KR101665173B1 - 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기재층; 및 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전층을 포함하고, 파장 380 내지 780nm에서 확산 반사량(diffuse reflection, DR)의 총 합이 200 이상 330(단위:%) 미만이고, 반사 b＊ 값이 -2 이상 1 이하인 투명 도전체, 및 이를 포함하는 광학표시장치에 관한 것이다.

Description

투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치{TRANSPARENT CONDUCTOR AND OPTICAL DISPLAY APPARATUS COMPRISING THE SAME}
본 발명은 투명 도전체 및 이를 포함하는 광학표시장치에 관한 것이다.
투명 도전체는 디스플레이 장치에 포함되는 터치스크린패널, 플렉시블(flexible) 디스플레이 등 다방면에 사용되고 있다. 투명 도전체는 은 나노와이어 포함하는 금속 나노와이어 포함 투명 도전층을 포함한다. 금속 나노와이어 포함 투명 도전층은 도전 특성, 굴곡 특성이 좋지만, 투명 도전체에 빛을 조사하면 금속 나노와이어에 의해 빛이 산란되고, 금속 나노와이어는 특유의 색상으로 인해 투명 도전체가 뿌옇게 보이도록 할 수 있다(milkness 현상). 그 결과, 투명 도전체 패터닝시 패턴이 시인될 수 있는 문제점이 있을 수 있다. 따라서, 낮은 면저항값을 가지면서도 패턴 시인성 문제점을 해소할 수 있는 투명 도전체가 필요하다. 이와 관련하여 한국공개특허 제2012-0053724호는 투명 도전성 필름 및 그 제조방법을 기술하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 낮은 면저항값을 가지면서도 패턴 시인성 문제점을 해소할 수 있는 투명 도전체를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 낮은 면저항값 및 기존의 색상값을 가지면서도 milkness 현상을 해소하고 투명하게 보일 수 있는 투명 도전체를 제공하는 것이다.
본 발명의 투명 도전체는 기재층; 및 상기 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전층을 포함하고, 상기 투명 도전체는 파장 380nm 내지 780nm에서 확산 반사량(diffuse reflection, DR)의 총 합이 80 이상 330(단위:%) 미만이고, 파장 380nm 내지 780nm에서 반사 b＊ 값이 -2 이상 1 이하가 될 수 있다.
본 발명의 광학표시장치는 상기 투명 도전체를 포함할 수 있다.
본 발명은 낮은 면저항값을 가지면서도 패턴 시인성 문제점을 해소할 수 있는 투명 도전체를 제공하였다.
본 발명은 낮은 면저항값 및 기존의 색상값을 가지면서도 milkness 현상을 해소하고 투명하게 보일 수 있는 투명 도전체를 제공하였다.
도 1은 본 발명 일 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 2는 본 발명 다른 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 3은 본 발명 일 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명 다른 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명 또 다른 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
첨부한 도면을 참고하여 실시예에 의해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 본 명세서에서, '상부'와 '하부'는 도면을 기준으로 정의한 것으로, 보는 시각에 따라 '상부'가 하부'로, '하부'가 '상부'로 변경될 수 있다. 본 명세서에서, 층이 다른 층(또는 영역)의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 층(또는 영역)의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층(또는 영역)을 개재한 경우를 모두 포함하고, 반면 층이 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 층(또는 영역)을 개재하지 않은 것을 나타내고, '(메트)아크릴레이트'는 아크릴레이트 및/또는 메타아크릴레이트를 의미할 수 있다.
본 발명 일 실시예의 투명 도전체는 기재층 및 기재층 상에 형성되고 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전층을 포함하고, 가시광 영역인 파장 380nm 내지 780nm에서 확산 반사량(diffuse reflection, DR)의 총 합(total DR)이 80 이상 330(단위:%) 미만이고, 반사 b＊ 값이 -2 이상 1 이하가 될 수 있다. 투명 도전체에 빛을 조사하면 금속 나노와이어에 의해 빛이 산란되고, 금속 나노와이어는 특유의 색상으로 인해 투명 도전체가 뿌옇게 보이도록 할 수 있다(milkness 현상). 그 결과, 투명 도전체 패터닝시 패턴이 시인될 수 있는 문제점이 있을 수 있다. 본 발명 투명 도전체는 DR 총 합이 80 이상 330% 미만, 반사 b＊값이 -2 이상 1 이하가 됨으로써, 상기 범위에서 금속 나노와이어로 인한 광 산란을 줄이고 투명 도전층의 색상값을 줄여 패턴이 시인되는 문제점을 해소하였다.
구체적으로, DR 총합은 100 내지 310%가 될 수 있다. DR 총 합은 투명 도전체에 전체 파장의 빛을 조사하였을 때 각 파장에 따른 DR을 측정하고, 파장에 따른 반사율 그래프에 있어서 파장 380 내지 780nm에 따른 반사율의 총 합이 될 수 있다. 반사율은 투명 도전체의 두께에는 관계없고, 빛의 파장에 따라서만 달라지며, 구체적으로, DR 총 합은 두께 50 내지 150㎛의 투명 도전체로 측정할 수 있다.
