KR101705969B1 - Copper foil with carrier, printed circuit board, laminate, electronic device and method of manufacturing printed circuit board - Google Patents

Abstract

양호한 회로 형성성을 갖는 캐리어 부착 동박을 제공한다.
본 발명의 캐리어 부착 동박은, 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 이하이다.A copper foil with a carrier having good circuit formability is provided.
The carrier-coated copper foil according to the present invention is a carrier-bonded copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the amount of water generated when the carrier-coated copper foil is heated up to 500 占 폚 at 30 占 폚 / to be.

Description

캐리어 부착 동박, 프린트 배선판, 적층체, 전자기기 및 프린트 배선판의 제조 방법{COPPER FOIL WITH CARRIER, PRINTED CIRCUIT BOARD, LAMINATE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a copper foil with a carrier, a printed wiring board, a laminate, an electronic device and a method for manufacturing a printed wiring board,

본 발명은, 캐리어 부착 동박, 프린트 배선판, 적층체, 전자기기 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a copper foil with a carrier, a printed wiring board, a laminate, an electronic device, and a manufacturing method of a printed wiring board.

프린트 배선판은 동박에 절연 기판을 접착시켜 구리 피복 적층판으로 한 후에, 에칭에 의해 동박면에 도체 패턴을 형성한다는 공정을 거쳐 제조되는 것이 일반적이다. 최근 전자기기의 소형화, 고성능화 요구의 증대에 따라 탑재 부품의 고밀도 실장화나 신호의 고주파화가 진전해, 프린트 배선판에 대해 도체 패턴의 미세화 (파인 피치화) 나 고주파 대응 등이 요구되고 있다.The printed wiring board is generally manufactured through a step of bonding an insulating substrate to a copper foil to form a copper clad laminate, and then forming a conductor pattern on the copper foil surface by etching. In recent years, along with an increase in demand for miniaturization and high performance of electronic devices, mounting of high-density mounting parts and high-frequency signals have been progressed, and conductor patterns (finer pitch) and high frequency response have been required for printed wiring boards.

파인 피치화에 대응해, 최근에는 두께 9 ㎛ 이하, 나아가서는 두께 5 ㎛ 이하의 동박이 요구되고 있지만, 이와 같은 극박의 동박은 기계적 강도가 낮아 프린트 배선판의 제조시에 깨지거나, 주름이 발생하거나 하기 쉽기 때문에, 두께가 있는 금속박을 캐리어로서 이용하고, 이것에 박리층을 개재하여 극박 구리층을 전착시킨 캐리어 부착 동박이 등장하고 있다. 극박 구리층의 표면을 절연 기판에 첩합 (貼合) 해 열압착 후, 캐리어는 박리층을 개재하여 박리 제거된다. 노출된 극박 구리층 상에 레지스트로 회로 패턴을 형성한 후에, 극박 구리층을 황산-과산화수소계의 에천트로 에칭 제거하는 수법 (MSAP : Modified-Semi-Additive-Process) 에 의해, 미세 회로가 형성된다.In response to fine pitching, a copper foil having a thickness of 9 占 퐉 or less and further having a thickness of 5 占 퐉 or less is required in recent years. However, such a copper foil with a very thin foil has a low mechanical strength and is cracked, wrinkled A copper foil with a carrier in which a thin metal foil is used as a carrier and an extremely thin copper layer is electrodeposited with a release layer interposed therebetween has appeared. The surface of the ultra-thin copper layer is bonded to an insulating substrate, and after thermocompression bonding, the carrier is peeled off through the peeling layer. A microcircuit is formed by a modified (Semi-Additive-Process) method (MSAP) in which a circuit pattern is formed with a resist on the exposed ultra-thin copper layer and then the ultra-thin copper layer is etched away with an etchant of sulfuric acid-hydrogen peroxide system .

여기서, 수지와의 접착면이 되는 캐리어 부착 동박의 극박 구리층의 표면에 대해서는, 주로 극박 구리층과 수지 기재의 박리 강도가 충분할 것, 그리고 그 박리 강도가 고온 가열, 습식 처리, 납땜, 약품 처리 등의 후라도 충분히 유지되고 있을 것이 요구된다. 극박 구리층과 수지 기재간의 박리 강도를 높이는 방법으로는, 일반적으로 표면의 프로파일 (요철, 거칠기) 을 크게 한 극박 구리층 상에 다량의 조화 (粗化) 입자를 부착시키는 방법이 대표적이다.Here, the surface of the ultra-thin copper layer of the carrier-coated copper foil to be bonded to the resin should have a sufficient peeling strength between mainly the ultra-thin copper layer and the resin substrate, and the peel strength should be high temperature heating, wet processing, It is required to be sufficiently maintained even after the above. As a method for increasing the peeling strength between the ultra-thin copper layer and the resin base material, a method of attaching a large amount of roughened particles on the ultra-thin copper layer generally having a large surface profile (concavity and convexity and roughness) is typical.

그러나, 프린트 배선판 중에서도 특히 미세한 회로 패턴을 형성할 필요가 있는 반도체 패키지 기판에, 이와 같은 프로파일 (요철, 거칠기) 이 큰 극박 구리층을 사용하면, 회로 에칭시에 불필요한 구리 입자가 남아 버려, 회로 패턴간의 절연 불량 등의 문제가 발생한다. However, when a very thin copper layer having such a profile (irregularity and roughness) is used for a semiconductor package substrate which needs to form a particularly fine circuit pattern among printed wiring boards, unnecessary copper particles remain in circuit etching, There arises a problem such as insufficient insulation between the electrodes.

이 때문에, WO2004/005588호 (특허문헌 1) 에서는, 반도체 패키지 기판을 비롯한 미세 회로 용도의 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층의 표면에 조화 처리를 실시하지 않은 캐리어 부착 동박을 사용하는 것이 시도되고 있다. 이와 같은 조화 처리를 실시하지 않은 극박 구리층과 수지의 밀착성 (박리 강도) 은, 그 낮은 프로파일 (요철, 조도, 거칠기) 의 영향에 의해 일반적인 프린트 배선판용 동박과 비교하면 저하되는 경향이 있다. 그 때문에, 캐리어 부착 동박에 대해 추가적인 개선이 요구되고 있다.For this reason, in WO 2004/005888 (Patent Document 1), it has been attempted to use a copper foil with a carrier which is not roughened on the surface of the ultra-thin copper layer as a copper foil with a carrier for use in a fine circuit including a semiconductor package substrate . The adhesion (peel strength) between the ultra-thin copper layer not subjected to such roughening treatment and the resin tends to be lowered as compared with general copper foils for printed wiring boards due to the influence of its low profile (unevenness, roughness and roughness). Therefore, further improvement is required for the copper foil with a carrier.

그래서, 일본 공개특허공보 2007-007937호 (특허문헌 2) 및 일본 공개특허공보 2010-006071호 (특허문헌 3) 에서는, 캐리어 부착 극박 동박의 폴리이미드계 수지 기판과 접촉 (접착) 하는 면에, Ni 층 또는/및 Ni 합금층을 형성하는 것, 크로메이트층을 형성하는 것, Cr 층 또는/및 Cr 합금층을 형성하는 것, Ni 층과 크로메이트층을 형성하는 것, Ni 층과 Cr 층을 형성하는 것이 기재되어 있다. 이들 표면 처리층을 형성함으로써, 폴리이미드계 수지 기판과 캐리어 부착 극박 동박의 밀착 강도를 조화 처리 없이, 또는 조화 처리의 정도를 저감 (미세화) 하면서 원하는 접착 강도를 얻고 있다. 또한, 실란 커플링제로 표면 처리하거나, 방청 처리를 실시하거나 하는 것도 기재되어 있다. Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-007937 (Patent Document 2) and Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2010-006071 (Patent Document 3) disclose a method for manufacturing a thin copper foil with a carrier on the surface of a polyimide- Forming a Ni layer and / or a Ni alloy layer, forming a chromate layer, forming a Cr layer and / or a Cr alloy layer, forming a Ni layer and a chromate layer, forming a Ni layer and a Cr layer . By forming these surface treatment layers, the adhesion strength between the polyimide-based resin substrate and the ultra-thin copper foil with a carrier is obtained without harmony treatment or by reducing (fineness) the degree of roughening treatment. It is also described that surface treatment with a silane coupling agent or rust-preventive treatment is performed.

WO2004/005588호WO2004 / 005588 일본 공개특허공보 2007-007937호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-007937 일본 공개특허공보 2010-006071호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-006071

캐리어 부착 동박의 개발에 있어서는, 지금까지 극박 구리층과 수지 기재의 박리 강도를 확보하는 것에 중점이 놓여져 있었다. 그 때문에, 극박 구리층의 회로 형성성에 관해서는 여전히 충분한 검토가 이루어지지 않고, 여전히 개선의 여지가 남아 있다.In the development of a copper foil with a carrier, emphasis has been placed on securing the peeling strength between the ultra-thin copper layer and the resin substrate so far. As a result, the circuit formability of the ultra-thin copper layer is still insufficiently examined, and there is still room for improvement.

캐리어 부착 동박을 극박 구리층측으로부터 수지에 첩합할 때에 가열 압착하지만, 그때 캐리어/극박 구리층 사이에서 발생하는 수증기 등의 기체에 의해 기포 (팽창) 가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 팽창이 발생하면, 회로 형성에 사용하는 극박 구리층이 함몰되어, 회로 형성성에 악영향을 미친다는 문제가 생긴다. 본 발명은, 캐리어 부착 동박을 소정의 조건으로 가열 처리했을 때에 발생하는 팽창의 개수를 억제함으로써, 양호한 에칭성을 갖는 캐리어 부착 동박을 제공한다. 또는, 본 발명은 캐리어 부착 동박을 소정의 조건으로 가열 처리했을 때에 발생하는 수분량을 억제함으로써, 캐리어/극박 구리층 사이에서 발생하는 수증기 등의 기체에 의한 팽창의 발생을 억제해, 양호한 에칭성을 갖는 캐리어 부착 동박을 제공한다.When the carrier-coated copper foil is bonded to the resin from the ultra-thin copper layer side by heating, the foil (expanded) may be generated by gas such as water vapor generated between the carrier and the ultra-thin copper layer. Such expansion causes a problem that the extremely thin copper layer used for circuit formation sinks and adversely affects circuit formability. The present invention provides a copper foil with a carrier having a good etching property by suppressing the number of expansion that occurs when a copper foil with a carrier is heat-treated under a predetermined condition. Alternatively, the present invention can suppress the occurrence of expansion due to gas such as water vapor generated between the carrier and the ultra-thin copper layer by suppressing the amount of water generated when the copper foil with a carrier is heated under predetermined conditions, Is provided.

이상의 지견을 기초로 해서 완성된 본 발명은 일측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 상기 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 이하인 캐리어 부착 동박이다.The present invention completed on the basis of the above findings is a copper foil with a carrier provided with a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order in one aspect, wherein when the copper foil with a carrier is heated up to 500 캜 at 30 캜 / And a moisture content of 160 ppm / g or less.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 0 ∼ 130 ppm/g 이다.In one embodiment, the carrier-coated copper foil of the present invention has a water content of 0 to 130 ppm / g, which is generated when the carrier-coated copper foil is heated to 500 캜 at 30 캜 / min.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 0 ∼ 110 ppm/g 이다.In another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the amount of water generated when the copper foil with a carrier is heated to 500 캜 at 30 캜 / min is 0 to 110 ppm / g.

본 발명은 다른 일측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 이하인 캐리어 부착 동박이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a carrier-coated copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier-adhered copper foil has an expansion of 20 / dm ² or less It is a copper foil with a carrier.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 15 개/dm² 이하이다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the expansion caused when the copper foil with a carrier is heated at 220 캜 for 4 hours is 0 to 15 / dm ² or less.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하이다.Carrier copper foil of the present invention is In another embodiment, the expansion is 0-60 / dm ² or less for generating the carrier copper foil when heated at 400 ℃ 10 minutes.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 중간층이 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 포함한다.The carrier-bonded copper foil of the present invention is characterized in that the intermediate layer is at least one selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, An oxide, and an organic material.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 중간층이 Cr 을 함유하는 경우에는 Cr 을 5 ㎍/dm² 이상 100 ㎍/dm² 이하 함유하고, Mo 를 함유하는 경우에는 Mo 를 50 ㎍/dm² 이상 1000 ㎍/dm² 이하 함유하고, Ni 를 함유하는 경우에는 Ni 를 100 ㎍/dm² 이상 40000 ㎍/dm² 이하 함유하고, Co 를 함유하는 경우에는 Co 를 100 ㎍/dm² 이상 40000 ㎍/dm² 이하 함유하고, Zn 을 함유하는 경우에는 Zn 을 1 ㎍/dm² 이상 120 ㎍/dm² 이하 함유한다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, when the intermediate layer contains Cr, it contains 5 쨉 g / dm ² or more and 100 쨉 g / dm ² or less of Cr, ㎍ / dm ² or more 1000 ㎍ / dm ² or less contained, and if the case containing Ni is containing 100 ㎍ / dm ² or more and 40000 ㎍ / dm ² Ni, and contains Co, the 100 ㎍ / dm of Co ² when containing more than 40000 ㎍ / dm ² or less contained, and Zn are to contain 1 ㎍ / dm ² or more 120 ㎍ / dm ² or less Zn.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 중간층이 유기물을 두께로 25 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하 함유한다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the intermediate layer contains an organic material having a thickness of 25 nm or more and 80 nm or less.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 유기물이 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산 중에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 유기물이다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the organic material is one or more organic materials selected from a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound, and a carboxylic acid.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 구리층 표면 또는 상기 캐리어의 표면의 어느 일방 또는 양방에 조화 처리층을 갖는다.The copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention has a roughened treatment layer on either or both of the surface of the extremely thin copper layer or the surface of the carrier.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는다.In another embodiment of the present invention, the copper foil with a carrier has at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer on the surface of the roughened treatment layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 하나 이상의 원소를 포함한다.In one embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer includes at least one element selected from nickel, cobalt, copper and zinc.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 하나 이상의 원소로 이루어진다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer is composed of at least one element selected from nickel, cobalt, copper and zinc.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층 상에 상기 내열층을 갖는다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the heat resistant layer is provided on the roughening treatment layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층 또는 상기 내열층 상에 상기 방청층을 갖는다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the roughening treatment layer or the heat resistant layer has the rust preventive layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 방청층 상에 상기 크로메이트 처리층을 갖는다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the chromate treatment layer is provided on the rust preventive layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 크로메이트 처리층 상에 상기 실란 커플링 처리층을 갖는다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the silicate coupling treatment layer is provided on the chromate treatment layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 구리층의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer is formed on the surface of the ultra thin copper layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 구리층 상에 수지층을 구비한다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the resin layer is provided on the extremely thin copper layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층 상에 수지층을 구비한다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the resin layer is provided on the roughening treatment layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층 상에 수지층을 구비한다.In the copper foil with a carrier according to another embodiment of the present invention, the resin layer is provided on at least one layer selected from the group consisting of the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층이 유전체를 포함한다.In another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the resin layer includes a dielectric.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용하여 제조한 프린트 배선판이다.In another aspect, the present invention is a printed wiring board manufactured using the copper foil with a carrier of the present invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 이용하여 제조한 전자기기이다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic device manufactured using the printed wiring board of the present invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용하여 제조한 적층체이다.In another aspect, the present invention is a laminate produced by using the copper foil with a carrier of the present invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박과 수지를 포함하는 적층체로서, 상기 캐리어 부착 동박의 단면 (端面) 의 일부 또는 전부가 상기 수지에 의해 덮여 있는 적층체이다.In another aspect, the present invention is a laminate including the copper foil with a carrier and a resin according to the present invention, wherein a part or all of the end face of the copper foil with a carrier is covered with the resin.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 하나의 본 발명의 캐리어 부착 동박을 상기 캐리어측 또는 상기 극박 구리층측으로부터, 다른 하나의 본 발명의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 또는 상기 극박 구리층측에 적층한 적층체이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a carrier-coated copper foil according to the present invention, wherein the carrier-coated copper foil is laminated on the carrier side or the ultra thin copper layer side and on the carrier side or the ultra thin copper layer side of the other carrier- Laminated body.

본 발명의 적층체는 일 실시형태에 있어서, 상기 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면과 상기 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면이, 필요에 따라 접착제를 개재하여, 직접 적층시켜 구성되어 있다.The laminate according to one embodiment of the present invention is characterized in that the carrier-side surface of the one carrier-bonded copper foil or the ultra-thin copper-layer-side surface and the carrier-side surface of the other carrier- And is directly laminated with an adhesive interposed therebetween if necessary.

본 발명의 적층체는 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면과 상기 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층이 접합되어 있다.In another embodiment of the laminate according to the present invention, the carrier-side surface of the one carrier-bonded copper foil or the surface of the ultra-thin copper layer side is bonded to the carrier or the ultra-thin copper layer of the other one of the carrier- .

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 적층체를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법이다.In another aspect, the present invention is a method for producing a printed wiring board using the laminate of the present invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 상기 적층체의 단면의 일부 또는 전부가 수지에 의해 덮여 있는 적층체이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a laminate in which a part or all of a cross section of the laminate is covered with a resin.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 적층체에 수지층과 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어 부착 동박으로부터 상기 극박 구리층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming two layers of a resin layer and a circuit on a laminate of the present invention at least once; and after forming two layers of the resin layer and the circuit at least once, And peeling the ultra-thin copper layer from the carrier-coated copper foil of the sintered body.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 동박 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후 세미애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention; laminating the copper foil with the carrier and the insulating substrate; A copper clad laminate is formed through a step of peeling the copper foil carrier of the attached copper foil and then the copper clad laminate is formed by any of the semi additive method, the subtractive method, the palladium additive method, or the modified semi- To form a printed wiring board.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시키는 공정, 및 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시킨 후에 상기 극박 구리층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.In another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a copper-clad laminate, comprising the steps of: forming a circuit on the ultra-thin copper layer side or the carrier-side surface of the copper- A step of forming a circuit on the resin layer, a step of peeling the carrier or the ultra-thin copper layer after forming a circuit on the resin layer, and a step of peeling off the carrier or the ultra- A step of exposing a circuit embedded in the resin layer formed on the extremely thin copper layer side surface or the carrier side surface by removing the extremely thin copper layer or the carrier after peeling the layer, to be.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어 부착 동박을 극박 구리층측 또는 캐리어측으로부터 첩합하고, 상기 수지층에 첩합된 캐리어 부착 동박을 이용하여 상기 회로를 형성하는 공정이다.The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention is characterized in that the step of forming a circuit on the resin layer includes the step of stacking another copper foil with a carrier on the resin layer from the ultra- To form the circuit using the copper foil with a carrier bonded to the copper foil.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어 부착 동박이, 본 발명의 캐리어 부착 동박이다.In another embodiment of the method for producing a printed wiring board of the present invention, the copper foil with a carrier bonded onto the resin layer is the copper foil with a carrier of the present invention.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시된다.In the method of manufacturing a printed wiring board according to another embodiment of the present invention, the step of forming a circuit on the resin layer may be a semi-additive method, a subtractive method, a patty additive method or a modified semi- Or by any of the methods of the present invention.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면에 회로를 형성하는 캐리어 부착 동박이, 당해 캐리어 부착 동박의 캐리어측의 표면 또는 극박 구리층측의 표면에 기판을 갖는다.In a method for producing a printed wiring board according to another embodiment of the present invention, the copper foil with a carrier forming a circuit on the surface has a substrate on the surface of the carrier-side copper foil or on the surface of the ultra-thin copper layer side.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층과 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: laminating the ultra thin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-coated copper foil of the present invention and a resin substrate; A step of forming at least one layer of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the ultra thin copper layer side or on the surface of the carrier side; and a step of forming two layers of the resin layer and the circuit at least once, And peeling the ultra-thin copper layer.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 극박 구리층측 표면에 수지층과 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어를 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: laminating a carrier-side surface of a carrier-coated copper foil of the present invention and a resin substrate; A step of forming two layers of a layer and a circuit at least once, and a step of peeling the carrier from the carrier-coated copper foil after forming at least two layers of the resin layer and the circuit at least once to be.

본 발명에 의하면, 회로 형성성이 양호한 캐리어 부착 동박을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a copper foil with a carrier having good circuit formability.

도 1 의 A ∼ C 는, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 회로 도금·레지스트 제거까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도.
도 2 의 D ∼ F 는, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 수지 및 2 층째 캐리어 부착 동박 적층으로부터 레이저 구멍 형성까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도.
도 3 의 G ∼ I 는, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 비아필 형성으로부터 1 층째의 캐리어 박리까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도.
도 4 의 J ∼ K 는, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 플래시 에칭으로부터 범프·구리 필러 형성까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도.
도 5 는 실시예에 있어서의 회로 패턴의 폭 방향의 횡단면의 모식도, 및 그 모식도를 사용한 에칭 팩터 (EF) 의 계산 방법의 개략도. 1 (A) to (C) are schematic views of a wiring board section in a process up to circuit plating and resist removal, relating to a concrete example of a method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
Fig. 2D is a schematic view of a section of a wiring board in a process from the lamination of the resin and the second layer of the carrier to the formation of the laser hole, relating to the specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
3G to 3I are schematic views of a wiring board section in a process from the via-hole formation to the carrier peeling of the first layer, relating to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
4A to 4K are schematic views of a wiring board section in a process from flash etching to bump / copper filler formation, according to a specific example of a method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
Fig. 5 is a schematic diagram of a transverse section in the width direction of a circuit pattern in the embodiment, and a calculation method of an etching factor EF using the schematic diagram. Fig.

＜캐리어 부착 동박＞<Copper with Carrier>

본 발명의 캐리어 부착 동박은, 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한다. 캐리어 부착 동박 자체의 사용 방법은 당업자에게 주지이지만, 예를 들어 극박 구리층의 표면을 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름, 불소 수지 필름 등의 절연 기판에 첩합하여 열압착 후에 캐리어를 박리하고, 절연 기판에 접착된 극박 구리층을 목적으로 하는 도체 패턴으로 에칭해, 최종적으로 프린트 배선판을 제조할 수 있다.The carrier-coated copper foil of the present invention comprises a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order. The method of using the copper foil with a carrier itself is well known to those skilled in the art. For example, the surface of the ultra-thin copper layer may be coated with paper phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber base epoxy resin, A glass fiber substrate epoxy resin, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer film, a fluororesin film or the like, peeling off the carrier after thermocompression, peeling the ultra-thin copper film bonded to the insulating substrate, Layer is etched with a conductor pattern aimed at, and finally a printed wiring board can be manufactured.

＜캐리어＞<Carrier>

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이고, 예를 들어 동박, 동 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름, 폴리이미드 필름, LCD 필름의 형태로 제공된다.The carrier which can be used in the present invention is typically a metal foil or a resin film, and examples thereof include a copper foil, a copper alloy foil, a nickel foil, a nickel alloy foil, a steel foil, an iron alloy foil, a stainless steel foil, an aluminum foil, A resin film, a polyimide film, and an LCD film.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출해 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열 처리를 반복해 제조된다. 동박의 재료로는 터프 피치 구리 (JIS H3100 합금 번호 C1100) 나 무산소 구리 (JIS H3100 합금 번호 C1020 또는 JIS H3510 합금 번호 C1011) 와 같은 고순도의 구리 외, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 코르손계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다.Carriers which can be used in the present invention are typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. Generally, the electrolytic copper foil is produced by electrolytically precipitating copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic processing and heat treatment by a rolling roll. Examples of the material of the copper foil include high purity copper such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy No. C1100) or oxygen free copper (JIS H3100 alloy No. C1020 or JIS H3510 alloy No. C1011), for example, Sn containing copper, Ag containing copper, Cr , A copper alloy to which Zr or Mg is added, a copper alloy such as a cornson-type copper alloy to which Ni and Si are added, or the like can be used.

또, 전해 동박으로는, 이하의 전해액 조성 및 제조 조건으로 제작할 수 있다. 이하의 조건으로 전해 동박을 제조한 경우, 동박 표면의 TD (동박의 제조 설비에서의, 동박의 진행 방향에 직각인 방향 (폭 방향)) 의 Rz 가 작고, TD 의 60 도 광택도가 높은 전해 동박을 얻을 수 있다.The electrolytic copper foil can be produced by the following electrolytic solution composition and manufacturing conditions. When the electrolytic copper foil was produced under the following conditions, the Rz of the TD (copper foil manufacturing equipment, direction (width direction) perpendicular to the direction of the copper foil) was small, and TD Copper foil can be obtained.

＜전해액 조성＞<Electrolyte Composition>

구리 : 90 ∼ 110 g/ℓ Copper: 90 ~ 110 g / ℓ

황산 : 90 ∼ 110 g/ℓ Sulfuric acid: 90 to 110 g / l

염소 : 50 ∼ 100 ppm Chlorine: 50 to 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) : 10 ∼ 30 ppm Leveling agent 1 (bis (3-sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) : 10 ∼ 30 ppm Leveling second (amine compound): 10 to 30 ppm

상기 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 사용할 수 있다.The amine compound may be an amine compound of the following formula.

또한, 본 발명에 사용되는 전해, 표면 처리 또는 도금 등에 사용되는 처리액의 잔부는 특히 명기하지 않는 한 물이다.In addition, the balance of the treatment liquid used for electrolytic, surface treatment or plating used in the present invention is water unless otherwise specified.

(상기 화학식 중, R₁ 및 R₂ 는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 일군에서 선택되는 것이다)(Wherein R ₁ and R ₂ are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group)

＜제조 조건＞<Manufacturing Conditions>

전류 밀도 : 70 ∼ 100 A/dm² Current density: 70 to 100 A / dm ²

전해액 온도 : 50 ∼ 60 ℃Electrolyte temperature: 50 to 60 ° C

전해액 선속 : 3 ∼ 5 m/sec Electrolyte flux: 3 ~ 5 m / sec

전해 시간 : 0.5 ∼ 10 분간 Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes

또한, 본 명세서에 있어서 용어 「동박」을 단독으로 사용한 때에는 동 합금박도 포함하는 것으로 한다.In the present specification, when the term "copper foil" is used alone, copper alloy foil is also included.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 수행하는 데에 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 5 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 지나치게 두꺼우면 생산 비용이 높아지므로 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 8 ∼ 70 ㎛ 이고, 보다 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다. 또, 원료 비용을 저감하는 관점에서는 캐리어의 두께는 작은 것이 바람직하다. 그 때문에, 캐리어의 두께는 전형적으로는 5 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하이고, 바람직하게는 5 ㎛ 이상 18 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 5 ㎛ 이상 12 ㎛ 이하이고, 바람직하게는 5 ㎛ 이상 11 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 5 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이다. 또한, 캐리어의 두께가 작은 경우에는, 캐리어의 통박 (通箔) 시에 주름이 발생하기 쉽다. 주름이 발생하는 것을 방지하기 위해, 예를 들어 캐리어 부착 동박 제조 장치의 반송 롤을 평활하게 하는 것이나, 반송 롤과, 그 다음의 반송 롤의 거리를 짧게 하는 것이 유효하다. 또한, 프린트 배선판의 제조 방법의 하나인 매립 공법 (임베디드법 (Embedded Process)) 에 캐리어 부착 동박이 사용되는 경우에는, 캐리어의 강성이 높을 필요가 있다. 그 때문에, 매립 공법에 사용하는 경우에는, 캐리어의 두께는 18 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 25 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하인 것이 바람직하며, 35 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 35 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하인 것이 보다 더 바람직하다.The thickness of the carrier which can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for performing a role as a carrier. For example, it may be 5 占 퐉 or more. However, if it is excessively thick, the production cost becomes high, and therefore, it is generally preferable to be 35 mu m or less. Thus, the thickness of the carrier is typically from 8 to 70 microns, more typically from 12 to 70 microns, and more typically from 18 to 35 microns. From the viewpoint of reducing the raw material cost, it is preferable that the thickness of the carrier is small. Therefore, the thickness of the carrier is typically in the range of 5 占 퐉 to 35 占 퐉, preferably 5 占 퐉 to 18 占 퐉, preferably 5 占 퐉 to 12 占 퐉, preferably 5 占 퐉 to 11 占 퐉 , Preferably not less than 5 mu m and not more than 10 mu m. In addition, when the thickness of the carrier is small, wrinkles tend to occur at the time of the passage of the carrier. It is effective to smooth the conveying roll of the copper foil manufacturing apparatus with a carrier and to shorten the distance between the conveying roll and the next conveying roll in order to prevent wrinkles from occurring. In addition, when a copper foil with a carrier is used in the embedding method (Embedded Process), which is one of the methods for producing a printed wiring board, the rigidity of the carrier is required to be high. Therefore, when used in an embedding method, the carrier preferably has a thickness of 18 탆 or more and 300 탆 or less, preferably 25 탆 or more and 150 탆 or less, more preferably 35 탆 or more and 100 탆 or less, Or less.

또한, 캐리어의 극박 구리층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성해도 된다. 당해 조화 처리층을 공지된 방법을 이용하여 형성해도 되고, 후술하는 조화 처리에 의해 형성해도 된다. 캐리어의 극박 구리층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성하는 것은, 캐리어를 당해 조화 처리층을 갖는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.The roughening treatment layer may be formed on the surface of the carrier opposite to the surface on which the extremely thin copper layer is formed. The roughening treatment layer may be formed using a known method or may be formed by a roughening treatment to be described later. The roughening treatment layer is formed on the surface of the carrier opposite to the surface on which the extremely thin copper layer is formed because when the carrier is laminated on a support such as a resin substrate from the surface side having the roughened treatment layer, It has an advantage that it becomes difficult to peel off.

＜중간층＞<Middle layer>

캐리어의 편면 또는 양면 상에는 중간층을 형성한다. 캐리어와 중간층 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 본 발명에서 사용하는 중간층은, 캐리어 부착 동박이 절연 기판으로의 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리되기 어려운 한편으로, 절연 기판으로의 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리 가능해지도록 구성되어 있다. 예를 들어, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 중간층은, Ni 외에 Cr, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 포함해도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.An intermediate layer is formed on one side or both sides of the carrier. Another layer may be formed between the carrier and the intermediate layer. The intermediate layer used in the present invention is structured such that the ultra-thin copper layer is difficult to peel off from the carrier before the step of laminating the copper foil with a carrier to the insulating substrate and the ultra-thin copper layer can be peeled off from the carrier after the laminating step to the insulating substrate have. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention may contain at least one selected from the group consisting of Cr, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, Or one or more selected from the group consisting of The intermediate layer may be a plurality of layers.

또, 중간층은, 캐리어 상에 니켈 또는 니켈을 포함하는 합금의 어느 1 종의 층, 및 크롬, 크롬 합금, 크롬의 산화물의 어느 1 종 이상을 포함하는 층이 이 순서로 적층되어 구성되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 니켈 또는 니켈을 포함하는 합금의 어느 1 종의 층, 및/또는 크롬, 크롬 합금, 크롬의 산화물의 어느 1 종 이상을 포함하는 층에 아연이 포함되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 니켈을 포함하는 합금이란 니켈과, 코발트, 철, 크롬, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금을 말한다. 니켈을 포함하는 합금은 3 종 이상의 원소로 이루어지는 합금이어도 된다. 또, 크롬 합금이란 크롬과, 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금을 말한다. 크롬 합금은 3 종 이상의 원소로 이루어지는 합금이어도 된다. 또, 크롬, 크롬 합금, 크롬의 산화물의 어느 1 종 이상을 포함하는 층은 크로메이트 처리층이어도 된다. 여기서 크로메이트 처리층이란 크롬산염 또는 이크롬산염을 포함하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 금속을 포함해도 된다. 본 발명에 있어서는, 무수 크롬산 또는 이크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층을 순크로메이트 처리층이라고 한다. 또, 본 발명에 있어서는 무수 크롬산 또는 이크롬산칼륨 및 아연을 포함하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층을 아연 크로메이트 처리층이라고 한다.It is to be noted that the intermediate layer is formed by stacking, on the carrier, any one layer of an alloy containing nickel or nickel, and a layer containing at least one of chromium, chromium alloy and chromium oxide in this order desirable. It is preferable that zinc is contained in one layer of any one of nickel and nickel-containing alloys and / or one or more layers of chromium, chromium alloy, and chromium oxide. The alloy containing nickel is an alloy composed of at least one element selected from the group consisting of nickel and cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium . The alloy containing nickel may be an alloy composed of three or more kinds of elements. The chromium alloy refers to an alloy composed of at least one element selected from the group consisting of chromium and cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium. The chromium alloy may be an alloy comprising three or more elements. The layer containing at least one of chromium, chromium alloy and chromium oxide may be a chromate treatment layer. Here, the chromate treatment layer refers to a layer treated with a liquid containing a chromate or an ichromate. The chromate treatment layer may contain metals such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium. In the present invention, the chromate treatment layer treated with an aqueous solution of chromic acid anhydride or potassium dichromate is referred to as a pure chromate treatment layer. In the present invention, the chromate treatment layer treated with the treatment liquid containing chromic anhydride or potassium chromate and zinc is referred to as a zinc chromate treatment layer.

또, 중간층은, 캐리어 상에 니켈, 니켈-아연 합금, 니켈-인 합금, 니켈-코발트 합금의 어느 1 종의 층, 및 아연 크로메이트 처리층, 순크로메이트 처리층, 크롬 도금층의 어느 1 종의 층이 이 순서로 적층되어 구성되어 있는 것이 바람직하고, 중간층은 캐리어 상에 니켈층 또는 니켈-아연 합금층, 및 아연 크로메이트 처리층이 이 순서로 적층되어 구성되어 있거나, 또는 니켈-아연 합금층, 및 순크로메이트 처리층 또는 아연 크로메이트 처리층이 이 순서로 적층되어 구성되어 있는 것이 더욱 바람직하다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 구리층을 박리할 때에, 극박 구리층과 크로메이트 처리층의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 구리층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다. 또, 중간층에 크롬 도금이 아니고 크로메이트 처리층을 형성하는 것이 바람직하다. 크롬 도금은 표면에 치밀한 크롬 산화물층을 형성하기 때문에, 전기 도금으로 극박 동박을 형성할 때에 전기 저항이 상승해, 핀홀이 발생하기 쉬워진다. 크로메이트 처리층을 형성한 표면은, 크롬 도금과 비교하여 치밀하지 않은 크롬 산화물층이 형성되기 때문에, 극박 동박을 전기 도금으로 형성할 때의 저항이 되기 어려워, 핀홀을 감소시킬 수 있다. 여기서, 크로메이트 처리층으로서 아연 크로메이트 처리층을 형성함으로써, 극박 동박을 전기 도금으로 형성할 때의 저항이, 통상적인 크로메이트 처리층보다 낮아져, 보다 핀홀의 발생을 억제할 수 있다.The intermediate layer may be formed by depositing on the carrier at least one layer selected from the group consisting of nickel, a nickel-zinc alloy, a nickel-phosphorus alloy and a nickel-cobalt alloy and a zinc chromate treatment layer, a pure chromate treatment layer and a chromium plating layer And the intermediate layer is formed by stacking a nickel layer or a nickel-zinc alloy layer and a zinc chromate treatment layer on the carrier in this order, or a nickel-zinc alloy layer, and a nickel- It is more preferable that a pure chromate treatment layer or a zinc chromate treatment layer is laminated in this order. Since the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesion force between chrome and copper, when the ultra-thin copper layer is peeled off, it is peeled from the interface between the ultra-thin copper layer and the chromate treatment layer. It is also expected that the nickel in the intermediate layer has a barrier effect for preventing the copper component from diffusing from the carrier into the ultra-thin copper layer. It is preferable to form a chromate treatment layer on the intermediate layer instead of chromium plating. Since the chromium plating forms a dense chromium oxide layer on the surface, the electric resistance increases when electroplating to form an ultra-thin copper foil, and pinholes are likely to occur. The surface on which the chromate treatment layer is formed is less resistant to formation of the ultra-thin copper foil by electroplating because a less dense chromium oxide layer is formed as compared with chromium plating, and pinholes can be reduced. Here, by forming the zinc chromate treatment layer as the chromate treatment layer, the resistance when the ultra-thin copper foil is formed by electroplating is lower than that of the conventional chromate treatment layer, and the occurrence of pinholes can be suppressed more.

캐리어로서 전해 동박을 사용하는 경우에는, 핀홀을 감소시키는 관점에서 샤이니면에 중간층을 형성하는 것이 바람직하다.When an electrolytic copper foil is used as the carrier, it is preferable to form an intermediate layer on the shiny side from the viewpoint of reducing pinholes.

중간층 중 크로메이트 처리층은 극박 구리층의 계면에 얇게 존재하는 것이, 절연 기판으로의 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리되지 않는 한편으로, 절연 기판으로의 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리 가능하다는 특성을 얻는 데에 있어서 바람직하다. 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층 (예를 들어 니켈-아연 합금층) 을 형성하지 않고 크로메이트 처리층을 캐리어와 극박 구리층의 경계에 존재시킨 경우에는 박리성은 거의 향상되지 않고, 크로메이트 처리층이 없고 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층 (예를 들어 니켈-아연 합금층) 과 극박 구리층을 직접 적층한 경우에는, 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층 (예를 들어 니켈-아연 합금층) 에 있어서의 니켈량에 따라 박리 강도가 지나치게 강하거나 지나치게 약하거나 해 적절한 박리 강도는 얻어지지 않는다.The ultra-thin copper layer is not peeled from the carrier before the step of laminating to the insulating substrate while the ultra-weak copper layer is removed from the carrier after the laminating step to the insulating substrate It is preferable to obtain a property that peeling is possible. When the chromate treatment layer is present at the boundary of the carrier and the ultra-thin copper layer without forming a nickel layer or an alloy layer containing nickel (for example, a nickel-zinc alloy layer), the peelability is hardly improved and the chromate treatment layer A nickel layer or an alloy layer containing nickel (for example, a nickel-zinc alloy layer) is formed when an alloy layer (for example, a nickel-zinc alloy layer) The peel strength is excessively strong or too weak depending on the amount of nickel in the steel sheet, so that an adequate peel strength can not be obtained.

또, 크로메이트 처리층이 캐리어와 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층 (예를 들어 니켈-아연 합금층) 의 경계에 존재하면, 극박 구리층의 박리시에 중간층도 부수해 박리되어 버리므로, 즉 캐리어와 중간층 사이에서 박리가 생겨 버리므로 바람직하지 않다. 이와 같은 상황은, 캐리어와의 계면에 크로메이트 처리층을 형성한 경우뿐만 아니라, 극박 구리층과의 계면에 크로메이트 처리층을 형성하였다고 해도 크롬양이 지나치게 많으면 생길 수 있다. 이것은, 구리와 니켈은 고용하기 쉽기 때문에, 이들이 접촉하고 있으면 상호 확산에 의해 접착력이 높아져 박리되기 어려워지는 한편으로, 크롬과 구리는 고용하기 어려워, 상호 확산이 생기기 어렵기 때문에, 크롬과 구리의 계면에서는 접착력이 약하고, 박리되기 쉬운 것이 원인이라고 생각된다. 또, 중간층의 니켈량이 부족한 경우, 캐리어와 극박 구리층 사이에는 미량의 크롬밖에 존재하지 않기 때문에 양자가 밀착되어 박리되기 어려워진다.Further, when the chromate treatment layer is present at the interface between the carrier and the nickel layer or the alloy layer containing nickel (for example, the nickel-zinc alloy layer), the intermediate layer also peels off during peeling of the ultra-thin copper layer, Peeling occurs between the carrier and the intermediate layer, which is not preferable. Such a situation may occur not only when the chromate treatment layer is formed at the interface with the carrier but also when the chromate treatment layer is formed at the interface with the ultra-thin copper layer, if the amount of chromium is excessively large. This is because, since copper and nickel are easy to solidify, when they are in contact with each other, the mutual diffusion increases the adhesive strength and makes it difficult to peel off. On the other hand, since chromium and copper are hard to solidify and mutual diffusion hardly occurs, , It is considered that the adhesive force is weak and it is easy to peel off. In addition, when the amount of nickel in the intermediate layer is insufficient, only a trace amount of chromium exists between the carrier and the ultra-thin copper layer.

중간층의 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층 (예를 들어 니켈-아연 합금층) 은, 예를 들어 전기 도금, 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금, 혹은 스퍼터링, CVD 및 PDV 와 같은 건식 도금에 의해 형성할 수 있다. 비용의 관점에서 전기 도금이 바람직하다. 또한, 캐리어가 수지 필름인 경우에는, CVD 및 PDV 와 같은 건식 도금 또는 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금에 의해 중간층을 형성할 수 있다.The nickel layer of the intermediate layer or the alloy layer (for example, the nickel-zinc alloy layer) including nickel may be formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD and PDV As shown in FIG. From the viewpoint of cost, electroplating is preferable. When the carrier is a resin film, the intermediate layer can be formed by dry plating such as CVD and PDV, or wet plating such as electroless plating and immersion plating.

또, 크로메이트 처리층은, 예를 들어 전해 크로메이트나 침지 크로메이트 등으로 형성할 수 있지만, 크롬 농도를 높게 할 수 있고, 캐리어로부터의 극박 구리층의 박리 강도가 양호해지기 때문에, 전해 크로메이트로 형성하는 것이 바람직하다.The chromate treatment layer can be formed by, for example, electrolytic chromate or immersion chromate. However, since the chromium concentration can be increased and the peeling strength of the ultra-thin copper layer from the carrier is improved, .

또, 중간층에 있어서의 니켈의 부착량이 100 ∼ 40000 ㎍/dm², 크롬의 부착량이 5 ∼ 100 ㎍/dm², 아연의 부착량이 1 ∼ 70 ㎍/dm² 인 것이 바람직하다. 이와 같이 니켈, 크롬, 아연의 부착량을 제어함으로써, 본 발명의 캐리어 부착 동박은, 캐리어 부착 동박으로부터 극박 구리층을 박리한 후의 극박 구리층의 표면의 Ni 량을 제어하는 것이 가능하다. 이와 같이 박리 후의 극박 구리층 표면의 Ni 량을 제어하기 위해서는, 중간층의 Ni 부착량을 줄임과 함께, Ni 가 극박 구리층측으로 확산되는 것을 억제하는 금속종 (Cr, Zn) 을 중간층이 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 관점에서, 중간층의 Ni 함유량은 100 ∼ 40000 ㎍/dm² 인 것이 바람직하고, 200 ㎍/dm² 이상 20000 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하며, 500 ㎍/dm² 이상 10000 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하고, 700 ㎍/dm² 이상 5000 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, Cr 은 5 ∼ 100 ㎍/dm² 함유하는 것이 바람직하고, 8 ㎍/dm² 이상 50 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하며, 10 ㎍/dm² 이상 40 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하고, 12 ㎍/dm² 이상 30 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하다. Zn 은 1 ∼ 70 ㎍/dm² 함유하는 것이 바람직하고, 3 ㎍/dm² 이상 30 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하며, 5 ㎍/dm² 이상 20 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하다. 캐리어 부착 동박으로부터 극박 구리층을 박리한 후의 극박 구리층의 표면의 Ni 량이 제어되면 (예를 들어 Ni 량이 5 ∼ 300 ㎍/dm²) 극박 구리층의 에칭성 (용해 용이성이나 회로 형상 등) 이 향상되는 등의 효과가 있다. 또한, 상기 니켈 대신에 코발트를 사용하는 것도 가능하다. 그때의 코발트의 부착량은 니켈의 부착량과 동일하게 할 수 있다.In addition, it is preferred that the coating weight of the nickel in the intermediate layer 100 ~ 40000 ㎍ / dm ^2, the adhesion amount of chromium 5 ~ 100 ㎍ / dm ^2, the adhesion amount of the zinc 1 ~ 70 ㎍ / dm ^2. By controlling the adhesion amounts of nickel, chromium, and zinc in this way, it is possible to control the amount of Ni on the surface of the ultra-thin copper layer after peeling the ultra-thin copper layer from the copper foil with carrier with the carrier of the present invention. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultra-thin copper layer after peeling in this way, it is necessary that the intermediate layer includes metal species (Cr, Zn) which suppress the diffusion of Ni to the ultra-thin copper layer side desirable. In such a perspective, Ni content of the intermediate layer is 100 ~ 40000 ㎍ / dm ² which is preferably, 200 ㎍ / dm ² or more 20000 ㎍ / dm ² or less, and more preferably, 500 ㎍ / dm ² or more 10000 ㎍ / dm ² More preferably not less than 700 μg / dm ^{2 and not} more than 5,000 μg / dm ² . The Cr content is preferably 5 to 100 μg / dm ² , more preferably 8 μg / dm ² to 50 μg / dm ² , still more preferably 10 μg / dm ² to 40 μg / dm ² And more preferably not less than 12 μg / dm ^{2 and not} more than 30 μg / dm ² . The Zn content is preferably 1 to 70 μg / dm ² , more preferably 3 μg / dm ² to 30 μg / dm ² , and still more preferably 5 μg / dm ² to 20 μg / dm ² . When the Ni amount on the surface of the ultra-thin copper layer after peeling the ultra-thin copper layer from the carrier-supported copper-control (e. G. Ni 5 ~ 300 ㎍ / dm ² amount of) the ultra-thin etching of the copper layer (melting ease and the circuit-like, etc.) And the like. It is also possible to use cobalt instead of nickel. The deposition amount of cobalt at that time can be made equal to the deposition amount of nickel.

본 발명의 캐리어 부착 동박의 중간층은, 캐리어 상에 니켈층, 및 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산의 어느 것을 포함하는 유기물층의 순서로 적층되어 구성되어 있고, 중간층에 있어서의 니켈의 부착량이 100 ∼ 40000 ㎍/dm² 이어도 된다. 또, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 중간층은, 캐리어 상에 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산의 어느 것을 포함하는 유기물층, 및 니켈층의 순서로 적층되어 구성되어 있고, 중간층에 있어서의 니켈의 부착량이 100 ∼ 40000 ㎍/dm² 이어도 된다. 상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 캐리어 부착 동박은, 캐리어 부착 동박으로부터 극박 구리층을 박리한 후의 극박 구리층의 표면의 Ni 량이 제어되고 있지만, 이와 같이 박리 후의 극박 구리층 표면의 Ni 량을 제어하기 위해서는, 중간층의 Ni 부착량을 적게 함과 함께, Ni 가 극박 구리층측으로 확산되는 것을 억제하는 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산의 어느 것을 포함하는 유기물층을 중간층이 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 관점에서, 중간층의 Ni 함유량은 100 ∼ 40000 ㎍/dm² 인 것이 바람직하고, 200 ㎍/dm² 이상 20000 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하며, 300 ㎍/dm² 이상 10000 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하고, 500 ㎍/dm² 이상 5000 ㎍/dm² 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 니켈 대신에 코발트를 사용하는 것도 가능하다. 그때의 코발트의 부착량은 니켈의 부착량과 동일하게 할 수 있다. 또, 당해 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산의 어느 것을 포함하는 유기물로는, BTA (벤조트리아졸), MBT (메르캅토벤조티아졸) 등을 들 수 있다.The intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is formed by laminating a nickel layer and an organic material layer containing a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid in this order on a carrier, the coating weight may be in the 100 ~ 40000 ㎍ / dm ^2. The intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is formed by laminating an organic material layer containing a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid, and a nickel layer in this order on the carrier, the coating weight of the nickel may be 100 ~ 40000 ㎍ / dm ^2. As described above, in the copper foil with a carrier of the present invention, the amount of Ni on the surface of the ultra-thin copper layer after peeling the ultra-thin copper layer from the carrier-coated copper foil is controlled. However, It is preferable that the intermediate layer contains an organic compound layer containing any of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid that reduces the amount of Ni adhered to the intermediate layer and inhibits diffusion of Ni to the ultra- desirable. In such a perspective, Ni content of the intermediate layer is 100 ~ 40000 ㎍ / dm ² which is preferably, 200 ㎍ / dm ² or more 20000 ㎍ / dm ^2, and more preferably less than or equal to, 300 ㎍ / dm ² or more 10000 ㎍ / dm ² More preferably not less than 500 μg / dm ^{2 and not} more than 5,000 μg / dm ² . It is also possible to use cobalt instead of nickel. The deposition amount of cobalt at that time can be made equal to the deposition amount of nickel. Examples of the organic substance including any of the nitrogen-containing organic compound, the sulfur-containing organic compound and the carboxylic acid include BTA (benzotriazole) and MBT (mercaptobenzothiazole).

또, 중간층이 함유하는 유기물로는, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산 중에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산 중, 질소 함유 유기 화합물은 치환기를 갖는 질소 함유 유기 화합물을 포함하고 있다. 구체적인 질소 함유 유기 화합물로는, 치환기를 갖는 트리아졸 화합물인 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, N',N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)우레아, 1H-1,2,4-트리아졸 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸 등을 사용하는 것이 바람직하다.As the organic substance contained in the intermediate layer, it is preferable to use one or two or more selected from a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid. Among nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds and carboxylic acids, the nitrogen-containing organic compound contains a nitrogen-containing organic compound having a substituent. Examples of the specific nitrogen-containing organic compound include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N ', N'-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H-1,2 , 4-triazole, and 3-amino-1H-1,2,4-triazole.

황 함유 유기 화합물에는, 메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸나트륨, 티오시아누르산 및 2-벤즈이미다졸티올 등을 사용하는 것이 바람직하다.As the sulfur-containing organic compound, mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole sodium, thiocyanuric acid and 2-benzimidazole thiol are preferably used.

카르복실산으로는, 특히 모노카르복실산을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 올레산, 리놀산 및 리놀렌산 등을 사용하는 것이 바람직하다.As the carboxylic acid, monocarboxylic acid is preferably used, and oleic acid, linolic acid and linolenic acid are preferably used among them.

전술한 유기물은 두께로 25 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 30 ㎚ 이상 70 ㎚ 이하 함유하는 것이 보다 바람직하다. 중간층은 전술한 유기물을 복수 종류 (1 종 이상) 포함해도 된다.The above-mentioned organic materials preferably contain a thickness of 25 nm or more and 80 nm or less, more preferably 30 nm or more and 70 nm or less. The intermediate layer may contain a plurality of kinds (at least one) of the above-mentioned organic substances.

또한, 유기물의 두께는 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The thickness of the organic material can be measured in the following manner.

＜중간층의 유기물 두께＞&Lt; Thickness of organic material in intermediate layer &

캐리어 부착 동박의 극박 구리층을 캐리어로부터 박리한 후에, 노출된 극박 구리층의 중간층측의 표면과, 노출된 캐리어의 중간층측의 표면을 XPS 측정해, 뎁스 프로파일을 작성한다. 그리고, 극박 구리층의 중간층측의 표면으로부터 최초로 탄소 농도가 3 at％ 이하가 된 깊이를 A (㎚) 로 하고, 캐리어의 중간층측의 표면으로부터 최초로 탄소 농도가 3 at％ 이하가 된 깊이를 B (㎚) 로 해, A 와 B 의 합계를 중간층의 유기물의 두께 (㎚) 로 할 수 있다.After the extremely thin copper layer of the copper foil with a carrier is peeled from the carrier, the surface of the intermediate layer side of the exposed ultra-thin copper layer and the surface of the intermediate layer side of the exposed carrier are XPS measured to form a depth profile. The depth at which the carbon concentration first became 3 at% or less from the surface of the intermediate layer side of the ultra-thin copper layer was A (nm), and the depth at which the carbon concentration was 3 at% or less for the first time from the surface of the intermediate layer side of the carrier was B (Nm), and the sum of A and B can be set as the thickness (nm) of the organic material in the intermediate layer.

XPS 의 가동 조건을 이하에 나타낸다.The operating conditions of the XPS are shown below.

· 장치 : XPS 측정 장치 (알박파이사, 모델 5600MC)Device: XPS measuring device (NBP, model 5600MC)

· 도달 진공도 : 3.8 × 10^-7 Pa· Reached degree of vacuum: 3.8 × 10 ^-7 Pa

· X 선 : 단색 AlKα 또는 비(非)단색 MgKα, X 선 출력 300 W, 검출 면적 800 ㎛φ, 시료와 검출기가 이루는 각도 45°X-ray: monochromatic AlKα or non-monochromatic MgKα, X-ray output 300 W, detection area 800 μmφ, angle between sample and detector 45 °

· 이온선 : 이온종 Ar⁺, 가속 전압 3 kV, 소인 면적 3 ㎜ × 3 ㎜, 스퍼터링 레이트 2.8 ㎚/min (SiO₂ 환산)Ion line: ion species Ar ⁺ , acceleration voltage 3 kV, sweep area 3 mm 3 mm, sputtering rate 2.8 nm / min (in terms of SiO ₂ )

중간층이 함유하는 유기물의 사용 방법에 대해, 이하에 캐리어박 상에의 중간층 형성 방법에 대해서도 서술하면서 설명한다. 캐리어 상에의 중간층 형성은, 상기 서술한 유기물을 용매에 용해시키고, 그 용매 중에 캐리어를 침지시키거나, 중간층을 형성하고자 하는 면에 대한 샤워 링, 분무법, 적하법 및 전착법 등을 이용하여 실시할 수 있고, 특별히 한정된 수법을 채용할 필요성은 없다. 이때의 용매 중의 유기계제의 농도는, 상기 서술한 유기물 모두에 있어서 농도 0.01 g/ℓ ∼ 30 g/ℓ, 액온 20 ∼ 60 ℃ 의 범위가 바람직하다. 유기물의 농도는 특별히 한정되는 것은 아니고, 본래 농도가 높아도 낮아도 문제가 없는 것이다. 또한, 유기물의 농도가 높을수록, 또 상기 서술한 유기물을 용해시킨 용매에의 캐리어의 접촉 시간이 길수록, 중간층의 유기물 두께는 두꺼워지는 경향이 있다. 그리고, 중간층의 유기물 두께가 두꺼운 경우, Ni 의 극박 구리층측으로의 확산을 억제한다는, 유기물의 효과가 커지는 경향이 있다.The method of using the organic material contained in the intermediate layer will be described below while describing the method of forming the intermediate layer on the carrier foil. The formation of the intermediate layer on the carrier can be carried out by dissolving the above-mentioned organic substance in a solvent, immersing the carrier in the solvent, or performing a showering, spraying, dropping, electrodeposition, or the like on the surface on which the intermediate layer is to be formed And there is no need to adopt a particularly limited method. In this case, the concentration of the organic solvent in the solvent is preferably in the range of 0.01 g / l to 30 g / l and the liquid temperature in the range of 20 to 60 ° C in all the above-mentioned organic substances. The concentration of the organic substance is not particularly limited, and even if the concentration is high or low, there is no problem. Further, the longer the contact time of the carrier with respect to the solvent in which the organic substance is dissolved and the concentration of the organic substance is longer, the thickness of the organic substance in the intermediate layer tends to be thicker. When the thickness of the organic material in the intermediate layer is large, the effect of the organic material that suppresses the diffusion of Ni into the ultra-thin copper layer side tends to increase.

또, 중간층은, 캐리어 상에, 니켈과, 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금이 이 순서로 적층되어 구성되어 있는 것이 바람직하다. 니켈과 구리의 접착력은, 몰리브덴 또는 코발트와 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 구리층을 박리할 때에, 극박 구리층과 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 구리층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다.It is preferable that the intermediate layer is formed by stacking nickel, molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy on the carrier in this order. Since the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesion force between molybdenum or cobalt and copper, when the ultra-thin copper layer is peeled off, it is peeled from the interface between the ultra-thin copper layer and molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy. It is also expected that the nickel in the intermediate layer has a barrier effect for preventing the copper component from diffusing from the carrier into the ultra-thin copper layer.

또한, 전술한 니켈은 니켈을 포함하는 합금이어도 된다. 여기서, 니켈을 포함하는 합금이란 니켈과, 코발트, 철, 크롬, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금을 말한다. 또, 전술한 몰리브덴은 몰리브덴을 포함하는 합금이어도 된다. 여기서, 몰리브덴을 포함하는 합금이란 몰리브덴과, 코발트, 철, 크롬, 니켈, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금을 말한다. 또, 전술한 코발트는 코발트를 포함하는 합금이어도 된다. 여기서, 코발트를 포함하는 합금이란 코발트와, 몰리브덴, 철, 크롬, 니켈, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금을 말한다.Further, the nickel described above may be an alloy including nickel. The alloy containing nickel is an alloy composed of at least one element selected from the group consisting of nickel and cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium . The above-mentioned molybdenum may be an alloy containing molybdenum. The alloy containing molybdenum refers to an alloy composed of at least one element selected from the group consisting of molybdenum and cobalt, iron, chromium, nickel, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium . The above-mentioned cobalt may be an alloy containing cobalt. The alloy containing cobalt is an alloy composed of at least one element selected from the group consisting of cobalt and molybdenum, iron, chromium, nickel, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium .

몰리브덴-코발트 합금은 몰리브덴, 코발트 이외의 원소 (예를 들어 코발트, 철, 크롬, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소) 를 포함해도 된다.The molybdenum-cobalt alloy may be at least one element selected from the group consisting of molybdenum and elements other than cobalt (for example, at least one element selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, .

캐리어로서 전해 동박을 사용하는 경우에는, 핀홀을 감소시키는 관점에서 샤이니면에 중간층을 형성하는 것이 바람직하다.When an electrolytic copper foil is used as the carrier, it is preferable to form an intermediate layer on the shiny side from the viewpoint of reducing pinholes.

중간층 중 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층은 극박 구리층의 계면에 얇게 존재하는 것이, 절연 기판으로의 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리되지 않는 한편, 절연 기판에의 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리 가능하다는 특성을 얻는 데에 있어서 바람직하다. 니켈층을 형성하지 않고 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층을 캐리어와 극박 구리층의 경계에 존재시킨 경우에는, 박리성은 거의 향상되지 않는 경우가 있고, 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층이 없고 니켈층과 극박 구리층을 직접 적층한 경우에는 니켈층에 있어서의 니켈량에 따라 박리 강도가 지나치게 강하거나 지나치게 약하거나 해 적절한 박리 강도는 얻어지지 않는 경우가 있다.The molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer of the intermediate layer is thinly present at the interface of the ultra-thin copper layer, the ultra-thin copper layer does not peel off from the carrier before the step of laminating to the insulating substrate, In order to obtain characteristics that the ultra-thin copper layer can be peeled off. When the molybdenum, the cobalt or the molybdenum-cobalt alloy layer is present at the boundary between the carrier and the ultra-thin copper layer without forming the nickel layer, the peelability is hardly improved, and there is no molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer When the nickel layer and the ultra-thin copper layer are directly laminated, the peel strength is excessively strong or too weak depending on the amount of nickel in the nickel layer, so that appropriate peel strength may not be obtained.

또, 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층이 캐리어와 니켈층의 경계에 존재하면, 극박 구리층의 박리시에 중간층도 부수해 박리되어 버리는 경우가 있는데, 즉 캐리어와 중간층 사이에서 박리가 생겨 버리므로 바람직하지 않은 경우가 있다. 이와 같은 상황은, 캐리어와의 계면에 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층을 형성한 경우뿐만 아니라, 극박 구리층과의 계면에 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층을 형성하였다고 해도 몰리브덴량 또는 코발트량이 지나치게 많으면 생길 수 있다. 이것은, 구리와 니켈은 고용하기 쉽기 때문에, 이들이 접촉하고 있으면 상호 확산에 의해 접착력이 높아져 박리되기 어려워지는 한편으로, 몰리브덴 또는 코발트와 구리는 고용하기 어려워, 상호 확산이 생기기 어렵기 때문에, 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층과 구리의 계면에서는 접착력이 약해, 박리되기 쉬운 것이 원인이라고 생각된다. 또, 중간층의 니켈량이 부족한 경우, 캐리어와 극박 구리층 사이에는 미량의 몰리브덴 또는 코발트밖에 존재하지 않기 때문에 양자가 밀착해 박리되기 어려워지는 경우가 있다.If the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is present at the interface between the carrier and the nickel layer, the intermediate layer may also be peeled off during peeling of the ultra-thin copper layer. In other words, peeling may occur between the carrier and the intermediate layer It is not preferable. Such a situation is not only the case where a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is formed at the interface with the carrier, but a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is formed at the interface with the ultra-thin copper layer, If the amount is too large, it can occur. This is because molybdenum or cobalt and copper are hard to solidify and mutual diffusion is difficult to occur, while molybdenum or cobalt Or at the interface between the molybdenum-cobalt alloy layer and copper, the adhesive force is weak and it is likely to be peeled off. Further, when the amount of nickel in the intermediate layer is insufficient, only a small amount of molybdenum or cobalt exists between the carrier and the ultra-thin copper layer, so that it is difficult for both to adhere and to peel off.

중간층의 니켈 및 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금은, 예를 들어 전기 도금, 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금, 혹은 스퍼터링, CVD 및 PDV 와 같은 건식 도금에 의해 형성할 수 있다. 또, 몰리브덴은 CVD 및 PDV 와 같은 건식 도금에 의해서만 형성할 수 있다. 비용의 관점에서 전기 도금이 바람직하다.The nickel and cobalt or molybdenum-cobalt alloy of the intermediate layer can be formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or by dry plating such as sputtering, CVD and PDV. In addition, molybdenum can be formed only by dry plating such as CVD and PDV. From the viewpoint of cost, electroplating is preferable.

중간층에 있어서, 니켈의 부착량은 100 ∼ 40000 ㎍/dm² 이고, 몰리브덴의 부착량은 10 ∼ 1000 ㎍/dm² 이며, 코발트의 부착량은 10 ∼ 1000 ㎍/dm² 인 것이 바람직하다. 상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 캐리어 부착 동박은 캐리어 부착 동박으로부터 극박 구리층을 박리한 후의 극박 구리층의 표면의 Ni 량이 제어되고 있지만, 이와 같이 박리 후의 극박 구리층 표면의 Ni 량을 제어하기 위해서는, 중간층의 Ni 부착량을 적게 함과 함께, Ni 가 극박 구리층측으로 확산되는 것을 억제하는 금속종 (Co, Mo) 을 중간층이 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 관점에서, 니켈 부착량은 100 ∼ 40000 ㎍/dm² 로 하는 것이 바람직하고, 200 ∼ 20000 ㎍/dm² 로 하는 것이 바람직하고, 300 ∼ 15000 ㎍/dm² 로 하는 것이 보다 바람직하고, 300 ∼ 10000 ㎍/dm² 로 하는 것이 보다 바람직하다. 중간층에 몰리브덴이 포함되는 경우에는, 몰리브덴 부착량은 10 ∼ 1000 ㎍/dm² 로 하는 것이 바람직하고, 몰리브덴 부착량은 20 ∼ 600 ㎍/dm² 로 하는 것이 바람직하며, 30 ∼ 400 ㎍/dm² 로 하는 것이 보다 바람직하다. 중간층에 코발트가 포함되는 경우에는, 코발트 부착량은 10 ∼ 1000 ㎍/dm² 로 하는 것이 바람직하고, 코발트 부착량은 20 ∼ 600 ㎍/dm² 로 하는 것이 바람직하고, 30 ∼ 400 ㎍/dm² 로 하는 것이 보다 바람직하다.In the intermediate layer, a coating weight of nickel is 100 ~ 40000 ㎍ / dm ^2, the adhesion amount of molybdenum is 10 ~ 1000 ㎍ / dm ^2, the adhesion amount of cobalt is preferably 10 ~ 1000 ㎍ / dm ^2. As described above, in the copper foil with a carrier of the present invention, the amount of Ni on the surface of the ultra-thin copper layer after the ultra-thin copper layer is peeled off from the copper foil with carrier is controlled. However, It is preferable that the intermediate layer contains metal species (Co and Mo) that reduce the amount of Ni adhered to the intermediate layer and inhibit diffusion of Ni to the ultra-thin copper layer side. In such a perspective, the nickel coating weight is 100 ~ 40000 ㎍ / dm ² preferably to, and preferably in the 200 ~ 20000 ㎍ / dm ^2, more preferably that 300 to 15000 ㎍ / dm ^2, and 300 to it is more preferable that a 10000 ㎍ / dm ^2. When included molybdenum in the intermediate layer, a molybdenum coating weight is 10 to 1,000 preferably a ㎍ / dm ^2, and the molybdenum coating weight is 20 ~ 600 ㎍ / dm and ² preferably to 30 to which a 400 ㎍ / dm ² Is more preferable. In the case that contains the cobalt in the intermediate layer, the cobalt coating weight is 10 ~ 1000 ㎍ / dm is preferably set to ^2, cobalt coating weight is 20 ~ 600 ㎍ / dm is preferably set to ^2, 30 to which 400 ㎍ / dm ² Is more preferable.

또한, 상기 서술한 바와 같이 중간층은, 캐리어 상에, 니켈과, 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금이 이 순서로 적층된 경우에는, 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층을 형성하기 위한 도금 처리에서의 전류 밀도를 낮게 하고, 캐리어의 반송 속도를 느리게 하면 몰리브덴 또는 코발트 또는 몰리브덴-코발트 합금층의 밀도가 높아지는 경향이 있다. 몰리브덴 및/또는 코발트를 포함하는 층의 밀도가 높아지면, 니켈층의 니켈이 확산되기 어려워져, 박리 후의 극박 구리층 표면의 Ni 량을 제어할 수 있다.As described above, in the case where nickel, molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy is laminated in this order on the carrier, the intermediate layer is formed by a plating treatment for forming a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer The carrier density of the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer tends to increase. When the density of the layer containing molybdenum and / or cobalt is increased, nickel in the nickel layer is less likely to diffuse, and the amount of Ni on the surface of the ultra-thin copper layer after peeling can be controlled.

중간층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 중간층을 크로메이트 처리나 아연 크로메이트 처리나 도금 처리로 형성한 경우에는, 크롬이나 아연 등, 부착한 금속의 일부는 수화물이나 산화물로 되어 있는 경우가 있다고 생각된다.When the intermediate layer is formed only on one side, it is preferable to form a rust prevention layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is formed by chromate treatment, zinc chromate treatment or plating treatment, it is considered that a part of the adhered metal such as chromium or zinc may be a hydrate or an oxide.

본 발명의 캐리어 부착 동박은, 일측면에 있어서 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 이하가 되도록 제어되고 있다. 캐리어 부착 동박을 가열하면, 캐리어/극박 구리층 사이에서 발생하는 수증기 등의 기체에 의해 기포 (팽창) 가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 팽창이 발생하면, 회로 형성에 사용하는 극박 구리층이 함몰되어, 회로 형성성에 악영향을 미친다는 문제가 생긴다. 이에 대해, 상기 서술한 바와 같이 소정의 열처리 후의 수분의 발생이 억제된 캐리어 부착 동박으로 함으로써, 팽창의 발생을 양호하게 억제할 수 있어, 극박 구리층의 회로 형성성이 양호해진다. 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 을 초과하면, 캐리어/극박 구리층 사이의 팽창의 개수가 30 개/dm² 이상이 되고, 극박 구리층을 에칭해, L/S = 30 ㎛/30 ㎛ 보다 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 25 ㎛/25 ㎛ 의 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 20 ㎛/20 ㎛ 의 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 15 ㎛/15 ㎛ 의 미세한 배선을 형성하는 것이 곤란해진다.The copper foil with a carrier of the present invention is controlled such that the amount of water generated when heated to 500 deg. C at 30 deg. C / min on one side is 160 ppm / g or less. When the carrier-coated copper foil is heated, bubbles (swelling) may occur due to gas such as water vapor generated between the carrier / ultra-thin copper layer. Such expansion causes a problem that the extremely thin copper layer used for circuit formation sinks and adversely affects circuit formability. On the other hand, as described above, when the copper foil with a carrier suppressed from generating moisture after a predetermined heat treatment, the occurrence of expansion can be suppressed well, and the circuit formability of the ultra-thin copper layer is improved. The amount of water which occurs when heating a carrier copper foil with 30 ℃ / min to 500 ℃ and the carrier / very thin is expanded number of between the copper layer 30 / dm ² or more when it exceeds 160 ppm / g, the ultra-thin copper layer For example, a fine wiring of L / S = 20 mu m / 20 mu m, for example, a fine wiring of L / S = 25 mu m / It is difficult to form fine wiring of L / S = 15 mu m / 15 mu m.

본 발명의 캐리어 부착 동박은, 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 0 ∼ 130 ppm/g 이 되도록 제어되고 있는 것이 바람직하고, 0 ∼ 110 ppm/g 이 되도록 제어되고 있는 것이 보다 바람직하며, 0 ∼ 90 ppm/g 이 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하고, 0 ∼ 70 ppm/g 이 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하다.The copper foil with a carrier of the present invention is preferably controlled to have a water content of 0 to 130 ppm / g when heated to 500 캜 at 30 캜 / min, and is controlled to be 0 to 110 ppm / g More preferably 0 to 90 ppm / g, and still more preferably 0 to 70 ppm / g.

본 발명의 캐리어 부착 동박은, 다른 일측면에 있어서, 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 이하가 되도록 제어되고 있다. 캐리어 부착 동박을 가열하면, 캐리어/극박 구리층 사이에서 발생하는 수증기 등의 기체에 의해 기포 (팽창) 가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 팽창이 발생하면, 회로 형성에 사용하는 극박 구리층이 함몰되어, 회로 형성성에 악영향을 미친다는 문제가 생긴다. 이것에 대해, 본 발명의 캐리어 부착 동박은 팽창의 발생이 양호하게 억제되어 있어, 극박 구리층의 회로 형성성이 양호해진다. 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 를 초과하면, 극박 구리층을 에칭해, L/S = 30 ㎛/30 ㎛ 보다 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 25 ㎛/25 ㎛ 의 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 20 ㎛/20 ㎛ 의 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 15 ㎛/15 ㎛ 의 미세한 배선을 형성하는 것이 곤란해진다. 또한, 상기 「220 ℃ 에서 4 시간 가열」은, 캐리어 부착 동박을 절연 기판에 첩합해 열압착하는 경우의 전형적인 가열 조건을 나타내고 있다.Carrier-supported copper foil of the present invention is, in another aspect, a carrier-attached copper foil expansion that occurs when heated at 220 ℃ 4 time is controlled to be 20 / dm ² or less. When the carrier-coated copper foil is heated, bubbles (swelling) may occur due to gas such as water vapor generated between the carrier / ultra-thin copper layer. Such expansion causes a problem that the extremely thin copper layer used for circuit formation sinks and adversely affects circuit formability. On the other hand, in the copper foil with a carrier of the present invention, occurrence of expansion is suppressed well, and the circuit formability of the ultra-thin copper layer is improved. If the expansion caused when the copper foil with a carrier is heated at 220 캜 for 4 hours is more than 20 pieces / dm ² , the extremely thin copper layer is etched to form a fine wiring of L / S = 30 탆 / 30 탆, It becomes difficult to form minute wirings of S = 25 mu m / 25 mu m, for example, fine wirings of L / S = 20 mu m / 20 mu m, for example, fine wirings of L / S = 15 mu m / 15 mu m. The above &quot; heating at 220 占 폚 for 4 hours &quot; shows typical heating conditions in the case where the copper foil with a carrier is applied to an insulating substrate and thermocompression is performed.

본 발명의 캐리어 부착 동박은, 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 15 개/dm² 이하가 되도록 제어되고 있는 것이 바람직하고, 0 ∼ 12 개/dm² 가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 바람직하며, 0 ∼ 9 개/dm² 가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하고, 0 ∼ 5 개/dm² 가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하다.It is preferable that the copper foil with a carrier of the present invention is controlled such that the expansion caused when it is heated at 220 캜 for 4 hours is 0 to 15 / dm ² or less, and is controlled to be 0 to 12 / dm ² More preferably, it is more preferably controlled to be from 0 to 9 / dm ² , and more preferably from 0 to 5 / dm ² .

또, 본 발명의 캐리어 부착 동박은, 더 엄격한 가열 조건인 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하고, 0 ∼ 50 개/dm² 가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 바람직하고, 0 ∼ 40 개/dm² 가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하고, 0 ∼ 30 개/dm² 가 되도록 제어되고 있는 것이 보다 더 바람직하다.It is more preferable that the carrier-coated copper foil of the present invention is controlled so that the expansion occurring when heated at 400 캜 for 10 minutes under the more severe heating condition is 0 to 60 pieces / dm ² or less, more preferably 0 to 50 pieces / dm ² , more preferably from 0 to 40 dm ² , and still more preferably from 0 to 30 dm ² .

상기 서술한 바와 같은 가열시의 수분 발생량이 제어된, 혹은 팽창의 개수가 제어된 캐리어 부착 동박을 제작하기 위해서는, 이하에 나타내는 제조시의 제어가 중요해진다.In the production of the copper foil with a carrier in which the amount of water generated during heating is controlled or the number of expansion is controlled as described above, control at the time of production as described below becomes important.

〔중간층 형성을 위한 도금 조건〕[Plating Conditions for Intermediate Layer Formation]

이하의 도금 조건에 기초하여 중간층의 형성을 실시함으로써, 상기 서술한 바와 같은 가열시의 수분 발생량이 제어된, 혹은 팽창의 개수가 제어된 캐리어 부착 동박을 제작할 수 있다.By carrying out the formation of the intermediate layer on the basis of the following plating conditions, it is possible to produce the copper foil with a carrier in which the amount of moisture generated during heating as described above is controlled or the number of expansion is controlled.

(1) 전처리(1) Pretreatment

전처리로서 탈지 및 산세를 실시함으로써, 후속하는 도금 처리를 효과적으로 실시할 수 있다.By performing degreasing and pickling as a pretreatment, subsequent plating treatment can be effectively carried out.

(탈지)(Degreasing)

탈지를 함으로써, 피도금면이 청정되어, 표면 젖음성이 향상되므로 후속하는 산세를 효과적으로 실시할 수 있다.By degreasing, the surface to be plated is cleaned and surface wettability is improved, so that subsequent pickling can be effectively performed.

· 기본 처리 : 수산화나트륨 수용액 (1 ∼ 100 g/ℓ) 에 캐리어를 침지한다.· Basic treatment: Immerse the carrier in an aqueous solution of sodium hydroxide (1-100 g / ℓ).

· 계면활성제 : 수산화나트륨 수용액에는, 계면활성제를 적당량 넣으면 표면 장력이 낮아져, 보다 효과적이고 바람직하다.Surfactant: When an appropriate amount of a surfactant is added to the aqueous solution of sodium hydroxide, the surface tension is lowered, which is more effective and preferable.

· 전해 탈지 : 이하의 어느 전해를 병용하면 보다 효과적으로 탈지를 실시할 수 있다.· Electrolytic degreasing: The degreasing can be performed more effectively if any of the following electrolysis is used in combination.

(a) 음극 탈지만 (10 A/dm² 정도)(a) Cathode degreasing only (about 10 A / dm ² )

(b) 양극 탈지만 (5 A/dm² 정도)(b) Anode degreasing only (about 5 A / dm ² )

(c) 음극 탈지 → 양극 탈지(c) Negative electrode degreasing → Anode degreasing

(d) 음극 탈지 → 양극 탈지 → 음극 탈지(d) Negative electrode degreasing → Anode degreasing → Negative electrode degreasing

(산세)(Pickles)

상기 서술한 탈지 후, 산세를 함으로써, 캐리어가 동박인 경우에는 표면의 산화구리 등을 제거할 수 있고, 활성 구리 표면을 노출시킬 수 있다. 이 때문에, 후속하는 니켈 도금을 효과적으로 실시할 수 있다.When the carrier is a copper foil, the copper oxide or the like on the surface can be removed and the surface of the active copper can be exposed by pickling after the degreasing described above. Therefore, subsequent nickel plating can be effectively carried out.

· 기본 처리 : 황산 (50 ㎖/ℓ) 에 캐리어를 침지한다.Basic treatment: Immerse the carrier in sulfuric acid (50 ml / l).

· 산화제 : 황산에 과황산염, 과산화수소 등의 산화제를 함유시키는 것이 바람직하다. 산화제를 함유시킴으로써, 캐리어 표면을 약간 깎아 활성 표면을 노출시킬 수 있다.· Oxidizing agent: It is preferable to contain an oxidizing agent such as persulfate and hydrogen peroxide in sulfuric acid. By containing an oxidizing agent, the carrier surface can be slightly scratched to expose the active surface.

(2) 니켈 도금 또는 코발트 도금(2) Nickel plated or cobalt plated

전처리 후, 계속해서 니켈 도금 또는 코발트 도금을 실시한다. 이때, 치밀하고 균일하며, 또한 결함이 없는 도금으로 마무리하는 것이 중요하다. 니켈 도금 또는 코발트 도금으로는, 이하의 조건으로 실시한다.After the pretreatment, nickel plating or cobalt plating is subsequently carried out. At this time, it is important to finish with dense, uniform, and defect-free plating. Nickel plating or cobalt plating is carried out under the following conditions.

· 도금액· Plating solution

니켈 또는 코발트 : 20 ∼ 200 g/ℓNickel or cobalt: 20 to 200 g / l

붕산 : 5 ∼ 60 g/ℓ Boric acid: 5 to 60 g / l

액온 : 40 ∼ 65 ℃Solution temperature: 40 ~ 65 ℃

pH : 1.5 ∼ 5.0, 바람직하게는 2.0 ∼ 3.0. pH 는 낮게 하여 단계적으로 도금 처리함으로써, 수소 가스가 발생해 음극 표면이 환원 분위기가 된다. 이 때문에, 산화물, 수산화물, 수화물 등의 수분 발생의 원인 요소의 발생을 억제할 수 있다.pH: 1.5 to 5.0, preferably 2.0 to 3.0. Hydrogen gas is generated by the stepwise plating with the pH being lowered, and the surface of the cathode becomes a reducing atmosphere. Therefore, generation of elements such as oxides, hydroxides, hydrates and the like can be suppressed.

전류 밀도 : 0.5 ∼ 20 A/dm², 바람직하게는 2 ∼ 8 A/dm². 저전류 밀도로 처리하는 편이, 탄도금이 되기 어렵고, 결함이 적고 치밀한 도금이 되기 때문에 바람직하다.Current density: 0.5 to 20 A / dm ² , preferably 2 to 8 A / dm ² . Treatment with a low current density is preferable because it is less likely to form a grain boundary, less defects and dense plating.

· 교반 (액순환량)· Stirring (liquid circulation amount)

100 ∼ 1000 ℓ/분. 액순환량이 많은 편이, 발생하는 수소 가스의 가스 분리가 양호해져, 핀홀 등의 결함이 적어진다. 또, 확산층 두께를 작게 하는 효과가 있어, 수산화물 등의 수분 발생의 원인 요소 발생을 억제할 수 있다.100 to 1000 L / min. When the liquid circulation amount is large, the gas separation of the generated hydrogen gas becomes good, and defects such as pinholes are reduced. In addition, the effect of reducing the thickness of the diffusion layer can be suppressed, and generation of a causative element of moisture generation, such as hydroxide, can be suppressed.

· 반송 속도· Feeding speed

2 ∼ 30 m/분, 바람직하게는 5 ∼ 10 m/분. 반송 속도가 느린 편이, 평활하고 치밀한 Ni 층이 형성된다.2 to 30 m / min, preferably 5 to 10 m / min. A smooth and dense Ni layer is formed at a lower conveying speed.

· 첨가제· additive

첨가제에 이하의 1 차 광택제 및 2 차 광택제를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, 결정이 평활하고 치밀해진다. 이 때문에, 도금에 발생하는 결함이 감소해, 수분의 혼입이 감소한다.It is preferable to use the following primary brighteners and secondary brighteners as additives. As a result, the crystal becomes smooth and dense. For this reason, defects occurring in plating are reduced, and mixing of water is reduced.

(1 차 광택제)(Primary polish)

1-5나프탈렌·디술폰산나트륨 : 2 ∼ 10 g/ℓ, 1-3-6나프탈렌·트리술폰산나트륨 : 10 ∼ 30 g/ℓ, 파라톨루엔술폰·아미드 : 0.5 ∼ 4 g/ℓ, 사카린나트륨 : 0.5 ∼ 5 g/ℓ의 어느 1 종.Sodium naphthalene disulfonate: 2 to 10 g / l, 1-3-6 sodium naphthalene trisulfonate: 10 to 30 g / l, paratoluenesulfonamide: 0.5 to 4 g / l, saccharin sodium: Any one of 0.5 to 5 g / l.

(2 차 광택제)(Secondary polish)

포르말린 : 0.5 ∼ 5 g/ℓ, 젤라틴 : 0.005 ∼ 0.5 g/ℓ, 티오우레아 : 0.05 ∼ 1.0 g/ℓ, 프로파르길알코올 : 0.01 ∼ 0.3 g/ℓ, 1-4부틴디올 : 0.05 ∼ 0.5 g/ℓ, 에틸렌시안하이드린 : 0.05 ∼ 0.5 g/ℓ의 어느 1 종. Propanedial alcohol: 0.01-0.3 g / l, 1-4-butynediol: 0.05-0.5 g / liter, and the like. / l, and ethylene cyanide: 0.05 to 0.5 g / l.

니켈 도금 등의 금속 도금 후, 계속해서 이하의 조건으로 (3) 크로메이트 처리를 실시하거나 또는, 이하의 조건으로 (4) 유기물에 의한 처리를 실시한다.After metal plating such as nickel plating, (3) the chromate treatment is performed under the following conditions, or (4) the treatment with an organic substance is performed under the following conditions.

(3) 크로메이트 처리(3) Chromate treatment

· 처리액· Treatment liquid

크롬 : 0.5 ∼ 6.0 g/ℓ Chrome: 0.5 to 6.0 g / l

아연 : 0.1 ∼ 2.0 g/ℓ Zinc: 0.1 to 2.0 g / l

pH : 2.5 ∼ 5.0 pH: 2.5-5.0

액온 : 25 ∼ 60 ℃ Solution temperature: 25 ~ 60 ℃

전류 밀도 : 0.1 ∼ 4 A/dm² Current density: 0.1 to 4 A / dm ²

또, 크로메이트 처리의 처리액에는 기타 원소가 포함되어도 된다.The chromate treatment liquid may contain other elements.

(4) 유기물에 의한 처리(4) Treatment with organic matter

· 처리액· Treatment liquid

유기물 : 0.1 ∼ 20 g/ℓ  Organic matter: 0.1 to 20 g / ℓ

pH : 2 ∼ 5  pH: 2 to 5

액온 : 20 ∼ 40 ℃ Solution temperature: 20 ~ 40 ℃

침지 시간 : 5 ∼ 30 초  Immersion time: 5 to 30 seconds

유기물은 상기 서술한 유기물, 예를 들어 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산의 어느 것을 포함하는 유기물이 바람직하다.The organic substance is preferably an organic substance including any of the above-described organic substances, for example, a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid.

〔중간층 형성 후, 극박 구리층 형성까지에서 실시하는 처리〕[Treatment to be performed after the formation of the intermediate layer to the formation of the ultra-thin copper layer]

중간층 형성 후, 극박 구리층 형성까지에서, 추가로 이하의 가열 처리 및/또는 환원 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이와 같은 처리를 실시함으로써, 상기 서술한 바와 같은 가열시의 수분 발생량이 제어된 캐리어 부착 동박을 제작할 수 있다.It is preferable to further carry out the following heat treatment and / or reduction treatment from the formation of the intermediate layer to the formation of the ultra-thin copper layer. By carrying out such a treatment, it is possible to manufacture a copper foil with a carrier whose moisture generation amount at the time of heating is controlled as described above.

(5) 가열 처리(5) Heat treatment

크로메이트 처리 또는 유기물에 의한 처리 후, 구리 도금 전에 이하의 조건으로 가열 처리를 실시함으로써 수분을 제거한다.After the chromate treatment or the treatment with the organic matter, the water is removed by performing the heat treatment under the following conditions before the copper plating.

· 예를 들어, 인라인 처리로 100 ∼ 200 ℃, 바람직하지는 180 ℃ 정도에서 1 분간의 가열. 또한, IR 히터를 사용한 가열도 병용하면 보다 효과적이다. 또, 수소 가스를 통과시키면서 가열하면 환원 효과도 있어, 더욱 효과적이다.· For example, inline heating at 100 to 200 ° C, preferably 180 ° C for 1 minute. Further, heating in combination with an IR heater is more effective. In addition, when heated while passing hydrogen gas, it is also effective for reduction.

(6) 환원 처리(6) Reduction treatment

이하의 조건으로 환원제를 이용하여 후처리함으로써 O (산소) 를 줄일 수 있다.O (oxygen) can be reduced by post treatment using a reducing agent under the following conditions.

· 예를 들어, 환원제인 포름산 (0.1 ∼ 100 g/ℓ) 을 사용하여 침지 처리를 실시한다.For example, immersion treatment is performed using formic acid (0.1 to 100 g / l) as a reducing agent.

＜극박 구리층＞<Ultra-thin copper layer>

중간층 상에는 극박 구리층을 형성한다. 중간층과 극박 구리층 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 극박 구리층은, 황산구리, 피롤린산구리, 술파민산구리, 시안화구리 등의 전해욕을 이용한 전기 도금에 의해 형성할 수 있고, 고전류 밀도로의 구리층 형성이 가능한 점에서 황산구리욕이 바람직하다. 극박 구리층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 1 ∼ 5 ㎛ 이고, 보다 더 전형적으로는 1.5 ∼ 5 ㎛ 이고, 보다 더 전형적으로는 2 ∼ 5 ㎛ 이다. 또한, 극박 구리층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다.And an ultra-thin copper layer is formed on the intermediate layer. Another layer may be formed between the intermediate layer and the ultra-thin copper layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamide or copper cyanide, and a copper sulfate bath is preferable in that a copper layer can be formed at a high current density. The thickness of the ultra-thin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 占 퐉 or less. Typically from 0.5 to 12 占 퐉, more typically from 1 to 5 占 퐉, more typically from 1.5 to 5 占 퐉, and even more typically from 2 to 5 占 퐉. The ultra-thin copper layer may be formed on both sides of the carrier.

본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용하여 적층체 (구리 피복 적층체 등) 를 제작할 수 있다. 당해 적층체로는, 예를 들어 「극박 구리층/중간층/캐리어/수지 또는 프리프레그」의 순서로 적층된 구성이어도 되고, 「캐리어/중간층/극박 구리층/수지 또는 프리프레그」의 순서로 적층된 구성이어도 되고, 「극박 구리층/중간층/캐리어/수지 또는 프리프레그/캐리어/중간층/극박 구리층」의 순서로 적층된 구성이어도 되고, 「캐리어/중간층/극박 구리층/수지 또는 프리프레그/극박 구리층/중간층/캐리어」의 순서로 적층된 구성이어도 된다. 상기 수지 또는 프리프레그는 후술하는 수지층이어도 되고, 후술하는 수지층에 사용하는 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또한, 캐리어 부착 동박은 평면으로 봤을 때에 수지 또는 프리프레그보다 작아도 된다.A laminate (a copper clad laminate or the like) can be produced using the copper foil with a carrier of the present invention. The laminate may be laminated in the order of, for example, &quot; ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg &quot;, or may be laminated in the order of &quot; carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer / resin or prepreg &quot; Carrier / interlayer / ultra-thin copper layer / resin or prepreg / ultra-thin copper layer &quot; may be laminated in the order of &quot; ultra-thin copper layer / interlayer / carrier / resin or prepreg / Copper layer / intermediate layer / carrier &quot;. The resin or prepreg may be a resin layer described later, and may include a resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, and a skeleton used for a resin layer to be described later. Further, the copper foil with a carrier may be smaller than the resin or prepreg when viewed in plan.

＜조화 처리 및 그 이외의 표면 처리＞&Lt; Hardening treatment and other surface treatment &gt;

극박 구리층의 표면 또는 캐리어의 표면의 어느 일방 또는 양방에는, 예를 들어 절연 기판과의 밀착성을 양호하게 하는 것 등을 위해서 조화 처리를 실시함으로써 조화 처리층을 형성해도 된다. 조화 처리는, 예를 들어 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성함으로써 실시할 수 있다. 조화 처리는 미세한 것이어도 된다. 조화 처리층은, 구리, 니켈, 코발트, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 단체 또는 어느 1 종 이상을 포함하는 합금으로 이루어지는 층 등이어도 된다. 또, 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성한 후, 추가로 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 2 차 입자나 3 차 입자를 형성하는 조화 처리를 실시할 수도 있다. 그 후에, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 및/또는 방청층을 형성해도 되고, 또한 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또는 조화 처리를 실시하지 않고, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 및/또는 방청층을 형성하고, 또한 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 즉, 조화 처리층의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 되고, 극박 구리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다. 또한, 상기 서술한 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층은 각각 복수의 층으로 형성되어도 된다 (예를 들어 2 층 이상, 3 층 이상 등).The roughened treatment layer may be formed on one or both of the surface of the ultra-thin copper layer or the surface of the carrier by, for example, performing a roughening treatment so as to improve adhesion to the insulating substrate. The roughening treatment can be carried out, for example, by forming coarse particles with copper or a copper alloy. The harmonic treatment may be fine. The roughening treatment layer may be a layer made of an alloy containing any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc. It is also possible to carry out a harmonizing treatment for forming secondary particles or tertiary particles with nickel, cobalt, copper, zinc alone, or an alloy of nickel, cobalt, zinc, or the like after the roughening particles are formed of copper or a copper alloy. Thereafter, the heat resistant layer and / or the rust preventive layer may be formed of a single body of nickel, cobalt, copper, zinc, or an alloy, or the surface thereof may be subjected to a treatment such as a chromate treatment or a silane coupling treatment. A heat resistant layer and / or a rust preventive layer may be formed of a single body of nickel, cobalt, copper, zinc, or an alloy without roughening treatment, and the surface thereof may be subjected to a treatment such as a chromate treatment or a silane coupling treatment . That is, at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust-preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughened treatment layer, and a heat resistant layer, A chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed. The heat resistant layer, rust preventive layer, chromate treatment layer and silane coupling treatment layer described above may be formed of a plurality of layers (for example, two or more layers, three or more layers, etc.).

여기서 크로메이트 처리층이란 무수 크롬산, 크롬산, 이크롬산, 크롬산염 또는 이크롬산염을 포함하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소 (금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태여도 된다) 를 포함해도 된다. 크로메이트 처리층의 구체예로는, 무수 크롬산 또는 이크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층이나, 무수 크롬산 또는 이크롬산칼륨 및 아연을 포함하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다.Here, the chromate treatment layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromic acid or anchromate. The chromate treatment layer contains elements (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, and the like) such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium You can. Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with an aqueous solution of chromic anhydride or potassium dichromate, and a chromate treatment layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc.

내열층, 방청층으로는 공지된 내열층, 방청층을 이용할 수 있다. 예를 들어, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 포함하는 층이어도 되고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 포함하는 산화물, 질화물, 규화물을 포함해도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 포함하는 층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층은, 불가피 불순물을 제외하고, 니켈을 50 wt％ ∼ 99 wt％, 아연을 50 wt％ ∼ 1 wt％ 함유하는 것이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5 ∼ 1000 ㎎/㎡, 바람직하게는 10 ∼ 500 ㎎/㎡, 바람직하게는 20 ∼ 100 ㎎/㎡ 이어도 된다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 포함하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비 (= 니켈의 부착량/아연의 부착량) 가 1.5 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 포함하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5 ㎎/㎡ ∼ 500 ㎎/㎡ 인 것이 바람직하고, 1 ㎎/㎡ ∼ 50 ㎎/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 내열층 및/또는 방청층이 니켈-아연 합금을 포함하는 층인 경우, 동박과 수지 기판의 밀착성이 향상된다.As the heat-resistant layer and the rust-preventive layer, well-known heat-resistant layer and rust-preventive layer can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer may be formed of a material selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, Or a layer containing at least one element selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, May be a metal layer or an alloy layer composed of at least one kind of element selected from the group consisting of The heat resistant layer and / or the rust preventive layer may be selected from the group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, Nitride, or silicide containing at least one element selected from the group consisting of oxides, nitrides, and silicides. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% of nickel and 50 wt% to 1 wt% of zinc, other than inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2, preferably 10 to 500 mg / m 2, and preferably 20 to 100 mg / m 2. It is also preferable that the ratio of the adhesion amount of nickel to the adhesion amount of nickel (= adhesion amount of nickel / adhesion amount of zinc) of the nickel-zinc alloy layer or the nickel-zinc alloy layer is 1.5 to 10. The adhesion amount of nickel in the nickel-zinc alloy layer or the nickel-zinc alloy layer is preferably 0.5 mg / m 2 to 500 mg / m 2, more preferably 1 mg / m 2 to 50 mg / m 2 Do. When the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, adhesion between the copper foil and the resin substrate is improved.

예를 들어 내열층 및/또는 방청층은, 부착량이 1 ㎎/㎡ ∼ 100 ㎎/㎡, 바람직하게는 5 ㎎/㎡ ∼ 50 ㎎/㎡ 인 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 ㎎/㎡ ∼ 80 ㎎/㎡, 바람직하게는 5 ㎎/㎡ ∼ 40 ㎎/㎡ 인 주석층을 순차 적층한 것이어도 되고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트의 어느 1 종에 의해 구성되어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은, 니켈 또는 니켈 합금과 주석의 합계 부착량이 2 ㎎/㎡ ∼ 150 ㎎/㎡ 인 것이 바람직하고, 10 ㎎/㎡ ∼ 70 ㎎/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 내열층 및/또는 방청층은, [니켈 또는 니켈 합금 중의 니켈 부착량]/[주석 부착량] = 0.25 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 0.33 ∼ 3 인 것이 보다 바람직하다. 당해 내열층 및/또는 방청층을 사용하면 캐리어 부착 동박을 프린트 배선판에 가공한 이후의 회로의 박리 강도, 당해 박리 강도의 내약품성 열화율 등이 양호해진다.For example, the heat resistant layer and / or the rust preventive layer may be formed of a nickel or nickel alloy layer having an adhesion amount of 1 mg / m2 to 100 mg / m2, preferably 5 mg / m2 to 50 mg / m2, M 2 to 40 mg / m 2, and the nickel alloy layer may be formed of any one of nickel-molybdenum, nickel-zinc and nickel-molybdenum-cobalt. It may be composed of species. The total thickness of the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is preferably 2 mg / m2 to 150 mg / m2, more preferably 10 mg / m2 to 70 mg / m2, of nickel or a nickel alloy and tin. It is preferable that the heat resistant layer and / or the rust preventive layer has a nickel adhesion amount of [nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, more preferably 0.33 to 3. [ When the heat resistant layer and / or the rust preventive layer is used, the peel strength of the circuit after the copper foil with a carrier is processed on the printed wiring board, the deterioration resistance of the chemical strength of the peel strength, and the like are improved.

또한, 실란 커플링 처리층을 형성하기 위해 사용되는 실란 커플링제에는 공지된 실란 커플링제를 사용하면 되고, 예를 들어 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제, 메르캅토계 실란 커플링제를 사용하면 된다. 또, 실란 커플링제에는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등을 사용해도 된다.A known silane coupling agent may be used for the silane coupling agent used for forming the silane coupling treatment layer. For example, an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, or a mercapto silane coupling agent may be used . Examples of the silane coupling agent include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxy Aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) butoxy) propyl-3-aminopropyl Trimethoxysilane, imidazole silane, triazinilane, gamma-mercaptopropyltrimethoxysilane, or the like may be used.

상기 실란 커플링 처리층은, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴옥시계 실란, 메르캅토계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용하여 형성해도 된다. 또한, 이와 같은 실란 커플링제는 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 이용하여 형성한 것이 바람직하다.The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as an epoxy silane, an amino silane, a methacryloxy silane, or a mercapto silane. Two or more such silane coupling agents may be used in combination. Among them, it is preferable to use an amino-based silane coupling agent or an epoxy-based silane coupling agent.

여기서 말하는 아미노계 실란 커플링제란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리스(2-에틸헥속시)실란, 6-(아미노헥실아미노프로필)트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 3-(1-아미노프로폭시)-3,3-디메틸-1-프로페닐트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리스(메톡시에톡시에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, ω-아미노운데실트리메톡시실란, 3-(2-N-벤질아미노에틸아미노프로필)트리메톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, (N,N-디에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, (N,N-디메틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이어도 된다.Examples of the amino-based silane coupling agent include N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxy Silane, N- (3-acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- Aminopropyl) trimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) , Aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3-dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3- (Methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, omega -aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2-N- benzylaminoethylamino Propyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl- Aminopropyl) trimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) butoxy) propyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N- Methoxysilane, and methoxysilane.

실란 커플링 처리층은, 규소 원자 환산으로 0.05 ㎎/㎡ ∼ 200 ㎎/㎡, 바람직하게는 0.15 ㎎/㎡ ∼ 20 ㎎/㎡, 바람직하게는 0.3 ㎎/㎡ ∼ 2.0 ㎎/㎡ 의 범위에서 형성되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 범위의 경우, 기재와 표면 처리 동박의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The silane coupling treatment layer is formed in a range of 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2, preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2, preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg / . In the case of the above-mentioned range, the adhesion between the substrate and the surface-treated copper foil can be further improved.

또, 극박 구리층, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층 또는 크로메이트 처리층의 표면에, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 일본 특허 제4828427호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 일본 특허 제5046927호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 일본 특허 제5180815호, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재된 표면 처리를 실시할 수 있다.In addition, the surface of the ultra-thin copper layer, the roughened layer, the heat resistant layer, the rust-preventive layer, the silane coupling treatment layer or the chromate treatment layer is coated with an antireflective coating composition described in International Publication Nos. WO2008 / 053878, JP-A-2008-111169, , International Publication No. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, International Publication Nos. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, International Publication Nos. WO2007 / 105635, Japanese Patent No. 5180815, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-19056 Surface treatment can be carried out.

또, 본 발명의 캐리어 부착 동박은 상기 극박 구리층 상, 혹은 상기 조화 처리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 크로메이트 처리층, 혹은 실란 커플링 처리층 상에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다.The carrier-coated copper foil of the present invention may be provided with a resin layer on the extremely thin copper layer, on the roughened layer, or on the heat-resistant layer, rust-preventive layer, chromate treatment layer or silane coupling treatment layer. The resin layer may be an insulating resin layer.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.The resin layer may be an adhesive or an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. The semi-cured state (B-stage state) includes a state in which the insulating resin layer can be stacked and stored without being tacky even when the surface is touched with a finger, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 포함해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 된다. 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르술폰, 폴리에테르술폰 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 다가 카르복실산의 무수물 등을 포함하는 수지를 바람직한 것으로서 들 수 있다.The resin layer may include a thermosetting resin or a thermoplastic resin. The resin layer may contain a thermoplastic resin. The kind thereof is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyether sulfone, polyether sulfone resin, aromatic polyamide Butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, cyanate ester resin, epoxy resin, polyimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group modified acrylonitrile- Anhydrides of polycarboxylic acids, and the like.

상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체 (무기 화합물 및/또는 유기 화합물을 포함하는 유전체, 금속 산화물을 포함하는 유전체 등 어떠한 유전체를 사용해도 된다), 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개 번호 WO2008/004399호, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 일본 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 일본 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 일본 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 일본 특허 제3992225, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 일본 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 일본 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 일본 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 일본 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 일본 특허 제3949676호, 일본 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 일본 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 일본 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 일본 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 이용하여 형성해도 된다.The resin layer may be formed of any of known resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics (dielectrics including inorganic compounds and / or organic compounds, dielectrics including metal oxides), reaction catalysts, A polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like. In addition, the resin layer may be formed, for example, in International Publication Nos. WO2008 / 004399, WO2008 / 053878, WO2009 / 084533, JP- , Japanese Patent No. 3184485, International Publication No. WO97 / 02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Application Laid- 359444, 2003-304068, 3992225, 2003-249739, 4136509, 2004-82687, 4025177, and Japanese Patent Publication Nos. Japanese Laid-Open Patent Publication Nos. 2004-349654, 4286060, 2005-262506, 4570070, 2005-53218, 3949676, 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2007-326923, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-111169, Japanese Patent No. 5024930, International Publication Nos. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67029, Japanese Laid-Open Patent Publication No. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-173017, International Publication No. WO2007 / 105635, Japanese Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, (Resins, resin curing agents, compounds, curing agents) disclosed in Patent Publication No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 001850, International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication Nos. WO2011 / 068157 and 2013-19056 A catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, etc.) and / or a method of forming a resin layer and a forming apparatus.

이들 수지를 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 톨루엔 등의 용제에 용해해 수지액으로 하고, 이것을 상기 극박 구리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 피막층, 혹은 상기 실란 커플링제층 상에, 예를 들어 롤코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조해 용제를 제거해 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 이용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다.These resins are dissolved in, for example, a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to form a resin solution, which is then coated on the extremely thin copper layer, or on the heat resistant layer, rust preventive layer or the chromate coating layer, For example, a roll coater method, and then, if necessary, heated and dried to remove the solvent to obtain a B-stage state. For drying, for example, a hot-air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.

상기 수지층을 구비한 캐리어 부착 동박 (수지가 형성된 캐리어 부착 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착해 그 수지층을 열경화시키고, 이어서 캐리어를 박리해 극박 구리층을 표출시키고 (당연히 표출되는 것은 그 극박 구리층의 중간층측의 표면이다), 그곳에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.The resin-coated copper foil with a resin layer (resin-coated copper foil with a carrier) having the resin layer is superimposed on the substrate to thermally bond the entire resin layer to thermally cure the resin layer and then peel off the carrier to form an ultra- (Which is of course exposed on the surface of the intermediate layer side of the extremely thin copper layer), and is used to form a predetermined wiring pattern there.

이 수지가 형성된 캐리어 부착 동박을 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조시에 있어서의 프리프레그재의 사용 장수를 줄일 수 있다. 또한, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트해 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.Use of the copper foil with a carrier on which the resin is formed can reduce the number of prepreg materials used in the production of a multilayer printed wiring board. Further, the thickness of the resin layer can be set to a thickness at which the interlayer insulation can be ensured, or a copper clad laminate can be produced without using any prepreg material at all. Also, at this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the smoothness of the surface.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지고, 또한 프리프레그재의 두께만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the lamination step is simplified. Therefore, the multilayer printed wiring board is economically advantageous and the thickness of the multilayer printed wiring board produced by the thickness of the prepreg material is reduced, It is advantageous in that a multilayer printed wiring board having a thickness of 100 m or less can be produced.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 80 ㎛ 인 것이 바람직하다. 수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면 접착력이 저하되어, 프리프레그재를 개재시키지 않고 이 수지가 형성된 캐리어 부착 동박을 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 80 탆. When the thickness of the resin layer is thinner than 0.1 占 퐉, the adhesive strength is lowered, and when the copper foil with a carrier on which the resin is formed is laminated on a substrate having the inner layer material without interposing the prepreg material, the interlayer insulation between the inner layer material and the circuit There is a case that it becomes difficult to secure it.

한편, 수지층의 두께를 80 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해져, 여분의 재료비와 공정수가 들기 때문에 경제적으로 불리해진다. 나아가서는, 형성된 수지층은 그 가요성이 열등하므로, 핸들링시에 크랙 등이 발생하기 쉬워지고, 또 내층재와의 열압착시에 과잉의 수지 흐름이 일어나 원활한 적층이 곤란해지는 경우가 있다.On the other hand, if the thickness of the resin layer is made thicker than 80 占 퐉, it becomes difficult to form a resin layer having a desired thickness in one coating step, resulting in economical disadvantages because extra material cost and number of steps are involved. Further, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks and the like are liable to occur at the time of handling, and excessive resin flow occurs at the time of thermocompression bonding with the inner layer material, which may make it difficult to smoothly laminate the resin layer.

또한, 이 수지가 형성된 캐리어 부착 동박의 다른 하나의 제품 형태로는, 상기 극박 구리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 상에 수지층으로 피복하고, 반경화 상태로 한 후, 이어서 캐리어를 박리해, 캐리어가 존재하지 않는 수지가 형성된 동박의 형태로 제조할 수도 있다.As another product type of the copper foil with a carrier on which the resin is formed, it is possible to use a resin layer on the extremely thin copper layer or on the heat resistant layer, the anticorrosive layer, or the chromate treatment layer or the silane coupling treatment layer It is possible to form the copper foil in the form of a copper foil on which a resin free from carriers is formed.

이하에, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇 가지 나타낸다.Hereinafter, several examples of the production process of a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention are shown.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 극박 구리층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후 세미애디티브법, 모디파이드 세미애디티브법, 파틀리 애디티브법 및 서브트랙티브법 중 어느 방법에 의해 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로가 삽입된 것으로 할 수도 있다.In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, comprising the steps of: preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention; laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate; Is laminated so that the extremely thin copper layer side faces the insulating substrate and then the carrier of the copper foil with a carrier is peeled off to form a copper clad laminate. Thereafter, a semi-additive process, a modified semi-additive process, And a step of forming a circuit by any of a thin film deposition method, a subtractive method and a subtractive method. The insulating substrate may be an inner layer circuit inserted.

본 발명에 있어서, 세미애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 이용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer to form a pattern, and then a conductive pattern is formed using electroplating and etching.

따라서, 세미애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, Therefore, in one embodiment of the method for producing the printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, the step of preparing the copper foil with a carrier and the insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, A step of removing all of the ultra-thin copper layer exposed by peeling off the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid,

상기 극박 구리층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, Forming a through hole and / or a blind via in the exposed resin by removing the ultra-thin copper layer by etching;

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, A step of performing a desmear treatment on an area including the through hole and / or the blind via,

상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroless plating layer on a region including the resin and the through hole and / or the blind via,

상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,A step of forming a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, A step of exposing the plating resist, and thereafter removing a plating resist in a region where a circuit is formed,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroplating layer in a region where the plating resist is removed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.And removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.

세미애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, A step of removing all of the ultra-thin copper layer exposed by peeling off the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid,

상기 극박 구리층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지의 표면에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroless plating layer on the exposed surface of the resin by removing the extremely thin copper layer by etching,

상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,A step of forming a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, A step of exposing the plating resist, and thereafter removing a plating resist in a region where a circuit is formed,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroplating layer in a region where the plating resist is removed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 구리층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.And removing the electroless plating layer and the ultra-thin copper layer in regions other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, a copper thickness is formed in the circuit forming portion by electrolytic plating, And a metal foil other than the circuit forming portion is removed by (flash) etching to form a circuit on the insulating layer.

따라서, 모디파이드 세미애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, A step of forming a through hole and / or a blind via in the ultra-thin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling off the carrier,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, A step of performing a desmear treatment on an area including the through hole and / or the blind via,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroless plating layer on a region including the through hole and / or the blind via,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정,A step of forming a plating resist on the surface of the ultra-thin copper layer exposed by peeling off the carrier,

상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전해 도금에 의해 회로를 형성하는 공정,A step of forming a circuit by electrolytic plating after the plating resist is formed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the plating resist,

상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출된 극박 구리층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정을 포함한다.And removing the exposed ultra thin copper layer by flash etching by removing the plating resist.

모디파이드 세미애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,A step of forming a plating resist on the ultra-thin copper layer exposed by peeling off the carrier,

상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, A step of exposing the plating resist, and thereafter removing a plating resist in a region where a circuit is formed,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroplating layer in a region where the plating resist is removed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 구리층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.And removing the electroless plating layer and the ultra-thin copper layer in regions other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.

본 발명에 있어서, 파틀리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비아홀용 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매핵을 부여하고, 에칭해 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비아홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the palladium additive method refers to a method in which catalyst layers are formed on a substrate on which a conductor layer is formed and, if necessary, a catalyst core is formed on a substrate formed by punching holes for through holes or via holes, , A solder resist or a plating resist is formed, and then a thickness is formed on the conductor circuit by through an electroless plating process on a through hole, a via hole or the like, thereby producing a printed wiring board.

따라서, 파틀리 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the palladium additive method, the step of preparing the copper foil with a carrier and the insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, A step of forming a through hole and / or a blind via in the ultra-thin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling off the carrier,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, A step of performing a desmear treatment on an area including the through hole and / or the blind via,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매핵을 부여하는 공정, Providing a catalyst nucleus to a region including the through hole and / or the blind via,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정,A step of forming an etching resist on the surface of the ultra-thin copper layer exposed by peeling off the carrier,

상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정,A step of exposing the etching resist to a circuit pattern,

상기 극박 구리층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거해, 회로를 형성하는 공정, Removing the extremely thin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the etching resist,

상기 극박 구리층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거해 노출된 상기 절연 기판 표면에 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정, Removing the ultra-thin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a solder resist or a plating resist on the exposed surface of the insulating substrate;

상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정을 포함한다.And a step of forming an electroless plating layer in a region where the solder resist or the plating resist is not formed.

본 발명에 있어서, 서브트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불필요 부분을, 에칭 등에 의해 선택적으로 제거해, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.

따라서, 서브트랙티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, Therefore, in one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, the step of preparing the copper foil with a carrier and the insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, A step of forming a through hole and / or a blind via in the ultra-thin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling off the carrier,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, A step of performing a desmear treatment on an area including the through hole and / or the blind via,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroless plating layer on a region including the through hole and / or the blind via,

상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer,

상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 구리층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, A step of forming an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / or the ultra-thin copper layer,

상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, A step of exposing the etching resist to a circuit pattern,

상기 극박 구리층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거해, 회로를 형성하는 공정, Removing the extremely thin copper layer, the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.And removing the etching resist.

서브트랙티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정, A step of peeling the carrier of the carrier-coated copper foil after the carrier-coated copper foil and the insulating substrate are laminated,

상기 캐리어를 박리해 노출시킨 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, A step of forming a through hole and / or a blind via in the ultra-thin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling off the carrier,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, A step of performing a desmear treatment on an area including the through hole and / or the blind via,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, A step of forming an electroless plating layer on a region including the through hole and / or the blind via,

상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정, A step of forming a mask on the surface of the electroless plating layer,

마스크가 형성되어 있지 않은 상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 형성하는 공정,A step of forming an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer where no mask is formed,

상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 구리층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, A step of forming an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / or the ultra-thin copper layer,

상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정,A step of exposing the etching resist to a circuit pattern,

상기 극박 구리층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거해, 회로를 형성하는 공정, The step of forming a circuit by removing the extremely thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.And removing the etching resist.

스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 및 그 후의 디스미어 공정은 실시하지 않아도 된다.The step of forming the through hole and / or the blind via, and the subsequent desmearing step may not be performed.

여기서, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 또한, 여기서는 극박 구리층 표면에 조화 처리층이 형성된 캐리어 부착 동박을 예로 들어 설명하고 있지만, 조화 처리층은 형성되어 있지 않아도 된다.Here, specific examples of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Although a copper foil with a carrier having a roughened treatment layer formed on the surface of the ultra-thin copper layer is described here as an example, the roughened treatment layer may not be formed.

먼저, 도 1-A 에 나타내는 바와 같이, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 구리층을 갖는 캐리어 부착 동박 (1 층째) 을 준비한다.First, as shown in Fig. 1-A, a carrier-coated copper foil (first layer) having an ultra-thin copper layer having a roughened treatment layer formed on its surface is prepared.

다음으로, 도 1-B 에 나타내는 바와 같이, 극박 구리층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시해, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.Next, as shown in Fig. 1-B, a resist is applied on the roughened layer of the ultra-thin copper layer, exposure and development are performed, and the resist is etched into a predetermined shape.

다음으로, 도 1-C 에 나타내는 바와 같이, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정 형상의 회로 도금을 형성한다.Next, as shown in Fig. 1-C, a circuit plating for a circuit is formed and then the resist is removed to form circuit plating of a predetermined shape.

다음으로, 도 2-D 에 나타내는 바와 같이, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 구리층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어 부착 동박 (2 층째) 을 극박 구리층측으로부터 접착시킨다.Next, as shown in Fig. 2-D, a resin layer is formed on the extremely thin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried) to laminate the resin layer, Is bonded from the ultra-thin copper layer side.

다음으로, 도 2-E 에 나타내는 바와 같이, 2 층째의 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 박리한다.Next, as shown in Fig. 2-E, the carrier is peeled from the second-layered copper foil with a carrier.

다음으로, 도 2-F 에 나타내는 바와 같이, 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍 형성을 실시해, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.Next, as shown in FIG. 2-F, a laser hole is formed at a predetermined position of the resin layer, and the circuit plating is exposed to form a blind via.

다음으로, 도 3-G 에 나타내는 바와 같이, 블라인드 비아에 구리를 매립해 비아필을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3-G, copper is buried in the blind via to form a via fill.

다음으로, 도 3-H 에 나타내는 바와 같이, 비아필 상에, 상기 도 1-B 및 도 1-C 와 같이 해 회로 도금을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3-H, a circuit plating is formed on the via fill as shown in FIG. 1-B and FIG. 1-C.

다음으로, 도 3-I 에 나타내는 바와 같이, 1 층째의 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 박리한다.Next, as shown in Fig. 3-I, the carrier is peeled off from the first-layer copper foil with a carrier.

다음으로, 도 4-J 에 나타내는 바와 같이, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 구리층을 제거해, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.Next, as shown in Fig. 4-J, the extremely thin copper layer on both surfaces is removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.

다음으로, 도 4-K 에 나타내는 바와 같이, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판을 제작한다.Next, as shown in Fig. 4-K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and a copper filler is formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention is manufactured.

상기 다른 캐리어 부착 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어 부착 동박을 사용해도 되고, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 도 3-H 에 나타내는 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수층 형성해도 되고, 그들의 회로 형성을 세미애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.The copper foil with a carrier of the present invention may be used for the other copper foil with a carrier (second layer), or a conventional copper foil with a carrier may be used, or a conventional copper foil may be used. In addition, a single layer or a plurality of layers may be additionally formed on the second layer circuit shown in FIG. 3-H, and their circuit formation may be formed by a semi-additive method, a subtractive method, a pattern additive method, And a semi-additive method.

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박은, 당해 캐리어 부착 동박의 캐리어측 표면에 기판을 가져도 된다. 당해 기판을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박은 지지되어, 주름이 생기기 어려워지기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박을 지지하는 효과를 갖는 것이면, 모든 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.The carrier-coated copper foil used for the first layer may have a substrate on the carrier-side surface of the carrier-coated copper foil. By having such a substrate, the copper foil with a carrier used in the first layer is supported and wrinkles are less likely to be generated, which is advantageous in that productivity is improved. In addition, all the substrates can be used as long as they have the effect of supporting the copper foil with a carrier used for the first layer. For example, the substrate may be a carrier, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, a foil of an inorganic compound, You can use pak.

캐리어측 표면에 기판을 형성하는 타이밍에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 캐리어를 박리하기 전에 형성할 필요가 있다. 특히, 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 수지층을 형성하는 공정 전에 형성하는 것이 바람직하고, 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 회로를 형성하는 공정 전에 형성하는 것이 보다 바람직하다.The timing for forming the substrate on the carrier side surface is not particularly limited, but it is necessary to form the carrier before peeling off. Particularly, it is preferable to form it before the step of forming the resin layer on the surface of the ultra-thin copper layer side of the carrier-coated copper foil, and it is more preferable to form it before the step of forming circuit on the surface of the ultra-

또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리포인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지는 열경화성 수지를 포함해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 매립 수지는 열가소성 수지를 포함해도 된다. 상기 매립 수지의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 블록 공중합 폴리이미드 수지, 폴리에테르술폰, 폴리에테르술폰 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 다가 카르복실산의 무수물 등을 포함하는 수지나, 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름, 불소 수지 필름 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.Known resins and prepregs can be used for the buried resin (resin). For example, glass poison prepreg impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. or ABF can be used. The embedding resin may include a thermosetting resin, or may be a thermoplastic resin. The embedding resin may include a thermoplastic resin. The type of the above-mentioned reclaimed resin is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resins, polyimide resins, polyfunctional cyanate ester compounds, maleimide compounds, polyvinyl acetal resins, urethane resins, block copolymerized polyimide resins, , Polyether sulfone resin, aromatic polyamide resin, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group denatured acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene An epoxy resin, an epoxy resin, a cyanate ester resin, an anhydride of a polycarboxylic acid, etc., a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber base epoxy resin, a glass / paper composite base material epoxy resin, Glass nonwoven composite substrate epoxy resin and glass cloth substrate epoxy A resin, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer film, a fluororesin film, and the like. The resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in this specification can be used for the above-mentioned embedding resin (resin).

또한, 본 발명의 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다. 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」에는 이와 같이 전자 부품류가 탑재된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다.Further, by mounting electronic parts on the printed wiring board of the present invention, a printed circuit board is completed. In the present invention, the &quot; printed wiring board &quot; includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which the electronic parts are mounted.

또, 당해 프린트 배선판을 이용하여 전자기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 회로판을 이용하여 전자기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 기판을 이용하여 전자기기를 제작해도 된다.An electronic apparatus may be manufactured using the printed wiring board, an electronic apparatus may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic apparatus is mounted, or an electronic apparatus may be manufactured using a printed board on which the electronic apparatus is mounted .

또, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, 상기 수지 기판과 적층한 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어 부착 동박의 표면에, 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법 (코어리스 공법) 이어도 된다. 당해 코어리스 공법에 대해, 구체적인 예로는 먼저 본 발명의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측 표면 또는 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층한다. 그 후, 수지 기판과 적층한 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어 부착 동박의 표면에 수지층을 형성한다. 캐리어측 표면 또는 극박 구리층측 표면에 형성한 수지층에는, 추가로 다른 캐리어 부착 동박을 캐리어측 또는 극박 구리층측으로부터 적층해도 된다. 이 경우, 수지 기판을 중심으로 해서 당해 수지 기판의 양 표면측에, 캐리어/중간층/극박 구리층의 순서 혹은 극박 구리층/중간층/캐리어의 순서로 캐리어 부착 동박이 적층된 구성으로 되어 있다. 양 끝의 극박 구리층 혹은 캐리어의 노출된 표면에는, 다른 수지층을 형성하고, 추가로 구리층 또는 금속층을 형성한 후, 당해 구리층 또는 금속층을 가공함으로써 회로를 형성해도 된다. 또한, 다른 수지층을 당해 회로 상에, 당해 회로를 매립하도록 형성해도 된다. 또, 이와 같은 회로 및 수지층의 형성을 1 회 이상 실시해도 된다 (빌드업 공법). 그리고, 이와 같이 하여 형성한 적층체 (이하, 적층체 B 라고도 한다) 에 대해, 각각의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층 또는 캐리어를 캐리어 또는 극박 구리층으로부터 박리시켜 코어리스 기판을 제작할 수 있다. 또한, 전술한 코어리스 기판의 제작에는, 2 개의 캐리어 부착 동박을 이용하여, 후술하는 극박 구리층/중간층/캐리어/캐리어/중간층/극박 구리층의 구성을 갖는 적층체나, 캐리어/중간층/극박 구리층/극박 구리층/중간층/캐리어의 구성을 갖는 적층체나, 캐리어/중간층/극박 구리층/캐리어/중간층/극박 구리층의 구성을 갖는 적층체를 제작하고, 당해 적층체를 중심으로 사용할 수도 있다. 이들 적층체 (이하, 적층체 A 라고도 한다) 의 양측의 극박 구리층 또는 캐리어의 표면에 수지층 및 회로의 2 층을 1 회 이상 형성하고, 수지층 및 회로의 2 층을 1 회 이상 형성한 후에, 각각의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층 또는 캐리어를 캐리어 또는 극박 구리층으로부터 박리시켜 코어리스 기판을 제작할 수 있다. 전술한 적층체는, 극박 구리층의 표면, 캐리어의 표면, 캐리어와 캐리어 사이, 극박 구리층과 극박 구리층 사이, 극박 구리층과 캐리어 사이에는 다른 층을 가져도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「극박 구리층의 표면」, 「극박 구리층측 표면」, 「캐리어의 표면」, 「캐리어측 표면」, 「적층체의 표면」은, 극박 구리층, 캐리어, 적층체가, 극박 구리층 표면, 캐리어 표면, 적층 체표면에 다른 층을 갖는 경우에는, 당해 다른 층의 표면 (최표면) 을 포함하는 개념으로 한다. 또, 적층체는 극박 구리층/중간층/캐리어/캐리어/중간층/극박 구리층의 구성을 갖는 것이 바람직하다. 당해 적층체를 이용하여 코어리스 기판을 제작했을 때, 코어리스 기판측에 극박 구리층이 배치되기 때문에, 모디파이드 세미애디티브법을 이용하여 코어리스 기판 상에 회로를 형성하기 쉬워지기 때문이다. 또, 극박 구리층의 두께는 얇기 때문에, 당해 극박 구리층을 제거하기 쉽고, 극박 구리층의 제거 후에 세미애디티브법을 이용하여, 코어리스 기판 상에 회로를 형성하기 쉬워지기 때문이다.The method for producing a printed wiring board according to the present invention may further comprise a step of laminating the ultra thin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and the resin substrate, A step of forming two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the copper foil with a carrier on the side opposite to the side surface and after the two layers of the resin layer and the circuit are formed, Or a step of peeling off the extremely thin copper layer (coreless method). With respect to the coreless method, as a specific example, first, the surface of the copper foil layer on the surface of the ultra-thin copper layer or the carrier-side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and the resin substrate are laminated. Thereafter, a resin layer is formed on the surface of the extremely thin copper layer side laminated with the resin substrate or on the surface of the copper foil with a carrier opposite to the carrier side surface. The resin layer formed on the carrier side surface or the ultra thin copper layer side surface may further include another carrier-coated copper foil laminated from the carrier side or the ultra thin copper layer side. In this case, the carrier-bonded copper foil is laminated on both sides of the resin substrate in the order of the carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer or the ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier in this order on the resin substrate. A circuit may be formed by forming a copper layer or a metal layer on another copper layer or an exposed surface of the carrier on both ends and then forming the copper layer or the metal layer. Further, another resin layer may be formed on the circuit to embed the circuit. The circuit and the resin layer may be formed at least once (build-up method). Then, the core-less substrate can be manufactured by peeling the ultra-thin copper layer or the carrier of each of the carrier-coated copper foil from the carrier or the ultra-thin copper layer with respect to the laminate thus formed (hereinafter also referred to as the laminate B). In the production of the above-mentioned core-less substrate, two copper-coated copper foils may be used to form a laminate having a structure of ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra- It is also possible to prepare a laminate having a structure of a layer / ultra thin copper layer / interlayer / carrier and a laminate having a structure of carrier / interlayer / ultra-thin copper layer / carrier / interlayer / ultra-thin copper layer, . Two layers of a resin layer and a circuit are formed at least once on the surface of the extremely thin copper layer or the carrier on both sides of the laminate (hereinafter also referred to as the laminate A) and two layers of a resin layer and a circuit are formed at least once Thereafter, the ultra-thin copper layer or the carrier of each of the carrier-coated copper foil is peeled off from the carrier or the ultra-thin copper layer to manufacture a coreless substrate. The above-described laminate may have another layer between the surface of the ultra-thin copper layer, the surface of the carrier, between the carrier and the carrier, between the ultra-thin copper layer and the ultra-thin copper layer, and between the ultra-thin copper layer and the carrier. In this specification, the terms "surface of the ultra-thin copper layer", "surface of the ultra-thin copper layer", "surface of the carrier", "surface of the carrier side", "surface of the layered product" The surface of the ultra-thin copper layer, the surface of the carrier, and the surface of the laminate have the concept of including the surface (top surface) of the other layer. It is preferable that the laminate has a structure of an ultra-thin copper layer / an intermediate layer / a carrier / a carrier / an intermediate layer / an ultra-thin copper layer. This is because a very thin copper layer is disposed on the core-less substrate side when the core-less substrate is produced by using the laminate, so that a circuit can be easily formed on the core-less substrate by using the modified semi-additive method. In addition, since the thickness of the ultra-thin copper layer is thin, it is easy to remove the ultra-thin copper layer, and after the ultra-thin copper layer is removed, the circuit can be easily formed on the core-less substrate by using the semi-additive method.

또한, 본 명세서에 있어서, 「적층체 A」또는 「적층체 B」라고 특별히 기재하지 않는 「적층체」는, 적어도 적층체 A 및 적층체 B 를 포함하는 적층체를 나타낸다.Note that, in this specification, "laminate" which is not specifically described as "laminate A" or "laminate B" refers to a laminate including at least laminate A and laminate B.

또한, 상기 서술한 코어리스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어 부착 동박 또는 적층체 (적층체 A) 의 단면의 일부 또는 전부를 수지로 덮음으로써, 빌드업 공법으로 프린트 배선판을 제조할 때에, 중간층 또는 적층체를 구성하는 1 개의 캐리어 부착 동박과 다른 하나의 캐리어 부착 동박 사이로 약액이 스며드는 것을 방지할 수 있고, 약액이 스며드는 것에 의한 극박 구리층과 캐리어의 분리나 캐리어 부착 동박의 부식을 방지할 수 있어, 수율을 향상시킬 수 있다. 여기서 사용하는 「캐리어 부착 동박의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지」 또는 「적층체의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지」로는, 수지층에 사용할 수 있는 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 서술한 코어리스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어 부착 동박 또는 적층체에 있어서 평면으로 봤을 때에 캐리어 부착 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 구리층의 적층 부분, 또는 1 개의 캐리어 부착 동박과 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 적층 부분) 의 외주의 적어도 일부가 수지 또는 프리프레그로 덮여도 된다. 또, 상기 서술한 코어리스 기판의 제조 방법으로 형성하는 적층체 (적층체 A) 는, 1 쌍의 캐리어 부착 동박을 서로 분리 가능하게 접촉시켜 구성되어 있어도 된다. 또, 당해 캐리어 부착 동박에 있어서 평면으로 봤을 때에 캐리어 부착 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 구리층의 적층 부분, 또는 1 개의 캐리어 부착 동박과 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 적층 부분) 의 외주의 전체에 걸쳐서 수지 또는 프리프레그로 덮여 이루어지는 것이어도 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 캐리어 부착 동박 또는 적층체를 평면으로 봤을 때에, 캐리어 부착 동박 또는 적층체의 적층 부분이 수지 또는 프리프레그에 의해 덮여, 다른 부재가 이 부분의 측방향, 즉 적층 방향에 대해 옆으로부터의 방향으로부터 닿는 것을 방지할 수 있게 되어, 결과적으로 핸들링 중의 캐리어와 극박 구리층 또는 캐리어 부착 동박끼리의 박리를 줄일 수 있다. 또, 캐리어 부착 동박 또는 적층체의 적층 부분의 외주를 노출시키지 않도록 수지 또는 프리프레그로 덮음으로써, 전술한 바와 같은 약액 처리 공정에 있어서의 이 적층 부분의 계면으로의 약액의 침입을 방지할 수 있어, 캐리어 부착 동박의 부식이나 침식을 방지할 수 있다. 또한, 적층체의 1 쌍의 캐리어 부착 동박으로부터 하나의 캐리어 부착 동박을 분리할 때, 또는 캐리어 부착 동박의 캐리어와 동박 (극박 구리층) 을 분리할 때에는, 수지 또는 프리프레그로 덮여 있는 캐리어 부착 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 구리층의 적층 부분, 또는 하나의 캐리어 부착 동박과 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 적층 부분) 을 절단 등에 의해 제거할 필요가 있다.Further, in the above-described method for producing a coreless substrate, when a printed wiring board is manufactured by a build-up method by covering part or all of the cross section of the copper foil with a carrier or the laminate (laminate A) with resin, It is possible to prevent the chemical liquid from penetrating between one of the carrier-bonded copper foils constituting the laminate and the other of the carrier-coated copper foils and to prevent the separation of the ultra-thin copper layer and the carrier and the corrosion of the carrier- , And the yield can be improved. As the &quot; resin covering part or all of the cross section of the copper foil with a carrier &quot; or &quot; resin covering part or all of the cross section of the laminate &quot;, a resin usable for the resin layer can be used. In the above-described method for producing a coreless substrate, it is preferable that the laminated portion of the copper-coated copper foil or the laminated body when viewed in a plane in the carrier-bonded copper foil or the laminated body (the laminated portion of the carrier and the ultra- At least a part of the outer periphery of the copper foil and the other copper foil with a carrier) may be covered with a resin or a prepreg. The laminate (laminate A) formed by the above-described production method of the coreless substrate described above may be constituted such that a pair of carrier-bonded copper foils are removably contacted with each other. In the case of the carrier-coated copper foil, the outer periphery of the laminated portion of the carrier-coated copper foil or laminate (the laminated portion of the carrier and the ultra-thin copper layer, or the laminated portion of one carrier-bonded copper foil and the other carrier- May be covered with a resin or a prepreg throughout the whole. With such a constitution, when the copper foil with a carrier or the laminate is viewed in a plane, the laminated portion of the copper foil with a carrier or the laminate is covered with a resin or prepreg, and the other member is arranged in the lateral direction of this portion, It is possible to prevent the carrier from being peeled from the direction from the side, and as a result, the peeling between the carrier during handling and the ultra thin copper layer or the carrier-adhered copper foil can be reduced. In addition, by covering the periphery of the laminated portion of the copper foil with a carrier or the laminated body with the resin or the prepreg so as not to expose, it is possible to prevent the penetration of the chemical liquid into the interface of the laminated portion in the above- , Corrosion and erosion of the copper foil with a carrier can be prevented. When separating one carrier-bonded copper foil from the pair of carrier-bonded copper foils of the laminate or separating the carrier of the copper foil with the carrier and the copper foil (the ultra-thin copper layer), the carrier- Or the laminated portion of the laminate (the laminated portion of the carrier and the ultra-thin copper layer, or the laminated portion of one carrier-bonded copper foil and the other carrier-bonded copper foil) must be removed by cutting or the like.

본 발명의 캐리어 부착 동박을 캐리어측 또는 극박 구리층측으로부터, 다른 하나의 본 발명의 캐리어 부착 동박의 캐리어측 또는 극박 구리층측에 적층해 적층체를 구성해도 된다. 또, 상기 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면과 상기 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면이, 필요에 따라 접착제를 개재하여, 직접 적층시켜 얻어진 적층체여도 된다. 또, 상기 하나의 캐리어 부착 동박의 캐리어 또는 극박 구리층과, 상기 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 캐리어 또는 극박 구리층이 접합되어 있어도 된다. 여기서, 당해 「접합」은, 캐리어 또는 극박 구리층이 표면 처리층을 갖는 경우에는, 당해 표면 처리층을 개재하여 서로 접합되어 있는 양태도 포함한다. 또, 당해 적층체의 단면의 일부 또는 전부가 수지에 의해 덮여 있어도 된다.The carrier-coated copper foil of the present invention may be laminated on the carrier side or the ultra-thin copper layer side and on the carrier side or the ultra-thin copper layer side of the other carrier-coated copper foil of the present invention. The surface of the one carrier-bonded copper foil on the carrier side or the surface of the ultra-thin copper layer and the carrier-side surface of the other carrier-bonded copper foil or the surface of the ultra-thin copper layer may be directly laminated Or the like. The carrier or the ultra-thin copper layer of one carrier-bonded copper foil and the carrier or ultra-thin copper layer of the other carrier-bonded copper foil may be bonded. Here, the &quot; bonding &quot; also includes an aspect in which, when the carrier or the ultra-thin copper layer has a surface treatment layer, the carrier or the ultra-thin copper layer is bonded to each other via the surface treatment layer. A part or all of the cross section of the laminate may be covered with a resin.

캐리어끼리의 적층은, 단순히 중첩 외에, 예를 들어 이하의 방법으로 실시할 수 있다.The stacking of the carriers can be carried out by, for example, the following method in addition to simply superposing.

(a) 야금적 접합 방법 : 융접 (아크 용접, TIG (텅스텐·이너트·가스) 용접, MIG (메탈·이너트·가스) 용접, 저항 용접, 심 용접, 스포트 용접), 압접 (초음파 용접, 마찰 교반 용접), 납접 ;(a) Metallurgical bonding method: welding (arc welding, TIG (tungsten, inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, Friction stir welding), brazing;

(b) 기계적 접합 방법 : 코킹, 리벳에 의한 접합 (셀프 피어싱 리벳에 의한 접합, 리벳에 의한 접합), 스티처 ;(b) Mechanical bonding methods: caulking, joining by rivets (joining by self-piercing rivets, joining by rivets), stitchers;

(c) 물리적 접합 방법 : 접착제, (양면) 점착 테이프(c) Physical bonding method: Adhesive, (double-sided) adhesive tape

일방의 캐리어의 일부 또는 전부와 타방의 캐리어의 일부 또는 전부를, 상기 접합 방법을 이용하여 접합함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 적층해, 캐리어끼리를 분리 가능하게 접촉시켜 구성되는 적층체를 제조할 수 있다. 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 약하게 접합되어, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 적층되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어의 접합부를 제거하지 않아도, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어는 분리 가능하다. 또, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 강하게 접합되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 접합되어 있는 지점을 절단이나 화학 연마 (에칭 등), 기계 연마 등에 의해 제거함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 분리할 수 있다.A laminated body formed by laminating one carrier and the other carrier by laminating a part or all of one carrier and a part or all of the other carrier by using the above bonding method, Can be manufactured. When one carrier and the other carrier are weakly joined so that one carrier and the other carrier are stacked, one carrier and the other carrier can be separated without removing the junction between the carrier and the other carrier Do. When one carrier and the other carrier are strongly bonded, a point where one carrier and the other carrier are bonded is removed by cutting, chemical polishing (etching or the like), mechanical polishing, or the like, The other carrier can be separated.

또, 이와 같이 구성한 적층체에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어 부착 동박으로부터 상기 극박 구리층 또는 캐리어를 박리시키는 공정을 실시함으로써 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또한, 당해 적층체의 일방 또는 양방의 표면에, 수지층과 회로의 2 층을 형성해도 된다.It is preferable that the step of forming two layers of the resin layer and the circuit at least once in the laminate thus constructed and the step of forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once, A step of peeling the ultra-thin copper layer or the carrier is carried out to produce a printed wiring board. Two layers of a resin layer and a circuit may be formed on one or both surfaces of the laminate.

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 설명한다. 또한, 본 실시예는 어디까지나 일례이고, 이 예에만 제한되는 것은 아니다.The following is a description based on examples and comparative examples. Note that this embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to this example.

1. 캐리어 부착 동박의 제조1. Manufacture of copper foil with carrier

동박 캐리어로서 두께 35 ㎛ 의 길이가 긴 전해 동박 (JX 닛코 닛세키 금속사 제조 JTC) 및 두께 33 ㎛ 의 압연 동박 (JX 닛코 닛세키 금속사 제조 C1100) 을 준비했다. 이 동박의 광택면 (샤이니면) 에 대해, 이하의 조건으로 롤 투 롤형의 연속 도금 라인으로 금속 도금으로서 니켈 (Ni) 도금 또는 코발트 (Co) 도금을 실시하고, 그 후, 크로메이트 처리 또는 유기물에 의한 처리로서 BTA 처리를 실시함으로써 중간층을 형성하였다. 또한, 표 1 의 「탈지」, 「산세」는, 니켈 (Ni) 도금의 전처리로서, 각각 이하의 조건에 의해 캐리어의 니켈 도금 또는 코발트 도금되는 측의 표면에 대해 실시한 것을 나타낸다. 또한, 표 1 의 「광택제」는 이하의 니켈 (Ni) 도금 처리에 있어서 도금액에 광택제 (1 차 광택제 및 2 차 광택제) 가 포함되어 있는 것을 나타낸다. 또, 실시예 1, 3, 5, 9, 11 에 대해서는, 크로메이트 처리 후에 가열 처리를 실시했다. 이때의 가열 온도 (건조 온도) 를 표 1 에 나타낸다. 또한, 캐리어의 표면을 탈지, 산세의 순서로 처리했다. 당해 탈지 조건 및 산세 조건을 이하에 나타낸다.An electrolytic copper foil having a thickness of 35 mu m (JTC manufactured by Nikko Nisseki Metal Co., Ltd.) and a copper foil with a thickness of 33 mu m (C1100 manufactured by JX Nikkosuke Metal Industries Co., Ltd.) were prepared as a copper foil carrier. Nickel (Ni) plating or cobalt (Co) plating was performed on the shiny side (shiny side) of the copper foil as metal plating with a roll-to-roll continuous plating line under the following conditions, BTA treatment was carried out to form an intermediate layer. The "degreasing" and "pickling" shown in Table 1 are carried out on the surface of the nickel-plated or cobalt-plated side of the carrier under the following conditions as pretreatment for nickel (Ni) plating. The "gloss agent" in Table 1 indicates that the plating solution contains a polishing agent (primary polishing agent and secondary polishing agent) in the following nickel (Ni) plating treatment. In Examples 1, 3, 5, 9, and 11, a heat treatment was performed after the chromate treatment. The heating temperature (drying temperature) at this time is shown in Table 1. Further, the surface of the carrier was treated in the order of degreasing and pickling. The degreasing conditions and pickling conditions are shown below.

〔탈지〕[Degreasing]

이하의 탈지 처리액을 이용하여, 이하의 조건으로 전해 탈지를 실시했다.The following degreasing solution was used to carry out electrolytic degreasing under the following conditions.

· 탈지 처리액 : 수산화나트륨 수용액 (수산화나트륨 농도 70 g/ℓ)· Degreasing solution: aqueous solution of sodium hydroxide (concentration of sodium hydroxide: 70 g / l)

· 전해 탈지 : 이하의 조건으로 음극 전해 탈지를 실시하고, 그 후 양극 전해 탈지를 실시하고, 그 후 재차 음극 전해 탈지를 실시했다.Electrolytic degreasing: Negative electrode electrolytic degreasing was performed under the following conditions, followed by cathodic electrolytic degreasing, and then cathodic electrolytic degreasing was performed again.

음극 (전해) 탈지 (전류 밀도 10 A/dm²) : 20 초 Cathode (electrolytic) degreasing (current density 10 A / dm ² ): 20 seconds

양극 (전해) 탈지 (전류 밀도 5 A/dm²) : 20 초 Anode (electrolytic) degreasing (current density 5 A / dm ² ): 20 seconds

음극 (전해) 탈지 (전류 밀도 10 A/dm²) : 20 초Cathode (electrolytic) degreasing (current density 10 A / dm ² ): 20 seconds

〔산세〕[Pickling]

· 산세 처리액 : 황산 수용액 (황산 농도 : 50 ㎖/ℓ) · Pickling solution: sulfuric acid aqueous solution (sulfuric acid concentration: 50 ml / l)

침지 시간 : 20 초   Immersion time: 20 seconds

〔니켈 (Ni) 도금〕[Nickel (Ni) plating]

· 도금액· Plating solution

니켈 : 20 ∼ 200 g/ℓ   Nickel: 20 to 200 g / l

붕산 : 5 ∼ 60 g/ℓ    Boric acid: 5 to 60 g / l

액온 : 40 ∼ 65 ℃    Solution temperature: 40 ~ 65 ℃

pH : 1.5 ∼ 5.0    pH: 1.5-5.0

· 전류 밀도 : 0.5 ∼ 20 A/dm² Current density: 0.5 to 20 A / dm ²

· 통전 시간 : 1 ∼ 20 초· Power supply time: 1 ~ 20 seconds

· 교반 (액순환량) : 100 ∼ 1000 ℓ/분Stirring (liquid circulation amount): 100 to 1000 L / min

· 반송 속도 : 2 ∼ 30 m/분· Feeding speed: 2 ~ 30 m / min

· 첨가제 : 1 차 광택제 (사카린나트륨 : 0.5 ∼ 5 g/ℓ), 2 차 광택제 (티오우레아 : 0.05 ∼ 1 g/ℓ)Additives: Primary brightener (sodium saccharin: 0.5 to 5 g / l), secondary brightener (thiourea: 0.05 to 1 g / l)

〔코발트 (Co) 도금〕[Cobalt (Co) plating]

· 도금액· Plating solution

코발트 : 20 ∼ 200 g/ℓ   Cobalt: 20 to 200 g / ℓ

붕산 : 5 ∼ 60 g/ℓ    Boric acid: 5 to 60 g / l

액온 : 40 ∼ 65 ℃   Solution temperature: 40 ~ 65 ℃

pH : 1.5 ∼ 5.0    pH: 1.5-5.0

· 전류 밀도 : 0.5 ∼ 20 A/dm² Current density: 0.5 to 20 A / dm ²

· 통전 시간 : 1 ∼ 20 초· Power supply time: 1 ~ 20 seconds

· 교반 (액순환량) : 100 ∼ 1000 ℓ/분Stirring (liquid circulation amount): 100 to 1000 L / min

· 반송 속도 : 2 ∼ 30 m/분· Feeding speed: 2 ~ 30 m / min

· 첨가제 : 1 차 광택제 (사카린나트륨 : 0.5 ∼ 5 g/ℓ), 2 차 광택제 (티오우레아 : 0.05 ∼ 1 g/ℓ)Additives: Primary brightener (sodium saccharin: 0.5 to 5 g / l), secondary brightener (thiourea: 0.05 to 1 g / l)

〔크로메이트 처리〕[Chromate treatment]

· 처리액· Treatment liquid

크롬 : 0.5 ∼ 6.0 g/ℓ   Chrome: 0.5 to 6.0 g / l

아연 : 0.1 ∼ 2.0 g/ℓ    Zinc: 0.1 to 2.0 g / l

액온 : 25 ∼ 60 ℃   Solution temperature: 25 ~ 60 ℃

pH : 2.5 ∼ 5.0    pH: 2.5-5.0

· 전류 밀도 : 0.1 ∼ 4 A/dm² Current density: 0.1 to 4 A / dm ²

· 통전 시간 : 1 ∼ 30 초· Power supply time: 1 to 30 seconds

〔BTA 처리〕[BTA treatment]

· BTA 처리 : 벤조트리아졸을 사용한 방청 처리· BTA treatment: anti-rust treatment with benzotriazole

· 처리액· Treatment liquid

벤조트리아졸 : 0.1 ∼ 20 g/ℓ   Benzotriazole: 0.1 to 20 g / l

pH : 2 ∼ 5     pH: 2 to 5

액온 : 20 ∼ 40 ℃   Solution temperature: 20 ~ 40 ℃

침지 시간 : 5 ∼ 30 초Immersion time: 5 to 30 seconds

계속해, 롤 투 롤형의 연속 도금 라인 상에서, 중간층 상에 표 1 에 기재된 두께의 극박 구리층을 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성해, 캐리어 부착 동박을 제작했다.Subsequently, on the roll-to-roll continuous plating line, an ultra-thin copper layer having a thickness shown in Table 1 on the intermediate layer was formed by electroplating under the following conditions to produce a copper foil with a carrier.

· 극박 구리층· Ultra-thin copper layer

구리 농도 : 90 ∼ 120 g/ℓ   Copper concentration: 90 ~ 120 g / ℓ

H₂SO₄ 농도 : 20 ∼ 120 g/ℓ H ₂ SO ₄ concentration: 20 to 120 g / ℓ

전해액 온도 : 20 ∼ 80 ℃   Electrolyte temperature: 20 ~ 80 ℃

전류 밀도 : 10 ∼ 70 A/dm² Current density: 10 to 70 A / dm ²

도금액 선유속 : 1.0 m/s   Plating fluid Linear velocity: 1.0 m / s

이들 실시예, 및 비교예에 대해서는, 모두 극박 구리층의 표면에 이하의 조화 처리, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리를 이 순서로 실시했다.In these Examples and Comparative Examples, the following roughening treatment, rust-proofing treatment, chromate treatment and silane coupling treatment were carried out in this order on the surface of the extremely thin copper layer.

· 조화 처리· Harmonization

Cu : 10 ∼ 20 g/ℓ   Cu: 10 to 20 g / l

Co : 5 ∼ 15 g/ℓ   Co: 5 to 15 g / l

Ni : 5 ∼ 15 g/ℓ   Ni: 5 to 15 g / l

pH : 1 ∼ 4    pH: 1-4

온도 : 40 ∼ 50 ℃    Temperature: 40 ~ 50 ℃

전류 밀도 Dk : 40 ∼ 50 A/dm² Current density Dk: 40 to 50 A / dm ²

시간 : 0.5 초 ∼ 2 초    Time: 0.5 seconds to 2 seconds

Cu 부착량 : 15 ∼ 40 ㎎/dm² Cu adhesion amount: 15 to 40 mg / dm ²

Co 부착량 : 100 ∼ 3000 ㎍/dm² Co deposition amount: 100 to 3000 占 퐂 / dm ²

Ni 부착량 : 100 ∼ 1000 ㎍/dm² Ni coating weight: 100 ~ 1000 ㎍ / dm ²

· 방청 처리· Antirust treatment

Zn : 0 ∼ 20 g/ℓ   Zn: 0 to 20 g / l

Ni : 0 ∼ 5 g/ℓ   Ni: 0 to 5 g / l

pH : 3.5    pH: 3.5

온도 : 40 ℃   Temperature: 40 ° C

전류 밀도 Dk : 0 ∼ 1.7 A/dm² Current density Dk: 0 to 1.7 A / dm ²

시간 : 1 초    Time: 1 second

Zn 부착량 : 5 ∼ 250 ㎍/dm² Zn coating weight: 5 ~ 250 ㎍ / dm ²

Ni 부착량 : 5 ∼ 300 ㎍/dm² Ni coating weight: 5 ~ 300 ㎍ / dm ²

· 방청 처리· Antirust treatment

Zn : 10 g/ℓ   Zn: 10 g / l

Ni : 35 g/ℓ   Ni: 35 g / l

pH : 3.5    pH: 3.5

온도 : 40 ℃   Temperature: 40 ° C

전류 밀도 Dk : 0.5 A/dm² Current density Dk: 0.5 A / dm &lt; ^{2 &gt;}

시간 : 46 초    Time: 46 seconds

Zn 부착량 : 150 ∼ 1500 ㎍/dm² Zn deposition amount: 150 to 1500 占 퐂 / dm ²

Ni 부착량 : 300 ∼ 2600 ㎍/dm² Ni coating weight: 300 ~ 2600 ㎍ / dm ²

· 크로메이트 처리· Chromate treatment

처리액 조성 :   Treatment liquid composition:

K₂Cr₂O₇ K ₂ Cr ₂ O ₇

(Na₂Cr₂O₇ 혹은 CrO₃) : 2 ∼ 10 g/ℓ(Na ₂ Cr ₂ O ₇ or CrO ₃ ): 2 to 10 g / ℓ

NaOH 혹은 KOH : 10 ∼ 50 g/ℓ     NaOH or KOH: 10 to 50 g / l

ZnO 혹은 ZnSO₄7H₂O : 0.05 ∼ 10 g/ℓZnO or ZnSO ₄ 7H ₂ O: 0.05 to 10 g / l

pH : 7 ∼ 13    pH: 7 to 13

욕온 : 20 ∼ 80 ℃   Bath temperature: 20 ~ 80 ℃

전류 밀도 : 0.05 ∼ 5 A/dm² Current density: 0.05 to 5 A / dm ²

시간 : 5 ∼ 30 초    Time: 5 ~ 30 seconds

Cr 부착량 : 10 ∼ 150 ㎍/dm² Cr deposition amount: 10 to 150 占 퐂 / dm ²

· 실란 커플링 처리· Silane coupling treatment

비닐트리에톡시실란 수용액   Aqueous solution of vinyltriethoxysilane

(비닐트리에톡시실란 농도 : 0.1 ∼ 1.4 wt％)     (Vinyltriethoxysilane concentration: 0.1 to 1.4 wt%)

pH : 4 ∼ 5    pH: 4 to 5

시간 : 5 ∼ 30 초   Time: 5 ~ 30 seconds

2. 캐리어 부착 동박의 평가2. Evaluation of copper foil with carrier

상기 서술한 바와 같이 하여 제작한 실시예 및 비교예의 각 샘플에 대해, 각종 평가를 하기와 같이 실시했다.Various evaluations were carried out for each of the samples prepared as described above and the comparative example as follows.

· 중간층의 금속 부착량· Metal deposition amount in the middle layer

니켈 부착량 및 코발트 부착량은 샘플을 농도 20 질량％ 의 질산으로 용해해 SII 사 제조의 ICP 발광 분광 분석 장치 (모델 : SPS3100) 를 이용하여 ICP 발광 분석에 의해 측정하고, 아연, 크롬 부착량은 샘플을 농도 7 질량％ 의 염산으로 용해해, VARIAN 사 제조의 원자 흡광 분광 광도계 (모델 : AA240FS) 를 이용하여 원자 흡광법에 의해 정량 분석을 실시함으로써 측정하였다. 또한, 상기 니켈, 코발트, 아연, 크롬 부착량의 측정은 이하와 같이 하여 실시했다. 먼저, 캐리어 부착 동박으로부터 극박 구리층을 박리한 후, 극박 구리층의 중간층측의 표면 부근만을 용해하고 (극박 구리층의 두께가 1.4 ㎛ 이상인 경우에는 극박 구리층의 중간층측의 표면으로부터 0.5 ㎛ 두께만 용해하고, 극박 구리층의 두께가 1.4 ㎛ 미만인 경우에는 극박 구리층의 중간층측의 표면으로부터 극박 구리층 두께의 20 ％ 만 용해하고), 극박 구리층의 중간층측의 표면의 부착량을 측정한다. 또, 극박 구리층을 박리한 후에, 캐리어의 중간층측의 표면 부근만을 용해하고 (표면으로부터 0.5 ㎛ 두께만 용해하고), 캐리어의 중간층측의 표면의 부착량을 측정한다. 그리고, 극박 구리층의 중간층측의 표면의 부착량과 캐리어의 중간층측의 표면의 부착량을 합계한 값을, 중간층의 금속 부착량으로 했다.The nickel deposition amount and the cobalt deposition amount were measured by ICP emission spectrometry using an ICP emission spectrochemical analyzer (model: SPS3100) manufactured by SII, and the sample was dissolved in nitric acid at a concentration of 20 mass% And dissolved in 7% by mass of hydrochloric acid, and quantitatively analyzed by atomic absorption spectrometry using an atomic absorption spectrophotometer (model: AA240FS) manufactured by VARIAN. The nickel, cobalt, zinc and chromium deposition amounts were measured as follows. First, only the vicinity of the surface on the intermediate layer side of the ultra-thin copper layer was peeled from the carrier-coated copper foil after peeling the ultra-thin copper layer (when the thickness of the ultra-thin copper layer was 1.4 μm or more, And when the thickness of the ultra-thin copper layer is less than 1.4 m, only 20% of the thickness of the ultra-thin copper layer is dissolved from the surface of the ultra-thin copper layer on the side of the intermediate layer), and the adhesion amount of the surface of the ultra-thin copper layer on the intermediate layer side is measured. After the extremely thin copper layer is peeled off, only the vicinity of the surface of the intermediate layer side of the carrier is dissolved (only a thickness of 0.5 mu m from the surface is dissolved) and the adhesion amount of the surface of the carrier on the intermediate layer side is measured. The value obtained by adding up the adhesion amount of the surface of the extremely thin copper layer on the intermediate layer side and the adhesion amount of the surface of the carrier on the intermediate layer side was taken as the metal adhesion amount of the intermediate layer.

· 에칭성· Etching property

캐리어 부착 동박을 BT 수지 기판, 또는 FR-4 기판에 첩부해 220 ℃ 에서 2 시간 가열 압착하고, 그 후 220 ℃ 에서 4 시간의 열처리를 실시했다. 계속해서, 극박 구리층을 동박 캐리어로부터 박리했다. 계속해서, 기판 상의 극박 구리층 표면에 감광성 레지스트를 도포한 후, 노광, 현상 공정에 의해 50 개의 L/S = 10 ㎛/10 ㎛ 폭의 레지스트 패턴을 형성하고, 구리층의 불필요 부분을 제거하는 에칭 처리를 이하의 스프레이 에칭 조건으로 실시했다.The carrier-bonded copper foil was attached to a BT resin substrate or an FR-4 substrate, heated and pressed at 220 ° C for 2 hours, and then heat-treated at 220 ° C for 4 hours. Subsequently, the extremely thin copper layer was peeled from the copper foil carrier. Subsequently, after a photosensitive resist is applied to the surface of the extremely thin copper layer on the substrate, a resist pattern of 50 L / S = 10 mu m / 10 mu m width is formed by the exposure and development process, and unnecessary portions of the copper layer are removed The etching treatment was carried out under the following spray etching conditions.

(스프레이 에칭 조건)(Spray etching conditions)

에칭액 : 염화제이철 수용액 (보메도 : 40 도) Etching solution: ferric chloride aqueous solution (bohde degree: 40 degrees)

액온 : 60 ℃Temperature: 60 ° C

스프레이압 : 2.0 ㎫ Spraying pressure: 2.0 MPa

에칭을 계속해, 회로 톱폭이 4 ㎛ 가 될 때까지의 시간을 측정하고, 또한 그때의 회로 보텀폭 (저변 X 의 길이) 및 에칭 팩터를 평가했다. 에칭 팩터는, 끝쪽이 퍼지게 에칭된 경우 (처짐이 발생한 경우), 회로가 수직으로 에칭되었다고 가정한 경우의, 동박 상면으로부터의 수직선과 수지 기판의 교점으로부터의 처짐의 길이의 거리를 a 로 한 경우에 있어서, 이 a 와 동박의 두께 b 의 비 : b/a 를 나타내는 것이고, 이 수치가 클수록 경사각은 커지고, 에칭 잔류물이 남지 않고, 처짐이 작아지는 것을 의미한다. 도 5 에, 회로 패턴의 폭 방향의 횡단면의 모식도와, 그 모식도를 사용한 에칭 팩터의 계산 방법의 개략을 나타낸다. 이 a 는 회로 상방으로부터의 SEM 관찰에 의해 측정해, 에칭 팩터 (EF = b/a) 를 산출하였다. 또한, b = (X (㎛) - 4 (㎛))/2 로 계산하였다. 이 에칭 팩터를 사용함으로써, 에칭성의 양부를 간단하게 판정할 수 있다. 본 발명에서는, 에칭 팩터가 2.5 이상을 에칭성이 양호하다고 하고, 2.5 미만 혹은 산출 불가 (저변 부분에 있어서 인접하는 회로 사이가 쇼트되는 경우를 포함한다) 를 에칭 이상으로 판정해, 1 dm²당 에칭 이상수를 평가했다.Etching was continued to measure the time until the circuit top width became 4 탆, and the circuit bottom width (the length of the bottom side X) and etch factor at that time were evaluated. Assuming that the distance between the vertical line from the upper surface of the copper foil and the length of the deflection from the intersection of the resin substrate and the circuit is assumed to be a when the edge is etched to spread (in the case of sagging) , The ratio of the thickness a of the copper foil to the thickness b of the copper foil b / a. The larger this value is, the larger the inclination angle means that the etching residue remains and the deflection becomes smaller. Fig. 5 schematically shows a cross-sectional view in the width direction of the circuit pattern and a calculation method of the etching factor using the schematic diagram. This a was measured by SEM observation from above the circuit, and the etching factor (EF = b / a) was calculated. Further, b = (X (占 퐉) - 4 (占 퐉)) / 2. By using this etching factor, it is possible to easily judge whether the etchability is good or not. To present, it is determined (including the case that between the circuit adjacent in the base portion short), the etching factor is less than, and 2.5 that a 2.5 or higher etching resistance is good or not calculated by the etching over the invention, 1 dm ² per And the etching anomalies were evaluated.

· 구리 이외의 원소에 의한 피복률· Coverage ratio by element other than copper

캐리어 부착 동박에 대해, 캐리어/극박 구리층 사이에서 박리하고, 캐리어측을 황화암모늄 수용액에 침지했다. 황화암모늄은 Cu 를 검게 변색시키는 성질이 있어, 구리 캐리어 기재의 Ni 도금이나 Co 도금 등의 구리 이외의 금속에 의한 금속 도금, 혹은 크로메이트 처리층, 유기물층 등의 층으로 덮여 있지 않은 부분만이 검게 변색된다.The carrier-adhered copper foil was peeled off between the carrier / ultra-thin copper layer, and the carrier side was immersed in an aqueous solution of ammonium sulfide. Ammonium sulphide has a property of discoloring Cu to black, so that only a portion not covered with a layer of a chromate treatment layer, an organic material layer or the like, such as Ni plating of a copper carrier base, metal plating of a metal other than copper such as Co plating, do.

· 황화암모늄 수용액· Ammonium sulphide aqueous solution

황화암모늄 : 5 ∼ 20 vol％   Ammonium sulfide: 5 to 20 vol%

액온 : 20 ∼ 30 ℃   Solution temperature: 20 ~ 30 ℃

침지 시간 : 30 초 ∼ 2 분    Immersion time: 30 seconds to 2 minutes

그 후, 캐리어 박리층측을 스캐너에 넣고, 그 화상을 「2 계조화」로 흑백으로 가공하였다. 화상의 백과 흑의 「임계값」을 70 (백 : 0, 흑 : 255) 으로 설정하고, 흰 부분의 면적률을 구리 이외의 원소에 의한 피복률이라고 정의했다.Thereafter, the side of the carrier peeling layer was put into a scanner, and the image was processed into monochrome with &quot; two-system harmonization &quot;. The threshold value of white and black of the image was set to 70 (white: 0, black: 255), and the area ratio of the white portion was defined as the covering rate by elements other than copper.

· 수분 발생량 (캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량) (The amount of water generated when heating the copper foil with a carrier to 500 캜 at 30 캜 / minute)

아르곤 가스로 치환한 글로브 박스 내에서, 캐리어 부착 동박을 φ9 ∼ 20 ㎜ 의 크기로 잘라내고, 캐리어 부착 동박의 캐리어로부터 극박 구리층을 박리했다. 박리 후, 캐리어와 극박 구리층을, 동시에 전자 과학 주식회사 제조 승온 탈리 가스 분석 장치 (TDS1200) 의 챔버 안에 도입했다. 이때의 챔버 안의 진공도는 2.0 × 10^-7 Pa 이하이고, 챔버 안 온도는 30 ∼ 60 ℃ 이다. 계속해서, 500 ℃ 까지 30 ℃/분의 속도로 승온시키고, 그때에 발생하는 수분량 A (질량 (g)) 를 측정하였다. 수분량은, 캐리어 부착 동박 1 g 당의 수분 발생량 (질량 (g)) (ppm) 으로서 이하의 식을 이용하여 산출하였다.In the glove box substituted with argon gas, the copper foil with a carrier was cut to a size of? 9 to 20 mm, and the ultra-thin copper layer was peeled from the carrier of the copper foil with a carrier. After peeling, the carrier and the ultra-thin copper layer were simultaneously introduced into a chamber of a temperature elevation desorption gas analyzer (TDS1200) manufactured by Electronic Science Co., At this time, the degree of vacuum in the chamber is 2.0 x 10 &lt; ^-7 &gt; Pa or less, and the temperature in the chamber is 30 to 60 deg. Subsequently, the temperature was raised to 500 deg. C at a rate of 30 deg. C / minute, and the water content A (mass (g)) generated at that time was measured. The water content was calculated by using the following formula as the amount of water generation (mass (g)) (ppm) per 1 g of the copper foil with a carrier.

수분 발생량 (캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량) (ppm/g) = 수분 발생량 A (질량 (g))/측정한 캐리어 부착 동박의 샘플의 질량 (g) × 10⁶ (G) of water produced (mass (g)) / mass of sample (g) of the copper foil with carrier measured (ppm) × 10 ⁶

· 팽창의 개수· Number of swellings

캐리어 부착 동박을 220 ℃ 의 대기 가열로 내에서 4 시간 가열하였다. 가열 후, 광학 현미경으로 1 dm² 당 팽창의 개수를 육안으로 카운트했다. 또, 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 의 대기 가열로 내에서 10 분간 가열하였다. 가열 후, 광학 현미경으로 1 dm² 당 팽창의 개수를 육안으로 카운트했다.The copper foil with a carrier was heated in an atmospheric heating furnace at 220 캜 for 4 hours. After heating, the number of expansion per 1 dm &lt; ² &gt; was counted with the naked eye under an optical microscope. The carrier-coated copper foil was heated in an atmospheric heating furnace at 400 ° C for 10 minutes. After heating, the number of expansion per 1 dm &lt; ² &gt; was counted with the naked eye under an optical microscope.

상기 시험 조건 및 시험 결과를 표 1 에 나타낸다.The test conditions and test results are shown in Table 1.

(평가 결과)(Evaluation results)

실시예 1 ∼ 12 는, 모두 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 이하이고, 팽창의 발생 및 에칭 발생률이 양호하게 억제되었다.In Examples 1 to 12, the amount of water generated when the carrier-coated copper foil was heated up to 500 캜 at 30 캜 / min was 160 ppm / g or less, and the occurrence of expansion and the occurrence rate of etching were satisfactorily suppressed.

또, 실시예 1 ∼ 12 는, 모두 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 이하이고, 수분의 발생 및 에칭 발생률이 양호하게 억제되었다.Further, in Examples 1 to 12, both the expansion and the 20 / dm ² or less generated when the carrier copper foil is heated at 220 ℃ 4 hours and preferably inhibit the generation and the etching rate of the water.

비교예 1 ∼ 3 은, 모두 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 를 초과하고 있고, 팽창의 발생이 많아, 에칭 발생률이 불량이었다.In all of Comparative Examples 1 to 3, the amount of moisture generated when the carrier-coated copper foil was heated to 500 캜 at 30 캜 / min exceeded 160 ppm / g, the occurrence of expansion was large, and the etch rate was poor.

또, 비교예 1 ∼ 3 은, 모두 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 를 초과하고 있고, 수분의 발생이 많아, 에칭 발생률이 불량이었다.
In addition, Comparative Examples 1 to 3 is, they are all in excess of expansion is 20 / dm ² which occurs when the carrier copper foil is heated at 220 ℃ 4 hours, generation of water increases, the etching rate was poor.

Claims (59)

캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서,
상기 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 160 ppm/g 이하인, 캐리어 부착 동박.A carrier-applied copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Wherein the amount of water generated when the carrier-coated copper foil is heated to 500 占 폚 at 30 占 폚 / min is 160 ppm / g or less. 제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 0 ∼ 130 ppm/g 인, 캐리어 부착 동박.The method according to claim 1,
Wherein the amount of water generated when heating the carrier-coated copper foil to 500 캜 at 30 캜 / min is 0 to 130 ppm / g. 제 2 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 500 ℃ 까지 30 ℃/분으로 가열했을 때에 발생하는 수분량이 0 ∼ 110 ppm/g 인, 캐리어 부착 동박.3. The method of claim 2,
Wherein the amount of water generated when heating the carrier-coated copper foil to 500 캜 at 30 캜 / min is 0 to 110 ppm / g. 제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.The method according to claim 1,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 20 / dm ² or less. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 20 / dm ² or less. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 15 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 0 to 15 / dm ² or less. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 12 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 0 to 12 / dm ² or less. 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 20 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.A carrier-applied copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 20 / dm ² or less. 제 8 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 15 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.9. The method of claim 8,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 0 to 15 / dm ² or less. 제 8 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 220 ℃ 에서 4 시간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 12 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박. 9. The method of claim 8,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 220 캜 for 4 hours is 0 to 12 / dm ² or less. 제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.The method according to claim 1,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 60 / dm ² or less. 제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 30 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.The method according to claim 1,
Expansion is 0-30 / dm ² or less, the carrier copper foil for generating the carrier copper foil when heated at 400 ℃ 10 minutes. 제 4 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.5. The method of claim 4,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 60 / dm ² or less. 제 4 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 30 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.5. The method of claim 4,
Expansion is 0-30 / dm ² or less, the carrier copper foil for generating the carrier copper foil when heated at 400 ℃ 10 minutes. 제 8 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.9. The method of claim 8,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 60 / dm ² or less. 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.The method according to any one of claims 2, 3, 9, and 10,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 60 / dm ² or less. 제 7 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.8. The method of claim 7,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 60 / dm ² or less. 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 60 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.A carrier-applied copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 60 / dm ² or less. 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 50 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.A carrier-applied copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Wherein the expansion with the carrier-adhered copper foil heated at 400 캜 for 10 minutes is 0 to 50 / dm ² or less. 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 40 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.A carrier-applied copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Expansion is 0-40 / dm ² or less, the carrier copper foil for generating the carrier copper foil when heated at 400 ℃ 10 minutes. 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서,
상기 캐리어 부착 동박을 400 ℃ 에서 10 분간 가열했을 때에 발생하는 팽창이 0 ∼ 30 개/dm² 이하인, 캐리어 부착 동박.A carrier-applied copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Expansion is 0-30 / dm ² or less, the carrier copper foil for generating the carrier copper foil when heated at 400 ℃ 10 minutes. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간층이, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 포함하는, 캐리어 부착 동박.The method according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21,
Wherein the intermediate layer is one or two kinds selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, Wherein the copper foil is a copper foil. 제 10 항에 있어서,
상기 중간층이 Cr 을 함유하는 경우에는 Cr 을 5 ㎍/dm² 이상 100 ㎍/dm² 이하 함유하고, Mo 를 함유하는 경우에는 Mo 를 50 ㎍/dm² 이상 1000 ㎍/dm² 이하 함유하고, Ni 를 함유하는 경우에는 Ni 를 100 ㎍/dm² 이상 40000 ㎍/dm² 이하 함유하고, Co 를 함유하는 경우에는 Co 를 100 ㎍/dm² 이상 40000 ㎍/dm² 이하 함유하고, Zn 을 함유하는 경우에는 Zn 을 1 ㎍/dm² 이상 120 ㎍/dm² 이하 함유하는, 캐리어 부착 동박.11. The method of claim 10,
If the case where the intermediate layer containing Cr has to contain 5 ㎍ / dm ² or more 100 ㎍ / dm ² or less Cr, containing Mo is containing 50 ㎍ / dm ² or more 1000 ㎍ / dm ² or less Mo, Ni If containing a case containing a case containing 100 ㎍ / dm ² or more and 40000 ㎍ / dm ² Ni, and contains Co, the containing 100 ㎍ / dm ² or more and 40000 ㎍ / dm ² Co, and Zn In the Zn 1 ㎍ / dm ² or more 120 ㎍ / dm ^2, the carrier copper foil containing below. 제 22 항에 있어서,
상기 중간층이 유기물을 두께로 25 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하 함유하는, 캐리어 부착 동박.23. The method of claim 22,
Wherein the intermediate layer contains an organic substance in a thickness of 25 nm or more and 80 nm or less. 제 22 항에 있어서,
상기 유기물이, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산 중에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 유기물인, 캐리어 부착 동박.23. The method of claim 22,
Wherein the organic material is one or more organic materials selected from a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound, and a carboxylic acid. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 극박 구리층 표면 또는 상기 캐리어의 표면의 어느 일방 또는 양방에 조화 처리층을 갖는, 캐리어 부착 동박.The method according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21,
Wherein at least one of the surface of the ultra thin copper layer or the surface of the carrier has a roughened treatment layer. 제 26 항에 있어서,
상기 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는, 캐리어 부착 동박.27. The method of claim 26,
Wherein the surface of the roughening treatment layer has at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer. 제 27 항에 있어서,
상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이, 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 하나 이상의 원소를 포함하는, 캐리어 부착 동박.28. The method of claim 27,
Wherein at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer comprises at least one element selected from the group consisting of nickel, cobalt, copper and zinc. 제 27 항에 있어서,
상기 조화 처리층 상에 상기 내열층을 갖는, 캐리어 부착 동박.28. The method of claim 27,
And the heat resistant layer on the roughening treatment layer. 제 27 항에 있어서,
상기 조화 처리층 또는 상기 내열층 상에 상기 방청층을 갖는, 캐리어 부착 동박.28. The method of claim 27,
And the rust prevention layer on the roughening treatment layer or the heat resistant layer. 제 27 항에 있어서,
상기 방청층 상에 상기 크로메이트 처리층을 갖는, 캐리어 부착 동박.28. The method of claim 27,
And the chromate treatment layer on the rust preventive layer. 제 27 항에 있어서,
상기 크로메이트 처리층 상에 상기 실란 커플링 처리층을 갖는, 캐리어 부착 동박.28. The method of claim 27,
And the silicate coupling treatment layer on the chromate treatment layer. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 극박 구리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는, 캐리어 부착 동박.The method according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21,
Wherein the ultra thin copper layer has at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer on the surface of the ultra thin copper layer. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 극박 구리층 상에 수지층을 구비하는, 캐리어 부착 동박.The method according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21,
And a resin layer on the extremely thin copper layer. 제 26 항에 있어서,
상기 조화 처리층 상에 수지층을 구비하는, 캐리어 부착 동박.27. The method of claim 26,
And a resin layer on the roughening treatment layer. 제 27 항에 있어서,
상기 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층 상에 수지층을 구비하는, 캐리어 부착 동박.28. The method of claim 27,
And a resin layer on at least one layer selected from the group consisting of the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer. 제 34 항에 있어서,
상기 수지층이 유전체를 포함하는, 캐리어 부착 동박.35. The method of claim 34,
Wherein the resin layer comprises a dielectric. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박을 이용하여 제조된, 프린트 배선판.A printed wiring board produced by using the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15 and 18 to 21. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박을 이용하여 제조된, 구리 피복 적층판.A copper clad laminate produced by using the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15 and 18 to 21. 제 38 항에 기재된 프린트 배선판을 이용하여 제조된, 전자기기.An electronic device manufactured using the printed wiring board according to claim 38. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박을 이용하여 제조된, 적층체.A laminate produced by using the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박과 수지를 포함하는 적층체로서, 상기 캐리어 부착 동박의 단면의 일부 또는 전부가 상기 수지에 의해 덮여 있는, 적층체.A laminate comprising a copper foil with a carrier and a resin according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15 and 18 to 21, wherein a part of the cross section of the copper foil with a carrier or And the whole is covered with the resin. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 하나의 캐리어 부착 동박을 상기 캐리어측 또는 상기 극박 구리층측으로부터, 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 또는 상기 극박 구리층측에 적층한, 적층체.A method for manufacturing a copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21 from the carrier side or the ultra thin copper layer side, Laminated on the carrier side or the ultra thin copper layer side of the other copper foil with a carrier according to any one of claims 4 to 8 and 15 to 18. 제 43 항에 있어서,
상기 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면과 상기 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 구리층측 표면이, 접착제를 개재하여, 또는 그대로 직접 적층시켜 구성되어 있는, 적층체.44. The method of claim 43,
The carrier-side surface of the one carrier-bonded copper foil or the surface of the ultra-thin copper-layer-side surface and the carrier-side surface of the other carrier-bonded copper foil or the surface of the ultra-thin copper layer is directly laminated with or without an adhesive The laminate. 제 43 항에 있어서,
상기 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층과 상기 다른 하나의 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층이 접합되어 있는, 적층체.44. The method of claim 43,
And the carrier or the ultra-thin copper layer of the one copper-clad with carrier is bonded to the carrier or the ultra-thin copper layer of the other copper-clad with a carrier. 제 43 항에 기재된 적층체의 상기 극박 구리층을 도체 패턴에 에칭하는 공정을 구비한, 프린트 배선판의 제조 방법.45. A method for manufacturing a printed wiring board comprising the step of etching the ultra-thin copper layer of the laminate according to claim 43 onto a conductor pattern. 제 43 항에 있어서,
상기 적층체의 단면의 일부 또는 전부가 수지에 의해 덮여 있는, 적층체.44. The method of claim 43,
Wherein a part or the whole of the cross section of the laminate is covered with a resin. 제 43 항에 기재된 적층체에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및
상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어 부착 동박으로부터 상기 극박 구리층 또는 상기 캐리어를 박리시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A step of forming at least once two layers of a resin layer and a circuit in the laminate according to claim 43 and
And peeling the ultra thin copper layer or the carrier from the copper foil with a carrier of the laminate after the two layers of the resin layer and the circuit are formed at least once. 제 47 항에 기재된 적층체에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및
상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어 부착 동박으로부터 상기 극박 구리층 또는 상기 캐리어를 박리시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A step of forming at least once two layers of a resin layer and a circuit in the laminate according to claim 47 and
And peeling the ultra thin copper layer or the carrier from the copper foil with a carrier of the laminate after the two layers of the resin layer and the circuit are formed at least once. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 동박 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고,
그 후 세미애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of preparing the copper foil with a carrier and the insulating substrate according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15 and 18 to 21,
A step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate,
After the step of laminating the copper foil with a carrier and the insulating substrate, a step of peeling the copper foil carrier of the copper foil with a carrier to form a copper clad laminate,
And thereafter forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a pattern additive method, and a modified semi-additive method. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측에 수지층을 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시키는 공정, 및,
상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시킨 후에, 상기 극박 구리층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A method for manufacturing a copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15, and 18 to 21,
A step of forming a resin layer on the extremely thin copper layer side surface or the carrier side of the copper foil with a carrier so that the circuit is buried,
A step of forming a circuit on the resin layer,
A step of peeling off the carrier or the ultra-thin copper layer after forming a circuit on the resin layer,
A step of exposing a circuit buried in the resin layer formed on the extremely thin copper layer side surface or on the carrier side surface by removing the extremely thin copper layer or the carrier after peeling the carrier or the extremely thin copper layer, By weight based on the total weight of the printed wiring board. 제 51 항에 있어서,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어 부착 동박을 극박 구리층측 또는 캐리어측으로부터 첩합하고, 상기 수지층에 첩합한 캐리어 부착 동박을 이용하여 상기 회로를 형성하는 공정인, 프린트 배선판의 제조 방법.52. The method of claim 51,
Wherein the step of forming a circuit on the resin layer comprises a step of forming the circuit using a copper foil with a carrier bonded to the resin layer by superposing another copper foil with a carrier on the resin layer from an ultra- By weight based on the total weight of the printed wiring board. 제 52 항에 있어서,
상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어 부착 동박이, 상기 캐리어 부착 동박인, 프린트 배선판의 제조 방법.53. The method of claim 52,
And the other copper-coated copper bonded onto the resin layer is the copper-coated copper with the carrier. 제 51 항에 있어서,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시되는, 프린트 배선판의 제조 방법.52. The method of claim 51,
Wherein the step of forming a circuit on the resin layer is carried out by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a pattern additive method, and a modified semi-additive method. 제 51 항에 있어서,
상기 표면에 회로를 형성하는 캐리어 부착 동박이, 당해 캐리어 부착 동박의 캐리어측의 표면 또는 극박 구리층측의 표면에 기판을 갖는, 프린트 배선판의 제조 방법.52. The method of claim 51,
Wherein the carrier-bonded copper foil forming a circuit on the surface has a substrate on the carrier-side surface of the carrier-coated copper foil or on the surface of the ultra-thin copper layer side. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어 부착 동박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 극박 구리층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층과 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성하는 공정, 및,
상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 구리층을 박리시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A step of laminating the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15 and 18 to 21 or the carrier side surface and the resin substrate ,
A step of forming at least once two layers of a resin layer and a circuit on the surface of the extremely thin copper layer side opposite to the side of the carrier-coated copper foil laminated with the resin substrate or on the side of the carrier,
And peeling the carrier or the ultra-thin copper layer from the carrier-adhered copper foil after the two layers of the resin layer and the circuit are formed at least once. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 8 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 동박의 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어 부착 동박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 극박 구리층측 표면에 수지층과 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성하는 공정, 및,
상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어를 박리시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A step of laminating the carrier-side surface and the resin substrate of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, 8 to 15 and 18 to 21,
A step of forming two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the ultra thin copper layer on the side opposite to the side where the carrier-bonded copper foil is laminated with the resin substrate,
And peeling the carrier from the carrier-coated copper foil after the two layers of the resin layer and the circuit are formed at least once. 제 43 항에 있어서,
상기 적층체의 표면에 수지층이 형성되어 있고, 상기 수지층 상에 구리층 또는 금속층이 형성되어 있는, 적층체.44. The method of claim 43,
Wherein a resin layer is formed on a surface of the laminate, and a copper layer or a metal layer is formed on the resin layer. 제 46 항에 기재된 적층체의 구리층 또는 금속층을 가공하여 회로를 형성하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.46. A method for manufacturing a printed wiring board comprising the step of forming a circuit by processing a copper layer or a metal layer of the laminate according to claim 46.

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