KR101657074B1 - Light-emitting element package and Back light apparatus, Light-emitting apparatus including the same - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체의 미성형을 방지하기 용이한 구조를 갖을 수 있다. 실시 예는, 발광소자 및 상기 발광소자가 배치되는 캐비티가 형성된 몸체를 포함하고, 상기 캐비티의 내측벽은, 상기 캐비티의 하부면을 기준으로 제1 각도로 형성된 제1 경사면 및 상기 하부면과 상기 제1 경사면 사이에 형성되며, 상기 제1 경사면과 제2 각도를 이루며 상기 하부면과 제3 각도를 갖는 제2 경사면을 포함할 수 있다. 상기 제2 경사면의 높이는, 상기 발광소자의 높이보다 낮은 발광소자 패키지를 제공한다.The light emitting device package according to the embodiment may have a structure that can easily prevent the molding of the package body. An embodiment of the present invention includes a body having a light emitting device and a cavity in which the light emitting device is disposed, wherein an inner wall of the cavity has a first inclined surface formed at a first angle with respect to a lower surface of the cavity, And a second inclined surface formed between the first inclined surfaces and having a second angle with the first inclined surface and having a third angle with the lower surface. The height of the second inclined surface is lower than the height of the light emitting device.
Description
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 상세하게는 패키지 몸체의 미성형을 방지하기 용이한 구조를 갖는 발광소자 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device package having a structure that can prevent uncomforming of a package body.
LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.LED (Light Emitting Diode) is a device that converts electrical signals into infrared, visible light or light using the characteristics of compound semiconductors. It is used in household appliances, remote controls, electric sign boards, displays, The use area of LED is becoming wider.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.
이와 같이, LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높아지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.As described above, as the use area of the LED is widened, it is important to increase the luminance of the LED as the luminance required for a lamp used in daily life, a lamp for a structural signal, etc. is increased.
실시 예의 목적은, 패키지 몸체의 미성형을 방지하기 용이한 구조를 갖는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 장치, 조명장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting device package having a structure that can easily prevent uncomforming of a package body, and a backlight device and a lighting device including the same.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자 및 상기 발광소자가 배치되는 캐비티가 형성된 몸체를 포함하고, 상기 캐비티의 내측벽은, 상기 캐비티의 하부면을 기준으로 제1 각도로 형성된 제1 경사면 및 상기 하부면과 상기 제1 경사면 사이에 형성되며, 상기 제1 경사면과 제2 각도를 이루며 상기 하부면과 제3 각도를 갖는 제2 경사면을 포함할 수 있다. 상기 제2 경사면의 높이는, 상기 발광소자의 높이보다 낮을 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body having a light emitting element and a cavity in which the light emitting element is disposed, wherein an inner wall of the cavity has a first inclined surface formed at a first angle with respect to a lower surface of the cavity, And a second inclined surface formed between the lower surface and the first inclined surface and having a second angle with the first inclined surface and having a third angle with the lower surface. The height of the second inclined surface may be lower than the height of the light emitting device.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 몸체와 결합되며, 서로 이격되어 배치되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함할 수 있다. A light emitting device package according to an embodiment includes a body including a cavity; A first lead frame and a second lead frame coupled to the body and spaced apart from each other; And a light emitting element disposed on the first lead frame.
실시예에서 상기 캐비티의 내측벽은 상기 발광소자가 배치되는 상기 제1 리드 프레임의 상면을 기준으로 제1 각도로 제공된 제1 경사면; 및 상기 제1 리드 프레임의 상면과 상기 제1 경사면 사이에 배치되며, 상기 제1 경사면과 제2 각도를 이루며 상기 제1 리드 프레임의 상면과 제3 각도를 갖는 제2 경사면;을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, an inner side wall of the cavity may include a first inclined surface provided at a first angle with respect to an upper surface of the first lead frame where the light emitting device is disposed; And a second inclined surface disposed between the upper surface of the first lead frame and the first inclined surface and having a second angle with the first inclined surface and a third angle with the upper surface of the first lead frame, .
실시에에서 상기 제1 리드 프레임의 상면을 기준으로, 상기 제2 경사면의 높이는 상기 발광소자의 높이보다 낮을 수 있다. 상기 제2 각도는 (상기 제1 각도 + (180° - 상기 제3 각도))로 제공될 수 있다. 상기 제1 각도는 20°내지 40°이며, 상기 제3 각도는 80°내지 90°일 수 있다. 상기 캐비티의 상부폭은 상기 몸체의 폭 대비 66% 내지 89%일 수 있다. 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임의 일단은 상기 몸체에 의해 커버되지 않을 수 있다. 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임의 타단은 상기 몸체를 관통하여 상기 몸체의 측면 외측으로 노출될 수 있다. In an embodiment, the height of the second inclined surface may be lower than the height of the light emitting device with respect to the upper surface of the first lead frame. The second angle may be provided (the first angle + (180 ° - the third angle)). The first angle may be between 20 ° and 40 °, and the third angle may be between 80 ° and 90 °. The top width of the cavity may be between 66% and 89% of the width of the body. One end of the first lead frame or the second lead frame may not be covered by the body. The other end of the first lead frame or the second lead frame may be exposed outside the side of the body through the body.
상기 캐비티 상부 폭은 상기 몸체 상면에서 상기 캐비티 내측벽의 폭일 수 있고, 상기 몸체 폭은 상기 몸체 양측면의 끝면을 기준으로 한 수평폭일 수 있다.The top width of the cavity may be a width of an inner side wall of the cavity on the top surface of the body, and the body width may be a horizontal width based on an end surface of both sides of the body.
실시예는 상기 캐비티 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드프레임을 포함하고, 상기 제1 리드 프레임 상에 상기 발광소자가 배치될 수 있다. 실시예에서 상기 제2 경사면의 최고점은 상기 발광소자의 활성층보다 낮게 배치되며, 상기 제1 경사면의 밑면은 상기 발광소자의 활성층보다 낮을 수 있다. 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면이 만나는 지점은 상기 발광소자의 높이 또는 상기 발광소자의 활성층보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 경사면은 상기 제1 리드프레임과 수직으로 접할 수 있다. 상기 제1 리드 프레임은 상기 몸체의 제1 측면을 관통하여 상기 제1 측면의 외곽보다 돌출되며, 상기 제2 리드 프레임은 상기 몸체의 제2 측면을 관통하여 상기 제2 측면의 외곽보다 돌출될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임의 일단은 상기 몸체에 의해 커버되지 않으며, 상기 제1 리드 프레임의 타단은 상기 몸체의 관통하여 상기 몸체의 측면 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 경사면의 높이는 상기 발광소자의 활성층보다 낮을 수 있다. 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면이 만나는 지점은 상기 발광소자의 활성층 보다 낮게 위치할 수 있다.Embodiments may include a first lead frame and a second lead frame disposed on the cavity so as to be spaced apart from each other, and the light emitting element may be disposed on the first lead frame. In an exemplary embodiment, the highest point of the second inclined surface is disposed lower than the active layer of the light emitting device, and the bottom surface of the first inclined surface may be lower than the active layer of the light emitting device. The point where the first inclined surface and the second inclined surface meet may be arranged to be lower than the height of the light emitting device or the active layer of the light emitting device. The second inclined surface may be perpendicular to the first lead frame. The first lead frame protruding from the outer surface of the first side through the first side of the body and the second lead frame passing through the second side of the body and protruding from the outer surface of the second side have. One end of the first lead frame is not covered by the body, and the other end of the first lead frame may protrude outside the side of the body through the body. The height of the second inclined surface may be lower than that of the active layer of the light emitting device. The point where the first inclined surface and the second inclined surface meet may be positioned lower than the active layer of the light emitting device.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체 성형시, 내측벽 중 제2 경사면의 높이를 발광소자의 높이보다 낮게, 캐비티의 하부면과 80°내지 90°를 갖도록 하여, 패키지 몸체를 이루는 사출물의 미성형을 방지할 수 있으며 기밀성 및 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, the height of the second inclined surface of the inner wall is lower than the height of the light emitting device and 80 ° to 90 ° with respect to the lower surface of the cavity, There is an advantage that the molding can be prevented and the airtightness and the reliability are improved.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 내측벽 중 제1 경사면의 제1 경사각에 따라 광 추출시 지향각을 넓힐 수 있는 이점이 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment has an advantage in that the directivity angle can be widened when extracting light according to the first inclination angle of the first inclined surface of the inner side wall.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 'A' 블록에 대한 제1 실시 예를 나타낸 확대도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 'A'블록에 대한 제2 실시 예를 나타낸 확대도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 패키지 몸체 및 캐비티를 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 4에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제1 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제2 실시 예를 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a cut-away surface of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is an enlarged view showing a first embodiment of the 'A' block shown in FIG.
3 is an enlarged view showing a second embodiment of the 'A' block shown in FIG.
4 is a cross-sectional view showing the package body and the cavity shown in Fig.
5 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
6 is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA 'of the illumination device shown in FIG.
7 is a perspective view illustrating a first embodiment of a backlight device including the light emitting device package according to the embodiment.
8 is a perspective view illustrating a backlight device including a light emitting device array according to a second embodiment of the present invention.
실시 에 대한 설명에 앞서, 본 명세서에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Prior to the description of the practice, the terms "on "," under ", " under "Quot;, " on ", and " under " include everything that is directly formed, or formed "indirectly" In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.
또한, 본 명세서에서 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 패키지를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angles and directions mentioned in the description of the structure of the light emitting device package in this specification are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device package in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 절단면을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a cut-away surface of a light emitting device package according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 캐비티(s)가 형성된 패키지 몸체(110), 패키지 몸체(110) 내에 배치되는 제1, 2 리드프레임(120, 130) 및 캐비티(s) 내에서 제1 리드프레임(120) 상에 배치되는 발광소자(140)를 포함할 수 있다.1, the light emitting device package 100 includes a
패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The
패키지 몸체(110)의 상면 형상은 발광소자(140)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The top surface shape of the
캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)의 내 측면은 하부에 대해 경사진 내측면이 될 수 있다. The cross-sectional shape of the cavity s may be formed in a cup shape, a concave container shape or the like, and the inner side of the cavity s may be an inner side inclined with respect to the lower side.
또한, 캐비티(s)의 전면 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The shape of the front surface of the cavity s may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like, but is not limited thereto.
이때, 패키지 몸체(110)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(120, 120)이 배치되며, 제1, 2 리드프레임(120, 130)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.First and
또한, 제1, 2 리드프레임(120, 130)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the first and
패키지 몸체(110), 즉 캐비티(s)의 내측벽은 경사면을 이룰수 있으며, 상기 경사면의 각도에 따라 발광소자(140)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(140)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(140)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.The inner side wall of the
여기서, 캐비티(s)의 내측벽에 대한 자세한 설명은 하기에서 후술하기로 한다.Hereinafter, the inner wall of the cavity s will be described in detail later.
그리고, 발광소자 패키지(100)는 캐비티(s)를 밀봉하는 봉지재(150)을 포함할 수 있으며, 봉지재(150)는 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The light emitting device package 100 may include a sealing
또한, 봉지재(150)는 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the encapsulant 150 may be formed in a film form, and may include at least one of a phosphor and a light diffusing material. In addition, a translucent material that does not include a phosphor and a light diffusion material may be used. Do not.
도 2는 도 1에 나타낸 'A' 블록에 대한 제1 실시 예를 나타낸 확대도이고, 도 3은 도 1에 나타낸 'A'블록에 대한 제2 실시 예를 나타낸 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view showing a first embodiment of the 'A' block shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view showing a second embodiment of the 'A' block shown in FIG.
도 2 및 도 3은 도 1에 나타낸 구성과 동일 구성이므로, 중복되는 부분에 대하여 설명을 생략하거나, 또는 간략하게 설명한다.2 and 3 have the same configuration as that shown in Fig. 1, so that overlapping portions will not be described or briefly described.
도 2를 참조하면, 캐비티(s)를 형성하는 패키지 몸체(110)의 내측면은 캐비티(s)의 하부면, 즉 제1 리드프레임(120)을 기준으로 제1 각도(d1)로 경사진 제1 경사면(112) 및 제1 경사면(112)와 제2 각도(d2)로 접하며 제1 리드프레임(120)과 제3 각도(d3)로 접하는 제2 경사면(114)를 포함할 수 있다.2, the inner surface of the
이때, 제1 경사면(112)의 제1 각도(d1)는 제2, 3 각도(d2, d3) 보다 낮으며, 20°내지 40°인 것이 바람직하다.At this time, the first angle d1 of the first
즉, 제1 경사면(112)의 제1 각도(d1)는 발광소자 패키지(100)의 전제 사이즈에 관계되며, 제1 경사면(112)의 제1 각도(d1)가 20°보다 작으면 설계된 패키지 몸체(110)의 전체 사이즈가 커지게 되며, 40°보다 높게 되면 패키지 몸체(110)의 높이 또는 두께가 두꺼워지게 되어, 발광소자 패키지(100)를 사용하는 제품의 실장 면적 및 두께에 대한 효율이 떨어지게 된다.That is, the first angle d1 of the first
그리고, 제2 경사면(114)의 제3 각도(d3)는 80°내지 90°인 것이 바람직하며, 90°, 즉 제1 리드프레임(120)과 수직으로 접하는 것이 가장 바람직할 것이다.The third angle d3 of the second
즉, 제2 경사면(114)의 제3 각도(d3)는 패키지 몸체(110) 성형시, 성형틀에 주입되는 사출물의 성형시 미성형을 방지할 수 있도록 수직 또는 수직에 가깝게 하는 것이 바람직하기 때문이다.That is, since the third angle d3 of the second
그리고, 제2 경사면(114)의 제2 각도(d2)는 110°내지 130°인 것이 바람직하며, 이는 제1, 3 각도(d1, d3)에 의해 결정될 수 있다.The second angle d2 of the second
여기서, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)의 높이(h1)보다 낮게 형성될 수 있으며, 이때 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)에 포함되며 광을 발생시키는 활성층(미도시)의 높이 보다 낮게 형성될 수 있다.Here, the height h of the second
즉, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 2/100T 내지 6/100T 또는 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 0.1배 내지 0.6배인 것이 바람직할 것이다.That is, the height h of the second
다시말하면, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)의 높이(h1), 즉 상기 활성층 보다 낮게 형성함으로써, 발광소자(140)에서 발생되는 광이 제1 경사면(112)에 의해 전방으로 반사시킬수 있도록 할 수 있으며, 상기 사출물의 주입 후 성형되는 과정에서 제1 리드프레임(120)과의 접합이 원활히 되어 미성형을 방지할 수 있다.In other words, by forming the height h of the second
즉, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 상기 사출물을 이루는 재질, 유리 섬유보다 높은 2/100T 또는 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 0.1배 이상으로 함으로써 상기 미성형을 방지할 수 있다.That is, the height h of the second
또한, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 0.6배보다 높게 되면 광 효율이 저하된다. If the height h of the second
도 3을 참조하면, 제2 경사면(114)은 계단 형상으로 스텝을 이루며 형성될 수 있을 것이다.Referring to FIG. 3, the second
이때, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 제1, 2 높이(h_1, h_2)를 이룰수 있으며, 이때 제1, 2 높이(h_1, h_2)는 계단 형상으로 형성될 수 있을 것이다.At this time, the height h of the second
여기서, 제1, 2 높이(h_1, h_2) 각각은 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 대비 0.1배 내지 0.6배이거나, 또는 2/100T 내지 6/100T일 수 있으며, 도 2에서 설명한바 있다.Here, each of the first and second heights h_1 and h_2 may be 0.1 to 0.6 times the height (h1) of the
그리고, 제1, 2 높이(h_1, h_2)는 높이가 서로 상이할 수 있으나, 사출물의 두께 또는 직경보다 크게 형성되어야 할 것이다.The first and second heights h_1 and h_2 may be different from each other in height but must be formed larger than the thickness or diameter of the injection molding.
그리고, 제2 경사면(114)의 계단 형상에서 제2 리드프레임(120)과 평행한 면의 길이는 사출물의 두께 또는 직경보다 길게 형성되어, 사출물의 성형시 미성형을 방지하도록 하며, 면의 길이에 대하여 한정을 두지 않는다.The length of the surface parallel to the
도 3에서는, 계단 형상이 발광소자(140) 방향으로 되어 있으나, 내측벽 방향으로 계단 형상이 이루어질 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.In FIG. 3, although the step shape is the direction of the
또한, 도 2 및 도 3과는 다르게, 제2 경사면(114)의 단면에 요철 또는 거칠기가 형성될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.2 and 3, irregularities or roughness may be formed on the end surface of the second
도 4는 도 1에 나타낸 패키지 몸체 및 캐비티를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the package body and the cavity shown in Fig.
도 4는 도 1 내지 도 3에 중복되는 부분에 대하여 설명을 생략한다.4 will not be described in detail.
도 4를 참조하면, 캐비티(s)의 상부폭(b1)은 패키지 몸체(110)의 폭(b2) 대비 66% 내지 89%인 것이 바람직할 것이다.4, it is preferable that the upper width b1 of the cavity s is 66% to 89% of the width b2 of the
즉, 캐비티(s)의 상부폭(b1)은 캐비티(s)의 내측벽에 대한 경사각에 따라 결정되며, 이때 상부폭(b1)이 패키지 몸체(110)의 폭 대비 66% 미만이면 발광소자(140)에서 발생되는 광의 효율이 낮아지며, 패키지 몸체(110)의 폭 대비 89% 보다 크게되면 광의 효율은 증가될 수 그에 비하여 패키지 전체 사이즈가 크게되며 그에 따른 제1, 2 리드프레임(120, 130)의 길이가 늘어나게 되어 제조원가가 상승하게 된다. That is, the upper width b1 of the cavity s is determined according to the inclination angle of the cavity s with respect to the inner wall. If the upper width b1 is less than 66% of the width of the
[표 1]은 패키지 몸체(110)의 폭(b2)이 3.8mm인 경우, 내측벽의 경사각에 따른 캐비티(s)의 상부폭(b1)을 나타낸다.Table 1 shows the upper width b1 of the cavity s according to the inclination angle of the inner wall when the width b2 of the
[표 1]에는 패키지 몸체(110)의 폭(b2)을 3.8mm로 한정하였으나, 이에 한정을 두지 않는다.In Table 1, the width b2 of the
[표 1]과 같이, 내측벽 경사각은 도 2 및 도 3에 나타낸 제1 경사각(d1)이며, 제1 경사각(d1)이 20°인 경우에 캐비티(s)의 상부폭(b1)이 가장 크며, 내측벽 경사각이 20°보다 작게 되면 캐비티(s)의 상부폭(b1)이 패키지 몸체(110)의 폭(b2)에 근접하게 되거나 그 이상이 됨으로써, 내측벽에 의해 패키지 몸체(110)가 파괴되거나 휨이 발생될 수 있다.As shown in Table 1, the inner wall inclination angle is the first inclination angle d1 shown in Figs. 2 and 3, and when the first inclination angle d1 is 20 占 the upper width b1 of the cavity s is the most When the inner wall inclination angle is smaller than 20 degrees, the upper width b1 of the cavity s approaches or exceeds the width b2 of the
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 나타낸 사시도이며, 도 6은 도 5에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다. FIG. 5 is a perspective view showing a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing a cross section taken along line A-A 'of the lighting device shown in FIG.
한편, 실시 예에 따른 조명장치의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.In order to describe the shape of the lighting apparatus according to the embodiment in more detail, the longitudinal direction Z of the lighting apparatus, the horizontal direction Y perpendicular to the longitudinal direction Z, the longitudinal direction Z, (X) perpendicular to the longitudinal direction (Y).
즉, 도 6은 도 5의 조명장치(200)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.6 is a cross-sectional view of the
도 5 및 도 6을 참조하면, 조명장치(200)는 몸체(210), 몸체(210)와 체결되는 커버(230) 및 몸체(210)의 양단에 위치하는 마감캡(250)을 포함할 수 있다.5 and 6, the
몸체(210)의 하부면에는 발광소자모듈(240)이 체결되며, 몸체(210)는 발광소자 패키지(244)에서 발생된 열이 몸체(210)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The light emitting
발광소자 패키지(244)는 인쇄회로기판(242) 상에 다색, 다열로 실장될 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 또한, 효과적인 방열을 위해 인쇄회로기판(242)은 금속(Metal)기판일 수 있다.The light emitting
커버(230)는 몸체(210)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다. The
커버(230)는 내부의 발광소자모듈(240)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(230)는 후술하는 바와 같이 발광소자 패키지(244)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(230)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있으며, 커버(230)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The
한편, 발광소자 패키지(244)에서 발생한 광은 커버(230)를 통해 외부로 방출되므로 커버(230)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소 패키지자(244)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(230)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Since the light generated in the light emitting
마감캡(250)은 몸체(210)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(250)에는 전원핀(252)이 형성되어 있어, 본 발명에 따른 조명장치(200)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing
도 7은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제1 실시 예를 나타낸 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a first embodiment of a backlight device including the light emitting device package according to the embodiment.
도 7은 수직형 백라이트 장치를 나타내며, 도 7을 참조하면 백라이트 장치는 하부 수납 부재(350), 반사판(320), 복수의 발광소자모듈(340) 및 다수의 광학 시트(330)를 포함할 수 있다.7, the backlight device may include a
이때, 발광소자모듈(340)은 복수의 발광소자 패키지(344)와 복수의 발광소자 패키지(344)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(342)을 포함할 수 있다.The light emitting
한편, 발광소자 패키지(344)의 바닥면에는 다수의 돌기 등이 형성될 수도 있어, 적색 광, 녹색 광 및 청색 광의 색 혼합효과를 향상시킬 수 있다.On the other hand, a plurality of protrusions or the like may be formed on the bottom surface of the light emitting
반사판(320)은 높은 광 반사율을 갖는 플레이트를 사용하여 광손실을 줄일 수 있다. 광학 시트(330)는 휘도 향상 시트(332), 프리즘 시트(334) 및 확산시트(336) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
확산 시트(336)는 발광소자모듈(340)로부터 입사된 광을 액정 표시 패널(미도시)의 정면으로 향하게 하고, 넓은 범위에서 균일한 분포를 가지도록 광을 확산시켜 액정 표시 패널(미도시)에 조사할 수 있다. 프리즘 시트(334)는 프리즘 시트(334)로 입사되는 광들 중에서 경사지게 입사되는 광을 수직으로 출사되게 변화시키는 역할을 한다. 즉, 확산 시트(336)로부터 출사되는 광을 수직으로 변환시키기 위해 적어도 하나의 프리즘 시트(334)를 액정 표시 패널(미도시) 하부에 배치시킬 수 있다. 휘도 향상 시트(332)는 자신의 투과축과 나란한 광은 투과시키고 투과축에 수직한 광은 반사시킨다.The diffusion sheet 336 directs the light incident from the light emitting
도 8은 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제2 실시 예를 나타낸 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a backlight device including a light emitting device array according to a second embodiment of the present invention.
도 8은 엣지형 백라이트 장치을 도시하며, 도 8을 참조하면 백라이트 장치는 하부 수납 부재(400), 빛을 출력하는 발광소자모듈(410), 발광소자모듈(410)에 인접 배치된 도광판(420) 및 다수의 광학 시트(미도시)를 포함할 수 있다. 다수의 광학 시트(미도시)는 도광판(420) 상에 위치할 수 있으며, 이는 도 8에서 나타내고 설명한 다수의 광학 시트(430)와 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.8, the backlight device includes a
발광소자모듈(410)은 복수의 발광소자 패키지(414)가 인쇄회로기판(412)상에 실장되어 어레이를 이룰 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(412)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB를 사용할 수 있다. 또한 인쇄회로기판(412)은 사각 판 형태뿐만 아니라 백라이트 어셈블리의 구조에 따라 다양한 형태로의 제작이 가능하다.In the light emitting
도광판(420)은 발광소자 패키지(414)에서 출력한 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(미도시)로 제공하며, 도광판(420)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 만들고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 광학 필름(미도시) 및 도광판(420)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(420)으로 반사시키는 반사 시트(미도시)가 도광판(620)의 배면에 위치할 수 있다.The
한편, 도 7에서 나타내고 설명한 수직형 백라이트 장치의 구조와 도 8에서 나타내고 설명한 엣지형 백라이트 장치의 구조는 혼합하여 사용이 가능함할 것이다.The structure of the vertical type backlight device shown in FIG. 7 and the structure of the edge type backlight device shown in FIG. 8 may be used in combination.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It will be appreciated that various modifications and applications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
100 발광소자 패키지, 110 패키지 몸체
120 제1 리드 프레임, 130 제2 리드 프레임, 140 발광소자100 light emitting device package, 110 package body
120 first lead frame, 130 second lead frame, 140 light emitting element
Claims (18)
상기 몸체와 결합되며, 서로 이격되어 배치되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고,
상기 캐비티의 내측벽은,
상기 발광소자가 배치되는 상기 제1 리드 프레임의 상면을 기준으로 제1 각도로 제공된 제1 경사면; 및
상기 제1 리드 프레임의 상면과 상기 제1 경사면 사이에 배치되며, 상기 제1 경사면과 제2 각도를 이루며 상기 제1 리드 프레임의 상면과 제3 각도를 갖는 제2 경사면;을 포함하며,
상기 제1 리드 프레임의 상면을 기준으로, 상기 제2 경사면의 높이는 상기 발광소자의 높이보다 낮으며,
상기 제2 각도는 (상기 제1 각도 + (180° - 상기 제3 각도))로 제공되고,
상기 제1 각도는 20°내지 40°이며, 상기 제3 각도는 80°내지 90°이고,
상기 캐비티의 상부폭은 상기 몸체의 폭 대비 66% 내지 89%인 발광소자 패키지.
A body including a cavity;
A first lead frame and a second lead frame coupled to the body and spaced apart from each other;
And a light emitting element disposed on the first lead frame,
The inner wall of the cavity
A first inclined surface provided at a first angle with respect to an upper surface of the first lead frame where the light emitting element is disposed; And
And a second inclined surface disposed between the upper surface of the first lead frame and the first inclined surface and having a second angle with the first inclined surface and a third angle with the upper surface of the first lead frame,
Wherein a height of the second inclined surface is lower than a height of the light emitting element with respect to an upper surface of the first lead frame,
The second angle is provided (the first angle + (180 ° - the third angle)),
Wherein the first angle is 20 ° to 40 °, the third angle is 80 ° to 90 °,
And the upper width of the cavity is 66% to 89% of the width of the body.
상기 제2 경사면의 높이는
상기 발광소자의 활성층의 위치보다 낮은 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The height of the second inclined surface
Emitting layer is lower than the position of the active layer of the light-emitting element.
상기 캐비티의 상부폭은 상기 몸체의 폭 대비 74% 내지 89%인 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
And the upper width of the cavity is 74% to 89% of the width of the body.
상기 제1 각도는 20°내지 30°인 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the first angle is 20 to 30 degrees.
상기 제1 각도는 30°내지 40°인 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the first angle is 30 DEG to 40 DEG.
상기 캐비티의 상부폭은 상기 몸체의 폭 대비 66% 내지 74%인 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein an upper width of the cavity is 66% to 74% of a width of the body.
상기 제1 각도는 20°내지 30°인 발광소자 패키지.
The method according to claim 6,
Wherein the first angle is 20 to 30 degrees.
상기 제1 각도는 30°내지 40°인 발광소자 패키지.
The method according to claim 6,
Wherein the first angle is 30 DEG to 40 DEG.
상기 몸체는
폴리프탈아미드, 실리콘, 알루미늄, 알루미늄 나이트라이드, AlOx, 액정폴리머, 폴리아미드, 신지오택틱폴리스티렌, 사파이어, 베릴륨 옥사이드 중에서 적어도 하나를 포함하는 포함하는 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The body
Wherein the light emitting device package comprises at least one of polyphthalamide, silicon, aluminum, aluminum nitride, AlOx, liquid crystal polymer, polyamide, syndiotactic polystyrene, sapphire, and beryllium oxide.
상기 캐비티 상부 폭은 상기 몸체 상면에서 상기 캐비티 내측벽의 폭이고,
상기 몸체 폭은 상기 몸체 양측면의 끝면을 기준으로 한 수평폭인 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The cavity top width is the width of the cavity inner wall on the top surface of the body,
Wherein the body width is a horizontal width with respect to an end surface of both side surfaces of the body.
상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면이 만나는 지점은
상기 발광소자의 활성층 보다 낮게 위치하는 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The point where the first inclined surface and the second inclined surface meet is
Wherein the light emitting device is disposed lower than the active layer of the light emitting device.
상기 내측벽의 단면은 요철이 형성된 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
And a cross section of the inner wall is formed with concave and convex portions.
상기 내측벽의 단면은,
계단 형상을 갖는 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the inner wall has a cross-
A light emitting device package having a stepped shape.
상기 발광소자는
상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The light-
And the first lead frame and the second lead frame are electrically connected to each other.
상기 제1 및 제2 리드 프레임의 일단은 상기 몸체에 의해 커버되지 않으며,
상기 제1 및 제2 리드 프레임의 타단은 상기 몸체를 관통하여 상기 몸체의 측면 외측으로 노출된 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
One end of the first and second lead frames is not covered by the body,
And the other ends of the first and second lead frames are exposed outside the side surface of the body through the body.
상기 제1 리드 프레임은
티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 둘 이상의 물질 또는 이들의 합금을 포함하는 발광소자 패키지.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The first lead frame
(P), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum , At least two materials selected from aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru) And an alloy thereof.
A backlight device comprising the light emitting device package according to any one of claims 1 to 8.
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JP2004327503A (en) | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | Package for light emitting element and light emitting device |
KR100610650B1 (en) | 2005-06-17 | 2006-08-09 | (주) 파이오닉스 | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288937A (en) | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Kyocera Corp | Package for accommodating light emitting element and light emitting device |
JP2004327503A (en) | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | Package for light emitting element and light emitting device |
KR100610650B1 (en) | 2005-06-17 | 2006-08-09 | (주) 파이오닉스 | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
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