KR101682520B1 - Inspection apparatus and method - Google Patents

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Abstract

Proposed are an apparatus and a method for inspecting an object to be processed, for variously inspecting defects of the object in one apparatus when the defects of the object is inspected, which includes: a support unit for supporting an object to be processed; a removing unit arranged at an upper side of the support unit to remove a portion of a film formed at an upper part of the object by using a laser beam; an inspecting unit arranged at the upper side of the support unit to transmit and receive a signal by making contact to a device of the object; an optical arranged at the upper side of the support unit and toward the inspecting unit to observe the inspecting unit; and a control unit for controlling a movement of the inspecting unit by using an image observed at the optical unit.

Description

검사장치 및 피처리물 검사방법{Inspection apparatus and method}[0001] DESCRIPTION [0002] Inspection apparatus and method [

본 발명은 검사장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 피처리물의 결함을 검사함에 있어 하나의 장치에서 피처리물의 결함을 다양하게 검사할 수 있는 검사장치 및 이에 적용되는 피처리물 검사방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection apparatus, and more particularly, to an inspection apparatus capable of variously inspecting defects of an object to be treated in a single apparatus in inspecting defects of the object to be processed, .

액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)나 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등의 평판표시장치는 서로 대향되는 하부 기판과 상부 기판을 구비하고, 이들 사이에는 액정층이나 유기물층 등이 충진된다. 하부 기판에는 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인이 매트릭스 구조로 형성되며, 이들 사이에는 복수개의 화소가 형성된다. 화소를 개별 구동하기 위하여 각 화소마다 박막 트랜지스터 등의 동작 소자 예컨대 스위칭 소자가 형성된다.BACKGROUND ART A flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting display (OLED) has a lower substrate and an upper substrate facing each other. A liquid crystal layer, an organic layer, Lt; / RTI > In the lower substrate, a plurality of gate lines and data lines are formed in a matrix structure, and a plurality of pixels are formed therebetween. In order to individually drive the pixels, an operation element such as a thin film transistor, for example, a switching element is formed for each pixel.

한편, 평판표시장치를 제조하는 과정 중에, 하부 기판의 화소, 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등에 이물이 부착되거나 단락 또는 단선되는 등의 각종 결함이 생성되면, 해당 화소가 정상 동작하지 않는다. 따라서, 평판표시장치의 하부 기판에 복수개의 화소, 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터 등이 형성되면, 하부 기판의 결함을 검사하여, 확인되는 결함을 리페어하는 일련의 과정을 실시한다.On the other hand, if various defects such as a foreign matter adhering to a pixel, a gate line, a data line, a thin film transistor, or the like are generated during the process of manufacturing the flat panel display, the corresponding pixel does not operate normally. Accordingly, when a plurality of pixels, a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like are formed on a lower substrate of a flat panel display, a defect of the lower substrate is inspected and a series of processes of repairing the confirmed defect is performed.

종래에는 기판의 결함을 검사하는 다양한 과정이 하나의 장치가 아니라 서로 다른 각각의 장치에서 실시하였고, 이에 공정의 효율이 저하되어 전체 공정의 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.Conventionally, various processes for inspecting defects of a substrate have been performed in different apparatuses instead of one apparatus, and the efficiency of the process has been lowered, thereby lowering the productivity of the entire process.

KRKR 10-2015-004275910-2015-0042759 AA KRKR 10-2004-010401510-2004-0104015 AA

본 발명은 하나의 장치에서 피처리물의 결함을 다양한 방식으로 검사할 수 있는 검사장치 및 피처리물 검사방법을 제공한다.The present invention provides an inspection apparatus and a method for inspecting an object to be inspected, which can inspect defects of an object to be processed in various apparatuses in one apparatus.

본 발명은 피처리물의 다양한 결함 정보를 동시에 또는 순서대로 생성하여 분류 및 저장할 수 있는 검사장치 및 피처리물 검사방법을 제공한다.The present invention provides an inspection apparatus and a method for inspecting an object to be inspected, which can generate and classify and store various defect information of an object to be processed simultaneously or sequentially.

본 발명의 실시 형태에 따른 검사장치는 피처리물을 지지 가능하도록 형성되는 지지부; 상기 지지부의 상측에 배치되고, 레이저 빔을 이용하여 상기 피처리물의 상부에 형성된 막의 일부를 선택적으로 제거 가능한 제거부; 상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 피처리물의 소자에 접촉하여 신호를 송수신 가능하도록 형성되는 검사부; 상기 지지부의 상측에서 상기 검사부를 향하여 배치되어 상기 검사부를 관찰 가능한 광학부; 및 상기 광학부에서 관찰되는 이미지를 이용하여 상기 검사부의 이동을 제어 가능하도록 형성되는 제어부;를 포함한다.An inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support portion configured to support an object to be processed; A remover disposed above the support and capable of selectively removing a portion of the film formed on the object using the laser beam; An inspection unit disposed above the support unit and configured to be able to transmit and receive a signal in contact with the element of the object to be processed; An optical unit disposed above the supporting unit toward the inspection unit and observing the inspection unit; And a control unit configured to control the movement of the inspection unit using an image observed by the optical unit.

상기 지지부의 상측에 배치되며, 전자빔을 이용하여 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성 가능한 제1관찰부; 및 상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 제1관찰부보다 낮은 배율로 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 생성 가능한 제2관찰부;를 포함할 수 있다.A first observation unit disposed above the support unit and capable of generating at least one of image information and component information of the object using an electron beam; And a second observation unit disposed above the support unit and capable of generating three-dimensional image information of the object to be processed at a lower magnification than the first observation unit.

상부에 상기 지지부가 위치하는 테이블; 및 상기 테이블에 설치되며, 상기 제거부, 검사부, 광학부, 제1관찰부 및 제2관찰부가 장착되어 지지되는 장착부;를 포함할 수 있다.A table on which the support portion is located; And a mounting part installed on the table, wherein the removing part, the inspection part, the optical part, the first observation part and the second observation part are mounted and supported.

상기 검사부는 상기 지지부를 향하여 하향 경사지게 배치되는 복수개의 프로브를 구비할 수 있다.The inspection unit may include a plurality of probes arranged to be inclined downward toward the support unit.

상기 제어부는, 상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하고, 상기 프로브의 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브와 상기 피처리물의 접촉 여부를 판단하며, 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 동작 제어부;를 포함할 수 있다.The controller generates end coordinates of the probe from the image of the probe observed by the optical unit, determines whether or not the probe and the object to be processed are in contact with each other by comparing the end coordinates of the probe with the reference coordinates, And an operation controller for controlling the movement of the probe using the probe.

상기 제어부는 상기 제1관찰부 및 제2관찰부에서 생성되는 정보들과, 상기 검사부의 검사 결과 정보를 입력받아 분류하는 수집부; 및 상기 수집부에서 분류되는 정보들을 입력받아 저장하는 저장부;를 포함할 수 있다.Wherein the control unit comprises: a collecting unit for receiving information generated by the first observation unit and the second observation unit; And a storage unit for receiving and storing information classified by the collecting unit.

상기 제1관찰부는, 내부에 진공이 형성되는 컬럼; 상기 피처리물에 전자빔을 방출 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 전자빔 방출기; 및 상기 피처리물로부터 방출되는 전자 및 X선 중 적어도 하나의 신호를 획득 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 신호 검출기;를 포함할 수 있다.Wherein the first observation portion includes: a column in which a vacuum is formed; An electron beam emitter formed inside the column to emit an electron beam to the object to be processed; And a signal detector formed inside the column to obtain at least one of an electron and an X-ray emitted from the object to be processed.

본 발명의 실시 형태에 따른 피처리물 검사방법은 검사 영역이 확인된 피처리물을 마련하는 과정; 상기 피처리물에 레이저 빔을 조사하여 상기 검사 영역의 동작 소자 또는 상기 검사 영역에 연결된 동작 소자의 적어도 일부를 노출시키는 과정; 상기 노출 위치에 프로브를 접촉시키는 과정; 및 상기 프로브를 통하여 상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정;을 포함한다.A method for inspecting an object to be processed according to an embodiment of the present invention includes the steps of: preparing an object to be inspected having an inspection region; Irradiating the object with a laser beam to expose at least a part of the operation element of the inspection area or the operation element connected to the inspection area; Contacting the probe to the exposed position; And checking the operation of the operating element through the probe.

상기 프로브를 접촉시키는 과정은, 상기 노출 위치로 프로브를 이동시키는 과정; 상기 프로브의 움직임을 광학부로 관찰하는 과정; 상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하는 과정; 상기 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브의 접촉 여부를 판단하는 과정; 및 상기 접촉 여부의 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 과정;을 포함할 수 있다.The step of contacting the probe includes: moving the probe to the exposure position; Observing the motion of the probe with an optical unit; Generating an end coordinate of the probe from the image of the probe observed in the optical unit; Determining whether the probe is in contact with the end coordinates and the reference coordinates; And controlling movement of the probe using the result of the contact determination.

상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정은, 상기 프로브로 상기 동작 소자와 신호를 직접 송수신하며 상기 동작 소자의 동작 여부를 검사하는 과정;을 포함할 수 있다.The step of checking the operation of the operating element may include a step of directly transmitting and receiving a signal to and from the operating element with the probe and checking whether the operating element is operating.

상기 피처리물을 마련하는 과정 이전에, 상기 피처리물을 관찰하여 결함이 있는 검사 영역을 확인하는 과정;을 포함할 수 있다.And checking the defective inspection area by observing the object to be treated prior to the process of preparing the object.

상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 상기 검사 영역으로 전자빔을 방출하는 과정; 상기 전자빔에 의해 상기 검사 영역에서 방출되는 신호를 수집하는 과정; 및 상기 신호를 이용하여 상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 포함하는 결함 정보를 생성하는 과정;을 포함할 수 있다.Emitting the electron beam to the inspection region after the process of preparing the object to be processed; Collecting a signal emitted from the inspection region by the electron beam; And generating defect information including at least one of image information and component information of the object to be processed in the inspection region using the signal.

상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 결함 정보로 생성하는 과정;을 포함할 수 있다.And generating three-dimensional image information of the object to be inspected in the inspection region as defect information after the process of preparing the object to be processed.

상기 검사 영역에서의 결함 정보 및 상기 동작 소자의 검사 결과 중 적어도 하나를 입력받아 분류하고 저장하는 과정;을 포함할 수 있다.And receiving and classifying at least one of the defect information in the inspection area and the inspection result of the operating device.

저장된 결함 정보를 이용하여 결함을 리페어하는 과정 및 저장된 결함 정보를 이용하여 결함 생성 공정을 추적하고 개선하는 과정 중 적어도 하나의 과정을 포함할 수 있다.A process of repairing a defect using stored defect information, and a process of tracking and improving a defect generation process using stored defect information.

본 발명의 실시 형태에 따르면 하나의 장치에서 피처리물의 결함을 다양한 방식으로 검사할 수 있고, 피처리물의 다양한 결함 정보를 동시에 또는 순서대로 생성하여 분류 및 저장할 수 있어, 전체 공정의 효율 및 생산성이 향상될 수 있다. 또한, 저장된 결함 정보는 결함을 리페어하는 과정에 활용될 수 있고, 결함의 원인 공정을 추적하여 개선하는 과정에 활용될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to inspect defects of the object to be treated in various ways in one apparatus, and various defect information of the object to be processed can be simultaneously generated or generated in order and classified and stored. Can be improved. In addition, the stored defect information can be utilized in a process of repairing a defect, and can be utilized in a process of tracking and improving the cause of a defect.

예컨대 각종 표시장치를 제조하는 공정에 적용되는 경우, 기판의 결함 영역의 이미지 정보, 성분 정보, 3차원 이미지 정보 및 결함 영역의 소자나 결함 영역에 연결된 소자의 동작 여부를 하나의 장치에서 동시에 또는 연속적으로 검사할 수 있다. 이때, 소자의 동작 여부는 소자와 신호를 직접 송수신하며 보다 정확하게 검사 가능하다.For example, when the present invention is applied to a process for manufacturing various display devices, image information, component information, three-dimensional image information of a defective area of a substrate, and whether an element connected to a defective area or a defective area are operated simultaneously or continuously . At this time, whether or not the device operates can directly transmit and receive the device and the signal, and can be more accurately inspected.

기존 검사 장치들의 경우에는, 인 라인 공정 중 검사를 원하는 소자 하나 하나의 전기적 트랜지스터 특성(Id-Vg graph)을 검사할 수 있는 장치가 없었고, 셀 외곽의 트랜지스터 특성 검사 패턴을 검사하여 셀의 특성을 간접적으로 확인하거나 소자의 오픈(Open) 또는 쇼트(Short) 등의 여부 정도만을 확인할 수 있었다. 반면, 본 발명의 실시 형태에 따른 검사장치를 활용하면, 각 소자의 트랜지스터 특성을 정확히 확인할 수 있기 때문에, 오픈(Open)이나 쇼트(Short) 등의 여부뿐만 아니라 Vth Shift나 Ioff Shift 등의 적기적 소자 특성의 미세한 변화까지 검사가 가능하다.In the case of existing test devices, there was no device capable of inspecting the electrical transistor characteristics (I d -V g graph) of each of the devices that are to be inspected during the in-line process, It was possible to confirm the characteristics indirectly or only whether the device was open or shorted. On the other hand, when the inspection apparatus according to the embodiment of the present invention is used, since the transistor characteristics of each element can be accurately checked, it is possible to determine whether the V th shift or I off shift It is possible to inspect even minute changes in the characteristics of the device.

따라서, 검사의 효율이 향상될 수 있으며, 생성되는 결함 정보를 분류하고 저장하여 데이터베이스화시킬 수 있다. 또한, 결함 정보를 활용하여 결함의 리페어를 효율적으로 실시할 수 있고, 결함의 원인 공정을 추적하여 개선할 수 있다. 이로부터 전체 공정의 효율과 생산성이 종래보다 현저하게 향상될 수 있다.Therefore, the efficiency of inspection can be improved, and the generated defect information can be classified, stored, and converted into a database. In addition, it is possible to efficiently repair the defects by utilizing the defect information, and to track and improve the cause of the defect. From this, the efficiency and the productivity of the entire process can be remarkably improved.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치를 설명하기 위한 도면.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법을 설명하기 위한 도면.1 and 2 are views for explaining a testing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 to 5 are diagrams for explaining a method of inspecting an object to be processed according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장되거나 확대될 수 있으며, 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in various forms. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The drawings may be exaggerated or enlarged to illustrate embodiments of the invention, wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치를 도시한 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치의 검사부를 도시한 부분 확대도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 실시 예가 적용되는 피처리물을 도시한 개략도이며, 도 4는 본 발명의 실시 예가 적용되는 피처리물의 동작을 검사하는 과정을 도시한 모식도이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법을 도시한 순서도이다.FIG. 1 is a schematic view showing an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially enlarged view showing an inspection unit of an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a schematic diagram showing a process of inspecting an operation of an object to be processed to which an embodiment of the present invention is applied, FIG. 3 is a flowchart showing a method of inspecting a material to be inspected according to an embodiment of the present invention. FIG.

먼저, 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 제1축, 제2축 및 제3축을 다음과 같이 정의한다. 제1축은 시료가 지지되는 소정의 면과 평행한 기준 평면 상에서 일 방향으로 연장되는 축일 수 있으며, 이를 x축으로 정의한다. 제2축은 상기의 기준 평면 상에서 일 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 축일 수 있으며, 이를 y축으로 정의한다. 제3축은 상기의 기준 평면에 교차하는 방향으로 연장되는 축일 수 있으며, 이를 z축으로 정의한다. 물론, 상기한 축의 정의는 본 발명의 설명을 위한 것이며 제한을 위한 것이 아니다. 따라서, 제1축 내지 제3축은 다양하게 변경될 수 있다.First, to describe the embodiment of the present invention, the first axis, the second axis and the third axis are defined as follows. The first axis may be an axis extending in one direction on a reference plane parallel to a predetermined plane on which the sample is supported, and is defined as an x-axis. The second axis may be an axis extending in a direction intersecting with one direction on the reference plane, and is defined as a y-axis. The third axis may be an axis extending in a direction crossing the reference plane, which is defined as a z-axis. Of course, the definitions of the above axes are for the purpose of illustration of the present invention and are not intended to be limiting. Accordingly, the first axis to the third axis can be variously changed.

다음으로, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치를 설명한다. 검사장치는 피처리물(10)의 결함을 검사하는 장치로서, 지지부(200), 제거부(400), 검사부(500), 광학부(600) 및 제어부(900)를 포함하고, 테이블(100), 장착부(300), 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)를 더 포함할 수 있다. 검사장치는 하나의 장치에서 다양한 방식으로 피처리물(10)의 결함을 검사할 수 있으며, 피처리물(10)의 다양한 결함 정보를 동시에 또는 순서대로 생성하여 분류 및 저장할 수 있다. 저장된 결함 정보는 후속하여 결함을 리페어하는 공정에서 활용될 수 있고, 결함이 발생된 공정의 추적 및 개선에 활용될 수 있다.Next, a testing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig. The inspection apparatus is an apparatus for inspecting defects of an object to be processed 10 and includes a support unit 200, a removal unit 400, an inspection unit 500, an optical unit 600 and a control unit 900, , A mounting portion 300, a first observation portion 700, and a second observation portion 800. [ The inspection apparatus can inspect the defects of the object 10 in various ways in one apparatus and can generate and classify and store various defect information of the object 10 simultaneously or in sequence. The stored defect information can subsequently be utilized in the defect repairing process and can be used for tracking and improving the defective process.

피처리물(10)은 액정표시장치의 하부 기판일 수 있고, 피처리물(10)의 상부에는 복수개의 게이트 라인(a), 데이터 라인(b)이 매트릭스 구조로 형성될 수 있으며, 이들 사이에는 화소(c)가 형성될 수 있다. 각 화소(c)를 개별 구동하기 위하여 각 화소(c)에는 동작 소자(A)로서 예컨대 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다. 물론, 피처리물(10)은 상기한 바에 한정하지 않으며, LCD, OLED 및 LED 등을 포함하는 각종 표시장치나 태양전지 또는 반도체 칩 등이 제조되는 공정에서, 각종 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 종료된 웨이퍼 또는 유리 패널일 수 있다.The object to be processed 10 may be a lower substrate of a liquid crystal display device and a plurality of gate lines a and data lines b may be formed in a matrix structure on an upper side of the object 10, The pixel c may be formed. In order to individually drive each pixel c, for example, a thin film transistor may be formed as an operating element A in each pixel c. Of course, the object to be processed 10 is not limited to the above, and a process of manufacturing various electronic devices in a process of manufacturing various display devices including a LCD, an OLED, and an LED, a solar cell, Or may be a wafer or a glass panel.

테이블(100)은 평판 형상으로 형성되는 상부면을 구비하는 예컨대 소정 두께 및 면적의 블록일 수 있다. 테이블(100)은 검사장치의 구조를 안정적으로 지지하는 역할을 한다. 테이블(100)의 상부면에는 지지부(200)가 위치할 수 있다.The table 100 may be a block having a predetermined thickness and area, for example, having a top surface formed in a flat plate shape. The table 100 serves to stably support the structure of the inspection apparatus. The support portion 200 may be positioned on the upper surface of the table 100.

지지부(200)는 피처리물(10)를 지지 가능하도록 형성될 수 있고, 예를 들어, 피처리물(10)이 지지될 수 있는 소정 형상 및 크기의 지지면을 구비하는 판 타입의 스테이지일 수 있다. 지지부(200)에는 리프트 핀(미도시)이나 진공 척(미도시) 등이 구비되어 피처리물(10)를 안정적으로 지지할 수 있으며, 클램핑 수단(미도시)이 구비되어 피처리물(10)를 제1축 방향 및 제2축 방향으로 정해진 위치에 정확하게 정렬시킬 수 있다. 지지부(200)는 테이블(100)의 상부면에 설치되어 위치가 고정되거나, 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있다.The supporting portion 200 may be formed to support the object 10 and may be a plate type stage having a supporting surface of a predetermined shape and size capable of supporting the object to be processed 10, . The supporting part 200 is provided with a lift pin (not shown) or a vacuum chuck (not shown) to stably support the object 10 and clamping means (not shown) Can be accurately aligned to the positions defined by the first axial direction and the second axial direction. The support part 200 may be installed on the upper surface of the table 100 and may be fixed on the upper surface of the table 100 so as to be movable in the first axis direction, the second axis direction and the third axis direction .

장착부(300)는 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있다. 장착부(300)에는 제거부(400), 검사부(500), 광학부(600), 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)가 장착되어 지지될 수 있다. 장착부(300)는 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되어 테이블(100)의 상부면에 설치되거나, 제1축 방향 및 제2축 방향으로 이동 가능하도록 형성되어 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있고, 또는, 테이블(100)의 상부면에 설치되어 위치가 고정될 수 있다. 한편, 장착부(300)가 제1축 방향 및 제2축 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 경우 제3축 방향으로의 이동은 지지부(200)에서 제어하도록 구성될 수 있다.The mounting portion 300 may be installed on the upper surface of the table 100. The removal unit 400, the inspection unit 500, the optical unit 600, the first observation unit 700, and the second observation unit 800 may be mounted and supported on the mounting unit 300. The mounting portion 300 may be formed to be movable in the first axis direction, the second axis direction, and the third axis direction and may be provided on the upper surface of the table 100 or may be formed to be movable in the first axis direction and the second axis direction. And may be installed on the upper surface of the table 100 or may be installed on the upper surface of the table 100 and fixed in position. Meanwhile, when the mounting portion 300 is formed to be movable in the first axis direction and the second axis direction, the movement in the third axis direction may be controlled by the support portion 200. [

예를 들어, 지지부(200)가 테이블(100)의 상부면에 설치되어 그 위치가 고정되면, 장착부(300)는 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되어, 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있다.For example, when the support portion 200 is installed on the upper surface of the table 100 and its position is fixed, the mounting portion 300 is formed to be movable in the first axis direction, the second axis direction, and the third axis direction And may be installed on the upper surface of the table 100.

반면에, 지지부(200)가 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 테이블(100)의 상부면에 설치되면, 장착부(300)는 테이블(100)의 상부면에 설치되어 그 위치가 고정될 수 있다. 물론, 상기한 방식은 지지부(200) 및 장착부(300)를 서로에 대하여 상대 이동시키기 위한 예시일 뿐이다. 상기한 방식 외에도 지지부(200) 및 장착부(300)를 서로에 대하여 상대 이동시키기 위한 어떠한 방식이 적용되어도 무방하다.On the other hand, when the support portion 200 is installed on the upper surface of the table 100 so as to be movable in the first axial direction, the second axial direction and the third axial direction, the mounting portion 300 is provided on the upper surface of the table 100 And its position can be fixed. Of course, the above-described method is only an example for relatively moving the support part 200 and the mounting part 300 relative to each other. In addition to the above-described method, any method for relatively moving the support part 200 and the mounting part 300 relative to each other may be applied.

장착부(300)는 제1축 부재(310), 제2축 부재(320), 이동블록(330) 및 제3축 부재(340)를 포함할 수 있다. 제1축 부재(310)는 제1축 방향으로 연장 형성되며, 제2축 방향으로 서로 이격되어 제2축 방향으로의 테이블(100)의 양측 가장자리에 설치될 수 있다. 제1축 부재(310)는 제2축 부재(320)를 제1축 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 제2축부재(320)는 제2축 방향으로 연장 형성되고, 제1축부재(310)의 상부에서 양측 단부가 제1축부재(310)에 각각 장착될 수 있다. 제2축부재(320)는 이동블록(330)을 제2축 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 이동블록(330)은 복수개 구비되며, 제2축 방향으로 이동 가능하도록 제2축부재(320)에 장착될 수 있다.The mounting portion 300 may include a first shaft member 310, a second shaft member 320, a moving block 330, and a third shaft member 340. The first shaft members 310 may extend in the first axis direction and may be installed at both side edges of the table 100 in the second axis direction away from each other in the second axis direction. The first shaft member 310 serves to move the second shaft member 320 in the first axial direction. The second shaft member 320 may extend in the second axial direction, and both end portions of the first shaft member 310 may be mounted on the first shaft member 310, respectively. The second shaft member 320 serves to move the moving block 330 in the second axial direction. A plurality of moving blocks 330 are provided, and may be mounted on the second shaft member 320 so as to be movable in the second axial direction.

제3축부재(340)는 제3축 방향으로 연장되어 형성되며, 복수개 구비되어 이동블록(330)에 각각 장착될 수 있다. 제3축부재(340)에는 검사부(500), 광학부(600), 제1관찰부(700), 제2관찰부(800)가 각각 장착된다. 제3축부재(340)의 형상은 다양하게 변경될 수 있고, 복수개의 제3축부재(340) 중 어느 하나는 판 타입으로 형성되어 검사부(500) 및 광학부(600)가 용이하게 장착될 수 있다. 제3축부재(340)는 검사부(500), 광학부(600), 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)를 제3축 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 한편, 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로의 이동을 위한 제1축부재(310), 제2축부재(320), 이동블록(330) 및 제3축부재(340) 각각의 세부 구조 및 방식에는 예컨대 리니어 모터의 구조 및 방식이 적용될 수 있다.The third shaft member 340 is formed to extend in the third axial direction and may be mounted to the moving block 330, respectively. The inspection unit 500, the optical unit 600, the first observation unit 700, and the second observation unit 800 are mounted on the third shaft member 340, respectively. The shape of the third shaft member 340 can be variously changed and any one of the plurality of third shaft members 340 is formed in a plate type so that the inspection unit 500 and the optical unit 600 can be easily mounted . The third shaft member 340 serves to move the inspection unit 500, the optical unit 600, the first observation unit 700, and the second observation unit 800 in the third axis direction. The first shaft member 310, the second shaft member 320, the moving block 330, and the third shaft member 340 for movement in the first axial direction, the second axial direction, and the third axial direction, For example, the structure and the manner of the linear motor can be applied to each of the detailed structures and methods.

제거부(400)는 지지부(200)의 상측에 배치되며, 예컨대 제2축부재(320)에 제2축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 제거부(400)는 레이저 빔을 이용하여 피처리물(10)의 상부에 형성된 막의 일부를 선택적으로 제거 가능하도록 형성될 수 있다. 예컨대 제거부(400)는 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 발진기(미도시)와, 파장에 맞는 레이저 빔을 통과시키거나 차단해주는 파장 셔터(미도시)와, 레이저 빔의 파워를 조절해 줄 수 있는 감쇠기(미도시)와, 레이저 빔을 편광 시켜 줄 수 있는 편광기(미도시)와, 레이저 빔의 초점을 형성하는 빔 스플리터(미도시)를 구비할 수 있다. 제거부(400)는 피처리물(10)의 선택 가공될 막(레이어)의 두께와 성분 정보 등을 고려하여 레이저 빔의 파워, 파장, 가공 방식 등의 공정 파라미터를 수립하고 레시피와 시켜 자동 작업이 되도록 하는 방식으로, 피처리물(10)의 상부에 형성된 복수의 막 중 원하는 막을 선택적으로 제거할 수 있다. 제거부(400)의 상기의 구성은 제거부(400)를 설명하기 위한 하나의 예시이며, 제거부(400)의 구성은 레이저 빔의 종류와 파장 영역 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The removing unit 400 is disposed on the upper side of the support unit 200 and can be mounted on the second shaft member 320 so as to be movable in the second axis direction. The removing unit 400 may be formed to selectively remove a part of the film formed on the object 10 using the laser beam. For example, the remover 400 includes a laser beam oscillator (not shown) for irradiating a laser beam, a wavelength shutter (not shown) for passing or blocking a laser beam corresponding to the wavelength, (Not shown) for polarizing the laser beam, a polarizer (not shown) for polarizing the laser beam, and a beam splitter (not shown) for forming the focus of the laser beam. The removal unit 400 establishes process parameters such as the laser beam power, wavelength, and processing method in consideration of the thickness and component information of the film to be processed of the material to be processed 10, It is possible to selectively remove a desired film from among a plurality of films formed on the upper side of the object to be processed 10. The configuration of the removing unit 400 is one example for explaining the removing unit 400, and the configuration of the removing unit 400 may be variously changed according to the type of the laser beam, the wavelength range, and the like.

검사부(500)는 지지부(200)의 상측에 배치되며, 예컨대 판 타입의 제3축부재에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 검사부(500)는 피처리물(10)의 소자에 접촉하여 신호를 송수신 가능하도록 형성될 수 있다.The inspection part 500 is disposed on the upper side of the support part 200 and can be mounted on the third shaft member of the plate type so as to be movable in the third axial direction. The inspection unit 500 can be formed to be able to transmit and receive signals in contact with elements of the object 10 to be processed.

검사부(500)는 검사부몸체(510), 프로브블록(520) 및 프로브(530)를 포함할 수 있다. 검사부몸체(510)는 복수개 구비되며, 제2축 방향으로 서로 이격되어 제3축부재에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 검사부몸체(510)의 상부는 블록 형상으로 형성되며, 하부는 프로브블록(520)이 장착 가능하도록 판의 형상으로 형성될 수 있다. 복수개의 검사부몸체 중 어느 하나(510a)에는 예컨대 두 개의 프로브블록(520)이 장착될 수 있고, 복수개의 검사부몸체 중 나머지(510b)에는 하나의 프로브블록(520)이 장착될 수 있다. 프로브블록(520)은 복수개 구비되어 방사상으로 배치되며, 제1축 방향 및 제2축 방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 이동 가능하도록 검사부몸체(510)의 하부에 장착될 수 있다. 프로브(530)는 지지부(200)를 향하여 하향 경사지게 배치되도록 프로브블록(520)에 장착될 수 있다. 프로브(530)는 복수개 구비되며 예컨대 본 발명의 실시 예에서는 세 개 구비되어 서로 이격 배치될 수 있다. 물론 프로브(530)의 개수는 프로브(530)가 접촉되는 동작 소자(A)의 전극 개수에 대응하여 다양하게 변경될 수 있다.The inspection unit 500 may include an inspection unit body 510, a probe block 520, and a probe 530. A plurality of inspection unit bodies 510 may be mounted to the third shaft member so as to be movable in the third axis direction. The upper portion of the inspection body 510 may be formed in a block shape and the lower portion may be formed in a plate shape so that the probe block 520 can be mounted. For example, two probe blocks 520 may be mounted on any one of the plurality of inspection unit bodies 510a, and one probe block 520 may be mounted on the remaining 510b of the plurality of inspection unit bodies. A plurality of probe blocks 520 are disposed radially and may be mounted on the lower portion of the examination unit body 510 so as to be movable in at least one of a first axis direction and a second axis direction. The probe 530 may be mounted on the probe block 520 so as to be inclined downward toward the support part 200. A plurality of probes 530 may be provided, for example, three probes 530 may be spaced apart from each other. Of course, the number of probes 530 can be variously changed corresponding to the number of electrodes of the operation element A to which the probes 530 are contacted.

광학부(600)는 지지부(200)의 상측에서 검사부(500)를 향하여 배치될 수 있고, 예컨대 프로브(530)의 단부가 모여있는 위치의 상측으로 정렬되도록 배치될 수 있다. 광학부(600)는 검사부(500)의 이동을 관찰하는 역할을 하며, 예컨대 광학 현미경 또는 이미지 센서일 수 있다. 광학부(600)가 검사부(500)의 이동을 관찰하는 방식은 다음과 같다. 예를 들어, 검사하고자 하는 피처리물(10)의 동작 소자(A)에 광학부(600)의 초점을 형성한다. 프로브(530)가 동작 소자(A)에 접촉하기 위하여 제3축 방향으로 이동하며 동작 소자(A)에 수㎛ 거리 예컨대 3㎛ 내지 5㎛의 거리로 접근하면, 광학부(600)의 초점이 프로브(530)로 전환된다. 프로브(530)로 초점이 전환되면, 관찰되는 이미지를 제어부(900)로 전달하여 프로브(530)의 단부 좌표 생성에 활용한다.The optical unit 600 may be disposed on the upper side of the support unit 200 toward the inspection unit 500 and may be disposed on the upper side of the position where the ends of the probes 530 are gathered, for example. The optical unit 600 serves to observe the movement of the inspection unit 500 and may be, for example, an optical microscope or an image sensor. The manner in which the optical unit 600 observes the movement of the inspection unit 500 is as follows. For example, the focus of the optical part 600 is formed on the operating element A of the object 10 to be inspected. When the probe 530 moves in the third axial direction to contact the operating element A and approaches the operating element A at a distance of several micrometers, e.g., 3 占 퐉 to 5 占 퐉, the focal point of the optical part 600 The probe 530 is switched. When the focus is switched to the probe 530, the observed image is transmitted to the controller 900 and used for generating the end coordinates of the probe 530. [

제1관찰부(700)는 지지부(200)의 상측에 배치되되, 제3축부재(340)에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 제1관찰부(700)는 전자빔을 이용하여 피처리물(10)의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성 가능하도록 형성될 수 있고, 컬럼(710), 전자빔 방출기(720), 신호 검출기(730), 홀더(740) 및 투과창(750)을 포함할 수 있다.The first observation unit 700 is disposed on the upper side of the support unit 200 and can be mounted on the third shaft member 340 so as to be movable in the third axis direction. The first observation unit 700 may be configured to generate at least one of image information and component information of the object 10 to be processed using an electron beam and includes a column 710, an electron beam emitter 720, a signal detector 730 ), A holder 740, and a transmission window 750.

컬럼(710)은 제3축 방향으로 연장되고 내부에 소정의 진공이 형성되며, 일측에 전자빔 투과부가 형성될 수 있다. 컬럼(710)의 내부는 전자빔의 발생과 가속이 가능하도록 소정의 진공으로 제어될 수 있다. 전자빔 방출기(720)는 피처리물(10)에 전자빔을 방출 가능하도록 컬럼(710) 내부에 형성될 수 있다. 전자빔 방출기(720)는 컬럼(710)의 전자빔 투과부 측으로 전자를 방출하는 전자 방출수단(721), 전자 방출수단(721)에서 방출되는 전자를 빔의 형상으로 집속하며 컬럼(710)의 전자빔 투과부 측으로 가속시키는 렌즈 모듈(722)을 포함할 수 있다.The column 710 extends in the third axis direction, and a predetermined vacuum is formed therein, and an electron beam transmitting portion may be formed on one side. The inside of the column 710 can be controlled to a predetermined vacuum so that the electron beam can be generated and accelerated. The electron beam emitter 720 may be formed inside the column 710 to emit an electron beam to the article 10 to be processed. The electron beam emitter 720 includes electron emitting means 721 for emitting electrons to the electron beam transmitting portion side of the column 710 and electron collecting means 720 for focusing the electrons emitted from the electron emitting means 721 in the form of a beam to the electron beam transmitting portion side of the column 710 And a lens module 722 for accelerating the lens.

신호 검출기(730)는 피처리물(10)에서 방출되는 전자 및 X선 중 적어도 하나의 신호를 획득하도록 컬럼(710)의 내부에 형성될 수 있고, 예컨대 피처리물(10)에서 방출되어 컬럼(710)의 내부로 수집되는 전자 예컨대 반사전자를 검출하는 제1검출기(731) 및 피처리물(10)에서 방출되어 컬럼(710)의 내부로 수집되는 X선을 검출하는 제2검출기(732)를 포함할 수 있다. 제1검출기(731)는 예컨대 반도체 디텍터일 수 있으며, 컬럼(710)의 전자빔 투과부에 정렬되도록 컬럼(710)의 내부에 배치될 수 있다. 제1검출기(731)의 중앙 영역은 제3축 방향으로 관통되어 전자빔이 통과될 수 있다. 컬럼(710) 내부로 수집되는 반사전자는 제1검출기(731)에서 획득되고, 반사전자로부터 야기되는 전류는 피처리물(10)의 이미지 정보의 생성에 활용한다. 제2검출기(732)는 에너지 분산형 분광 검출기(Energy dispersive X ray spectroscopy Detector, EDS Detector)를 포함할 수 있고, 컬럼(710)의 전자빔 투과부 측을 향하도록 컬럼(710)의 내부에 배치될 수 있다. 제2검출기(732)에서 검출되는 X선의 에너지 세기 및 검출 빈도수를 정량 분석 및 정성 분석하여 피처리물(10)의 성분 정보의 생성에 활용한다.The signal detector 730 may be formed inside the column 710 to obtain at least one of the electrons and X-rays emitted from the object to be processed 10, A first detector 731 for detecting electrons such as reflected electrons collected into the interior of the column 710 and a second detector 732 for detecting X-rays emitted from the object 10 and collected into the column 710 ). The first detector 731 may be, for example, a semiconductor detector, and may be disposed within the column 710 to align with the electron beam transmission portion of the column 710. The central region of the first detector 731 is penetrated in the third axis direction so that the electron beam can pass through. The reflected electrons collected into the column 710 are acquired by the first detector 731, and the electric current generated from the reflected electrons is utilized for generating the image information of the object 10 to be processed. The second detector 732 may include an energy dispersive X-ray spectroscopy detector (EDS detector) and may be disposed within the column 710 to face the electron beam transmissive portion side of the column 710 have. The energy intensity and the detection frequency of the X-rays detected by the second detector 732 are subjected to quantitative analysis and qualitative analysis to be utilized for generating the component information of the object 10 to be processed.

홀더(740)는 컬럼(710)의 전자빔 투과부에 탈착 가능하도록 장착되어 컬럼(710)의 내부 진공을 유지하는 역할을 한다. 홀더(740)의 중앙 영역에는 관통구가 형성되고 이를 기밀하게 밀봉하여 투과창(750)이 장착될 수 있다. 투과창(750)은 전자빔, 전자 및 X선 등을 통과시키는 역할을 하며, 예컨대 실리콘 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼 등의 전도성 웨이퍼일 수 있다. 투과창(750)의 중앙 영역에는 수㎛ 내지 수백㎛ 너비의 비아홀이 형성되며, 이를 밀봉하도록 소정의 멤브레인 예컨대 수㎚ 내지 수백㎚ 두께의 실리콘 나이트라이드 막이 구비될 수 있다. 멤브레인을 통과하여 전자빔이 피처리물(10)로 방출되고 반사전자 및 X선 등이 컬럼(710)의 내부로 수집될 수 있다.The holder 740 is detachably mounted to the electron beam transmission portion of the column 710 to maintain the internal vacuum of the column 710. A through hole is formed in the central region of the holder 740 and can be hermetically sealed to mount the transmission window 750. The transmission window 750 serves to pass electron beams, electrons, and X-rays, and may be a conductive wafer such as a silicon wafer or a silicon carbide wafer. A via hole having a width of several microns to several hundreds of microns is formed in the central region of the transmission window 750, and a predetermined membrane such as a silicon nitride film having a thickness of several nm to several hundreds of nm may be provided to seal the via hole. The electron beam passes through the membrane and is emitted to the object to be processed 10, and reflection electrons and X-rays can be collected into the inside of the column 710.

제2관찰부(800)는 지지부(200)의 상측에 배치되며, 제3축부재(340)에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 제2관찰부(800)는 제1관찰부(700)보다 낮은 배율로 피처리물(10)의 3차원 이미지 정보를 생성하도록 형성될 수 있고, 예컨대 3D 광학 현미경 또는 3D 이미지 센서일 수 있다.The second observation part 800 is disposed on the upper side of the support part 200 and can be mounted on the third shaft part 340 so as to be movable in the third axis direction. The second observation unit 800 may be formed to generate three-dimensional image information of the object 10 at a lower magnification than the first observation unit 700, and may be, for example, a 3D optical microscope or a 3D image sensor.

제어부(900)는 검사장치의 각 구성부에 연결되어 이들의 전체 작동을 제어하도록 제공되는 구성부이며, 특히, 광학부(600)에서 관찰되는 이미지를 이용하여 검사부(500)의 이동을 제어 가능하도록 형성될 수 있고, 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)에서 생성되는 정보들과 검사부(500)의 검사 결과를 분류하고 저장할 수 있도록 형성될 수 있다.The control unit 900 is connected to each component of the inspection apparatus and is provided to control the overall operation of the inspection unit. In particular, it is possible to control the movement of the inspection unit 500 using the image observed by the optical unit 600 And can be formed so as to sort and store the information generated by the first observation unit 700 and the second observation unit 800 and the inspection results of the inspection unit 500.

제어부(900)는 동작 제어부(910), 수집부(920) 및 저장부(930)를 포함할 수 있다. 동작 제어부(910)는 광학부(600)에서 관찰되는 프로브(530)의 이미지로부터 프로브(530)의 단부 좌표를 생성하고, 프로브(530)의 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 프로브(530)와 피처리물(10)의 동작 소자(A)의 각 전극들과의 접촉 여부를 판단하며, 판단 결과를 이용하여 프로브(530)의 이동을 제어할 수 있다. 여기서, 기준 좌표는 프로브(530)가 접촉하고자 하는 동작 소자(A)의 각 전극들의 제1축 방향 및 제2축 방향으로의 좌표일 수 있다.The control unit 900 may include an operation control unit 910, a collecting unit 920, and a storage unit 930. The operation control unit 910 generates end coordinates of the probe 530 from the image of the probe 530 observed in the optical unit 600 and generates the end coordinates of the probe 530 by comparing the end coordinates of the probe 530 with the reference coordinates, It is possible to determine whether or not the object to be processed 10 is in contact with the electrodes of the operation element A and to control the movement of the probe 530 using the determination result. Here, the reference coordinates may be coordinates in the first axis direction and the second axis direction of the respective electrodes of the operation element A to which the probe 530 desires to contact.

동작 제어부(910)가 프로브(530)의 접촉 여부를 판단하는 원리는 다음과 같다. 예컨대 프로브(530)가 동작 소자(A)의 상측에 정렬된 상태에서 제3축 방향으로 이동하며 동작 소자(A) 측으로 접근하는 동안에는 프로브(530)의 단부 좌표가 기준 좌표와 일치된다. 반면, 동작 소자(A)의 각 전극에 프로브(530)가 접촉되면 접촉에 의하여 프로브(530)의 단부가 제1축 방향 및 제2축 방향 중 적어도 하나의 방향으로 수 ㎛ 또는 수 ㎚ 이동하게 된다. 따라서, 프로브(530)가 피처리물(10)의 동작 소자(A)에 접촉하는 경우, 프로브(530)의 단부 좌표가 기준 좌표와 달라지게 된다. 이의 경우에 동작 제어부(910)는 프로브(530)가 동작 소자(A)에 접촉하였음을 판단하여 프로브(530)의 이동을 정지시킨다.The principle that the operation control unit 910 determines whether the probe 530 is in contact is as follows. For example, while the probes 530 are aligned on the upper side of the operating element A and move in the third axis direction and approach the operating element A side, the end coordinates of the probe 530 coincide with the reference coordinates. On the other hand, when the probes 530 are brought into contact with the respective electrodes of the operating element A, the ends of the probes 530 move by several μm or several nm in at least one of the first axial direction and the second axial direction do. Therefore, when the probe 530 contacts the operating element A of the object 10, the end coordinates of the probe 530 are different from the reference coordinates. In this case, the operation control unit 910 determines that the probe 530 has contacted the operation element A and stops the movement of the probe 530. [

상기와 같은 방식에 의하여, 광학부(600)가 프로브(530)의 상측에 배치됨에 따라 그 측정 깊이가 고배율을 가질 수 없음에도 프로브(530)의 접촉 여부를 정확하게 판단할 수 있다.According to the above-described method, since the optical unit 600 is disposed on the upper side of the probe 530, it is possible to accurately determine whether the probe 530 is in contact with the probe 530 even if the measurement depth thereof can not have a high magnification.

수집부(920)는 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)에서 생성되는 정보들과, 검사부(500)의 검사 결과 정보를 입력받아 이를 분류하는 역할을 한다. 예컨대 제1관찰부(700)에서 생성되는 이미지 정보로부터 결함의 형태적인 정보를 생성하여 각 형태별로 분류할 수 있다. 또한, 제1관찰부(700)에서 생성되는 성분 정보로부터 결함의 정성적인 정보를 생성하여 이를 종류별로 분류할 수 있다. 또한, 제2관찰부(800)에서 생성되는 3차원 이미지 정보를 이용하여 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로의 결함의 정확한 위치를 생성하여 이를 위치별로 분류할 수 있고, 특히, 제3축 방향으로의 결함의 정확한 위치를 알 수 있어, 피처리물(10)의 상부에 적측 형성된 복수의 막들 중에서 어느 막에 결함이 위치하는 지를 정확하게 알 수 있다. 또한, 검사부(500)에서 생성되는 검사 결과 정보를 이용하여 검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)의 동작 여부를 결함 정보로서 생성하여 이를 종류별로 분류할 수 있다. 상기의 각 결함 정보들은 수집부(920)에서 취합되고, 이어서 저장부(930)로 입력되어 하나의 테이블로 정리되어 저장될 수 있다.The collecting unit 920 receives the information generated by the first observing unit 700 and the second observing unit 800 and the inspection result information of the inspector 500 and classifies the received information. For example, morphological information of defects can be generated from the image information generated in the first observation unit 700 and classified into each type. In addition, qualitative information on defects can be generated from the component information generated in the first observation unit 700, and classified into types. Further, by using the three-dimensional image information generated by the second observation unit 800, accurate positions of defects in the first axis direction, the second axis direction, and the third axis direction can be generated and classified by position , The exact position of the defect in the third axis direction can be known, and it can be accurately known which defect among the plurality of films formed on the lower side of the article to be processed 10 is located. In addition, it is possible to generate the defect information using the inspection result information generated by the inspection unit 500, and to classify the defective defect information into whether the defective defect is caused by operation of the operation element A in the inspection area or the operation element A connected to the inspection area. The defect information may be collected in a collecting unit 920, then input to a storage unit 930, and stored in a single table.

다음으로, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법을 설명한다. 이때, 검사장치에 대한 상술한 설명과 중복되는 내용은 생략하거나 간단하게 설명한다.Next, a method for inspecting an object to be inspected according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 5. Fig. At this time, contents overlapping with the above description of the inspection apparatus will be omitted or briefly explained.

본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법은 검사 영역이 확인된 피처리물을 마련하는 과정과, 피처리물에 레이저 빔을 조사하여 검사 영역의 동작 소자 또는 검사 영역에 연결된 동작 소자의 적어도 일부를 노출시키는 과정과, 노출 위치에 프로브를 접촉시키는 과정과, 프로브를 통하여 동작 소자의 동작을 검사하는 과정을 포함한다. 이때, 피처리물을 마련하는 과정 이전에 피처리물을 관찰하여 결함이 있는 검사 영역을 확인하는 과정을 더 포함할 수 있다.A method for inspecting an object to be inspected according to an embodiment of the present invention includes the steps of: preparing an object to be inspected having an inspection area; irradiating a laser beam to the object to be inspected, A step of exposing a part of the probe, a step of contacting the probe to the exposed position, and a step of checking the operation of the operating element through the probe. In this case, the process may further include observing the object to be treated prior to the process of preparing the object to be inspected, thereby confirming the defective inspection region.

또한, 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 검사 영역으로 전자빔을 방출하는 과정과, 전자빔에 의해 검사 영역에서 방출되는 신호를 수집하는 과정과, 수집되는 신호를 이용하여 검사 영역에서의 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성하는 과정을 더 포함할 수 있다. 또한, 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 검사 영역에서의 피처리물의 3차원 이미지 정보를 생성하는 과정을 더 포함할 수 있다.In addition, a process of discharging an electron beam to an inspection region, a process of collecting a signal emitted from an inspection region by an electron beam, and a process of collecting a signal to be processed in an inspection region And generating at least one of image information and component information. The method may further include the step of generating three-dimensional image information of the object to be inspected in the inspection area after the process of preparing the object to be processed.

피처리물(10)의 결함을 검사하여 검사 영역을 확인(S100)한다. 이의 과정에는 자동 광학 검사(Automated Optical Inspection, AOI) 방식이 적용될 수 있다. 검사 영역이 확인되면 피처리물(10)을 지지부(200) 상에 마련(S200)한다.The defects of the object 10 to be inspected are inspected and an inspection area is confirmed (S100). Automated Optical Inspection (AOI) method can be applied to this process. When the inspection area is confirmed, the article to be processed 10 is provided on the support 200 (S200).

피처리물(10)의 검사 영역에 전자빔을 이용하여 신호를 수집하고, 수집되는 신호를 이용하여 검사 영역의 제1결함 정보를 생성(S300)한다. 예컨대 검사 영역의 상측으로 제1관찰부(700)를 위치시키고, 검사 영역으로 전자빔을 방출한다. 전자빔에 의하여 검사 영역에서 방출되는 전자 및 X선 등의 신호를 수집하고, 이를 이용하여 검사 영역에서의 이미지 정보 및 성분 정보를 생성한다. 검사 영역의 이미지 정보 및 성분 정보로부터 제1결함 정보를 생성한다. 따라서, 제1결함 정보는 검사 영역에 생성된 결함의 형태적인 정보와 정성적인 정보를 모두 포함할 수 있다.Signals are collected using an electron beam in the inspection area of the object to be processed 10, and the first defect information of the inspection area is generated using the collected signals (S300). For example, the first observation portion 700 is positioned above the inspection region, and the electron beam is emitted to the inspection region. And collects signals such as electrons and X-rays emitted from the inspection region by the electron beam, and generates image information and component information in the inspection region using the collected signals. And generates first defect information from the image information and component information of the inspection area. Therefore, the first defect information may include both morphological information and qualitative information of defects generated in the inspection area.

피처리물(10)의 검사 영역의 3차원 이미지 정보를 생성하고, 생성되는 3차원 이미지 정보를 이용하여 검사 영역의 제2결함 정보를 생성(S400)한다. 예컨대 검사 영역의 상측으로 제2관찰부(800)를 위치시키고, 제2관찰부(800)를 이용하여 검사 영역의 3차원 이미지를 생성한다. 검사 영역의 3차원 이미지로부터 제2결함 정보를 생성한다. 따라서, 제2결함 정보는 검사 영역에 생성된 결함의 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로의 위치 정보를 포함할 수 있다.Dimensional image information of the inspection region of the object to be processed 10, and generates second defect information of the inspection region using the generated three-dimensional image information (S400). For example, the second observation section 800 is positioned above the inspection region, and the second observation section 800 is used to generate a three-dimensional image of the inspection region. And generates second defect information from the three-dimensional image of the inspection area. Accordingly, the second defect information may include position information in the first axis direction, the second axis direction, and the third axis direction of the defect generated in the inspection area.

도 4(a)는 피처리물(10)의 상부에 형성되는 동작 소자(A) 예컨대 박막 트랜지스터의 단면을 도시한 개략도이다. 도 3 및 도 4(a)를 참조하여, 동작 소자(A)의 단면 구조 및 동작 방식을 설명하면 다음과 같다. 피처리물(10)의 상부에는 게이트 전극(11)이 형성되고, 게이트 전극(11)의 상부에는 게이트 절연막(12)이 형성되며, 게이트 절연막(12)의 상부에는 채널(13)이 형성된다, 채널(13)의 상부 일측에는 소스(14)가 형성되고, 채널(13)의 상부 타측에는 드레인(15)이 형성된다. 채널(13), 소스(14) 및 드레인(15)의 상부에는 패시베이션(16)이 형성된다. 게이트 전극(11)은 게이트 라인(A)에 연결되고 소스(14)는 데이터 라인(b)에 연결되며 드레인(15)은 화소(c)에 연결된다. 게이트 전극(11)에 신호가 인가되면, 채널(13)이 소스(14)와 드레인(15)을 전기적으로 연결시키고, 이에 화소(c)가 데이터 라인(b)에서 신호를 받아 동작될 수 있다.Fig. 4 (a) is a schematic view showing a cross section of an operation element A, for example, a thin film transistor formed on an object 10 to be processed. Referring to FIGS. 3 and 4 (a), a sectional structure and an operation method of the operation element A will be described below. A gate electrode 11 is formed on the object 10 to be processed and a gate insulating film 12 is formed on the gate electrode 11 and a channel 13 is formed on the gate insulating film 12 A source 14 is formed on one side of the upper surface of the channel 13 and a drain 15 is formed on the other side of the channel 13. A passivation 16 is formed on top of the channel 13, the source 14 and the drain 15. The gate electrode 11 is connected to the gate line A, the source 14 is connected to the data line b and the drain 15 is connected to the pixel c. When a signal is applied to the gate electrode 11, the channel 13 electrically connects the source 14 and the drain 15, and the pixel c can be operated by receiving a signal from the data line b .

검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)에 레이저 빔을 조사하여 동작 소자(A)의 적어도 일부를 노출(S500)시킨다. 동작 소자(A)의 상측에서 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)을 향하는 방향으로 레이저 빔을 조사하여 복수개의 홀(h)을 형성하고, 예컨대 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)을 동작 소자(A)의 상측으로 노출시킨다.(S500) at least a part of the operation element (A) by irradiating a laser beam to the operation element (A) of the inspection area or the operation element (A) connected to the inspection area. A plurality of holes h are formed by irradiating a laser beam in the direction from the upper side of the operation element A toward the gate electrode 11, the source 14 and the drain 15, The gate electrode 11, the source 14 and the drain 15 are exposed to the upper side of the operation element A as shown in Fig.

동작 소자(A)의 노출 위치에 프로브(530)를 접촉(S600)시킨다. 예컨대 검사부(500)를 동작 소자(A)의 노출 위치의 상측으로 이동시키고, 노출 위치의 상측에 프로브(530)를 각각 정렬시킨다. 프로브(530)를 제3축 방향으로 이동시키며 노출 위치로 프로브(530)를 이동시키고, 이와 함께 프로브(530)의 움직임을 광학부(600)로 관찰한다. 광학부(600)에서 프로브(530)의 초점이 형성되면, 관찰되는 프로브(530)의 이미지로부터 프로브(530)의 단부 좌표를 생성하고, 이를 기준 좌표와 대비하여 프로브(530)의 접촉 여부를 판단한다. 이때, 프로브(530)의 단부 좌표가 기준 좌표와 달라지는 경우에 프로브(530)가 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)의 노출 위치에 직접 접촉한 것으로 판단한다. 접촉 여부의 판단 결과를 이용하여 프로브(530)의 이동을 제어한다. 즉, 프로브(530)가 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)의 노출 위치에 직접 접촉한 것으로 판단되면, 프로브(530)의 이동을 정지시킨다. 프로브(530)가 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)의 노출 위치에 직접 접촉한 상태를 도 4(c)에 도시하였다.The probe 530 is brought into contact with the exposed position of the operating element A (S600). For example, the inspection unit 500 is moved above the exposure position of the operation element A, and the probes 530 are aligned above the exposure position. The probe 530 is moved in the third axial direction and the probe 530 is moved to the exposure position and the movement of the probe 530 is observed with the optical unit 600. [ When the focal point of the probe 530 is formed in the optical unit 600, the end coordinate of the probe 530 is generated from the image of the probe 530 to be observed, and whether or not the probe 530 is in contact with the reference coordinate . At this time, when the end coordinates of the probe 530 are different from the reference coordinates, it is determined that the probe 530 is in direct contact with the exposed positions of the gate electrode 11, the source 14, and the drain 15. And controls the movement of the probe 530 using the contact determination result. That is, if it is determined that the probe 530 is in direct contact with the exposed position of the gate electrode 11, the source 14 and the drain 15, the movement of the probe 530 is stopped. A state in which the probe 530 is in direct contact with the exposed position of the gate electrode 11, the source 14 and the drain 15 is shown in Fig.

프로브(530)를 통하여 동작 소자(A)의 동작을 검사하고, 이로부터 제3결함 정보를 생성(S700)한다. 예컨대 프로브(530)로 동작 소자(A)와 직접 신호를 송수신하며 동작 소자(A)의 동작 여부를 검사한다. 상기의 방식은 동작 소자(A)의 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)에 검사 전압(V)을 인가하고, 이들의 전류(I)를 측정하여, 측정되는 전류값이 적정 전류값의 범위에 포함되면 동작 소자(A)가 정상 동작하는 것으로 판단하고, 측정되는 전류값이 정정 전류값의 범위를 벗어나면 동작 소자(A)가 정상 동작하지 않는 것으로 판단하는 방식일 수 있다. 동작 소자(A)가 동작 검사 결과로부터 제3결함 정보를 생성한다. 따라서, 제3결함 정보는 검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)의 동작 상태를 결함 정보로서 포함할 수 있다.The operation of the operation element A is checked through the probe 530, and the third defect information is generated therefrom (S700). For example, the probe 530 directly transmits / receives a signal to / from the operating element A to check whether the operating element A operates. In the above method, the inspection voltage V is applied to the gate electrode 11, the source 14 and the drain 15 of the operation element A and the current I is measured to determine the current value It is judged that the operating element A normally operates if it is included in the range of the appropriate current value and it is judged that the operating element A does not operate normally when the measured current value is out of the range of the corrected current value have. The operating element A generates the third defect information from the operation inspection result. Therefore, the third defect information may include, as defect information, the operation state of the operation element A in the inspection area or the operation element A connected to the inspection area.

한편, 본 발명의 실시 예에서는 전자빔을 이용하여 검사 영역을 검사하는 과정과, 검사 영역의 3차원 이미지를 생성하여 이로부터 검사 영역을 검사하는 과정과, 검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)의 동작을 직접 검사하는 과정의 순서를 특별히 한정하지 않는다. 예컨대 상술한 과정들의 순서는 도 5에 도시된 순서 외에도 다양하게 변경될 수 있으며, 또한, 상술한 과정들이 동시에 진행될 수도 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of inspecting an inspection region using an electron beam, comprising the steps of: generating a three-dimensional image of an inspection region and inspecting the inspection region; The operation of directly inspecting the operation of the operation element A connected to the operation element A is not particularly limited. For example, the order of the above-described processes may be variously changed in addition to the order shown in FIG. 5, and the above-described processes may be performed at the same time.

각 과정들에서 생성되는 검사 영역의 결함 정보들을 입력받아 분류하고 이를 저장(S800)한다. 이의 과정은 제어부(900)에서 실시될 수 있다. 후속하여, 저장된 결함 정보를 이용하여 결함을 리페어하는 과정 및 저장된 결함 정보를 이용하여 결함 생성 공정을 추적하고 개선하는 과정 중 적어도 하나의 과정을 실시할 수 있다.The defect information of the inspection area generated in each of the processes is input, classified, and stored (S800). This process can be performed in the control unit 900. Subsequently, it is possible to perform at least one of repairing defects using the stored defect information, and tracking and improving the defect creation process using the stored defect information.

저장된 결함 정보들은 후속하여 결함을 리페어하는 과정에서 활용될 수 있다. 즉, 결함을 리페어하는 과정에서는 검사 영역의 결함 정보를 이용하여 결함의 리페어 여부나 방식을 결정하고, 이에 대응하여 효율적인 리페어를 실시할 수 있다. 예를 들어 제1결함 정보 및 제2결함 정보에서 검사 위치의 결함을 확인하였으나, 제3결함 정보에서 동작 소자(A)의 동작이 확인되면, 결함을 리페어하지 않고, 다음 공정으로 넘어갈 수 있고, 제3결함 정보에서 동작 소자(A)가 동작되지 않는 것이 확인되면 결함을 리페어하는 과정을 실시할 수 있고, 이때, 제1결함 정보 및 제2결함 정보에 대응하도록 리페어 설비 및 방식이 결정될 수 있다.The stored defect information can be utilized in the subsequent defect repairing process. That is, in the process of repairing defects, it is possible to determine whether or not the defects are repaired using defect information in the inspection area, and perform efficient repair in response to the determination. For example, if the defect of the inspection position is confirmed in the first defect information and the second defect information but the operation of the operation element A is confirmed in the third defect information, the defect can not be repaired, If it is confirmed that the operation element A is not operated in the third defect information, a process of repairing the defect may be performed. At this time, the repair facility and the method may be determined to correspond to the first defect information and the second defect information .

또한, 저장된 결함 정보들은 결함을 생성하는 공정을 추적하여 이를 개선하는 과정에 활용될 수 있다. 예를 들어 검사 영역의 제1결함 정보를 분석하여 검사 영역의 소정 위치에 철 성분이 확인되는 경우, 철 성분과 관련된 공정을 결함의 원인 공정으로 판단하여 해당 공정을 추적하고, 해당 공정의 문제점을 파악하여 개선할 수 있다. 또는, 검사 영역의 제1결함 정보 및 제2결함 정보를 분석하여 동작 소자(A)의 드레인(15)에 이물이 부착되어 있는 것이 확인되면 동작 소자(A)를 형성하는 공정을 결함의 원인 공정으로 판단하여 해당 공정의 문제점을 추적하고 이를 개선할 수 있다.In addition, the stored defect information can be utilized in the process of tracking and improving the defect generating process. For example, if the first defect information in the inspection area is analyzed and the iron component is identified at a predetermined position in the inspection area, the process related to the iron component is determined as the defect process, and the corresponding process is tracked. Can be identified and improved. Alternatively, when the first defect information and the second defect information in the inspection area are analyzed and it is ascertained that the foreign substance adheres to the drain 15 of the operation element A, the step of forming the operation element A is referred to as a cause of defect It is possible to track problems of the process and improve the process.

본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이며, 본 발명의 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 본 발명은 특허청구범위 및 이와 균등한 기술 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야에서의 업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.It should be noted that the above-described embodiments of the present invention are for the purpose of illustrating the present invention and not for the purpose of limitation of the present invention. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims and their equivalents. You will understand.

100: 테이블 200: 지지부
300: 장착부 400: 제거부
500: 검사부 600: 광학부
700: 제2검사부 800: 제2관찰부
900: 제어부100: Table 200: Support
300: mounting part 400: removing part
500: inspection part 600: optical part
700: second inspection part 800: second observation part
900:

Claims (15)

피처리물을 지지 가능하도록 형성되는 지지부;
상기 지지부의 상측에 배치되고, 레이저 빔을 이용하여 상기 피처리물의 상부에 형성된 막의 일부를 선택적으로 제거 가능한 제거부;
상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 피처리물의 소자에 접촉하여 신호를 송수신 가능하도록 형성되는 검사부;
상기 지지부의 상측에서 상기 검사부를 향하여 배치되어 상기 검사부를 관찰 가능한 광학부; 및
상기 광학부에서 관찰되는 이미지를 이용하여 상기 검사부의 이동을 제어 가능하도록 형성되는 제어부;를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제거부의 작동을 제어하여 상기 피처리물의 소자에 홀을 형성하고, 상기 소자의 게이트 전극, 소스 및 드레인을 상측으로 노출시키는 검사장치.A support formed to be able to support the object to be processed;
A remover disposed above the support and capable of selectively removing a portion of the film formed on the object using the laser beam;
An inspection unit disposed above the support unit and configured to be able to transmit and receive a signal in contact with the element of the object to be processed;
An optical unit disposed above the supporting unit toward the inspection unit and observing the inspection unit; And
And a control unit configured to control the movement of the inspection unit using an image observed by the optical unit,
Wherein the control unit controls the operation of the removal unit to form a hole in the element of the object to be processed and expose the gate electrode, the source and the drain of the element upward. 청구항 1에 있어서,
상기 지지부의 상측에 배치되며, 전자빔을 이용하여 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성 가능한 제1관찰부; 및
상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 제1관찰부보다 낮은 배율로 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 생성 가능한 제2관찰부;를 포함하는 검사장치.The method according to claim 1,
A first observation unit disposed above the support unit and capable of generating at least one of image information and component information of the object using an electron beam; And
And a second observation unit disposed above the support unit and capable of generating three-dimensional image information of the object to be processed at a lower magnification than the first observation unit. 청구항 2에 있어서,
상부에 상기 지지부가 위치하는 테이블; 및
상기 테이블에 설치되며, 상기 제거부, 검사부, 광학부, 제1관찰부 및 제2관찰부가 장착되어 지지되는 장착부;를 포함하는 검사장치.The method of claim 2,
A table on which the support portion is located; And
And a mounting unit installed on the table and mounted with the removal unit, the inspection unit, the optical unit, the first observation unit, and the second observation unit mounted thereon. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 검사부는 상기 지지부를 향하여 하향 경사지게 배치되는 복수개의 프로브를 구비하는 검사장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the inspection unit includes a plurality of probes arranged to be inclined downward toward the support unit. 청구항 4에 있어서,
상기 제어부는,
상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하고, 상기 프로브의 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브와 상기 피처리물의 접촉 여부를 판단하며, 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 동작 제어부;를 포함하는 검사장치.The method of claim 4,
Wherein,
The end portion of the probe is generated from an image of the probe observed by the optical portion, and whether or not the probe and the object to be processed are in contact with each other is determined by comparing the end coordinates of the probe with the reference coordinates, And an operation control unit for controlling the movement of the probe. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 제어부는 상기 제1관찰부 및 제2관찰부에서 생성되는 정보들과, 상기 검사부의 검사 결과 정보를 입력받아 분류하는 수집부; 및
상기 수집부에서 분류되는 정보들을 입력받아 저장하는 저장부;를 포함하는 검사장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the control unit comprises: a collecting unit for receiving information generated by the first observation unit and the second observation unit; And
And a storage unit for receiving and storing information classified by the collecting unit. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 제1관찰부는,
내부에 진공이 형성되는 컬럼;
상기 피처리물에 전자빔을 방출 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 전자빔 방출기; 및
상기 피처리물로부터 방출되는 전자 및 X선 중 적어도 하나의 신호를 획득 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 신호 검출기;를 포함하는 검사장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the first observation portion
A column in which a vacuum is formed;
An electron beam emitter formed inside the column to emit an electron beam to the object to be processed; And
And a signal detector formed inside the column so as to obtain at least one of an electron and an X-ray emitted from the object to be processed. 검사 영역이 확인된 피처리물을 마련하는 과정;
상기 피처리물에 레이저 빔을 조사하여 상기 검사 영역의 동작 소자 또는 상기 검사 영역에 연결된 동작 소자에 홀을 형성하고, 상기 동작 소자의 게이트 전극, 소스 및 드레인을 상측으로 노출시키는 과정;
상기 동작 소자의 노출 위치에 프로브를 접촉시키는 과정; 및
상기 프로브를 통하여 상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.A process of preparing an object to be inspected whose inspection area is identified;
A step of irradiating a laser beam onto the object to be processed to form a hole in the operation element connected to the inspection area or the operation element connected to the inspection area and exposing the gate electrode, the source and the drain of the operation element upward;
Contacting the probe to an exposed position of the operating element; And
And inspecting an operation of the operating element through the probe. 청구항 8에 있어서,
상기 프로브를 접촉시키는 과정은,
상기 노출 위치로 프로브를 이동시키는 과정;
상기 프로브의 움직임을 광학부로 관찰하는 과정;
상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하는 과정;
상기 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브의 접촉 여부를 판단하는 과정; 및
상기 접촉 여부의 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
The process of contacting the probe includes:
Moving the probe to the exposure position;
Observing the motion of the probe with an optical unit;
Generating an end coordinate of the probe from the image of the probe observed in the optical unit;
Determining whether the probe is in contact with the end coordinates and the reference coordinates; And
And controlling the movement of the probe using the result of the contact determination. 청구항 8에 있어서,
상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정은,
상기 프로브로 상기 동작 소자와 신호를 직접 송수신하며 상기 동작 소자의 동작 여부를 검사하는 과정을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
Wherein the step of inspecting the operation of the operating element comprises:
And transmitting a signal directly to and from the operating element with the probe to check whether the operating element is operating. 청구항 8에 있어서,
상기 피처리물을 마련하는 과정 이전에,
상기 피처리물을 관찰하여 결함이 있는 검사 영역을 확인하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
Before the process of preparing the object to be processed,
And inspecting the object to be inspected to identify a defective inspection area. 청구항 8에 있어서,
상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에,
상기 검사 영역으로 전자빔을 방출하는 과정;
상기 전자빔에 의해 상기 검사 영역에서 방출되는 신호를 수집하는 과정; 및
상기 신호를 이용하여 상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 포함하는 결함 정보를 생성하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
After the process of preparing the object to be processed,
Emitting the electron beam to the inspection area;
Collecting a signal emitted from the inspection region by the electron beam; And
And generating defect information including at least one of image information and component information of the object to be processed in the inspection region using the signal. 청구항 8에 있어서,
상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에,
상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 결함 정보로 생성하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
After the process of preparing the object to be processed,
And generating three-dimensional image information of the object in the inspection area as defect information. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
상기 검사 영역에서의 결함 정보 및 상기 동작 소자의 검사 결과 중 적어도 하나를 입력받아 분류하고 저장하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method according to claim 12 or 13,
And a step of receiving, classifying and storing at least one of defect information in the inspection area and inspection result of the operating element. 청구항 14에 있어서,
저장된 결함 정보를 이용하여 결함을 리페어하는 과정 및 저장된 결함 정보를 이용하여 결함 생성 공정을 추적하고 개선하는 과정 중 적어도 하나의 과정을 포함하는 피처리물 검사방법.15. The method of claim 14,
A defect repairing step of repairing defects using stored defect information, and a defect inspecting step of defect defect inspecting step using stored defect information.
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