반사 b＊값이 -2 미만이면 필름의 반사색이 파랗게 보일 수 있고, 1 초과이면 금속 나노와이어로 인해 패턴이 시인되는 문제점이 있을 수 있다. 반사 b＊값은 투명 도전체에 대해 파장 380nm 내지 780nm의 가시광선에서 색차 측정기 CM3600D(Konica Minolta社, CIE Lab)를 사용하여 측정할 수 있지만, 기재층의 재질과 두께, 투명도전층의 두께, 오버코팅층의 두께(100 내지 150nm), 파장을 변경하더라도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.
투명 도전체는 파장 380 내지 780nm에서 투과 x값이 0.3 내지 0.4이고, 투과 y값이 0.3 내지 0.4가 될 수 있다. 상기 범위에서 투명 도전체의 색상을 유지할 수 있다. 하기 표 2의 투과 x, 투과 y 및 반사 b＊값을 참고하면, 본 발명 일 실시예의 투명 도전체는 투과 x, 투과 y값은 비교예와 유사값을 가지면서도 반사 b*값을 현격히 저감시킴으로써 종래 투명 도전체의 색상은 유지하면서도 반사 b* 값의 저감에 의한 패턴 시인 문제점을 해소할 수 있었음을 확인할 수 있다.
이하, 본 발명 일 실시예의 투명 도전체를 도 1을 참고하여 설명한다. 도 1은 본 발명 일 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명 일 실시예의 투명 도전체(100)는 기재층(110), 기재층(110) 상에 형성된 고굴절률 코팅층(120), 고굴절률 코팅층(120) 상에 형성되고 금속 나노와이어(131)를 포함하는 투명 도전층(130), 및 투명 도전층(130) 상에 형성된 저굴절률 코팅층(140)을 포함하고, 투명 도전체(100)는 파장 380 내지 780nm에서 DR의 총 합이 80 이상이고 330(단위:%) 미만이고, 반사 b＊값이 -2 이상 1 이하가 될 수 있다.
기재층(110)은 광학적 투명 필름으로서, 파장 550nm에서 투과율이 85% 이상 100% 이하인 필름이 될 수 있고, 굴절률이 1.50 내지 1.70인 필름이 될 수 있고, 상기 범위에서 투명 도전체의 광학특성을 개선하고 패턴 시인 문제가 없을 수 있다. 구체예에서, 기재층은 폴리카보네이트, 시클릭올레핀폴리머, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 등을 포함하는 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리술폰, 폴리이미드, 실리콘(silicone), 폴리스티렌, 폴리아크릴, 폴리비닐클로라이드 수지 필름이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 기재층은 2종 이상의 수지 필름이 접착제 등에 의해 적층된 형태가 될 수도 있다.
기재층은 두께가 10 내지 200㎛, 구체적으로 50 내지 150㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 디스플레이에 사용될 수 있다.
도 1에서 도시되지 않았지만, 기재층의 일면 또는 양면에는 기능성 층이 더 적층될 수 있다. 기능성 층으로는 하드코팅층, 부식방지층, anti-glare 코팅층, adhesion promoter, 올리고머 용출 방지층 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
고굴절률 코팅층(120)은 투명 도전층(130) 및 저굴절률 코팅층(140) 대비 굴절률이 높아 투명 도전체에 빛 조사시 DR을 줄이고 패턴 시인 문제점을 해소할 수 있다. 구체적으로, 고굴절률 코팅층은 굴절률이 1.7 내지 1.9, 구체적으로 1.8 내지 1.9가 될 수 있고, 상기 범위에서 패턴 시인 문제점을 해소하고, 저굴절 코팅층에 의한 반사 저감 효과가 있을 수 있다. 고굴절률 코팅층은 두께 40 내지 100nm, 구체적으로 40 내지 80nm가 될 수 있고, 상기 범위에서 패턴 시인 문제점을 해소하고, 투명 도전체에 사용될 수 있고, 저굴절 코팅층에 의한 반사 저감 효과가 있을 수 있다.
고굴절률 코팅층은 상술한 고굴절률 확보를 위해 고굴절률 입자를 포함할 수 있고, 고굴절률 입자는 유기입자, 무기입자 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 고굴절률 입자는 굴절률이 2.0 이하, 구체적으로 1.7 내지 1.9가 될 수 있고 상기 범위에서 패턴 시인 문제점을 해소하고, 저굴절 코팅층에 의한 반사 저감 효과가 있을 수 있다.
구체적으로, 고굴절률 입자는 금속, 비금속, 준금속 등의 산화물이 될 수 있고, 보다 구체적으로 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 실리콘 산화물 중 하나 이상이 될 수 있으며, 평균입경은 20 내지 50nm가 될 수 있고, 상기 범위에서 코팅성 및 분산 안정의 효과와 저굴절 코팅층에 의한 반사 저감 효과가 있을 수 있다.
고굴절률 코팅층은 고굴절률의 입자 단독으로 형성될 수도 있지만, 투명 도전체의 기계적 물성을 유지하고, 기재층과 투명도전층의 접착을 유지하기 위해, 고굴절률 입자, 및 수지 및/또는 모노머를 포함하는 조성물로 형성될 수 있다. 구체적으로, 수지 및/또는 모노머는 고굴절률 입자의 고굴절률을 방해하지 않는 굴절률을 갖는다면 특별히 제한되지 않는데, 굴절률 1.45 내지 1.55, 예를 들면 1.50 내지 1.52를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 수지 및/또는 모노머는 (메타)아크릴레이트계가 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
투명 도전층(130)은 금속 나노와이어로 형성된 도전성 네트워크를 포함하여, 도전성과 양호한 유연성(flexibility) 및 굴곡성을 가질 수 있다. 그 결과, 투명 도전층은 에칭 등의 패터닝 방법에 의해 패턴화되어 전극을 형성하고 플렉시블 장치에 사용될 수 있다.
금속 나노와이어는 특정 단면을 갖는 극 미세선의 형태를 갖는다. 구체예에서, 금속 나노와이어 단면의 직경(d)에 대한 나노와이어 길이(L)의 비(L/d, aspect ratio)는 10 내지 2,000이 될 수 있다. 상기 범위에서, 낮은 나노와이어 밀도에서도 높은 도전성 네트워크를 구현할 수 있고, 면저항이 낮아질 수 있다. 예를 들면 aspect ratio는 500 내지 1,000, 예를 들면 500 내지 700이 될 수 있다.
금속 나노와이어는 단면의 직경(d)이 0 초과 100nm 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 높은 L/d를 확보하여 전도성이 높고 면저항이 낮은 투명 도전체를 구현할 수 있다. 예를 들면 30nm-100nm, 예를 들면 60nm-100nm가 될 수 있다. 금속 나노와이어는 길이(L)가 20㎛ 이상, 구체적으로 20㎛-50㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 높은 L/d를 확보하여 전도성이 높고 면저항이 낮은 도전성 필름을 구현할 수 있다.
금속 나노와이어는 임의의 금속으로 제조된 나노와이어를 포함할 수 있다. 예를 들면, 은 나노와이어, 구리 나노와이어, 금 나노와이어 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다. 바람직하게는 은 나노와이어 또는 이를 포함하는 혼합물을 사용할 수 있다.
금속 나노와이어는 투명 도전층 중 13중량% 이상, 예를 들면 13 내지 100중량%, 예를 들면 13 내지 23중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 충분한 전도성을 확보할 수 있고, 전도성 네트워크를 형성할 수 있다.
투명 도전층은 금속 나노와이어 이외에, 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 매트릭스는 금속 나노와이어 네트워크가 함침되는 수지로서, 투명 도전층의 기재층에 대한 부착력과 내용제성을 높이고, 금속 나노와이어의 노출을 막아 산화를 방지할 수 있다. 구체적으로, 투명 도전층은 금속 나노와이어 13~23중량%, 매트릭스 77~87중량%로 구성될 수 있다. 상기 범위에서, 전도성을 확보할 수 있고, 기재층에 대한 부착력 효과를 기대할 수 있다.
매트릭스는 바인더, 개시제를 포함하는 조성물로 형성될 수 있는데, 바인더는 특별히 제한되지 않지만 (메트)아크릴레이트계 단관능 또는 다관능 모노머 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 매트릭스는 증점제, 분산제 등의 첨가제를 더 포함할 수도 있다. 분산제는 금속 나노와이어, 바인더의 분산을 높일 수 있고, 증점제는 조성물의 점도를 높여 소정 범위로 투명 도전층이 형성되도록 할 수 있다.
투명 도전층은 두께가 10nm 내지 1㎛, 구체적으로 50nm 내지 500nm, 보다 구체적으로 100nm 내지 200nm, 예를 들면 100nm 내지 150nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 투명 도전체를 터치패널용 필름 용도로 사용할 수 있고, 고굴절률층과 저굴절률층의 두께 제어가 용이할 수 있다.
저굴절률 코팅층(140)은 투명 도전층 및 고굴절률 코팅층 대비 굴절률이 낮아 투명 도전체에 빛 조사시 DR을 줄이고 패턴 시인 문제점을 해소할 수 있다. 구체적으로, 저굴절률 코팅층은 굴절률이 1.3 내지 1.38, 더 구체적으로 1.33 내지 1.35가 될 수 있고, 상기 범위에서 패턴 시인 문제점을 해소하고, 저반사 효과 및 milkness 저감 효과가 있을 수 있다. 또한, 저굴절률 코팅층은 두께 50 내지 150nm, 구체적으로 50 내지 90nm가 될 수 있고, 상기 범위에서 패턴 시인 문제점을 해소하고, 투명 도전체에 사용될 수 있고, 저반사 효과 및 milkness 저감 효과가 있을 수 있다.
저굴절률 코팅층은 투명 도전층 상에 형성되어 오버코팅(overcoating) 층으로 작용함으로써, 투명 도전층의 금속 나노와이어의 산화를 방지하고 투명 도전층과 고굴절률 코팅층의 접착력을 높일 수도 있다.
저굴절률 코팅층은 상기 굴절률을 갖는다면 그 구성에 제한이 없다.
일 구체예에서, 저굴절률 코팅층은 굴절률이 낮은 수지 및/또는 모노머를 경화시켜 제조될 수 있다. 구체적으로, 굴절률이 낮은 수지 및/또는 모노머는 불소계 수지 및/또는 모노머로 불소 포함 (메타)아크릴레이트 모노머 또는 이로부터 형성된 수지가 될 수 있다.
다른 구체예에서, 저굴절률 코팅층은 저굴절률 무기입자, 및 자외선 경화형 모노머 및/또는 그의 올리고머를 포함하는 조성물을 경화시켜 제조될 수 있다. 구체적으로, 저굴절률 무기입자는 굴절률 1.3 내지 1.38, 예를 들면 1.32 내지 1.35의 입자로서, 보다 구체적으로 중공 실리카, 다공성 실리카 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
저굴절률 무기입자는 저굴절률 코팅층 중 0 내지 10중량%, 예를 들면 0.01 내지 10중량%로 포함될 수 있고, 상기 범위에서 반사 저감 효과가 있을 수 있다. 저굴절률의 무기입자의 평균입경은 30 내지 100nm가 될 수 있고, 상기 범위에서 반사 저감 효과가 있을 수 있다. 구체적으로, 자외선 경화형 모노머 및/또는 그의 올리고머는 (메타)아크릴레이트계 모노머 및/또는 그의 올리고머, 불소계 (메타)아크릴레이트계 모노머 및/또는 그의 올리고머, 이들의 혼합물이 될 수 있다.
저굴절률 코팅층은 염료(dye) 및/또는 안료(pigment)를 더 포함함으로써, DR을 더 낮추고 반사 b＊값을 낮추어 투명 도전층이 투명하게 보이도록 하고 milkness 현상을 줄여 패턴 시인성 문제점을 더 해소할 수 있다. 물론, 염료를 투명 도전층에 포함시킬 수도 있지만, 투명 도전층에 염료 포함시 금속 나노와이어의 간의 통전을 방해하여 면저항이 높아질 수 있다는 문제점이 있을 수 있다.
구체적으로, 염료는 흡수파장 450 내지 550nm을 갖는 제1염료와, 흡수파장 350 내지 449nm을 갖는 제2염료의 혼합물을 포함할 수 있고, 제1염료 단독 또는 제2염료 단독 사용시에는 패턴 시인 차단 효과가 떨어질 수 있다.
제1염료와 제2염료의 혼합물은 저굴절률 코팅층 중 0.1 내지 8중량%, 구체적으로 0.1 내지 6중량%로 포함될 수 있는데, 상기 범위에서 패턴 시인 차단 효과가 있을 수 있고, 투명 도전층에 대한 저굴절률 코팅층의 부착성 등을 유지할 수 있다.
제1염료와 제2염료는 각각 상술한 흡수 파장을 갖는다면 종류에 제한을 두지 않는데, 액체형 또는 고체형이 될 수 있고, 발색단으로 안트라퀴논계, 아크리딘계, 디아릴메탄계, 트리아릴메탄계, 아조계, 디아조늄계, 퀴논계, 로다민계, 플루오렌계 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 제1염료로는 Y-300(야방, 중국)을 사용할 수 있고, 제2염료는 Y-82(야방, 중국)를 사용할 수 있는데, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 구체예에서, 제1염료와 제2염료의 혼합물 중 제1염료:제2염료의 중량비는 1:0.1 내지 1:10, 구체적으로 1:0.5 내지 1:3의 중량비로 포함될 수 있고, 상기 범위에서 패턴 시인 차단 효과가 있을 수 있다.
저굴절률 코팅층은 상술한 저굴절률에 영향을 주지 않는다면, 저굴절률 코팅층의 성능 개선을 위한 첨가제를 더 포함할 수 있는데, 첨가제로는 부착증진제, 산화방지제 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
투명 도전체는 가시광선 영역 예를 들면 파장 400-700nm에서 투명성을 가질 수 있다. 구체예에서, 투명 도전체는 파장 400-700nm에서 헤이즈 미터로 측정된 헤이즈가 0 내지 1.4% 이하, 구체적으로 0.01 내지 1.4%이고, 전광선 투과율이 85% 이상 100% 이하, 예를 들면 90 내지 95%가 될 수 있다. 상기 범위에서 투명성이 좋아 투명 도전체 용도로 사용될 수 있다.
투명 도전체는 4-프로브로 측정된 면저항이 100(Ω/□) 이하, 구체적으로 50 내지 100(Ω/□), 또는 60 내지 70(Ω/□)이 될 수 있다. 상기 범위에서, 면저항이 낮아 터치패널용 전극 필름으로 사용할 수 있고, 대면적 터치패널에 적용될 수 있다.
투명 도전체의 두께는 제한되지 않지만, 10 내지 250㎛, 구체적으로 50 내지 150㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 터치패널용 필름을 포함하는 투명 전극 필름으로 사용할 수 있고, 플렉시블 터치 패널용 투명 전극필름으로 사용될 수 있다. 투명 도전체는 필름 형태로서, 터치 패널, E-paper, 또는 태양 전지의 투명 전극 필름으로 사용될 수 있다.
투명 도전체는 통상의 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들면, 기재층의 적어도 일면에 고굴절률 코팅층용 조성물을 코팅하고 건조 및 경화시켜 고굴절률 코팅층을 형성하고, 고굴절률 코팅층 위에 투명 도전층용 조성물을 코팅하고 건조시켜 투명 도전층을 형성하고, 투명 도전층 상에 저굴절률 코팅층용 조성물을 코팅하고 건조 및 경화시켜 제조될 수 있고, 건조는 60 내지 100℃ 오븐에서 1 내지 30분 동안 수행될 수 있고, 경화는 300 내지 1000mJ/cm2 조건에서 UV 조사하여 수행될 수 있다.
도 1에서 도시되어 있지 않지만, 기재층(110)의 하부면에 고굴절률 코팅층(120), 투명 도전층(130), 저굴절률 코팅층(140) 중 하나 이상이 더 형성된 경우도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.
이하, 본 발명 다른 실시예의 투명 도전체를 도 2를 참고하여 설명한다. 도 2는 본 발명 다른 실시예의 투명 도전체의 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명 다른 실시예의 투명 도전체(200)는 기재층(110), 기재층(110) 상에 형성된 고굴절률 코팅층(120), 고굴절률 코팅층(120) 상에 형성되고 금속 나노와이어(131)를 포함하는 금속 나노와이어 함유층(130a)과 금속 나노와이어를 포함하지 않는 금속 나노와이어 비함유층(130b)으로 패턴화된 투명 도전층(130'), 및 투명 도전층(130') 상에 형성된 저굴절률 코팅층(140)을 포함하고, 투명 도전체(200)는 파장 380 내지 780nm에서 DR의 총 합이 80 이상이고 330(단위:%) 미만이고, 반사 b＊값이 -2 이상 1 이하가 될 수 있다. 투명 도전체 중 투명 도전층이 패턴화된 것을 제외하고는 본 발명 일 실시예의 투명 도전체와 실질적으로 동일한다.
패턴화는 통상의 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 저굴절률 코팅층 상에 포토레지스트(photoresist)층을 형성하고, 패턴이 형성된 마스크를 포토레지스트층 상에 놓고 UV 노광하고, 현상하고, 베이킹하고, 에칭하여 제조될 수 있다. 패턴화에 의해 투명 도전체는 투명 전극 필름으로 사용될 수 있다.
도 2에서 도시되어 있지 않지만, 기재층(110)의 하부면에 고굴절률 코팅층(120), 투명 도전층(130'), 저굴절률 코팅층(140) 중 하나 이상이 더 형성된 경우도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.
본 발명의 장치는 상기 투명 도전체를 포함하고, 구체적으로 터치패널, 터치스크린패널, 플렉시블(flexible) 디스플레이 등을 포함하는 광학표시장치, E-paper, 또는 태양 전지 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
도 3 내지 도 5는 본 발명 일 실시예의 광학표시장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명 일 실시예의 광학표시장치(200)는 기재층(110), 기재층(110)의 상부면에 형성된 제1전극(255)과 제2전극(260), 및 기재층(110)의 하부면에 형성된 제3전극(265)과 제4전극(270)을 포함하는 투명 전극체(230), 제1전극(255)과 제2전극(260)의 상부에 형성된 윈도우 글라스(205), 제3전극(265)과 제4전극(270)의 하부에 형성된 제1편광판(235), 제1편광판(235)의 하부면에 형성된 CF(COLOR FILTER) 글라스(240), CF 글라스(240)의 하부면에 형성되고 TFT(THIN FILM TRANSISTOR) 글라스를 포함하는 패널(245), TFT 글라스(245) 하부면에 형성된 제2편광판(250)을 포함하고, 투명 전극체(230)는 본 발명 실시예의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
투명 전극체(230)는 본 발명 실시예의 투명 도전체를 패터닝하여 제1전극, 제2전극, 제3전극, 제4전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.
제1전극(255)과 제2전극(260)은 Rx 전극, 제3전극(265)과 제4전극(270)은 Tx 전극이 될 수 있고, 그 역의 경우도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.
윈도우 글라스(205)는 광학표시장치에서 화면 표시 기능을 수행하는 것으로, 통상의 유리 재질로 제조될 수 있다. 제1편광판(235), 제2편광판(250)은 광학표시장치에 편광 성능을 부여하기 위한 것으로, 외부광 또는 내부광을 편광시킬 수 있고, 편광자, 또는 편광자와 보호필름의 적층체를 포함할 수 있고, 편광자, 보호필름은 편광판 분야에서 알려진 통상의 것을 포함할 수 있다.
윈도우 글라스(205)와 투명 전극체(230) 사이 및 투명 전극체(230)와 제1 편광판(235) 사이에는 각각 점착 필름(210, 212)을 부가함으로써, 투명 전극체(230), 윈도우 글라스(205), 제1편광판(235) 간의 결합을 유지할 수 있다. 점착 필름(210, 212)은 통상의 점착 필름으로서, 예를 들면 OCA(optical clear adhesive) 필름이 될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명 다른 실시예의 광학표시장치(300)는 기재층(110), 기재층(110)의 상부면에 형성된 제3전극(265)과 제4전극(270)을 포함하는 투명 전극체(330), 제3전극(265)과 제4전극(270)의 상부에 형성되고 하부면에 제1전극(255)과 제2전극(260)이 형성된 윈도우 글라스(205), 투명 전극체(330)의 하부에 형성된 제1편광판(235), 제1편광판(235)의 하부면에 형성된 CF(COLOR FILTER) 글라스(240), CF 글라스(240)의 하부면에 형성된 TFT(THIN FILM TRANSISTOR) 글라스를 포함하는 패널(245), TFT 글라스(245) 하부면에 형성된 제2편광판(250)을 포함하고, 투명 전극체(330)는 본 발명 실시예의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
투명 전극체(330)는 본 발명 실시예의 투명 도전체를 패터닝하여 제3전극(265), 제4전극(270)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 제1전극(255)과 제2전극(260)은 통상의 전극 형성 방법을 채용하여 형성할 수 있다.
윈도우 글라스(205)와 투명 전극체(330) 사이 및 투명 전극체(330)와 제1 편광판(235) 사이에는 각각 점착 필름(210, 212)을 부가함으로써, 투명 전극체, 윈도우 글라스, 제1편광판 간의 결합을 유지할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명 또 다른 실시예의 광학표시장치(400)는 제1기재층(110a), 제1기재층(110a)의 상부면에 형성된 제1전극(255)과 제2전극(260)을 포함하는 제1투명 전극체(430a), 제1투명 전극체(430a)의 하부에 형성되고, 제2기재층(110b), 제2기재층(110b)의 상부면에 형성된 제3전극(265)과 제4전극(270)을 포함하는 제2투명 전극체(430b), 제2투명 전극체(330b)의 하부에 형성된 제1편광판(235), 제1편광판(235)의 하부면에 형성된 CF(COLOR FILTER) 글라스(240), CF 글라스(240)의 하부면에 형성된 TFT(THIN FILM TRANSISTOR) 글라스(245), TFT 글라스(245) 하부면에 형성된 제2편광판(250)을 포함하고, 제1투명 전극체(430a), 제2투명 전극체(430b)는 본 발명 실시예의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
제1투명 전극체(430a)와 제2투명 전극체(430b)는 본 발명 실시예의 투명 도전체를 패터닝하여 제1전극, 제2전극 제3전극, 제4전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.
제1투명 전극체(430a)와 윈도우 글라스(205) 사이, 제1투명 전극체(430a)와 제2투명 전극체(430b) 사이, 및 제2 투명 전극체(430b)와 제1 편광판(235) 사이에는 각각 점착 필름(210, 212, 214)을 부가함으로써, 투명 전극체, 윈도우 글라스, 제1편광판 간의 결합을 유지할 수 있다. 점착 필름(210, 212, 214)은 통상의 점착 필름으로서, 예를 들면 OCA(optical clear adhesive) 필름이 될 수 있다. 또한, 도 3 내지 도 5에서 도시되지 않았지만, 제1기재층, 제2기재층 또는 기재층은 수지 필름이 접착제 등에 의해 적층된 형태가 될 수도 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
실시예 1
금속 나노와이어 함유 용액(Clear Ohm ink, Cambrios사) 50중량부를 초순수 증류수 50중량부에 넣고 교반하여 투명 도전층용 조성물을 제조하였다. 중공 실리카 함유 용액(JSR사, TU-2286, 아크릴레이트계 수지와 불소계 수지 포함) 2중량부, Y-300(중국, 야방, 안트라퀴논계 염료) 0.05중량부, Y-82(중국, 야방, 안트라퀴논계 염료) 0.05중량부를, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 98중량부에 혼합하여 저굴절률층용 조성물을 제조하였다.
양면 하드코팅된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(100 CPB, KIMOTO사)에 티타늄 산화물 함유 용액(TYT 90-1, Pelnox사)을 스핀 코터로 코팅하고, 80℃ 오븐에서 2분 건조시키고, 140℃ 오븐에서 2분 건조시키고, 500mJ/cm2으로 UV 경화시켜 고굴절률 코팅층을 제조하였다. 고굴절률 코팅층 상에 투명 도전층용 조성물을 스핀 코터로 코팅하고 80℃ 오븐에서 2분 건조시켜 투명 도전층을 제조하였다. 투명 도전층 상에 저굴절률층용 조성물을 스핀 코터로 코팅하고 80℃ 오븐에서 2분 건조시키고 140℃ 오븐에서 2분 건조시키고 500mJ/cm2으로 UV 경화시켜 고굴절률 코팅층을 제조하여, 투명 도전체를 제조하였다.
실시예 2 내지 4
실시예 1에서, 고굴절률 코팅층, 투명 도전층, 및 저굴절률 코팅층 각각의 두께만 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에서, 고굴절률층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
비교예 2
실시예 1에서, 저굴절률층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
비교예 3
실시예 1에서, 저굴절률층에 염료를 포함하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
비교예 4
실시예 1에서, 기재필름 상에 투명 도전층, 고굴절률층, 저굴절률층의 순서대로 형성한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 투명 도전체를 제조하였다.
N0. 고굴절률층 두께 저굴절률층 두께 저굴절률층 내 염료의 함량 투명 도전층 두께 비고
실시예 1 40~50nm 50~60nm 0.1중량% 100~150nm 기재필름/고굴절률층/투명도전층/저굴절률층
실시예 2 40~50nm 80~90nm 0.1중량% 100~150nm 기재필름/고굴절률층/투명도전층/저굴절률층
실시예 3 70~80nm 50~60nm 0.1중량% 100~150nm 기재필름/고굴절률층/투명도전층/저굴절률층
실시예 4 70~80nm 80~90nm 0.1중량% 100~150nm 기재필름/고굴절률층/투명도전층/저굴절률층
비교예 1 - 50~60nm 0.1중량% 100~150nm 기재필름/투명도전층/저굴절률층
비교예 2 40~50nm - - 100~150nm 기재필름/고굴절률층/투명도전층
비교예 3 40~50nm 50~60nm - 100~150nm 기재필름/고굴절률층/투명도전층/저굴절률층
비교예 4 40~50nm 50~60nm 0.1중량% 100~150nm 기재필름/투명도전층/고굴절률층/저굴절률층
실시예와 비교예의 투명 도전체에 대해 하기 물성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1)헤이즈: 투명 도전체에 대해 투명 도전층을 광원으로 향하게 하고 파장 400 내지 700nm에서 헤이즈미터(NDH-9000)를 사용하여 헤이즈를 측정하였다.
(2)총 확산반사량(Total DR): 투명 도전체에 대해 UV spectrometer(Perkin Elmer Lamda 1050)을 사용하여 전체 파장에서 확산 반사(diffuse reflection, DR)를 측정하고, 가시광 영역인 파장 380 내지 780nm에서의 DR의 총 합으로 계산하였다.
(3)면저항: 투명 도전체에 대해 접촉식 면저항 측정기 R-CHEK RC2175(EDTM社)를 사용하여 측정하였다. 4-probe contact 저항을 측정하였다.
(4)반사 b＊: 색차 측정기 CM3600D(Konica Minolta社, CIE Lab에 의함)를 사용하고, 파장 380 내지 780nm에서 투명 도전체에 대해 측정하였다.
(5)투과 x와 투과 y: 투명 도전체에 대해 CM3600D 장치(Konica Minolta社)를 사용하여 파장 380 내지 780nm에서 측정하였다.
(6)패턴 시인 여부: 투명 도전체의 투명 도전층과 오버코팅층을 에칭 방법으로 패터닝하였다. 목시 검사로 투명 도전층과 오버코팅층 중 패터닝된 부분과 패터닝되지 않은 부분이 시인되는 경우 "불량", 패터닝된 부분과 패터닝되지 않은 부분 간의 차이가 약간 시인되는 경우 "개선", 패터닝된 부분과 패터닝되지 않은 부분을 자세히 봐야만 패턴이 있고 없음이 구별되는 경우 "양호"로 평가하였다.
N0. Haze
(%)		 Total DR
(Integral DR)(%)		 면저항
(Ω/□)		 반사 b＊ 투과 x 투과 y 패턴 시인 여부
실시예 1 1.06 275 60~70 -0.26 0.31 0.33 개선
실시예 2 1.10 283 60~70 0.29 0.32 0.34 개선
실시예 3 1.09 291 60~70 -1.26 0.31 0.34 양호
실시예 4 1.14 306 60~70 -1.10 0.31 0.34 양호
비교예 1 1.12 340 60~70 2.75 0.31 0.33 불량
비교예 2 1.25 355 60~70 2.55 0.31 0.33 불량
비교예 3 1.07 330 60~70 2.39 0.32 0.34 불량
비교예 4 1.09 304 80~100 1.04 0.31 0.34 불량
상기 표 1에서와 같이, 본 발명의 투명 도전체는 투과율이 높고 헤이즈가 낮아 광학특성이 좋을 뿐만 아니라, 패터닝시 패턴이 시인되지 않음을 확인하였다.
반면에, 고굴절률층이 없는 비교예 1, 저굴절률층이 없는 비교예 2는 반사 효과에 의한 패턴시인성 문제점 및 milkness의 문제점이 있었고, 염료를 포함하지 않는 비교예 3은 milkness의 문제점이 있었고, 투명 도전층/고굴절률층/저굴절률층의 순서로 형성된 비교예 4는 대전성 상승 및 패턴시인성 문제점이 있었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (14)

  1. 기재층,
    상기 기재층 상에 형성된 고굴절률 코팅층,
    상기 고굴절률 코팅층 상에 형성되고 금속 나노와이어를 포함하는 투명 도전층, 및
    상기 투명 도전층 상에 형성된 저굴절률 코팅층을 포함하는 투명 도전체이고,
    상기 투명 도전체는 파장 380 내지 780nm에서 확산 반사량(diffuse reflection, DR)의 총 합이 80 이상 330(단위:%) 미만이고,
    상기 투명 도전체는 파장 380nm 내지 780nm에서 반사 b＊ 값이 -2 이상 1 이하이고,
    상기 저굴절률 코팅층은 무기입자 및 염료를 포함하는, 투명 도전체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어를 포함하는, 투명 도전체.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률 코팅층은 굴절률이 1.7 내지 1.9인 투명 도전체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률 코팅층은 두께가 40 내지 100nm인 투명 도전체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률 코팅층은 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 실리콘 산화물 중 하나 이상을 포함하는, 투명 도전체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저굴절률 코팅층은 굴절률이 1.3 내지 1.38인, 투명 도전체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 저굴절률 코팅층은 두께가 50 내지 150nm인 투명 도전체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 무기입자는 굴절률이 1.30 내지 1.38인 투명 도전체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 무기입자는 중공 실리카, 다공성 실리카 중 하나 이상을 포함하는 투명 도전체.
  11. 제1항에 있어서, 상기 염료는 안트라퀴논계 염료인, 투명 도전체.
  12. 제1항에 있어서, 상기 투명 도전층은 두께가 100nm 내지 150nm인, 투명 도전체.
  13. 제1항에 있어서, 상기 투명 도전체는 파장 380 내지 780nm에서 투과 x가 0.3 내지 0.4, 투과 y가 0.3 내지 0.4인, 투명 도전체.
  14. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제13항 중 어느 한 항의 투명 도전체를 포함하는 광학표시장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11094741B2 (en) 2019-06-19 2021-08-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
KR102004026B1 (ko) * 2016-04-12 2019-07-25 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20180003352A (ko) * 2016-06-30 2018-01-09 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102376545B1 (ko) 2017-08-01 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 윈도우
CN110499118A (zh) * 2019-07-30 2019-11-26 云谷（固安）科技有限公司 屏幕保护膜及其制造方法、电子设备
KR102250850B1 (ko) * 2019-12-06 2021-05-11 주식회사 엘엠에스 필름, 전도성 필름 및 이의 용도
CN112037968A (zh) * 2020-07-07 2020-12-04 天材创新材料科技(厦门)有限公司 透明导电薄膜
US10902974B1 (en) * 2020-07-31 2021-01-26 Cambrios Film Solutions Corporation Transparent conductive film
US11513638B2 (en) * 2020-12-18 2022-11-29 Cambrios Film Solutions Corporation Silver nanowire protection layer structure and manufacturing method thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5591517A (en) * 1993-08-31 1997-01-07 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Antireflection film
JP2000513833A (ja) * 1997-04-18 2000-10-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光学素子及び光学素子が設けられたディスプレイ装置
US7190354B2 (en) * 2002-07-15 2007-03-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Inner type touch panel, process for producing the same and display unit
TWI604466B (zh) * 2005-08-12 2017-11-01 凱姆控股有限公司 以奈米線爲主之透明導體
KR100992922B1 (ko) * 2007-08-29 2010-11-09 삼성코닝정밀소재 주식회사 디스플레이 장치용 필터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
KR101253553B1 (ko) 2010-11-18 2013-04-11 안철흥 투명 도전성 필름 및 그 제조방법
KR20140025230A (ko) * 2012-08-22 2014-03-04 엘지전자 주식회사 전도성 필름 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 전자 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11094741B2 (en) 2019-06-19 2021-08-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11769787B2 (en) 2019-06-19 2023-09-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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