KR101841483B1

KR101841483B1 - Refrigerator for semiconductor process

Info

Publication number: KR101841483B1
Application number: KR1020170118579A
Authority: KR
Inventors: 김경호
Original assignee: 김경호
Priority date: 2017-09-15
Filing date: 2017-09-15
Publication date: 2018-05-04

Abstract

Disclosed is a cooler for a semiconductor process capable of filtering harmful gas generated from a brine tank to discharge the filtered gas to the outside. According to one embodiment of the present invention, the cooler comprises: a first flowing line to provide a flowing path of brine; a second flowing line including a compressor, a condenser, an expansion valve, and an evaporator, and providing a flowing path of refrigerant; a brine tank installed in the first flowing line to store the brain exchanging heat with the refrigerant in the evaporator; and a discharge module installed in the brine tank to discharge gas generated from the brine tank to the outside. The discharge module includes: a discharge pipe to form a flow path of the gas from an inlet to an outlet; a diffuser unit mounted on the inside of the discharge pipe; and a filter mounted on an upper part of the discharge pipe, including activated carbon, and adsorbing harmful components. The discharge pipe includes: a flow path unit upwardly extended from the inlet with a predetermined radius; an expanded diameter unit upwardly extended from a top of the flow path unit, wherein a radius is gradually increased towards an upper part; and a filter mounting unit upwardly extended up to the outlet from a top of the expanded diameter unit with a predetermined radius. The diffuser unit includes: a distribution plate having a plurality of perforated distribution holes and formed in a partially spherical shape protruding towards an upper part; and an extended rod downwardly extended from a center of the distribution plate to be disposed in the flow path unit.

Description

반도체 공정용 냉각기 {REFRIGERATOR FOR SEMICONDUCTOR PROCESS}[0001] REFRIGERATOR FOR SEMICONDUCTOR PROCESS [0002]

본 발명은 반도체 공정 설비의 냉각을 위해 사용 가능한 반도체 공정용 냉각기에 관한 것이다.The present invention relates to a cooler for semiconductor processing that can be used for cooling semiconductor process equipment.

반도체, 평판 디스플레이, 발광다이오드 등의 제조에 있어서는 공정 과정에서 발생되는 온도 상승을 적절히 제어하여 안정적인 공정 진행을 위해 냉각기가 사용되고 있다. 이와 같은 반도체 공정용 냉각기는 압축, 응축, 팽창, 증발의 과정을 거치는 냉동 사이클 등을 통해 공정 설비의 냉각매체인 브라인(brine)을 냉각시키고 이를 다시 공정 설비로 투입하게 된다.In the manufacture of semiconductors, flat panel displays, light-emitting diodes, etc., coolers are used for stable process control by appropriately controlling the temperature rise occurring in the process. The cooler for semiconductor process cooling the brine, which is a cooling medium of the process facility, through a refrigeration cycle through compression, condensation, expansion and evaporation processes, and then feeds the brine to the process facility.

브라인은 냉각기와 공정 설비 간 공급 및 회수되며 공정 설비의 온도를 제어하게 되는데, 통상 일정한 온도의 브라인이 공정 설비로 공급될 수 있도록 냉각기에는 브라인이 저장되는 브라인탱크가 구비되며, 냉매와의 열교환을 통해 냉각된 브라인은 브라인탱크 내에서 설정된 소정 온도로 유지되게 된다. 이때, 브라인탱크에 저장된 브라인은 과다한 열에 노출되거나 화학적 변성이 일어나는 경우 유독성을 띌 수 있으며, 이와 같은 브라인으로부터 발생되는 가스는 외기에 그대로 방출시 인체나 환경에 악영향을 미칠 수 있다.The brine is supplied and recovered between the cooler and the process equipment, and the temperature of the process equipment is controlled. Usually, the brine tank is provided with a brine tank for storing the brine in order to supply the brine to the process facility. The brine cooled through the brine tank is maintained at a predetermined temperature set in the brine tank. In this case, the brine stored in the brine tank may be toxic when exposed to excessive heat or chemical denaturation, and the gas generated from such brine may adversely affect the human body or the environment when released into the outside air.

본 발명의 실시예들은 브라인탱크에서 발생되는 유해가스를 여과 처리하여 외기 방출시킬 수 있는 반도체 공정용 냉각기를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are to provide a cooler for semiconductor processing capable of filtering out noxious gas generated in a brine tank to release ambient air.

