KR101644714B1 - Thin film conduction noise absorber - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전도 노이즈를 흡수하는 흡수체에 관한 것으로서, 본 발명의 고주파용 회로 기판에 부착되어 전도 노이즈(noise)를 흡수하기 위한 박막형 전도 노이즈 흡수체에서, 상기 고주파용 회로 기판에 부착되는 박형 필름(thin film) 및 상기 박형 필름 상에 형성되는 전도성 박막을 포함한다.
본 발명에 의한 박막형 전도 노이즈 흡수체는 1 ㎓의 저주파 대역에서 월등히 향상된 노이즈 감쇄율을 보인다는 효과가 있다. The present invention relates to an absorber for absorbing conduction noise, and more particularly, to a thin film type conduction noise absorber for absorbing conduction noise adhered to a high frequency circuit board of the present invention, in which a thin film adhered to the high frequency circuit board film and a conductive thin film formed on the thin film.
The thin film type conducted noise absorber according to the present invention has an effect of exhibiting remarkably improved noise attenuation in a low frequency band of 1 GHz.
Description
본 발명은 전도 노이즈를 흡수하는 흡수체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막형 전도 노이즈 흡수체에 관한 것이다.
The present invention relates to an absorber that absorbs conduction noise, and more particularly to a thin film type conducted noise absorber.
오늘 날 정보통신 산업의 비약적인 발전은 디지털 회로기술에 의한 정보처리 속도의 고속화(고주파 화)와 IC 기술에 의한 고집적화(소형화 및 모바일화)로 특징지을 수 있다. 이와 같이 시ㆍ공간적으로 전파환경의 고밀도화가 이루어짐에 따라 인접 소자 또는 배선 간의 상호간섭(cross-talk), 배선을 통한 노이즈(noise)의 전도 및 방사, 그리고 이들 노이즈 주파수 대역의 광역화가 EMC(Electro-Magnetic Compatibility) 대책기술의 주요 과제로 대두되고 있다. 고속화와 집적화, 그리고 기능의 복합화와 고속 인터페이스의 탑재가 동시에 진보하고 있는 디지털 기기 및 회로의 설계 단계에 있어서 지금까지의 EMI(Electro-Magnetic Interference) 대책부품과 노우하우(know how)로는 그 점유 용적과 효과, 그리고 비용 면에서 대응이 곤란한 노이즈 트러블(trouble) 인자가 계속 증가하고 있다. Today, the rapid development of the information and communications industry can be characterized by high speed (high frequency) of information processing speed by digital circuit technology and high integration (miniaturization and mobileization) by IC technology. As the propagation environment becomes denser in time and space, the cross-talk between adjacent elements or wires, the conduction and radiation of noise through wiring, and the broadening of these noise frequency bands are caused by EMC -Magnetic Compatibility) countermeasures. Electro-Magnetic Interference (EMI) countermeasures and know-how in the design stage of digital devices and circuits, which are simultaneously advancing with the integration of high-speed, integrated, and high-speed interfaces, Noise, and trouble factors that are difficult to cope with in terms of cost, effect, and cost.
종래 이러한 문제를 해결하는 방법으로 마이크로스트립 선로 위에 노이즈 감쇠 특성이 우수한 자성 후막(PCB 용) 및 자성 박막(IC 용)을 장착 또는 집적화하는 방법이 제안되고 있다. 전류가 흐르는 배선 주위의 전자계 분포는 주로 자계이기 때문에, 고손실 자성체의 삽입 또는 도포에 의해 전도 노이즈를 감쇄시키는 방식이다. Conventionally, a method for mounting or integrating a magnetic thick film (for PCB) and a magnetic thin film (for IC) having excellent noise attenuation characteristics on a microstrip line has been proposed. Since the electromagnetic field distribution around the wiring through which current flows is mainly a magnetic field, the conduction noise is attenuated by insertion or application of a high loss magnetic body.
