KR101725583B1 - 디스플레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 디스플레이 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 소자에 관한 것으로, 상기 기판은 두께방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 포함함으로써, 디스플레이 소자에 적용시 광추출층 내에서의 굴절율의 급격한 변화를 없애 빛이 외부로 나갈 때 생기는 전반사를 감소시키고, 그 결과로 디스플레이 소자의 휘도 특성을 개선시킬 수 있다.

Description

디스플레이 기판 및 그 제조방법{SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은 디스플레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 디스플레이 소자의 광 추출 효율을 개선시킬 수 있는 디스플레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.

지금까지 액정표시장치, 유기 전기발광 표시장치(organic electro luminescence display), 유기박막 트랜지스터(organic thin-film transistor) 등의 기판에는 유리가 널리 사용되고 있었지만, 최근 경량화, 플렉서블화의 흐름에 따라, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PES(폴리에테르설폰) 등 플라스틱을 이용한 플렉서블 기판이 개발되고 있다. 이러한 플렉서블 기판은 고투명성, 저열팽창성, 및 높은 유리 전이온도 등의 특성이 요구된다. 구체적으로는, 막두께 10 내지 30㎛에서 광투과성이 80% 이상인 것, 기판의 팽창 및 수축에 의한 기판 상의 표시 픽셀이나 배선 등의 오정렬 억제를 위해 열팽창 계수가 100 내지 300℃의 범위에서 20ppm/℃ 이하인 것, 유리 전이 온도가 350℃ 이상인 것이 요구된다.

종래 디스플레이 소자에 있어서 발광부에서 외부로 빛이 나올 때 소자내 여러층을 거치면서 휘도가 감소하는 문제점이 있었다. 이 같은 휘도의 감소는 각 층의 투과도 저하, 또는 굴절율이 높은 층에서 낮은 층으로 빛이 이동하면서 발생하는 빛의 전반사 등에 기인한다. 일례로 플렉서블 OLED(organic light emitting diodes) 조명에서 ITO(indium tin oxide) 등의 투명전극의 굴절율은 약 1.9이고, 외부 공기층의 굴절율은 1.0으로 0.9의 굴절율 저감이 발생한다. 이 같은 급격한 굴절율 저감로 인해 전반사가 일어나지 않는 임계각의 범위가 좁아지고, 그 결과로 휘도가 감소하게 된다.

이에 따라 디스플레이 소자를 구성하는 기재에서의 소재 선택, 또는 소자의 구조 변경 등을 통해 광추출 효율을 증가시켜 디스플레이 소자의 휘도 특성을 개선시키고자 하는 연구가 다양하게 진행되고 있다.

한국특허공개 제2012-0118305호 (2012. 10.26 공개)

본 발명의 목적은 디스플레이 소자의 광 추출 효율을 개선시킬 수 있는 디스플레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 디스플레이 기판을 포함하여 개선된 휘도특성을 나타낼 수 있는 디스플레이 소자를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 기판은, 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드를 포함하며, 상기 제1 및 제2폴리이미드의 분포 차이로 인해 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 포함한다.

상기 광추출층은 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드의 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물을 기재의 일면에 도포한 후 경화하여 두께방향으로 굴절율 기울기를 형성함으로써 제조된 것일 수 있다.

또한, 상기 디스플레이 기판에 있어서, 상기 광추출층은 1.4 내지 2의 굴절율을 가질 수 있다.

또한, 상기 디스플레이 기판은 상기 광추출층에 있어서 저굴절율을 갖는 면측에 지지층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 일 측면에 따른 디스플레이 기판의 제조방법은, 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드의 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물을 기재의 일면에 도포한 후 경화시켜, 폴리이미드의 분포 차이로 인해 두께 방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 형성하는 단계, 그리고 상기 광추출층을 기재로부터 분리하는 단계를 포함한다.

본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 디스플레이 소자는 상기한 기판을 포함한다.

상기 디스플레이 소자는 플렉서블 유기전계발광소자일 수 있다.

기타 본 발명의 다양한 측면에 따른 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.

본 발명에 따른 디스플레이 기판은 두께 방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 포함함으로써, 디스플레이 소자에 적용시 광추출층 내에서의 굴절율의 급격한 변화를 없애 빛이 외부로 나갈 때 생기는 전반사를 감소시키고, 그 결과로 디스플레이 소자의 휘도 특성을 개선시킬 수 있다.

또한 상기 디스플레이 기판은 우수한 가요성을 가져 플렉서블 디스플레이 소자, 특히 플렉서블 유기전계발광소자에 유용하다.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기전계발광소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면 구조도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

본 명세서에서 층, 막, 필름, 기판 등의 부분이 다른 부분 '위에' 있다고 할 때, 이는 다른 부분 '바로 위에' 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 필름, 기판 등의 부분이 다른 부분 '아래에' 있다고 할 때, 이는 다른 부분 '바로 아래에' 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

본 발명은 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드를 포함하며, 상기 제1 및 제2폴리이미드의 분포 차이로 인해 두께방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 포함하는 디스플레이 기판을 제공한다.

또한 본 발명은 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드의 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물을 기재의 일면에 도포한 후 경화시켜, 폴리이미드의 분포 차이로 인해 두께 방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 형성하는 단계, 그리고 상기 광추출층을 기재로부터 분리하는 단계를 포함하는 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.

본 발명은 또한 상기한 기판을 포함하는 디스플레이 소자를 제공한다.

이하, 발명의 구현예에 따른 디스플레이 기판 및 그 제조방법, 그리고 상기 기판을 포함하는 디스플레이 소자에 대하여 보다 상세하게 설명한다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드를 포함하며, 상기 제1 및 제2폴리이미드의 분포 차이로 인해 두께방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 포함하는 디스플레이 기판이 제공될 수 있다.

상기 디스플레이 기판에 있어서 광추출층내 형성되는 굴절율 기울기가 지나치게 작으면 광추출층 전후에서의 굴절율 변화폭이 켜서 디스플레이 소자의 휘도 특성을 저하시킬 수 있고, 굴절율 기울기가 지나치게 크면 광추출층내 굴절율 변화폭이 커서 디스플레이 소자의 휘도특성을 저하시킬 수 있다.

상기 광추출층은 제1폴리이미드, 및 제2폴리이미드의 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물을 기재의 일면에 도포한 후 경화하여 폴리이미드의 분포 차이로 인한 두께방향으로의 굴절율 기울기를 형성함으로써 제조될 수 있다.

상기 광추출층 제조에 있어서, 제1폴리이미드는 고굴절율 폴리이미드를 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 광추출층에 사용가능한 제1폴리이미드는 상기한 굴절율 범위를 충족하며, 통상 디스플레이 기판에 사용되는 것이라면 특별한 제한없이 사용할 수 있다.

또한 상기 광추출층 제조에 있어서, 고굴절율의 제1폴리이미드와 혼합되는 제2폴리이미드의 전구체는 고투과성 폴리이미드 전구체를 포함할 수 있다.

상기와 같은 제1폴리이미드와 제2폴리이미드의 전구체를 사용하여 제조된 광추출층은 10 내지 60㎛의 두께 범위에서 1.4 내지 2.0의 굴절율을 갖는 것이 바람직할 수 있다.

또한 상기 디스플레이 기판은 상기한 광추출층과 함께, 상기 광추출층에 대한 지지 기판으로서, 지지층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.

구체적으로, 상기 지지층은 광추출층에 있어서 저굴절율을 갖는 면측에 위치하는 것이 바람직할 수 있다. 이에 따라 상기 지지층 위에 위치하는 광추출층은, 지지층이 형성되는 광추출층의 면측에서 지지층이 형성되는 광추출면의 반대측 면으로 갈수록 굴절율 기울기가 증가하는 것이 바람직할 수 있다.

상기 지지층으로는 통상 디스플레이 기판에 사용되는 것이라면 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로는, 구리 등의 금속기판, 플라스틱 기판 등일 수 있다.

또한, 상기 지지층은 100nm 내지 1㎛의 두께를 갖는 것이 바람직할 수 있다.

상기와 같은 구조를 갖는 디스플레이 기판은, 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드의 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물을 기재의 일면에 도포한 후 경화시켜, 폴리이미드의 분포 차이로 인해 두께 방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 형성하는 단계, 그리고 상기 광추출층을 기재로부터 분리하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조될 수 있다.

상기 광추출물 형성용 조성물은 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드 전구체를 용매 중에 혼합하여 제조될 수 있다.

구체적으로 상기 제1폴리이미드는 산이무수물과 다이아민의 중합 및 이미드화에 의해 제조된 것으로, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 것일 수 있다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서, A는 산이무수물로부터 유래된 작용기로서, 방향족, 지환족, 및 지방족의 4가 유기기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, B는 다이아민으로부터 유래된 작용기로서, 방향족, 지환족, 및 지방족의 2가 유기기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.

구체적으로, 상기 제1폴리이미드는 산이무수물과 다이아민을 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N,N-디메틸포름아미드, 또는 N-메틸피롤리돈(NMP) 등과 같은 유기 용매 중에 중합반응시킴으로써 제조된 것일 수 있다.

상기한 제1폴리이미드의 제조시 사용가능한 산이무수물은, 구체적으로는 부탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 펜탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 헥산테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 시클로펜탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 바이시클로펜탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 시클로프로판테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 메틸시클로헥산테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 3,3’,4,4’-벤조페논테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 4,4’-술포닐디프탈릭 다이언하이드라이드, 3,3’,4,4’-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 2,3,5,6,-피리딘테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, m-터페닐-3,3’,4,4’-테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, p-터페닐-3,3’,4,4’-테트라카르복실릭 다이언하이드라이드, 4,4’-옥시디프탈릭다이언하이드라이드, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[(2,3 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐프로판 다이언하이드라이드, 2,2-비스[4-(2,3- 또는 3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 다이언하이드라이드, 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3- 또는 4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 다이언하이드라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.

또한 상기 제1폴리이미드의 제조시 사용가능한 다이아민은, 구체적으로는 2,2’-비스(트리플루오로메틸)-4,4’-다이아미노바이페닐, m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, m-자이릴렌다이아민, p-자이릴렌다이아민, 1,5-다이아미노나프탈렌, 3,3’-다이메틸벤지딘, 4,4’-(또는 3,4’-, 3,3’-, 2,4’- 또는 2,2’-)다이아미노디페닐메탄, 4,4’-(또는 3,4’-, 3,3’-, 2,4’- 또는 2,2’-)다이아미노디페닐에테르, 4,4’- (또는 3,4’-, 3,3’-, 2,4’- 또는 2,2’-)다이아미노디페닐술파이드, 4,4’-(또는 3,4’-, 3,3’-, 2,4’- 또는 2,2’-)다이아미노디페닐술폰, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 4,4’-벤조페논다이아민, 4,4’-디-(4-아미노페녹시)페닐술폰, 3,3’-다이메틸-4,4’-다이아미노다이페닐메탄, 4,4’-디-(3-아미노페녹시)페닐술폰, 2,4-다이아미노톨루엔, 2,5-다이아미노톨루엔, 2,6-다이아미노톨루엔, 벤지딘, 4,4’-다이아미노터페닐, 2,5-다이아미노피리딘, 4,4’-비스(p-아미노페녹시)바이페닐, 및 헥사히드로-4,7-메탄노인다닐렌 다이메틸렌 다이아민으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.

또한 제조되는 제1폴리이미드의 분자량은 중합반응시 사용되는 산이무수물과 다이아민의 반응비 조절을 통해 제어될 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 상기한 굴절율의 조건을 충족하는 폴리이미드의 제조 측면에서 산 이무수물 1몰에 대하여 다이아민을 0.9 내지 1.1의 몰비로 사용하는 것이 바람직할 수 있다.

상기한 산이무수물과 다이아민의 중합반응은 무수 조건에서 실시될 수 있으며, 25 내지 50℃의 온도 범위에서 실시될 수 있으며, 중합반응 이후 이미드화는 열처리에 의한 열이미드화 또는 화학이미드화 등의 통상의 방법에 따라 실시할 수 있다.

