KR101724996B1 - Metal substrate and Mask using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예는 금속판과 이를 이용하여 구현하는 증착효율성을 극대화한 증착용마스크에 대한 것으로, 증착용 마스크로 제조하기 위해 금속판을 에칭하는 경우 발생하는 비틀림 현상을 최소화할 수 있는 비틀림 지수(Hr)를 구비한 금속판과 증착용마스크를 제공할 수 있도록 한다.An embodiment of the present invention relates to a metal plate and an evaporation mask that maximizes deposition efficiency realized by using the metal plate, and more particularly, to a torsion index (Hr) capable of minimizing a twisting phenomenon occurring when a metal plate is etched to fabricate an evaporation mask ) And a vapor deposition mask can be provided.
Description
본 발명의 실시예는 금속판과 이를 이용하여 구현하는 증착효율성을 극대화한 증착용마스크에 대한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a metal plate and a vapor deposition mask which maximizes deposition efficiency realized by using the metal plate.
유기 EL 발광소자로 이루어진 유기 EL 칼라 디스플레이등의 제조 공정에서는, 유기 재료로 이루어진 유기층이 진공 증착에 의해 형성되어 이때, 유기층의 패턴에 맞추어 재료를 투과시키기 위한 복수의 투과구멍이 설치된 증착용 마스크가 사용되고 있다. 일반적으로, 증착용 마스크를 구성하는 투과구멍의 경우, 금속 박막에 포토레지스트 막을 사용해 패턴 노광한 후 에칭을 베푸는 포토에칭법이나, 유리 원반에 원하는 패턴으로 전기 도금을 실시한 후 박리하는 전기주조법에 의해 형성할 수 있다.In the manufacturing process of an organic EL color display including an organic EL light emitting device, an organic layer made of an organic material is formed by vacuum evaporation, and an evaporation mask provided with a plurality of through holes for transmitting a material in accordance with a pattern of the organic layer . Generally, in the case of a through hole constituting a mask for vapor deposition, by a photoetching method in which a metal thin film is subjected to pattern exposure using a photoresist film and then etching is performed, or an electroforming method in which electroplating is performed in a desired pattern on a glass master plate, .
종래의 증착 마스크는 통상 메탈 마스크(Metal mask)로 구현되며, 이는 증착을 위한 투과 구멍(Open Area)만을 정확하게 구현하는 것에 집중되어 있다. 그러나 이러한 방식으로는 증착의 효율과 증착이 이루어지지 않는 영역(Dead Space)을 줄이는 부분에서는 큰 효용을 보이지 못하고 있다.Conventional deposition masks are typically implemented with a metal mask, which is focused on precisely implementing only the open area for deposition. However, this method does not show a great effect in terms of the efficiency of deposition and the reduction of dead space.
특히, 증착 마스크 자체가 매우 얇은 두께의 금속판으로 구현되는데, 이러한 금속판은 다수의 관통공을 구비하게 제작되는바, 제작 이후에 기판의 비틀림 현상이 많아져 증착의 균일도를 떨어뜨리게 되는 치명적인 결함으로 작용하고 있다.Particularly, the deposition mask itself is embodied as a very thin metal plate. Such a metal plate is manufactured to have a plurality of through holes, which may result in a tortuous phenomenon of the substrate after fabrication, resulting in a fatal defect which reduces the uniformity of deposition. .
본 발명의 실시예들은, 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 특히 증착용 마스크로 제조하기 위해 금속판을 에칭하는 경우 발생하는 비틀림 현상을 최소화할 수 있는 금속판을 제공할 수 있도록 한다. 나아가, 이러한 금속판을 바탕으로 다수의 증착용 단위홀을 구비하는 증착용마스크를 구현할 수 있도록 한다.Embodiments of the present invention have been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a metal plate capable of minimizing a twisting phenomenon occurring when a metal plate is etched to fabricate a mask. In addition, based on the metal plate, an evaporation mask having a plurality of evaporation unit holes can be realized.
또한, 증착용 마스크의 단위홀의 러프니스를 제어하여 증착효율을 높일 수 있도록 한다.Further, the roughness of the unit hole of the deposition mask is controlled to increase the deposition efficiency.
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 실시예에서는, 두께를 가지는 베이스 금속판; 상기 베이스 금속판은 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비하며, 상기 베이스 금속판의 임의의 지점에 30mm*180mm(가로*세로)로 채취한 샘플 금속판의, 양측말단에서 내측으로 10mm를 남기고 그 내부에 대해 상기 두께의 2/3~1/2두께로 에칭한 에칭영역을 구현하며, 상기 샘플 금속판을 수평대상면에 거치하는 경우, 상기 샘플 금속판의 비틀림 지수(Hr)가 다음의 관계를 충족하는 금속판을 제공할 수 있도록 한다.As means for solving the above-mentioned problems, in the embodiment of the present invention, a base metal plate having a thickness; Wherein the base metal plate has a first surface and a second surface which are perpendicular to each other in the thickness direction and are opposed to each other, and a sample metal plate 30 mm * 180 mm (width * length) Wherein the etching region is etched to a thickness of 2/3 to 1/2 of the thickness of the inner surface of the sample metal plate while leaving 10 mm inward from the end of the sample metal plate and the tilt index of the sample metal plate Hr) can provide a metal plate satisfying the following relationship.
{식 1}{1}
Hr = {(H1 - Ha)2 +(H2 - Ha)2 + (H3 - Ha)2 + (H4 - Ha )2}1/2 Hr = {(H1 - Ha) 2 + (H2 - Ha) 2 + (H3 - Ha) 2 +
{식 2}{Equation 2}
Ha = (H1 + H2 + H3 + H4 )/4 Ha = (H1 + H2 + H3 + H4) / 4
(Ha는 상기 샘플 금속판 4모서리가 수평대상면에서 이격되는 거리(H1, H2, H3, H4)의 평균 이격거리로 정의한다.(Ha is defined as an average distance of distances (H1, H2, H3, H4) at which the edges of the sample metal plate 4 are spaced from the horizontal object plane.
또한, 상술한 금속판을 이용하여 다수의 증착용 단위홀을 구비하는 증착마스크를 제공할 수 있도록 한다.Further, it is possible to provide a deposition mask having a plurality of deposition unit holes by using the metal plate.
본 발명의 실시예에 따르면, 증착용 마스크로 제조하기 위해 금속판을 에칭하는 경우 발생하는 비틀림 현상을 최소화할 수 있는 금속판을 제공할 수 있는 효과가 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a metal plate capable of minimizing a twisting phenomenon that occurs when a metal plate is etched to fabricate an evaporation mask.
특히, 상술한 본 발명의 실시예에 따른 금속판을 이용하여 다수의 증착용 단위홀을 구비하는 증착용 마스크를 구현하는 경우, 증착용 마스크 자체의 비틀림 현상을 현저하게 줄일 수 있어, 증착의 균일도 및 증착효율을 극대화할 수 있는 효과도 있다.Particularly, when the vapor deposition mask having a plurality of vapor deposition unit holes is implemented using the metal plate according to the embodiment of the present invention, the twisting phenomenon of the vapor deposition mask itself can be remarkably reduced, There is an effect that the deposition efficiency can be maximized.
나아가, 본 발명이 다른 실시예에 따르면, 상술한 본 발명의 실시예에 따른 금속판을 이용하여 다수의 증착용 단위홀을 구비하는 증착용 마스크를 구현하는 경우, 단위홀의 내주면의 표면조도를 제어하여 증착의 효율성 및 균일도(uniformity)를 높일 수 있는 효과도 있다.Further, according to another embodiment of the present invention, when the vapor deposition mask having a plurality of vapor deposition unit holes is implemented using the metal plate according to the above-described embodiment of the present invention, the surface roughness of the inner peripheral surface of the unit holes is controlled The efficiency and uniformity of the deposition can be increased.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 금속판의 특징을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 증착공정 및 증착마스크의 적용공정을 설명하기 위한 개념도이다.
도 4는 제1실시예에서 상술한 금속판을 이용하여 증착용 마스크를 구현하는 경우, 증착용마스크의 요부 단면도를 도시한 것이다.
도 5 및 도 6은 조도의 개념을 설명하기 위한 그래프이다.
도 7 및 도 8은 도 4의 제1면공의 모습의 실제 이미지를 도시한 것이다.
도 9은 직진도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 10은 도 4의 구조에서 본 발명의 실시예에 따른 증착용 마스크의 제2면의 평면도이며, 도 11는 도 4의 구조에서 증착용 마스크의 제1면의 평면도를 도시한 것이다.
도 12는 도 11의 구조의 변형예를 도시한 것이다.
도 13 내지 도 18은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 개념도이다.1 and 2 are conceptual diagrams for explaining features of a metal plate according to an embodiment of the present invention.
3 is a conceptual diagram for explaining the deposition process and the application process of the deposition mask.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of a vapor deposition mask when the vapor deposition mask is implemented using the metal plate described in the first embodiment.
5 and 6 are graphs for explaining the concept of roughness.
Figs. 7 and 8 show an actual image of the appearance of the first face plate of Fig.
9 is a graph for explaining straightness.
FIG. 10 is a plan view of a second surface of the deposition mask according to the embodiment of the present invention in the structure of FIG. 4, and FIG. 11 is a plan view of the first surface of the deposition mask in the structure of FIG.
Fig. 12 shows a modification of the structure of Fig.
13 to 18 are conceptual diagrams for explaining an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Hereinafter, the configuration and operation according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
1. 제1실시예1. First Embodiment
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 금속판은 두께를 가지는 베이스 금속판의 에칭 가공으로 관통공을 형성하여 증착용마스크를 제작하는 금속판을 구현할 수 있도록 하며, 특히 금속판이 국부개소 또는 전체적으로 비틀리는 현상을 최소화할 있는 금속판을 구현할 수 있도록 한다.FIG. 1 and FIG. 2 illustrate a metal plate according to an embodiment of the present invention, which can form a through hole by etching a base metal plate having a thickness to form a vapor deposition mask. Particularly, So that a metal plate having a minimized phenomenon can be realized.
