KR101811534B1 - Plasma processing apparatus having electro conductive parts and method of manufacturing the parts - Google Patents

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Abstract

The present invention discloses a plasma processing device which has an excellent corrosion resistance with respect to plasma, ensures uniformity of plasma distribution and has an edge ring with a simple structure, and a manufacturing method of the edge ring. The device and the method comprise a component which is located in a chamber forming a reaction space for plasma treatment and is in contact with the plasma. The component is composed of metal oxide having plasma corrosion resistance. The metal oxide has a resistivity of 10^3 to 10^-6 cm by any one selected from oxide vacancy or metal crystal precipitate or a combination thereof.

Description

전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 부품의 제조방법{Plasma processing apparatus having electro conductive parts and method of manufacturing the parts}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus including an electrically conductive part and a method of manufacturing the same,

본 발명은 플라즈마 처리장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마에 대한 내식성이 높으며 도전성이 부여된 부품들이 장착된 플라즈마 처리장치 및 그 부품의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus and a method of manufacturing the plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus having a plasma processing apparatus and a plasma processing apparatus.

플라즈마 처리장치는 챔버 내에 상부전극과 하부전극을 배치하고, 하부전극의 위에 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등의 기판을 탑재하여, 양 전극 사이에 전력을 인가한다. 양 전극 사이의 전계에 의해서 가속된 전자, 전극으로부터 방출된 전자, 또는 가열된 전자가 처리가스의 분자와 전리 충돌을 일으켜, 처리가스의 플라즈마가 발생한다. 플라즈마 중의 래디컬이나 이온과 같은 활성종은 기판 표면에 원하는 미세 가공, 예를 들면 에칭 가공을 수행한다. 최근, 미세전자소자 등의 제조에서의 디자인 룰이 점점 미세화되고, 특히 플라즈마 에칭에서는 더욱 높은 치수 정밀도가 요구되고 있어서, 종래보다도 현격히 높은 전력이 이용되고 있다. 이에 따라, 이트리아와 같이 플라즈마 내식성이 높은 금속산화물이 적용되고 있다. 이러한 플라즈마 처리장치에는 플라즈마에 영향을 받는 에지링, 포커스링, 샤워헤드 등의 부품들이 내장되어 있다.In the plasma processing apparatus, an upper electrode and a lower electrode are disposed in a chamber, and a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate is mounted on the lower electrode, and electric power is applied between both electrodes. Electrons accelerated by an electric field between the electrodes, electrons emitted from the electrodes, or heated electrons collide with molecules of the process gas to generate a plasma of the process gas. Active species such as radicals and ions in the plasma are subjected to desired microfabrication, for example etching, on the substrate surface. 2. Description of the Related Art Recently, design rules for the production of microelectronic devices and the like are becoming finer and, in particular, plasma etching is required to have higher dimensional accuracy. As a result, a metal oxide having high plasma corrosion resistance such as yttria has been applied. In such a plasma processing apparatus, components such as an edge ring, a focus ring, and a shower head influenced by plasma are built in.

상기 에지링의 경우, 전력이 높아지면, 정재파가 형성되는 파장 효과 및 전극 표면에서 전계가 중심부에 집중하는 표피 효과 등에 의해서, 대체로 기판 상에서 중심부가 극대로 되고 에지부가 가장 낮아져서, 기판 상의 플라즈마 분포의 불균일성이 심화된다. 기판 상에서 플라즈마 분포가 불균일하면, 플라즈마 처리가 일정하지 않게 되어 미세전자소자의 품질이 저하된다. 국내공개특허 제2009-0101129호는 서셉터와 에지부 사이에 유전체를 두어 플라즈마 분포의 균일성을 도모하고자 하였다. 하지만, 상기 특허는 구조가 복잡하고, 유전체 및 에지부 사이의 정밀한 설계가 어려운 문제가 있다.In the case of the above-mentioned edge ring, as the power increases, the central part becomes the maximum on the substrate and the edge part becomes the lowest by the wavelength effect where the standing wave is formed and the skin effect where the electric field concentrates on the central part on the electrode surface. The nonuniformity is increased. If the plasma distribution is uneven on the substrate, the plasma treatment is not constant and the quality of the fine electronic device is deteriorated. Korean Patent Laid-Open No. 2009-0101129 attempts to provide uniformity of plasma distribution by placing a dielectric between the susceptor and the edge portion. However, the above-mentioned patent has a complicated structure, and it is difficult to precisely design between the dielectric and the edge portion.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 플라즈마에 대한 내식성이 우수하고 플라즈마 분포의 균일성을 확보하며, 전기전도도 및 열전도도를 개선하고 구조가 간단한 에지링을 포함하는 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 부품의 제조방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus comprising an electrically conductive part having excellent corrosion resistance to plasma, ensuring uniformity of plasma distribution, improving electrical conductivity and thermal conductivity, And a method of manufacturing the component.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치는 플라즈마 처리를 위한 반응공간을 형성하는 챔버 및 상기 챔버의 내부에 위치하고 상기 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함한다. 이때, 상기 부품은 플라즈마 내식성이 있는 금속산화물로 이루어지며, 상기 금속산화물은 산소 공공 또는 금속결정 석출물 중에 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합에 의해 비저항 103~10-6Ωcm을 갖는다. A plasma processing apparatus including an electrically conductive part for solving the problems of the present invention includes a chamber forming a reaction space for plasma processing and a part located inside the chamber and in contact with the plasma. At this time, the part is made of a metal oxide having plasma corrosion resistance, and the metal oxide has a resistivity of 10 3 to 10 -6 ? Cm by any one selected from oxygen vacancies or metal oxide precipitates or a combination thereof.

본 발명의 장치에 있어서, 상기 부품은 에지링, 포커스링 또는 샤워헤드 중에 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 부품은 서셉터에 안치된 기판의 가장자리를 압착하는 에지링이고, 상기 플라즈마의 분포는 상기 기판의 가장자리를 벗어나 확장된다. 상기 금속산화물은 이트리아일 수 있으며, 상기 금속산화물은 지르코니아가 포함된 이트리아일 수 있다. 상기 금속결정의 석출은 상기 금속원자가 확산하여 형성되고, 상기 금속산화물과 결정구조가 다른 결정립계를 이룰 수 있다.In the apparatus of the present invention, the part may be any one selected from an edge ring, a focus ring, or a shower head. The part is an edge ring for pressing the edge of the substrate held in the susceptor, and the distribution of the plasma extends beyond the edge of the substrate. The metal oxide may be yttria, and the metal oxide may be yttria containing zirconia. The precipitation of the metal crystal may be formed by diffusion of the metal atoms, and the crystal structure may be different from that of the metal oxide.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법의 하나는 플라즈마 처리를 위한 반응공간을 형성하는 챔버 및 상기 챔버의 내부에 위치하고 상기 플라즈마와 접촉하는 부품을 제조하는 방법에 있어서, 상기 부품은 플라즈마 내식성이 있는 금속산화물을 소결하고, 상기 소결된 금속산화물을 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기에서 800℃~2,000℃에서 열처리하여 산소 공공을 형성하거나 또는 금속결정 석출물을 석출시키는 방법 중에 선택된 어느 하나의 방법 또는 그 방법들의 조합에 의해 형성되고, 상기 부품의 비저항이 103~10-6Ωcm이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrically conductive part of a plasma processing apparatus, the method including: forming a reaction space for a plasma process; and forming a part in contact with the plasma, , The component is produced by sintering a metal oxide having plasma corrosion resistance and heat-treating the sintered metal oxide at 800 ° C to 2,000 ° C in an atmosphere having an oxygen partial pressure lower than atmospheric pressure to form an oxygen vacancy or precipitate a metal crystal precipitate Is formed by any one of the selected methods or a combination of the methods, and the specific resistance of the part is 10 3 to 10 -6 ? Cm.

본 발명의 하나의 방법에 있어서, 기 부품은 에지링, 포커스링 또는 샤워헤드 중에 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 부품은 서셉터에 안치된 기판의 가장자리를 압착하는 에지링이고, 상기 플라즈마의 분포는 상기 기판의 가장자리를 벗어나 확장될 수 있다.In one method of the present invention, the base component may be any one selected from an edge ring, a focus ring, or a showerhead. The part is an edge ring that presses the edge of the substrate held in the susceptor, and the distribution of the plasma can extend beyond the edge of the substrate.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법의 다른 하나는 플라즈마 처리를 위한 반응공간을 형성하는 챔버 및 상기 챔버의 내부에 위치하고 상기 플라즈마와 접촉하는 부품을 제조하는 방법에 있어서, 상기 부품은 플라즈마 내식성이 있는 금속산화물을 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기에서 800℃~2,000℃의 소결온도에서 소결하여 산소 공공을 형성하거나 금속결정 석출물을 석출시키는 방법 중에 선택된 어느 하나의 방법 또는 그 방법들의 조합에 의해 형성되고, 상기 부품의 비저항이 103~10-6Ωcm이다.Another method of manufacturing an electrically conductive part of a plasma processing apparatus for solving the problems of the present invention includes a chamber forming a reaction space for plasma processing and a method of manufacturing a part located inside the chamber and in contact with the plasma Wherein the component is selected from the group consisting of a method of sintering a metal oxide having plasma corrosion resistance at an sintering temperature of 800 ° C to 2,000 ° C in an atmosphere having an oxygen partial pressure lower than atmospheric pressure to form oxygen vacancies or precipitate a metal crystal precipitate, And the resistivity of the part is 10 < 3 > to 10 < -6 > [Omega] cm.

본 발명의 다른 방법에 있어서, 상기 부품은 에지링, 포커스링 또는 샤워헤드 중에 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 부품은 서셉터에 안치된 기판의 가장자리를 압착하는 에지링이고, 상기 플라즈마의 분포는 상기 기판의 가장자리를 벗어나 확장될 수 있다. 상기 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기는 진공, 환원성 가스 및 불활성 가스 중에 선택된 어느 하나로 구현될 수 있다. 상기 환원성 분위기는 수소 가스, 암모니아 가스, 일산화탄소 및 이산화탄소 중에 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.In another method of the present invention, the part may be any one selected from an edge ring, a focus ring, or a shower head. The part is an edge ring that presses the edge of the substrate held in the susceptor, and the distribution of the plasma can extend beyond the edge of the substrate. The atmosphere in which the oxygen partial pressure is lower than the atmospheric pressure may be any one selected from a vacuum, a reducing gas and an inert gas. The reducing atmosphere may be formed of at least one selected from hydrogen gas, ammonia gas, carbon monoxide and carbon dioxide.

본 발명의 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 부품의 제조방법에 의하면, 플라즈마 내식성이 우수한 금속산화물에 산소공공 또는 금속결정 석출로 전기전도성이 부여된 부품을 사용함으로써, 플라즈마에 대한 내식성이 우수하고, 플라즈마 분포의 균일성을 확보하며, 구조가 간단하다. 또한, 금속산화물을 열처리 및 소결하는 조건을 변경하여, 금속산화물의 전기전도도 및 열전도도를 자유롭게 조절할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the plasma processing apparatus including the electrically conductive component of the present invention and the method of manufacturing the component, by using a component that is imparted with electrical conductivity by oxygen vacancy or metal crystal precipitation to a metal oxide excellent in plasma corrosion resistance, The plasma distribution uniformity is ensured, and the structure is simple. Further, the conditions for the heat treatment and the sintering of the metal oxide can be changed to freely control the electric conductivity and the thermal conductivity of the metal oxide.

도 1 및 도 2는 본 발명에 의한 에지링이 장착된 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 3은 본 발명에 의한 에지링에 적용되는 금속산화물의 격자구조에 산소공공이 형성되는 과정을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 에지링에 적용되는 금속산화물의 격자구조에 금속결정 석출물이 형성되는 과정을 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 1 and 2 are views schematically showing a plasma processing apparatus equipped with an edge ring according to the present invention.
3 is a schematic view for explaining a process of forming oxygen vacancies in a lattice structure of a metal oxide applied to an edge ring according to the present invention.
4 is a schematic view for explaining a process of forming a metal oxide precipitate on a lattice structure of a metal oxide to be applied to an edge ring according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다음에서 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described below can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.

본 발명의 실시예는 플라즈마 내식성이 우수한 금속산화물에 산소공공 또는 금속결정 석출로 전기전도성이 부여된 부품을 사용함으로써, 플라즈마에 대한 내식성이 우수하고, 플라즈마 분포의 균일성을 확보하며, 구조가 간단한 플라즈마 처리장치 및 그 에지링의 제조방법을 제시한다. 이러한 플라즈마 처리장치에는 플라즈마에 영향을 받는 에지링, 포커스링, 샤워헤드 등의 부품들이 있으며, 여기서는 그 중에서 에지링을 사례로 들어 설명하기로 한다. 이를 위해, 본 발명의 에지링이 적용되는 플라즈마 처리장치에 대하여 구체적으로 알아보고, 상기 금속산화물에 전기전도성을 부여하는 방법을 상세하게 설명하기로 한다. 한편, 상기 금속산화물의 전기전도도가 커지면, 열전도도도 함께 증가한다. The embodiment of the present invention uses a part of the metal oxide having excellent plasma corrosion resistance and imparted with electric conductivity by oxygen vacancy or precipitation of metal crystals to thereby provide an excellent corrosion resistance to plasma, ensure uniformity of plasma distribution, A plasma processing apparatus and a method of manufacturing an edge ring thereof. Such a plasma processing apparatus includes components such as an edge ring, a focus ring, and a shower head that are affected by a plasma. Here, an edge ring will be described as an example. To this end, a plasma processing apparatus to which the edge ring of the present invention is applied will be described in detail, and a method for imparting electrical conductivity to the metal oxide will be described in detail. On the other hand, as the electrical conductivity of the metal oxide increases, the thermal conductivity also increases.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 에지링이 장착된 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 도면들이다. 본 발명의 범주 내에서 제시된 장치 이외에도 다양한 플라즈마 처리장치에 적용될 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 에지링은 기판의 가장자리에 위치하여 상기 기판을 압착하는 것을 모두 포함하며, 여기서는 하나의 예를 제시한 것에 불과하다.1 and 2 are views schematically showing a plasma processing apparatus equipped with an edge ring according to an embodiment of the present invention. But may be applied to various plasma processing apparatuses other than the apparatuses presented within the scope of the present invention. Specifically, the edge ring of the present invention includes both the edge of the substrate and the pressing of the substrate, which is merely an example.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 처리장치는 챔버(10), 서셉터(20), 샤워헤드(30) 및 에지링(40)을 포함하여 이루어진다. 챔버(10)는 반응공간을 정의하며, 서셉터(20)는 상면에 기판(50)을 탑재하고 상하운동을 한다. 경우에 따라, 서셉터(20)는 고정되어 움직이지 않을 수 있지만, 여기서는 상하운동을 하는 경우를 예로 들었다. 샤워헤드(30)는 서셉터(20)의 상부에 위치하며, 기판(50)으로 공정가스를 분사한다. 샤워헤드(30)는 가스공급관(12)이 챔버(10)를 관통하여 연결되어, 상기 공정가스를 외부로부터 유입시킨다. 샤워헤드(30)는 가스공급관(12)을 통해 유입된 공정가스가 분사되기 전에 샤워헤드(30) 내부에 균일하게 확산하도록 하는 버퍼공간(31)과, 수많은 관통홀로 구성되는 노즐부(32)를 포함한다. 에지링(40)은 챔버(10)의 내벽에 설치되며 링지지대(42) 위에 위치한다. 1 and 2, the treatment apparatus of the present invention comprises a chamber 10, a susceptor 20, a showerhead 30, and an edge ring 40. The chamber 10 defines a reaction space, and the susceptor 20 mounts the substrate 50 on its upper surface and moves up and down. In some cases, the susceptor 20 may be stationary and not move, but here, the case of vertically moving is taken as an example. The showerhead 30 is located above the susceptor 20 and injects the process gas into the substrate 50. The showerhead 30 is connected through a gas supply pipe 12 to the chamber 10 to introduce the process gas from the outside. The showerhead 30 has a buffer space 31 for uniformly diffusing the process gas introduced through the gas supply pipe 12 into the showerhead 30 before being injected into the showerhead 30 and a nozzle unit 32 composed of a number of through holes, . The edge ring 40 is mounted on the inner wall of the chamber 10 and is located above the ring support 42.

챔버(10)의 외부에는 플라즈마의 발생을 위해 RF전력을 공급하는 RF 전원(16)이 플라즈마전극이나 안테나에 연결된다. 상기 연결 방식은 다양하게 존재하며, 도시된 바와 같이, 플라즈마 전극을 샤워헤드(30)와 일체로 형성하고, 상기 RF전력이 전극의 중심에 인가되도록 하기 위해 가스공급관(12)에 RF전원(16)을 연결될 수 있다. 기판(50)에 입사하는 플라즈마의 에너지를 제어하기 위하여 서셉터(20)에도 별도의 RF전원을 인가되기도 한다. 도시되지는 않았지만, 서셉터(20)에는 기판(50)을 예열하거나 가열하는 히터, 기판(50)의 탑재를 위한 리프트 핀 등을 포함할 수 있다. An RF power supply 16, which supplies RF power for generation of plasma, is connected to the plasma electrode or the antenna outside the chamber 10. As shown, a plasma electrode is integrally formed with the showerhead 30, and an RF power source 16 (not shown) is connected to the gas supply pipe 12 so that the RF power is applied to the center of the electrode. Can be connected. A separate RF power source is also applied to the susceptor 20 in order to control the energy of the plasma incident on the substrate 50. Although not shown, the susceptor 20 may include a heater for preheating or heating the substrate 50, a lift pin for mounting the substrate 50, and the like.

기판(50)이 서셉터(20)에 안치되면, 서셉터(20)가 플라즈마 처리공정의 위치까지 상승한다. 에지링(40)은 기판(50)의 가장자리를 압착하면서 함께 상승한다. 서셉터(20)를 상승시키면, 배기구(14)가 공정균일도에 악영향을 미치는 것을 방지한다. 기판(50)이 공정위치에 놓이면, 샤워헤드(30)를 통해 공정가스를 분사한 후, RF전력을 인가하여 공정가스를 강력한 반응성을 가지는 플라즈마 활성종으로 변환시킨다. 상기 활성종이 기판(50)에 대한 증착, 식각 공정 등을 수행하며, 공정진행 중에 배기구(14)를 통해 공정가스를 일정한 유량으로 배출시킬 수 있다. 소정 시간동안 처리공정을 수행한 후, 배기구(14)로 잔류가스를 배출한다. 이어서, 서셉터(20)를 하강시키고 기판(50)을 챔버(10)로부터 외부로 반출한다. When the substrate 50 is placed on the susceptor 20, the susceptor 20 is raised to the position of the plasma treatment process. The edge ring 40 rises together while squeezing the edge of the substrate 50. Raising the susceptor 20 prevents the vent 14 from adversely affecting process uniformity. When the substrate 50 is in a process position, the process gas is injected through the showerhead 30, and RF power is applied to convert the process gas into a plasma reactive species having strong reactivity. The active paper substrate 50 may be subjected to a deposition process, an etching process, and the like, and the process gas may be discharged at a constant flow rate through the exhaust port 14 during the process. After the treatment process is performed for a predetermined period of time, the residual gas is discharged to the discharge port (14). Subsequently, the susceptor 20 is lowered and the substrate 50 is taken out from the chamber 10 to the outside.

본 발명의 실시예에 의한 에지링(40)은 플라즈마 내식성이 우수한 금속산화물을 채용한다. 상기 금속산화물은 플라즈마 내식성의 요건을 만족하면, 모든 종류의 산화물이 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속산화물은 희토류 산화물, 지르코니아, 알루미나, 실리카, 텅스텐산화물(WO3) 등에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 혼합물이 있다. 희토류 원소는 란탄(lanthanum)계열 원자번호 57~71번의 15개 원소(La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)와 Sc, Y을 합친 17개 원소를 지칭하며, 특히 Y, Gd, Er이 바람직하다. 희토류 원소는 2종 이상의 원소를 혼용하여도 무방하다. 예를 들어, 플라즈마 내식성이 좋은 이트리아와 기계적 굽힘강도가 좋은 지르코니아가 혼합된 이트리아를 적용하여, 우수한 내식성 및 기계적 강도를 동시에 얻을 수 있다. 또한, 상기 금속산화물은 LaNiO3와 같이 다원계 금속산화물도 가능하다. The edge ring 40 according to the embodiment of the present invention employs a metal oxide having excellent plasma corrosion resistance. If the metal oxide meets the requirements for plasma corrosion resistance, all kinds of oxides can be applied. For example, the metal oxide may be any one selected from rare earth oxides, zirconia, alumina, silica, tungsten oxide (WO 3 ), or a mixture thereof. The rare earth element includes 15 elements (La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) of lanthanum series , And Y, and Y, Gd and Er are particularly preferable. The rare earth element may be mixed with two or more kinds of elements. For example, yttria having good plasma corrosion resistance and yttria mixed with zirconia having good mechanical bending strength can be applied to obtain excellent corrosion resistance and mechanical strength at the same time. The metal oxide may be a multi-component metal oxide such as LaNiO 3 .

본 발명의 실시예에 의한 에지링(40)의 비저항은 기판(50)과 유사하다. 한편, 플라즈마를 형성하는 전력이 높아지면, 챔버(10) 내에 정재파가 형성되는 파장 효과나 전극 표면에서 전계가 중심부에 집중하는 표피 효과 등에 의해서, 대체로 기판(50)의 중심부가 극대로 되고 가장자리가 가장 낮아져서, 기판(10) 상의 플라즈마의 분포가 불균일하게 된다. 기판(50) 상에서 플라즈마 분포가 불균일하면, 플라즈마 처리가 일정하지 않게 되어 미세전자소자의 품질이 저하된다. 여기서, 플라즈마 분포는 기판(50) 및 에지링(40) 상에 플라즈마가 인가되는 상태를 말하는 것으로, 상기 분포는 기판(50) 및 에지링(40) 각 지점에서의 플라즈마 밀도 및 기판(50)을 향한 직진성과 연관이 있다. The resistivity of the edge ring 40 according to an embodiment of the present invention is similar to the substrate 50. On the other hand, when the electric power for forming the plasma is increased, the central part of the substrate 50 is generally maximized due to the wavelength effect in which the standing wave is formed in the chamber 10, the skin effect in which the electric field concentrates at the central part of the electrode surface, The distribution of the plasma on the substrate 10 becomes uneven. If the plasma distribution on the substrate 50 is nonuniform, the plasma treatment is not constant and the quality of the fine electronic device is deteriorated. Herein, the plasma distribution refers to a state in which plasma is applied on the substrate 50 and the edge ring 40, and the distribution is determined by the plasma density at each point of the substrate 50 and the edge ring 40, To the straight line.

기판(50)의 가장자리 근처(ED)에서, 에지링(40)과의 비저항 차이는 플라즈마 분포 균일성에 큰 영향을 준다. 여기서, 균일성은 플라즈마 분포의 변화 정도를 말하는 것으로, 균일성이 작으면 플라즈마 분포가 급격하게 변하고, 크면 플라즈마 분포의 변화가 완만하다. 에지링(40)과 기판(50)의 비저항 차이가 크면, 플라즈마 분포는 기판(50)의 가장자리에 한정되므로 기판(50)의 가장자리는 상대적으로 낮은 균일성을 가진다. 에지링(40)과 기판(50)의 비저항 차이가 작으면, 플라즈마 분포는 기판(50)의 가장자리를 벗어나 에지링(40)으로 확장되므로, 기판(50)의 가장자리는 상대적으로 높은 균일성을 가진다. 상기 균일성은 플라즈마 밀도 및 기판(50)을 향한 직진성이 우수하다는 것을 의미한다. 도면에서는 기판(50)의 가장자리를 벗어나는 상태를 가장자리 근처(ED)로 표현하였다.The difference in resistivity with the edge ring 40 at the edge ED of the substrate 50 greatly affects the plasma distribution uniformity. Here, the uniformity refers to the degree of change of the plasma distribution. If the uniformity is small, the plasma distribution abruptly changes, and if the uniformity is large, the plasma distribution changes slowly. If the difference in resistivity between the edge ring 40 and the substrate 50 is large, the plasma distribution is limited to the edge of the substrate 50, so that the edge of the substrate 50 has a relatively low uniformity. If the difference in resistivity between the edge ring 40 and the substrate 50 is small the plasma distribution will extend beyond the edge of the substrate 50 and into the edge ring 40 so that the edge of the substrate 50 will have a relatively high uniformity I have. This uniformity means that the plasma density and the straightness toward the substrate 50 are excellent. In the drawing, the state of leaving the edge of the substrate 50 is represented by the edge ED.

소재의 비저항은 다수 자유전하 캐리어(majority free charge carrier)들의 농도 및 이들 캐리어들의 이동도(μ)에 따라 달라지며, 경우에 따라 불순물의 도핑농도에 의해 조절된다. 20℃에서 도핑되지 않은 실리콘의 비저항은 대략 6.40×102Ωcm, 도핑되지 않은 유리의 비저항은 대략 10.0×1010~10.0×1014Ωcm이다. 본 발명의 에지링(40)의 비저항은 103~10- 6Ωcm이 바람직하며, 이에 따라 에지링(40)은 실리콘과 같은 반도체 기판의 플라즈마 처리에 적용되는 것이 좋다. 에지링(40)의 비저항 103~10-6Ωcm은 기판(50)의 가장자리에서 플라즈마 분포를 균일하게 하기 위한 기술적 사상에 근거한다. 이에 따라, 상기 비저항은 상기 기술적 사상을 고려하지 않고, 단순한 반복실험을 통하여 획득할 수 없는 것이다. The resistivity of the material depends on the concentration of the majority free charge carriers and the mobility (μ) of these carriers, and is sometimes controlled by the doping concentration of impurities. The resistivity of undoped silicon in 20 ℃ is about 6.40 × 10 2 Ωcm, the specific resistance of an undoped glass is approximately 10.0 × 10 10 ~ 10.0 × 10 14 Ωcm. The specific resistance of the edge ring 40 of the present invention is 10 3 to 10 6 Ωcm, and preferably, so that the edge ring 40 may be applied to plasma processing of semiconductor substrates such as silicon. The resistivity of the edge ring 40 of 10 < 3 > to 10 < -6 > cm is based on a technical idea for uniforming the plasma distribution at the edge of the substrate 50. [ Accordingly, the resistivity can not be obtained through simple repetitive experiments without considering the technical idea.

본 발명의 실시예에 의한 에지링(40)의 비저항이 기판(50)과 유사하다는 것은 다음과 같은 관점에서 설명될 수 있다. 에지링(40)의 비저항이 기판(50)과 유사하면, 플라즈마 분포는 기판(50)의 가장자리를 벗어나 에지링(40)으로 확장된다. 이에 따라, 본 발명의 에지링(40)의 비저항(ρ)은 기판의 가장자리로부터 에지링(40)으로 확장되어, 기판(50) 전체에 대한 플라즈마 분포가 기판(50)의 가장자리에도 균일하다고 볼 수 있다. 이와 같은 비저항은 플라즈마 분포를 기판(50)의 가장자리를 벗어나 에지링(40)의 확장하는 것이라고 정의할 수 있다.The fact that the resistivity of the edge ring 40 according to the embodiment of the present invention is similar to the substrate 50 can be explained from the following viewpoints. If the resistivity of the edge ring 40 is similar to that of the substrate 50, the plasma distribution extends beyond the edge of the substrate 50 and into the edge ring 40. The resistivity p of the edge ring 40 of the present invention extends from the edge of the substrate to the edge ring 40 so that the plasma distribution across the substrate 50 is uniform over the edge of the substrate 50 . Such a resistivity can be defined as the expansion of the edge ring 40 beyond the edge of the substrate 50 by the plasma distribution.

본 발명의 금속산화물의 전기전도도가 증가하면, 열전도도도 함께 커진다. 열전도도이 커지면, 플라즈마 처리과정에서 기판(50)에서 발생하는 열이 용이하게 제거되어, 기판(50)의 열적 충격을 줄일 수 있다. As the electrical conductivity of the metal oxide of the present invention increases, the thermal conductivity also increases. When the thermal conductivity is increased, the heat generated in the substrate 50 during the plasma processing can be easily removed, thereby reducing the thermal shock of the substrate 50.

본 발명의 에지링(40)은 다음과 같은 방식으로 제조할 수 있다. 첫째, 금속산화물을 소결하여 에지링(40) 형태로 성형한 후, 산소 분압을 대기압보다 낮은 분위기에서 열처리하는 제1 공정이 있다. 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기는 진공, 환원성 가스 및 불활성 가스로 구현할 수 있다. 상기 열처리를 하는 시간이 늘어나면, 본 발명의 금속산화물의 전기전도도 및 열전도도가 커진다. 둘째, 상기 열처리과정이 없이, 상기 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기에서 소결하는 제2 공정이 있다. 산소 분압이 대기압보다 낮으면, 소결 또는 열처리를 하는 동안 산소는 상기 금속산화물로부터 빠져 나간다. 이를 통하여, 상기 금속산화물에는 산소 공공(vacancy)가 형성된다.The edge ring 40 of the present invention can be manufactured in the following manner. First, there is a first step in which the metal oxide is sintered and formed into an edge ring 40, and then the oxygen partial pressure is heat-treated in an atmosphere lower than atmospheric pressure. The atmosphere in which the oxygen partial pressure is lower than the atmospheric pressure can be realized by a vacuum, a reducing gas and an inert gas. When the time for the heat treatment is increased, the electrical conductivity and the thermal conductivity of the metal oxide of the present invention are increased. Second, there is a second step of sintering in an atmosphere in which the oxygen partial pressure is lower than the atmospheric pressure, without the heat treatment step. If the oxygen partial pressure is lower than the atmospheric pressure, oxygen escapes from the metal oxide during sintering or heat treatment. Through this, oxygen vacancies are formed in the metal oxide.

한편, 상기 소결하는 시간이 늘어나면, 본 발명의 금속산화물의 전기전도도 및 열전도도가 커진다. 상기 환원성 가스는 공지의 환원성 가스이면 모두 가능하며, 바람직하게는 수소, 암모니아, 일산화탄소, 이산화탄소 등이 있다. 상기 불활성 가스는 공지의 불활성 가스이면 모두 가능하며, 바람직하게는 질소, 아르곤 등이 있다. 즉, 산소 공공의 개수는 본 발명의 소결 및 열처리 조건인 온도, 시간 및 산소 분압에 의해 조절된다. On the other hand, as the time for sintering is increased, the electrical conductivity and the thermal conductivity of the metal oxide of the present invention are increased. The reducing gas may be any known reducing gas, and preferably hydrogen, ammonia, carbon monoxide, carbon dioxide, or the like. The inert gas may be any known inert gas, and preferably nitrogen or argon. That is, the number of oxygen vacancies is controlled by the temperature, time, and oxygen partial pressure, which are the sintering and heat treatment conditions of the present invention.

이하에서는 열처리 또는 소결을 통하여, 본 발명의 에지링(40)을 이루는 금속산화물의 비저항을 조절하는 기구(mechanism)를 상세하게 알아보고, 금속산화물에 비저항을 감소시키는 과정을 구체적으로 살펴보기로 한다. 금속산화물의 비저항을 조절하는 기구는 크게 두 가지로 구분할 수 있다. 첫째, 도 3과 같이, 금속산화물의 격자구조에 산소 공공(oxygen vacancy)을 형성하는 것이다. 여기서, M은 금속원자, O는 산소원자, 사각형은 산소 공공을 지칭한다. 둘째, 도 4와 같이, 금속결정의 석출물(Mp)을 유도하는 것이다. 이때, 플라즈마 처리장치에 적용되는 에지링(40)은 도 1 및 도 2를 참조하기로 한다.Hereinafter, a mechanism for controlling the resistivity of the metal oxide constituting the edge ring 40 of the present invention through heat treatment or sintering will be described in detail and a process for reducing the resistivity to metal oxide will be described in detail. There are two main mechanisms for controlling the resistivity of metal oxides. First, as shown in FIG. 3, oxygen vacancies are formed in the lattice structure of the metal oxide. Here, M is a metal atom, O is an oxygen atom, and a square is an oxygen vacancy. Second, as shown in Fig. 4, the precipitate Mp of the metal crystal is derived. Here, the edge ring 40 applied to the plasma processing apparatus will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 3에 의하면, 격자구조에 상기 산소 공공을 형성하기 위해서, 제1 공정 또는 제2 공정에 의해 산소(O)를 격자로부터 제거한다. 산소(O)가 제거되면 산소 공공(Vo)이 생기며, 산소 공공(Vo)에는 2개의 전자(e)가 생성된다. 전자(e)가 발생하면, 에지링(40)의 전기전도도는 증가하고 비저항은 떨어진다. 산소 공공(Vo)의 개수(단위부피당 밀도)는 금속산화물을 제조하는 분위기, 온도 등의 공정조건을 달리하여 결정할 수 있다. 산소 공공(Vo)의 개수가 많을수록 금속산화물의 전기전도도와 함께 열전도도는 상승한다.According to Fig. 3, in order to form the oxygen vacancies in the lattice structure, oxygen (O) is removed from the lattice by the first step or the second step. When oxygen (O) is removed, oxygen vacancies (Vo) are generated, and two electrons (e) are generated in the oxygen vacancies (Vo). When the electrons e occur, the electrical conductivity of the edge ring 40 increases and the resistivity drops. The number of oxygen vacancies (density per unit volume) can be determined by varying the process conditions such as the atmosphere for producing the metal oxide and the temperature. As the number of oxygen vacancies (Vo) increases, the thermal conductivity increases with the electrical conductivity of the metal oxide.

도 4에 의하면, 금속산화물을 이루는 일부의 금속원자(M)는 산소(O)와의 결합이 끊어져서 금속결정 형태로 석출된다(Mp). 구체적으로, 상기 금속산화물의 격자결합이 파괴되어 자유로워진 금속원자(M)가 확산하여 금속결정 석출물(Mp)을 형성한다. 금속결정 석출물(Mp)는 상기 금속산화물과 결정구조가 다른 결정립계(grain)를 이룬다. 이에 따라, 본 발명의 금속산화물의 전기전도도는 금속결정 석출물(Mp)의해 좌우된다고 볼 수 있다. 금속결정 석출물(Mp)의 분율(금속결정 석출물/금속산화물)는 에지링을 제조하는 분위기, 온도 등의 공정조건을 달리하여 결정할 수 있다. 금속결정 석출물(Mp)의 분율이 클수록 에지링의 전기전도도와 함께 열전도도는 상승한다. 왜냐하면, 석출된 금속결정이 전기전도도 및 열전도도를 높이기 때문이다. Referring to FIG. 4, a part of the metal atoms M constituting the metal oxide breaks bond with oxygen (O) and is precipitated in the form of a metal crystal (Mp). Specifically, the lattice bonds of the metal oxide are broken, and free metal atoms M are diffused to form a metal crystal precipitate Mp. The metal precipitate (Mp) has a grain structure different from that of the metal oxide. Accordingly, the electrical conductivity of the metal oxide according to the present invention can be considered to depend on the metal precipitate (Mp). The fraction (metal precipitate / metal oxide) of the metal crystal precipitate (Mp) can be determined by varying the process conditions such as the atmosphere for producing the edge ring and the temperature. The larger the fraction of the metal precipitate Mp, the higher the thermal conductivity of the edge ring as well as the electrical conductivity. This is because the precipitated metal crystals increase electrical conductivity and thermal conductivity.

도면에서는 상세하게 표현하지 않았으나, 금속결정 석출물(Mp)이 생성되는 과정에서, 도 3에서 설명한 산소 공공도 함께 생성된다. 이러한 산소 공공은 금속산화물의 격자구조를 파손하여, 금속결정 석출물(Mp)의 석출이 용이하게 일어나도록 한다. 본 발명의 실시예에 의한 산소 공공 또는 금속결정 석출물 중에 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합에 의해 비저항을 감소시킨다. 다시 말해, 열처리 또는 소결을 거친 금속산화물은 산소 공공 및 금속결정 석출물이 공존할 수 있다. 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기이고 1000℃에서 열처리한 Y2O3와 ZrO 복합체의 비저항은 4탐침법으로 측정한 결과 10- 1Ωcm을 나타내었다. Although not shown in detail in the drawing, during the process of producing the metal precipitate Mp, the oxygen vacancies described in FIG. 3 are also generated. This oxygen vacancy breaks the lattice structure of the metal oxide, so that precipitation of the metal crystal precipitates (Mp) is easily caused. The specific resistance is reduced by any one or a combination of oxygen vacancies or metal precipitates selected according to an embodiment of the present invention. In other words, the metal oxide subjected to the heat treatment or sintering can coexist with oxygen vacancies and metal precipitates. The resistivity of the Y 2 O 3 and ZrO 2 composites annealed at 1000 ℃ was lower than that of atmospheric pressure. The resistivity of the Y2O3 and ZrO2 composites was 10 - 1 Ωcm.

이상, 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들어, 본 발명의 실시예는 에지링을 중심으로 설명하였으나, 플라즈마에 영향을 받는 다른 부품인 포커스링, 샤워헤드 등에도 적용될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. It is possible. For example, although the embodiment of the present invention has been described mainly with respect to the edge ring, the present invention can also be applied to a focus ring, a shower head, and the like, which are other parts affected by plasma.

10; 챔버 12; 가스공급관
20; 서셉터 30; 샤워헤드
40; 에지링 42; 링지지대
50; 기판10; Chamber 12; Gas supply pipe
20; A susceptor 30; Shower head
40; Edge ring 42; Ring support
50; Board

Claims (14)

플라즈마 처리를 위한 반응공간을 형성하는 챔버: 및
상기 챔버의 내부에 위치하고 상기 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하고,
상기 부품은 플라즈마 내식성이 있는 금속산화물로 이루어지며, 상기 금속산화물은 산소 공공 또는 금속결정 석출물 중에 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합에 의해 비저항 103~10-6Ωcm을 갖고,
상기 산소 공공은 상기 금속산화물의 산소가 제거되어 이루어지고, 금속결정의 석출물은 상기 금속산화물의 금속원자가 확산하여 이루어지고 상기 금속산화물과 결정구조가 다른 결정립계를 이루는 것을 특징으로 하는 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치.A chamber forming a reaction space for plasma processing:
And a component located within the chamber and in contact with the plasma,
Wherein the component is made of a metal oxide having plasma corrosion resistance and the metal oxide has a resistivity of 10 3 to 10 -6 ? Cm by any one selected from oxygen vacancies or metal oxide precipitates or a combination thereof,
Wherein the oxygen vacancies are formed by removing oxygen of the metal oxides and the precipitates of the metal crystals are formed by diffusing metal atoms of the metal oxides and forming a grain boundary system having a crystal structure different from that of the metal oxides . 제1항에 있어서, 상기 부품은 에지링, 포커스링 또는 샤워헤드 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the part is any one selected from an edge ring, a focus ring, and a showerhead. 제1항에 있어서, 상기 부품은 서셉터에 안치된 기판의 가장자리를 압착하는 에지링이고, 상기 플라즈마의 분포는 상기 기판의 가장자리를 벗어나 확장되는 것을 특징으로 하는 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치.2. The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the component is an edge ring for pressing the edge of the substrate held in the susceptor, and the distribution of the plasma extends beyond an edge of the substrate. . 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 이트리아인 것을 특징으로 하는 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치.2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the metal oxide is yttria. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 지르코니아가 포함된 이트리아인 것을 특징으로 하는 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치.2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the metal oxide is yttria containing zirconia. 삭제delete 플라즈마 처리를 위한 반응공간을 형성하는 챔버: 및
상기 챔버의 내부에 위치하고 상기 플라즈마와 접촉하는 부품을 제조하는 방법에 있어서,
상기 부품은 플라즈마 내식성이 있는 금속산화물을 소결하고, 상기 소결된 금속산화물을 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기에서 800℃~2,000℃에서 열처리하여 산소 공공을 형성하거나 또는 금속결정 석출물을 석출시키는 방법 중에 선택된 어느 하나의 방법 또는 그 방법들의 조합에 의해 형성되고, 상기 부품의 비저항이 103~10-6Ωcm이고,
상기 산소 공공은 상기 금속산화물의 산소가 제거되어 이루어지고, 금속결정의 석출물은 상기 금속산화물의 금속원자가 확산하여 이루어지고 상기 금속산화물과 결정구조가 다른 결정립계를 이루는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.A chamber forming a reaction space for plasma processing:
A method of manufacturing a component located within a chamber and in contact with the plasma,
The component is sintered with a plasma-resistant metal oxide and the sintered metal oxide is heat-treated at 800 ° C to 2,000 ° C in an atmosphere having an oxygen partial pressure lower than atmospheric pressure to form an oxygen vacancy or precipitate a metal crystal precipitate Which is formed by any one method or a combination of the methods, wherein the specific resistance of the part is 10 3 to 10 -6 ? Cm,
Wherein the oxygen vacancies are formed by removing oxygen of the metal oxides and the precipitates of the metal crystals are formed by diffusing metal atoms of the metal oxides and forming a grain boundary system having a crystal structure different from that of the metal oxides. A method of manufacturing a conductive part. 제7항에 있어서, 상기 부품은 에지링, 포커스링 또는 샤워헤드 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.8. The method of claim 7, wherein the part is any one of an edge ring, a focus ring, or a showerhead. 제7항에 있어서, 상기 부품은 서셉터에 안치된 기판의 가장자리를 압착하는 에지링이고, 상기 플라즈마의 분포는 상기 기판의 가장자리를 벗어나 확장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.The plasma processing apparatus as claimed in claim 7, wherein the part is an edge ring for pressing the edge of the substrate held in the susceptor, and the distribution of the plasma extends beyond the edge of the substrate. Way. 플라즈마 처리를 위한 반응공간을 형성하는 챔버: 및
상기 챔버의 내부에 위치하고 상기 플라즈마와 접촉하는 부품을 제조하는 방법에 있어서,
상기 부품은 플라즈마 내식성이 있는 금속산화물을 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기에서 800℃~2,000℃의 소결온도에서 소결하여 산소 공공을 형성하거나 금속결정 석출물을 석출시키는 방법 중에 선택된 어느 하나의 방법 또는 그 방법들의 조합에 의해 형성되고, 상기 부품의 비저항이 103~10-6Ωcm이고,
상기 산소 공공은 상기 금속산화물의 산소가 제거되어 이루어지고, 금속결정의 석출물은 상기 금속산화물의 금속원자가 확산하여 이루어지고 상기 금속산화물과 결정구조가 다른 결정립계를 이루는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.A chamber forming a reaction space for plasma processing:
A method of manufacturing a component located within a chamber and in contact with the plasma,
Wherein said part is formed by sintering a metal oxide having plasma corrosion resistance at a sintering temperature of 800 ° C to 2,000 ° C in an atmosphere having an oxygen partial pressure lower than atmospheric pressure to form an oxygen vacancy or precipitate a metal crystal precipitate , The specific resistance of the component is 10 3 to 10 -6 ? Cm,
Wherein the oxygen vacancies are formed by removing oxygen of the metal oxides and the precipitates of the metal crystals are formed by diffusing metal atoms of the metal oxides and forming a grain boundary system having a crystal structure different from that of the metal oxides. A method of manufacturing a conductive part. 제10항에 있어서, 상기 부품은 에지링, 포커스링 또는 샤워헤드 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.11. The method of claim 10, wherein the part is any one selected from an edge ring, a focus ring, or a showerhead. 제10항에 있어서, 상기 부품은 서셉터에 안치된 기판의 가장자리를 압착하는 에지링이고, 상기 플라즈마의 분포는 상기 기판의 가장자리를 벗어나 확장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.The plasma processing apparatus as claimed in claim 10, wherein the part is an edge ring for pressing the edge of the substrate held in the susceptor, and the distribution of the plasma extends beyond an edge of the substrate. Way. 제7항 또는 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 산소 분압이 대기압보다 낮은 분위기는 진공, 환원성 가스 및 불활성 가스 중에 선택된 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.11. A method of manufacturing an electrically conductive part of a plasma processing apparatus according to any one of claims 7 to 10, wherein the atmosphere in which the oxygen partial pressure is lower than the atmospheric pressure is one of vacuum, reductive gas and inert gas . 제13항에 있어서, 상기 환원성 가스 분위기는 수소 가스, 암모니아 가스, 일산화탄소 및 이산화탄소 중에 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전기전도성 부품의 제조방법.14. The method of claim 13, wherein the reducing gas atmosphere is formed of at least one selected from hydrogen gas, ammonia gas, carbon monoxide, and carbon dioxide.
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