KR101734920B1

KR101734920B1 - 유기전계발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101734920B1
Application number: KR1020100135539A
Authority: KR
Inventors: 최수홍; 박광모
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2010-12-27
Filing date: 2010-12-27
Publication date: 2017-05-12
Also published as: KR20120073704A

Abstract

본 발명은 제 1 방향으로 배열되는 제 1 내지 제 3 화소가 정의되어 있는 기판과; 상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터와; 상기 제 1 내지 제 3 화소에 위치하며 상기 구동 박막트랜지스터에 연결된 제 1 내지 제 3 애노드 전극과; 상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소 사이에 위치하며 제 1 폭을 갖는 제 1 격벽과; 상기 제 1 화소와 상기 제 3 화소 사이 및 상기 제 2 화소와 상기 제 3 화소 사이에 위치하며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 격벽과; 상기 제 1 화소에 위치하며 상기 제 1 애노드 전극과 접촉하는 제 1 유기발광패턴과; 상기 제 2 화소에 위치하며 상기 2 애노드 전극과 접촉하는 제 2 유기발광패턴과; 상기 제 3 화소에 위치하며 상기 제 3 애노드 전극과 접촉하고, 상기 제 3 애노드 전극보다 큰 폭을 갖는 보조 애노드 전극과; 상기 제 3 화소에 위치하며 상기 보조 애노드 전극과 접촉하는 제 3 유기발광패턴과; 상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴과 접촉하며 상기 기판 전면을 덮는 캐소드 전극을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic electroluminescent device and Method of fabricating the same}

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 높은 개구율을 갖는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

새로운 평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display Device)중 하나인 유기전계발광 소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도 범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.

액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 개략적인 도면이다.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다.

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.

상기 유기전계발광다이오드(E)는 서로 마주하는 애노드 전극 및 캐소드 전극과, 상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 사이에 위치하는 유기발광층으로 이루어진다. 또한, 상기 유기발광층은 적색, 녹색, 청색 유기발광패턴이 각 화소마다 형성된다.

종래 유기전계발광소자에서 일방향으로 배열되어 있는 화소를 보여주는 개략적인 평면도인 도 2를 참조하면, 적색 유기발광패턴이 형성되는 제 1 화소(P1)와 녹색 유기발광패턴이 형성되는 제 2 화소(P2)와 청색 유기발광패턴이 형성되는 제 3 화소(P3)가 일방향으로 배열되어 있다.

또한, 상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 2 화소(P2) 사이 및 상기 제 2 화소(P2)와 상기 제 3 화소(P3) 사이에는 격벽(10)이 위치하고 있으며, 상기 격벽(10)에 의해 실질적으로 발광되는 영역을 의미하는 개구율이 저하되는 문제가 발생한다.

이러한 문제가 발생하는 원인을 종래 유기전계발광소자의 유기전계발광패턴을 형성하는 열 진공 증착법을 설명하기 위한 개략적인 도면인 도 3을 참조하여 설명한다.

도 3을 참조하면, 기판(미도시) 상부에 애노드 전극(5)을 각 화소별로 형성하고, 열 진공 증착에 의해 유기발광패턴을 형성하게 된다. 열 진공 증착은 챔버 내에서 가열수단을 포함하는 도가니(20)의 내부에 유기발광패턴을 형성하기 위한 소스 물질을 넣고 도가니를 가열함으로써 이루어진다.

이때, 각 화소별로 유기발광패턴을 형성하기 위해 각 화소에 대응하여 개구부(32)를 갖는 금속 마스크(30)를 이용하게 된다. 상기 금속 마스크(30)를 기판(미도시)으로부터 일정 간격 이격시켜 배치한 후, 소스 물질이 상기 개구부(32)를 통해 상기 애노드 전극(5) 상에 증착되도록 한다.

즉, 애노드 전극(5)이 형성되어 있는 기판(미도시)을 챔버 내에 장착시키고 도가니(20)를 가열함으로써, 소스 물질이 금속 마스크(30)의 개구부(32)를 통해 애노드 전극(5) 상에 증착되게 된다.

예를 들어, 적색 유기발광패턴(15a)이 형성된 후, 녹색 유기발광패턴(15b)를 형성하게 되면, 애노드 전극(5)의 끝부분에서 상기 적색 유기발광패턴(15a)과 상기 녹색 유기발광패턴(15b)이 겹쳐진다. 이와 같이 적색 유기발광패턴(15a)과 녹색 유기발광패턴(15b)이 중첩되는 영역을 쉐도잉 영역(shadowing area, A)라고 할 수 있는데, 쉐도잉 영역에서 발광이 이루어지면 혼색이 발생하여 표시 영상의 품질이 저하된다.

따라서, 쉐도잉 영역에서의 발광을 막기 위해 상기 애노드 전극(5) 상에 격벽(10)을 형성하여야만 한다.

상기 격벽(10)에 의해 쉐도잉 영역에서의 발광을 막을 수 있지만, 상기 격벽(10)의 폭만큼 개구율이 감소하게 된다. 또한, 개구율 감소에 의해 수명 저하와 고해상도의 구현에 문제가 발생한다.

본 발명은 종래 유기전계발광소자에서의 개구율 감소 문제를 해결하고자 한다.

즉, 쉐도잉 영역에서의 발광을 막으면서 개구율의 저하를 최소화하고자 한다.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 제 1 방향으로 배열되는 제 1 내지 제 3 화소가 정의되어 있는 기판과; 상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터와; 상기 제 1 내지 제 3 화소에 위치하며 상기 구동 박막트랜지스터에 연결된 제 1 내지 제 3 애노드 전극과; 상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소 사이에 위치하며 제 1 폭을 갖는 제 1 격벽과; 상기 제 1 화소와 상기 제 3 화소 사이 및 상기 제 2 화소와 상기 제 3 화소 사이에 위치하며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 격벽과; 상기 제 1 화소에 위치하며 상기 제 1 애노드 전극과 접촉하는 제 1 유기발광패턴과; 상기 제 2 화소에 위치하며 상기 2 애노드 전극과 접촉하는 제 2 유기발광패턴과; 상기 제 3 화소에 위치하며 상기 제 3 애노드 전극과 접촉하고, 상기 제 3 애노드 전극보다 큰 폭을 갖는 보조 애노드 전극과; 상기 제 3 화소에 위치하며 상기 보조 애노드 전극과 접촉하는 제 3 유기발광패턴과; 상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴과 접촉하며 상기 기판 전면을 덮는 캐소드 전극을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.

상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극은 서로 동일한 폭을 갖는 것이 특징이다.

상기 제 3 유기발광패턴은 상기 보조 애노드 전극과 동일한 폭을 갖는 것이 특징이다.

상기 제 1 유기발광패턴은 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나이고, 상기 제 2 유기발광패턴은 적색, 녹색, 청색 중 다른 어느 하나이며, 상기 제 3 유기발광패턴은 적색, 녹색, 청색 중 또 다른 어느 하나인 것이 특징이다.

상기 제 1 유기발광패턴은 적색, 녹색 중 어느 하나이고, 상기 제 2 유기발광패턴은 적색, 녹색 중 다른 어느 하나이며, 상기 제 3 유기발광패턴은 청색인 것이 특징이다.

상기 제 1 및 제 2 격벽 각각은 테이퍼 형상을 갖는 것이 특징이다.

상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 동일한 색을 발광하는 화소가 배열되는 스트라이프 배열 구조를 갖고, 상기 제 2 방향으로 배열되는 상기 제 3 화소 사이에 위치하는 제 3 격벽을 포함하는 것이 특징이다.

상기 제 3 격벽은 역 테이퍼 형상을 갖는 것이 특징이다.

상기 제 3 애노드 전극과 상기 보조 애노드 전극은 동일 물질로 이루어지는 것이 특징이다.

다른 관점에서, 본 발명은 제 1 방향으로 배열되는 제 1 내지 제 3 화소가 정의되어 있는 기판 상에 상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터를 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 상에, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며 상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 제 1 내지 제 3 애노드 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극이 형성된 기판 상부에, 상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소 사이에 위치하며 제 1 폭을 갖는 제 1 격벽과, 상기 제 1 화소와 상기 제 3 화소 사이 및 상기 제 2 화소와 상기 제 3 화소 사이에 위치하며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 격벽을 형성한 단계와; 제 1 열 진공 증착 공정에 의해 상기 제 1 화소에 상기 제 1 애노드 전극과 접촉하는 제 1 유기발광패턴을 형성하는 단계와; 제 2 열 진공 증착 공정에 의해 상기 제 2 화소에 상기 제 2 애노드 전극과 접촉하는 제 2 유기발광패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 3 화소에 대응하는 개구부를 갖는 금속 마스크를 이용하여, 상기 제 3 화소에 상기 제 3 애노드 전극과 접촉하여 상기 3 애노드 전극보다 큰 폭을 갖는 보조 애노드 전극을 형성하는 단계와; 상기 금속 마스크를 이용하는 제 3 열 진공 증착 공정에 의해, 상기 제 3 화소에 상기 보조 애노드 전극과 접촉하는 제 3 유기발광패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴과 접촉하며 상기 기판 전면을 덮는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.

상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극을 형성하는 단계는 포토리소그라피 공정에 의해 이루어지는 것이 특징이다.

상기 제 1 열 진공 증착 공정의 소스는 적색 및 녹색 유기발광물질 중 어느 하나이고, 상기 제 2 열 진공 증착 공정의 소스는 적색 및 녹색 유기발광물질 중 다른 하나이며, 상기 제 3 열 진공 증착 공정의 소스는 청색 유기발광물질인 것이 특징이다.

