KR101757887B1 - Solar cell - Google Patents

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Abstract

태양전지는 제1 도전성 타입을 갖는 기판; 기판의 한쪽 면에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부; 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 제1 전극이 위치하지 않는 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 보호막; 제1 보호막 위에 위치하는 제1 반사방지막; 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부; 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 제2 전극이 위치하지 않는 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 보호막을 포함하며, 제1 보호막 및 제2 보호막은 제1 도전성 타입과 동일한 도전성 타입의 고정 전하(fixed charge)를 갖는 물질로 형성되고, 후면 전계부는 기판의 후면에 국부적으로 위치한다.A solar cell comprises a substrate having a first conductivity type; An emitter section located on one side of the substrate and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type; A first electrode electrically connected to the emitter portion; A first protective layer located on a front surface of the emitter portion where the first electrode is not located; A first anti-reflection film positioned on the first protective film; A rear electric field portion located on the other surface of the substrate; A second electrode electrically connected to the rear electric field; And a second protective layer located on a back surface of the substrate where the second electrode is not located, wherein the first protective layer and the second protective layer have a fixed charge of the same conductivity type as that of the first conductive type And the rear electric field portion is locally located on the rear surface of the substrate.

Description

태양전지{SOLAR CELL}Solar cell {SOLAR CELL}

본 발명은 태양전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell.

광전 변환 효과를 이용하여 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전은 무공해 에너지를 얻는 수단으로서 널리 이용되고 있다. 그리고 태양전지의 광전 변환 효율의 향상에 수반하여, 개인 주택에서도 다수의 태양전지 모듈을 이용하는 태양광 발전 시스템이 설치되고 있다.Photovoltaic generation, which converts light energy into electrical energy using the photoelectric conversion effect, is widely used as means for obtaining pollution-free energy. With the improvement of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell, a solar power generation system using a plurality of solar cell modules is also installed in a private house.

통상의 태양전지는 기판 및 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부를 포함하며, 기판의 한쪽 면을 통해 입사된 빛을 이용하여 전류를 발생시킨다.A typical solar cell includes a substrate and an emitter portion that forms a p-n junction with the substrate, and generates a current by using light incident through one side of the substrate.

이때, 기판으로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 빛 투과도를 증가시켜 태양전지의 광전 변환 효율을 증가시키기 위해, 기판의 수광면에는 반사방지막이 위치한다.At this time, an antireflection film is disposed on the light receiving surface of the substrate in order to reduce the reflectivity of the light incident on the substrate and increase the light transmittance of the specific wavelength region to increase the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.

한편, 통상의 태양전지는 빛이 기판의 한쪽 면을 통해서만 입사되므로 전류 변환 효율이 낮다.On the other hand, a conventional solar cell has a low current conversion efficiency because light is incident through only one side of the substrate.

따라서, 근래에는 기판의 양쪽 면을 통해 빛이 입사되도록 한 양면 수광형 태양전지가 개발되고 있다.Accordingly, in recent years, a double-side light receiving solar cell has been developed in which light is incident through both sides of a substrate.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고효율 태양전지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a high-efficiency solar cell.

본 발명의 한 측면에 따른 태양전지는, 제1 도전성 타입을 갖는 기판; 기판의 한쪽 면에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부; 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 제1 전극이 위치하지 않는 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 보호막; 제1 보호막 위에 위치하는 제1 반사방지막; 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부; 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 제2 전극이 위치하지 않는 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 보호막을 포함하며, 제1 보호막 및 제2 보호막은 제1 도전성 타입과 동일한 도전성 타입의 고정 전하(fixed charge)를 갖는 물질로 형성되고, 후면 전계부는 기판의 후면에 국부적으로 위치한다.A solar cell according to an aspect of the present invention includes: a substrate having a first conductivity type; An emitter section located on one side of the substrate and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type; A first electrode electrically connected to the emitter portion; A first protective layer located on a front surface of the emitter portion where the first electrode is not located; A first anti-reflection film positioned on the first protective film; A rear electric field portion located on the other surface of the substrate; A second electrode electrically connected to the rear electric field; And a second protective layer located on a back surface of the substrate where the second electrode is not located, wherein the first protective layer and the second protective layer have a fixed charge of the same conductivity type as that of the first conductive type And the rear electric field portion is locally located on the rear surface of the substrate.

제1 보호막 및 제2 보호막은 음(-)의 고정 전하(negative fixed charge)를 갖는 알루미늄 산화물(AlOx) 또는 이트리움 산화물(Y2O3)을 포함하며, 1.55 내지 1.7의 굴절률을 갖고, 5㎚ 내지 30㎚의 두께로 형성된다.The first protective film and the second protective film include aluminum oxide (AlO x ) or yttrium oxide (Y 2 O 3 ) having a negative fixed charge and have a refractive index of 1.55 to 1.7, And is formed to a thickness of 5 nm to 30 nm.

후면 전계부는 제2 전극과 동일한 위치에 형성되며, 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는다. 후면 전계부의 폭은 제2 전극의 폭 이하로 형성되거나, 제2 전극의 폭보다 크게 형성될 수 있다.The rear electric field portion is formed at the same position as the second electrode and has a sheet resistance of 30? / Sq to 80? / Sq. The width of the rear surface electric field portion may be less than or equal to the width of the second electrode, or may be greater than the width of the second electrode.

제1 반사방지막은 양(+)의 고정 전하를 갖는 실리콘 질화물(SiNx)로 형성될 수 있다.The first antireflection film may be formed of silicon nitride (SiN x ) having a positive positive charge.

태양전지는 제2 보호막의 후면에 위치하는 제2 반사방지막을 더 포함할 수 있으며, 제2 반사방지막은 제1 반사방지막과 동일한 물질, 예컨대 양(+)의 고정 전하를 갖는 실리콘 질화물(SiNx)로 형성될 수 있다.The solar cell may further include a second antireflection film disposed on the rear surface of the second protective film. The second antireflection film may include a silicon nitride (SiN x ) film having the same material as the first antireflection film, ).

제1 반사방지막 및 제2 반사방지막은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성될 수 있다.The first antireflection film and the second antireflection film have a refractive index of 1.9 to 2.3 and may be formed to a thickness of 50 nm to 100 nm.

에미터부가 위치하는 기판의 표면 및 후면 전계부가 위치하는 기판의 표면은 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성될 수 있다.The surface of the substrate on which the emitter portion is located and the surface of the substrate on which the rear electric field portion is located may be respectively formed as a first textured surface and a second textured surface.

제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극은 은(Ag) 및 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)을 포함하는 도전성 페이스트로 형성되며, 제2 전극은 은(Ag)을 포함하는 도전성 페이스트로 형성될 수 있다.The first electrode and the second electrode may be formed of different materials. For example, the first electrode may be formed of a conductive paste containing a mixture of silver (Ag) and aluminum (Al) (Ag: Al), and the second electrode may be formed of a conductive paste containing silver (Ag) have.

제1 전극과 제2 전극은 서로 동일한 폭으로 형성될 수 있다.The first electrode and the second electrode may be formed to have the same width.

기판은 인(P)이 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼로 이루어지며, 1Ω/㎠ 내지 10Ω/㎠의 비저항을 갖는다.The substrate is made of an n-type silicon wafer doped with phosphorus (P) and has a resistivity of 1? / Cm 2 to 10? / Cm 2.

에미터부는 제2 도전성 타입의 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도핑부와, 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 제1 도핑부에 비해 고농도로 도핑된 제2 도핑부를 포함할 수 있다.The emitter portion may include a first doping portion in which an impurity of the second conductivity type is lightly doped and a second doping portion in which impurities of the second conductivity type are doped heavily than the first doping portion.

제2 도핑부는 제1 전극과 동일한 위치에 형성될 수 있으며, 제2 도핑부의 폭은 제1 전극의 폭 이하로 형성되거나, 제1 전극의 폭보다 크게 형성될 수 있다.The second doping portion may be formed at the same position as the first electrode and the width of the second doping portion may be less than or equal to the width of the first electrode.

제1 도핑부는 80Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 가지며, 제2 도핑부는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는다.The first doping portion has a sheet resistance of 80? / Sq to 200? / Sq and the second doping portion has a sheet resistance of 30? / Sq to 80? / Sq.

이러한 특징에 따르면, 제1 보호막을 형성하는 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물은 낮은 인터페이스 트랩 밀도(interface trap density)에 따른 화학적 패시베이션 특성과 음(-)의 고정 전하에 의한 전계 효과 패시베이션 특성이 우수하다. 또한 안정성, 투습률, 내마모성 특성이 매우 우수하다.According to this feature, the aluminum oxide or diatomic oxide forming the first protective film is excellent in the chemical passivation property due to the low interface trap density and the field effect passivation property due to the negative fixed charge. It also has excellent stability, moisture permeability and abrasion resistance.

따라서, 표면 재결합 속도를 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있으며, 장기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the surface recombination speed can be reduced to improve the efficiency of the solar cell and improve the long-term reliability.

또한, 후면 전계부가 제2 전극과 동일한 위치에만 국부적으로 형성되므로, 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물로 형성된 제2 보호막이 후면 전계부로 이동하는 전하에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.In addition, since the rear electric field portion is locally formed only at the same position as the second electrode, the influence of the second protective film formed of aluminum oxide or diatomic oxide on the charge moving to the rear electric field portion can be minimized.

또한, 에미터부의 제2 도핑부가 제1 전극과 동일한 위치에만 형성되고 나머지 영역에는 제2 도핑부에 비해 불순물 농도가 낮은 제1 도핑부가 형성되므로, 에미터부의 전체 영역을 고농도 도핑 영역으로 형성하는 경우에 비해 전하의 재결합을 더욱 감소시킬 수 있어 낮은 직렬 저항을 확보하는 것이 가능하다.The second doping portion of the emitter portion is formed only at the same position as the first electrode, and the first doping portion having a lower impurity concentration than that of the second doping portion is formed in the remaining region, so that the entire region of the emitter portion is formed as a heavily doped region The recombination of charges can be further reduced as compared with the case where a low series resistance can be secured.

또한, 제1 전극이 위치하는 기판의 전면(front surface) 및 제2 전극이 위치하는 기판의 후면(back surface)이 모두 텍스처링 표면으로 형성되고, 기판의 전면에는 제1 보호막 및 제1 반사방지막이 형성되며, 기판의 후면에는 제2 보호막 및 제2 반사방지막이 형성되어 있으므로, 기판의 전면으로 입사된 후 기판을 투과한 빛을 기판의 후면으로 다시 입사시켜 전류를 발생시키는 데 사용할 수 있다.The front surface of the substrate on which the first electrode is located and the back surface of the substrate on which the second electrode is disposed are both formed as textured surfaces, and a first protective film and a first anti- Since the second protective film and the second antireflection film are formed on the rear surface of the substrate, the light can be used to generate a current by entering the front surface of the substrate and then entering the rear surface of the substrate again.

따라서, 기판의 전면(front surface)으로 입사되는 빛만 이용하여 전류를 발생시키는 구조의 태양전지에 비해 효율을 증가시킬 수 있다.Accordingly, efficiency can be increased as compared with a solar cell having a structure that generates current by using only light incident on a front surface of a substrate.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 도 2에 도시한 태양전지의 제조 방법을 나타내는 공정 순서도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
FIGS. 3 to 7 are process flowcharts showing the method of manufacturing the solar cell shown in FIG. 2. FIG.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between.

