KR101665794B1 - 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체 - Google Patents

다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체 Download PDF

Info

Publication number
KR101665794B1
KR101665794B1 KR1020140186392A KR20140186392A KR101665794B1 KR 101665794 B1 KR101665794 B1 KR 101665794B1 KR 1020140186392 A KR1020140186392 A KR 1020140186392A KR 20140186392 A KR20140186392 A KR 20140186392A KR 101665794 B1 KR101665794 B1 KR 101665794B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
chip
semiconductor
controller
chips
Prior art date
Application number
KR1020140186392A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160077363A (ko
Inventor
장재호
김은정
정재우
Original Assignee
현대오트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대오트론 주식회사 filed Critical 현대오트론 주식회사
Priority to KR1020140186392A priority Critical patent/KR101665794B1/ko
Priority to US14/961,342 priority patent/US10748887B2/en
Priority to CN201510888136.5A priority patent/CN105720014B/zh
Priority to DE102015121601.9A priority patent/DE102015121601A1/de
Publication of KR20160077363A publication Critical patent/KR20160077363A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101665794B1 publication Critical patent/KR101665794B1/ko
Priority to US15/389,131 priority patent/US10903199B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체에 관한 것으로, 기존 반도체 공정에서 벗어나 새로운 반도체 공정 기술 및 제어기 시스템 기술 융합을 통하여 신개념 차량 제어기 전용 반도체인 EiP(ECU in Package)를 설계 및 제조함으로써, 짧은 개발 기간 내에 고성능/고품질 반도체를 초소형/초경량으로 구현할 수 있는 효과가 있다.

Description

다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체{METHOD FOR DESIGNING VEHICLE CONTROLLER-ONLY SEMICONDUCTOR BASED ON DIE AND VEHICLE CONTROLLER-ONLY SEMICONDUCTOR BY THE SAME}
본 발명은 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩의 핵심 기능만을 모아 하나의 시스템으로 조기에 통합하는 새로운 개념의 반도체 제조 방법을 소개한다. 나아가 기존 반도체 공정에서 벗어나 시스템 기술이 융합된 새로운 반도체 공정 기술로써 다이 기반의 통합 반도체 개발의 효과 및 향후 다이 반도체 사업 전망에 대하여 기술한다.
일반적으로, 자동차 제어기(Electronic Control Unit, ECU)는 여러 개의 완성 칩을 하나의 보드 위에 통합하는 방식으로 개발하는데 최근 자동차의 기능에 대한 요구사항이 편리성, 다양성 측면에서 계속적으로 증가함에 따라 내부 제어기는 복잡 거대해지고 있으며 차량 크기 및 연비 효율성 면에도 악영향을 주고 있다.
이러한 현상에 대응하여 반도체 업체들은 많은 기능들의 칩을 가능한 최소 크기로 집적화하여 빠르게 구현하려는 반도체 개발 선상에 있다. 특히, 코어(Core)를 포함한 모든 주변장치 기능들을 하나의 집적회로에 집적시켜 단일 칩 시스템으로 개발하는 방향으로 나아가고 있다.
이것은 곧 전원, 센서, 구동, 연산 등 주요 기능의 소자들을 하나의 단일 반도체 칩으로 개발하는 방식인 SOC(System On the Chip)를 탄생시켰으며, 특정 응용 기능을 단일 칩만으로 구현할 수 없는 경우 통신, 메모리, 코어와 같은 특수 공정 제조 반도체를 추가함으로써 여러 개의 반도체를 통합하는 방식인 SIP(System in Package) 기술도 각광을 받고 있다.
그런데, SOC 또는 SIP 칩 기반으로 다기능 혹은 시스템에 준하는 성능을 구현해내기까지 개발 효율을 비롯한 반도체 지속 사업 측면을 고려해볼 필요가 있다. 특히, 값비싼 소프트웨어(SW) IP 기반의 반도체 설계기술만으로 지속 발전하는 제어기(ECU) 기술에 대응하기에는 개발비 상승, 개발 기간 장기화 및 반도체 기술 부재 등 여러 한계점들이 있다.
다음은 종래 반도체(SIP 또는 SOC) 기반의 제어기(ECU) 개발 기술과 관련한 도면 설명이다.
도 1은 종래의 복잡 거대 제어기를 나타낸 도면이고, 도 2는 종래의 반도체 개발 공정을 설명하기 위한 흐름도 및 각 공정 단계를 나타낸 도면이고, 도 3은 종래의 SOC 및 SIP 개발 방식을 나타낸 도면이고, 도 4는 종래의 제어기를 구성하는 코어 칩을 나타낸 도면이고, 도 5는 종래의 제어기를 구성하는 전원 칩을 나타낸 도면이고, 도 6은 종래의 제어기를 구성하는 통신 칩을 나타낸 도면이고, 도 7은 종래의 SPAS 제어기 및 외부 기구물을 나타낸 도면이다.
제어기(ECU)의 두뇌 역할을 하는 핵심 부품은 코어 반도체(도 4 참조)이며, 그 외 주요 반도체로는 메모리, 통신 및 전원, 센서, 액추에이터 반도체(도 3 및 도 6 참조) 등이 있다.
일반적인 반도체 개발 방법은 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 공정 순서에 따라 소프트웨어(SW) 반도체 IP 기반으로 회로 설계 후 웨이퍼 제조 공정을 거쳐 단일 칩 시스템으로 조립한다.
여기서, IP(Intellectual Property)는 반도체 디바이스 내에 구현되기 위해 미리 정의된 기능 블록으로써, 반도체 설계의 재사용을 가능케 하여 복잡한 회로를 좀더 빠를 시간에 구현할 수 있고 최종 제품 설계가 쉬우며 조립 또한 용이한 것이 장점이다. 하지만, 가격이 매우 비싼 것이 단점이고, 기술적으로도 선진 반도체 업체에 의존하고 있는 현황이다.
도 2의 종래 반도체 공정에 있어 기존 SOC와 SIP의 차이점을 들자면 SOC(System On Chip)는 단일 설계 회로 상에 여러 기능을 구현하고 단일 칩으로 조립하는 방식을 사용하는 반면 SIP는 각 반도체 공정을 거친 개별 반도체 소자를 단일 칩 상에 통합 및 패키지화하는 방식을 사용한다.
따라서, SOC 개발 방식은 단일 칩 기반으로 사양의 최적화와 최적 설계를 통하여 면적 감소 효과가 있으며 단일 공정을 통한 공정 간소화를 가져온다. 또한, SIP 개발 방식은 기존의 제조 반도체 다이를 재사용을 통하여 종래 반도체 공정에 있어서 회로 설계 및 검증 과정이 필요 없기 때문에 개발 기간을 줄일 수 있다(도 3 참조).
도 1 내지 도 7을 참조하면, 종래 복잡 거대한 제어기(ECU)는 여러 개 반도체(SIP 또는 SOC)들의 집합체로써, 현재 차량 내 제어기(ECU)는 기능 및 성능이 발전할수록 그것을 구성하는 반도체 개수의 증가 및 칩 간 복잡한 연결 구조로 인하여 설계가 어려워질 뿐 아니라 크기 및 중량 증가가 불가피해진다. 이러한 문제점은 그러한 복합 거대한 제어기(ECU)를 감싸는 기구물의 공간 활용성 저하 및 차량의 중량 증가의 원인이 되어 연비 효율까지 감퇴시키는 악영향을 끼친다.
또한, 앞서 SOC와 SIP 차이점을 설명했듯이 SOC는 기능 블록들의 회로 설계를 통하여 단일 반도체로 제조하는 개발 방식으로 제어기를 개발할 경우 비용 및 기간 등 개발 효율 면에서 아래와 같은 문제점들이 존재할 수 있다.
첫째, 개발비 증가문제가 있다. SOC는 비싼 IP들을 기반으로 반도체 설계를 하기 때문에 초기 개발비 부담을 가져온다. 또한, 제어기(ECU)를 구성하게 되면 칩끼리 동일한 기능이 겹치는 경우가 있다. 제어기(ECU) 전체로 보면 하나의 기능만 필요로 하지만 각 SOC의 코어나 통신 등 반드시 포함되는 기능에 대해서는 하드웨어 낭비로 이어지므로 원가 및 개발비 상승을 불러오게 된다. 특히, 사용자의 주문에 따라 특정용도에 맞게 설계한 ASIC과는 달리 SOC는 여러 기능을 가진 시스템을 하나의 칩에 집적하는 기술이기 때문에 연구 개발에서 제품화로 이어지기까지 비용이 많이 발생한다는 단점이 있다.
둘째, 개발기간 지연을 불러온다. 일반적으로, 반도체 칩 하나를 개발하는 데에는 마스크 시뮬레이션, 웨이퍼 테스트 생산이전에 정확성 검증 등 최종 칩이 완성될 때까지 여러 테스트 과정이 있다. 그런데, 종래의 제어기(ECU)는 여러 개 칩이 들어가 그만큼의 테스트 중복으로 인해 개발 기간이 장기화로 이어질 수 있다. 이와 더불어, 이미 개발된 제어기(ECU)에 추가로 기능 및 성능 개선이 필요할 경우 반도체 IP 기반의 처음의 설계 단계로 돌아가야 한다. 예를 들어, SOC를 구성하는 부품 중 코어 하나만 바뀌더라도 다시 새로운 코어 기반으로 전체 칩을 설계하고 반도체 제조 공정 및 단계별 테스트 과정을 거쳐야 하므로 개발 기간은 지연될 수밖에 없다.
셋째, 재사용 어려움이 있다. 여러 IP 반도체 기반의 설계 및 조립 및 검증까지 마친 고정된 칩에 대해서는 칩을 구성하는 반도체 부품 별 재사용이 불가능하다. 특히, SOC는 여러 기능별 소자들로 복잡하게 얽혀 있는 단일 칩 시스템이기 때문에 프로세서 혹은 통신 등 일부 기능만 바꾸어 동일한 칩으로 가져가는 것은 불가능하다. 따라서, 개발 장기화를 감안하더라도 새로운 소자를 추가하여 개발해야 할 경우 기존 바뀌지 않은 부품에 대해서는 재사용이 불가하다.
넷째, 소프트웨어(SW) 호환의 문제이다. 기존 SOC 칩을 기반으로 제어기를 개발하게 되면 칩 업체들마다 서로 다른 소프트웨어(SW) 플랫폼 및 개발 환경을 제공하기 때문에 제어기 레벨로 여러 칩들을 통합할 시 소프트웨어(SW) 호환성을 고려해야 한다. 따라서, 각 칩 간 인터페이스 규정에 맞도록 설정 및 그것을 위한 통합 개발 환경(Configuration Tool 등)을 개발하고 제어기 레벨에서 칩간의 정합성 검증까지 해야 하는 번거로움이 있다.
본 발명은 전술한 SOC 개발 방식의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체를 제공한다.
본 발명에서 제안하는 다이 기반의 반도체 통합 개발 방법은 기 설명한 SIP 개발 방식을 바탕으로 하지만 각 반도체 칩간의 내부 복잡도 증가에 따른 발열, 전자파 문제 등을 야기하여 신뢰성 저하를 가져올 수 있는 SIP 단점을 보완해야 하므로 단일화 및 최적화된 하드웨어 설계가 매우 중요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 회로설계 필요 없이 기존 반도체 다이를 재사용 할 수 있는 SIP 개발 방식을 활용하되, SOC 개발 방식의 반도체 소형화 및 간소화라는 장점을 가져오도록 하여, 신개념 차량 제어기 전용 반도체, EIP(ECU In Package)를 설계 및 제조를 통한 고성능/고품질의 통합 반도체를 단기에 /초소형/초경량/으로 구현하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은, (a) 차량 제어기 내에 사용되는 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 분류하는 단계; (b) 상기 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들이 하나의 단일 칩 내에서 동작할 수 있도록 패턴 설계 과정을 거친 후, 상기 복수의 다이 칩들을 하나의 단일 칩으로 통합하는 단계; 및 (c) 상기 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 데이터베이스(DB)화하여 저장 및 관리하는 단계를 포함하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법을 제공하는 것이다.
삭제
바람직하게, 상기 단계(b)에서, 상기 하나의 단일 칩은 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 통합할 수 있다.
바람직하게, 상기 단계(b)에서, 상기 하나의 단일 칩은, 웨이퍼를 기설정된 크기로 절단하는 제1 공정과, 상기 제1 공정에서 절단된 웨이퍼 조각들의 표면에 복수의 기능을 갖는 회로를 집적하여 복수의 다이 칩들을 제작하는 제2 공정과, 상기 제2 공정에서 제작된 다이 칩들 중에서 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 패턴 설계, 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 하나의 단일 칩으로 제작하는 제3 공정을 포함하여 통합될 수 있다.
바람직하게, 상기 단계(a)에서, 상기 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들은, 전원 칩, 통신 칩, 코어 칩 및 메모리 칩으로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 단계(b) 이후에, 상기 통합된 하나의 단일 칩에 소프트웨어 플랫폼 및 어플리케이션을 통합 및 검증하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 하나의 단일 칩에 통합하는 소프트웨어는 표준 베이직 플랫폼 및 응용 소프트웨어로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 측면은, 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법에 있어서, 일정크기로 절단된 웨이퍼 조각들의 표면에 복수의 기능을 갖는 회로를 집적하여 복수의 다이 칩들을 제작한 후, 상기 제작된 다이 칩들 중에서 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 패턴 설계하여 하나의 단일 칩으로 통합 제작하고, 상기 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 데이터베이스(DB)화하여 저장 및 관리하는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법을 제공하는 것이다.
삭제
바람직하게, 상기 하나의 단일 칩은 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 통합할 수 있다.
바람직하게, 상기 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들은, 전원 칩, 통신 칩, 코어 칩 및 메모리 칩으로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 통합 제작된 하나의 단일 칩에 소프트웨어 플랫폼 및 어플리케이션을 통합 및 검증하는 과정을 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 하나의 단일 칩에 통합하는 소프트웨어는 표준 베이직 플랫폼 및 응용 소프트웨어로 이루어질 수 있다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법을 따른다면, 차량 제어기 전용 반도체(EIP: ECU In Package)를 빠른 기한 내 저가격/고성능/고품질의 초소형/초경량으로 구현할 수 있다. 이와 관련한 보다 상세한 효과는 아래와 같다.
본 발명에 따르면, 하드웨어 재사용 및 다이(Die) 기반 통합 설계를 통하여 기존의 비싼 IP 기반의 설계 방식에 비하여 개발 비용을 절감할 수 있다. 즉, 기존 수십~수백억에 달하는 IP에 비하여 다이(Die)는 그러한 IP 기술이 내재된 기술 핵심이면서 기존 반도체 제조 공정 중 다이(Die) 공정 단가만 책정되어 납품되기 때문에 그만큼의 개발 공수를 줄일 수 있기 때문이다.
본 발명에 따르면, 다이 기반의 EIP는 범용적으로 재사용이 가능하다는 이점이 있다. 통신, 전원, 메모리 등 핵심 기능의 다이(Die)들로 통합한 EIP는 대부분의 제어기에서 필요로 하기 때문에 일반적으로 모든 제어기에 적용 가능하며, 여기에 특정 센서, 액츄에이터 등을 결합시키면 SMK, TPMS 등의 특정 제어기 용도로도 변환이 가능하다.
또한, 완성 제어기 시스템 측면에 있어서도 원가 절감과 더불어 하드웨어 재사용을 가능하게 한다. 다이(Die) 통합 설계 기반의 EIP는 단일 보드 상에 각 다이 간의 연결성을 고려하여 최적화하여 설계함으로써 최소의 크기로 구현한 것이기 때문에 기존 제어기에 존재해왔던 칩들 대신 이러한 EIP를 적용한다면 PCB 절감 등을 통해 칩 간에 불필요하게 중복되었던 하드웨어의 낭비를 막을 수 있다.
또한, EIP가 적용된 제어기는 결과적으로 전체적인 제어기 크기 또한 축소되기 때문에 제어기를 감싸는 기구물의 남는 공간을 활용할 수 있어 기구물 재사용 또한 가능하다는 것이 장점이다.
본 발명에 따르면, EIP 개발은 제어기의 경박단소화 및 품질 향상을 가져오는 이점이 있다. EIP는 핵심 다이(Die) 기반의 통합 시스템으로써, 각 구성 다이(Die) 및 연결에 필요한 부품만 들어가기 때문에 그만큼의 설계가 간소화되며 부품 수 및 중량 및 크기도 줄일 수 있다. 따라서, 각 부품 간의 EMC 방지 및 제어기 품질을 향상시킬 수 있으며 부가적으로 제어기 크기 축소 및 외부 기구물의 절감을 가져오기 때문에 전체적인 차량 연비를 개선할 수 있는 이점이 있다(도 17 참고).
본 발명에 따르면, EIP는 표준 플랫폼이 적용된 단일 칩 시스템으로써 소프트웨어 호환이 가능하다는 이점이 있다. 따라서, 종래 칩간의 서로 다른 플랫폼 및 인터페이스 등을 고려할 필요가 없으며, 공통의 표준 플랫폼 기반 위에서 동작하므로 다른 제어기 용도로 사용되더라도 필요한 응용 소프트웨어(SW) 및 특정 기능을 빠르게 구현할 수 있으며 EIP 간의 표준 인터페이스를 통한 쉬운 동작 환경 구성을 가지는 이점이 있다.
본 발명에 따르면, EIP는 다이(Die) 통합 기반의 신개념 반도체 공정 기술에 기존 부품업체가 가지고 있는 플랫폼 및 평가 기술이 더해진 새로운 시스템으로써 앞으로의 차량 전자 제어 분야를 주도해나갈 수 있는 반도체 융합 기술의 핵심이라고 할 수 있다.
도 1은 종래의 복잡 거대 제어기를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 반도체 개발 공정을 설명하기 위한 흐름도 및 각 공정 단계를 나타낸 도면이다.
도 3은 종래의 SOC 및 SIP 개발 방식을 나타낸 도면이다.
도 4는 종래의 제어기를 구성하는 코어 칩을 나타낸 도면이다.
도 5는 종래의 제어기를 구성하는 전원 칩을 나타낸 도면이다.
도 6은 종래의 제어기를 구성하는 통신 칩을 나타낸 도면이다.
도 7은 종래의 SPAS 제어기 및 외부 기구물을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 설계 방법을 설명하기 위한 전체적인 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 웨이퍼 공정 및 다이 공정을 마친 결과물을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 다이 공정을 마친 후 제조된 코어 다이를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 다이 공정을 마친 후 제조된 전원 다이를 나타낸 도면이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 다이 공정을 마친 후 제조된 통신 다이를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 EIP 모듈의 내부 및 외부와 이러한 EIP가 적용된 SPAS 제어기 모형을 나타낸 도면이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 EIP 모듈이 제어기에 적용된 실제 샘플을 나타낸 도면이다.
도 17 은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 EIP 모듈이 적용된 SPAS 제어기에 대한 사이즈 및 중량 감소 효과를 나타낸 실사 도면이다.
본 발명에서 일컫는 EIP(Ecu In Package)란 제어기 모든 기능이 하나로 패키지 되었다는 의미로 위에 설명한 반도체 신공정 기술 및 시스템 기술이 융합되었음을 내재한다. 따라서, 그러한 핵심 기술로는 다이(Die) 기반의 반도체 통합 설계 및 신개념 반도체 공정 기술과 더불어 완성 반도체에 융합되는 시스템 기술이 될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
우선, 8 및 도 9를 참조하면, 먼저, 차량 제어기(ECU) 내에 사용되는 주요 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들(바람직하게, 전원 칩, 통신 칩, 코어 칩 및 메모리 칩 등)을 분류한다(S100).
즉, 차량 제어기(ECU) 내에 사용되는 주요 공통 기능(예컨대, 전원, 통신, 코어, 메모리 등)의 다이 칩들을 분류하여 데이터베이스(DB)화한다면, 다이(Die) 기반 EIP 설계 시 각각의 기능 단위로써 구현하고자 하는 EIP 성격에 따라 재구성을 할 수 있다. 또한, 각 EIP에 공통으로 쓰이는 다이들로 통합한 EIP인 경우에는 공통 기능용 EIP로써 소프트웨어 호환성을 통하여 다른 제어기에도 적용 및 재사용 가능하다. 한편, 공통 기능별로 통합할 수 없는 소자(즉, 방열 등 물리적으로 크기를 줄일 수 없는 부품 소자)를 별도로 관리할 수도 있다. 그리고, 상기 단계S100에서 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들은 예컨대, 관리자 단말을 통해 데이터베이스(DB)화하여 별도의 서버 또는 저장매체 등에 저장 및 관리함이 바람직하다.
하기의 부품들은 제어기 간 존재하는 주요 공통 기능의 칩으로써 향후 각 칩에 해당하는 다이(Die)를 기반으로 제어기 전용 반도체(EiP)로 설계 가능하다.
첫째, 전원 칩은 차량 상태에 따라 변동성이 많은 전압을 안정화하는 컴포넌트 및 그 전압을 낮추어 다른 컴포넌트에 제공하는 컴포넌트(Component)이다.
둘째, 통신 칩은 차량 내 타 제어기와의 통신에 필요한 컴포넌트(예컨대, CAN, LIN, K-Line, FlexRay, MOST, Ethernet 등)이다.
셋째, 코어 칩은 제어기(ECU) 동작과 관련된 프로그램이 가능한 컴포넌트(8bit/32bit 마이크로 컨트롤러)이다.
넷째, 메모리 칩은 제어기(ECU)에 동작과 관련된 기술이나 필요사항을 저장이 가능한 컴포넌트이다.
다음으로, 상기 단계S100에서 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들이 하나의 단일 칩 내에서 동작할 수 있도록 패턴 설계 과정을 거친 후, 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 하나의 단일 칩으로 통합한다(S200).
추가적으로, 상기 단계S200 이후에, 상기 통합된 하나의 단일 칩에 소프트웨어 플랫폼 및 어플리케이션(Application)을 통합 및 검증하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 단계S200에서, 상기 하나의 단일 칩은 도 9에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(Wafer)를 기설정된 크기로 절단하는 제1 공정(S201)과, 상기 제1 공정(S201)에서 절단된 웨이퍼 조각들의 표면에 복수의 기능을 갖는 회로를 집적하여 복수의 다이 칩들을 제작하는 제2 공정(S202)과, 상기 제2 공정(S202)에서 제작된 다이 칩들 중에서 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 패턴 설계, 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 하나의 단일 칩으로 제작하는 제3 공정(S203)을 포함하여 제조될 수 있다.
상기 제1 공정(S201)은 웨이퍼(Wafer) 공정으로서, 웨이퍼(Wafer)는 집적회로를 만들기 위한 재료이며, 실리콘(Si)을 정제해서 수백μm(1μm=1/1000mm)의 두께로 절단하고, 이 절단한 표면 위에서 집적회로가 만들어진다. 일반적으로, 집적회로는 한 장의 웨이퍼에 여러 개가 생산되며 집적회로를 기반으로 칩으로 제조한다고 볼 때 한 장의 웨이퍼에서 얻을 수 있는 칩 수를 증가시키기 위해서는 칩 사이즈(size)를 줄이거나, 웨이퍼의 사이즈(size)를 크게 할 필요가 있다.
상기 제2 공정(S202)은 다이(Die) 공정으로서, 다이(Die)는 웨이퍼를 절단한 반도체 물질의 작은 사각형 조각으로 여기에 회로가 제작되어 있어 반도체 핵심이라고 할 수 있다. 비싼 소프트웨어(SW) IP를 기반으로 설계 및 제조한 SOC로 치자면 다이(Die)는 여러 개 IP들이 반영된 SOC의 중간 결과물이며, EIP는 그러한 핵심 다이(Die)를 기반으로 개발한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 웨이퍼 공정 및 다이 공정을 마친 결과물을 나타낸 도면이고, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 다이 공정을 마친 후 제조된 코어 다이(예컨대, Infineon 32bit bare die/TC275T)를 나타낸 도면이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 다이 공정을 마친 후 제조된 전원 다이(예컨대, Infineon/TLE7368)를 나타낸 도면이고, 도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체의 제조 방법 중에서 다이 공정을 마친 후 제조된 통신 다이(Microchip/MCP2562, Microchip/MCP2003)를 나타낸 도면이다.
상기 제3 공정(S203)은 EIP 공정으로서, 여러 기능 블록들을 한 개 단일 칩 시스템으로 통합한다는 개념에서는 기존 SOC와 같지만 지적 소프트웨어(SW) 기능 모듈, IP 기반의 설계가 아닌 웨이퍼 가공 후 신뢰성 검증을 거친 다이(Die)를 하드웨어적으로 설계 및 통합에서 다르다고 볼 수 있다.
이러한 공정 기술은 기존 반도체 제조 공정과 같이 반도체 IP 기반의 소프트웨어(SW) 설계를 시작으로 마지막 칩으로 조립하는 방법이 아닌 이미 가공된 웨이퍼(Wafer)에서 나온 다이(Die)들이 단일 칩 상에서 동작할 수 있도록 하드웨어적으로 설계하고 통합하는 새로운 방식의 제어기 전용 반도체공정 설계기술이다.
전술한 반도체 공정 기술이 통신, 전원, 메모리 등 여러 기능별 다이(Die)들을 하나에 칩에 통합하는 하드웨어적인 설계 기술이라면 시스템 기술은 반도체에 적용하는 소프트웨어와 이를 마지막으로 통합 평가하는 기술이다. 반도체에 통합하는 소프트웨어로는 표준 베이직 플랫폼 및 응용 소프트웨어(SW)가 있으며 평가로는 하드웨어(HW)와 통합 검증 및 최종적으로 시스템의 기능을 테스트하는 영역까지를 말한다.
따라서, 완성 하드웨어(HW) 칩에 소프트웨어(SW) 플랫폼 및 어플리케이션을 통합하고 마지막 검증 단계까지 마치면 융복합적인 기술 결과물로써 겉으로 보기엔 단순한 칩 하나가 기존의 복잡 거대한 제어기를 대체할 수 있다. 관련 도면으로 참조한다면, 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 EIP 모듈의 내부 및 외부와 이러한 EIP가 적용된 SPAS 제어기 모형을 나타낸 도면이고, 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 EIP 모듈이 제어기에 적용된 실제 샘플을 나타낸 도면이다.
본 발명은 여러 개 칩을 제어기(ECU)로 통합하는 종래 개발에서 벗어나, 여러 칩의 기능들이 하나의 단일 칩 안에서 동작할 수 있도록 통합하는 반도체 설계 방법을 제안한다.
그러한 통합 반도체는 제어기를 구성하는 기능들을 하나의 칩에 통합하여 설계 및 제조한 단일 칩 형태로 겉모양은 반도체 칩이지만 내부 기능은 SPAS, TPMS 등과 동일한 역할을 수행할 수 있기 때문에 향후 제어기(ECU)를 대체할 수 있다. 따라서, SPAS 또는 TPMS 등과 같은 제어기에 대한 제어기 전용 반도체라고 지칭하며, 본 발명에서는 이것을 가리켜 EIP(ECU In Package)로 정의한다.
한편, 제어기(ECU)를 구성하는 종래의 칩은 반도체 제조 공정 이전에 IP 기반 소프트웨어(SW) 설계가 먼저 진행되기 때문에 다른 용도 칩으로 기능을 변경하거나 수정해야 할 경우 기존 칩을 버리고 다시 처음 설계부터 시작하여 반도체 공정 및 검증 작업을 거쳐야 한다.
물론 본 발명의 EIP에 통합되는 각 다이(Die)들에 대해서도 신뢰성 검증이 필요하지만 기존 제어기 내 각 칩 별로 투입되었던 공정 비용 및 단계 별 검증기간에 비하면 한번 신뢰성 검증을 거친 다이(Die)는 바로 EIP에 적용할 수 있어 제어기 납입 시기를 대폭 줄일 수 있다. 또한, 전술한 본 발명의 EIP 재사용과 같이 공통 기능용 EIP에 특정 기능의 센서, 액츄에이터 등을 연결하면 SMK, TPMS 등 특정 제어기 용도로도 빠르게 전환할 수 있어 차종별 제어기 개발 양산화 시기를 앞당길 수 있다.
또한, 종래 제어기(ECU)는 이미 조립이 고정된 반도체 칩을 단위로 구성하기 때문에 각 칩들 간에 공통 부품이 존재하더라도 더 이상의 축소가 불가능했다. 이와 더불어, 제어기 기능 증가로 인한 내부 칩의 수가 많아질수록 설계가 복잡해지고 크기 및 중량이 커지는 것을 감안해야 했다.
그러나, 본 발명의 EIP는 반도체의 핵심 다이(Die)를 기반으로 한 개 칩으로 통합한 시스템이기 때문에 다이(Die) 연결에 필요한 부품만 사용하면 되므로 그만큼의 설계가 간소화되고 사용되는 부품 수 및 중량 및 크기도 줄일 수 있다. 결과적으로 설계 단순화를 통한 부품간 EMC 방지 및 제어기 품질을 향상시키며 부가적 효과로는 제어기 경량화 및 사이즈 축소를 통한 차량 연비 및 제어기 기구물의 공간 활용 면을 개선할 수 있다.
추가적으로, 기존의 칩은 반도체 업체별로 제공되는 드라이버(Driver)를 비롯한 플랫폼 및 소프트웨어(SW) 개발 환경이 다르기 때문에 소프트웨어(SW) 통합 시 차질을 가져오게 된다. 그러나, 본 발명의 EIP는 제어기에 필요한 기능별 다이(Die)들을 통합하여 표준 플랫폼을 적용한 단일 칩 시스템이므로 종래 칩간의 서로 다른 플랫폼 및 인터페이스 등을 고려할 필요가 없다. 또한, 공용의 표준 플랫폼 기반 위에서 동작하므로 응용 소프트웨어(SW) 및 특정 기능을 빠르게 구현할 수 있으며 표준 인터페이스를 통한 EIP 간의 높은 소프트웨어(SW) 호환성을 가진다.
또한, 다이(Die) 기반의 통합 설계 방법이 표준화되고 반도체 제조 공정 및 평가 기술이 양산 궤도에 오른다면 다이(Die)를 팔기 위한 반도체 업체들간의 경쟁이 가속화될 것으로 예상된다. 따라서, 고가 IP 가격이 반영된 칩 대신 보다 저렴한 다이(Die)가 시장에 내놓게 되며 EIP 사업을 주도하는 Tier1 및 부품사 중심으로 다이(Die) 공급 체계가 형성될 것이다.
즉, EIP 기술을 보유하고 있는 회사는 EIP 별로 적용되는 다이(Die) 공급 업체를 선정하고 지정 업체와의 거래 활성화를 통하여 반도체 통합 구매권을 확보할 수 있다. 이로써 기존 반도체 구매 방식에도 패러다임을 불러옴으로써 자동차 부품업체와 반도체 업체간에 새로운 반도체 개발 전략으로 떠오를 것으로 예상된다.
이와 같이 EIP의 등장으로 인하여 짧은 개발 기간 내(time-to-market 강화) 고성능/고품질 반도체를 초소형/초경량으로 구현함으로써 개발 효율을 높임과 동시에 빠르게 변화하는 반도체 기술에 대응할 수 있다. 나아가 하드웨어(HW) 설계 방법을 표준화하고 SPAS 혹은 TPMS 등과 같은 제어기 전용 반도체로써 제품화를 한다면 향후 반도체 사업 활성화에도 지대한 영향을 불러올 수 있을 것으로 예상된다.
결과적으로, 본 발명의 EIP는 다이(Die) 통합 기반의 새로운 반도체 공정 기술 및 플랫폼과 평가 기술이 융합된 신기술 모델로써 앞으로의 차량용 반도체 개발 분야를 주도해나갈 수 있다.
본 발명에서 제시하고자 하는 방안은, 첫째로, 차량 제어기 전용 반도체 개발에 있어 다이(Die) 기반의 신개념 EIP(ECU In Package) 기술에 대한 방안과, 둘째로, EIP 개발사를 중심으로 다이(Die) 공급 업체 지정 및 다이(Die) 통합 구매에 대한 방안으로써 EIP 기술을 모방하여 다이(Die)를 구매하려는 타 업체와의 충돌을 막고자 한다.
전술한 본 발명에 따른 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.

Claims (18)

  1. (a) 차량 제어기 내에 사용되는 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 분류하는 단계;
    (b) 상기 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들이 하나의 단일 칩 내에서 동작할 수 있도록 패턴 설계 과정을 거친 후, 상기 복수의 다이 칩들을 하나의 단일 칩으로 통합하는 단계; 및
    (c) 상기 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 데이터베이스(DB)화하여 저장 및 관리하는 단계를 포함하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 단계(b)에서, 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 상기 복수의 다이 칩들을 상기 하나의 단일 칩으로 통합하는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 단계(b)에서, 상기 하나의 단일 칩은,
    웨이퍼를 기설정된 크기로 절단하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정에서 절단된 웨이퍼 조각들의 표면에 복수의 기능을 갖는 회로를 집적하여 복수의 다이 칩들을 제작하는 제2 공정과,
    상기 제2 공정에서 제작된 다이 칩들 중에서 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 패턴 설계, 와이어본딩 및 몰딩 기술을 이용하여 하나의 단일 칩으로 제작하는 제3 공정을 포함하여 통합되는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 단계(a)에서, 상기 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들은, 전원 칩, 통신 칩, 코어 칩 및 메모리 칩으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 단계(b) 이후에, 상기 통합된 하나의 단일 칩에 소프트웨어 플랫폼 및 어플리케이션을 통합 및 검증하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 하나의 단일 칩에 통합하는 소프트웨어는 표준 베이직 플랫폼 및 응용 소프트웨어로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  8. 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법에 있어서,
    일정크기로 절단된 웨이퍼 조각들의 표면에 복수의 기능을 갖는 회로를 집적하여 복수의 다이 칩들을 제작한 후,
    상기 제작된 다이 칩들 중에서 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 패턴 설계하여 하나의 단일 칩으로 통합 제작하고,
    상기 분류된 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 데이터베이스(DB)화하여 저장 및 관리하는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  9. 삭제
  10. 제8 항에 있어서,
    와이어 본딩 및 몰딩 기술을 이용하여, 상기 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들을 상기 하나의 단일 칩으로 통합하는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 공통 기능을 갖는 복수의 다이 칩들은, 전원 칩, 통신 칩, 코어 칩 및 메모리 칩으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 통합 제작된 하나의 단일 칩에 소프트웨어 플랫폼 및 어플리케이션을 통합 및 검증하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 하나의 단일 칩에 통합하는 소프트웨어는 표준 베이직 플랫폼 및 응용 소프트웨어로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
KR1020140186392A 2014-12-22 2014-12-22 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체 KR101665794B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140186392A KR101665794B1 (ko) 2014-12-22 2014-12-22 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체
US14/961,342 US10748887B2 (en) 2014-12-22 2015-12-07 Method for designing vehicle controller-only semiconductor based on die and vehicle controller-only semiconductor by the same
CN201510888136.5A CN105720014B (zh) 2014-12-22 2015-12-07 车辆控制器专用半导体的设计方法及由此制造的半导体
DE102015121601.9A DE102015121601A1 (de) 2014-12-22 2015-12-11 Verfahren zum Entwerfen eines auf einem die basierenden Halbleiters ausschließlich zur Fahrzeugsteuerung und ein durch dieses erhältlicher Halbleiter ausschließlich zur Fahrzeugsteuerung
US15/389,131 US10903199B2 (en) 2014-12-22 2016-12-22 Method for designing vehicle controller-only semiconductor based on die and vehicle controller-only semiconductor by the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140186392A KR101665794B1 (ko) 2014-12-22 2014-12-22 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160077363A KR20160077363A (ko) 2016-07-04
KR101665794B1 true KR101665794B1 (ko) 2016-10-13

Family

ID=56097492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140186392A KR101665794B1 (ko) 2014-12-22 2014-12-22 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10748887B2 (ko)
KR (1) KR101665794B1 (ko)
CN (1) CN105720014B (ko)
DE (1) DE102015121601A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123500A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000123059A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置の設計方法
US6536028B1 (en) 2000-03-14 2003-03-18 Ammocore Technologies, Inc. Standard block architecture for integrated circuit design
KR100370155B1 (ko) 2000-05-01 2003-01-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US7444575B2 (en) * 2000-09-21 2008-10-28 Inapac Technology, Inc. Architecture and method for testing of an integrated circuit device
US6717430B2 (en) * 2002-02-13 2004-04-06 Motorola, Inc. Integrated circuit testing with a visual indicator
US6791168B1 (en) 2002-07-10 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor package with circuit side polymer layer and wafer level fabrication method
US20060185429A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Finemems Inc. An Intelligent Integrated Sensor Of Tire Pressure Monitoring System (TPMS)
US9229222B2 (en) * 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
JP4659488B2 (ja) 2005-03-02 2011-03-30 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7620924B2 (en) * 2005-03-14 2009-11-17 Lsi Corporation Base platforms with combined ASIC and FPGA features and process of using the same
US7779311B2 (en) 2005-10-24 2010-08-17 Rambus Inc. Testing and recovery in a multilayer device
US8373429B2 (en) * 2006-03-07 2013-02-12 Steven Slupsky Method and apparatus for interrogating an electronic component
US20080077801A1 (en) * 2006-09-25 2008-03-27 Nokia Corporation Protecting interfaces on processor architectures
US7476555B2 (en) * 2006-11-15 2009-01-13 Airdio Wireless Inc. Method of chip manufacturing
JP4353976B2 (ja) * 2006-12-22 2009-10-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 システムインパッケージ
US7589548B2 (en) * 2007-02-22 2009-09-15 Teradyne, Inc. Design-for-test micro probe
ITMI20070933A1 (it) * 2007-05-08 2008-11-09 St Microelectronics Srl Sistema elettronico multi piastrina
US8556389B2 (en) 2011-02-04 2013-10-15 Kateeva, Inc. Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections
TW200910564A (en) 2007-08-17 2009-03-01 United Test Ct Inc Multi-substrate block type package and its manufacturing method
MY146344A (en) 2007-10-23 2012-08-15 Semiconductor Components Ind Method of manufacturing a semiconductor component with a low cost leadframe using a non-metallic base structure
CA2623257A1 (en) * 2008-02-29 2009-08-29 Scanimetrics Inc. Method and apparatus for interrogating an electronic component
US8390035B2 (en) 2009-05-06 2013-03-05 Majid Bemanian Massively parallel interconnect fabric for complex semiconductor devices
US8295056B2 (en) * 2009-07-22 2012-10-23 International Business Machines Corporation Silicon carrier structure and method of forming same
US8386690B2 (en) * 2009-11-13 2013-02-26 International Business Machines Corporation On-chip networks for flexible three-dimensional chip integration
CN102074559B (zh) 2010-11-26 2012-11-21 天水华天科技股份有限公司 SiP***集成级IC芯片封装件及其制作方法
US9432298B1 (en) * 2011-12-09 2016-08-30 P4tents1, LLC System, method, and computer program product for improving memory systems
US9164679B2 (en) * 2011-04-06 2015-10-20 Patents1, Llc System, method and computer program product for multi-thread operation involving first memory of a first memory class and second memory of a second memory class
US20120315382A1 (en) 2011-06-10 2012-12-13 Aliphcom Component protective overmolding using protective external coatings
US9023729B2 (en) * 2011-12-23 2015-05-05 Athenaeum, Llc Epitaxy level packaging
US8987066B2 (en) * 2012-01-03 2015-03-24 Honeywell International Inc. Processing unit comprising integrated circuits including a common configuration of electrical interconnects
WO2013109955A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 Skorpios Technologies, Inc. Vertical integration of cmos electronics with photonic devices
CN104205087B (zh) * 2012-02-04 2018-01-16 英派尔科技开发有限公司 芯片多处理器中的核心级动态电压和频率调节
US9147670B2 (en) 2012-02-24 2015-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Functional spacer for SIP and methods for forming the same
KR20140024593A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 에스케이하이닉스 주식회사 시스템 패키지
US8846452B2 (en) * 2012-08-21 2014-09-30 Infineon Technologies Ag Semiconductor device package and methods of packaging thereof
KR102179297B1 (ko) * 2014-07-09 2020-11-18 삼성전자주식회사 모노 패키지 내에서 인터커넥션을 가지는 반도체 장치 및 그에 따른 제조 방법
US9666559B2 (en) * 2014-09-05 2017-05-30 Invensas Corporation Multichip modules and methods of fabrication
US9560745B2 (en) * 2014-09-26 2017-01-31 Qualcomm Incorporated Devices and methods to reduce stress in an electronic device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123500A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160077363A (ko) 2016-07-04
DE102015121601A1 (de) 2016-06-23
US20160180013A1 (en) 2016-06-23
US10748887B2 (en) 2020-08-18
US10903199B2 (en) 2021-01-26
US20170103974A1 (en) 2017-04-13
CN105720014B (zh) 2018-11-30
CN105720014A (zh) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2220682B1 (en) Formation of a hybrid integrated circuit device
US8381144B2 (en) System and method of test mode gate operation
EP2728753B1 (en) Programmable integrated circuits with redundant circuitry
US8484608B2 (en) Base platforms with combined ASIC and FPGA features and process of using the same
US7032190B2 (en) Integrated circuits, and design and manufacture thereof
JP4730192B2 (ja) 半導体回路設計方法
TWI625760B (zh) Data structure of parameters and manufacturing method of semiconductor device
KR101665794B1 (ko) 다이 기반의 차량 제어기 전용 반도체 설계 방법 및 이에 의해 제조되는 차량 제어기 전용 반도체
US6383847B1 (en) Partitioned mask layout
KR101697343B1 (ko) 집적 회로의 레이아웃 설계 방법 및 상기 집적 회로의 제조 방법
US20150070048A1 (en) Verifying partial good voltage island structures
CN107818191B (zh) 一种集成电路的设计方法、装置、***以及云端服务器
US11368158B2 (en) Methods for handling integrated circuit dies with defects
KR101839486B1 (ko) 차량 제어기용 반도체, 차량 제어기 및 차량 제어기용 반도체 설계 방법
CN100385644C (zh) 集成电路制造中捕捉与使用设计企图的方法与装置
US9612988B2 (en) Donor cores to improve integrated circuit yield
US7491579B2 (en) Composable system-in-package integrated circuits and process of composing the same
EP2805416A1 (en) On-chip coarse delay calibration
US8380904B2 (en) Interconnect coupled to master device via at least two different bidirectional connections
SenGupta et al. Test flow selection for stacked integrated circuits
CN114462258B (zh) 光电异质异构集成工艺参数化基础单元模型构建方法
Acito Leveraging the best of package and IC design for system enablement
Salem et al. A Fabric IP Netlist Generator for a Compiler-Approach to Fabric Integration
Park et al. Development of mixed signal ESC system on chip
TW201101075A (en) Method for chip pins assignment design applicable for common design of chip package and circuit board and program product thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190926

Year of fee payment: 4