KR101670807B1 - High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same - Google Patents

High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR101670807B1
KR101670807B1 KR1020140194635A KR20140194635A KR101670807B1 KR 101670807 B1 KR101670807 B1 KR 101670807B1 KR 1020140194635 A KR1020140194635 A KR 1020140194635A KR 20140194635 A KR20140194635 A KR 20140194635A KR 101670807 B1 KR101670807 B1 KR 101670807B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
local heating
susceptor body
sectional area
heat
Prior art date
Application number
KR1020140194635A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160082134A (en
Inventor
김승언
나영상
김성웅
임가람
장윤형
문학범
Original Assignee
한국기계연구원
주식회사 넥스트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원, 주식회사 넥스트론 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020140194635A priority Critical patent/KR101670807B1/en
Publication of KR20160082134A publication Critical patent/KR20160082134A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101670807B1 publication Critical patent/KR101670807B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Abstract

열을 방출하는 부분의 단면적이 열을 전달받는 부분의 단면적에 비하여 작게 형성되어 열 방출 부분에서 열이 집중되도록 설계된 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터는 열원에 장착되어, 상기 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체를 국부 가열하기 위한 고온 국부가열 방식의 서셉터로서, 제1 단면적을 갖는 서셉터 몸체; 및 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되어, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 돌출부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Sectional area of a heat releasing part is formed smaller than a cross-sectional area of a heat receiving part so that heat is concentrated in a heat releasing part, and a heating device having the susceptor.
A high-temperature local heating type susceptor according to the present invention is a high-temperature local heating type susceptor mounted on a heat source for receiving heat from the heat source and locally heating the heating target body, the susceptor having a first cross- ; And a protrusion protruding from the susceptor body and having a second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area.

Description

고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치{HIGH TEMPERATURE LOCAL HEATING TYPE SUSCEPTOR AND HEATING APPARATUS HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a high temperature local heating type susceptor and a heating device having the susceptor,

본 발명은 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열을 방출하는 부분의 단면적이 열을 전달받는 부분의 단면적에 비하여 작게 형성되어 열 방출 부분에서 열이 집중되도록 설계된 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a high-temperature local heating type susceptor and a heating apparatus having the susceptor. More particularly, the present invention relates to a susceptor having a high- To a susceptor of a high-temperature local heating type and a heating apparatus having the susceptor.

최근, 특정 금속을 용융시켜 냉각하는 과정에서 X-선 회절 분석을 통해 금속의 결정화 메커니즘을 연구하여 새로운 합금을 개발하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 연구의 핵심은 X-선 회절 장치와 용융 시스템을 최적화하는 것이다.Recently, researches on the crystallization mechanism of metals through X-ray diffraction analysis in the process of melting and cooling specific metals have been actively conducted to develop new alloys. The key to this research is to optimize the X-ray diffraction and melting systems.

종래의 용융 시스템으로는 고주파 유도가열 방법 및 레이저 가열 방법이 주로 사용되고 있다.As a conventional melting system, a high frequency induction heating method and a laser heating method are mainly used.

이 중, 고주파 유도가열 방법은 유도 가열되는 물질만 용융 가능할 뿐만 아니라, 고주파 신호간섭이 발생하는 문제가 있다. 그리고, 레이저 가열 방법은 전자기적, 정전기적으로 물질을 부양시킨 후 레이저를 이용하여 용융시키게 되나, 레이저 가열 방법의 경우에는 X-선의 포지션을 설정하기 어렵고, 진동에 민감할 뿐만 아니라, 초기 투자 비용이 많이 소요되는 문제가 있다.Among them, the high-frequency induction heating method has a problem that not only the material to be induction-heated can be melted but also high-frequency signal interference occurs. In the laser heating method, it is difficult to set the position of the X-ray in the case of the laser heating method, and it is not only sensitive to the vibration but also the initial investment cost There is a problem that takes a lot of time.

관련 선행 문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2000-0043020호(2000.07.15. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 판형 히트 파이프가 기재되어 있다.
A related prior art document is Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2000-0043020 (published on July 15, 2000), and a plate heat pipe is described in this document.

본 발명의 목적은 제1 단면적을 갖는 서셉터 몸체와, 서셉터 몸체로부터 돌출되어, 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 돌출부를 가짐으로써, 열을 방출하는 부분의 단면적이 열을 전달받는 부분의 단면적에 비하여 작게 형성되어 열 방출 부분에서 열이 집중되도록 설계된 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치를 제공하는 것이다.
The object of the present invention is to provide a semiconductor device having a susceptor body having a first cross-sectional area and a protruding portion projecting from the susceptor body and having a second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area, Sectional area of the heat dissipation part, so that the heat is concentrated in the heat dissipation part, and a heating device having the susceptor.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터는 열원에 장착되어, 상기 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체를 국부 가열하기 위한 고온 국부가열 방식의 서셉터로서, 제1 단면적을 갖는 서셉터 몸체; 및 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되어, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 돌출부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In order to accomplish the above object, a high-temperature local heating type susceptor according to an embodiment of the present invention includes a susceptor mounted on a heat source and adapted to receive heat from the heat source, A susceptor body having a first cross-sectional area; And a protrusion protruding from the susceptor body and having a second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 세섭터는 열원에 장착되어, 상기 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체를 국부 가열하기 위한 고온 국부가열 방식의 서셉터로서, 제1 단면적을 가지며, 중앙을 관통하는 삽입 홀을 구비하는 서셉터 몸체; 상기 세섭터 몸체로부터 연장되며, 상기 세섭터 몸체를 감싸는 환형 구조로 형성되어, 내부에 중공을 구비하는 서셉터 연장부; 및 상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 체결된 국부 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In order to achieve the above object, according to another aspect of the present invention, there is provided a high-temperature local heating type cleaner mounted on a heat source and receiving heat from the heat source to locally heat the heating target, A susceptor body having a first cross-sectional area and having an insertion hole passing through the center; A susceptor extension extending from the three-player body and formed in an annular structure surrounding the three-player body and having a hollow therein; And local heating means fastened in the insertion hole of the susceptor body.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치는 반사 거울; 상기 반사 거울을 밀봉하는 몰딩체; 상기 반사 거울의 상단에 결합되어, 적외선을 조사하는 적외선 램프; 상기 몰딩체에 장착되어 온도를 제어하기 위한 냉각 라인; 및 상기 반사 거울의 하단에 결합되며, 상기 적외선 램프로부터 출사되어 반사 거울에 반사되어 굴절된 적외선을 집광시켜 피가열체를 국부 가열하기 위한 서셉터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a heating apparatus for a high temperature local heating type, comprising: a reflective mirror; A molding body for sealing the reflection mirror; An infrared lamp coupled to an upper end of the reflection mirror for irradiating infrared rays; A cooling line mounted on the molding body for controlling the temperature; And a susceptor coupled to the lower end of the reflective mirror for locally refracting the infrared ray reflected from the reflective mirror and emitted from the infrared lamp.

본 발명에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치는 제1 단면적을 갖는 서셉터 몸체와, 서셉터 몸체로부터 돌출되어, 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 돌출부를 가짐으로써, 열을 방출하는 부분의 단면적이 열을 전달받는 부분의 단면적에 비하여 작게 형성되어 열 방출 부분에서 열이 집중될 수 있는바, 피가열체를 국부적으로 고온 가열시키는 것이 가능해질 수 있다.A high temperature local heating type susceptor according to the present invention and a heating apparatus having the same have a susceptor body having a first cross sectional area and a protruding portion projecting from the susceptor body and having a second cross sectional area smaller than the first cross sectional area, Sectional area of the portion that emits the heat is smaller than the cross-sectional area of the portion to which heat is transmitted, so that heat can be concentrated in the heat-emitting portion, so that it becomes possible to locally heat the heated body at a high temperature.

또한, 본 발명에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치는 서셉터 몸체 및 돌출부의 재질로 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C), 니켈(Ni) 등의 합금이 코팅된 것을 이용하며, 열원의 크기를 축소시켜 국소영역에 대한 국부적인 고온가열을 실시하는 방식으로 피가열체를 국소 가열할 수 있으므로, 가열 재료의 종류에 제약 없이 결정연구를 용이하게 수행할 수 있다.
The susceptor of high temperature local heating type according to the present invention and the heating apparatus having the susceptor according to the present invention include graphite, carbon (C), nickel (Ni), silicon carbide (SiC) Or the like, and the heating object is locally heated in a manner that the size of the heat source is reduced and the localized high-temperature heating is applied to the local region. Therefore, the crystal structure can be easily .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터의 적용예를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예의 변형예들에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 각각의 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 8은 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 10은 본 발명의 다른 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치를 나타낸 단면도.
도 12는 도 11의 A 부분을 나타낸 확대 단면도.1 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view of a high temperature local heating type susceptor according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining an application example of a high temperature local heating type susceptor according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a high temperature local heating type susceptor according to a modification of the embodiment of the present invention.
Figures 5 and 6 are cross-sectional views, respectively, of a susceptor of a high temperature local heating type according to variations of an embodiment of the present invention.
7 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to another modification of the embodiment of the present invention.
8 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to another modification of the embodiment of the present invention.
9 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to another embodiment of the present invention.
10 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to a modification of another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a heating device of a high-temperature local heating type according to an embodiment of the present invention.
12 is an enlarged sectional view showing a portion A in Fig.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a susceptor according to a preferred embodiment of the present invention and a heating apparatus having the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a high-temperature local heating type susceptor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a high-temperature local heating type susceptor according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)는 열원에 장착되어, 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체(미도시)를 국부 가열하는 역할을 한다. 이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)는 서셉터 몸체(120) 및 돌출부(140)를 포함한다.
1 and 2, a susceptor 100 of a high-temperature local heating type according to an embodiment of the present invention is mounted on a heat source and receives a heat from a heat source to receive a heated body (not shown) . To this end, a high temperature local heating type susceptor 100 according to an embodiment of the present invention includes a susceptor body 120 and a protrusion 140.

서셉터 몸체(120)는 제1 단면적을 갖는다. 이러한 서셉터 몸체(120)는 열원으로부터의 열을 전달받는 부분으로, 열 전달을 효과적으로 전달받기 위해 원통 형상을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 서셉터 몸체(120)의 재질로는 열전도율이 우수한 실리콘 카바이드(SiC)로 형성하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C), 니켈(Ni) 중 1종 이상이 코팅된 것을 이용하는 것이 좋다.The susceptor body 120 has a first cross-sectional area. The susceptor body 120 is a portion that receives heat from a heat source, and preferably has a cylindrical shape to effectively transmit heat. Therefore, it is preferable that the susceptor body 120 is made of silicon carbide (SiC) having a good thermal conductivity, and more preferably silicon carbide (SiC) is formed of graphite, carbon (C) It is better to use the one coated with more than one species.

이러한 서셉터 몸체(120)가 원통 형상을 가질 경우, 서셉터 몸체(120)의 직경은 30 ~ 1,000mm의 크기를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
When the susceptor body 120 has a cylindrical shape, the diameter of the susceptor body 120 may be 30 to 1,000 mm, but is not limited thereto.

돌출부(140)는 서셉터 몸체(120)로부터 돌출되어, 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는다. 이러한 돌출부(140)는 서셉터 몸체(120)에 일체로 결합될 수 있다. 이때, 돌출부(140)는, 단면상으로 볼 때, 사각형 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같이, 돌출부(140)를 서셉터 몸체(120)와 일체형 구조로 설계할 경우, 서셉터 몸체(120)와 돌출부(140) 간의 접합력이 우수하여 내구성이 향상될 수 있으므로 외부 충격에 의해 서셉터 몸체(120)와 돌출부(140)의 접합 부분에 크랙이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있게 된다.The protrusion 140 protrudes from the susceptor body 120 and has a second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area. These protrusions 140 may be integrally coupled to the susceptor body 120. At this time, the projecting portion 140 may have a rectangular shape when viewed in section, but is not limited thereto. When the protrusion 140 is designed to have an integral structure with the susceptor body 120, the durability of the susceptor body 120 and the protrusion 140 can be improved. As a result, It is possible to prevent a crack from occurring at the joint between the body 120 and the protrusion 140.

따라서, 돌출부(140)의 재질은, 서셉터 몸체(120)와 마찬가지로, 열전도율이 우수한 실리콘 카바이드(SiC)가 이용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C), 니켈(Ni) 중 1종 이상이 코팅된 것을 이용하는 것이 좋다.Therefore, it is preferable to use silicon carbide (SiC) having a high thermal conductivity, more preferably silicon carbide (SiC), graphite, carbon (C), and silicon carbide as the material of the protrusion 140, Nickel (Ni) may be used.

이때, 돌출부(140)는 길이 방향의 전체 직경이 모두 동일한 직경을 가질 수 있다. 이와 같이, 돌출부(140)의 직경이 길이 방향 전체가 모두 동일할 경우 서셉터 몸체(120)로부터의 열이 균일하게 전달될 수 있으며, 구조가 간단하여 절삭 가공이 용이하다는 이점이 있다.At this time, the protrusions 140 may have the same overall diameter in the longitudinal direction. In this way, heat from the susceptor body 120 can be uniformly transferred when the protrusions 140 are all the same in the lengthwise direction, which is advantageous in that the structure is simple and the cutting process is easy.

이러한 서셉터 몸체(120) 및 돌출부(140)는 360°회전 운동이 가능하도록 설계될 수 있다. 이때, 서셉터 몸체(120) 및 돌출부(140)는 회전 지그(미도시)에 의해 360°회전 운동하여 회전 위치가 제어될 수 있다.
The susceptor body 120 and the protrusions 140 may be designed to be capable of 360 占 rotational motion. At this time, the susceptor body 120 and the protrusion 140 are rotated by 360 ° by a rotation jig (not shown), and the rotational position can be controlled.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터는 제1 단면적을 갖는 서셉터 몸체와, 서셉터 몸체로부터 돌출되어, 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 돌출부를 가짐으로써, 열을 방출하는 부분의 단면적이 열을 전달받는 부분의 단면적에 비하여 작게 형성되어 열 방출 부분에서 열이 집중될 수 있는바, 피가열체를 국부적으로 고온 가열시키는 것이 가능해질 수 있다.The susceptor of the high temperature local heating type according to the embodiment of the present invention described above has a susceptor body having a first cross sectional area and a protruding portion protruding from the susceptor body and having a second cross sectional area smaller than the first cross sectional area, The cross-sectional area of the heat releasing portion is smaller than the cross-sectional area of the heat receiving portion, so that heat can be concentrated in the heat releasing portion, so that it becomes possible to locally heat the heating body at a high temperature.

또한, 본 발명에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치는 서셉터 몸체 및 돌출부의 재질로 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C), 니켈(Ni) 등의 합금이 코팅된 것을 이용하며, 열원의 크기를 축소시켜 국소영역에 대한 국부적인 고온가열을 실시하는 방식으로 피가열체를 국소 가열을 실시할 수 있으므로, 가열 재료의 종류에 제약 없이 결정연구를 용이하게 수행할 수 있다.
The susceptor of high temperature local heating type according to the present invention and the heating apparatus having the susceptor according to the present invention include graphite, carbon (C), nickel (Ni), silicon carbide (SiC) And the local heating is applied to the local region by reducing the size of the heat source, so that the heating target can be locally heated. Therefore, it is possible to carry out crystal research Can be easily performed.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터의 적용예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a view for explaining an application example of a high-temperature local heating type susceptor according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)는 열원에 장착되어, 열원(미도시)으로부터의 열을 전달받아 피가열체(10)를 국부 가열하는 역할을 한다. 열원으로는 일 예로 적외선 램프가 이용될 수 있다. 또한, 열원과 서셉터(100)의 사이에는 열원으로부터의 열을 서셉터(100)로 전달하기 위한 쿼츠 봉(20)이 장착될 수 있다.3, the susceptor 100 of a high-temperature local heating type according to an embodiment of the present invention is mounted on a heat source, and receives heat from a heat source (not shown) It plays a role of local heating. As an example of the heat source, an infrared lamp may be used. Between the heat source and the susceptor 100, a quartz rod 20 for transmitting heat from the heat source to the susceptor 100 may be mounted.

이때, 피가열체(10)는 서셉터 몸체(120)의 일면에 반대되는 타면으로부터 돌출되는 돌출부(140)의 끝단과 접촉되도록 장착되고, 쿼츠봉(20)은 서셉터 몸체(10)의 일면과 접촉되도록 장착된다.The quartz rod 20 is mounted on one surface of the susceptor body 10 so as to contact the end of the protrusion 140 protruding from the other surface opposite to the one surface of the susceptor body 120, As shown in Fig.

특히, 돌출부(140)의 길이(d)는 10 ~ 500mm인 것이 바람직하다. 돌출부(140)의 길이(d)가 10mm 미만일 경우에는 서셉터 몸체(120)와 피가열체(10) 간의 이격 간격이 너무 가까운 관계로 서셉터 몸체(120)에 의한 간접 가열로 피가열체(10)의 전체가 가열되는데 기인하여, 돌출부(140)에 의한 국소 가열 효과를 제대로 발휘하는데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, 돌출부(140)의 길이(d)가 500mm를 초과할 경우에는 서셉터 몸체(120)와 피가열체(10) 간의 이격 간격이 너무 멀어지는데 기인하여 서셉터 몸체(120)에 의한 간접 가열 효과를 기대하기 어렵다.
In particular, the length d of the protrusion 140 is preferably 10 to 500 mm. If the distance d between the susceptor body 120 and the heating target 10 is too close to the heating body 10 due to the indirect heating by the susceptor body 120, 10 may be heated, and it may be difficult to exert the local heating effect by the protrusion 140 properly. Conversely, if the length d of the protrusion 140 exceeds 500 mm, the distance between the susceptor body 120 and the heating target 10 becomes too far away to cause indirect heating by the susceptor body 120 It is difficult to expect the effect.

도 4는 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예의 변형예들에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 각각의 단면도이다.FIG. 4 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to a modification of the embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are views showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to a modification of the embodiment of the present invention Fig.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)는 돌출부(140)가 테이퍼(taper) 단면을 갖는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는바, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대해서만 설명하도록 한다.4 and 6, a susceptor 100 of a high-temperature local heating type according to a modification of the embodiment of the present invention includes a susceptor 100 having a tapered section, 2, the present invention has substantially the same configuration as that of the susceptor 100 of the high-temperature local heating type according to the embodiment described above, and thus only the differences will be described.

본 발명의 일 실시예의 변형예들에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)의 경우, 돌출부(140)가 서셉터 몸체(120)와 결합되는 부분으로부터 서셉터 몸체(120)와 멀어질수록 직경이 감소하는 테이퍼 단면을 가질 수 있다.In the case of the high temperature local heating type susceptor 100 according to the modification of the embodiment of the present invention, the distance from the portion where the protrusion 140 is coupled with the susceptor body 120 to the susceptor body 120 It may have a tapered cross section whose diameter decreases.

이때, 도 5에 도시된 바와 같이, 돌출부(140)는, 단면상으로 볼 때, 깔대기 형상을 가질 수 있다. 이와 달리, 도 6에 도시된 바와 같이, 돌출부(140)는, 단면상으로 볼 때, 삼각형 형상을 가질 수 있다. 따라서, 돌출부(140)의 단면 형상은 서셉터 몸체(120)로부터 멀어질수록 단면적이 감소하는 형태라면 어떠한 형상이라도 적용 가능하다.
At this time, as shown in Fig. 5, the protrusion 140 may have a funnel shape when viewed in section. Alternatively, as shown in Fig. 6, the protrusion 140 may have a triangular shape when viewed in section. Therefore, any shape can be applied as long as the cross-sectional shape of the protrusion 140 decreases as the distance from the susceptor body 120 increases.

도 7은 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도이다.FIG. 7 is a perspective view showing a susceptor according to another modification of the embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a perspective view showing a susceptor according to another modification of the embodiment of the present invention, to be.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)는 돌출부(140)가 서셉터 몸체(120) 상에 복수개가 장착되는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는바, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대해서만 설명하도록 한다.7 and 8, in the high temperature local heating type susceptor 100 according to another modification of the embodiment of the present invention, a plurality of protrusions 140 are mounted on the susceptor body 120 1 and 2, the description of the susceptor 100 will be omitted, and only differences will be described.

이때, 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)의 경우, 복수개의 돌출부(140) 상호 간이 이격 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 서셉터 몸체(120)로부터 상호 이격 배치되도록 돌출되는 복수개의 돌출부(140)를 설계할 경우, 피가열체(미도시)에 대하여 복수개의 영역에 대하여 국부적인 가열을 동시에 실시하는 것이 가능해질 수 있다. 이때, 복수개의 돌출부(140) 각각은, 단면상으로 볼 때, 삼각형, 깔대기형 및 사각형 중 어느 하나의 형상을 가질 수 있다.At this time, in the case of the high temperature local heating type susceptor 100 according to another modification of the embodiment of the present invention, it is preferable that the plurality of protrusions 140 are disposed apart from each other. As described above, when designing the plurality of protrusions 140 protruding from the susceptor body 120 so as to be spaced apart from each other, it is possible to simultaneously perform local heating on a plurality of regions of the heating target (not shown) . At this time, each of the plurality of protrusions 140 may have a shape of a triangle, a funnel shape, or a quadrangle when viewed in section.

따라서, 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(100)는 서셉터 몸체(120)로부터 상호 이격 배치되도록 돌출되는 복수개의 돌출부(140)를 설계하는 것에 의해, 열원의 크기를 축소시켜 국소영역에 대한 국부적인 고온가열을 복수의 영역에서 동시에 피가열체를 국소 가열할 수 있으므로, 일 실시예에 비하여 결정연구를 보다 신속하면서도 다양한 형태로 실시하는 것이 가능해질 수 있는 구조적인 이점이 있다.
Accordingly, the high temperature local heating type susceptor 100 according to another modification of the embodiment of the present invention can be manufactured by designing the plurality of protrusions 140 projecting from the susceptor body 120 so as to be spaced apart from each other, It is possible to locally heat the object to be heated simultaneously in a plurality of regions by localized high-temperature heating to the local region, so that it is possible to perform the crystal study more rapidly and in various forms than the embodiment There is a structural advantage.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터에 대하여 설명하도록 한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a high temperature local heating type susceptor according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도이다.9 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(200)는 열원에 장착되어, 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체(미도시)를 국부 가열하는 역할을 한다. 이를 위해, 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(200)는 서셉터 몸체(220), 서셉터 연장부(240) 및 국부 가열수단(260)을 포함한다.
9, the susceptor 200 of a high-temperature local heating type according to another embodiment of the present invention is installed in a heat source and receives heat from a heat source to perform a role of locally heating a heating target (not shown) do. To this end, the high temperature local heating type susceptor 200 according to another embodiment of the present invention includes a susceptor body 220, a susceptor extension portion 240, and a local heating means 260.

서셉터 몸체(220)는 제1 단면적을 가지며, 중앙을 관통하는 삽입 홀(H)을 구비한다. 이러한 삽입 홀(H)의 직경은 국부 가열수단(260)의 직경과 대응되거나, 약간 작은 크기를 갖는 것이 바람직하다.
The susceptor body 220 has a first cross-sectional area and has an insertion hole H passing through the center. It is preferable that the diameter of the insertion hole H corresponds to the diameter of the local heating means 260 or has a slightly smaller size.

서셉터 연장부(240)는 세섭터 몸체(220)로부터 연장되며, 세섭터 몸체(220)를 감싸는 환형 구조로 형성되어, 내부에 중공(T)을 구비한다. 이러한 서셉터 연장부(240)는 서셉터 몸체(220)에 일체로 결합된다. 이와 같이, 서셉터 몸체(220)와 서셉터 연장부(240)를 일체형으로 설계할 경우, 서셉터 몸체(220)와 서셉터 연장부(240) 간의 접합력이 우수하여 내구성이 향상될 수 있다.The susceptor extension portion 240 extends from the three-piece body 220 and is formed in an annular structure surrounding the three-piece body 220, and has a hollow T therein. The susceptor extension 240 is integrally coupled to the susceptor body 220. When the susceptor body 220 and the susceptor extension 240 are integrally formed, the bonding strength between the susceptor body 220 and the susceptor extension 240 can be improved and durability can be improved.

서셉터 몸체(220) 및 서셉터 연장부(240)의 재질로는 각각 열전도율이 우수한 실리콘 카바이드(SiC)로 형성하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C), 니켈(Ni) 중 1종 이상이 코팅된 것을 이용하는 것이 좋다.
The susceptor body 220 and the susceptor extension 240 are preferably formed of silicon carbide (SiC) having a high thermal conductivity, more preferably silicon carbide (SiC), graphite, carbon (C) , And nickel (Ni) may be used.

국부 가열수단(260)은 서셉터 몸체(220)의 삽입 홀(H) 내에 체결된다. 이러한 국부 가열수단(260)은 서셉터 몸체(220)의 삽입 홀(H) 내에 슬라이딩 방식으로 체결되어, 서셉터 몸체(220)에 결합되는 일단에 반대되는 타단이 피가열체와 접촉되도록 설치된다.The local heating means 260 is fastened in the insertion hole H of the susceptor body 220. The local heating means 260 is installed in the insertion hole H of the susceptor body 220 in a sliding manner so that the other end opposite to the one end of the susceptor body 220 is brought into contact with the heating target .

이때, 국부 가열수단(260)은 봉 형상을 갖는 것이 바람직한데, 이는 봉 형상이 슬라이딩 체결 시 서셉터 몸체(220)의 삽입 홀(H) 내에 물리적인 끼움 결합에 의해 용이하게 체결될 수 있는 구조이기 때문이다.
At this time, it is preferable that the local heating means 260 has a rod shape, which is a structure in which the rod shape can be easily fastened by a physical fitting engagement in the insertion hole H of the susceptor body 220 when the rod- .

한편, 도 10은 본 발명의 다른 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도이다.10 is a perspective view showing a susceptor of a high-temperature local heating type according to a modified example of another embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(200)는 서셉터 연장부(240)의 형상을 제외하고는, 도 9를 참조하여 도시하고 설명한 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터(200)와 실질적으로 동일한 바, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대해서만 설명하도록 한다.10, a susceptor 200 of a high-temperature local heating type according to a modification of the other embodiment of the present invention may have a structure similar to that of the susceptor 200 shown in FIG. 9 except for the shape of the susceptor extension portion 240 Is substantially the same as that of the high temperature local heating type susceptor 200 according to the embodiment, and a duplicate description will be omitted and only differences will be described.

본 발명의 다른 실시예의 변형예에 따른 서셉터 연장부(240)는 서셉터 몸체(220)와 결합되는 부분으로부터 서셉터 몸체(220)와 멀어질수록 직경이 감소하는 테이퍼 단면을 갖는다. 이 경우, 서셉터 연장부(240)가 테이퍼 단면을 갖기 때문에 피가열체와 접촉하는 부분과 더불어, 피가열체의 주변에 대해서도 집중적인 가열이 이루어질 수 있다.
The susceptor extension 240 according to another embodiment of the present invention has a tapered cross section whose diameter decreases as the distance from the susceptor body 220 to the susceptor body 220 is increased. In this case, since the susceptor extension portion 240 has a tapered section, it is possible to intensively heat the periphery of the heating target body in addition to the portion contacting the heating target.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치에 대하여 설명하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, a high temperature local heating type heating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치를 나타낸 단면도이고, 도 12는 도 11의 A 부분을 나타낸 확대 단면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a heating apparatus of a high-temperature local heating system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing a portion A of FIG.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치(300)는 반사 거울(310), 몰딩체(320), 적외선 램프(330), 냉각 라인(340), 서셉터(350) 및 쿼츠 봉(360)을 포함한다.
11 and 12, a heating apparatus 300 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a reflection mirror 310, a molding body 320, an infrared lamp 330, a cooling line 340 ), A susceptor (350), and a quartz rod (360).

반사 거울(310)은 상단 및 하단을 각각 노출시키는 상부 홀(H1) 및 하부 홀(H2)을 구비하며, 타원 형상을 갖는다. 이때, 반사 거울(310)을 타원 형상으로 설계할 경우, 렌즈 효과에 의해 적외선 램프(330)로부터 조사되는 적외선을 서셉터(350)에 효과적으로 집중시킬 수 있다.The reflecting mirror 310 has an upper hole H1 and a lower hole H2 for exposing upper and lower ends, respectively, and has an elliptical shape. At this time, when the reflective mirror 310 is designed to have an elliptical shape, the infrared rays irradiated from the infrared lamp 330 can be effectively focused on the susceptor 350 by the lens effect.

특히, 반사 거울(310)은 내부 표면이 금으로 코팅된다. 이와 같이, 반사 거울(310)에 600nm 이상의 파장을 갖는 적외선에 대한 반사율이 우수한 금 코팅이 이루어질 경우, 반사 거울 내부 표면의 어느 면에 적외선이 입사되더라도 입사된 적외선 모두를 서셉터(350)의 표면에 도달하도록 반사시키는 것이 가능하여 서셉터(350) 표면에 열을 집중시킬 수 있게 된다. 이러한 반사 거울(310)은 일체형 구조로 설계되는 것이 바람직하나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
In particular, the reflective mirror 310 is coated with gold on its inner surface. Thus, when gold coating having excellent reflectance for infrared rays having a wavelength of 600 nm or more is formed on the reflective mirror 310, even if infrared rays are incident on any surface of the reflective mirror inner surface, all of the incident infrared rays are transmitted to the surface of the susceptor 350 So that the heat can be concentrated on the surface of the susceptor 350. The reflective mirror 310 is preferably designed as an integral structure, but is not limited thereto.

몰딩체(320)는 반사 거울(310)의 외측을 감싸는 형태로 장착되어, 반사 거울(310)을 밀봉한다. 이때, 몰딩체(320)는 적외선 램프(330)로부터 조사되는 적외선에 의한 열 손실을 억제하기 위한 목적으로 장착되며, 그 재질로는 내화물을 이용하는 것이 바람직하나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 내화물로는 Al2O3, CaO, MgO, Fe2O3, C계 복합체 등에서 선택될 수 있다. 이러한 내화물 재질의 몰딩체(320)에는 성형성 확보를 위해 무기결합재가 더 첨가되어 있을 수 있으며, 구체적으로는 AlPO4, B2O3 등을 제시할 수 있다.
The molding body 320 is mounted to surround the outside of the reflecting mirror 310 to seal the reflecting mirror 310. At this time, the molding body 320 is mounted for the purpose of suppressing heat loss due to infrared rays irradiated from the infrared lamp 330, and refractory material is preferably used as the material thereof, but it is not limited thereto. The refractory material may be selected from Al 2 O 3 , CaO, MgO, Fe 2 O 3 , C-based composites, and the like. An inorganic binder may be further added to the molding body 320 of the refractory material to secure moldability. Specifically, AlPO 4 , B 2 O 3 and the like may be proposed.

적외선 램프(330)는 반사 거울(310)의 상단에 결합되어, 적외선을 조사한다. 이러한 적외선 램프(330)는 3∼25㎛ 파장을 가지며, 가시광선이나 자외선에 비해 강한 열 작용을 가지며, 이 때문에 열선이라고도 한다. 따라서, 태양이나 발열체로부터 공간으로 전달되는 복사열은 주로 적외선에 의한 것이라 볼 수 있다. 적외선 램프(330)로부터 조사되는 적외선은 높은 방사 에너지 밀도의 물리적 특성을 가지므로 수초 이내에 서셉터(350)를 통과하여 피가열체(S)를 국부가열할 수 있다. 이때, 적외선 램프(330)의 필라멘트로는 텅스텐 코일 등 내구성을 갖는 열원체가 이용될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
The infrared lamp 330 is coupled to the upper end of the reflection mirror 310 to irradiate infrared rays. Such an infrared lamp 330 has a wavelength of 3 to 25 mu m and has a stronger heat action than visible light or ultraviolet light, and is therefore also referred to as a heat ray. Therefore, the radiant heat transmitted from the sun or the heating element to the space can be regarded as mainly due to infrared rays. Since the infrared rays emitted from the infrared lamp 330 have a physical characteristic of a high radiant energy density, the object to be heated S can be locally heated through the susceptor 350 within a few seconds. At this time, as the filament of the infrared lamp 330, a heat source having durability such as a tungsten coil may be used, but the present invention is not limited thereto.

냉각 라인(340)은 몰딩체(320)에 장착되어 온도를 제어하는 역할을 한다. 이러한 냉각 라인(340)은 몰딩체(320)의 내부 또는 외부에 장착되며, 내부를 순환하는 냉각수에 의해 몰딩체(320)의 내부 온도를 낮추는 역할을 한다. 이러한 냉각 라인(340)에 의해, 몰딩체(320)의 내부 온도를 정밀하게 제어하는 것이 가능해질 수 있다.
The cooling line 340 is mounted on the molding body 320 and serves to control the temperature. The cooling line 340 is installed inside or outside the molding body 320 and serves to lower the internal temperature of the molding body 320 by the circulating cooling water. With this cooling line 340, it becomes possible to precisely control the internal temperature of the molding body 320.

서셉터(350)는 반사 거울(310)의 하단에 결합되며, 적외선 램프(330)로부터 출사되어 반사 거울(310)에 반사되어 굴절된 적외선을 집광시켜 피가열체(S)를 국부 가열하는 역할을 한다.The susceptor 350 is coupled to the lower end of the reflecting mirror 310 and has a function of locally heating the heating target S by condensing infrared rays that are emitted from the infrared lamp 330 and reflected by the reflecting mirror 310, .

이 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치(300)는 후술하는 쿼츠 봉(360)을 포함하지 않는다. 이에 따라, 도면으로 상세히 나타내지는 않았지만, 서셉터(350)의 일단은 반사 거울(310)의 하단에 결합되고, 서셉터(350)의 타단은 피가열체(S)와 접촉하게 된다. 이러한 서셉터(350)는 도 1 내지 도 9를 참조하여 도시하고 설명한 서셉터들 중 어느 하나가 적용될 수 있다.
In this case, the high-temperature local heating type heating apparatus 300 according to an embodiment of the present invention does not include the quartz rod 360 described later. Accordingly, one end of the susceptor 350 is coupled to the lower end of the reflecting mirror 310, and the other end of the susceptor 350 is brought into contact with the heating target S, although not shown in detail in the drawings. The susceptor 350 may be any one of the susceptors shown and described with reference to FIGS.

쿼츠 봉(360)은 반사 거울(310)과 서셉터(350) 사이에 장착되어, 적외선 램프(330)로부터의 열을 서셉터(350)로 전달하는 역할을 한다. 이러한 쿼츠 봉(360)을 장착할 경우, 적외선 램프(330) 및 쿼츠 봉(360)은 상부 홀(H1) 및 하부 홀(H2)에 끼움 결합되어 결속된다. 이에 따라, 쿼츠 봉(360)의 일단은 하부 홀(H2)에 끼움 결합되어 반사 거울(310) 내부에 일부가 삽입되고, 쿼츠 봉(360)의 타단은 지지 유닛(400)의 내부로 연장된다.
The quartz rod 360 is mounted between the reflective mirror 310 and the susceptor 350 to transmit heat from the infrared lamp 330 to the susceptor 350. When the quartz rod 360 is mounted, the infrared lamp 330 and the quartz rod 360 are engaged with the upper hole H1 and the lower hole H2. Accordingly, one end of the quartz rod 360 is fitted into the lower hole H2, a part of the quartz rod 360 is inserted into the reflection mirror 310, and the other end of the quartz rod 360 is extended into the support unit 400 .

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치(300)는 지지 유닛(400)에 의해 지지되고, 피가열체(S)는 성형 유닛(500)에 의해 성형이 이루어질 수 있다. 이때, 성형 유닛(500)은 반드시 장착되어야 하는 것은 아니며, 필요에 따라 설치하지 않아도 무방하다.Meanwhile, the heating device 300 of the high temperature local heating type according to the embodiment of the present invention is supported by the support unit 400, and the heating target S can be formed by the molding unit 500 . At this time, the molding unit 500 is not necessarily mounted, and it may be dispensed with if necessary.

지지 유닛(400)은 상부 중앙에 쿼츠 봉(360)을 인출시키기 위한 관통 홀(미도시)이 구비되며, 이러한 관통 홀에 의해 쿼츠 봉(360)의 타단이 지지 유닛(400)의 내부로 연장된다. 이때, 지지 유닛(400)은 내부에 빈 공간을 제공하는 직육면체 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 히팅 장치(300)를 지지할 수 있는 구조라면 어떠한 형태든 무방하다.The support unit 400 is provided with a through hole (not shown) through which the quartz rod 360 is drawn out at the center of the upper portion. The other end of the quartz rod 360 is extended into the support unit 400 do. At this time, the support unit 400 may have a rectangular parallelepiped shape that provides a hollow space therein, but is not limited thereto, and any shape may be used as long as it can support the heating apparatus 300.

성형 유닛(500)는 지지 유닛(400)의 내부에 장착되며, 쿼츠 봉(360)에 의해 피가열체(S)를 고온으로 국부 가열한 상태에서 블로잉시켜 일정한 형태로 성형하는 역할을 한다. 도면으로 상세히 나타내지는 않았지만, 블로잉 성형은 히팅 장치(300)를 이용하여 쿼츠 봉(360) 하면의 표면 온도를 설정된 목표 온도까지 급속 가열한 후, 압력 가스 주입구(미도시)로 가스를 주입하는 방식으로 실시된다. 이러한 블로잉 성형에 의해 피가열체(S)는 성형 몰드물과 대응되는 형상을 갖게 된다.
The forming unit 500 is mounted inside the supporting unit 400 and functions to blow the heated body S at a high temperature locally by the quartz rod 360 and blow it into a predetermined shape. Although not shown in the drawings, the blow molding method is a method in which the surface temperature of the lower surface of the quartz rod 360 is rapidly heated to a set target temperature by using the heating device 300, and then gas is injected into the pressure gas inlet (not shown) . By this blow molding, the material to be heated S has a shape corresponding to the molding mold.

이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. These changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should be determined by the following claims.

100 : 서셉터 120 : 서셉터 몸체
140 : 돌출부 d : 돌출부의 길이
200 : 서셉터 220 : 서셉터 몸체
240 : 서셉터 연장부 260 : 국부 가열수단
H : 삽입 홀 T : 중공
300 : 히팅 장치 310 : 반사 거울
320 : 몰딩체 330 : 적외선 램프
340 : 냉각 라인 350 : 서셉터
360 : 쿼츠 봉 400 : 지지 유닛
500 : 성형 유닛 H1, H2 : 상부 및 하부 홀
S : 피가열체100: susceptor 120: susceptor body
140: protrusion d: length of protrusion
200: susceptor 220: susceptor body
240: susceptor extension part 260: local heating means
H: Insertion hole T: hollow
300: Heating device 310: Reflecting mirror
320: molding body 330: infrared lamp
340: Cooling line 350: Susceptor
360: quartz rod 400: support unit
500: forming unit H1, H2: upper and lower holes
S:

Claims (16)

열원에 장착되어, 상기 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체를 국부 가열하기 위한 고온 국부가열 방식의 서셉터로서,
제1 단면적을 가지며, 중앙을 관통하는 삽입 홀을 구비하는 서셉터 몸체;
상기 서셉터 몸체로부터 연장되며, 상기 서셉터 몸체를 감싸는 환형 구조로 형성되어, 내부에 중공을 구비하는 서셉터 연장부; 및
상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 체결되어, 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되며, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 국부 가열수단;을 포함하며,
상기 국부가열 수단은 상기 서셉터 몸체의 중앙 부분에 배치된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
A high temperature local heating type susceptor mounted on a heat source for locally heating a target to be heated by receiving heat from the heat source,
A susceptor body having a first cross-sectional area and having an insertion hole passing through the center;
A susceptor extension extending from the susceptor body, the susceptor extension being formed in an annular structure surrounding the susceptor body and having a hollow therein; And
And local heating means fastened in the insertion hole of the susceptor body and projecting from the susceptor body and having a second cross sectional area smaller than the first cross sectional area,
Wherein the local heating means is disposed at a central portion of the susceptor body.
제1항에 있어서,
상기 서셉터 몸체 및 서셉터 연장부는 각각
실리콘 카바이드(SiC)로 형성되거나, 또는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C) 및 니켈(Ni) 중 1종 이상이 코팅된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
The method according to claim 1,
The susceptor body and the susceptor extension are
Wherein at least one of silicon carbide (SiC) or silicon carbide (SiC) is coated with at least one of graphite, carbon (C) and nickel (Ni).
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 국부 가열수단은
상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 슬라이딩 방식으로 체결되어, 상기 서셉터 몸체에 결합되는 일단에 반대되는 타단이 상기 피가열체와 접촉되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
The method according to claim 1,
The local heating means
Wherein the susceptor body is slidably fitted in an insertion hole of the susceptor body and the other end of the susceptor body is coupled to the susceptor body so as to be in contact with the heated body.
제1항에 있어서,
상기 서셉터 연장부는
상기 서셉터 몸체에 일체로 결합된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
The method according to claim 1,
The susceptor extension
Wherein the susceptor body is integrally coupled to the susceptor body.
제1항에 있어서,
상기 국부 가열수단은
봉 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
The method according to claim 1,
The local heating means
Wherein the susceptor has a bar shape.
반사 거울;
상기 반사 거울을 밀봉하는 몰딩체;
상기 반사 거울의 상단에 결합되어, 적외선을 조사하는 적외선 램프;
상기 몰딩체에 장착되어 온도를 제어하기 위한 냉각 라인; 및
상기 반사 거울의 하단에 결합되며, 상기 적외선 램프로부터 출사되어 반사 거울에 반사되어 굴절된 적외선을 집광시켜 피가열체를 국부 가열하기 위한 서셉터;를 포함하며,
상기 서셉터는 제1 단면적을 가지며, 중앙을 관통하는 삽입 홀을 구비하는 서셉터 몸체와, 상기 서셉터 몸체로부터 연장되며, 상기 서셉터 몸체를 감싸는 환형 구조로 형성되어, 내부에 중공을 구비하는 서셉터 연장부와, 상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 체결되어, 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되며, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 국부 가열수단을 포함하며, 상기 국부가열 수단은 상기 서셉터 몸체의 중앙 부분에 배치된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 히팅 장치.
Reflective mirror;
A molding body for sealing the reflection mirror;
An infrared lamp coupled to an upper end of the reflection mirror for irradiating infrared rays;
A cooling line mounted on the molding body for controlling the temperature; And
And a susceptor coupled to the lower end of the reflective mirror for locally refracting the infrared ray reflected from the reflective mirror and emitted from the infrared lamp,
A susceptor body having a first cross-sectional area and having an insertion hole penetrating the center thereof; and an annular structure extending from the susceptor body, the annular structure surrounding the susceptor body, And a local heating means which is fastened in the insertion hole of the susceptor body and protrudes from the susceptor body and has a second cross sectional area smaller than the first cross sectional area, Wherein the heater is disposed at a central portion of the susceptor body.
제14항에 있어서,
상기 히팅 장치는
상기 반사 거울과 서셉터 사이에 장착되어, 상기 적외선 램프로부터의 열을 상기 서셉터로 전달하기 위한 쿼츠 봉을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 히팅 장치.
15. The method of claim 14,
The heating device
Further comprising a quartz rod mounted between the reflective mirror and the susceptor for transmitting heat from the infrared lamp to the susceptor.
제14항에 있어서,
상기 반사 거울은
상단 및 하단을 각각 노출시키는 상부 홀 및 하부 홀을 구비하며, 타원 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 히팅 장치.15. The method of claim 14,
The reflective mirror
And an upper hole and a lower hole for exposing the upper and lower ends, respectively, and having an elliptical shape.
KR1020140194635A 2014-12-31 2014-12-31 High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same KR101670807B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140194635A KR101670807B1 (en) 2014-12-31 2014-12-31 High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140194635A KR101670807B1 (en) 2014-12-31 2014-12-31 High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160082134A KR20160082134A (en) 2016-07-08
KR101670807B1 true KR101670807B1 (en) 2016-11-01

Family

ID=56504140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140194635A KR101670807B1 (en) 2014-12-31 2014-12-31 High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101670807B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2517218B2 (en) * 1985-03-15 1996-07-24 株式会社サーモ理工 Radiant heating device
JP2006252784A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Thermo Riko:Kk Infrared uniform heating device
KR101002748B1 (en) * 2009-11-17 2010-12-21 (주)앤피에스 Susceptor unit and thermal process apparatus of substrate with it

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3931578B2 (en) * 2001-03-30 2007-06-20 信越半導体株式会社 Vapor growth equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2517218B2 (en) * 1985-03-15 1996-07-24 株式会社サーモ理工 Radiant heating device
JP2006252784A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Thermo Riko:Kk Infrared uniform heating device
KR101002748B1 (en) * 2009-11-17 2010-12-21 (주)앤피에스 Susceptor unit and thermal process apparatus of substrate with it

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160082134A (en) 2016-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4988202B2 (en) Work support and heat treatment methods and systems
KR102167554B1 (en) Improved edge ring lip
US20100200560A1 (en) Apparatus for heating plastic preforms
KR101677819B1 (en) Converging mirror furnace
JPH01310291A (en) Specular furnace
KR101670807B1 (en) High temperature local heating type susceptor and heating apparatus having the same
KR102636172B1 (en) Reflection inner ring
JP2009236375A (en) Kiln
KR101500985B1 (en) Blow forming apparatus having blow forming unit capable of controling fast heating and uniform temperature for fixed area
CN102317872B (en) Method and apparatus for fusing a recording material on a medium
KR100944614B1 (en) Image fixing heat apparatus
JP5370355B2 (en) Mold assembly and molding method
CN105383046A (en) Apparatus for heating plastic parisons and heating device
JP2005504315A5 (en)
JP2009283247A (en) Exothermic body unit, and heating device
JP6430877B2 (en) Microwave irradiation apparatus and microwave irradiation method
JP5955575B2 (en) Single crystal growth equipment
JP2005231959A (en) Working apparatus
JP6926437B2 (en) Heating device
KR101709956B1 (en) Heater with heat release structure for coil supporter between coil tube
JP4935002B2 (en) Heating unit
KR101473741B1 (en) Fixing clip for heating lamp
JPS62269039A (en) Laser type specimen heater
JP2004333098A (en) Electric furnace
JP4134634B2 (en) Light transmissive resin heating device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant