KR101773610B1 - 유기전계발광소자의 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판에 정공수송물질 및 전자수송물질이 순서대로 배열된 소스를 준비하는 단계, 상기 정공수송물질이 배치된 방향으로 상기 소스를 가열하면서 한번 스캔하여, 상기 제 1 전극 상에 정공수송층, 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합층인 발광층 및 전자수송층을 동시에 순차적으로 형성하는 단계 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

유기전계발광소자의 제조방법{METHOD MANUFACTURING OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로 보다 자세하게는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 양극과 음극 사이에 발광층을 포함하고 있어 양극으로부터 공급받는 정공과 음극으로부터 받은 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
그러나, 상기와 같은 유기전계발광소자는 사용되는 재료나 적층구조 등에 따라 소자의 수명 및 효율에 큰 영향을 미친다. 따라서, 보다 우수한 수명 및 효율을 갖는 유기전계발광소자를 개발하기 위한 연구가 계속 진행 중에 있다.
본 발명은 우수한 수명 및 발광효율을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판에 정공수송물질 및 전자수송물질이 순서대로 배열된 소스를 준비하는 단계, 상기 정공수송물질이 배치된 방향으로 상기 소스를 가열하면서 한번 스캔하여, 상기 제 1 전극 상에 정공수송층, 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합층인 발광층 및 전자수송층을 동시에 순차적으로 형성하는 단계 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 소스는 상기 정공수송물질 및 상기 전자수송물질의 사이에 위치하는 녹색 인광 도펀트 물질을 더 포함하며, 상기 정공수송물질 및 상기 전자수송물질의 증착과 동시에 상기 도펀트 물질을 증착할 수 있다.
상기 정공수송층, 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합층인 발광층 및 전자수송층을 형성하는 단계는, 상기 기판으로 상기 소스의 정공수송물질이 먼저 증착되어, 정공수송층을 형성하는 단계, 상기 정공수송층이 형성되면서, 상기 소스의 전자수송물질의 증착이 시작되어 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 공증착에 의해 상기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 발광층이 형성되면서, 상기 전자수송물질만 증착되어 전자수송층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 정공수송층을 형성하기 전에, 상기 제 1 전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극을 형성하기 전에, 상기 전자수송층 상에 전자주입층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 발광층은 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합비가 1:1일 수 있다.
상기 소스의 스캔은 상기 기판의 일측 외곽에서 시작하여 상기 기판의 타측 외곽에서 종료될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비가 1:1인 발광층을 형성함으로써, 발광효율 및 수명을 크게 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 소스를 스캔하는 공정을 통해, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 간단하게 형성할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 제조하기 위한 증착장치를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 소스를 나타낸 평면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 실시예1 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 수명을 측정하여 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명의 실시예1, 2 및 3에 따라 제조된 유기전계발광소자의 수명을 측정하여 나타낸 그래프.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 위치하는 제 1 전극(120), 상기 제 1 전극(120) 상에 위치하는 정공주입층(131), 상기 정공주입층(131) 상에 위치하는 정공수송층(132), 상기 정공수송층(132) 상에 위치하는 발광층(140), 상기 발광층(140) 상에 위치하는 전자수송층(151), 상기 전자수송층(151) 상에 위치하는 전자주입층(152) 및 상기 전자주입층(152) 상에 위치하는 제 2 전극(160)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어질 수 있으며, 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(120)은 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제 1 전극(120)이 투명한 전극인 경우에 제 1 전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 제 1 전극(120)이 반사 전극일 경우에 제 1 전극(120)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.
제 1 전극(120)은 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition)을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 제 1 전극(120) 상에 정공주입층(131) 및 정공수송층(132)이 위치한다. 상기 정공주입층(131)은 제 1 전극(120)으로부터 발광층(140)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공주입층(131)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 정공수송층(132)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공수송층(132)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 정공수송층(132) 상에 발광층(140)이 위치한다. 발광층(140)은 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합층일 수 있다. 여기서, 정공수송물질은 정공의 수송을 원할하게 하는 정공수송물질들로 이루어지며, 예를 들어 앞서 설명한 정공수송층과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 전자수송물질은 전자의 수송을 원할하게 하는 전자수송물질로 이루어지며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 발광층(140)은 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합층으로 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비는 1:1로 이루어진다. 만약, 발광층(140)에서 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비가 어느 한쪽으로 비중이 높아지면, 전하들이 정공수송층과 발광층 또는 전자수송층과 발광층 사이의 계면에서 발광하지 않고 열로 손실되어 소자의 열화를 초래하는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명에서는 발광층(140)에서 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비를 1:1로 형성한다.
그리고, 발광층(140)에 혼합된 정공수송물질과 전자수송물질은 각각이 발광층(140)의 호스트 물질로 작용한다. 그리고, 발광층(140)에는 녹색 인광 도펀트를 포함한다. 녹색 인광 도펀트로는 예를 들어 Ir(ppy)2(acac), Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium) 등으로 이루어질 수 있다.
상기 발광층(140) 상에 전자수송층(151)이 위치한다. 전자수송층(151)은 전술한 전자수송물질로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송층(151) 상에 전자주입층(152)이 위치한다. 전자주입층(152)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 전자주입층(152)은 무기물로 이루어질 수 있으며, 무기물은 금속화합물일 수 있다. 예를 들어, 전자주입층(152)은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있으며, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자주입층(152)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 전자주입층(152)의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.
상기 전자주입층(152) 상에 제 2 전극(160)이 위치한다. 제 2 전극(160)은 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 제 2 극(160)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다. 상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)가 구성될 수 있다.
이하, 전술한 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 제조하기 위한 증착장치를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 소스를 나타낸 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 증착장치(300)는 진공챔버(310) 내에 기판(110)이 기판 플레이트(320)에 고정되고, 상기 기판(110)의 하부에는 증착재료가 담긴 소스(330)가 위치하게 된다. 이때, 소스(330)는 일정 방향으로 왕복 운동을 할 수 있다.
소스(330)의 일면에는 일측에 정공수송물질(340)이 배열되고, 타측에 전자수송물질(360)이 배열된다. 그리고, 전자수송물질(340)과 정공수송물질(360) 사이에 녹색 인광 도펀트(350)가 배열된다.
위와 같이 구성된 증착장치(300)를 이용하여 본 발명의 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다.
도 4a를 참조하면, 기판(110) 상에 제 1 전극 및 정공주입층을 형성한 후, 진공챔버의 기판 플레이트(320)에 기판(110)을 장착한다.
그리고, 소스(330)에 정공수송물질(340), 전자수송물질(360) 및 녹색 인광 도펀트(미도시)를 배열한 후, 소스(330)를 가열하여 정공수송물질(340)이 배열된 방향으로 스캔한다.
이때, 소스(330)에는 정공수송물질(340)과 전자수송물질(360)이 이격되어 배열되기 때문에, 도면에 도시된 바와 같이, 정공수송물질(340)만 증발되는 영역(A1), 정공수송물질(340)과 전자수송물질(360)이 동시에 증발되는 영역(A2) 및 전자수송물질(360)만 증발되는 영역(A3)으로 나눠지게 된다. 그리고, 녹색 인광 도펀트(미도시)는 모든 영역에 동시에 증발되게 된다.
그리고, 상기 소스(330)의 스캔은 기판(110)의 일측 외곽에서 시작된다. 즉, 정공수송물질(340)만 증발되는 영역(A1)이 기판(110)의 일측 외곽에 위치하였다가 소스(330)의 스캔에 따라 기판(110)으로 증발되어 증착된다.
이어, 도 4b를 참조하면, 소스(330)를 제 1 스캔하면 정공수송물질(340)부터 증착되는 영역(A1)이 기판(110)에 먼저 증착되기 때문에, 정공수송물질(340)만 기판(110)에 증착되어 정공수송층(132)이 형성된다.
그리고, 정공수송물질(340)과 전자수송물질(360)이 동시에 증발되는 영역(A2)이 뒤이어 기판(110)에 증착되어, 정공수송물질(340)과 전자수송물질(360)이 공증착되어 발광층(140)이 형성된다.
그리고, 전자수송물질(360)이 증발되는 영역(A3)이 뒤이어 기판(110)에 증착되어, 전자수송층(151)이 형성된다. 따라서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 정공수송층(132), 발광층(140) 및 전자수송층(151)이 순차적으로 형성된다. 이때, 상기 소스(330)의 스캔은 기판(110)의 타측 외곽에서 종료된다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이, 전자수송물질(360)만 증발되는 영역(A3)이 기판(110)의 타측 외곽까지 완전히 벗어난 후 스캔이 종료된다.
다음, 전자수송층(151)이 형성된 기판(110) 상에 전자수송층 및 제 2 전극을 형성하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 제조한다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 일방향으로 운동하는 소스에 전자수송물질 및 정공수송물질을 이격하여 배치함으로써, 총 1번의 스캔 공정으로 정공수송층(132), 발광층(140) 및 전자수송층(151)을 용이하게 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 유기전계발광소자에 관하여 하기 실시예에서 상술하기로 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예1
유리 기판 상에 발광 면적이 3mm×3mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판 상에 양극인 ITO를 500Å의 두께로 성막하고, 정공주입층인 CuPc를 1000Å의 두께로 성막하였다. 그리고, 소스에 정공수송물질로 NPD를 구비하고, 전자수송물질로 spiro-PBD를 구비하고, 녹색 인광 도펀트로 Ir(PPY)3을 구비하였다. 이어, 무빙 소스에 열을 가해 스캔시켜 정공수송층을 1000Å의 두께로 성막하고, 녹색 발광층으로 상기 NPD와 spiro-PBD을 혼합한 발광층을 300Å의 두께로 성막하고, 전자수송층을 200Å의 두께로 성막하였다. 이때, 도펀트의 도핑 농도 18%였고, 발광층의 NPD와 spiro-PBD의 혼합비는 1:1이었다. 다음, 전자주입층인 LiF를 10Å의 두께로 성막하고, 음극인 Al을 1000Å의 두께로 성막하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
비교예
전술한 실시예1과 동일하게 정공주입층까지 형성하고, 하나의 소스가 구비된 챔버 내에서 정공수송층으로 CuPc를 1000Å의 두께로 성막하였다. 그리고, 호스트인 NPD에 도펀트인 Ir(PPY)3을 18% 도핑농도로 300Å의 두께로 발광층을 형성하였다. 다음, 전자수송층인 spiro-PBD를 200Å의 두께로 형성하고, 전자주입층인 LiF를 10Å의 두께로 성막하고, 음극인 Al을 1000Å의 두께로 성막하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
상기 실시예1 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 구동전압, 발광효율, 양자효율 및 색좌표를 측정하여 하기 표 1에 나타내었고, 수명을 측정한 그래프를 도 5에 나타내었다.

구동전압
(V)		 발광효율
(Cd/A)		 색좌표 양자효율(%)
CIE_x CIE_y
비교예 3.6 51.8 0.236 0.718 13.9
실시예1 3.8 76.3 0.248 0.706 20.6
상기 표 1 및 도 5를 참조하면, 비교예에 비해 본 발명의 실시예1에서 발광효율 및 양자효율이 1.5배 정도 향상된 것을 알 수 있었다. 즉, 비교예인 하나의 호스트에 하나의 도펀트가 포함된 유기전계발광소자에 비해, 본 발명의 실시예1은 2개의 호스트가 구비된 소스를 이용하여 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합인 발광층을 형성함으로써, 발광효율 및 양자효율을 증가시킬 수 있음을 알 수 있었다.
실시예2
전술한 실시예1과 동일한 공정 조건 하에, 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비를 2:1로 달리하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
실시예3
전술한 실시예1과 동일한 공정 조건 하에, 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비를 1:2로 달리하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
상기 실시예1, 2 및 3에 따라 제조된 유기전계발광소자의 수명을 측정하여 나타낸 그래프를 도 6에 나타내었다.
도 6을 참조하면, 실시예 2 및 3에 따라 제조된 유기전계발광소자에 비해 실시예1에 따라 제조된 유기전계발광소자의 수명 특성이 월등하게 향상된 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예1과 같이, 호스트로 작용하는 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비를 1:1로 형성함으로써, 발광층 내의 전하들이 어느 한쪽에 치우쳐져 발광하지 않고 열로 손실되면서 소자의 열화를 촉진하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 정공수송물질과 전자수송물질의 혼합비가 1:1인 발광층을 형성함으로써, 발광효율 및 수명을 크게 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 소스를 스캔하는 공정을 통해, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 간단하게 형성할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (7)

  1. 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판에 정공수송물질 및 전자수송물질이 순서대로 배열된 소스를 준비하는 단계;
    상기 정공수송물질이 배치된 방향으로 상기 소스를 가열하면서 한번 스캔하여, 상기 제 1 전극 상에 정공수송층, 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합층인 발광층 및 전자수송층을 동시에 순차적으로 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 정공수송층, 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합층인 발광층 및 전자수송층을 형성하는 단계는,
    상기 기판으로 상기 소스의 정공수송물질이 먼저 증착되어, 정공수송층을 형성하는 단계;
    상기 정공수송층이 형성되면서, 상기 소스의 전자수송물질의 증착이 시작되어 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 공증착에 의해 상기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층이 형성되면서, 상기 전자수송물질만 증착되어 전자수송층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 소스는 상기 정공수송물질 및 상기 전자수송물질의 사이에 위치하는 녹색 인광 도펀트 물질을 더 포함하며,
    상기 정공수송물질 및 상기 전자수송물질의 증착과 동시에 상기 도펀트 물질을 증착하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 정공수송층을 형성하기 전에,
    상기 제 1 전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 전극을 형성하기 전에,
    상기 전자수송층 상에 전자주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 정공수송물질과 상기 전자수송물질의 혼합비가 1:1인 유기전계발광소자의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 소스의 스캔은 상기 기판의 일측 외곽에서 시작하여 상기 기판의 타측 외곽에서 종료되는 유기전계발광소자의 제조방법.
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