이를 위해, 본 발명의 제1실시예에 따른 금속판은, 도 1에 도시된 것과 같이, 전체적으로 일정 두께를 가지는 베이스 금속판에 대해, 샘플 금속판을 추출하고, 이 샘플 금속판(200)에 대해 에칭이 가해지는 에칭영역(210)과 미에칭영역(220)으로 구현될 수 있다.(이하에서는, 베이스 금속판에 대하여 에칭을 위해 채취한 기판을 '샘플 금속판'으로, 베이스 기판에서 채취한 기판 중 에칭을 가하지 않은 기판을 '단위 금속판'으로 정의한다.) To this end, the metal plate according to the first embodiment of the present invention has a structure in which, as shown in FIG. 1, a sample metal plate is extracted with respect to a base metal plate having a predetermined thickness as a whole and the
이 경우, 상기 베이스 금속판은 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비한다. 이러한 베이스 금속판에 대해, 상기 베이스 금속판의 임의의 지점에 30mm*180mm(가로*세로)로 채취한 샘플 금속판 (200)의, 양측말단에서 내측으로 10mm를 남기고(220부분) 그 내부에 대해 상기 두께의 2/3~1/2두께로 에칭한 에칭영역(210)을 구현하며, 이후, 상기 샘플 금속판을 수평대상면에 거치하는 경우, 에칭이 이루어진 샘플 금속판의 비틀림 지수(Hr)가 다음의 관계를 충족한다.In this case, the base metal plate has a first surface and a second surface which are orthogonal to the thickness direction and face each other. With respect to the base metal plate, a
{식 1}{1}
Hr = {(H1 - Ha)2 +(H2 - Ha)2 + (H3 - Ha)2 + (H4 - Ha)2}1/2 Hr = {(H1 - Ha) 2 + (H2 - Ha) 2 + (H3 - Ha) 2 +
{식 2}{Equation 2}
Ha = (H1 + H2 + H3 + H4)/4 Ha = (H1 + H2 + H3 + H4) / 4
(Ha는 에칭된 샘플 금속판의 4개의 모서리가 수평대상면에서 이격되는 거리(H1, H2, H3, H4)의 평균 이격거리로 정의한다.)(Ha is defined as the average distance of distances (H1, H2, H3, H4) at which the four edges of the etched sample metal plate are spaced from the horizontal object plane.)
구체적으로 도 1 및 도 2, 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 금속판의 특성을 설명하면 다음과 같다. Specifically, the characteristics of the metal plate according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3. FIG.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 금속판을 이용하여 제작되는 증착용 마스크는, OLED의 유기층의 형성을 구현하는 마크스 구조물로, 증착물질을 제공하는 증착 소스(S;Suorce) 글라스와 같은 기재(G) 상에 증착 타켓(T)을 구현할 수 있도록 한다. 이 경우, 상기 증착용 마스크(M;100)는 다수의 단위홀을 구비하는 구조로 구현된다. 일반적으로, OLED 증착시 증착 균일도 향상을 위해서는, 증착용마스크가 균일한 상태로 증착 공정 동안 유지되어야 한다. 3, an evaporation mask manufactured using a metal plate according to an exemplary embodiment of the present invention is a Marks structure that realizes the formation of an organic layer of an OLED. The evaporation source S (Suorce) So that the deposition target (T) can be implemented on the same substrate (G). In this case, the deposition mask (M) 100 is implemented with a structure having a plurality of unit holes. Generally, to improve deposition uniformity during OLED deposition, the deposition mask must be maintained in a uniform state during the deposition process.
그러나, 기본적으로 증착용 마스크를 제작하는 과정에서 다수의 증착홀을 형성하기 위해 금속판을 에칭하는 경우, 두께가 매우 얇아지게 되며, 여기에 다수의 증착홀을 구현하게 되면, 제작되는 증착용마스크는 쉽게 비틀려지게 되어, 도 3과 같은 배치 구조에서 증착의 균일도를 확보할 수 없게 된다.However, when a metal plate is etched to form a plurality of deposition holes in the process of fabricating a deposition mask, the thickness becomes very thin. When a plurality of deposition holes are realized, The uniformity of the deposition can not be ensured in the arrangement structure as shown in FIG.
이에 본 발명의 실시예에서는, 금속판이나 금속판 에칭시에 발생하는 비틀림을 최소화할 수 있도록 하는 금속판을 제공할 수 있도록 한다. 본 발명의 금속판의 제조공정은, 베이스 금속판을 30mm X 180mm로 샘플 금속판을 채취한다. Therefore, in the embodiment of the present invention, it is possible to provide a metal plate capable of minimizing the twisting occurring at the time of etching a metal plate or a metal plate. In the manufacturing process of the metal plate of the present invention, a sample metal plate is taken as a base metal plate with a size of 30 mm x 180 mm.
이후, 상기 샘플 금속판에 대해 180mm 장축의 양쪽 10mm 남겨두고 1/2~2/3 에칭한다. 이후, 에칭이 이루어진 샘플 금속판을 수평도가 확보된 평면, 이를 테면 정반과 같은 대상 위에 상기 샘플 금속판을 배치하는 경우, 정반의 수평대상면 기준면에서 상기 샘플 금속판의 네 모서리가 이격되는 높이인 H1, H2, H3, H4를 측정한다. Thereafter, the sample metal plate is etched by 1/2 to 2/3, leaving 10 mm on both sides of the 180 mm long axis. When the sample metal plate on which the etching has been performed is placed on a plane such as a base plate having a horizontal level, a sample metal plate having a height H1 at which the four corners of the sample metal plate are spaced apart from the reference plane of the horizontal plane, H2, H3 and H4 are measured.
이 경우, 상기 샘플 금속판의 네 모서리가 이격되는 높이인 H1, H2, H3, H4가 '0' 초과인 경우, 이 상태를 샘플 금속판이 '비틀렸다(twist)'고 정의하며, 이러한 비틀림 정도를 상술한 식 1과 같은 지수화한 것을 비틀림 지수(Hr)로 정의한다.In this case, it is defined that the sample metal plate is 'twisted' when H1, H2, H3, and H4, which are the heights at which the four corners of the sample metal plate are spaced apart, are greater than '0' The index obtained by the above equation 1 is defined as a torsion index Hr.
따라서, 샘플 금속판의 비틀림 지수(Hr)가 커질수록 기판의 비틀림 정도가 심하게 되며, 본 발명이 실시예에서는, 베이스 금속판의 임의의 지점에서의 동일한 사이즈(30mm×180mm)로 추출한 미에칭 샘플 금속판 (이하, '단위 금속판'이라 한다.)과, 에칭을 가한 샘플 금속판의 비틀림 지수를 비교하는 경우, 에칭을 가한 샘플 금속판의 비틀림 지수가 미에칭 샘플 금속판의 비틀림 지수보다 크게 형성되게 된다. Therefore, as the twist index Hr of the sample metal plate becomes larger, the degree of twisting of the substrate becomes greater. In the embodiment of the present invention, the unetched sample metal plate ((Hx)) extracted at an arbitrary point of the base metal plate (30 mm x 180 mm) The torsion index of the sample metal sheet to which the etching is applied is formed to be larger than the twist index of the unetched sample metal sheet when the twist index of the sample metal sheet to which etching is applied is compared.
즉, 상술한 상기 베이스 금속판의 임의의 지점에 대해 30mm×180mm(가로×세로)로 채취한 미에칭 샘플 금속판(단위 금속판)을 수평대상면에 거치하고, 상기 기판(T1)의 4개의 모서리 지점에 대해 얻어지는 상기 {식 1} 및 {식 2}에 따른 비틀림 지수(Hr(T1))가, 상기 베이스 금속판에서 채취하여 에칭을 가한 샘플 금속판(T2)의 비틀림 지수(Hr(T2) 이하로 구현할 수 있도록 하며, 이는 아래의 식으로 표현할 수 있다.That is, a unetched sample metal plate (unit metal plate) collected at a predetermined position of the above-mentioned base metal plate with a size of 30 mm x 180 mm (width x length) is placed on a horizontal object surface, and four edge points (Hr (T1)) of the sample metal plate (T2) obtained from the base metal plate and subjected to etching is equal to or less than the twist index (Hr (T2)) of the sample metal plate , Which can be expressed by the following equation.
{식 3}{Equation 3}
Hr(T1) ≤ Hr(T2)Hr (T1)? Hr (T2)
특히, 본 발명의 실시예에서는, 이러한 상기 샘플 금속판의 비틀림 지수가 10 이하로 구현될 수 있다. 이를 테면, 베이스 기판의 두께가 20㎛ 인 경우, 샘플 금속판을 추출하여 에칭을 수행하고, 에칭을 수행한 샘플 금속판의 4 개의 모서리 부분이 수평면에 대해 10㎛ 이하를 구현하게 된다. 즉, 에칭이 가해진 상기 샘플 금속판의 비틀림 지수가 10 이하로 구현될 수 있으며, 바람직하게는 0.2~7, 또는 0.5~5의 범위로 구현될 수 있다. 이러한 샘플 금속판의 비틀림 지수를 10 이하로 구현하면, 최종 증착용 마스크의 제조시 비틀림 현상을 방지할 수 있으며, OLED 증착시 좌우 편차가 줄어들어 증착균일도를 높일 수 있게 된다.In particular, in the embodiment of the present invention, such a twist index of the sample metal plate can be realized to be 10 or less. For example, when the thickness of the base substrate is 20 μm, the sample metal plate is extracted and etched, and the four corner portions of the sample metal plate subjected to etching are realized to be 10 μm or less with respect to the horizontal plane. That is, the twist index of the sample metal sheet to which the etching is applied can be realized to be 10 or less, preferably 0.2 to 7, or 0.5 to 5. When the twist index of the sample metal plate is set to 10 or less, twisting phenomenon can be prevented in manufacturing the final evaporation mask, and deviation in the left and right direction can be reduced during the deposition of the OLED, thereby improving the uniformity of deposition.
본 발명의 실시예에 따른 샘플 금속판의 비틀림 지수를 10 이하로 구현하기 위해서는, 모재의 상태에서 금속판을 구현하는 과정에서 냉각공정과 압연공정을 수행하는 것을 통해 형성할 수 있도록 한다. 일단 모재의 상태에서 10~20℃의 온도로 냉각공정을 진행하고, 이후 압연을 구현하는 경우, 원하는 두께의 금속판을 구현하기 위해 압연공정을 구현하게 되며, 이 경우 압연의 정도가 중요하며, 이 경우 압연율은 모재의 임의 지점의 단위부피(1mm3)의 2/3~1/5 비율로 구현될 수 있도록 한다.In order to realize the twist index of the sample metal plate according to the embodiment of the present invention of 10 or less, the metal plate may be formed through the cooling process and the rolling process in the process of embodying the metal plate. Once the cooling process is carried out at a temperature of 10 to 20 ° C in the state of the base material and rolling is then realized, a rolling process is implemented to realize a metal sheet of desired thickness. In this case, the degree of rolling is important, The rolling rate can be realized at a ratio of 2/3 to 1/5 of the unit volume (1 mm 3 ) of any point of the base material.
도 2는 상술한 본 발명의 실시예에 따른 베이스 금속판(200)에서 샘플 금속판을 채취하고 에칭한 경우의 비틀림 지수를 설명하기 위한 도면으로, 도시된 것과 같이, 상기 샘플 금속판은 수평대상면(ST)에 대하여 4개의 모서리 부위가 떨어지게 되며, 이러한 이격거리(H1~H4)는 적어도 하나는 다른 길이를 가지게 된다. 즉, 샘플 금속판의 단축방향에서 인접하는 H1과 H2, 또는 H3와 H4가 서로 상이할 수 있다.FIG. 2 is a view for explaining a twist index when a sample metal plate is sampled and etched in the
상술한 본 발명의 실시예에 따른 금속판의 경우, 상기 금속판의 에칭영역의 제1면과 제2면을 관통하며, 상호간에 연통하는 제1면공 및 제2면공을 가지는 단위홀을 다수 포함하는 증착용마스크로 구현될 수 있다. 특히, 이렇게 구현되는 증착용마스크는 마스크의 비틀림이 현저하게 감소하여 증착의 신뢰성을 구현할 수 있게 된다.In the case of the metal plate according to the above-described embodiment of the present invention, a plurality of unit holes having a first face hole and a second face hole communicating with each other and passing through the first and second faces of the etching region of the metal plate, Wear mask. In particular, the vapor deposition mask implemented in this manner can significantly reduce the twist of the mask, thereby realizing the reliability of the deposition.
2. 제2실시예2. Second Embodiment
도 4는 제1실시예에서 상술한 금속판을 이용하여 증착용 마스크를 구현하는 경우, 증착용마스크의 요부 단면도를 도시한 것이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of a vapor deposition mask when the vapor deposition mask is implemented using the metal plate described in the first embodiment.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 증착용마스크는 도 4에 도시된 구조와 같이, 두께를 가지며 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비하는 금속판을 구비하고, 상기 제1면 및 제2면을 관통하며, 상호간에 연통하는 제1면공(110) 및 제2면공(130)을 가지는 단위홀을 다수 포함하여 구성된다. 이 경우, 제1면공(110) 및 제2면공(130)은 상호 연통되는 부분인 경계부(120)를 공유하여 연통된다. 이러한 단위홀은 다수 개가 마련되는 구조로 구현될 수 있다.4, the vapor deposition mask according to the present embodiment includes a metal plate having a thickness and having a first surface and a second surface which are orthogonal to the thickness direction and are opposed to each other, And a plurality of unit holes each having a first face hole (110) and a second face hole (130) passing through the first and second faces and communicating with each other. In this case, the
특히, 이 경우 상기 증착용마스크에 구현되는 상기 단위홀은, 상기 제1면(112)의 표면조도인 제3조도(Ra3)가 가지는 조도 값 이하의 조도값을 가지도록 할 수 있다. 즉, 제3조도(Ra3)를 기준으로, 상기 제1내측면의 제1조도(Ra1)나 상기 제2면공의 내측면인 제2내측면(131)의 제2조도(Ra2) 값이 더 작게 형성될 수 있도록 한다.[Ra3≥(Ra2 또는 Ra1)]Particularly, in this case, the unit hole formed in the vapor deposition mask may have an illuminance value equal to or lower than the illuminance value of the third illuminance Ra3, which is the surface illuminance of the
나아가, 상기 제2면공의 내측면인 제2내측면(131)의 제2조도(Ra2)가 상기 제1면공(110)의 내측면인 제1내측면(111)의 제1조도(Ra1) 이상의 값을 가지도록 형성할 수 있다.[Ra2≥Ra1]The second roughness Ra2 of the second
이는, 금속재질(Metal Mask)로 구현되는 본 증착용마스크의 표면에 조도가 일정량 이상이면 증착마스크 제작시 증착을 위한 홀인 단위홀의 직진도(도 7의 라인 러프니스)에 영향을 주어 유기물 증착이 좋지 않으며, OLED등 유기물 증착후 세정시에 세정력이 저하되어 증착마스크의 수명이 단축되게 된다.This is because, if the surface roughness of the mask is increased by a certain amount or more, the linearity of the unit hole (the line roughness in FIG. 7), which is a hole for deposition, And the cleaning power is lowered when cleaning organic substances such as OLED after cleaning, thereby shortening the life of the deposition mask.
본 실시예에서는, 상기 제1내측면의 산술평균조도(Ra1) 및 상기 제2내측면의 산술평균조도(Ra2)가 1.0㎛ 이하로 구현될 수 있도록 한다. 또는, 이 범위 내에서 상기 제1내측면, 상기 제2내측면, 상기 제1면의 산술평균조도(Ra)는 0.08~0.5㎛이하, 0.15~0.3㎛ 이하로 구현되는 경우 더욱 신뢰성 있는 증착효율을 구현할 수 있게 된다.In this embodiment, the arithmetic mean roughness Ra1 of the first inner side surface and the arithmetic mean roughness Ra2 of the second inner side surface can be realized to be 1.0 占 퐉 or less. Alternatively, when the arithmetic mean roughness (Ra) of the first inner side surface, the second inner side surface, and the first surface is within a range of 0.08 to 0.5 탆 and 0.15 to 0.3 탆 or less within this range, a more reliable deposition efficiency . ≪ / RTI >
이 경우, 산술평균조도(Ra)는 도 5에 도시된 것과 같이, 중심선 표면 거칠기(Roughness Average, Ra), CLA(Center Line Average), AA(Arith Metic Average)라고도 표현하며, 한 기준길이 내의 표면의 산과 골의 높이와 깊이를 기준선을 중심으로 평균하여 얻어지는 값으로 정의한다. 즉, 도 5의 그래프와 같이, 거칠기를 측정하는 표면의 기준이 되는 기준선(중심선)을 기준으로, 거칠기의 정도를 표시하고, 이를 산술평균으로 구현한 것이다. In this case, the arithmetic mean roughness Ra is also referred to as a roughness average (Ra), a center line average (CLA) and an arithmetic average (AA), as shown in FIG. 5, Is defined as a value obtained by averaging the height and the depth of the mountain and the valley of the reference line around the reference line. That is, as shown in the graph of FIG. 5, the degree of roughness is displayed on the basis of a reference line (center line) serving as a reference of the surface for measuring roughness, and this is implemented as an arithmetic average.
나아가, 본 발명의 실시예에서의 다른 측면에서는, 증착용 마스크에서의 상기 제1내측면, 상기 제2내측면, 상기 제1면 중 적어도 하나의 10점 평균조도(Rz)값이 3.0㎛ 이하로 구현될 수 있도록 한다. 나아가, 이 범위 내에서의 상기 제1내측면, 상기 제2내측면, 상기 제1면 중 적어도 하나의 10점 평균조도(Rz)값은 2.5 이하, 1.5~2.5 이하로 구현하여 더욱 신뢰성 있는 증착효율을 구현할 수 있다. 이 경우, '10점 평균조도(Rz)'는 도 6에 도시된 것과 같이, 거칠기의 측정 대상이 되는 표면의 기준표면의 기준선을 기준으로, 10개의 지점의 표면거칠기(Ten Point Height of Irregularities, Rz)를 의미한다.Further, in another aspect of the embodiment of the present invention, at least one of the first inner side surface, the second inner side surface, and the first surface in the vapor deposition mask has a ten-point average roughness Rz of 3.0 m or less As shown in FIG. Further, the 10-point average roughness (Rz) value of at least one of the first inner surface, the second inner surface, and the first surface within this range is 2.5 or less and 1.5 to 2.5 or less, Efficiency can be realized. In this case, as shown in FIG. 6, the '10 point average roughness (Rz)' is obtained by dividing the surface roughness (Ten Point Height of Irregularities) of 10 points based on the reference line of the reference surface of the surface, Rz).
나아가, 본 발명의 실시예에 따른 증착용마스크는, 도 4에서 상술한 단위홀의 외경의 라인러프니스(Line Roughness), 이른바 '단위홀의 직진도'가 1.5㎛로 구현될 수 있도록 한다. 단위홀의 외경의 라인러프니스(Line Roughness) 즉, 직진도란 측정하고자 하는 홀의 외경의 중심점에서 직선을 그어 기준선(중심선)으로 하고, 이 중심선을 기준으로 어느 한쪽방향으로 벗어난 척도로, 중심선에서 가장 멀리 벗어난 거리를 직진도로 표현한다.Further, the vapor deposition mask according to the embodiment of the present invention can realize a line roughness of the outer diameter of the unit hole described in FIG. 4, that is, a so-called straightness of the unit hole of 1.5 μm. Line Roughness of Outer Diameter of Unit Hole In other words, linear straight line is drawn from the center point of the outer diameter of a hole to be measured to be a reference line (center line), and the distance from the center line Express the distance off the straight line.
본 발명의 실시예에서 이 직진도를 측정한 것을 도 7 내지 도 9를 들어 설명하기로 한다. 도 7 및 도 8은 도 4의 제1면공의 모습의 실제 이미지를 도시한 것으로, 이를 참조하면, 제1면공의 개구부의 단축과 장축을 각각, x, y라고 하고, 장축인 y축에 한해서 측정되어지는 y축의 총길이를 1/2로 구분하고, 그 중심을 y2라고 할 경우, y2로부터 좌우 1.5㎛, 총 3㎛ 범위에서 개구부의 외경 라인의 러프니스를 측정한다. 이 경우 측정하는 범위는 3㎛를 넘지 않도록 하며, 3㎛의 범위 내에서 직진도가 본 발명의 실시예에 따른 증착용마스크는 1.5㎛ 이하로 구현될 수 있도록 한다. 즉, 측정 범위 3㎛에서 직진도를 1.5㎛ 이하로 구현할 수 있도록 한다.The measurement of this straightness in the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7 through FIG. 9. FIG. FIGS. 7 and 8 show an actual image of the first face plate of FIG. 4. Referring to FIG. 7, the short axis and the long axis of the opening of the first face hole are denoted by x and y, respectively, The total length of the y-axis to be measured is divided by ½, and the center of the y-axis is defined as y2. The roughness of the outer diameter line of the opening is measured in the range of 3 탆 to the left and 1.5 탆 from y2. In this case, the measurement range should not exceed 3 mu m, and straightness within the range of 3 mu m may be realized to be 1.5 mu m or less in the deposition mask according to the embodiment of the present invention. That is, it is possible to realize straightness at 1.5 m or less at a measurement range of 3 mu m.
