrier pairs of electrons and holes through a photoelectric effect.

상기 흡수층(123)은 페로브스카이트 구조를 갖는 물질로 이루어진다. 예를 들면, 상기 흡수층(123)은 티타늄 산화물 및 페로브스카이트 구조의 물질로 형성될 수 있다.The absorption layer 123 is made of a material having a perovskite structure. For example, the absorption layer 123 may be formed of a material of titanium oxide and perovskite structure.

상기 금속 전극(125)은 상기 흡수층(123) 상에 형성된다. 상기 금속 전극(125)은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir 및 Os과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.The metal electrode 125 is formed on the absorption layer 123. The metal electrode 125 may be formed of a metal such as Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh,

상기 금속 전극(125)에는 상기 흡수층(123)에서 생성된 정공이 흐를 수 있다.The holes generated in the absorption layer 123 may flow through the metal electrode 125.

상기 투명 전극(121), 흡수층(123) 및 금속 전극(125)을 포함하는 제1 태양 전지 셀(120)은 독립적으로 구동할 수 있다.The first solar cell 120 including the transparent electrode 121, the absorption layer 123, and the metal electrode 125 can be independently driven.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 태양 전지 셀(120)은 블로킹층(122) 및 홀전도층(124)을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first solar cell 120 may further include a blocking layer 122 and a hole conductive layer 124.

상기 블로킹층(122)은 상기 투명 전극(121) 및 상기 흡수층(123) 사이에 개재된다. 상기 흡수층(123)에서 생성된 전자는 투명 전극(121)으로 이동하여야 하나, 상기 투명 전극(121)으로 이동하지 못하고 전자가 다시 흡수층(123)으로 복귀할 수 있다. 즉, 상기 블로킹층(122)은 전자가 용이하게 상기 투명 전극(121)으로 이동하게 함으로써 광전 변환 효율을 개선할 수 있다.The blocking layer 122 is interposed between the transparent electrode 121 and the absorption layer 123. The electrons generated in the absorption layer 123 must move to the transparent electrode 121 but they can not move to the transparent electrode 121 and electrons can return to the absorption layer 123 again. That is, the blocking layer 122 can improve the photoelectric conversion efficiency by allowing electrons to easily move to the transparent electrode 121.

상기 블로킹층(122)은 티타늄 산화물을 포함할 수 있다. 상기 블로킹층(120)은 아나테제(anatase) 구조를 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 이로써 상기 블로킹층(122)은 우수한 광촉매 특성을 가질 수 있다.The blocking layer 122 may comprise titanium oxide. The blocking layer 120 may be formed of a material having an anatase structure. Thus, the blocking layer 122 may have excellent photocatalytic properties.

상기 홀전도층(124)은 상기 흡수층(123) 및 금속 전극(125) 사이에 개재된다. 상기 홀전도층(124)은 상기 흡수층(123)에서 발생한 홀(정공)을 상기 금속 전극(125)으로 효과적으로 전달 할 수 있다.The hole conductive layer 124 is interposed between the absorption layer 123 and the metal electrode 125. The hole conductive layer 124 can effectively transfer holes (holes) generated in the absorption layer 123 to the metal electrode 125.

상기 홀전도층(124)은 단분자 또는 고분자 정공전달 물질을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 단분자 정공전달 물질로서 spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene)를 사용할 수 있다. The hole conduction layer 124 may include a single molecule or a polymer hole transport material, but is not limited thereto. For example, spiro-MeOTAD (2,2 ', 7'-tetrakis- (N, N-di-p-methoxyphenyl-amine) -9,9'spirobifluorene) may be used as the monomolecular hole transporting material.

또한, 상기 홀전도층(124)에는 도핑 물질로서 Li 계열 도펀트, Co 계열 도펀트, 또는 Li 계열 도펀트 및 Co 계열 도펀트 모두가 추가적으로 포함될 수 있다. 또한, 상기 홀전도층(124)에는 tBP 등의 첨가제가 추가적으로 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 홀전도층(124)을 구성하는 물질로서 spiro-MeOTAD, tBP, 및 Li-TFSI의 혼합물을 이용할 수 있다.The hole conductive layer 124 may further include a Li-based dopant, a Co-based dopant, a Li-based dopant, and a Co-based dopant as a doping material. In addition, the hole conductive layer 124 may further include an additive such as tBP. For example, a mixture of spiro-MeOTAD, tBP, and Li-TFSI may be used as the material constituting the hole conductive layer 124. [

상기 제2 태양 전지 셀(130)은 상기 투명 기판(110) 상에 상기 제2 셀 영역(112)에 형성된다. 상기 제2 태양 전지 셀(130)은 상기 제1 태양 전지 셀(120)과 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다.The second solar cell 130 is formed on the second cell region 112 on the transparent substrate 110. The second solar cell 130 may have substantially the same structure as the first solar cell 120.

