KR101824881B1 - Backlight Unit - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 백라이트 유닛은 발광소자 패키지, 발광소자 패키지와 일측면이 대향하는 도광판, 및 발광소자 패키지가 구비된 제1 영역, 도광판이 구비된 제2 영역을 포함하고, 제1 영역과 제2 영역은 80 내지 100°각도를 형성하는 프레임을 포함한다.A backlight unit according to an embodiment includes a first region including a light emitting device package, a light emitting device package, a light guide plate facing one side of the light emitting device package, and a light emitting device package, and a second region including a light guide plate. The region includes a frame forming an angle of 80 to 100 degrees.
Description
본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. It is widely used in household appliances, remote control, electric signboard, display, and various automation devices. There is a trend.
발광다이오드가 적용된 백라이트 유닛은 액정표시장치와 같은 표시장치에 사용될 수 있으며, 여타 광범위한 분야의 조명 장치에 사용될 수 있다. 일반적으로 사용되고 있는 백라이트 유닛은 광원과, 광원의 광을 확산시키는 도광판과, 도광판으로부터 출사되는 광을 확산 또는 집광하는 기능을 하는 광학시트류로 구성된다.The backlight unit to which the light emitting diode is applied can be used in a display device such as a liquid crystal display device, and can be used in a lighting device in a wide variety of fields. BACKGROUND ART [0002] Generally used backlight units are composed of a light source, a light guide plate for diffusing the light of the light source, and optical sheets functioning to diffuse or condense the light emitted from the light guide plate.
백라이트 유닛의 광원으로 저전압 구동과 고효율 발광다이오드(LED:Light Emitting Diode)가 적용될 수 있다. 발광다이오드는 갈륨아세나이드(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐갈륨나이트라이드(InGaN) 등의 화합물 반도체(compound semiconductor)를 포함하는 2 단자 다이오드 소자이다. 발광다이오드의 캐소드단자와 애노드단자에 전원을 인가하면, 발광다이오드는 전자와 정공이 결합할 때 발생하는 빛에너지로 가시광을 방출한다.Low-voltage driving and high-efficiency light emitting diodes (LEDs) can be applied as the light source of the backlight unit. The light emitting diode is a two-terminal diode element including compound semiconductors such as gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), and indium gallium nitride (InGaN). When power is applied to the cathode terminal and the anode terminal of the light emitting diode, the light emitting diode emits visible light as light energy generated when electrons and holes are combined.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지방식과 직하방식으로 구분된다.The backlight unit is divided into the edge type and the direct type according to the position of the light source.
에지방식의 백라이트 유닛은 주로 랩탑형 컴퓨터 및 데스크탑형 컴퓨터의 모니터와 같이 비교적 크기가 작은 액정표시장치에 적용되는 것으로 빛의 균일성이 좋고, 수명이 길며, 액정표시장치의 박형화에 유리한 장점을 가진다.The edge type backlight unit is mainly applied to a liquid crystal display device of a comparatively small size such as a monitor of a laptop type computer and a desktop type computer, and has advantages of uniformity of light, long life, and advantageous in thinning of a liquid crystal display device .
발광소자가 적용된 백라이트 유닛을 구성하는 경우, 발광소자에서 발생한 빛을 일정 방향으로 가이드하고 아울러 백라이트 유닛의 표시 영역에 걸쳐서 균일한 발광을 보장할 필요가 있다. 또한, 생산성을 향상시키고 사용자의 편의를 도모하기 위해서 백라이트 유닛의 박형화 및 경량화는 중요한 과제이다.In the case of configuring a backlight unit to which a light emitting element is applied, it is necessary to guide light generated from the light emitting element in a certain direction and to ensure uniform light emission over the display region of the backlight unit. In addition, thinning and weight reduction of the backlight unit is an important task in order to improve the productivity and convenience of the user.
실시예는 백라이트 유닛의 발광소자 패키지를 백라이트 유닛을 지지하는 프레임에 직접 실장하여 백라이트 유닛을 슬림화한다.In the embodiment, the light emitting device package of the backlight unit is directly mounted on the frame supporting the backlight unit to slim the backlight unit.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 발광소자 패키지, 발광소자 패키지와 일측면이 대향하는 도광판, 및 발광소자 패키지가 구비된 제1 영역, 도광판이 구비된 제2 영역을 포함하고, 제1 영역과 제2 영역은 80 내지 100°각도를 형성하는 프레임을 포함한다.A backlight unit according to an embodiment includes a first region including a light emitting device package, a light emitting device package, a light guide plate facing one side of the light emitting device package, and a light emitting device package, and a second region including a light guide plate. The region includes a frame forming an angle of 80 to 100 degrees.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임에 발광소자 패키지를 실장하여 백라이트 유닛을 슬림화할 수 있다.The backlight unit according to the embodiment can reduce the backlight unit by mounting the light emitting device package on the frame.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임에 발광소자 패키지를 구비하여 방열효과를 증가시킬 수 있다.The backlight unit according to the embodiment may include a light emitting device package in a frame to increase the heat radiation effect.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임을 반사도 높은 물질로 형성하여 발광소자 패키지에서 발생한 빛을 반사시킬 수 있다.The backlight unit according to the embodiment may form the frame with a highly reflective material to reflect light generated in the light emitting device package.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임에 홈을 형성하여 발광소자 패키지가 실장된 영역을 용이하게 구부릴 수 있다.The backlight unit according to the embodiment can easily bend the region where the light emitting device package is mounted by forming a groove in the frame.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임에 발광소자 패키지와 도광판을 고정하여 빛의 누출을 감소시킬 수 있다.The backlight unit according to the embodiment can reduce leakage of light by fixing the light emitting device package and the light guide plate to the frame.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임에 도광판을 고정하여 견고하게 완성될 수 있다.The backlight unit according to the embodiment can be firmly completed by fixing the light guide plate to the frame.
도 1 는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 분해 사시도,
도 2 는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 일부 분해 사시도,
도 3 는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 일부를 나타낸 단면도,
도 4 는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 일부를 나타낸 단면도,
도 5 는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함한 전자 기기를 나타낸 개념도이다.1 is an exploded perspective view showing a backlight unit according to an embodiment,
2 is a partially exploded perspective view showing a backlight unit according to an embodiment,
3 is a cross-sectional view showing a part of a backlight unit according to an embodiment,
4 is a cross-sectional view showing a part of a backlight unit according to an embodiment,
5 is a conceptual diagram showing an electronic apparatus including a backlight unit according to an embodiment.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛(100)의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 백라이트 유닛(110)은 에지-라이트 방식으로, 발광소자 패키지(112), 발광소자 패키지(112)와 일측면이 대향하는 도광판(120), 및 발광소자 패키지(112)가 구비된 제1 영역(114), 도광판(120)이 구비된 제2 영역(116)을 포함하고, 제1 영역(114)과 제2 영역(116)은 80 내지 100°각도를 형성하는 프레임(110)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a
백라이트 유닛(100)은 액정표시장치(미도시)에 빛을 제공하는 수단으로서, 액정표시장치(미도시)의 배면에 위치할 수 있다. 백라이트 유닛(100)은 휘도가 높은 광을 적절한 시야각을 확보한 상태로 액정표시장치(미도시)에 공급할 수 있다The
발광소자 패키지(112)는 프레임(110)에 구비될 수 있다. 발광소자 패키지(112)는 빛을 내는 면이 도광판(120)을 바라보며 구비될 수 있다. 발광소자 패키지(112)는 반사시트(미도시)와 교차된 방향으로 배치될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 발광소자 패키지(112)는 도광판(120)의 일측면을 향하도록 배치될 수 있다. The light
발광소자 패키지(112)는 빛을 발생시킬 수 있다. 발광소자 패키지(112)는 빛을 도광판(120)의 일측면을 통해 입사시킬 수 있다.The light