3. 제3실시예3. Third Embodiment
이하에서는 상술한 제1실시예의 금속판을 적용하여 구현될 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 증착용마스크의 특징을 구현한 다른 실시예를 설명하기로 한다. 물론, 이하의 실시예에서는 상술한 제1실시예의 금속판을 적용할 수 있으며, 상술한 제2실시예의 특징이 부가되는 구조로 구현될 수 있음은 물론이다. 다만, 이하의 설명에서는 본 발명의 제3실시예의 특징적인 부분만을 독립적으로 구현하는 것을 예로 설명하기로 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention in which features of the vapor deposition mask according to the embodiment of the present invention, which can be implemented by applying the metal plate of the first embodiment described above, will be described. Needless to say, the metal plate of the first embodiment can be applied to the following embodiments, and the structure of the second embodiment may be added. However, in the following description, it is assumed that only the characteristic parts of the third embodiment of the present invention are independently implemented.
본 제3실시예의 특징은 도 4의 증착용마스크의 단면도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는, 도 4에 도시된 구조와 같이, 두께를 가지며 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비하는 금속판을 구비하고, 상기 제1면 및 제2면을 관통하며, 상호간에 연통하는 제1면공(110) 및 제2면공(130)을 가지는 단위홀을 다수 포함하여 구성된다. 이 경우, 제1면공(110) 및 제2면공(130)은 상호 연통되는 부분인 경계부(120)를 공유하여 연통된다. 이러한 단위홀은 다수 개가 마련되는 구조로 구현될 수 있으며, 특히 본 발명의 실시예에서는, 서로 이웃하는 단위홀 들간의 제1면공 또는 제2면공의 크기편차가 임의의 단위홀간 크기 편차를 기준으로 2%~10% 이내로 구현될 수 있도록 한다.The characteristics of the third embodiment will be described with reference to the cross-sectional view of the deposition mask of FIG. That is, the
이 경우, 서로 이웃하는 하는 단위홀들 간의 크기 편차는, 상기 제1면공들간, 그리고 상기 제2면공들 간에 상호 이웃하는 것들과의 직경의 차이를 기준으로 비교할 수 있다.In this case, the size deviation between neighboring unit holes can be compared based on the difference in diameter between the first face holes and the mutually neighboring ones of the second face holes.
이러한 구조를 도 10 및 도 11을 들어 설명하면, 도 10은 도 4의 구조에서 본 발명의 실시예에 따른 증착용 마스크의 제2면의 평면도이며, 도 11는 도 4의 구조에서 증착용 마스크의 제1면의 평면도를 도시한 것이다.10 is a plan view of the second face of the deposition mask according to the embodiment of the present invention in the structure of FIG. 4, and FIG. 11 is a plan view of the second face of the deposition mask in the structure of FIG. And FIG.
도 10을 참조하면, 제2면에 다수 구현되는 단위홀의 제2면공의 임의의 개체(이하, '기준홀'이라 한다.)의 수직방향의 직경(Cy)과 수평방향의 직경(Cx)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 홀 들(도시된 도면에서는 총 6개) 간의 각각의 수직방향의 직경(Cy) 들간의 편차가 2%~10% 이내로 구현될 수 있도록 한다. 또한, 상기 기준홀과 다른 인접홀의 수평방향의 직경(Cx)의 편차 역시 2%~10% 이내로 구현될 수 있도록 한다. 즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차를 2%~10% 범위로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있게 하는 장점이 구현된다. 10, the diameter Cy in the vertical direction and the diameter Cx in the horizontal direction of an arbitrary entity (hereinafter, referred to as a reference hole) of the second face hole of the unit hole, The deviation between the diameters Cy in the vertical direction between the holes adjacent to the reference hole (six in the drawing) can be realized within 2% to 10%. In addition, the deviation of the diameter Cx in the horizontal direction between the reference hole and the adjacent holes may be also within 2% to 10%. That is, when the size deviation between the adjacent holes of one reference hole is in the range of 2% to 10%, uniformity of the deposition can be ensured.
바람직하게는, 기준홀과 다른 인접홀의 수직방향의 직경(Cx)나 수평방향의 직경(Cx)의 편차가 4%~9% 이내로, 특히, 기준홀과 다른 인접홀의 수직방향의 직경(Cx)나 수평방향의 직경(Cx)의 편차를 5%~7% 이내로 구현하는 경우, 증착의 균일도는 더욱 높아지게 된다. 반대로, 모든 홀들의 크기가 동일하게 구현되는 경우에는 증착 후 OLED 패널에서 무아레(Morie) 발생율이 높아지게 되며, 상호 인접하는 홀간의 크기 편차가 기준홀을 기준으로 10%를 초과하는 정도로 구현되는 경우에는 증착 후의 OLED 패널에서 색얼룩의 발생율이 높아지게 된다.Preferably, the deviation (Cx) in the vertical direction and the diameter (Cx) in the horizontal direction of the reference hole and the adjacent holes are within 4% to 9% And the deviation of the diameter Cx in the horizontal direction is within 5% to 7%, the uniformity of the deposition becomes higher. On the contrary, when all the holes are formed in the same size, the generation rate of morae in the OLED panel after deposition becomes high. In the case where the size deviation between mutually adjacent holes is realized to the extent that it exceeds 10% The incidence of color unevenness in the OLED panel after deposition becomes high.
이는 도 11의 금속판의 제1면에 구현되는 제1면공의 경우에도 동일하게 적용되는 기준으로, 임의의 기준이 되는 제1면공의 수직방향의 직경(By)과 수평방향의 직경(Bx)과 이웃하는 인접 홀간의 직경 대비의 편차율이 2%~10% 이내로 구현될 수 있도록 한다. 나아가, 특히 바람직하게는, 4%~9% 이내 또는 5%~7% 이내로 구현될 수 있음은 상술한 바와 같다. 특히, 본 발명의 실시예에서는, 상기 기준홀과 이웃하는 홀간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현할 수 있도록 한다.The same applies also to the case of the first face hole formed on the first face of the metal plate of Fig. 11, in which the diameter (By) in the vertical direction and the diameter (Bx) in the horizontal direction of the first face- So that the deviation ratio of diameters between neighboring adjacent holes can be realized within 2% to 10%. Furthermore, particularly preferably, it can be realized within 4% to 9% or within 5% to 7% as described above. Particularly, in the embodiment of the present invention, the deviation in size between the reference hole and the neighboring hole can be realized within +/- 3 mu m.
일예로, 도 10에서 기준홀의 수직방향 직경(Cy)가 36㎛ 이고, 이웃하는 홀의 직경이 33㎛ 또는 39㎛로 편차가 ±3㎛인 경우, 기준홀 대비 직경의 편차율은 8.3%로 위 2%~10% 이내로 구현되어 증착효율이 높아지게 된다.For example, in FIG. 10, when the vertical diameter Cy of the reference hole is 36 占 퐉 and the diameter of neighboring holes is 33 占 퐉 or 39 占 퐉 and the deviation is 占 占 퐉, the deviation rate of the diameter relative to the reference hole is 8.3% 2% ~ 10%, and the deposition efficiency is increased.
다른 예로, 도 10에서 기준홀의 수평방향 직경(Cx)이 125㎛인 경우, 이웃하는 홀의 직경이 122㎛ 또는 128㎛인 경우, 기준홀 대비 직경의 편차율은 2.4%로 위 2%~10% 이내로 구현되어 증착효율이 높아지게 된다.10, when the diameter of the reference hole in the horizontal direction Cx is 125 占 퐉 and the diameter of the neighboring hole is 122 占 퐉 or 128 占 퐉, the deviation rate of the diameter of the reference hole with respect to the reference hole is 2.4% And the deposition efficiency is increased.
도 12는 도 11의 구조에서, 제2면에서 바라보는 제1면공(110)과 제2면공(130)의 평면도로, 상술한 홀간의 크기 편차를 산정하는 경우, 홀의 외주면의 임의의 돌기를 고려하는 경우, 제2면공의 외주면에서 중심방향으로 돌출되는 돌기의 폭(Y1) 또는 높이(X1)의 최대값이 20um 이하로 구현될 수 있도록 함이 바람직하다. 이러한 돌출 돌기는 증착시 필연적으로 발생하는 불량 구조에 해당하며, 본 발명의 실시예에서는 이러한 돌출돌기를 20um 이하의 범위로 구현하여 증착의 균일도를 확보할 수 있도록 한다. 특히 본 발명의 실시예에서는 상술한 돌출 돌기를 11㎛이하, 나아가 6㎛이하로 구현할 수 있도록 한다.FIG. 12 is a plan view of the
4. 제4실시예4. Fourth Embodiment
이하에서는, 도 4, 도 10, 도 11에서 상술한 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착용 마스크의 구조를 설명하기로 한다. 본 제4실시예의 구조는, 상술한 제3실시예의 특징을 동시에 구비할 수도 있음은 물론이다. 나아가, 이하의 실시예에서는 상술한 제1실시예의 금속판을 적용할 수 있으며, 상술한 제2실시예의 특징이 부가되는 구조로 구현될 수 있음은 물론이다. 다만, 이하의 설명에서는, 제4실시예의 특징적인 구조가 독립적으로 구현되는 것을 예로 하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of the vapor deposition mask according to another embodiment of the present invention described above with reference to FIGS. 4, 10, and 11 will be described. It is a matter of course that the structure of the fourth embodiment may be provided with the features of the third embodiment simultaneously. Furthermore, it is needless to say that the metal plate of the first embodiment can be applied to the following embodiments, and the structure of the second embodiment may be added. However, in the following description, it is assumed that the characteristic structure of the fourth embodiment is independently implemented.
본 제4실시예에 따른 증착용 마스크는, 도 4 및 도 13에 도시된 것과 같이, 두께를 가지는 금속판을 구비하고, 이 금속판에 제1면 및 제2면을 관통하며, 상호간에 연통하는 제1면공 및 제2면공을 가지는 단위홀을 다수 포함하는 구조인 점에서는, 제1실시예의 구조와 동일하다. 다만, 상기 제1면공(110)의 중심(F)과 상기 제2면공(130)의 중심(E)이 상기 제1면의 표면을 기준으로 상호 불일치하는 위치에 배치되는 점에서 특징이 있다. 즉, 제1면공과 제2면공의 중심이 상호 일치하지 않도록 어긋하게 배치되도록 한다.As shown in Figs. 4 and 13, the vapor deposition mask according to the fourth embodiment is provided with a metal plate having a thickness, through which the first and second surfaces are communicated, The structure is the same as the structure of the first embodiment in that it includes a plurality of unit holes having one face face and a second face face. However, the center F of the
본 발명의 제4실시예와 같이 제1면공과 제2면공의 중심이 상호 일치하지 않도록 어긋하게 배치되는 경우, 높은 증착의 균일도를 확보할 수 있게 되는 점에서 우월한 장점이 구현된다. 이는 도 13에 도시된 것과 같이, 다수의 단위홀을 구비하는 증착용 마스크와 이격되는 증착 소스원(S)에서 방출되는 방사 각도를 고려하면, 증착 소스원과 단위홀이 대응되는 위치가 모두 상이하게 되는바, 고른 증착물질의 전달이 어려워지게 된다. 이에 본 발명에서는, 증착의 균일도를 향상하기 위해, 각 홀마다 제2면공과 제1면공의 중심축을 상호 어긋나게 구현되는 것을 포함시켜, 대면적의 기판 전면에 걸친 증착과정에서도 증착물질의 고른 전달을 구현할 수 있도록 하여 증착의 균일도를 높일 수 있도록 한다. 나아가, 증착의 두께를 두껍게 할 필요가 있는 경우에도, 이러한 구조는 증착대상의 국부적인 영역이나 전면적에 효율적으로 증착 두께를 조절할 수 있도록 한다.As in the fourth embodiment of the present invention, when the centers of the first face hole and the second face face are arranged so as not to coincide with each other, a superior advantage is realized in that high uniformity of deposition can be ensured. As shown in FIG. 13, in consideration of the radiation angle emitted from the deposition source source S spaced apart from the deposition mask having a plurality of unit holes, the positions where the deposition source source and the unit holes correspond are all different As a result, the delivery of uniform deposition material becomes difficult. Accordingly, in order to improve the uniformity of the deposition, the present invention may include a structure in which the center axis of the second face hole and the first face hole are mutually shifted for each hole, so that even distribution of the deposition material over the entire surface of the substrate So that the uniformity of deposition can be increased. Furthermore, even when it is necessary to increase the thickness of the deposition, such a structure allows the deposition thickness to be efficiently controlled in a local area or an entire area of the deposition target.
이러한 제1면공의 중심과 상기 제2면공의 중심의 상호 불일치하는 배치 구조는, 상기 금속판의 제1면 또는 제2면의 표면과 직교하는 가상의 수직선을 상기 제1면공의 중심상에 세우거나, 상기 제2면공의 중심 상에 세우는 경우, 이 수직선이 두 개의 중심중 어느 하나만을 지나는 구조를 의미한다. 다른 의미로는 제1면공 또는 제2면공의 중심축이 상호 어긋하게 배치된다. The mutually inconsistent arrangement of the center of the first face hole and the center of the second face hole may be such that an imaginary vertical line orthogonal to the surface of the first or second face of the metal plate is placed on the center of the first face hole , And when it stands on the center of the second face hole, this vertical line means a structure passing through only one of the two centers. In other words, the central axes of the first face plate or the second face plate are mutually disposed.
또한, 본 발명의 제4실시예에서 정의하는 제1면공의 중심과 상기 제2면공의 중심은, 제1면공 및 제2면공의 외주면이 원(circle) 또는 타원의 경우에는 그 중심을, 다각형의 경우 무게 중심을 의미한다.The center of the first face hole and the center of the second face hole defined in the fourth embodiment of the present invention are formed such that the center of the first face hole and the center of the second face hole in the case of an ellipse is a polygon The center of gravity.
또는, 도 13에 도시된 구조와 같이, 모서리 부분에 라운드 처리가 된 곡률구조를 가지는 경우의 면공에도 그 무게중심을 정할 수 있는 경우에는 그 무게 중심을 중심으로 한다. 나아가, 면공의 외각 부분에 곡률처리된 모서리(본 발명의 실시예에서는, 첨부가 있는 경우에는 그 첨부를 모서리로하고, 곡률을 가지는 에지부의 경우에는 '곡률'을 연결되는 주변의 곡률보다 곡률이 작아지는 경우를 모서리라고 정의한다.)가 구현되는 경우의 중심은, 곡률을 가지는 모서리가 n 개일 경우, n이 짝수이면 마주보는 모서리와 직선을 긋고, 이 그은 직선의 개수를 "K"라고 하면, 직선의 개수(K)가 3개이면, 3개의 직선이 만나는 점, K가 2개이면 2개의 직선이 만나는 점을 중심으로 원을 그려 이 원의 중심을 면공의 중심으로 한다. 또는, 모서리의 개수 n이 홀수이면, 모서리와 마주보는 변에 직선을 그리고, 이 직선의 개수를 "k"라고 하면, 직선의 개수(k)가 3개 또는 2개가 될때가지 그리고, 이를 통해 각 직선이 만나는 지점을 면공의 중심으로 한다.Alternatively, as in the structure shown in Fig. 13, when the center of gravity can be determined in the face hole in the case where the corner portion has a rounded curvature structure, its center of gravity is centered. Further, in the embodiment of the present invention, the curvature of the edge portion of the surface of the surface of the surface (in the embodiment of the present invention, the curvature is greater than the curvature of the periphery connected to the curvature in the case of an edge having a curvature, The center of the case where the curvature is smaller is defined as an edge, if the curvature has n edges, if n is an even number, the opposite corner and the straight line are drawn, and if the number of the straight lines is "K" , If the number of straight lines (K) is three, a point where three straight lines meet, and if K is two, a circle is drawn around a point where two straight lines meet, and the center of this circle is set as the center of the face hole. Alternatively, if the number n of the corners is an odd number, a straight line is formed on a side opposite to the corner, and if the number of straight lines is "k", then the number of straight lines becomes three or two. The point where the straight line meets is the center of the plane.
예를 들면, 도 14는 도 13에서의 제1면공(110)의 중심(F)를 정하는 방법을 설명하기 위한 예시도로, 라운딩 진 모서리 부분이 총 4개(짝수)인바, 곡률의 한 중앙점에서 마주하는 다른 모서리의 중앙점으로 직선(b1, b2)을 각각 그으면 직선의 개수(K)는 2개로 이 2개의 직선이 만나는 점이 제1면공의 중심(F)으로 한다.For example, FIG. 14 is an illustration for explaining a method of determining the center F of the
아울러, 제2면공(130)의 중심(E)도 동일한 방식으로 정하고, 이 각각의 중심(E, F)가 상호 어긋나게 배치되도록 단위홈을 구현한다. 특히, 도 13의 도면에서와 같이, 상기 제1면공의 중심(F)과 상기 제2면공의 중심(E) 사이의 거리(d)는, 상기 제2면공의 직경(C)의 90% 이하, 즉, 0.9C 이하로 구현할 수 있다. 나아가, 상기 제1면공의 중심(F)과 상기 제2면공의 중심(E) 사이의 거리(d)는 이 범위 내에서 바람직하게는, 상기 제2면공의 직경(C)의 50% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1%~10% 이하, 0.2~8%이하, 또는 0.2~5% 이하로 구현할 수 한다. 이러한 중심축간의 거리가 어긋나는 정도가 상기 제2면공의 직경(C)의 90% 이하의 범위에서 구현될 수 있도록 하는 경우, 증착효율의 균일도를 더욱 높일 수 있게 한다.In addition, the center E of the
상술한 것과 같이, 증착마스크를 적용하는 증착작업에서는, 증착원(Source)과 마스크의 모든 단위홀들이 각각 수직방향 하부에 배치될 수는 없기 때문에, OLED에 대한 증착 균일도(Uniformity) 향상을 위해 단위홀마다 일정이상의 각도, 배면 높이 등이 필요하게 된다. As described above, in the deposition operation using the deposition mask, since all the unit holes of the source and the mask can not be arranged in the vertical direction respectively, the unit uniformity of the deposition An angle or a height equal to or greater than a predetermined value is required for each hole.
이 경우, 본 발명의 실시예에 따른 증착용 마스크를 적용하는 경우, 제1면공 및 제2면공의 배치 위치를 어긋나게(Miss Match) 구현하여 증착 효율을 증대할 수 있도록 할 수 있다. 나아가 이러한 배치 구조로 인해 증착시 데드스페이스(Dead Space)를 줄일 수 있고, 증착 두께를 두껍게 하거나 두꺼운 재료를 적용하여 증착시에도 높은 활용도로 적용이 가능하다. 왜냐하면, OLED 증착용 장비에서 대면적 증착시 인장력이 높아지게 되는 문제가 발생하게 되는데 이 경우, 본 발명의 제2실시예에 따른 제1면공 및 제2면공의 배치 위치를 어긋나게(Miss Match) 구현되는 단위홀 패턴을 이용할 경우 이러한 인장력을 고르게 분산할 수 있도록 하는바, OLED 증착 균일도(Uniformity)를 확보할 수 있게 한다.In this case, in the case of applying the deposition mask according to the embodiment of the present invention, the arrangement of the first face hole and the second face hole may be made to be missed to increase the deposition efficiency. Furthermore, due to such a layout structure, it is possible to reduce the dead space in the deposition, and it is possible to apply the material with high utilization even in the case of deposition by thickening the deposition thickness or applying the thick material. In this case, since the first face hole and the second face hole according to the second embodiment of the present invention are arranged in a non-aligned manner (Miss Match) By using the unit hole pattern, it is possible to uniformly disperse the tensile force, thereby ensuring the uniformity of the OLED deposition.
5. 제5실시예5. Fifth Embodiment
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착용 마스크의 구조를 설명하기로 한다. 본 제5실시예의 구조는, 상술한 제2실시예 내지 제4실시예의 특징을 동시에 구비할 수도 있음은 물론이다. 나아가, 이하의 실시예에서는 상술한 제1실시예의 금속판을 적용할 수 있음은 물론이다. 다만, 이하의 설명에서는, 제5실시예의 특징적인 구조가 독립적으로 구현되는 것을 예로 하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of a vapor deposition mask according to another embodiment of the present invention will be described. It is a matter of course that the structure of the fifth embodiment may be provided with the features of the second to fourth embodiments simultaneously. It is needless to say that the metal plate of the first embodiment described above can be applied to the following embodiments. However, in the following description, it is assumed that the characteristic structure of the fifth embodiment is independently implemented.
도 15는 도 4에서 상술한 단위홀을 다수 포함하여 구성되는 본 발명의 제5실시예에 따른 증착용마스크의 단면구조를 도시한 개념도이다.FIG. 15 is a conceptual view showing a cross-sectional structure of a vapor deposition mask according to a fifth embodiment of the present invention including a plurality of unit holes as described above with reference to FIG.
