KR101740798B1 - Method for manufactring passive matrix quantum dot light emitting display device - Google Patents

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Abstract

패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 서로 분리된 복수의 서브-화소 영역을 커버(cover)하는 애노드를 형성하는 단계, 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 절연층을 알루미늄 산화물로 형성하는 단계, 복수의 서브-화소 영역에서 노출된 애노드의 상면 상에 양자점 발광층을 형성하는 단계 및 양자점 발광층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법은 패터닝 공정 없이도 절연층을 형성할 수 있으므로, 제조 공정이 단순화되고, 패터닝 공정에 의한 애노드 손상이 최소화 될 수 있다.A passivation matrix type quantum dot light emitting display device manufacturing method is provided. A method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display includes forming an anode covering a plurality of sub-pixel regions separated from each other on a substrate, forming a plurality of openings corresponding to each of the plurality of sub- Forming a quantum dot light emitting layer on the upper surface of the exposed anode in the plurality of sub-pixel regions, and forming a cathode on the quantum dot light emitting layer. The manufacturing method of the passive matrix type quantum dot light emitting display device can form the insulating layer without the patterning process, so that the manufacturing process is simplified and the damage of the anode by the patterning process can be minimized.

Figure R1020150110643
Figure R1020150110643

Description

패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTRING PASSIVE MATRIX QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a passive matrix type quantum dot light emitting display device,

본 발명은 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제조 공정이 단순화된 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display, and more particularly, to a passive matrix type quantum dot light emitting display having a simplified manufacturing process.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 유기 발광 표시 장치는 각각의 서브-화소에 박막 트랜지스터를 연결하여 서브-화소를 개별적으로 구동시키는 액티브 매트릭스 방식과 서로 직교하는 애노드와 캐소드에 전원을 인가하여 애노드와 캐소드의 교차점에 위치하는 특정 서브-화소를 선택적으로 구동시키는 패시브 매트릭스 방식이있다. The organic light emitting display device is a self-emission type display device, unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, and thus it can be manufactured in a light and thin shape. An organic light emitting diode (OLED) display device includes an active matrix scheme for driving sub-pixels individually by connecting thin-film transistors to respective sub-pixels, and a power source for applying power to the anode and the cathode, There is a passive matrix method in which pixels are selectively driven.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광층을 구성하는 유기물의 종류에 따라 발생하는 빛의 파장이 결정되므로, 다양한 빛을 구현하기 위해서는 그만큼 다양한 유기물을 개발해야 한다는 단점이 존재한다. 이러한 유기 발광 표시 장치의 단점을 보완하기 위해, 최근에는 양자점(Quantum Dot; QD) 발광 표시 장치에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Since the wavelength of light generated in accordance with the type of the organic material constituting the organic light emitting layer of the organic light emitting display is determined, various organic materials must be developed in order to realize various light. In order to compensate for the disadvantages of such an organic light emitting display device, researches on a quantum dot (QD) light emitting display have been actively conducted.

양자점 발광 표시 장치는 양자점 발광층을 사용하여 특정 색을 구현한다. 양자점 발광 표시 장치는 양자점의 크기만 제어하면 원하는 색을 구현할 수 있으므로, 색재현율이 좋고, 발광 다이오드(Light Emission Diode; LED)에 비해 휘도도 뒤떨어지지 않는 장점이 있다. The quantum dot light emitting display uses a quantum dot light emitting layer to realize a specific color. The quantum dot light emitting display has advantages in that the color reproducibility is good and the luminance is not inferior to that of a light emitting diode (LED) because the desired color can be realized by controlling only the size of the quantum dots.

패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치는 애노드, 애노드와 교차하는 캐소드 및 애노드와 캐소드의 교차점에 형성된 양자점 발광층을 포함한다. 여기서, 애노드와 캐소드의 교차점에 형성된 양자점 발광층이 하나의 서브-화소로 동작한다. 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치는 특정 서브-화소의 양자점 발광층에 흐르는 전자 및 정공이 인접하는 다른 서브-화소의 양자점 발광층으로 흐르지 못하도록 양자점 발광층은 절연층으로 둘러쌓여 있으며, 절연층은 실리콘 산화물(SiOx)로 형성된다. 절연층은 스퍼터링 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정을 통해 애노드 상에 실리콘 산화물층을 형성하고, 포토리소그래피(photolithograph) 방법으로 양자점 발광층이 배치되는 영역의 실리콘 산화물층을 패터닝함으로써 형성된다. The passive matrix type quantum dot light emitting display includes an anode, a cathode crossing the anode, and a quantum dot light emitting layer formed at the intersection of the anode and the cathode. Here, the quantum dot light emitting layer formed at the intersection of the anode and the cathode operates as one sub-pixel. In the passive matrix type quantum dot light emitting display, the quantum dot light emitting layer is surrounded by an insulating layer so that electrons and holes flowing in the quantum dot light emitting layer of a specific sub-pixel do not flow to the quantum dot light emitting layer of another adjacent sub-pixel, SiOx). The insulating layer is formed by forming a silicon oxide layer on the anode through a sputtering or chemical vapor deposition (CVD) process and patterning a silicon oxide layer in a region where a quantum dot light emitting layer is disposed by a photolithograph method .

그러나, 패터닝 공정은 포토레지스트(photoresist) 도포, 노광, 현상(development), 에칭(etching) 및 포토레지스트 제거 등과 같은 부수적인 공정들을 수반하므로, 양자점 발광 표시 장치를 제조하는 공정이 복잡해질 수 있다. 또한, 절연층의 두께가 얇을 경우, 노광 공정에서 레이저에 의해 실리콘 산화물층 하부에 존재하는 애노드가 영향을 받는 문제도 자주 발생된다. 이에, 양자점 발광 표시 장치의 생산 수율이 떨어지고, 제조 단가가 상승되는 문제가 발생된다.However, since the patterning process involves ancillary processes such as photoresist application, exposure, development, etching, and photoresist removal, the process of manufacturing the quantum dot light emitting display may become complicated. Further, when the thickness of the insulating layer is small, the problem that the anode existing under the silicon oxide layer is affected by the laser in the exposure process frequently occurs. As a result, the production yield of the quantum dot luminescent display device is lowered and the manufacturing cost is increased.

양자점 발광 소자(특허출원번호 제 10-2010-0078610 호)Quantum dot light emitting device (Patent Application No. 10-2010-0078610)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 패터닝 공정 없이 증발법(evaporation) 으로 절연층을 형성함으로써, 제조 공정이 단순화되고, 패터닝 공정에 의한 애노드 손상이 최소화된 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.A passive matrix type quantum dot light emitting display device in which an insulating layer is formed by evaporation without a patterning process, the manufacturing process is simplified, and an anode damage by a patterning process is minimized, and a method of manufacturing the same .

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 서로 분리된 복수의 서브-화소 영역을 커버(cover)하는 애노드를 형성하는 단계, 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 절연층을 알루미늄 산화물(Al2O3)로 형성하는 단계, 복수의 서브-화소 영역에서 노출된 애노드의 상면 상에 양자점 발광층을 형성하는 단계 및 양자점 발광층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display, comprising: forming an anode covering a plurality of sub-pixel regions separated from each other on a substrate; Forming an insulating layer including a plurality of openings corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions with aluminum oxide (Al 2 O 3 ); forming a quantum dot on the upper surface of the anode exposed in the plurality of sub- Forming a light emitting layer, and forming a cathode on the quantum dot light emitting layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 절연층을 형성하는 단계는 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 마스크 영역 및 복수의 서브-화소 영역 이외의 영역에 대응하는 노출 영역을 갖는 마스크(mask)를 애노드 상에 배치하는 단계, 알루미늄(Al)을 증발법(evaporation)을 사용하여 애노드 상에 증착하는 단계, 및 증착된 알루미늄(Al)을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, in the step of forming the insulating layer, a mask having a mask region corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions and an exposure region corresponding to an area other than the plurality of sub- , Depositing aluminum (Al) on the anode using evaporation, and oxidizing the deposited aluminum (Al).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 절연층을 형성하는 단계는, 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 마스크 영역 및 복수의 서브-화소 영역 이외의 영역에 대응하는 노출 영역을 갖는 마스크(mask)를 애노드 상에 배치하는 단계 및 산소(O2) 또는 오존(O3)분위기에서 알루미늄(Al)을 증발법(evaporation)으로 애노드 상에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to still another aspect of the present invention, the step of forming the insulating layer includes a step of forming a mask having a mask region corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions and an exposure region corresponding to an area other than the plurality of sub- And depositing aluminum (Al) on the anode by evaporation in an oxygen (O 2 ) or ozone (O 3 ) atmosphere.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 절연층은 9 F/m 내지 9.8 F/m의 유전율(permittivity)을 갖도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the insulating layer is formed to have a permittivity of 9 F / m to 9.8 F / m.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 마스크를 통해 증발법으로 증착이 가능한 알루미늄(Al)을 사용하여 절연층을 형성함으로써, 패터닝 공정 없이도 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 절연층을 형성할 수 있는 효과가 있다.The present invention has an effect of forming an insulating layer of a passive matrix type quantum dot light emitting display device without a patterning process by forming an insulating layer using aluminum (Al) which can be vaporized by a vapor deposition method through a mask.

본 발명은 패터닝 공정이 생략되므로, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 공정이 단순화되고, 패터닝 공정에 의한 애노드 손상이 최소화되는 효과가 있다.Since the patterning process is omitted in the present invention, the manufacturing process of the passive matrix type quantum dot light emitting display device is simplified, and the anode damage by the patterning process is minimized.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 대한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 A 영역에 대한 개략적인 부분 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.1 is a schematic plan view of a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG.
3 is a schematic enlarged cross-sectional view of region A of FIG.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention.
5A to 5D are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 '위 (on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. It is to be understood that an element or layer is referred to as being another element or layer " on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 대한 개략적인 단면도이다. 도 3은 도 2의 A 영역에 대한 개략적인 부분 확대 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 애노드(120), 절연층(130), 양자점 유기물층(140), 캐소드(150) 및 격벽(160)을 포함한다. 설명의 편의를 위해, 도 1에서는 양자점 유기물층(140) 및 캐소드(150)가 도시되지 않았다. 또한, 도 1에서는 총 16개의 서브-화소 영역(SP/A)을 포함하는 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)가 도시되었으나, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)의 서브-화소 영역(SP/A)의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 1 is a schematic plan view of a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 3 is a schematic enlarged cross-sectional view of region A of FIG. 1 and 2, the passive matrix type quantum dot light emitting display 100 includes a substrate 110, an anode 120, an insulating layer 130, a quantum dot organic layer 140, a cathode 150, 160). For convenience of explanation, the quantum dot organic layer 140 and the cathode 150 are not shown in Fig. 1 shows a passive matrix type quantum dot light emitting display 100 including a total of 16 sub-pixel areas SP / A, the sub-pixels 100 of a passive matrix type quantum dot light emitting display 100 The number of areas SP / A is not limited thereto.

기판(110)은 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하기 위한 기판으로서, 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. The substrate 110 is a substrate for supporting various components of the passive matrix type quantum dot light emitting display 100, and may be a glass substrate or a plastic substrate.

애노드(120)는 기판(110) 상에 제1 방향을 따라 연장되도록 형성된다. 예를 들어, 애노드(120)는 도 1에 도시된 바와 같이 세로 방향(즉, y축 방향)으로 연장되도록 형성될 수 있다. 애노드(120)는 복수의 서브-화소 영역(SP/A)을 커버(cover)하도록 형성된다. 각각의 서브-화소 영역(SP/A)에서 애노드(120) 상에 양자점 유기물층(140) 및 캐소드(150)가 배치되어 애노드(120), 양자점 유기물층(140) 및 캐소드(150)로 구성된 양자점 발광 소자가 형성된다. 애노드(120)는 양자점 유기물층(140)에 정공을 제공할 수 있도록 일함수(work function)가 높은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 형성될 수 있다. The anode 120 is formed on the substrate 110 so as to extend along the first direction. For example, the anode 120 may be formed to extend in the longitudinal direction (i.e., the y-axis direction) as shown in Fig. The anode 120 is formed to cover a plurality of sub-pixel regions SP / A. A quantum dot organic compound layer 140 and a cathode 150 are disposed on the anode 120 in each sub-pixel region SP / A to form a quantum dot light emission composed of the anode 120, the quantum dot organic layer 140 and the cathode 150 Element is formed. The anode 120 may be formed of a transparent conductive oxide (TCO) having a high work function so as to provide holes to the quantum dot organic layer 140.

애노드(120) 상에 절연층(130)이 배치된다. 절연층(130)은 애노드(120)의 상면을 덮으며, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 서브-화소 영역(SP/A)을 노출시키는 복수의 개구부(OP)들을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 개구부(OP)들에 의해 서브-화소 영역(SP/A)에서 애노드(120)의 상면이 노출된다. An insulating layer (130) is disposed on the anode (120). The insulating layer 130 covers the upper surface of the anode 120 and includes a plurality of openings OP for exposing a plurality of sub-pixel areas SP / A, as shown in FIG. As shown in Fig. 2, the upper surface of the anode 120 is exposed in the sub-pixel region SP / A by a plurality of openings OP.

절연층(130)은 알루미늄 산화물(Al2O3)로 이루어진다. 절연층(130)은 알루미늄(Al)을 애노드(120) 상에 증착한 이후, 증착된 알루미늄(Al)을 산화시키는 방법으로 형성되거나 산소(O2) 또는 오존(O3)의 분위기에서 알루미늄(Al)을 증착하면서 산화시키는 방법으로 형성될 수 있다. 증착은 증발법(evaporation)을 통해 이루어지며, 이에 대한 상세한 내용은 후술하기로 한다. The insulating layer 130 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ). Insulation layer 130 after deposition of aluminum (Al) on the anode 120, the aluminum formed in a method for the oxidation of the deposited aluminum (Al), or in an atmosphere of oxygen (O 2) or ozone (O 3) ( Al) is deposited while being deposited. The deposition is performed by evaporation, and the details thereof will be described later.

절연층(130)은 9.8 F/m 이하의 유전율(permittivity)을 갖는다. 예를 들어, 절연층(130)은 8 F/m 이하의 유전율을 갖거나, 9 내지 9.8 F/m의 유전율을 갖는다. 절연층(130)의 유전율은 절연층(130)의 형성 방법에 의해 결정되며, 이에 대한 상세한 내용은 후술하기로 한다. The insulating layer 130 has a permittivity of 9.8 F / m or less. For example, the insulating layer 130 may have a dielectric constant of 8 F / m or less, or a dielectric constant of 9 to 9.8 F / m. The dielectric constant of the insulating layer 130 is determined by the method of forming the insulating layer 130, and details thereof will be described later.

절연층(130)은 유전율이 높은 알루미늄 산화물(Al2O3)로 이루어지므로, 특정 양자점 발광 소자의 양자점 유기물층(140)에 공급되는 정공 및 전자가 다른 양자점 발광 소자의 양자점 유기물층(140)으로 유입되는 것을 방지한다. 즉, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)의 양자점 발광 소자는 애노드(120)에 데이터 전압이 인가되고, 캐소드(150)에 스캔 전압이 인가되면 애노드(120)와 캐소드(150)의 교차점에 위치하는 양자점 유기물층(140)이 발광함으로써 구동된다. 만약, 양자점 유기물층(140)에 제공되는 정공 및 전자가 이에 인접하는 다른 양자점 유기물층(140)으로 누설되는 경우, 데이터 전압 및 스캔 전압이 특정 서브-화소 영역(SP/A)에 배치된 특정 양자점 발광 소자만 구동시켰음에도 불구하고 특정 양자점 발광 소자에 인접하는 다른 양자점 발광 소자가 같이 발광하게 되는 문제가 발생된다. 이에, 양자점 유기물층(140)에 제공되는 정공 및 전자가 인접하는 다른 양자점 유기물층(140)으로 누설되는 것을 방지할 필요가 있으며, 절연층(130)은 서브-화소 사이를 절연시킴으로써, 정공 및 전자의 누설을 방지한다. Since the insulating layer 130 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) having a high dielectric constant, the holes and electrons supplied to the quantum dot organic layer 140 of the specific quantum dot light emitting device enter the quantum dot organic layer 140 of the quantum dot light emitting device . That is, when the data voltage is applied to the anode 120 and the scan voltage is applied to the cathode 150, the quantum dot light emitting element of the passive matrix type quantum dot light emitting display 100 is turned on, The quantum dot organic compound layer 140 located in the light emitting layer 140 is driven to emit light. If the holes and electrons provided to the quantum dot organic compound layer 140 leak to another quantum dot organic compound layer 140 adjacent to the quantum dot organic compound layer 140, the data voltage and the scan voltage are applied to the specific quantum dot light emission There is a problem that other quantum dot light emitting elements adjacent to the specific quantum dot light emitting element emit light in spite of driving only the element. It is necessary to prevent the holes and electrons provided in the quantum dot organic layer 140 from leaking to the adjacent quantum dot organic layer 140. The insulating layer 130 insulates the sub- Prevent leakage.

양자점 유기물층(140)은 절연층(130)이 구비하는 개구부(OP)에 의해 노출된 애노드(120) 상면 상에 배치된다. 양자점 유기물층(140)을 상세히 설명하기 위해 도 3을 참조한다. The quantum dot organic layer 140 is disposed on the upper surface of the anode 120 exposed by the opening OP provided by the insulating layer 130. To describe the quantum dot organic material layer 140 in detail, reference is made to Fig.

도 3을 참조하면, 양자점 유기물층(140)은 애노드(120) 상에 배치된 정공 수송층(141), 정공 수송층(141) 상에 배치된 양자점 발광층(142) 및 양자점 발광층(142) 상에 배치된 전자 수송층(143)을 포함한다. 3, the quantum dot organic layer 140 includes a hole transport layer 141 disposed on the anode 120, a quantum dot light emitting layer 142 disposed on the hole transport layer 141, and a quantum dot organic light emitting layer 142 disposed on the quantum dot light emitting layer 142 And an electron transporting layer (143).

정공 수송층(141)은 애노드(120) 상에 배치되고, 애노드(120)로부터의 정공 주입을 용이하게 하며, 양자점 발광층(142)에 정공을 수송한다. The hole transport layer 141 is disposed on the anode 120 and facilitates hole injection from the anode 120 and transports holes to the quantum dot emission layer 142. [

양자점 발광층(142)은 나노 미터 크기의 반도체 나노결정들을 포함한다. 나노결정들은 전자와 정공이 결합하여 형성된 엑시톤(exciton)의 반지름보다 작은 크기를 갖는다. 이 경우, 나노결정들의 크기와 모양에 따라 나노결정들의 에너지 밴드 갭(energy bandgap)이 변할 수 있고, 불안정한 상태의 전자가 전도대(conduction band)에서 가전자대(valance band)로 내려오면서 특정 파장의 빛을 발생시킨다. 이 경우, 특정 파장은 양자점 발광층(142)을 구성하는 나노결정들의 크기에 의해 결정된다. The quantum dot light emitting layer 142 includes nanometer-sized semiconductor nanocrystals. Nanocrystals are smaller than the radius of excitons formed by the combination of electrons and holes. In this case, the energy bandgap of the nanocrystals may vary according to the size and shape of the nanocrystals, and the unstable electrons may travel from the conduction band to the valance band, . In this case, the specific wavelength is determined by the size of the nanocrystals constituting the quantum dot light emitting layer 142.

전자 수송층(143)은 양자점 발광층(142) 상에 배치되며, 캐소드(150)로부터 전자 주입을 용이하게 하고, 양자점 발광층(141)으로 전자를 수송한다. The electron transport layer 143 is disposed on the quantum dot luminescent layer 142 to facilitate electron injection from the cathode 150 and transport electrons to the quantum dot luminescent layer 141.

캐소드(150)는 애노드(120)와 교차하도록 제2 방향을 따라 연장되도록 형성된다. 예를 들어, 캐소드(150)는 애노드(120)와 수직한 방향(즉, x축 방향)을 따라 형성될 수 있다. 캐소드(150)는 양자점 유기물층(140)에 전자를 제공할 수 있도록 일함수가 낮은 금속 물질로 형성될 수 있다. The cathode 150 is formed to extend along the second direction so as to intersect with the anode 120. For example, the cathode 150 may be formed along the direction perpendicular to the anode 120 (i.e., the x-axis direction). The cathode 150 may be formed of a metal material having a low work function so as to provide electrons to the quantum dot organic layer 140.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention. 5A to 5D are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5a를 참조하면, 기판 상에 애노드(120)를 형성한다(S410). 애노드(120)는 기판(110) 상에 투명 도전성 산화물을 스퍼터링 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 통해 증착하는 방식으로 형성될 수 있다. First, referring to FIG. 5A, an anode 120 is formed on a substrate (S410). The anode 120 may be formed by depositing a transparent conductive oxide on the substrate 110 by sputtering or chemical vapor deposition (CVD).

이어서, 도 5b를 참조하면, 서로 분리된 복수의 서브-화소 영역에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 절연층을 알루미늄 산화물(Al2O3)로 형성한다(S420). 절연층은 마스크(570)를 사용한 증발법을 통해 형성될 수 있다. 구체적으로, 먼저, 기판(110) 상에 마스크(570)가 배치된다. 마스크(570)는 서브-화소 영역을 가리는 마스크 영역(572)과 알루미늄 산화물(Al2O3)이 증착되는 영역을 노출시키는 노출 영역(571)을 포함한다.Next, referring to FIG. 5B, an insulating layer including a plurality of openings corresponding to a plurality of sub-pixel regions separated from each other is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) (S420). The insulating layer may be formed through an evaporation method using a mask 570. Specifically, first, a mask 570 is disposed on the substrate 110. The mask 570 includes a mask region 572 covering the sub-pixel region and an exposed region 571 exposing a region where aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is deposited.

마스크(570) 상에 알루미늄 증발원(evaporation source)(580)을 배치하고, 알루미늄 증발원(580)에 전자 빔(electron beam) 또는 고온의 열을 가함으로써, 알루미늄(Al)을 증발 시킨다. 증발된 알루미늄(Al) 원자들은 마스크(570)의 노출 영역(571)을 통과하여 노출 영역(571)에 대응하는 영역에서 애노드(120) 상에 증착되지만, 마스크(570)의 마스크 영역(572)은 통과하지 못하므로, 마스크 영역(572)에 대응되는 영역에서 알루미늄(Al) 원자들은 애노드(120) 상에 증착되지 못한다. 이에, 알루미늄(Al)으로 이루어지고 복수의 개구부를 갖는 층이 형성될 수 있다. 비록, 설명의 편의를 위해, 도 5b에서 알루미늄 증발원(580)은 상부에, 기판(110)은 하부에 각각 도시되어 있지만, 실제 증발 장비내에서 알루미늄 증발원(580)이 하부에 배치되며, 기판(110)은 상부에 배치될 수 있다. An aluminum evaporation source 580 is disposed on the mask 570 and the aluminum evaporation is performed by applying an electron beam or high temperature heat to the aluminum evaporation source 580. The evaporated aluminum (Al) atoms are deposited on the anode 120 through the exposed areas 571 of the mask 570 and corresponding to the exposed areas 571, The aluminum (Al) atoms can not be deposited on the anode 120 in the region corresponding to the mask region 572, Thus, a layer made of aluminum (Al) and having a plurality of openings may be formed. Although an aluminum evaporation source 580 is shown on the upper side and a substrate 110 is shown on the lower side, respectively, in FIG. 5B, an aluminum evaporation source 580 is disposed in the lower side in the actual evaporation equipment, 110 may be disposed on top.

도 5c를 참조하면, 알루미늄(Al)이 애노드(120) 상에 증착된 이후, 산화 공정이 수반될 수 있다. 산화 공정은 자연 산화 공정 또는 플라즈마 산화 공정의 방식으로 수행될 수 있다. 즉, 알루미늄(Al)은 자연 산화가 가능하므로, 알루미늄(Al) 증착 이후, 산소(O2) 분위기에 일정시간 방치하거나, 산소(O2) 분위기에서 증착된 알루미늄층 표면에 플라즈마 방전을 유도하여 알루미늄층을 산화시킬 수 있다. 이에, 알루미늄 산화물(Al2O3)로 이루어진 절연층(130)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5C, after aluminum (Al) is deposited on the anode 120, an oxidation process may be involved. The oxidation process may be performed in the manner of a natural oxidation process or a plasma oxidation process. In other words, aluminum (Al), so that the natural oxidation can be aluminum (Al) leave a certain amount of time after the deposition, oxygen (O 2) atmosphere, or induce the plasma discharge in the aluminum layer surface deposited in an oxygen (O 2) atmosphere The aluminum layer can be oxidized. Thus, an insulating layer 130 made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) may be formed.

몇몇 실시예에 의하면, 별도의 산화 공정이 수반되지 않고, 증발법이 산소(O2) 또는 오존(O3) 분위기에서 진행됨으로써, 알루미늄 산화물(Al2O3)로 이루어진 절연층(130)이 한번에 증착될 수 있다. 이 경우, 별도의 산화 공정이 수반되지 않으므로, 절연층(130)의 형성 과정이 보다 단순화될 수 있다.According to some embodiments, the evaporation method is performed in an atmosphere of oxygen (O 2 ) or ozone (O 3 ) without a separate oxidation process, so that the insulating layer 130 made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Can be deposited at one time. In this case, since a separate oxidation step is not involved, the formation process of the insulating layer 130 can be further simplified.

상술한 바와 같이, 마스크를 이용한 증발법을 통해 절연층(130)은 복수의 개구부(OP)들을 포함하도록 형성되며, 별도의 패터닝 공정은 생략될 수 있다. 종래 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법에서 절연층은 실리콘 산화물로 형성되었으므로, 별도의 패터닝 공정이 반드시 필요하였다. 즉, 실리콘을 증발법으로 증착하기 위해서는 매우 높은 온도가 요구되므로, 증발법을 적용하기 힘들고, 따라서, 별도의 패터닝 공정이 수반되어야만 했다. 이로 인해, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 공정이 복잡해지거나 패터닝 공정에서 사용되는 고에너지 레이저에 의해 애노드(120)가 손상되는 문제가 발생될 위험이 있었다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법은 실리콘에 비해 낮은 온도에서 증발법에 의한 증착이 가능한 알루미늄(Al)을 사용하여 절연층(130)을 형성하므로, 별도의 패터닝 공정 없이 마스크를 사용하여 복수의 개구부(OP)를 포함하는 절연층(130)이 한번에 형성될 수 있고, 패터닝 공정에서 유발되는 애노드(120)의 손상도 최소화될 수 있다. As described above, the insulating layer 130 is formed to include a plurality of openings OP through an evaporation method using a mask, and a separate patterning step may be omitted. In the conventional manufacturing method of a passive matrix type quantum dot light emitting display device, since the insulating layer is formed of silicon oxide, a separate patterning process is necessarily required. That is, since a very high temperature is required to deposit silicon by the evaporation method, it is difficult to apply the evaporation method, and therefore, a separate patterning step has to be accompanied. As a result, there is a risk that the manufacturing process of the passive matrix type quantum dot light emitting display becomes complicated or the problem that the anode 120 is damaged by the high energy laser used in the patterning process may occur. However, in the method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display according to an embodiment of the present invention, the insulating layer 130 is formed using aluminum (Al) which can be vaporized by evaporation at a lower temperature than silicon An insulating layer 130 including a plurality of openings OP can be formed at one time using a mask without a separate patterning process and the damage of the anode 120 caused in the patterning process can be minimized.

한편, 절연층(130)은 알루미늄 산화물(Al2O3)로 형성되므로, 우수한 절연 특성을 갖는다. 예를 들어, 절연층(130)이 알루미늄(Al)을 증착한 이후, 별도의 산화 공정을 통해 형성되는 경우, 절연층(130)은 약, 8 F/m 이하의 유전율을 갖는다. 또한, 절연층(130)이 산소(O2) 또는 오존(O3) 분위기에서 알루미늄(Al)을 증착함으로써, 형성되는 경우, 절연층(130)은 약, 9 F/m 내지 9.8 F/m의 유전율을 갖는다. On the other hand, since the insulating layer 130 is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), it has excellent insulating properties. For example, when the insulating layer 130 is formed through a separate oxidation process after depositing aluminum (Al), the insulating layer 130 has a dielectric constant of about 8 F / m or less. In addition, when the insulating layer 130 is formed by depositing aluminum (Al) in an atmosphere of oxygen (O 2 ) or ozone (O 3 ), the insulating layer 130 may have a thickness of about 9 F / m to 9.8 F / m .

도 5d를 참조하면, 이후, 복수의 서브-화소 영역에서 노출된 애노드(120) 상면 상에 양자점 발광층을 형성(S430)한다. 먼저, 절연층(130) 상에 격벽(160)이 형성된다. 격벽(160)은 애노드(120)와 교차하도록 애노드(120)의 연장 방향과 상이한 방향으로 연장되도록 형성된다. 격벽(160)은 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)를 사용하여 형성되며, 역테이퍼 형상을 갖는다. Referring to FIG. 5D, a quantum dot light emitting layer is formed on the upper surface of the anode 120 exposed in a plurality of sub-pixel regions (S430). First, the barrier ribs 160 are formed on the insulating layer 130. The barrier ribs 160 are formed to extend in a direction different from the extending direction of the anode 120 so as to intersect with the anode 120. The barrier ribs 160 are formed using a negative photoresist and have a reverse tapered shape.

이후, 서브-화소 영역에서 노출된 애노드(120) 상에 양자점 유기물층(140)이 형성된다. 구체적으로, 애노드(120) 상에 정공 수송층, 양자점 발광층 및 전자 수송층이 순차적으로 형성된다. 정공 수송층, 양자점 발광층 및 전자 수송층은 각각의 층을 구성하는 물질을 기판(110) 상에 증착하는 방식으로 형성될 수 있으며, 이 경우, 정공 수송층, 양자점 발광층 및 전자 수송층을 구성하는 각각의 물질들은 격벽(160)의 역테이퍼 형상에 기인하여 격벽(160)의 측면에서 끊어지게 증착될 수 있다. 이는, 눈이 오는날 지붕 밑에는 눈이 쌓이지 않는 원리와 동일한 원리로 이해될 수 있다. Then, the quantum dot organic layer 140 is formed on the exposed anode 120 in the sub-pixel region. Specifically, a hole transporting layer, a quantum dot light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially formed on the anode 120. [ The hole transporting layer, the quantum dot light emitting layer, and the electron transporting layer may be formed by depositing a material constituting each layer on the substrate 110. In this case, the respective materials constituting the hole transporting layer, The barrier ribs 160 may be deposited on the side walls of the barrier ribs 160 due to the reverse tapered shape. This can be understood as the same principle that the snow does not accumulate under the roof on the day of snow.

이후, 양자점 발광층 상에 캐소드(150)를 형성(S440)한다. 도 5d에 도시된 바와 같이, 캐소드(150)는 기판(110) 상에 도전성 물질을 증착하는 방식으로 형성될 수 있다. 양자점 유기물층(140)과 동일하게 캐소드(150)는 격벽(160)의 측면에서 끊어지도록 형성된다. 격벽(160)은 애노드(120)와 교차하도록 연장되므로, 격벽(160) 사이에서 끊어지도록 형성된 캐소드(150)는 격벽(160)과 동일한 방향으로 연장되고, 캐소드(150)는 애노드(120)와 교차하도록 연장될 수 있다. Thereafter, the cathode 150 is formed on the quantum dot light emitting layer (S440). As shown in FIG. 5D, the cathode 150 may be formed by depositing a conductive material on the substrate 110. Like the quantum dot organic material layer 140, the cathode 150 is formed to be cut off from the side surface of the barrier rib 160. The cathode 150 is extended in the same direction as the barrier rib 160 and the cathode 150 is electrically connected to the anode 120 and the anode 120. [ As shown in FIG.

앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)는 실리콘 산화물(SiNx) 대신 알루미늄 산화물(Al2O3)을 사용하여 형성된 절연층(130)을 포함한다. 알루미늄 산화물(Al2O3)은 증발법으로 형성될 수 있고, 마스크를 사용하여 증착하므로, 별도의 패터닝 공정 없이도, 복수의 서브-화소 영역에 대응되는 복수의 개구부(OP)들을 포함하는 절연층(130)이 한번에 형성될 수 있다. 이에, 패터닝 공정으로 인한 애노드(120) 손상이 방지될 수 있고, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치(100)의 제조 공정이 단순화될 수 있다. As described above, the passive matrix type quantum dot light emitting display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes an insulating layer 130 formed using aluminum oxide (Al 2 O 3 ) instead of silicon oxide (SiNx) . Since the aluminum oxide (Al 2 O 3 ) can be formed by evaporation and is deposited using a mask, an insulating layer containing a plurality of openings (OP) corresponding to a plurality of sub- (130) may be formed at one time. Accordingly, damage to the anode 120 due to the patterning process can be prevented, and the manufacturing process of the passive matrix type quantum dot light emitting display device 100 can be simplified.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치
110: 기판
120: 애노드
130: 절연층
140: 양자점 유기물층
141: 정공 수송층
142: 양자점 발광층
143: 전자 수송층
150: 캐소드
160: 격벽
570: 마스크
571: 노출 영역
572: 마스크 영역
580: 알루미늄 증발원
SP/A: 서브-화소 영역
OP: 개구부100: Passive matrix type quantum dot light emitting display
110: substrate
120: anode
130: insulating layer
140: Quantum dot organic material layer
141: hole transport layer
142: Quantum dot luminescent layer
143: electron transport layer
150: cathode
160:
570: Mask
571: Exposed area
572: mask area
580: Aluminum evaporation source
SP / A: sub-pixel area
OP: opening

Claims (4)

삭제delete 기판 상에 서로 분리된 복수의 서브-화소 영역을 커버(cover)하는 애노드를 형성하는 단계;
상기 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 절연층을 알루미늄 산화물(Al2O3)로 형성하는 단계;
상기 복수의 서브-화소 영역에서 노출된 상기 애노드의 상면 상에 양자점 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 양자점 발광층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,
상기 절연층을 형성하는 단계는,
상기 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 마스크 영역 및 상기 복수의 서브-화소 영역 이외의 영역에 대응하는 노출 영역을 갖는 마스크(mask)를 상기 애노드 상에 배치하는 단계;
알루미늄(Al)을 증발법(evaporation)을 사용하여 상기 애노드 상에 증착하는 단계; 및
증착된 상기 알루미늄(Al)을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법. Forming an anode covering a plurality of sub-pixel regions separated from each other on a substrate;
Forming an insulating layer including a plurality of openings corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions from aluminum oxide (Al 2 O 3 );
Forming a quantum dot light-emitting layer on an upper surface of the anode exposed in the plurality of sub-pixel regions; And
And forming a cathode on the quantum dot light emitting layer,
Wherein forming the insulating layer comprises:
Disposing a mask on the anode having a mask region corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions and an exposure region corresponding to an area other than the plurality of sub-pixel regions;
Depositing aluminum (Al) on the anode using evaporation; And
And oxidizing the deposited aluminum (Al). The method of manufacturing a quantum dot light emitting display device of a passive matrix type, comprising: 기판 상에 서로 분리된 복수의 서브-화소 영역을 커버(cover)하는 애노드를 형성하는 단계;
상기 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 절연층을 알루미늄 산화물(Al2O3)로 형성하는 단계;
상기 복수의 서브-화소 영역에서 노출된 상기 애노드의 상면 상에 양자점 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 양자점 발광층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,
상기 절연층을 형성하는 단계는,
상기 복수의 서브-화소 영역 각각에 대응하는 마스크 영역 및 상기 복수의 서브-화소 영역 이외의 영역에 대응하는 노출 영역을 갖는 마스크(mask)를 상기 애노드 상에 배치하는 단계; 및
산소(O2) 또는 오존(O3)분위기에서 알루미늄(Al)을 증발법(evaporation)으로 상기 애노드 상에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법. Forming an anode covering a plurality of sub-pixel regions separated from each other on a substrate;
Forming an insulating layer including a plurality of openings corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions from aluminum oxide (Al 2 O 3 );
Forming a quantum dot light-emitting layer on an upper surface of the anode exposed in the plurality of sub-pixel regions; And
And forming a cathode on the quantum dot light emitting layer,
Wherein forming the insulating layer comprises:
Disposing a mask on the anode having a mask region corresponding to each of the plurality of sub-pixel regions and an exposure region corresponding to an area other than the plurality of sub-pixel regions; And
Oxygen (O 2) or ozone (O 3) in an atmosphere of aluminum (Al) by evaporation (evaporation) method of manufacturing a passive matrix type of quantum dot light-emitting display device, comprising the step of depositing on the anode . 제3항에 있어서,
상기 절연층은 9 F/m 내지 9.8 F/m의 유전율(permittivity)을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는, 패시브 매트릭스 방식의 양자점 발광 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 3,
Wherein the insulating layer is formed to have a permittivity of 9 F / m to 9.8 F / m. A method of manufacturing a passive matrix type quantum dot light emitting display,
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