KR101844871B1 - Light emitting diodes of enhanced light efficiency and manufacturing method of the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 70
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 33
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 31
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02601—Nanoparticles
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- H01L33/40—Materials therefor
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- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 활성층에서 생성된 빛 중에서 반도체 물질 내로 반사되는 빛의 양을 최대한 감소시키기 위하여 기판 상에 나노 로드와 상기 나노 로드 사이를 충진하는 광 산란 촉진층을 구비하는 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode with improved light efficiency and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a light emitting diode having improved light efficiency and a method of manufacturing the light emitting diode. And a method for manufacturing the light emitting diode.
Description
본 발명은 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 활성층에서 생성된 빛 중에서 반도체 물질 내로 반사되는 빛의 양을 최대한 감소시키기 위하여 기판 상에 나노 로드와 상기 나노 로드 사이를 충진하는 광 산란 촉진층을 구비하는 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode with improved light efficiency and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a light emitting diode having improved light efficiency and a method of manufacturing the light emitting diode. And a method for manufacturing the light emitting diode.
대표적인 발광 소자인 발광다이오드는 N형 반도체와 P형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발산하도록 구성된다. 위와 같은 발광다이오드로는 GaN계 발광 다이오드가 공지되어 있다. GaN계 발광다이오드는 예컨대, 사파이어 또는 SiC 등의 소재로 이루어진 기판 위에 GaN계의 N형 반도체층, 활성층(또는, 발광층), P형 반도체층을 순차적으로 적층 형성하여 제조된다.A light emitting diode which is a typical light emitting element is a photoelectric conversion semiconductor element having a structure in which an N-type semiconductor and a P-type semiconductor are bonded to each other and is configured to emit light by recombination of electrons and holes. A GaN-based light emitting diode is known as such a light emitting diode. The GaN-based light emitting diode is manufactured by sequentially laminating a GaN-based N-type semiconductor layer, an active layer (or light emitting layer), and a P-type semiconductor layer on a substrate made of a material such as sapphire or SiC.
최근, 고효율 발광 다이오드는 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있으며, 특히 백색 발광 다이오드의 효율(efficiency)은 통상의 형광램프 효율에 유사한 수준에 도달하고 있다. 그러나, 발광 다이오드의 효율은 더욱 개선될 여지가 있으며, 따라서 지속적인 효율 개선이 더욱 요구되고 있다.In recent years, high efficiency light emitting diodes are expected to replace fluorescent lamps, and in particular, the efficiency of white light emitting diodes has reached a level similar to that of ordinary fluorescent lamps. However, the efficiency of light emitting diodes is likely to be further improved, and thus continuous improvement in efficiency is further demanded.
발광 다이오드의 효율을 개선하기 위해 두 가지의 주요한 접근이 시도되고 있다. 첫째는 결정질(crystal quality) 및 에피층 구조에 의해 결정되는 내부 양자 효율(internal quantum efficiency)을 증가시키는 것이고, 둘째는 발광다이오드에서 생성된 광이 전체 외부로 방출되지 않고 내부에서 손실되는 광이 많음에 따라 광 추출 효율(light extraction efficiency)을 증가시키는 것이다.
Two major approaches have been attempted to improve the efficiency of light emitting diodes. The first is to increase the internal quantum efficiency, which is determined by the crystal quality and the epilayer structure. Secondly, the light generated by the light emitting diode is not emitted to the outside but is internally lost. To increase the light extraction efficiency.
이 중 광 추출 효율을 증가시키는 방법을 보다 상세하게 설명하면, 외부에서 질화물계 발광 소자에 바이어스를 인가할 때 활성층에서 생성된 빛은 활성층 내부에서 모든 방향으로 방사하게 되는데, 질화물계 반도체들의 굴절률 값이 공기와 발광 소자 칩을 둘러싸고 있는 캡소재인 에폭시의 굴절률 값에 비해서 너무 크기 때문에, 공기 또는 에폭시로 방사되는 경우 어떤 임계 각도 보다 작은 각도로 방사되는 빛만이 외부로 탈출하게 된다. 즉, 공기의 굴절율은 1이고, 에폭시의 굴절율이 1.5이고, 질화물계 반도체의 굴절율이 2.5인 경우 스넬(Snell)의 법칙에 따라 굴절률이 큰 영역인 질화물계 반도체에서 생성되는 빛이 굴절률이 작은 영역인 공기 또는 에폭시로 방사되는 경우에 전반사조건에 해당하는 임계 각도 보다 작은 각도로 방사되는 빛은 외부로 탈출하고, 임계 각도보다 큰 각도를 갖는 빛은 반도체/공기 간의 계면에서 반사하게 되어 반도체 물질 내부로 흡수된다. 이렇게 반도체 내로 흡수되는 빛에 의해 발광소자의 외부 발광효율이 떨어짐과 아울러 발광 소자의 수명에도 악영향을 미친다. 따라서 활성층에서 생성된 빛 중에서 반도체 물질 내로 반사되는 빛의 양을 최대한 감소시키는 것이 중요하다.
When a bias is applied to a nitride based light emitting device from outside, light generated in the active layer radiates in all directions inside the active layer. The refractive index value of the nitride based semiconductor Is excessively large compared to the refractive index value of the epoxy which is the cap material surrounding the light emitting device chip, only light radiated at an angle smaller than a certain critical angle escapes to the outside when it is irradiated with air or epoxy. That is, when the refractive index of air is 1, the refractive index of epoxy is 1.5, and the refractive index of the nitride-based semiconductor is 2.5, light generated in the nitride-based semiconductor, which is a region having a large refractive index according to Snell's law, The light emitted at an angle smaller than the critical angle corresponding to the total reflection condition escapes to the outside and the light having an angle larger than the critical angle is reflected at the interface between the semiconductor and the air, . The external light emitting efficiency of the light emitting device is deteriorated by the light absorbed into the semiconductor and the lifetime of the light emitting device is adversely affected. Therefore, it is important to minimize the amount of light reflected into the semiconductor material from the light generated in the active layer.
최근에는 반도체 내로 반사되는 빛의 양을 최소화하기 위한 여러 방법들이 제안되고 있고, 대표적인 방법으로서 표면 거칠기 증가를 통한 방법, 광 결정 밴드 갭 효과를 이용한 방법 및 빛의 굴절률이 큰 투명 물질을 이용한 오믹전극 형성 방법들이 있다.In recent years, various methods for minimizing the amount of light reflected into a semiconductor have been proposed. Typical methods include a method using an increase in surface roughness, a method using a photonic crystal bandgap effect, and a method using a transparent material having a large refractive index of light. Forming methods.
표면 거칠기 증가를 통한 방법으로서 Shnitzer, et al. [APL, 63, 2174 (1993)]은 수 마이크로미터 이하의 직경을 갖는 폴리스틸렌 구(polystyrene sphere)를 새도우 마스크(shadow mask)로 사용하여 RIE(reactive ion etching) 건식에칭 공정에 의해 반도체 표면의 거칠기를 높일 수 있는 방안을 제시하였다. 그런데 이러한 방식은 폴리스틸렌구를 규칙적으로 정열시키기 어렵기 때문에 식각된 부분의 규칙성이 떨어져 균일한 성능의 발광소자를 제조할 수 없으며 양산에 적용할 수 없는 단점이 있다.As a method for increasing surface roughness, Shnitzer, et al. [APL, 63, 2174 (1993)] discloses a method for fabricating a semiconductor device using a polystyrene sphere having a diameter of several micrometers or less as a shadow mask and performing a reactive ion etching (RIE) Of the total population. However, since this method is difficult to regularly arrange the polystyrene spheres, the regularity of the etched portions deteriorates and the light emitting device having uniform performance can not be manufactured, which is disadvantageous in that it can not be applied to mass production.
발광소자의 빛의 탈출 효율을 증가시키는 또 다른 방법으로 미국특허 제 5,779,924호에는 포토레지스터를 이용하여 반도체 표면이나 소자내부의 계면에 주기적인 패턴(periodic pattern)을 만드는 방법이 개시되어 있다. 그런데 이 방법은 마스크가 요구되고 및 노광과정을 거쳐야하기 때문에 제조공정이 복잡한 단점이 있다.
US Patent No. 5,779,924 discloses another method for increasing the light escape efficiency of a light emitting device. In US Pat. No. 5,779,924, a method of making a periodic pattern on a surface of a semiconductor or an interface inside a device using a photoresistor is disclosed. However, this method is disadvantageous in that the manufacturing process is complicated because a mask is required and an exposure process is required.
그 밖에 빛의 탈출효율을 증가시키는 또 다른 방법으로서 발광소자의 표면 위에 있는 얇은 박막의 금속층 사이에서 광자들을 표면 플라즈몬 모드(surface plasmon mode)로 쌍을 짓게 하는 방법이 문헌[Knock, et al., Applied Physics Letters 57, Pgs. 2327 (1990)]에 개시되어 있다. 상기 문헌에 개시된 방법은 공정 재현성을 높이기 어려운 문제점이 있다.Another way to increase the escape efficiency of light is to pair photons with surface plasmon modes between thin metal layers on the surface of the light emitting device, see Knock, et al. Applied Physics Letters 57, Pgs. 2327 (1990). The method disclosed in the above document has a problem that it is difficult to increase process reproducibility.
또한, 질화물계 발광 소자에서 빛의 외부로의 탈출율을 증가시키는 또 다른 방법으로서 광 결정 밴드 갭 효과를 이용한 방법들이 문헌[H. X. Jiang, et al., Applied Physics Letters 84, Pgs. 466 (2004)]을 통해 보고된 바 있다. 그런데 상기 방법은 식각 공정시 소자의 전기적인 특성을 손상시키는 문제점이 있고, 이빔리소공정을 이용하기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있다.Further, as another method for increasing the escape rate of light to the outside in the nitride-based light emitting device, methods using the photonic crystal bandgap effect are disclosed in [H. X. Jiang, et al., Applied Physics Letters 84, Pgs. 466 (2004). However, the above method has a problem that the electrical characteristics of the device are impaired during the etching process, and the productivity is deteriorated due to the use of the bimetallic process.
이와 같이 질화물계 발광소자의 내부에서 생성된 광의 외부로의 탈출율을 높이기 위한 종래의 방법들은 공정이 복잡하고, 공정 중에 반도체의 전기적인 특성에 손상을 주며, 공정 재현성이 떨어져 대량 생산에 적용하기 어려운 문제점들을 갖고 있다.
Conventional methods for increasing the escape rate of the light generated in the nitride-based light emitting device to the outside as described above are complicated in process, damage the electrical characteristics of the semiconductor during the process, It has difficult problems.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광다이오드에서 생성되는 광이 투명 전극층을 통해 외부로 보다 효율적으로 방출될 수 있도록 하고 내부로 반사되는 것을 줄일 수 있는 새로운 구조의 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art and it is an object of the present invention to provide a light emitting diode having a novel structure capable of emitting light generated in a light emitting diode more efficiently through a transparent electrode layer to the outside, And to provide the above-mentioned objects.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여The present invention has been made to solve the above problems
순차적으로 적층되는 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층;A first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially stacked;
상기 제 2 도전형 반도체층 위에 형성된 금속 산화물 나노 로드 기반층;A metal oxide nano-rod-based layer formed on the second conductive semiconductor layer;
상기 나노 로드 기반층 위에 형성된 금속 산화물 나노 로드;및 A metal oxide nano-rod formed on the nano-rod-based layer;
상기 금속 산화물 나노 로드 구조 사이 및 상기 금속 산화물 나노 로드의 표면에 형성되는 광 산란 촉진층을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다.
And a light scattering facilitating layer formed between the metal oxide nanorod structures and on the surface of the metal oxide nanorod.
본 발명에 있어서 상기 금속 산화물 나노 로드의 굴절율을 n1, 상기 광 산란 촉진층의 굴절율을 n2 라고 할 때, 상기 1≤n1≤2 이고, n1 ≤ n2 관계식을 만족하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, when the refractive index of the metal oxide nanorod is n1 and the refractive index of the light scattering acceleration layer is n2, 1? N1? 2 and n1? N2 are satisfied.
본 발명에 있어서, 상기 광 산란 촉진층은 TiO2, Sb2S3, BaTiO3, Cr2O3, Cu2O, CuO, Fe2O3, Fe3O4, FeO, Mn3O4, MnO2, ZnS, ZrO2, SiNx, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, SnO 및 NiO로 구성된 그룹에서 선택되는 광 산란 촉진 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the light scattering accelerating layer may include at least one of TiO 2 , Sb 2 S 3 , BaTiO 3 , Cr 2 O 3 , Cu 2 O, CuO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , FeO, Mn 3 O 4 , MnO 2, and a ZnS, ZrO 2, SiNx, TiO 2, Ta 2 O 5, Nb 2 O5, characterized in that it comprises a light scattering promoting material is selected from the group consisting of SnO, and NiO.
본 발명에 있어서, 상기 광 산란 촉진층 표면에 요철이 있는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the surface of the light scattering accelerating layer has irregularities.
본 발명에 있어서, 상기 나노 로드는 ZnO, GaN, AlN, AlGaN, 또는 AlGaInN 으로 이루어진 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nanorod may be formed of ZnO, GaN, AlN, AlGaN, or AlGaInN.
본 발명에 있어서, 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 금속 산화물 나노 로드 기반층 사이에 투명전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, a transparent electrode layer may be further included between the second conductive semiconductor layer and the metal oxide nanorod-based layer.
본 발명에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide) 및 AZO(Aluminium Zinc Oxide)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 한다.
In the present invention, the transparent electrode may be one selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), gallium zinc oxide (GZO), and aluminum zinc oxide .
본 발명은 The present invention
a) 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 LED 웨이퍼를 제공하는 단계;a) providing an LED wafer comprising a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer sequentially on a substrate;
b) 상기 LED 웨이퍼 상부에 나노 로드 기반층을 형성하는 단계;b) forming a nano-rod-based layer on top of the LED wafer;
c) 상기 나노 로드 기반층에 나노 로드를 성장시키는 단계; 및 c) growing the nanorod on the nanorod-based layer; And
d) 상기 나노 로드 사이 및 상기 나노 로드 표면에 광 산란 촉진층을 형성시키는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다.
and d) forming a light scattering promoting layer between the nano-rods and the surface of the nano-rods.
본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 b 단계의 LED 웨이퍼 상부에 나노 로드 기반층을 형성하는 단계에서는 원자층 증착법, 열증착, 스퍼터링, 또는 스핀 코팅에 의해 나노 로드 기반층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
In the method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention, the step of forming a nano-rod-based layer on the LED wafer of the step b may include forming a nano-rod-based layer by atomic layer deposition, thermal deposition, sputtering or spin coating .
본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 c 단계의 나노 로드 기반층에 나노 로드를 성장시키는 단계에서는 화학적 중합법, 전기화학적 중합법, 화학기상 증착법(Chemical vapor deposition, CVD), 물리적 증착법(physical deposition, PVD), 탄소열환원법(carbonthermal reduction), 수열합성법에 의해 나노 로드가 성장되는 것을 특징으로 한다.
In the step of growing the nano-rods on the nano-rod-based layer of the step c), the method of manufacturing the light-emitting diode of the present invention may include a chemical polymerization method, an electrochemical polymerization method, a chemical vapor deposition method (CVD) physical deposition (PVD), carbonthermal reduction, and hydrothermal synthesis.
본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 광 산란 촉진층을 형성시키는 단계에서는 TiO2, Sb2S3, BaTiO3, Cr2O3, Cu2O, CuO, Fe2O3, Fe3O4, FeO, Mn3O4, MnO2, ZnS, ZrO2, SiNx, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, SnO 및 NiO로 구성된 그룹에서 선택되는 광산란 촉진 물질을 포함하는 광산란 촉진층 박막을 나노 로드 구조체 사이 및 나노 로드 구조체 표면에 형성시키는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention, the step of forming the light scattering accelerating layer may include a step of forming a light scattering accelerating layer, wherein the light scattering accelerating layer comprises TiO 2 , Sb 2 S 3 , BaTiO 3 , Cr 2 O 3 , Cu 2 O, CuO, Fe 2 O 3 , Fe 3 A light scattering promoting layer containing a light scattering promoting material selected from the group consisting of O 4 , FeO, Mn 3 O 4 , MnO 2 , ZnS, ZrO 2 , SiNx, TiO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , SnO, And a thin film is formed between the nanostructured structures and on the surface of the nanostructured structure.
본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 광산란 촉진층은 스핀, 바, 스프레이, 그라비아, 닥터 블레이드, 딥, 플로우 및 롤토롤 공정 중 어느 하나의 코팅 공정으로 박막을 형성하거나, 또는 스퍼터링 등의 물리적 기상 증착, 화학기상증착법 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
In the method of manufacturing a light emitting diode of the present invention, the light scattering promoting layer may be formed by forming a thin film by any one of spin, bar, spray, gravure, doctor blade, dip, flow and roll trough processes, Physical vapor deposition, or chemical vapor deposition.
본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 광산란 촉진층 중 나노 로드 구조체 표면에 형성된 광산란 촉진층을 습식 식각으로 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention, the step of removing the light scattering promoting layer formed on the surface of the nanorod structure of the light scattering promoting layer by wet etching is further included.
본 발명의 발광 다이오드는 나노 로드 구조체 상부에 광산란 촉진층을 구비함으로써 내부로부터 생성되는 광이 투명 전극층을 통해 외부로 보다 효율적으로 방출될 수 있도록 하고 내부로 반사되는 것을 줄일 수 있어 광 효율을 향상시킬 수 있다.
The light emitting diode of the present invention has a light scattering facilitating layer on the nano rod structure, so that the light generated from the inside can be more efficiently emitted to the outside through the transparent electrode layer, and the reflection to the inside can be reduced, .
도 1에 본 발명에 의한 발광다이오드의 구조를 개략적으로 나타내었다.
도 2는 나노 로드와 광 산란 촉진층의 경계면에 입사한 광이 스넬의 법칙에 의하여 이동하는 경로를 나타내었다.
도 3에 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드의 구조를 나타내었다.
도 4는 본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 광산란 촉진층 형성 후 식각에 의하여 일부 광산란 촉진층이 제거되는 과정을 나타내었다. FIG. 1 schematically shows the structure of a light emitting diode according to the present invention.
FIG. 2 shows a path through which the light incident on the interface between the nano rod and the light scattering promoting layer moves according to Snell's law.
FIG. 3 shows a structure of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 illustrates a process of removing a light scattering promoting layer by etching after forming a light scattering promoting layer in a method of manufacturing the light emitting diode of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.
도 1에 본 발명에 의한 발광다이오드의 구조를 개략적으로 나타내었다. FIG. 1 schematically shows the structure of a light emitting diode according to the present invention.
도 1에서 보는 바와 같이 본 발명에 의한 발광다이오드는 순차적으로 적층되는 제 1 도전형 반도체층(10), 활성층(20), 제 2 도전형 반도체층(30)으로 구성되는 LED 웨이퍼층과, 상기 제 2 도전형 반도체층 위에 형성된 금속 산화물 나노 로드 기반(40); 상기 나노 로드 기반층 위에 형성된 금속 산화물 나노 로드(50);및 상기 금속 산화물 나노 로드 구조 사이 및 상기 금속 산화물 나노 로드 표면에 형성되는 광 산란 촉진층(60)을 포함한다.
1, the light emitting diode according to the present invention includes an LED wafer layer composed of a first conductive
본 발명에 의한 발광 다이오드에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 로드(50)의 굴절율을 n1, 상기 광 산란 촉진층(60)의 굴절율을 n2 라고 할 때, 상기 1≤n1≤2 이고, n1 ≤ n2 관계식을 만족하는 것을 기술적 특징으로 한다. In the light emitting diode according to the present invention, when the refractive index of the
본원 발명에서는 금속 산화물 나노 로드(50) 사이 및 금속 산화물 나노 로드 표면에 광 산란 촉진층(60)으로 박막을 형성함으로써, 내부에서 발생한 광이 나노 로드와 광 산란 촉진층을 통과할 때 스넬의 법칙에 의하여 빛의 투과도를 높일 수 있도록, 상기 광 산란 촉진층의 굴절율을 조절하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, by forming a thin film between the
즉, 도 2에서 보는 바와 같이 상기 금속 산화물 나노 로드(50)의 굴절율을 n1, 상기 광 산란 촉진층(60)의 굴절율을 n2 라고 할 때, 나노 로드와 광 산란 촉진층의 경계면에 입사한 광은 스넬의 법칙에 의하여 입사각 θ1 보다 굴절각 θ2 가 더 작아지게 되므로 빛을 더욱 산란시켜 발광 다이오드 내부로 흡수되는 빛의 양을 감소시키는 효과가 발생한다.
2, when the refractive index of the
상기 광 산란 촉진층(50)은 TiO2, Sb2S3, BaTiO3, Cr2O3, Cu2O, CuO, Fe2O3, Fe3O4, FeO, Mn3O4, MnO2, ZnS, ZrO2, SiNx, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, SnO 및 NiO로 구성된 그룹에서 선택되는 광 산란 촉진 물질을 포함함으로써 상기 광 산란 촉진층의 굴절율이 상기 나노 로드의 금속 산화물의 굴절율보다 크게 되도록 조절하게 된다.
The light-scattering-promoting layer (50) is TiO 2, Sb 2 S 3, BaTiO 3, Cr 2 O 3, Cu 2 O, CuO, Fe 2 O 3, Fe 3 O 4, FeO, Mn 3 O 4, MnO 2 , ZnS, ZrO 2, SiNx, TiO 2, Ta 2 O 5, Nb 2 O5, SnO and the refractive index of the light scattering layer promoting metal oxide of the nanorods, by including a light-scattering promoting material is selected from the group consisting of NiO Is greater than the refractive index of the lens.
본 발명에 있어서, 상기 광산란 촉진층은 광산란 촉진층을 박막 형태로 형성 후 나노 로드 구조체 표면에 형성된 부분을 습식 식각으로 일부 제거함으로써 표면에 요철이 생기도록 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 광산란 촉진층 표면에 요철을 형성하는 것이 표면의 거칠기를 증가시켜 광산란 효과를 증가시키기 때문에 바람직하다.
In the present invention, the light scattering promoting layer is formed by forming a light scattering promoting layer in the form of a thin film, and then removing a portion formed on the surface of the nanorod structure by wet etching so that irregularities are formed on the surface. It is preferable to form the irregularities on the surface of the light scattering promoting layer in this way because it increases the surface roughness and increases the light scattering effect.
도 3에 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드의 구조를 나타내었다. 도 3에서 보는 바와 같이 본 발명의 발광 다이오드는 상기 제 2 도전형 반도체층(30)과 상기 금속 산화물 나노 로드 기반층 사이에 투명전극층(80)을 더 포함하는 것이 가능한다. 상기 투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide) 및 AZO(Aluminium Zinc Oxide)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것이 바람직하다.
FIG. 3 shows a structure of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention. 3, the light emitting diode of the present invention may further include a
본 발명은 또한, a) 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 LED 웨이퍼를 제공하는 단계; b) 상기 LED 웨이퍼 상부에 나노 로드 기반층을 형성하는 단계; c) 상기 나노 로드 기반층에 나노 로드를 성장시키는 단계; 및 d) 상기 나노 로드 사이 및 상기 나노 로드 표면에 광 산란 촉진층을 형성시키는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다.
The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: a) providing an LED wafer comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer sequentially on a substrate; b) forming a nano-rod-based layer on top of the LED wafer; c) growing the nanorod on the nanorod-based layer; And d) forming a light scattering promoting layer between the nano-rods and the surface of the nano-rods.
본 발명에 있어서, 상기 b) 단계의 LED 웨이퍼 상부에 나노 로드 기반층을 형성하는 단계에서는 화학기상 증착법(Chemical vapor deposition, CVD), 물리적 증착법(physical deposition, PVD), 탄소열환원법(carbonthermal reduction), 또는 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 롤코팅(roll coating), 스크린 코팅(screen coating), 분무코팅(spray coating) 중 하나의 용액공정에 의해 형성하는 것이 바람직하지만, 특별히 이에 제한되지 않으며 박막을 형성하기 위한 어떠한 공정도 적용가능하다.
In the present invention, the step of forming the nano-rod-based layer on the LED wafer of step b) may include a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD), a carbonthermal reduction Or a solution process of one of spin coating, dip coating, roll coating, screen coating, and spray coating. But any process for forming a thin film is applicable.
상기 나노 로드 기반층은 하부에 형성된 p-GaN 계열의 반도체층을 보호하는 역할을 함과 동시에 이후 단계에서 나노 로드를 성장시키기 위한 씨드층 역할을 하게 된다. 상기 나노 로드 기반층은 이후 나노 로드 물질에 따라 적절히 선택될 수 있다. 즉, 나노 로드를 ZnO 으로 형성하고자 할 경우 나노 로드 기반층을 ZnO 씨드층으로 형성하는 것이 바람직하다. The nano-rod-based layer serves to protect the p-GaN-based semiconductor layer formed at the lower part and serves as a seed layer for growing nano-rods at a later step. The nanorod-based layer may then be suitably selected according to the nanorod material. That is, when the nano-rod is to be formed of ZnO, it is preferable to form the nano-rod-based layer as a ZnO seed layer.
상기 나노 로드는 ZnO, GaN, AlN, AlGaN, 또는 AlGaInN 으로 이루어지며, 상기 c 단계의 나노 로드 기반층에 나노 로드를 성장시키는 단계에서는 화학적 중합법, 전기화학적 중합법, 화학기상 증착법(Chemical vapor deposition, CVD), 물리적 증착법(physical deposition, PVD), 탄소열환원법(carbonthermal reduction), 수열합성법에 의해 나노 로드를 성장시키는 것이 가능하며, 이에 특별히 제한되지 않는다. The nano-rod is made of ZnO, GaN, AlN, AlGaN, or AlGaInN. In the step of growing the nano-rods on the nano-rod-based layer of the step c, a chemical polymerization, an electrochemical polymerization, a chemical vapor deposition It is possible to grow the nano-rods by chemical vapor deposition (CVD), physical deposition (PVD), carbonthermal reduction, hydrothermal synthesis, and the like.
바람직하게는 상기 나노 로드는 산화 아연을 수열합성법으로 성장시킨다. 수열합성법으로 산화 아연 나노 로드를 성장시키기 위해서는 상기 나노 로드 기반층으로써 산화 아연 씨드층을 형성하고, 고압반응기에 아연 전구체를 포함하는 용액을 넣은 후, 상기 산화 아연 씨드층이 형성된 발광 다이오드를 넣고 고압 반응기를 밀폐시키고 가열하여 나노 로드를 성장시키게 된다.
Preferably, the nanorods grow zinc oxide by hydrothermal synthesis. In order to grow the zinc oxide nano-rods by the hydrothermal synthesis method, a zinc oxide seed layer is formed as the nano-rod-based layer, a solution containing the zinc precursor is put in a high-pressure reactor, The reactor is sealed and heated to grow the nanorods.
본 발명에 있어서, 상기 나노로드들 사이의 간격은 바람직하게는 약 100 내지 200 nm 이다. 상기 나노로드의 직경은 약 10 내지 20nm 인 것이 바람직하다. 또한, 상기 나노로드의 길이는 약 50 내지 900nm 인 것이 바람직하다.
In the present invention, the distance between the nanorods is preferably about 100 to 200 nm. The diameter of the nano-rods is preferably about 10 to 20 nm. The length of the nano-rods is preferably about 50 to 900 nm.
다음으로 이와 같이 성장된 나노 로드 사이에 광 확산층 박막을 형성시킨다. 앞서 설명한 바와 같이 상기 광 확산 촉진층(50)은 TiO2, Sb2S3, BaTiO3, Cr2O3, Cu2O, CuO, Fe2O3, Fe3O4, FeO, Mn3O4, MnO2, ZnS, ZrO2, SiNx, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, SnO 및 NiO로 구성된 그룹에서 선택되는 광 확산 촉진 물질을 포함하는 박막으로서, 상기 광 확산 촉진 물질을 포함시킴으로써, 상기 광확산층의 굴절율을 상기 성장된 나노 로드의 굴절율 보다 크게 조절하는 것이 가능하게 된다. Next, a light diffusion layer thin film is formed between the nanorods thus grown. The light diffusion-promoting
상기 광 확산 촉진층(50)은 상기 광 확산 촉진 물질을 단독 혹은 혼합해서 사용하는 것이 가능하며, 적절한 용매와 혼합하여 졸 상태로 만들고, 스핀, 바, 스프레이, 그라비아, 닥터 블레이드, 딥, 플로우 및 롤토롤 공정으로 박막을 형성하거나, 또는 스퍼터링 등의 물리적 기상 증착, 화학기상증착법 중 어느 하나의 공정에 의해 형성하게 된다.
The optical
본 발명의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 광산란 촉진층 형성 후, 광산란 촉진층 중 나노 로드 구조체 표면에 형성된 광산란 촉진층을 습식 식각으로 제거하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
In the method of manufacturing a light emitting diode of the present invention, it is preferable that the light scattering promoting layer is formed by wet etching after the light scattering promoting layer is formed.
도 4에 광산란 촉진층 형성 후 습식 식각으로 제거하는 공정을 나타내었다. FIG. 4 shows a process for removing the light scattering promoting layer by wet etching.
도 4에서 보는 바와 같이 나노 로드 구조체(50)를 형성한 후, 상기 광산란 촉진물질을 포함하는 광산란 촉진층을 박막 형태(70)로 형성하고, 상기 나노 로드 구조체의 상부 표면에 형성된 광산란 촉진층을 제거하여, 상기 나노 로드 구조체 사이 부분에만 광산란 촉진층(60)이 충진되도록 한다. As shown in FIG. 4, after forming the
이와 같이 나노 로드 구조체의 표면에 형성된 광산란 촉진층을 제거할 경우 광산란 확산층 표면에 요철이 형성될 수 있으며, 이에 따라 광산란 효율이 더욱 증가할 수 있게 되므로 바람직하다.When the light scattering promoting layer formed on the surface of the nanorod structure is removed, irregularities can be formed on the surface of the light scattering diffusion layer, thereby increasing the light scattering efficiency.
Claims (13)
상기 제 2 도전형 반도체층 위에 형성된 금속 산화물 나노 로드 기반층;
상기 나노 로드 기반층 위에 형성된 금속 산화물 나노 로드;및
상기 금속 산화물 나노 로드 구조 사이 및 상기 금속 산화물 나노 로드의 표면에 형성되는 광 산란 촉진층;
상기 광 산란 촉진층 표면에 요철;을 포함하고,
상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 금속 산화물 나노 로드 기반층 사이에 투명전극층을 더 포함하고,
상기 금속 산화물 나노 로드의 굴절율을 n1, 상기 광 산란 촉진층의 굴절율을 n2 라고 할 때, n1 ≤ n2 이고, 1 ≤ n1 ≤ 2 인 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
A first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially stacked;
A metal oxide nano-rod-based layer formed on the second conductive semiconductor layer;
A metal oxide nano-rod formed on the nano-rod-based layer;
A light scattering facilitating layer formed between the metal oxide nanorod structures and on the surface of the metal oxide nanorod;
And a concavo-convex surface on the surface of the light scattering facilitating layer,
Further comprising a transparent electrode layer between the second conductive semiconductor layer and the metal oxide nano-rod-based layer,
N1? N2 where 1? N1? 2, where n1 is the refractive index of the metal oxide nanorod and n2 is the refractive index of the light scattering facilitating layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110060852A KR101844871B1 (en) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | Light emitting diodes of enhanced light efficiency and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110060852A KR101844871B1 (en) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | Light emitting diodes of enhanced light efficiency and manufacturing method of the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130000262A KR20130000262A (en) | 2013-01-02 |
| KR101844871B1 true KR101844871B1 (en) | 2018-04-05 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110060852A KR101844871B1 (en) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | Light emitting diodes of enhanced light efficiency and manufacturing method of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101844871B1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101459945B1 (en) * | 2013-09-11 | 2014-11-10 | 박병주 | metered H-dip coating method and organic and inorganic film fabricated thereby |
| CN103500778B (en) * | 2013-10-23 | 2016-01-20 | 山东大学 | A kind of embedding TiO 2nanometer rods graphic array improves the method for LED luminous efficiency |
| CN106206868A (en) * | 2016-07-25 | 2016-12-07 | 哈尔滨工业大学 | A kind of preparation method of the nano-ZnO of high efficiency light-emitting/AlN hetero-junctions |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057239A (en) * | 2003-03-27 | 2005-03-03 | Nichia Chem Ind Ltd | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP2009027128A (en) | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Lite-On Technology Corp | Light emitting element and its manufacturing method |
-
2011
- 2011-06-22 KR KR1020110060852A patent/KR101844871B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057239A (en) * | 2003-03-27 | 2005-03-03 | Nichia Chem Ind Ltd | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP2009027128A (en) | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Lite-On Technology Corp | Light emitting element and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130000262A (en) | 2013-01-02 |
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