KR101744600B1 - Matal mask - Google Patents

Matal mask Download PDF

Info

Publication number
KR101744600B1
KR101744600B1 KR1020150117976A KR20150117976A KR101744600B1 KR 101744600 B1 KR101744600 B1 KR 101744600B1 KR 1020150117976 A KR1020150117976 A KR 1020150117976A KR 20150117976 A KR20150117976 A KR 20150117976A KR 101744600 B1 KR101744600 B1 KR 101744600B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal mask
target portion
deposition
chamber
target
Prior art date
Application number
KR1020150117976A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160121766A (en
Inventor
강철구
김종호
전기택
Original Assignee
강철구
김종호
전기택
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 강철구, 김종호, 전기택 filed Critical 강철구
Priority to KR1020150117976A priority Critical patent/KR101744600B1/en
Publication of KR20160121766A publication Critical patent/KR20160121766A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101744600B1 publication Critical patent/KR101744600B1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5253
    • H01L51/56
    • H01L2251/56
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 진공 상태로 조성되는 내부로 코팅 대상물을 수용하는 챔버와, 타겟 물질이 구비되고 챔버 내부에 수용되는 코팅 대상물에 대한 증착을 수행하기 위한 복수의 타겟부와, 설정 각도로 회전 가능하도록 구비되며, 코팅 대상물을 내부에 안치하여 수용하는 프레임 및 프레임을 챔버 내부에서 이송시키기 위한 이송 수단을 포함하되, 타겟부들 중 적어도 어느 하나는 틸트(Tilt)가 가능한 코팅 장치에 사용되는 메탈 마스크로서, 교호적으로 형성되는 통공형상의 투과부와, 투과부에 이웃하여 형성되는 차단부를 포함하고, 평탄 유지를 위하여 장력 소둔(Tension Annealing) 처리된 금속 박판으로 이루어지되, 두께는 0.05 내지 0.25 mm 이고, 표면 거칠기는 1.0 내지 1.6 μ이며, 차단부의 테두리부 측단부가 라운드 지도록 형성되는 메탈 마스크를 제공한다.
따라서, 표면 보호층을 형성하여 유기발광다이오드의 화학기상층작 공정 시 메탈 마스크 손상을 방지할 수 있는 메탈마스크를 제공할 수 있는 효과가 있다.
The present invention relates to a method for depositing a coating material on a substrate, the method comprising: providing a chamber for receiving a coating material internally formed in a vacuum state; a plurality of target portions for carrying out deposition on a coating object, And at least one of the target portions is a metal mask used in a coating apparatus capable of tilting, wherein the target portion is a metal mask for use in a coating apparatus capable of tilting, A thickness of 0.05 to 0.25 mm, and a surface roughness (Ra) of 0.05 to 0.25 mm. The surface roughness (Ra) of the metal thin plate Is 1.0 to 1.6 占 and the edge side edge of the blocking portion is formed to be rounded.
Therefore, it is possible to provide a metal mask which can prevent the damage of the metal mask during the chemical vapor deposition process of the organic light emitting diode by forming the surface protective layer.

Description

메탈 마스크 {Matal mask}Metal mask {Matal mask}

본 발명은 코팅 장치에 사용하기 위한 메탈 마스크에 관한 것이다. The present invention relates to a metal mask for use in a coating apparatus.

유기발광 다이오드는 빠른 응답속도에 의한 완벽한 동영상 구현, 저 전력 소모, 경량박형, 넓은 시야각 등의 장점을 가진다. 따라서, 차세대 디스플레이, 꿈의 디스플레이이라 등의 수식어로 표현하기도 한다. 이렇듯 늘어가는 수요와 관심 속에 유기발광 다이오드는 아직 LCD에 비해 양산성이 떨어지고, 공정이 안정화되지 못한 것이 상용화의 걸림돌이 되고 있다. 유기발광 다이오드는 제조 시 증착 장비를 이용하여 패터닝(Patterning)하는데, 특성상 일반 포토(Photo) 공정은 사용이 불가하며 정교한 메탈 마스크를 기판과 얼라이닝(Aligning)하여 유기층의 패터닝을 수행해야만 한다. 이러한 증착을 수행함에 있어서, 기체상태의 금속원과 그와 반응을 하는 가스에 열을 가해주거나 플라즈마화하여 높은 반응성의 라디칼을 형성하고 높은 온도의 기판에서 화학 반응을 일으켜 금속 박막을 형성하는 방법인 화학적 기상 증착을 주로 사용한다. 이때, 화학적 기상 증착 방식으로 증착을 수행할 경우, 공정상에서 열 전계, 빛, 가스 등이 에너지로 사용되기 때문에 금속 재질로 구성된 메탈 마스크 표면을 산화시키고 치명적 손상을 입히게 되는 문제점이 있다.Organic light emitting diodes have advantages such as complete video implementation with fast response speed, low power consumption, light weight thinness and wide viewing angle. Therefore, it is expressed as a modifier such as a next-generation display or a dream display. Due to such growing demand and interest, organic light emitting diodes (OLEDs) are less mass-producible than LCDs, and the process is not stabilized, which is an obstacle to commercialization. Organic light emitting diodes are patterned by using deposition equipment in manufacturing. In general, it is impossible to use a general photo process, and the organic layer must be patterned by aligning a sophisticated metal mask with a substrate. In performing such deposition, a method of forming a metal thin film by applying heat to a gas source in a gaseous state and a gas reacting with the gas source, or forming a highly reactive radical by plasma, and causing a chemical reaction at a substrate at a high temperature Chemical vapor deposition is mainly used. In this case, when the deposition is performed by the chemical vapor deposition method, since the thermal electric field, the light, and the gas are used as the energy in the process, the surface of the metal mask made of the metal material is oxidized and fatal damage is caused.

또한, 이렇게 손상된 메탈 마스크 표면에서 발생된 이물질들은 마스크 표면에서 떨어져 나와 진공 챔버 내부를 돌아다니게 된다. 그리고 이러한 이물질은 기판에 형성되는 패턴에 유입되어 불량의 주요한 원인이 되는 문제점이 있다.In addition, foreign substances generated from the surface of the damaged metal mask are separated from the mask surface and travel around the inside of the vacuum chamber. Such a foreign matter flows into a pattern formed on a substrate, which is a major cause of defects.

또한, 정밀 패턴 가공된 메탈 마스크는 수㎛의 정밀도를 유지하여 유리기판 상의 패턴과 얼라인 되어 있는데, 공정 중의 열원에 의한 복사열은 메탈 마스크의 변형을 야기 시키고 메탈 마스크와 기판상의 패턴이 틀어지게 되는 문제점이 있다.In addition, the precision-patterned metal mask is aligned with the pattern on the glass substrate while maintaining the accuracy of several micrometers. Radiant heat caused by the heat source in the process causes deformation of the metal mask, There is a problem.

한편, 메탈 마스크의 세정에 있어서, 기존의 습식 세정 방식과 최근에 개발된 플라즈마를 이용한 건식 세정 방식을 주로 사용한다. 습식 세정 방식은 진공 챔버 내의 메탈 마스크가 외부로 노출되기 때문에 진공 분위기를 깨뜨리고, 또한 많은 외분의 이물질(Particle)들이 노출된 메탈 마스크 표면에 달라붙게 된다. 그리고, 건식 세정 방식의 경우 플라즈마 방식을 많이 사용하는데, 메탈 마스크 표면은 얇은 금속판으로 구성되어 플라즈마의 열을 견디지 못해 표면이 손상되어 이물질을 발생된다. 이러한 이물질들은 패턴과 메탈 마스크에 대하여 아킹(Arcking), 부식, 파티클 등을 발생시키는 문제점이 있다.On the other hand, in the cleaning of the metal mask, a conventional wet cleaning method and a recently developed dry cleaning method using plasma are mainly used. In the wet cleaning method, since the metal mask in the vacuum chamber is exposed to the outside, the vacuum atmosphere is broken, and many foreign particles adhere to the exposed surface of the metal mask. In the case of the dry cleaning method, a plasma method is frequently used, and the surface of the metal mask is made of a thin metal plate and can not withstand the heat of the plasma, so that the surface is damaged and foreign matter is generated. These foreign materials have a problem of generating arching, corrosion, and particles against the pattern and the metal mask.

또한, 기존의 일반적으로 코팅 처리된 메탈 마스크의 경우, 메탈 마스크의 쳐짐 발생을 효과적으로 해결하지 못하였고, 이러한 상태에서 코팅을 수행함으로 온전하지 못한 코팅막이 형성되고 사후적으로 코팅박의 손상이 발생되거나, 기판과의 패터닝 시 얼라인이 틀어지는 문제점이 있다.In addition, in the case of a conventional metal mask having a coating treatment, it is not possible to effectively prevent the occurrence of sagging of the metal mask. In such a state, coating is performed to form an unstable coating film, , There is a problem that the alignment is distorted when patterning with the substrate.

한국공개특허 제 10-2014-0061899호Korean Patent Publication No. 10-2014-0061899

본 발명은, 메탈 마스크에 대하여 표면 보호층을 형성하여 유기발광다이오드의 CVD 공정 시 메탈 마스크 손상을 최소화 시킬 수 있는 메탈 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a metal mask capable of minimizing damage to a metal mask in a CVD process of an organic light emitting diode by forming a surface protection layer on the metal mask.

또한, 손상된 메탈 마스크 표면에서 발생된 이물질들은 마스크 표면에서 떨어져 나와 진공 챔버 내부를 돌아다니게 되어 기판에 형성되는 패턴에 유입되는 것을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a metal mask capable of preventing foreign substances generated on the surface of a damaged metal mask from being separated from the mask surface so as to travel around the inside of the vacuum chamber and enter the pattern formed on the substrate.

또한, 정밀 패턴 가공된 메탈 마스크가 수㎛의 정밀도를 유지하여 기판 상의 패턴과 얼라인 되어 있는 상태에서, 공정 중의 열원에 의한 복사열로 인하여 메탈 마스크에 변형이 발생되어 메탈 마스크와 기판상의 패턴 얼라인이 틀어지게 되는 것을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.Further, in the state where the precision-patterned metal mask is aligned with the pattern on the substrate while maintaining the accuracy of several micrometers, the metal mask is deformed due to radiation heat caused by the heat source in the process, Which can prevent the metal mask from being twisted.

또한, 메탈 마스크에 대한 습식 세정과 건식 세정 과정 상에서 발생되는 이물질과 이로인한 아킹, 부식 등의 발생을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a metal mask capable of preventing the occurrence of foreign substances generated in a wet cleaning process and a dry cleaning process for a metal mask, and arcing and corrosion caused thereby.

또한, 메탈 마스크 측면부 내벽의 형상에 대하여 적절하게 코팅을 수행할 수 있고, 측면부의 내벽을 별도로 가공할 수 있는 메탈 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
Another object of the present invention is to provide a metal mask which can appropriately coat a shape of the inner wall of the side surface of the metal mask and can process the inner wall of the side surface separately.

본 발명은, 진공 상태로 조성되는 내부로 코팅 대상물을 수용하는 챔버와, 타겟 물질이 구비되고 챔버 내부에 수용되는 코팅 대상물에 대한 증착을 수행하기 위한 복수의 타겟부와, 설정 각도로 회전 가능하도록 구비되며, 코팅 대상물을 내부에 안치하여 수용하는 프레임 및 프레임을 챔버 내부에서 이송시키기 위한 이송 수단을 포함하되, 타겟부들 중 적어도 어느 하나는 틸트(Tilt)가 가능한 코팅 장치에 사용되는 메탈 마스크로서, 교호적으로 형성되는 통공형상의 투과부와, 투과부에 이웃하여 형성되는 차단부를 포함하고, 평탄 유지를 위하여 장력 소둔(Tension Annealing) 처리된 금속 박판으로 이루어지며, 두께는 0.05 내지 0.25 mm 이고, 표면 거칠기는 1.0 내지 1.6 μ이며, 투과부의 둘레에 해당하는 차단부의 측단부가 라운드형태로 테이퍼지도록 형성되는 메탈 마스크를 제공한다.The present invention relates to a method for depositing a coating material on a substrate, the method comprising: providing a chamber for receiving a coating material internally formed in a vacuum state; a plurality of target portions for carrying out deposition on a coating object, And at least one of the target portions is a metal mask used in a coating apparatus capable of tilting, wherein the target portion is a metal mask for use in a coating apparatus capable of tilting, A thickness of 0.05 to 0.25 mm, and a surface roughness (Ra) of 0.05 to 0.25 mm. The surface roughness (Ra) of the metal thin plate Is 1.0 to 1.6 占 and a side end portion of the blocking portion corresponding to the periphery of the transmitting portion is tapered in a round shape It provides a metal mask.

본 발명에 따른 메탈 마스크는 다음과 같은 효과를 가진다.The metal mask according to the present invention has the following effects.

첫째, 메탈 마스크에 대하여 표면 보호층을 형성하여 유기발광다이오드의 화학기상증착 공정 시 메탈 마스크 손상을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공할 수 있다.First, a metal mask which can prevent damage to a metal mask during a chemical vapor deposition process of an organic light emitting diode can be provided by forming a surface protective layer on the metal mask.

둘째, 손상된 메탈 마스크 표면에서 발생된 이물질들은 마스크 표면에서 떨어져 나와 진공 챔버 내부를 돌아다니게 되어 기판에 형성되는 패턴에 유입되는 것을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공할 수 있다.Secondly, the foreign substances generated from the surface of the damaged metal mask may be separated from the mask surface to travel around the inside of the vacuum chamber, thereby preventing the metal mask from being introduced into the pattern formed on the substrate.

셋째, 정밀 패턴 가공된 메탈 마스크가 수㎛의 정밀도를 유지하여 기판 상의 패턴과 얼라인 되어 있는 상태에서, 공정 중의 열원에 의한 복사열로 인하여 메탈 마스크에 변형이 발생되어 메탈 마스크와 기판상의 패턴 얼라인이 틀어지게 되는 것을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공할 수 있다.Thirdly, in the state that the precision-patterned metal mask is aligned with the pattern on the substrate while maintaining the accuracy of several micrometers, the metal mask is deformed due to radiant heat generated by the heat source in the process, The metal mask can be prevented from being twisted.

넷째, 메탈 마스크에 대한 습식 세정과 건식 세정 과정에서 발생되는 이물질로인한 아킹, 부식 등의 발생을 방지할 수 있는 메탈 마스크를 제공할 수 있다.Fourth, it is possible to provide a metal mask which can prevent occurrence of arcing and corrosion due to foreign substances generated in a wet cleaning process and a dry cleaning process for a metal mask.

도 1은 메탈 마스크 코팅 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2 내지 도 11는 도 1에 따른 메탈 마스크 코팅 방법을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 12는 도 1에 따른 메탈 마스크 코팅 장치의 개략도이다.
도 13은 도 1에 따른 코팅 빙법에 의하여 코팅되는 메탈 마스크를 도시한 상면도이다.
도 14는 도 13에 따른 메탈 마스크가 안치되는 프레임을 도시한 단면도이다.
도 15는 도 13에 따른 메탈 마스크가 프레임에 안치된 상태를 도시한 상면도이다.
도 16 및 도 17은 도 13에 따른 메탈 마스크에 함몰부가 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 18은 도 1에 따른 코팅이 수행된 메탈 마스크의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 19 내지 도 28는 도 13에 A-A 를 따라 취한 종단면도이다
1 is a flow chart showing a metal mask coating method.
FIGS. 2 to 11 are views sequentially illustrating the metal mask coating method according to FIG.
12 is a schematic view of the metal mask coating apparatus according to FIG.
13 is a top view showing a metal mask coated by the coating ice method according to FIG.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a frame in which a metal mask according to FIG. 13 is placed.
FIG. 15 is a top view showing a state in which a metal mask according to FIG. 13 is placed on a frame.
FIGS. 16 and 17 are views showing depressions formed in the metal mask according to FIG.
18 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a metal mask on which the coating according to FIG. 1 has been performed.
19 to 28 are longitudinal sectional views taken along line AA in Fig. 13

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.
It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. The scope of technical thought is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items. The same reference numerals denote the same elements at all times. Further, various elements and regions in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the technical spirit of the present invention is not limited by the relative size or spacing depicted in the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1은 메탈 마스크(150) 코팅 방법(S100)을 도시하는 흐름도이고, 도 2 내지 도 11은 도 1에 따른 메탈 마스크(150) 코팅 방법(S100)을 순차적으로 보여주는 도면들이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a flow chart showing a metal mask 150 coating method (S100), and FIGS. 2 to 11 sequentially illustrate a metal mask 150 coating method (S100) according to FIG.

도 1 내지 도 11을 참조하면, 먼저, 증착 준비 단계에서는 진공 상태로 조성되는 챔버(110) 내부로 투과부(153)과 차단부(152)가 교호적으로 형성된 메탈 마스크(150)가 위치된다. 증착 준비 단계에서, 메탈 마스크(150)는 내부에 진공 상태와 대기압 상태가 선택적으로 조성되는 보조 챔버(130)를 통해 외부로 부터 챔버(110) 내부로 투입된다.(S110 단계 및 도 2 참조)Referring to FIGS. 1 to 11, a metal mask 150 in which a transmission portion 153 and a blocking portion 152 are alternately formed in a chamber 110 formed in a vacuum state is placed in the deposition preparation step. In the deposition preparation step, the metal mask 150 is injected from the outside into the chamber 110 through the auxiliary chamber 130 in which a vacuum state and an atmospheric pressure state are selectively formed (refer to step S110 and FIG. 2)

증착 수행 단계에서는 차단부(152)를 감싸는 보호층의 형성을 위하여 메탈 마스크(150)에 타겟 물질을 증착하되, 차단부(152)의 테두리부에는 타겟 물질이 차단부(152)의 중심부보다 설정 높이만큼 돌출되도록 증착한다. 즉, 증착 수행 단계는, 챔버(110) 내의 복수의 구역에 구비되고 타겟 물질을 포함하는 복수의 타겟부(120)들이, 복수의 구역을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 각기 선택적으로 동작하여 투과부(153)의 상부측과 하부측 각각에 대한 증착을 수행하는 것이다.(S120 단계 참조)In the deposition step, a target material is deposited on the metal mask 150 to form a protective layer surrounding the blocking part 152. In the edge part of the blocking part 152, As shown in FIG. That is, the step of performing the deposition may include a plurality of target portions 120 provided in a plurality of regions in the chamber 110 and including a target material, respectively selectively operating on the metal mask 150 via the plurality of regions The deposition is performed on the upper side and the lower side of the transmission portion 153 (refer to step S120)

