KR101824684B1

KR101824684B1 - 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구

Info

Publication number: KR101824684B1
Application number: KR1020170082592A
Authority: KR
Inventors: 이창모
Original assignee: 디비라이텍 주식회사
Priority date: 2017-06-29
Filing date: 2017-06-29
Publication date: 2018-02-02

Abstract

암부 개선 구조의 엘이디 조명기구가 개시된다. 본 발명의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구는, 회로기판의 전면에 다수의 엘이디가 배치된 본체; 다수의 엘이디 전방에 구비되는 투과커버; 및 엘이디 사이에 제1 반사면을 형성하는 리플렉터를 포함하고, 엘이디의 지향각 중심은 투과커버와의 최단거리지점을 향하며, 제1 반사면에서 반사된 엘이디의 빛은 최단거리지점의 사이를 향하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 두께를 슬림화하고 LED 개수를 절감하면서도 Hot-spot 및 암부 발생을 제거하여 광품질을 향상시키도록 이루어지는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구를 제공할 수 있게 된다.

Description

암부 개선 구조의 엘이디 조명기구{LED LIGHTING DEVICE FOR IMPROVING QUALITY OF LIGHTING}

본 발명은 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 두께를 슬림화하고 LED 개수를 절감하면서도 Hot-spot 및 암부 발생을 제거하여 광품질을 향상시키도록 이루어지는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구에 관한 것이다.

LED 조명(Light Emitting Diode Lighting)은 전기로 빛을 발하는 LED소자를 이용한 조명 방법으로서, LED의 발광원리를 이용하여 색의 기본요소인 적색, 녹색, 청색에 백색까지 다양한 색의 빛을 만들 수 있으며, 기존 조명기구보다 에너지를 획기적으로 줄일 수 있고, 수명도 길며, 형광등처럼 수은 등 유해물질을 전혀 사용하지 않기 때문에 친환경적인 제품으로 인식되고 있다.

LED의 효율이 급격히 향상되는 반면, 가격은 급격히 하락하고 있는 최근에는 첫째, 효율향상 중심으로 개발되었던 LED 조명제품에서 광품질 향상이라는 키워드(keyword)가 중요시되고 있다. 여기서 광품질은 피조면에서 나타나는 밝기의 균일한 정도 및 색온도에 대한 균일한 정도, 조명기구로부터의 눈의 편안함을 추구하는 글레어 제어, 그리고 발광면에서 나타나는 Hot-spot 및 암부의 개선 등으로 요약될 수 있다.

둘째는 LED 조명 제품의 슬림화이다. LED 조명은 슬림화를 통해 제품의 가격 경쟁력과 설치의 용이성을 확보할 수 있다. 실내에 사용되고 있는 LED 조명제품이 슬림화되고, LED의 효율이 향상되면서 제품에 사용되는 LED의 개수가 점차 감소함에 따라 나타나는 문제가 바로 위에서 언급한 광품질 향상 키워드 중 하나인 발광면에서의 광품질 저하이다. 즉, 발광면에 Hot-spot 및 암부가 발생하여 광품질이 저하되는 것이다.

Hot-spot의 발생원인은 LED의 개수가 적어짐에 따라 LED의 간격이 넓어지고, 슬림화에 따라 LED와 확산커버의 거리가 짧아지기 때문이다. 여기에서 Hot-spot이란 확산커버에서 LED의 지향각 중심 위치에서는 밝고 그 사이에서는 어둡게 나타나는 현상을 말한다.

LED 조명기구가 슬림화되고 LED의 개수가 감소하여 LED 간 간격이 넓어지게 되면, 도 1에 도시된 바와 같이, LED의 지향각 중심 위치에서는 밝고 그 사이에서는 상대적으로 어두운 Hot-spot 현상이 나타나게 된다.