본 발명의 일 측면에 따르면, 브라인의 유동경로를 제공하는 제1유로라인; 압축기, 응축기, 팽창밸브 및 증발기를 구비하고, 냉매의 유동경로를 제공하는 제2유로라인; 상기 제1유로라인에 설치되어 상기 증발기에서 냉매와 열교환된 브라인을 저장하는 브라인탱크; 및 상기 브라인탱크에 설치되어 상기 브라인탱크에서 발생된 가스를 외기로 방출시키는 배기모듈;을 포함하되, 상기 배기모듈은, 하단의 유입구로부터 상단의 배출구에 이르는 가스의 유동경로를 형성하는 배기관; 상기 배기관 내부에 장착되는 디퓨져유닛; 및 상기 배기관 상부에 장착되며, 활성탄을 포함하고 유해성분을 흡착하는 필터;를 포함하고, 상기 배기관은, 하단의 상기 유입구로부터 소정 반경을 가지고 상방으로 연장 형성되는 유로부; 상기 유로부 상단으로부터 상방으로 연장 형성되되, 상측으로 갈수록 반경이 점차 커지게 형성되는 확경부; 및 상기 확경부 상단으로부터 소정 반경을 가지고 상단의 상기 배출구까지 상방으로 연장 형성되는 필터장착부;를 포함하며, 상기 디퓨져유닛은, 복수의 분배홀이 관통 형성되며, 상방을 향해 볼록하게 돌출된 부분 구형의 형상으로 형성되는 분배판; 및 상기 분배판 중앙으로부터 하방으로 연장 형성되어 상기 유로부에 배치되는 연장로드;를 포함하는, 반도체 공정용 냉각기가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a brine, A second flow line provided with a compressor, a condenser, an expansion valve and an evaporator, and providing a flow path of the refrigerant; A brine tank installed in the first flow line and storing brine heat-exchanged with refrigerant in the evaporator; And an exhaust module installed in the brine tank and discharging the gas generated in the brine tank to the outside air, wherein the exhaust module comprises: an exhaust pipe forming a flow path of the gas from the lower inlet to the upper outlet; A diffuser unit mounted inside the exhaust pipe; And a filter mounted on the exhaust pipe and containing activated carbon and adsorbing harmful components, wherein the exhaust pipe includes a flow path portion extending upward from the inlet at the lower end with a predetermined radius; An enlarged diameter portion extending upward from an upper end of the flow path portion and having a radius gradually increasing toward an upper side; And a filter mounting portion formed to extend upward from the upper end of the enlarged diameter portion to an upper end outlet with a predetermined radius, wherein the diffuser unit has a plurality of distribution holes formed therethrough, A distribution plate formed in a shape of a circle; And an extension rod extending downward from the center of the distribution plate and disposed in the flow path portion.

본 발명의 실시예들에 따른 반도체 공정용 냉각기는 브라인탱크에서 발생되는 유해가스를 배기모듈을 통해 여과 처리하여 외기로 배출할 수 있다. 특히, 이와 같은 배기모듈은 간소화된 구조를 가지면서도 효과적으로 유해성분의 흡착이 이뤄질 수 있도록 구성되며, 교체가 예정된 필터나 디퓨저유닛 등의 탈거 또한 매우 용이한 이점을 가진다.The cooler for semiconductor processing according to the embodiments of the present invention can filter the noxious gas generated in the brine tank through the exhaust module and discharge it to the outside air. Particularly, such an exhaust module has a simplified structure and is configured to effectively adsorb harmful components, and it is also very easy to remove a filter or a diffuser unit, which is scheduled to be replaced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정용 냉각기의 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 배기모듈의 개략도이다.
도 3은 도 2에 도시된 디퓨저유닛의 개략도이다.
도 4는 도 2에 표시된 A-A선의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 필터의 개략도이다.1 is a schematic configuration diagram of a cooler for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view of the exhaust module shown in Fig.
3 is a schematic view of the diffuser unit shown in Fig.
4 is a schematic cross-sectional view of the line AA shown in Fig.
5 is a schematic view of the filter shown in Fig.

이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다. 다만, 이하의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위가 이하의 실시예들에 한정되는 것은 아님을 알려둔다. 또한, 이하의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것으로, 불필요하게 본 발명의 기술적 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 공지의 구성에 대해서는 상세한 기술을 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the following examples are provided to facilitate understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples. In addition, the following embodiments are provided to explain the present invention more fully to those skilled in the art. Those skilled in the art will appreciate that those skilled in the art, Will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정용 냉각기(10)의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a cooler 10 for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 반도체 공정용 냉각기(이하, '냉각기(10)'로 약칭함)는 브라인(brine)의 유동경로를 제공하는 제1유로라인(100)을 포함할 수 있다. 제1유로라인(100)은 냉각기(10)와 공정설비(P) 간 브라인의 공급 및 회수를 위한 유동경로를 제공할 수 있다. 다시 말하면, 브라인은 제1유로라인(100)을 통해 냉각기(10)와 공정설비(P) 간에 순환될 수 있다. 브라인은 공정설비(P)에서 냉각을 위한 매체로 사용될 수 있으며, 불소용액을 포함할 수 있다. 브라인은 제1유로라인(100)을 따라 유동되며 냉각기(10) 내에서 제1냉각사이클(C1)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 1, a cooler for semiconductor processing (hereinafter abbreviated as 'cooler 10') of the present embodiment may include a first flow line 100 that provides a flow path of a brine. The first flow line 100 may provide a flow path for the supply and recovery of brine between the cooler 10 and the process facility P. In other words, the brine can be circulated between the cooler 10 and the process facility P via the first flow line 100. The brine may be used as a medium for cooling in the process facility (P) and may include a fluorine solution. The brine may flow along the first flow line 100 and form a first cooling cycle (C1) in the cooler (10).

본 실시예의 냉각기(10)는 제1유로라인(100)에 설치되는 브라인탱크(110)를 포함할 수 있다. 브라인탱크(110)는 소정의 저장공간을 형성하고 증발기(240)를 통해 냉매와 열교환된 브라인을 저장할 수 있다. 저장된 브라인은 순환펌프(120)에 의해 공정설비(P)로 제공될 수 있다.The cooler 10 of the present embodiment may include a brine tank 110 installed in the first flow line 100. The brine tank 110 may form a predetermined storage space and store the brine heat exchanged with the refrigerant through the evaporator 240. The stored brine may be provided to the process facility P by the circulation pump 120.

본 실시예의 냉각기(10)는 냉매의 유동경로를 제공하는 제2유로라인(200)을 포함할 수 있다. 냉매는 제2유로라인(200)을 따라 순환되며 제2냉각사이클(C2)을 형성할 수 있다. 냉매는 프레온 가스를 포함할 수 있다.The cooler 10 of this embodiment may include a second flow line 200 that provides a flow path for the coolant. The refrigerant may be circulated along the second flow line 200 and form a second cooling cycle C2. The refrigerant may include a freon gas.

본 실시예의 냉각기(10)는 제2유로라인(200)에 설치되는 압축기(210), 응축기(220), 팽창밸브(230) 및 증발기(240)를 포함할 수 있다. 냉매는 압축기(210), 응축기(220), 팽창밸브(230) 및 증발기(240)를 거쳐 제2냉각사이클(C2)을 형성할 수 있으며, 이는 통상의 냉동사이클와 유사하다.The cooler 10 of the present embodiment may include a compressor 210 installed in the second flow line 200, a condenser 220, an expansion valve 230 and an evaporator 240. The refrigerant may form a second cooling cycle C2 through the compressor 210, the condenser 220, the expansion valve 230 and the evaporator 240, which is similar to a conventional refrigeration cycle.

응축기(220)는 냉각기(10) 외부의 열원에 의해 냉각될 수 있다. 예컨대, 응축기(220)는 공냉식 또는 수냉식으로 형성되어 외부의 열원과 냉매를 열교환시킬 수 있다. 증발기(240)는 냉매를 증발(기화)시키는 한편, 증발시 발생되는 잠열을 제1유로라인(100)의 브라인과 열교환시킬 수 있다. 즉, 증발기(240)는 제1유로라인(100)의 브라인과 제2유로라인(200)의 냉매를 열교환시키는 열교환기로 기능할 수 있다. 브라인은 증발기(240)에서 냉매와 열교환되고 브라인탱크(110)를 거쳐 공정설비(P)로 제공될 수 있다.The condenser 220 can be cooled by a heat source outside the cooler 10. [ For example, the condenser 220 may be air-cooled or water-cooled to exchange heat between the external heat source and the refrigerant. The evaporator 240 evaporates (vaporizes) the refrigerant, and can heat-exchange the latent heat generated during the evaporation with the brine of the first flow line 100. That is, the evaporator 240 may function as a heat exchanger for exchanging heat between the brine of the first flow line 100 and the refrigerant of the second flow line 200. The brine may be heat exchanged with the refrigerant in the evaporator 240 and provided to the process facility P via the brine tank 110.

한편, 브라인탱크(110)에 저장된 브라인은 장기간의 열이나 화학적 노출에 의해 유독성 물질로 변질될 수 있으며, 따라서 브라인탱크(110)에서 발생되는 가스는 소정의 여과처리를 통해 대기로 방출될 필요가 있다. 예컨대, 브라인이 불소용액을 포함하는 경우, 불소용액은 열이나 화학적 작용에 의해 유독성으로 변질될 수 있으며, 이로부터 발생되는 불산가스는 인체나 환경에 악영향을 미칠 수 있다.On the other hand, the brine stored in the brine tank 110 may be transformed into a toxic material by long-term thermal or chemical exposure, and therefore the gas generated in the brine tank 110 needs to be discharged to the atmosphere through a predetermined filtration process have. For example, when the brine contains a fluorine solution, the fluorine solution may be deteriorated by heat or chemical action, and the resulting hydrofluoric acid gas may adversely affect the human body or the environment.

따라서 본 실시예의 냉각기(10)는 브라인탱크(110)에서 발생되는 유해가스를 여과 처리하여 배출시키기 위한 배기모듈(300)을 더 포함할 수 있다. 이와 같은 배기모듈(300)은 브라인탱크(110) 상부에 장착 설치될 수 있으며, 도 1의 경우 편의상 배기모듈(300)의 위치만을 간략히 표시하고 있다.Therefore, the cooler 10 of the present embodiment may further include an exhaust module 300 for filtering and discharging noxious gas generated in the brine tank 110. The exhaust module 300 may be mounted on the brine tank 110, and in FIG. 1, only the position of the exhaust module 300 is simply shown.

도 2는 도 1에 도시된 배기모듈(300)의 개략도이다.2 is a schematic view of the exhaust module 300 shown in FIG.

도 2를 참조하면, 배기모듈(300)은 배기관(310)을 포함할 수 있다. 배기관(310)은 하단의 유입구(311)와 상단의 배출구(312)를 구비할 수 있다. 브라인탱크(110)에서 발생된 유해가스는 유입구(311)를 통해 배기관(310) 내부로 유입되어, 배기관(310) 내부에서 여과 처리된 후 배출구(312)를 통해 외기로 방출될 수 있다. 배기관(310)은 유입구(311)로부터 배출구(312)에 이르는 소정의 유동경로를 제공할 수 있으며, 바람직하게 이와 같은 유동경로는 하부에서 상부를 향하는 방향으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the exhaust module 300 may include an exhaust pipe 310. The exhaust pipe 310 may have an inlet 311 at the lower end and an outlet 312 at the upper end. The harmful gas generated in the brine tank 110 flows into the exhaust pipe 310 through the inlet 311 and is filtered inside the exhaust pipe 310 and then discharged to the outside air through the outlet 312. The exhaust pipe 310 may provide a predetermined flow path from the inlet 311 to the outlet 312 and preferably such a flow path may be formed in a direction from the bottom to the top.

배기관(310)은 하부에서부터 순차적으로 배치된 유로부(313), 확경부(314) 및 필터장착부(315)로 구성될 수 있다. 유로부(313)는 하단의 유입구(311)로부터 상방으로 소정 길이 연장 형성될 수 있다. 유로부(313)는 소정 반경을 가진 원통형으로 형성될 수 있으며, 상하로 일정한 유로 단면적을 형성할 수 있다. 또한, 편의상 도 2에서는 도시를 생략하고 있으나, 유로부(313) 내부에는 제1, 2블레이드(316, 323)가 배치될 수 있다. 이에 대하여는 후술할 도 4를 참조하여 부연키로 한다.The exhaust pipe 310 may include a flow path portion 313, a diameter-enlarged portion 314, and a filter mounting portion 315 that are sequentially disposed from the bottom. The channel portion 313 may be formed to extend upward from the lower inlet 311 by a predetermined length. The flow path portion 313 may be formed in a cylindrical shape having a predetermined radius, and a constant flow path cross-sectional area may be formed up and down. 2, the first and second blades 316 and 323 may be disposed inside the flow path portion 313. The first and second blades 316 and 323 may be disposed in the flow path portion 313, respectively. This will be described in detail later with reference to FIG.

확경부(314)는 유로부(313) 상단에서부터 상방으로 소정 길이 연장 형성되되, 상측으로 갈수록 유로 단면적이 커지게 형성될 수 있다. 즉, 확경부(314)는 상측으로 갈수록 반경이 커지는 역원뿔형의 형태로 형성될 수 있다. 이와 같은 확경부(314)는 유해가스의 유동속도를 느리게 하여, 후술할 디퓨저유닛(320)을 통해 유동흐름이 분산될 수 있도록 한다.The enlarged diameter portion 314 is formed to extend from the upper end of the flow path portion 313 upward by a predetermined length, and the flow path cross-sectional area may be increased toward the upper side. That is, the enlarged diameter portion 314 may be formed in an inverted conical shape having a larger radius toward the upper side. The enlarged diameter portion 314 slows the flow rate of the noxious gas so that the flow can be dispersed through the diffuser unit 320, which will be described later.

필터장착부(315)는 확경부(314) 상단으로부터 상방으로 소정 길이 연장 형성되어, 필터(330)의 장착공간을 제공할 수 있다. 필터장착부(315)는 확경부(314) 상단에 대응되는 유로 단면적 내지 반경을 가지고, 일정한 크기로 연장 형성될 수 있다.The filter mounting portion 315 is extended upward from the upper end of the enlarged diameter portion 314 by a predetermined length to provide a mounting space for the filter 330. The filter mounting portion 315 has a passage cross-sectional area or a radius corresponding to the upper end of the enlarged diameter portion 314, and can be extended to a predetermined size.

한편, 배기모듈(300)은 배기관(310) 내부에 설치되는 디퓨저유닛(320)을 포함할 수 있다. 디퓨저유닛(320)은 유로부(313) 및 확경부(314)에 대응되는 배기관(310) 내부에 배치되어 유로부(313)를 통해 나온 유해가스를 확경부(314) 내부에 고르게 분산시키게 된다. 이는 확경부(314) 상측에 배치된 필터(330)와 유해가스와의 반응면적을 넓혀 필터(330)에 의한 여과성능을 향상시키기 위함이다.Meanwhile, the exhaust module 300 may include a diffuser unit 320 installed inside the exhaust pipe 310. The diffuser unit 320 is disposed inside the exhaust pipe 310 corresponding to the flow path portion 313 and the enlarged diameter portion 314 to uniformly disperse the noxious gas that has exited through the flow path portion 313 inside the diameter portion 314 . This is to increase the filtration performance by the filter 330 by widening the reaction area between the filter 330 disposed above the enlarged diameter portion 314 and the noxious gas.

도 3은 도 2에 도시된 디퓨저유닛(320)의 개략도이다.3 is a schematic view of the diffuser unit 320 shown in FIG.

도 3을 참조하면, 디퓨저유닛(320)은 전면적에 걸쳐 다수의 분배홀(321a)이 관통 형성된 분배판(321)을 구비할 수 있다. 분배판(321)은 소정 두께를 가진 판(plate)으로 형성되되, 중앙 부위가 상방으로 돌출된 완만한 곡면의 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 분배판(321)은 상방을 향해 볼록하게 배치된 부분 구형의 형상으로 형성될 수 있다. 이와 같은 분배판(321)의 형상은 하측으로부터 유입된 유해가스가 상측의 확경부(314)를 향해 방사형으로 분사될 수 있도록 하여, 확경부(314)의 전체 공간으로 유해가스를 고르게 분배시키게 된다.Referring to FIG. 3, the diffuser unit 320 may include a distribution plate 321 having a plurality of distribution holes 321a extending through the entire surface thereof. The distribution plate 321 may be formed of a plate having a predetermined thickness and may be formed in a shape of a gentle curved surface whose central portion protrudes upward. Alternatively, the distribution plate 321 may be formed in the shape of a partially spherical shape arranged to be convex upward. The shape of the distribution plate 321 allows the noxious gas introduced from the lower side to be radially injected toward the upper diameter portion 314 to evenly distribute the noxious gas to the entire space of the neck portion 314 .

또한, 디퓨저유닛(320)은 분배판(321)으로부터 하방으로 연장 형성된 연장로드(322)를 구비할 수 있다. 연장로드(322)는 분배판(321)의 저면 중앙 부위에서 하방으로 소정 길이 연장 형성될 수 있다. 전술한 도 2에 도시된 바와 같이, 이와 같은 연장로드(322)는 유로부(313)의 내측 중앙 부위에 배치될 수 있다.The diffuser unit 320 may also include an extension rod 322 extending downwardly from the distribution plate 321. The extension rod 322 may extend downward from the central portion of the bottom surface of the distribution plate 321 by a predetermined length. 2, the extension rod 322 may be disposed at an inner central portion of the flow path portion 313.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 연장로드(322)에는 복수의 제2블레이드(323)가 형성될 수 있다(단, 도 2의 경우, 도시 편의상 이를 생략하고 있음을 알려둔다). 제2블레이드(323)는 연장로드(322)를 따라 상하로 연장 형성될 수 있다. 제2블레이드(323)는 복수개가 구비될 수 있으며, 복수의 제2블레이드(323)는 연장로드(322)를 중심으로 소정 각도 간격을 이루며 방사형으로 배치될 수 있다. 본 실시예의 경우, 8개의 제2블레이드(323)가 대략 45도의 간격으로 방사형 배치된 경우를 예시하고 있다.3, a plurality of second blades 323 may be formed on the extension rod 322 (however, in the case of FIG. 2, it is noted that this is omitted for convenience of illustration). The second blade 323 may be formed to extend up and down along the extension rod 322. A plurality of second blades 323 may be provided and a plurality of second blades 323 may be radially arranged at predetermined angular intervals around the extension rod 322. [ In the case of this embodiment, eight second blades 323 are radially arranged at intervals of about 45 degrees.

상기와 같은 제2블레이드(323)는 유로부(313)에 형성된 제1블레이드(316, 도 4 참조)와 함께 유로부(313)에 소정의 필터구조를 형성할 수 있다. 이는 도 4를 참조하여 설명하도록 한다.The second blade 323 may form a predetermined filter structure in the flow path portion 313 together with the first blade 316 (see FIG. 4) formed in the flow path portion 313. This will be described with reference to FIG.

도 4는 도 2에 표시된 A-A선의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A shown in Fig.

참고로, 도 4에 도시된 제1, 2블레이드(316, 323)는 편의상 도 2에서는 도시를 생략하고 있음을 알려둔다.It should be noted that the first and second blades 316 and 323 shown in Fig. 4 are not shown in Fig. 2 for the sake of convenience.

도 4를 참조하면, 유로부(313) 내부에는 복수의 제1블레이드(316)가 형성될 수 있다. 제1블레이드(316)는 유로부(313) 내벽에 형성되어 상하로 연장된 유로부(313)를 따라 상하로 연장 형성될 수 있다. 또한, 제1블레이드(316)는 반경방향으로 제1폭(W1)을 가질 수 있다. 다시 말하면, 제1블레이드(316)는 유로부(313) 내벽으로부터 제1폭(W1)만큼 반경방향으로 연장 형성될 수 있다. 또한, 제1블레이드(316)는 복수개가 구비될 수 있으며, 복수의 제1블레이드(316)는 유로부(313) 중앙을 중심으로 소정 간도 간격을 이루며 방사형 배치될 수 있다. 본 실시예의 경우, 8개의 제1블레이드(316)가 대략 45도 간격으로 방사형 배치된 경우를 예시하고 있다.Referring to FIG. 4, a plurality of first blades 316 may be formed in the flow path portion 313. The first blade 316 may be formed on the inner wall of the flow path portion 313 and extend vertically along the flow path portion 313 extending upward and downward. Also, the first blade 316 may have a first width W1 in the radial direction. In other words, the first blade 316 may extend radially from the inner wall of the flow path portion 313 by a first width W1. The plurality of first blades 316 may be radially arranged at a predetermined distance from the center of the flow path portion 313. In the case of this embodiment, eight first blades 316 are radially arranged at approximately 45-degree intervals.

한편, 유로부(313)의 중앙에는 전술한 디퓨저유닛(320)의 연장로드(322)가 배치될 수 있다. 이때, 연장로드(322)에 구비된 제2블레이드(323)는 원주방향으로 인접한 제1블레이드(316) 사이에 배치될 수 있으며, 따라서 제1, 2블레이드(316, 323)는 평면상 소정의 겹침영역(S2)을 형성할 수 있다. 즉, 제1, 2블레이드(316, 323)로 인해, 유로부(313)는 제2블레이드(323)만이 배치된 중앙영역(S1), 제1, 2블레이드(316, 323)가 함께 배치되는 겹침영역(S2) 및 제1블레이드(316)만이 배치된 엣지영역(S3)으로 구분될 수 있다. 중앙영역(S1), 겹침영역(S2) 및 엣지영역(S3)은 반경방향 내측부터 외측을 향해 순차적으로 배치될 수 있으며, 겹침영역(S2) 및 엣지영역(S3)은 평면상 대략 원형 고리 형태를 형성하게 된다.The extension rod 322 of the diffuser unit 320 may be disposed at the center of the flow path portion 313. At this time, the second blades 323 provided on the extension rod 322 can be disposed between the first blades 316 adjacent in the circumferential direction, so that the first and second blades 316, The overlapping region S2 can be formed. That is, due to the first and second blades 316 and 323, the flow path portion 313 is formed so that the central region S1 and the first and second blades 316 and 323, where only the second blades 323 are disposed, The overlap region S2 and the edge region S3 in which only the first blade 316 is disposed. The central region S1, the overlap region S2 and the edge region S3 may be sequentially arranged from the radially inner side to the outer side, and the overlap region S2 and the edge region S3 may be arranged in a substantially circular ring shape .

바람직하게, 제2블레이드(323)는 연장로드(322)를 중심으로 제2폭(W2)만큼 반경방향 연장 형성될 수 있으며, 제2폭(W2)은 제1폭(W1)보다 소정 정도 작게 형성될 수 있다. 예컨대, 제1폭(W1)은 제1블레이드(316) 단부가 중앙의 연장로드(322)에 인접하도록 유로부(313) 반경 대비 대략 70 내지 80%로 형성될 수 있으며, 제2폭(W2)은 유로부(313) 반경 대비 50% 내외로 형성될 수 있다.The second blade 323 may be formed to extend radially by a second width W2 about the extension rod 322. The second width W2 may be formed to be smaller than the first width W1 by a predetermined amount . For example, the first width W1 may be formed to be approximately 70 to 80% of the radius of the flow path portion 313 so that the end portion of the first blade 316 is adjacent to the central extension rod 322, and the second width W2 May be about 50% of the radius of the flow path 313.

또한, 제1, 2블레이드(316, 323)는 활성탄이 코팅될 수 있다. 또는, 유로부(313)는 적어도 제1블레이드(316)를 포함한 영역이 활성탄으로 코팅될 수 있으며, 디퓨저유닛(320)은 적어도 제2블레이드(323)를 포함하는 영역이 활성탄으로 코팅될 수 있다. 활성탄 코팅된 제1, 2블레이드(316, 323)는 유로부(313)를 지나는 유해가스로부터 유해성분을 일부 흡착 제거할 수 있다.Also, the first and second blades 316 and 323 may be coated with activated carbon. Alternatively, the flow path portion 313 may be coated with activated carbon at least in a region including the first blade 316, and the region including at least the second blade 323 in the diffuser unit 320 may be coated with activated carbon . The first and second blades 316 and 323 coated with activated carbon can partially remove harmful components from harmful gas passing through the flow path portion 313.

특히, 본 실시예의 경우, 도 4에서 도시하고 있는 바와 같이, 제1, 2블레이드(316, 323)에 의해 유로부(313)가 중앙영역(S1), 겹침영역(S2) 및 엣지영역(S3)으로 구획되어 가스의 유동흐름을 지나치게 저해하지 않으면서도 효과적으로 유해성분을 흡착시킬 수 있다. 부연하면, 상대적으로 적은 유량이 분포되며 흐름이 약한 가장자리 부위(즉, 엣지영역(S3))과, 많은 유량이 분포되며 흐름이 강한 중앙 부위(즉, 겹침영역(S2) 및 중앙영역(S1)) 간에 제1, 2블레이드(316, 323)의 분포를 달리함으로써, 유동흐름의 방해를 최소화하면서 효과적인 유해성분의 흡착이 가능하게 된다.4, the flow path portion 313 is formed by the first and second blades 316 and 323 in the center region S1, the overlap region S2 and the edge region S3 So that the harmful components can be effectively adsorbed without excessively inhibiting the flow of the gas. In other words, a relatively small amount of flow is distributed and a weak flow edge region (i.e., edge region S3) and a large flow amount are distributed and a strong flow central region (i.e., the overlap region S2 and the central region S1) ) Of the first and second blades 316 and 323, it is possible to effectively adsorb the harmful components while minimizing disturbance of the flow.

다시 도 2를 참조하면, 전술한 바와 같은 디퓨저유닛(320)은 분배판(321)의 가장자리가 확경부(314) 내벽에 안착 지지되어 배기관(310) 내부에 설치될 수 있다. 분배판(321)이 확경부(314) 내벽에 안착 지지되어 설치될 수 있도록, 분배판(321)의 반경은 확경부(314) 상단의 반경보다는 소정 정도 작게 형성되고, 확경부(314) 하단의 반경보다는 소정 정도 크게 형성될 수 있다. 이와 같은 분배판(321) 내지 디퓨저유닛(320)의 설치 구조는 테이퍼진 확경부(314)의 형상을 이용한 것으로, 별도의 추가적인 지지구조가 요구되지 않아, 장치 구성을 간소화하고, 디퓨저유닛(320)의 탈착이나 교체 또한 용이하게 하는 이점이 있다. 즉, 사용자는 단순히 디퓨저유닛(320)을 들어올리거나 확경부(314)에 안착시킴으로써, 극히 용이하게 디퓨저유닛(320)의 탈거나 설치가 가능하게 된다.Referring to FIG. 2 again, the diffuser unit 320 may be installed inside the exhaust pipe 310 while the edge of the distribution plate 321 is seated on the inner wall of the enlarged diameter portion 314. The radius of the distribution plate 321 is formed to be smaller than the radius of the upper end of the enlarged diameter portion 314 by a predetermined amount so that the distribution plate 321 can be seated and supported on the inner wall of the enlarged diameter portion 314, May be formed to be larger than a radius of the protrusion. Since the installation structure of the distribution plate 321 to the diffuser unit 320 is based on the shape of the tapered diameter portion 314, a separate additional support structure is not required, thereby simplifying the structure of the apparatus, Can be easily removed and replaced. That is, by simply lifting the diffuser unit 320 or placing it on the enlarged diameter portion 314, the user can extremely easily mount or mount the diffuser unit 320.

한편, 상기와 같은 경우, 분배판(321) 하부의 연장로드(322)는 분배판(321)에 의해 지지되어 유로부(313) 내부에 배치될 수 있다. 연장로드(322)에 형성된 복수의 제2블레이드(323)는 도 4를 참조하여 전술한 바와 같이 유로부(313) 내 복수의 제1블레이드(316) 사이에 배치되게 된다.In this case, the extension rod 322 under the distribution plate 321 may be supported by the distribution plate 321 and disposed inside the flow path portion 313. The plurality of second blades 323 formed on the extension rod 322 are disposed between the plurality of first blades 316 in the flow path portion 313 as described above with reference to FIG.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 배기모듈(300)은 필터장착부(315)에 배치되는 필터(330)를 구비할 수 있다. 필터(330)는 활성탄을 포함하고, 디퓨저유닛(320)에 의해 분배되는 유해가스로부터 유해성분을 흡착 제거할 수 있다. 이때, 필터(330)로 유입되는 유해가스는 전술한 제1, 2블레이드(316, 323)에 의해 전처리 과정으로써 유해성분이 일차 제거된 것임을 알려둔다.Also, as shown in FIG. 2, the exhaust module 300 may include a filter 330 disposed in the filter mount 315. The filter 330 includes activated carbon and is capable of adsorbing and removing harmful components from the harmful gas distributed by the diffuser unit 320. At this time, the harmful gas flowing into the filter 330 is preliminarily processed by the first and second blades 316 and 323 to inform that the harmful components are removed first.

또한, 필요에 따라, 배기모듈(300)은 배기관(310) 상단의 배출구(312)에 씌워지는 망부재(340)를 구비할 수 있다. 망부재(340)는 금속망으로 형성될 수 있으며, 배출구(312)를 통해 먼지나 티끌 등의 이물질이 유입되는 것을 방지하게 된다.The exhaust module 300 may include a net member 340 that covers the exhaust port 312 at the upper end of the exhaust pipe 310, if necessary. The mesh member 340 may be formed of a metal mesh to prevent foreign matter such as dust or dirt from being introduced through the discharge port 312.

도 5는 도 2에 도시된 필터(330)의 개략도이다.5 is a schematic diagram of the filter 330 shown in FIG.

도 5의 (a)는 도 2에 도시된 필터(330)의 일 실시예를 도시한 것으로, 필터(330)는 다공성의 발포수지체(331)에 활성탄을 코팅한 것으로 이뤄질 수 있다. 또한, 필터(330)는 필터장착부(315)에 대응되는 반경 크기로 형성될 수 있다. 필터장착부(315)의 반경은 확경부(314) 상단의 반경과도 대응되며, 따라서 이와 같은 경우, 필터(330)는 별도의 추가적인 고정수단 없이 확경부(314) 상단에 안착 지지된 형태로 필터장착부(315)에 설치될 수 있다(도 2 참조). 전술한 디퓨저유닛(320)과 유사하게 이와 같은 필터(330)의 설치구조는 장치의 간소화나 교체의 용이성 측면에서 이점을 가진다.FIG. 5A illustrates an embodiment of the filter 330 shown in FIG. 2. The filter 330 may be formed by coating a porous foamed resin body 331 with activated carbon. In addition, the filter 330 may be formed to have a radius corresponding to the filter mounting portion 315. The radius of the filter mounting portion 315 corresponds to the radius of the upper end of the enlarged diameter portion 314 so that the filter 330 is mounted on the upper end of the enlarged diameter portion 314 without any additional fixing means, And can be installed in the mounting portion 315 (see Fig. 2). Similar to the diffuser unit 320 described above, the installation structure of the filter 330 has an advantage in terms of simplicity and ease of replacement.

도 5의 (b)는 필터(330)의 변형예를 도시하고 있다. 본 변형예에 따르면, 필터(330)는 상면부직포(332) 및 하면부직포(333)를 구비하고, 그 사이에 주름 형태를 이루며 배치된 주름부직포(334)를 포함할 수 있다. 상면부직포(332), 하면부직포(333) 및 주름부직포(334)에는 각각 활성탄이 코팅될 수 있다.FIG. 5B shows a modification of the filter 330. FIG. According to this modification, the filter 330 may include a top nonwoven fabric 332 and a bottom nonwoven fabric 333, and a pleated nonwoven fabric 334 disposed therebetween. Activated carbon may be coated on the top surface nonwoven fabric 332, the bottom surface nonwoven fabric 333, and the wrinkle nonwoven fabric 334, respectively.

필요에 따라, 본 변형예의 필터(330)는 복수개의 층으로 적층되어 사용될 수 있다. 이 경우, 각 층의 주름부직포(334)는 주름 방향이 인접한 다른 층의 주름부직포(334)과 직교하도록 배치될 수 있다.If necessary, the filter 330 of this modification may be used as a plurality of layers. In this case, the wrinkle nonwoven fabric 334 of each layer may be arranged so as to be orthogonal to the wrinkle nonwoven fabric 334 of the adjacent layer in the corrugation direction.

이상에서 설명한 바, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 공정용 냉각기(10)는 브라인탱크(110)에서 발생되는 유해가스를 배기모듈(300)을 통해 여과 처리하여 외기로 배출할 수 있다. 특히, 이와 같은 배기모듈(300)은 간소화된 구조를 가지면서도 효과적으로 유해성분의 흡착이 이뤄질 수 있도록 구성되며, 교체가 예정된 필터(330)나 디퓨저유닛(320) 등의 탈거 또한 매우 용이한 이점을 가진다.As described above, the cooler 10 for semiconductor processing according to the embodiments of the present invention can filter the noxious gas generated in the brine tank 110 through the exhaust module 300 and discharge it to the outside air. Particularly, such an exhaust module 300 has a simplified structure and can effectively absorb harmful components, and it is very easy to remove the filter 330 and the diffuser unit 320, which are scheduled to be replaced. I have.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, many modifications and changes may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