이러한 증착 수행 단계는 제 1 증착 수행 내지 제 8 증착 수행 단계와, 제 1 보강 증착 수행 단계 내지 제 4 보강 증착 수행 단계를 포함할 수 있다. 제 1 증착 수행 단계에서는 타겟부(120)들 중 복수의 제 1 구역(P1)에 구비되는 제 1-1 타겟부(121) 및 제 1-2 타겟부(122)가 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다. 여기서 제 1-1 타겟부(121)는 고정된 상태로 구비되고, 제 1-2 타겟부(122) 및 제 2-2 타겟부(125)는 틸트(Tilt) 가능한 형태로 구비된다. (S121 단계 및 도 3 참조)Such a deposition step may include a first deposition to an eighth deposition performing step and a first reinforcing deposition performing step to a fourth reinforcing deposition performing step. The first target portion 121 and the 1-2 target portion 122 provided in the plurality of first regions P1 of the target portions 120 may be divided into the first region P1, To the metal mask 150 via the through-hole. Here, the 1-1 target portion 121 is provided in a fixed state, and the 1-2 target portion 122 and the 2-2 target portion 125 are provided in a tiltable form. (Step S121 and Fig. 3)

제 2 증착 수행 단계에서는 타겟부(120)들 중 복수 구역 가운데 제 2 구역(P2)에 구비되는 제 2-1 타겟부(124) 및 제 2-2 타겟부(125)가 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다. 여기서, 제 2-1 타겟부(124)는 고정된 상태로 구비되고, 제 1-2 타겟부(122) 및 제 2-2 타겟부(125)는 틸트(Tilt) 가능한 형태로 구비된다. (S122 단계 및 도 4 참조) In the second deposition step, the second-1 target portion 124 and the second -2 target portion 125 provided in the second zone P2 among the plurality of target portions 120 are divided into the second zone P2 The deposition is performed on the metal mask 150 via the metal mask 150. Here, the second-1 target portion 124 is provided in a fixed state, and the 1-2 target portion 122 and the 2-2 target portion 125 are provided in a tiltable form. (Refer to step S122 and FIG. 4)

다만, 상술한 바에서는 제 1-1 타겟부(121) 및 제 2-1 타겟부(124)는 고정된 상태로 구비되고, 제 1-2 타겟부(122), 제 1-3 타겟부(123), 제 2-2 타겟부(125), 제 2-3 타겟부(126)는 틸트(Tilt) 가능한 형태로 구비되는 것으로 하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하다. In the above description, the 1-1 target portion 121 and the 2-1 target portion 124 are provided in a fixed state, and the 1-2 target portion 122, the 1-3 target portion 123, the second-2 target portion 125, and the second-third target portion 126 are provided in a tiltable form, but these are merely illustrative.

즉, 메탈 마스크(150)를 향하여 제 1-2 타겟부(122), 제 1-3 타겟부(123), 제 2-2 타겟부(125), 제 2-3 타겟부(126) 중 적어도 어느 하나 일정 각도를 가지도록 고정형으로 구비될 수 있다. 제 1-1 타겟부(121)와 제 2-1 타겟부(124) 역시 반드시 고정형으로 구비되는 것으로 제한되지 않는다.That is, at least one of the 1-2 target portion 122, the 1-3 target portion 123, the 2-2 target portion 125, and the 2-3 target portion 126 toward the metal mask 150 Any one of them may be fixedly provided so as to have a predetermined angle. The 1-1 target portion 121 and the 2-1 target portion 124 are not necessarily limited to being fixed.

제 3 증착 수행 단계에서는, 제 2 구역(P2)에 구비되는 제 2-1 타겟부(124) 및 제 2-3 타겟부(126)가 제 1 구역(P1)을 향하도록 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.(S123 단계 및 도 5 참조) In the third deposition step, the second-1 target portion 124 and the second-third target portion 126 provided in the second zone P2 are arranged in the second zone P2 (See step S123 and FIG. 5)

제 4 증착 수행 단계에서는, 제 1 구역(P1)에 구비되는 제 1-1 타겟부(121) 및 제 1-3 타겟부(123)가 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.(S124 단계 및 도 6 참조) In the fourth deposition step, the 1-1 target portion 121 and the 1-3 target portion 123 provided in the first zone P1 are connected to the metal mask 150 via the first zone P1, (Step S124 and Fig. 6)

여기서, 메탈 마스크(150)를 전술한 바와 같이 프레임(140)에 이탈되지 않도록 안치되어 회전 시에도 증착을 수행할 수 있는 것이다. 제 4 증착 수행 단계가 완료된 메탈 마스크(150)를 다시 보조 챔버(130)로 이송되어 위치되고 메탈 마스크(150)를프레임(140)에 안치된 상태로 180° 회전하여 메탈 마스크(150)의 다른 면에 대한 제 5 증착 수행 단계를 준비하게 된다. 이러한 프레임(140)은 글라스 재질로도 형성이 될 수 있다. (도 7 참조)Here, the metal mask 150 is placed so as not to be detached from the frame 140 as described above, and deposition can be performed even when the metal mask 150 is rotated. The metal mask 150 having been subjected to the fourth deposition step is transferred to the auxiliary chamber 130 and is rotated 180 degrees in a state where the metal mask 150 is placed on the frame 140, The second deposition step is performed. The frame 140 may be formed of a glass material. (See Fig. 7)

제 5 증착 수행 단계에서는, 타겟부(120)들 중 복수의 제 1 구역(P1)에 구비되는 제 1-1 타겟부(121) 및 제 1-2 타겟부(122)가 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.(S125 단계 및 도 8 참조)In the fifth deposition step, the 1-1 target portion 121 and the 1-2 target portion 122 provided in the plurality of first regions P1 of the target portions 120 are divided into the first region P1 (See step S125 and FIG. 8)

제 6 증착 수행 단계에서는 타겟부(120)들 중 복수 구역 가운데 제 2 구역(P2)에 구비되는 제 2-1 타겟부(124) 및 제 2-2 타겟부(125)가 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.(S126 단계 및 도 9 참조)In the sixth deposition step, the second-1 target portion 124 and the second -2 target portion 125 provided in the second zone P2 among the plurality of target portions 120 are divided into the second zone P2 (See step S126 and FIG. 9)

제 7 증착 수행 단계에서는, 제 2 구역(P2)에 구비되는 제 2-1 타겟부(124) 및 제 2-3 타겟부(126)가 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.(S127 단계 및 도 10 참조)In the seventh deposition step, the second-1 target portion 124 and the second-third target portion 126 provided in the second region P2 are covered with the metal mask 150 via the second region P2, (Refer to step S127 and FIG. 10)

제 8 증착 수행 단계에서는, 제 1 구역(P1)에 구비되는 제 1-1 타겟부(121) 및 제 1-3 타겟부(123)가 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.(S128 단계 및 도 11 참조)In the eighth deposition process, the 1-1 target portion 121 and the 1-3 target portion 123 provided in the first zone P1 are connected to the metal mask 150 via the first zone P1, (Step S128 and Fig. 11)

전술한 제 1 증착 수행 단계 내지 제 4 증착 수행 단계 또는 제 5 증착 수행 단계 내지 제 8 증착 수행 단계는 메탈 마스크(150)에 대하여 타겟 물질을 설정 두께로 증착하기 위하여 선택적 또는 함께 순차 반복적으로 수행될 수 있다.The first to fourth deposition performing steps or the fifth to eighth deposition performing steps described above may be performed selectively or sequentially and repeatedly to deposit a target material to a predetermined thickness with respect to the metal mask 150 .

여기서, 제 1 증착 수행 단계 내지 제 4 증착 수행 단계는, 제 5 증착 수행 단계 내지 제 8 증착 수행 단계와 상호간에 4 : 1의 수행 비율을 가지도록 수행되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the first deposition performing step to the fourth deposition performing step are performed so as to have a mutual execution ratio of 4: 1 with the fifth deposition performing step to the eighth deposition performing step.

한편, 증착 수행 단계에서는 메탈 마스크(150)의 측면부를 포함하는 테두리부에 대하여 타겟 물질이 설정 높이만큼 돌출되도록 보강 증착을 수행할 수 있다.Meanwhile, in the deposition step, reinforcement deposition may be performed so that the target material protrudes from the rim portion including the side surface portion of the metal mask 150 by a predetermined height.

제 1 보강 증착 수행 단계에서는 제 1-2 타겟부(122)가 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행하고(S129a 단계 참조), 제 2 보강 증착 수행 단계에서는 제 2-2 타겟부(125)가 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행할 수 있다.(S129b 단계 참조)In the first reinforcing deposition step, the 1-2 target portion 122 performs deposition on the metal mask 150 via the first zone P1 (refer to step S129a), and in the second reinforcing deposition performing step The second -2 target portion 125 may perform deposition on the metal mask 150 via the second zone P2 (see step S129b)

제 3 보강 증착 수행 단계에서는 제 2-3 타겟부(126)가 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행할 수 있고(S129c 단계 참조), 제 4 보강 증착 수행 단계에서는 제 1-3 타겟부(123)가 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행할 수 있다.(S129d 단계 참조)In the third reinforcing deposition step, the second to third target portion 126 can perform deposition on the metal mask 150 via the second zone P2 (refer to step S129c), and performs the fourth reinforcing deposition The 1-3 target portion 123 may perform deposition on the metal mask 150 via the first zone P1 (see step S129d)

도 12에 도 1에 따른 메탈 마스크(150) 코팅 장치(100)(이하, “코팅 장치(100)”라고 함)의 개략도가 도시되어 있다. FIG. 12 is a schematic view of a coating apparatus 100 (hereinafter referred to as "coating apparatus 100") of the metal mask 150 according to FIG.

도 12를 참조하면, 코팅 장치(100)는 챔버(110), 복수의 타겟부(120), 보조 챔버(130)를 포함한다. 타겟부(120)는 제 1-1 타겟부(121)와, 제 1-2 타겟부(122)와, 제 1-3 타겟부(123)와, 제 2-1 타겟부(124)와, 제 2-2 타겟부(125)와, 제 2-3 타겟부(126)를 포함한다. 여기서, 챔버(110)는 내부에 코팅을 위한 메탈 마스크(150)를 수용하는 공간을 가지며, 이러한 수용 공간은 선택적인 진공 상태로의 조성이 가능하다. 이러한 챔버(110)의 크기는 내부에 수용되는 메탈 마스크(150)의 크기와, 메탈 마스크(150)의 작업 수량 등을 고려하여 적절한 크기와 형상을 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 12, the coating apparatus 100 includes a chamber 110, a plurality of target portions 120, and an auxiliary chamber 130. The target portion 120 includes a 1-1 target portion 121, a 1-2 target portion 122, a 1-3 target portion 123, a 2-1 target portion 124, A second -2 target portion 125, and a 2-3 target portion 126. Here, the chamber 110 has a space for accommodating therein a metal mask 150 for coating, and this accommodation space can be formed into a selective vacuum state. It is preferable that the size of the chamber 110 is formed to have an appropriate size and shape in consideration of the size of the metal mask 150 accommodated therein, the number of operations of the metal mask 150, and the like.

타겟부(120)는 메탈 마스크(150)를 감싸는 보호층의 형성을 위한 타겟 물질을 포함한다. 여기서 타겟부(120)는 타겟 물질을 직접 분사하는 형태가 아니며, 전원과 연결된 상태로 음극성을 가지고 있으며 전자의 가속에 의해 챔버(110) 내에서 발생되는 양이온과 충돌하여 타겟부(120)의 타겟 물질이 메탈 마스크(150)로 이탈되어 증착되는 것이다. 여기서 타겟 물질은 세라믹 재질을 포함할 수 있다.The target portion 120 includes a target material for forming a protective layer surrounding the metal mask 150. Here, the target portion 120 does not directly inject the target material. The target portion 120 has a negative polarity in a state of being connected to the power source and collides with positive ions generated in the chamber 110 by the acceleration of electrons, The target material is released to the metal mask 150 and deposited. Here, the target material may include a ceramic material.

이러한 원리는 기 공지된 원리이므로 이를 토대로 하여 편의상 본원 발명에서는 타겟부(120)에서 메탈 마스크(150)를 향하여 증착을 수행하는 것으로 표현하여 설명하였다.Since this principle is a well-known principle, the present invention has been described for convenience in that deposition is performed from the target portion 120 toward the metal mask 150.

타겟부(120)는 챔버(110) 내부에서 하나 이상으로 구비되어 위치되는데, 챔버(110) 내부의 설정된 구역에서 해당 구역을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 각기 선택적으로 동작하여 차단부(152)의 상부측과 하부측 각각에 대한 증착을 수행하는 것이다.The target portion 120 is disposed at one or more positions within the chamber 110 so that the target portion 120 selectively operates with respect to the metal mask 150 passing through the corresponding region in the predetermined region inside the chamber 110, ) On the upper side and the lower side, respectively.

보다 구체적으로 설명하면, 복수의 타겟부(120)들 중 제 1-1 타겟부(121)와 제 1-2 타겟부(122)는 챔버(110) 내부에 설정된 구역들 중 제 1 구역(P1)에 위치하도록 구비된다. 그리고, 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다. The first target portion 121 and the second target portion 122 of the plurality of target portions 120 are arranged in a first region P1 . Then, the deposition is performed on the metal mask 150 passing through the first zone P1.

여기서, 메탈 마스크(150)는 후술하는 보조 챔버(130)로부터 제 1-1 타겟부(121)와 제 1-2 타겟부(122)가 위치되는 제 1 구역(P1)으로 이송되어 경유하게 되는 것이다. 이때, 메탈 마스크(150)는 보조 챔버(130)와 제 1 구역(P1) 사이의 임의의 중간 영역인 제 1 버퍼 영역(B1)을 거치게 된다.Here, the metal mask 150 is transferred from the auxiliary chamber 130, which will be described later, to the first zone P1 where the 1-1 target portion 121 and the 1-2 target portion 122 are located, will be. At this time, the metal mask 150 passes through the first buffer region B1, which is an intermediate region between the auxiliary chamber 130 and the first region P1.

복수의 타겟부(120)들 중 제 2-1 타겟부(124)와 제 2-2 타겟부(125)는 챔버(110) 내부에 설정된 구열들 중 제 2 구역(P2)에 위치하도록 구비된다. 그리고, 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다. The second target portion 124 and the second target portion 125 of the plurality of target portions 120 are provided to be located in the second region P2 of the troughs set in the chamber 110 . Then, the deposition is performed on the metal mask 150 passing through the second area P2.

여기서, 메탈 마스크(150)는 제 1 구역(P1)에서 제 1-1 타겟부(121)와 제 1-2 타겟부(122)에 의하여 증착이 수행된 후 제 2 구역(P2)으로 이송되어 경유하게 되는 것이다. 이때, 메탈 마스크(150)는 제 1 구역(P1)과 제 2 구역(P2) 사이의 임의의 중간 영역인 제 2 버퍼 영역(B2)을 거치게 된다. 제 2-1 타겟부(124)와 제 2-2 타겟부(125)에 의하여 증착이 수행된 메탈 마스크(150)는 제 2 구역(P2)을 벗어나 위치되는 임의의 영역인 제 3 버퍼 영역(B3)으로 이송된다.Here, the metal mask 150 is deposited in the first zone P1 by the 1-1 target part 121 and the 1-2 target part 122, and then transferred to the second zone P2 It will be through. At this time, the metal mask 150 passes through the second buffer region B2, which is an intermediate region between the first region P1 and the second region P2. The metal mask 150 deposited by the second-1 target portion 124 and the second -2 target portion 125 may be formed in a third buffer region (not shown) which is an arbitrary region located outside the second region P2 B3.

한편, 여기서 제 2 구역(P2)이란 제 1 구역(P1)과 일정 거리 이격되어 영향을 받지 않는 구역으로서 제 1 구역(P1)에서의 공정이 이루어진 이후에 후 공정을 위한 구역에 해당한다.Here, the second zone P2 corresponds to the zone for the post-process after the process in the first zone P1 is performed as the zone which is not affected by the distance from the first zone P1.

제 1-1 타겟부(121) 및 제 2-1 타겟부(124)는 해당 구역을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대한 증착을 수행하기 위하여 각기 제 1 구역(P1)과 제 2 구역(P2)에서 고정된 상태로 구비되며, 제 1-2 타겟부(122) 및 제 2-2 타겟부(125)는 틸트(Tilt)가 가능한 형태로 구비된다. 여기서 틸트 각도는 35° 이상을 유지할 수 있다.The 1-1 target portion 121 and the 2-1 target portion 124 are arranged in a first zone P1 and a second zone P2 to perform deposition on the metal mask 150 via the zone, And the 1-2 target portion 122 and the 2-2 target portion 125 are provided in a tiltable form. Here, the tilt angle can be maintained at 35 degrees or more.

한편, 제 2 구역(P2)에는 제 2-3 타겟부(126)가 제 2-1 타겟부(124)와 제 2-2 타겟부(125)와 함께 구비된다. 이러한 제 2-3 타겟부(126)는 제 2-1 타겟부(124)와 함께 제 3 버퍼 영역(B3)으로부터 제 2 구역(P2)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다. 즉, 제 2-2 타겟부(125)는 동작을 중단하고 나머지 제 2-1 타겟부(124)와 제 2-3 타겟부(126)만 동작하여 증착을 수행하게 되는 것이다.On the other hand, a second 2-3 target portion 126 is provided together with the 2-1th target portion 124 and the 2-2th target portion 125 in the second zone P2. This second 2-3 target portion 126 performs deposition on the metal mask 150 via the second region P2 from the third buffer region B3 with the second -1-1 target portion 124 . That is, the second-2 target portion 125 stops operating and operates only the remaining second-first target portion 124 and the second-third target portion 126 to perform deposition.