Hot-spot 현상은 크기가 동일한 조명기구일 경우, 높은 광속(높은 소비전력)의 조명기구에서는 LED 간 간격이 좁아 나타나지 않지만, 낮은 광속의 조명기구에서는 LED 간 간격이 넓어지게 되기 때문에 아주 두드러지게 나타나게 된다.

일반적으로 Hot-spot이 발생하는 원인은 아래와 같다.

첫째, LED 배치시 LED 간 간격이 LED와 확산커버의 높이보다 넓을 경우 Hot-spot 현상이 발생하기 쉽다. 이때 Hot-spot 현상을 제거하기 위한 종래 해결책으로는, LED와 확산커버 사이의 거리를 LED 간의 간격이상이 되도록 하는 방법이 있다.

이 방법은 아주 쉽게 Hot-spot을 해결할 수 있는 방법이지만, LED 조명기구의 두께가 두꺼워지게 되므로 가격경쟁력 및 설치용이성을 확보할 수 없게 된다. 다른 방법으로, LED 개수를 증가시켜 LED 간 간격을 작게 하게 되면 LED 증가에 따른 가격이 상승하는 문제가 발생하게 된다.

둘째, 확산커버의 투과율이 높을 경우 Hot-spot 현상이 발생하기 쉽다. 즉, 확산커버의 투과율이 높다면, LED에서 나오는 빛을 확산시키는 비율이 감소하고 LED에서 발광하는 빛을 더 투과시키게 되므로 Hot-spot 현상이 더 두드러지게 나타난다. 따라서 종래에는 투과율이 낮은 확산커버를 사용하여 Hot-spot 현상을 방지하고 있다. 그러나 투과율을 낮춘다는 것은 광학효율의 저하를 초래하게 된다.

셋째, LED 모듈 고정을 위한 스크류 및 리벳 체결부에 의해 Hot-spot 현상이 발생하기 쉽다. 종래 LED 조명기구는 LED 모듈을 조명기구 몸체에 고정하기 위해 다수의 볼트 및 리벳을 사용하고 있으나, LED 모듈을 조명기구 몸체에 고정하기 위해 다수의 볼트 및 리벳을 사용하게 되면, 다수의 볼트 및 리벳에 의해 LED가 규칙적으로 배열이 되지 않을 뿐만 아니라, 내전압 확보를 위해 LED를 최소한의 간격을 두고 배열해야 한다. 결과적으로, 체결부 주변이 다른 LED 간 간격보다 더 멀거나 좁게 배열이 되어 Hot-spot과 암부가 더욱 두드러지게 나타나게 된다.

대한민국 공개특허공보 제2016-0081242호 (공개일: 2016.07.08)

본 발명의 목적은, 두께를 슬림화하고 LED 개수를 절감하면서도 Hot-spot 및 암부 발생을 제거하여 광품질을 향상시키도록 이루어지는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구를 제공하는 것이다.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 회로기판의 전면에 다수의 엘이디가 배치된 본체; 상기 다수의 엘이디 전방에 구비되는 투과커버; 및 상기 엘이디 사이에 제1 반사면을 형성하는 리플렉터를 포함하고, 상기 엘이디의 지향각 중심은 상기 투과커버와의 최단거리지점을 향하며, 상기 제1 반사면에서 반사된 상기 엘이디의 빛은 상기 최단거리지점의 사이를 향하는 것을 특징으로 하는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구에 의하여 달성된다.

상기 엘이디의 빛은 상기 제1 반사면에서 불완전 확산 반사(imperfection diffuse reflection)되도록 이루어질 수 있다.

상기 리플렉터는, 상기 엘이디 사이에 각각 개재되어 상기 제1 반사면을 형성하는 반사부; 및 상기 회로기판의 가장자리를 따라 구비되어 상기 반사부를 연결하는 연결부를 포함하도록 이루어질 수 있다.

상기 회로기판에는 삽입홀이 형성되고, 상기 반사부에는, 상기 회로기판과 상기 리플렉터 간 상대유동이 방지되도록 상기 삽입홀에 삽입되는 보스가 형성되도록 이루어질 수 있다.

상기 연결부에는 제2 반사면이 형성되고, 상기 제2 반사면은 양쪽의 상기 제1 반사면을 연결하며, 상기 제2 반사면에서 반사된 상기 엘이디의 빛은 상기 최단거리지점의 사이를 향하도록 이루어질 수 있다.

상기 연결부와 반대쪽에서 상기 반사부의 단부에는 제3 반사면이 형성되고, 상기 다수의 엘이디는, 상기 반사부가 사이에 개재되는 다수의 제1 엘이디; 및 상기 제3 반사면보다 상기 연결부로부터 이격된 다수의 제2 엘이디를 포함하며, 상기 제3 반사면에서 반사된 상기 제2 엘이디의 빛은 상기 제1 엘이디의 상기 최단거리지점과 상기 제2 엘이디의 상기 최단거리지점 사이를 향하도록 이루어질 수 있다.

상기 엘이디 간 간격은 상기 엘이디와 상기 투과커버 간 거리를 초과하고, 상기 회로기판의 전면을 기준으로 상기 엘이디와 상기 제1 반사면 간 높이차이는 상기 엘이디와 상기 투과커버 간 거리의 0.5배 이하이도록 이루어질 수 있다.

본 발명에 의하면, 리플렉터가 엘이디 사이에 반사면을 형성하여, 반사면에서 반사된 엘이디의 빛이 투과커버와의 최단거리지점의 사이를 향함으로써, 두께를 슬림화하고 LED 개수를 절감하면서도 Hot-spot 및 암부 발생을 제거하여 광품질을 향상시키도록 이루어지는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구를 제공할 수 있게 된다.

도 1은 종래 엘이디 조명기구의 투과커버에서 조도를 측정한 그림.
도 2는 본 발명의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 사시도.
도 3은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 부분 분해사시도.
도 4는 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 투과커버의 저면사시도.
도 5는 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 엘이디모듈과 리플렉터를 나타내는 사시도.
도 6은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 엘이디모듈과 리플렉터를 나타내는 부분 확대사시도.
도 7은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 사용상태를 나타내는 부분단면도.
도 8은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구와 종래 엘이디 조명기구의 투과커버에서 조도를 비교하기 위해 실험한 그림.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.

본 발명의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구는, 두께를 슬림화하고 LED 개수를 절감하면서도 Hot-spot 및 암부 발생을 제거하여 광품질을 향상시키도록 이루어진다.

도 1은 종래 엘이디 조명기구의 투과커버에서 조도를 측정한 그림, 도 2는 본 발명의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 사시도, 도 3은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 부분 분해사시도, 도 4는 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 투과커버의 저면사시도, 도 5는 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 엘이디모듈과 리플렉터를 나타내는 사시도, 도 6은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 엘이디모듈과 리플렉터를 나타내는 부분 확대사시도, 도 7은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구의 사용상태를 나타내는 부분단면도, 도 8은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구와 종래 엘이디 조명기구의 투과커버에서 조도를 비교하기 위해 실험한 그림.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구(10)는, 두께를 슬림화하고 LED 개수를 절감하면서도 Hot-spot 및 암부 발생을 제거하여 광품질을 향상시키도록 이루어지며, 본체(100), 투과커버(200) 및 리플렉터(300)를 포함하여 구성된다.

본체(100)는 엘이디모듈(110), 바디(120) 및 커버(130)를 포함하여 구성된다. 본체(100)는 조명기구(10)에서 투과커버(200) 및 리플렉터(300)를 제외한 나머지 부분을 가리키는 것으로 이해되어야 한다.

바디(120)는 조명기구(10)의 뼈대를 형성하는 구성으로서, 투과커버(200)에 의해 한쪽 개구가 폐쇄된 상태에서 내부에 엘이디모듈(110) 및 리플렉터(300)를 수용한다. 바디(120)는 대략 원형 접시 형태를 형성하며, 테두리 부분에는 체결볼트(T)가 삽입되는 복수의 구멍이 형성된다. 도시되지는 않았으나, 바디(120)에는 컨버터(미도시) 등의 전기부품이 결합될 수 있다.

커버(130)는 리플렉터(300) 및 투과커버(200)의 유동을 방지하는 구성으로서, 볼트체결에 의해 바디(120)와의 상대이동이 차단된다. 도시되지는 않았으나, 커버(130)에는 체결볼트(T)가 나사결합되는 홀이 형성된다.

도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 엘이디모듈(110)은 원판형 회로기판(P)의 전면에 다수의 엘이디(L)가 배치된 형태로 이루어진다. 다수의 엘이디(L)는 제1 엘이디(L1)와 제2 엘이디(L2)를 포함하여 구성된다.

제1 엘이디(L1)는 후술할 반사부(310)가 사이에 개재된 엘이디(L)를 가리킨다. 제1 엘이디(L1)는 다수로 구비되어 회로기판(P)의 전면 중앙을 중심으로 원주방향을 따라 배치된다.

제2 엘이디(L2)는 후술할 제3 반사면(312)보다 연결부(320)로부터 이격된 엘이디(L)를 가리킨다. 제2 엘이디(L2)는 제1 엘이디(L1)보다 연결부(320)로부터 이격된다. 제2 엘이디(L2)는 다수로 구비되어 회로기판(P)의 전면 중앙을 중심으로 원주방향을 따라 배치된다.

제2 엘이디(L2)보다 연결부(320)로부터 이격되어 회로기판(P)의 전면 중앙을 중심으로 원주방향을 따라 배치된 엘이디(L)는 제3 엘이디(L3)로 지칭하고, 제3 엘이디(L3)보다 연결부(320)로부터 이격되어 회로기판(P)의 전면 중앙을 중심으로 원주방향을 따라 배치된 엘이디(L)는 제4 엘이디(L4)로 지칭하고자 한다.

투과커버(200)는 엘이디(L)의 빛을 투과 및 확산하는 구성으로서, 원판형태로 형성되어 다수의 엘이디(L) 전방에 구비된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 엘이디(L)의 지향각 중심은 투과커버(200)와의 최단거리지점(A1)을 향한다. 도시되지는 않았으나, 투과커버(200)에는 체결볼트(T)가 삽입되는 홀이 형성된다.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 리플렉터(300)는 엘이디(L)의 빛을 반사하는 반사면을 형성하는 구성으로서, 반사부(310) 및 연결부(320)를 포함하여 구성된다.

반사부(310)는 제1 반사면(311) 및 제3 반사면(312)을 형성하는 구성으로서, 다수로 구비되어 제1 엘이디(L1) 사이에 각각 개재된다.

도 6에 도시된 바와 같이, 연결부(320)는 회로기판(P)의 가장자리를 따라 구비되어 반사부(310)를 연결한다. 연결부(320)에는 제2 반사면(321)이 형성된다. 연결부(320)의 테두리 부분에는 체결볼트(T)가 삽입되는 구멍(H1)이 형성된다.

회로기판(P)에는 삽입홀(H2)이 형성되고, 반사부(310)에는 삽입홀(H2)에 삽입되는 보스(B)가 형성된다. 따라서, 회로기판(P)이 바디(120)의 안쪽면에 안착된 상태에서 반사부(310)가 제1 엘이디(L1) 사이에 각각 안착되면, 회로기판(P)과 리플렉터(300) 간 상대유동이 방지된다.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반사부(310)가 제1 엘이디(L1) 사이에 각각 안착된 상태에서 연결부(320) 및 투과커버(200)의 테두리 부분은 바디(120)의 테두리 부분에 차례대로 적층된다.

이후 체결볼트(T)가 커버(130)에 나사결합되면, 바디(120), 리플렉터(300), 투과커버(200) 및 커버(130) 간 상대이동 및 상대회전이 차단되는 동시에, 리플렉터(300)의 보스(B)가 회로기판(P)의 삽입홀(H2)에 삽입된 상태가 유지되어 회로기판(P)의 상대이동 및 상대회전이 구속된다.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 반사면(311)은 제1 엘이디(L1)의 빛을 최단거리지점(A1)의 사이(A2)로 반사하는 구성으로서, 반사부(310)마다 한 쌍으로 구비되어 양쪽 제1 엘이디(L1)의 빛을 최단거리지점(A1)의 사이(A2)를 향해 개별적으로 반사하게 된다.

제2 반사면(321)은 제1 엘이디(L1)의 빛을 최단거리지점(A1)의 사이(A2)로 반사하는 구성으로서, 양쪽의 제1 반사면(311)을 연결하는 형태를 형성한다. 제2 반사면(321)은 입사된 제1 엘이디(L1)의 빛을 최단거리지점(A1)의 사이(A2)를 향해 반사하게 된다.

제1 엘이디(L1)의 빛은 제1 반사면(311)에서 불완전 확산 반사(imperfection diffuse reflection)된다. 불완전 확산 반사란 완전 확산 반사가 아닌 것의 총칭으로, 제1 반사면(311)에 입사된 제1 엘이디(L1)의 빛은 최단거리지점(A1)의 사이(A2)를 향해 불완전 확산 반사되어 A2 영역에 전체적으로 입사된다.

도 6을 참조하면, 제3 반사면(312)은 제2 엘이디(L2)의 빛을 최단거리지점(A1)의 사이(A2)로 반사하는 구성으로서, 연결부(320)와 반대쪽에서 반사부(310)의 단부에 형성되어 제2 엘이디(L2)의 빛을 제1 엘이디(L1)의 최단거리지점(A1)과 제2 엘이디(L2)의 최단거리지점(A1) 사이(A2)를 향해 반사하게 된다.

제2 엘이디(L2)의 빛은 제3 반사면(312)에서 불완전 확산 반사된다. 즉, 제3 반사면(312)에 입사된 제2 엘이디(L2)의 빛은 제1 엘이디(L1)의 최단거리지점(A1)과 제2 엘이디(L2)의 최단거리지점(A1) 사이(A2)를 향해 불완전 확산 반사되어 A2 영역에 전체적으로 입사된다.

일반적으로 Hot-spot이 발생하는 원인은 아래와 같다.

본 발명의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구(10)는, 리플렉터(300)가 엘이디(L) 사이에 복수의 반사면을 형성하여, 복수의 반사면에서 반사된 엘이디(L)의 빛이 투과커버(200)와의 최단거리지점(A1) 사이(A2)를 향함으로써, A1 영역과 A2 영역의 균제도를 향상시켜 Hot-spot 현상을 방지하고, 투과커버(200)의 투과율을 높게 할 수 있으면서도, 엘이디(L) 간 간격을 엘이디(L)와 투과커버(200) 간 거리보다 길게 하는 두께의 슬림화를 달성하게 된다.

도 8은 도 2의 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구(10)와 종래 엘이디 조명기구의 투과커버(200)에서 조도를 비교하기 위해 실험한 그림을 나타낸다. 도 8(a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 출원인은 한 쌍의 엘이디(L) 사이에 반사부(310)를 적용한 부분과 미적용한 부분을 동시에 갖는 엘이디 조명기구(10)를 시뮬레이션하여 투과커버(200)에서 조도를 확인하였다.

도 8(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 출원인은 시뮬레이션 결과 한 쌍의 엘이디(L) 사이에 반사부(310)를 미적용한 부분에서는 종래와 동일한 Hot-spot 현상이 발생하였으나, 한 쌍의 엘이디(L) 사이에 반사부(310)를 적용한 부분에서는 밝기의 균제도가 향상됨으로써 Hot-spot 현상이 방지된 것을 확인할 수 있었다.

이때, 회로기판(P)의 전면을 기준으로 엘이디(L)와 제1 반사면(311) 간 높이차이는 엘이디(L)와 투과커버(200) 간 거리의 0.5배 이하로 해야 한다. 출원인의 시뮬레이션 결과 엘이디(L)와 제1 반사면(311) 간 높이차이가 엘이디(L)와 투과커버(200) 간 거리의 0.5배 이상이면, 오히려 제1 반사면(311)이 최단거리지점(A1) 사이(A2)를 향하는 제1 엘이디(L1)의 빛을 가로막아 Hot-spot 현상이 발생하였기 때문이다.

앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

10 : 엘이디 조명기구
100 : 본체 200 : 투과커버
110 : 엘이디모듈 A1 : 최단거리지점
P : 회로기판 A2 : 최단거리지점의 사이
H2 : 삽입홀 300 : 리플렉터
L : 엘이디 310 : 반사부
L1 : 제1 엘이디 311 : 제1 반사면
L2 : 제2 엘이디 312 : 제3 반사면
120 : 바디 B : 보스
T : 체결볼트 320 : 연결부
D1 : 엘이디 간 간격 321 : 제2 반사면
D2 : 엘이디와 투과커버 간 거리 H1 : 구멍
D3 : 엘이디와 제1 반사면 간 높이차

Claims

회로기판의 전면에 다수의 엘이디가 배치된 본체;
상기 다수의 엘이디 전방에 구비되는 투과커버; 및
상기 엘이디 사이에 제1 반사면을 형성하는 리플렉터를 포함하고,
상기 엘이디의 지향각 중심은 상기 투과커버와의 최단거리지점을 향하며,
상기 제1 반사면에서 반사된 상기 엘이디의 빛은 상기 최단거리지점의 사이를 향하고,
상기 리플렉터는,
상기 엘이디 사이에 각각 개재되어 상기 제1 반사면을 형성하는 반사부; 및
상기 회로기판의 가장자리를 따라 구비되어 상기 반사부를 연결하는 연결부를 포함하며,
상기 연결부와 반대쪽에서 상기 반사부의 단부에는 제3 반사면이 형성되고,
상기 다수의 엘이디는,
상기 반사부가 사이에 개재되는 다수의 제1 엘이디; 및
상기 제3 반사면보다 상기 연결부로부터 이격된 다수의 제2 엘이디를 포함하며,
상기 제3 반사면에서 반사된 상기 제2 엘이디의 빛은 상기 제1 엘이디의 상기 최단거리지점과 상기 제2 엘이디의 상기 최단거리지점 사이를 향하는 것을 특징으로 하는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구.
제1항에 있어서,
상기 엘이디의 빛은 상기 제1 반사면에서 불완전 확산 반사(imperfection diffuse reflection)되는 것을 특징으로 하는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구.
삭제
제1항에 있어서,
상기 회로기판에는 삽입홀이 형성되고,
상기 반사부에는, 상기 회로기판과 상기 리플렉터 간 상대유동이 방지되도록 상기 삽입홀에 삽입되는 보스가 형성되는 것을 특징으로 하는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구.
제1항에 있어서,
상기 연결부에는 제2 반사면이 형성되고,
상기 제2 반사면은 양쪽의 인접한 상기 제1 반사면을 연결하며,
상기 제2 반사면에서 반사된 상기 엘이디의 빛은 상기 최단거리지점의 사이를 향하는 것을 특징으로 하는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구.
삭제
제1항에 있어서,
상기 엘이디 간 간격은 상기 엘이디와 상기 투과커버 간 거리를 초과하고,
상기 회로기판의 전면을 기준으로 상기 엘이디와 상기 제1 반사면 간 높이차이는 상기 엘이디와 상기 투과커버 간 거리의 0.5배 이하인 것을 특징으로 하는 암부 개선 구조의 엘이디 조명기구.