KR101689164B1 - 발광소자 - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 발광소자는 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션과 패시베이션 상에 배치된 전극층 사이의 유착을 향상시키기 용이한 구조를 갖도록, 실시 예는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 기판의 상면 일부영역에 배치된 절연층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광구조물의 측면을 따라 연장되어 상기 절연층 상에 배치된 제1 전극층, 상기 발광구조물의 측면과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 패시베이션 및 상기 제1 전극층 상에 배치되는 보호캡층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Description
실시 예는 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션과 패시베이션 상에 배치된 전극층 사이의 유착을 향상시키기 용이한 구조를 갖는 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 발광소자의 하나인 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전자와 홀의 재결합을 기초로 발광하는 반도체소자로서, 광통신, 전자기기 등에서 광원으로 널리 사용되는 것이다.
발광 다이오드에 있어서, 발광하는 광의 주파수 또는 파장은 반도체소자에 사용되는 재료의 밴드 갭 함수로서, 작은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 낮은 에너지와 긴 파장의 광자가 발생하고, 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 짧은 파장의 광자가 발생한다.
예를 들어, AlGaInP 물질은 적색 파장의 광을 발생시키고, 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히 GaN는 청색 또는 자외선 파장의 광을 발생시킨다.
그 중에서, 질화물 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 사용하여야 하며, 대표적으로 사파이어 기판이 사용된다.
최근에는 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제작하기 위한 연구가 진행 중에 있다.
실시 예의 목적은, 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션과 패시베이션 상에 배치된 전극층 사이의 유착을 향상시키기 용이한 구조를 갖는 발광소자를 제공함에 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 기판의 상면 일부영역에 배치된 절연층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광구조물의 측면을 따라 연장되어 상기 절연층 상에 배치된 제1 전극층, 상기 발광구조물의 측면과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 패시베이션 및 상기 제1 전극층 상에 배치되는 보호캡층을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자는 전극층 상에 보호캡층을 배치함으로써, 전극층과 패시베이션 간의 유착을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자는 전극층과 패시베이션 간의 유착이 향상됨에 따라, 신뢰성이 향상되며 광 손실을 저하시키는 이점이 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자를 나타내는 상면도이다.
도 4 내지 도 9는 도 1에 나타낸 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자를 나타내는 상면도이다.
도 4 내지 도 9는 도 1에 나타낸 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
실시 예에 대한 설명에 앞서, 실시 예에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시 예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이고, 도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110)의 외주부 상면에 배치되는 절연층(130), 기판(110) 및 절연층(130) 상에 발광구조물(140), 발광구조물(140)의 상면에 전기적으로 연결되며 발광구조물(140)의 측면을 따라 적어도 일부가 상기 절연층(130) 상에 배치되는 제1 전극층(170) 및 발광구조물(140)과 제1 전극층(170) 사이에 형성되어 발광구조물(140)과 제1 전극층(170)를 절연시키는 패시베이션(150) 및 제1 전극층(170) 상에 배치되는 보호캡층(180)을 포함할 수 있다.
발광구조물(140)은 제1 반도체층(142), 제1 반도체층(142) 아래에 활성층(144), 활성층(144) 아래에 제2 반도체층(146)을 포함하며, 이들은 빛을 생성하는 구조물을 이룬다.
기판(110) 및 제1 전극층(170)는 외부 전원으로부터 전원을 전달받아, 발광소자(100)에 전원을 제공한다.
이하에서는, 제1, 2 실시 예에 따른 발광소자(100)에 대해 구성 요소를 중심으로 구체적으로 설명한다.
기판(110)은 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
기판(110) 상에는 반사층(120)이 형성될 수 있다. 반사층(120)은 발광구조물(140)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 방출되는 빛의 양을 증가시킴으로써, 발광소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
반사층(120)은 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
비록 도시되지는 않았지만, 반사층(120) 및 기판(110) 사이에는 두 층 사이의 계면 접합력을 강화시키기 위한 접착층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
반사층(120)의 상면의 둘레 영역에는 절연층(130)가 형성될 수 있다. 절연층(130)은 발광구조물(140)과 기판(110) 사이의 전기적 쇼트(short)를 방지할 수 있다.
절연층(130)은 전기 절연성을 가지고, 광 손실을 최소화하기 위해 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
반사층(120)의 상면 및 절연층(130)의 내측에는 오믹층(125)이 형성될 수 있다. 오믹층(125)은 반도체층인 발광구조물(140)과 기판(110) 또는 반사층(120) 사이의 오믹 접촉을 위해 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
또한, 발광구조물(140)과 접촉되는 기판(110) 또는 반사층(120)이 오믹 접촉을 이루는 경우, 오믹층(125)은 형성되지 않을 수도 있다.
오믹층(125) 상에는 발광구조물(140)이 형성될 수 있다. 발광구조물(140)은 제1 반도체층(142), 제1 반도체층(142) 아래에 활성층(144), 활성층(144) 아래에 제2 반도체층(146)을 포함한다.
제1 반도체층(142)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
활성층(144)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 양자선(Quantum wire) 구조, 양자점(Quantum dot) 구조, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 활성층(144)은 제1,2 반도체층(142, 146)으로부터 전자 및 정공을 제공받으며, 상기 전자 및 정공은 활성층(144)에서 재결합하면서 빛 에너지가 생성되게 된다.
제2 반도체층(146)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 제1 반도체층(142)에 p형 도펀트가 도핑되고 제2 반도체층(146)에 n형 도펀트가 도핑되거나, 제2 반도체층(146) 상에 제3 도전형 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 발광소자(100)는 np, pn, npn 또는 pnp 접합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
발광구조물(140)의 측면에는 복수개의 칩들을 개별 칩 단위로 분리하는 아이솔레이션(isolation) 에칭이 실시될 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 발광구조물(140)의 측면은 경사를 가질 수 있으며, 절연층(130)가 노출될 수 있다.
실시 예에서는, 제1 전극층(170)이 형성되는 절연층(130) 상부의 영역이 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 확보될 수 있다.
제1 전극층(170)은 발광구조물(140)의 상면, 즉, 제1 반도체층(142)에 전기적으로 연결되며 적어도 일부가 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극층(170)은 제1 반도체층(142)의 상면으로부터 연장되어 발광구조물(140)의 측면을 따라 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.
제1 전극층(170)의 재질은 전기 전도성을 가지며, 제1 반도체층(142)과 오믹 접촉을 이루는 금속 또는 도전성 비금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극층(170)는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 제1, 2 실시 예에서는 제1 전극층(170)의 형상이 재질의 투명도에 따라 달라질 수 있다.
이때, 도 1에 나타낸 제1 실시 예에 따르면, 발광소자(100)를 외부 전원과 전기적으로 연결하기 위해, 와이어 등을 절연층(130) 상에 형성된 제1 전극층(170)의 영역에 연결할 수 있다. 따라서, 발광구조물(140)에서 방출되는 빛이 상기 와이어 등에 의해 흡수되는 것을 최소화할 수 있으며, 상기 와이어 등을 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 발광구조물(140)의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 도 2에 나타낸 제2 실시 예에 따르면, 발광소자(100)를 외부 전원과 전기적으로 연결하기 위해, 와이어 등을 절연층(130) 상에 형성된 제1 전극층(170)에 접합된 접합금속층(160)에 의해 연결할 수 있으므로, 제1 실시 예에 동일한 특성을 가질수 있을 것이다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 전극층(170)에는 보호캡층(180)이 배치된다.
즉, 보호캡층(180)은 제1 전극층(170)에 중첩되게 배치되며, 절연층(130) 상에 배치된 제1 전극층(170)의 적어도 일부분이 노출되도록 배치된다. 즉, 제1 전극층(170)의 노출된 부분에 상기 와이어 등이 연결되어 전원이 공급되도록 하기 위함이다.
여기서, 보호캡층(180)는 패시베이션(150) 또는 절연층(130) 중 적어도 하나와 동일한 재질을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
즉, 보호캡층(180)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
보호캡층(180)은 절연층(130)과 제1 전극층(170) 사이의 유착을 향상시킬 수 있다. 즉, 상위에서 설명된, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 발광구조물(140)의 측면은 경사를 가질 수 있으며, 절연층(130)을 노출시킬 수 있으나, 절연층(13)과 발광구조물(140) 사이의 단차에 의해 제1 전극층(170) 배치시 유착이 나빠지는 현상이 발생되어, 결과적으로 제1 전극층(170)과 절연층(130)이 분리되는 현상을 방지하도록, 제1 전극층(170)의 상면에 보호캡층(180)을 배치할 수 있다.
이와 같이, 보호캡층(180)은 제1 전극층(170)과 절연층(130)의 유착을 강화시킬 수 있을 것이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자를 나타내는 상면도이다.
도 3을 참조하면, 제1 전극층(170)은 소정의 패턴을 가지도록 형성되는 것으로 나타내었으나, 상기 패턴이 형성되지 않을 수도 있으며, 투명 또는 불투명한 재질로 형성될 수 있을 것이다.
즉, 제1 반도체층(142) 상면의 전 영역에 균일하게 외부의 전원이 스프레딩되는 동시에, 발광구조물(140)으로부터 방출되는 빛의 광 손실량을 최소화할 수 있도록, 제1 전극층(170)은 소정의 패턴을 가질 수 있다.
예를 들어, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 반도체층(142)의 상면에 형성된 제1 전극층(170)은 격자 패턴, 나선형 패턴 등의 패턴을 가지고, 상기 패턴으로부터 얇은 선 등에 의해 연장되어 발광구조물(140)의 측면을 따라 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극층(170)의 형상에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 제1 전극층(170)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 제1 전극층(170)의 상면에는 제1 전극층(170)과 절연층(130) 사이의 유착을 강화시키기 위한 보호캡층(180)이 배치될 수 있다.
즉, 보호캡층(180)은 제1 전극층(170)의 적어도 일부분이 노출되도록 함으로써, 노출된 제1 전극층(170)에 와이어 등이 부탁되어, 외부 전원으로부터 발광소자(100)에 전원을 공급할 수 있다.
이처럼 실시 예에서는, 발광구조물(140)에 와이어 등이 부착되지 않고, 절연층(130) 상에 형성된 제1 전극층(170)에 상기 와이어 등이 부착되므로, 상기 와이어에 의한 광 손실을 최소화하고 상기 와이어를 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 발광구조물(140)의 손상을 방지할 수 있다.
제1 전극층(170)와 발광구조물(140) 사이, 즉 제1 전극층(170)의 하부에는 패시베이션(150)이 형성되어 두 층 사이를 절연시킬 수 있다. 즉, 패시베이션(150)은 발광구조물(140)의 측면에 형성되어, 발광구조물(140)과 제1 전극층(170)가 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 패시베이션(150)은 절연층(130) 및 제1 전극층(170) 사이에 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
패시베이션(150)은 전기 절연성을 가지고, 광 손실을 최소화하기 위해 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
한편, 제1 전극층(170)가 소정의 패턴을 가지는 경우, 패시베이션(150)은 제1 전극층(170)의 패턴에 대응하는 형상으로 형성될 수도 있다.
도 4 내지 도 9는 도 1에 나타낸 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
도 4를 참조하면, 지지기판(190) 상에 발광구조물(140)을 형성한다.
지지기판(190)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
지지기판(190) 상에는 발광구조물(140)이 형성될 수 있다. 발광구조물(140)은 다층의 반도체로 형성될 수 있으며, 적어도 제1 반도체층(124), 제1 반도체층(142) 아래에 활성층(144), 활성층(144) 아래에 제2 반도체층(146)을 포함할 수 있다.
발광구조물(140)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5를 참조하면, 발광구조물(140) 상면의 둘레 영역에 절연층(130)를 형성하고, 발광구조물(140) 및 절연층(130) 상에 기판(110)를 형성할 수 있다.
절연층(130)는 증착 공정 및 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
기판(110)는 증착 공정 및 도금 공정에 의해 형성되거나, 별도의 시트로 준비된 후 본딩될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 기판(110) 아래에는 발광소자(100)의 광 추출 효율 향상을 위해 반사층(120)이 형성될 수 있다. 또한, 제2 반도체층(146)과 지지기판(190) 사이에는 오믹층(125)이 형성될 수도 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 지지기판(190)이 제거될 수 있다. 지지기판(190)은 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 및 에칭 공정 중 적어도 하나를 이용하여 제거될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 지지기판(190)을 제거한 후, 노출된 상기 제1 반도체층(142)의 표면을 연마하기 위해 ICP/RIE(Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etch) 등의 에칭을 실시할 수도 있다.
도 7을 참조하면, 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하기 위해 발광구조물(140)에 아이솔레이션 에칭을 실시하고, 발광구조물(140)의 측면에 패시베이션(150)을 형성할 수 있다.
상기 아이솔레이션 에칭은 절연층(130)의 상면이 노출되도록 실시될 수 있다.
패시베이션(150)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착 또는 PECVD 증착 방식에 의해 형성될 수 있다.
패시베이션(150)은 전기 절연성을 가지면서 광 투과율이 좋은 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
한편, 패시베이션(150)은 발광구조물(140)의 측면에 형성되는 것에 한정하지는 않으며, 발광구조물(140)의 상면에도 일부 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 발광구조물(140)의 상면에 접촉하고 적어도 일부 영역이 절연층(130) 상에 배치되도록 제1 전극층(170)이 형성될 수 있다. 즉, 제1 전극층(170)은 제1 반도체층(142)의 상면으로부터 연장되어 패시베이션(150)의 측면을 따라 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.
제1 전극층(170)의 재질은 전기 전도성을 가지며, 제1 반도체층(142)과 오믹 접촉을 이루는 금속 또는 도전성 비금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극층(170)는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극층(170)은 발광구조물(140)의 전 영역에 대해 형성되거나, 소정의 패턴을 가지도록 형성될 수 있으며, 이는 발광소자(100)의 설계 및 제1 전극층(170)의 재질에 따라 결정될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 전극층(170) 상에는 제1 전극층(170)과 동일한 패턴을 갖는 보호캡층(180)의 배치될 수 있다.
이때, 보호캡층(180)는 절연층(130)에 배치된 제1 전극층(170)의 적어도 일부분이 노출되도록 제1 전극층(170)의 패턴보다 작게 형성될 수 있다.
여기서, 보호캡층(180)에 의해 노출된 제1 전극층(170)에는 외부 전원과 연결되도록 와이어(W) 등이 본딩될 수 있으며, 와이어(W)와 제1 전극층(170) 사이에 접함금속층이 형성될 수 있을 것이며, 이에 한정을 두지 않는다.
한편, 실시예에서는 수직형 발광 소자를 중심으로 설명하고 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니며 수평형 발광 소자에 대해서도 적용될 수 있다.
또한, 도 4 내지 도 9에 나타낸 공정 순서에서 적어도 하나의 공정은 순서가 바뀔 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
실시 예에 따른 발광소자(100)는 패키지 내에 실장될 수 있으며, 발광 다이오드가 실장된 발광소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.
이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 다이오드 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (12)
- 기판;
상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물;
상기 기판의 외주부 상면에 배치된 절연층;
상기 제1 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광구조물의 측면을 따라 연장되어 상기 절연층 상에 배치된 제1 전극층;
상기 발광구조물의 측면과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 패시베이션;
상기 제1 전극층 상에 배치되어, 상기 제1전극층을 덮도록 배치됨과 아울러 상기 절연층 상에 배치된 상기 제1 전극층의 적어도 일부분이 노출되도록 배치되는 보호캡층; 및
상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극층의 노출 부위에 배치되어, 상기 보호캡층과 접촉되는 접합금속층;을 포함하는 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 발광구조물의 측면은,
경사를 갖는 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 절연층은,
상기 발광구조물과 상기 제1 전극층을 절연하는 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은,
상기 제1 반도체층과 오믹접촉을 이루는 전도성 재질을 포함하는 발광소자. - 제 4 항에 있어서, 상기 제1 전극층은,
Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 보호캡층은,
상기 패시베이션과 동일한 재질인 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 보호캡층은,
Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 소정의 패턴을 가지는 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 상기 제1 전극층은 다층구조를 가지도록 형성된 발광소자. - 제 8 항에 있어서, 상기 패시베이션은 상기 제1 전극층의 소정의 패턴에 대응하는 형상으로 형성되는 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되는 반사층; 및
상기 반사층과 상기 발광구조물 사이에 배치되는 오믹층;을 포함하는 발광소자. - 제 1 항에 있어서, 상기 기판은,
전도성 기판인 발광소자.
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