상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 동일한 색을 발광하는 화소가 배열되는 스트라이프 배열 구조를 갖고, 상기 보호층 상에, 상기 제 2 방향으로 배열되는 상기 제 3 화소 사이에 위치하는 제 3 격벽을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 격벽 각각은 테이퍼 형상을 갖고, 상기 제 3 격벽은 역 테이퍼 형상을 갖는 것이 특징이다.

본 발명에서는, 애노드 전극 및 격벽의 형성 후 보조 애노드 전극을 형성함으로써, 쉐도잉 영역에서의 발광을 방지하는 동시에 개구율을 최대화할 수 있다.

즉, 격벽을 형성하여 쉐도잉 영역에서의 발광을 방지함으로써, 혼색에 의한 표시품질 저하를 방지하는 장점을 갖는다.

또한, 보조 애노드 전극을 애노드 전극보다 크게 형성함으로써 격벽에 의해 감소하는 개구율을 보상할 수 있다. 따라서, 개구율 감소에 의한 수명 저하 등의 문제를 방지할 수 있는 장점을 갖는다.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 개략적인 도면이다.
도 2는 종래 유기전계발광소자에서 일방향으로 배열되어 있는 화소를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 3은 종래 유기전계발광소자의 유기전계발광패턴을 형성하는 열 진공 증착법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 공정을 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 8은 도 7의 절단선 VIII-VIII의 단면도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 자세히 설명한다.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이고, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 유기전계발광소자는 일방향으로 배열되어 있는 제 1 화소(P1), 제 2 화소(P2) 및 제 3 화소(P3)를 포함한다.

예를 들어, 상기 제 1 화소(P1)에는 적색 유기발광패턴(미도시), 녹색 유기발광패턴(미도시) 및 청색 유기발광패턴(미도시) 중 어느 하나가 형성되며, 상기 제 2 화소(P2)에는 녹색 유기발광패턴(미도시) 및 청색 유기발광패턴(미도시) 중 다른 어느 하나가 형성되고, 상기 제 3 화소(P3)에는 녹색 유기발광패턴(미도시) 및 청색 유기발광패턴(미도시) 중 또 다른 어느 하나가 형성된다.

또한, 상기 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3) 사이에는 유기발광패턴의 중첩에 의한 혼색을 방지하기 위해 격벽(110)이 형성된다. 상기 격벽(110)은 상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 2 화소(P2) 사이에 위치하며 제 1 폭(W1)을 갖는 제 1 격벽(110a)과, 상기 제 2 화소(P2)와 제 3 화소(P3) 사이 및 상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 3 화소(P3) 사이에 위치하며 상기 제 1 폭(W1)보다 작은 제 2 폭(W2)를 갖는 제 2 격벽(110b)을 포함한다.

상기 유기전계발광소자가 서로 마주하는 두 기판을 포함하는 경우, 상기 격벽(110)은 상기 두 기판 사이의 거리를 일정하게 유지하는 스페이서의 역할을 할 수 있다.

상기와 같은 구조에 의해 상기 제 2 격벽(110b) 사이에 위치하는 상기 제 3 화소(P3)의 개구율이 증가하게 된다.

도 5를 참조하면, 유기전계발광소자는 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3)가 정의되어 있는 기판(101) 상에 위치하는 구동 박막트랜지스터(DTr)와, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c)과, 상기 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3) 사이의 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)과, 상기 제 3 애노드 전극(105c)과 접촉하는 보조 애노드 전극(115)과, 제 1 내지 제 3 유기발광패턴(120a, 120b, 120c) 및 캐소드 전극(130)을 포함한다.

상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 스위칭 소자(미도시)에 연결되며 제어되며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 온, 오프에 따라 상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c)에 인가되는 전압이 조절된다.

예를 들어, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 상기 스위칭 박막트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.

상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극은 게이트 배선에 연결되며, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극은 데이터 배선에 연결된다. 상기 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 연결되며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 전극은 전원 배선(미도시)에 연결된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극은 상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c)에 연결된다.

상기 제 1 애노드 전극(105a)은 상기 제 1 화소(P1)에 위치하며 상기 제 1 화소(P1)에 위치하는 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다. 상기 제 2 애노드 전극(105b)은 상기 제 2 화소(P2)에 위치하며 상기 제 2 화소(P2)에 위치하는 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다. 또한, 상기 제 3 애노드 전극(105c)은 상기 제 3 화소(P3)에 위치하며 상기 제 3 화소(P3)에 위치하는 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다.

상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c) 하부에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층(102)이 위치할 수 있다.

상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 2 화소(P2) 사이에는 제 1 폭(W1)을 갖는 제 1 격벽(110a)이 위치하고, 상기 제 2 화소(P2)와 제 3 화소(P3) 사이 및 상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 3 화소(P3) 사이에는 상기 제 1 폭(W1)보다 작은 제 2 폭(W2)를 갖는 제 2 격벽(110b)이 위치한다. 즉, 상기 제 1 격벽(110a)는 상기 제 1 애노드 전극(105a)과 상기 제 2 애노드 전극(105b) 사이에 위치하며, 상기 제 2 격벽(110b)는 상기 제 2 애노드 전극(105b)과 상기 제 3 애노드 전극(105c) 사이 및 상기 제 1 애노드 전극(105a)과 상기 제 3 애노드 전극(105c) 사이에 위치한다. 상기 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)는 실질적으로 동일한 높이를 갖는다.

상기 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3)에는 제 1 내지 제 3 유기발광패턴(120a, 120b, 120c)가 위치한다. 즉, 상기 제 1 유기발광패턴(120a)는 상기 제 1 화소(P1)에 위치하며 상기 제 1 애노드 전극(105a) 상에서 이와 접촉한다. 또한, 상기 제 2 유기발광패턴(120b)는 상기 제 2 화소(P2)에 위치하며 상기 제 2 애노드 전극(105c) 상에서 이와 접촉한다.

상기 제 1 격벽(110a) 상에서 상기 제 1 및 제 2 유기발광패턴(120a, 120b)는 서로 중첩된다. 그러나, 상기 제 1 격벽(110a)에 의해 상기 제 1 애노드 전극(110a) 및 상기 제 2 애노드 전극(110b)로부터 이격되기 때문에, 상기 중첩 영역에서의 발광은 일어나지 않는다.

이와 달리 상기 제 3 유기발광패턴(120c)은 상기 3 화소(P3)에 위치하며 상기 제 3 애노드 전극(105c) 상부에 상기 보조 애노드 전극(115)을 개재하여 위치한다. 즉, 상기 보조 애노드 전극(115)이 상기 제 3 애노드 전극(105c) 상에서 이와 접촉하고, 상기 제 3 유기발광패턴(120c)이 상기 보조 애노드 전극(115) 상에서 이와 접촉하며 위치한다.

이때, 상기 보조 애노드 전극(115)의 폭은 상기 제 3 애노드 전극(105c)보다 크다. 유기전계발광소자에서 발광영역인 개구율은 애노드 전극과 유기발광층 및 캐소드 전극의 접촉 면적에 해당한다고 할 수 있다. 애노드 전극만을 포함하는 경우, 애노드 전극의 일부는 격벽에 의해 가려지기 때문에 개구율은 애노드 전극보다 작게 된다. 만약, 개구율의 증가를 위해 격벽의 폭을 좁히는 경우에는 전술한 혼색의 문제가 발생하게 된다.

그러나, 본 발명에서는 상기 제 3 화소(P3)에 상기 제 3 애노드 전극(105c) 및 상기 제 3 애노드 전극(105c)보다 큰 폭을 갖는 상기 보조 애노드 전극(115)이 형성되고, 상기 제 3 유기발광패턴(120c)는 상기 보조 애노드 전극(115)의 전면과 접촉한다. 따라서, 상기 보조 애노드 전극(115)의 면적이 상기 제 3 화소(P3)의 개구율이 되며, 상기 제 3 화소(P3)의 개구율은 제 1 및 제 2 화소(P1, P2)보다 크다.

즉, 상기 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3) 각각에 위치하는 상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c)은 서로 동일한 폭을 갖지만, 상기 제 3 화소(P3)에는 상기 제 3 애노드 전극(105c)과 접촉하며 이보다 큰 폭을 갖는 상기 보조 애노드 전극(115)이 위치하고 있기 때문에, 상기 제 3 화소(P3)는 상기 제 1 및 제 2 화소(P1, P2)보다 큰 개구율을 갖게 된다.

예를 들어, 상기 제 1 화소(P1)에 형성되는 상기 제 1 유기발광패턴(120a)은 적색과 녹색 중 어느 하나일 수 있고, 상기 제 2 화소(P2)에 형성되는 상기 제 2 유기발광패턴(120b)은 적색과 녹색 중 다른 어느 하나일 수 있다. 그리고, 상기 제 3 화소(P3)에 형성되는 상기 제 3 유기발광패턴(120c)은 청색일 수 있다.

청색 유기발광물질은 적색 및 녹색 유기발광물질보다 발광효율이 낮고 이에 따라 수명 등이 저하되는 문제를 갖는다. 따라서, 청색인 제 3 유기발광패턴(120c)이 형성되는 상기 제 3 화소(P3)의 개구율이 상기 제 1 및 제 2 화소(P1, P2)보다 크게 구성함으로써, 청색 유기발광물질에 의한 발광 효율 및 수명 등의 문제를 해결한다.

상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴(120a, 120b, 120c) 상에는 기판(101) 전면에 대응하여 상기 캐소드 전극(130)이 형성된다.

상기한 구성의 유기전계발광소자는 상기 기판(101)을 통해 빛이 방출되는 하부발광 방식 또는 상기 캐소드 전극(130)을 통해 빛이 방출되는 상부 발광 방식으로 구분될 수 있다.

예를 들어, 하부발광 방식인 경우, 상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c)과 상기 보조 애노드 전극(115)은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어지고, 상기 캐소드 전극(130)은 은 또는 알루미늄으로 이루어질 수 있다.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 공정을 보여주는 단면도이다.

도 6a에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3)가 정의되어 있는 기판(101) 상에 구동 박막트랜지스터(DTr), 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 게이트 배선(미도시), 데이터 배선(미도시), 전원 배선(미도시)을 형성한다. 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 스위칭 박막트랜지스터는 상기 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3) 각각에 형성된다.

예를 들어, 상기 게이트 배선은 상기 데이터 배선과 교차하고, 상기 전원배선은 상기 데이터 배선과 평행하게 이격될 수 있다.

상기 스위칭 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선에 연결되며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)은 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원 배선에 연결된다.

다음, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 상기 스위칭 박막트랜지스터를 덮고 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 일부를 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층(102)을 형성한다.

다음, 상기 보호층(102) 상에 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질을 증착하여 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성하고, 포토리소그라피 공정에 의해 패턴함으로써 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c)을 형성한다. 예를 들어, 상기 투명 도전성 물질은 스퍼터(sputter)에 의해 증착된다.

도시하지 않았으나, 상기 투명 도전성 물질층을 패턴하기 위한 포토리소그라피 공정은, 투명 도전성 물질층 상에 감광성 물질층, 예를 들어 포토레지스트 물질층을 형성하는 단계와, 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트 물질층을 노광하는 단계와, 노광된 포토레지스트 물질층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 투명 도전성 물질층을 패턴하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.

상기 제 1 애노드 전극(105a)은 상기 제 1 화소(P1)에 위치하며 상기 보호층(102)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제 1 화소(P1)에 위치하는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다. 상기 제 2 애노드 전극(105b)은 상기 제 2 화소(P2)에 위치하며 상기 보호층(102)에 형성된 상기 콘택홀을 통해 상기 제 2 화소(P2)에 위치하는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다. 상기 제 3 애노드 전극(105c)은 상기 제 3 화소(P3)에 위치하며 상기 보호층(102)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제 3 화소(P3)에 위치하는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다.

다음, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극(105a, 105b, 105c) 상에 감광성 유기물질을 도포하여 감광성 유기물질층(미도시)을 형성한 후, 마스크 공정에 의해 상기 제 1 내지 제 3 화소(P1, P2, P3) 사이에 위치하는 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)을 형성한다.

상기 제 1 격벽(110a)은 상기 제 1 및 제 2 화소(P1, P2) 사이에 위치하며, 상기 제 2 격벽(110b)은 상기 제 2 및 제 3 화소(P2, P3) 사이와 상기 제 1 및 제 3 화소(P1, P3) 사이에 위치한다. 상기 제 1 격벽(110a)은 제 1 폭(W1)을 갖고, 상기 제 2 격벽(110b)은 상기 제 1 폭(W1)보다 작은 제 2 폭(W2)을 갖는다. 상기 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)은 상기 기판(101)에 가까운 부분이 상기 기판(101)으로부터 먼 부분보다 큰 폭을 갖는 테이퍼(taper) 형상을 갖는다.

다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 열 진공 증착 공정에 의해 상기 제 1 화소(P1)에 제 1 유기발광패턴(120a)을 형성한다. 상기 제 1 유기발광패턴(120a)은 상기 제 1 애노드 전극(105a)과 접촉하게 된다.

구체적으로, 상기 제 1 화소(P1)에 대응하여 제 1 개구부(152)를 갖는 제 1 금속 마스크(150)를 상기 격벽(110a, 110b)과 이격하여 위치시키고, 상기 제 1금속 마스크(150) 하부에 위치하며 제 1 유기발광물질이 담겨져 있는 도가니(140)를 위치시킨다. 상기 도가니(140)를 가열하면 제 1 유기발광물질이 상기 제 1 개구부(152)를 통해 상기 제 1 화소(P1)에 증착된다.

이때, 증착되는 상기 제 1 유기발광패턴(120a)의 면적은 상기 제 1 개구부(152)보다 넓다. 따라서 상기 제 1 화소(P1)의 양 측에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)의 상부면에도 상기 제 1 유기발광패턴(120a)이 증착된다. 또한, 상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 3 화소(P3) 사이에 위치하는 상기 제 2 격벽(110b)은 상기 제 1 격벽(110a)보다 작은 제 2 폭(W2)을 갖기 때문에, 상기 제 3 화소(P3)의 일부에도 상기 제 1 유기발광패턴(120a)이 형성될 수 있다.

다음, 제 2 개구부를 갖는 제 2 금속마스크(미도시)를 이용한 열 진공 증착 공정을 진행함으로써, 도 6c에 도시된 바와 같이 제 2 유기발광패턴(120b)을 상기 제 2 화소(P2)에 형성한다. 상기 제 2 유기발광패턴(120b)은 상기 제 1 화소(P1)와 상기 제 2 화소(P2) 사이에 위치하는 상기 제 1 격벽(110a) 상에서 상기 제 1 유기발광패턴(120a)와 중첩되지만, 상기 제 1 격벽(110a)에 의해 상기 제 1 및 제 2 애노드 전극(105a, 105b)와 이격되기 때문에, 혼색의 문제는 발생하지 않는다.

또한, 상기 제 2 화소(P2)와 상기 제 3 화소(P3) 사이에 위치하는 상기 제 2 격벽(110b)은 상기 제 1 격벽(110a)보다 작은 제 2 폭(W2)을 갖기 때문에, 상기 제 3 화소(P3)의 일부에도 상기 제 2 유기발광패턴(120b)이 형성될 수 있다.

다음, 상기 제 1 및 제 2 유기발광패턴(120b)이 형성된 기판(101)과 일정 거리를 갖도록 제 3 금속 마스크(154)를 위치시킨다. 상기 제 3 금속마스크(154)는 상기 제 3 화소(P3)에 대응하여 제 3 개구부(156)를 갖는다.

이후, 상기 제 3 금속마스크(154)를 이용하여 상기 제 3 화소(P3)에 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질을 증착함으로써 상기 제 3 애노드 전극(105c)과 접촉하는 보조 애노드 전극(115)을 형성한다. 상기 보조 애노드 전극(115)의 형성은 스퍼터에 의해 이루어질 수 있다.

전술한 바와 같이, 제 3 금속 마스크(154)를 이용한 증착 공정이 진행되며 상기 제 3 개구부(156)보다 큰 면적의 패턴이 형성된다. 따라서, 상기 보조 애노드 전극(115)은 상기 제 3 애노드 전극(105c)보다 큰 면적을 갖게 된다.

상기 보조 애노드 전극(115)의 양 끝단은 상기 제 1 유기발광패턴(120a) 및 상기 제 2 유기발광패턴(120c)과 접촉할 수 있다. 그러나, 이 부분은 캐소드 전극과 접촉되지 않기 때문에 발광이 일어나지 않는다. 따라서, 상기 제 2 격벽(110b)의 폭이 줄어들어 상기 제 1 및 제 2 유기발광패턴(120a, 120b)이 상기 제 3 화소(P3)의 일부에 형성되지만, 혼색의 문제는 발생하지 않는다.

다음, 상기 보조 애노드 전극(115)의 형성에 이용된 상기 제 3 금속 마스크(154)을 이용한 열 진공 증착 공정에 의해 상기 제 3 화소(P3)에 제 3 유기발광패턴(120c)을 형성한다. 상기 보조 애노드 전극(115)과 상기 제 3 유기발광패턴(120c)은 동일한 상기 제 3 금속 마스크(154)를 이용하기 때문에, 상기 제 3 유기발광패턴(120c)은 상기 보조 애노드 전극(115)과 동일한 폭을 가지며 동일한 위치에 형성된다. 따라서, 상기 제 3 유기발광패턴(120c)과 상기 보조 애노드 전극(115)은 실질적으로 완벽하게 중첩한다.

다음 도 6e에 도시된 바와 같이, 은 또는 알루미늄을 증착하여 기판(101)의 전면에 캐소드 전극(130)을 형성한다. 즉, 상기 캐소드 전극(130)은 상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴(120a, 120b, 120c)과 접촉한다.

전술한 바와 같이, 본 발명에서는 제 1 및 제 2 유기발광패턴(120a, 120b)을 형성한 후 제 3 유기발광패턴(120c)을 형성하기 전에 보조 애노드 전극(115)을 형성한다. 상기 보조 애노드 전극(115)은 제 3 화소(P3)에 위치하는 제 3 애노드 전극(105c)보다 큰 면적을 갖고 상기 제 3 유기발광패턴(120c)과 동일한 면적을 갖기 때문에, 제 3 화소(P3)의 개구율이 증가하게 된다.

또한, 상기 제 1 유기발광패턴(120a)은 적색, 녹색 중 어느 하나이고,상기 제 2 유기발광패턴(120b)은 적색, 녹색 중 다른 어느 하나이며, 상기 제 3 유기발광패턴(120c)은 청색일 수 있다. 발광효율이 낮은 청색의 빛을 발광하는 제 3 화소(P3)의 개구율을 증가시킴으로써, 청색 유기발광물질에 의한 발광 효율 및 수명 등의 문제를 해결할 수 있다.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이며, 도 8은 도 7의 절단선 VIII-VIII의 단면도이다.

제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자는 전술한 제 1 실시예의 유기전계발광소자의 구성을 모두 포함할 수 있으며 제 3 격벽(260)을 더욱 포함한다.

도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 화소(P1), 제 2 화소(P2) 및 제 3 화소(P3)가 수평방향으로 배열되어 있고, 수직방향으로는 동일한 색상의 화소가 배열된다. 이른바, 스트라이프 배열 구조를 갖는다.

수평 방향으로 배열된 제 1 화소(P1)와 제 2 화소(P2) 사이에는 제 1 폭(W1)을 갖는 제 1 격벽(110a)이 위치하며, 제 2 화소(P2)와 제 3 화소(P3) 사이 및 제 1 화소(P1)와 제 3 화소(P3) 사이에는 상기 제 1 폭(W1)보다 작은 제 2 폭(W2)을 갖는 제 2 격벽(110b)이 형성된다.

또한, 수직 방향으로 배열되는 상기 제 3 화소(P3) 사이에는 제 3 격벽(160)을 형성한다.

도 6d에서 설명한 바와 같이, 보조 애노드 전극(115)은 제 3 금속 마스크(154)를 이용하여 증착되는데, 스트라이프 배열 구조에서 수직 방향으로 동일한 색상의 유기물질이 증착되므로 제 3 금속 마스크(154)의 제 3 개구부(156)은 수직 방향의 제 3 화소(P3) 모두에 대응하게 된다. 따라서, 제 3 금속 마스크(154)를 이용하여 보조 애노드 전극(115)을 형성하게 되면 수직 방향으로 배열된 제 3 화소(P3) 모두의 보조 애노드 전극(115)이 서로 연결되어 소자의 작동에 문제가 발생한다.

또한, 수직방향으로 배열된 제 3 화소(P3)에 대응하여 각각의 제 3 개구부(156)을 형성하여 보조 애노드 전극(115)을 화소별로 분리할 수 있지만, 전술한 바와 같이 금속 마스크를 이용한 증착 공정에서는 한 화소의 증착물질이 이웃한 화소까지 형성될 수 있기 때문에, 전술한 문제가 완벽히 방지될 수는 없다.

본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 제 3 화소(P3) 사이에 상기 제 3 격벽(160)을 형성함으로써 위와 같은 문제를 방지할 수 있다.

도 8을 참조하면, 상기 기판(101) 상에 보호층(102)를 형성한 후, 상기 제 3 격벽(160)을 형성한다. 상기 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)는 테이퍼 형상을 갖는 반면, 상기 제 3 격벽(160)은 역 테이퍼(reverse-taper) 형상을 갖는다. 즉, 상기 제 3 격벽(160)은 상기 기판(101)에 가까운 부분이 상기 기판(101)으로부터 먼 부분보다 작은 폭을 갖는다.

상기 제 1 내지 제 3 격벽(110a, 110b, 160)은 감광성 유기물질층을 형성한 후 이를 패턴하여 이루어진다.

이때, 노광된 부분이 현상 공정 후 남게 되는 네거티브 타입의 감광성 유기물질층을 이용하는 경우, 빛의 굴절 현상에 의해 현상 후 테이퍼 형상의 격벽이 형성된다. 한편, 노광된 부분이 현상 공정 후 제거되는 포지티브 타입의 감광성 유기물질을 이용하는 경우, 빛의 굴절 현상에 의해 현상 후 역 테이퍼 형상의 격벽이 형성된다.

위와 같이 역 테이퍼 형상의 제 3 격벽(160)이 형성된 상기 제 3 화소(P3)에 상기 보조 애노드 전극(115)을 형성하는 경우, 상기 제 3 격벽(160) 상에도 투명 도전성 패턴(116)이 형성되지만 역 테이퍼 형상을 갖는 상기 제 3 격벽(160)에 의해 상기 보조 애노드 전극(115)과 상기 투명 도전성 패턴(116)은 연결되지 않는다. 따라서, 이웃한 제 3 화소(P3)에 형성되는 보조 애노드 전극(115)의 전기적 접촉을 방지할 수 있다.

한편, 상기 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)이 역 테이퍼 형상을 갖는다면, 캐소드 전극(130)이 각 화소별로 분리된다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 격벽(110a, 110b)은 테이퍼 형상을 가져야 한다.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 격벽을 형성하여 유기발광패턴의 중첩에 의해 발생하는 쉐도잉 영역에서의 발광을 방지함으로써, 혼색에 의한 표시품질 저하를 방지하는 장점을 갖는다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

105a, 105b, 105c: 애노드 전극
110a: 제 1 격벽
110b: 제 2 격벽
160: 제 3 격벽
115: 보조 애노드 전극
120a, 120b, 120c: 유기발광패턴
130: 캐소드 전극

Claims

제 1 방향으로 배열되는 제 1 내지 제 3 화소가 정의되어 있는 기판과;
상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터와;
상기 제 1 내지 제 3 화소에 위치하며 상기 구동 박막트랜지스터에 연결된 제 1 내지 제 3 애노드 전극과;
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소 사이에 위치하며 제 1 폭을 갖는 제 1 격벽과;
상기 제 1 화소와 상기 제 3 화소 사이 및 상기 제 2 화소와 상기 제 3 화소 사이에 위치하며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 격벽과;
상기 제 1 화소에 위치하며 상기 제 1 애노드 전극과 접촉하는 제 1 유기발광패턴과;
상기 제 2 화소에 위치하며 상기 2 애노드 전극과 접촉하는 제 2 유기발광패턴과;
상기 제 3 화소에 위치하며 상기 제 3 애노드 전극과 접촉하고, 상기 제 3 애노드 전극보다 큰 폭을 갖는 보조 애노드 전극과;
상기 제 3 화소에 위치하며 상기 보조 애노드 전극과 접촉하는 제 3 유기발광패턴과;
상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴과 접촉하며 상기 기판 전면을 덮는 캐소드 전극
을 포함하는 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극은 서로 동일한 폭을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 3 유기발광패턴은 상기 보조 애노드 전극과 동일한 폭을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기발광패턴은 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나이고, 상기 제 2 유기발광패턴은 적색, 녹색, 청색 중 다른 어느 하나이며, 상기 제 3 유기발광패턴은 적색, 녹색, 청색 중 또 다른 어느 하나인 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기발광패턴은 적색, 녹색 중 어느 하나이고, 상기 제 2 유기발광패턴은 적색, 녹색 중 다른 어느 하나이며, 상기 제 3 유기발광패턴은 청색인 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 격벽 각각은 테이퍼 형상을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 동일한 색을 발광하는 화소가 배열되는 스트라이프 배열 구조를 갖고,
상기 제 2 방향으로 배열되는 상기 제 3 화소 사이에 위치하는 제 3 격벽을 포함하는 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 7 항에 있어서,
상기 제 3 격벽은 역 테이퍼 형상을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 3 애노드 전극과 상기 보조 애노드 전극은 동일 물질로 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자.
제 1 방향으로 배열되는 제 1 내지 제 3 화소가 정의되어 있는 기판 상에 상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 구동 박막트랜지스터를 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;
상기 보호층 상에, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며 상기 제 1 내지 제 3 화소 각각에 위치하는 제 1 내지 제 3 애노드 전극을 형성하는 단계와;
상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극이 형성된 기판 상부에, 상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소 사이에 위치하며 제 1 폭을 갖는 제 1 격벽과, 상기 제 1 화소와 상기 제 3 화소 사이 및 상기 제 2 화소와 상기 제 3 화소 사이에 위치하며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 격벽을 형성한 단계와;
제 1 열 진공 증착 공정에 의해 상기 제 1 화소에 상기 제 1 애노드 전극과 접촉하는 제 1 유기발광패턴을 형성하는 단계와;
제 2 열 진공 증착 공정에 의해 상기 제 2 화소에 상기 제 2 애노드 전극과 접촉하는 제 2 유기발광패턴을 형성하는 단계와;
상기 제 3 화소에 대응하는 개구부를 갖는 금속 마스크를 이용하여, 상기 제 3 화소에 상기 제 3 애노드 전극과 접촉하여 상기 3 애노드 전극보다 큰 폭을 갖는 보조 애노드 전극을 형성하는 단계와;
상기 금속 마스크를 이용하는 제 3 열 진공 증착 공정에 의해, 상기 제 3 화소에 상기 보조 애노드 전극과 접촉하는 제 3 유기발광패턴을 형성하는 단계와;
상기 제 1 내지 제 3 유기발광패턴과 접촉하며 상기 기판 전면을 덮는 캐소드 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극을 형성하는 단계는 포토리소그라피 공정에 의해 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 애노드 전극은 서로 동일한 폭을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 3 유기발광패턴은 상기 보조 애노드 전극과 동일한 폭을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 열 진공 증착 공정의 소스는 적색 및 녹색 유기발광물질 중 어느 하나이고, 상기 제 2 열 진공 증착 공정의 소스는 적색 및 녹색 유기발광물질 중 다른 하나이며, 상기 제 3 열 진공 증착 공정의 소스는 청색 유기발광물질인 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 동일한 색을 발광하는 화소가 배열되는 스트라이프 배열 구조를 갖고,
상기 보호층 상에, 상기 제 2 방향으로 배열되는 상기 제 3 화소 사이에 위치하는 제 3 격벽을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 격벽 각각은 테이퍼 형상을 갖고, 상기 제 3 격벽은 역 테이퍼 형상을 갖는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 제 3 애노드 전극과 상기 보조 애노드 전극은 동일 물질로 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.