반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것도 포함한다.Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it includes not only an entire surface of the other portion but also a portion not formed in the edge portion.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 개략적인 단면도이다. 태양전지는 기판(110), 기판(110)의 한쪽 면, 예를 들면 전면(front surface)에 위치하는 에미터부(120), 에미터부(120)의 위에 위치하는 제1 보호막(130) 및 제1 보호막(130) 위에 위치하는 제1 반사방지막(140), 제1 보호막(130) 및 제1 반사방지막(140)이 위치하지 않는 영역의 에미터부(120) 위에 위치한 제1 전극(front electrode)(150), 기판(110)의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전계(back surface field, BSF)부(160), 기판(110)의 후면에 위치하는 제2 보호막(170) 및 제2 보호막(170)의 후면에 위치하는 제2 반사방지막(180), 제2 보호막(170) 및 제2 반사방지막(180)이 위치하지 않는 영역의 후면 전계부(160)의 후면에 위치하는 제2 전극(back electrode)(190)를 포함한다.1 is a schematic cross-sectional view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention. The solar cell includes a substrate 110, an emitter portion 120 located on one side of the substrate 110, for example, a front surface, a first protective film 130 located on the emitter portion 120, A first electrode 130 located on the emitter section 120 in a region where the first antireflection film 140, the first protective film 130 and the first antireflection film 140 are not located, A back surface field (BSF) 160 positioned on a back surface of the substrate 110, a second protective layer 170 located on a rear surface of the substrate 110, The second protection film 170 and the second antireflection film 180 located on the rear surface of the rear electrode 170 of the back electrode unit 160 are not located, and a back electrode 190.

기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘 웨이퍼로 이루어진다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 기판 또는 비정질 실리콘일 수 있다.The substrate 110 is made of a silicon wafer of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. Here, the silicon may be a single crystal silicon, a polycrystalline silicon substrate, or an amorphous silicon.

기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가지므로, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유한다. 이때, 기판(110)은 1Ω/㎠ 내지 10Ω/㎠의 비저항을 갖는 것이 바람직하다.Since the substrate 110 has an n-type conductivity type, the substrate 110 contains impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), and the like. At this time, it is preferable that the substrate 110 has a resistivity of 1? / Cm 2 to 10? / Cm 2.

이러한 기판(110)은 표면이 텍스처링(texturing)된 텍스처링 표면(texturing surface)을 갖는다. 보다 구체적으로, 기판(110)은 에미터부(120)가 위치하는 전면(front surface)과 전면의 반대쪽에 위치하는 후면(back surface)이 제1 텍스처링 표면(도 3 참조, 111) 및 제2 텍스처링 표면(도 3 참조, 113)으로 각각 형성된다.Such a substrate 110 has a texturing surface whose surface is textured. More specifically, the substrate 110 includes a front surface on which the emitter section 120 is located and a back surface located on the opposite side of the front surface from the first texturing surface (see FIG. 3) 111 and the second texturing surface (See Fig. 3, 113), respectively.

기판(110)의 제1 텍스처링 표면(111)에 위치하는 에미터부(120)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 도전성 타입을 갖는 불순물부로서, 기판(110)과 p-n 접합을 이룬다.The emitter portion 120 located on the first textured surface 111 of the substrate 110 is an impurity portion having a second conductive type opposite to the conductive type of the substrate 110, for example, a p-type conductive type , And pn junction with the substrate 110. [

이러한 p-n 접합으로 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. Due to the built-in potential difference due to the pn junction, the electron-hole pairs, which are charges generated by the light incident on the substrate 110, are separated into electrons and holes, electrons move toward the n- Moves toward the p-type.

따라서, 기판(110)이 n형이고 에미터부(120)가 p형일 경우, 분리된 전자는 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동한다.Accordingly, when the substrate 110 is n-type and the emitter portion 120 is p-type, the separated electrons move toward the substrate 110, and the separated holes move toward the emitter portion 120.

에미터부(120)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter section 120 has a p-type conductivity type, the emitter section 120 is formed by doping an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In) .

이때, 에미터부(120)는 30Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖는 것이 바람직하다.At this time, the emitter layer 120 preferably has a sheet resistance of 30? / Sq to 200? / Sq.

기판(110) 전면(front surface)의 에미터부(120) 위에 형성된 제1 보호막(130)은 음(-)의 고정 전하(negative fixed charge)를 갖는 물질, 예를 들면 알루미늄 산화물(AlOx) 또는 이트리움 산화물(Y2O3)로 형성된다. The first protective film 130 is formed on the emitter layer 120 of the substrate 110, the front (front surface) is negative (-), fixed charge material, having a (negative fixed charge), for example, aluminum oxide (AlO x), or the (Y 2 O 3 ).

상기 물질은 낮은 인터페이스 트랩 밀도(interface trap density)에 따른 화학적 패시베이션 특성과 음(-)의 고정 전하에 의한 전계 효과 패시베이션 특성이 우수하다. 또한 안정성, 투습률, 내마모성 특성이 매우 우수하다.The material is superior in chemical passivation characteristics due to low interface trap density and field effect passivation properties due to negative charge. It also has excellent stability, moisture permeability and abrasion resistance.

따라서, 표면 재결합 속도를 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있으며, 장기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the surface recombination speed can be reduced to improve the efficiency of the solar cell and improve the long-term reliability.

제1 보호막(130) 위에 위치하는 제1 반사방지막(140)은 양(+)의 고정 전하를 갖는 물질, 예를 들어 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어진다.The first antireflection film 140 located on the first protective film 130 is made of a material having a positive positive charge, for example, silicon nitride (SiN x ).

제1 반사방지막(140)은 기판(110)의 전면(front surface)을 통해 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지의 효율을 높인다.The first antireflection film 140 reduces the reflectivity of light incident through the front surface of the substrate 110 and increases the selectivity of a specific wavelength region to increase the efficiency of the solar cell.

이때, 기판 전면에서의 빛 반사도를 최소화 하기 위해, 제1 보호막(130)은 1.55 내지 1.7의 굴절률을 가지며, 5㎚ 내지 30㎚의 두께(T1)로 형성된다. 그리고 제1 반사방지막(140)은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 100㎚의 두께(T2)로 형성된다.At this time, the first protective film 130 has a refractive index of 1.55 to 1.7 and is formed to have a thickness (T1) of 5 nm to 30 nm in order to minimize light reflection on the entire surface of the substrate. The first antireflection film 140 has a refractive index of 1.9 to 2.3 and is formed to a thickness T2 of 50 nm to 100 nm.

