KR101719372B1 - Method For Manufacturing An Organic Light Emitting Diode Display Device Having A Reflective Electrode - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 제조 방법은, 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선, 구동전류 배선, 그리고 상기 화소 영역 내에 배치된 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터가 완성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막이 형성된 기판 전면 위에 평탄화막을 도포하는 단계; 상기 평탄화막 위에 반사 전극층을 도포하고, 상기 반사 전극층을 패턴하는 단계; 상기 패턴된 반사 전극층을 마스크로 하여, 상기 평탄화막에 콘택홀 패턴을 형성하는 단계; 상기 평탄화막을 마스크로 하여 상기 보호막을 패턴하여 콘택홀을 형성하는 단계; 그리고 상기 콘택홀이 형성된 기판 위에 투명 도전층을 증착하고, 상기 투명 도전층과 상기 반사 전극층을 패턴하여 상기 박막트랜지스터에 연결된 캐소드를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 캐소드를 구성하는 반사 전극층과 투명 전극층을 따로 형성하면서도 추가 마스크 공정 없이 단순화한 유기전계발광 표시장치의 제조 공정을 이룩할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device having a reflective electrode. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display, including: forming a scan line, a data line, a drive current line, and a thin film transistor disposed in the pixel region; Forming a protective film on the entire surface of the completed substrate; Applying a planarizing film over the entire surface of the substrate having the protective film formed thereon; Applying a reflective electrode layer on the planarization layer and patterning the reflective electrode layer; Forming a contact hole pattern in the planarization layer using the patterned reflective electrode layer as a mask; Forming a contact hole by patterning the protective film using the planarization film as a mask; Depositing a transparent conductive layer on the substrate on which the contact hole is formed, and patterning the transparent conductive layer and the reflective electrode layer to form a cathode connected to the thin film transistor. The present invention can simplify the manufacturing process of the organic light emitting display device without forming the reflective electrode layer and the transparent electrode layer that constitute the cathode separately, and without performing the additional mask process.

Description

반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치 제조 방법 {Method For Manufacturing An Organic Light Emitting Diode Display Device Having A Reflective Electrode}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescent display device having a reflective electrode,

본 발명은 반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 탑 에미션(Top Emission) 방식의 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 반사 전극을 하부 전극층에 포함하여 유기층에서 발광되는 빛을 손실 없이 상부로 보내며, 반사 전극을 패드 부에도 포함하여 투명전극을 얇게 형성하여도 패드 부에서의 단락을 방지하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device having a reflective electrode. In particular, the present invention relates to a top emission organic electroluminescence display device, which includes a lower electrode layer including a lower electrode layer, and transmits light emitted from the organic layer to the upper portion without loss, To a method of manufacturing an organic electroluminescent display device which prevents a short circuit in a pad portion even if the transparent electrode is formed thin.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence device (EL) have.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드(Cathode) 및 애노드(Anode)를 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다.The electroluminescent device is divided into an inorganic electroluminescent device and an organic light emitting diode device depending on the material of the light emitting layer, and is self-luminous device that emits itself, has a high response speed, and has a large luminous efficiency, brightness and viewing angle. 1 is a view showing a structure of an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer that electroluminesces as shown in FIG. 1, and a cathode and an anode that face each other with an organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer layer, EIL).

유기발광다이오드는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)으로부터 발생되는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.In the organic light emitting diode, an excitation is formed in the excitation process when the holes and electrons injected into the anode and the cathode recombine in the light emitting layer (EML), and the organic light emitting diode emits light due to energy from the exciton. The organic light emitting diode display device displays an image by electrically controlling the amount of light generated from the emission layer (EML) of the organic light emitting diode as shown in FIG.

전계발광소자인 유기발광다이오드의 특징을 이용한 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다. 또한,빛이 방출되는 방향에 따라 상부 발광(Top-Emission) 방식과 하부 발광(Bottom-Emission) 방식 등이 있다.2. Description of the Related Art An organic light emitting diode display (OLEDD) using an organic light emitting diode (OLED) as an electroluminescent device includes a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) Type organic light emitting diode display device (Active Matrix type Organic Light Emitting Diode Display (AMOLED)). In addition, depending on the direction in which the light is emitted, there are a top-emission type and a bottom-emission type.

액티브 매트릭스 타입의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치(Flexible AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 이용하여 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 그리고, 기판의 강성과 유연성을 동시에 확보하기 위해 얇은 호일(Foil) 형태의 금속 박막 위에 TFT 및 유기발광다이오드를 형성하기 때문에, 기판의 위쪽으로 발광하는 상부 발광 방식을 사용한다. 상부 발광 방식을 위해서는, 캐소드 위에 전계발광을 위한 유기화합물층을 형성하는 인버티드 타입의 유기발광다이오드(Inverted OLED, 이하, "IOD"라 함)가 가장 적합한 구조로 알려졌다.An active matrix type flexible organic light emitting diode display device (flexible AMOLED) displays an image by controlling a current flowing in an organic light emitting diode using a thin film transistor (TFT). In order to secure the rigidity and flexibility of the substrate at the same time, a TFT and an organic light emitting diode are formed on a thin foil-shaped metal thin film. Therefore, a top light emitting method that emits light to the upper side of the substrate is used. For the top emission type, an inverted type organic light emitting diode (hereinafter referred to as "IOD") which forms an organic compound layer for electroluminescence on a cathode is most suitable.

유기전계발광 표시장치에서 캐소드는 일 함수(Work Function) 조건을 만족하는 투명전극인 ITO(Indium Tin Oxide)을 사용하는 것이 바람직 하다. 그러나, 탑 에미션 방식에서는 캐소드에서 애노드 쪽으로 빛이 출사되어야 하므로 캐소드의 하부에 반사 전극을 사용하는 것이 바람직하다.In the organic light emitting display, it is preferable to use ITO (Indium Tin Oxide) which is a transparent electrode satisfying a work function condition. However, in the top emission method, since light must be emitted from the cathode toward the anode, it is preferable to use a reflective electrode at the bottom of the cathode.

이와 같이 기능적 조건과 구조적 조건이 서로 상충하기 때문에 이를 해결하기 위한 해법이 필요한 상황이다. 특히, 이중 층 구조의 캐소드 전극을 형성함에 있어서, 제조 공정을 단순화하여 비용을 절감하는 제조 공정의 개발이 매우 중요하다.
Since functional and structural conditions are in conflict with each other, a solution is needed to solve the problem. Particularly, in forming a cathode electrode having a double layer structure, it is very important to develop a manufacturing process that simplifies the manufacturing process and reduces the cost.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 극복하기 위해 고안된 것으로 일 함수 조건을 만족하는 투명 전극 하부에 상부쪽으로 빛을 반사하기 위한 반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 캐소드가 투명 전극과 반사 전극을 구비한 이중 층 구조를 갖도록하면서도 마스크 공정을 단순화한 반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device which is designed to overcome the problems of the prior art and has a reflective electrode for reflecting light toward an upper portion of a transparent electrode under a work function condition . It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent display device having a reflective electrode in which a cathode has a double layer structure including a transparent electrode and a reflective electrode while simplifying a mask process.

본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 제조 방법은, 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선, 구동전류 배선, 그리고 상기 화소 영역 내에 배치된 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터가 완성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막이 형성된 기판 전면 위에 평탄화막을 도포하는 단계; 상기 평탄화막 위에 반사 전극층을 도포하고, 상기 반사 전극층을 패턴하는 단계; 상기 패턴된 반사 전극층을 마스크로 하여, 상기 평탄화막에 콘택홀 패턴을 형성하는 단계; 상기 평탄화막을 마스크로 하여 상기 보호막을 패턴하여 콘택홀을 형성하는 단계; 그리고 상기 콘택홀이 형성된 기판 위에 투명 도전층을 증착하고, 상기 투명 도전층과 상기 반사 전극층을 패턴하여 상기 박막트랜지스터에 연결된 캐소드를 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display, including: forming a scan line, a data line, a drive current line, and a thin film transistor disposed in the pixel region; Forming a protective film on the entire surface of the completed substrate; Applying a planarizing film over the entire surface of the substrate having the protective film formed thereon; Applying a reflective electrode layer on the planarization layer and patterning the reflective electrode layer; Forming a contact hole pattern in the planarization layer using the patterned reflective electrode layer as a mask; Forming a contact hole by patterning the protective film using the planarization film as a mask; Depositing a transparent conductive layer on the substrate on which the contact hole is formed, and patterning the transparent conductive layer and the reflective electrode layer to form a cathode connected to the thin film transistor.

상기 평탄화막은 광 반응성 유기물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the planarizing film comprises a photoreactive organic material.

상기 평탄화막은 포토 아크릴(Photo Acryl)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The planarizing film is characterized in that it includes photo acryl.

상기 콘택홀을 형성하는 단계는, 상기 콘택홀이 상기 콘택홀 패턴보다 작은 크기를 갖고 상기 콘택홀 패턴 영역 내부에서 상기 콘택홀 패턴과 중첩하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The forming of the contact hole may include forming the contact hole to have a smaller size than the contact hole pattern and overlap the contact hole pattern in the contact hole pattern region.

상기 캐소드를 형성하는 단계는, 캐소드 패턴 마스크로 상기 투명 도전층을 패턴하여, 상기 투명 도전층에 상기 캐소드 패턴을 형성하는 단계; 그리고 상기 캐소드 패턴을 갖는 투명 도전층을 마스크로 하여, 상기 반사 전극층을 패턴하여 캐소드를 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the cathode may include forming the cathode pattern on the transparent conductive layer by patterning the transparent conductive layer with a cathode pattern mask; And patterning the reflective electrode layer using the transparent conductive layer having the cathode pattern as a mask to complete the cathode.

상기 반사 전극층은 알루미늄(Alumium), 네오듐(Neodium), 니켈(Nickel), 티타늄(Titanium), 탄탈(Tantalium), 구리(Cu), 은(Ag), 그리고, 알루미늄 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.The reflective electrode layer may include at least one of Aluminum, Neodium, Nickel, Titanium, Tantalum, Cu, Ag, and Al alloy. .

상기 투명 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive layer may include at least one of indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).

상기 캐소드 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 그리고 상기 유기발광층 위에 애노드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming an organic light emitting layer on the cathode; And forming an anode on the organic light emitting layer.

상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는, 상기 기판 위에 게이트 금속을 도포하여, 스위칭 게이트 전극, 상기 스캔 배선, 상기 스캔 배선의 일측 단부에 연결된 게이트 패드, 그리고 구동 게이트 전극을 포함하는 게이트 요소를 형성하는 제1 마스크 공정; 상기 게이트 요소 위에 게이트 절연막, 반도체 물질 및 불순물 반도체 물질을 도포하여, 스위칭 게이트 전극과 중첩하는 스위칭 반도체 층 및 스위칭 오믹 접촉층, 그리고 상기 구동 게이트 전극과 중첩하는 구동 반도체 층 및 구동 오믹 접촉층을 형성하고 상기 구동 게이트 전극의 일부를 노출하는 제2 마스크 공정; 그리고 소스 금속을 도포하여, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 배선에서 분기하는 스위칭 소스 전극, 상기 스위칭 소스 전극과 대향하고 상기 구동 게이트 전극과 접촉하는 스위칭 데이터 전극, 상기 구동전류 배선, 상기 구동전류 배선에서 분기하는 구동 소스 전극, 상기 구동 소스 전극과 대향하고 상기 캐소드와 접촉하는 구동 드레인 전극, 그리고 상기 데이터 배선 및 상기 구동전류 배선의 일측 단부에 연결된 데이터 패드를 형성하여, 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 완성는 제3 마스크 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the thin film transistor may include forming a gate element including a switching gate electrode, a scan line, a gate pad connected to one end of the scan line, and a gate electrode including a gate electrode, 1 mask process; A gate insulating layer, a semiconductor material, and an impurity semiconductor material are coated on the gate element to form a switching semiconductor layer and a switching ohmic contact layer overlapping the switching gate electrode, and a driving semiconductor layer and a driving ohmic contact layer overlapping the driving gate electrode A second masking step of exposing a portion of the driving gate electrode; A source electrode, a source electrode, and a drain electrode; and a gate electrode formed on the source electrode, the source electrode, and the gate electrode, A driving drain electrode facing the driving source electrode and contacting the cathode, and a data pad connected to one end of the data wiring and the driving current wiring, thereby completing the switching thin film transistor and the driving thin film transistor. And a third mask process.

상기 캐소드를 형성하는 단계는, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터가 형성된 상기 기판 위에 상기 보호막, 상기 평탄화막 및 상기 반사 전극층을 패턴하여, 상기 구동 드레인 전극, 상기 게이트 패드, 그리고 상기 데이터 패드를 노출하는 제4 마스크 공정; 그리고 상기 반사 전극층 위에 상기 투명 도전층을 도포하고 동시에 패턴하여, 상기 구동 드레인 전극에 연결된 상기 캐소드, 상기 게이트 패드에 연결된 게이트 패드 단자, 그리고 상기 데이터 패드에 연결된 데이터 패드 단자를 형성하는 제5 마스크 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the cathode may include patterning the protective layer, the planarizing layer, and the reflective electrode layer on the substrate on which the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed, and patterning the driving drain electrode, the gate pad, A fourth masking step of exposing; Forming a data pad terminal connected to the cathode, the gate pad terminal connected to the gate pad, and the data pad connected to the driving drain electrode by applying the transparent conductive layer on the reflective electrode layer, And a control unit.

본 발명은 반사 전극층과 투명 도전층이 차례로 적층된 캐소드를 구비하여, 하부의 캐소드와 상부의 애노드 사이에 개재된 유기발광층에서 발생한 빛을 효율적으로 상부로 반사하는 탑 에미션 방식의 유기전계발광 표시장치를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 캐소드를 구성하는 반사 전극층과 투명 전극층을 따로 형성하면서도 추가 마스크 공정 없이 단순화한 유기전계발광 표시장치의 제조 공정을 이룩할 수 있다.The organic electroluminescent display of the present invention includes a cathode in which a reflective electrode layer and a transparent conductive layer are sequentially stacked, and a top emission organic electroluminescent display device for efficiently reflecting light generated from an organic light emitting layer interposed between a lower cathode and an upper anode Device can be obtained. In addition, the present invention can simplify the fabrication process of the organic light emitting display device without forming the reflective electrode layer and the transparent electrode layer constituting the cathode separately and without additional masking process.

도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 3a 내지 3i는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타내기 위해 도 1의 절취선 I-I'을 따라 자른 단면도들.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a structure of an organic light emitting diode. FIG.
2 is a plan view showing a structure of an organic light emitting diode display device according to the present invention.
FIGS. 3A to 3I are cross-sectional views taken along the cutting line I-I 'of FIG. 1 to show a process of manufacturing the organic light emitting diode display device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 의한 상세한 실시 예를 설명한다. 도 2는 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 3a 내지 3i는 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치를 제조하는 과정을 나타내기 위해 도 1의 절취선 I-I'을 따라 자른 단면도들이다.Hereinafter, a detailed embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 2 is a plan view showing the structure of an organic light emitting display device according to the present invention. 3A to 3I are cross-sectional views taken along the cutting line I-I 'of FIG. 1 to show a process of manufacturing the organic light emitting display device according to the present invention.

도 2를 참조하여, 탑 에미션 방식의 유기발광다이오드의 일례인 액티브 매트릭스 유기발광다이오드 표시장치에 대하여 설명한다. 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 스위칭 TFT(SWT), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DRT), 구동 TFT(DRT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.Referring to FIG. 2, an active matrix organic light emitting diode display device, which is an example of a top emission type organic light emitting diode, will be described. The organic light emitting diode display device according to the present invention includes a switching TFT (SWT), a driving TFT (DRT) connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode (OLED) connected to the driving TFT (DRT).

플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 경우엔, 강성과 유연성을 동시에 갖도록 하기 위해 기판은 스테인리스 혹은 알루미늄과 같은 얇은 금속 박막을 사용한다. 그리고, 금속 기판에 직접적으로 소자들을 형성할 경우 전기적인 문제가 발생할 수 있으므로, SiNx와 같은 무기 절연물질 등으로 절연막 혹은 평탄화막이 전면에 도포하는 것이 바람직하다.In the case of a flexible organic light-emitting diode display, a thin metal film such as stainless steel or aluminum is used for the substrate to have rigidity and flexibility at the same time. In addition, since electrical problems may occur when devices are directly formed on a metal substrate, it is preferable that an insulating film or a planarization film is coated on the entire surface with an inorganic insulating material such as SiNx.

스위칭 TFT(SWT)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(SWT)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(SWT)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 스위칭 게이트 전극(WG)과, 스위칭 반도체 층(WA)과, 스위칭 소스 전극(WS)과, 스위칭 드레인 전극(WD)을 포함한다.The switching TFT (SWT) is formed at a position where the scan line (SL) and the data line (DL) cross each other. The switching TFT (SWT) functions to select a pixel. The switching TFT SWT includes a switching gate electrode WG, a switching semiconductor layer WA, a switching source electrode WS and a switching drain electrode WD which branch off from the scan wiring SL.

그리고, 구동 TFT(DRT)는 스위칭 TFT(SWT)에 의해 선택된 화소의 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DRT)는 스위칭 드레인 전극(WD)과 연결된 구동 게이트 전극(RG)과, 구동 반도체층(RA), 구동전류 배선(VDD)에 연결된 구동 소스 전극(RS)과, 구동 드레인 전극(RD)을 포함한다. 구동 드레인 전극(RD)은 유기발광 다이오드 (OLED)의 캐소드와 연결되어 있다.The driving TFT DRT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT SWT. The driving TFT DRT includes a driving gate electrode RG connected to the switching drain electrode WD, a driving source electrode RS connected to the driving semiconductor layer RA, the driving current wiring VDD, and a driving drain electrode RD ). The driving drain electrode RD is connected to the cathode of the organic light emitting diode OLED.

가로 방향으로 진행하는 스캔 배선(SL)과 세로 방향으로 진행하는 데이터 배선(DL)이 서로 교차하여 장방형의 화소 영역을 정의한다. 스캔 배선(SL)의 일측 단부에는 스캔 신호를 입력받기 위한 게이트 패드(GP)가 형성되어 있다. 게이트 패드(GP)는 이를 덮는 절연막의 일부를 제거한 게이트 패드 콘택홀(GPH)을 통해 게이트 패드 단자(GPT)와 접촉한다.A scan wiring line SL extending in the horizontal direction and a data line DL extending in the vertical direction cross each other to define a rectangular pixel region. A gate pad GP for receiving a scan signal is formed at one end of the scan line SL. The gate pad GP contacts the gate pad terminal GPT through the gate pad contact hole GPH from which a part of the insulating film covering the gate pad GP is removed.

또한, 데이터 배선(DL)의 일측 단부에는 화상 데이터의 캐소드 전압 및 데이터 전압을 인가 받기 위한 데이터 패드(DP)가 형성되어 있다. 데이터 패드(DP)는 이를 덮는 절연막의 일부를 제거한 데이터 패드 콘택홀(DPH)을 통해 데이터 패드 단자(DPT)와 접촉한다.A data pad DP for receiving the cathode voltage and the data voltage of the image data is formed at one end of the data line DL. The data pad DP contacts the data pad terminal DPT via the data pad contact hole DPH from which a part of the insulating film covering the data pad DP is removed.

본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치에서, 유기발광다이오드(OLED)를 구성하는 캐소드와 게이트 패드 단자(GPT) 및 데이터 패드 단자(DPT)들은 반사 전극층과 투명 도전층이 적층된 이층 구조를 갖는다. 도 3a 내지 3i를 참조하여, 이와 같은 본 발명에 의한 유기발광다이오드의 구조와, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 공정을 좀 더 상세히 설명한다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, the cathode, the gate pad terminal GPT and the data pad terminals DPT constituting the organic light emitting diode OLED have a two-layer structure in which a reflective electrode layer and a transparent conductive layer are stacked. 3A to 3I, the structure of the organic light emitting diode according to the present invention and the process for manufacturing the organic light emitting diode display according to the present invention will be described in more detail.

기판(SUB) 위에 게이트 금속을 증착하고 제1 마스크 공정으로 패턴하여 게이트 요소를 형성한다. 게이트 요소에는 스캔 배선(SL), 스캔 배선(SL)에서 화소 영역으로 분기된 스위칭 게이트 전극(WG), 스캔 배선(SL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 그리고 화소 영역의 내측 일부에 형성된 구동 TFT(DRT)의 게이트 전극(DG)들이 포함된다 (도 3a).A gate metal is deposited on the substrate SUB and patterned by a first mask process to form a gate element. The gate element SL includes a switching gate electrode WG branched to the pixel region in the scan line SL, a gate pad GP formed at one end of the scan line SL, And the gate electrodes DG of the formed driving TFT DRT are included (Fig. 3A).

게이트 요소가 형성된 기판(SUB) 전면 위에, 게이트 절연막(GI)를 형성한다. 게이트 절연막(GI) 위에 반도체 물질과 불순물이 도핑된 반도체 물질을 연속으로 증착한다. 제2 마스크 공정으로 반도체 물질과 불순물이 도핑된 반도체 물질을 패턴하여, 스위칭 게이트 전극(WG)와 중첩하는 스위칭 반도체 채널층(WA)과 스위칭 오믹접촉층(Wn)을 형성한다.A gate insulating film GI is formed on the entire surface of the substrate SUB on which the gate element is formed. A semiconductor material doped with a semiconductor material and an impurity is continuously deposited on the gate insulating film (GI). A semiconductor material doped with a semiconductor material and an impurity is patterned by a second mask process to form a switching semiconductor channel layer WA and a switching ohmic contact layer Wn overlapping the switching gate electrode WG.

이와 동시에, 구동 게이트 전극(RG)의 일부와 중첩하는 구동 반도체 채널층(RA)과 구동 오믹 접촉층(Rn)을 형성한다. 그리고, 구동 반도체 채널층(RA) 및 구동 오믹 접촉층(Rn)와 중첩되지 않은 구동 게이트 전극(RG)의 일부분을 노출하는 게이트 콘택홀(GH)을 형성한다. 이와 같이 패턴하는 정도가 서로 다른 영역을 동시에 패턴하기 위해, 제2 마스크 공정에서는 하프-톤(Half-tone) 마스크를 사용하는 것이 바람직하다 (도 3b).At the same time, a driving semiconductor channel layer (RA) and a driving ohmic contact layer (Rn) overlapping with a part of the driving gate electrode (RG) are formed. A gate contact hole GH exposing a part of the driving gate electrode RG which is not overlapped with the driving semiconductor channel layer RA and the driving ohmic contact layer Rn is formed. In order to simultaneously pattern regions having different degrees of patterning, it is preferable to use a half-tone mask in the second mask process (FIG. 3B).

채널층들(WA, RA)이 형성된 기판(SUB) 전면에, 소스 금속 물질을 전면 증착하고 제3 마스크 공정으로 패턴하여 소스-드레인 요소를 형성한다. 소스-드레인 요소에는 스캔 배선(SL)과 직교하는 데이터 배선(DL) 및 구동전류 배선(VDD), 데이터 배선(DL)에서 분기하여 스위칭 오믹 접촉층(Wn) 일측부와 접촉하는 스위칭 소스 전극(WS) 및 구동전류 배선(VDD)에서 분기하여 구동 오믹 접촉층(Dn) 일측부와 접촉하는 구동 소스 전극(DS), 그리고 스위칭 소스 전극(WS)과 일정 거리 이격하여 마주보며 스위칭 오믹 접촉층(Wn) 타측부와 접촉하는 스위칭 드레인 전극(WD) 및 구동 소스 전극(DS)과 일정 거리 이격하여 마주보며 구동 오믹 접촉층(Rn) 타측부와 접촉하는 구동 드레인 전극(RD)을 포함한다.On the entire surface of the substrate SUB on which the channel layers WA and RA are formed, a source metal material is deposited all over and patterned by a third mask process to form a source-drain element. The data line DL and the drive current line VDD orthogonal to the scan line SL are connected to the source and drain elements and the switching source electrode D2 branched from the data line DL and in contact with one side of the switching ohmic contact layer Wn A driving source electrode DS branched from the driving current line WS and the driving current line VDD and contacting one side of the driving ohmic contact layer Dn and a switching ohmic contact layer A switching drain electrode WD in contact with the other side of the driving source electrode DS and a driving drain electrode RD in contact with the other side of the driving ohmic contact layer Rn while being spaced apart from the driving source electrode DS by a predetermined distance.

이 때, 스위칭 드레인 전극(WD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 게이트 콘택홀(GH)을 통해 노출된 구동 게이트 전극(RG)과 접촉한다. 또한, 데이터 배선(DL) 및 구동전류 배선(VDD)의 일측 단부에는 데이터 패드(DP)가 형성된다. 그리고, 형성된 소스-드레인 요소를 마스크로 사용하여 스위칭 오믹 접촉층(Wn)에서 스위칭 소스 전극(WS)과 스위칭 드레인 전극(WD) 사이의 노출된 부분과 구동 오믹 접촉층(Rn)에서 구동 소스 전극(RS)과 구동 드레인 전극(RD) 사이의 노출된 부위를 제거한다. 이로써 스위칭 TFT(SWT)와 구동 TFT(DRT)가 완성된다 (도 3c).At this time, the switching drain electrode WD contacts the driving gate electrode RG exposed through the gate contact hole GH formed in the gate insulating film GI. A data pad DP is formed at one end of the data line DL and the driving current line VDD. In the switching ohmic contact layer Wn, the exposed portion between the switching source electrode WS and the switching drain electrode WD and the exposed portion between the driving source electrode < RTI ID = 0.0 > Thereby removing exposed portions between the source electrode RS and the driving drain electrode RD. This completes the switching TFT (SWT) and the driving TFT (DRT) (Fig. 3C).

스위칭 TFT(SWT)와 구동 TFT(DRT)를 포함하는 기판(SUB) 전면에 보호막(PAS)과 평탄화막(PL)을 연속으로 도포한다. 보호막(PAS)는 무기 절연물질로서, 질화 실리콘(SiNx) 혹은 산화 실리콘(SiOx)를 포함한다. 평탄화막(PL)은 유기 물질을 포함하는 것으로, 보호막(PAS)가 도포된 기판(SUB)의 표면에 형성된 단차 형상을 없애고, 표면을 평탄화하는 기능이 있다. 또한, 평탄화막(PL)은 패턴을 형성하고자 할 때, 식각 공정이 아닌 포토 공정으로 패턴을 형성할 수 있도록 하기 위해 감광성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 평탄화막(PL)은 포토아크릴 (Photo-Acryl)과 같은 물질을 포함하는 것이 바람직하다.The protective film PAS and the planarization film PL are continuously coated on the entire surface of the substrate SUB including the switching TFT SWT and the driving TFT DRT. The protective film PAS is an inorganic insulating material and includes silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). The planarizing film PL includes an organic material and has a function of eliminating a stepped shape formed on the surface of the substrate SUB coated with the protective film PAS and planarizing the surface. In addition, when the planarizing film PL is to be patterned, it is preferable that the planarizing film PL include a photosensitive material so that a pattern can be formed by a photo process, not an etching process. Accordingly, it is preferable that the planarizing film PL includes a material such as a photo-acryl.

표면이 편평해진 기판(SUB)의 전면에 반사 전극층(RL)을 도포한다. 반사 전극층(RL)은 알루미늄(Alumium), 네오듐(Neodium), 니켈(Nickel), 탄탈(Tantalium), 티타늄(Titanium), 구리(Cu), 혹은 은(Ag) 중에서 선택한 어느 하나 또는, AlNd 및 AlNi와 같이 상기 물질 2개 이상을 혼합한 합금을 포함한다 (도 3d).The reflective electrode layer RL is applied to the entire surface of the substrate SUB whose surface is flat. The reflective electrode layer RL may be formed of any one selected from the group consisting of Aluminum, Neodium, Nickel, Tantalium, Titanium, Copper, and Ag, And AlNi (FIG. 3D).

제4 마스크 공정으로 반사 전극층(RL)을 패턴한다. 이때의 패턴은 콘택홀을 형성하기 위한 패턴들이다. 예를 들어, 구동 드레인 전극(RD)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(DH), 데이터 패드(DP)를 노출하는 데이터 패드 콘택홀(DPH) 그리고 게이트 패드(GP)를 노출하는 게이트 패드 콘택홀(GPH)을 포함한다. 콘택홀 패턴이 형성된 반사 전극층(RL)을 마스크로하여, 포토 아크릴로 형성한 평탄화막(PL)을 포토 공정으로 패턴을 형성한다. 그 결과, 평탄화막(PL)역시 반사 전극층(RL)과 동일한 크기와 형상의 콘택홀 패턴이 형성된다 (도 3e).The reflective electrode layer RL is patterned by a fourth mask process. The pattern at this time is the patterns for forming the contact holes. For example, a drain contact hole DH exposing a part of the driving drain electrode RD, a data pad contact hole DPH exposing the data pad DP, and a gate pad contact hole (GPH). Using the reflective electrode layer RL having the contact hole pattern formed thereon as a mask, the planarizing film PL formed of photoacryl is patterned by a photolithography process. As a result, the planarization layer PL is also formed with a contact hole pattern having the same size and shape as the reflection electrode layer RL (FIG. 3E).

콘택홀 패턴이 형성된 평탄화막(PL)을 마스크로 하여 보호막(PAS)을 패턴하여 최종 콘택홀들을 형성한다. 즉, 구동 드레인 전극(RD)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(DH), 데이터 패드(DP)를 노출하는 데이터 패드 콘택홀(DPH) 그리고 게이트 패드(GP)를 노출하는 게이트 패드 콘택홀(GPH)을 완성한다. 이때, 감광성 물질인 평탄화막(PL)을 마스크로 하여 무기 절연물질인 보호막(PAS)을 단독으로 식각하는 결과가 되기 때문에, 보호막(PAS)이 과 식각되지 않고, 평탄화막(PL)이 갖는 콘택홀 패턴의 크기와 형상대로 식각된다. The protective film PAS is patterned using the planarization film PL having the contact hole pattern formed thereon as a mask to form final contact holes. That is, a drain contact hole DH exposing a part of the driving drain electrode RD, a data pad contact hole DPH exposing the data pad DP, and a gate pad contact hole GPH ). At this time, since the protective film PAS, which is an inorganic insulating material, is etched using the planarizing film PL, which is a photosensitive material, as a mask, the protective film PAS is not over-etched, And are etched according to the size and shape of the hole pattern.

특히, 게이트 패드(GP)를 노출하는 게이트 패드 콘택홀(GPH)은 보호막(PAS) 아래에 있는 게이트 절연막(GI)까지도 식각하여 형성하는 것이 바람직하다. 게이트 절연막(GI)도 보호막(PAS)와 동일한 무기 절연막을 포함하므로, 게이트 절연막(GI)이 과 식각되지 않는다 (도 3f).In particular, the gate pad contact hole GPH for exposing the gate pad GP is preferably formed by etching the gate insulating film GI under the protective film PAS. Since the gate insulating film GI includes the same inorganic insulating film as the protective film PAS, the gate insulating film GI is not over-etched (FIG. 3F).

경우에 따라서, 보호막(PAS)에 형성되는 콘택홀 패턴의 크기를 반사 전극층(RL) 혹은 평탄화막(PL)에 형성된 콘택홀 패턴의 크기보다 작게 형성할 필요가 있을 수 있다. 이는 추후에 형성되는 패드 단자들(GPT, DPT) 혹은 캐소드(CAT)를 이루는 투명 도전층이 패드 전극(GP, DP) 혹은 구동 드레인 전극(RD)와의 접촉시 불량이 발생하지 않도록 하기 위한 방편일 수 있다. 이 경우에는, 반사 전극층(RL)과 평탄화막(PL)에 형성되는 콘택홀 패턴은 제1 마스크 패턴으로 형성하고, 보호막(PAS)에 형성되는 콘택홀 패턴은 제2 마스크 패턴으로 형성할 수 있다. 이 때, 제2 마스크 패턴의 콘택홀 패턴은 상기 제1 마스크 패턴의 콘택홀 패턴보다 작은 크기를 갖고 상기 제1 마스크 패턴의 콘택홀 영역 내부에서 중첩하도록 배치되는 것이 바람직하다.The size of the contact hole pattern formed on the protective film PAS may need to be smaller than the size of the contact hole pattern formed on the reflective electrode layer RL or the planarization film PL. This is because the transparent conductive layer constituting the pad terminals GPT, DPT or the cathode CAT to be formed later does not cause defects when the pad electrodes GP, DP or the driving drain electrode RD are brought into contact with each other. . In this case, the contact hole pattern formed on the reflective electrode layer RL and the planarization film PL may be formed of the first mask pattern, and the contact hole pattern formed on the protective film PAS may be formed of the second mask pattern . In this case, it is preferable that the contact hole pattern of the second mask pattern is smaller than the contact hole pattern of the first mask pattern and is arranged to overlap in the contact hole region of the first mask pattern.

본 발명에서는 마스크 공정 수의 증가를 막기 위해서, 반사 전극층(RL)을 패턴하고 이를 마스크로 한 포토 공정으로 평탄화막(PL)을 패턴하여 콘택홀 패턴을 구현한다. 그리고, 평탄화막(PL)을 패턴된 포토레지스트로 이용하여 보호막(PAS) 및 게이트 절연막(GI)를 패턴한다. 즉, 동일한 마스크 공정에서 포토 공정을 두 번 사용하여, 반사 전극층(RL)과 평탄화막(PL)을 패턴한다. 그리고, 보호막(PAS)과 게이트 절연막(GI)을 별도의 식각 공정으로 패턴하여 콘택홀을 완성한다.In the present invention, the contact hole pattern is implemented by patterning the reflective electrode layer RL and patterning the planarization layer PL using a photolithography process using the patterned electrode layer RL as a mask. Then, the protective film PAS and the gate insulating film GI are patterned by using the planarization film PL as patterned photoresist. That is, in the same mask process, the photo-process is used twice to pattern the reflective electrode layer RL and the planarization film PL. Then, the protective film PAS and the gate insulating film GI are patterned by a separate etching process to complete the contact holes.

즉, 마스크 공정 수는 1회이지만, 포토 공정을 2회 사용함으로써 반사 전극층(RL)과 보호막(PAS)(게이트 절연막(GI)포함)을 서로 다른 식각 공정으로 패턴할 수 있다. 따라서, 금속을 식각하는 식각액에 의해 무기 절연물질인 보호막(PAS)이나 게이트 절연막(GI)이 과 식각되는 현상을 방지할 수 있다. 보호막(PAS)이나 게이트 절연막(GI)이 과 식각되면, 콘택홀에 형성되는 투명 도전층(IT)이 과 식각 부분에서 연결성이 끊어지는 문제가 발생하고, 이는 접촉 불량을 일으킬 수 있다.That is, the mask process number is once, but the reflective electrode layer RL and the protective film PAS (including the gate insulating film GI) can be patterned by different etching processes by using the photolithography process twice. Therefore, it is possible to prevent the protective film PAS or the gate insulating film GI, which is an inorganic insulating material, from being overetched by the etchant for etching the metal. If the protective film PAS or the gate insulating film GI is etched, a problem arises that the transparent conductive layer IT formed in the contact hole is disconnected from the over-etching part, which may cause a contact failure.

콘택홀들이 형성된 기판(SUB) 전면에 투명 도전층(IT)을 증착한다. 투명 도전층(IT)은 ITO(Indium Tin Oxide) 혹은 IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함한다. 콘택홀들은 반사 전극층(RL)을 형성한 후 이를 마스크로 하여 무기 절연물질인 보호막(PAS)이나 게이트 절연막(GI)을 별도의 식각 공정으로 패턴하였으므로, 투명 도전층(IT)은 콘택홀 내부에서 접촉이 양호한 상태를 유지하면서 형성된다 (도 3g).A transparent conductive layer IT is deposited on the entire surface of the substrate SUB on which the contact holes are formed. The transparent conductive layer IT includes ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). The transparent conductive layer IT is formed in the contact hole in the contact hole by forming the reflective electrode layer RL and patterning the passivation layer PAS or the gate insulating layer GI, which is an inorganic insulating material, The contact is formed while maintaining a good state (Fig. 3G).

제5 마스크 공정으로, 투명 도전층(IT)과 반사 전극층(RL)을 동시에 패턴하여 캐소드(CAT), 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드 단자(DPT)를 형성한다. 캐소드(CAT)는 드레인 콘택홀(DH)을 통해 노출된 구동 드레인 전극(RD)와 접촉한다. 게이트 패드 단자(GPT)는 게이트 패드 콘택홀(GPH)을 통해 게이트 패드(GP)와 접촉하고, 데이터 패드 단자(DPT)는 데이터 패드 콘택홀(DPH)을 통해 데이터 패드(DP)와 접촉한다.In the fifth mask process, the transparent conductive layer IT and the reflective electrode layer RL are simultaneously patterned to form a cathode CAT, a gate pad terminal GPT, and a data pad terminal DPT. The cathode (CAT) is in contact with the driving drain electrode (RD) exposed through the drain contact hole (DH). The gate pad terminal GPT is in contact with the gate pad GP through the gate pad contact hole GPH and the data pad terminal DPT is in contact with the data pad DP through the data pad contact hole DPH.

본 발명에 의한 캐소드(CAT)는 반사 전극층(AL)과 투명 도전층(IT)가 적층된 이층 구조를 갖는다, 그러나, 드레인 콘택홀(DH) 내부에서는 투명 도전층(IT)만이 구동 드레인 전극(RD)과 접촉한 상태를 갖는다. 그리고, 게이트 패드 콘택홀(GPH) 내부에서는 투명 도전층(IT)으로 이루어진 게이트 패드 단자(GPT)가 게이트 패드(GP)와 접촉한다. 마찬가지로, 데이터 패드 콘택홀(DPH) 내부에서는 투명 도전층(IT)으로 이루어진 데이터 패드 단자(DPT)가 데이터 패드(DP)와 접촉한다 (도 3h).The cathode CAT according to the present invention has a two-layer structure in which the reflective electrode layer AL and the transparent conductive layer IT are laminated. However, in the drain contact hole DH, only the transparent conductive layer IT is electrically connected to the driving drain electrode RD). A gate pad terminal GPT made of a transparent conductive layer IT is in contact with the gate pad GP in the gate pad contact hole GPH. Similarly, in the data pad contact hole DPH, a data pad terminal DPT made of a transparent conductive layer IT contacts the data pad DP (FIG. 3H).

캐소드(CAT) 및 패드 단자들(GPT, DPT)이 형성된 기판(SUB) 위에서, 유효 화소 영역 및 패드 단자들을 제외한 영역에 뱅크(BANK)를 형성한다. 그리고, 뱅크(BANK) 사이에 노출된 캐소드(CAT) 위에 유기발광물질(OL)을 형성한다. 유기발광물질(OL)은 도 1에 도시한 바와 같은 구조를 갖도록 다층 유기막으로 형성할 수 있다. 그리고, 유기발광물질(OL) 위에 투명 도전 물질을 증착하여 애노드(ANO)를 형성한다. 이 때, 애노드(ANO)는 뱅크(BANK) 위를 덮도록 형성하여 모든 화소 영역의 애노드(ANO)가 하나로 연결되도록 형성할 수 있다 (도 3i).A bank BANK is formed on the substrate SUB on which the cathode CAT and the pad terminals GPT and DPT are formed, in the region excluding the effective pixel region and the pad terminals. Then, the organic light emitting material OL is formed on the cathode CAT exposed between the banks BANK. The organic light emitting material OL may be formed of a multilayer organic film having a structure as shown in FIG. Then, a transparent conductive material is deposited on the organic light emitting material OL to form an anode ANO. In this case, the anode ANO may be formed so as to cover the bank BANK so that the anodes ANO of all the pixel regions are connected together (FIG. 3I).

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

SUB: 기판 SL: 스캔 배선
DL: 데이터 배선 VDD: 구동전류 배선
SWT: 스위칭 박막트랜지스터 DRT: 구동 박막트랜지스터
WG: 스위칭 게이트 전극 WA: 스위칭 채널층
Wn: 스위칭 오믹 접촉층 WS: 스위칭 소스 전극
WD: 스위칭 드레인 전극 GH: 게이트 콘택홀
GP: 게이트 패드 GPH: 게이트 패드 콘택홀
GPT: 게이트 패드 단자 GI: 게이트 절연막
RG: 구동 게이트 전극 RA: 구동 채널층
Rn: 구동 오믹 접촉층 RS: 구동 소스 전극
RD: 구동 드레인 전극 DH: 드레인 콘택홀
DP: 데이터 패드 DPH: 데이터 패드 콘택홀
DPT: 데이터 패드 단자 PAS: 보호막
PL: 평탄화막 CAT: 캐소드
OL: 유기발광막 ANO: 애노드
OLED: 유기발광 다이오드 BANK: 뱅크SUB: substrate SL: scan wiring
DL: Data wiring VDD: Driving current wiring
SWT: switching thin film transistor DRT: driving thin film transistor
WG: switching gate electrode WA: switching channel layer
Wn: switching ohmic contact layer WS: switching source electrode
WD: Switching drain electrode GH: Gate contact hole
GP: Gate pad GPH: Gate pad Contact hole
GPT: gate pad terminal GI: gate insulating film
RG: driving gate electrode RA: driving channel layer
Rn: driving ohmic contact layer RS: driving source electrode
RD: Driving drain electrode DH: Drain contact hole
DP: data pad DPH: data pad contact hole
DPT: Data pad terminal PAS: Shield
PL: planarization film CAT: cathode
OL: organic light emitting film ANO: anode
OLED: Organic Light Emitting Diode BANK: Bank

Claims (10)

기판 위에서 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선, 구동전류 배선, 그리고 상기 화소 영역 내에 배치된 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터가 완성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막이 형성된 기판 전면 위에 평탄화막을 도포하는 단계;
상기 평탄화막 위에 반사 전극층을 도포하고, 상기 반사 전극층을 패턴하는 단계;
상기 패턴된 반사 전극층을 마스크로 하여, 상기 평탄화막에 콘택홀 패턴을 형성하는 단계;
상기 평탄화막을 마스크로 하여 상기 보호막을 패턴하여 콘택홀을 형성하는 단계; 그리고
상기 콘택홀이 형성된 기판 위에 투명 도전층을 증착하고, 상기 투명 도전층과 상기 반사 전극층을 패턴하여 상기 박막트랜지스터에 연결된 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
Forming a scan line, a data line, a drive current wiring, and a thin film transistor disposed in the pixel region, the pixel line defining a pixel region on the substrate;
Forming a protective film on the entire surface of the completed substrate;
Applying a planarizing film over the entire surface of the substrate having the protective film formed thereon;
Applying a reflective electrode layer on the planarization layer and patterning the reflective electrode layer;
Forming a contact hole pattern in the planarization layer using the patterned reflective electrode layer as a mask;
Forming a contact hole by patterning the protective film using the planarization film as a mask; And
Depositing a transparent conductive layer on the substrate on which the contact hole is formed, and patterning the transparent conductive layer and the reflective electrode layer to form a cathode connected to the thin film transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 평탄화막은 광 반응성 유기물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the planarization layer comprises a photoreactive organic material. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제 1 항에 있어서,
상기 평탄화막은 포토 아크릴(Photo Acryl)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the planarization layer comprises a photoacid. 2. The method of claim 1, wherein the planarization layer comprises a photoacid.
제 1 항에 있어서,
상기 콘택홀을 형성하는 단계는,
상기 콘택홀이 상기 콘택홀 패턴보다 작은 크기를 갖고 상기 콘택홀 패턴 영역 내부에서 상기 콘택홀 패턴과 중첩하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the contact hole comprises:
Wherein the contact hole has a size smaller than the contact hole pattern and overlaps the contact hole pattern in the contact hole pattern region.
제 1 항에 있어서,
상기 캐소드를 형성하는 단계는,
캐소드 패턴 마스크로 상기 투명 도전층을 패턴하여, 상기 투명 도전층에 상기 캐소드 패턴을 형성하는 단계; 그리고
상기 캐소드 패턴을 갖는 투명 도전층을 마스크로 하여, 상기 반사 전극층을 패턴하여 캐소드를 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the cathode comprises:
Patterning the transparent conductive layer with a cathode pattern mask to form the cathode pattern on the transparent conductive layer; And
And completing the cathode by patterning the reflective electrode layer using the transparent conductive layer having the cathode pattern as a mask.
제 1 항에 있어서,
상기 반사 전극층은 알루미늄(Alumium), 네오듐(Neodium), 니켈(Nickel), 티타늄(Titanium), 탄탈(Tantalium), 구리(Cu), 은(Ag), 그리고, 알루미늄 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
The reflective electrode layer may include at least one of Aluminum, Neodium, Nickel, Titanium, Tantalum, Cu, Ag, and Al alloy. Wherein the organic electroluminescent display device has a plurality of pixels.
제 1 항에 있어서,
상기 투명 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent conductive layer comprises at least one of ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide).
제 1 항에 있어서,
상기 캐소드 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 그리고
상기 유기발광층 위에 애노드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Forming an organic light emitting layer on the cathode; And
And forming an anode on the organic light emitting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,
상기 기판 위에 게이트 금속을 도포하여, 스위칭 게이트 전극, 상기 스캔 배선, 상기 스캔 배선의 일측 단부에 연결된 게이트 패드, 그리고 구동 게이트 전극을 포함하는 게이트 요소를 형성하는 제1 마스크 공정;
상기 게이트 요소 위에 게이트 절연막, 반도체 물질 및 불순물 반도체 물질을 도포하여, 스위칭 게이트 전극과 중첩하는 스위칭 반도체 층 및 스위칭 오믹 접촉층, 그리고 상기 구동 게이트 전극과 중첩하는 구동 반도체 층 및 구동 오믹 접촉층을 형성하고 상기 구동 게이트 전극의 일부를 노출하는 제2 마스크 공정; 그리고
소스 금속을 도포하여, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 배선에서 분기하는 스위칭 소스 전극, 상기 스위칭 소스 전극과 대향하고 상기 구동 게이트 전극과 접촉하는 스위칭 데이터 전극, 상기 구동전류 배선, 상기 구동전류 배선에서 분기하는 구동 소스 전극, 상기 구동 소스 전극과 대향하고 상기 캐소드와 접촉하는 구동 드레인 전극, 그리고 상기 데이터 배선 및 상기 구동전류 배선의 일측 단부에 연결된 데이터 패드를 형성하여, 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 완성는 제3 마스크 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the thin film transistor comprises:
A first mask process for forming a gate element including a switching gate electrode, the scan line, a gate pad connected to one end of the scan line, and a drive gate electrode by applying a gate metal on the substrate;
A gate insulating layer, a semiconductor material, and an impurity semiconductor material are coated on the gate element to form a switching semiconductor layer and a switching ohmic contact layer overlapping the switching gate electrode, and a driving semiconductor layer and a driving ohmic contact layer overlapping the driving gate electrode A second masking step of exposing a portion of the driving gate electrode; And
A source electrode and a drain electrode, the drain electrode being connected to the source electrode and the drain electrode, the drain electrode being connected to the source electrode and the drain electrode; A driving source electrode, a driving drain electrode opposing the driving source electrode and contacting the cathode, and a data pad connected to one end of the data line and the driving current line to form a switching thin film transistor and a driving thin film transistor 3 < / RTI > mask process.
제 9 항에 있어서,
상기 캐소드를 형성하는 단계는,
상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터가 형성된 상기 기판 위에 상기 보호막, 상기 평탄화막 및 상기 반사 전극층을 패턴하여, 상기 구동 드레인 전극, 상기 게이트 패드, 그리고 상기 데이터 패드를 노출하는 제4 마스크 공정; 그리고
상기 반사 전극층 위에 상기 투명 도전층을 도포하고 동시에 패턴하여, 상기 구동 드레인 전극에 연결된 상기 캐소드, 상기 게이트 패드에 연결된 게이트 패드 단자, 그리고 상기 데이터 패드에 연결된 데이터 패드 단자를 형성하는 제5 마스크 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치 제조 방법.10. The method of claim 9,
Wherein forming the cathode comprises:
A fourth masking step of exposing the driving drain electrode, the gate pad, and the data pad by patterning the protective film, the planarizing film and the reflective electrode layer on the substrate on which the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed; And
A fifth mask process for applying the transparent conductive layer on the reflective electrode layer and patterning the same at the same time to form the cathode connected to the driving drain electrode, the gate pad terminal connected to the gate pad, and the data pad terminal connected to the data pad, Wherein the organic electroluminescent display device comprises a plurality of organic electroluminescent display devices.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101978779B1 (en) * 2012-12-18 2019-05-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR101984267B1 (en) * 2012-12-28 2019-05-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR102076620B1 (en) * 2013-09-24 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR102043825B1 (en) * 2013-09-30 2019-11-12 엘지디스플레이 주식회사 Large Area Top Emission Organic Light Emitting Diod Display
KR102255063B1 (en) * 2013-11-28 2021-05-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device
KR102109661B1 (en) * 2013-12-02 2020-05-12 엘지디스플레이 주식회사 Fabricating Method Of Organic Light Emitting Diode Display
CN105390504B (en) * 2014-08-29 2019-02-01 乐金显示有限公司 Thin film transistor base plate and the display device for using it
KR101992914B1 (en) * 2016-07-29 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and fabricating method thereof
KR101992917B1 (en) * 2016-11-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 Substrate for display, organic light emitting display device including the same, and method of manufacturing the same
KR102649409B1 (en) * 2016-12-29 2024-03-19 엘지디스플레이 주식회사 Electroluminescent display device and method of manufacturing the same
CN107731854B (en) * 2017-09-28 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 Preparation method of array substrate, array substrate and display device
KR102468370B1 (en) * 2017-12-29 2022-11-16 엘지디스플레이 주식회사 Method for forming contact hole, method of manufacturing organic light emitting display device using the same, and organic light emitting display device manufactured using the method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009276460A (en) 2008-05-13 2009-11-26 Sony Corp Display device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4207683B2 (en) * 2003-06-27 2009-01-14 カシオ計算機株式会社 EL display device
KR100625993B1 (en) * 2004-01-24 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 Organic electro-luminescent display device comprising test point lines
KR100669715B1 (en) * 2004-07-03 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 OLED and method for fabricating the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009276460A (en) 2008-05-13 2009-11-26 Sony Corp Display device

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