KR101709811B1 - Power amplifier circuit for wireless LAN(Local Area Network) - Google Patents
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Abstract
본 발명은 무선랜용 전력증폭기 회로에 관한 것이다.
본 발명에 따른 무선랜용 전력증폭기 회로는, 제1, 제2 전원으로부터 공급된 전압을 각각 증폭하여 공급하는 제1, 제2 트랜지스터; 외부로부터의 고주파 입력단과 상기 제1 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 위치하며, 입력 임피던스를 일정한 임피던스 값으로 맞추기 위한 입력 매칭부; 상기 제1 트랜지스터의 컬렉터 단자와 제2 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 위치하며, 전력단의 선형성이 유지되도록 하는 단간(interstage) 매칭부; 상기 제2 트랜지스터의 출력단에 위치하며, 최적의 출력 임피던스를 가지도록 하는 출력 매칭부; 및 상기 제1, 제2 트랜지스터의 구동을 위한 바이어스 전압을 가변할 수 있도록, 가변 저항부를 구비하여 다수의 저항값 설정이 가능한 바이어스 회로부를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 종래의 한 가지의 고정된 저항값에서 다수의 저항값으로 변경할 수 있도록 회로를 개선함으로써 전력증폭기의 선형성을 보장할 수 있고, 트랜지스터의 공정 변화에 대응할 수 있다.The present invention relates to a power amplifier circuit for a wireless LAN.
A power amplifier circuit for a wireless LAN according to the present invention includes: first and second transistors for amplifying and supplying voltages supplied from a first power source and a second power source, respectively; An input matching unit positioned between a high frequency input terminal from the outside and a base terminal of the first transistor and matching an input impedance to a constant impedance value; An interstage matching unit positioned between the collector terminal of the first transistor and the base terminal of the second transistor and maintaining the linearity of the power stage; An output matching unit positioned at an output terminal of the second transistor and having an optimal output impedance; And a bias circuit part having a variable resistance part and capable of setting a plurality of resistance values so as to vary a bias voltage for driving the first and second transistors.
According to the present invention, the linearity of the power amplifier can be ensured by improving the circuit so that it can be changed to a plurality of resistance values from one conventional fixed resistance value, and it is possible to cope with a process change of the transistor.
Description
본 발명은 무선랜(Wireless LAN:WLAN)용 전력증폭기 회로에 관한 것으로서, 특히 다양한 저항값 설정에 의해 증폭기의 선형성을 보장할 수 있는 무선랜용 전력증폭기 회로에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power amplifier circuit for a wireless LAN (WLAN), and more particularly, to a power amplifier circuit for a wireless LAN that can guarantee linearity of an amplifier by setting various resistance values.
최근의 무선통신 시스템은 많은 양의 데이터를 보내기 위해 무선랜에서 사용되는 직교 주파수 분할(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식의 직교진폭 변조(Quadrature Amplitude Modulation)와 같은 복잡한 변조방식을 많이 사용하고 있다. 이와 같은 변조방식으로 무선통신을 할 경우 신호의 최대전력 대 평균전력 비(Peak-to-Average-Ratio, PAR)가 크기 때문에 송신기에 사용되는 전력 증폭기는 높은 선형성이 요구되며, 선형성은 에러 벡터 크기(Error Vector Magnitude; EVM)라는 파라미터로 나타낸다.2. Description of the Related Art [0002] In recent wireless communication systems, a complex modulation scheme such as an orthogonal frequency division multiplexing (hereinafter referred to as " Quadrature Amplitude Modulation ") used in a wireless LAN is widely used to transmit a large amount of data. The power amplifier used in the transmitter is required to have high linearity because the peak-to-average-ratio (PAR) of the signal is large when wireless communication is performed using such a modulation scheme. (Error Vector Magnitude) (EVM).
한편, WLAN용 전력 증폭기에서는 바이어스(bias) 저항값에 의해서 증폭기의 선형성이 결정되므로, 바이어스 전압을 가변할 수 있는 구조의 설계가 필요하다. 선형성의 결정은 EVM 지표의 성능을 결정하므로 전력증폭기 설계의 중요한 지표이다.On the other hand, in the power amplifier for WLAN, since the linearity of the amplifier is determined by the bias resistance value, it is necessary to design a structure capable of varying the bias voltage. The determination of linearity is an important indicator of the power amplifier design because it determines the performance of the EVM indicator.
그런데, 종래의 바이어스(bias) 저항값은 한 가지 값(예를 들면, 250Ω)으로 고정되어 있어, 튜닝(tuning)이 불가능하고, 이에 따라 증폭기의 선형성을 보장하기가 어려운 문제점이 있다. 또한, 트랜지스터의 공정 변화 폭에 대한 대응이 불가능하다는 것이 문제점으로 지적되고 있다.
However, since the conventional bias resistance value is fixed to one value (for example, 250?), Tuning is impossible and it is difficult to ensure the linearity of the amplifier. In addition, it is pointed out that it is impossible to cope with the process change width of the transistor.
본 발명은 상기와 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, 종래의 한 가지의 고정된 저항값에서 다수의 저항값으로 변경할 수 있도록 회로를 개선함으로써 전력증폭기 회로의 선형성을 보장할 수 있고, 트랜지스터의 공정 변화에 대응할 수 있는 무선랜용 전력증폭기 회로를 제공함에 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances and it is an object of the present invention to provide a power amplifier circuit in which linearity of a power amplifier circuit can be ensured by improving a circuit so that a resistance value can be changed to a plurality of resistance values at one fixed resistance value, And to provide a power amplifier circuit for a wireless LAN capable of coping with a change in the power amplifier circuit.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 무선랜용 전력증폭기 회로는,According to an aspect of the present invention, there is provided a power amplifier circuit for a wireless LAN,
제1, 제2 전원으로부터 공급된 전압을 각각 증폭하여 공급하는 제1, 제2 트랜지스터; First and second transistors for amplifying and supplying voltages respectively supplied from the first and second power supplies;
외부로부터의 고주파 입력단과 상기 제1 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 위치하며, 입력 임피던스를 일정한 임피던스 값으로 맞추기 위한 입력 매칭부;An input matching unit positioned between a high frequency input terminal from the outside and a base terminal of the first transistor and matching an input impedance to a constant impedance value;
상기 제1 트랜지스터의 컬렉터 단자와 제2 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 위치하며, 전력단의 선형성이 유지되도록 하는 단간(interstage) 매칭부;An interstage matching unit positioned between the collector terminal of the first transistor and the base terminal of the second transistor and maintaining the linearity of the power stage;
상기 제2 트랜지스터의 출력단에 위치하며, 최적의 출력 임피던스를 가지도록 하는 출력 매칭부; 및An output matching unit positioned at an output terminal of the second transistor and having an optimal output impedance; And
상기 제1, 제2 트랜지스터의 구동을 위한 바이어스 전압을 가변할 수 있도록, 가변 저항부를 구비하여 다수의 저항값 설정이 가능한 바이어스 회로부를 포함하는 점에 그 특징이 있다.And a bias circuit part having a variable resistance part and capable of setting a plurality of resistance values so as to vary a bias voltage for driving the first and second transistors.
여기서, 상기 바이어스 회로부의 가변 저항부는 다수의 스위치 소자와 다수의 저항의 직병렬 조합회로로 구성될 수 있다.Here, the variable resistor section of the bias circuit section may be composed of a serial-parallel combination circuit of a plurality of switch elements and a plurality of resistors.
이때, 상기 다수의 스위치 소자는 SW1∼SW8의 8개의 스위치 소자로 구성될 수 있다.At this time, the plurality of switch elements may be composed of eight switch elements SW1 to SW8.
이때, 또한 상기 다수의 스위치 소자는 바이폴라 트랜지스터(BJT) 또는 전계효과 트랜지스터(FET)로 구성될 수 있다.At this time, the plurality of switch elements may be composed of a bipolar transistor (BJT) or a field effect transistor (FET).
이때, 또한 상기 다수의 저항은 50, 100, 200Ω의 3개의 저항으로 구성될 수 있다. At this time, the plurality of resistors may also be composed of three resistors of 50, 100, and 200?.
또한, 상기 바이어스 회로부의 가변 저항부는 상기 50, 100, 200Ω의 3개의 저항의 조합에 의해 50, 100, 150, 200, 250, 300, 350Ω의 바이어스 저항값을 각각 설정할 수 있다.
Also, the variable resistance portion of the bias circuit portion can set the bias resistance values of 50, 100, 150, 200, 250, 300, and 350? By the combination of the three resistances of 50, 100,
이와 같은 본 발명에 의하면, 종래의 한 가지의 고정된 저항값에서 다수의 저항값으로 변경할 수 있도록 회로를 개선함으로써 전력증폭기의 선형성을 보장할 수 있고, 트랜지스터의 공정 변화에 대응할 수 있는 장점이 있다.
According to the present invention, the linearity of the power amplifier can be ensured by improving the circuit so that it can be changed to a plurality of resistance values from one conventional fixed resistance value, and there is an advantage in coping with the process change of the transistor .
도 1은 종래 무선랜용 전력증폭기 회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 무선랜용 전력증폭기 회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 3은 도 2의 무선랜용 전력증폭기 회로에 있어서, 바이어스 회로부의 가변 저항부의 내부 회로 구성을 보여주는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a conventional power amplifier circuit for a wireless LAN. FIG.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a power amplifier circuit for a wireless LAN,
Fig. 3 is a diagram showing an internal circuit configuration of the variable resistor section of the bias circuit section in the power amplifier circuit for a wireless LAN of Fig. 2; Fig.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되지 말아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms and the inventor can properly define the concept of the term to describe its invention in the best way Should be construed in accordance with the principles and meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. Also, the terms " part, "" module, "and" device " Lt; / RTI >
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
여기서, 본 발명의 실시 예에 대하여 본격적으로 설명하기에 앞서, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 종래 무선랜용 전력증폭기 회로에 대하여 먼저 살펴보기로 한다.Before describing the embodiments of the present invention in full, a conventional power amplifier circuit for a wireless LAN will be described in order to facilitate understanding of the present invention.
도 1은 종래 무선랜용 전력증폭기 회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a conventional power amplifier circuit for a wireless LAN.
도 1을 참조하면, 종래 무선랜용 전력증폭기 회로는, 제1, 제2 전원(P1,P2)으로부터 공급된 전압을 각각 증폭하여 공급하는 제1, 제2 트랜지스터(101,102)와; 입력 임피던스를 일정한 임피던스 값으로 맞추기 위한 입력 매칭부(103)와; 전력단의 선형성이 유지되도록 하는 단간(interstage) 매칭부(104)와; 최적의 출력 임피던스를 가지도록 하는 출력 매칭부(105); 및 상기 제1, 제2 트랜지스터(101,102)의 구동을 위한 바이어스 전압을 인가해주는 바이어스 회로부(106,107)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional power amplifier circuit for a wireless LAN includes first and
그런데, 이상과 같은 구성의 종래 전력증폭기 회로에 있어서는 바이어스 회로부(106,107)의 바이어스 저항값이 한 가지의 값(예를 들면, 250Ω)으로 고정되어 있어, 튜닝(tuning)이 불가능하다. 따라서, 증폭기의 선형성을 보장하기가 어렵고, 트랜지스터의 공정 변화 폭에 대한 대응이 불가능하다는 문제점이 있다. However, in the conventional power amplifier circuit having the above-described configuration, the bias resistance value of the
본 발명은 상기와 같은 종래 전력증폭기 회로에 있어서의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 종래의 한 가지의 고정된 저항값에서 다수의 저항값으로 변경할 수 있도록 회로를 개선함으로써 전력증폭기 회로의 선형성을 보장할 수 있고, 트랜지스터의 공정 변화에 대응할 수 있는 무선랜용 전력증폭기 회로를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems in the conventional power amplifier circuit as described above, and it is an object of the present invention to improve the linearity of a power amplifier circuit by changing a resistance value from a conventional fixed resistance value to a plurality of resistance values. And to provide a power amplifier circuit for a wireless LAN that can cope with a process change of a transistor.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 무선랜용 전력증폭기 회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.2 is a schematic diagram illustrating a configuration of a power amplifier circuit for a wireless LAN according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 무선랜용 전력증폭기 회로는, 제1, 제2 트랜지스터(201,202), 입력 매칭부(203), 단간(interstage) 매칭부(204), 출력 매칭부(205), 바이어스 회로부(206,207)를 포함하여 구성된다. 2, the power amplifier circuit for a wireless LAN according to the present invention includes first and
상기 제1, 제2 트랜지스터(201,202)는 제1, 제2 전원(P1,P2)으로부터 공급된 전압을 각각 증폭하여 공급한다. The first and
상기 입력 매칭부(203)는 외부로부터의 고주파 입력단(RF in)과 상기 제1 트랜지스터(201)의 베이스 단자 사이에 위치하며, 입력 임피던스를 일정한 임피던스 값으로 맞추는 역할을 한다.The
상기 단간(interstage) 매칭부(204)는 상기 제1 트랜지스터201)의 컬렉터 단자와 제2 트랜지스터(202)의 베이스 단자 사이에 위치하며, 전력단의 선형성이 유지되도록 하는 역할을 한다.The
상기 출력 매칭부(205)는 상기 제2 트랜지스터(202)의 출력단에 위치하며, 최적의 출력 임피던스를 가지도록 한다.The
상기 바이어스 회로부(206,207)는 상기 제1, 제2 트랜지스터(201,202)의 구동을 위한 바이어스 전압을 가변할 수 있도록, 가변 저항부(206R,207R)를 구비하며, 따라서 다수의 저항값 설정이 가능하다.The
여기서, 상기 바이어스 회로부(206,207)의 가변 저항부(206R,207R)는 도 3에 도시된 바와 같이, 일 예로, 일단과 타단 사이에 서로 병렬로 접속된 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200고, 상기 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200간의 접속경로를 선택하기 위한 8개의 스위치 소자 SW1, SW2, SW3, SW4, SW5, SW6, SW7 및 SW8을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the
이때, 상기 다수의 스위치 소자(SW1∼SW8)는 도시된 바와 같이, SW1∼SW8의 8개의 스위치 소자로 구성될 수 있다. 일 예로, 도 3을 참조하면, 상기 스위치 소자 SW1, SW2 및 SW3 각각은 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200의 일측에 접속되고, 상기 스위치 소자 SW7 및 SW8 각각은 저항R50 및 저항R100의 타측에 접속되고, 상기 스위치 소자 SW4는 저항R50의 타측과 저항R100의 일측 사이에 접속되고, 상기 스위치 소자 SW5는 저항R50의 타측과 저항R200의 일측 사이에 접속되며, 상기 스위치 소자 SW6는 저항R100의 타측과 저항R200의 일측 사이에 접속될 수 있다. 그러나, 스위치 소자는 이와 같이 8개로 한정되는 것은 아니며, 가변 저항의 개수 및 회로 구성에 따라 다양하게 변경 응용될 수 있음은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명하다. At this time, as shown in the figure, the plurality of switch elements SW1 to SW8 may be composed of eight switch elements SW1 to SW8. 3, each of the switch elements SW1, SW2, and SW3 is connected to one side of three resistances R50, R100, and R200, and each of the switch elements SW7 and SW8 is connected to the other side of the resistor R50 and the resistor R100 And the switch element SW4 is connected between the other side of the resistor R50 and one side of the resistor R100, the switch element SW5 is connected between the other side of the resistor R50 and one side of the resistor R200, And may be connected between the other side and one side of the resistor R200. However, it is obvious to those skilled in the art that the number of switch elements is not limited to eight as described above, and can be variously changed depending on the number of variable resistors and circuit configuration.
이때, 또한 상기 다수의 스위치 소자(SW1∼SW8)는 바이폴라 트랜지스터(BJT) 또는 전계효과 트랜지스터(FET)로 구성될 수 있다.At this time, the plurality of switch elements SW1 to SW8 may be composed of a bipolar transistor (BJT) or a field effect transistor (FET).
이때, 또한 상기 다수의 저항(R50,R100,R200)은 50, 100, 200Ω의 3개의 저항으로 구성될 수 있다. 여기서, 이와 같은 저항도 3개로 한정되는 것은 아니며, 적용되는 제품의 사양(specification)과 내부 회로 구성에 따라 다양하게 변경 응용될 수 있음은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명하다. At this time, the resistors R50, R100, and R200 may be composed of three resistors of 50, 100, and 200 ?. It should be understood by those skilled in the art that the number of such resistors is not limited to three but may be variously changed depending on the specifications of the applied product and the internal circuit configuration.
또한, 상기 바이어스 회로부(206,207)의 가변 저항부(206R,207R)는 상기 50, 100, 200Ω의 3개의 저항(R50,R100,R200)의 조합에 의해 50, 100, 150, 200, 250, 300, 350Ω의 바이어스 저항값을 각각 설정할 수 있다. 여기서, 물론 이와 같은 바이어스 저항값은 본 예시와 같은 7가지의 바이어스 저항값으로 한정되는 것은 아니며, 저항의 개수 및 각 저항의 저항값에 따라 다양하게 변경 응용될 수 있음은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명하다. The
여기서, 상기 7가지의 바이어스 저항값 설정에 대하여 부연 설명해 보기로 한다.Here, the setting of the seven bias resistance values will be described in detail.
먼저, 바이어스 저항값을 50Ω으로 설정하고자 할 경우, 도 3의 회로에서 SW1과 SW7만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW2∼SW6, SW8)은 모두 오프(OFF)시킴으로써 가변 저항부(206R,207R)는 50Ω의 저항(R50) 하나만으로 구성된 회로가 되며, 이에 따라 바이어스 저항값은 50Ω으로 설정된다.First, when the bias resistance value is set to 50 OMEGA, only SW1 and SW7 are turned on in the circuit of Fig. 3, and all the remaining switches SW2 to SW6 and SW8 are turned off, , 207R become a circuit composed of only one resistance (R50) of 50 OMEGA, whereby the bias resistance value is set to 50 OMEGA.
또한, 바이어스 저항값을 100Ω으로 설정하고자 할 경우, SW2와 SW8만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW1, SW3∼SW7)은 모두 오프(OFF)시킴으로써 가변 저항부(206R,207R)는 100Ω의 저항(R100) 하나만으로 구성된 회로가 되며, 이에 따라 바이어스 저항값은 100Ω으로 설정된다.When the bias resistance value is set to 100 OMEGA, only the switches SW2 and SW8 are turned ON and the remaining switches SW1 and SW3 to SW7 are turned OFF so that the
마찬가지로, 바이어스 저항값을 200Ω으로 설정하고자 할 경우, SW3만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW1,SW2,SW4∼SW8)은 모두 오프(OFF)시킴으로써 가변 저항부(206R,207R)는 200Ω의 저항(R200) 하나만으로 구성된 회로가 되며, 이에 따라 바이어스 저항값은 200Ω으로 설정된다.Similarly, when the bias resistance value is set to 200 OMEGA, only the SW3 is turned on, and the remaining switches SW1, SW2, SW4 to SW8 are turned off so that the
한편, 바이어스 저항값을 150Ω으로 설정하고자 할 경우, 50Ω의 저항(R50)과 100Ω의 저항(R100)의 조합, 즉 50Ω의 저항(R50)과 100Ω의 저항(R100)의 직렬연결 회로의 구성에 의해 150Ω의 저항값이 얻어지므로, 이때는 SW1, SW4, SW8의 3개의 스위치만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW2, SW3, SW5∼SW7)은 모두 오프 (OFF)시킨다. 이에 따라 가변 저항부(206R,207R)는 50Ω의 저항(R50)과 100Ω의 저항(R100)의 직렬 연결 회로로 되며, 따라서 바이어스 저항값은 150Ω으로 설정된다.On the other hand, when the bias resistance value is set to 150 OMEGA, the combination of a resistor R50 of 50 OMEGA and a resistor R100 of 100 OMEGA, that is, a combination of a resistor R50 of 50 OMEGA and a resistor R100 of 100 OMEGA At this time, only three switches SW1, SW4 and SW8 are turned on and all the remaining switches SW2, SW3 and SW5 to SW7 are turned off. Thus, the
또한, 바이어스 저항값을 250Ω으로 설정하고자 할 경우, 50Ω의 저항(R50)과 200Ω의 저항(R200)의 조합, 즉 50Ω의 저항(R50)과 200Ω의 저항(R100)의 직렬연결 회로의 구성에 의해 250Ω의 저항값이 얻어지므로, 이때는 SW1, SW5의 2개의 스위치만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW2∼SW4, SW6∼SW8)은 모두 오프(OFF)시킨다. 이에 따라 가변 저항부(206R,207R)는 50Ω의 저항(R50)과 200Ω의 저항 (R200)의 직렬 연결 회로로 되며, 따라서 바이어스 저항값은 250Ω으로 설정된다.In order to set the bias resistance value to 250 Ω, a combination of a resistor R50 of 50 Ω and a resistor R200 of 200 Ω, that is, a combination of a resistor R50 of 50 Ω and a resistor R100 of 200 Ω At this time, only two switches SW1 and SW5 are turned on and all the remaining switches SW2 to SW4 and SW6 to SW8 are turned off. Thus, the
또한, 바이어스 저항값을 300Ω으로 설정하고자 할 경우, 100Ω의 저항 (R100)과 200Ω의 저항(R200)의 조합, 즉 100Ω의 저항(R100)과 200Ω의 저항 (R200)의 직렬연결 회로의 구성에 의해 300Ω의 저항값이 얻어지므로, 이때는 SW2, SW6의 2개의 스위치만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW1, SW3∼SW5, SW7, SW8)은 모두 오프(OFF)시킨다. 이에 따라 가변 저항부(206R,207R)는 100Ω의 저항(R100)과 200Ω의 저항(R200)의 직렬연결 회로로 되며, 따라서 바이어스 저항값은 300Ω으로 설정된다.In order to set the bias resistance value to 300Ω, a combination of a resistor R100 of 100Ω and a resistor R200 of 200Ω, that is, a combination of a resistor R100 of 100Ω and a resistor R200 of 200Ω At this time, only two switches SW2 and SW6 are turned on and all the remaining switches SW1 to SW5 are turned off. Thus, the
또한, 바이어스 저항값을 350Ω으로 설정하고자 할 경우, 50Ω의 저항(R50), 100Ω의 저항(R100) 및 200Ω의 저항(R200)의 조합, 즉 50Ω의 저항(R50)과 100Ω의 저항(R100)과 200Ω의 저항(R200)의 직렬연결 회로의 구성에 의해 350Ω의 저항값이 얻어지므로, 이때는 SW1, SW4, SW6의 3개의 스위치만 온(ON)시키고, 나머지 스위치들(SW2, SW3, SW5, SW7, SW8)은 모두 오프(OFF)시킨다. 이에 따라 가변 저항부(206R,207R)는 50Ω의 저항(R50)과 100Ω의 저항(R100) 및 200Ω의 저항(R200)의 직렬 연결 회로로 되며, 따라서 바이어스 저항값은 350Ω으로 설정된다.In order to set the bias resistance value to 350 OMEGA, a combination of a resistor R50 of 50 OMEGA, a resistor R100 of 100 OMEGA and a resistor ROOO of 200 OMEGA, that is, a resistor R50 of 50 OMEGA and a resistor R100 of 100 OMEGA, SW3 and SW6 are turned on and the remaining switches SW2, SW3, SW5, and SW5 are turned on, because a resistance value of 350? SW7, and SW8 are all turned off. Accordingly, the
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 무선랜용 전력증폭기 회로는 종래의 한 가지의 고정된 저항값에서 다수의 저항값으로 변경할 수 있도록 회로를 개선함으로써 전력증폭기의 선형성을 보장할 수 있고, 저항값을 다수의 값으로 자유롭게 변경 가능하므로 트랜지스터의 공정 변화에 적절히 대응할 수 있는 장점이 있다.As described above, the power amplifier circuit for a wireless LAN according to the present invention can ensure the linearity of the power amplifier by improving the circuit so that it can be changed into a plurality of resistance values at one fixed resistance value, Can be freely changed to a large number of values, which is advantageous in coping with the process change of the transistor.
이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변경, 응용될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 다음의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of the same should be construed as being included in the scope of the present invention.
101,201...제1 트랜지스터
102,202...제2 트랜지스터
103,203...입력 매칭부
104,204...단간(interstage) 매칭부
105,205...출력 매칭부
106,107,206,207...바이어스 회로부
206R,207R...가변 저항부101, 201 ... a first transistor
102, 202 ... second transistor
103, 203 ... input matching unit
104,204 ... interstage matching unit
105, 205 ... output matching unit
106, 107, 206, 207, ...,
206R, 207R ... variable resistor unit
Claims (6)
외부로부터의 고주파 입력단과 상기 제1 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 위치하며, 입력 임피던스를 일정한 임피던스 값으로 맞추기 위한 입력 매칭부;
상기 제1 트랜지스터의 컬렉터 단자와 제2 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 위치하며, 전력단의 선형성이 유지되도록 하는 단간(interstage) 매칭부;
상기 제2 트랜지스터의 출력단에 위치하며, 출력 임피던스를 정합하는 출력 매칭부; 및
상기 제1, 제2 트랜지스터의 구동을 위한 바이어스 전압을 가변할 수 있도록, 가변 저항부를 구비하여 다수의 저항값 설정이 가능한 바이어스 회로부를 포함하고,
상기 바이어스 회로부의 가변 저항부는
일단과 타단 사이에 서로 병렬로 접속된 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200; 및
상기 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200간의 접속경로를 선택하기 위한 8개의 스위치 소자 SW1, SW2, SW3, SW4, SW5, SW6, SW7 및 SW8; 을 포함하고,
상기 스위치 소자 SW1, SW2 및 SW3 각각은 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200의 일측에 접속되고, 상기 스위치 소자 SW7 및 SW8 각각은 저항R50 및 저항R100의 타측에 접속되고, 상기 스위치 소자 SW4는 저항R50의 타측과 저항R100의 일측 사이에 접속되고, 상기 스위치 소자 SW5는 저항R50의 타측과 저항R200의 일측 사이에 접속되며, 상기 스위치 소자 SW6는 저항R100의 타측과 저항R200의 일측 사이에 접속된 무선랜용 전력증폭기 회로.
First and second transistors for amplifying and supplying voltages respectively supplied from the first and second power supplies;
An input matching unit positioned between a high frequency input terminal from the outside and a base terminal of the first transistor and matching an input impedance to a constant impedance value;
An interstage matching unit positioned between the collector terminal of the first transistor and the base terminal of the second transistor and maintaining the linearity of the power stage;
An output matching unit positioned at an output terminal of the second transistor and matching the output impedance; And
And a bias circuit part having a variable resistance part and capable of setting a plurality of resistance values so that a bias voltage for driving the first and second transistors can be varied,
The variable resistor section of the bias circuit section
Three resistances R50, R100 and R200 connected in parallel between one end and the other end; And
Eight switch elements SW1, SW2, SW3, SW4, SW5, SW6, SW7 and SW8 for selecting the connection path between the three resistances R50, R100 and R200; / RTI >
Each of the switch elements SW1, SW2, and SW3 is connected to one side of three resistors R50, R100, and R200. The switch elements SW7 and SW8 are connected to the other side of the resistors R50 and R100, The switch element SW5 is connected between the other side of the resistor R50 and one side of the resistor R200 and the switch element SW6 is connected between the other side of the resistor R100 and one side of the resistor R200 Power amplifier circuit for wireless LAN.
상기 8개의 스위치 소자 SW1-SW8 각각은 바이폴라 트랜지스터(BJT) 또는 전계효과 트랜지스터(FET)로 구성된 무선랜용 전력증폭기 회로.
The method according to claim 1,
Each of the eight switch elements SW1 to SW8 is composed of a bipolar transistor (BJT) or a field effect transistor (FET).
상기 3개의 저항R50, 저항R100 및 저항R200 각각은 50Ω, 100Ω 및 200Ω의 저항값을 갖는 무선랜용 전력증폭기 회로.
The method according to claim 1,
Each of the three resistances R50, R100, and R200 has a resistance value of 50?, 100? And 200 ?.
상기 바이어스 회로부의 가변 저항부는 3개의 저항R50, 저항R100, 저항R200 및 8개의 스위치 소자 SW1-SW8에 의해서, 50, 100, 150, 200, 250, 300, 350Ω의 바이어스 저항값을 각각 설정하는 무선랜용 전력증폭기 회로.6. The method of claim 5,
The variable resistor section of the bias circuit section is constituted by three resistors R50, a resistor R100, a resistor R200 and eight switch elements SW1 to SW8 to set bias resistances of 50, 100, 150, 200, 250, LAN power amplifier circuit.
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