KR101729178B1 - 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- -1 cycloplexpolymer Polymers 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000012237 artificial material Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
- H01Q15/0086—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
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- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
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Abstract
본 발명은 고속동작되는 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 소자는, 제 1 유전체 층과, 상기 제 1 유전체 층 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 제 2 유전체 층과, 상기 제 2 유전체 층 상에 형성된 메타물질 패턴들과, 상기 메타물질 패턴들 및 상기 제 2 유전체 층 상에 형성된 커플 층과, 상기 커플 층 상에 형성된 제 3 유전체 층과, 상기 제 3 유전체 층 상에 형성된 상부 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 그래핀이 적용된 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
메타물질은 원자와 분자 대신 인공적인 구조물들이 주기적으로 배치된 인공소재를 포함할 수 있다. 메타물질 내부의 구조물들은 분자보다는 훨씬 클 수 있다. 때문에, 메타물질을 통과하는 전자기파의 진행경로는 거시적 맥스웰 방정식으로 풀이될 수 있다. 반면, 메타물질 내부의 구조물들은 전자기파의 파장보다 월등히 작은 크기를 가질 수 있다. 따라서, 메타물질은 근접장 영역의 스펙트럼 성분에 의해 거시적인 물질 응답 특성이 결정되는 모양과 크기를 갖는 구조물들을 포함할 수 있다. 이런 메타물질은 도체 또는 반도체와 같은 전통적인 물질로만 만들어지며, 대단히 작은 반복 패턴으로 배치되어 그 집단적 특성이 변화된다. 그러므로 보통의 물질들로는 달성될 수 없는 방식으로 전자기 파를 다룰 수 있게 된다.
메타물질의 특성을 능동적으로 조절하는 종래의 기술로는 메탈물질에 DC전기장을 인가하여 메타물질의 기반물질의 성질을 바꾸는 방법이 있다. 이 방법은 먼저 반도체 기반 물질 위에 금속 메탈 패턴을 통해 메타물질을 설계하고 외부에서 DC bias 전압이 인가 되었을 때 메타물질 단위셀 주변에 효과적으로 쇼트기 다이오드가 형성되도록 이들 유니셀들을 하나의 전극으로 연결한다. Ohmic컨택영역을 통해 메타물질에 금속패턴을 DC전압을 인가하면 메타물질 단위 셀 근처에 전하 공핍영역이 형성된다. 이로인해 메타물질과 컨택하는 반도체 기반물질의 전기적 전도도가 변화하게 되고 이는 메타물질의 투과율/굴절률 같은 메타물질의 광학적 특성의 변화를 가져오게 되는데 이를 메타물질 스위치소자 혹은 위상변조기 등에 활용한다. 이 방법 이외에도 전기적 혹은 열적 상전이를 이용하여 메카물질의 기반물질의 성질을 바꿈으로써 메타물질 전체의 성질을 조절 하는 메타물질이 개발 되어져 있다. 상전이 방식의 소자는 동작속도가 느린 단점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고속으로 동작되는 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 과제는 유연한(flelxible) 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 메타물질 능동소자는, 제 1 유전체 층; 상기 제 1 유전체 층 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 제 2 유전체 층; 상기 제 2 유전체 층 상에 형성된 메타물질 패턴들; 상기 메타물질 패턴들 및 상기 제 2 유전체 층 상에 형성된 커플 층; 상기 커플 층 상에 형성된 제 3 유전체 층; 및 상기 제 3 유전체 층 상에 형성된 상부 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 커플 층은 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 커플 층과 상기 제 3 유전체 층 사이에서 상기 커플 층의 가장자리로 형성된 바이어스 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 바이어스 전극은, 서로 대향되는 양측 측벽으로 인출되는 제 2 및 제 3 터미널을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 메타물질 패턴들은 금, 크롬, 은, 알루미늄, 구리, 및 니켈 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 메타물질 패턴들은 에이치 모양, 창문 모양, 또는 육각형 모양을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 내지 제 3 유전체 층들은 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 시클루레핀 코폴리머, 또는 폴리에틸렌 타레프탈레이트 중 적어도 하나의 고분자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 내지 제 3 유전체 층들은 알루미늄 산화막, 실리콘 산화막, 티타늄 산화막, 또는 마그네슘 불화막 중 적어도 하나의 금속 유전체 또는 무기 유전체를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 2 유전체 층과 상기 커플 층사이에서 상기 메타물질 패턴들 내에 충진되는 갭필 유전체 층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 슬릿 구조 또는 그물 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 메타물질 능동소자의 제조방법은, 기판 상에 제 1 유전체 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 유전체 층 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극을 덮는 제 2 유전체 층을 형성하는 단계; 상기 제 2 유전체 층 상에 메타물질 패턴들을 형성하는 단계; 상기 메타물질 패턴들 및 상기 제 2 유전체 층 상에 커플 층을 형성하는 단계; 상기 커플 층 상에 제 3 유전체 층을 형성하는 단계; 상기 제 3 유전체 층 상에 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 상부 전극 상에 제 4 유전체 층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 유전체 층으로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 커플 층은 스카치테입 박리방법, 또는 화학기상증착방법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 하부 전극과, 상기 메타물질 패턴들, 또는 상기 상부 전극 중 적어도 하나는 잉크젯 프린팅방법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 메타물질 패턴들 내부를 충진시키는 갭필 유전체 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 갭필 유전체 층과, 상기 제 1 내지 제 4 유전체 층은 스핀코팅방법으로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예적 구성에 따르면, 상부 전극과 하부 전극 사이의 메타물질 금속 패턴들에 전기적으로 연결된 커플 층을 포함한다. 커플 층은 그래핀을 포함할 수 있다. 그래핀은 상부 전극과 하부 전극에서 유도되는 전기장에 따라 전도도가 변화될 수 있다. 메타물질 금속 패턴들은 그래핀을 통해 인가되는 전류에 의해 굴절률이 변화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자는 고속으로 동작될 수 있다. 유전체 층들은 상부 전극과 하부 전극 사이의 메타물질 금속 패턴들을 절연시킨다. 유전체 층들은 유연성이 우수한 고분자를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 하부 전극 및 상부 전극을 나타내는 평면도들이다.
도 5 내지 도 7은 메타물질 금속 패턴들을 나타내는 평면도들이다.
도 8 내지 도 18은 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자의 제조방법을 나타내는 공정 사시도들이다.
도 2는 도 1의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 하부 전극 및 상부 전극을 나타내는 평면도들이다.
도 5 내지 도 7은 메타물질 금속 패턴들을 나타내는 평면도들이다.
도 8 내지 도 18은 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자의 제조방법을 나타내는 공정 사시도들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자를 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 단면도이다. 도 3 및 도 4는 도 1의 하부 전극 및 상부 전극을 나타내는 평면도들이다. 도 5 내지 도 7은 메타물질 금속 패턴들을 나타내는 평면도들이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자는, 상부 전극(60)과 하부 전극(30) 사이의 메타물질 금속 패턴 층(40) 상에 형성된 커플 층(50)을 포함할 수 있다. 커플 층(50)은 그래핀(graphene)을 포함할 수 있다. 그래핀은 상부 전극(60)과 하부 전극(30)사이에 유도되는 전기장의 세기에 따라 전도도가 변화될 수 있다. 예를 들어, 그래핀은 전도도가 0일 때, 금속 패턴 층(40) 및 갭필 유전체 층(25)에 접합된 서브 유전체 층이 될 수 있다. 메타물질 금속 패턴 층(40)과 유전체 층들(20)은 메타물질 구조체가 될 수 있다. 메타물질 금속 패턴 층(40)과 유전체 층들(20)은 음의 굴절률을 가질 수 있다. 본 메타물질의 광투과율이 DC 주파수에서는 1을 가지면 공명 주파수 1THz에서는 0을 가지게 된다. 반면, 그래핀의 전도도가 0보다 클 때, 메타물질 금속 패턴들(40)은 그래핀으로부터 인가되는 전류에 의해 메타물질 고유의 특성을 잃고 반사율이 증가될 수 있다. 이때, 메타물질 금속 패턴들(40)은 양의 굴절률을 가질 수 있다. 메타물질 금속 패턴들(40)은 하부 전극(30)과 상부 전극(60)사이에 인가되는 전기장에 따라 굴절률이 조절될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 다른 메타물질 능동소자는 메타물질 금속 패턴들(40)의 굴절률을 고속으로 스위칭시킬 수 있다.
그래핀은 탄소 원자 6개가 모여 육각형을 이룬 벌집 모양의 결정 형태가 얇은 종이처럼 펼쳐진 구조를 갖는다. 그래핀은 투명성이 우수하다. 상술한 바와 같이, 그래핀은 하부 전극(30)과 상부 전극(60)사이의 전기장 세기에 따라 전도도가 변화될 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 제 1 및 제 4 터미널(32, 62)을 통해 외부로부터 전원전압을 인가 받을 수 있다. 커플 층(50)은 바이어스 전극(52)으로 입출력되는 전류를 메타물질 금속 패턴들(40)에 전달시킬 수 있다. 바이어스 전극(52)은 커플 층(50)의 가장자리에 배치될 수 있다. 바이어스 전극(52)은 서로 대향되는 양측 측벽으로부터 인출된 제 2 및 제 3 터미널(54, 56)을 포함할 수 있다. 바이어스 전압은 제 2 및 제 3 터미널(54, 56)을 통해 바이어스 전극(52) 및 커플 층(50)으로 인가될 수 있다. 제 2 및 제 3 터미널(54, 56)은 바이어스 전극(52)에서 서로 대향되는 방향으로 배치될 수 있다. 바이어스 전극(52)은 금, 은, 구리, 알루미늄과 같은 도전성이 우수한 금속을 포함할 수 있다.
유전체 층들(20)은 제 1 내지 제 4 유전체 층들(22, 24, 26, 28)과, 갭필 유전체 층(25)을 포함할 수 있다. 제 2 및 제 3 유전체 층들(24, 26)은 상부 전극(60)과 하부 전극(30)으로부터 메타물질 금속 패턴들(40) 및 커플 층(50)을 절연시킬 수 있다. 제 1 및 제 4 유전체 층들(22, 28)은 상부 전극(60)과 하부 전극(30)을 덮을 수 있다. 갭필 유전체 층(25)은 제 2 유전체 층(24) 상의 메타물질 금속 패턴들(40) 내부에 충진될 수 있다. 유전체 층들(20)은 투명성과 유연성이 우수한 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 시클루레핀 코폴리머, 또는 폴리에틸렌 타레프탈레이트와 같은 고분자를 포함할 수 있다. 또한, 유전체 층들(20)은 알루미늄 산화막, 실리콘 산화막, 티타늄 산화막, 또는 마그네슘 불화막 중 적어도 하나의 금속 유전체 또는 무기 유전체를 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 슬릿 구조 또는 그물 구조를 가질 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 커플 층(50) 및 메타물질 금속 패턴 층(40)의 하부 및 상부에 각각 배치될 수 있다. 또한, 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 제 2 유전체 층(24) 및 제 3 유전체 층(26)에 의해 커플 층(50) 및 메타물질 금속 패턴 층(40)으로부터 절연될 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)에는 메타물질 금속 패턴 층(40)의 전도도를 변화시키는 직류전압이 인가될 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 약 50~200nm정도의 두께를 가질 수 있다. 슬릿 구조의 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 약 1-3㎛정도의 제 1 선폭(34)과, 약 3-5㎛정도의 간격(36)을 가질 수 있다. 그물 구조의 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 약 2-5 μm 정도의 제 2 선폭(64)과 약 40~60μm 제 1 크기(66)를 갖는 제 1 단위 셀을 포함할 수 있다. 또한, 그물 구조의 하부전극 (30)과 상부전극(60)은 빛의 편광 방향과 관계없이 빛을 투과시킬 수 있다. 슬릿 구조의 하부 전극(30)과, 상부 전극(60)은 슬릿의 길이 방향과 수직방향으로 편광된 빛을 투과시킬 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 제 1 및 제 4 터미널(32, 62)을 각각 포함할 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 테라헤르츠 주파수 영역의 빛을 투과시키는 투명전극을 포함할 수 있다. 하부 전극(30)과 상부 전극(60)은 인듐주석산화막(ITO: Indium Tin Oxide)을 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 메타물질 금속 패턴들(40)은 에이치(H) 모양, 창문 모양, 또는 육각형 모양의 제 2 단위 셀들(42)을 가질 수 있다. 제 2 단위 셀들(42)은 약 40-80㎛정도의 크기(44)를 갖고, 약 1-5㎛ 정도의 셀갭(cell gap, 46)을 가질 수 있다. 메타물질 금속 패턴들(40)은 약 3-5㎛정도의 제 3 선폭(48)을 가질 수 있다. 메타물질 금속 패턴들(40)은 금, 크롬, 은, 알루미늄, 구리, 및 니켈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 메타물질 금속 패턴들(40)은 커플 층(50)으로부터 인가되는 전류에 의해 메타물질의 성질을 잃을 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자는 종래보다 고속으로 동작될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 8 내지 도 18은 본 발명의 실시예에 따른 메타물질 능동소자의 제조방법을 나타내는 공정 사시도들이다.
도 8을 참조하면, 기판(10) 상에 제 1 유전체 층(22)을 형성한다. 기판(10)은 실리콘 웨이퍼, 또는 SOI(silicon on insulator) 기판, PDMS(Polydimethylsiloxane) 기판을 포함할 수 있다. 제 1 유전체 층(22)은 스핀 코팅 방법으로 형성된 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 시클루레핀 코폴리머, 또는 폴리에틸렌 타레프탈레이트와 같은 고분자를 포함할 수 있다. 또한 제 1 유전체 층(22)은 화학기상증착방법, 스퍼터링방법 또는 급속열처리방법으로 형성된 알루미늄 산화막, 실리콘 산화막, 티타늄 산화막, 또는 마그네슘 불화막 중 적어도 하나의 금속 유전체 또는 무기 유전체를 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제 1 유전체 층(22) 상에 하부 전극(30)을 형성한다. 하부 전극(30)은 제 1 유전체 층(22) 상에 증착된 제 1 금속 층의 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 형성될 수 있다. 제 1 금속 층은 전자빔 증착방법 또는 스퍼터링 방법으로 형성된 인듐주석산화막을 포함할 수 있다. 또한 하부 전극(30)은 제 1 금속 층의 잉크젯 프린팅 방법으로 형성될 수 있다. 하부 전극(30)의 제 1 터미널(32)은 기판(10) 및 제 1 유전체 층(22)의 측벽 또는 외부로 돌출되어 도 9에 나타나 있으나, 제 1 유전체 층(22) 상에 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 하부 전극(30) 및 제 1 유전체 층(22) 상에 제 2 유전체 층(24)을 형성한다. 제 2 유전체 층(24)은 스핀코팅방법으로 형성된 고분자를 포함할 수 있다. 또한, 제 2 유전체 층(24)은 화학기상증착방법, 스퍼터링 방법으로 형성된 금속 유전체 또는 무기 유전체를 포함할 수 있다.
도 11을 참조하면, 제 2 유전체 층(24) 상에 메타물질 금속 패턴들(40)을 형성한다. 메타물질 금속 패턴들(40)은 증착된 제 2 금속 층의 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 형성될 수 있다. 제 2 금속 층은 전자빔 증착방법으로 형성된 금, 크롬, 은, 알루미늄, 구리, 및 니켈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 메타물질 금속 패턴들(40)은 제 2 금속 층의 잉크젯 프린팅 방법으로 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 메타물질 금속 패턴들(40)에서 노출되는 제 2 유전체 층(24) 상에 갭필 유전체 층(25)을 형성한다. 갭필 유전체 층(25)은 메타물질 패턴들(40)의 단차를 제거시킬 수 있다. 갭필 유전체 층(25)은 폴리이미드와 같은 고분자를 포함할 수 있다. 갭필 유전체 층(25)의 형성공정은 메타물질 금속 패턴들(40)이 잉크젯 프린팅 방법으로 형성될 경우, 생략될 수도 있다.
도 13을 참조하면, 메타물질 금속 패턴들(40) 및 갭필 유전체 층(25) 상에 커플 층(50)을 형성한다. 커플 층(50)은 스카치테이프 박리방법, 또는 화학기상증착방법으로 형성된 그래핀을 포함할 수 있다. 그래핀은 약 10층 이내로 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 커플 층(50)의 둘레에 바이어스 전극(52)을 형성한다. 바이어스 전극(52)은 잉크젯 프링팅 방법으로 형성된 금, 크롬, 은, 알루미늄, 구리, 및 니켈 중 적어도 하나의 제 3 금속 층을 포함할 수 있다. 바이어스 전극(52)은 커플 층(50) 상에 증착된 제 3 금속 층의 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로부터 형성될 수 있다. 바이어스 전극(52)의 제 2 및 제 3 터미널(54, 56)은 기판(10) 및 커플 층(50)의 측벽 또는 외부로 돌출되어 있으나, 제 2 유전체 층(24) 또는 갭필 유전체 층(25) 상에 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 바이어스 전극(52) 및 커플 층(50) 상에 제 3 유전체 층(26)을 형성한다. 제 3 유전체 층(26)은 스핀코팅방법으로 형성된 고분자를 포함할 수 있다. 또한, 제 3 유전체 층(26)은 화학기상증착방법, 스퍼터링 방법으로 형성된 금속 유전체 또는 무기 유전체를 포함할 수 있다.
도 16을 참조하면, 제 3 유전체 층(26) 상에 상부 전극(60)을 형성한다. 상부 전극(60)은 제 3 유전체 층(26) 상에 증착된 제 4 금속 층의 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 형성될 수 있다. 상부 전극(60)은 전자빔 증착방법 또는 스퍼터링 방법으로 형성된 인듐주석산화막을 포함할 수 있다. 또한 상부 전극(60)은 제 4 금속 층의 잉크젯 프린팅 방법으로 형성될 수 있다. 상부 전극(60)의 제 4 터미널(62)은 기판(10) 및 제 3 유전체 층(26)의 측벽 또는 외부로 돌출되어 있으나, 제 3 유전체 층(26) 상에 형성될 수 있다.
도 17을 참조하면, 상부 전극(60) 및 제 3 유전체 층(26) 상에 제 4 유전체 층(28)을 형성한다. 제 4 유전체 층(28)은 스핀코팅방법으로 형성된 고분자를 포함할 수 있다. 또한, 제 4 유전체 층(28)은 화학기상증착방법, 스퍼터링 방법으로 형성된 금속 유전체 또는 무기 유전체를 포함할 수 있다.
도 18을 참조하면, 제 1 유전체 층(24)으로부터 기판(10)을 분리한다. 기판(10)은 제 1 유전체 층(24)으로부터 박리(peer-off)될 수 있다. 또한, 기판(10)은 분쇄(crushing)될 수 있다
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 20: 유전체 층들
30: 하부 전극 40: 메타물질 금속 패턴들
50: 커플 층 60: 상부 전극
30: 하부 전극 40: 메타물질 금속 패턴들
50: 커플 층 60: 상부 전극
Claims (15)
- 제 1 유전체 층;
상기 제 1 유전체 층 상에 형성된 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 형성된 제 2 유전체 층;
상기 제 2 유전체 층 상에 형성된 메타물질 패턴들;
상기 메타물질 패턴들 및 상기 제 2 유전체 층 상에 형성된 커플 층;
상기 커플 층 상에 형성된 제 3 유전체 층; 및
상기 제 3 유전체 층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 커플 층은 그래핀을 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 커플 층과 상기 제 3 유전체 층 사이에서 상기 커플 층의 가장자리에 형성된 바이어스 전극을 더 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 3 항에 있어서
상기 바이어스 전극은, 서로 대향되는 양측 측벽으로 인출되는 제 2 및 제 3 터미널을 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 메타물질 패턴들은 금, 크롬, 은, 알루미늄, 구리, 및 니켈 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 메타물질 패턴들은 에이치 모양, 창문 모양, 또는 육각형 모양을 갖는 메타물질 능동소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 유전체 층들은 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 시클루레핀 코폴리머, 또는 폴리에틸렌 타레프탈레이트 중 적어도 하나의 고분자를 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 유전체 층들은 알루미늄 산화막, 실리콘 산화막, 티타늄 산화막, 또는 마그네슘 불화막 중 적어도 하나의 금속 유전체 또는 무기 유전체를 더 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 8 항에 있어서
상기 제 2 유전체 층과 상기 커플 층사이에서 상기 메타물질 패턴들 내에 충진되는 갭필 유전체 층을 더 포함하는 메타물질 능동소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 슬릿 구조 또는 그물 구조를 갖는 메타물질 능동소자. - 기판 상에 제 1 유전체 층을 형성하는 단계;
상기 제 1 유전체 층 상에 하부 전극을 형성하는 단계;
상기 하부 전극을 덮는 제 2 유전체 층을 형성하는 단계;
상기 제 2 유전체 층 상에 메타물질 패턴들을 형성하는 단계;
상기 메타물질 패턴들 및 상기 제 2 유전체 층 상에 커플 층을 형성하는 단계;
상기 커플 층 상에 제 3 유전체 층을 형성하는 단계;
상기 제 3 유전체 층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;
상기 상부 전극 상에 제 4 유전체 층을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 유전체 층으로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 메타물질 능동소자의 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 커플 층은 스카치테입 박리방법, 또는 화학기상증착방법으로 형성되는 메타물질 능동소자의 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 하부 전극과, 상기 메타물질 패턴들, 또는 상기 상부 전극 중 적어도 하나는 잉크젯 프린팅방법으로 형성된 메타물질 능동소자의 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 메타물질 패턴들 내부를 충진시키는 갭필 유전체 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 메타물질 능동소자의 제조방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 갭필 유전체 층과, 상기 제 1 내지 제 4 유전체 층은 스핀코팅방법으로 형성되는 메타물질 능동소자의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110062935A KR101729178B1 (ko) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법 |
US13/431,142 US8890767B2 (en) | 2011-06-28 | 2012-03-27 | Active metamaterial device and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110062935A KR101729178B1 (ko) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130007019A KR20130007019A (ko) | 2013-01-18 |
KR101729178B1 true KR101729178B1 (ko) | 2017-04-25 |
Family
ID=47390108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110062935A KR101729178B1 (ko) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 메타물질 능동소자 및 그의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8890767B2 (ko) |
KR (1) | KR101729178B1 (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103843198B (zh) | 2011-07-29 | 2016-05-04 | 萨斯喀彻温大学 | 聚合物基谐振器天线 |
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CN103336602A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-10-02 | 业成光电(深圳)有限公司 | 触控装置 |
WO2015089643A1 (en) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Tayfeh Aligodarz Mohammadreza | Dielectric resonator antenna arrays |
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JP6985048B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-12-22 | 国立大学法人茨城大学 | シート型メタマテリアル |
KR101995780B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2019-07-03 | 포항공과대학교 산학협력단 | 광자 스핀 홀 효과를 갖는 메타물질 구조체 및 그 제조방법 |
US11399427B2 (en) | 2019-10-03 | 2022-07-26 | Lockheed Martin Corporation | HMN unit cell class |
KR102388519B1 (ko) | 2020-06-04 | 2022-04-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 하이퍼볼릭 메타물질 구조체 및 그의 특성 조정 장치 |
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2011
- 2011-06-28 KR KR1020110062935A patent/KR101729178B1/ko active IP Right Grant
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2012
- 2012-03-27 US US13/431,142 patent/US8890767B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8890767B2 (en) | 2014-11-18 |
US20130002520A1 (en) | 2013-01-03 |
KR20130007019A (ko) | 2013-01-18 |
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A201 | Request for examination | ||
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