10: 반도체 공정용 냉각기 100: 제1유로라인
110: 브라인탱크 120: 순환펌프
200: 제2유로라인 210: 압축기
220: 응축기 230: 팽창밸브
240: 증발기 300: 배기모듈
310: 배기관 320: 디퓨저유닛
330: 필터 340: 망부재10: cooler for semiconductor process 100: first flow line
110: brine tank 120: circulation pump
200: second flow line 210: compressor
220: condenser 230: expansion valve
240: Evaporator 300: Exhaust module
310 exhaust pipe 320 diffuser unit
330: filter 340: net member

Claims

브라인(brine)의 유동경로를 제공하는 제1유로라인(100);
압축기(210), 응축기(220), 팽창밸브(230) 및 증발기(240)를 구비하고, 냉매의 유동경로를 제공하는 제2유로라인(200);
상기 제1유로라인(100)에 설치되어 상기 증발기(240)에서 냉매와 열교환된 브라인을 저장하는 브라인탱크(110); 및
상기 브라인탱크(110)에 설치되어 상기 브라인탱크(110)에서 발생된 가스를 외기로 방출시키는 배기모듈(300);을 포함하되,
상기 배기모듈(300)은,
하단의 유입구(311)로부터 상단의 배출구(312)에 이르는 가스의 유동경로를 형성하는 배기관(310);
상기 배기관(310) 내부에 장착되는 디퓨저유닛(320); 및
상기 배기관(310) 상부에 장착되며, 활성탄을 포함하고 유해성분을 흡착하는 필터(330);를 포함하고,
상기 배기관(310)은,
하단의 상기 유입구(311)로부터 소정 반경을 가지고 상방으로 연장 형성되는 유로부(313);
상기 유로부(313) 상단으로부터 상방으로 연장 형성되되, 상측으로 갈수록 반경이 점차 커지게 형성되는 확경부(314); 및
상기 확경부(314) 상단으로부터 소정 반경을 가지고 상단의 상기 배출구(312)까지 상방으로 연장 형성되어 상기 필터(330)가 안착될 수 있도록 한 필터장착부(315);를 포함하며,
상기 디퓨저유닛(320)은,
복수의 분배홀(321a)이 관통 형성되며, 상방을 향해 볼록하게 돌출된 부분이 구형의 형상으로 형성되는 것으로, 구형으로 형성된 상부의 가장자리가 상기 확경부(314)의 내벽에 안착 지지되게 설치되는 분배판(321); 및
상기 분배판(321) 중앙으로부터 하방으로 연장 형성되어 상기 유로부(313)에 배치되는 연장로드(322);를 포함하되,
상기 유로부(313)는,
내부에 방사형으로 배치된 복수의 제1블레이드(316)를 구비하고,
상기 연장로드(322)는,
상기 연장로드(322)를 중심으로 방사형 배치된 복수의 제2블레이드(323)를 구비하며,
상기 제1블레이드(316)는,
상기 유로부(313) 내벽을 따라 상하로 연장 형성되고, 상기 유로부(313) 내벽으로부터 반경방향으로 제1폭(W1)을 가지도록 연장 형성되며,
상기 제2블레이드(323)는,
상기 연장로드(322)를 따라 상하로 연장 형성되고, 상기 연장로드(322)로부터 반경방향으로 제2폭(W2)을 가지도록 연장 형성되어, 원주방향으로 인접한 상기 제1블레이드(316) 사이에 배치되며,
상기 제1, 2블레이드(316, 323)는,
상기 유로부(313) 내부에서 겹침영역(S2)을 형성하고, 각각 활성탄이 코팅되는, 반도체 공정용 냉각기.

A first flow line (100) providing a flow path of a brine;
A second flow line (200) having a compressor (210), a condenser (220), an expansion valve (230) and an evaporator (240) and providing a refrigerant flow path;
A brine tank (110) installed in the first flow line (100) and storing a brine heat exchanged with the refrigerant in the evaporator (240); And
And an exhaust module (300) installed in the brine tank (110) and discharging gas generated in the brine tank (110) to the outside air,
The exhaust module (300)
An exhaust pipe 310 forming a flow path of the gas from the lower inlet 311 to the upper outlet 312;
A diffuser unit 320 mounted inside the exhaust pipe 310; And
And a filter (330) mounted on the exhaust pipe (310) and containing activated carbon and adsorbing harmful components,
The exhaust pipe (310)
A flow path portion 313 extending upward from the inlet 311 at a lower end with a predetermined radius;
A diameter enlarged portion 314 extending upward from an upper end of the flow path portion 313 and having a radius gradually increasing toward the upper side; And
And a filter mounting part 315 extending upward from the upper end of the enlarged diameter part 314 to the outlet 312 at a predetermined radius and allowing the filter 330 to be mounted thereon,
The diffuser unit 320,
A plurality of distribution holes 321a are formed to penetrate through and a convexly protruding portion is formed in a spherical shape and an upper edge formed in a spherical shape is installed so as to be seated and supported on the inner wall of the enlarged diameter portion 314 A distribution plate 321; And
And an extension rod (322) extending downward from the center of the distribution plate (321) and disposed in the flow path portion (313)
The flow path portion 313,
And a plurality of first blades (316) radially disposed in the inside,
The extension rod (322)
And a plurality of second blades (323) radially arranged around the extension rod (322)
The first blade (316)
And extending in the vertical direction along the inner wall of the channel portion 313 and extending in a radial direction from the inner wall of the channel portion 313 to have a first width W1,
The second blade (323)
And extends in the vertical direction along the extension rod 322 and extends from the extension rod 322 in a radial direction to have a second width W2 so as to extend in the circumferential direction between the first blades 316 Lt; / RTI &
The first and second blades (316, 323)
And an overlapping region (S2) is formed in the flow path portion (313), and activated carbon is coated on the overlapping region (S2).

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