KR101733842B1 - Conductive laminate and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 전도성 적층체 및 이의 제조방법을 제공한다.The present disclosure provides conductive laminates and methods of making the same.
Description
본 명세서는 전도성 적층체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a conductive laminate and a method of manufacturing the same.
투명 전도성 필름은 빛의 투과성이 높으면서 전기가 통하는 성질을 가지는 얇은 박막을 의미하며, 액정 표시 소자(liquid crystal display), 일렉트로크로믹 디스플레이(ECD), 유기 전계발광소자(electroluminescence), 태양 전지, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel), 플렉서블(flexible) 디스플레이, 전자페이퍼, 터치패널 등의 전압 인가형 공통 전극이나 화소 전극으로 널리 사용되고 있다. The transparent conductive film means a thin film having high transparency to light and electricity, and can be used for a liquid crystal display, an electrochromic display (ECD), an organic electroluminescence device, a solar cell, a plasma Are widely used as voltage-applying common electrodes and pixel electrodes such as a plasma display panel, a flexible display, an electronic paper, and a touch panel.
투명 전도성 필름의 대표적인 예로는 ITO(Indium Tin Oxide)를 들 수 있으나, 제조방식의 한계로 인하여 대형화가 힘들고, 낮은 수율 및 높은 가격을 형성하고 있다. 또한, ITO는 플렉서블 필름으로의 적용이 곤란하므로, ITO를 대체할 수 있는 투명 전도성 필름의 개발이 필요하다.ITO (Indium Tin Oxide) can be exemplified as a typical example of the transparent conductive film, but it is difficult to increase the size due to limitations of the manufacturing method, and low yield and high price are formed. In addition, since it is difficult to apply ITO as a flexible film, it is necessary to develop a transparent conductive film which can replace ITO.
본 명세서의 해결하고자 하는 과제는 전자소자에 적용할 수 있는 전도성 적층체 및 이의 제조방법을 제공하고자 함에 있다. It is an object of the present invention to provide a conductive laminate applicable to an electronic device and a method of manufacturing the same.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 수지층을 포함하고, An embodiment of the present disclosure includes a substrate; And a resin layer provided on the substrate,
상기 수지층은 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물; 상기 제1 성분에 대하여 비상용성(immiscible)인 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물; 및 전도성 물질을 포함하며, Wherein the resin layer comprises: a first cured product formed by curing a first component; A second cured material formed by curing a second component immiscible with respect to the first component; And a conductive material,
상기 제1 성분은 제1 모노머 또는 제1 올리고머이고, 상기 제2 성분은 제2 모노머 또는 제2 올리고머이며, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물 중 적어도 하나는 패턴부를 형성하는 전도성 적층체를 제공한다. Wherein the first component is a first monomer or a first oligomer and the second component is a second monomer or a second oligomer and at least one of the first cured product and the second cured product is a conductive laminate Lt; / RTI >
본 명세서의 일 실시상태는 기판을 준비하는 단계; 제1 성분, 제2 성분 및 용매를 포함하는 조성물을 준비하는 단계; 상기 조성물에 전도성 물질을 첨가하는 단계; 상기 기판 상에 상기 전도성 물질을 포함하는 조성물을 도포하는 단계; 및 상기 조성물을 경화하여 수지층을 형성하는 단계를 포함하고, One embodiment of the present disclosure provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a substrate; Preparing a composition comprising a first component, a second component and a solvent; Adding a conductive material to the composition; Applying a composition comprising the conductive material on the substrate; And curing the composition to form a resin layer,
상기 수지층은 상기 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물 및 상기 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물을 포함하며, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물 중 적어도 하나는 패턴을 형성하는 상기 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다. Wherein the resin layer comprises a first cured material formed by curing the first component and a second cured material formed by curing the second component, and at least one of the first and second hardened materials is a pattern Thereby forming the conductive laminate.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 적층체를 포함하는 전극을 제공한다.One embodiment of the present disclosure provides an electrode comprising the conductive laminate.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 표면 거칠기 값이 낮으므로, 전자소자에 포함되는 경우, 인접하는 층과의 접합력이 높은 장점이 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention has a low surface roughness value, and thus has a high bonding strength with an adjacent layer when included in an electronic device.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 우수한 광투과도 및 낮은 헤이즈 값을 가지므로, 전자소자의 투명 전극, 광산란층 등 여러 용도로 적용이 가능한 장점이 있다. Since the conductive laminate according to one embodiment of the present invention has excellent light transmittance and low haze value, it can be applied to various applications such as transparent electrodes and light scattering layers of electronic devices.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 간단한 제조공정을 통하여 제조가 가능한 장점이 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention has an advantage that it can be manufactured through a simple manufacturing process.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 모아레 현상이 발생하지 않아, 전자소자에 포함되는 경우 우수한 시안성을 구현할 수 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention does not cause a moiré phenomenon and can realize excellent curability when included in an electronic device.
도 1은 제조예 1에 있어서, 분산제를 사용한 Ag 나노입자의 여러 용매에 대한 분산도를 실험한 것을 나타낸 것이다.
도 2는 제조예 1에 있어서, Ag 나노와이어의 표면이 리간드 물질에 의하여 치환이 되어 물과 톨루엔의 계면에 위치하는 것을 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1에 따라 제조된 전도성 적층체의 200 배 반사모드 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 2에 따라 제조된 전도성 적층체의 200 배 반사모드 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 5 및 도 6은 비교예에 따른 전도성 필름의 현미경 이미지를 나타낸 것이다.Fig. 1 shows the dispersion of Ag nanoparticles prepared by using a dispersant in various solvents in Production Example 1. Fig.
FIG. 2 shows that in Preparation Example 1, the surface of the Ag nanowire was substituted by the ligand material and was located at the interface between water and toluene.
Fig. 3 shows a 200 times reflection mode microscope image of the conductive laminate produced according to Example 1. Fig.
Fig. 4 shows a 200 times reflection mode microscope image of the conductive laminate produced according to Example 2. Fig.
FIGS. 5 and 6 show microscope images of the conductive film according to the comparative example.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to herein as being "on " another member, it includes not only a member in contact with another member but also another member between the two members.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Whenever a component is referred to as "comprising ", it is to be understood that the component may include other components as well, without departing from the scope of the present invention.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 수지층을 포함하고, An embodiment of the present disclosure includes a substrate; And a resin layer provided on the substrate,
상기 수지층은 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물; 상기 제1 성분에 대하여 비상용성(immiscible)인 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물; 및 전도성 물질을 포함하며, Wherein the resin layer comprises: a first cured product formed by curing a first component; A second cured material formed by curing a second component immiscible with respect to the first component; And a conductive material,
상기 제1 성분은 제1 모노머 또는 제1 올리고머이고, 상기 제2 성분은 제2 모노머 또는 제2 올리고머이며, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물 중 적어도 하나는 패턴부를 형성하는 전도성 적층체를 제공한다.Wherein the first component is a first monomer or a first oligomer and the second component is a second monomer or a second oligomer and at least one of the first cured product and the second cured product is a conductive laminate Lt; / RTI >
본 명세서에서 "비상용성(immiscible)"이란 서로 혼합되지 않는 성질을 의미할 수 있다. 또한, 상기 "비상용성(immiscible)"이란 서로 다른 물질이 혼합(blend)되는 경우 각각 독립한 상(phase)으로 존재할 수 있는 성질을 의미할 수 있다. As used herein, "immiscible" may mean a property that is not mixed with each other. In addition, the above "immiscible" may mean that the different materials may be present in independent phases when they are blended.
본 명세서에서 "올리고머"는 문턱분자량 (Critical Molecular weight, Mc)보다 작은 분자량을 가지는 모노머의 중합체를 의미한다. 상기 문턱분자량이란 모노머가 중합되어 분자량이 늘어나면서 성질이 달라지다가 성질이 일정해지는 분자량의 크기를 의미할 수 있으며, 상기 문턱분자량보다 큰 분자량을 가지는 모노머의 중합체는 고분자일 수 있다. As used herein, the term "oligomer" means a polymer of a monomer having a molecular weight less than the Critical Molecular Weight (Mc). The threshold molecular weight may mean the molecular weight at which the monomers are polymerized to increase the molecular weight and the properties of the polymer vary. The polymer having the molecular weight greater than the threshold molecular weight may be a polymer.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 탄력성을 가지고 있으므로, 플렉서블 기판 상에 구비되어 기판이 휘어지는 경우라도 기능을 상실하지 않는 장점이 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention has an elasticity, and thus is advantageous in that the function is not lost even when the substrate is bent on the flexible substrate.
본 명세성에서 "전도성"이란 전기 전도성을 의미한다. In this specification, "conductive" means electrical conductivity.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물 또는 제2 경화물 내부에 포함되거나, 상기 제1 경화물의 표면 또는 상기 제2 경화물의 표면의 적어도 일부에 포함될 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may be contained in the first cured product or the second cured product, or may be included in at least a part of the surface of the first cured product or the surface of the second cured product.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 내부에 포함되어, 전도성 패턴부를 형성할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부를 형성하는 제1 경화물 또는 제2 경화물은 상기 전도성 물질을 포함하여 상기 패턴부를 전기 전도성을 갖도록 할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the conductive material may be included in the first cured material or the second cured material to form the conductive patterned portion. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the first cured material or the second cured material forming the pattern portion may include the conductive material to make the pattern portion electrically conductive.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 표면의 적어도 일부에 포함되어, 전도성 라인을 형성할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 패턴부를 형성하는 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 표면에 포함되어 전도성 라인 또는 전도성 네트워크를 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may be included in at least a portion of the surface of the first cured material or the second cured material to form a conductive line. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the conductive material may be included in the surface of the first cured material or the second cured material forming the patterned portion to form a conductive line or a conductive network.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물의 계면의 적어도 일부에 구비될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물과 상기 제2 경화물의 계면 상에 구비되어 전도성 라인 또는 전도성 네트워크를 형성할 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may be provided on at least a part of the interface between the first cured product and the second cured product. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may be provided on the interface between the first cured material and the second cured material to form a conductive line or a conductive network.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 전도성 패턴을 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may form a conductive pattern.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 상기 수지층의 일 측면으로부터 타 측면까지 연속되는 적어도 하나의 전도성 라인을 형성할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 전도성 패턴을 형성하여, 상기 수지층의 일 측면으로부터 타 특면까지 연속되는 전도성 라인 또는 전도성 네트워크를 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may form at least one conductive line extending from one side to the other side of the resin layer. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may form a conductive pattern to form a continuous conductive line or conductive network from one side of the resin layer to the other.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 금속; 전도성 나노입자; 전도성 나노와이어 및 전도성 나노막대로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material comprises a metal; Conductive nanoparticles; Conductive nanowires, conductive nanorods, conductive nanorods, conductive nanorods, and conductive nanorods.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 Cu, Zn, Cr, Ag, Au, Pt 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the conductive material may include at least one selected from the group consisting of Cu, Zn, Cr, Ag, Au, Pt,
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 In계 산화물, Nb계 산화물, Ti계 산화물, Zn계 산화물 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the conductive material may include at least one selected from the group consisting of an In-based oxide, an Nb-based oxide, a Ti-based oxide, a Zn-based oxide and a conductive polymer.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 In계 산화물은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the In-based oxide may be indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO).
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Nb계 산화물은 NbOx일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the Nb-based oxide may be NbO x .
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ti계 산화물은 TiOx일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the Ti-based oxide may be TiO x .
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Zn계 산화물은 GAZO(Ga1-xZnxO), AZO(Al1-xZn xO) 또는 GZO(Ga-doped ZnO)일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the Zn-based oxide may be GAZO (Ga 1-x Zn x O), AZO (Al 1-x Zn x O), or GZO (Ga-doped ZnO).
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 표면 거칠기 값(Ra)은 3 ㎛ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the surface roughness Ra of the conductive laminate may be 3 m or less.
본 명세서에서 "표면 거칠기 값(Ra)"은 3D Optical Profiler NV-2000 를 이용하여 측정한 값이다. In the present specification, "surface roughness value (Ra)" is a value measured using 3D Optical Profiler NV-2000.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 표면 거칠기 값이 낮으므로, 전자소자에 적용하는 경우, 상기 전도성 적층체 상에 다른 부재 또는 층을 형성하는 경우 접합력이 높으며, 불량율을 낮출 수 있는 장점이 있다. Since the conductive laminate according to one embodiment of the present invention has a low surface roughness value, when the conductive laminate is applied to an electronic device, when another member or layer is formed on the conductive laminate, the bonding strength is high and the defective ratio .
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 면저항은 1,000 Ω/□ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 면저항은 500 Ω/□ 이하, 보다 구체적으로, 200 Ω/□ 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 면저항은 1 Ω/□ 이상, 또는 10 Ω/□ 이상일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the sheet resistance of the conductive laminate may be 1,000 Ω / □ or less. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the sheet resistance of the conductive laminate may be 500 Ω / □ or less, more specifically, 200 Ω / □ or less. According to one embodiment of the present invention, the sheet resistance of the conductive laminate may be 1 Ω / □ or more, or 10 Ω / □ or more.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 ㎚ 파장의 빛에서 85 % 이상일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the light transmittance of the conductive laminate may be 85% or more in a light of 550 nm wavelength.
본 명세서에서 "광투과도"는 JASCO 사의 V-7100 UV-Vis Spectrophotometer 로 550 ㎚ 파장의 빛에서의 광투과도를 측정한 값이다. In the present specification, "light transmittance" is a value measured by a V-7100 UV-Vis spectrophotometer of JASCO Co., Ltd., in which light transmittance in a 550 nm wavelength light is measured.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 광투과도가 우수하고, 헤이즈 값이 낮으므로, 전자소자의 투명전극 및 광산란층 등의 용도로 사용이 가능하다. 나아가, 상기 전도성 적층체는 높은 광투과도로 인하여 광손실율이 적어 전자소자의 효율을 높일 수 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention has excellent light transmittance and low haze value, and thus can be used for a transparent electrode and a light scattering layer of an electronic device. Furthermore, the conductive laminate has a low light loss rate due to high light transmittance and can increase the efficiency of the electronic device.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 3 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the haze value of the conductive laminate may be 3 or less.
본 명세서에서 "헤이즈 값"은 Murakami사의 color research laboratory HM-150 Hazemeter 를 이용하여 측정한 값이다. In the present specification, "haze value" is a value measured using a color research laboratory HM-150 hazemeter of Murakami.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물의 광굴절율 차이는 0.1 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the difference between the refractive indexes of the first cured product and the second cured product may be 0.1 or less.
상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물의 광굴절율 차이가 작을수록, 상기 적층체의 헤이즈 값이 작아질 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물의 광굴절율의 차이가 0.1 이하인 경우, 상기 적층체의 헤이즈 값이 15 이하일 수 있다. The smaller the difference in the refractive indexes of the first cured product and the second cured product is, the smaller the haze value of the laminated product can be. Specifically, according to an embodiment of the present invention, when the difference between the refractive indexes of the first cured product and the second cured product is 0.1 or less, the haze value of the laminated product may be 15 or less.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분 간의 계면 장력이 1 mN/m 이상 20 mN/m 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the interfacial tension between the first component and the second component may be 1 mN / m or more and 20 mN / m or less.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분은 서로 비상용성의 성질을 가지며, 이러한 성질을 통하여 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 중 적어도 하나는 패턴을 형성하게 된다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분 간의 계면 장력이 1 mN/m 이상 20 mN/m 이하인 경우, 상기 패턴이 형성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first component and the second component are mutually incompatible, and through this property, at least one of the first component and the second component forms a pattern. Specifically, according to one embodiment of the present invention, when the interfacial tension between the first component and the second component is 1 mN / m or more and 20 mN / m or less, the pattern may be formed.
본 명세서의 "계면장력"은 서로 다른 물질의 계면의 면적을 감소시키는 힘을 의미할 수 있다. 또한, 상기 계면장력은 계면 에너지 또는 표면 장력을 총괄하는 의미일 수 있다. 두 물질 간의 계면장력이 크다는 것은 서로 비상용성이 커서 상분리 현상이 잘 일어나는 것을 의미할 수 있으며, 두 물질 간의 계면장력이 작다는 것은 서로 상용성이 커서 쉽게 섞일 수 있다는 것을 의미할 수 있다. As used herein, "interfacial tension" may mean a force that reduces the area of the interface of different materials. In addition, the interfacial tension may mean the sum of interfacial energy or surface tension. The large interfacial tension between the two materials can mean that the interfacial tension between the two materials is high and the interfacial tension between the two materials is small. This means that the interfacial tension between the two materials is relatively compatible and can be easily mixed.
구체적으로, 상기 계면장력(r12)은 H2O, CH2I2를 이용한 접촉각 측정법을 이용하여 어느 한 물질의 표면장력(r1) 및 다른 물질의 표면장력(r2)을 구한 후, 하기의 Fowkes Approach를 이용하여 계산이 가능하다. 또한, 접촉각을 알고 고체 또는 기체의 표면에너지를 안다면 하기의 Fowkes Approach를 이용하여 계면장력을 알 수 있다. Specifically, the surface tension r 1 of a material and the surface tension r 2 of another material are obtained by using a contact angle measurement method using H 2 O and CH 2 I 2 as the interfacial tension r 12 , Calculations are possible using the Fowkes Approach below. Also, if you know the contact angle and know the surface energy of the solid or gas, you can find the interfacial tension using the Fowkes Approach below.
상기 식에서, 표면에너지는 극성(polar:p)과 무극성(disperse:d)으로 구분되고, 이 값들은 접촉각 측정법을 통하여 알 수 있다. 또한, 상기 식에서 r1 및 r2 는 각각의 물질의 표면장력을 의미하며, r12는 두 물질간의 계면장력을 의미한다. In this equation, the surface energy is divided into polar (p) and nonpolar (d), and these values can be found by contact angle measurement. In the above formula, r 1 and r 2 denote the surface tension of each material, and r 12 denotes the interfacial tension between the two materials.
보다 구체적으로, 액체간의 계면장력은 Kruss에서 출시한 Tension meter(모델명: K11)을 통하여 Ring method를 통하여 측정이 가능하고 액체와 고체간의 계면장력은 상기 Fowkes Approach를 통해서 계산이 가능하다.More specifically, the interfacial tension between liquids can be measured by Ring method through a tension meter (Model: K11) released from Kruss and the interfacial tension between liquid and solid can be calculated through the Fowkes Approach.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 상분리에 의하여 형성되는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the pattern portion may be formed by phase separation of the first component and the second component.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 2 이상의 독립된 섬(island) 형상을 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the pattern portion may include two or more independent island shapes.
본 명세서의 상기 섬 형상이란 패턴을 구성하는 단위가 서로 이격되어 배치되어 있는 것을 의미할 수 있다. 상기 패턴을 이루는 섬 형상의 단위는 일정한 형태를 가질 수도 있으며, 서로 상이한 형태를 가질 수도 있다. The island shape in this specification may mean that the units constituting the pattern are arranged apart from each other. The island units forming the pattern may have a certain shape or may have different shapes.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the pattern portion may include at least two lens shapes.
본 명세서의 상기 렌즈 형상이란, 반구 형상, 타원 형상 또는 물방울이 기재 표면에 응집되어 있는 형상 등을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 렌즈 형상이 형성된 하면과의 접촉각은 예각 또는 둔각일 수 있다. 구체적으로, 상기 렌즈 형상이 형성된 하면과의 접촉각은 30 ° 이상 80 ° 이하일 수 있다. The lens shape in this specification may include a hemispherical shape, an elliptical shape, or a shape in which a water droplet is aggregated on the substrate surface. Specifically, the contact angle with the lower surface on which the lens shape is formed may be an acute angle or an obtuse angle. Specifically, the contact angle with the lower surface on which the lens shape is formed may be 30 degrees or more and 80 degrees or less.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 수지층은 상기 기판에 접하여 구비되고, 상기 제1 성분과 상기 기판 간의 계면장력과 상기 제2 성분과 상기 기판 간의 계면장력의 차이가 1 mN/m 이상일 수 있다. 이 경우, 상기 수지층의 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the resin layer is provided in contact with the substrate, and the difference between the interfacial tension between the first component and the substrate and the interfacial tension between the second component and the substrate is 1 mN / m or more have. In this case, the pattern portion of the resin layer may include two or more lens shapes.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판과 상기 수지층 사이에 프라이머층을 더 포함하고, 상기 수지층은 상기 프라이머층에 접하여 구비되며, 상기 제1 성분과 상기 프라이머층 간의 계면장력과 상기 제2 성분과 상기 프라이머층 간의 계면장력의 차이가 1 mN/m 이상일 수 있다. 이 경우, 상기 수지층의 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a primer layer is further provided between the substrate and the resin layer, and the resin layer is provided in contact with the primer layer, and the interface tension between the first component and the primer layer, The difference in interfacial tension between the two components and the primer layer may be at least 1 mN / m. In this case, the pattern portion of the resin layer may include two or more lens shapes.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 수지층이 접하는 부재 간의 계면 장력과 상기 제2 성분과 상기 수지층이 접하는 부재 간의 계면장력의 차이가 1 mN/m 이상인 경우, 어느 하나의 성분이 상기 부재에 먼저 젖게 되고(wetting) 그 위에 다른 성분이 젖게 되어(wetting), 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 간의 계면장력의 차이에 의하여 2 이상의 렌즈 형상을 포함하는 패턴이 형성되게 될 수 있다. 나아가, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 간의 계면장력의 차이가 클수록 렌즈 형상 간의 거리가 멀어지게 되고, 렌즈 형상의 직경이 작아지게 되며, 렌즈 형상의 높이가 높아질 수 있다. Specifically, according to an embodiment of the present invention, when the difference between the interfacial tension between the first component and the member in contact with the resin layer and the interfacial tension between the second component and the member in contact with the resin layer is 1 mN / m or more , Wetting one component on the member first and wetting the other component on the other, and applying a pattern comprising two or more lens shapes due to the difference in interfacial tension between the first component and the second component Can be formed. Furthermore, the greater the difference in the interfacial tension between the first component and the second component, the greater the distance between the lens shapes, the smaller the diameter of the lens shape, and the higher the height of the lens shape.
본 명세서의 상기 프라이머층은 상기 기판과 상기 수지층 사이에 구비되어 상기 기판과 상기 수지층의 접합력 또는 패턴 형성 등을 향상하기 위한 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 프라이머층은 상기 기판과 상기 수지층 사이에 구비되는 기능층일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 프라이머층은 상기 기판과 상기 수지층 사이에 구비되어, 상기 기판의 표면에너지를 변화시켜 상기 기판과 상기 수지층 간의 계면장력을 변화하는 역할을 할 수 있다. 그러므로, 상기 프라이머층은 상기 수지층의 패턴 형태를 변화시키는 역할을 할 수 있으며, 또한, 상기 기판과 상기 수지층의 접합력을 향상하는 역할을 할 수 있다. The primer layer may be provided between the substrate and the resin layer to improve bonding force or pattern formation between the substrate and the resin layer. Specifically, the primer layer may be a functional layer provided between the substrate and the resin layer. More specifically, the primer layer is provided between the substrate and the resin layer, and may change the surface tension of the substrate to change the interfacial tension between the substrate and the resin layer. Therefore, the primer layer can change the pattern shape of the resin layer and can improve the bonding strength between the substrate and the resin layer.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함하고, 상기 수지층 상면 전체 면적에 대하여, 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 패턴 면적은 10 % 이상 15 % 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the pattern portion includes at least two lens shapes, and the pattern area of the first cured material or the second cured material may be 10% or more and 15% or less with respect to the total area of the top surface of the resin layer have.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함하고, 상기 렌즈 형상의 최대 직경은 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the pattern portion includes at least two lens shapes, and the maximum diameter of the lens shape may be at least 5 mu m and at most 100 mu m.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함하고, 상기 렌즈 형상의 높이는 100 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the pattern portion includes two or more lens shapes, and the height of the lens shape may be 100 nm or more and 5 占 퐉 or less.
상기 렌즈형상의 높이는 상기 렌즈 형상의 하면으로부터 상부까지의 최대 수직 거리를 의미할 수 있다. The height of the lens shape may mean the maximum vertical distance from the lower surface to the upper surface of the lens shape.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함하고, 상기 적어도 2 개의 인접하는 렌즈 형상 사이의 최단 거리는 10 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the pattern portion includes at least two lens shapes, and the shortest distance between the at least two adjacent lens shapes may be at least 10 mu m and at most 300 mu m.
상기 인접하는 렌즈 형상 사이의 최단 거리는 상기 기판 상면의 평행한 면을 기준으로 어느 하나의 렌즈 형상과 가장 가까이 위치하는 다른 렌즈 형상과의 최단거리일 수 있다. The shortest distance between the adjacent lens shapes may be the shortest distance between any one of the lens shapes and another lens shape located closest to the parallel plane of the upper surface of the substrate.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부는 불규칙 패턴을 포함하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the pattern unit may include an irregular pattern.
본 명세서의 "불규칙 패턴"이란 패턴을 구성하는 단위의 형상이 일정하지 않은 것을 의미할 수 있다. 또한, "불규칙 패턴"이란 패턴을 구성하는 단위의 크기가 일정하지 않은 것을 의미할 수 있다. 또한, "불규칙 패턴"이란 패턴을 구성하는 단위의 분포가 일정하지 않은 것을 의미할 수 있다. The "irregular pattern" in the present specification may mean that the shape of the unit constituting the pattern is not constant. The "irregular pattern" may mean that the size of a unit constituting the pattern is not constant. The "irregular pattern" may mean that the distribution of the units constituting the pattern is not constant.
나아가, 상기 "불규칙 패턴"은 상기 제1 성분과 상기 제2 성분이 서로 상분리하는 과정에서 형성되는 불규칙적인 패턴을 의미할 수 있다. Further, the "irregular pattern" may mean an irregular pattern formed in the process of phase-separating the first component and the second component from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 수지층은 상기 기판에 접하여 구비되고, 상기 제1 성분과 상기 기판 간의 계면장력과 상기 제2 성분과 상기 기판 간의 계면장력의 차이가 1 mN/m 미만일 수 있다. 이 경우, 상기 수지층의 패턴부는 불규칙 패턴을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the resin layer is provided in contact with the substrate, and the difference between the interfacial tension between the first component and the substrate and the interfacial tension between the second component and the substrate may be less than 1 mN / m have. In this case, the pattern portion of the resin layer may include an irregular pattern.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판과 상기 수지층 사이에 프라이머층을 더 포함하고, 상기 수지층은 상기 프라이머층에 접하여 구비되며, 상기 제1 성분과 상기 프라이머층 간의 계면장력과 상기 제2 성분과 상기 프라이머층 간의 계면장력의 차이가 1 mN/m 미만일 수 있다 이 경우, 상기 수지층의 패턴부는 불규칙 패턴일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a primer layer is further provided between the substrate and the resin layer, and the resin layer is provided in contact with the primer layer, and the interface tension between the first component and the primer layer, The difference in interfacial tension between the two components and the primer layer may be less than 1 mN / m. In this case, the pattern portion of the resin layer may be an irregular pattern.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 수지층이 접하는 부재 간의 계면 장력과 상기 제2 성분과 상기 수지층이 접하는 부재 간의 계면장력의 차이가 1 mN/m 미만인 경우, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분이 모두 상기 부재에 젖게 되고(wetting), 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분의 비상용성으로 인하여 각자 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 경우, 상기 패턴부는 불규칙한 형상을 포함하게 되어 비정형의 패턴을 형성할 수 있다. More specifically, according to an embodiment of the present invention, when the difference between the interfacial tension between the first component and the member in contact with the resin layer and the interfacial tension between the second component and the member in contact with the resin layer is less than 1 mN / m , The first component and the second component both wet the member and can form a self pattern due to the incompatibility of the first component and the second component. In this case, the pattern portion may include an irregular shape to form an irregular pattern.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물은 무정형의 형상이 반복되는 불균일 패턴을 형성하고, 상기 수지층 상면 전체 면적에 대하여, 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 패턴 면적은 20 % 이상 50 % 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first cured product or the second cured product forms a non-uniform pattern in which the amorphous shape is repeated, and the first cured product or the second cured product 2 The pattern area of the cured product may be 20% or more and 50% or less.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴부가 불규칙 패턴을 포함하는 경우, 상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 2 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the pattern portion includes an irregular pattern, the haze value of the conductive laminate may be 2 or less.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 수지층은 1종 이상의 추가의 경화물을 포함하고, 상기 추가의 경화물은 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 중 적어도 1종 이상과 비상용성(immiscible)인 1종 이상의 추가의 모노머 또는 추가의 올리고머가 경화되어 형성된 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the resin layer comprises at least one additional cured product, wherein the additional cured product is immiscible with at least one of the first component and the second component, Lt; RTI ID = 0.0 > oligomers < / RTI > may be formed by curing.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물은 각각 상기 기판의 동일 평면 상에 구비된 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first cured material and the second cured material may be provided on the same plane of the substrate, respectively.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 경화물은 상기 기판 상에 구비되고, 상기 제2 경화물은 상기 제1 경화물 상에서 패턴을 형성하며 구비되는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the first cured material is provided on the substrate, and the second cured material is provided to form a pattern on the first cured material.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 중 적어도 하나는 (메트)아크릴레이트계 화합물 또는 에폭시계 화합물일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, at least one of the first component and the second component may be a (meth) acrylate compound or an epoxy compound.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 기판을 사용할 수 있다. 구체적으로, 유리 기판, 박막유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), TAC(triAcetyl cellulose), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone) 및 PI(polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate can use a substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness. Specifically, a glass substrate, a thin film glass substrate, or a transparent plastic substrate can be used. The plastic substrate may include films such as PET (polyethylene terephthalate), TAC (triacetyl cellulose), PEN (polyethylene naphthalate), PEEK (polyether ether ketone) and PI (polyimide) in a single layer or a multilayer.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 두께는 500 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 싱기 전도성 적층체의 두께는 800 ㎚ 이상 1.5 ㎛ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the thickness of the conductive laminate may be 500 nm or more and 5 占 퐉 or less. Specifically, according to one embodiment of the present specification, the thickness of the thin conductive layered body may be 800 nm or more and 1.5 占 퐉 or less.
본 명세서의 일 실시상태는 기판을 준비하는 단계; 제1 성분, 제2 성분 및 용매를 포함하는 조성물을 준비하는 단계; 상기 조성물에 전도성 물질을 첨가하는 단계; 상기 기판 상에 상기 전도성 물질을 포함하는 조성물을 도포하는 단계; 및 상기 조성물을 경화하여 수지층을 형성하는 단계를 포함하고, One embodiment of the present disclosure provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a substrate; Preparing a composition comprising a first component, a second component and a solvent; Adding a conductive material to the composition; Applying a composition comprising the conductive material on the substrate; And curing the composition to form a resin layer,
상기 수지층은 상기 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물 및 상기 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물을 포함하며, 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물 중 적어도 하나는 패턴을 형성하는 상기 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다.Wherein the resin layer comprises a first cured material formed by curing the first component and a second cured material formed by curing the second component, and at least one of the first and second hardened materials is a pattern Thereby forming the conductive laminate.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질이 상기 제1 경화물 내에 포함되거나, 상기 제2 경화물 내에 포함되거나, 또는 상기 제1 경화물과 상기 제2 경화물의 계면에 위치할 수 있도록 상기 전도성 물질의 표면을 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive material is contained in the first cured material, is contained in the second cured material, or is located at the interface between the first cured material and the second cured material. The method may further comprise modifying the surface of the conductive material.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질의 표면을 개질하는 단계는 상기 전도성 물질의 표면에 친수성 치환기, 또는 소수성 치환기, 또는 친수성 치환기와 소수성 치환기를 결합시키는 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the step of modifying the surface of the conductive material may include bonding a hydrophilic substituent, or a hydrophobic substituent, or a hydrophilic substituent and a hydrophobic substituent to the surface of the conductive material.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질의 표면을 개질하는 단계는 상기 조성물에 분산제 및 리간드 물질로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of modifying the surface of the conductive material may further include at least one selected from the group consisting of a dispersant and a ligand material.
상기 리간드 물질이란 금속 또는 무기물이 배위결합할 수 있도록 도와주는 물질로서, 비공유 전자쌍을 포함하는 물질일 수 있다. The ligand material is a substance that facilitates coordination bonding of a metal or an inorganic material, and may be a material including a non-covalent electron pair.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 분산제 또는 상기 리간드 물질은 상기 전도성 물질과 함께 상기 조성물에 포함되어 상기 전도성 물질의 표면이 개질될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질은 분산제에 의하여 표면이 친수성 또는 소수성으로 개질되어 상기 제1 성분 또는 상기 제2 성분 내에 분산될 수 있다. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the dispersant or the ligand material may be included in the composition together with the conductive material to modify the surface of the conductive material. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the conductive material may be modified into a hydrophilic or hydrophobic surface by a dispersant to be dispersed in the first component or the second component.
또는, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질의 표면을 개질하는 단계는 상기 분산제 및/또는 상기 리간드 물질을 이용하여, 상기 전도성 물질의 표면의 일부를 친수성으로 치환하고, 나머지 일부를 소수성으로 치환하는 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 물질의 표면의 일부가 친수성으로 치환되고, 나머지 일부가 소수성으로 치환되고, 상기 전도성 물질은 상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 계면에 존재할 수 있다. Alternatively, according to an embodiment of the present invention, the step of modifying the surface of the conductive material may include the steps of: using the dispersant and / or the ligand material to hydrophilically substitute a part of the surface of the conductive material; . ≪ / RTI > Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, a part of the surface of the conductive material is substituted for hydrophilic and the remaining part is substituted for hydrophobic, and the conductive material exists at the interface between the first component and the second component .
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 분산제는 PVP(poly vinyl pyrrolidone), F108(PEO-b-PPO-b-PEO), Brij(Poly Oxyethylene glycol alkyl ether), Triton X-100(Poly oxyethylene glycol octyl phenol ether), 글리세릴라우레이트(Glycerol alkyl ester)와 같은 비이온성 분산제; 및 CTAB(cetyl trimethyl ammonium bromide), 소듐 스티아레이트(sodium stearate), 및 SDS(sodiumdodecyl sulfate)와 같은 이온성 분산제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the dispersing agent is selected from the group consisting of polyvinyl pyrrolidone (PVP), polyoxyethylene glycol alkyl ether (Brij), polyoxyethylene glycol octyl nonionic dispersants such as phenol ether and glycerol alkyl ester; And ionic dispersants such as CTAB (cetyl trimethyl ammonium bromide), sodium stearate, and SDS (sodium dodecyl sulfate).
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 리간드 물질은 부탄올(butanol), 프로피오닉산(propionic acid)), 헥산올(hexanol)과 같은 친수성 계열의 물질; 및 디데칸티올(dedecanethiol), 올레익산(oleic acid), 올레일아민(oleyl amine), 헥사데실아민(hexadecyl amine)과 같은 소수성 계열의 물질로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the ligand material is selected from the group consisting of hydrophilic materials such as butanol, propionic acid, and hexanol; And hydrophobic substances such as dodecanethiol, oleic acid, oleyl amine, and hexadecyl amine, and the like may be used. .
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 분산제 또는 상기 리간드 물질의 농도는 상기 전도성 물질의 중량에 대하여 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 분산제 또는 상기 리간드 물질의 농도는 상기 전도성 물질의 중량에 대하여 1 중량% 이상 5 중량% 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the concentration of the dispersant or the ligand material may be 0.1 wt% or more and 10 wt% or less based on the weight of the conductive material. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the concentration of the dispersant or the ligand material may be 1 wt% or more and 5 wt% or less based on the weight of the conductive material.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제조방법은 초음파를 이용하여 상기 조성물을 혼합하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method may further include mixing the composition using ultrasonic waves.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분을 모두 용해하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the solvent may dissolve both the first component and the second component.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매는 상기 제1 성분을 용해하는 제1 용매, 상기 제2 성분을 용해하는 제2 용매를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the solvent may include a first solvent to dissolve the first component, and a second solvent to dissolve the second component.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 및 상기 제2 용매를 서로 섞이게 하는 상용화제를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, a compatibilizer for mixing the second solvent with each other may be further included.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 중량비는 3:7 내지 7:3 일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 중량비는 5:5일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the weight ratio of the first component to the second component may be from 3: 7 to 7: 3. Also, according to one embodiment of the present disclosure, the weight ratio of the first component to the second component may be 5: 5.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 전체의 함량은 상기 조성물 총중량에 대하여 10 중량% 이상 30 중량% 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the total content of the first component and the second component may be 10 wt% or more and 30 wt% or less based on the total weight of the composition.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 조성물은 광개시제; 열개시제; 및 레벨링제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the composition comprises a photoinitiator; Thermal initiators; And a leveling agent may be further included.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제의 함량은 상기 제1 성분 및 제2 성분의 총중량에 대하여 0.01 중량% 이상 4 중량% 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the content of the photoinitiator may be 0.01 wt% or more and 4 wt% or less based on the total weight of the first component and the second component.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 레벨링제의 함량은 상기 조성물 총중량에 대하여 0.01 중량% 이상 3 중량% 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the content of the leveling agent may be 0.01 wt% or more and 3 wt% or less based on the total weight of the composition.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 조성물을 도포하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 프라이머층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, before the step of applying the composition, a step of forming a primer layer on the substrate may be further included.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 적층체를 포함하는 전극을 제공한다. One embodiment of the present disclosure provides an electrode comprising the conductive laminate.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 상기 전도성 적층체로 이루어질 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 필요에 따라 추가의 층을 더 포함할 수 있다. Specifically, according to an embodiment of the present invention, the electrode may be formed of the conductive laminate. Further, according to one embodiment of the present disclosure, the electrode may further include an additional layer as needed.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples with reference to the drawings. However, the embodiments according to the present disclosure can be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to more fully describe the present disclosure to those of ordinary skill in the art.
[제조예 1] - 전도성 물질을 포함하는 용액의 제조[Preparation Example 1] - Preparation of a solution containing a conductive substance
Ag 나노와이어 1 g을 IPA (isopropyl alcohol) 100 g에 넣은 후, 분산제인 0.02 g의 PVP(poly vinyl pyrrolidone)를 첨가하여 IPC 용액을 제조하였다. 1 g of Ag nanowire was added to 100 g of IPA (isopropyl alcohol), and 0.02 g of polyvinyl pyrrolidone (PVP) as a dispersant was added to prepare an IPC solution.
상기 5 g의 IPC 용액을 5분간 8,000 rpm의 원심분리를 한 후, 용매인 IPA를 제거하고 남은 Ag 나노와이어 0.05 g을 클로로포름 20 g에 재분산 시켰다. 나아가, 상기 클로로포름 용액에 리간드 물질인 1.5 g의 헥사데실아민을 첨가한 후, 20시간동안 격렬하게 교반하였다. 이후, 5분간 8,000 rpm의 원심분리를 한 후, 용매인 클로로포름을 제거함으로써 PVP와 반응하지 않고 존재하는 헥사데실아민을 모두 제거하였다. 분리된 Ag 나노와이어 0.05 g을 톨루엔 5 g에 재분산 시켜 1 wt%의 Ag 나노와이어 용액을 제조하였다. 5 g of IPC solution was centrifuged at 8,000 rpm for 5 minutes, IPA as a solvent was removed, and 0.05 g of the remaining Ag nanowire was redispersed in 20 g of chloroform. Further, 1.5 g of hexadecylamine, which is a ligand material, was added to the chloroform solution, followed by vigorous stirring for 20 hours. Thereafter, after centrifugation at 8,000 rpm for 5 minutes, chloroform as a solvent was removed to remove any hexadecylamine that was not reacted with PVP. 0.05 g of the separated Ag nanowire was redispersed in 5 g of toluene to prepare a 1 wt% Ag nanowire solution.
도 1은 제조예 1에 있어서, 분산제를 사용한 Ag 나노와이어의 여러 용매에 대한 분산도를 실험한 것을 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 1은 PVP를 사용한 Ag 나노와이어가 물(H2O), MEK(methyl ethyl ketone), 헵탄 및 톨루엔에서 잘 분산되는지를 실험한 것이다. 도 1에서 알 수 있듯이, PVP를 사용한 Ag 나노와이어는 소수성 용매에는 잘 분산되지 않으며, 친수성 용매에는 매우 잘 분산되는 것을 알 수 있다. Fig. 1 shows an experiment in which dispersity of Ag nanowire with various solvents was measured using a dispersant in Production Example 1. Fig. Specifically, FIG. 1 is a graph showing that Ag nanowire using PVP is well dispersed in water (H 2 O), methyl ethyl ketone (MEK), heptane, and toluene. As can be seen from FIG. 1, the Ag nanowire using PVP is not well dispersed in the hydrophobic solvent, and is well dispersed in the hydrophilic solvent.
도 2는 제조예 1에 있어서, Ag 나노와이어의 표면이 리간드 물질에 의하여 치환이 되어 물과 톨루엔의 계면에 위치하는 것을 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 2는 물과 톨루엔의 계면에 콜로이드 입자가 형성되고, Ag 나노와이어가 물과 톨루엔의 계면에 위치한 것을 나타낸 것이다. 도 2에서, 검은색으로 나타난 부분이 Ag 나노와이어가 위치한 영역을 의미한다. FIG. 2 shows that in Preparation Example 1, the surface of the Ag nanowire was substituted by the ligand material and was located at the interface between water and toluene. Specifically, Figure 2 shows that colloidal particles are formed at the interface between water and toluene and the Ag nanowires are located at the interface between water and toluene. In FIG. 2, the portion indicated by black means the region where the Ag nanowire is located.
[실시예 1] 전도성 적층체의 제조[Example 1] Production of conductive laminate
제1 성분으로서 소수성 아크릴레이트인 MB1000 (Miwon Specialty Chemical Co., Ltd.)을 25 wt%가 되도록 6 g의 톨루엔 용매에 녹여 제1 성분이 포함된 용액을 제조하였다. 제2 성분으로서 친수성 아크릴레이트인 WS2100 (Miwon Specialty Chemical Co., Ltd.)을 25 wt%가 되도록 6 g 의 IPC용액에 녹여 제2 성분이 포함된 용액을 제조하였다. A solution containing the first component was prepared by dissolving MB1000 (Miwon Specialty Chemical Co., Ltd.), which is a hydrophobic acrylate, as a first component in 6 g of a toluene solvent to a concentration of 25 wt%. As a second component, WS2100 (Miwon Specialty Chemical Co., Ltd.), which is a hydrophilic acrylate, was dissolved in 6 g of IPC solution so as to be 25 wt% to prepare a solution containing the second component.
상기 제1 성분이 포함된 용액 1 g과 상기 제2 성분이 포함된 용액 1 g을 혼합하고, 광개시제로서 Irgacure907을 제1 및 제2 성분에 대하여 1 내지 4 wt% 로 첨가하였다. 나아가, 제조예 1의 방법으로 제조한 Ag 나노와이어 용액 2 g을 혼합하여 조성물을 제조하였다. 이때, Ag 나노와이어의 함량은 제1 및 제2 성분에 대하여 4 wt% 였다. 1 g of the solution containing the first component and 1 g of the solution containing the second component were mixed and Irgacure 907 as a photoinitiator was added in an amount of 1 to 4 wt% with respect to the first and second components. Further, 2 g of the Ag nanowire solution prepared by the method of Production Example 1 was mixed to prepare a composition. At this time, the Ag nanowire content was 4 wt% with respect to the first and second components.
상기 조성물은 바코팅을 이용하여, 100 ㎛ 두께의 PET(polyethylene terephthalate) 상에 1.5 ㎛ 두께로 코팅하였다. 그리고, 80 ℃에서 1분 30초간 건조하고, 약 1,000 mJ/㎠의 UV 노광을 하여 전도성 적층체를 제조하였다. The composition was coated on PET (polyethylene terephthalate) with a thickness of 1.5 mu m to a thickness of 100 mu m using a bar coating. Then, the substrate was dried at 80 DEG C for 1 minute and 30 seconds, and subjected to UV exposure at about 1,000 mJ / cm < 2 > to prepare a conductive laminate.
실시예 1에 따라 제조된 전도성 적층체의 면저항은 200 Ω/□이었으며, 550 ㎚ 파장의 빛에서의 투과도는 88.9 %이었으며, 헤이즈 값은 1.4였다. The sheet resistance of the conductive laminate prepared according to Example 1 was 200 Ω / □, the transmittance at 550 nm wavelength was 88.9%, and the haze value was 1.4.
도 3은 실시예 1에 따라 제조된 전도성 적층체의 200 배 반사모드 현미경 이미지를 나타낸 것이다. Fig. 3 shows a 200 times reflection mode microscope image of the conductive laminate produced according to Example 1. Fig.
[실시예 2] 전도성 적층체의 제조[Example 2] Production of conductive laminate
실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 적층체를 제조하였으며, 다만 Ag 나노와이어의 함량은 제1 및 제2 성분에 대하여 2 wt% 로 조절하였다.The conductive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the Ag nanowire content was adjusted to 2 wt% with respect to the first and second components.
실시예 2에 따라 제조된 전도성 적층체의 면저항은 500 내지 1,000 Ω/□이었으며, 550 ㎚ 파장의 빛에서의 투과도는 90.1 %이었으며, 헤이즈 값은 1.2였다. The sheet resistance of the conductive laminate prepared in Example 2 was 500 to 1,000 Ω / □, the transmittance in the light of 550 nm wavelength was 90.1%, and the haze value was 1.2.
도 4는 실시예 2에 따라 제조된 전도성 적층체의 200 배 반사모드 현미경 이미지를 나타낸 것이다.Fig. 4 shows a 200 times reflection mode microscope image of the conductive laminate produced according to Example 2. Fig.
도 3 및 도 4를 살펴보면 Ag 나노와이어가 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물 및 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물의 계면에 전도성 라인을 형성하며 구비된 것을 알 수 있다. 그러므로, 상기 전도성 적층체는 우수한 광투과도 및 낮은 헤이즈 값을 갖는 것과 동시에 낮은 면저항 또한 구현되는 것을 알 수 있다. 3 and 4, it can be seen that the Ag nanowire includes a first cured product formed by curing the first component and a conductive line formed at the interface between the second cured product formed by curing the second component. Therefore, it can be seen that the conductive laminate has a low sheet resistance as well as an excellent light transmittance and a low haze value.
구체적으로, 기판으로 사용한 PET의 경우, 550 ㎚ 파장의 빛에서의 투과도는 약 90 %이고, 헤이즈 값은 0.5임에 반하여, 상기 실시예에 따른 전도성 적층체의 광투과도는 크게 낮아지지 않았으며, 헤이즈 값도 전자소자의 투명 전극으로 사용하기에 적절한 낮은 값을 유지함을 알 수 있다. Specifically, in the case of PET used as a substrate, the light transmittance of the conductive laminate according to the above embodiment was not significantly lowered, whereas the transmittance of light of 550 nm wavelength was about 90% and the haze value thereof was 0.5, It can be seen that the haze value maintains a low value suitable for use as a transparent electrode of an electronic device.
[비교예] [Comparative Example]
100 g의 IPA 용매에 0.1 g의 Ag 나노와이어, 분산제인 PVP 0.01 g 및 폴리아크릴레이트 계열의 바인더 0.1 g을 첨가하여 용액을 제조하였다. 상기 용액을 바코팅을 이용하여, 100 ㎛ 두께의 PET(polyethylene terephthalate) 상에 1.5 ㎛ 두께로 코팅하고, 80 ℃에서 1분 30초간 건조하여 100 ㎚ 정도의 전도성 필름을 형성하였다. 0.1 g of Ag nanowire, 0.01 g of PVP as a dispersant, and 0.1 g of a polyacrylate-based binder were added to 100 g of IPA solvent to prepare a solution. The solution was coated on a polyethylene terephthalate (PET) film to a thickness of 1.5 μm using a bar coating, and dried at 80 ° C. for 1 minute and 30 seconds to form a conductive film having a thickness of about 100 nm.
도 5 및 도 6은 비교예에 따른 전도성 필름의 현미경 이미지를 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 5는 비교예에 따른 전도성 필름을 200 배 반사모드 현미경으로 관찰한 이미지이며, 도 6은 비교예에 따른 전도성 필름을 주사전자현미경(SEM)으로 10,000 배로 확대한 이미지이다. FIGS. 5 and 6 show microscope images of the conductive film according to the comparative example. 5 is an image obtained by observing a conductive film according to a comparative example with a 200 times reflection mode microscope, and FIG. 6 is an image obtained by enlarging a conductive film according to a comparative example by a scanning electron microscope (SEM) 10,000 times.
비교예에 따른 전도성 필름은 PET로부터 쉽께 떨어져 나가는 문제가 발생하였으며, 또한 스크래치 내성이 매우 약하여 외부의 충격에 의하여 필름이 손상되어 전극으로서 기능을 하지 못하였다. The conductive film according to the comparative example was easily detached from the PET and the scratch resistance was so weak that the film was damaged due to external impact and could not function as an electrode.
비교예에 따른 전도성 필름의 경우, 측정된 면저항은 200 Ω/□, 투과도 89.4%, 헤이즈 0.8 정도로 투과도 및 전도성 등 모두 우수한 성질을 나타내지만 내스크래치성이 약하고 기재와의 부착력이 매우 떨어지는 문제가 발생하였다. 더불어 전도성을 유지하기 위해서는 최대한 낮은 두께를 유지해야 하기 때문에 추가적인 바인더를 넣어 부착성이나 내스크래치성을 확보할 수 없으므로, 비교예에 따른 전도성 필름은 전자소자에서의 사용이 불가능 하였다. In the case of the conductive film according to the comparative example, the measured sheet resistance showed excellent properties such as a transmittance and conductivity of 200 Ω / □, a transmittance of 89.4%, and a haze of 0.8, but the scratch resistance was poor and the adhesion to the substrate was very poor Respectively. In order to maintain the conductivity, it is necessary to keep the thickness as low as possible. Therefore, the conductive film according to the comparative example can not be used in the electronic device because an additional binder can not be added to ensure adhesion and scratch resistance.
또한, 나노와이어의 두께는 약 20 ㎚ 내지 30 ㎚ 이므로, 상기 비교예에 따른 전도성 필름의 두께를 100 nm 이상으로 형성하는 경우 전기 전도성이 현저하게 저하되어 전도성 필름으로 작동하기 곤란한 문제도 발생한다. In addition, since the thickness of the nanowire is about 20 nm to 30 nm, when the thickness of the conductive film according to the comparative example is 100 nm or more, the electrical conductivity is remarkably lowered and it is difficult to operate as a conductive film.
하지만, 상분리를 이용한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 두께에 거의 영향을 받지 않고 기재에 대한 부착력이 뛰어나며 내스크래치성이 확보되어 전자소자에 적합한 특성을 나타낸다.However, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention using phase separation is substantially unaffected by the thickness, has an excellent adhesion to the substrate, has scratch resistance, and exhibits properties suitable for electronic devices.
Claims (35)
상기 수지층은 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물; 상기 제1 성분에 대하여 비상용성(immiscible)인 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물; 전도성 물질; 분산제; 및 리간드 물질을 포함하며,
상기 제1 성분은 제1 모노머 또는 제1 올리고머이고,
상기 제2 성분은 제2 모노머 또는 제2 올리고머이며,
상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물 중 적어도 하나는 패턴부를 형성하고,
상기 분산제는 PVP(poly vinyl pyrrolidone), F108(PEO-b-PPO-b-PEO), Brij(Poly Oxyethylene glycol alkyl ether), Triton X-100(Poly oxyethylene glycol octyl phenol ether) 및 글리세릴라우레이트(Glycerol alkyl ester)로부터 선택되는 비이온성 분산제; 및 CTAB(cetyl trimethyl ammonium bromide), 소듐 스티아레이트(sodium stearate), 및 SDS(sodiumdodecyl sulfate)로부터 선택되는 이온성 분산제에서 선택되는 1종 이상을 포함하며,
상기 리간드 물질은 부탄올(butanol), 프로피오닉산(propionic acid) 및 헥산올(hexanol)로부터 선택되는 친수성 계열의 물질; 및 디데칸티올(dedecanethiol), 올레익산(oleic acid), 올레일아민(oleyl amine) 및 헥사데실아민(hexadecyl amine)로부터 선택되는 소수성 계열의 물질에서 선택되는 1종 이상을 포함하고,
상기 분산제 또는 상기 리간드 물질의 농도는 상기 전도성 물질의 중량에 대하여 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하인 것인 전도성 적층체.Board; And a resin layer provided on the substrate,
Wherein the resin layer comprises: a first cured product formed by curing a first component; A second cured material formed by curing a second component immiscible with respect to the first component; Conductive material; Dispersing agent; And a ligand material,
Wherein the first component is a first monomer or a first oligomer,
Wherein the second component is a second monomer or a second oligomer,
Wherein at least one of the first cured material and the second cured material forms a pattern portion,
The dispersant may be selected from the group consisting of polyvinyl pyrrolidone (PVP), polyoxyethylene glycol alkyl ether (Brij), polyoxyethylene glycol octyl phenol ether (PEO-b-PPO-b-PEO) A nonionic dispersant selected from glycerol alkyl esters; And an ionic dispersant selected from CTAB (cetyl trimethyl ammonium bromide), sodium stearate, and SDS (sodium dodecyl sulfate).
Wherein the ligand material is a hydrophilic material selected from butanol, propionic acid and hexanol; And at least one material selected from hydrophobic substances selected from the group consisting of dedecanethiol, oleic acid, oleyl amine and hexadecyl amine,
Wherein the concentration of the dispersant or the ligand material is 0.1 wt% or more and 10 wt% or less based on the weight of the conductive material.
상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물 또는 제2 경화물 내부에 포함되거나, 상기 제1 경화물의 표면 또는 상기 제2 경화물의 표면의 적어도 일부에 포함되는 것인 전도성 적층체. The method according to claim 1,
Wherein the conductive material is included in the first cured material or the second cured material, or is included in at least a part of the surface of the first cured material or the surface of the second cured material.
상기 전도성 물질은 상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물의 계면의 적어도 일부에 구비되는 것인 전도성 적층체. The method according to claim 1,
Wherein the conductive material is provided on at least a part of an interface between the first cured material and the second cured material.
상기 전도성 물질은 전도성 패턴을 형성하는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the conductive material forms a conductive pattern.
상기 전도성 물질은 상기 수지층의 일 측면으로부터 타 측면까지 연속되는 적어도 하나의 전도성 라인을 형성하는 것인 전도성 적층체.The method of claim 4,
Wherein the conductive material forms at least one conductive line continuous from one side to the other side of the resin layer.
상기 전도성 물질은 금속; 전도성 나노입자; 전도성 나노와이어 및 전도성 나노막대로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
The conductive material may be a metal; Conductive nanoparticles; Conductive nanowires, conductive nanowires, conductive nanorods, and conductive nanorods.
상기 전도성 적층체의 표면 거칠기 값(Ra)은 3 ㎛ 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
And the surface roughness value (Ra) of the conductive laminate is 3 占 퐉 or less.
상기 전도성 적층체의 면저항은 1,000 Ω/□ 이하인 것인 전도성 적층체. The method according to claim 1,
Wherein the sheet resistance of the conductive laminate is 1,000 Ω / □ or less.
상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 ㎚ 파장의 빛에서 85 % 이상인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the conductive laminate has a light transmittance of 85% or more at a wavelength of 550 nm.
상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 3 이하인 것인 전도성 적층체. The method according to claim 1,
Wherein the haze value of the conductive laminate is 3 or less.
상기 제1 성분과 상기 제2 성분 간의 계면 장력이 1 mN/m 이상 20 mN/m 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the interfacial tension between the first component and the second component is 1 mN / m or more and 20 mN / m or less.
상기 패턴부는 상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 상분리에 의하여 형성되는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the pattern portion is formed by phase separation of the first component and the second component.
상기 패턴부는 2 이상의 독립된 섬(island) 형상을 포함하는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the pattern portion comprises at least two independent island shapes.
상기 패턴부는 2 이상의 렌즈 형상을 포함하는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the pattern portion includes at least two lens shapes.
상기 수지층 상면 전체 면적에 대하여, 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 패턴 면적은 10 % 이상 15 % 이하인 것인 전도성 적층체.15. The method of claim 14,
Wherein the pattern area of the first cured product or the second cured product is 10% or more and 15% or less with respect to the total area of the upper surface of the resin layer.
상기 렌즈 형상의 최대 직경은 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 적층체.15. The method of claim 14,
Wherein the maximum diameter of the lens shape is 5 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less.
상기 렌즈 형상의 높이는 100 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하인 것인 전도성 적층체.15. The method of claim 14,
Wherein the height of the lens shape is 100 nm or more and 5 占 퐉 or less.
상기 적어도 2 개의 인접하는 렌즈 형상 사이의 최단 거리는 10 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하인 것인 전도성 적층체.15. The method of claim 14,
Wherein the shortest distance between the at least two adjacent lens shapes is 10 占 퐉 or more and 300 占 퐉 or less.
상기 패턴부는 불규칙 패턴을 포함하는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the pattern portion includes an irregular pattern.
상기 수지층 상면 전체 면적에 대하여, 상기 제1 경화물 또는 상기 제2 경화물의 패턴 면적은 20 % 이상 50 % 이하인 것인 전도성 적층체.The method of claim 19,
Wherein the pattern area of the first cured product or the second cured product is 20% or more and 50% or less with respect to the total area of the upper surface of the resin layer.
상기 수지층은 1종 이상의 추가의 경화물을 포함하고,
상기 추가의 경화물은 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 중 적어도 1종 이상과 비상용성(immiscible)인 1종 이상의 추가의 모노머 또는 추가의 올리고머가 경화되어 형성된 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the resin layer comprises at least one additional cured material,
Wherein said additional cured product is formed by curing one or more additional monomers or further oligomers that are immiscible with at least one of said first component and said second component.
상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물은 각각 상기 기판의 동일 평면 상에 구비된 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the first cured material and the second cured material are provided on the same plane of the substrate, respectively.
상기 제1 경화물은 상기 기판 상에 구비되고, 상기 제2 경화물은 상기 제1 경화물 상에서 패턴을 형성하며 구비되는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the first cured material is provided on the substrate and the second cured material is provided to form a pattern on the first cured material.
상기 제1 성분 및 상기 제2 성분 중 적어도 하나는 (메트)아크릴레이트계 화합물 또는 에폭시계 화합물인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein at least one of the first component and the second component is a (meth) acrylate-based compound or an epoxy-based compound.
상기 전도성 적층체의 두께는 500 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the conductive laminate is 500 nm or more and 5 占 퐉 or less.
제1 성분, 제2 성분 및 용매를 포함하는 조성물을 준비하는 단계;
상기 조성물에 전도성 물질을 첨가하는 단계;
상기 기판 상에 상기 전도성 물질을 포함하는 조성물을 도포하는 단계; 및
상기 조성물을 경화하여 수지층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 수지층은 상기 제1 성분이 경화되어 형성된 제1 경화물 및 상기 제2 성분이 경화되어 형성된 제2 경화물을 포함하며,
상기 제1 경화물 및 상기 제2 경화물 중 적어도 하나는 패턴을 형성하고,
상기 조성물은 광개시제; 열개시제; 분산제; 리간드 물질 및 레벨링제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 포함하고,
상기 분산제는 PVP(poly vinyl pyrrolidone), F108(PEO-b-PPO-b-PEO), Brij(Poly Oxyethylene glycol alkyl ether), Triton X-100(Poly oxyethylene glycol octyl phenol ether) 및 글리세릴라우레이트(Glycerol alkyl ester)로부터 선택되는 비이온성 분산제; 및 CTAB(cetyl trimethyl ammonium bromide), 소듐 스티아레이트(sodium stearate), 및 SDS(sodiumdodecyl sulfate)로부터 선택되는 이온성 분산제에서 선택되는 1종 이상을 포함하며,
상기 리간드 물질은 부탄올(butanol), 프로피오닉산(propionic acid) 및 헥산올(hexanol)로부터 선택되는 친수성 계열의 물질; 및 디데칸티올(dedecanethiol), 올레익산(oleic acid), 올레일아민(oleyl amine) 및 헥사데실아민(hexadecyl amine)로부터 선택되는 소수성 계열의 물질에서 선택되는 1종 이상을 포함하고,
상기 분산제 또는 상기 리간드 물질의 농도는 상기 전도성 물질의 중량에 대하여 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하인 청구항 1 내지 25 중 어느 한 항에 따른 전도성 적층체의 제조방법.Preparing a substrate;
Preparing a composition comprising a first component, a second component and a solvent;
Adding a conductive material to the composition;
Applying a composition comprising the conductive material on the substrate; And
And curing the composition to form a resin layer,
Wherein the resin layer comprises a first cured product formed by curing the first component and a second cured product formed by curing the second component,
Wherein at least one of the first cured material and the second cured material forms a pattern,
The composition comprises a photoinitiator; Thermal initiators; Dispersing agent; At least one additive selected from the group consisting of a ligand material and a leveling agent,
The dispersant may be selected from the group consisting of polyvinyl pyrrolidone (PVP), polyoxyethylene glycol alkyl ether (Brij), polyoxyethylene glycol octyl phenol ether (PEO-b-PPO-b-PEO) A nonionic dispersant selected from glycerol alkyl esters; And an ionic dispersant selected from CTAB (cetyl trimethyl ammonium bromide), sodium stearate, and SDS (sodium dodecyl sulfate).
Wherein the ligand material is a hydrophilic material selected from butanol, propionic acid and hexanol; And at least one material selected from hydrophobic substances selected from the group consisting of dedecanethiol, oleic acid, oleyl amine and hexadecyl amine,
The method for producing a conductive laminate according to any one of claims 1 to 25, wherein the concentration of the dispersant or the ligand material is 0.1 wt% or more and 10 wt% or less based on the weight of the conductive material.
상기 전도성 물질이 상기 제1 경화물 내에 포함되거나, 상기 제2 경화물 내에 포함되거나, 또는 상기 제1 경화물과 상기 제2 경화물의 계면에 위치할 수 있도록 상기 전도성 물질의 표면을 개질하는 단계를 더 포함하는 것인 전도성 적층체의 제조방법. 27. The method of claim 26,
Modifying the surface of the conductive material so that the conductive material is included in the first cured material, contained in the second cured material, or located at the interface of the first cured material and the second cured material, Wherein the method further comprises the step of forming the conductive laminate.
상기 전도성 물질의 표면을 개질하는 단계는 상기 전도성 물질의 표면에 친수성 치환기, 또는 소수성 치환기, 또는 친수성 치환기와 소수성 치환기를 결합시키는 것인 전도성 적층체의 제조방법. 28. The method of claim 27,
Wherein the step of modifying the surface of the conductive material comprises bonding a hydrophilic substituent or a hydrophobic substituent or a hydrophilic substituent to the surface of the conductive material.
상기 용매는 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분을 모두 용해하는 것인 전도성 적층체의 제조방법.27. The method of claim 26,
Wherein the solvent dissolves both the first component and the second component.
상기 용매는 상기 제1 성분을 용해하는 제1 용매, 상기 제2 성분을 용해하는 제2 용매를 포함하는 것인 전도성 적층체의 제조방법.27. The method of claim 26,
Wherein the solvent comprises a first solvent that dissolves the first component, and a second solvent that dissolves the second component.
상기 용매는 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매를 서로 섞이게 하는 상용화제를 더 포함하는 것인 전도성 적층체의 제조방법.32. The method of claim 30,
Wherein the solvent further comprises a compatibilizing agent which causes the first solvent and the second solvent to intermix with each other.
상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 중량비는 3:7 내지 7:3 인 것인 전도성 적층체의 제조방법.27. The method of claim 26,
Wherein the weight ratio of the first component to the second component is from 3: 7 to 7: 3.
상기 조성물을 도포하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 프라이머층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 전도성 적층체의 제조방법.27. The method of claim 26,
Further comprising the step of forming a primer layer on the substrate prior to the step of applying the composition.
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