KR101780814B1 - 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 - Google Patents

백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 형성된 트랜지스터부; 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극에 연결된 제1전극; 제1전극의 일부를 노출하는 제1개구부를 갖는 제1뱅크층; 제1뱅크층의 일부를 노출하는 제2개구부를 갖는 제2뱅크층; 제1전극의 영역과 제2뱅크층의 영역에 구분되어 형성되며 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층; 제1유기 발광층을 덮도록 형성되며 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층; 및 제2유기 발광층을 덮도록 형성된 제2전극을 포함하는 백색 유기전계발광표시장치를 제공한다.

Description

백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법{White Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method thereof}
본 발명의 실시예는 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다. 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 유기전계발광표시장치는 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.
유기전계발광표시장치에는 적어도 두 개의 유기 발광층을 이용하여 백색을 발광하는 백색 유기전계발광표시장치가 있다. 백색 유기전계발광표시장치는 유기 발광층이 백색을 발광하므로 이를 적색,녹색 및 청색(RGB)으로 변환하기 위한 컬러필터가 사용된다. 백색 유기전계발광표시장치에 배치된 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터부와 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터에 연결된 제1전극, 제1유기 발광층, 제2유기 발광층 및 제2전극을 포함하는 발광부를 포함한다. 위와 같은 구조를 갖는 백색 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 백색을 발광하게 되고 컬러필터를 RGB 색이 출사됨으로써 영상을 표시할 수 있다.
한편, 백색 유기전계발광표시장치는 두 개의 제1 및 제2유기 발광층(first stack, second stack)이 두 개의 스택(2 Stack) 구조로 이루어져 있고, 두 개의 스택 사이에는 캐리어 발생층(carrier generation layer; CGL)이 위치한다. 그런데, 캐리어 발생층이 사용된 종래 백색 유기전계발광표시장치는 캐리어 발생층의 두께 증가에 따른 서브 픽셀 간의 간섭과 비발광영역에 형성된 캐리어 발생층이 애노드 전극의 역할을 하여 두 개의 스택에 포함된 유기물에서 빛이 발광하게 된다. 이와 같이 캐리어 발생층이 비발광영역에서 애노드 전극의 역할을 하게 되면 비발광영역에서의 발광으로 서브 픽셀 간의 혼색 발생은 물론 서브 픽셀 간의 간섭에 의해 표시품질이 저하되는 문제가 있어 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 캐리어 발생층(CGL)이 발광영역과 비발광영역으로 구분되어 형성되므로 비발광영역에서의 발광 문제를 방지하고 서브 픽셀 간의 혼색 발생은 물론 서브 픽셀 간의 간섭에 의해 표시품질이 저하되는 문제를 해결할 수 있는 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 형성된 트랜지스터부; 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극에 연결된 제1전극; 제1전극의 일부를 노출하는 제1개구부를 갖는 제1뱅크층; 제1뱅크층의 일부를 노출하는 제2개구부를 갖는 제2뱅크층; 제1전극의 영역과 제2뱅크층의 영역에 구분되어 형성되며 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층; 제1유기 발광층을 덮도록 형성되며 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층; 및 제2유기 발광층을 덮도록 형성된 제2전극을 포함하는 백색 유기전계발광표시장치를 제공한다.
제1뱅크층은, 제1전극의 일부를 덮는 영역이 내측으로 인입된 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.
제2뱅크층은, 제1뱅크층보다 좁은 면적을 차지하며 제1전극을 노출하는 영역 방향으로 완만한 경사를 갖는 정테이퍼 형상을 가질 수 있다.
제1뱅크층은 무기물질로 형성되고 제2뱅크층은 유기물질로 형성될 수 있다.
제2뱅크층의 두께는 제1뱅크층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
제1유기 발광층은, 제1전극 상에 형성된 제1정공주입층과, 정공주입층 상에 형성된 제1정공수송층과, 제1정공수송층 상에 형성된 제2정공수송층과, 제2정공수송층 상에 형성되며 하나의 발광물질이 포함된 제1발광층과, 제1발광층 상에 형성된 제1전자수송층과, 전자수송층 상에 형성된 캐리어 발생층을 포함할 수 있다.