발광소자 패키지(112)는 발광소자(미도시)를 포함할 수 있고, 각각의 발광소자 패키지(112)는 백색광을 생성하거나, 또는 소정의 유채색광을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자 패키지(112)는 각각 녹색, 청색, 적색의 광을 형성하는 R, G, B 발광소자(미도시)를 포함할 수 있다. 발광소자 패키지(110)의 내부에 실장된 발광소자(미도시)는 LED(Light Emitting Diode) 발광소자일 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The light
발광소자 패키지(112)는 캐비티가 형성된 몸체(미도시), 몸체(미도시)에 실장된 제1 및 제2 전극(미도시), 제1 및 제2 전극(미도시)과 전기적으로 연결되는 발광소자(미도시) 및 캐비티에 형성되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있고, 봉지재(미도시)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. The light
발광소자 패키지(112)는 프레임(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 발광소자 패키지(112)는 외부로부터 전원이 인가받아 광을 발생시켜서 도광판(120)에 빛을 제공할 수 있다. 발광소자 패키지(112)는 소정의 각을 갖도록 실장될 수 있으며, 발광소자 패키지(112)가 배치되는 형태는 임의일 수 있다.The light
발광소자(미도시)는 발광소자 패키지(112) 내에 구비될 수 있다. 발광소자(미도시)는 발광소자 패키지(112)내의 리드프레임(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. 발광소자(미도시)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light emitting device (not shown) may be provided in the light
발광소자(미도시)는 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type), 상하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 중의 하나일 수 있다.The light emitting device (not shown) may be one of a horizontal type in which all the electric terminals are formed on the upper surface, a vertical type formed in the upper and lower surfaces, or a flip chip.
발광소자(미도시)은 제1 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에 활성층(미도시)이 개재되어 형성될 수 있다.The light emitting device may include a first semiconductor layer (not shown), an active layer (not shown), and a second semiconductor layer (not shown). The first semiconductor layer (not shown) And an active layer (not shown) interposed therebetween.
제1 반도체층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시) 중 적어도 하나는 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 다른 하나는 n 형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 반도체층(미도시)이 p 형 반도체층일 경우 제2 반도체층(미도시)은 n 형 반도체층일 수 있으며, 그 역도 가능하다.At least one of the first semiconductor layer (not shown) and the second semiconductor layer (not shown) may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, and the other may be an n-type semiconductor layer Lt; / RTI > When the first semiconductor layer (not shown) is a p-type semiconductor layer, the second semiconductor layer (not shown) may be an n-type semiconductor layer and vice versa.
p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) aluminum nitride, AlN, AlGaN, InGaN, indium nitride, InAlGaN, AlInN, and the like, and may be selected from the group consisting of Mg, Zn, Ca), strontium (Sr), barium (Ba), or the like can be doped.
n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The n-type semiconductor layer may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) (Al), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), indium gallium nitride (InGaN), indium nitride (InN), InAlGaN, AlInN, and the like. An n-type dopant such as Ge, Sn, Se, or Te may be doped.
제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에는 활성층(미도시)이 개재될 수 있다. 활성층(미도시)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.An active layer (not shown) may be interposed between the first semiconductor layer (not shown) and the second semiconductor layer (not shown). The active layer (not shown) may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.
활성층(미도시)이 양자우물구조로 형성된 경우, 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer (not shown) is formed into a quantum well structure, for example, a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + And a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) Lt; / RTI > The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.
활성층(미도시)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(미도시)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer (not shown). The conductive clad layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap larger than that of the active layer (not shown).
발광소자(미도시)는 리드프레임(미도시)과 와이어 단자(미도시) 등으로 연결될 수 있다. 리드프레임(미도시) 대신 패키지본체 상면에 형성된 도전패턴을 이용하거나, 플립칩 본딩을 이용하여 발광소자(미도시)를 프레임(110)에 직접 실장할 수도 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The light emitting element (not shown) may be connected to a lead frame (not shown) and a wire terminal (not shown). Instead of the lead frame (not shown), a conductive pattern formed on the upper surface of the package main body may be used, or a light emitting device (not shown) may be directly mounted on the
프레임(110)은 백라이트 유닛(100)을 지지할 수 있다. 프레임(110)은 백라이트 유닛(100)의 배면에 위치할 수 있다. 프레임(110)은 도광판(120)을 구비할 수 있다. 프레임(110)은 발광소자 패키지(112)를 구비할 수 있다.The
프레임(110)은 제1 영역(114)과 제2 영역(116)을 포함할 수 있다. 프레임(110)은 제1 영역(114)에 발광소자 패키지(112)를 구비할 수 있다. 프레임(110)은 제1 영역(114)에 발광소자 패키지(112)가 하나의 열을 이루도록 구비할 수 있으나, 이에 한정하지 아니하며, 발광소자 패키지(112)는 수개의 열을 갖는 어레이를 이룰 수 있다. 프레임(110)은 제2 영역(116)에 도광판(120)을 구비할 수 있다. 프레임(110)은 제2 영역(116)에 도광판(120)을 구비하여 발광소자 패키지(112)에서 발생한 빛이 도광판(120)으로 입사되도록 할 수 있다.The
프레임(110)은 제1 영역(114)에 삽입층(미도시)을 구비할 수 있다. 프레임(110)은 발광소자 패키지(112)와의 사이에 삽입층(미도시)을 구비할 수 있다. 프레임(110)은 삽입층(미도시)과 전기적으로 분리될 수 있다. 프레임(110)은 삽입층(미도시)에 포함된 절연층(미도시)과 접할 수 있다.The
프레임(110)은 제1 영역(114)과 제2 영역(116)이 서로 80 내지 100°의 각도를 형성할 수 있다. 프레임(110)은 기울기를 가지며 형성될 수 있다. 예를 들어, 프레임(110)은 'L'자 형태로 구부러질 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 프레임(110)은 평면형태의 판을 구부린 형태일 수 있다.The
프레임(110)은 제1 영역(114)의 면적이 제2 영역(116)의 면적보다 좁을 수 있다. 프레임(110)은 제1 영역(114)에 발광소자 패키지(112)를 구비할 수 있다. 프레임(110)은 제2 영역(116)에 도광판(120)을 구비할 수 있다. 프레임(110)은 제1 영역(114)에 발광소자 패키지(112)를 구비하여 발광소자 패키지(112)와 도광판(120)을 대향하게 할 수 있다.The area of the
프레임(110)은 기울기를 형성하여, 도광판(120)과 발광소자 패키지(112)가 대향하도록 할 수 있다. 프레임(110)은 도광판(120)을 충격으로부터 보호할 수 있다.The
프레임(110)은 도광판(120)의 배면으로 방출되는 빛을 도광판(120)의 전방으로 반사시킬 수 있다. 프레임(110)은 반사도가 높은 물질로 형성되거나, 반사도 높은 물질로 도포될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 프레임(110)은 도광판(120)과 밀착하여 빛의 누출을 최소화할 수 있다.The
프레임(110)은 열전도도가 높은 물질로 형성될 수 있다. 프레임(110)은 발광소자 패키지(112)에서 발생한 열을 흡수할 수 있다. 프레임(110)은 열이 방출되는 표면적을 넓혀 열방출이 용이해질 수 있다.The
프레임(110)은 두께가 0.4 내지 1.2 mm일 수 있다. 프레임(110)은 두께가 0.4mm이하인 경우 충격에 취약해질 수 있고, 두께가 1.2mm이상인 경우 백라이트 유닛(100)의 박형화가 저해될 수 있다.The
도광판(120)은 프레임(110)상에 구비될 수 있다. 도광판(120)은 일측면이 발광소자 패키지(112)와 대향할 수 있다. 도광판(120)은 일측면으로 발광소자 패키지(112)에서 발생한 빛을 받아들일 수 있다. 도광판(120)은 전면이 확산시트(130)와 접할 수 있다.The
도광판(120)은 PMMA(polymethylmethacrylate)이나 투명 아크릴수지(resin)를 평면형태(flat type)나 쐐기형태(wedge type)로 제작하여 사용할 수 있으며, 유리 재질로 형성하는 것도 가능하나, 이에 한정하지 않는다. 투명 아크릴 수지는 강도가 높아 변형이 적으며, 가볍고 가시광선의 투과율이 높다. 에지-라이트 방식에서 발광소자 패키지(112)는 백라이트 유닛(100)의 외측면에 위치하여, 백라이트 유닛(100)의 가장자리가 다른 부분보다 더 밝을 수 있다. 도광판(120)은 가시광선의 투과율이 높아, 빛이 백라이트 유닛(100)의 전면적에 걸쳐 균일하게 투과되지 않고 가장자리가 더 밝은 현상을 방지할 수 있다.The
요철(미도시)은 도광판(120)의 후면에 형성되어 빛의 난반사를 일으킬 수 있다. 요철(미도시)은 발광소자 패키지(112)으로부터의 거리 등을 고려해서 소정의 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 요철(미도시)은, 발광소자 패키지(112)로부터 입사된 빛이 도광판(120) 표면의 양 끝단으로 집중되는 현상을 막아, 도광판(120) 전체가 빛을 균일하게 발산하도록 할 수 있다. 요철(미도시) 형성에 의한 패턴처리는 액정표시장치의 패널 전체에 빛의 휘도 및 균일도가 높은 평면광을 제공할 수 있다.Unevenness (not shown) may be formed on the rear surface of the
광학시트(130,140,150)는 도광판(120)의 상부에서 광을 확산시키기 위해 비드(bead) 등의 확산입자를 함유한 확산필름(130)과, 확산필름(130,140,150)의 상부에서 광을 집광시키기 위해 상면에 프리즘패턴이 형성된 프리즘필름(140)과, 프리즘필름(140)을 보호하기 위해 상부에 적층되는 보호필름(150)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(140)은 광의 휘도 향상에 기여할 수 있다. 광학시트(130, 140, 150)는 발광소자 패키지(112)로부터 출사되어 도광판(120)에 의해 가이드 되는 광을 확산 및 집광하여 휘도 및 시야각을 확보할 수 있다.The
확산필름(130)은 발광소자 패키지(112)로부터의 광이나 프리즘 필름(140)으로부터의 귀환광을 산란 및 집광하여 휘도를 균일하게 할 수 있다.The
확산필름(130)은 얇은 시트모양을 가질 수 있고, 투명수지로 형성될 수 있다. 예를 들면, 확산필름(130)은 폴리카보네이트 또는 폴리에스테르로 이루어지는 필름에 광 산란용 및 광 집광용 수지가 코팅되어 형성될 수 있다.The
프리즘 필름(140)은 광학 필름의 표면에 수직 또는 수평으로 프리즘 패턴을 형성한 것으로서 확산필름(130)에서 출력되는 광을 집광한다.The
프리즘필름(140)의 프리즘패턴은 집광효율을 높이기 위해 삼각형 단면을 갖도록 형성될 수 있으며, 꼭지각이 90°인 직각프리즘을 사용할 때 가장 우수한 휘도가 얻어질 수 있다.The prism pattern of the
보호필름(150)은 프리즘필름(140)를 보호하기 위해 프리즘필름(140)의 상부에 적층될 수 있다.The
반사시트(미도시)는 백라이트 유닛(100)의 하부(배면)에 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 반사시트(미도시)는 발광소자 패키지(112)에서 발생한 빛을 백라이트 유닛(100)의 전면으로 반사시켜 광 전달 효율을 높여줄 수 있다.The reflective sheet (not shown) may be formed on the lower surface (back surface) of the
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛(200) 일부의 구조를 도시한 사시도이다. 도 1에서 설명한 내용에 대해서는 추가로 상세하게 설명하지 아니한다.2 is a perspective view illustrating a structure of a part of a
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 백라이트 유닛(200)은 빛을 발광하는 발광소자 패키지(210), 발광소자 패키지(210)와 일측면이 대향하는 도광판(미도시), 및 발광소자 패키지(210)가 구비된 제1 영역(232), 도광판(미도시)이 구비된 제2 영역(236)을 포함하고, 제1 영역(232)과 제2 영역(236)이 80 내지 100°각도를 형성하는 프레임(230)을 포함하며, 발광소자 패키지(210)와 프레임(230)의 사이에는 삽입층(220)을 더 포함할 수 있다.2, a
삽입층(220)은 전극과 연결되는 전극층(224)을 포함하고, 전극층(224)의 상하면에 전도를 차단하는 상부절연층(222)과 하부절연층(226)을 더 포함할 수 있다.The
삽입층(220)은 상면에 수개의 발광소자 패키지(210)를 구비할 수 있다. 삽입층(220)은 프레임(230)의 제1 영역(232)에 구비될 수 있다. 삽입층(220)은 발광소자 패키지(210)와 전기적으로 연결될 수 있다. The
삽입층(220)은 제1 절연층/전극층/제2 절연층 또는 제1 절연층/전극층 등의 적층 구조로 형성될 수 있다. 삽입층(220)은 열전도성을 증가시키기 위하여 열전도성 입자를 충진한 에폭시 또는 실리콘 수지로 형성된 제1 절연층(226) 및 제2 절연층(222)을 포함할 수 있다. 삽입층(220)은 전극층(224)을 포함하며, 전극층(224)과 발광소자 패키지(110)가 전기적으로 연결될 수 있다. 전극층(224)을 통해 발광소자 패키지(112)에 전원이 공급될 수 있다.The inserting
삽입층(220)은 발광소자 패키지(210)과 연결되는 제2절연층(222)의 일영역에 홀(미도시)이 형성될 수 있다. 삽입층(220)은 제2 절연층(222)의 홀(미도시)에서 발광소자 패키지(210)와 전극층(224)이 전기적으로 연결되도록 할 수 있다.The
삽입층(220)은 제1 영역(232)과 제2 영역(236)의 경계선(234)과의 거리(T)가 0.05내지 1.0mm일 수 있다. 삽입층(220)과 경계선(234)과의 거리(T)가 0.05mm 이하인 경우에는 삽입층과 프레임과의 이격거리가 짧아져 삽입층에 손상이 발생할 우려가 커질 수 있고, 1.0mm이상인 경우에는 도광판(미도시)과 이격되어 광전달이 저해될 수 있다.The
홀(미도시)은 제2 절연층(222)의 일영역이 관통하여 형성될 수 있다. 홀(미도시)은 물리적, 화학적 식각공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 홀(미도시)은 발광소자 패키지(210)와 전극층(224)이 전기적으로 연결되도록 할 수 있다. 홀(미도시)은 내부에 발광소자 패키지(210)의 리드프레임(미도시)이 구비되어 전극층(224)과 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.A hole (not shown) may be formed through one region of the second insulating
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛(300)의 프레임(320)의 단면을 도시한 단면도이고, 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛(300)의 프레임(320)의 단면을 도시한 단면도이다.3A is a cross-sectional view of a
도 3a를 참조하면, 실시예에 따른 백라이트 유닛(300)은 빛을 발광하는 발광소자 패키지(310), 발광소자 패키지(310)와 일측면이 대향하는 도광판(미도시), 및 발광소자 패키지(310)가 구비된 제1 영역(322), 도광판(미도시)이 구비된 제2 영역(326)을 포함하고, 제1 영역(322)과 제2 영역(326)이 80 내지 100°각도를 형성하는 프레임(320)을 포함하며, 프레임(320)은 제1 영역(322)과 제2 영역(326)의 경계가 인입된 홈(324)을 구비할 수 있다.3A, a
프레임(320)은 제1 영역(322)과 제2 영역(326)의 경계가 인입된 홈(324)을 구비할 수 있다. 프레임(320)은 홈(324)을 경계로 'L' 형태로 형성될 수 있다. 프레임(320)은 홈(324)을 경계로 80 내지 100°각도를 가지고 형성될 수 있다.The
홈(324)은 제1 영역(322)과 제2 영역(326)의 경계가 인입되어 형성될 수 있다. 홈(324)은 V자나 U자 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 홈(324)은 물리적 또는 화학적인 식각공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 홈(324)은 프레임(320)이 기울기를 형성하는 것을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 홈(324)은 프레임(320)이 'L' 형태로 형성되는 것을 용이하게 할 수 있다. 홈(324)은 프레임(320)을 구부리는 공정을 용이하게 할 수 있다.The
홈(324)은 프레임(320)의 도광판(미도시)과 접하는 상면에 구비될 수 있다. 홈(324)이 프레임(320)의 상면에 형성된 경우, 프레임(320)은 구부림 공정으로 후면에 굴곡부(340)를 형성될 수 있다.The
굴곡부(340)는 프레임(320)이 기울기를 형성하며 도광판(미도시)이 구비되는 전면의 반대측에 형성될 수 있다. 굴곡부(340)는 프레임(320)이 접히면서 프레임(320)의 배면에 형성될 수 있다. 굴곡부(340)는 프레임(320)의 배면이 곡률을 가지면서 형성될 수 있다.The
도 3b를 참조하면, 실시예에 따른 프레임(320)은 후면에 홈(324)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 3B, the
홈(324)은 프레임(320)의 후면에 구비될 수 있다. 홈(324)이 프레임(320)의 후면에 형성된 경우, 프레임(320)은 구부림 공정으로 후면에 절단부(340)가 형성될 수 있다.The
절단부(340)는 프레임(320)이 접히면서 형성될 수 있다. 절단부(340)는 프레임(320)이 접히면서 프레임(320)의 배면에 형성될 수 있다. 절단부(340)는 프레임(320)의 배면의 홈(324)이 바깥으로 접히면서 형성될 수 있다.The
도 4는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 액정표시장치(400)의 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view of a
도 4는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.4, the liquid
액정표시패널(410)은 백라이트 유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid
컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The
박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin
박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin
백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자 패키지(422), 및 발광소자 패키지(422)가 구비되는 프레임(424)을 포함하는 발광소자 모듈(420), 발광소자 모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(440, 450, 460) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(미도시)로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The
발광소자 모듈(420)은 복수의 발광소자 패키지(422)와 복수의 발광소자 패키지(422)가 실장되어 모듈을 이루어 실장되는 프레임(424)을 포함할 수 있다. 발광소자 모듈(420)은 프레임(424)에 발광소자 패키지(422)를 직접 구비하여, 도광판(430)과 발광소자 패키지(422)가 대향하여, 광누출을 최소화할 수 있다. The light emitting
백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(440)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)를 보호하기 위한 보호필름(460)을 포함할 수 있다.The
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛(미도시)을 포함한 전자기기를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing an electronic apparatus including a backlight unit (not shown) according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛(미도시)을 포함하는 전자기기의 일 예로, 이동통신 단말기(500)를 도시하나, 본 실시예에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 5, the
실시예에 따른 이동통신 단말기(500)는 통화 상대방의 음성신호 등이 출력되는 수화부(580)와, 표시장치로 사용될 수 있는 화면(560)과, 통화 및 통화 종료 등을 위한 조작 스위치(570), 영상통화 또는 사진 등을 촬영하기 위한 카메라(510) 등을 구비할 수 있다. 또한 화면(560)은 터치패널 등을 구비하여 표시장치뿐 아니라 입력장치로도 사용될 수 있다.The
화면(560)의 내측에는 액정표시장치(미도시)가 구비되며, 액정표시장치(미도시)는 백라이트 유닛(미도시)을 포함할 수 있다.A liquid crystal display (not shown) is provided inside the
발광소자 모듈(미도시)은 복수의 발광소자 패키지(미도시)와 복수의 발광소자 패키지(미도시)가 실장되어 모듈을 이루어 실장되는 프레임(미도시)을 포함할 수 있다. 발광소자 모듈(미도시)은 프레임(미도시)에 발광소자 패키지(미도시)를 직접 구비하여, 도광판(미도시)과 발광소자 패키지(미도시)가 대향하여, 광누출을 최소화할 수 있다.The light emitting device module (not shown) may include a frame (not shown) mounted with a plurality of light emitting device packages (not shown) and a plurality of light emitting device packages (not shown) mounted thereon as a module. A light emitting device module (not shown) directly includes a light emitting device package (not shown) in a frame (not shown) so that a light guiding plate (not shown) and a light emitting device package (not shown) face each other, .
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.
100 : 백라이트 유닛 110 : 프레임
112 : 발광소자 패키지 120 : 도광판
130 : 확산필름 140 : 프리즘필름
150 : 보호필름100: backlight unit 110: frame
112: light emitting device package 120: light guide plate
130: diffusion film 140: prism film
150: Protective film
Claims (12)
상기 발광소자 패키지와 일측면이 대향하는 도광판;
상기 발광소자 패키지가 구비된 제1 영역, 및 상기 도광판이 구비된 제2영역을 포함하고, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 80 내지 100°각도를 형성하는 프레임; 및
상기 발광소자 패키지와 상기 프레임 사이에는 삽입층;을 포함하며,
상기 삽입층은 전기를 도통하는 전극층, 상기 전극층과 상기 프레임의 사이에 배치되어, 상기 전극층과 상기 프레임의 사이에 전도를 차단하는 제1 절연층, 및 상기 전극층과 상기 발광소자 패키지 사이에 배치되어, 상기 전극층과 상기 발광소자 패키지 사이에 전도를 차단하는 제2 절연층을 포함하며,
상기 프레임은, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계부위에서, 상기 프레임의 상기 도광판이 구비되는 전면의 반대측인 배면에 형성된 홈이 구부림에 의해 접히면서 형성된 절단부(340)를 포함하며,
상기 프레임에 반사물질이 도포되고, 상기 도광판과 상기 프레임의 사이에는 반사시트가 배치되며,
상기 도광판의 후면에는 요철이 형성된 표시장치..A light emitting device package;
A light guide plate facing one side of the light emitting device package;
A first region including the light emitting device package, and a second region including the light guide plate, wherein the first region and the second region form an angle of 80 to 100 degrees; And
And an insertion layer between the light emitting device package and the frame,
The insertion layer includes an electrode layer for conducting electric power, a first insulating layer disposed between the electrode layer and the frame, for blocking conduction between the electrode layer and the frame, and a second insulating layer disposed between the electrode layer and the light emitting device package And a second insulating layer intercepting conduction between the electrode layer and the light emitting device package,
Wherein the frame includes a cut portion formed on a boundary portion between the first region and the second region and formed by bending a groove formed on a rear surface opposite to a front surface of the frame on which the light guide plate is provided,
A reflective material is applied to the frame, a reflective sheet is disposed between the light guide plate and the frame,
A display device in which irregularities are formed on the back surface of the light guide plate.
상기 프레임은 L자 형태이며,
상기 삽입층과 상기 제1 영역과 상기 제2영역의 경계 간의 거리는 0.05 내지 1.0mm인 표시장치The method according to claim 1,
The frame is L-shaped,
The distance between the insertion layer and the border of the first region and the second region is 0.05 to 1.0 mm,
상기 프레임의 두께는 0.4 내지 1.2mm이며,
상기 제2 절연층은 관통된 홀을 포함하고,
상기 발광소자 패키지는 상기 홀에서 상기 전극층과 전기적으로 연결되는 표시장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
The thickness of the frame is 0.4 to 1.2 mm,
The second insulating layer including a through hole,
And the light emitting device package is electrically connected to the electrode layer in the hole.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |