KR101723190B1 - Apparatus for Transmitting Microwave of Deposition Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로웨이브 발생기에 연결된 도파관, 마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관에 결합되는 전달부, 및 증착장치의 챔버에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버에 결합되는 전송부를 포함하되, 상기 유전체는 상기 도파관이 갖는 도파로와 동일한 폭을 갖도록 형성되는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치에 관한 것이다.The present invention includes a waveguide connected to a microwave generator, a transfer unit coupled to the waveguide for passing a microwave, and a transfer unit coupled to the chamber for transferring microwaves to a chamber of the deposition apparatus, To a microwave transmission apparatus for a deposition apparatus formed to have the same width as a waveguide of a waveguide.

Description

증착장치용 마이크로웨이브 전송장치{Apparatus for Transmitting Microwave of Deposition Apparatus}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a microwave transmission apparatus for a deposition apparatus,

본 발명은 기판에 박막을 증착하기 위해 마이크로웨이브를 전송할 수 있는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치에 관한 것이다.The present invention relates to a microwave transmission apparatus for a deposition apparatus capable of transmitting microwaves for depositing a thin film on a substrate.

증착장치는 기판에 박막을 형성하기 위한 장치로, 크게 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 및 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Depositon)을 이용하여 증착공정을 수행하는 것이다. 이러한 증착장치 중에서 물리기상증착을 이용하여 증착공정을 수행하는 것으로, 스퍼터링(Sputtering) 장치가 있다.The deposition apparatus is a device for forming a thin film on a substrate, and is mainly used to perform a deposition process using CVD (Chemical Vapor Deposition) and physical vapor deposition (PVD). Among these deposition apparatuses, there is a sputtering apparatus that performs a deposition process using physical vapor deposition.

스퍼터링장치는 디스플레이장치, 반도체장치, 태양전지, 유기발광 조명장치 등을 제조함에 있어서 물리기상증착을 이용하여 기판에 금속 박막, 금속 산화물 박막 등과 같은 박막을 형성하는데 사용된다. 이러한 스퍼터링장치는 타겟(Target)의 표면에 에너지를 가진 입자를 충돌시키면, 이로 인해 타겟으로부터 떨어져 나오는 타겟입자가 기판에 증착되는 방법으로 증착공정을 수행한다. 이 경우, 상기 타겟은 박막을 형성하기 위한 재료로 이루어진다. 따라서, 상기 타겟으로부터 떨어져 나오는 타겟입자 또한 박막을 형성하기 위한 재료로 이루어진다.The sputtering apparatus is used for forming a thin film such as a metal thin film, a metal oxide thin film or the like on a substrate by using physical vapor deposition in manufacturing a display device, a semiconductor device, a solar cell, an organic light emitting illumination device and the like. Such a sputtering apparatus performs a deposition process by colliding energy-charged particles on a surface of a target, thereby causing target particles coming off the target to be deposited on the substrate. In this case, the target is made of a material for forming a thin film. Therefore, the target particles coming off the target are also made of a material for forming the thin film.

이러한 스퍼터링장치는 증착공정을 수행하는 과정에서 고전압, 고에너지가 발생되기 때문에, 고전압, 고에너지로 인해 기판에 증착된 박막이 손상될 우려가 있다. 이를 해결하기 위해, 마이크로웨이브를 이용한 스퍼터링장치에 대한 개발이 활발하게 이루어지고 있다.In such a sputtering apparatus, since a high voltage and a high energy are generated in a process of performing a deposition process, a thin film deposited on a substrate due to high voltage and high energy may be damaged. To solve this problem, a sputtering apparatus using a microwave has been actively developed.

도 1은 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 대한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional microwave transmission device.

도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치(100)는 증착장치의 챔버(미도시)에 마이크로웨이브를 공급하기 위한 것이다. 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치(100)는 도파관(110), 유전체(120), 및 전송부(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a microwave transmission apparatus 100 according to the related art is for supplying a microwave to a chamber (not shown) of a deposition apparatus. The microwave transmission apparatus 100 according to the related art includes a waveguide 110, a dielectric 120, and a transmission unit 130.

상기 도파관(110)은 마이크로웨이브 발생기(미도시)에 연결된다. 마이크로웨이브는 상기 도파관(110) 내부에 형성된 도파로(111)를 따라 상기 유전체(120) 쪽으로 이동한다.The waveguide 110 is connected to a microwave generator (not shown). The microwave moves toward the dielectric 120 along the waveguide 111 formed in the waveguide 110.

상기 유전체(120)는 마이크로웨이브를 통과시키는 윈도우(Window) 기능을 구현한다. 상기 유전체(120)는 상기 도파관(110)의 내부에 위치하도록 상기 도파관(110)에 결합된다. 이 경우, 상기 유전체(120)는 제1축방향(X축 방향)으로 상기 도파로(111)의 폭(111W)에 비해 큰 폭(120W)으로 형성됨으로써, 상기 도파관(110)의 내부에 삽입되어 결합된다.The dielectric 120 implements a window function to pass microwaves. The dielectric 120 is coupled to the waveguide 110 to be positioned within the waveguide 110. In this case, the dielectric 120 is formed to have a width 120W which is larger than the width 111W of the waveguide 111 in the first axial direction (X-axis direction), so that the dielectric 120 is inserted into the waveguide 110 .

상기 전송부(130)는 상기 도파관(110) 및 상기 챔버 사이에 위치한다. 상기 전송부(130)는 상기 유전체(120)를 통과한 마이크로웨이브를 상기 챔버로 전송한다.The transfer unit 130 is located between the waveguide 110 and the chamber. The transfer unit 130 transfers microwaves passing through the dielectric 120 to the chamber.

여기서, 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치(100)는 상기 유전체(120)가 상기 도파로(111)의 폭(111W)에 비해 큰 폭(120W)으로 형성되므로, 상기 유전체(120)에는 상기 도파로(111)의 외측에 위치하는 돌출부재(121)가 형성한다. 따라서, 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치(100)는 상기 도파로(111)의 외측에 위치하는 돌출부재(121)에서 와류가 발생함에 따라, 마이크로웨이브에 대한 전송효율이 저하될 뿐만 아니라, 정체된 마이크로웨이브로 인해 상기 돌출부재(121)에 열손상이 발생할 위험이 있는 문제가 있다. 이러한 문제로 인해, 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치(100)는 상기 챔버에 높은 파워 전송이 어렵고, 플라즈마에 대한 안정성이 저하되며, 타겟에 전달되는 마이크로웨이브의 균일성이 저하되는 문제가 있다.In the conventional microwave transmission apparatus 100, since the dielectric 120 is formed to have a width 120W which is larger than the width 111W of the waveguide 111, the dielectric 120 has the waveguide 111 are formed on the outer surface of the protruding member 121. Therefore, as the vortex is generated in the protruding member 121 located outside the waveguide 111, the microwave transmission apparatus 100 according to the related art is not only deteriorated in transmission efficiency for microwaves, There is a problem that the projecting member 121 may be damaged by heat due to microwaves. Due to such a problem, the microwave transmission apparatus 100 according to the related art has a problem that high power transmission to the chamber is difficult, stability against plasma is reduced, and uniformity of microwaves transmitted to the target is lowered.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제를 해결하고자 안출된 것으로, 유전체에서 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a microwave transmission device for a vapor deposition apparatus which can prevent a vortex from occurring in a dielectric.

상술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 다음과 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to accomplish the above-mentioned problems, the present invention may include the following configuration.

본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치는 마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 발생기; 상기 마이크로웨이브 발생기에 연결된 도파관; 마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관에 결합되는 전달부; 및 증착장치의 챔버에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버에 결합되는 전송부를 포함할 수 있다. 상기 도파관은 제1축방향으로 제1폭을 갖도록 형성된 도파로를 포함할 수 있다. 상기 전달부는 마이크로웨이브를 통과시키기 위한 유전체, 및 마이크로웨이브의 진입을 차단하기 위한 차단부재를 포함할 수 있다. 상기 유전체는 상기 도파로에 접하는 제1연결면을 포함하되, 상기 제1축방향을 기준으로 상기 제1연결면과 상기 도파로가 동일한 폭을 갖도록 상기 제1연결면이 상기 제1축방향으로 상기 제1폭으로 형성될 수 있다.A microwave transmission apparatus for a deposition apparatus according to the present invention includes: a microwave generator for generating a microwave; A waveguide connected to the microwave generator; A transmitter coupled to the waveguide for passing microwaves therethrough; And a transfer unit coupled to the chamber for transferring microwaves to a chamber of the deposition apparatus. The waveguide may include a waveguide formed to have a first width in a first axis direction. The transmitting unit may include a dielectric for passing a microwave, and a blocking member for blocking entry of the microwave. Wherein the dielectric has a first connection surface in contact with the waveguide, wherein the first connection surface is in contact with the waveguide in the first axis direction so that the first connection surface and the waveguide have the same width, 1 < / RTI > width.

본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치는 마이크로웨이브 발생기에 연결된 도파관; 마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관에 결합되는 전달부; 및 증착장치의 챔버에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버에 결합되는 전송부를 포함할 수 있다. 상기 도파관은 제1축방향으로 제1폭을 갖도록 형성된 도파로를 포함할 수 있다. 상기 전달부는 마이크로웨이브를 통과시키기 위한 유전체를 포함할 수 있다. 상기 유전체는 상기 제1축방향을 기준으로 상기 도파로와 동일한 폭을 갖도록 상기 제1축방향으로 상기 제1폭으로 형성될 수 있다.A microwave transmission apparatus for a deposition apparatus according to the present invention includes: a waveguide connected to a microwave generator; A transmitter coupled to the waveguide for passing microwaves therethrough; And a transfer unit coupled to the chamber for transferring microwaves to a chamber of the deposition apparatus. The waveguide may include a waveguide formed to have a first width in a first axis direction. The transmitter may include a dielectric for passing microwaves. The dielectric may be formed with the first width in the first axis direction to have the same width as the waveguide with respect to the first axis direction.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.