도 4 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 제5실시예에 따른 증착용마스크는, 두께를 가지는 금속판을 구비하며, 상기 금속판은 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비하고, 이 경우 상기 제1면 및 제2면을 관통하며, 상호 간에 연결되는 경계부(120)을 통해 연통하는 제1면공(110) 및 제2면공(130)을 가지는 단위홀을 다수 포함하여 구성된다. 4 and 15, the vapor deposition mask according to the fifth embodiment of the present invention includes a metal plate having a thickness, the metal plate having a first surface orthogonal to the thickness direction, In this case, a unit hole having a
특히 상기 단위홀은, 상기 제1면공의 상기 금속판의 두께 방향의 깊이와 상기 제2면공의 상기 금속판의 두께 방향의 깊이가 서로 상이하게 구현될 수 있다. 이 경우, 제1면공(110) 및 제2면공(130)은 상호 연통되는 부분인 경계부(120)의 최외각 돌출지점(A1~A21)을 기준으로, 증착이 구현되는 제2면공(130)이 배치되는 영역은 유효영역(AC)이라 하고, 그외 증착에 관여하지 않는 영역으로 제1면공(110) 및 제2면공(130)은 상호 연통되는 부분인 경계부(120)의 최외각돌출지점(A1, A21)의 바깥쪽 영역에 포함되는 제2면공이 배치되지 않는 영역은 비유효영역(NC)라고 정의한다.In particular, the unit hole may be formed such that the depth of the first face hole in the thickness direction of the metal plate and the depth of the second face hole in the thickness direction of the metal plate are different from each other. In this case, the
즉, 도 4의 구조에서 상기 유효영역(AC) 내의 단위홀들의 경우, 제1면공(110)의 경계부(120)까지의 깊이(b)가 상기 제2면공(130)의 경계부까지의 깊이(a) 보다 크게 구현될 수 있다. 또한, 전체적으로 상기 제2면공의 깊이(a)가 상기 금속판의 전체 두께(c)와의 관계의 비율이 1:(3~30)을 충족하는 범위를 가지도록 구현될 수 있다. 4, the depth b of the
본 발명의 실시예와 같이 서로 폭과 깊이가 다른 구조의 단위홀을 구현하는 경우, 상기 제2면공(130)의 깊이(a)가 증착의 두께를 조절할 수 있는 중요한 요인으로 작용하게 되는데, 상기 제면공(130)의 깊이(a)가 너무 깊어져서, 전체 기재의 두께(c)와의 관계에서 상술한 두께의 비율범위를 초과하게 되는 경우에는 유기물의 두께 변화가 커지게 되며, 이로 인해 증착이 되지 않는 영역(dead space;이하, '미증착 영역'이라 한다.)이 발생하게 되는 치명적인 문제가 발생하게 되며, 이러한 미증착 영역은 전체 OLED에서 유기물의 면적을 감소시키게 되어 수명을 감소시키는 원인으로 작용하게 된다. When a unit hole having a different width and depth from each other is implemented as in the embodiment of the present invention, the depth (a) of the
따라서, 본 발명의 제5실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 제2면공(130)의 깊이(a)와 상기 금속판의 두께(c)의 비율은 상술한 범위의 내에서 1:(3.5~12.5)를 충족할 수 있다. 더욱 바람직하게는 1:(4.5~10.5)의 비율을 충족하도록 구현할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 이러한 비율 범위를 만족하는 상기 금속판의 두께(c)를 10㎛~50㎛로 구현할 수 있다. 상기 금속판의 두께가 10㎛ 미만으로 구현되는 경우에는 기재의 비틀림 정도가 커져 공정 컨트롤이 어려우며, 기재의 두께가 50㎛를 초과하는 경우에는 추후 증착시 미증착 영역(dead space)의 발생이 커져 OLED의 미세패턴(fine pattern)을 구현할 수 없게 된다. 특히 이 범위에서 상술한 기재의 두께(c)는 15㎛~40㎛의 두께를 충족하도록 구현할 수 있다. 나아가 더욱 바람직하게는 20㎛~30㎛로 구현할 수 있다. Therefore, in the vapor deposition mask according to the fifth embodiment of the present invention, the ratio of the depth (a) of the
아울러, 상기 금속판의 두께(c)에 대응하는 상기 제2면공의 깊이(a)는 0.1㎛~7㎛의 범위를 충족하도록 구현함이 바람직하다. 이는 상기 제2면공의 깊이(a)가 0.1㎛ 미만으로 구현하는 경우에는 홈의 구현이 어려우며, 상기 제2면공의 깊이(a)가 7㎛를 초과 초과시에는 추후 증착하는 경우 미증착영역(Dead Space)로 인해 OLED 미세(Fine) 패턴 형성이 어렵고, 유기물 면적이 감소되어 OLED수명을 감소시키는 원인이 된다. 특히, 상기 제2면공의 깊이(a)는 위 범위 내의 깊이 범위에서 1㎛~6㎛로 구현할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 2㎛~4.5㎛로 구현할 수 있다.It is preferable that the depth (a) of the second face hole corresponding to the thickness (c) of the metal plate is in the range of 0.1 탆 to 7 탆. If the depth (a) of the second face hole is less than 0.1 占 퐉, it is difficult to realize the groove, and when the depth a of the second face hole exceeds 7 占 퐉, Space, it is difficult to form an OLED fine pattern, and the organic material area is reduced, which causes a decrease in OLED lifetime. In particular, the depth (a) of the second face hole can be 1 탆 to 6 탆 in the depth range within the upper range, and more preferably 2 탆 to 4.5 탆.
여기에 증착의 효율을 더욱 높이기 위해서 고려할 수 있는 요인으로는 증착물질이 유입되는 제1면공(110)의 내부면이 가지는 경사각을 고려할 수 있다. 이는 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 경계부(120)의 최외측의 임의의 점(A1)과 상기 제1면의 제1면공(110)의 최외각의 임의의 지점(B1)을 연결하는 경사각(θ)이 20도~70도의 범위를 충족하도록 구현할 수 있다. 이는 유기물의 증착시 증착장비의 특성상 증착 소스가 포인트 소스를 사용하기 때문에, 위 경사각(slope angle)이 위 범위를 충족하여사 증착의 균일도를 확보할 수 있게 된다. 위 경사각의 범위를 초과하거나 벗어나게 되면, 미증착 영역의 발생율이 높아져 균일한 증착 신뢰도를 확보하기 어려워진다. 본 발명의 실시예에서 상기 경사각(θ)의 범위 내에서 구현가능할 바람직한 실시예로서, 상기 경사각(θ)은 30도~60도의 범위, 더욱 바람직하게는 32도 ~ 38도 또는 52도 ~ 58도 범위를 충족하도록 구현할 수 있다.The inclination angle of the inner surface of the
본 발명의 실시예에 따른 제2면공과 경계면을 공유하여 연통하는 구조의 제1면공의 구조는, 금속판의 중심부 방향으로 각각의 홈부의 폭이 좁아지는 구성을 가지는 것이 증착의 효율면에서 유리하며, 특히 바람직하게는, 상기 제2면공 또는 상기 제1면공의 내표면이 곡률을 가지는 구조로 구현될 수 있다. 이러한 곡률구조는 증착 물질의 투입 밀도를 조절하며, 단순한 슬로프의 구조에 비해 증착의 균일도를 향상시킬 수 있게 되는 장점이 있다.The structure of the first face hole of the structure that communicates with the second face hole according to the embodiment of the present invention is advantageous from the viewpoint of the efficiency of vapor deposition in that the width of each groove portion in the direction of the center of the metal plate is narrow , And particularly preferably, the inner surface of the second face hole or the first face hole has a curvature. Such a curvature structure has an advantage in that the deposition density of the deposition material is controlled and the uniformity of the deposition can be improved compared to a simple slope structure.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 제2면공의 상기 일면 상의 개구부의 폭(C)과 상기 경계부의 폭(A), 상기 제1면공의 상기 타면상의 개구부의 폭(B)은 B>C>A의 비율을 구비하도록 할 수 있으며, 이는 상술한 곡률 구조의 효용성과 같이, 증착 물질의 투입 밀도를 조절하며, 증착의 균일도를 향상시킬 수 있게 할 수 있다. 또한, 상기 제2면공의 상기 일면 상의 개구부의 폭(C)과 상기 경계부의 폭(A)의 길이의 차이(d=C-A)는 0.2㎛~14㎛의 범위를 충족하도록 구현할 수 있도록 한다. 즉, 제2면공의 상기 일면상의 최외각의 임의의 지점(C1)에서 상기 경계부의 최외각 임의의 지점(A1)까지의 수직 거리(d1)은 0.1㎛~7㎛를 충족할 수 있도록 한다. 상기 수직거리(d1)가 0.1㎛ 미만인 경우 홈의 구현이 어려우며, 7 ㎛초과시에 추후 증착 공정시에 미증착영역(Dead Space)로 인해 OLED 미세(Fine) 패턴 형성이 어렵고, 유기물 면적이 감소되어 OLED수명을 감소시키는 원인으로 작용하게 된다. 또한, 상기 수직거리(d1)의 수치 범위에서 구현가능한 바람직한 실시예로서는 상기 수직거리(d1)이 1㎛~6㎛로 구현하거나, 더욱 바람직하게는 2㎛~4.5 ㎛의 범위로 구현할 수 있다.The width (C) of the opening portion on the one surface of the second face hole, the width (A) of the boundary portion and the width (B) of the opening portion on the other face of the first face hole according to the embodiment of the present invention satisfy B> C > A, which can control the deposition density of the deposition material and improve the uniformity of the deposition, as well as the effectiveness of the curvature structure described above. The difference (d = C-A) between the width (C) of the opening portion on the one side of the second face hole and the width (A) of the boundary portion is set to be in the range of 0.2 mu m to 14 mu m. That is, the vertical distance d1 from an arbitrary point C1 of the outermost face on the one face of the second face hole to an outermost arbitrary point A1 of the boundary can satisfy 0.1 mu m to 7 mu m. If the vertical distance d1 is less than 0.1 탆, it is difficult to realize a groove. When the vertical distance d 1 is more than 7 탆, it is difficult to form an OLED fine pattern due to a dead space in a subsequent deposition process, Which is a cause of reducing OLED lifetime. The vertical distance d1 may be in the range of 1 탆 to 6 탆, and more preferably in the range of 2 탆 to 4.5 탆, which may be realized in the numerical range of the vertical distance d1.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 제2면공(또는 제1면공)의 상기 일면 상의 개구부의 모서리부가 곡률을 가지는 구조로 구현할 수 있도록 한다. 도 11을 참조하면, 상기 제2면공(110)의 상부 평면, 즉, 기재의 일면에 노출되는 개구 영역의 수평 단면형상을 고려하면, 직사각형 또는 정사각형 구조로 구현되며, 이 경우 각각의 모서리 부분에는 일정한 곡률을 가지도록 라운딩된 구조로 구현됨이 바람직하다. 특히, 상기 모서리부의 라운딩된 부분의 곡률을 연장하여 형성되는 가상의 원의 지름(R)이 5um~20um 범위에서 구현되는 경우에 증착면적을 더욱 넓힐 수 있게 된다. 첨부가 형성되는 모서리를 가지는 홈부의 형상은 증착을 원활하게 구현하기 어려우며, 미증착영역이 필연적으로 발생하게 되며, 라운딩된 구조에서 증착 효율이 높아지며, 특히 위 수치범위 내에 곡률에서 증착율이 가장 높고 균일하게 구현될 수 있게 된다. 지름이 5㎛ 미만에서는 곡률처리를 하지 않은 것과 큰 차이가 없게 되며, 20㎛를 초과하는 경우에는 오히려 증착율이 떨어지게 된다. 특히, 위에서 상술한 지름(R)의 범위 내에서의 바람직한 실시예로는 지름(R)이 7㎛ ~ 15㎛, 더욱 바람직하게는 8㎛ ~ 12㎛ 범위로 구현할 수 있다.Further, the edge of the opening on the one side of the second face hole (or the first face hole) according to the embodiment of the present invention can be implemented with a structure having a curvature. Referring to FIG. 11, considering the horizontal cross-sectional shape of the upper surface of the
특히, 본 발명의 실시예에서는 상기 기재의 상기 일면 또는 상기 타면의 표면 거칠기(Ra)는 2um 이하로 구현되는 것이 좋으며, 이는 유기물의 증착품질을 높일 수 있는 하나의 요인으로 작용할 수 있기 때문이다. 표면 거칠기가 크게 되면, 장착 물질이 홈부를 타고 이동하는데 저항이 발생하게 되며, 위 거칠기 이상으로 구현되는 경우, 원할한 증착이 어려워 미증착 영역이 발생하는 비율이 높아지게 된다.Particularly, in the embodiment of the present invention, the surface roughness (Ra) of the one surface or the other surface of the substrate is preferably 2 μm or less, which can serve as a factor for improving the deposition quality of the organic material. When the surface roughness is increased, resistance is generated to move the mounting material on the groove portion. If the surface roughness is higher than the upper roughness, it is difficult to deposit properly, and the rate of occurrence of the non-deposition region is increased.