본 발명인의 실험에 의하면, 제1 보호막(130) 및 제1 반사방지막(140)의 굴절률 및 두께가 상기 범위에 속하는 경우 기판 전면에서의 빛 반사도가 가장 낮은 것을 알 수 있었다.According to the experiment of the present invention, when the refractive indexes and thicknesses of the first protective layer 130 and the first anti-reflective layer 140 fall within the above range, the light reflectance at the entire surface of the substrate is lowest.

한편, 도시하지는 않았지만, 제1 보호막(130)과 에미터부(120)의 계면에는 1㎚ 내지 3㎚의 두께로 실리콘 산화막이 더 형성될 수 있다.Although not shown, a silicon oxide film may be further formed on the interface between the first protective film 130 and the emitter section 120 to a thickness of 1 nm to 3 nm.

복수의 제1 전극(150)은 기판(110) 전면(front surface)의 에미터부(120) 위에 위치하며, 에미터부(120)와 전기적 및 물리적으로 연결된다. 이때, 복수의 제1 전극(150)은 거의 평행하게 정해진 방향으로 뻗어 있다.The plurality of first electrodes 150 are located on the emitter section 120 of the front surface of the substrate 110 and are electrically and physically connected to the emitter section 120. At this time, the plurality of first electrodes 150 extend substantially parallel to the predetermined direction.

이러한 복수의 제1 전극(150)은 에미터부(120)쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 정공을 수집한다.The plurality of first electrodes 150 collects charges, for example, holes, which have migrated toward the emitter section 120.

복수의 제1 전극(150)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 형성된다. 본 실시예에서, 제1 전극(140)은 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 혼합된 혼합물(Ag:Al)을 글라스 프릿(glass frit)과 혼합하여 형성한 도전성 페이스트로 형성된다.The plurality of first electrodes 150 may be formed of a material selected from the group consisting of Ni, Cu, Sn, Zn, In, Ti, Au, And at least one conductive material. In this embodiment, the first electrode 140 is formed of a conductive paste formed by mixing a mixture (Ag: Al) in which silver (Ag) and aluminum (Al) are mixed with glass frit.

기판(110)의 후면에는 복수의 제2 전극(190)이 제1 전극(150)과 동일한 구조로 형성된다. 이러한 구성의 제2 전극(190)은 기판(110)쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 전자를 수집하여 외부 장치로 출력한다.A plurality of second electrodes 190 are formed on the rear surface of the substrate 110 to have the same structure as the first electrodes 150. The second electrode 190 having such a structure collects electric charges, for example, electrons moving toward the substrate 110, and outputs the collected electrons to an external device.

제2 전극(190)은 알루미늄(A), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 전극(190)은 은(Ag)과 글라스 프릿을 혼합하여 형성한 도전성 페이스트로 형성된다.The second electrode 190 may be formed of a material selected from the group consisting of aluminum (A), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), tin (Sn), zinc (Zn), indium (In), titanium ), And combinations thereof. ≪ IMAGE > In this embodiment, the second electrode 190 is formed of a conductive paste formed by mixing silver (Ag) and glass frit.

한편, 본 실시예에서, 제1 전극(150)의 폭(W1)과 제2 전극(190)의 폭(W2)은 서로 동일하게 형성된다(W1=W2).In this embodiment, the width W1 of the first electrode 150 and the width W2 of the second electrode 190 are equal to each other (W1 = W2).

제2 전극(190)이 전기적 및 물리적으로 연결되는 후면 전계부(160)는 제2 전극(190)과 동일한 위치의 기판(110) 후면에 국부적으로 위치하며, 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, n+ 영역으로 형성된다. 본 실시예에서, 후면 전계부(160)는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는다.The backside electrical part 160 electrically and physically connected to the second electrode 190 is locally located on the backside of the substrate 110 at the same position as the second electrode 190, Impurities are formed in a region doped at a higher concentration than the substrate 110, for example, an n + region. In this embodiment, the backside electrical section 160 has a sheet resistance of 30 ohms / sq to 80 ohms / sq.

후면 전계부(160)의 폭(W3)은 제2 전극(190)의 폭(W2) 이하로 형성되거나, 제2 전극(190)의 폭(W2)보다 크게 형성될 수 있다.The width W3 of the rear electric field 160 may be less than the width W2 of the second electrode 190 or may be greater than the width W2 of the second electrode 190. [

후면 전계부(160)는 기판(110)과의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽을 형성함으로써 기판(110) 후면쪽으로의 정공 이동을 방해한다. 따라서 기판(110)의 표면 근처에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소된다.The rear electric field 160 forms a potential barrier due to a difference in impurity concentration from the substrate 110, thereby hindering the hole movement toward the rear surface of the substrate 110. Therefore, the recombination of electrons and holes near the surface of the substrate 110 and the disappearance thereof is reduced.

제2 전극(190) 및 후면 전계부(160)가 위치하지 않는 영역의 기판 후면에는 제2 보호막(170) 및 제2 반사방지막(180)이 위치한다. The second protective layer 170 and the second anti-reflective layer 180 are disposed on the rear surface of the substrate where the second electrode 190 and the rear electric field 160 are not located.

본 실시예에서, 제2 보호막(170)은 제1 보호막(130)과 동일한 물질로 형성되고, 제1 보호막(130)과 동일한 두께를 갖는다. 그리고 제2 반사방지막(180)은 제1 반사방지막(140)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 반사방지막(140)과 동일한 두께를 갖는다.In this embodiment, the second protective film 170 is formed of the same material as the first protective film 130 and has the same thickness as the first protective film 130. The second antireflection film 180 is formed of the same material as the first antireflection film 140 and has the same thickness as the second antireflection film 140.

기판의 후면에 위치하는 제2 보호막(170)이 음(-)의 고정 전하를 갖는 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물로 형성되므로, 기판의 후면으로 이동하는 전하, 즉 전자가 제2 보호막(170)의 영향을 받게 된다. Since the second protective film 170 located on the rear surface of the substrate is formed of aluminum oxide or diatomic oxide having a negative fixed charge, electrons, that is, electrons moving toward the rear surface of the substrate, Will be affected.

하지만, 본 실시예는 후면 전계부(160)가 제2 전극(190)과 동일한 위치에만 국부적으로 형성되므로, 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물로 형성된 제2 보호막(170)이 후면 전계부(160)로 이동하는 전하에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.In this embodiment, since the rear electric section 160 is locally formed only at the same position as the second electrode 190, the second protective layer 170 formed of aluminum oxide or diatomic oxide is electrically connected to the rear electric section 160 The influence on the moving charge can be minimized.

이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양전지는 양면 수광형 태양전지로 사용될 수 있으며, 그 동작은 다음과 같다.A solar cell according to this embodiment having such a structure can be used as a double-sided light receiving solar cell, and its operation is as follows.

태양전지로 조사된 빛이 에미터부(120) 및/또는 기판의 후면을 통해 기판(110)의 내부로 입사되면, 기판(110)으로 입사된 빛 에너지에 의해 전자-정공 쌍이 발생한다.When light irradiated by the solar cell is incident into the substrate 110 through the emitter layer 120 and / or the rear surface of the substrate, electron-hole pairs are generated due to light energy incident on the substrate 110.

이때, 기판(110)의 표면이 제1 텍스처링 표면(111) 및 제2 텍스처링 표면(113)으로 형성되므로 기판(110)의 전면(front surface) 및 후면(back surface)에서의 빛 반사도가 감소하고, 제1 텍스처링 표면(111) 및 제2 텍스처링 표면(113)에서 입사와 반사 동작이 행해져 태양전지 내부에 빛이 갇히게 된다. 따라서, 빛의 흡수율이 증가되어 태양전지의 효율이 향상된다.At this time, since the surface of the substrate 110 is formed of the first textured surface 111 and the second textured surface 113, the light reflection on the front surface and the back surface of the substrate 110 is reduced , The first texturing surface (111) and the second texturing surface (113), the light is trapped inside the solar cell. Therefore, the absorption rate of light is increased and the efficiency of the solar cell is improved.

이에 더하여, 기판의 전면에 위치하는 제1 보호막(130) 및 제1 반사방지막(140)과 기판의 후면에 위치하는 제2 보호막(170) 및 제2 반사방지막(180)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다. In addition, the substrate 110 is protected by the first protective layer 130 and the first anti-reflective layer 140 located on the front surface of the substrate, and the second protective layer 170 and the second anti- The amount of light incident on the substrate 110 is further increased.

이들 전자-정공 쌍은 기판(110)과 에미터부(120)의 p-n접합에 의해 서로 분리되며, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 기판(110)쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120)쪽으로 이동한다. These electron-hole pairs are separated from each other by the pn junction of the substrate 110 and the emitter section 120, the electrons move toward the substrate 110 having the n-type conductivity type, and the holes are made of the p- To the emitter section (120).

이처럼, 기판(110)쪽으로 이동한 전자는 후면 전계부(160)를 통해 제2 전극(190)으로 이동하고, 에미터부(120)쪽으로 이동한 정공은 제1 전극(150)으로 이동한다. 따라서, 어느 한 태양전지의 제1 전극(150)과 인접한 태양전지의 제2 전극(190)을 인터커넥터 등의 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.The electrons that have migrated toward the substrate 110 move to the second electrode 190 through the rear electric section 160 and the holes moved to the emitter section 120 move to the first electrode 150. Therefore, when the first electrode 150 of one solar cell and the second electrode 190 of the adjacent solar cell are connected to each other by a conductor such as an interconnector, a current flows and is used as electric power from the outside.

이러한 구성의 태양전지는 광 투과성 전면 기판 및 광 투과성 후면 기판 사이에서 보호막에 의해 밀봉된 상태로 사용된다.A solar cell with such a configuration is used in a sealed state between a light-transmitting front substrate and a light-transmitting rear substrate.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지를 설명한다.Hereinafter, a solar cell according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 실시예의 태양전지는 에미터부(120)를 제외한 나머지 구성이 전술한 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 에미터부(120)의 구성에 대해서만 설명한다.The solar cell of this embodiment is the same as the above-described first embodiment except for the emitter section 120, and therefore only the configuration of the emitter section 120 will be described below.

제1 실시예에 따른 태양전지는 에미터부(120)가 전체 영역에 있어서 균일한 도핑 농도를 갖는다. 이러한 구성의 에미터부(120)는 공정이 간단한 이점이 있지만, 고농도 도핑에 따른 전하의 재결합률이 증가하여 태양전지의 효율 향상에 제약이 따르는 문제점이 있다.In the solar cell according to the first embodiment, the emitter portion 120 has a uniform doping concentration in the entire region. Although the emitter layer 120 having such a structure has a simple process, there is a problem that the charge recombination ratio due to the high concentration doping increases, thereby limiting the efficiency improvement of the solar cell.

따라서, 전하의 재결합률을 감소시키기 위해, 본 실시예의 태양전지는 제1 전극(150)과 접촉되는 위치의 에미터부만 고농도 도핑 영역으로 형성하고, 이외의 에미터부는 저농도 도핑 영역으로 형성한다.Therefore, in order to reduce the charge recombination ratio, only the emitter region at the position where the solar cell of the present embodiment is in contact with the first electrode 150 is formed as a heavily doped region, and the remaining emitter regions are formed as a lightly doped region.

즉, 본 실시예의 에미터부(120)는 p형 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도핑부(121)와, 제1 도핑부(121)에 비해 p형 불순물이 고농도로 도핑된 제2 도핑부(123)를 포함한다.That is, the emitter section 120 of the present embodiment includes a first doping section 121 having a low concentration of p-type impurities and a second doping section 121 having a higher concentration of p-type impurities than the first doping section 121 123).

제2 도핑부(123)는 제1 전극(150)과 동일한 위치에 형성될 수 있으며, 제2 도핑부(123)의 폭(W4)은 제1 전극(150)의 폭(W1) 이하로 형성되거나, 제1 전극(150)의 폭(W1)보다 크게 형성될 수 있다.The second doping portion 123 may be formed at the same position as the first electrode 150 and the width W4 of the second doping portion 123 may be less than the width W1 of the first electrode 150 Or may be formed larger than the width W1 of the first electrode 150.

제1 도핑부(121)는 80Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 가지며, 제2 도핑부(123)는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는다.The first doping portion 121 has a sheet resistance of 80? / Sq to 200? / Sq and the second doping portion 123 has a sheet resistance of 30? / Sq to 80? / Sq.

이러한 구성의 에미터부를 갖는 태양전지는 위에서 설명한 바와 같이 전하의 재결합률을 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.The solar cell having such an emitter portion can improve the efficiency of the solar cell by reducing the charge recombination ratio as described above.

이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 제2 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the solar cell according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 7. FIG.

일반적으로, 실리콘 웨이퍼로 이루어진 기판(110)은 실리콘 블록(block)이나 잉곳(ingot)을 블레이드(blade) 또는 멀티 와이어 소우(multi wire saw)로 슬라이스(slice)하여 제조된다.In general, a substrate 110 made of a silicon wafer is manufactured by slicing a silicon block or ingot into a blade or a multi-wire saw.

실리콘 웨이퍼가 준비되면, 5가 원소의 불순물, 예컨대 인(P)을 실리콘 웨이퍼에 도핑하여 1Ω/㎠ 내지 10Ω/㎠의 비저항을 갖는 기판(110)을 제조한다.When a silicon wafer is prepared, a substrate 110 having a resistivity of 1? / Cm 2 to 10? / Cm 2 is produced by doping an impurity such as phosphorus (P) of a pentavalent element into a silicon wafer.

한편, 실리콘 블록이나 잉곳을 슬라이스 할 때 실리콘 웨이퍼에는 기계적 손상층(mechanical damage layer)이 형성된다.On the other hand, when a silicon block or an ingot is sliced, a mechanical damage layer is formed on the silicon wafer.

따라서 기계적 손상층으로 인한 태양전지의 특성 저하를 방지하기 위해, 상기 기계적 손상층을 제거하기 위한 습식 식각 공정을 실시한다. 이때, 습식 식각 공정에는 알칼리(alkaline) 또는 산(acid) 식각액(etchant)을 사용한다.Therefore, a wet etching process for removing the mechanical damage layer is performed in order to prevent deterioration of the characteristics of the solar cell due to the mechanical damage layer. At this time, an alkaline or acid etchant is used for the wet etching process.

기계적 손상층을 제거한 후, 습식 식각 공정 또는 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정을 이용하여 기판(110)의 양쪽 표면을 제1 텍스처링 표면(111) 및 제2 텍스처링 표면(113)으로 각각 형성한다.After removing the mechanical damage layer, both surfaces of the substrate 110 are formed as a first textured surface 111 and a second textured surface 113, respectively, by using a wet etching process or a dry etching process using a plasma.

다음으로, 이온 주입법(ion implantation)을 이용하여 기판(110)의 한쪽 면, 예를 들어 제1 텍스처링 표면(111)에 3가 원소의 불순물을 주입하여 에미터부(120)를 형성한다.Next, an impurity of a trivalent element is implanted into one side of the substrate 110, for example, the first textured surface 111, by using an ion implantation to form the emitter section 120.

이온 주입법은 이온 생성량과 기판(110)으로 이동하는 이온 속도 등의 제어가 용이하므로, 열 확산법을 이용하여 기판(110) 내에 불순물을 도핑하는 경우보다 기판(110)에 주입되는 이온의 양과 이온 주입 깊이의 제어가 용이하다.The ion implantation method can control the amount of ions to be injected into the substrate 110 and the amount of ions implanted into the substrate 110 rather than the amount of ions to be doped into the substrate 110 by using a thermal diffusion method, It is easy to control the depth.

이온 주입법을 이용하여 에미터부(120)를 형성할 경우, 이온이 주입되는 깊이는 공정실 내에 생성되는 이온의 생성량, 이온의 주입 에너지 등에 따라 달라진다. When the emitter layer 120 is formed using the ion implantation method, the depth at which the ions are implanted depends on the amount of ions generated in the processing chamber, the ion implantation energy, and the like.

이때, 이온 주입 에너지는 예를 들어 약 100KeV 내지 3MeV일 수 있고, 그에 따른 이온 주입 깊이는 한 예로서 기판(110)의 표면에서부터 약 0.5㎛ 내지 10㎛일 수 있다.In this case, the ion implantation energy may be, for example, about 100 KeV to 3 MeV, and the ion implantation depth may be about 0.5 μm to 10 μm from the surface of the substrate 110 as an example.

이온 주입법을 이용하여 에미터부(120)를 형성할 때, 먼저 기판(110)의 전면 전체 영역에 불순물을 저농도로 주입하여 제1 도핑부(121)를 형성한다.When the emitter layer 120 is formed using the ion implantation method, the first doping portion 121 is first formed by implanting impurities into the entire front surface region of the substrate 110 at a low concentration.

이후, 기판 전면(front surface)의 국부적인 영역, 예를 들어 제1 전극(150)을 형성할 영역에 불순물을 고농도로 주입하여 제2 도핑부(123)를 형성한다.Then, a second doping portion 123 is formed by implanting impurities at a high concentration into a local region of the front surface of the substrate, for example, a region where the first electrode 150 is to be formed.

이때, 제1 도핑부(121)는 80Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖도록 형성하며, 제2 도핑부(123)는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖도록 형성한다.At this time, the first doping portion 121 is formed to have a sheet resistance of 80? / Sq to 200? / Sq and the second doping portion 123 is formed to have a sheet resistance of 30? / Sq to 80? / Sq.

제1 도핑부(121)와 제2 도핑부(123)를 포함하는 에미터부(120)는 열 확산법을 이용하여 형성할 수도 있다.The emitter section 120 including the first doping section 121 and the second doping section 123 may be formed using a thermal diffusion method.

그리고 기판(110)의 다른 쪽 면, 예를 들어 제2 텍스처링 표면(113) 중 국부적인 영역, 예를 들어 제2 전극(190)을 형성할 영역에는 5가 원소의 불순물을 도핑하여 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는 후면 전계부(160)를 형성한다.An impurity of a pentavalent element is doped to a region of the substrate 110 on the other side of the second texturing surface 113, for example, a region of the second texturing surface 113, for example, where the second electrode 190 is to be formed. To form a rear electric section 160 having a sheet resistance of 80? / Sq.

후면 전계부(160)를 형성할 때에는 에미터부(120)와 동일하게 이온 주입법을 이용할 수 있다.When forming the rear electric field portion 160, the same ion implantation method as that of the emitter portion 120 can be used.

이어서, 자연 산화막 제거를 위하여 기판(110)을 불산(HF)으로 식각하고, 기판(110)의 전면 및 후면에 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물을 증착하여 제1 보호막(130)과 제2 보호막(170)을 각각 형성한다.Subsequently, the substrate 110 is etched with hydrofluoric acid (HF) to remove the native oxide film, and aluminum oxide or trithium oxide is deposited on the front and rear surfaces of the substrate 110 to form a first protective film 130 and a second protective film 170 Respectively.

제1 보호막(130)과 제2 보호막(170)은 플라즈마 증착(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 형성할 수 있다.The first passivation layer 130 and the second passivation layer 170 may be formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or sputtering.

이때, 제1 보호막(130)과 제2 보호막(170)은 1.55 내지 1.7의 굴절률과 5㎚ 내지 30㎚의 두께(T1)를 갖도록 형성한다.At this time, the first protective film 130 and the second protective film 170 are formed to have a refractive index of 1.55 to 1.7 and a thickness T1 of 5 nm to 30 nm.

한편, 제1 보호막(130)과 제2 보호막(170)을 형성하면, 이들 보호막과 기판의 계면에는 1㎚ 내지 3㎚의 두께로 실리콘 산화막(SiOx)이 형성될 수 있다.On the other hand, when the first protective film 130 and the second protective film 170 are formed, a silicon oxide film (SiOx) may be formed at a thickness of 1 nm to 3 nm at the interface between the protective film and the substrate.

제1 보호막(130)과 제2 보호막(170)을 형성한 다음, 실리콘 질화물을 증착하여 제1 반사방지막(140)과 제2 반사방지막(180)을 형성한다.After forming the first protective film 130 and the second protective film 170, a first anti-reflection film 140 and a second anti-reflective film 180 are formed by depositing silicon nitride.

제1 반사방지막(140)과 제2 반사방지막(180)은 플라즈마 증착(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 형성할 수 있다. The first antireflection film 140 and the second antireflection film 180 may be formed by plasma deposition (PECVD), sputtering, or the like.

이때, 제1 반사방지막(140)과 제2 반사방지막(180)은 1.9 내지 2.3의 굴절률과 50㎚ 내지 100㎚의 두께(T2)를 갖도록 형성한다.At this time, the first antireflection film 140 and the second antireflection film 180 are formed to have a refractive index of 1.9 to 2.3 and a thickness T2 of 50 nm to 100 nm.

하지만, 기판의 후면에 위치하는 제2 반사방지막(180)은 제1 반사방지막(140)에 비해 더 두껍게 형성할 수도 있다.However, the second antireflection film 180 located on the rear surface of the substrate may be formed thicker than the first antireflection film 140.

이후, 기판(110)의 전면(front surface)에는 은(Ag)과 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)과 글라스 프릿(glass frit)이 혼합된 제1 도전 페이스트(151)를 제1 전극 패턴으로 인쇄하고, 기판(110)의 후면(back surface)에는 은(Ag)과 글라스 프릿이 혼합된 제2 도전 페이스트(191)를 제2 전극 패턴으로 인쇄한 후, 소성 공정을 실시한다.A first conductive paste 151 in which a mixture of silver (Ag) and aluminum (Al) and a glass frit are mixed is formed on the front surface of the substrate 110, A second conductive paste 191 in which silver (Ag) and glass frit are mixed is printed on the back surface of the substrate 110 with a second electrode pattern, and then a sintering process is performed.

소성 공정을 실시하면, 글라스 프릿에 함유된 식각 성분으로 인해 보호막 물질 및 반사방지막 물질이 식각된다.When the firing process is performed, the protective film material and the antireflection film material are etched by the etching component contained in the glass frit.

따라서, 에미터부(120)의 제2 도핑부(123)와 전기적 및 물리적으로 연결된 제1 전극(150)이 형성되고, 또한 후면 전계부(160)와 전기적 및 물리적으로 연결된 제2 전극(190)이 형성된다.A second electrode 190 electrically and physically connected to the backside electrical part 160 and electrically connected to the second doped part 123 of the emitter part 120. The first electrode 150 is electrically and physically connected to the second doped part 123 of the emitter part 120, .