또한, 제 1 구역(P1)에는 제 1-3 타겟부(123)가 제 1-1 타겟부(121)와 제 1-2 타겟부(122)와 함께 구비된다. 이러한 제 1-3 타겟부(123)는 제 1-1 타겟부(121)와 함께 제 2 버퍼 영역(B2)으로부터 제 1 구역(P1)을 경유하는 메탈 마스크(150)에 대하여 증착을 수행한다.In addition, in the first zone P1, a 1-3 target portion 123 is provided together with the 1-1 target portion 121 and the 1-2 target portion 122. The 1-3 target portion 123 performs deposition on the metal mask 150 via the first region P1 from the second buffer region B2 together with the 1-1 target portion 121 .

즉, 제 1-2 타겟부(122)는 동작을 중단하고 나머지 제 1-1 타겟부(121)와 제 1-3 타겟부(123)만 동작하여 증착을 수행하게 되는 것이다. 여기서, 제 1-3 타겟부(123) 및 제 2-3 타겟부(126)는 틸트 가능한 형태로 구비될 수 있다. 여기서 틸트 각도는 35° 이상을 유지할 수 있다.That is, the 1-2 target portion 122 stops operating, and only the remaining 1-1 target portion 121 and 1-3 target portion 123 operate to perform deposition. Here, the 1-3 target portion 123 and the 2-3 target portion 126 may be provided in a tiltable form. Here, the tilt angle can be maintained at 35 degrees or more.

전술한 제 1-1 타겟부(121)와 제 2-1 타겟부(124)는 메탈 마스크(150)의 중앙부에 대한 증착을 주목적으로 수행되는 것이며, 제 1-2 타겟부(122)와, 제 1-3 타겟부(123)와, 제 2-2 타겟부(125)와, 제 2-3 타겟부(126)는 메탈 마스크(150) (150)의 측면 테두리부에 대한 증착을 주목적으로 수행되는 것이다.The 1-1 target portion 121 and the 2-1 target portion 124 described above are primarily intended for deposition on the central portion of the metal mask 150 and include a 1-2 target portion 122, The first to third target portions 123, the second to second target portions 125 and the second to third target portions 126 are formed on the side edges of the metal masks 150 (150) .

타겟부(120)는 이러한 챔버(110) 내부에 제 1 구역(P1)과 제 2 구역(P2)에서 타겟부(120)의 증착은 메탈 마스크(150) 둘레를 감싸도록 상부와 하부에 대하여 각각 수행된다. 수행되는 횟수는 메탈 마스크(150)에 대하여 코팅하고자 하는 설정 높이로 달성될 때까지 순차 반복적으로 수행되는 것이다.The target portion 120 may be configured such that the deposition of the target portion 120 in the first zone P1 and the second zone P2 inside the chamber 110 is performed with respect to the top and bottom so as to surround the metal mask 150 . The number of times to be performed is performed sequentially and repeatedly until the set height to be coated is achieved with respect to the metal mask 150.

보조 챔버(130)는 메탈 마스크(150)의 외부로부터 챔버(110) 내부로 메탈 마스크(150)를 투입하거나 증착이 완료된 메탈 마스크(150)를 회수하기 위해 진공 상태와 대기압 상태가 선택적으로 조성되며, 메탈 마스크(150)의 이송을 위하여 챔버(110)와 연통되어 있다. 또한, 보조 챔버(130)와 챔버(110) 사이에는 메탈 마스크(150) 증착을 위한 각각의 구역으로 이송하도록 별도의 이송 수단(미도시)이 구비된다.The auxiliary chamber 130 is selectively provided with a vacuum state and an atmospheric pressure state to introduce the metal mask 150 from the outside of the metal mask 150 into the chamber 110 or to recover the metal mask 150 after the deposition And communicates with the chamber 110 for transferring the metal mask 150. Further, a separate transfer means (not shown) is provided between the auxiliary chamber 130 and the chamber 110 so as to transfer the metal mask 150 to the respective regions for deposition.

이러한 이송 수단은 복수의 롤러 형태로 구비되거나 컨베이어 벨트 형태로 구비될 수 있다. 그러나, 이는 예시적인 것으로서 메탈 마스크(150)를 챔버(110)와 보조 챔버(130) 내부에서 이송할 수 있는 수단이라면 공지된 다양한 수단을 적용하는 것이 가능하다.Such conveying means may be provided in the form of a plurality of rollers or in the form of a conveyor belt. However, this is illustrative and it is possible to apply various known means as long as it is a means capable of transferring the metal mask 150 inside the chamber 110 and the auxiliary chamber 130.

도 13은 도 1에 따른 코팅 빙법(S100)에 의하여 코팅되는 메탈 마스크(150)를 도시한 상면도이다. 도 13을 참조하면, 메탈 마스크(150)를 중심부에 교호적으로 형성된 통공 형태의 투과부(153)이 형성되고, 나머지 영역에는 투과부(153)와 교호적으로 위치하게 되는 차단부(152)가 형성된다. 이러한 투과부(153)을 통하여 유기발광다이오드의 유기물 패턴을 원하는 위치로 형성할 수 있다.FIG. 13 is a top view showing a metal mask 150 coated by coating ice method S100 according to FIG. Referring to FIG. 13, a through hole 153 is formed in the center of the metal mask 150 in an alternating manner, and a blocking portion 152 is formed in the remaining area to be alternately positioned with the transparent portion 153 do. The organic material pattern of the organic light emitting diode can be formed at a desired position through the transparent portion 153.

전술한 타겟부(120)는 메탈 마스크(150)에 형성되는 차단부(152)에 대하여 증착을 수행하기 위한 것이다. 즉, 제 1-1 타겟부(121)와, 제 2-1 타겟부(124)는 메탈 마스크(150)의 차단부(152)의 상측부와 하측부로 증착을 수행하는 것을 주목적으로 하고, 제 1-2 타겟부(122)와, 제 1-3 타겟부(123)와, 제 2-2 타겟부(125) 및 제 2-3 타겟부(126)는 메탈 마스크(150)의 테두리부에 설정 높이로 중심부보다 더 돌출되도록 증착을 수행하는 것을 주목적으로 한다.The target portion 120 described above is for performing deposition on the blocking portion 152 formed in the metal mask 150. [ That is, the 1-1 target portion 121 and the 2-1th target portion 124 are mainly intended to perform deposition on the upper and lower portions of the blocking portion 152 of the metal mask 150, The 1-2 target portion 122, the 1-3 target portion 123, the 2-2 target portion 125 and the 2-3 target portion 126 are formed on the edge of the metal mask 150 And the deposition is performed so as to protrude more than the central portion with a set height.

도 14는 도 13에 따른 메탈 마스크(150)가 안치되는 프레임(140)을 도시한 단면도이고, 도 15는 도 13에 따른 메탈 마스크(150)가 도 14에 따른 프레임(140)에 안치된 상태를 도시한 상면도이다. FIG. 14 is a sectional view showing a frame 140 in which the metal mask 150 according to FIG. 13 is placed, FIG. 15 shows a state in which the metal mask 150 according to FIG. 13 is placed in the frame 140 according to FIG. Fig.

도 14를 참조하면, 프레임(140)은 중심부에 테두리(141)로부터 단차 지도록 함몰되는 함몰부(142)가 형성되며, 함몰부(142)의 중심부 소정 영역에는 개구부(143)가 형성된다. 이러한 함몰부(142)의 둘레는 메탈 마스크(150)를 수용하여 형합적으로 결합할 수 있을 정도로 형성되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 14, the frame 140 is formed with a depression 142, which is depressed so as to be stepped from the rim 141, and an opening 143 is formed in a predetermined region of the central portion of the depression 142. It is preferable that the circumference of the depression 142 is formed so as to be capable of receiving and integrally combining the metal mask 150.

도 15를 참조하면, 메탈 마스크(150)를 함몰부(142)에 안착 수용된 채로 메탈 마스크(150)의 하면이 개구부(143)을 통해 프레임(140)의 반대면으로 노출된다. 즉, 메탈 마스크(150)에 대한 타겟 물질의 증착은 메탈 마스크(150)를프레임(140)에 수용된 상태에서 180° 회전을 통하여 상부와 하부에 대하여 증착을 수행할 수 있는 것이다.15, the lower surface of the metal mask 150 is exposed to the opposite surface of the frame 140 through the opening 143 while the metal mask 150 is received in the depression 142. That is, the deposition of the target material on the metal mask 150 can deposit the metal mask 150 on the upper and lower sides through the rotation of the metal mask 150 by 180 degrees while being housed in the frame 140.

이때, 메탈 마스크(150)를 프레임(140) 함몰부(142)에 수용됨에 있어서 쳐짐이 생기지 않도록 인장된 상태로 수용된다. 이를 위해 메탈 마스크(150)를 클램프(Clamp) 등의 고정 기구들을 이용하여 인장력이 부여된 채로 프레임(140)의 함몰부(142)에 수용되어 프레임(140)과 결합된다. 즉, 클램프는 프레임(140) 상에 배치된 마스크를 지지하고, 인장 수단으로 클램프에 연결한 뒤 클램프에 인장력을 가하는 것이다.At this time, the metal mask 150 is accommodated in the depressed state of the frame 140 in a state of being stretched so as not to be stuck. To this end, the metal mask 150 is received in the depression 142 of the frame 140 with the tensile force applied thereto using fixing mechanisms such as a clamp, and is coupled to the frame 140. That is, the clamp supports the mask disposed on the frame 140, connects the clamp with the tension means, and applies a tensile force to the clamp.

메탈 마스크(150)에 대한 인장 작업 시 균일한 값으로 인장하기 위해서는 많은 개수의 클램프가 필요한데 대략 40~70 mm 당 1 개의 클램프가 적당하며, 클램프의 폭은 25~40 mm 정도로 유지 한다. 또한 인장 시 힘을 주는 로드셀은 각 클램프 당 50 kg의 성능을 발휘 할수 있도록 하는 것이 바람직하다. 클램프로 메탈 마스크(150)를 고정할 때 클램프의 압력은 20 kgf 내외 이고 폭 방향 25 mm, 깊이 방향 20 mm 가 적당하다. 이러한 작업들이 완료가 되었을 시 메탈 마스크(150)의 변화는 0.05 % 이내이고, 프레임(140)에 고정된 메탈 마스크(150)의 처짐량은 200 ㎛ 이내로 구현될 수 있다.In order to tension the metal mask 150 to a uniform value, a large number of clamps are required. One clamp is suitable for about 40 to 70 mm, and the clamp width is about 25 to 40 mm. Also, it is desirable that the load cell which gives the force when tensioned can perform 50 kg per clamp. When clamping the metal mask 150 with a clamp, the pressure of the clamp is about 20 kgf, 25 mm in the width direction and 20 mm in the depth direction are suitable. When these operations are completed, the change of the metal mask 150 is within 0.05%, and the deflection of the metal mask 150 fixed to the frame 140 can be realized within 200 [mu] m.

메탈 마스크(150)에 대한 인장력을 위하여서 메탈 마스크(150)를 열을 가하여 평탄을 유지 하는 장력 소둔(Tension Annealing) 작업이 처리된 재료를 사용할 수 있다. 여기서 평탄의 좌, 우 및 중앙부위 기준 가장 높은 곳이 1.5 mm 가 되도록 하는 것이 적당하다.
The material subjected to the tension annealing process in which the metal mask 150 is heated to maintain the flatness for tensile force against the metal mask 150 may be used. Here, it is appropriate that the highest point of the flat left, right and center portions is 1.5 mm.

도 16 및 도 17은 도 13에 따른 메탈 마스크(150)에 함몰영역이 형성된 상태를 도시한 도면이다. 도 16 및 도 17을 참조하면, 메탈 마스크(150)를 코팅 장치(100)로 코팅하기에 앞서 투과부(153) 둘레에 해당하는 테두리 주변으로 하프에칭에 의하여 함몰영역을 형성할 수 있다. 이러한 함몰영역은 도 16에서와 같이 단수로 형성되거나, 도 17과 같이 복수로 형성될 수 있다.16 and 17 are views showing a state in which a recessed region is formed in the metal mask 150 according to FIG. Referring to FIGS. 16 and 17, a depression region may be formed by half-etching around the rim corresponding to the periphery of the transmissive portion 153 before coating the metal mask 150 with the coating apparatus 100. Such depressed regions may be formed in a single number as shown in FIG. 16, or may be formed in plural as shown in FIG.

이는 유기발광다이오드의 화학기상증착 공정 시 메탈 마스크(150) 손상에 의해 투과부(153) 주위에서 발생되는 메탈 마스크(150) 이물 발생을 최소화하기 위한 것이다. 즉, 사전에 이물 발생 부위를 에칭(예 : 습식 에칭(wet etching) 등)을 통해 최소화 시켜주는 것이다. 이러한 함몰부는 메탈 마스크(150)의 테두리와 인접하여 단수로 형성되거나 복수로 형성될 수 있다.This is to minimize the generation of foreign matter in the metal mask 150 generated around the transmissive portion 153 by the damage of the metal mask 150 during the chemical vapor deposition process of the organic light emitting diode. That is, it minimizes the foreign matter generation part by etching (for example, wet etching) in advance. These depressions may be formed in the form of a singular number or a plurality of adjacent to the rim of the metal mask 150.

도 18은 도 1에 따른 코팅 장치(100)에 의하여 증착이 수행된 메탈 마스크(150)의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 전술한 타겟부(120)의 증착은 메탈 마스크(150)에 대하여 차단부(152) 상방과 하방의 양면 중 적어도 일방의 테두리부에 증착된 코팅층(C1)과 중심부에 증착된 코팅층(C2)은 공정시간, 재료 비용, 균일성(Uniformity)등을 고려하여 형성할 수 있다. 18 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a metal mask 150 on which deposition has been performed by the coating apparatus 100 according to FIG. The deposition of the target portion 120 may be performed by depositing a coating layer C1 on at least one of the upper and lower surfaces of the blocking portion 152 and the coating layer C2 deposited on the center portion of the metal mask 150 Process time, material cost, uniformity, and the like.

예컨데, 테두리부에는 약 4 ㎛ 내지 약 6 ㎛ 높이로, 중심부에는 약 2 ㎛ 내지 약 4 ㎛ 높이로 형성할 수 있다. 저항값은 1,000v 기준 10~1,000 ㏁ 정도로 유지하도록 할 수 있다. 여기서 메탈 마스크(150)를 금속 소재로서 Ni 함유량이 36%, 42% 등인 Nikel Alloy 계열을 사용하거나, Ni - 10% 이하, C - 0.1% 이하, Cr 18%, Si 1%이하, Mn 2% 이하, P 0.5% 이하 S 0.04% 이하, 나머지 전부 Fel 의 성분인 SUS 계열의 재료를 사용할 수 있다. 또한, Ni - 18% 이하, C - 0.12% 이하, Cr 12%, Si 1%이하, Mn 2% 이하, P 0.45% 이하 S 0.05% 이하, 나머지 전부 Fel 의 재료 성분인 SUS 420, 430 계열의 재료도 사용 할 수 있다. 메탈 마스크(150)의 두께는 0.05 내지 0.25 mm 로 형성되며, 표면의 거칠기는 1.0 내지 1.6 μ 로 형성될 수 있다.For example, the rim may be formed with a height of about 4 탆 to about 6 탆, and the central portion may have a height of about 2 탆 to about 4 탆. The resistance value can be maintained at 10 ~ 1,000 ㏁ around 1,000v. In this case, the metal mask 150 may be made of a nickel metal alloy material having a Ni content of 36%, 42%, or the like, or a Ni-Al alloy having a Ni content of 10% or less, a C content of 0.1% or less, a Cr content of 18% Or less of P, 0.5% or less of S, 0.04% or less of S, and the remaining components of Fel are SUS-based materials. In addition, it is preferable that the content of Ni is not more than 18%, C is not more than 0.12%, Cr is 12%, Si is not more than 1%, Mn is not more than 2%, P is not more than 0.45% Materials can also be used. The thickness of the metal mask 150 may be 0.05 to 0.25 mm, and the surface roughness may be 1.0 to 1.6 mu.

도 19 내지 도 28은 도 13에 A-A 를 따라 취한 종단면도이다. 메탈 마스크(150)에 투과부(153) 둘레에 해당되는 차단부(152)의 측단부는 설정 각도로 테이퍼 지도록 형성될 수 있다. 즉, 메탈 마스크(150) 차단부(152)의 측단부는, 측단부의 상부측과 측단부의 하부측 중 적어도 어느 한곳이 지면을 기준으로 40° 내지 120°의 설정 각도를 가지도록 형성될 수 있다.Figs. 19 to 28 are longitudinal sectional views taken along line A-A in Fig. The side end portion of the blocking portion 152 corresponding to the periphery of the transmission portion 153 may be formed to taper at a predetermined angle to the metal mask 150. That is, the side end portion of the metal mask 150 blocking portion 152 is formed such that at least one of the upper side of the side end portion and the lower side of the side end portion has a setting angle of 40 to 120 degrees with respect to the ground surface .

도 19에서와 같이, 메탈 마스크(150)에 투과부(153)의 둘레에 해당되는 차단부(152)의 측단부 하부측은 48°의 설정 각도를 가지도록 형성되고, 하면으로부터 2/3 지점 및 상면으로부터 1/3 지점에 각각 내측을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다.19, the lower side of the side end portion of the blocking portion 152 corresponding to the periphery of the transmitting portion 153 in the metal mask 150 is formed so as to have a set angle of 48 degrees, To be rounded toward the inner side, respectively.

또한, 도 20에서와 같이, 메탈 마스크(150)에 투과부(153)의 둘레에 해당되는 차단부(152)의 측단부 하부측은 74°의 설정 각도를 가지도록 형성되고, 하면으로부터 1/3 지점 및 상면으로부터 2/3 지점에 각각 내측을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다. 아울러, 메탈 마스크(150)의 하부에는 하프 에칭이 수행되어 함몰영역(H)이 형성될 수 있다.20, the lower side of the side end portion of the blocking portion 152 corresponding to the periphery of the transmitting portion 153 is formed on the metal mask 150 so as to have a set angle of 74 degrees, And two-thirds from the top surface, respectively. In addition, the bottom of the metal mask 150 is subjected to half-etching to form a recessed area H.

또한, 도 21 내지 도 26에서와 같이 메탈 마스크(150)의 투과부(153)의 둘레에 해당되는 차단부(152)의 측단부는, 지면을 기준으로 기울기가 51°, 53°, 55°, 59°, 68° 및 73° 중 어느 하나의 각도를 이루도록 형성되며, 하부로부터 2/3 지점에 내측 방향을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다.21 to 26, the side end portions of the blocking portions 152 corresponding to the periphery of the transmitting portion 153 of the metal mask 150 have slopes of 51 °, 53 °, 55 °, 59 °, 68 ° and 73 °, and may be formed to be rounded toward the inner side at 2/3 point from the bottom.

또한, 도 27 내지 도 28에서와 같이, 메탈 마스크(150)의 투과부(153)의 둘레에 해당되는 차단부(152)의 측단부는 지면을 기준으로 기울기가 73°또는 85°를 이루도록 형성되며, 하부로부터 1/2 지점에 내측을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다. 여기서, 메탈마스크(150)의 상부에는 하프 에칭이 수행되 함몰영역(H)이 형성될 수 있다.27 to 28, the side end portion of the blocking portion 152 corresponding to the periphery of the transmitting portion 153 of the metal mask 150 is formed to have a slope of 73 ° or 85 ° with respect to the ground surface , And rounded toward the inside at a half point from the bottom. Here, the recessed region H may be formed on the upper portion of the metal mask 150 to perform half-etching.

이를 통해서 단면 에칭 작업으로 진행 시 에칭 반대면이 뾰족한 모양으로 이루어지기 때문에 유리 기판과 컨텍 시 유리 기판에 흠집을 내는 불량 요인을 방지할 수 있게 되는 것이다. As a result, since the etching opposite side is formed in a pointed shape during the cross-sectional etching operation, defects such as scratches on the glass substrate and the contact glass substrate can be prevented.

또한, 에칭을 통해 상부에 단차지는 함몰부가 형성되도록 하프 에칭시켜 하프에칭 마스크로 형성하고 측면부는 완만하게 형성할 수도 있다. 측면부에 대해서는 증착을 2 단으로 함으로써 아킹을 최소화 시킬 수 있다. 물론, 함몰부는 상부에 형성되는 것으로 국한되지 않고 하부에도 형성이 가능하다.
In addition, a half-etching mask may be formed by half-etching so as to form depressions on the upper portion through etching, and the side portions may be formed gently. Arcing can be minimized by depositing two layers on the side surface. Of course, the dimples are not limited to being formed on the top, but may be formed on the bottom.

<메탈 마스크><Metal mask>

메탈 마스크(150)는 진공 상태로 조성되는 내부로 코팅 대상물을 수용하는 챔버(110)와, 타겟 물질이 구비되고 상기 챔버(110) 내부에 수용되는 상기 코팅 대상물에 대한 증착을 수행하기 위한 복수의 타겟부(120)와, 설정 각도로 회전 가능하도록 구비되며, 상기 코팅 대상물을 내부에 안치하여 수용하는 프레임(140) 및 상기 프레임(140)을 상기 챔버(110) 내부에서 이송시키기 위한 이송 수단을 포함하되, 상기 타겟부들(120) 중 적어도 어느 하나는 틸트(Tilt)가 가능한 코팅 장치(100)에 사용하기 위한 것이다.The metal mask 150 may include a chamber 110 for receiving a coating object in a vacuum state and a plurality of electrodes for performing deposition on the coating object that is contained in the chamber 110, A frame 140 rotatably installed at a predetermined angle and accommodating the coating object therein and conveying means for conveying the frame 140 in the chamber 110, Wherein at least one of the target portions 120 is for use in a coating device 100 capable of tilting.

이러한 메탈 마스크(150)는 도 13을 참조하여 전술한 바와 같이, 소정 형상으로 이루어지되 바람직하게는 사각, 직사각 형상 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 메탈 마스크(150)의 투과부(153)는 교호적으로 형성되는 통공형상으로 형성될 수 있다. 메탈 마스크(150)의 차단부(152)는 투과부(153)에 이웃하도록 형성될 수 있다.As described above with reference to FIG. 13, the metal mask 150 may have a predetermined shape, but may be rectangular, rectangular, or the like. The transmissive portion 153 of the metal mask 150 may be formed in a through-hole shape that is alternately formed. The blocking portion 152 of the metal mask 150 may be formed adjacent to the transmissive portion 153.

여기서, 메탈 마스크(150)는 평탄 유지를 위하여 장력 소둔(Tension Annealing) 처리된 금속 박판이며, 두께는 0.05 내지 0.25 mm 이고, 메탈 마스크(150)의 표면 거칠기는 1.0 내지 1.6 μ일 수 있다. 아울러, 투과부(153)의 둘레에 해당하는 차단부(152)의 측단부가 라운드 지도록 형성될 수 있다.Here, the metal mask 150 is a metal thin plate subjected to tensile annealing to maintain flatness, a thickness of 0.05 to 0.25 mm, and a surface roughness of the metal mask 150 may be 1.0 to 1.6 mu. In addition, the side end portion of the blocking portion 152 corresponding to the periphery of the transmitting portion 153 may be rounded.

이러한 메탈 마스크(150)의 측단부는, 일정한 각도로 형성될 수 있는데, 일 예로서, 메탈 마스크(150)는 측단부의 상부측과 측단부의 하부측 중 적어도 어느 한곳이 지면을 기준으로 40° 내지 120°의 설정 각도를 가지도록 형성될 수 있다.For example, the metal mask 150 may be formed so that at least one of the upper side of the side end and the lower side of the side end of the metal mask 150 is 40 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 120 &lt; / RTI &gt;

또한, 다른 예로서 메탈 마스크(150)의 측단부는, 하부측이 48° 의 설정 각도를 가지도록 형성되되, 하면으로부터 2/3 지점 및 상면으로부터 1/3 지점에 각각 내측을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다.As another example, the side end portion of the metal mask 150 is formed so that the lower side has a set angle of 48 degrees, and is formed so as to be rounded toward the inside at two-thirds from the bottom surface and one- .

또한, 또 다른 예로서, 메탈 마스크(150)의 측단부는, 하부측이 74°의 설정 각도를 가지도록 형성되되, 하면으로부터 1/3 지점 및 상면으로부터 2/3 지점에 각각 내측을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다.Further, as another example, the side end portion of the metal mask 150 may be formed so that the lower side has a set angle of 74 degrees, and a round As shown in FIG.

또한, 또 다른 예로서, 메탈 마스크(150)의 측단부는, 지면을 기준으로 기울기가 51°, 53°, 55°, 59°, 68° 및 73° 중 어느 하나의 각도를 이루도록 형성되며, 하부로부터 2/3 지점에 내측 방향을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다.Further, as another example, the side edge portions of the metal mask 150 may be formed so as to have an inclination of any one of 51 °, 53 °, 55 °, 59 °, 68 °, and 73 ° with respect to the paper surface, And may be formed to be rounded toward the inner direction at 2/3 point from the bottom.

또한, 또 다른 예로서, 메탈 마스크(150)의 측단부는, 지면을 기준으로 기울기가 73° 또는 85° 를 이루도록 형성되며, 하부로부터 1/2 지점에 내측을 향해 라운드 지도록 형성될 수 있다.
Further, as another example, the side edge portion of the metal mask 150 may be formed so as to have a slope of 73 ° or 85 ° with respect to the paper surface, and may be formed so as to be rounded inward at a half point from the bottom.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

110 : 챔버 120 : 타겟부
121 : 제 1-1 타겟부 122 : 제 1-2 타겟부
123 : 제 1-3 타겟부 124 : 제 2-1 타겟부
125 : 제 2-2 타겟부 126 : 제 2-3 타겟부
130 : 보조 챔버 140 : 프레임
150 : 메탈 마스크 P1 : 제 1 구역
P2 : 제 2 구역
110: chamber 120: target portion
121: 1-1 target portion 122: 1-2 target portion
123: 1-3 target portion 124: 2-1 target portion
125: 2-2 target portion 126: 2-3 target portion
130: auxiliary chamber 140: frame
150: Metal mask P1: Zone 1
P2: Zone 2

Claims (9)

진공 상태로 조성되는 내부로 코팅 대상물을 수용하는 챔버와,
타겟 물질이 구비되고 상기 챔버 내부에 수용되는 상기 코팅 대상물에 대한 증착을 수행하기 위한 복수의 타겟부와,
설정 각도로 회전 가능하도록 구비되며, 상기 코팅 대상물을 내부에 안치하여 수용하는 프레임 및 상기 프레임을 상기 챔버 내부에서 이송시키기 위한 이송 수단을 포함하되,
상기 타겟부들 중 적어도 어느 하나는 틸트(Tilt)가 가능한 코팅 장치에 사용되어, 기판상에 유기발광 다이오드의 정방형 유기물 패턴을 형성하기 위한 메탈 마스크로서,
교호적으로 형성되는 정방형 통공형상의 투과부와, 상기 투과부에 이웃하여 형성되는 차단부를 포함하고,
평탄 유지를 위하여 장력 소둔(Tension Annealing) 처리된 금속 박판으로 이루어지며, 두께는 0.05 내지 0.25 mm 이고, 표면 거칠기는 1.0 내지 1.6 μ이며, 상기 투과부의 둘레에 해당하는 상기 차단부의 측단부가 라운드형태로 테이퍼지도록 형성되며,
상기 투과부의 양면 중 적어도 어느 일면의 테두리부에는 하프에칭에 의한 함몰영역이 단차지도록 형성되되, 상기 함몰영역은 상기 증착이전에 단수로 형성되거나, 상호 이격되어 복수로 형성되며,
상기 증착은 상기 타겟부가 전원과 연결된 상태로 음극성을 가지고 있으며 전자의 가속에 의해 챔버내에서 발생되는 양이온과의 충돌에 기반하여 상기 타겟 물질이 상기 메탈 마스크로 증착되어지며,
상기 메탈 마스크는 상기 프레임 상에 거치된채, 상기 이송 수단에 의하여 상기 복수의 타겟부에 노출될 수 있는 영역 상의 일방과 타방 간으로 순차 반복적인 왕복운동에 기반하여 상기 증착이 수행되는 메탈 마스크.
A chamber for accommodating a coating object therein, the chamber being formed in a vacuum state,
A plurality of target portions provided with a target material and for performing deposition on the coating object received in the chamber;
A frame rotatably installed at a predetermined angle and configured to receive and accommodate the object to be coated, and conveying means for conveying the frame in the chamber,
Wherein at least one of the target portions is a metal mask for forming a square organic pattern of an organic light emitting diode on a substrate, the metal mask being used for a tiltable coating apparatus,
And a blocking portion formed adjacent to the transmissive portion, wherein the transmissive portion has a rectangular through-
A thickness of 0.05 to 0.25 mm, a surface roughness of 1.0 to 1.6 mu m, and a side end portion of the blocking portion corresponding to the periphery of the transmitting portion is formed in a round shape Respectively,
Wherein a recessed region formed by half-etching is formed in a rim of at least one of two surfaces of the transparent portion, the recessed region being formed in a single number before the deposition, or a plurality of spaced-
Wherein the target material is deposited with the metal mask based on the collision with the positive ions generated in the chamber by the acceleration of the electrons,
Wherein the metal mask is deposited on the frame based on sequential repetitive reciprocating motion between one side and the other side of an area that can be exposed to the plurality of target portions by the transfer means.
제1항에 있어서,
상기 차단부는,
상기 측단부 상부측과, 상기 측단부의 하부측 중 적어도 어느 한곳이 지면을 기준으로 40° 내지 120°의 설정 각도를 가지도록 형성되는 메탈 마스크.
The method according to claim 1,
The cut-
Wherein at least one of the upper side of the side end portion and the lower side of the side end portion is formed so as to have a set angle of 40 to 120 with reference to the paper surface.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 메탈 마스크는,
상기 프레임의 테두리부를 따라 형성된 함몰부에 안착되며, 상기 메탈 마스크의 쳐짐을 방지하도록 클램프로 고정되어 상기 코팅 장치에서 코팅이 수행되는 메탈 마스크.
The method according to claim 1,
In the metal mask,
A metal mask mounted on a depression formed along a rim of the frame, the metal mask being clamped by a clamp to prevent the metal mask from being stuck.
제1항에 있어서,
상기 차단부는,
상기 측단부의 상기 하부측은 48° 의 설정 각도를 가지도록 형성되되, 하면으로부터 2/3 지점 및 상면으로부터 1/3 지점에 각각 내측을 향해 라운드 지도록 형성되는 메탈 마스크.
The method according to claim 1,
The cut-
Wherein the lower side of the side end portion is formed so as to have a set angle of 48 DEG, and is formed so as to be rounded inward at a point 2/3 from the lower surface and 1/3 from the upper surface, respectively.
제2항에 있어서,
상기 차단부는,
상기 측단부의 상기 하부측은 74°의 설정 각도를 가지도록 형성되되, 하면으로부터 1/3 지점 및 상면으로부터 2/3 지점에 각각 내측을 향해 라운드 지도록 형성되는 메탈 마스크.
3. The method of claim 2,
The cut-
Wherein the lower side of the side end portion is formed so as to have a set angle of 74 DEG, and is formed so as to be rounded inward at a point 1/3 from the underside and 2/3 from the upper surface, respectively.
제1항에 있어서,
상기 차단부는,
의 측단부가 지면을 기준으로 기울기가 51°, 53°, 55°, 59°, 68° 및 73° 중 어느 하나의 각도를 이루도록 형성되며, 하부로부터 2/3 지점에 내측 방향을 향해 라운드 지도록 형성되는 메탈 마스크.
The method according to claim 1,
The cut-
Is formed such that the side end portion of each of the side portions is formed so as to form an angle of any one of 51 °, 53 °, 55 °, 59 °, 68 °, and 73 ° with respect to the paper surface, Metal mask formed.
제1항에 있어서,
상기 차단부의 측단부는,
지면을 기준으로 기울기가 73° 또는 85° 를 이루도록 형성되며, 하부로부터 1/2 지점에 내측을 향해 라운드 지도록 형성되는 메탈 마스크.
The method according to claim 1,
The side end portion of the blocking portion
Wherein the metal mask is formed so as to have a tilt of 73 ° or 85 ° with respect to the ground, and rounded toward the inside at a half point from the bottom.
제1항에 있어서,
상기 메탈 마스크는 상기 코팅장치에 의하여 증착이 수행될 때 차단부 상방과 하방의 양면 중 적어도 일방의 테두리부에 증착된 코팅층은 약 4 ㎛ 내지 약 6 ㎛ 높이로 코팅되고, 중심부에는 2 ㎛ 내지 4 ㎛ 높이로 코팅되는 메탈 마스크.
The method according to claim 1,
When the metal mask is deposited by the coating apparatus, the coating layer deposited on the edge of at least one of the upper and lower surfaces of the blocking portion is coated at a height of about 4 탆 to about 6 탆, Metal mask coated with ㎛ height.
KR1020150117976A 2015-08-21 2015-08-21 Matal mask KR101744600B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150117976A KR101744600B1 (en) 2015-08-21 2015-08-21 Matal mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150117976A KR101744600B1 (en) 2015-08-21 2015-08-21 Matal mask

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150050664A Division KR101570429B1 (en) 2015-04-10 2015-04-10 Coating method for matal mask and matal mask manufactured by the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160121766A KR20160121766A (en) 2016-10-20
KR101744600B1 true KR101744600B1 (en) 2017-06-21

Family

ID=57251298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150117976A KR101744600B1 (en) 2015-08-21 2015-08-21 Matal mask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101744600B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4092914B2 (en) 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 MASK MANUFACTURING METHOD, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2010216000A (en) 2009-03-19 2010-09-30 Seiko Epson Corp Vapor deposition mask
KR101234953B1 (en) * 2011-02-28 2013-02-19 하이디스 테크놀로지 주식회사 Shadow mask for making thin film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101992261B1 (en) 2012-11-14 2019-06-24 엘지디스플레이 주식회사 Metal mask, organic light emitting display device and method of fabricating thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4092914B2 (en) 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 MASK MANUFACTURING METHOD, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2010216000A (en) 2009-03-19 2010-09-30 Seiko Epson Corp Vapor deposition mask
KR101234953B1 (en) * 2011-02-28 2013-02-19 하이디스 테크놀로지 주식회사 Shadow mask for making thin film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160121766A (en) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9388488B2 (en) Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR102245762B1 (en) Holder, carrier having the same, and method for fixing a substrate
JP5963218B2 (en) Carrier for thin glass substrate and method of using the same
US8883259B2 (en) Thin film deposition apparatus
JP5911958B2 (en) Mask structure, apparatus and method for depositing a layer on a rectangular substrate
US20120100644A1 (en) Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
WO2017203502A2 (en) High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor
KR101570429B1 (en) Coating method for matal mask and matal mask manufactured by the same
JP6268198B2 (en) Substrate carrier
KR20140145383A (en) Inline Type OLED Face Up Evaporator for large size OLED
US20140209025A1 (en) Deposition mask and deposition apparatus having the same
KR200489874Y1 (en) Substrate edge masking system
KR101744600B1 (en) Matal mask
EP3294921B1 (en) Methods and supports for holding substrates
KR101578871B1 (en) Coating apparatus
US20090246941A1 (en) Deposition apparatus, deposition system and deposition method
KR102378672B1 (en) High-precision shadow mask deposition system and method therefor
KR102190806B1 (en) Holding arrangement for substrates, and apparatus and method for using the same
KR102595812B1 (en) Holder, carrier comprising at least two holders, devices and methods
JP2018085523A (en) Carrier for substrates
US20090317562A1 (en) Processing system and method for processing a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant