KR101805107B1 - 발광소자 제조장치 및 발광소자 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자 제조장치는 챔버, 챔버 내부에 위치하며, 성장기판이 안치되는 캐리어, 챔버의 상면과 하면을 가열하는 가열장치, 및 챔버의 내부에 위치하는 가스주입부를 포함하고, 캐리어는 기판고정부를 포함하고, 기판고정부는 캐리어의 일영역이 관통된 내측면에 형성된다.
Description
실시예는 발광소자 제조장치 및 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 발광소자 제조를 위한 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)은 여러 가지 기판상에 다양한 결정막을 성장시키는데 주요한 방법으로 사용되고 있다. 일반적으로 액상 성장법에 비해 성장시킨 결정의 품질이 뛰어나지만, 결정의 성장속도가 상대적으로 느린 단점이 있다. 이것을 극복하기 위해 한 번의 성장 싸이클에서 여러 장의 기판상에 동시에 성장을 실행하는 방법이 널리 채택되고 있다. 따라서 챔버의 안에 위치하는 캐리어 위에 여러 개의 기판을 안착시키고 소스와 분위기 가스를 수직 혹은 수평방향으로 공급하여 결정막을 성장시키고 있다.
최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발등으로 CVD 기술 중 금속유기 화학적 기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)이 각광받고 있으며, 이러한 MOCVD는 화학적 기상 성장법(CVD) 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 성장기판상에 금속 화합물을 퇴적, 부착시키는 화합물 반도체의 기상 성장법을 말한다.
실시예는 기판의 양면에서 결정막을 성장시키는 발광소자 제조장치 및 새로운 광 추출 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시예에 따른 발광소자 제조장치는 챔버, 챔버 내부에 위치하며, 성장기판이 안치되는 캐리어, 챔버의 상면과 하면을 가열하는 가열장치, 및 챔버의 내부에 위치하는 가스주입부를 포함하고, 캐리어는 기판고정부를 포함하고, 기판고정부는 캐리어의 일영역이 관통된 내측면에 형성된다.
실시예에 따른 발광소자 제조장치는 캐리어의 위아래에 가스를 공급하여 기판의 양면으로 반도체 박막을 성장시켜 생산량을 증대시킬 수 있고, 고출력 발광소자의 제조가 가능하다.
실시예에 따른 발광소자 제조장치로 만들어진 발광소자는 기판의 양면으로 성장하여 지향각이 넓고 고출력을 가질 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 제조장치는 챔버의 측면에 제2축을 두어 회전으로 인한 진동에 더 안정화될 수 있고, 증착된 반도체 박막의 기능성과 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1a는 실시예에 따른 발광소자 제조장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1b는 실시예에 따른 발광소자 제조장치가 구비한 캐리어의 구조를 도시한 상면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 제조장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 제조장치로 제조된 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1b는 실시예에 따른 발광소자 제조장치가 구비한 캐리어의 구조를 도시한 상면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 제조장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 제조장치로 제조된 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 제조장치(100)의 구조를 도시한 단면도이고, 도 1b는 실시예에 따른 발광소자 제조장치(100)가 구비한 캐리어(120)의 상면도이다. 실시예의 발광소자 제조장치(100)는 양면의 발광소자를 제조할 수 있다.
도 1a는 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 제조장치(100)는 챔버(110)와, 챔버(110) 내부에 위치하여 기판이 안치되는 캐리어(120)와, 챔버(110)의 상면과 하면을 가열하는 가열장치(140), 및 챔버(110)의 내부에 위치하는 가스주입부(150)를 포함하고, 캐리어(120)는 기판을 고정하는 기판고정부(160)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 윗벽, 바닥벽 및 측벽을 갖는 반응실이다. 윗벽과 바닥벽은 투광성의 석영이나 흑연 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 챔버(110)는 중앙의 제1축(130)으로 지지되어 형성될 수 있다. 챔버(110)는 그 내부를 진공에 가까운 저기압상태로 유지시키고, 기판 위에 박막을 형성하기에 알맞은 상태를 가질 수 있다.
챔버(110)의 내부에는 성장기판(170)을 안치하기 위한 캐리어(120)가 제1축(130)에 지지된 형태로 형성될 수 있다. 챔버(110) 내부의 상, 하면과 캐리어(120)와의 간격은 동일할 수 있다.
캐리어(120)는 내열성이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 탄화규소(SiC), 흑연(Graphite), 스테인레스(SUS) 등으로 형성되거나, 흑연(Graphite)에 탄화규소(SiC)를 코팅하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 챔버(110)는 제1축(130)으로 지지되어 있고, 캐리어(120)는 제1축(130)을 중심으로 회전하여 성장기판(170)에 결정막이 균일하게 안착될 수 있도록 할 수 있다. 도 1에서 캐리어(120)는 원판의 형태를 갖도록 도시되었으나, 이에 한정하지 아니하며, 임의의 형상으로 형성될 수 있다.
캐리어(120)는 성장기판(170)을 위아래로 노출시키도록 하는 적어도 하나 이상의 기판고정부(160)를 가질 수 있다. 기판고정부(160)에는 반도체 소자의 반도체 구조물이 증착되는 성장기판(170)이 안착될 수 있다.
기판고정부(160)는 캐리어(120)의 일영역이 관통된 내측면에 형성될 수 있다. 기판고정부(160)는 캐리어(120)에 안치되는 성장기판(170)의 측면을 고정하여, 성장기판(170)의 상하면이 반응가스와 캐리어가스에 노출되도록 할 수 있다.
도 1의 부분확대도를 참조하면, 기판고정부(160)는 캐리어(120)의 상면에 홈을 형성하여 성장기판(170)을 지지하는 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판고정부(160)는, 이외에도, 캐리어(120)의 관통된 내측면에 돌기를 포함할 수 있고, 상기 돌기부분이 성장기판(170)을 고정시킬 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.
기판고정부(160)에 성장기판(170)을 안착시켜 박막을 성장시키면 성장기판(170)의 상면 및 하면 즉, 양면에 반도체층을 성장시킬 수 있다. 성장기판(170)의 양면에서 반도체층을 성장시킬 수 있어, 반도체의 제조 시간이 단축되고, 생산단가가 절감되며, 고출력 발광소자를 제조할 수 있다.
기판고정부(160)에는 성장기판(170)이 안착될 수 있다. 성장기판(170)은 광 투과성을 갖는 사파이어(Al2O3), 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC), 산화아연(ZnO), 규소(Si), 갈륨-인(GaP) 그리고 갈륨아세나이드(GaAs) 등의 재질을 포함할 수 있다. 성장기판(170)은 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 예를 들어, 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr) 중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 또는 전도성 세라믹으로 형성될 수 있고, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성될 수도 있다. 또한 성장기판(170)은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨아세나이드(GaAs), 산화아연(ZnO), 탄화규소(SiC), 규소-게르마늄(SiGe), 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga2O3) 와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다. 또한, 성장기판(170)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있으며, 그 표면에 다양한 형태의 패턴이 형성될 수 있다.
챔버(110)의 위쪽에는 윗벽을 통해서 챔버(110)의 내부를 향해서 전사를 하는 가열장치(140)가 배치되고, 챔버(110)의 아래쪽에는 바닥벽을 통해서 챔버(110)의 내부를 향해서 전사를 하는 가열장치(140)가 배치되어 있다. 상면이나 하면에서 보았을 때 가열장치(140)은 나선형, 원형 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 가열장치(140)는 텅스텐(W), 레늄(Re) 등의 물질로 형성되어 열전도 방식으로 할 수 있으며, 적외선 히터(Infrared ramp:IR Ramp)(미도시)를 사용하여 열에너지를 공급할 수도 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 적외선 히터(미도시)의 열전달 방식은 대류, 복사, 대전 등이 있으며, 박막 성장 중에 공급되는 열에너지는 복사에너지일 수 있다. 적외선 히터(미도시)는 발광하는 열 필라멘트와 필라멘트를 감싸는 퀄츠로 이루어져 있으며, 예를 들어 할로겐 램프가 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
챔버(110)의 상부에 형성된 가열장치(140)와 캐리어(120)와의 간격과 하부에 형성된 가열장치(140)와 캐리어(120)와의 간격은 서로 동일할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 양면의 가열장치(140)가 캐리어(120)와 간격이 같으면, 성장기판(170)의 양면에 같은 정도의 열에너지를 공급해 양면의 반도체박막이 균일하게 형성되어 신뢰성이 확보될 수 있다.
가열장치(140)는 가스주입부(150)로 주입된 반응가스와 캐리어가스에 열에너지를 제공하여 기체 상태를 유지시킬 수 있다. 챔버(110)의 상하부로부터, 반도체박막의 성장을 위한 열에너지가 성장기판(170)에 제공되어, 성장기판(170)의 온도분포가 균일해질 수 있다. 성장기판(170)의 면 전체에 열이 균일하게 제공됨에 따라, 성장기판(170)상에 성장되는 박막의 분포가 균일해질 수 있고, 열팽창이 균일하게 이루어짐으로써 성장기판(170)의 벤딩 등의 결함이 방지될 수 있으며, 이로 인해 반도체 구조물의 기능성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
실시예에 따라서, 챔버(110)를 지지하는 제1축(130)에 기상 성장용 반응가스와 캐리어가스를 제공하는 가스 주입부(150)가 형성될 수 있다. 제1축(130)은 가스 주입부(150)로 연결되어 가스를 전달하는 가스 유입로(미도시)를 포함할 수 있다. 반응가스와 캐리어가스는 가스 유입로(미도시)를 통해 가스 주입부(150)로 전달될 수 있다.
가스 주입부(150)는 캐리어(120)를 기준으로 제1 축(130)의 상하부에 형성될 수 있다. 가스 주입부(150)는 캐리어(120)를 기준으로 제1 축(130)의 위아래에 형성되어, 캐리어(120)에 안치된 성장기판(170)의 양면에 반응가스와 캐리어가스를 공급할 수 있다. 가스 주입부(150)로부터 공급된 반응가스와 캐리어가스는 성장기판(170)의 상하면에 증착하여 양면으로 박막을 형성할 수 있다.
가스 주입부(150)는 제1축(130)의 둘레를 따라서 원형으로 형성되어, 반응가스와 캐리어가스를 360°각도로 분사하거나, 제1축(130)의 4방, 8방으로 형성되어 반응가스와 캐리어가스를 분사할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
가스 주입부(150)로부터 캐리어(120)의 위아래에 공급되어, 성장기판(170)상에 실리콘 단결정 박막을 기상 성장시키는 반응가스로는, 예를 들면, Trimethyl-Gallium(TMGa), Triethyl-Gallium(TEGa), Trimethyl-Indium(TMIn), MO source 등을 사용할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 반응가스는 캐리어가스와 혼합하여 사용할 수 있고, 캐리어가스로는 암모니아(NH3), 질소(N2), 수소(H2) 등의 가스를 사용할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 가스 공급부(150)는 반응가스와 캐리어가스를 동시에 챔버(110)내에 제공한다. 반응가스와 캐리어가스는 주입되는 높이를 달리하여, 아래에서부터 캐리어가스/반응가스/캐리어가스의 구조로 동시에 공급될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 가스 주입부(150)에서 반응가스와 캐리어가스의 주입 높이를 달리함으로써 가스 주입부(150) 내에서 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
챔버(110)의 측벽의 일 영역에는 가스 배출부(180)가 형성될 수 있다.
가스 배출부(180)는 챔버(110) 내부에 주입된 반응가스, 캐리어가스가 화학반응을 일으켜 생성된 잔존물질들을 외부로 배출할 수 있다. 도 1에 의한 실시예에 따르면 가스 배출부(180)는 챔버(110)의 측벽의 일 영역에 구멍을 뚫어 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
실시예에 따른 발광소자 제조장치(100)의 가스 주입부(150)에서 공급된 반응가스와 캐리어가스는 캐리어(120)의 중앙으로부터 챔버(110)의 측면으로 전달될 수 있다. 챔버(110)의 측면으로 전달된 가스들은 가스 배출부(180)를 통해 외부로 배출될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 제조장치(100)는 챔버(110) 내부에 캐리어(120)를 포함하고 캐리어(120)는 기판고정부(160)를 포함한다. 기판고정부(160)는 캐리어(120)의 일영역이 관통된 내측면에 형성될 수 있다. 도 1b에서 부분확대도는 A~A'의 단면도이다. 기판고정부(160)는 캐리어(120)의 관통된 내측면의 일영역이 돌출되어 형성될 수 있다. 돌출된 부분은 성장기판(170)을 지지하여 캐리어(120)에 안착시킬 수 있다. 단, 실시예에 불과하며, 이에 한정하지 아니한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 제조장치(200)의 구조를 도시한 단면도이다. 실시예의 발광소자 제조장치(200)는 성장기판(270)의 양면에 발광구조물을 형성할 수 있다. 도 1에서 설명한 사항에 대해서는 반복하여 자세히 설명하지 아니한다.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 제조장치(200)는 챔버(210)의 측면에 제2 축(290)을 포함한다. 제2 축(290)은 챔버(210)의 하면의 측부 일 영역에 형성될 수 있으며, 원형형태로 형성될 수 있다. 예를 들어 4방, 8방, 16방 등의 위치에 여러 개로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
제2 축(290)은 챔버(210)를 지지할 수 있다. 제2 축(290)이 챔버(210)를 지지함으로써 발광소자 제조장치(200)는 캐리어(220)의 회전으로 인한 진동에 더 안정화될 수 있고, 증착된 반도체 박막의 기능성과 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 축(290)에는 가스 주입부(250)가 포함될 수 있다. 가스 주입부(250)는 캐리어(220)를 기준으로 제2 축(290)의 상하부에 형성될 수 있다. 가스 주입부(250)는 챔버(210) 내부에 난입한 제2 축(290)의 표면의 일영역에 형성될 수 있고, 챔버(210) 내부에 난입한 제2 축(290)의 표면전체 또는 일영역에 형성될 수 있다.
가스 주입부(250)가 제2 축(290)에 형성됨으로써 반응가스와 캐리어가스는 챔버(210)의 내측면에서 중앙쪽으로 공급될 수 있다. 가스 주입부(250)가 챔버(210)의 측면의 제2 축(290)에 형성됨으로써 반응가스와 캐리어가스는 캐리어(220) 양면 면적 전체에 골고루 공급할 수 있고, 기능성과 신뢰성인 향상된 반도체박막을 형성할 수 있다. 제2 축(290)은 가스 주입부(250)와 연결되어 가스를 전달하는 가스유입로(미도시)를 포함할 수 있다. 가스유입로(미도시)를 통해 가스 주입부(250)로 전달된 반응가스와 캐리어가스가 캐리어(220)로 공급될 수 있다.
제1 축(230)에는 가스배출부(280)가 포함될 수 있다. 가스배출부(280)는 챔버(210) 내부에 주입된 반응가스, 캐리어가스가 화학반응을 일으켜 생성된 잔존물질들을 외부로 배출할 수 있다. 도 2에 의한 실시예에 따르면 가스 배출구(280)는 캐리어(220)를 기준으로 제1 축의 상하부에 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 가스배출부(280)가 제1 축에 형성됨으로써, 반응가스와 캐리어가스의 화학반응 후의 잔존가스가 캐리어(220) 중앙에서 배출될 수 있다.
성장기판(270)의 양면에 반도체박막이 성장할 수 있다. 성장기판(270)의 양면에 반도체박막을 성장시켜 발광구조물을 형성하면, 양면으로 빛을 낼 수 있다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 제조장치(100, 200)에 의해 제조된 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다. 실시예의 발광소자(300)는 양면으로 형성될 수 있다. 도 1, 2에서 설명한 사항에 대해서는 반복하여 자세히 설명하지 아니한다.
도 3를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(300)는 성장기판(310)을 중심으로 하여, 양면으로 발광구조물(350)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 성장기판(310)은 도 3에서와 같이 표면에 패턴을 형성할 수 있으나, 그 형태를 한정하지 않는다. 성장 기판(310)의 표면에 패턴을 형성한 경우, 성장 기판(310)의 표면에 발광구조물(350)이 더욱 견고하게 안착될 수 있고, 표면 결함을 완화할 수 있다.
성장 기판(310) 상에는 발광구조물(350)이 형성된다.
발광 구조물(350)은 적어도 제1 도전성 반도체층(320), 활성층(330) 및 제2 도전성 반도체층(340)을 포함할 수 있고, 제1 도전성 반도체층(320)과 제2 도전성 반도체층(340) 사이에 활성층(330)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.
제1 도전성 반도체층(320) 및 제2 도전성 반도체층(340) 중 적어도 하나는 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 다른 하나는 n 형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 도전성 반도체층(320)이 p 형 반도체층일 경우 제2 도전성 반도체층(340)은 n 형 반도체층일 수 있으며, 그 역도 가능하다.
p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 도전성 반도체층(320)과 제2 도전성 반도체층(340) 사이에는 활성층(330)이 형성될 수 있다. 활성층(330)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.
활성층(330)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(330)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(330)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.
발광구조물(350)은 성장기판(310)의 양면에 형성될 수 있다.
발광구조물(350)이 성장기판(310)의 양면에 형성됨으로써 한번의 공정으로 복수의 발광소자를 생산할 수 있고, 고출력의 발광소자를 제조할 수 있다.
양면의 발광소자(300)는 바로 발광소자 패키지(미도시)에 실장되어 사용되거나, 분리하여 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광소자 제조장치 110 : 챔버
120 : 캐리어 130 : 제1 축
140 : 가열장치 150 : 가스 주입부
160 : 기판 고정부 170 : 성장기판
180 : 가스 배출부
120 : 캐리어 130 : 제1 축
140 : 가열장치 150 : 가스 주입부
160 : 기판 고정부 170 : 성장기판
180 : 가스 배출부
Claims (14)
- 챔버;
상기 챔버의 중앙에 위치하여 상기 챔버를 지지하는 제1 축;
상기 챔버 내부에 위치하며, 성장기판이 안치되는 캐리어;
상기 챔버의 상면과 하면을 가열하는 가열장치; 및
상기 챔버의 내부에 위치하는 가스주입부;를 포함하고,
상기 캐리어는 기판고정부를 포함하고, 상기 기판고정부는 상기 캐리어의 일영역이 관통된 내측면에 형성되며,
상기 가스주입부는 상기 캐리어를 기준으로 상기 제1축의 둘레를 따라 상부와 하부에 구비되며,
상기 가스주입부는 상기 제1축의 4방 또는 8방으로 형성되어 반응가스와 캐리어가스를 분사하는 발광소자 제조장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 챔버의 측부에 구비되는 가스배출부를 포함하는 발광소자 제조장치. - 챔버;
상기 챔버의 중앙에 위치하여 상기 챔버를 지지하는 제1 축;
상기 챔버 내부에 위치하며, 성장기판이 안치되는 캐리어;
상기 챔버의 상면과 하면을 가열하는 가열장치;
상기 챔버의 내부에 위치하는 가스주입부; 및
상기 챔버의 측부에 위치하는 제2 축을 포함하며,
상기 캐리어는 기판고정부를 포함하고, 상기 기판고정부는 상기 캐리어의 일영역이 관통된 내측면에 형성되며,
상기 가스주입부는 상기 캐리어를 기준으로 상기 제2 축의 둘레를 따라 상부와 하부에 구비되며,
상기 가스주입부는 상기 제2 축에 구비되며,
상기 가스주입부는 상기 제2축의 4방 또는 8방으로 형성되어 반응가스와 캐리어가스를 분사하는 발광소자 제조장치. - 삭제
- 삭제
- 제6항에 있어서,
상기 제1 축에 가스배출부가 구비되는 발광소자 제조장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판고정부는 상기 캐리어가 관통된 내측면의 일영역이 돌출되어 형성되며,
상기 제1 축은 상기 캐리어를 회전시키는 회전축인 발광소자 제조장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 가열장치는 텅스텐(W), 레늄(Re), 적외선 히터(Infrared Ramp) 중에 적어도 하나를 포함하며,
상기 캐리어는 탄화규소(SiC), 흑연(Graphite), 스테인레스(SUS) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 제조장치.
- 삭제
- 삭제
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| KR1020110038841A KR101805107B1 (ko) | 2011-04-26 | 2011-04-26 | 발광소자 제조장치 및 발광소자 |
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2011
- 2011-04-26 KR KR1020110038841A patent/KR101805107B1/ko not_active Application Discontinuation
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |