KR101687718B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 게이트라인과 화소전극이 서로 오버랩되지 않도록 일정한 갭을 유지하는 액정표시장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 액정표시장치는, 박막 트랜지스터 어레이기판 상에 형성되고, 수직 교차되게 배열된 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선; 상기 게이트배선에서 분기된 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 상기 데이터배선에서 분기된 소스전극과, 이 소스전극과 채널영역만큼 이격된 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 게이트배선과 평행하게 이격되어 배치되고, 좁은 배선 폭을 가진 지역을 포함하는 공통전극배선; 및 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되고, 상기 공통전극배선의 좁은 배선 폭의 지역과 일정 갭을 유지하는 화소전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
공통전극배선, 화소전극배선, 게이트배선, 캐패시터

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공통전극배선과 화소전극의 오버랩에 영향을 받지 않도록 이 일정한 갭을 유지하는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 소형 및 박형화가 가능하고, 저소비 전력의 장점을 가지며, 노트북 컴퓨터, 사무자동화 기기, 오디오 및 비디오 기기 등에 이용되고 있다. 이러한 액정표시장치는 스위칭 소자로 박막트랜지스터를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치가 동적인 이미지를 표현하기에 적합하여 일반적으로 사용되고 있다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD)는 제1 및 제2 기판을 일정 간격을 유지하게 합착하고 그 사이에 액정을 주입하여 액정층이 형성된 형태로 제작된다.
액정표시장치의 동작을 간단히 설명하면, 박막트랜지스터가 턴-온(Turn-on)되면, 화소전극과 공통전극 사이에 전계가 형성되며, 이러한 전계에 의해 주입된 액정의 배열각이 변화되고, 배열각이 변화되고, 배열각에 따라 투과되는 빛의 양이 조절되어 원하는 영상을 표현하게 된다.
이러한 종래의 액정표시장치에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치 구조를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 "A"부를 확대한 평면도로서, 화소전극배선과 공통전극배선의 오버랩된 구조를 확대 도시한 평면도이다.
종래기술에 따른 액정표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 화소영역을 정의하는 게이트배선(13) 및 데이터배선(23)이 교차되게 형성되어 있고, 상기 게이트배선(13) 및 데이터배선(23)과 연결되어 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(23b)에는 제1 콘택홀(27a)을 통해 화소전극배선(29)이 연결되어 있다.
또한, 상기 화소전극배선(29)에는 일정 간격만큼 이격된 다수의 화소전극 (29a)들이 분기되어 있다.
그리고, 상기 게이트배선(13)과 이격되어 평행하게 공통전극배선(15)이 배치되어 있다.
또한, 상기 다수의 화소전극(29a)들과 이격되어 대응하고 상기 데이터배선 (23)과 수평되는 다수 개의 공통전극(18a)을 구비한 공통전극연결라인(18)이 배치되고, 제2 콘택홀(27b)을 통해 상기 공통전극배선(15)과 접속되어 있다.
여기서, 상기 드레인전극(23b)과 연결되는 화소전극배선(29)은 상기 드레인 전극(23b) 아래에 위치하는 공통전극배선(15) 부분과 오버랩되어져 제1 캐패시터 (C1)가 형성되고, 상기 드레인전극(23b) 지역을 제외한 지역에 위치하는 공통전극배선(15) 부분과 오버랩되는 화소전극배선(29) 부분에는 제2 캐패시터(C2)가 형성된다.
한편, 상기 구성으로 이루어지는 종래기술에 따른 액정표시장치 제조방법에 대해 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 박막트랜지스터 어레이기판(11) 상에 게이트금속층을 증착한 후 이를 패터닝하여 게이트배선(미도시)과 이 게이트배선에서 분기된 게이트전극(13a)과 평행하게 이격된 공통전극배선(15)을 형성한다.
그 다음, 상기 어레이기판(11) 전면에 절연물질을 증착하여 게이트절연막 (17)을 형성한 후 상기 게이트전극(13a) 상부에 위치하는 게이트절연막(13a) 상에 액티브층(19)을 형성한다.
이어서, 상기 액티브층(19)을 포함한 기판 전면에 도전물질을 증착하고 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 액티브층(19) 상부에 채널영역만큼 이격된 소스전극 (23a)과 드레인전극(23b)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(23a)은 상기 게이트배선(13)과 수직 교차되게 형성되는 데이터배선(23)으로부터 분기되어 있다.
그다음, 상기 소스전극(23a) 및 드레인전극(23b)을 포함한 기판 전면에 절연물질을 증착하여 보호막(25)을 형성한다.
이어서, 상기 보호막(25)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(23b) 일부와 상기 공통전극배선(15) 일부를 각각 노출시키는 제1, 2 콘택홀(27a, 27b)을 형성한다.
그 다음, 상기 콘택홀(27)을 포함한 보호막(25) 상부에 투명도전물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 콘택홀(27)을 통해 상기 드레인전극(23b)와 접속하는 화소전극배선(29)과 이 화소전극배선(29)으로부터 분기된 다수의 화소전극(29a)들을 형성한다. 이때, 상기 화소전극배선(29) 형성시에 다수의 공통전극(미도시; 도 1의 "18a" 참조)을 구비한 공통전극연결라인(18)도 함께 형성된다. 또한, 상기 공통전극연결라인(18)은 상기 제2 콘택홀(27b)를 통해 상기 공통전극배선 (15)과 접속된다.
또한, 상기 화소전극배선(29)은 상기 드레인전극(23b) 상에서 상기 공통전극배선(15)과 오버랩되어져 제1 캐패시터(C1)를 형성하고, 상기 드레인전극(23b) 지역이 아닌 공통전극배선(15) 부분과 오버랩되어져 제2 캐패시터(C2)를 형성한다.
그러나, 종래기술에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.
종래기술에 따른 액정표시장치 제조시에, 각 층은 각각의 마스크로 독립된 공정으로 순차적으로 형성되게 되는데, 이 각각의 층은 공정 편차로 인해 오버랩 정도가 틀어질 수 있게 된다. 즉, 상기 공통전극배선과 화소전극배선 간에 공정 편차로 인해 화소전극배선 일부가 공통전극배선과 많이 오버랩되어지거나 오버랩되지 않게 되는 경우가 발생하게 되어 제2 캐패시터(C2) 용량이 변화된다.
특히, 제2 캐패시터(C2)를 형성하는 공통전극배선과 화소전극배선이 국부적으로 오버랩되어 있는 경우, 한 쪽 방향으로 오버랩이 이동되었을 때 제2 캐패시터 (C2) 값이 커지거나, 작아지게 된다.
따라서, 공통전극배선 상부에 제2 캐패시터(C2)가 형성되는 구조에서는 공통전극배선과 화소전극배선의 오버랩 편차에 의해 제2 캐패시터(C2) 용량이 변화하게 된다. 이러한 캐패시터 용량의 변화는 액정표시장치의 구동 특성 및 신뢰성 특성에 악영향을 미칠 수 있다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 액정표시장치 제조시에 각 층의 오버랩 정도에 영향을 받지 않도록 화소전극배선과 공통전극배선 간의 일정한 갭을 유지하도록 함으로써 패널의 품질 향상을 기대할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 박막 트랜지스터 어레이기판 상에 형성되고, 수직 교차되게 배열된 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선; 상기 게이트배선에서 분기된 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 상기 데이터배선에서 분기된 소스전극과, 이 소스전극과 채널영역만큼 이격된 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 게이트배선과 평행하게 이격되어 배치되고, 좁은 배선 폭을 가진 지역을 포함하는 공통전극배선; 및 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되고, 상기 공통전극배선의 좁은 배선 폭의 지역과 일정 갭을 유지하는 화소전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법은, 박막 트랜지스터 어레이기판 상에 게이트배선과 이 게이트배선으로부터 분기된 게이트전극 및 이 게이트배선과 평행하게 이격되고 배선 폭이 좁은 영역을 구비한 공통전극배선을 형성하는 단계; 상기 어레이기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극이 위치한 게이트절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티 브층 상에 상기 게이트배선과 수직 교차되게 배치되는 데이터배선과 이 데이터배선으로부터 분기된 소스전극 및 이 소스전극과 채널영역만큼 이격된 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 소스전극과 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막에 상기 드레인전극과 함께 상기 공통전극배선 일부분을 노출시키는 제1, 2 콘택홀을 각각 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접속되며, 상기 공통전극배선의 배선 폭이 좁은 영역과 일정 갭을 유지하는 화소전극배선과 함께 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 공통전극배선과 접속하는 공통전극연결라인을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 화소전극배선과 오버랩되는 공통전극배선의 일부의 배선 폭을 좁게 형성하여 그 좁게 형성된 부분에서 화소전극배선과 일정한 갭을 유지하도록 함으로써 제조공정시에 공정 편차가 발생하더라도 상기 일정한 갭에 의해 화소전극배선과 공통전극배선의 오버랩을 방지할 수 있으므로 캐패시터(C1) 용량이 변화되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 상기 일정한 갭에 의해 화소전극배선과 공통전극배선의 오버랩을 방지할 수 있어 캐패시터 (C1) 용량이 변화되는 것을 방지할 수 있으므로, 패널의 차징(charging)/홀딩(holding) 특성을 그대로 유지함으로 인해 패널의 품질 향상에 기여할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 "B"부를 확대한 평면도로서, 화소전극배선과 공통전극배선 간의 갭을 확대 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 4의 "B"부를 확대한 평면도로서, 화소전극배선과 공통전극배선 간의 갭을 확대 도시한 평면도이다.
본 발명에 따른 액정표시장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 화소영역을 정의하는 게이트배선(103) 및 데이터배선(123)이 수직 교차되게 형성되어 있고, 상기 게이트배선(103) 및 데이터배선(123)과 연결되어 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(123b)에는 화소전극배선(129)이 연결되어 있다.
또한, 상기 화소전극배선(129)에는 서로 이격된 다수의 화소전극(29a)들이 분기되어 있다.
그리고, 상기 게이트배선(103)과 평행하게 이격되어 공통전극배선(105)이 배치되어 있다.
또한, 상기 다수의 화소전극(29a)들과 이격되어 대응하고 상기 데이터배선 (23)과 수평되는 다수 개의 공통전극(18a)을 구비한 공통전극연결라인(18)이 배치되고, 상기 공통전극배선(15)과 접속되어 있다.
여기서, 상기 드레인전극(123b)과 접속되는 화소전극배선(129) 부분은 그 아래의 공통전극배선(105) 부분과 오버랩되어져 제1 캐패시터(C1)를 형성한다. 또한, 상기 공통전극배선(105)은 일부 영역은 배선 폭이 좁게 형성되어 있어, 이 부분에서 화소전극배선(129)과 일정한 폭(W) 만큼의 갭을 형성하고 있다.
그리고, 상기 드레인전극(123b) 지역과 상기 공통전극배선(105)의 배선 폭이 좁게 형성되는 지역을 제외하고, 다시 일정 배선 폭을 유지하는 영역에서는 일부분이 화소전극배선(129)의 가장자리부와 오버랩되어져 보조 캐패시터로 사용되는 제2 캐패시터(C2)를 형성함으로써 공정 편차로 인해 스토리지 캐패시터의 용량이 작아지는 경우에 이러한 작아진 용량만큼 보상해 주는 역할을 한다.
한편, 본 발명의 다른 실시예로서, 도 6에 도시된 바와 같이, 공통전극배선 (105) 부분 중에서 좁은 폭을 가진 영역에서 화소전극배선(129)과 일정한 폭(W)만큼의 갭이 공정편차로 인해 화소전극배선이 이동되어져 그 폭이 다소 좁아지더라도 상기 공통전극배선(105)과 화소전극배선(129)이 오버랩되지 않게 된다.
따라서, 이와 같이 공통전극배선(105)과 화소전극배선(129)이 일정한 폭(W) 만큼의 갭을 유지하고 있음으로써 공정 편차가 생기더라도 캐패시터의 용량 변화는 없게 된다.
만일, 공정 편차로 인해 드레인전극(123b) 상부에 있는 화소전극배선(129) 일부분이 공통전극배선(105)과 오버랩되지 않게 되더라도 화소전극배선(129)의 가장자리부분이 상기 공통전극배선(105)의 타측 부분과 오버랩되어져 보조 캐패시터, 즉 제2 캐패시터(C2)를 형성시켜 주기 때문에 캐패시터 용량이 줄어 드는 것을 보 상해 준다.
한편, 상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법에 대해 도 7을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 7은 도 5의 Ⅶ-Ⅶ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 먼저 박막트랜지스터 어레이기판(101) 상에 게이트금속층을 증착한 후 이를 패터닝하여 게이트배선(미도시)과, 이 게이트배선에서 분기된 게이트전극(103a) 및, 이 게이트배선에서 평행하게 이격된 공통전극배선 (105)을 형성한다. 이때, 상기 공통전극배선(105) 일부 지역은 배선 폭이 좁게 형성되어 있다.
그 다음, 상기 어레이기판(101) 전면에 실리콘질화막 또는 실리콘산화막을 포함하는 무기 절연물질을 증착하여 게이트절연막(107)을 형성한 후 그 위에 액티브층(미도시)을 증착한다.
이어서, 상기 액티브층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트전극 (13a) 상부에 위치하는 게이트절연막(13a) 상에 액티브층패턴(109)을 형성한다.
그 다음, 상기 액티브층패턴(109)을 포함한 기판 전면에 도전물질을 증착하고 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 액티브층패턴(109) 상부에 데이터배선(123)과, 이 데이터배선(123)으로부터 분기된 소스전극(123a)과, 상기 소스전극(123a)으로부터 채널영역만큼 이격된 드레인전극(123b)을 형성한다.
이때, 상기 소스전극 (123a)은 상기 게이트배선(103)과 수직 교차되게 형성 되는 데이터배선(123)으로부터 분기되어 있다.
이어서, 상기 소스전극(123a) 및 드레인전극(123b)을 포함한 기판 전면에 절연물질을 증착하여 보호막(125)을 형성한다.
그 다음, 상기 보호막(125)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(123b) 일부와 상기 공통전극배선(105) 일부를 각각 노출시키는 제1, 2 콘택홀(127a, 127b)을 형성한다.
이어서, 상기 콘택홀(127)을 포함한 보호막(125) 상부에 투명도전물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 콘택홀(127)을 통해 상기 드레인전극 (123b)와 접속하는 화소전극배선(129)과 이 화소전극배선(129)으로부터 분기된 다수의 화소전극(129a)들을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(129a)들은 상기데이터배선(123)과 평행하게 배치되어 있다. 또한, 상기 화소전극배선(129) 형성시에 다수의 공통전극(미도시; 도 1의 "108a" 참조)을 구비한 공통전극연결라인 (108)도 함께 형성된다. 또한, 상기 공통전극연결라인(108)은 상기 제2 콘택홀 (127b)을 통해 상기 공통전극 배선(105)과 접속된다.
또한, 상기 드레인전극(123b)과 접속되고, 이 드레인전극(123b) 주위에 형성된 화소전극배선(129) 부분은 그 아래의 상기 공통전극배선(105) 부분과 오버랩되어져 제1 캐패시터(C1)를 형성한다. 그리고, 상기 공통전극배선(105)의 배선 폭이 좁은 지역은 상기 화소전극(129) 부분과 폭(W) 만큼의 갭을 유지한다.
더욱이, 상기 공통전극배선(105)의 타측 부분은 상기 화소전극배선(129)의 가장자리부와 일부가 오버랩되어져 보조 캐패시터 역할을 하는 제2 캐패시터(C2)를 형성한다. 즉, 공정편차가 좌우 방향으로 발생하는 경우에, 상기 화소전극배선 (129)의 가장자리부가 상기 공통전극배선(105)의 타측 부분과 오버랩되어져 제2 캐패시터(C2)를 형성한다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 화소전극배선과 오버랩되는 공통전극배선의 일부를 좁게 형성하여 그 좁게 형성된 부분에서 화소전극배선과 일정한 갭을 유지하도록 함으로써 제조공정시에 공정 편차가 발생하더라도 상기 일정한 갭에 의해 화소전극배선과 공통전극배선의 오버랩을 방지할 수 있으므로 스토리지 캐패시터 용량이 변화되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 상기 일정한 갭에 의해 화소전극배선과 공통전극배선의 오버랩을 방지할 수 있어 스토리지 캐패시터 (Cst) 용량이 변화되는 것을 방지할 수 있으므로, 패널의 차징(charging)/홀딩 (holding) 특성을 그대로 유지함으로 인해 패널의 품질 향상에 기여할 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였 으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형 예 및 변경 예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치 구조를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 "A"부를 확대한 평면도로서, 화소전극배선과 공통전극배선의 오버랩된 구조를 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 "B"부를 확대한 평면도로서, 화소전극배선과 공통전극배선 간의 갭을 확대 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 4의 "B"부를 확대한 평면도로서, 화소전극배선과 공통전극배선 간의 갭을 확대 도시한 평면도이다.
도 7은 도 5의 Ⅶ-Ⅶ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요 부부분에 대한 부호 설명 *
101 : 박막트랜지스터 어레이기판 103 : 게이트배선
103a : 게이트전극 105 : 공통전극배선
107 : 게이트절연막 108 : 공통전극연결라인
108a : 공통전극 109 : 액티브층패턴
123 : 데이트배선 123a : 소스전극
123b : 드레인전극 125 : 보호막
127a, 127b : 제1, 2 콘택홀 129 : 화소전극배선
129a : 화소전극

Claims (8)

  1. 박막 트랜지스터 어레이기판 상에 형성되고, 수직 교차되게 배열된 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선;
    상기 게이트배선에서 분기된 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 상기 데이터배선에서 분기된 소스전극과, 이 소스전극과 채널영역만큼 이격된 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터;
    상기 게이트배선과 평행하게 이격되어 배치되고, 좁은 배선 폭을 가진 지역을 포함하는 공통전극배선; 및
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접속되고, 상기 드레인 전극과 접속되는 부분은 상기 공통전극배선과 오버랩되어 캐패시터를 이루며, 상기 공통전극배선의 좁은 배선 폭의 지역과는 일정 간격을 두고 이격되어 있는 화소전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제1 항에 있어서, 화소전극배선은 다수 개의 분기된 화소전극들을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 화소전극배선 형성시에 상기 공통전극배선과 연결되고, 다수 개의 분기된 공통전극들을 구비한 공통전극연결라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 화소전극배선의 가장자리부는 상기 공통전극배선의 일부분과 오버랩되어 보조 캐패시터가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 박막 트랜지스터 어레이기판 상에 게이트배선과 이 게이트배선으로부터 분기된 게이트전극 및 이 게이트배선과 평행하게 이격되고 배선 폭이 좁은 영역을 구비한 공통전극배선을 형성하는 단계;
    상기 어레이기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극이 위치한 게이트절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 액티브층 상에 상기 게이트배선과 수직 교차되게 배치되는 데이터배선과 이 데이터배선으로부터 분기된 소스전극 및 이 소스전극과 채널영역만큼 이격된 드레인전극을 형성하는 단계;
    상기 소스전극과 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막에 상기 드레인전극과 함께 상기 공통전극배선 일부분을 노출시키는 제1, 2 콘택홀을 각각 형성하는 단계;
    상기 보호막 상에 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접속되며, 상기 드레인 전극과 접속되는 부분은 상기 공통전극배선과 오버랩되어 캐패시터를 이루며, 상기 공통전극배선의 배선 폭이 좁은 영역과는 일정 간격을 두고 이격되는 화소전극배선과 함께 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 공통전극배선과 접속하는 공통전극연결라인을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 화소전극배선과 공통전극연결라인은 각각 다수 개의 분기된 화소전극들과 공통전극들을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 화소전극배선 형성시에 상기 공통전극배선과 연결되고, 다수 개의 분기된 공통전극들을 구비한 공통전극연결라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  8. 제5 항에 있어서, 상기 화소전극배선의 가장자리부는 상기 공통전극배선의 일부분과 오버랩되어 보조 캐패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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