6. 제6실시예6. Sixth Embodiment
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착용 마스크의 구조를 설명하기로 한다. 본 제6실시예의 구조는, 상술한 제2실시예 내지 제5실시예의 특징을 동시에 구비할 수도 있음은 물론이다. 나아가, 이하의 실시예에서는 상술한 제1실시예의 금속판을 적용할 수 있음은 물론이다. 다만, 이하의 설명에서는, 제6실시예의 특징적인 구조가 독립적으로 구현되는 것을 예로 하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of a vapor deposition mask according to another embodiment of the present invention will be described. It is needless to say that the structure of the sixth embodiment may simultaneously include the features of the second to fifth embodiments described above. It is needless to say that the metal plate of the first embodiment described above can be applied to the following embodiments. However, in the following description, it is assumed that the characteristic structure of the sixth embodiment is independently implemented.
본 제6실시예에서도, 증착용 마스크의 구성이 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비하는 금속판을 구비하고, 상기 제1면 및 제2면을 관통하며, 상호간에 연통하는 제1면공(110) 및 제2면공(130)을 가지는 단위홀을 다수 포함하여 구성되는 점에서는 동일하다.Also in this sixth embodiment, the configuration of the evaporation mask includes a metal plate orthogonal to the thickness direction and having a first surface and a second surface opposed to each other, and penetrates the first surface and the second surface , And a plurality of unit holes having a first face hole (110) and a second face hole (130) communicating with each other.
도 16과 상술한 도 15의 구조와의 차이점은 단위홀이 배치되는 유효영역(AC)과 유효영역 외각의 비유효영역(NC)을 포함하는 증착용 마스크의 구조에서, 유효영역 내의 금속판의 두께가 상기 비유효영역(NC)의 금속판의 두께와 상이하게 구현될 수 있도록 하는 점에서 차이가 있다.16 is different from the structure of FIG. 15 described above in that, in the structure of the deposition mask including the effective area AC in which the unit holes are arranged and the ineffective area NC in the effective area, Is different from the thickness of the metal plate of the ineffective area (NC).
도 16을 참조하면, 제6실시예에서는, 상기 단위홀이 배치되는 유효영역의 금속판의 최대두께(h1)와 상기 유효영역 외각의 비유효영역의 금속판의 최대두께(h2)를 고려할 때, 상기 유효영역의 금속판의 최대두께(h1)가 상기 비유효영역의 금속판의 최대두께(h2) 보다 작게 구현될 수 있도록 한다. 이 경우, '유효영역의 금속판의 최대두께(h1)'란, 제2면공의 구현되는 제2면의 표면에서, 금속판의 두께 방향으로 돌출되는 금속판의 최대 돌출부분(이하, '돌출부'라 한다.;g1)의 두께들 중 최대 값으로 정의한다.When Referring to Figure 16, the sixth embodiment, considering the maximum thickness (h1) and a maximum thickness (h 2) of the metal sheet the non-effective area of the effective area outer shell of the metal plate of the effective region in which the arrangement of the unit hole, so that the maximum thickness (h1) of the metal plate of the effective area can be made smaller than the maximum thickness of implementation (h 2) of the metal plate of the non-effective region. In this case, the 'maximum thickness h1' of the metal plate in the effective area 'refers to the maximum protruding portion of the metal plate projecting in the thickness direction of the metal plate (hereinafter referred to as'protrusion') on the surface of the second surface, ., g 1 ).
이 경우, 상기 비유효영역의 금속판의 최대두께(h2)은, 상기 유효영역의 금속판의 최대두께(h1)와의 관계에서 0.2h1<h2<1.0h1을 충족하도록 할 수 있다. 나아가, 이 범위 내에서 0.2h1<h2<0.9h1를 충족하도록 구현할 수 있다.In this case, the maximum thickness (h 2 ) of the metal plate of the ineffective area may satisfy 0.2h 1 <h 2 <1.0h 1 in relation to the maximum thickness (h 1 ) of the metal plate of the effective area. Furthermore, it can be implemented within the range to meet 0.2h 1 <h 2 <0.9h 1 .
상기 비유효영역의 금속판의 최대두께(h2) 대비 상기 유효영역의 금속판의 최대두께(h1)가 20~100%의 두께를 가지도록 구현할 수 있으며, 이 범위 내에서 최대두께(h2)의 25~85%, 나아가 30~60%의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. 일예로 비유효영역의 금속판의 최대두께(h2)를 30㎛로 하는 경우, 유효영역의 금속판의 최대두께(h1)는 6㎛~27㎛로, 또는 7.5㎛~25.5㎛, 또는 9㎛~18㎛의 범위로 구현할 수 있도록 한다. And the maximum thickness (h1) of the effective area, the metal plate than the maximum thickness (h 2) of the metal plate of the non-effective region is implemented to have a thickness of 20 to 100%, of the maximum thickness (h 2) in the range 25 to 85%, and more preferably 30 to 60%. For example, when the maximum thickness h 2 of the metal plate in the ineffective area is 30 탆, the maximum thickness h 1 of the metal plate in the effective area is 6 탆 to 27 탆, or 7.5 탆 to 25.5 탆, 18 占 퐉.
이상이 수치 범위는 제1면공의 슬로프(경사각)을 조절하여 증착효율을 높일 수 있으며, 유효영역의 높이를 낮추는 경우, 증착각도를 용이하게 확보 및 제어할 수 있게 되어 고해상도의 증착용마스크로 구현이 가능하다.In this numerical range, the deposition efficiency can be improved by adjusting the slope (inclination angle) of the first face hole. When the height of the effective area is lowered, the deposition angle can be easily secured and controlled. This is possible.
도 17은 도 16에서 제1면공과 제2면공이 연통하는 단위홀을 개념적으로 도시한 것이다. 상술한 것과 같이, 특히 이러한 증착각도를 확보하는 측면에서, 도 16 및 도 17을 참조하면, 제1면공 또는 제2면공의 금속판 표면상의 개구부의 일지점을 기준으로, 경계부까지의 임의의 지점을 연결하는 경사각을 고려할 때, 상기 개구부의 장축방향의 일 지점에서 경계부까지 구현되는 슬로프와 단축방향의 일 지점에서 경계부까지의 슬로프가 서로 상이하게 구현될 수 있도록 한다.FIG. 17 conceptually shows a unit hole in which the first surface ball and the second surface ball communicate with each other in FIG. 16 and 17, in view of securing such a deposition angle, as described above, it is possible to form an arbitrary point to the boundary with respect to one point of the opening on the surface of the metal plate of the first face hole or the second face hole The inclination from one point to the boundary in the major axis direction of the opening and the slope from one point in the minor axis direction to the boundary can be implemented differently in consideration of the connecting inclination angle.
구체적으로는, 상기 금속판의 표면에 노출되는 상기 제1면공(110) 또는 상기 제2면공(130)의 개구부의 장축방향의 일 지점에서, 상기 제1면공 및 상기 제2면공의 경계부(120)의 임의의 일 지점까지의 제1경사각(θ1)과, 상기 금속판의 표면에 노출되는 상기 제1면공 또는 상기 제2면공의 개구부의 단축방향의 일 지점에서, 상기 제1면공 및 상기 제2면공의 경계부(120)의 일지점까지의 제2경사각(θ2)이 서로 상이하게 구현되게 된다. 즉, 동일한 제1면공이나 제2면공 내부면의 슬로프가 각각 다르게 구현되도록 할 수 있다. 본 실시예에서는 특히 제1경사각(θ1)이 상기 제2경사각(θ2) 보다 작게 구현되도록 하며, 이 경우 상기 제1경사각(θ1)은 20°~80°의 범위로 구현될 수 있도록 한다. 이렇게 동일한 제2면공(또는 제1면공) 내부에서도 슬로프의 각도를 상이하게 구현하는 경우, 증착물의 균일도를 향상할 수 있게 되는 장점이 구현되게 된다.Specifically, at one point in the longitudinal direction of the opening of the
또한, 본 제6실시예의 구조에서는, 도 16의 도면에서 상술한 유효영역의 첨부에 대항하는 상기 돌출부(g1) 지점에 곡률이 구현되는 구조로 형성할 수 있도록 한다. 이렇게, 유효영역의 첨부에 대항하는 상기 돌출부(g1) 지점에 곡률이 구현되게 되면, 증착시 증착물질이 제1면공을 통해 유입되는 증착물질이 인접하는 다른 영역으로 효율적으로 분산되어 유입이 될 수 있는바, 증착효율 및 증착균일도를 높일 수 있다. 이를 위해서는, 돌출부(g1) 지점에 형성되는 곡률은, 그 곡률반경(R)이 0.5㎛ 이상으로 구현되도록 한다. 곡률반경(R)이 0.5㎛ 미만으로 구현되는 경우에는 상술한 분산효율이 떨어지게 된다.In the structure of the sixth embodiment, the curvature can be formed at the point of the protrusion g1 against the attachment of the effective area described above in the drawing of Fig. When the curvature is realized at the position of the protrusion g1 against the attachment of the effective area, the deposition material flowing through the first face hole at the time of vapor deposition is efficiently dispersed into the adjacent region, As a result, the deposition efficiency and the deposition uniformity can be increased. For this purpose, the curvature formed at the point of projection g1 is such that the radius of curvature R is 0.5 mu m or more. When the radius of curvature R is less than 0.5 mu m, the above-mentioned dispersion efficiency is lowered.
또한, 본 제6실시예의 구조에서는, 도 16의 도면에서 제시되는 비유효영역(NC) 부분에 상기 금속판의 두께방향으로 식각되는 인장력 조절패턴(HF)이 구현될 수 있도록 한다. 상기 인장력조절패턴(HF)은 금속판을 관통하지 않는 구조로 구현되는 홈패턴 구조(이하, '하프에칭영역'으로 정의한다.)로 구현될 수 있다. 상기 하프에칭영역은 금속판의 두께(h1) 보다 얇은 두께를 가지도록 구현될 수 있다. 이는 OLED 증착시에 장비에서 증착용 마스크 자체에 인장력을 가하게 되는데, 이 경우 인장력이 유효영역(Active 영역)에 집중되는 현상을 분산시켜 증착을 효율적으로 할 수 있고, 증착물질이 균일성을 갖도록 하는 기능을 수행한다.In addition, in the structure of the sixth embodiment, a tensile force adjusting pattern HF that is etched in the thickness direction of the metal plate can be implemented in the non-effective area NC portion shown in the drawing of FIG. The tensile force adjusting pattern HF may be embodied as a groove pattern structure (hereinafter, referred to as a "half-etching area") implemented by a structure that does not penetrate a metal plate. The half-etching region may be formed to have a thickness thinner than the thickness h1 of the metal plate. In this case, when the OLED is deposited, tensile force is applied to the mask itself in the apparatus. In this case, the phenomenon that the tensile force concentrates in the effective region (active region) can be dispersed to efficiently perform the deposition and to make the deposition material uniform Function.
특히, 상기 하프에칭영역의 경우, 금속판의 두께(h1) 대비 10%~100%의 두께를 가지도록 구현될 수 있다. 즉, 상기 하프에칭영역의 두께(h3)는, 상기 비유효영역의 금속판의 두께(h1)와의 관계에서, 0.1h1<h3<1.0h1의 관계를 충족하도록 구현될 수 있다. 금속판의 두께(h1) 대비 10%~100%의 두께 범주에서는 상기 하프에칭영역의 두께는 20%~80%, 또는 30%~70%로 구현할 수 있다.In particular, in the case of the half-etching area, the thickness may be 10% to 100% of the thickness h1 of the metal plate. That is, the thickness h3 of the half-etching region can be realized so as to satisfy the relationship 0.1h1 <h3 <1.0h1 in relation to the thickness h1 of the metal plate of the non-effective region. In the thickness range of 10% to 100% of the thickness h1 of the metal plate, the thickness of the half-etching region can be 20% to 80%, or 30% to 70%.
일예로, 30㎛ 두께의 금속판의 경우, 하프에칭영역의 두께는 3㎛~27㎛의 두께(금속판의 두께(h1) 대비 10%~90%의 두께 범주)를 가질 수 있다. 나아가 더욱 슬림한 구조로 구현하여 인장력 분산효과를 구현하기 위해서는, 금속판 두께의 20%~80%인 6㎛~24㎛, 또는 금속판 두께의 30%~70%인 9㎛~21㎛의 범주로 구현할 수 있다.For example, in the case of a metal plate having a thickness of 30 탆, the thickness of the half-etching region may have a thickness of 3 탆 to 27 탆 (a thickness range of 10% to 90% of the thickness h1 of the metal plate). Furthermore, in order to realize a more slim structure and to realize a tensile force dispersion effect, it is required to be implemented in a category of 9 to 21 μm which is 20 to 80% of the thickness of the metal plate, or 6 to 24 μm or 30 to 70% .
도 18은 도 17의 제1면공이 구현되는 제1면 부분의 이미지이다. 도 17 및 도 18을 참조하면, 본 제6실시예의 구조에서 상술한 유효영역의 첨부에 대항하는 상기 돌출부(g1)에 대향하는 반대면인 상기 제1면 부분은 다수 개가 구현되게 되며, 이러한 제1면 부분의 높이를 서로 상이하게 구현하여 증착 공정시 증착의 피치를 줄일 수 있도록 구현할 수 있다. 즉, 도 18의 구조에서, Z1, Z2, Z3 지점의 높이를 서로 다르게 구현할 수 있도록 한다.Fig. 18 is an image of the first surface portion in which the first facet of Fig. 17 is implemented. Fig. 17 and 18, a plurality of first surface portions opposite to the protruding portion g1 against the attachment of the effective region described above in the structure of the sixth embodiment are implemented, The height of the one surface portion may be different from each other to reduce the pitch of the deposition in the deposition process. That is, in the structure of FIG. 18, the heights of the Z1, Z2, and Z3 points can be implemented differently.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments of the present invention, but should be determined by the claims and equivalents thereof.
100: 증착용마스크
110: 제1면공
120: 경계부
130: 제2면공
200: 샘플 금속판
210: 에칭영역
220: 미에칭영역100: vapor-wearing mask
110: First surface
120:
130: Second surface
200: Sample metal plate
210: etching area
220: micro-etching area
Claims (14)
상기 금속판은 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 제1면 및 제2면을 구비하며,
상기 제1면 및 상기 제2면을 관통하며, 상호간에 연통하는 제1면공 및 제2면공을 가지는 다수의 단위홀을 포함하며,
상기 단위홀 각각은 서로 다른 제 1 면공 및 서로 다른 제 2 면공을 가지고,
상기 제1면공의 중심과 상기 제2면공의 중심 사이의 거리는 상기 제2면공의 직경의 0.1% ~ 10%이고,
상기 금속판은,
베이스 금속판의 임의의 지점에 30mm*180mm(가로*세로)로 채취한 샘플 금속판의, 양측 말단에서 내측으로 10mm를 남기고 그 내부에 대해 두께의 2/3~1/2두께로 에칭한 에칭영역을 구현하며, 에칭을 수행한 상기 샘플 금속판을 수평대상면에 거치하는 경우, 상기 샘플 금속판의 비틀림 지수(Hr)가 {식 1} 및 {식 2}를 충족하며,
상기 비틀림 지수(Hr)가 0.2 내지 7인 것을 포함하는 증착용 마스크.
{식 1}
Hr = {(H1 - Ha)2 +(H2 - Ha)2 + (H3 - Ha)2 + (H4 - Ha )2}1/2
{식 2}
Ha = (H1 + H2 + H3 + H4 )/4
(Ha는 상기 샘플 금속판의 4 모서리가 수평대상면에서 이격되는 거리(H1, H2, H3, H4)의 평균 이격거리로 정의되며, H1, H2, H3, H4의 적어도 하나는 상이한 값을 가짐.)A metal plate having a thickness;
Wherein the metal plate has a first surface and a second surface which are orthogonal to the thickness direction and face each other,
And a plurality of unit holes passing through the first surface and the second surface and having a first face hole and a second face hole communicating with each other,
Wherein each of the unit holes has a first face hole and a different second face hole,
The distance between the center of the first face hole and the center of the second face hole is 0.1% to 10% of the diameter of the second face hole,
The metal plate may include:
A sample metal plate 30 mm * 180 mm (width * length) taken at an arbitrary point on the base metal plate was etched to a thickness of 2/3 to 1/2 of the thickness of the inside thereof leaving 10 mm inward from both ends , And when the etched sample metal plate is mounted on a horizontal object surface, the twist index (Hr) of the sample metal plate satisfies {Expression 1} and {Expression 2}
Wherein the twist index (Hr) is 0.2 to 7.
{1}
Hr = {(H1 - Ha) 2 + (H2 - Ha) 2 + (H3 - Ha) 2 +
{Equation 2}
Ha = (H1 + H2 + H3 + H4) / 4
(Ha is defined as an average distance of distances (H1, H2, H3, H4) at which the four corners of the sample metal plate are spaced from the horizontal object plane, and at least one of H1, H2, H3 and H4 has a different value. )
상기 비틀림 지수는 0.4 내지 5.5인 것을 포함하는 증착용 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the twist index is 0.4 to 5.5.
상기 제1면공의 중심과 상기 제2면공의 중심 사이의 거리는 0.3㎛ 내지 2㎛인 증착용 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the distance between the center of the first face hole and the center of the second face hole is 0.3 mu m to 2 mu m.
각각의 상기 단위홀은 4개의 모서리를 포함하고,
각각의 상기 모서리는 5㎛ 내지 20㎛의 곡률을 가지는 증착용 마스크.The method according to claim 1,
Each of said unit holes including four corners,
Each of said corners having a curvature of from 5 占 퐉 to 20 占 퐉.
상기 제 2 면공의 직경은 상기 제 2 면공의 개구부의 장축과 단축 중 적어도 하나이고,
상기 제 2 면공의 직경은 상기 제 2 면공의 무게중심을 지나는 수평 방향 직경, 수직 방향 직경 및 대각 방향 직경 중 어느 하나인 증착용 마스크The method according to claim 1,
Wherein the diameter of the second face hole is at least one of a major axis and a minor axis of the opening portion of the second face hole,
Wherein the diameter of the second face hole is equal to the diameter of the second face hole passing through the center of gravity of the second face hole,
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