제2유기 발광층은, 캐리어 발생층 상에 형성된 제2정공주입층과, 제2정공주입층 상에 형성된 제3정공수송층과, 제3정공수송층 상에 형성되며 두 개의 발광물질이 포함된 제2발광층과, 제2발광층 상에 형성된 제2전자수송층과, 제2전자수송층 상에 형성된 전자주입층을 포함할 수 있다.
다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 기판 상에 컬러필터가 포함된 트랜지스터부를 형성하는 단계; 트랜지스터부 상에 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극에 연결된 제1전극을 형성하는 단계; 제1전극의 일부를 노출하는 제1개구부를 갖는 제1뱅크층을 형성하는 단계; 제1뱅크층의 일부를 노출하는 제2개구부를 갖는 제2뱅크층을 형성하는 단계; 제1전극의 영역과 제2뱅크층의 영역에 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층이 구분되도록 형성하는 단계; 제1유기 발광층을 덮도록 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층을 형성하는 단계; 및 제2유기 발광층을 덮도록 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 백색 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
제1뱅크층은 제1전극의 일부를 덮는 영역이 내측으로 인입된 역테이퍼 형상을 갖도록 형성되고, 제1유기 발광층은 제1뱅크층의 역테이퍼 형상에 의해 제1전극의 영역과 제2뱅크층의 영역으로 구분되어 형성될 수 있다.
제2뱅크층의 두께는 제1뱅크층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
본 발명의 실시예는, 캐리어 발생층(CGL)이 발광영역과 비발광영역으로 구분되어 형성되므로 비발광영역에서의 발광 문제를 방지하고 서브 픽셀 간의 혼색 발생은 물론 서브 픽셀 간의 간섭에 의해 표시품질이 저하되는 문제를 해결할 수 있는 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 백색 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 A1 영역의 확대도.
도 4는 도 2에 도시된 A2 영역의 확대도.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 백색 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도 이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 백색 유기전계발광표시장치는 타이밍 제어부(TCN), 데이터구동부(DDRV), 스캔구동부(SDRV), 전원부(PWR) 및 패널(PNL)을 포함한다.
타이밍 제어부(TCN)는 데이터구동신호(DDC)를 이용하여 데이터구동부(DDRV)를 제어함과 동시에 게이트구동신호(GDC)를 이용하여 스캔구동부(SDRV)를 제어한다. 또한, 타이밍 제어부(TCN)는 외부로부터 공급된 영상신호를 데이터신호(DATA)로 변환하고 이를 데이터구동부(DDRV)에 공급한다. 타이밍 제어부(TCN)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 패널(PNL)과 연결되는 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있다.
데이터구동부(DDRV)는 타이밍 제어부(TCN)의 제어하에 생성된 데이터신호(DATA)를 패널(PNL)에 형성된 데이터배선(DL1..DLn)을 통해 서브 픽셀(SP)에 공급한다. 데이터구동부(DDRV)는 IC 형태로 패널(PNL) 상에 실장될 수 있다.
스캔구동부(SDRV)는 타이밍 제어부(TCN)의 제어하에 생성된 스캔신호를 패널(PNL)에 형성된 스캔배선(SL1..SLm)을 통해 서브 픽셀(SP)에 공급한다. 스캔구동부(SDRV)는 IC 형태로 패널(PNL) 상에 실장되거나 GIP(Gate In Panel) 형태로 패널(PNL) 상에 형성될 수 있다.
전원부(PWR)는 고 전위전원(VDD) 및 저 전위전원(GND)을 생성하고 이를 타이밍 제어부(TCN), 데이터구동부(DDRV), 스캔구동부(SDRV) 및 패널(PNL) 중 적어도 하나에 공급한다. 전원부(PWR)는 패널(PNL)과 연결되는 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있다.
패널(PNL)은 기판 상에 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀(SP)을 포함한다. 서브 픽셀(SP)에는 스캔신호에 따라 응답하여 데이터신호를 커패시터에 전달하는 스위칭 트랜지스터와, 데이터신호를 데이터전압으로 저장하는 커패시터와, 커패시터에 저장된 데이터전압에 따라 구동전류를 발생하는 구동 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터부와, 구동 트랜지스터로부터 발생된 구동전류에 따라 발광하는 유기 발광다이오드부가 포함된다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀 구조에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 A1 영역의 확대도 이며, 도 4는 도 2에 도시된 A2 영역의 확대도 이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀에는 기판(110) 상에 형성된 트랜지스터부(TFT)와 유기 발광다이오드부(OLED)가 포함된다.
기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 형성된다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 트랜지스터부(TFT)를 보호하기 위해 형성할 수 있으나 이는 생략될 수도 있다.
버퍼층(111) 상에는 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)이 형성된다. 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)에는 소오스, 채널 및 드레인 영역이 포함되고 소오스/드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑된다.
기판(110) 상에는 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)을 덮는 제1절연막(113)이 형성된다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된다.
제1절연막(113) 상에는 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)과 대응되는 영역에 제1 및 제2게이트 전극(114a, 114b)이 형성된다. 제1게이트 전극(114a)은 구동 트랜지스터의 게이트 전극이고 제2게이트 전극(114b)은 커패시터의 제1전극이 된다.
제1절연막(113) 상에는 제1 및 제2게이트 전극(114a, 114b)을 덮고 제1액티브층(112a)의 일부를 노출하는 제2절연막(115)이 형성된다. 제2절연막(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된다.
제2절연막(115) 상에는 노출된 제1액티브층(112a)에 연결되는 소오스/드레인 전극(116a, 116b)이 형성된다. 그리고 제2절연막(114) 상에는 소오스/드레인 전극(116a, 116b)과 동일하게 형성되며 제2게이트 전극(114b)과 함께 커패시터를 형성하는 커패시터의 제2전극(116c)이 형성된다.
제2절연막(115) 상에는 소오스/드레인 전극(116a, 116b) 및 커패시터 전극(116c)을 덮는 제3절연막(118)이 형성된다. 제3절연막(118)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된다.
제3절연막(118) 상에는 컬러필터(CF)가 형성된다. 컬러필터(CF)는 유기 발광다이오드부(OLED)로부터 출사된 백색 광을 적색, 녹색 및 청색(RGB)으로 변환하는 색 변환재료이다.
제3절연막(118) 상에는 컬러필터(CF)를 덮으며 소오스/드레인 전극(116a, 116b)의 일부를 노출하는 오버코팅층(119)이 형성된다. 오버코팅층(119)은 유기물질로 형성될 수 있으나 무기물 또는 유무기 혼합물질로 형성된다.
오버코팅층(119) 상에는 노출된 소오스/드레인 전극(116a, 116b)에 연결되는 제1전극(120)이 형성된다. 제1전극(120)은 애노드 전극 또는 캐소드 전극으로 선택된다. 애노드 전극으로 선택된 제1전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1전극(120) 상에는 제1전극(120)의 일부를 노출하는 제1개구부(OPN1)를 갖는 제1뱅크층(121)이 형성된다. 제1뱅크층(121)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기물질로 형성된다. 제1뱅크층(121)은 제1전극(120)의 일부를 덮는 영역이 내측으로 인입된 역테이퍼 형상을 갖는다. 제1뱅크층(121)은 언더 커팅(under-cutting)에 의해 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.
제1뱅크층(121) 상에는 제1뱅크층(121)의 일부를 노출하는 제2개구부(OPN2)를 갖는 제2뱅크층(122)이 형성된다. 제2뱅크층(122)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기물질로 형성된다. 제2뱅크층(122)은 제1뱅크층(121)보다 좁은 면적을 차지하며 제1전극(120)을 노출하는 영역 방향으로 완만한 경사를 갖는 정테이퍼 형상을 갖는다. 그리고 제2뱅크층(122)의 두께는 제1뱅크층(121)의 두께보다 두껍게 형성된다.
제1전극(120)의 영역(123a)과 제2뱅크층(122)의 영역(123b)에는 상호 구분되어 형성되며 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층(123)이 형성된다. 제1유기 발광층(123)은 역테이퍼 형상을 갖는 제1뱅크층(121)에 의해 제1전극(120)의 영역(123a)과 제2뱅크층(122)의 영역(123b)으로 상호 구분되어 형성되며 이들은 도 3의 "S"에 도시된 바와 같이 상호 비접촉된 상태가 된다.
제1유기 발광층(123) 상에는 제1유기 발광층(123)을 덮도록 형성되며 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층(124)이 형성된다. 제1유기 발광층(123)은 역테이퍼 형상의 제1뱅크층(121)에 의해 상호 구분되어 형성되지만, 제2유기 발광층(124)은 증착되는 두께에 의해 "S"에 도시된 바와 같이 상호 끊기지 않고 접촉된 상태로 형성된다.
