KR101840109B1 - Laminated wiring film for electronic components and sputtering target material for forming coating layer - Google Patents

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Abstract

저저항의 Ag 또는 Cu를 도전층으로 하고, 밀착성, 내후성, 내산화성을 확보함과 함께, 안정적으로 고정밀도의 웨트 에칭을 행하는 것이 가능하게 되는 신규의 피복층을 갖는 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재를 제공한다.
Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층과 당해 도전층 중 적어도 한쪽의 면을 덮는 피복층으로 이루어지고, 상기 피복층은 Mo을 5 내지 50 원자％, 당해 Mo과 Cu를 합계로 60 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 전자 부품용 적층 배선막 및 상기 피복층은 Mo을 5 내지 50 원자％, 당해 Mo과 Cu를 합계로 60 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 큐리점이 상온 이하인 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재로 형성할 수 있다. It is possible to stably and precisely carry out wet etching with low resistance of Ag or Cu as a conductive layer to secure adhesion, weather resistance, and oxidation resistance, and to provide a multilayer wiring film for electronic parts having a novel coating layer and a coating layer Thereby providing a sputtering target material for forming.
Ag, an Ag alloy, Cu and a Cu alloy, and a coating layer covering at least one of the conductive layers, wherein the coating layer contains 5 to 50 atom% of Mo, the Mo and Cu And a total of 60 atomic% or less and the balance of Ni and inevitable impurities, and the coating layer contain 5 to 50 atom% of Mo, 60 atom% or less of the total of Mo and Cu, The remainder being Ni and inevitable impurities, and a Curie point of room temperature or lower.

Figure 112016025144197-pat00005
Figure 112016025144197-pat00005

Description

전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재 {LAMINATED WIRING FILM FOR ELECTRONIC COMPONENTS AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING COATING LAYER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a laminated wiring film for electronic parts and a sputtering target material for forming a covering layer.

본 발명은, 예를 들어, 터치 패널 등에 적용 가능한 전자 부품용 적층 배선막 및 이 전자 부품용 적층 배선막의 도전층을 덮는 피복층을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃재에 관한 것이다. The present invention relates to a sputtering target material for forming, for example, a lamination wiring film for electronic parts applicable to a touch panel or the like and a coating layer covering the conductive layer of the lamination wiring film for electronic parts.

최근, 유리 기판 상에 박막 디바이스를 형성하는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display:이하, 「LCD」라고 함), 유기 EL 디스플레이나 전자 페이퍼 등에 이용되는 전기 영동형 디스플레이 등의 평면 표시 장치(플랫 패널 디스플레이, Flat ㎩nel Display:이하, 「FPD」라고 함)에, 그 화면을 보면서 직접적인 조작성을 부여할 수 있는 터치 패널을 조합한 새로운 휴대형 단말기인 스마트폰이나 태블릿 PC 등이 제품화되고 있다. 이들 터치 패널의 위치 검출 전극으로서의 센서막에는, 일반적으로 투명 도전막인 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide:이하, 「ITO」라고 함)이 사용되고 있다. 그리고, 그 브리지 배선이나 인출 배선에는, 더 낮은 전기 저항값(이하, 저저항이라고 함)을 갖는 금속 배선막으로서, 예를 들어, Mo이나 Mo 합금과 Al이나 Al 합금을 적층한 적층 배선막이 사용되고 있다. Description of the Related Art [0002] In recent years, flat display devices (flat panel displays, liquid crystal display devices, and the like) such as liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs") for forming thin film devices on glass substrates, electrophoretic displays used for organic EL displays, A flat panel display (hereinafter referred to as " FPD "), a smart phone or a tablet PC, which is a new portable terminal combining a touch panel capable of giving direct operability while viewing the screen, is being commercialized. Indium tin oxide (hereinafter referred to as " ITO "), which is a transparent conductive film, is generally used for the sensor film as the position detecting electrode of these touch panels. A laminated wiring film in which Mo or Mo alloy and Al or Al alloy are laminated is used as the metal wiring film having a lower electrical resistance value (hereinafter referred to as low resistance) for the bridge wiring and the lead wiring have.

최근, 스마트폰이나 태블릿 PC 등에 사용되는 LCD나 FPD 등은, 해마다 대형 화면화, 고정밀화, 고속 응답화가 급속하게 진행되고 있고, 그 센서막 및 금속 배선막에는, 가일층의 저저항화가 요구되고 있다. 이로 인해, 센서막을 ITO보다 저저항의 금속층을 메쉬 형상으로 한 금속 메쉬막 방식 등도 제안되고 있다. In recent years, LCDs and FPDs used in smart phones, tablet PCs, and the like are rapidly progressing rapidly in terms of large screen, high definition, and high-speed response each year, and the sensor film and the metal wiring film are required to have a lower resistance . For this reason, a metal mesh film method has been proposed in which the sensor film is formed into a mesh shape with a metal layer having a lower resistance than ITO.

이 금속 메쉬막에는, Al보다 저저항의 Cu나 Ag의 적용이 검토되고 있는 결과, Cu는 내산화성이나 밀착성에 추가하여, 내후성의 하나인 내습성에 과제가 있으므로 취급이 어렵다고 하는 문제가 있다. 한편, Ag은 Cu에 비해 고가인 결과, Cu보다도 내산화성이나 내습성이 우수하므로 유망하다. In this metal mesh film, application of Cu or Ag having a lower resistance than Al has been studied. As a result, there is a problem that Cu is difficult to handle because it has a problem of moisture resistance, which is one of weather resistance, in addition to oxidation resistance and adhesion. On the other hand, Ag is more expensive than Cu, and is more promising than Cu because of its excellent oxidation resistance and moisture resistance.

그런데, Ag은 기판과의 밀착성이 낮게 박리되기 쉽고, 또한, 염소나 황과 반응하기 쉬우므로, 내후성에 과제가 있다. 이로 인해, 밀착성이나 내후성이라고 하는 Ag 특유의 과제를 해결하기 위해, Ag을 다른 금속으로 이루어지는 피복층으로 피복하는 제안이 이루어져 있다. However, Ag is liable to be easily peeled off due to its low adhesiveness to the substrate, and is liable to react with chlorine or sulfur, and thus has a problem in weather resistance. For this reason, in order to solve the problem inherent in Ag, namely, adhesion and weatherability, proposals have been made to coat Ag with a covering layer made of another metal.

또한, 터치 패널의 기판은 스마트폰이나 태블릿 PC 등의 박형화를 위해, 유리 기판으로부터 더 박형화가 가능한 수지 필름 기판을 사용한 방식도 사용되고 있고, 상기 피복층에는 수지 필름 기판과의 밀착성도 필요해지고 있다. In addition, a method of using a resin film substrate that can be made thinner from a glass substrate is also used for a touch panel substrate in order to reduce the thickness of a smart phone or a tablet PC, and adhesion of the resin film substrate to the coating layer is also required.

상술한 금속 배선막이나 피복층을 형성하는 방법으로서는, 스퍼터링 타깃재를 사용한 스퍼터링법이 최적이다. 스퍼터링법은 물리 증착법의 하나이며, 다른 진공 증착이나 이온 플레이팅에 비교하여, 대면적을 용이하게 성막할 수 있는 방법임과 함께, 조성 변동이 적어, 우수한 박막층이 얻어지는 유효한 방법이다. 또한, 기판에의 열영향도 적어, 수지 필름 기판에도 적용 가능한 방법이다. The sputtering method using the sputtering target material is the most suitable method for forming the metal wiring film and the coating layer. The sputtering method is one of the physical vapor deposition methods, which is an effective method for easily forming a large area as compared with other vacuum vapor deposition or ion plating, and is also an effective method for obtaining a thin film layer with a small composition variation. In addition, the thermal influence on the substrate is also small, and this method is also applicable to the resin film substrate.

본 발명자는, 유리 등과의 밀착성이 낮은 Cu나 Ag으로 이루어지는 도전층과, Mo 주체로서 V 및/또는 Nb를 함유하는 Mo 합금으로 이루어지는 피복층을 적층한 적층 배선막으로 함으로써, Cu나 Ag이 갖는 저저항을 유지하면서, 내식성, 내열성이나 유리 기판과의 밀착성을 개선할 수 있는 것을 제안하고 있다(특허문헌 1 참조). 이 기술은, 유리 기판 상에 형성되는 TFT의 배선막으로서 유효한 기술이다. The present inventors have found that by forming a laminated wiring film in which a conductive layer made of Cu or Ag with low adhesion with glass and the like and a covering layer made of a Mo alloy containing V and / or Nb as a Mo main body are laminated, It has been proposed to improve the corrosion resistance, the heat resistance and the adhesion to the glass substrate while maintaining the resistance (see Patent Document 1). This technique is effective as a wiring film of a TFT formed on a glass substrate.

또한, 본 발명자는, Ag이나 Cu로 이루어지는 도전층에, Cu를 1 내지 25 원자％, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W으로부터 선택되는 원소를 1 내지 25 원자％, 또한, 첨가량의 합계가 35 원자％ 이하의 Ni 합금으로 이루어지는 피복층을 적층한 적층 배선막을 제안하고 있다(특허문헌 2 참조). 이 특허문헌 2에서 제안한 피복층은, Ti, V, Cr 등의 전이 금속을 소정량 첨가한 Ni 합금을 채용함으로써, 약자성화가 달성되고, 스퍼터링에 의한 성막이 안정적이고 또한 장시간할 수 있다고 하는 점에서 유용한 기술이다.The present inventors have also found that when a conductive layer made of Ag or Cu is doped with 1 to 25 atomic% of Cu and 1 to 25 atomic% of an element selected from Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, , And a coating layer composed of a Ni alloy having a total amount of addition of 35 atomic% or less are laminated (see Patent Document 2). In the coating layer proposed in Patent Document 2, since the Ni alloy obtained by adding a predetermined amount of transition metal such as Ti, V, Cr, or the like is used, weakening is attained, film formation by sputtering is stable, It is a useful technique.

일본 특허 공개 제2004-140319호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-140319 일본 특허 공개 제2006-310814호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-310814

상술한 바와 같이, 최근의 FPD는, 고정밀화가 급속하게 진행되고 있으므로, 터치 패널에 있어서도, 더 좁은 배선 폭으로 고정밀도로 에칭 가공하는 것이 요망되고 있다. As described above, in the FPD of recent years, since the high definition is rapidly proceeding, it is desired to etch the touch panel with high precision with narrower wiring width.

그러나, Cu나 Ag은, 정밀도가 높은 에칭법인 드라이 에칭을 행하는 것이 용이하지 않으므로, 주로 웨트 에칭이 사용되고 있다. 또한, 수지 필름 기판은 투습성이 있으므로, Cu나 Ag의 도전층과 적층하는 피복층에는 유리 기판 상에 형성할 때, 더 높은 내후성이 요구되고 있다. However, wet etching is mainly used for Cu or Ag because it is not easy to perform dry etching, which is an etching method with high precision. Further, since the resin film substrate is moisture-permeable, a coating layer which is laminated with a conductive layer of Cu or Ag is required to have higher weather resistance when formed on a glass substrate.

본 발명자의 검토에 의하면, 특허문헌 1에 개시되는 Cu나 Ag으로 이루어지는 도전층과 Mo 합금으로 이루어지는 피복층을 적층한 적층 배선막에서는, 수지 필름 기판 상에서 부식되는 경우가 있는 것을 확인했다. 본 발명자는, 도전층의 Cu나 Ag의 전극 전위가 높으므로, 전극 전위가 낮은 Mo이나 상술한 Mo 합금과 적층하면, 투습성이 있는 수지 필름 기판에 있어서, 전지 반응에 의해, Mo이나 Mo 합금이 부식되기 쉬워져, 장기간에서의 신뢰성에 과제가 있는 것을 확인했다. According to the study by the present inventor, it was confirmed that the laminated wiring film obtained by laminating the conductive layer made of Cu or Ag and the covering layer made of Mo alloy disclosed in Patent Document 1 may be corroded on the resin film substrate. The inventors of the present invention have found that when Mo or a Mo alloy as described above is laminated with Mo having a low electrode potential, Mo or Mo alloy can be obtained by the battery reaction in a moisture permeable resin film substrate because the electrode potential of Cu or Ag of the conductive layer is high It is easy to corrode and it is confirmed that there is a problem in reliability in a long term.

또한, 본 발명자는, 피복층에, Mo보다 전극 전위가 Cu나 Ag에 가까운 Ni 합금을 사용한 적층 배선막을 웨트 에칭한 경우에는, 기판 면 내에서 피복층의 에칭이 균일하지 않게 되어, 불균일이 발생하기 쉽고, 배선 폭에 편차가 생기는 경우나, 사이드 에칭량이 커지는 경우가 있고, 이후 기대되는 좁은 폭의 배선막을 안정적으로 얻는 것이 어렵다고 하는 새로운 과제가 있는 것을 확인했다. Further, the inventors of the present invention found that when wet etching a laminated wiring film using a Ni alloy whose electrode potential is closer to Cu or Ag than that of Mo in the coating layer, etching of the coating layer in the substrate surface becomes uneven and unevenness easily occurs , It is confirmed that there is a new problem that it is difficult to stably obtain a wiring film with a narrow width which is expected in some cases when the wiring width varies or when the side etching amount becomes large.

본 발명의 목적은, 저저항의 Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층으로 하고, 밀착성, 내후성, 내산화성을 확보함과 함께, 안정적으로 고정밀도의 웨트 에칭을 행하는 것이 가능하게 되는 신규의 피복층을 갖는 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재를 제공하는 데 있다. It is an object of the present invention to provide a conductive layer made of Ag, an Ag alloy, Cu, and a Cu alloy of low resistance and having high adhesion, weather resistance and oxidation resistance, And a sputtering target material for forming a coating layer. The present invention also provides a sputtering target material for forming a coating layer.

본 발명자는, 상기 과제를 감안하여, 저저항의 Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층과 적층하는 피복층의 합금 조성에 관해서 예의 검토했다. 그 결과, Ni에 특정한 원소를 첨가하고, 그 첨가량을 최적화함으로써, 밀착성, 내후성, 내산화성을 확보함과 함께, 안정적으로 고정밀도의 웨트 에칭을 행하는 것이 가능하게 되는 신규의 피복층을 발견하고, 본 발명에 도달했다. In view of the above problems, the inventors of the present invention have extensively studied alloy compositions of a conductive layer made of Ag, an Ag alloy, a Cu and a Cu alloy, and a coating layer laminated thereon. As a result, it has been found that a novel coating layer capable of stably and highly precisely wet-etching can be obtained while securing adhesion, weather resistance and oxidation resistance by adding an element specific to Ni and optimizing the addition amount thereof, The invention has arrived.

즉, 본 발명은, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층과 당해 도전층 중 적어도 한쪽의 면을 덮는 피복층으로 이루어지고, 상기 피복층은 Mo을 5 내지 50 원자％, 당해 Mo과 Cu를 합계로 60 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 전자 부품용 적층 배선막이다. That is, the present invention comprises a conductive layer composed of one kind selected from Ag, an Ag alloy, Cu and a Cu alloy, and a coating layer covering at least one surface of the conductive layer, wherein the coating layer contains 5 to 50 atom% , A total of 60 atom% or less of Mo and Cu in total, and the balance of Ni and inevitable impurities.

또한, 상기 피복층은, 상기 Cu를 5 내지 25 원자％ 함유하고, 상기 Mo과 상기 Cu를 합계로 36 원자％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that the coating layer contains 5 to 25 atomic% of Cu, and contains Mo and the Cu in total of at least 36 atomic%.

또한, 상기 피복층은, 상기 Mo을 26 내지 40 원자％ 함유하는 것이 바람직하다. Further, it is preferable that the coating layer contains 26 to 40 atom% of Mo.

또한, 본 발명은, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층을 덮는 피복층을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃재이며, Mo을 5 내지 50 원자％, 당해 Mo과 Cu를 합계로 60 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 큐리점이 상온 이하인 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재의 발명이다. Further, the present invention is a sputtering target material for forming a coating layer that covers a conductive layer made of one kind of material selected from Ag, Ag alloy, Cu and Cu alloy, and contains 5 to 50 atomic% of Mo, And the balance of Ni and inevitable impurities, and having a Curie point of not more than room temperature.

또한, 상기 스퍼터링 타깃재는, 상기 Cu를 5 내지 25 원자％ 함유하고, 상기 Mo과 상기 Cu를 합계로 36 원자％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that the sputtering target material contains 5 to 25 atomic% of Cu, and the total of Mo and Cu is at least 36 atomic%.

또한, 상기 스퍼터링 타깃재는, 상기 Mo을 26 내지 40 원자％ 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that the sputtering target material contains 26 to 40 atom% of Mo.

본 발명은, 저저항의 Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층과, 밀착성, 내후성을 확보함과 함께, 내산화성이 높고, 안정적으로 고정밀도의 웨트 에칭을 행하는 것이 가능한 피복층을 적층한 신규의 전자 부품용 적층 배선막 및 그 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재를 제공할 수 있다. 이에 의해, 다양한 전자 부품, 예를 들어, 수지 필름 기판 상에 형성하는 터치 패널이나 플렉시블한 FPD에 대해 매우 유용한 기술이 되어, 전자 부품의 안정 제조나 신뢰성 향상에 크게 공헌할 수 있다. The present invention relates to a conductive layer made of Ag, an Ag alloy, Cu, and a Cu alloy having low resistance, and a conductive layer made of at least one selected from Cu and Cu alloys, And a sputtering target material for forming the coating layer can be provided. Thus, it becomes a very useful technique for a touch panel or a flexible FPD formed on various electronic parts, for example, a resin film substrate, and contributes greatly to stable manufacturing and reliability improvement of electronic parts.

도 1은 본 발명의 전자 부품용 적층 배선막의 단면 모식도의 일례. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is an example of a cross-sectional view of a multilayer wiring film for electronic parts of the present invention. Fig.

