KR101814775B1

KR101814775B1 - 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법

Info

Publication number: KR101814775B1
Application number: KR1020110034424A
Authority: KR
Inventors: 임현택; 배성일
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2011-04-13
Filing date: 2011-04-13
Publication date: 2018-01-04
Also published as: KR20120116782A

Abstract

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 다수의 유효 표시영역들과 패드 영역들을 각각 갖는 다수의 단위 패널들이 형성될 다면취 마더 기판을 준비하는 단계; 상기 유효 표시영역들 각각에 TFT 어레이와 유기발광다이오드 소자를 형성하고, 상기 패드 영역들 각각에 패드부와 상기 패드부를 덮는 희생층을 형성하는 단계; 상기 유기발광다이오드 소자와 상기 희생층을 덮도록 상기 마더 기판의 전면에 패시베이션 층을 형성하는 단계; 상기 패시베이션 층과 봉지 기판 사이를 페이스 실링 필름으로 충진하여 상기 패널들을 밀봉한 후, 상기 마더 기판에 마련된 스크라이빙 라인들을 따라 상기 단위 패널들을 개별적으로 절단하는 단계; 상기 패시베이션 층을 통해 스트립퍼가 상기 희생층으로 침투할 수 있도록 세정하는 단계; 및 리프트 오프 공정을 통해 상기 희생층과 함께 그 위의 패시베이션 층을 부분적으로 제거하여 상기 패드부를 노출시키는 단계를 포함한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치의 제조방법{Fabricating Method Of Organic Light Emitting Diode Display}

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.

최근, 다양한 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)에 대한 개발이 가속화되고 있다. 이들 중 특히, 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display)는 스스로 발광하는 자 발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.

유기발광다이오드 표시장치는 자체 발광을 위해 유기발광다이오드 소자(OLED)를 가진다. 유기발광다이오드 소자(OLED)는 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기 화합물층을 구비한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer), 정공수송층(Hole transport layer), 발광층(Emission layer), 전자수송층(Electron transport layer) 및 전자주입층(Electron Injection layer)을 포함한다. 애노드와 캐소드에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)에서 결합되어 여기자를 형성하고, 이 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 가시광을 발생하게 된다.

이러한 유기발광다이오드 소자(OLED)는 공기 중의 수분과 산소에 매우 취약한 특성을 갖는다. 따라서, 유기발광다이오드 표시장치의 제조 과정에서는 유기발광다이오드 소자(OLED)를 밀봉시켜 수분 및 산소가 침투하지 못하도록 하는 봉지(encapsulation) 공정이 요구된다.

봉지 기술은 UV 실링(ultra violet sealing)법과 프릿 실링(frit sealing)법을 포함한 에지 실링(edge sealing) 기술과, 페이스 실링(face sealing) 기술이 알려져 있다. UV 실링법은 유리 봉지 기판과 흡습제를 이용하는 방법으로 가장 오래된 것이다. 소형 제품에 주로 사용되는 프릿 실링법은 저온 프릿(frit)을 이용하여 기판과 봉지 기판을 밀봉하는 방식으로 밀봉 특성이 가장 우수하나 외부 충격에 약하여 대형 기판에 적용하는 데 한계가 있다. 대형 제품 적용시 외부 충격 문제를 해결하기 위하여 개발되고 있는 밀봉 방식이 페이스 실링 기술이다. 페이스 실링 기술은 봉지 기판과 OLED 기판 사이의 빈 공간 전체를 유기물을 이용하여 충진하는 방식이다. 충진 유기물로는 페이스 실링 필름이 주로 이용된다.

충진 유기물은 그 특성상 수분 및 산소를 막는 능력이 무기물에 비해 떨어져 픽셀 수축을 야기할 수 있다. 하여, 일반적으로 페이스 실링 기술은 유기물 충진에 앞서 유기발광다이오드 소자(OLED)를 무기물로 패시베이션(passivation)시켜 외부 충격이나 수분 및 산소로부터 유기발광다이오드 소자(OLED)를 보호한다. 이러한 기존의 페이스 실링 기술을 도 1을 참조하여 간략히 살펴보면 다음과 같다.

페이스 실링 기술은 도 1과 같이 크게 패시베이션 단계, 봉지 단계, 및 스크라이빙 단계로 나눠진다.

패시베이션 단계에서는, 유기발광다이오드 소자(2)가 형성된 마더(mother) 기판(1) 상에 스퍼터링(sputtering)과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition) 공정 또는, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 무기물이 증착되어 패시베이션 층(3)이 형성된다. 패시베이션 층(3)은 유기발광다이오드 소자(2)를 포함한 유효 표시영역(AA)을 충분히 덮도록 형성된다. 다만, 패시베이션 층(3)은 드라이버 IC(Integrated Circuit)나 FPC(Flexible Printed Circuit)가 접촉될 패드부(4)의 형성 영역 즉 패드 영역(PA)에는 형성되지 말아야 한다. 이를 위해, 패시베이션 층(3)의 형성 시에는, 패드 영역(PA)에 패시베이션 층(3)이 증착되는 것을 막기 위한 마스크(5)가 반드시 필요하다.

봉지 단계에서는, 패시베이션 층(3)과 봉지 기판(7) 사이를 유기 재질의 페이스 실링 필름(6)으로 충진하여 밀봉한다. 그리고, 스크라이빙 단계에서는, 마더 기판(1)과 봉지 기판(7)을 패널 단위로 절단하여 개별 소자화한다.

그런데, 도 1과 같은 기존의 페이스 실링 기술에서는 패시베이션 층(3)의 선택적인 증착을 위해 불가피하게 적용되는 마스크(5)로 인해 많은 문제점들이 초래된다.

그 예로서, 도 2a와 같이 마스크(5)의 들뜸 또는 마스크(5)의 미스 얼라인에 따른 침투 성막 불량, 도 2b와 같이 마스크(5)의 이물 유발에 의한 성막 품질 저하, 도 2c와 같이 마스크(5)에 기인한 공정 챔버 내에서의 아크(arc) 발생, 도 2d와 같이 마스크(5) 재질에 의한 증착막 특성 변화, 도 2e와 같이 마스크(5)에 의한 정전기 유발 등이 있다.

마스크(5)에 의해 유발되는 상기와 같은 문제점들은 수율을 크게 떨어뜨리는 요인이 된다. 또한, 상기와 같은 마스크(5)는 고가의 미세 얼라인 시스템(fine align system)을 요구하므로, 고가의 장비 제작과 유지에 추가로 많은 비용이 소요되며, 미세 얼라인 공정에 따른 택 타임(tact time) 증가와 생산성 저하가 수반된다.

따라서, 본 발명의 목적은 수율을 높이고 제조 비용 및 시간을 줄일 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 다수의 유효 표시영역들과 패드 영역들을 각각 갖는 다수의 단위 패널들이 형성될 다면취 마더 기판을 준비하는 단계; 상기 유효 표시영역들 각각에 TFT 어레이와 유기발광다이오드 소자를 형성하고, 상기 패드 영역들 각각에 패드부와 상기 패드부를 덮는 희생층을 형성하는 단계; 상기 유기발광다이오드 소자와 상기 희생층을 덮도록 상기 마더 기판의 전면에 패시베이션 층을 형성하는 단계; 상기 패시베이션 층과 봉지 기판 사이를 페이스 실링 필름으로 충진하여 상기 패널들을 밀봉한 후, 상기 마더 기판에 마련된 스크라이빙 라인들을 따라 상기 단위 패널들을 개별적으로 절단하는 단계; 상기 패시베이션 층을 통해 스트립퍼가 상기 희생층으로 침투할 수 있도록 세정하는 단계; 및 리프트 오프 공정을 통해 상기 희생층과 함께 그 위의 패시베이션 층을 부분적으로 제거하여 상기 패드부를 노출시키는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 유기발광다이오드 소자의 패시베이션 공정에서의 마스크로 인해 초래되던 침투 성막, 이물 발생, 아크 발생, 정전기 유발 및 막 특성 변화 등의 고질 불량들을 제거하여 수율을 크게 높일 수 있는 효과가 있다.

나아가, 본 발명은 간편한 리프트 오프 공정을 통해 패시베이션 장비 구성을 단순화하여 얼라인 장비 제작 및 유지에 소요되던 비용을 절감할 수 있음은 물론이거니와 공정 단순화에 의한 생산성을 크게 높이는 효과가 있다.

도 1은 기존의 페이스 실링 기술을 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 기존의 페이스 실링 기술에서 초래되는 문제점들을 보여주는 도면들.
도 3은 다수의 표시 패널들이 형성되는 4면취 마더 기판의 일 예를 보여주는 도면.
도 4a 내지 도 4e는 도 3과 같은 마더 기판에 유기발광다이오드 표시장치를 형성하기 위한 일 예를 순차적으로 보여주는 도면들.
도 5a 내지 도 5c는 유기발광다이오드 소자의 유기화합물층과 함께 희생층을 동시에 형성할 수 있는 열 증착 마스크의 예들을 보여주는 도면들.
도 5d는 유기발광다이오드 소자의 유기화합물층만을 형성할 수 있는 열 증착 마스크를 보여주는 도면.
도 6a 내지 도 6c는 각각 도 5a 내지 도 5c의 열 증착 마스크 하에서 3중층으로 이루어지는 희생층의 단면을 보여주는 도면들.
도 7은 세정 공정 전후에 있어 현미경 이미지를 비교한 실험 결과를 보여주는 도면.
도 8a 내지 도 8e는 도 3과 같은 마더 기판에 유기발광다이오드 표시장치를 형성하기 위한 다른 예를 순차적으로 보여주는 도면들.

이하, 도 3 내지 도 8e를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다.

도 3은 다수의 표시패널들이 형성되는 4면취 마더 기판의 일 예를 보여준다.

도 3을 참조하면, 마더 기판에는 스크라이빙 라인들(100)을 따라 개별적으로 절단되는 4개의 단위 패널들이 형성된다. 각 단위 패널은 유기발광다이오드 소자에서 생성된 빛으로 화상을 표시하는 유효 표시영역(AA)과, 드라이버 IC(Integrated Circuit)나 FPC(Flexible Printed Circuit)가 접촉될 패드부(4)가 형성되는 패드 영역(PA)을 포함한다.

도 4a 내지 도 4e는 도 3과 같은 마더 기판에 유기발광다이오드 표시장치를 형성하기 위한 일 예를 순차적으로 보여준다. 도 4a 내지 도 4e는 각각 공정 수순에 따른 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'에 대한 절취면을 보여준다.

유기발광다이오드 소자(20) 및 희생층(25) 형성 공정은 도 4a와 같다.

도 4a를 참조하면, 마더 기판(10)의 유효 표시영역들(AA)에는 각각 유기발광다이오드 소자(20)가 형성된다. 유기발광다이오드 소자(20)는 애노드와 캐소드, 그리고 이들 사이에 형성된 유기 화합물층을 구비한다. 유기발광다이오드 소자(20)는 캐소드 상에 형성된 캡핑층(capping layer, CPL)을 더 구비한다.

애노드는 스퍼터링 공정으로 유효 표시영역(AA)에 증착된 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 픽셀 단위로 패터닝된다. 애노드는 콘택홀을 통해 그 하부의 TFT 어레이(Thin Film Transistor Array)에 접촉될 수 있다. TFT 어레이는 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 형성되는 게이트 라인, 데이터 라인, 구동 TFT, 스위치 TFT, 스토리지 커패시터, 절연층 등을 포함할 수 있다.

유기 화합물층은 도 5a 내지 도 5d 중 적어도 어느 하나의 열 증착 마스크를 이용한 열 증착(thermal evaporation) 공정으로 유효 표시영역(AA)의 애노드 상에 순차적으로 형성되는 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드와 유기 화합물층 사이에는 이웃한 픽셀들 사이를 구획하기 위한 뱅크 패턴과 스페이서가 형성될 수 있다.

캐소드는 유효 표시영역(AA)의 유기화합물층 상에 열 증착 공정으로 증착된다. 캡핑층(CPL)은 캐소드 상에 열 증착 공정으로 증착된다. 캡핑층(CPL)은 후술할 패시베이션 층(30) 형성 공정에서의 플라즈마 데미지로부터 유기발광다이오드 소자(20)를 보호하고, 패시베이션 층(30)과 유기발광다이오드 소자(20) 간 스트레스를 완충시키는 역할을 한다.

마더 기판(10)의 패드 영역들(PA)에는 각각 패드부(40)와, 이 패드부(40)를 덮는 희생층(25)이 형성된다. 패드부(40)는 TFT 어레이의 제조 과정에서 형성될 수 있다. 희생층(25)은 유기 화합물층의 제조 과정에서 유기 화합물층과 함께 형성된다. 희생층(25)은 도 5a 내지 도 5c 중 어느 하나의 열 증착 마스크를 통해 형성될 수 있으며, 이러한 열 증착(thermal evaporation) 공정에 의해 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 어느 한 층 이상을 포함할 수 있다. 도 5a 내지 도 5c와 같은 열 증착 마스크는 도 5d와 같은 기존에 사용되던 열 증착 마스크에 대한 변형으로 손쉽게 달성될 수 있다.

패시베이션 층(30) 형성 공정은 도 4b와 같다.

도 4b를 참조하면, 유기발광다이오드 소자(20)와 희생층(25)이 형성된 마더 기판(10) 상에 스퍼터링(sputtering)과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition) 공정 또는, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 무기 재질의 패시베이션 층(30)이 증착된다. 패시베이션 층(30)은 유기발광다이오드 소자(20)는 물론이거니와 희생층(25)까지 모두 덮도록 마더 기판(10)의 전 영역에 형성된다. 따라서, 본 발명은 패시베이션 층(30) 형성시 기존과 같은 별도의 메탈 마스크가 불필요하여 메탈 마스크로 인한 종래의 문제점들을 일거에 제거할 수 있게 된다.

패시베이션 층(30)의 증착 밀도는 다른 영역에 비해 희생층(25) 상에서 매우 낮아지며, 패시베이션 층(30)과 희생층(25) 간의 계면은 매우 불안정하게 된다. 이는 희생층(25)이 캡핑층(CPL)이나 캐소드로 덮힘이 없이 플라즈마 데미지에 취약한 유기화합물층 만으로 이루어져 있어, 패시베이션 층(30)의 증착 과정에서 희생층(25)이 플라즈마에 의해 데미지를 입기 때문이다. 패시베이션 층(30)의 증착 밀도가 낮거나 패시베이션 층(30)과 희생층(25) 간의 계면이 불안정할수록 후술할 세정 공정에서의 스트립퍼(stripper)의 침투가 용이해진다.

봉지 및 스크라이빙 공정은 도 4c와 같다.

도 4c를 참조하면, 패시베이션 층(30)과 봉지 기판(60) 사이에 협지되는 유기 재질의 페이스 실링 필름(50)에 온도를 가하여 패시베이션 층(30)과 봉지 기판(60) 사이를 페이스 실링 필름(6)으로 충진함으로써, 마더 기판(10) 상의 표시패널들을 밀봉한다. 이어서, 스크라이빙 라인들(100)을 따라 마더 기판(10)을 절단하여 패널 단위로 개별 소자화한다.

세정 및 리프트 오프 공정은 각각 도 4d 및 도 4e와 같다.

도 4d를 참조하면, 초음파 세정기 등을 이용하여 세정 공정이 진행된다. 세정 과정에서 스트립퍼(stripper)는 희생층(25) 상에서 증착 밀도가 낮아진 패시베이션 층(30)의 계면으로 쉽게 침투된다. 이러한 스트립퍼는 DI 워터(deionized water)로 선택될 수 있다. 한편, 스트립퍼는 패시베이션 층(30)의 계면을 침투하여 그 하부의 희생층(25)의 일부 또는 전부를 녹일 수 있는 유기용매로 선택될 수도 있다.

도 4e를 참조하면, 패시베이션 층(30)의 계면으로 침투된 스트립퍼에 의해 리프트 오프(lift-off) 공정이 진행된다. 리프트 오프 공정으로 인해 희생층(25) 상의 패시베이션 층(30')은 쉽게 제거되어 패드 영역(PA)에서 패드부(40)를 노출시킨다.

도 5a 내지 도 5c는 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층과 함께 희생층(25)을 동시에 형성할 수 있는 열 증착 마스크의 예들을 보여준다. 도 5d는 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층만을 형성할 수 있는 열 증착 마스크를 보여준다. 도 6a 내지 도 6c는 각각 도 5a 내지 도 5c의 열 증착 마스크 하에서 3중층으로 이루어지는 희생층(25)의 단면을 보여준다.

위에서 설명했듯이 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층은 5개의 공정 챔버들을 통해 개별적으로 증착되는 5개의 층들(HIL,HTL,EML,ETL,EIL)로 이루어져 있다. 그리고, 희생층(25)은 상기 5개의 층들 중 비교적 플라즈마 데미지에 취약한 적어도 한 층 이상을 포함할 수 있다. 열 증착 마스크는 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층과 희생층(25)을 동시에 형성하는 경우에는 도 5a 내지 도 5c 중 어느 하나로 선택될 수 있는 반면, 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층만을 형성하는 경우에는 도 5d로 선택될 수 있다. 예컨대, 정공 수송층(HTL), 발광층(EML) 및 전자 수송층(ETL)의 3중층으로 희생층(25)의 재료가 선택되는 경우, 상기 3중층(HTL,EML,ETL)은 도 5a 내지 도 5c 중 어느 하나에 의해 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층과 희생층(25)으로 동시에 형성되고, 나머지 2중층(HIL,EIL)은 도 5d에 의해 유기발광다이오드 소자(20)의 유기화합물층으로 형성될 수 있다.

도 5a의 열 증착 마스크는 마더 기판(10)의 유효 표시영역들(AA)을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들(OP1)과, 마더 기판(10)의 패드 영역들(PA)을 노출시키며 마더 기판(10)의 가로(X) 방향 및 세로(Y) 방향의 스크라이빙 라인들(100)과 비 중첩(non-overlap)되도록 얼라인되는 제2 개구부들(OP2)을 포함한다. 제2 개구부(OP2)의 가로(X) 폭은 제1 개구부(OP1)의 가로(X) 폭과 실질적으로 동일하거나 또는 동일하지 않을 수 있다.

도 5a와 같은 열 증착 마스크로 형성되는 희생층(25)의 단면은 도 6a와 같다. 도 5a와 같은 열 증착 마스크는 제작에 유리하다. 다만, 도 6a와 같이 희생층(25)의 측면이 외부로 노출되지 않기 때문에 도 5b나 도 5c에 비해 스트립퍼 침투가 어렵다.

도 5b의 열 증착 마스크는 마더 기판(10)의 유효 표시영역들(AA)을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들(OP1)과, 마더 기판(10)의 패드 영역들(PA)을 노출시키며 마더 기판(10)의 세로(Y) 방향의 스크라이빙 라인들(100)과 중첩(overlap)되도록 얼라인되는 제2 개구부들(OP2)를 포함한다. 제2 개구부(OP2)의 가로(X) 폭은 제1 개구부(OP1)의 가로(X) 폭보다 크다. 제2 개구부(OP2)는 가로(X) 방향으로 이웃한 단위 패널들에서 공통된다.

도 5b와 같은 열 증착 마스크로 형성되는 희생층(25)의 단면은 도 6b와 같다. 도 5b와 같은 열 증착 마스크에 의하면, 도 6b와 같이 희생층(25)의 측면이 외부로 노출되기 때문에 스트립퍼 침투가 용이하게 되어 리프트 오프 공정이 보다 수월해진다. 다만, 마스크의 견고성이 떨어지므로 제작이 쉽지 않다.

도 5c의 열 증착 마스크는 마스크 제작과 스트립퍼 침투가 용이하도록 2종의 마스크를 포함한다. 마스크 A는 도 5a와 실질적으로 동일하다. 마스크 B는 마더 기판(10)의 유효 표시영역들(AA)을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들(OP1)과, 마더 기판(10)의 패드 영역들(PA)을 비 노출시키며 마더 기판(10)의 세로(Y) 방향의 스크라이빙 라인들(100)과 중첩(overlap)되도록 얼라인되는 제3 개구부들(OP3)를 포함한다. 제3 개구부(OP3)의 가로(X) 폭은 제1 개구부(OP1)의 가로(X) 폭보다 작다. 마스크 A와 마스크 B를 중첩 시킬때, 제2 개구부들(OP2)와 제3 개구부들(OP3)에 의해 도 5b와 유사한 효과가 창출된다.

도 5c와 같은 열 증착 마스크들로 형성되는 희생층(25)의 단면은 도 6c와 같다. 도 5c와 같은 열 증착 마스크들에 의하면, 마스크의 견고성을 유지하면서도 도 6c와 같이 희생층(25)의 일부 측면이 외부로 노출되기 때문에 스트립퍼 침투가 용이하게 되어 리프트 오프 공정이 보다 수월해진다.

도 5d의 열 증착 마스크는 마더 기판(10)의 유효 표시영역들(AA)을 노출시키도록 얼라인되는 개구부들(OP)만을 포함하고 있다.

도 7은 세정 공정 전후에 있어 현미경 이미지를 비교한 실험 결과이다.

도 7을 참조하면, 세정 후에 있어 광학 현미경 이미지의 비교 결과 세정 전에 비해 희생층 증착 영역과 희생층 미증착 영역 간 차이점이 확연하게 두드러짐을 확인할 수 있었다. 이를 통해 희생층 증착 영역에서의 리프트 오프 공정이 순조롭게 진행되었음을 알 수 있었다.

또한, PL(Photoluminescence) 현미경으로 관찰했을 때, 세정 전에는 희생층 증착 영역에 발광이 확인되었으나, 세정 후에는 발광이 확인되지 않았다. 이를 통해 희생층 증착 영역에서의 리프트 오프 공정이 순조롭게 진행되었음을 알 수 있었다.

도 8a 내지 도 8e는 도 3과 같은 마더 기판에 유기발광다이오드 표시장치를 형성하기 위한 다른 예를 순차적으로 보여준다. 도 8a 내지 도 8e는 각각 공정 수순에 따른 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'에 대한 절취면을 보여준다.

도 8a 내지 도 8e에서는 희생층(125)의 재질과 희생층(125) 형성을 위한 마스크를 제외한, 나머지 공정 수순은 도 4a 내지 도 4e에서 설명한 것과 유사하다.

희생층(125)은 도 4a 내지 도 4e에서와 달리 TFT 어레이의 제조 과정에서 TFT 어레이와 함께 형성될 수 있다. 희생층(125)은 TFT 어레이의 포토리소그래피 공정에서 이용되는 포토 레지스트(photo resist)로 선택될 수 있다. 그리고, 희생층(125) 형성을 위한 마스크는 TFT 어레이의 포토리소그래피 공정에서 이용되는 마스크를 변형(패드 영역을 차단하지 않고 노출함)하면 쉽게 만들어질 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 유기발광다이오드 소자의 패시베이션 공정에서의 메탈 마스크로 인해 초래되던 침투 성막, 이물 발생, 아크 발생, 정전기 유발 및 막 특성 변화 등의 고질 불량들을 제거하여 수율을 크게 높일 수 있는 효과가 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

10 : 마더 기판 20 : 유기발광다이오드 소자
25, 125 : 희생층 30 : 패시베이션 층
40 : 패드부 50 : 페이스 실링 필름
60 : 봉지 기판

Claims

다수의 유효 표시영역들과 패드 영역들을 각각 갖는 다수의 단위 패널들이 형성될 다면취 마더 기판을 준비하는 단계;
상기 유효 표시영역들 각각에 TFT 어레이와 유기발광다이오드 소자를 형성하고, 상기 패드 영역들 각각에 패드부와 상기 패드부를 덮는 희생층을 형성하는 단계;
상기 유기발광다이오드 소자와 상기 희생층을 덮도록 상기 마더 기판의 전면에 패시베이션 층을 형성하는 단계;
상기 패시베이션 층과 봉지 기판 사이를 페이스 실링 필름으로 충진하여 상기 패널들을 밀봉한 후, 상기 마더 기판에 마련된 스크라이빙 라인들을 따라 상기 단위 패널들을 개별적으로 절단하는 단계;
상기 패시베이션 층을 통해 스트립퍼가 상기 희생층으로 침투할 수 있도록 세정하는 단계; 및
리프트 오프 공정을 통해 상기 희생층과 함께 그 위의 패시베이션 층을 부분적으로 제거하여 상기 패드부를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 희생층은 상기 유기발광다이오드 소자의 제조 과정에서 유기 화합물층과 함께 형성되며;
상기 희생층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 상대적으로 플라즈마 데미지에 취약한 적어도 어느 한 층 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 2 항에 있어서,
상기 패시베이션 층은 PVD(Physical Vapor Deposition) 공정 또는, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 3 항에 있어서,
상기 희생층과의 반응으로 인해, 상기 패시베이션 층의 증착 밀도가 다른 영역보다 상기 희생층 상에서 더 낮거나 상기 패시베이션 층과 희생층 간의 계면이 더 불안정해지며;
상기 패시베이션 층의 증착 밀도가 낮거나 상기 계면이 불안정해질수록 상기 스트립퍼의 침투가 더 용이해지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 4 항에 있어서,
상기 유기발광다이오드 소자는 상기 플라즈마 데미지로부터 보호받을 수 있도록 상기 패시베이션 층과 접하는 계면에 형성된 캡핑층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 스트립퍼는 DI 워터(deionized water) 또는, 상기 패시베이션 층의 계면을 침투하여 상기 희생층 중 일부 또는 전부를 녹일 수 있는 유기용매로 선택가능한 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 2 항에 있어서,
상기 희생층 형성을 위한 열 증착 마스크는,
상기 유효 표시영역들을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들과;
상기 패드 영역들을 노출시키며 상기 마더 기판의 가로 방향 및 세로 방향의 스크라이빙 라인들과 비 중첩되도록 얼라인되는 제2 개구부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 2 항에 있어서,
상기 희생층 형성을 위한 열 증착 마스크는,
상기 유효 표시영역들을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들과;
상기 패드 영역들을 노출시키며 상기 마더 기판의 세로 방향의 스크라이빙 라인들과 중첩되도록 얼라인되는 제2 개구부들을 포함하고;
상기 제2 개구부들의 가로 폭은 상기 제1 개구부들의 가로 폭보다 크고, 상기 제2 개구부들 각각은 가로 방향으로 이웃한 단위 패널들에서 공유되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 2 항에 있어서,
상기 희생층 형성을 위한 열 증착 마스크는 제1 마스크와 제2 마스크를 구비하고;
상기 제1 마스크는, 상기 유효 표시영역들을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들과, 상기 패드 영역들을 노출시키며 상기 마더 기판의 가로 방향 및 세로 방향의 스크라이빙 라인들과 비 중첩되도록 얼라인되는 제2 개구부들을 포함하고;
상기 제2 마스크는, 상기 유효 표시영역들을 노출시키도록 얼라인되는 제1 개구부들과, 상기 패드 영역들을 비 노출시키며 상기 마더 기판의 세로 방향의 스크라이빙 라인들과 중첩되도록 얼라인되는 제3 개구부들을 포함하며, 상기 제3 개구부들의 가로 폭이 상기 제1 개구부들의 가로 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 희생층은 상기 TFT 어레이의 제조 과정에서 상기 TFT 어레이와 함께 형성되며;
상기 희생층은 상기 TFT 어레이에 대한 포토리소그래피 공정에 이용되는 포토 레지스트(photo resist)로 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.