본 발명은 유전체에서 마이크로웨이브에 대한 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있도록 구현됨으로써, 마이크로웨이브에 대한 전송효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 유전체에 열손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The present invention can prevent the occurrence of eddy currents to the microwave in the dielectric, thereby improving the transmission efficiency of the microwave and preventing thermal damage to the dielectric.

본 발명은 마이크로웨이브에 대해 높은 파워 전송을 구현할 수 있음과 동시에, 플라즈마에 대한 안정성 및 타겟에 전달되는 마이크로웨이브의 균일성을 향상시킬 수 있다.The present invention can realize high power transmission to microwave, and can improve stability to plasma and uniformity of microwave transmitted to target.

도 1은 종래 기술에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 대한 개략적인 단면도
도 2는 본 발명에 따른 마이크로웨이브 전송장치의 개략적인 블록도
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 마이크로웨이브 전송장치의 개략적인 단면도
도 6은 본 발명에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 있어서 전달부의 개략적인 단면도
도 7은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 마이크로웨이브 전송장치의 개략적인 단면도
도 8은 본 발명에 따른 마이크로웨이브 전송장치의 개략적인 절개 사시도
도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 있어서 타켓과 출구공의 관계를 설명하기 위한 개념도
도 12는 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 마이크로웨이브 전송장치의 개략적인 절개 사시도
도 13 내지 도 15는 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 있어서 반사부를 설명하기 위한 개념적인 단면도
도 16은 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 있어서 전달부의 개략적인 단면도
도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 마이크로웨이브 전송장치에 있어서 마이크로웨이브 주입방향에 따른 실시예를 설명하기 위한 개념적인 단면도1 is a schematic cross-sectional view of a microwave transmission apparatus according to the prior art;
2 is a schematic block diagram of a microwave transmitting apparatus according to the present invention
3 to 5 are schematic cross-sectional views of a microwave transmission apparatus according to the present invention
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a transfer section in the microwave transmission apparatus according to the present invention
7 is a schematic cross-sectional view of a microwave transmission apparatus according to a modified embodiment of the present invention
8 is a schematic cutaway perspective view of a microwave transmission apparatus according to the present invention.
9 to 11 are schematic views for explaining the relationship between a target and an exit hole in the microwave transmission apparatus according to the present invention
12 is a schematic cutaway perspective view of a microwave transmission apparatus according to another modified embodiment of the present invention.
13 to 15 are conceptual sectional views for explaining a reflector in a microwave transmission apparatus according to another modified embodiment of the present invention
16 is a schematic cross-sectional view of a transfer part in a microwave transmission device according to another modified embodiment of the present invention
17 and 18 are conceptual sectional views for explaining an embodiment according to the microwave implantation direction in the microwave transmission apparatus according to the present invention

이하에서는 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of a microwave transmission apparatus for a deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 기판에 박막을 형성하기 위한 증착공정을 수행하는 증착장치에 설치된다. 상기 증착장치는 마이크로웨이브(Microwave)를 이용하여 기판에 박막을 형성하는 장치로, 예컨대 마이크로웨이브를 이용한 스퍼터링장치일 수 있다. 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 증착장치의 챔버(200)에 마이크로웨이브를 전송하는 기능을 담당한다.2 and 3, the microwave transfer apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention is installed in a deposition apparatus that performs a deposition process for forming a thin film on a substrate. The deposition apparatus is a device for forming a thin film on a substrate by using a microwave, for example, a sputtering apparatus using a microwave. The microwave transmitting apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention is responsible for transmitting microwaves to the chamber 200 of the deposition apparatus.

이를 위해, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 마이크로웨이브 발생기(10)에 연결된 도파관(2), 마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관(2)에 결합되는 전달부(3), 및 상기 챔버(200)에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버(200)에 결합되는 전송부(4)를 포함한다.To this end, a microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention comprises a waveguide 2 connected to a microwave generator 10, a transfer part 3 connected to the waveguide 2 for passing a microwave, And a transfer part 4 coupled to the chamber 200 for transferring microwaves to the chamber 200.

상기 도파관(2)은 상기 마이크로웨이브 발생기(10) 및 상기 전송부(4) 사이에 위치하도록 설치된다. 상기 도파관(2)은 마이크로웨이브가 이동하기 위한 도파로(21)를 포함한다. 상기 도파로(21)에 의해, 상기 도파관(2)은 내부가 비어 있는 형태로 형성될 수 있다. 상기 마이크로웨이브 발생기(10)에서 상기 도파로(21)로 주입된 마이크로웨이브는, 상기 도파로(21)를 따라 이동한 후에 상기 전송부(4)를 거쳐 상기 챔버(200)로 공급된다. 상기 챔버(200)의 내부에는 타겟(300)이 설치된다. 상기 타겟(300)은 박막을 형성하기 위한 재료로 이루어진다.The waveguide (2) is installed between the microwave generator (10) and the transfer part (4). The waveguide 2 includes a waveguide 21 for moving microwaves. The waveguide (2) may be formed in an empty shape by the waveguide (21). A microwave injected into the waveguide 21 from the microwave generator 10 is supplied to the chamber 200 through the transfer unit 4 after moving along the waveguide 21. A target 300 is installed in the chamber 200. The target 300 is made of a material for forming a thin film.

상기 전달부(3)는 마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관(2)에 결합된다. 상기 전달부(3)는 상기 마이크로웨이브 발생기(10) 및 상기 도파관(2) 사이에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 도파로(21)는 진공상태일 수 있다. 상기 전달부(3)는 상기 도파관(2) 및 상기 전송부(4) 사이에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 도파로(21)는 상압상태일 수 있다.The transmitter 3 is coupled to the waveguide 2 for passing microwaves. The transmitter 3 may be coupled to the waveguide 2 to be positioned between the microwave generator 10 and the waveguide 2. In this case, the waveguide 21 may be in a vacuum state. The transmission part 3 may be coupled to the waveguide 2 so as to be positioned between the waveguide 2 and the transmission part 4. In this case, the waveguide 21 may be in an atmospheric pressure state.

상기 전달부(3)는 마이크로웨이브를 통과시키기 위한 유전체(31)를 포함한다.The transfer part 3 includes a dielectric 31 for passing microwaves.

상기 유전체(31)는 제1축방향(X축 방향)으로 제1폭(H1)을 갖도록 형성된다. 이 경우, 상기 도파로(21)는 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 제1폭(H1)을 갖도록 형성된다. 즉, 상기 유전체(31) 및 상기 도파로(21)는 상기 제1축방향(X축 방향)으로 동일한 폭을 갖도록 형성된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 종래 기술과 대비할 때 돌출부재(121, 도 1에 도시됨)를 구비하지 않도록 구현됨으로써, 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 도파로(21) 및 상기 유전체(31) 간에 단면변화가 없으므로, 상기 유전체(31)에서 마이크로웨이브에 대한 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 마이크로웨이브에 대한 전송효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 정체된 마이크로웨이브로 인해 상기 유전체(31)에 열손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 챔버(200)에 대한 높은 파워 전송을 구현할 수 있음과 동시에, 플라즈마에 대한 안정성 및 상기 타겟(300)에 전달되는 마이크로웨이브의 균일성을 향상시킬 수 있다.The dielectric 31 is formed to have a first width H1 in a first axis direction (X-axis direction). In this case, the waveguide 21 is formed to have the first width H1 in the first axial direction (X-axis direction). That is, the dielectric 31 and the waveguide 21 are formed to have the same width in the first axis direction (X axis direction). Accordingly, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention is constructed so as not to include the protruding member 121 (shown in FIG. 1) in comparison with the prior art, The waveguide 21 and the dielectric 31 do not change in cross section on the basis of the waveguide 21 and the dielectric 31. Therefore, it is possible to prevent the dielectric 31 from generating a vortex for the microwave. Accordingly, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention not only improves the transmission efficiency for microwaves, but also prevents generation of heat damage to the dielectric 31 due to stagnated microwaves can do. Accordingly, the microwave transmitting apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention can realize a high power transmission to the chamber 200, and at the same time, the stability against plasma and the stability of the microwave transmitted to the target 300 Can be improved.

상기 유전체(31)는 알루미나(Al2O3)가 포함된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 유전체(31)는 알루미나가 99.9% 이상 포함된 혼합물, 또는 알루미나에 이산화규소(SiO2)가 4% ~ 6% 혼합된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 유전체(31)는 전체적으로 장방체 형태로 형성될 수 있다. 상기 유전체(31)가 상기 도파관(2) 및 상기 전송부(4) 사이에 설치되는 경우, 상기 유전체(31)는 상압상태 및 진공상태 간에 압력 차이를 견딜 수 있도록 4 mm 이상의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 유전체(31)의 두께는 도 3을 기준으로 할 때, 상하방향에 해당한다.The dielectric 31 may be formed from a mixture containing alumina (Al 2 O 3 ). For example, the dielectric 31 may be formed of a mixture containing 99.9% or more of alumina, or a mixture of 4% to 6% of silicon dioxide (SiO 2 ) in alumina. The dielectric 31 may be formed in a rectangular shape as a whole. When the dielectric 31 is provided between the waveguide 2 and the transfer part 4, the dielectric 31 is formed to have a thickness of 4 mm or more so as to withstand a pressure difference between an atmospheric pressure state and a vacuum state . The thickness of the dielectric 31 corresponds to the vertical direction with reference to Fig.

도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 유전체(31)는 제1연결면(311)을 포함할 수 있다. 상기 제1연결면(311)은 상기 유전체(31)에서 상기 도파로(21)에 접하는 면(面)이다. 상기 제1연결면(311)은 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 제1폭(H1)을 갖도록 형성된다. 이에 따라, 상기 제1연결면(311) 및 상기 도파로(21)는 서로 동일한 폭을 갖도록 형성된다. 따라서, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 챔버(200)에 대한 높은 파워 전송을 구현할 수 있음과 동시에, 플라즈마에 대한 안정성 및 상기 타겟(300)에 전달되는 마이크로웨이브의 균일성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 5, the dielectric 31 may include a first connection surface 311. The first connection surface 311 is a surface (surface) in contact with the waveguide 21 in the dielectric 31. The first connection surface 311 is formed to have the first width H1 in the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the first connection surface 311 and the waveguide 21 are formed to have the same width. Therefore, the microwave transmitting apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention can realize high power transmission to the chamber 200, and can improve the stability against plasma and the stability of the microwave transmitted to the target 300 The uniformity can be improved.

상기 유전체(31)는 상기 제2연결면(312)을 포함할 수 있다. 상기 제2연결면(312)은 상기 유전체(31)에서 상기 제1연결면(312)에 대해 반대되는 면이다. 상기 제2연결면(312)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1연결면(312)과 동일한 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제2연결면(312)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1연결면(311)과 상이한 폭을 갖도록 형성될 수도 있다.The dielectric 31 may include the second connection surface 312. The second connection surface 312 is a surface of the dielectric 31 opposite to the first connection surface 312. The second connection surface 312 may be formed to have the same width as the first connection surface 312 with respect to the first axis direction (X axis direction). The second connection surface 312 may be formed to have a width different from the first connection surface 311 with respect to the first axis direction (X axis direction).

예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제2연결면(312)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1연결면(312)에 비해 좁은 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 유전체(31)는 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 크기가 감소되는 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2연결면(312) 및 상기 제1연결면(311)을 잇는 유전체(31)의 측면은, 상기 도파로(21)의 내면을 기준으로 내측방향으로 소정의 경사각(A)을 이루며 경사지게 형성될 수 있다. 상기 경사각(A)은 45도 이하일 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the second connection surface 312 may be formed to have a narrower width than the first connection surface 312 with respect to the first axis direction (X-axis direction). In this case, the dielectric 31 may be formed to be reduced in size in the direction from the waveguide 2 toward the transmission part 4. [ In this case, the side surface of the dielectric 31 connecting the second connection surface 312 and the first connection surface 311 has a predetermined inclination angle A in the inward direction with respect to the inner surface of the waveguide 21 And can be formed obliquely. The inclination angle A may be 45 degrees or less.

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제2연결면(312)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1연결면(312)에 비해 큰 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 유전체(31)는 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 크기가 증가되는 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2연결면(312) 및 상기 제1연결면(311)을 잇는 유전체(31)의 측면은, 상기 도파로(21)의 내면을 기준으로 외측방향으로 소정의 경사각(A)을 이루며 경사지게 형성될 수 있다. 상기 경사각(A)은 45도 이하일 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, the second connection surface 312 may have a larger width than the first connection surface 312 with respect to the first axis direction (X-axis direction). In this case, the dielectric 31 may be formed to increase in size from the waveguide 2 toward the transmission part 4. [ In this case, the side surface of the dielectric 31 connecting the second connection surface 312 and the first connection surface 311 has a predetermined inclination angle A in the outward direction with respect to the inner surface of the waveguide 21 And can be formed obliquely. The inclination angle A may be 45 degrees or less.

도 2 내지 도 6을 참고하면, 상기 전달부(3)는 차단부재(32)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 6, the transfer unit 3 may include a blocking member 32.

상기 차단부재(32)는 마이크로웨이브의 진입을 차단할 수 있다. 상기 차단부재(32)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 마이크로웨이브가 상기 제1연결면(311)의 외측으로 이동하는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 상기 전달부(3)는 마이크로웨이브가 상기 제1연결면(311)을 통해서만 상기 유전체(31)의 내부로 진입하여 상기 유전체(31)를 통과하도록 구현됨으로써, 상기 유전체(31)에서 마이크로웨이브에 대한 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 상기 차단부재(32)는 마이크로웨이브를 투과시키지 않는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 차단부재(32)는 인코넬(Inconel), STS316, STS304 중에서 어느 하나로 형성될 수 있다.The blocking member 32 may block the entrance of the microwave. The blocking member 32 may prevent the microwave from moving toward the outside of the first connecting surface 311 with respect to the first axis direction (X-axis direction). Accordingly, the microwave is introduced into the dielectric 31 through the first connection surface 311 and passes through the dielectric 31, so that the dielectric 31 can be easily separated from the dielectric 31, It is possible to prevent the vortex from occurring to the microwave. The blocking member 32 may be formed of a metal material that does not transmit microwaves. For example, the blocking member 32 may be formed of any one of Inconel, STS316, and STS304.

상기 차단부재(32)는 상기 유전체(31)를 수용하기 위한 수용홈(321)을 포함할 수 있다. 상기 수용홈(321)은 상기 차단부재(32)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 유전체(31)는 상기 차단부재(32)의 내부에 위치하도록 상기 수용홈(321)에 삽입될 수 있다. 상기 차단부재(32)는 상기 유전체(31)가 상기 수용홈(321)에 수용된 상태에서, 상기 제1연결면(311)의 전면(全面)이 상기 도파로(21)에 접하도록 상기 도파관(2)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 차단부재(32)는 마이크로웨이브가 상기 제1연결면(31)을 통해 상기 유전체(31)의 내부로 진입하도록 유도할 수 있으므로, 마이크로웨이브에 대한 전송효율을 향상시킬 수 있다. 이는, 상기 유전체(31)가 상기 차단부재(32) 없이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 도파로(21)의 폭에 비해 큰 폭으로 형성된 비교예, 및 상기 유전체(31)가 상기 차단부재(32)에 삽입되어서 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 도파로(21)의 폭과 동일한 폭으로 형성된 실시예에 대해 시뮬레이션을 수행한 결과, 마이크로웨이브에 대한 전송효율이 비교예를 100%라 할 때 실시예가 260%로 나타난 것으로부터 확인할 수 있다.The blocking member 32 may include a receiving groove 321 for receiving the dielectric 31. The receiving groove 321 may be formed to penetrate the blocking member 32. The dielectric 31 may be inserted into the receiving groove 321 so as to be positioned inside the blocking member 32. The shielding member 32 is formed in the waveguide 2 so that the entire surface of the first connecting surface 311 contacts the waveguide 21 in a state in which the dielectric 31 is accommodated in the receiving groove 321. [ ). ≪ / RTI > Accordingly, the blocking member 32 can induce microwaves to enter the inside of the dielectric 31 through the first connecting surface 31, so that the transmission efficiency for microwaves can be improved. This is a comparative example in which the dielectric 31 is formed to have a width larger than the width of the waveguide 21 in the first axial direction (X-axis direction) without the blocking member 32, As a result of carrying out a simulation for an embodiment inserted into the blocking member 32 and having the same width as the width of the waveguide 21 in the first axial direction (X-axis direction), the transmission efficiency for microwaves Is 100%, it can be confirmed that the example is 260%.

상기 차단부재(32)는 상기 수용홈(321)에 의해 내부가 비어 있는 형태로 형성될 수 있다. 상기 수용홈(321)은 상기 유전체(31)의 형태에 대응되는 형태로 형성될 수 있다.The blocking member 32 may be formed in an empty state by the receiving groove 321. The receiving groove 321 may be formed in a shape corresponding to the shape of the dielectric 31.

예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로, 상기 유전체(31)가 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 크기가 감소되는 형태로 형성되는 경우, 상기 수용홈(321)은 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 크기가 감소되는 형태로 형성될 수 있다. For example, as shown in FIG. 4, the dielectric 31 may have a shape in which the dielectric 31 is reduced in size from the waveguide 2 toward the transfer part 4, with respect to the first axis direction (X-axis direction) The receiving groove 321 may be formed to be reduced in size in the direction from the waveguide 2 toward the transmitting portion 4. In this case,

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로, 상기 유전체(31)가 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 크기가 증가되는 형태로 형성되는 경우, 상기 수용홈(321)은 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 크기가 증가되는 형태로 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, the dielectric 31 may have a shape in which the dielectric 31 is increased in size from the waveguide 2 toward the transmission part 4, with reference to the first axis direction (X axis direction) The receiving groove 321 may be formed so as to be increased in size from the waveguide 2 toward the transmitting portion 4. In this case,

예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로, 상기 유전체(31)가 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 폭 변화가 없는 형태로 형성되는 경우, 상기 수용홈(321)은 상기 도파관(2)에서 상기 전송부(4)를 향하는 방향으로 폭 변화가 없는 형태로 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, the dielectric 31 may have a shape in which the width of the dielectric 31 does not change in the direction from the waveguide 2 toward the transmission portion 4, with respect to the first axis direction (X axis direction) The receiving groove 321 may be formed in a shape in which the width of the receiving groove 321 does not change in the direction from the waveguide 2 toward the transmitting portion 4. [

도시되지 않았지만, 상기 전달부(3)는 밀폐부재를 포함할 수 있다. 상기 도파로(21)가 진공상태인 경우, 상기 밀폐부재는 상기 도파로(21)가 진공상태로 유지되도록 상기 차단부재(32) 및 상기 도파관(21) 사이의 틈새를 밀폐시킬 수 있다. 이 경우, 상기 밀폐부재는 상기 차단부재(32) 및 상기 도파관(21) 사이에 개재(介在)될 수 있다. 상기 챔버(200)가 진공상태이고 상기 도파로(21)가 상압상태인 경우, 상기 밀폐부재는 상기 챔버(200)가 진공상태로 유지되도록 상기 차단부재(32) 및 상기 전송부(4) 사이의 틈새를 밀폐시킬 수 있다. 이 경우, 상기 밀폐부재는 상기 차단부재(32) 및 상기 전송부(4) 사이에 개재될 수 있다. 상기 밀폐부재는 오링일 수 있다. Although not shown, the transfer part 3 may include a sealing member. When the waveguide 21 is in a vacuum state, the sealing member can seal the gap between the blocking member 32 and the waveguide 21 so that the waveguide 21 is kept in a vacuum state. In this case, the sealing member may be interposed between the blocking member 32 and the waveguide 21. [ When the chamber 200 is in a vacuum state and the waveguide 21 is in an atmospheric pressure state, the sealing member is positioned between the blocking member 32 and the transfer unit 4 so that the chamber 200 is kept in a vacuum state. The gap can be sealed. In this case, the sealing member may be interposed between the blocking member 32 and the transfer unit 4. [ The sealing member may be an O-ring.

도 6을 참고하면, 상기 전달부(3)는 본딩부재(33)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the transfer unit 3 may include a bonding member 33.

상기 본딩부재(33)는 상기 차단부재(32) 및 상기 유전체(31) 사이에 위치한다. 상기 본딩부재(33)는 상기 수용홈(321)에 삽입된 유전체(31)를 상기 차단부재(32)에 결합시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 유전체(31)는 상기 제1연결면(311) 전면(全面)이 상기 도파로(211)에 접한 상태로 견고하게 유지될 수 있다. 또한, 상기 본딩부재(33)는 상기 유전체(31)와 차단부재(32) 사이를 밀폐시킴으로써, 상기 유전체(31)와 상기 차단부재(32) 사이의 틈새를 통해 진공 리크(Leak)가 발생하는 것을 방지할 수 있다.The bonding member 33 is positioned between the blocking member 32 and the dielectric 31. The bonding member 33 can couple the dielectric 31 inserted into the receiving groove 321 to the blocking member 32. Accordingly, the dielectric 31 can be firmly held in a state where the entire surface of the first connection surface 311 is in contact with the waveguide 211. The bonding member 33 seals between the dielectric 31 and the blocking member 32 so that a vacuum leak is generated through a gap between the dielectric 31 and the blocking member 32 Can be prevented.

상기 본딩부재(33)는 마이크로웨이브를 흡수하지 않는 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 본딩부재(33)는 마이크로웨이브를 흡수하는 납(Pb) 등과 같은 물질이 없는 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 본딩부재(33)가 마이크로웨이브를 흡수하여 온도가 상승함에 따라 녹는 등 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 유전체(31)가 상기 차단부재(32)에 결합된 상태로 유지될 수 있음과 동시에, 상기 유전체(31) 및 상기 차단부재(32) 사이의 틈새에 대한 밀폐력이 유지되도록 구현될 수 있다.The bonding member 33 may be formed of a material that does not absorb microwaves. For example, the bonding member 33 may be formed of a material free from a material such as lead (Pb) that absorbs microwaves. Accordingly, the microwave transmitting apparatus 1 for the deposition apparatus according to the present invention can prevent the bonding member 33 from absorbing the microwave and causing the deformation such as melting as the temperature rises. Therefore, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention is characterized in that the dielectric 31 can be held in a state of being coupled to the blocking member 32, So that the sealing force against the clearance between the first and second openings 32 can be maintained.

상기 본딩부재(33)는 상기 유전체(31)의 외주면을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 유전체(31)는 상기 본딩부재(33)의 내부에 위치한다. 상기 본딩부재(33)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 유전체(31) 및 상기 도파로(211)가 서로 동일한 폭을 갖도록 상기 유전체(31)에 비해 큰 폭으로 형성될 수 있다.The bonding member 33 may be formed to surround the outer circumferential surface of the dielectric 31. In this case, the dielectric 31 is located inside the bonding member 33. The bonding member 33 may have a larger width than the dielectric 31 so that the dielectric 31 and the waveguide 211 have the same width with respect to the first axis direction have.

도 7을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 전달부(3)에 있어서, 상기 유전체(31)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 도파로(21)에 비해 큰 폭으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 차단부재(32)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1연결면(311)과 상기 도파로(21)가 서로 동일한 폭을 갖도록 상기 유전체(31)를 상기 제1연결면(311) 및 결합면(313)으로 구획할 수 있다. 상기 결합면(313)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1연결면(311)의 외측에 위치한다.Referring to FIG. 7, in the transmission portion 3 according to the modified embodiment of the present invention, the dielectric 31 is larger than the waveguide 21 in the first axial direction (X-axis direction) Width. In this case, the shielding member 32 may be formed to have the same width as the first connecting surface 311 and the waveguide 21 with respect to the first axis direction (X-axis direction) The first connection surface 311 and the engagement surface 313. The coupling surface 313 is located outside the first connection surface 311 with respect to the first axis direction (X-axis direction).

이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 마이크로웨이브가 상기 유전체(31)의 제1연결면(311)을 통해 단면변화 없이 상기 유전체(31)의 내부로 진입하도록 유도할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 유전체(311)의 결합면(313)을 통해 밀폐력을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 유전체(31)를 이용하여 마이크로웨이브에 대한 전송효율을 향상시킬 수 있음과 동시에 진공 리크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention is configured such that the microwave is transmitted through the first connection surface 311 of the dielectric 31 with respect to the first axis direction (X-axis direction) The dielectric 31 can be guided to enter the inside of the dielectric 31 without any change and a sealing force can be realized through the coupling surface 313 of the dielectric 311. Therefore, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention can improve transmission efficiency for microwaves by using the dielectric 31, and prevent vacuum leakage from occurring.

상기 유전체(31)는 상기 차단부재(32)가 삽입되기 위한 삽입홈(314)을 포함할 수 있다. 상기 차단부재(32)는 상기 삽입홈(314)에 삽입됨으로써, 상기 차단부재(32)를 상기 제1연결면(311) 및 상기 결합면(313)으로 구획할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 본딩부재(33, 도 6에 도시됨)를 이용하는 것과 대비할 때, 간결한 구조로 마이크로웨이브에 대한 전송효율 및 밀폐력을 향상시킬 수 있다. 상기 삽입홈(314)은 상기 유전체(31)에서 상기 제1연결면(311)이 형성된 일면으로부터 일정 깊이 함몰되어 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 차단부재(32)는 상기 삽입홈(314)에 삽입되면, 상기 유전체(31)에 지지됨으로써 상기 삽입홈(314)에 삽입된 상태로 유지될 수 있다.The dielectric 31 may include an insertion groove 314 into which the blocking member 32 is inserted. The blocking member 32 is inserted into the insertion groove 314 so that the blocking member 32 can be divided into the first connecting surface 311 and the coupling surface 313. [ Therefore, the microwave transmitting apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention can improve the transmission efficiency and the sealing force for microwaves with a simple structure in comparison with the use of the bonding member 33 (shown in Fig. 6) have. The insertion groove 314 may be recessed at a predetermined depth from a surface of the dielectric 31 where the first connection surface 311 is formed. Accordingly, when the blocking member 32 is inserted into the insertion groove 314, the blocking member 32 can be held in the insertion groove 314 by being supported by the dielectric 31.

상기 유전체(31)에는 상기 차단부재(32)가 복수개 삽입될 수도 있다. 이 경우, 상기 유전체(31)에는 상기 삽입홈(314)이 복수개 형성될 수 있다. 상기 차단부재(32)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 제1폭(H1)으로 이격되도록 상기 유전체(31)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1연결면(311)은 상기 차단부재(32)들에 의해 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 도파관(21)과 동일한 제1폭(H1)을 갖도록 구획될 수 있다. 이 경우, 상기 삽입홈(314)들은 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 이격된 위치에 형성된다.A plurality of the blocking members 32 may be inserted into the dielectric 31. In this case, a plurality of the insertion grooves 314 may be formed in the dielectric 31. The blocking members 32 may be inserted into the dielectric 31 so as to be spaced apart from the first width H1 with reference to the first axial direction (X-axis direction). The first connecting surface 311 is divided by the blocking members 32 so as to have the same first width H1 as the waveguide 21 with respect to the first axis direction (X axis direction) . In this case, the insertion grooves 314 are formed at positions spaced apart from each other in the first axial direction (X-axis direction).

도 2 내지 도 8을 참고하면, 상기 전송부(4)는 상기 챔버(200)에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버(200)에 결합된다. 상기 전송부(4)는 챔버 내부(210)에 연통되도록 상기 챔버(200)에 결합될 수 있다. 상기 도파관(2)은 상기 전송부(4)를 기준으로 상기 챔버(200)의 반대편에 위치하도록 상기 전송부(4)에 결합될 수 있다. 즉, 상기 전송부(4)는 상기 도파관(2) 및 상기 챔버(200)의 사이에 위치한다.2 through 8, the transfer unit 4 is coupled to the chamber 200 for transferring microwaves to the chamber 200. The transfer unit 4 may be coupled to the chamber 200 to communicate with the chamber interior 210. The waveguide 2 may be coupled to the transfer unit 4 such that the waveguide 2 is positioned on the opposite side of the chamber 200 with respect to the transfer unit 4. That is, the transfer unit 4 is positioned between the waveguide 2 and the chamber 200.

상기 전송부(4)는 마이크로웨이브가 통과하기 위한 출구공(41)을 포함할 수 있다. 마이크로웨이브는 상기 출구공(41)을 통해 상기 챔버(200)로 전송될 수 있다. 상기 출구공(41)은 상기 전송부(4)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 전달부(3)가 상기 마이크로웨이브 발생기(10) 및 상기 도파관(2) 사이에 위치하는 경우, 상기 전송부(4)에 유입되는 마이크로웨이브는 상기 도파관(2)으로부터 직접 제공되는 것이다. 상기 전달부(3)가 상기 도파관(2) 및 상기 전송부(4) 사이에 위치하는 경우, 상기 전송부(4)에 유입되는 마이크로웨이브는 상기 도파관(2)에서 상기 유전체(31)를 거쳐 제공되는 것이다.The transfer unit 4 may include an exit hole 41 through which microwaves can pass. The microwaves can be transferred to the chamber 200 through the exit holes 41. The outlet hole (41) may be formed through the transfer part (4). The microwave introduced into the transmission unit 4 is directly supplied from the waveguide 2 when the transmission unit 3 is positioned between the microwave generator 10 and the waveguide 2. When the transfer part 3 is positioned between the waveguide 2 and the transfer part 4, the microwave introduced into the transfer part 4 passes through the dielectric 31 from the waveguide 2, Is provided.

상기 출구공(41)은 상기 챔버 내부(210)를 향하는 일단(41a)이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 제1폭(H1)에 비해 좁은 제2폭(H2)으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 출구공(41)은 슬릿(Slit) 형태로 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 출구공(41)을 통해 타겟입자가 상기 유전체(31) 쪽으로 유입되는 것을 방지함으로써, 상기 유전체(31)에 타겟입자가 증착됨에 따라 마이크로웨이브에 대한 전송효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.One end 41a of the outlet hole 41 facing the chamber interior 210 is formed with a second width H2 smaller than the first width H1 in the first axial direction . In this case, the outlet hole 41 may be formed in the form of a slit. Thus, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention prevents the target particles from flowing into the dielectric 31 through the outlet hole 41, It is possible to prevent the deterioration of the transmission efficiency of microwaves as deposited.

도 8 내지 도 11을 참고하면, 상기 출구공(41)은 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 타겟(300)이 갖는 타겟면(310)의 길이(310L)보다 더 긴 길이(41L)를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 타겟면(310)은 상기 타겟(300)이 갖는 면들 중에서 상기 전송부(4)가 갖는 출구공(41)을 향하는 대향면을 의미한다. 상기 타겟면(310)은 상기 타겟(300)이 상기 챔버 내부(210)에 배치된 방향에 따라, 상기 타겟(300)의 길이 또는 폭에 해당하는 면일 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 증착장치(1)는 상기 출구공(41)을 통해 상기 타겟(300)의 주변에 생성된 자기장영역으로 전송되는 마이크로웨이브의 균일성을 향상시킬 수 있다. 상기 제2축방향(Y축 방향)은 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 축방향일 수 있다.8-11, the exit hole 41 has a longer length 310L than the length 310L of the target surface 310 of the target 300 with respect to the second axial direction (Y-axis direction) 41L. The target surface 310 refers to the facing surface of the target 300 facing the outlet hole 41 of the transfer unit 4. The target surface 310 may be a surface corresponding to the length or width of the target 300 according to the direction in which the target 300 is disposed in the chamber interior 210. Accordingly, the microwave deposition apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention can improve the uniformity of microwaves transmitted to the generated magnetic field region around the target 300 through the exit hole 41 have. The second axial direction (Y-axis direction) may be an axial direction perpendicular to the first axial direction (X-axis direction).

예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 챔버 내부(210)에 하나의 타겟(300)이 설치된 경우, 상기 출구공(41)은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 타겟면(310)의 길이(310L)보다 더 긴 길이(41L)를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 타겟(300)이 실린더 타입으로 원통 형태로 형성되는 경우, 상기 출구공(41)은 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 상기 타겟면(310)의 직경(310L)보다 더 긴 길이(41L)을 갖도록 형성될 수 있다.9, when one target 300 is installed in the chamber interior 210, the exit hole 41 is formed in the second surface of the target surface (in the Y-axis direction) with respect to the second axis direction 310 having a length 41L that is longer than the length 310L. When the target 300 is formed in a cylindrical shape in a cylindrical shape, the exit hole 41 is formed in a shape having a length longer than the diameter 310L of the target surface 310 in the second axial direction (Y-axis direction) 41L.

예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 챔버 내부(210)에 복수개의 타겟(300)들이 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 서로 이격되게 설치된 경우, 상기 출구공(41)은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 타겟면(310)들의 길이(310L) 및 상기 타겟면(310)들이 서로 이격된 간격의 길이를 합친 길이보다 더 긴 길이(41L)를 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 타겟면(310)은 상기 타겟(300)의 폭에 해당하는 면일 수 있다.For example, as shown in FIG. 10, when a plurality of targets 300 are installed in the chamber interior 210 so as to be spaced from each other in the second axial direction (Y-axis direction) The length 310L of the target surfaces 310 and the length 41L of the target surfaces 310 longer than the combined length of the spaced distances may be formed on the basis of the axial direction (Y axis direction) have. In this case, the target surface 310 may be a surface corresponding to the width of the target 300.

예컨대, 도 11에 도시된 바와 같이 상기 챔버 내부(210)에 복수개의 타겟(300)들이 도 10에 배치된 방향에 대해 수직한 방향으로 배치되도록 설치된 경우, 상기 출구공(41)은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 타겟면(310)들 중에서 가장 긴 타켓면(310)의 길이(310L)보다 더 긴 길이(41L)를 갖도록 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 11, when a plurality of targets 300 are arranged in the chamber interior 210 in a direction perpendicular to the direction in which the targets 300 are arranged in FIG. 10, May be formed to have a length 41L that is longer than the length 310L of the longest target surface 310 among the target surfaces 310 with respect to the axial direction (Y axis direction).

상기 전송부(4)는 상기 출구공(41)에서 상기 챔버 내부(210)를 향하는 일단(41a)이 상기 타겟면(310)으로부터 이격된 거리(D, 도 9에 도시됨)가 20 mm 이상이 되도록 설치될 수 있다. 상기 전송부(4)에서 상기 챔버 내부(210)를 향하는 일단이 상기 타겟면(310)으로부터 20 mm 이상 이격되도록 설치될 수도 있다.The transfer unit 4 has a distance D (shown in FIG. 9) at which one end 41a of the transfer chamber 4 from the outlet hole 41 toward the chamber interior 210 is spaced from the target surface 310 by at least 20 mm As shown in FIG. One end of the transfer part 4 facing the chamber interior 210 may be spaced apart from the target surface 310 by 20 mm or more.

도 12 및 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 반사부(5, 도 13에 도시됨)를 포함할 수 있다.12 and 13, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention may include a reflection portion 5 (shown in FIG. 13).

상기 반사부(5)는 상기 마이크로웨이브 발생기(10)로부터 주입되는 마이크로웨이브를 상기 챔버(200) 쪽으로 반사시킨다. 이 경우, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)는 주입방향(ID 화살표 방향, 도 13에 도시됨)으로 상기 도파관(2)에 마이크로웨이브를 주입하도록 상기 도파관(2)에 결합된다. 상기 반사부(5)가 구비되는 경우, 상기 주입방향(ID 화살표 방향)은 마이크로웨이브가 상기 전송부(4)에서 상기 챔버(200)로 공급되는 공급방향(SD 화살표 방향, 도 13에 도시됨)에 대해 수직한 방향이다. 상기 반사부(5)는 내열성이 강한 도체로 형성될 수 있다.The reflection unit 5 reflects the microwave injected from the microwave generator 10 toward the chamber 200. In this case, the microwave generator 10 is coupled to the waveguide 2 to inject microwaves into the waveguide 2 in the direction of injection (ID arrow direction, shown in FIG. 13). 13, the microwave is supplied to the chamber 200 from the transfer part 4 in the direction of the SD arrow, In the vertical direction. The reflector 5 may be formed of a conductor having high heat resistance.

상기 반사부(5)는 상기 마이크로웨이브 발생기(10)로부터 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 따라 주입되는 마이크로웨이브를 상기 공급방향(SD 화살표 방향)으로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 도파관(2)에 주입된 마이크로웨이브가 상기 챔버(200)로 공급되는 양을 증대시킴으로써, 마이크로웨이브에 대한 전송효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 반사부(5)를 이용하여 상기 출구공(41)을 통해 상기 타겟(300)의 주변에 생성된 자기장영역으로 전송되는 마이크로웨이브의 균일성을 향상시킬 수 있다.The reflector 5 may reflect microwaves injected from the microwave generator 10 along the feeding direction (direction of the arrow mark) in the feeding direction (SD arrow direction). Accordingly, the microwave transmitting apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention improves the transmission efficiency of microwaves by increasing the amount of microwaves injected into the chambers 200 into the waveguide 2 . The microwave transmission apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention may further include a microwave transmission apparatus 1 for transmitting a microwave to a magnetic field region generated around the target 300 through the exit hole 41 using the reflection unit 5, The uniformity of the wave can be improved.

이는, 상기 주입방향(ID 화살표 방향) 및 상기 공급방향(SD 화살표 방향)이 서로 수직한 방향을 향하도록 상기 마이크로웨이브 발생기(10)가 배치된 상태에서, 비교예 및 실시예를 적용한 증착장치 각각에서 방전전압을 측정한 결과를 나타낸 아래 그림 1로부터 알 수 있다. 여기서, 비교예는 상기 반사부(5)가 없이 상기 유전체(31, 3에 도시됨)가 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 도파로(21)의 폭에 비해 큰 폭으로 형성된 전송장치이다. 실시예는 상기 반사부(5)가 구비됨과 동시에 상기 유전체(31, 3에 도시됨)가 상기 제1축방향(X축 방향)으로 상기 도파로(21)의 폭과 동일한 폭으로 형성된 전송장치를 적용한 증착장치이다. 아래 표에서 세로축은 방전전압의 크기이고, 가로축은 마이크로웨이브 파워의 크기이다.This is because the microwave generator 10 is disposed such that the direction of the injection (ID arrow direction) and the direction of supply (SD arrow direction) are perpendicular to each other, Figure 1 shows the results of the measurement of the discharge voltage. In the comparative example, the dielectric (31, 3) is formed in the first axial direction (X-axis direction) with a width larger than the width of the waveguide (21) to be. The embodiment is characterized in that the reflection portion 5 and the dielectric 31 and 3 are formed in the same direction as the waveguide 21 in the first axis direction Is a deposition apparatus to which the present invention is applied. In the following table, the vertical axis represents the magnitude of the discharge voltage and the horizontal axis represents the magnitude of the microwave power.

[그림 1][Figure 1]

Figure 112015065676819-pat00001
Figure 112015065676819-pat00001

그림 1로부터, 비교예는 마이크로웨이브를 전송하지 않았을 때 방전전압이 250V인 상태에서, 1kW의 마이크로웨이브를 전송하였을 때 방전전압이 대략 225V로 감소하였음을 알 수 있다. 즉, 비교예는 마이크로웨이브 전송으로 인해 방전전압이 대략 25V 감소하였다. 이와 달리, 실시예는 마이크로웨이브를 전송하지 않았을 때 방전전압이 250V인 상태에서, 1kW의 마이크로웨이브를 전송하였을 때 방전전압이 대략 200V로 감소하였음을 알 수 있다. 즉, 실시예는 마이크로웨이브 전송으로 인해 방전전압이 대략 50V 감소하였다. 마이크로웨이브를 전송하면, 마이크로웨이브가 자기장영역에서 전자 싸이클로트론 공명(ECR, Electron Cyclotron Resonance) 반응을 일으켜 전자 온도 증가, 이온화 증가, 플라즈마 밀도 증가, 방전 전류 증가, 및 방전 전압 감소가 순차적으로 일어나게 되므로, 방전전압 감소 비율은 마이크로웨이브 전송효율을 판단하는 지표이다. 즉, 방전전압 감소 비율이 클수록 마이크로웨이브 전송효율이 높은 것을 의미한다. 따라서, 실시예는 비교예에 비해 방전전압이 더 크게 감소한 것으로부터, 비교예에 비해 마이크로웨이브 전송효율을 더 향상시킬 수 있음을 알 수 있다. 또한, 표 1로부터, 비교예가 인가 가능한 마이크로웨이브의 최대 파워가 1kW인 것과 달리, 실시예는 인가 가능한 마이크로웨이브의 최대 파워가 2kW임을 알 수 있다. 따라서, 실시예는 비교예에 비해 더 큰 파워의 마이크로웨이브를 인가할 수 있고, 이로 인해 방전전압 감소 비율을 더 증대시킴으로써 마이크로웨이브 전송효율을 더 향상시킬 수 있다.From FIG. 1, it can be seen that the discharge voltage was reduced to about 225 V when a microwave of 1 kW was transmitted in a state where the discharge voltage was 250 V when the microwave was not transmitted. That is, in the comparative example, the discharge voltage was reduced by about 25 V due to microwave transmission. In contrast, in the embodiment, when the microwave is not transmitted, when the discharge voltage is 250V, when the microwave of 1kW is transmitted, the discharge voltage is reduced to about 200V. That is, the discharge voltage of the embodiment was reduced by about 50 V due to microwave transmission. When the microwave is transmitted, the microwave causes an electron cyclotron resonance (ECR) reaction in the magnetic field region, so that the electron temperature increases, the ionization increases, the plasma density increases, the discharge current increases, and the discharge voltage decreases sequentially. The discharge voltage reduction ratio is an indicator for determining microwave transmission efficiency. That is, the larger the discharge voltage reduction ratio, the higher the microwave transmission efficiency. Therefore, it can be seen that the microwave transmission efficiency can be further improved as compared with the comparative example, since the discharge voltage is further reduced in the embodiment compared to the comparative example. It can also be seen from Table 1 that the maximum power of the applicable microwave is 2 kW, whereas the maximum power of the comparable example is 1 kW. Therefore, the embodiment can apply a microwave of a larger power than the comparative example, thereby further improving the microwave transmission efficiency by further increasing the discharge voltage reduction ratio.

이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 유전체(31)의 폭을 상기 도파로(21)의 폭과 동일하게 구현함과 동시에 상기 반사부(5)를 적용함으로써, 마이크로웨이브 전송효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 챔버(200)에 대한 높은 파워 전송을 구현할 수 있음과 동시에, 상기 반사부(5)를 이용하여 상기 출구공(41)을 통해 상기 타겟(300)의 주변에 생성된 자기장영역으로 전송되는 마이크로웨이브의 균일성을 향상시킴으로써 플라즈마에 대한 안정성 및 균일성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention realizes the width of the dielectric 31 equal to the width of the waveguide 21, and at the same time, by applying the reflection portion 5, Microwave transmission efficiency can be improved. In addition, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention can realize high power transmission to the chamber 200, and at the same time, The stability and uniformity of the plasma can be improved by improving the uniformity of microwaves transmitted to the magnetic field region generated in the periphery of the target 300.

도 12 내지 도 15를 참고하면, 상기 반사부(5)는 제1반사부재(51)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 12 to 15, the reflection unit 5 may include a first reflection member 51.

상기 제1반사부재(51)는 상기 도파로(21)에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합된다. 상기 제1반사부재(51)는 상기 마이크로웨이브 발생기(10)로부터 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 따라 주입되는 마이크로웨이브를 상기 공급방향(SD 화살표 방향) 쪽으로 반사시킬 수 있다.The first reflecting member 51 is coupled to the waveguide 2 so as to be positioned in the waveguide 21. [ The first reflecting member 51 may reflect a microwave from the microwave generator 10 along the feeding direction (direction of the arrow mark) toward the feeding direction (direction of the arrow SD).

상기 제1반사부재(51)는 마이크로웨이브를 반사시키기 위한 제1반사면(511)을 포함할 수 있다. 상기 제1반사면(511)은 상기 제1반사부재(51)에서 상기 마이크로웨이브 발생기(10)를 향하는 쪽에 형성된다. 상기 제1반사부재(51)는 상기 공급방향(SD 화살표 방향)을 향할수록 크기가 감소되는 형태로 형성될 수 있다.The first reflecting member 51 may include a first reflecting surface 511 for reflecting microwaves. The first reflecting surface 511 is formed on the side of the first reflecting member 51 facing the microwave generator 10. The first reflection member 51 may be formed to have a reduced size in a direction of the supply direction (SD arrow direction).

예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제1반사부재(51)는 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 기준으로 하는 단면이 삼각형 형태를 이루도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1반사면(511)은 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 경사진 경사면을 이룰 수 있다.For example, as shown in FIG. 13, the first reflecting member 51 may be formed to have a triangular cross section with respect to the injection direction (direction of the arrow mark). In this case, the first reflecting surface 511 may be inclined to the injection direction (direction of the arrow mark).

예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제1반사부재(51)는 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 향할수록 상기 공급방향(SD 화살표 방향) 쪽으로 더 돌출되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 도파로(21)는 상기 제1반사면(511)에 의해 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 향할수록 크기가 감소되게 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 14, the first reflecting member 51 may be formed to protrude further toward the supplying direction (SD arrow direction) toward the injection direction (ID arrow direction). In this case, the waveguide 21 may be formed to be reduced in size toward the injection direction (ID arrow direction) by the first reflection surface 511.

도시되지 않았지만, 상기 제1반사부재(51)는 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 기준으로 단면이 반타원 형태, 반원 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.Although not shown, the first reflection member 51 may be formed in another shape such as a semi-elliptical shape or a semicircular shape in cross section with reference to the injection direction (ID arrow direction).

도 15를 참고하면, 상기 반사부(5)는 상기 제2반사부재(52)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15, the reflective portion 5 may include the second reflective member 52.

상기 제2반사부재(52)는 상기 주입방향(ID 화살표 방항)으로 상기 제1반사부재(51)로부터 이격된 위치에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합된다. 상기 제2반사부재(52)는 상기 마이크로웨이브 발생기(10)로부터 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 따라 주입되는 마이크로웨이브를 상기 공급방향(SD 화살표 방향) 쪽으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2반사부재(52)는 마이크로웨이브를 반사시키기 위한 제2반사면(521)을 포함할 수 있다. 상기 제2반사면(521)은 상기 제2반사부재(52)에서 상기 제1반사부재(51)를 향하는 쪽에 형성된다. 상기 제2반사부재(52)는 상기 공급방향(SD 화살표 방향)을 향할수록 크기가 감소되는 형태로 형성될 수 있다.The second reflecting member 52 is coupled to the waveguide 2 so as to be located at a position spaced apart from the first reflecting member 51 in the injection direction (ID arrow direction). The second reflecting member 52 may reflect a microwave from the microwave generator 10 along the feeding direction (direction of the arrow mark) toward the feeding direction (direction of the arrow SD). The second reflecting member 52 may include a second reflecting surface 521 for reflecting microwaves. The second reflecting surface 521 is formed on the side of the second reflecting member 52 that faces the first reflecting member 51. The second reflection member 52 may be formed to have a reduced size in a direction of the supply direction (SD arrow direction).

상기 제2반사면(521)은 상기 공급방향(SD 화살표 방향)으로 상기 제1반사면(511)에 비해 더 큰 크기로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2반사면(521)은 상기 주입방향(ID 화살표 방향)으로 상기 제1반사면(511)의 상측을 통과한 마이크로웨이브를 상기 공급방향(SD 화살표 방향)으로 반사시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 마이크로웨이브 전송효율을 더 향상시킬 수 있다.The second reflective surface 521 may be formed to have a larger size than the first reflective surface 511 in the supply direction (SD arrow direction). Accordingly, the second reflecting surface 521 can reflect the microwaves passing through the upper side of the first reflecting surface 511 in the feeding direction (direction of the arrow SD) in the feeding direction (direction of the arrow SD) . Therefore, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention can further improve the microwave transmission efficiency.

상기 제2반사면(521)은 상기 제2반사부재(52)가 상기 제1반사부재(51)에 비해 상기 공급방향(SD 화살표 방향)으로 많이 돌출되도록 형성됨으로써, 상기 제1반사면(511)에 비해 큰 크기로 형성될 수 있다. 상기 제2반사부재(52)는 상기 제1반사부재(51)와 동일한 형태로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제2반사부재(52)는 상기 제1반사부재(51)와 상이한 형태로 형성될 수도 있다.The second reflecting surface 521 is formed such that the second reflecting member 52 protrudes much in the feeding direction (SD arrow direction) as compared with the first reflecting member 51, so that the first reflecting surface 511 As shown in FIG. The second reflective member 52 may be formed in the same shape as the first reflective member 51. Although not shown, the second reflecting member 52 may be formed in a different shape from the first reflecting member 51.

한편, 상기 반사부(5)는 상기 전달부(3)가 상기 마이크로웨이브 발생기(10, 도 13에 도시됨) 및 상기 도파관(2) 사이에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합되는 실시예, 및 상기 전달부(3)가 상기 도파관(2) 및 상기 전송부(4) 사이에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합된 실시예 모두에 적용될 수 있다.Meanwhile, the reflection unit 5 is an embodiment in which the transmission unit 3 is coupled to the waveguide 2 so as to be positioned between the microwave generator 10 (shown in FIG. 13) and the waveguide 2, And to the waveguide 2 so that the transfer part 3 is located between the waveguide 2 and the transfer part 4. [

도 12 및 도 16을 참고하면, 상기 전달부(3)가 상기 마이크로웨이브 발생기(10, 도 2에 도시됨) 및 상기 도파관(2) 사이에 위치하도록 상기 도파관(2)에 결합되는 경우, 상기 유전체(31)는 상기 제1연결면(311)이 상기 도파관(2)의 유입면(22, 도 12에 도시됨)과 동일한 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 유입면(22)은 상기 도파관(2)에서 상기 마이크로웨이브가 유입되는 면이다. 이에 따라, 상기 제1연결면(311)은 폭(311W, 도 16에 도시됨) 및 길이(311L, 도 16에 도시됨) 모두가 상기 도파관(2)의 폭 및 길이와 동일하게 구현될 수 있다.12 and 16, when the transmission portion 3 is coupled to the waveguide 2 so as to be positioned between the microwave generator 10 (shown in FIG. 2) and the waveguide 2, The dielectric 31 may be formed such that the first connecting surface 311 has the same area as the inflow surface 22 of the waveguide 2 (shown in FIG. 12). The inflow surface 22 is a surface to which the microwave is introduced from the waveguide 2. 16) and the length 311L (shown in FIG. 16) can be implemented equal to the width and length of the waveguide 2, have.

도 17을 참고하면, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)는 마이크로웨이브가 상기 공급방향(SD 화살표 방향)에 대해 수직한 주입방향(ID 화살표 방향)으로 상기 도파관(2)에 마이크로웨이브를 주입하도록 도파관(2)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 주입방향(ID 화살표 방향)은, 상기 타겟(300)이 갖는 타겟면(310)에 대해 평행한 방향이다. 상기 타겟면(310)은 상기 타겟(300)에서 상기 도파관(2)을 향하는 면이다. 즉, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)는 상기 타겟면(310)에 대해 평행한 방향 쪽에 배치될 수 있다.17, the microwave generator 10 includes a waveguide (not shown) for injecting a microwave into the waveguide 2 in the direction of injection (ID arrow direction) perpendicular to the feeding direction 2). ≪ / RTI > In this case, the injection direction (ID arrow direction) is a direction parallel to the target surface 310 of the target 300. The target surface 310 is a surface facing the waveguide 2 from the target 300. That is, the microwave generator 10 may be disposed in a direction parallel to the target surface 310.

이 경우, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)로부터 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 따라 주입된 마이크로웨이브는, 상기 도파관(2)에서 상기 주입방향(ID 화살표 방향)에 대해 수직한 방향을 향하는 공급방향(SD 화살표 방향)으로 이동방향이 변경되어야 한다. 이에 따라, 상기 주행방향(ID 화살표 방향)을 기준으로, 상기 타겟면(310)에 전송되는 마이크로웨이브의 양에 큰 편차가 발생하게 된다. 상기 주행방향(ID 화살표 방향)을 기준으로, 상기 타겟면(310)에서 상기 마이크로웨이브 발생기(10)에 가까운 부분일수록 적은 양의 마이크로웨이브가 전송된다. 이러한 편차를 감소시키기 위해, 상술한 반사부(5, 도 13에 도시됨)가 구비될 수 있다.In this case, the microwave injected from the microwave generator 10 along the injection direction (the direction of the arrow mark) passes through the waveguide 2 in a direction perpendicular to the injection direction (ID arrow direction) (Direction of SD arrow). Accordingly, a large deviation occurs in the amount of microwaves transmitted to the target surface 310 on the basis of the running direction (the direction of the arrow mark). A smaller amount of microwave is transmitted from the target surface 310 toward the microwave generator 10 in the direction of travel (ID arrow direction). In order to reduce such a deviation, the above-described reflection portion 5 (shown in Fig. 13) may be provided.

도 18을 참고하면, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)는 마이크로웨이브가 상기 공급방향(SD 화살표 방향)에 대해 평행한 주입방향(ID 화살표 방향)으로 상기 도파관(2)에 마이크로웨이브를 주입하도록 상기 도파관(2)에 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 주입방향(ID 화살표 방향)은, 상기 타겟(300)이 갖는 타겟면(310)에 대해 수직한 방향이다. 즉, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)는 상기 타겟면(310)에 대해 수직한 방향 쪽에 배치될 수 있다.18, the microwave generator 10 includes a waveguide 2 for introducing a microwave into the waveguide 2 in an injection direction (direction of an arrow mark) in which a microwave is parallel to the feeding direction (2). In this case, the injection direction (ID arrow direction) is a direction perpendicular to the target surface 310 of the target 300. That is, the microwave generator 10 may be disposed in a direction perpendicular to the target surface 310.

이 경우, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)로부터 상기 주입방향(ID 화살표 방향)을 따라 주입된 마이크로웨이브는, 상기 도파관(2)에서 상기 주입방향(ID 화살표 방향)에 대해 평행한 방향을 향하는 공급방향(SD 화살표 방향)을 따라 이동하게 된다. 이에 따라, 상기 주행방향(ID 화살표 방향)에 대해 수직한 방향을 기준으로, 상기 타겟면(310)에 전송되는 마이크로웨이브의 양에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 마이크로웨이브 발생기(10)가 상기 타겟면(310)에 대해 수직한 방향 쪽에 배치되는 경우, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 반사부(5, 도 13에 도시됨) 없이도 상기 타겟면(310)에 전송되는 마이크로웨이브의 양에 대한 균일성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In this case, the microwave injected from the microwave generator 10 along the injection direction (the direction of the arrow mark) passes through the wave guide 2 in the feeding direction (SD arrow direction). Accordingly, it is possible to reduce the deviation of the amount of microwaves transmitted to the target surface 310 with respect to the direction perpendicular to the running direction (the direction of the arrow mark). Therefore, when the microwave generator 10 is disposed in a direction perpendicular to the target surface 310, the microwave transmission device 1 for a deposition apparatus according to the present invention is provided with the reflector 5 It is possible to improve the uniformity of the amount of microwaves transmitted to the target surface 310 without the need for the microwaves.

상기 마이크로웨이브 발생기(10)가 상기 타겟면(310)에 대해 수직한 방향 쪽에 배치되는 경우, 상기 출구공(41)은 상기 공급방향(SD 화살표 방향)으로 크기가 증가하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치(1)는 상기 반사부(5, 도 13에 도시됨) 없이도 상기 타겟면(310)에 전송되는 마이크로웨이브의 양에 대한 균일성을 더 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상기 출구공(41)에서 상기 타겟면(310)을 향하는 일단은, 상기 공급방향(SD 화살표 방향)에 대해 수직한 방향으로 상기 타겟면(310)보다 더 긴 길이로 형성될 수 있다.When the microwave generator 10 is disposed in a direction perpendicular to the target surface 310, the outlet hole 41 may be formed to increase in size in the feeding direction (SD arrow direction). Accordingly, the microwave transmission apparatus 1 for a deposition apparatus according to the present invention can improve the uniformity of the amount of microwaves transmitted to the target surface 310 without the reflection unit 5 (shown in FIG. 13) Can be improved. In this case, one end toward the target surface 310 from the exit hole 41 may be formed to have a longer length than the target surface 310 in a direction perpendicular to the supply direction (SD arrow direction) .

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

1 : 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치 2 : 도파관
3 : 전달부 4 : 전송부
5 : 반사부 21 : 도파로
22 : 유입면 31 : 유전체
32 : 차단부재 33 : 본딩부재
41 : 출구공 51 : 제1반사부재
52 : 제2반사부재 200 : 챔버
300 : 타겟 310 : 타겟면1: Microwave transmission device for deposition apparatus 2: Waveguide
3: transfer part 4: transfer part
5: reflector 21: waveguide
22: inlet surface 31: dielectric
32: blocking member 33: bonding member
41: exit hole 51: first reflection member
52: second reflecting member 200: chamber
300: target 310: target surface

Claims (16)

마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 발생기;
상기 마이크로웨이브 발생기에 연결된 도파관;
마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관에 결합되는 전달부;
증착장치의 챔버에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버에 결합되는 전송부를 포함하고,
상기 도파관은 제1축방향으로 제1폭을 갖도록 형성된 도파로를 포함하며,
상기 전송부는 마이크로웨이브가 상기 챔버로 전송되도록 마이크로웨이브가 통과하기 위한 출구공을 포함하고,
상기 전달부는 상기 도파로와 상기 전송부 사이에 위치하여 마이크로웨이브를 통과시키기 위한 유전체, 및 마이크로웨이브의 진입을 차단하기 위한 차단부재를 포함하며,
상기 유전체는 상기 도파로에 접하는 제1연결면 및 상기 출구공에 접하는 제2연결면을 포함하되, 상기 제1축방향을 기준으로 상기 제1연결면과 상기 도파로가 동일한 폭을 갖도록 상기 제1연결면이 상기 제1축방향으로 상기 제1폭으로 형성되고,
상기 출구공은 일단이 상기 챔버의 내부를 향하고 타단이 상기 제2연결면을 향하도록 상기 전송부를 관통하여 형성되되, 상기 제1축방향을 기준으로 상기 출구공의 타단이 상기 제2연결면과 동일한 폭을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.A microwave generator for generating a microwave;
A waveguide connected to the microwave generator;
A transmitter coupled to the waveguide for passing microwaves therethrough;
And a transfer portion coupled to the chamber for transferring microwaves to a chamber of the deposition apparatus,
Wherein the waveguide includes a waveguide formed to have a first width in a first axis direction,
Wherein the transfer portion includes an exit hole through which the microwaves pass so that the microwaves are transferred to the chamber,
Wherein the transmission unit includes a dielectric for passing microwaves between the waveguide and the transmission unit, and a blocking member for blocking entry of microwaves,
Wherein the dielectric has a first connection surface in contact with the waveguide and a second connection surface in contact with the exit hole, the first connection surface and the waveguide having the same width with respect to the first axis direction, Wherein the first surface is formed with the first width in the first axis direction,
Wherein the outlet hole is formed so as to penetrate through the transfer section such that one end thereof faces the inside of the chamber and the other end faces the second connection surface, and the other end of the outlet hole is connected to the second connection surface And is formed to have the same width. 제1항에 있어서,
상기 차단부재는 상기 유전체를 수용하기 위한 수용홈을 포함하되, 상기 수용홈에 수용된 유전체의 제1연결면 전면(全面)이 상기 도파로에 접하도록 상기 도파관에 결합되며,
상기 유전체는 상기 차단부재의 내부에 위치하도록 상기 수용홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.The method according to claim 1,
Wherein the shielding member includes a receiving groove for receiving the dielectric, the front surface of the first connecting surface of the dielectric contained in the receiving groove is coupled to the waveguide so as to contact the waveguide,
Wherein the dielectric is inserted into the receiving groove so as to be located inside the blocking member. 제2항에 있어서,
상기 전달부는 상기 차단부재 및 상기 유전체 사이에 위치하는 본딩부재를 포함하고,
상기 본딩부재는 상기 수용홈에 삽입된 유전체를 상기 차단부재에 결합시키는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.3. The method of claim 2,
Wherein the transmitting portion includes a bonding member positioned between the blocking member and the dielectric,
And the bonding member couples the dielectric inserted into the receiving groove to the blocking member. 제1항에 있어서,
상기 유전체는 상기 차단부재가 삽입되기 위한 삽입홈을 포함하며,
상기 차단부재는 상기 제1축방향을 기준으로 상기 제1연결면과 상기 도파로가 동일한 폭을 갖도록 상기 삽입홈에 삽입되어서 상기 유전체를 상기 제1연결면 및 상기 제1연결면의 외측에 위치하는 결합면으로 구획하는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.The method according to claim 1,
Wherein the dielectric includes an insertion groove into which the blocking member is inserted,
Wherein the shield member is inserted into the insertion groove so that the first connection surface and the waveguide have the same width with respect to the first axis direction so that the dielectric member is located outside the first connection surface and the first connection surface And a coupling surface of the microwave transmission device. 제4항에 있어서,
상기 유전체는 상기 차단부재가 복수개 삽입되도록 상기 삽입홈을 복수개 포함하고,
상기 차단부재들은 상기 제1축방향을 기준으로 상기 제1폭으로 이격되도록 상기 삽입홈들 각각에 삽입되는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.5. The method of claim 4,
Wherein the dielectric includes a plurality of insertion grooves for inserting a plurality of the blocking members,
Wherein the shielding members are inserted into each of the insertion grooves so as to be spaced apart from each other by the first width with reference to the first axis direction. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 출구공은 상기 챔버의 내부를 향하는 일단이 상기 제1축방향으로 상기 제1폭에 비해 좁은 제2폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the outlet hole has an end directed toward the inside of the chamber with a second width smaller than the first width in the first axis direction. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 출구공은 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 기준으로 상기 챔버의 내부에 설치된 타겟이 갖는 면들 중에서 상기 전송부를 향하는 타겟면의 길이보다 더 긴 길이를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the exit hole is formed to have a length longer than a length of a target surface of the target disposed in the chamber with respect to a second axis direction perpendicular to the first axis direction, Microwave transmission device for deposition apparatus. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 출구공은 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 기준으로 상기 챔버의 내부에 설치된 복수개의 타겟들 각각이 갖는 면들 중에서 상기 전송부를 향하는 타겟면들의 길이 및 상기 타겟면들이 서로 이격된 간격의 길이를 합친 길이보다 더 긴 길이를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the exit hole has a length of the target surfaces facing the transfer portion among the surfaces of the plurality of targets provided in the chamber with respect to the second axis direction perpendicular to the first axis direction, Wherein the length of the gap is longer than the sum of the lengths of the gaps. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전송부는 상기 출구공의 일단이 상기 챔버의 내부에 위치한 타겟이 갖는 면들 중에서 상기 출구공을 향하는 타겟면으로부터 20 mm 이상 이격되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the transfer unit is installed such that one end of the exit hole is spaced by 20 mm or more from a target surface of the target located inside the chamber, the target surface facing the exit hole. 삭제delete 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도파로에 위치하도록 상기 도파관에 결합되는 제1반사부재를 포함하고,
상기 마이크로웨이브 발생기는 마이크로웨이브가 상기 전송부에서 상기 챔버로 공급되는 공급방향에 대해 수직한 주입방향으로 상기 도파관에 마이크로웨이브를 주입하도록 상기 도파관에 결합되며,
상기 제1반사부재는 상기 마이크로웨이브 발생기로부터 상기 주입방향을 따라 주입되는 마이크로웨이브를 상기 공급방향 쪽으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And a first reflection member coupled to the waveguide so as to be positioned in the waveguide,
The microwave generator is coupled to the waveguide to inject microwaves into the waveguide in a direction perpendicular to the feeding direction in which microwaves are fed from the transfer section to the chamber,
Wherein the first reflecting member reflects a microwave injected along the injection direction from the microwave generator toward the feeding direction. 제11항에 있어서,
상기 주입방향으로 상기 제1반사부재로부터 이격된 위치에 위치하도록 상기 도파관에 결합되는 제2반사부재를 포함하고,
상기 제1반사부재는 마이크로웨이브를 반사시키기 위한 제1반사면을 포함하며;
상기 제2반사부재는 마이크로웨이브를 반사시키기 위한 제2반사면을 포함하고,
상기 제2반사면은 상기 공급방향으로 상기 제1반사면에 비해 더 큰 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.12. The method of claim 11,
And a second reflection member coupled to the waveguide so as to be positioned at a position spaced apart from the first reflection member in the injection direction,
The first reflecting member includes a first reflecting surface for reflecting microwaves;
Wherein the second reflecting member includes a second reflecting surface for reflecting microwaves,
Wherein the second reflective surface is formed in a larger size than the first reflective surface in the feeding direction. 제11항에 있어서,
상기 제1반사부재는 상기 주입방향을 향할수록 상기 공급방향 쪽으로 더 돌출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.12. The method of claim 11,
Wherein the first reflecting member is formed to protrude further toward the feeding direction toward the injection direction. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 발생기는 마이크로웨이브가 상기 전송부에서 상기 챔버로 공급되는 공급방향에 대해 평행한 주입방향으로 상기 도파관에 마이크로웨이브를 주입하도록 상기 도파관에 결합되는 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the microwave generator is coupled to the waveguide to inject a microwave into the waveguide in a direction parallel to the feed direction in which the microwave is supplied to the chamber from the transfer portion. . 제14항에 있어서,
상기 출구공은 상기 공급방향으로 크기가 증가하도록 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.15. The method of claim 14,
And the outlet hole is formed to increase in size in the feeding direction. 마이크로웨이브 발생기에 연결된 도파관;
마이크로웨이브를 통과시키기 위해 상기 도파관에 결합되는 전달부; 및
증착장치의 챔버에 마이크로웨이브를 전송하기 위해 상기 챔버에 결합되는 전송부를 포함하고,
상기 도파관은 제1축방향으로 제1폭을 갖도록 형성된 도파로를 포함하며,
상기 전송부는 마이크로웨이브가 상기 챔버로 전송되도록 마이크로웨이브가 통과하기 위한 출구공을 포함하고,
상기 전달부는 상기 도파로와 상기 출구공 각각에 접하도록 상기 도파로와 상기 전송부의 사이에 위치하여 마이크로웨이브를 통과시키기 위한 유전체를 포함하며,
상기 유전체는 상기 제1축방향을 기준으로 상기 도파로와 동일한 폭을 갖도록 상기 제1축방향으로 상기 제1폭으로 형성되고,
상기 출구공은 일단이 상기 챔버의 내부를 향하고 타단이 상기 유전체를 향하도록 상기 전송부를 관통하여 형성되되, 상기 제1축방향을 기준으로 상기 출구공의 타단이 상기 제1폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치용 마이크로웨이브 전송장치.A waveguide connected to the microwave generator;
A transmitter coupled to the waveguide for passing microwaves therethrough; And
And a transfer portion coupled to the chamber for transferring microwaves to a chamber of the deposition apparatus,
Wherein the waveguide includes a waveguide formed to have a first width in a first axis direction,
Wherein the transfer portion includes an exit hole through which the microwaves pass so that the microwaves are transferred to the chamber,
Wherein the transmission unit includes a dielectric for passing microwaves between the waveguide and the transmission unit so as to be in contact with the waveguide and the exit hole,
Wherein the dielectric is formed with the first width in the first axis direction so as to have the same width as the waveguide with respect to the first axis direction,
Wherein the outlet hole is formed to penetrate through the transfer section such that one end faces the inside of the chamber and the other end faces the dielectric, and the other end of the outlet hole is formed with the first width with respect to the first axis direction And the microwave transmitting device for the deposition apparatus.
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