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

110: 기판 111: 제1 텍스처링 표면
113: 제2 텍스처링 표면 120: 에미터부
121: 제1 도핑부 123: 제2 도핑부
130: 제1 보호막 140: 제1 반사방지막
150: 제1 전극 160: 후면 전계부
170: 제2 보호막 180: 제2 반사방지막
190: 제2 전극110: substrate 111: first textured surface
113: second textured surface 120:
121: first doping unit 123: second doping unit
130: first protective film 140: first anti-reflective film
150: first electrode 160:
170: second protective film 180: second anti-reflective film
190: second electrode

Claims (18)

n형 도전성 타입을 갖는 기판;
상기 기판의 전면(front surface)에 위치하며, p형 도전성 타입을 갖는 에미터부;
상기 에미터부와 전기적으로 연결되며, 정해진 방향으로 뻗어 있는 복수의 제1 전극;
상기 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 보호막;
상기 제1 보호막 위에 위치하는 제1 반사방지막;
상기 기판의 다른 쪽 면에 국부적으로 위치하는 후면 전계부;
상기 후면 전계부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전극과 동일한 방향으로 뻗어 있는 복수의 제2 전극;
상기 제2 전극이 위치하지 않는 영역의 상기 기판의 후면 상에 위치하는 제2 보호막; 및
상기 제2 전극이 위치하지 않는 영역의 상기 기판의 후면 상에 위치하는 제2 반사방지막
을 포함하며,
상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 상기 기판과 동일한 도전성 타입인 음(-)의 고정 전하를 갖는 서로 동일한 산화물로 각각 형성되며, 상기 제1 보호막 및 제2 보호막이 상기 기판과 동일한 제1 도전성 타입을 각각 가지고,
상기 제1 반사방지막 및 상기 제2 반사방지막은 상기 기판, 상기 제1 및 제2 보호막과 반대인 양(+)의 고정 전하를 갖는 서로 동일한 질화물로 각각 형성되는 태양전지.a substrate having an n-type conductivity type;
An emitter section located on a front surface of the substrate and having a p-type conductivity type;
A plurality of first electrodes electrically connected to the emitter section and extending in a predetermined direction;
A first protective layer located on a front surface of the emitter portion where the first electrode is not located;
A first anti-reflection film positioned on the first protective film;
A rear electric field locally located on the other surface of the substrate;
A plurality of second electrodes electrically connected to the rear electric field portion and extending in the same direction as the first electrodes;
A second protective film located on a rear surface of the substrate in a region where the second electrode is not located; And
And a second antireflection film disposed on a rear surface of the substrate in a region where the second electrode is not located.
/ RTI >
Wherein the first protective film and the second protective film are respectively formed of the same oxide having a negative fixed charge of the same conductivity type as the substrate and the first protective film and the second protective film are formed of the same first conductive type Respectively,
Wherein the first antireflection film and the second antireflection film are formed of the same nitride having a positive electric charge opposite to that of the substrate, the first and second protective films. 제1항에서,
상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물을 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the first protective film and the second protective film comprise aluminum oxide or diatomic oxide. 제2항에서,
상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 1.55 내지 1.7의 굴절률을 갖고, 5㎚ 내지 30㎚의 두께로 형성되는 태양전지.3. The method of claim 2,
Wherein the first protective film and the second protective film have a refractive index of 1.55 to 1.7 and a thickness of 5 nm to 30 nm. 제2항에서,
상기 후면 전계부는 상기 제2 전극과 동일한 위치에 선택적으로 형성되는 태양전지.3. The method of claim 2,
Wherein the rear surface electric field portion is selectively formed at the same position as the second electrode. 제4항에서,
상기 후면 전계부의 폭은 상기 제2 전극의 폭 이하로 형성되는 태양전지.5. The method of claim 4,
Wherein a width of the rear surface electric field portion is less than a width of the second electrode. 제4항에서,
상기 후면 전계부의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 크게 형성되는 태양전지.5. The method of claim 4,
Wherein a width of the rear surface electric field portion is greater than a width of the second electrode. 제4항에서,
상기 후면 전계부는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지.5. The method of claim 4,
And the rear electric field portion has a sheet resistance of 30? / Sq to 80? / Sq. 제1항에서,
상기 제2 반사방지막은 상기 제2 보호막의 후면에 위치하는 태양전지.The method of claim 1,
And the second antireflection film is located on the rear surface of the second protective film. 제8항에서,
상기 제1 반사방지막 및 제2 반사방지막은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성되는 태양전지.9. The method of claim 8,
Wherein the first antireflection film and the second antireflection film have a refractive index of 1.9 to 2.3 and a thickness of 50 nm to 100 nm. 제1항에서,
상기 에미터부가 위치하는 기판의 전면 및 후면 전계부가 위치하는 기판의 후면은 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein a back surface of a substrate on which a front surface and a rear surface electric field portion of a substrate on which the emitter portion is located is formed with a first textured surface and a second textured surface, respectively. 제1항에서,
상기 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode are formed of different materials. 제11항에서,
상기 제1 전극은 은(Ag) 및 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)과 글라스 프릿(glass frit)으로 형성되며, 상기 제2 전극은 은과 글라스 프릿으로 형성되는 태양전지.12. The method of claim 11,
Wherein the first electrode is formed of a mixture of silver (Ag) and aluminum (Al) and a glass frit, and the second electrode is formed of silver and glass frit. 제1항에서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 서로 동일한 폭으로 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode are formed to have the same width. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,
상기 에미터부는 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도핑부와, 상기 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 상기 제1 도핑부에 비해 고농도로 도핑된 제2 도핑부를 포함하는 태양전지.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
Wherein the emitter portion includes a first doping portion in which an impurity having a second conductivity type is lightly doped and a second doping portion in which an impurity having the second conductivity type is doped at a higher concentration than the first doping portion, . 제14항에서,
상기 제2 도핑부는 상기 제1 전극과 동일한 위치에 형성되는 태양전지.The method of claim 14,
And the second doping portion is formed at the same position as the first electrode. 제15항에서,
상기 제1 도핑부는 80Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖고, 상기 제2 도핑부는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지.16. The method of claim 15,
Wherein the first doping portion has a sheet resistance of 80? / Sq to 200? / Sq and the second doping portion has a sheet resistance of 30? / Sq to 80? / Sq. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,
상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막은 굴절률 및 두께가 서로 동일한 태양전지.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
Wherein the first protective film and the second protective film have the same refractive index and thickness. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,
상기 제1 보호막과 상기 기판 사이 또는 상기 제2 보호막과 상기 기판 사이에 실리콘 산화막이 위치하는 태양전지.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
Wherein a silicon oxide film is located between the first protective film and the substrate or between the second protective film and the substrate.
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