상기 연결부(140)는 상기 제1 페로브스카이트 태양 전지 셀(120)에 포함된 금속 전극(125) 및 상기 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀(130)에 포함된 투명 전극(121)을 상호 연결시킨다. 이로써, 상기 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들(120, 130)이 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 연결부(140)는 상기 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들(120, 130)을 직렬 연결시킨다. 이로써 상기 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들(120, 130)을 포함하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈(100)이 형성된다.The connection part 140 connects the metal electrode 125 included in the first perovskite solar cell 120 and the transparent electrode 121 included in the second perovskite solar cell 130 Interconnect. As a result, the first and second perovskite solar cells 120 and 130 are electrically connected. That is, the connection unit 140 connects the first and second perovskite solar cells 120 and 130 in series. Thus, the perovskite solar cell module 100 including the first and second perovskite solar cells 120 and 130 is formed.

상기 연결부(140)는 상기 금속 전극(125)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 연결부(140)는 상기 금속 전극(125)과 동시에 형성될 수 있다.The connection part 140 may be formed of the same material as the metal electrode 125. That is, the connection unit 140 may be formed simultaneously with the metal electrode 125.

상기 연결부(140)는 상기 투명 기판(121)의 상면에 대하여 수직 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 상기 연결부(140)는 상기 제1 페로브스카이트 태양 전지 셀(120)에 포함된 상기 흡수층(123)의 측벽을 따라 금속 전극(125)의 단부 및 상기 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀(130)에 포함된 투명 전극(121)의 상면과 연결될 수 있다.The connection part 140 may have a shape extending in a direction perpendicular to the upper surface of the transparent substrate 121. The connection unit 140 connects the end of the metal electrode 125 along the side wall of the absorption layer 123 included in the first perovskite solar cell 120 and the end of the second perovskite solar cell 130 may be connected to the upper surface of the transparent electrode 121. [

상기 션트 억제막(150)은 상기 연결부(140) 및 상기 흡수층(123) 사이에 개재된다. 상기 션트 억제막(150)은 상기 흡수층(123)에 형성된 전자가 상기 연결부(140)로 직접 이동하는 것을 억제한다. 이로써 상기 션트 억제막(150)은 태양 전지 모듈(100)에서 발생할 수 있는 누설 전류를 억제할 수 있다. The shunt suppressing film 150 is interposed between the connection part 140 and the absorption layer 123. The shunt suppression film 150 suppresses direct movement of electrons formed in the absorption layer 123 to the connection portion 140. Thus, the shunt suppressing film 150 can suppress the leakage current that may occur in the solar cell module 100.

또한, 레이저 공정 또는 스크라이빙 공정과 같은 패터닝 공정을 통하여 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들에 포함된 흡수층(123)을 형성한다. 상기 패터닝 공정 중 흡수층(123)의 측면에 손상이 발생할 수 있다. 이때 상기 션트 억제막(150)은 상기 패터닝 공정 중 상기 흡수층(123)의 노출된 측면에 발생한 손상을 완화시킬 수 있다.In addition, an absorption layer 123 included in the first and second perovskite solar cells is formed through a patterning process such as a laser process or a scribing process. Damage may occur to the side surface of the absorbing layer 123 during the patterning process. At this time, the shunt suppressing film 150 can alleviate the damage on the exposed side of the absorbing layer 123 during the patterning process.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 션트 억제막(150)은 패터닝 공정시 노출된 흡수층(123)의 측부을 열화시킴으로써 형성될 수 있다. 즉, 상기 션트 억제막(150)은 상기 흡수층(123)에 대하여 열을 인가함으로써 형성될 수 있다. 이로써, 상기 션트 억제막(150)은 상기 흡수층(123)의 측부를 따라 수직으로 연장되어 구비될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the shunt suppression layer 150 may be formed by deteriorating the side of the absorbent layer 123 exposed during the patterning process. That is, the shunt suppressing film 150 may be formed by applying heat to the absorption layer 123. Accordingly, the shunt suppressing layer 150 may extend vertically along the side of the absorbent layer 123.

이와 다르게, 상기 션트 억제막(150)은 상기 흡수층(123)보다 짧은 확산 거리를 갖도록 증착 공정을 통하여 형성할 수도 있다.Alternatively, the shunt suppression layer 150 may be formed through a deposition process so as to have a shorter diffusion distance than the absorption layer 123.

또한, 상기 흡수층(123)은 단면으로 볼 때 ㄱ 자 형상을 가질 수 있다. 이로서 상기 흡수층(123)이 상기 블로킹층(122)의 측부를 커버하여 상기 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀(130)에 포함된 투명 전극(121)의 상면과 접촉할 수 있다. 이 경우, 상기 흡수층(123)의 노출된 측벽이 열화되어 형성된 상기 션트 억제막(150)은 상기 흡수층(123)의 측부를 전체적으로 덮도록 형성되며 상기 블로킹층(122) 및 상기 연결부(140)를 전기적으로 절연시킨다. 따라서, 상기 션트 억제막(150)은, 전자가 상기 블로킹층(122)으로부터 상기 연결부(140)로 이동하는 것을 억제할 수 있다.
In addition, the absorbent layer 123 may have a U-shape when viewed in section. The absorbing layer 123 may cover the side of the blocking layer 122 and may contact the upper surface of the transparent electrode 121 included in the second perovskite solar cell 130. In this case, the shunt-suppressing layer 150 formed by deteriorating the exposed sidewalls of the absorption layer 123 is formed to cover the entire sides of the absorption layer 123, and the blocking layer 122 and the connection portion 140 Electrically insulated. Therefore, the shunt suppressing film 150 can suppress electrons from moving from the blocking layer 122 to the connection portion 140. [

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a perovskite solar cell module according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈(100)은 투명 기판(110), 제1 태양 전지 셀(120), 제2 태양 전지 셀(130), 연결부(140) 및 션트 억제막(150)을 포함한다. 상기 태양 전지 모듈은 상기 도 1을 참고로 설명한 태양 전지 모듈에 포함된 투명 기판(110), 제1 태양 전지 셀(120), 제2 태양 전지 셀(130) 및 연결부(140)와 실질적으로 동일한 구조를 가진다. 2, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate 110, a first solar cell 120, a second solar cell 130, a connection part 140, And a shunt suppressing film 150. The solar cell module is substantially the same as the transparent substrate 110, the first solar cell 120, the second solar cell 130, and the connection portion 140 included in the solar cell module described with reference to FIG. Structure.

상기 션트 억제막(150)은 상기 연결부(140) 및 상기 흡수층(123) 사이에 개재된다. 상기 션트 억제막(150)은 상기 흡수층(123)에 형성된 전자가 상기 연결부(140)로 직접 이동하는 것을 억제한다. 이로써 상기 션트 억제막(150)은 태양 전지 모듈에서 발생할 수 있는 누설 전류를 억제할 수 있다. The shunt suppressing film 150 is interposed between the connection part 140 and the absorption layer 123. The shunt suppression film 150 suppresses direct movement of electrons formed in the absorption layer 123 to the connection portion 140. Thus, the shunt suppression film 150 can suppress the leakage current that may occur in the solar cell module.

또한, 레이저 공정 또는 스크라이빙 공정과 같은 패터닝 공정을 통하여 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들에 포함된 흡수층(123)을 형성한다. 상기 패터닝 공정 중 흡수층(123)의 노출된 측면에 손상이 발생할 수 있다. 이때 상기 션트 억제막(150)은 상기 패터닝 공정 중 상기 흡수층(123)의 측면에 발생한 손상을 완화시킬 수 있다.In addition, an absorption layer 123 included in the first and second perovskite solar cells is formed through a patterning process such as a laser process or a scribing process. Damage may occur to the exposed side of the absorbent layer 123 during the patterning process. At this time, the shunt suppressing film 150 can alleviate the damage on the side surface of the absorbing layer 123 during the patterning process.

이때, 상기 션트 억제막(150)은 패터닝 공정시 노출된 흡수층(123)의 측면에 유전 물질로 증착하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 패터닝 공정 후, 유전 물질을 이용하여 유전체를 형성함으로써 상기 션트 억제막(150)이 구비될 수 있다.At this time, the shunt suppressing layer 150 may be formed by depositing a dielectric material on the side of the absorbing layer 123 exposed during the patterning process. That is, after the patterning process, the shunt suppressing film 150 may be provided by forming a dielectric material using a dielectric material.

상기 션트 억제막(150)은 TiO2, SiNx, Al2O3, SiOx, 진성 비정질 실리콘, HfOx, ZrOx 또는 ZnS 과 같은 물질로 이루어 질 수 있다.The shunt suppression film 150 may be made of a material such as TiO 2 , SiNx, Al 2 O 3 , SiOx, intrinsic amorphous silicon, HfOx, ZrOx or ZnS.

또한, 상기 션트 억제막(150)은 상기 연결부(140)와 홀전도층(124) 사이 및 상기 연결부(140)와 블로킹층(122) 사이에 개재될 수 있다. 이로써 상기 션트 억제막은 상기 블로킹층(122)으로부터 전자가 상기 연결부(140)로 이동하는 누설 전류를 억제할 수 있다.The shunt suppression layer 150 may be interposed between the connection portion 140 and the hole conductive layer 124 and between the connection portion 140 and the blocking layer 122. Thus, the shunt suppressing film can suppress the leakage current that electrons move from the blocking layer 122 to the connection portion 140.

본 발명의 실시예들에 페로브스카이트 태양 전지 모듈은 션트 발생에 따른 광전 변환 효율을 증대시킬 수 있다.In the embodiments of the present invention, the perovskite solar cell module can increase the photoelectric conversion efficiency according to shunt generation.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

Claims (7)

제1 셀 영역 및 제2 셀 영역으로 구획된 투명 기판;
상기 투명 기판 상에 상기 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 형성되고, 투명 전극, 페로브스카이트 물질로 이루어진 흡수층 및 상기 흡수층으로부터 정공이 유입되는 금속 전극을 각각 구비하는 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들;
상기 제1 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 금속 전극 및 상기 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀에 포함된 투명 전극을 상호 연결시켜, 상기 제1 및 제2 페로브스카이트 태양 전지 셀들을 전기적으로 연결시키는 연결부; 및
상기 연결부 및 상기 흡수층 사이에 개재되어 상기 흡수층에 형성된 전자가 상기 연결부로 이동되는 것을 억제하는 션트 억제막을 포함하고,
상기 션트 억제막은 상기 흡수층의 측벽을 따라 연장되며 상기 흡수층의 측벽에 선택적으로 면접함으로써, 상기 흡수층에서 발생한 전자가 상기 연결부로 이동하는 션트가 상기 흡수층의 측벽에 인접한 위치에서 발생하는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.A transparent substrate partitioned into a first cell region and a second cell region;
And first and second electrodes formed on the transparent substrate, the first and second electrodes being formed on the first and second cell regions, respectively, and each including a transparent electrode, an absorption layer made of a perovskite material, Lobstaite solar cells;
A metal electrode included in the first perovskite solar cell and a transparent electrode included in the second perovskite solar cell are interconnected to form the first and second perovskite solar cells, A connecting portion for electrically connecting; And
And a shunt suppressing film interposed between the connecting portion and the absorbing layer to inhibit electrons formed in the absorbing layer from moving to the connecting portion,
The shunt suppressing film extends along the side wall of the absorbent layer and is selectively brought into contact with the side wall of the absorbent layer to suppress the occurrence of a shunt in which the electrons generated in the absorbent layer move to the connecting portion at a position adjacent to the side wall of the absorbent layer A perovskite solar cell module. 제1항에 있어서, 상기 연결부는 상기 금속 전극의 단부 및 상기 투명 전극의 상부와 물리적으로 콘택하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.The perovskite solar cell module according to claim 1, wherein the connection part physically contacts an end of the metal electrode and an upper part of the transparent electrode. 제1항에 있어서, 상기 연결부 및 상기 금속 전극은 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.The perovskite solar cell module according to claim 1, wherein the connection portion and the metal electrode are made of the same material. 제1항에 있어서, 상기 션트 억제막은 상기 흡수층보다 확산거리가 짧은 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.The perovskite solar cell module according to claim 1, wherein the shunt suppressing film has a shorter diffusion distance than the absorption layer. 제1항에 있어서, 상기 션트 억제막은 유전 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.The perovskite solar cell module according to claim 1, wherein the shunt suppressing film is made of a dielectric material. 제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 태양 전지 셀들 각각은 상기 투명 전극 및 상기 흡수층 사이에 개재되어 전자가 흡수층으로 복귀하는 것을 억제하는 블로킹층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.2. The solar cell according to claim 1, wherein each of the perovskite solar cells further comprises a blocking layer interposed between the transparent electrode and the absorbing layer to inhibit electrons from returning to the absorbing layer. Battery module. 제6항에 있어서, 상기 션트 억제막은 상기 블로킹층 및 상기 연결부 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지 모듈.The perovskite solar cell module according to claim 6, wherein the shunt suppressing film is interposed between the blocking layer and the connecting portion.
KR1020150068615A 2015-05-18 2015-05-18 Perovskite photovoltaic cell module KR101852237B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150068615A KR101852237B1 (en) 2015-05-18 2015-05-18 Perovskite photovoltaic cell module
CN201680006331.3A CN107210368B (en) 2015-05-18 2016-04-01 Perovskite solar cell module
PCT/KR2016/003378 WO2016186317A1 (en) 2015-05-18 2016-04-01 Perovskite solar cell module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150068615A KR101852237B1 (en) 2015-05-18 2015-05-18 Perovskite photovoltaic cell module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160135408A KR20160135408A (en) 2016-11-28
KR101852237B1 true KR101852237B1 (en) 2018-04-25

Family

ID=57706699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150068615A KR101852237B1 (en) 2015-05-18 2015-05-18 Perovskite photovoltaic cell module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101852237B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102089558B1 (en) * 2018-07-11 2020-03-16 주식회사 프런티어에너지솔루션 Perovskite solar cell module
CN109713129B (en) * 2018-12-28 2021-02-26 无锡极电光能科技有限公司 Perovskite thin-film solar module and preparation method thereof
KR102261571B1 (en) * 2020-11-25 2021-06-07 주식회사 유니테스트 Perovskite solar cell module and manufacturing method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165671A (en) * 2008-12-17 2010-07-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Paste composition for forming reverse electronic reaction control film, reverse electronic reaction control film for dye-sensitized solar cell using it, and dye-sensitized solar cell

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165671A (en) * 2008-12-17 2010-07-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Paste composition for forming reverse electronic reaction control film, reverse electronic reaction control film for dye-sensitized solar cell using it, and dye-sensitized solar cell

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Giacomo et al., ‘Flexible Perovskite Photovoltaic Modules and Solar Cells Based on Atomic Layer Deposited Compact Layers...’ Adv. Energy Mater. 2015, 1401808 (2014.10.12.)*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160135408A (en) 2016-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107210368B (en) Perovskite solar cell module
Elbar et al. Numerical simulation of CGS/CIGS single and tandem thin-film solar cells using the Silvaco-Atlas software
US9337357B2 (en) Bifacial solar cell module
KR102322176B1 (en) Tandem Solar Cell Device
KR20180053993A (en) Solar cell module and manufacturing method thereof
CN105637651A (en) Solar cell module
KR101852237B1 (en) Perovskite photovoltaic cell module
KR101666748B1 (en) Perovskite photovoltaic cell module
JP5420109B2 (en) Multiple solar cell having PN junction and Schottky junction and manufacturing method thereof
US20120097227A1 (en) Solar cells
KR101405113B1 (en) Solar Cell with Back-Side Buffer Layer and its Fabrication Method.
JP2022510311A (en) 3-terminal tandem solar power generation unit
US20170194525A1 (en) High power solar cell module
JP5952336B2 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
US20170323986A1 (en) Photovoltaic module
KR101909143B1 (en) Bifacial solar cell
KR101210110B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20130006904A (en) Thin flim solar cell
KR20120119807A (en) Solar cell
CN104254926B (en) Photovoltaic apparatus
KR101281538B1 (en) Solar cell module comprising bypass element
KR101866309B1 (en) Metal welding solar cell
JP5916605B2 (en) Solar power plant
TWM504356U (en) Four-bus-bar solar cell
CN116613230B (en) Solar cell and preparation method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101004630; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160805

Effective date: 20180322

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant