KR101804268B1 - 후면수광 이미지 센서에서 노이즈 차단을 위한 깊은 가드링 구조 및 잡음방지영역을 갖는 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents

후면수광 이미지 센서에서 노이즈 차단을 위한 깊은 가드링 구조 및 잡음방지영역을 갖는 이미지센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

노이즈 차단을 위한 깊은 가드링 구조 및 잡음방지영역을 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 이미지센서는 깊은 가드링 구조 및 깊은 가드링 주변에 깊은 웰을 형성하여 인접 픽셀에서의 노이즈 간섭을 방지할 수 있고, 깊은 가드링 영역에 잡음 방지 영역을 형성하여 이온주입층을 분리시킴으로써 기판의 혼색현상(crosstalk)을 효과적으로 제거가능한 이미지 센서 구조를 얻을 수 있다.

Description

후면수광 이미지 센서에서 노이즈 차단을 위한 깊은 가드링 구조 및 잡음방지영역을 갖는 이미지센서 및 그 제조방법{Image sensor having guard ring and noise blocking area for blocking noise and Method for implementing the image sensor}
본 발명은 가드링 구조를 갖는 반도체 디바이스,디스플레이 드라이버 및 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 노이즈 혹은 크로스토크 제거를 위해 깊은 가드링 영역 또는 잡음방지영역을 갖는 반도체 디바이스, 디스플레이 드라이버, 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근 정보통신 산업 발달과 전자기기의 디지털화에 따라 디지털 카메라, 캠코더, 휴대폰, PCS(Personnal Communicaton System), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지센서들이 사용되고 있다.
이미지 센서(Image Sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device : CCD)이미지 센서와 CMOS이미지 센서(CIS)로 구별된다.
상기 이미지 센서는 픽셀 어레이와 이를 구동하고 신호를 읽어내기 위한 아날로그블록과 디지털 블록으로 구성되어 있다. 픽셀 어레이를 포함한 일부 아날로그 블록은 기판 노이즈로부터 영향을 줄여야 화질을 개선할 수 있다. 예를 들어, 일반적인 고화소 센서는 고속 프레임 동작이 요구되고, 이러한 고속 회로 동작으로 노이즈가 발생할 수 있다. 이러한 노이즈는 다크 랜덤 노이즈(dark random noise), 가로줄 노이즈 등을 유발하게 된다. 일반적으로 중요 회로 블록은 P/N 또는 P/N/P/N이 겹쳐진 형태로 구현하거나, DNW(Deep N-Well)과 N-well 픽업(Pickup)이 결합된 형태로 구성하였다. DNW방법은 픽셀 어레이에는 적용하기 어렵고, 각 블록마다 그라운드를 공급하는 P형 기판(P-sub)이 연결되어 있어서 P형 기판을 통한 혼색현상(crosstalk)은 해결하기 어렵다.
그러나 후면 수광 센서에서는 P형 기판이 제거되고 후면의 PIN이온주입으로 얇은 P형기판 기능을 하는 구조를 갖게 된다. 이러한 얇은 후면 PPD(Pinned Photo Diode)영역의 처리방법을 통해서 기판의 혼색현상(substrate crosstalk noise)를 효과적으로 제거가능하다. 또한 고에너지(high energy) 이온주입을 통한 깊은 P/N 가드링 형성을 통하여 DNW공정을 제거할 수 있다.
본 발명의 목적은 이미지 센서의 셀구조에서 포토다이오드 가드링 영역을 깊게 형성하여 기판 혹은 이온주입층과 접하게 하여 기판 혹은 이온주입층에서 발생되는 열전자의 드레인 통로를 만들어 전기적인 혼색현상를 막아주는 구조를 갖는 이미지 센서 및 이를 포함하는 시스템을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 다른 목적은 후면수광이미지 센서의 경우 깊은 가드링 영역에 잡음 방지 영역을 형성하여 블럭을 구분함으로써 기판의 혼색현상을 효과적으로 제거가능한 이미지 센서 및 이를 포함하는 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 이미지 센서를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 의한 후면수광 이미지 센서는 이온주입층; 상기 이온주입층의 후면에 형성되는 에피층;
상기 에피층 위에 형성되는 제1타입의 웰불순물층; 상기 에피층 위에 형성되고 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 형성되는 제2타입의 웰불순물층; 상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 웰불순물층에 접하여 상기 이온주입층의 후면에 이르도록 형성되는 깊은 가드링; 상기 제1타입의 웰불순물층과 상기 제2타입의 웰불순물층 위에 형성되는 층간배선층과 절연층; 상기 층간절연층과 배선 위에 결합되는 제2 반도체 기판;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 후면수광 이미지 센서는 상기 깊은 가드링 영역 내에 형성되는 잡음방지 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일실시예에 의한 이미지 센서는 제1 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 에피층; 상기 에피층 위에 형성되는 제1타입의 웰불순물층; 상기 에피층 위에 형성되는 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 형성되는 제2타입의 웰불순물층; 상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 웰불순물층에 접하여 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 형성되는 깊은 가드링; 및 상기 제1타입의 웰불순물층과 상기 제2타입의 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 후면 수광 이미지센서 제조방법은 제1 반도체 기판을 형성하는 단계; 상기 제 1 반도체 기판 위에 에피층을 형성하는 단계; 상기 에피층 위에 제1타입의 웰불순물층을 형성하는 단계; 상기 에피층 위에 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 제2타입의 웰불순물층을 형성하는 단계; 상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 웰불순물층에 접하여 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 깊은 가드링을 형성하는 단계; 상기 제1타입의 웰불순물층과 상기 제2타입의 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체 기판을 제거하는 단계; 상기 층간절연층과 배선 위에 제2 반도체 기판을 결합하는 단계; 및 상기 에피층 후면에 이온주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의한 이미지센서 제조방법은 제1 반도체 기판을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체 기판 상에 에피층을 형성하는 단계; 상기 에피층 위에 제1타입의 얕은 웰불순물층을 형성하는 단계; 상기 에피층 위에 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 형성되는 제2타입의 얕은 웰불순물층을 형성하는 단계; 상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 얕은 웰불순물층에 접하고 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 깊은 가드링을 형성하는 단계; 및 상기 제1타입의 얕은 웰불순물층과 상기 제2타입의 얕은 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지센싱 시스템은 먼저 포토다이오드에 픽셀 딥 포토다이오드(Pixel Deep Photodiode) 공정을 이용한 깊은 가드링(Deep Guard Ring) 및 깊은 가드링 주변에 깊은 P웰을 형성하여 높은 집적도 및 혼색현상 암전류, 노이즈가 감소된 이미지 센서 구조를 얻을 수 있도록 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 후면수광 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지센싱 시스템은 포토다이오드의 깊은 가드링 위치에 잡음방지영역을 형성하여 이온주입층을 분리시킴으로써 픽셀 블럭, 아날로그 블럭, 디지털 블럭 전체 또는 중요한 특정블럭을 분리할 수 있는 이점이 있고, 기판의 혼색현상(crosstalk)을 효과적으로 제거가능한 이미지 센서 구조를 얻을 수 있도록 한다.
이러한 혼색현상, 암전류 및 노이즈를 예방할 수 있는 미세한 이미지 센서 셀 구조는 대용량 이미지 센서를 만들어 소자 크기를 줄여서 반도체 기판의 단면적에 비하여 훨씬 많은 셀을 구현, 고집적 이미지 센서 디바이스를 얻을 수 있고, 이러한 디바이스를 여러 디지털 시스템을 만들 때 응용함으로써 고해상도 구현이 가능한 디지털 제품을 만들 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 깊은 가드링 구조를 포함한 후면 수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 깊은 가드링 구조 및 후면의 얕은 트렌치 절연구조를 포함한 후면 수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3h는 도 2의 후면 수광 이미지센서를 각 공정단계별로 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2의 후면 수광 이미지센서의 공정단계별 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 깊은 가드링 구조 및 후면의 마스크된 이온주입층을 포함한 후면 수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6g는 도 5의 후면 수광 이미지센서를 각 공정단계별로 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 5의 후면 수광 이미지센서의 공정단계별 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 깊은 가드링 구조를 포함한 전면 수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지센서를 포함하는 이미지 센싱 시스템의 개략도이다.
본 명세서 또는 출원에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러가지 형태를 가질 수 있으므로 특정실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기구성 요소들은 상기용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS 이미지 센서를 포함한다. 여기서 CCD는 CMOS 이미지 센서에 비해 잡음이 적고 화질이 우수하지만, 고전압을 요구하며 공정 단가가 비싸다. CMOS 이미지 센서는 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝(scanning) 방식으로 구현가능하다. 또한 신호 처리 회로를 단일 칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능하며, CMOS 공정 기술을 호환하여 사용할 수 있어 제조 단가를 낮출 수 있다. 전력 소모 또한 매우 낮아 배터리 용랑이 제한적인 제품에 적용이 용이하다. 따라서 이하에서는 본 발명의 이미지 센서로 CMOS 이미지 센서를 예시하여 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 그대로 CCD에도 적용될 수 있음은 물론이다.
CMOS 이미지 센서는 반도체 기판에 형성된 픽셀 영역, 회로 영역, 패드 영역을 포함할 수 있다. 픽셀 영역에는 다수의 포토 다이오드들이 형성될 수 있으며, 회로 영역에는 다수의 구동회로들이 형성될 수 있고, 패드 영역에는 다수의 접속 패드들이 형성될 수 있다.
픽셀 영역에는 픽셀 어레이가 형성될 수 있고, 다수의 광전 변환부들이 각각 배열될 수 있는데, 예컨대 다수의 광전 변환부들 각각은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
픽셀 어레이의 다수 광전 변환부들 각각은 외부로부터 입사되는 광을 흡수하고, 흡수된 광량에 대응하는 전하를 축적할 수 있다. 다수의 광전 변환부들 각각은 예컨대, 포토 다이오드(Photo Dicode), 포토 트랜지스터(Photo Transistor),포토 게이트(Photo gate), 핀드 포토 다이오드(Pinned Photo Diode; PPD) 및 이들의 조합으로 형성될 수 있으나. 이에 제한되지는 않는다.
이러한 CMOS 이미지 센서는 외부로부터 패드 영역의 다수의 접속 패드들을 통해 제공된 구동 전원, 예컨대 구동 전압 또는 접지 전압 또는 구동 신호에 의해 동작할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 깊은 가드링 구조를 포함한 후면수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 후면수광 이미지 센서(100)는 반도체 기판을 P형 기판으로 출발한다. 기판 타입은 이미지센서 특성에 많은 영향을 미치며 각각의 장단점을 내포하고 있다. 일반적으로 P타입은 감도면에서는 유리하나 암전류 및 크로스토크 특성은 불리하다. 반대로 N타입은 감도는 불리하나 암전류 및 크로스토크 특성은 유리하다. 따라서 N형 기판이 될 수도 있다.
P+타입의 기판(미도시)상에 깊은 웰 등 많은 반도체 구조가 형성될 공간이 되므로 5 내지 15㎛두께로 P- 에피텍셜레이어(이하 에피층이라 함)(102)를 형성하고, 그 위에 CMOS 동작에 맞게 디바이스를 형성하기 위해서 특성에 맞게 얇은 P웰(103), 얇은 N웰(104)을 형성한다. APS어레이 영역에서 포토다이오드가 형성될 주변부에는 얇은 P웰(103)을 형성하여 추후 접지(GND)단자를 연결할 수 있게 하고, 포토다이오드가 형성될 부분에는 얇은 N웰(104)을 형성하여 동작전압(VDD)단자가 연결될 수 있도록 한다.
이 때 얇은 N웰층(104) 아래의 에피층에 깊은 가드링(106)을 형성할 수 있다. 깊은 가드링(106)은 픽셀 딥 포토다이오드(Pixel deep Photodiode) 공정에 사용되는 깊은 N타입 이온주입을 가드링(106)에 사용하여 구현할 수 있다. 즉 P(phosphorus)를 약 2MeV 에너지로 2E13량의 불순물을 주입하여 깊은 N웰로 형성할 수도 있으며 기판(미도시)으로부터 이온주입층(112)의 후면과 접하여 형성될 수 있도록 한다. 상기 깊은 가드링(106)은 이온주입층(112)에서 발생하는 열전자들을 동작전압(VDD)단자(108)에 빨리 드레인(drain)될 수 있도록 전기적인 통로 역할을 할 수 있게, 동작전압 단자(VDD,108) 아래 N웰층(104)과 접할 수 있도록 형성한다. 특히 앞서 언급한 깊은 가드링(106) 상에 형성되는 얇은 N웰층(104)은 전기적으로 잘 통할 수 있도록 이온주입에너지를 조절하여 형성한다.
한편, 얇은 P웰층(103) 아래의 에피층에 깊은 가드링(106) 주변의 추후 접지 단자(GND)가 접하는 부분은 깊은 가드링 주변부(105)를 형성할 수 있다. 깊은 가드링 주변부(105)는 B(born) 또는 BF2(born fluoride)를 약 2eV에너지로 2E13량의 불순물을 주입하여 깊은 P웰(이하 깊은 가드링 주변부를 '깊은 P웰'이라 한다)로써 얇은 P웰층(103)으로부터 기판(미도시) 또는 이온주입층(112)과 접하여 형성될 수 있도록 한다. 상기 깊은 P웰(105)는 이온주입층(112)과 접하도록 형성됨으로써 이온주입층(112)에서 발생하는 열전자가 동작전압 단자(VDD,108)에 드레인되지 않고 에피층(102)으로 빠져나가는 것을 방지한다.
일반적인 소자의 작동은 기판 표면 채널에서 전자나 정공에 의해 디바이스가 작동이 되나, 포토다이오드의 작동은 청색광, 녹색광, 적색광이 에피층(202)에 흡수되어 포토다이오드에 축적 감도를 증가시켜 동작된다. 가장 파장이 긴 적색광은 파장이 0.4에서 5㎛이므로 포토다이오드의 깊이는 최소한 2㎛이상은 되어야 한다. 즉 깊은 가드링(106) 및 깊은 P웰(105)이 형성될 경우, 광이 입사되어 생성된 음전하가 광이 입사된 해당 픽셀의 포토다이오드가 아닌 인접한 픽셀의 포토다이오드로 전달되는 전기적 크로스토크를 줄일 수 있다. 구체적으로 파장이 긴 적색 입사광은 기판의 표면에서부터 깊게 입사되므로 포토다이오드 뿐만 아니라 포토다이오드 하부의 기판(111)에서도 EHP(전자홀페어)가 생성될 수 있고, 파장이 긴 입사광에 의해 생성된 음전하들은 해당 픽셀이 아닌 인접한 픽셀의 포토다이오드로 이동될 가능성 또한 높다. 그런데 본 발명의 실시예들에서는 깊은 가드링(106)이 음전하가 인접한 포토다이오드로 이동하는 경로에 위치하고 있고 주변에 비해 포텐셜이 높기 때문에 음전하를 끌어당겨 드레인할 수 있으므로 전기적 크로스토크를 줄일 수 있다.
또한 깊은 가드링 주변부인 깊은 P웰(105)은 기판의 깊은 곳에서 생성된 전하들이 포토다이오드로 흘러 들어오지 않도록 포텐셜 베리어(Potential barrier)를 형성하고, 전화와 홀의 재결합(recombination)현상을 증가시키는 역할을 한다. 따라서 전하들의 랜덤 드리프트(random drift)에 의한 픽셀간 크로스토크 현상을 줄일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예로써 깊은 가드링 구조를 갖는 후면수광이미지 센서의 경우 깊은 N웰 형성과정을 생략하더라도 깊은 가드링 구조(106)에 의해 열전자들이 에피층(102)으로 빠져나가지 않고 격리(isolation)되어 동작전압 단자(VDD, 108)로 드레인 될 수 있게 하는 효과가 있다. 또한 깊은 가드링 주변부(105)를 깊은 P웰로 구성할 경우 동작전압 단자 (VDD,108)에서 누설전류가 다른 회로로 쉽게 누설되지 않게 그라운드 파워링(GND Powering) 효과를 기대할 수 있을 것이다.
이후 얇은 웰 층(103,104)위에 층간배선층과 절연층(110)을 형성하고, 후면수광이미지센서를 유지하기 위한 제2 반도체 기판(111)을 층간배선층과 절연층(110) 위에 형성한다. 그리고 소자의 후면에 있는 제1 반도체 기판(미도시)를 제거한 다음, 이온 주입층 (112)을 형성한다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 깊은 가드링 구조 및 후면의 얕은 트렌치 절연구조를 포함한 후면수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 이미지센서(200)는 도 1의 구성에 잡음방지 영역(213)을 더 포함한다. 따라서, 도 1의 이미지센서(100)와의 차이점을 위주로 기술한다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 이미지센서(200)의 잡음방지 영역(213)은 이온주입층(212)을 형성한 후, 포토다이오드가 형성되는 부분 즉, 깊은 가드링 영역(206)에 해당하는 부분의 이온주입층(212)을 얕게 트렌치하는 구조(213)를 형성하는 것이다. 이 때 트렌치하는 깊이는 0.5 내지 2.0㎛ 두께로 할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예와 같이 이온주입층(212)을 얕게 트렌치하는 구조를 갖는 후면수광 이미지 센서(200)는 이온 주입층(212)을 분리시키게 되므로, 중요한 특정 블럭별 혹은 픽셀 블록, 아날로그 블럭, 디지털 블럭별로 분리할 수 있어 기판의 혼색현상 노이즈(crosstalk noise)를 효과적으로 제거할 수 있다.
도 3a 내지 도3 h는 도 2의 후면수광 이미지센서를 각 공정단계별로 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 2의 후면수광 이미지센서의 공정단계별 흐름도이다.
도 3a 내지 도 3h 및 도 4를 참조하면, 도 3a에서 먼저 제1 반도체 기판(201) 상에 에피층(202)을 형성한다(S100,S110). 기판 타입은 이미지 센서 특성에 많은 영향을 미치며 각각의 장단점을 내포하고 있다.일반적으로 P타입은 감도면에서 유리하나, 암전류 및 크로스토크 특성은 불리하다. 반대로 N타입은 감도면에서 분리하나 암전류 및 크로스토크 특성에서는 유리하다.
빛이 기판 내부로 조사되면 전자 홀 페어(EHP)가 형성되는데, 공핍영역 내에서는 전기장에 의해서 전자와 정공은 드리프트(drift)하게 된다. 그러나 공핍영역 바깥에서는 전기장이 없기 때문에 무방향성으로 확산하게 되는데, 이러한 비규칙성 운동을 하는 전자와 정공은 자기 픽셀에 축적되는 확률보다는 이웃하는 픽셀에 축적되는 현상이 많이 발생하여 혼색현상(crosstalk)의 원인을 제공한다.
한편, 빛이 없는 상태에서 열적으로 발생하는 열전자, 우주선(cosmic ray), 알파 파티클(α particle), 방사선(radiation) 등에 의해서 발생되는 전자나 정공들에 의해서 기판 내부에는 많은 암전류나 노이즈(noise)를 발생시킬 수 있는 입자들이 존재할 수 있다.
그러므로 상기한 무방향성 전자나 정공 기타 노이즈 발생 입자들을 선택적으로 드레인(drain) 시킬 수 있는 전기적인 통로를 만들어주어야 한다. 일반적으로 전자는 동작전압 단자(VDD)로 드레인시키고, 정공은 접지단자(GND)로 드레인시킨다. 다만, P형 기판을 사용하는 경우는 동작전압단자(VDD)로 기판 전압을 동시에 잡아줄 수 없어서, 기판 전압 단자를 설치하거나 패키지 상태에서 잡아줄 수 있는 구조를 만들어야 하는 문제가 있다.
에피층(202)은 깊은 웰 등 많은 반도체 구조가 형성될 공간의 되므로 5 내지 15㎛ 두께로 형성한다.
도 3b를 참조하면, CMOS동작에 맞게 디바이스를 형성하기 위해서 특성에 맞게 얇은 P웰(203), 얇은 N웰(204)을 형성한다(S120). 포토다이오드가 형성될 영역 주변에는 얇은 P웰(203)을 형성하여 추후 접지단자(GND, 207, 209)에 연결할 수 있게 하고, 추후 깊은 가드링(206)이 형성될 영역 위에는 얇은 N웰(204)을 형성하여 추후 동작전압단자(VDD, 208)에 연결할 수 있도록 한다. 웰 형성 공정은 필요한 불순물 타입을 N형, P형 중 선택, 다른 마스크를 사용하여 이온주입 공정으로 진행한다. 이온 주입 에너지는 추후 형성될 깊은 가드링(206) 상에 형성되는 얇은 N웰(204)과 전기적으로 잘 통할 수 있도록 형성한다.
도 3c를 참조하면, 얇은 N웰(204) 아래의 에피층(202)에는 깊은 가드링(206)을 형성할 수 있다(S130). 깊은 가드링(206)은 픽셀 딥 포토다이오드(Pixel deep Photodiode) 공정에 사용되는 깊은 N타입 이온주입을 가드링(206)에 사용하여 구현할 수 있다. 즉, 깊은 가드링(206)은 P(phosphorus)를 약 2MeV에너지로 2E13량의 불순물을 주입하여 깊은 N웰로 형성할 수도 있으며 기판(미도시)으로부터 이온주입층(212)의 후면과 접하여 형성될 수 있도록 한다. 상기 깊은 가드링(206)은 이온주입층 (212)에서 발생하는 열전자들을 동작전압(VDD)단자(208)에 빨리 드레인(drain ) 될 수 있도록 전기적인 통로 역할을 할 수 있게 동작전압 단자(VDD,108)아래 얇은 N웰층(204)과 접할 수 있도록 형성한다. 특히 앞서 언급한 깊은 가드링(206) 상에 형성되는 얇은 N웰층(204)은 전기적으로 잘 통할 수 있도록 이온주입에너지를 조절하여 형성한다.다만, 깊은 가드링 구조(206)를 갖는 후면수광 이미지센서(200)의 경우 기존의 깊은 N웰 형성과정(Deep N-Well, DNW)을 생략하더라도 깊은 가드링 구조(206)에 의해 열전자들이 에피층(202)으로 빠져나가지 않고 격리(isolation)되어 동작전압 단자(VDD, 208)로 드레인될 수 있게 하는 효과가 있다.
또한 얇은 P웰층(103) 아래의 에피층에 깊은 가드링(206) 주변의 추후 접지 단자(GND)가 접하는 부분은 깊은 가드링 주변부(205)를 형성할 수 있다(S140).깊은 가드링 주변부(205)은 픽셀 딥 포토다이오드(Pixel deep Photodiode) 공정에 사용되는 깊은 P타입 이온주입을 가드링 주변부(205)에 사용하여 구현할 수 있다. 깊은 가드링 주변부(205)는 B(born) 또는 BF2(born fluoride)를 약 2eV에너지로 2E13량의 불순물을 주입하여 깊은 P웰(이하 깊은 가드링 주변부를 '깊은 P웰'이라 한다)로써 얇은 P웰층(203)으로부터 기판(201)과 접하여 형성될 수 있도록 한다. 상기 깊은 P웰(205)는 추후 이온주입층(212)과 접하도록 형성됨으로써 이온주입층(212)에서 발생하는 열전자가 동작전압 단자(VDD,208)에 드레인되지 않고 에피층(202)으로 새어나가는 것을 방지한다. 즉, 깊은 가드링 주변부(205)를 깊은 P웰로 구성할 경우 동작전압 단자 (VDD,208)에서 누설전류가 다른 회로로 쉽게 누설되지 않게 그라운드 파워링(GND Powering) 효과를 기대할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 얇은 N웰층(204) 위에는 동작전압 단자(VDD, 208)를 연결하고, 상기 얇은 P웰층(203)위에는 접지 단자(GND,207,209)를 연결하는 층간배선층과 절연층(210)을 형성한다(S150). 이때 층간배선층(210)은 다수의 금속라인들 및 IMD를 포함 할 수 있으며, 상기 다수의 금속라인들에 의해서 픽셀 어레이의 센싱 동작에 필요한 전기 배선이 형성될 수 있다.
도 3e를 참조하면, 소자를 뒤집어서 층간배선층과 절연층(210)에 제2 반도체 기판(211)을 접합한다(S160). 즉, 후면수광 이미지센서(200)의 형태를 유지하기 위한 유지용 웨이퍼에 접합하는 것이다.
도 3f를 참조하면, 후면수광 이미지센서(200)의 후면수광부 형성을 위해 그동안 소자를 지지해 온 제1 반도체 기판(201)을 제거한다(S170).
도 3g를 참조하면, 후면수광 이미지센서(200)의 후면수광부 형성을 위해 이온주입층(212)을 생성한다(S180).
도 3f를 참조하면, 후면수광 이미지센서(200)의 잡음방지 영역(213)을 깊은 가드링 영역(206)에 형성한다. 이 때 잡음 방지 영역은 깊은 가드링 영역(206)에 상응하는 부분의 이온주입층을 얕게 트렌치 함으로써 형성할 수 있다(S190). 트렌치 깊이는 0.5 내지 2.0㎛ 정도 형성할 수 있다. 얕은 트렌치 영역(213)을 형성함으로써 이온 주입층(212)을 분리시키게 되는데, 분리된 이온주입층(212)은 픽셀의 깊은 P웰(205)을 사용하게 되므로, 그라운드 파워링(GND Powering)을 강화하는 구조가 될 수 있다. 또한 전면수광 이미지센서의 경우 기판을 분리할 수 없어 기판을 따라 흐르는 노이즈 등에 노출되기 쉬운데 비해 본 발명의 실시예에 따른 후면수광 이미지 센서(200)의 경우 특정한 블럭간 혹은 픽셀/아날로그/디지털 블럭간 얕은 트렌치 영역(213)으로 이온주입층(212)을 분리할 수 있어 일정 블럭의 혼색현상 노이즈(crosstalk noise)를 효과적으로 제거할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또다른 일실시예에 따른 깊은 가드링 구조 및 후면의 마스크된 이온주입층 절연구조를 포함한 후면수광 이미지 센서(300)의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또다른 일실시예로서 도 1의 구성에 잡음방지 영역(313)을 더 포함한다. 따라서, 도 1의 이미지센서(100)와의 차이점을 위주로 기술한다. 본 발명의 또다른 일실시예에 따른 이미지센서(300)의 잡음방지 영역은 깊은 가드링부분(306)만 이온주입층이 형성되지 않게 하는 마스크(313)를 사용하여 이온주입층(312)을 형성함으로써 만들어진다.
상기 본 발명의 또다른 일실시예와 같이 마스크된 이온주입층 구조(313)를 갖는 후면수광 이미지 센서(300)는 이온 주입층(312)을 분리시키게 되므로, 중요한 특정 블럭별 혹은 픽셀 /아날로그 /디지털 블럭별로 분리할 수 있어 일정 블럭의 혼색현상 노이즈(crosstalk noise)를 효과적으로 제거할 수 있다.
도 6a 내지 도 6g는 도 5의 후면수광 이미지센서를 각 공정단계별로 나타낸 단면도이다. 도 7은 도 5의 후면수광 이미지센서의 공정단계별 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6g는 및 도 7을 참조하면 본 발명의 다른 일실시예의 후면수광 이미지센서(300)의 공정과정은 도 3a 내지 도 3h ,도 4에 도시된 바와 거의 유사하다(도 6a 내지 도 6f, S200 내지 S270).
다만, 도 6g를 참고하면, 도 3g, 도 3h와 달리 이온주입층(S312) 형성단계에서 소자 전체에 이온주입층을 형성하는 것이 아니라 깊은 가드링(306)을 제외한 부분에만 이온주입층(312)이 형성되도록 마스크를 씌우는 것이다(S280). 본 발명의 다른 실시예인 얕은 트렌치 절연 구조의 후면수광 이미지센서(200)에 비해 본 발명의 또다른 실시예인 마스크된 이온주입층 구조의 후면수광 이미지 센서(300)는 별도의 마스크가 하나 더 추가되어야 한다. 이와 같이 마스크된 이온주입층 구조 (313)를 형성함으로써 이온주입층(312)을 분리시키게 되는데, 분리된 이온주입층( 312)은 픽셀의 깊은 P웰(305)을 사용하게 되므로, 그라운드 파워링(GND Powering)을 강화하는 구조가 될 수 있다. 또한 전면수광 이미지센서의 경우 기판을 분리할 수 없어 기판을 따라 흐르는 노이즈 등에 노출되기 쉬운데 비해 본 발명의 실시예에 따른 후면수광 이미지 센서(300)의 경우 특정한 블럭간 혹은 픽셀/아날로그/디지털 블럭간 마스크된 이온주입층 구조(313)로 이온주입층(312)을 분리할 수 있어 일정 블럭의 혼색현상 노이즈(crosstalk noise)를 효과적으로 제거할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 깊은 가드링 구조를 포함한 전면수광 이미지 센서의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 도 1과 유사한 깊은 가드링 구조(406)를 포함하고 있어, 깊은 N웰 형성과정을 생략하더라도 깊은 가드링 구조(406)에 의해 열전자들이 에피층(402)으로 빠져나가지 않고 격리(isolation)되어 동작전압 단자(VDD, 408)로 드레인될 수 있게 하는 효과가 있다. 또한 깊은 가드링 주변부(405)를 깊은 P웰로 구성할 경우 동작전압 단자 (VDD,408)에서 누설전류가 다른 회로로 쉽게 누설되지 않게 그라운드 파워링(GND Powering) 효과를 기대할 수 있다.
한편, 얇은 P웰층(403) 아래의 에피층에 깊은 가드링(406) 주변의 추후 접지 단자(GND)가 접하는 부분은 깊은 가드링 주변부(405)를 형성할 수 있다. 깊은 가드링 주변부(105)는 B(born) 또는 BF2(born fluoride)를 약 2eV에너지로 2E13량의 불순물을 주입하여 깊은 P웰(이하 깊은 가드링 주변부를 '깊은 P웰'이라 한다)로써 얇은 P웰층(403)으로부터 기판(401)과 접하여 형성될 수 있도록 한다. 상기 깊은 P웰(405)는 기판(401)과 접하도록 형성됨으로써 이온주입층(412)에서 발생하는 열전자가 동작전압 단자(VDD,408)에 드레인되지 않고 에피층(402)으로 빠져나가는 것을 방지한다.
일반적인 소자의 작동은 기판 표면 채널에서 전자나 정공에 의해 디바이스가 작동이 되나, 포토다이오드의 작동은 청색광, 녹색광, 적색광이 에피층(402)에 흡수되어 포토다이오드에 축적 감도를 증가시켜 동작된다. 가장 파장이 긴 적색광은 파장이 0.4에서 5㎛이므로 포토다이오드의 깊이는 최소한 2㎛이상은 되어야 한다. 즉 깊은 가드링(406) 및 깊은 P웰(405)이 형성될 경우, 광이 입사되어 생성된 음전하가 광이 입사된 해당 픽셀의 포토다이오드가 아닌 인접한 픽셀의 포토다이오드로 전달되는 전기적 크로스토크를 줄일 수 있다. 구체적으로 파장이 긴 적색 입사광은 기판의 표면에서부터 깊게 입사되므로 포토다이오드 뿐만 아니라 포토다이오드 하부의 기판(401)에서도 EHP(전자 홀 페어)가 생성될 수 있고, 파장이 긴 입사광에 의해 생성된 음전하들은 해당 픽셀이 아닌 인접한 픽셀의 포토다이오드로 이동될 가능성 또한 높다. 그런데 본 발명의 실시예들에서는 깊은 가드링(406)이 음전하가 인접한 포토다이오드로 이동하는 경로에 위치하고 있고 주변에 비해 포텐셜이 높기 때문에 음전하를 끌어당겨 드레인할 수 있으므로 전기적 크로스토크를 줄일 수 있다.
또한 깊은 가드링 주변부인 깊은 P웰(405)은 기판의 깊은 곳에서 생성된 전하들이 포토다이오드로 흘러 들어오지 않도록 포텐셜 베리어(Potential barrier)를 형성하고, 전화와 홀의 재결합(recombination)현상을 증가시키는 역할을 한다. 따라서 전하들의 랜덤 드리프트(random drift)에 의한 픽셀간 크로스토크 현상을 줄일 수 있다.
도 9는 본 발명의 각 실시예에 따른 이미지 센서(700)가 포함된 반도체 시스템(1000)의 개략적인 블록도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 각 실시예에 따른 반도체 시스템(1000)은 시스템 버스(500)에 접속된 프로세서(600),이미지 센서(700), 메모리(800)를 포함할 수 있다.
상기 프로세서(600)는 상기 이미지 센서(700) 및 메모리 장치(800)의 동작을 제어하기 위한 제어 신호들을 생성할 수 있다. 상기 이미지 센서(700)는 피사체에 대한 이미지를 생성할 수 있고, 상기 메모리 장치(800)는 상기 이미지 센서(700)에서 생성된 상기 이미지를 저장할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 시스템(1000)은 컴퓨터 시스템, 카메라 시스템, 스캐너, 기계화된 시계 시스템, 네비게이션 시스템, 비디오폰, 감독 시스템, 자동 포커스 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등을 예시할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
실시예에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(1000)가 휴대용 어플리케이션으로 구현되는 경우에, 상기 반도체 장치(1000)는 상기 이미지센서(700), 상기 메모리 장치(800), 및 상기 프로세서(600)에 동작 전원을 공급하기 위한 배터리(미도시)를 더 포함할 수 있다.
이 때 휴대용 어플리케이션은 휴대용 컴퓨터(portable computer), 디지털 카메라(digital camera), PDA(personal digital assistance), 휴대 전화기(cellular telephone), MP3 플레이어, PMP(portable multimedia device), 차량자동항법장치 (automotive navigation system), 메모리카드(memory card), 또는 전자사전 등을 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 시스템(1000)은 외부의 데이터 처리장치와 데이터를 주고받을 수 있는 인터페이스, 예컨대 입/출력장치들(미도시)을 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 시스템(1000)이 무선 시스템인 경우 본 발명의 실시예에 따른 반도체 시스템(1000)은 무선 인터페이스(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 무선 시스템은 PDA, 휴대용 컴퓨터, 무선 전화기, 페이저, 디지털 카메라와 같은 무선 장치, RFID 리더 또는 RFID 시스템일 수 있다. 또한 상기 무선 시스템은 WLAN(Wireless Local Area Network) 시스템 또는 WPAN(Wireless Personal Area Network)시스템일 수 있다. 또한, 상기 무선 시스템은 이동전화 네트워크(cellular network)일 수도 있다.
이미지 센서(700)는 픽셀 어레이, 구동부, 접속부를 포함하여 형성될 수 있으며, CPU(600)로부터 제공된 제어신호에 따라 광을 감지하고 이를 전기적 신호로 변환하여 영상신호를 생성할 수 있다.
한편 상기 이미지 센서(700)는 CPU(600), 메모리(800) 등과 함께 집적될 수 있으며, 경우에 따라서는 디지털 신호 처리 장치(Digital Signal Processor; DSP)가 함께 집적되거나 또는 이미지 센서(700)만 별개의 칩에 집적될 수도 있다.
상기 설명한 것과 같이, 크로스토크,암전류 또는 노이즈를 방지할 수 있는 깊은 가드링과 잡음방지영역 구조를 갖는 이미지 센서(700)는, 인접하는 블럭간 노이즈 간섭이 발생하지 않아서, 선명하고 고집적 이미지 시스템을 용이하게 만들 수 있다.
그리고 이러한 이미지 센서를 장착한 시스템은 NAND 또는 NOR플래시를 이용한 메모리 카드와 연결되어 고화질 화면을 저장하여 간단하게 재생하거나 편집할 수 있는 기능을 제공할 수 있다.
또한 각종 이미지 센서가 필요한 디지털 기기에 장착되어 선명한 컬러 화면을 얻을 수 있어, 실시간 현장감 있는 이미지를 얻어서 응용적용할 수 있고, 화상 전송 시스템과 연결시 언제 어디서나 동시에 실감나는 화상정보를 얻어서, 오락,경비시스템, 원격 진료 등을 실현할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이미지 센서: 100, 200, 300
에피층: 102, 202, 302
얇은 P웰: 103, 203, 303
얇은 N웰: 104, 204, 304
깊은 P웰: 105, 205, 305
가드링: 106, 107, 108
이온주입층: 112, 212, 312
반도체 기판: 111, 201, 211, 311

Claims (10)

  1. 이온주입층;
    상기 이온주입층의 후면에 형성되는 에피층;
    상기 에피층 위에 형성되는 제1타입의 웰불순물층;
    상기 에피층에 직접 접하여 형성되고 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 형성되는 제2타입의 웰불순물층;
    상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 웰불순물층에 직접 접하여 상기 이온주입층의 후면에 이르도록 형성되는 깊은 가드링;
    상기 제2 타입의 웰불순물층에 직접 접하여 상기 이온주입층의 후면에 이르도록 형성되는 제2타입의 깊은 웰불순물층;
    상기 제1타입의 웰불순물층과 상기 제2타입의 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선; 및
    상기 층간절연층과 배선 위에 직접 결합되는 반도체 기판을 포함하는 후면 수광 이미지 센서.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 이미지 센서는
    상기 깊은 가드링 영역 내에 형성되는 잡음방지 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 수광 이미지 센서.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 잡음방지 영역은
    이온주입층의 후면을 얕게 트렌치하여 절연시키는 것을 특징으로 하는 후면 수광 이미지 센서.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 잡음방지 영역은,
    상기 잡음방지 영역을 제외한 부분만 이온주입층을 형성하여 절연시키는 것을 특징으로 하는 후면 수광 이미지 센서.
  6. 제1 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상에 형성된 에피층;
    상기 에피층 위에 형성되는 제1타입의 웰불순물층;
    상기 에피층 위에 형성되는 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 형성되는 제2타입의 웰불순물층;
    상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 웰불순물층에 접하여 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 형성되는 깊은 가드링;
    상기 에피층의 일부분으로서 배선의 접지단자에 상응하는 부분에 상기 제2 타입의 웰불순물층에 접하여 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 형성되는 제2타입의 깊은 웰불순물층; 및
    상기 제1타입의 웰불순물층과 상기 제2타입의 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  7. 삭제
  8. 제1항 또는 제6항의 이미지 센서를 포함하는 반도체 장치.
  9. 제1 반도체 기판을 형성하는 단계;
    상기 제 1 반도체 기판 위에 에피층을 형성하는 단계;
    상기 에피층 위에 제1타입의 웰불순물층을 형성하는 단계;
    상기 에피층 위에 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 상기 에피층에 직접 접하여 제2타입의 웰불순물층을 형성하는 단계;
    상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 웰불순물층에 직접 접하여 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 깊은 가드링을 형성하는 단계;
    상기 제2 타입의 웰불순물층에 직접 접하여 이온주입층의 후면에 이르도록 제2타입의 깊은 웰불순물층을 형성하는 단계;
    상기 제1타입의 웰불순물층과 상기 제2타입의 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선을 형성하는 단계;
    상기 제1 반도체 기판을 제거하는 단계;
    상기 층간절연층과 배선 위에 제2 반도체 기판을 직접 결합하는 단계; 및
    상기 에피층 후면에 이온주입층을 형성하는 단계를 포함하는 후면 수광 이미지 센서의 제조방법.
  10. 제1 반도체 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 반도체 기판 상에 에피층을 형성하는 단계;
    상기 에피층 위에 제1타입의 얕은 웰불순물층을 형성하는 단계;
    상기 에피층 위에 상기 제1타입의 웰불순물층을 제외한 나머지 부분에 형성되는 제2타입의 얕은 웰불순물층을 형성하는 단계;
    상기 에피층 일부분으로서 상기 제1 타입의 얕은 웰불순물층에 접하고 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 깊은 가드링을 형성하는 단계;
    상기 에피층의 일부분으로서 배선의 접지단자에 상응하는 부분에 상기 제2 타입의 웰불순물층에 접하여 상기 제1 반도체 기판에 이르도록 제2타입의 깊은 웰불순물층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1타입의 얕은 웰불순물층과 상기 제2타입의 얕은 웰불순물층 위에 형성되는 층간절연층과 배선을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
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