제2유기 발광층(124) 상에는 제2유기 발광층(124)을 덮도록 제2전극(125)이 형성된다. 제2전극(125)은 캐소드 전극 또는 애노드 전극으로 선택된다. 캐소드 전극으로 선택된 제2전극(125)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명 금속으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1유기 발광층(123)에는 제1정공주입층(HIL1), 제1정공수송층(HTL1), 제2정공수송층(HTL2), 청색 발광층(B_EML), 제1전자수송층(ETL1) 및 캐리어 발생층(carrier generation layer; CGL)이 포함된다. 제1유기 발광층(123)에 포함된 각층은 제1전극(120) 상에 순서대로 적층된다. 도 4에서 알 수 있듯이, 제1유기 발광층(123)은 캐리어 발생층(CGL)이 포함된 "1Stack+CGL" 구조로 형성된다.
제2유기 발광층(124)에는 제2정공주입층(HIL2), 제3정공수송층(HTL3), 적색 및 녹색 발광층(R+G_EML), 제2전자수송층(ETL2) 및 전자주입층(LiF)이 포함된다. 제2유기 발광층(124)에 포함된 각층은 캐리어 발생층(CGL) 상에 순서대로 적층된다.
실시예에 따른 백색 유기전계발광표시장치는 두 개의 제1 및 제2유기 발광층(123, 124)이 두 개의 스택(2 Stack) 구조로 이루어져 있고, 두 개의 스택 사이에는 캐리어 발생층(CGL)이 형성된 구조이다.
실시예에 따른 백색 유기전계발광표시장치는 역테이퍼 형상의 제1뱅크층(121) 및 정테이퍼 형상의 제2뱅크층(122)의 구조에 의해 제1유기 발광층(123)이 비발광영역과 발광영역으로 구분되어 형성된다. 이와 같은 구조에 따라, 캐리어 발생층(CGL)에 의해 비발광영역에서의 발광 문제가 방지되므로 서브 픽셀 간의 혼색 발생은 물론 서브 픽셀 간의 간섭에 의해 표시품질이 저하되는 문제를 해결할 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이 트랜지스터부(TFT)와 유기 발광다이오드부(OLED)를 다음과 같이 형성한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 컬러필터(CF)가 포함된 트랜지스터부(TFT)를 형성한다. 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 형성된다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 트랜지스터부(TFT)를 보호하기 위해 형성할 수 있으나 이는 생략될 수도 있다. 버퍼층(111) 상에는 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)이 형성된다. 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)에는 소오스, 채널 및 드레인 영역이 포함되고 소오스/드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑된다. 기판(110) 상에는 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)을 덮는 제1절연막(113)이 형성된다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된다. 제1절연막(113) 상에는 제1 및 제2액티브층(112a, 112b)과 대응되는 영역에 제1 및 제2게이트 전극(114a, 114b)이 형성된다. 제1게이트 전극(114a)은 구동 트랜지스터의 게이트 전극이고 제2게이트 전극(114b)은 커패시터의 제1전극이 된다. 제1절연막(113) 상에는 제1 및 제2게이트 전극(114a, 114b)을 덮고 제1액티브층(112a)의 일부를 노출하는 제2절연막(115)이 형성된다. 제2절연막(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된다. 제2절연막(115) 상에는 노출된 제1액티브층(112a)에 연결되는 소오스/드레인 전극(116a, 116b)이 형성된다. 그리고 제2절연막(114) 상에는 소오스/드레인 전극(116a, 116b)과 동일하게 형성되며 제2게이트 전극(114b)과 함께 커패시터를 형성하는 커패시터의 제2전극(116c)이 형성된다. 제2절연막(115) 상에는 소오스/드레인 전극(116a, 116b) 및 커패시터 전극(116c)을 덮는 제3절연막(118)이 형성된다. 제3절연막(118)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된다. 제3절연막(118) 상에는 컬러필터(CF)가 형성된다. 컬러필터(CF)는 유기 발광다이오드부(OLED)로부터 출사된 백색 광을 적색, 녹색 및 청색(RGB)으로 변환하는 색 변환재료이다. 제3절연막(118) 상에는 컬러필터(CF)를 덮으며 소오스/드레인 전극(116a, 116b)의 일부를 노출하는 오버코팅층(119)이 형성된다. 오버코팅층(119)은 유기물질로 형성될 수 있으나 무기물 또는 유무기 혼합물질로 형성된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 트랜지스터부(TFT) 상에 트랜지스터부(TFT)에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스/드레인 전극(116a, 116b)에 연결된 제1전극(120)을 형성한다. 오버코팅층(119) 상에는 노출된 소오스/드레인 전극(116a, 116b)에 연결되는 제1전극(120)이 형성된다. 제1전극(120)은 애노드 전극 또는 캐소드 전극으로 선택된다. 애노드 전극으로 선택된 제1전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1전극(120)의 일부를 노출하는 제1개구부(OPN1)를 갖는 제1뱅크층(121)을 형성한다. 제1전극(120) 상에는 제1전극(120)의 일부를 노출하는 제1개구부(OPN1)를 갖는 제1뱅크층(121)이 형성된다. 제1뱅크층(121)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기물질로 형성된다. 제1뱅크층(121)은 제1전극(120)의 일부를 덮는 영역이 내측으로 인입된 역테이퍼 형상을 갖는다. 제1뱅크층(121)은 드라이 엣치(dry-etch)를 이용한 식각 또는 언더 커팅(under-cutting)에 의한 방법으로 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1뱅크층(121)의 일부를 노출하는 제2개구부(OPN2)를 갖는 제2뱅크층(122)을 형성한다. 제1뱅크층(121) 상에는 제1뱅크층(121)의 일부를 노출하는 제2개구부(OPN2)를 갖는 제2뱅크층(122)이 형성된다. 제2뱅크층(122)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기물질로 형성된다. 제2뱅크층(122)은 제1뱅크층(121)보다 좁은 면적을 차지하며 제1전극(120)을 노출하는 영역 방향으로 완만한 경사를 갖는 정테이퍼 형상을 갖는다. 그리고 제2뱅크층(122)의 두께는 제1뱅크층(121)의 두께보다 두껍게 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1전극(120)의 영역(123a)과 제2뱅크층(122)의 영역(123b)에 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층(123)이 구분되도록 형성한다. 제1유기 발광층(123)은 역테이퍼 형상을 갖는 제1뱅크층(121)에 의해 제1전극(120)의 영역(123a)과 제2뱅크층(122)의 영역(123b)으로 상호 구분되어 형성되며 이들은 도 6의 "S"에 도시된 바와 같이 상호 비접촉된 상태가 된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1유기 발광층(123)을 덮도록 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층(124)을 형성한다. 제1유기 발광층(123)은 역테이퍼 형상의 제1뱅크층(121)에 의해 상호 구분되어 형성되지만, 제2유기 발광층(124)은 증착되는 두께에 의해 상호 끊기지 않고 접촉된 상태로 형성된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제2유기 발광층(124)을 덮도록 제2전극(125)을 형성한다. 제2전극(125)은 캐소드 전극 또는 애노드 전극으로 선택된다. 캐소드 전극으로 선택된 제2전극(125)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명 금속으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
실시예에 따른 백색 유기전계발광표시장치는 두 개의 제1 및 제2유기 발광층(123, 124)이 두 개의 스택(2 Stack) 구조로 이루어져 있고, 두 개의 스택 사이에는 캐리어 발생층(CGL)이 형성된 구조이다. 여기서, 제1스택이 되는 제1유기 발광층(123)의 두께는 대략 2000Å으로 형성되며 제1뱅크층(121)의 두께는 대략 3000Å으로 형성된다. 그리고 역테이퍼 형상의 제1뱅크층(121) 및 정테이퍼 형상의 제2뱅크층(122)의 구조에 의해 제1유기 발광층(123)이 비발광영역과 발광영역으로 구분되어 형성된다. 이와 달리, 제2스택이 되는 제2유기 발광층(124)과 제2전극(125)은 모든 서브 픽셀 영역에 연결되도록 형성된다. 이와 같은 구조에 따라, 캐리어 발생층(CGL)에 의해 비발광영역에서의 발광 문제가 방지되므로 서브 픽셀 간의 혼색 발생은 물론 서브 픽셀 간의 간섭에 의해 표시품질이 저하되는 문제를 해결할 수 있게 된다.
이상 본 발명의 실시예는 캐리어 발생층(CGL)이 발광영역과 비발광영역으로 구분되어 형성되므로 비발광영역에서의 발광 문제를 방지하고 서브 픽셀 간의 혼색 발생은 물론 서브 픽셀 간의 간섭에 의해 표시품질이 저하되는 문제를 해결할 수 있는 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
TCN: 타이밍 제어부 DDRV: 데이터구동부
SDRV: 스캔구동부 PNL: 패널
TFT: 트랜지스터부 OLED: 유기 발광다이오드부
120: 제1전극 121: 제1뱅크층
122: 제2뱅크층 123: 제1유기 발광층
124: 제2유기 발광층 125: 제2전극

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 트랜지스터부;
    상기 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극에 연결된 제1전극;
    상기 제1전극의 일부를 노출하는 제1개구부를 갖는 제1뱅크층;
    상기 제1뱅크층의 일부를 노출하는 제2개구부를 갖는 제2뱅크층;
    상기 제1전극의 영역과 상기 제2뱅크층의 영역에 구분되어 형성되며 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층;
    상기 제1유기 발광층을 덮도록 형성되며 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층; 및
    상기 제2유기 발광층을 덮도록 형성된 제2전극을 포함하는 백색 유기전계발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1뱅크층은,
    상기 제1전극의 일부를 덮는 영역이 내측으로 인입된 역테이퍼 형상을 갖는 백색 유기전계발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2뱅크층은,
    상기 제1뱅크층보다 좁은 면적을 차지하며 상기 제1전극을 노출하는 영역 방향으로 완만한 경사를 갖는 정테이퍼 형상을 갖는 백색 유기전계발광표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1뱅크층은 무기물질로 형성되고 상기 제2뱅크층은 유기물질로 형성된 백색 유기전계발광표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2뱅크층의 두께는 상기 제1뱅크층의 두께보다 두꺼운 백색 유기전계발광표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1유기 발광층은,
    상기 제1전극 상에 형성된 제1정공주입층과,
    상기 제1정공주입층 상에 형성된 제1정공수송층과,
    상기 제1정공수송층 상에 형성된 제2정공수송층과,
    상기 제2정공수송층 상에 형성되며 하나의 발광물질이 포함된 제1발광층과,
    상기 제1발광층 상에 형성된 제1전자수송층과,
    상기 제1전자수송층 상에 형성된 캐리어 발생층을 포함하는 백색 유기전계발광표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2유기 발광층은,
    상기 캐리어 발생층 상에 형성된 제2정공주입층과,
    상기 제2정공주입층 상에 형성된 제3정공수송층과,
    상기 제3정공수송층 상에 형성되며 두 개의 발광물질이 포함된 제2발광층과,
    상기 제2발광층 상에 형성된 제2전자수송층과,
    상기 제2전자수송층 상에 형성된 전자주입층을 포함하는 백색 유기전계발광표시장치.
  8. 기판 상에 컬러필터가 포함된 트랜지스터부를 형성하는 단계;
    상기 트랜지스터부 상에 상기 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극에 연결된 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극의 일부를 노출하는 제1개구부를 갖는 제1뱅크층을 형성하는 단계;
    상기 제1뱅크층의 일부를 노출하는 제2개구부를 갖는 제2뱅크층을 형성하는 단계;
    상기 제1전극의 영역과 상기 제2뱅크층의 영역에 하나의 발광물질이 포함된 제1유기 발광층이 구분되도록 형성하는 단계;
    상기 제1유기 발광층을 덮도록 두 개의 발광물질이 포함된 제2유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2유기 발광층을 덮도록 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 백색 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1뱅크층은 상기 제1전극의 일부를 덮는 영역이 내측으로 인입된 역테이퍼 형상을 갖도록 형성되고,
    상기 제1유기 발광층은 상기 제1뱅크층의 역테이퍼 형상에 의해 상기 제1전극의 영역과 상기 제2뱅크층의 영역으로 구분되어 형성되는 백색 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2뱅크층의 두께는 상기 제1뱅크층의 두께보다 두꺼운 백색 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1유기 발광층의 캐리어 발생층은
    상기 제1전극의 영역 상에 위치하는 부분과 상기 제2뱅크층의 영역 상에 위치하는 부분이 상호 비접촉하도록 분리된 백색 유기전계발광표시장치.

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