본 발명의 전자 부품용 적층 배선막의 단면 모식도의 일례를 도 1에 도시한다. 본 발명의 전자 부품용 적층 배선막은, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층(3)과, 이 도전층(3) 중 적어도 한쪽의 면을 덮는 피복층(2, 4)으로 이루어지고, 예를 들어, 기판(1) 상에 형성된다. 도 1에서는 도전층(3)의 양면에 피복층(2, 4)을 형성하고 있는 결과, 피복층(2, 4)을 기초층 또는 캡층으로서, 도전층(3) 중 어느 한쪽의 면만으로 형성해도 되고, 적절히 선택할 수 있다. Fig. 1 shows an example of a cross-sectional view of a laminated wiring film for electronic parts of the present invention. The laminated wiring film for electronic parts of the present invention is a laminated wiring film for electronic parts comprising a conductive layer 3 made of Ag, an Ag alloy, a Cu and a Cu alloy and a coating layer 2, 4), and is formed on the substrate 1, for example. 1, the coating layers 2 and 4 are formed on both surfaces of the conductive layer 3 so that the coating layers 2 and 4 may be formed as either a base layer or a cap layer and only one of the conductive layers 3 , And can be appropriately selected.

또한, 도전층의 한쪽의 면만을 본 발명의 피복층으로 덮는 경우에는, 도전층의 다른 쪽의 면에는 전자 부품의 용도에 따라서, 본 발명과는 다른 조성의 피복층으로 덮을 수도 있다. When only one surface of the conductive layer is covered with the coating layer of the present invention, the other surface of the conductive layer may be covered with a coating layer having a composition different from that of the present invention, depending on the use of the electronic component.

본 발명의 중요한 특징은, 도 1에 도시하는 전자 부품용 적층 배선막의 피복층에 있어서, Ni, Mo, Cu를 특정량 첨가함으로써, 밀착성, 내후성, 내산화성을 확보함과 함께, 웨트 에칭 시에 변형이 발생하기 어려운 피복층으로 하는 것을 발견한 점에 있다. 이하, 본 발명의 전자 부품용 배선막에 대해 상세하게 설명한다. An important feature of the present invention is that by adding a specific amount of Ni, Mo, and Cu in the coating layer of the multilayer wiring film for electronic parts shown in Fig. 1, adhesion, weather resistance and oxidation resistance are ensured, Which is difficult to occur. Hereinafter, the wiring film for electronic parts of the present invention will be described in detail.

또한, 이하의 설명에 있어서 「밀착성」은 피복층과 유리 기판, 수지 필름 기판과의 박리되기 어려움, 혹은 도전층과 피복층과의 박리되기 어려움을 말하고, 점착 테이프에서의 박리에 의해 평가할 수 있다. 「내후성」이란, 고온 고습 환경 하에 있어서의 표면 변질에 의한 전기적 콘택트성의 열화되기 어려움을 말하고, 배선막의 변색에 의해 확인할 수 있어, 예를 들어, 반사율에 의해 정량적으로 평가할 수 있다. 또한, 「내산화성」이란, 산소를 함유하는 분위기에서 가열했을 때의 표면 산화에 수반하는 전기적 콘택트성의 열화되기 어려움을 말하고, 배선막의 변색에 의해 확인할 수 있어, 예를 들어, 반사율에 의해 정량적으로 평가할 수 있다. In the following description, " adhesion property " means that the coating layer is difficult to peel off from the glass substrate or the resin film substrate, or peeling off from the conductive layer and the coating layer, and can be evaluated by peeling from the adhesive tape. The term " weatherability " refers to the difficulty of deterioration of electrical contactability due to surface alteration under a high temperature and high humidity environment, and can be confirmed by discoloration of the wiring film and can be quantitatively evaluated by, for example, reflectance. The "oxidation resistance" refers to the difficulty in deteriorating the electrical contact property accompanying surface oxidation when heated in an atmosphere containing oxygen, and can be confirmed by discoloration of the wiring film. For example, it is possible to quantitatively Can be evaluated.

본 발명은, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층과, 이 도전층 중 적어도 한쪽의 면을 덮는 피복층에 있어서, Mo을 5 내지 50 원자％, 또한, Cu를 함유하고, 이 합계가 60 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것에 특징이 있다. The present invention relates to a conductive layer comprising at least one selected from the group consisting of Ag, Ag alloy, Cu and Cu alloy, and a coating layer covering at least one surface of the conductive layer, wherein the coating layer contains Mo in an amount of 5 to 50 atomic% , The total amount is 60 atomic% or less, and the balance is Ni and inevitable impurities.

주 원소의 하나가 되는 Ni은, Cu나 Ag에 비교하여, 유리 기판이나 투명 도전막인 ITO, 절연 보호막인 산화물 등과의 밀착성이 높고, 또한, 내후성, 내산화성에도 우수한 원소이며, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층을 피복함으로써, 밀착성이나 내후성, 내산화성의 개선 효과를 얻는 것이 가능하게 되는 원소이다. 그 반면, Ni은 Cu나 Ag에 사용하는 에천트에서는 에칭할 수 없으므로, 에칭성의 개선이 필요하다. Ni, which is one of the main elements, has a high adhesion with a glass substrate, ITO as a transparent conductive film, an oxide as an insulating protective film, and the like, and is superior in weather resistance and oxidation resistance as compared with Cu or Ag. , Cu, and Cu alloys, it is possible to obtain an effect of improving adhesion, weather resistance, and oxidation resistance. On the other hand, since Ni can not be etched in an etchant used for Cu or Ag, it is necessary to improve the etching property.

본 발명에서 피복층에 포함되는 Ni 이외의 원소인 Mo, Cu는, Cu나 Ag에 사용하는 에천트에 대한 에칭 속도를 개선하는 효과를 갖는다. 이 개선 효과는 함유량을 증가시키면 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 함유량의 합계가 60 원자％를 초과하면, Ni이 원래 갖는 내습성이 크게 저하된다. 이로 인해, Mo과 Cu의 합계는 60 원자％ 이하로 한다. In the present invention, Mo and Cu, which are elements other than Ni contained in the coating layer, have the effect of improving the etching rate for an etchant used for Cu or Ag. This improvement effect can be further improved by increasing the content. When the total content exceeds 60 atomic%, moisture resistance inherently possessed by Ni is greatly reduced. Therefore, the total of Mo and Cu is 60 atom% or less.

Mo은, Ni에 대해 고온 영역에서 고용 영역을 갖고, 용이하게 Ni과 합금으로 하는 것이 가능한 원소이다. 피복층에 Mo을 함유하면 밀착성의 개선과 에칭 속도를 높이는 효과와 함께, 그 균일성의 개선에도 크게 기여한다. 또한, Mo은, 내산화성도 개선하는 효과를 갖는 원소이며, 본 발명에 결여될 수 없는 원소이다. 그 개선 효과는 5 원자％ 이상의 함유로 나타나고, 15 원자％ 이상으로 보다 명확하게 된다. 한편, 50 원자％를 초과해서 Mo을 함유하면 내후성의 하나인 내습성은 크게 저하된다. 이로 인해, 본 발명에서는, 피복층에 Mo을 5 내지 50 원자％의 범위에서 함유한다. Mo is an element which has a solid solution region in a high temperature region with respect to Ni and can be easily alloyed with Ni. When Mo is contained in the coating layer, the adhesion improves and the etching rate is increased, and the uniformity is greatly improved. In addition, Mo is an element having an effect of improving oxidation resistance and is an element that can not be missed by the present invention. The improvement effect appears as a content of 5 atomic% or more, and becomes more clear as 15 atomic% or more. On the other hand, when Mo is contained in an amount exceeding 50 atomic%, the moisture resistance, which is one of the weather resistance, is greatly deteriorated. Therefore, in the present invention, Mo is contained in the coating layer in the range of 5 to 50 atomic%.

또한, 에칭의 균일성의 개선 효과는, Mo의 함유량이 15 원자％ 이상으로 현저하게 되는 결과, 도전층이 되는 Cu 및 Ag의 양쪽의 에천트에 대해, 에칭 불균일을 개선하기 위해서는, Mo의 함유량을 26 원자％ 이상으로 하는 것이 더 바람직하다. 한편, Mo을, 40 원자％를 초과해서 함유하면, 에천트의 종류에 따라서는, 에칭 시에 잔사가 생기기 쉬워지는 경우가 있다. 이로 인해, 피복층에 함유하는 Mo은, 26 내지 40 원자％가 더 바람직하다. Further, the improvement effect of the uniformity of the etching is such that the content of Mo is remarkably increased to 15 atomic% or more. As a result, in order to improve etching unevenness for both etchants of Cu and Ag to be a conductive layer, More preferably 26 atomic% or more. On the other hand, when Mo is contained in an amount exceeding 40 atomic%, residues tend to be formed at the time of etching depending on the type of etchant. For this reason, Mo contained in the coating layer is more preferably 26 to 40 atomic%.

본 발명의 전자 부품용 적층 배선막의 피복층에 Cu를 첨가하면, 에칭 속도의 개선 효과가 얻어진다. 그 개선 효과는, Cu의 함유량이 5 원자％로부터 명확하게 되는 결과, 25 원자％를 초과해서 함유하면 밀착성이 저하되는 것에 추가하여, 내산화성도 저하됨과 함께, 에천트에 대해 습윤되기 쉬워지므로, 사이드 에칭량이 증가하고, 에칭 정밀도가 저하되는 경우가 있다.When Cu is added to the coating layer of the multilayer wiring film for electronic parts of the present invention, the effect of improving the etching rate can be obtained. The improvement effect is that the content of Cu becomes clear from 5 atomic%. As a result, when the content exceeds 25 atomic%, the adhesion is lowered, and oxidation resistance is lowered and wettability with the etchant becomes easy. The side etching amount is increased and the etching accuracy is sometimes lowered.

또한, 피복층에 Cu를, 25 원자％를 초과해서 함유하면, 특히, Ag의 에천트에 있어서, 오히려 에칭 속도가 저하되는 경우가 있다. 이로 인해, 본 발명에서는, 피복층에 함유하는 Cu를 5 내지 25 원자％의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 및 Ag의 양쪽의 에천트에 대해, 적층하는 도전층이 되는 Ag 또는 Cu와의 에칭 속도차를 억제하고, 정밀도가 높은 에칭을 행하기 위해서는 Mo과 Cu의 합계를, 36 원자％ 이상으로 하는 것이 더 바람직하다. If the coating layer contains Cu in an amount exceeding 25 at%, the etching rate of Ag etchant may be lowered. For this reason, in the present invention, it is preferable that the content of Cu contained in the coating layer is in the range of 5 to 25 atomic%. In order to suppress the etching rate difference between Ag and Cu, which are stacked conductive layers, with respect to the etchant of both Cu and Ag, and to perform etching with high precision, the total amount of Mo and Cu is preferably at least 36 atomic% .

또한, Cu의 함유량이 Mo의 함유량보다 많아지면, Mo을 갖는 내산화성, 밀착성, 에칭 시의 균일성의 개선 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 이로 인해, Cu의 함유량은 Mo의 함유량보다도 적게 하는 것이 좋고, Mo의 함유량의 0.7배 이하인 것이 더 바람직하다. Further, if the content of Cu exceeds the content of Mo, the effect of improving Mo's oxidation resistance, adhesion, and uniformity during etching may not be sufficiently obtained. Therefore, the content of Cu is preferably lower than that of Mo, more preferably 0.7 times or less of the Mo content.

또한, 본 발명의 전자 부품용 적층 배선막의 피복층은 Ni, Mo 및 Cu의 일부를, Ti, V, Nb, Ta, Cr, W으로부터 선택되는 1종 이상의 원소로 치환해도 된다. 이들 원소는, 내후성의 개선 효과가 높은 원소인 한편, 지나치게 첨가하면 에칭 속도를 저하시키는 경우가 있다. 이로 인해, 이들 원소의 치환량은, 합계로 1 내지 5 원자％의 범위로 하는 것이 바람직하다. In the coating layer of the laminated wiring film for electronic parts of the present invention, a part of Ni, Mo and Cu may be substituted with at least one element selected from Ti, V, Nb, Ta, Cr and W. These elements are elements having a high effect of improving the weatherability, while excessive addition thereof may lower the etching rate. Therefore, the substitution amount of these elements is preferably in the range of 1 to 5 atomic% in total.

본 발명의 전자 부품용 적층 배선막은, 저저항과 내후성이나 내산화성을 안정적으로 얻기 위해, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층의 막 두께를 100 내지 1000㎚로 하는 것이 바람직하다. 도전층의 막 두께가 100㎚보다 얇아지면, 박막 특유의 전자의 산란 영향으로 전기 저항값이 증가하기 쉬워진다. 한편, 도전층의 막 두께가 1000㎚보다 두꺼워지면, 막을 형성하기 위해 시간이 걸리거나, 막 응력에 의해 기판에 휨이 발생하기 쉬워지거나 한다. 도전층의 막 두께는, 200 내지 500㎚의 범위로 하는 것이 더 바람직하다. In order to stably obtain low resistance, weather resistance and oxidation resistance, the laminated wiring film for electronic parts of the present invention preferably has a thickness of 100 to 1000 nm of a conductive layer composed of one kind of material selected from Ag, Ag alloy, Cu and Cu alloy . If the thickness of the conductive layer is smaller than 100 nm, the electric resistance value tends to increase due to the scattering of electrons peculiar to the thin film. On the other hand, if the thickness of the conductive layer is thicker than 1000 nm, it takes time to form a film, or warpage tends to occur in the substrate due to film stress. It is more preferable that the film thickness of the conductive layer is in the range of 200 to 500 nm.

본 발명의 도전층에는, 낮은 전기 저항값을 얻을 수 있는 순Ag이나 순Cu가 적합한 결과, 상술한 내후성이나 내산화성에 추가하고, 또한, 내열성이나 내식성 등의 신뢰성을 고려하여, Ag이나 Cu에 전이 금속이나 반금속 등을 첨가한 Ag 합금이나 Cu 합금을 사용해도 된다. 이때, 가능한 한 저저항이 얻어지도록, 합계로 5 원자％ 이하의 범위로 첨가하는 것이 바람직하다. The conductive layer of the present invention is suitable for pure Ag or pure Cu capable of obtaining a low electric resistance value and is excellent in weather resistance and oxidation resistance and is also excellent in resistance to heat and corrosion, An Ag alloy or a Cu alloy to which a transition metal or a semi-metal is added may be used. At this time, it is preferable to add in the range of 5 atomic% or less in total so as to obtain a low resistance as much as possible.

본 발명의 전자 부품용 적층 배선막은, 저저항과 내후성이나 내산화성을 안정적으로 얻기 위해, 피복층의 막 두께를 10 내지 100㎚로 하는 것이 바람직하다. 피복층을 기초층으로서 적용하는 경우에는, 막 두께를 10㎚ 이상으로 함으로써, 기판과의 밀착성을 개선할 수 있다. 또한, 피복층을 캡층으로서 적용하는 경우는, 막 두께를 20㎚ 이상으로 함으로써, 피복층의 결함 등의 소실이 충분히 이루어져, 내후성이나 내산화성을 향상시킬 수 있다. The laminated wiring film for electronic parts of the present invention preferably has a coating thickness of 10 to 100 nm in order to stably obtain low resistance, weather resistance and oxidation resistance. When the coating layer is used as the base layer, the adhesion to the substrate can be improved by setting the film thickness to 10 nm or more. When the coating layer is applied as a cap layer, the thickness of the coating layer is 20 nm or more, whereby defects such as defects in the coating layer are sufficiently eliminated, and the weather resistance and oxidation resistance can be improved.

한편, 피복층의 막 두께가 100㎚를 초과하면, 피복층의 전기 저항값이 높아져 버려, 도전층과 적층했을 때에, 전자 부품용 적층 배선막으로서 저저항을 얻기 어려워진다. 이로 인해, 피복층의 막 두께는 20 내지 100㎚로 하는 것이 더 바람직하다. On the other hand, if the thickness of the coating layer exceeds 100 nm, the electrical resistance value of the coating layer becomes high, and when the conductive layer is laminated, it becomes difficult to obtain a low resistance as a laminated wiring film for electronic parts. For this reason, it is more preferable that the thickness of the coating layer is 20 to 100 nm.

본 발명의 전자 부품용 적층 배선막의 각 층을 형성하기 위해서는, 스퍼터링 타깃을 사용한 스퍼터링법이 최적이다. 피복층을 형성할 때에는, 예를 들어, 피복층의 조성과 동일한 조성의 스퍼터링 타깃을 사용해서 성막하는 방법이나, 각각의 원소의 스퍼터링 타깃을 사용해서 코스퍼터링에 의해 성막하는 방법을 적용할 수 있다. 또한, Ni-Mo 합금이나 Ni-Cu 합금 등의 스퍼터링 타깃재를 사용해서 코스퍼터링에 의해 성막하는 방법도 적용할 수 있다. In order to form each layer of the multilayer wiring film for electronic parts of the present invention, a sputtering method using a sputtering target is optimum. When forming the coating layer, for example, a method of forming a film by using a sputtering target having the same composition as the composition of the coating layer, or a method of forming a film by co-sputtering using a sputtering target of each element can be applied. A method of co-sputtering using a sputtering target material such as Ni-Mo alloy or Ni-Cu alloy can also be applied.

스퍼터링의 조건 설정의 간이성이나, 원하는 조성의 피복층을 얻기 쉽다고 하는 점으로부터는, 피복층의 조성과 동일한 조성의 스퍼터링 타깃을 사용해서 스퍼터링 성막하는 것이 더 바람직하다. From the standpoint of easiness of setting the conditions of sputtering and easy to obtain a coating layer of a desired composition, it is more preferable to form the sputtering target by using a sputtering target having the same composition as that of the coating layer.

또한, 스퍼터링법에 있어서, 효율적으로 안정된 스퍼터링을 행하기 위해서는, 스퍼터링 타깃재를 사용하는 상온에 있어서, 비자성 즉 큐리점을 상온 이하로 할 필요가 있다. 또한, 「큐리점이 상온 이하」란, 스퍼터링 타깃재의 자기 특성을 상온(25℃)에서 측정했을 때에, 비자성인 것을 말한다. In addition, in order to efficiently and stably perform sputtering in the sputtering method, it is necessary to set the non-magnetic or Curie point at room temperature or lower at room temperature using a sputtering target material. The " Curie point at room temperature or below " means that the magnetic properties of the sputtering target material are non-magnetic when measured at room temperature (25 ° C).

본 발명의 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재의 1성분인 Ni은, 자성체이므로, 효율적으로 안정된 스퍼터링을 행하기 위해서는, 큐리점을 상온 이하가 되도록 첨가 원소의 종류와 첨가량을 조정할 필요가 있다. Since Ni, which is one component of the sputtering target material for forming a coating layer of the present invention, is a magnetic material, it is necessary to adjust the kinds and amounts of addition elements so that the Curie point is kept at room temperature or less in order to perform efficient stable sputtering.

본 발명의 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재에 있어서, 자성체인 Ni의 큐리점을 저하시키는 효과는, 비자성 원소인 Mo이 가장 높고, Ni에 단독으로 Mo을 8 원자％ 첨가하면, 큐리점은 상온 이하가 된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 피복층의 특성에 있어서, 밀착성, 에칭 특성이나 내산화성의 확보를 목적으로, Mo의 첨가량을 5 원자％로 한 경우는, 스퍼터링 타깃재의 큐리점을 상온 이하로 하기 위해, Cu의 함유량을 15 원자％ 이상으로 한다. In the sputtering target material for forming a coating layer of the present invention, the effect of lowering the Curie point of Ni, which is a magnetic substance, is highest for Mo as the nonmagnetic element, and when Curie point of Mo is added alone to Ni for 8% . However, as described above, in the case where the addition amount of Mo is 5 atomic% for the purpose of securing adhesion, etching property and oxidation resistance in the characteristics of the coating layer, in order to make the Curie point of the sputtering target material at room temperature or lower, The content of Cu is 15 atomic% or more.

또한, Ni은 고온 영역에서 Mo을 약 30 원자％ 고용하고, 저온 영역에서 고용량은 저하된다. 그리고, Mo의 첨가량이 30 원자％를 초과하면, 화합물상이 발현되고, Ni과 Mo의 합금상으로서 Mo의 첨가량이 약 50 원자％를 초과하면, 화합물상이 주체가 되어 연성이나 인성이 저하되고, 취약해져 안정된 기계 가공이 행하기 어려워지는 경우가 있다. Further, Ni has about 30 atom% of Mo solubilized in a high temperature region and a high capacity in a low temperature region. When the addition amount of Mo exceeds 30 atomic%, a compound phase is expressed. When the addition amount of Mo as an alloy phase of Ni and Mo exceeds about 50 atomic%, the compound phase becomes a main body and the ductility and toughness are lowered, So that it is difficult to perform stable machining in some cases.

또한, 상술한 피복층의 특성에 있어서도, Mo의 첨가량이 50 원자％를 초과하면, 내후성은 크게 저하되는 경우가 있다. 이로 인해, 본 발명에서는, Mo의 첨가량의 상한을 50 원자％로 한다. In addition, also in the above-mentioned characteristics of the coating layer, when the addition amount of Mo exceeds 50 at%, the weather resistance may be significantly lowered. For this reason, in the present invention, the upper limit of the addition amount of Mo is set to 50 atomic%.

또한, Cu는 Ni과 전체율 고용하는 원소이며, 큐리점을 저하시키는 효과가 Mo보다 낮고, Ni에 단독으로 약 30 원자％의 Cu를 첨가하면, 큐리점이 상온 이하가 된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 피복층의 특성에 있어서, 내산화성이나 밀착성을 확보하기 위해, Cu의 첨가량은 5 내지 25 원자％의 범위가 바람직하다. Further, Cu is an element which solidifies with Ni and has a lower effect of lowering the Curie point than Mo, and when Cu of about 30 at% by itself is added to Ni, the Curie point becomes below room temperature. However, as described above, in order to secure the oxidation resistance and adhesion in the characteristics of the coating layer, the addition amount of Cu is preferably in the range of 5 to 25 atomic%.

이상으로, 본 발명의 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재는, Mo을 5 내지 50 원자％, 이 Mo과 Cu를 합계로 60 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 큐리점을 상온 이하로 한다. 이에 의해, 본 발명의 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재는, 피복층을 안정적으로 스퍼터링할 수 있다. Thus, the sputtering target for forming a coating layer of the present invention contains 5 to 50 atomic% of Mo, 60 atomic% or less of the total of Mo and Cu, the balance of Ni and inevitable impurities, Or less. Thus, the sputtering target material for forming a coating layer of the present invention can stably sputter the coating layer.

또한, 첨가 원소의 종류와 첨가량이 많을수록, 스퍼터링 타깃재 중의 화합물상의 발현량이 증가하게 되어, FPD 용도로 요구되는 대형의 스퍼터링 타깃재를 제조할 때의 기계 가공이나 본딩에 의해 균열이 생기기 쉬워진다. 그리고, 본 발명에서 첨가하는 Mo과 Cu는 상분리되는 원소이며, Mo과 Cu의 양자의 함유량이 있는 일정량을 초과하면 상분리되기 쉬워져, 균일한 합금을 얻는 것이 어려워지는 동시에, 스퍼터링 타깃재가 균열되기 쉬워지는 경우가 있다. 이로 인해, 본 발명의 스퍼터링 타깃재의 Mo과 Cu의 함유량의 합계는 60 원자％ 이하로 한다. In addition, the more kinds and addition amounts of the added elements are, the more the amount of the compound phase in the sputtering target material is increased, and the cracks tend to occur by machining or bonding when manufacturing the large sputtering target material required for the FPD application. Mo and Cu to be added in the present invention are phase-separated elements, and when exceeding a certain amount of Mo and Cu, phase separation is likely to occur, making it difficult to obtain a uniform alloy, and the sputtering target material tends to crack . Therefore, the total content of Mo and Cu in the sputtering target material of the present invention is 60 atomic% or less.

본 발명의 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 소정의 조성에 조정한 원료를 용해해서 제작한 잉곳에 기계 가공을 실시하여 스퍼터링 타깃재를 제조하는 방법이나 분말 소결법도 적용 가능하다. 분말 소결법에서는, 예를 들어, 가스 아토마이즈법에 의해 합금 분말을 제조해서 원료 분말로 하는 것이나, 복수의 합금 분말이나 순금속 분말을 본 발명의 최종 조성이 되도록 혼합한 혼합 분말을 원료 분말로 하는 것이 가능하다. 원료 분말의 소결 방법으로서는, 열간 정수압 프레스, 핫 프레스, 방전 플라즈마 소결, 압출 프레스 소결 등의 가압 소결을 사용하는 것이 가능하다. 본 발명은, 상술한 바와 같이 Mo이나 Cu의 첨가량이 많고, 소성 가공성이 저하되기 때문에, FPD용의 대형 스퍼터링 타깃재를 안정적으로 제조하기 위해서는, 특정한 조성을 갖는 합금 분말을 가압 소결하는 제조 방법이 적합하다. As a method for producing the sputtering target material for forming a coating layer of the present invention, for example, a method of producing a sputtering target material by machining an ingot produced by dissolving a raw material adjusted to a predetermined composition, and a powder sintering method are also applicable . In the powder sintering method, for example, an alloy powder is prepared by the gas atomization method to obtain a raw material powder, or a mixed powder obtained by mixing a plurality of alloy powder or pure metal powder so as to have the final composition of the present invention is used as a raw material powder It is possible. As the sintering method of the raw material powder, it is possible to use pressure sintering such as hot isostatic pressing, hot press, discharge plasma sintering, extrusion press sintering and the like. In the present invention, as described above, the addition amount of Mo or Cu is large and the plastic workability is deteriorated. Thus, in order to stably produce a large sputtering target material for FPD, a manufacturing method of pressurizing and sintering an alloy powder having a specific composition is suitable Do.

또한, 자성체인 Ni을 함유하기 위해, 첨가하는 원소를 선정하고, 큐리점이 상온 이하가 되는 합금 분말을 가압 소결하는 것이 바람직하다. 큐리점이 상온 이하의 합금 분말은, 최종 조성에 조정한 Ni 합금을 사용한 아토마이즈법에 의해 용이하게 얻을 수 있다. 또한, 용해한 잉곳을 분쇄해서 합금 분말을 제작하는 것도 가능하다. 또한, 다양한 합금 분말을 제조하고, 최종 조성이 되도록 혼합하는 방법도 적용할 수 있다. In order to contain Ni as a magnetic material, it is preferable to select the element to be added and press-sinter the alloy powder having a Curie point of not more than room temperature. The alloy powder whose Curie point is not higher than room temperature can be easily obtained by an atomization method using a Ni alloy adjusted to a final composition. It is also possible to produce an alloy powder by pulverizing the molten ingot. Also, a method of preparing various alloy powders and mixing them so as to have a final composition can be applied.

또한, 합금 분말의 평균 입경이 5㎛ 미만이면, 얻어지는 스퍼터링 타깃재 중의 불순물이 증가하게 된다. 한편, 합금 분말의 평균 입경이 300㎛를 초과하면 고밀도의 소결체를 얻기 어려워진다. 따라서, 합금 분말의 평균 입경은, 5 내지 300㎛로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서 말하는 평균 입경은, JIS Z 8901로 규정되는, 레이저광을 사용한 광산란법에 의한 구상당 직경으로 나타낸다. If the average particle diameter of the alloy powder is less than 5 占 퐉, impurities in the resulting sputtering target material are increased. On the other hand, when the average particle diameter of the alloy powder exceeds 300 탆, it becomes difficult to obtain a high-density sintered body. Therefore, the average particle diameter of the alloy powder is preferably 5 to 300 mu m. The average particle diameter in the present invention is represented by a spherical equivalent diameter determined by a light scattering method using laser light, as defined by JIS Z 8901.

본 발명의 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재는, 주요 구성 원소의 Ni, Mo, Cu 이외의 불가피적 불순물의 함유량은 적은 것이 바람직하고, 본 발명의 작용을 손상시키지 않는 범위에서, 산소, 질소, 탄소, Fe, Al, Si 등의 불가피적 불순물을 포함해도 된다. 여기서, 각 주요 구성 원소는, 주요 구성 원소 전체에 대한 원자％, 주요 원소 이외의 불가피적 불순물은 타깃재 전체에 있어서의 질량 ppm으로 나타낸다. 예를 들어, 산소, 질소는 각각 1000 질량ppm 이하, 탄소는 200 질량ppm 이하, Al, Si는 100 질량ppm 이하 등이며, 가스 성분을 제외한 순도로서 99.9질량％ 이상인 것이 바람직하다. The sputtering target material for forming a coating layer of the present invention preferably has a small content of inevitable impurities other than Ni, Mo, and Cu in the main constituent elements and may contain oxygen, nitrogen, carbon, Fe , Al, Si, or the like. Here, in each main constituent element, atomic% with respect to the total of the main constituent elements and inevitable impurities other than the main constituent are expressed by mass ppm in the whole of the target material. For example, oxygen and nitrogen are each not more than 1000 mass ppm, carbon is not more than 200 mass ppm, Al and Si are not more than 100 mass ppm, and the purity excluding the gas component is preferably not less than 99.9 mass%.

[실시예 1][Example 1]

우선, 피복층을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃재를 제작했다. 표 1에 제작한 피복층의 조성을 나타낸다. 또한, No.4 내지 No.10의 스퍼터링 타깃재는, 전해 Ni과 괴상의 Mo 원료, 무산소동의 블록을 소정량으로 칭량한 후, 진공 용해로에서 용해 주조법에 의해 잉곳을 제작했다. 또한, 비교예가 되는 No.1 내지 No.3의 Ni-30 원자％ Cu, Ni-35 원자％ Cu-3 원자％ Ti, Ni-8 원자％ Mo도 마찬가지로 진공 용해법에 의해, 전해 Ni과 괴상의 Mo 원료, 무산소동의 블록을 소정량으로 칭량한 후, 진공 용해로에서 용해 주조법에 의해 잉곳을 제작했다. First, a sputtering target material for forming a coating layer was produced. The composition of the coating layer prepared in Table 1 is shown. The sputtering targets No. 4 to No. 10 were obtained by weighing electrolytic Ni, massive Mo raw material and oxygen-free copper blocks in a predetermined amount, and then ingots were produced by a molten casting method in a vacuum melting furnace. Ni-30 atomic% Cu, Ni-35 atomic% Cu-3 atomic% Ti, and Ni-8 atomic% Mo of No.1 to No.3 which are comparative examples are also obtained by vacuum melting method, Mo raw materials and oxygen-free copper blocks were weighed in a predetermined amount, and then ingots were produced by a molten casting method in a vacuum melting furnace.

얻어진 각 합금의 잉곳에 SmCo 자석을 근접한 바, 자석에는 부착되지 않는 것을 확인했다. 또한, 상기에서 얻은 잉곳의 일부를 자기 특성 측정용의 케이스에 넣어서, 리켄 덴시 가부시끼가이샤제의 진동 시료형 자력계(형식 번호:VSM-5)를 사용해서, 상온(25℃)에서 자기 특성을 측정한 결과, 비자성인 것을 확인했다. It was confirmed that the SmCo magnets were brought close to the ingots of the obtained alloys, and they were not attached to the magnets. A part of the ingot obtained as described above was placed in a case for measuring magnetic properties and the magnetic properties were measured at room temperature (25 ° C) using a vibration sample type magnetometer (Model No. VSM-5) manufactured by Riken Denshi Kabushiki Kaisha As a result of the measurement, it was confirmed that it is a visa adult.

또한, Mo-30 원자％ Ni의 스퍼터링 타깃재를, 분말 야금법에 의해 제작했다. 이것은, 평균 입경이 6㎛의 Mo 분말과 평균 입경이 100㎛의 Ni 분말을 혼합하고, 연강제의 캔에 충전한 후, 가열하면서 진공 배기해서 밀봉했다. 다음에, 밀봉한 캔을 열간 정수압 프레스 장치에 넣어서, 1100℃, 100㎫, 3시간의 조건에서 소결시켜 소결체를 제작했다. 또한, 마찬가지의 방법에 의해 순Mo의 소결체도 제작했다. A sputtering target material of Mo-30 atomic% Ni was produced by powder metallurgy. That is, an Mo powder having an average particle diameter of 6 占 퐉 and an Ni powder having an average particle diameter of 100 占 퐉 were mixed, filled in a can made of softened steel, and vacuum-exhausted while being heated and sealed. Next, the sealed can was placed in a hot isostatic pressing apparatus and sintered under the conditions of 1100 ° C, 100 MPa, and 3 hours to produce a sintered body. A sintered body of pure Mo was also produced by the same method.

상기에서 얻은 각 잉곳 및 각 소결체를 기계 가공에 의해, 직경 100㎜, 두께 5㎜의 스퍼터링 타깃재를 제작했다. 또한, 순Ag의 스퍼터링 타깃재는, 미쯔비시 매터리얼 가부시끼가이샤제의 순도가 4N인 것을 준비했다. 또한, 순Cu의 스퍼터링 타깃재는, 순도가 4N인 무산소동으로 이루어지는 판을 기계 가공하여 준비했다. Each of the ingots and sintered bodies obtained above was machined to produce a sputtering target material having a diameter of 100 mm and a thickness of 5 mm. As a sputtering target material of pure Ag, a purity of 4N made by Mitsubishi Materials Corporation was prepared. The pure Cu sputtering target material was prepared by machining a plate made of oxygen-free copper having a purity of 4N.

다음에, 상술한 각 스퍼터링 타깃재를 구리제의 백킹 플레이트에 납땜한 후, 알박 가부시끼가이샤제의 스퍼터 장치(형식 번호:CS-200)에 설치하고, Ar 분위기, 압력 0.5㎩, 전력 500W의 조건에서 스퍼터 테스트를 실시한 결과, 어느 쪽의 스퍼터링 타깃재도 스퍼터하는 것이 가능했다. Next, each of the above-mentioned respective sputtering target materials was soldered to a backing plate made of copper, and then mounted on a sputtering machine (model number: CS-200) made by ULVAC CO., LTD. As a result of the sputtering test under the condition, it was possible to sputter any sputtering target material.

코닝사제의 25㎜×50㎜의 유리 기판(제품 번호:EagleXG)을 상기 스퍼터 장치의 기판 홀더에 설치하여, 두께 100㎚의 피복층을 형성하고, 밀착성 및 에칭성을 평가했다. 또한, No.11 및 No.13은, Mo과 Ni-30 원자％ Cu의 스퍼터링 타깃재를 동시에 스퍼터하는 코스퍼터법에 의해 형성했다. No.12는 Mo-30 원자％ Ni과 Ni-30 원자％ Cu를 마찬가지로 코스퍼터하여 형성하고, 표 1에 나타내는 조성은, 이들 형성한 피복층을 가부시끼가이샤 시마즈 세이사꾸쇼제의 유도 결합 플라즈마 발광 분석 장치(ICP)(형식 번호:ICPV-1017)에서 분석한 값이다. A 25 mm x 50 mm glass substrate (product number: EagleXG) made by Corning Incorporated was provided on the substrate holder of the above sputtering apparatus to form a coating layer having a thickness of 100 nm, and the adhesion and the etching property were evaluated. Nos. 11 and 13 were formed by a co-putter method in which a sputtering target material of Mo and Ni-30 atomic% Cu was simultaneously sputtered. No. 12 was formed by similarly putting Mo-30 atomic% Ni and Ni-30 atomic% Cu in the same manner as described above, and the compositions shown in Table 1 were formed by inductively-bonding plasma light emission of the Shimazu Seisakusho Co., Ltd. Analyzer (ICP) (Model Number: ICPV-1017).

밀착성의 평가는, JIS K 5400으로 규정된 방법에 의해 행했다. 우선, 상기에서 형성한 피복층의 표면에, 스미또모 쓰리엠 가부시끼가이샤제의 투명 점착 테이프(제품명:투명 미색)를 붙이고, 2㎜×2㎜의 격자 무늬를 커터 나이프로 새겨, 투명 점착 테이프를 떼어내어, 피복층의 잔존 유무로 평가를 했다. 피복층이 1매스도 박리되지 않은 것을 ○, 1 내지 10매스 박리된 것을 △, 11매스 이상 박리된 것을 ×로 하여 평가했다. The adhesion was evaluated by a method defined in JIS K5400. First, a transparent adhesive tape (trade name: transparent off-white) made by Sumitomo 3M Ltd. was attached to the surface of the coating layer formed above, a 2 mm x 2 mm grid pattern was cut with a cutter knife, and a transparent adhesive tape was peeled off And evaluated as to whether or not the coating layer remained. The peeling of the coating layer was evaluated as & cir &, the peeling of 1 to 10 mils was evaluated as DELTA, and the peeling of 11 mils or more was evaluated as x.

에칭성의 평가는, Ag용의 에천트로서 질산, 인산, 아세트산과 물을 혼합해서 사용했다. Cu용의 에천트는 간또 가가꾸 고교제의 Cu02를 사용했다. 사이드 에칭이 적은 피복층으로 하기 위해서는, 에칭 시간의 변형을 억제하고, 오버 에칭 시간을 적게 함과 함께, 에천트에 대한 습윤성을 적절하게 억제하는 것이 필요하다. The evaluation of the etching property was carried out by mixing nitric acid, phosphoric acid, acetic acid and water as an etchant for Ag. As the etchant for Cu, CuO 2 of Kanto Kagaku Kogyo Co., Ltd. was used. It is necessary to suppress the deformation of the etching time, to reduce the overetching time, and to appropriately suppress the wettability to the etchant in order to form a coating layer with little side etching.

각 시료를 에천트액에 침지하여, 피복층 전체면이 완전히 투과될 때까지 걸리는 시간을 저스트 에칭 시간으로서 측정했다. 또한, 동시에 에칭 불균일은 눈으로 확인하면서, 더 명확한 차로 하기 위해, 막의 일부가 투과된 시간과 저스트 에칭 시간과의 시간차를 측정했다. 이것은, 시간차가 작을수록 에칭 불균일은 적은 것을 의미한다. 또한, 막 표면에 에천트를 20μl 적하하고, 2분 후의 확장 직경을 측정했다. 이것은, 확장 직경이 작을수록 사이드 에칭을 억제 가능하여, 정밀도가 높은 에칭을 행할 수 있는 것을 의미한다. Each sample was immersed in an etchant solution, and the time taken until the entire surface of the coating layer was completely permeated was measured as the just etch time. At the same time, the time difference between the time when a part of the film was permeated and the time of just etching was measured in order to make a clearer difference while confirming the etching irregularity with eyes. This means that the smaller the time difference is, the smaller the etching unevenness is. Further, 20 占 퐇 of an etchant was dripped onto the surface of the film, and the expanded diameter after 2 minutes was measured. This means that as the expanded diameter becomes smaller, the side etching can be suppressed, and etching with high precision can be performed.

Figure 112018014485959-pat00010
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표 1에 나타내는 바와 같이, 시료 No.1, No.2, No.4는, 밀착성이 낮았다. 또한, 시료 No.3은, Mo을 8 원자％ 함유함으로써 밀착성이 개선되어 있지만, 저스트 에칭 시간이 긴 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, Sample Nos. 1, 2 and 4 had poor adhesion. In Sample No. 3, the adhesion was improved by containing 8 atomic% of Mo, but it was found that the time for just etching was long.

이에 반해, 본 발명의 피복층은, Ni에 Mo과 Cu를 특정량 함유함으로써, 밀착성이 크게 개선되어 있는 것을 확인할 수 있었다. On the other hand, it was confirmed that the coating layer of the present invention contains a specific amount of Mo and Cu in Ni, whereby the adhesion is greatly improved.

또한, 에칭성에 대해서는, 시료 No.1, No.2의 피복층은, Cu의 에천트로 2분 이내에 에칭 가능하지만, Ag 에천트로는 18분 이상의 시간이 필요하여 적합하지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 에칭이 빠른 부분과 느린 부분이 있어 에칭 불균일이 발생하므로 시간차도 커서, 에천트가 확대되기 쉬운 것을 알 수 있다. 이로 인해, 균일한 에칭이 행하기 어려워, 정밀도가 높은 에칭에는 적합하지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 시료 No.13, No.14의 Mo 함유량이 50 원자％를 초과하는 조성에서는 에칭 후에 잔사의 발생이 확인되었다. Regarding the etching property, the coating layers of Sample Nos. 1 and 2 can be etched with Cu etchant within 2 minutes, but Ag etchant requires 18 minutes or more, which is not suitable. In addition, since there is a portion with a high etching speed and a portion with a slow etching, unevenness of etching occurs, so that a time difference is large, and the etchant tends to expand easily. As a result, it is difficult to perform uniform etching, and it is not suitable for etching with high accuracy. In addition, in the compositions of samples No. 13 and No. 14 having a Mo content exceeding 50 atomic%, occurrence of residue was confirmed after etching.

이에 반해, 본 발명이 되는 시료 No.5 내지 No.12(No.5 내지 No.7은 참조예임)의 피복층은, Cu 및 Ag의 양쪽의 에천트에 있어서도, 90초 이하로 에칭하는 것이 가능한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 시료 No.8 내지 No.12의 피복층은, Mo의 첨가량을 증가시키고, Mo과 Cu의 합계량을 36 원자％ 이상으로 함으로써, 저스트 에칭 시간은 짧아지고, 그 시간차와 확장 직경도 작아지고, 에칭 불균일과 사이드 에칭이 적어, 이로 인해 정밀도가 높은 에칭을 행하는 것이 가능한 것을 확인할 수 있었다. On the contrary, the coating layers of samples No. 5 to No. 12 (reference examples No. 5 to No. 7) of the present invention can etch both Cu and Ag etchants in 90 seconds or less . Further, in the coating layers of Sample Nos. 8 to 12, the addition amount of Mo is increased and the total amount of Mo and Cu is 36 atomic% or more, the shortest etching time is shortened, the time difference and the expansion diameter are reduced, It was confirmed that etching unevenness and side etching were few, and it was possible to perform etching with high precision.

[실시예 2][Example 2]

내산화성의 평가를 행했다. 각 시료를 대기 분위기에 있어서, 150℃, 250℃, 300℃, 350℃에서 30분간의 가열 처리를 행하고, 반사율과 전기 저항값을 측정했다. 반사율은 코니카 미놀타 가부시끼가이샤제의 분광 측색계(형식 번호:CM2500d)를, 전기 저항값은 다이아 인스트루먼트제 4단자의 박막 저항률계(형식 번호:MCP-T400)를 사용해서 측정했다. And the oxidation resistance was evaluated. Each sample was subjected to heat treatment at 150 ° C, 250 ° C, 300 ° C, and 350 ° C for 30 minutes in an atmospheric environment, and the reflectance and electrical resistance were measured. The reflectance was measured using a spectroscopic colorimeter (model number: CM2500d) of Konica Minolta Co., Ltd., and the electrical resistance value was measured using a thin film resistivity meter (model number: MCP-T400) of the fourth terminal of the DIJN instrument.

실시예 1에서 준비한 각 스퍼터링 타깃재를 사용해서, 유리 기판 상에, 표 2에 나타내는 구성으로, 막 두께 30㎚의 기초층, 막 두께 300㎚의 Cu 도전층, 막 두께 50㎚의 캡층을 순서대로 성막한 적층 배선막의 시료를 제작했다. 또한, 상기의 기초층과 캡층은, 표 2의 피복층 재질 조성의 것이다. Using the respective sputtering target materials prepared in Example 1, a base layer with a thickness of 30 nm, a Cu conductive layer with a thickness of 300 nm, and a cap layer with a thickness of 50 nm were formed on a glass substrate in the order shown in Table 2 A sample of the laminated wiring film formed by the above method was produced. Further, the base layer and the cap layer described above are those of the coating layer material composition shown in Table 2.

Figure 112018014485959-pat00011
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표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 피복층을 사용함으로써, 내산화성을 대폭으로 개선할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. As shown in Table 2, by using the coating layer of the present invention, it was confirmed that the oxidation resistance can be remarkably improved.

필름 기판 상에서는, 필름의 내열 온도로부터 250℃까지의 내산화성이 필요하다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 시료 No.4에서는 250℃ 이상으로 반사율이 저하되기 시작하지만, 본 발명의 전자 부품용 적층 배선막은, 250℃의 대기 가열을 거쳐도, 50％ 이상의 높은 반사율을 유지하고, 높은 내산화성을 갖고 있는 것을 알 수 있다. 특히, Mo의 첨가량이 증가시키면, 그 효과가 큰 것을 확인할 수 있었다. On the film substrate, oxidation resistance from the heat-resistant temperature of the film to 250 DEG C is required. As shown in Table 2, in the sample No. 4, the reflectance began to decrease at 250 ° C. or higher. However, the laminated wiring film for electronic parts of the present invention maintained a high reflectance of 50% or more even after being subjected to atmospheric heating at 250 ° C. , And it has a high oxidation resistance. Particularly, it was confirmed that the effect is increased when the addition amount of Mo is increased.

또한, 본 발명의 전자 부품용 적층 배선막은, 250℃, 300℃, 350℃의 대기 가열을 거쳐도, 전기 저항값의 상승이 억제되어 있어, 내산화성을 개선할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. Further, it was confirmed that the laminated wiring film for electronic parts of the present invention was able to improve the oxidation resistance because the rise of the electric resistance value was suppressed even after the atmospheric heating at 250 캜, 300 캜 and 350 캜.

[실시예 3][Example 3]

다음에, 실시예 2의 각 전자 부품용 적층 배선막을 사용해서, 내후성의 평가를 행했다. 내후성의 평가는, 각 전자 부품용 적층 배선막을 온도 85℃, 상대 습도 85％의 분위기에 100시간, 200시간, 300시간 방치한 후에, 실시예 2와 마찬가지로 반사율을 측정했다. 또한, 표 3에 나타내는 기초층과 캡층은, 표 3의 피복층 재질 조성의 것이다. Next, evaluation of weather resistance was carried out by using the laminated wiring films for electronic parts of Example 2. In the evaluation of the weather resistance, the laminated wiring films for respective electronic parts were left for 100 hours, 200 hours, and 300 hours in an atmosphere having a temperature of 85 캜 and a relative humidity of 85%, and then the reflectance was measured in the same manner as in Example 2. The base layer and the cap layer shown in Table 3 are the composition of the coating layer material shown in Table 3.

Figure 112018014485959-pat00012
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표 3에 나타내는 바와 같이, 비교예가 되는 시료 No.13, No.14는, Mo의 함유량이 50 원자％를 초과하고 있으므로, 시간 경과에 수반하여, 반사율은 저하되었다. As shown in Table 3, in Sample Nos. 13 and 14 which are comparative examples, the Mo content exceeded 50 atomic%, and the reflectance decreased with time.

한편, 본 발명예가 되는 시료 No.5 내지 No.12(No.5 내지 No.7은 참조예임)의 전자 부품용 적층 배선막은, 고온 고습 분위기에 노출시켜도 변색되지 않고, 300시간 경과 후도 높은 반사율을 유지하고 있어, 높은 내습성을 갖고 있는 것을 확인할 수 있었다. On the other hand, the electronic component laminated wiring films of Sample Nos. 5 to 12 (reference examples Nos. 5 to 7) which are examples of the present invention do not discolor even when exposed to a high temperature and high humidity atmosphere, The reflectance was maintained, and it was confirmed that the film had a high moisture resistance.

이상으로, 본 발명의 전자 부품용 적층 배선막을 사용함으로써, 도전층과의 밀착성, 내산화성, 내후성을 확보함과 함께, 안정된 웨트 에칭을 할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. As described above, it was confirmed that by using the laminated wiring film for electronic parts of the present invention, adhesion with the conductive layer, oxidation resistance, weather resistance, and stable wet etching can be achieved.

[실시예 4][Example 4]

다음에, 실시예 1에서 준비한 각 스퍼터링 타깃재를 사용해서, ITO막을 구비한 필름 기판 또는 유리 기판 상에, 표 4에 나타내는 구성으로, 막 두께 30㎚의 기초층, 막 두께 200㎚의 Ag 도전층, 막 두께 30㎚의 캡층을 순서대로 성막한 적층 배선막의 시료를 제작했다. 또한, 상기의 기초층과 캡층은, 표 4의 피복층 재질 조성의 것이다. Next, on each of the sputtering target materials prepared in Example 1, a base layer having a film thickness of 30 nm, a Ag layer having a thickness of 200 nm Layer and a cap layer having a film thickness of 30 nm were formed in this order. In addition, the base layer and the cap layer are those of the coating layer material composition shown in Table 4.

밀착성의 평가는, 스미또모 쓰리엠 가부시끼가이샤제의 투명 점착 테이프(제품명:투명 미색)를 적층 배선막 상에 붙이고, 표면을 지우개로 문질러, 투명 점착 테이프를 떼어내고, 피복층의 잔존 유무로 평가를 했다. 피복층이 박리되지 않은 것을 ○, 약 10％ 정도 박리된 것을 △, 20％ 이상 박리된 것을 ×로 하여 평가했다. In the evaluation of the adhesion, a transparent adhesive tape (trade name: transparent off-white) made by Sumitomo 3M Ltd. was attached on the laminated wiring film, the surface was rubbed with an eraser, the transparent adhesive tape was peeled off, did. The peeling of the coating layer was evaluated as & cir &, the peeling of about 10% was evaluated as DELTA, and the peeling of 20% or more was evaluated as x.

Ag은 Cu와 달리, 대기 중에서 350℃의 가열을 행해도, 전기 저항값은 크게 증가하지 않으므로, 내산화성의 평가는 실시예 2와 마찬가지로, 각 시료를 대기 분위기에 있어서 150℃, 250℃, 350℃에서 30분간의 가열 처리를 행하여, 반사율을 측정했다. Unlike Cu, Ag does not greatly increase in electric resistance even when it is heated in air at 350 캜. Therefore, in the evaluation of oxidation resistance, each sample is heated at 150 캜, 250 캜, 350 Lt; 0 > C for 30 minutes to measure the reflectance.

또한, 내후성의 평가는, 실시예 3과 마찬가지로, 각 시료를 온도 85℃, 상대 습도 85％의 분위기에 100시간, 200시간, 300시간 방치한 후에 반사율을 측정했다. The evaluation of the weather resistance was carried out in the same manner as in Example 3 except that each sample was allowed to stand for 100 hours, 200 hours, and 300 hours in an atmosphere having a temperature of 85 DEG C and a relative humidity of 85%, and then the reflectance was measured.

Figure 112018014485959-pat00013
Figure 112018014485959-pat00013

표 4에 나타내는 바와 같이, 시료 No.4는 밀착성이 낮았다. As shown in Table 4, Sample No. 4 had low adhesion.

한편, 본 발명예가 되는 시료 No.5 내지 No.12(No.5 내지 No.7은 참조예임)는, Mo의 함유량이 증가함으로써 밀착성이 개선되고, 특히 Mo 함유량이 22 원자％ 이상이 되는 시료 No.8 내지 No.12에서 높은 밀착성이 얻어지는 것을 알 수 있다. On the other hand, samples No. 5 to No. 12 (reference examples No. 5 to No. 7), which are examples of the present invention, show improved adhesion due to an increase in Mo content, and in particular, samples having Mo content of 22 atomic% It can be seen that high adhesiveness is obtained in Nos. 8 to 12.

또한, 내열성은 350℃의 가열을 행하면, 필름 기판으로 주름이 발생했다. 또한, 도전층으로서 Ag을 사용한 경우에서도, 본 발명예가 되는 시료는 250℃까지의 가열로는, 높은 내산화성에 의해, Ag 도전층의 변색을 억제하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 내후성에 대해서도, 본 발명예가 되는 시료는 높은 내후성에 의해, Ag 도전층의 변색을 억제하고 있는 것을 확인할 수 있었다.When heat of 350 ° C was applied to the heat resistance, wrinkles occurred in the film substrate. Even when Ag was used as the conductive layer, it was confirmed that the sample of the present invention suppressed discoloration of the Ag conductive layer due to high oxidation resistance by heating up to 250 ° C. Also, with respect to the weather resistance, it was confirmed that the sample as an example of the present invention suppressed discoloration of the Ag conductive layer due to high weather resistance.

1 : 기판
2 : 피복층(기초층)
3 : 도전층
4 : 피복층(캡층) 1: substrate
2: Coating layer (base layer)
3: conductive layer
4: Coating layer (cap layer)

Claims (6)

Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층과 당해 도전층 중 적어도 한쪽의 면을 덮는 피복층으로 이루어지고, 상기 피복층은 Mo을 22 내지 35 원자％, 상기 Cu를 13 내지 20 원자％ 함유하고, 상기 Mo과 상기 Cu를 합계로 37 원자％ 이상 55 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지며, 상기 Cu의 함유량은 상기 Mo의 함유량보다 적은 것을 특징으로 하는 전자 부품용 적층 배선막. Ag, an Ag alloy, Cu, and a Cu alloy, and a coating layer covering at least one of the conductive layers, wherein the coating layer contains Mo in an amount of 22 to 35 atomic%, Cu in an amount of 13 to 20 atomic% 20 atomic%, the total of Mo and the Cu in a total of not less than 37 atomic% and not more than 55 atomic%, the balance of Ni and inevitable impurities, and the Cu content is less than the Mo content And the second wiring layer. 제1항에 있어서,
상기 피복층은, 상기 Mo을 26 내지 35 원자％ 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 적층 배선막. The method according to claim 1,
Wherein the coating layer contains 26 to 35 atomic percent of Mo. The multilayer wiring film for electronic parts according to claim 1, Ag, Ag 합금, Cu 및 Cu 합금으로부터 선택되는 1종으로 이루어지는 도전층을 덮는 피복층을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃재이며, Mo을 22 내지 28 원자％, 상기 Cu를 13 내지 20 원자％ 함유하고, 상기 Mo과 상기 Cu를 합계로 37 원자% 이상 41 원자％ 이하 함유하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지며, 상기 Cu의 함유량은 상기 Mo의 함유량보다 적고, 큐리점이 상온 이하인 것을 특징으로 하는 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재. A sputtering target material for forming a coating layer that covers a conductive layer made of one kind of material selected from the group consisting of Ag, Ag alloy, Cu and Cu alloy, and contains 22 to 28 atomic% of Mo and 13 to 20 atomic% of Cu, Mo and the Cu in a total amount of not less than 37 atomic% and not more than 41 atomic% and the balance of Ni and inevitable impurities, wherein the content of Cu is smaller than the content of Mo and the Curie point is not more than room temperature Forming sputtering target material. 제3항에 있어서,
상기 Mo을 26 내지 28 원자％ 함유하는 것을 특징으로 하는 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재.The method of claim 3,
And the Mo content is 26 to 28 atomic%. 삭제delete 삭제delete
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