한편, 상기 제2폴리이미드의 전구체는 산이무수물과 다이아민의 중합에 의해 제조되는 것으로, 하기 화학식 2의 구조를 갖는 것일 수 있다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서, C는 산이무수물로부터 유래된 작용기로서, 방향족, 지환족, 및 지방족의 4가 유기기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, D는 다이아민으로부터 유래된 작용기로서, 방향족, 지환족, 및 지방족의 2가 유기기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.

상기한 산이무물과 다이아민의 중합반응은 앞서와 동일한 방법으로 실시할 수 있다.

상기와 같은 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물에 사용가능한 용매로는 구체적으로 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N,N-디메틸포름아미드, 또는 N-메틸피롤리돈(NMP) 등과 같은 유기 용매를 사용할 수 있다.

또한 상기 광추출층 형성용 조성물에 사용가능한 용매의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 이후 도포 공정 등을 고려하여 10,000 내지 50,000cP의 점도를 갖도록 하는 함량으로 포함되는 것이 바람직할 수 있다.

상기 광추출층 형성용 조성물의 기재에 대한 도포 공정시, 상기 기재로는 유리, 금속기판, 플라스틱 기판 등 특별한 제한없이 사용할 수 있으며, 이 중에서도 광추출층 형성용 조성물에 대한 경화 공정 중 열 및 화학적 안정성이 우수하고, 별도의 이형제 처리 없이도, 경화후 형성된 광추출층의 필름에 대해 손상없이 용이하게 분리될 수 있는 유리 기판을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.

또한, 상기 광추출층 형성용 조성물의 기재에 대한 도포 공정은 통상의 도포 방법에 따라 실시될 수 있으며, 구체적으로는 스핀코팅법, 바코팅법, 롤코팅법, 에어-나이프법, 그라비아법, 리버스 롤법, 키스 롤법, 닥터 블레이드법, 스프레이법, 캐스팅법, 침지법 또는 솔질법 등이 이용될 수 있다.

또한, 상기 기재 위에 도포되는 광추출층 형성용 조성물의 함량은 최종 제조되는 광추출층이 디스플레이 기판용으로 적합한 두께를 갖도록 하는 두께 범위로 도포될 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 20㎛의 두께가 되도록 하는 양으로 도포될 수 있다.

상기 도포 공정 이후 기재 위에 도포된 광추출층 형성용 조성물의 도막에 대해 조성물내 유기용매를 제거하기 위한 건조 공정이 선택적으로 더 실시될 수도 있다. 구체적으로 상기 건조공정은 140℃ 이하의 온도에서 실시될 수 있다.

다음으로, 상기 광추출층 형성용 조성물에 대한 경화 공정을 실시한다.

상기 경화 공정은 80 내지 350℃의 온도에서의 열처리에 의해 실시될 수 있으며, 상기 온도범위 내 다양한 온도에서의 다단계 열처리로 실시될 수도 있다.

상기와 같은 경화 공정시 광추출층 형성용 조성물내 포함된 제1폴리이미드와 제2폴리이미드의 전구체는 분포차이가 발생하게 되며, 동시에 제2폴리이미드 전구체는 열경화에 의한 이미드화로 제2폴리이미드가 된다.

이후 상기 기재 위에 형성된 광추출층의 분리는 통상의 박리 방법에 따라 실시할 수 있다.

또한 상기 제조방법은 디스플레이 기판이 지지층을 포함할 경우, 지지층 위에 광추출층을 라미네이팅하는 공정을 더 포함할 수 있다.

상기 라미네이팅 공정은 기재로부터 분리된 광추출층을 지지층 위에 라미네이팅하거나, 또는 기재와의 분리 공정 없이 기재 위에 형성된 광추출층을 지지층과 대면시킨 후 열전사 등의 전사 공정을 통해 지지층 위로 전사하는 방법으로 실시될 수 있다.

상기 라미네이팅 공정시 디스플레이소자에서의 빛 투과 방향을 고려하여 광추출층의 저굴절율 면측에 지지층을 위치시키는 것이 바람직할 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 디스플레이 기판의 제조방법은, 경화공정시 폴리이미드의 분포차이에 따른 굴절율 기울기 형성이 가능한 상기 광추출층 형성용 조성물을 사용함으로써, 1회 도포 및 경화공정으로 두께방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 형성할 수 있다.

또한 상기와 같은 방법에 의해 제조된 디스플레이 기판은 두께 방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 포함함으로써 디스플레이 소자에 적용시 광추출층 내에서의 굴절율의 급격한 변화를 없애 빛이 외부로 나갈 때 생기는 전반사를 줄여 디스플레이 소자의 휘도 특성을 개선시킬 수 있다. 또한 상기 디스플레이 기판은 우수한 가요성을 가져 플렉서블 디스플레이 소자, 특히 플렉서블 유기전계발광소자에 유용하다.

이에 따라 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기한 디스플레이 기판을 포함하는 디스플레이 소자가 제공될 수 있다.

구체적으로, 상기 디스플레이 소자는 플렉서블 유기전계발광소자일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 플렉서블 유기전계발광소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면 구조도이다. 도 1은 본 발명을 설명하기 위한 일례일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

이하 도 1을 참조하여 상세히 설명하면, 상기 유기전계발광소자(100)는 지지층(10a) 및 상기 지지층의 배면에 위치하며, 두께 방향으로 굴절율 기울기가 형성된 광추출층(10b)을 포함하는 기판(10); 상기 기판에서의 광추출층(10b)의 배면에 위치하며, 인듐주석산화물(ITO) 등을 포함하는 투명전극(20); 상기 투명전극의 배면에 위치하며 유기 화합물을 포함하는 발광부(30); 그리고 상기 발광부의 배면에 위치하며, 알루미늄(Al) 등의 금속을 포함하는 금속전극(40)을 포함할 수 있다.

상기 유기전계발광소자(100)는 기판(10)으로서 상기한 방법에 따라 제조된 기판을 포함하는 것을 제외하고는 통상의 유기전계발광소자와 동일한 바, 본 명세서에서 상기 유기전계발광소자의 각 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

다만, 상기 유기전계발광소자(100)의 광추출층(10b) 내에 형성되는 굴절율 기울기는 유기전계발광소자를 투과하는 빛의 투과 방향을 따라 감소하는 것이 바람직하다.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 디스플레이 소자는 두께방향으로 굴절율 기울기를 갖는 기판을 포함하여, 광추출층 내에서의 굴절율의 급격한 변화를 없애 빛이 외부로 나갈 때 생기는 전반사를 감소시키고, 그 결과로 디스플레이 소자의 휘도 특성을 개선시킬 수 있다.

이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

10 기판 10a 지지층
10b 광추출층 20 투명전극층
30 발광부 40 금속전극층
100 유기전계발광소자

Claims (8)

1. 굴절율이 서로 다른 제1폴리이미드 및 제2폴리이미드의 전구체를 포함하는 광추출층 형성용 조성물을 기재의 일면에 두께가 10 내지 60㎛이 되도록 도포한 후 경화시켜, 상기 제1 및 제2폴리이미드의 분포 차이로 인해 두께 방향으로 굴절율 기울기를 갖는 광추출층을 형성하는 단계, 그리고
   상기 광추출층을 기재로부터 분리하는 단계
   를 포함하는 디스플레이 기판의 제조방법.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 광추출층의 굴절률은 두께 방향으로 1.4 내지 2의 범위에서 점진적으로 증가 또는 감소하는 것인 디스플레이 기판의 제조방법.
4. 제3항에 있어서,
   상기 광추출층의 일면에 지지층을 더 포함하는 디스플레이 기판의 제조방법.
5. 삭제
6. 제1항에 있어서,
   상기 경화 공정은 열처리에 의해 실시되는 것인 디스플레이 기판의 제조방법.
7. 제1항에 따른 방법으로 제조된 디스플레이 기판을 포함하는 디스플레이 소자.
8. 제7항에 있어서,
   상기 디스플레이 소자는 플렉서블 유기전계발광소자인 디스플레이 소자.

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