종래 이러한 조건을 만족시킬 수 있는 새로운 노이즈 대책 재료로서 매우 얇은 편상형의 금속 연자성 분말을 유기고분자에 배열시킨 복합 자성체와 고손실 연자성 박막이 제안되었다. 2차원의 형상 자기이방성과 면내의 일축 결정자기이방성을 가져 공명주파수를 ㎓ 대역까지 올릴 수 있고, 높은 투자율을 유지할 수 있다는 것이 두 재료의 공통점이자 장점이다. As a novel noise countermeasure material capable of satisfying such a condition, a composite magnetic body and a high loss soft magnetic thin film in which an extremely thin sliced metal soft magnetic powder is arranged in an organic polymer have been proposed. The two-dimensional shape magnetic anisotropy and the in-plane uniaxial crystal magnetic anisotropy can raise the resonance frequency up to the GHz band, and the high permeability can be maintained.
편상형의 연자성 금속분말(Fe-Si-Al 등 철계 합금)은 폴리머 매트릭스에 분산 배열되어 후막 시트(sheet) 형태(두께 = 0.2 ~ 1 ㎜)로 가공되고, 자성박막(두께 = 1 ㎛ 수준)으로는 ㎓ 대역에서 투자율의 허수부(자기손실)가 매우 큰 비정질 또는 그래뉼라(granular) 자성박막, 그리고 페라이트 자성박막 등이 제안된 바 있다. The soft magnetic metal powder (Fe-Si-Al and other iron-based alloys) in the form of a single phase is dispersed and arranged in a polymer matrix to form a thick sheet (thickness = 0.2 to 1 mm) and a magnetic thin film , There have been proposed an amorphous or granular magnetic thin film having a very large imaginary part (magnetic loss) of the magnetic permeability in the ㎓ band, and a ferrite magnetic thin film.
그러나 이들 자성 후막이나 박막은 근원적으로 강자성 공명에 의한 자기손실을 이용한 것이기 때문에, 고주파 대역에서는 감쇠능이 우수하지만 1 ㎓ 이하의 저주파 대역에서 감쇠능이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 공명주파수가 ㎓ 대에 위치하고 자기손실(μr")에 의한 노이즈 흡수율(Pmag)은 주파수(f)에 비례하기 때문에(Pmag∼fㆍμr"), 1 ㎓ 이하의 저주파 대역에서 전력흡수율은 자성 후막 및 박막의 경우에 20%를 넘기 어렵다.
However, since these magnetic thick films or thin films basically utilize the magnetic loss due to ferromagnetic resonance, they have a problem that the attenuating ability is low in the low frequency band of 1 GHz or less. In addition, since the resonance frequency is located in the GHz band and the noise absorption rate (P mag ) due to the magnetic loss ( r r ") is proportional to the frequency f (P mag to f · r r ) The power absorption rate is hardly more than 20% in the case of the magnetic thick film and the thin film.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 적절한 면저항의 도전막을 흡수소재로 이용하여 1 ㎓ 이하의 저주파 대역에서도 높은 흡수율을 얻는 전도 노이즈 흡수체를 제공하는데 그 목적이 있다. It is an object of the present invention to provide a conductive noise absorber which can obtain a high absorption rate even in a low frequency band of 1 GHz or less by using a conductive film having an appropriate sheet resistance as an absorbing material.
이를 위하여 본 발명에서는 전도막의 오옴(ohm) 손실을 이용한 노이즈 흡수체를 구상할 수 있으며, 오옴 손실에 의한 전력흡수율(Pohm)은 주파수에 일정하게 전기전도도(σ)에 비례하기 때문에(Pohm∼σ), 적절한 전기 전도도 조절에 의해 저주파 대역에서도 높은 노이즈 감쇠 특성을 구현할 수 있다. According to the present invention To this end, proportional to the conductive film ohm (ohm) to visualize the noise absorbing member with a loss, power absorption by the ohmic loss (P ohm) is the electrical conductivity (σ) constant in frequency (P ohm ~ σ), it is possible to realize a high noise attenuation characteristic even in a low frequency band by adjusting the appropriate electric conductivity.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고주파용 회로 기판에 부착되어 전도 노이즈(noise)를 흡수하기 위한 박막형 전도 노이즈 흡수체에서, 상기 고주파용 회로 기판에 부착되는 박형 필름(thin film) 및 상기 박형 필름 상에 형성되는 전도성 박막을 포함한다. In order to achieve the above object, there is provided a thin film type conductive noise absorber for absorbing conduction noise attached to a high frequency circuit board of the present invention, comprising: a thin film attached to the high frequency circuit board; And a conductive thin film formed on the substrate.
상기 고주파용 회로 기판은 마이크로스트립 선로(microstrip line)일 수 있다. The high frequency circuit board may be a microstrip line.
상기 박형 필름은 폴리이미드 필름(polyimide film)일 수 있다. The thin film may be a polyimide film.
상기 전도성 박막은 상기 박형 필름 위에 진공 증착법으로 성장시키는 방식으로 형성될 수 있다. The conductive thin film may be formed on the thin film by a vacuum deposition method.
상기 전도성 박막은 인듐-주석계 산화물(ITO: indium-tin oxide)이 재료로 사용된 박막일 수 있다. The conductive thin film may be a thin film using indium-tin oxide (ITO) as a material.
상기 전도성 박막은 Fe304이 재료로 사용된 박막일 수 있다. 이때, 상기 전도성 박막은 100 Ω의 면저항을 갖는 Fe304 박막인 것이 바람직하다.
The conductive thin film may be a thin film using Fe 3 O 4 as a material. At this time, it is preferable that the conductive thin film is a Fe 3 O 4 thin film having a sheet resistance of 100 Ω.
본 발명에 의한 박막형 전도 노이즈 흡수체는 1 ㎓의 저주파 대역에서 월등히 향상된 노이즈 감쇄율을 보인다는 효과가 있다. 1 ㎓를 기준으로 종래 시트(sheet) 형 흡수체의 경우 흡수율이 40%인데 반해, 본 발명의 박막형 전도 노이즈 흡수체의 경우 80% 수준의 흡수율을 나타낸다. The thin film type conducted noise absorber according to the present invention has an effect of exhibiting remarkably improved noise attenuation in a low frequency band of 1 GHz. In the case of the conventional sheet absorber based on 1 GHz, the absorptance is 40%, whereas the absorber of the thin film absorber of the present invention exhibits the absorptance of 80%.
그리고, 본 발명에 의하면 흡수체의 두께를 현저히 줄일 수 있다는 효과가 있다. 본 발명의 박막형 전도 노이즈 흡수체의 경우 폴리이미드 기판 필름을 고려하여도 두께가 20∼30 ㎛에 불과해 기존 시트(sheet) 형 흡수체의 0.3∼1 ㎜ 수준 두께에 비해 최소 1/10 수준으로 줄일 수 있다. 이러한 장점에 의해 고밀도 실장 제품인 휴대폰, 노트북 PC 등에 적용이 훨씬 유리하다.
According to the present invention, the thickness of the absorber can be remarkably reduced. In the case of the thin film type conductive noise absorber of the present invention, the thickness of the polyimide substrate film is only 20 to 30 탆, which is at least 1/10 of that of the conventional sheet absorber of 0.3-1 mm . Because of these advantages, it is more advantageous to apply to high density mounting products such as mobile phones and notebook PCs.
로 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로스트립 선로 위에 부착된 박막형 전도 노이즈 흡수체의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 ITO 박막의 S 파라미터 및 전력 흡수율을 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 ITO 박막과 자성 시트의 전력 흡수율을 비교한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 Fe304 박막의 두께에 따른 S 파라미터 및 전력 흡수율을 도시한 그래프이다.1 is a configuration diagram of a thin film type conducted noise absorber attached on a microstrip line according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing an S parameter and a power absorption rate of an ITO thin film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a graph comparing power absorption rates of an ITO thin film and a magnetic sheet according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing an S parameter and a power absorption rate according to a thickness of a Fe304 thin film according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted in an ideal or overly formal sense unless expressly defined in the present application Do not.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로스트립 선로 위에 부착된 박막형 전도 노이즈 흡수체의 구성도이다. 1 is a block diagram of a thin film type conducted noise absorber attached on a microstrip line according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 전도 노이즈 흡수체는 박형 필름(thin film)(120), 전도성 박막(130)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a thin film type conductive noise absorber according to an embodiment of the present invention includes a
본 발명에서 박막형 전도 노이즈 흡수체는 고주파용 회로 기판(110) 상에 부착되어 사용된다. In the present invention, the thin film type conducted noise absorber is attached to the high
본 발명에서 고주파용 회로 기판(110)은 마이크로스트립 선로(microstrip line)일 수 있다.In the present invention, the high
도 1의 실시예에서, 박막형 전도 노이즈 흡수체는 마이크로스트립 선로가 형성된 회로 기판(110) 상에 부착되어 사용된다. In the embodiment of Fig. 1, a thin film type conducted noise absorber is attached and used on a
본 발명의 일 실시예에서 박형 필름(120)은 폴리이미드 필름으로 구현될 수 있다. 참고로, 폴리이미드 필름(polyimide film)은 영상 400도 이상의 고온이나 영하 269도의 저온을 견디는 필름으로 얇고 굴곡성이 뛰어난 첨단 고기능성 산업용 소재로서, 내화학성, 내마모성도 강해 열악한 환경에서 안정적인 성능 유지가 필요한 분야에 널리 쓰인다. 초기에는 항공우주 분야 재료로 개발되어 사용됐으나, 현재는 산업용 기기와 연성회로기판(FPCB), 전기 전자부품 등 광범위한 분야에 사용되고 있다. 최근 전세계적으로 정보기술(IT) 기기의 성능이 다양해지고 두께가 얇아지면서 발열 문제를 해결하기 위해 방열 시트용 폴리이미드 필름의 수요가 늘어나고 있는 추세이다.In one embodiment of the present invention, the
예를 들어, 박형 필름(120)은 25μm의 폴리이미드 필름으로 구현될 수 있다. 그리고, 전도성 박막(130)은 25μm의 폴리이미드 필름 위에 진공증착법으로 성장시킨 1μm의 전도성 박막으로 구현될 수 있다. For example, the
본 발명에서 전도 노이즈 흡수체는 고주파용 회로 기판인 마이크로스트립 선로 위에 부착되어 사용된다. In the present invention, the conductive noise absorber is attached to a microstrip line as a circuit board for high frequency use.
도 1을 참조하면, 마이크로스트립 선로 위에 전도 노이즈 흡수체(120, 130)를 부착했을 때 측정되는 입사전압(V0)에 대한 반사전압(V1)의 비를 S11이라 하고, 입사전압(V0)에 대한 투과전압(V2)의 비를 S21이라 할 때, S11, S21 및 전력흡수율(Power Absorption: PA)을 다음과 같이 정의한다. 1 , the ratio of the reflected voltage V 1 to the incident voltage V 0 measured when the conductive noise absorbers 120 and 130 are attached on the microstrip line is denoted by S 11 and the incident voltage V when referred to the ratio between the transmission voltage (V 2) for 0) S 21, S 11,
본 발명의 일 실시예에서 전도성 박막(130)의 재료로는 인듐-주석계 산화물 (ITO: indium-tin oxide) 박막과 Fe3O4 박막을 선정하고, 이들 박막은 일반적인 진공증착법에 의해 제작되고, 두께는 0.1∼10 ㎛이고, 면적 50 mm × 50 mm이고, 면저항은 20∼1000 Ω 범위에서 조절된다.As a material of the conductive
이제 ITO 박막의 전력흡수율을 예시하면 다음과 같다. Now, the power absorption rate of the ITO thin film is as follows.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 ITO 박막의 S 파라미터 및 전력 흡수율을 도시한 그래프이다. 2 is a graph showing an S parameter and a power absorption rate of an ITO thin film according to an embodiment of the present invention.
도 2는 ITO 박막(크기 5 ㎝ × 5 ㎝)의 면저항에 따른 S11, S21, 전력흡수율의 변화를 보여준다. Fig. 2 shows S 11 , S 21 , and power absorption rate changes depending on sheet resistance of the ITO thin film (
도 2 (a)를 참조하면, 주파수에 따라 편차를 보이나, 면저항이 230 Ω일 때 S11 
도 2 (b)에서 보는 바와 같이, S21은 주파수 증가에 따라 거의 직선적으로 감소하고, 면저항이 감소할수록 증가하는 경향을 보인다. 예를 들어 4 ㎓에서 S21 값은 면저항 20 Ω 일 때 -20 dB로부터 면저항이 230 Ω일 때 -10 dB로 증가함을 볼 수 있다. As shown in FIG. 2 (b), S 21 tends to decrease almost linearly as the frequency increases and tends to increase as the sheet resistance decreases. For example, at 4 ㎓, the S 21 value increases from -20 dB when the sheet resistance is 20 Ω to -10 dB when the sheet resistance is 230 Ω.
도 2 (c)는 수학식 3으로 정의되는 전력흡수율을 나타낸 것이다. 이를 참조하면, 주파수 증가에 따라 S11은 거의 일정한 반면, S21이 감소하기 때문에 전력흡수율은 주파수 증가에 따라 증가한다. 그리고, 1 ㎓ 이하의 저주파 대역에서는 급격히 증가하여 약 90 %의 전력흡수율에 서서히 수렴함을 볼 수 있다.2 (c) shows the power absorption rate defined by Equation (3). Referring to this, S 11 is almost constant with increasing frequency, while S 21 decreases, so that the power absorption rate increases with increasing frequency. In the low frequency band of 1 GHz or less, it increases sharply and converges to about 90% of the power absorption rate.
도 2 (c)에서 면저항이 60∼230 Ω 범위에서 가장 큰 전력흡수율이 측정됨을 확인할 수 있다. 면저항이 증가할수록 S21은 증가하나, S11의 감소효과가 더 크기 때문에 전력흡수율은 증가한다. 이와 같이 면저항이 제어된 ITO 박막은 자기손실이 없음에도 불구하고 높은 전력흡수율을 보인다. 본 발명의 전도 노이즈 흡수체는 철계 자성 압분체가 혼입된 시트(sheet)에 비해서 2 ㎓ 이하의 저주파 대역에서 상당히 우수한 노이즈 감쇄 특성을 보인다. ITO 박막에서 일어날 수 있는 전력 흡수기구는 오옴 손실인데, 박막의 면저항이 작아질수록 S21이 감소하는 것이 이를 대변한다. 그러나 면저항이 작아질수록 선로 임피던스의 감소에 의해 S11이 증가하기 때문에 최대의 전력흡수를 얻기 위한 적정 면저항이 존재한다.
2 (c), it can be seen that the largest power absorption rate is measured in the range of 60 to 230 Ω. As the sheet resistance increases, S 21 increases, but the power absorption rate increases because S 11 decreases more. In this way, the ITO thin film with controlled sheet resistance exhibits a high power absorption rate despite the absence of magnetic loss. The conductive noise absorber of the present invention exhibits significantly excellent noise attenuation characteristics in a low frequency band of 2 GHz or less as compared with a sheet incorporating an iron-based magnetic green compact. The power absorption mechanism that can occur in the ITO thin film is ohmic loss, which is represented by the decrease in S 21 as the sheet resistance of the thin film becomes smaller. However, as the sheet resistance becomes smaller, S 11 increases due to the reduction of line impedance, so there is a proper sheet resistance for obtaining maximum power absorption.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 ITO 박막과 자성 시트의 전력 흡수율을 비교한 그래프이다. FIG. 3 is a graph comparing power absorption rates of an ITO thin film and a magnetic sheet according to an embodiment of the present invention.
도 3은 ITO 박막과 종래 자성 시트(크기 5 ㎝ × 5 ㎝)의 전도 노이즈 흡수능을 비교한 것이다. Fig. 3 compares the absorptive power of the ITO thin film with that of the conventional magnetic sheet (size: 5 cm x 5 cm).
도 3 (a)의 측정치 결과를 보면, 저주파(2 ㎓ 이하)에서 ITO 박막(두께 = 0.17 ㎛)이 자성 시트(두께 = 0.5 ㎜)보다 전력 흡수율이 좋게 나오는 것을 볼 수 있다. 3 (a), it can be seen that the ITO thin film (thickness = 0.17 占 퐉) exhibits a better power absorption rate than the magnetic sheet (thickness = 0.5 mm) at low frequencies (2 GHz or less).
도 3 (b)의 시뮬레이션에서도 마찬가지로 저주파에서 ITO 필름이 자성 시트보다 전력흡수율이 좋게 나오는 것을 볼 수 있다. 본 발명의 ITO 박막과 자성 시트의 측정치 그래프와 시뮬레이션 결과 그래프를 비교하였을 때, 저주파 대역에서는 도전손실이 효과적이고, 고주파 대역에서는 자성손실이 더 효과적이라는 것을 알 수 있다.
In the simulation of FIG. 3 (b), it can be seen that the ITO film exhibits a better power absorption rate than the magnetic sheet at low frequencies. When the graph of the measurement result of the ITO thin film and the magnetic sheet of the present invention is compared with the simulation result graph, it can be seen that the conduction loss is effective in the low frequency band and the magnetic loss is more effective in the high frequency band.
이제 Fe304 박막의 전력흡수율을 설명하면 다음과 같다. The power absorption rate of the Fe 3 O 4 thin film will now be described.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 Fe304 박막의 두께에 따른 S 파라미터 및 전력 흡수율을 도시한 그래프이다.4 is a graph showing an S parameter and a power absorption rate depending on the thickness of the Fe 3 O 4 thin film according to an embodiment of the present invention.
도 4는 Fe3O4 박막의 S 파라미터(S11, S21) 및 전력흡수율을 나타낸 것이다.4 shows the S parameter (S 11 , S 21 ) and the power absorption rate of the Fe 3 O 4 thin film.
도 4 (a)에서 보는 바와 같이, S11은 면저항이 증가할수록 감소한다. Fe3O4 박막에서 면저항이 500 Ω 이상으로 증가하면, S11은 -10 dB 이하로 현저히 감소한다. 이는 약 10%의 전력반사이다. As shown in FIG. 4 (a), S 11 decreases as the sheet resistance increases. When the sheet resistance of the Fe 3 O 4 thin film is increased to 500 Ω or more, S 11 is significantly reduced to -10 dB or less. This is about 10% power reflection.
도 4 (b)에서 보는 바와 같이, S21은 면저항이 감소할수록 급격히 감소한다. As shown in FIG. 4 (b), S 21 sharply decreases as the sheet resistance decreases.
도 4 (c)를 참조하면, 이러한 반사/투과 특성에 의해 전력흡수율은 면저항이 100 Ω인 Fe3O4 박막이 가장 큰 값을 보인다. 1 GHz 주파수에서 약 80%의 전력흡수율을 보이고, 이는 기존의 자성 시트 흡수체보다 월등히 개선된 결과를 나타낸다.
Referring to FIG. 4C, the Fe 3 O 4 thin film having the sheet resistance of 100 OMEGA exhibits the largest power absorption rate due to the reflection / transmission characteristics. It shows a power absorption rate of about 80% at 1 GHz frequency, which is far superior to that of conventional magnetic sheet absorbers.
이상 본 발명을 몇 가지 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 이들 실시예는 예시적인 것이며 한정적인 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상과 첨부된 특허청구범위에 제시된 권리범위에서 벗어나지 않으면서 다양한 변화와 수정을 가할 수 있음을 이해할 것이다.
While the present invention has been described with reference to several preferred embodiments, these embodiments are illustrative and not restrictive. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit of the invention and the scope of the appended claims.
110 고주파용 회로 기판 120 박형 필름
130 전도성 박막110 High
130 conductive thin film
Claims (7)
상기 고주파용 회로 기판에 부착되는 박형 필름(thin film); 및
상기 박형 필름 상에 형성되는 전도성 박막을 포함하되,
상기 전도성 박막은 인듐-주석계 산화물(ITO: indium-tin oxide)이 재료로 사용된 박막인 것임을 특징으로 하는 박막형 전도 노이즈 흡수체.
In a thin film type conductive noise absorber attached to a high frequency circuit board for absorbing conduction noise,
A thin film attached to the high frequency circuit board; And
And a conductive thin film formed on the thin film,
Wherein the conductive thin film is a thin film using indium-tin oxide (ITO) as a material.
상기 고주파용 회로 기판에 부착되는 박형 필름(thin film); 및
상기 박형 필름 상에 형성되는 전도성 박막을 포함하되,
상기 전도성 박막은 Fe304이 재료로 사용된 박막인 것임을 특징으로 하는 박막형 전도 노이즈 흡수체.
In a thin film type conductive noise absorber attached to a high frequency circuit board for absorbing conduction noise,
A thin film attached to the high frequency circuit board; And
And a conductive thin film formed on the thin film,
Wherein the conductive thin film is a thin film using Fe 3 O 4 as a material.
상기 고주파용 회로 기판은 마이크로스트립 선로(microstrip line)인 것임을 특징으로 하는 박막형 전도 노이즈 흡수체.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the high frequency circuit board is a microstrip line.
상기 박형 필름은 폴리이미드 필름(polyimide film)인 것임을 특징으로 하는 박막형 전도 노이즈 흡수체.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the thin film is a polyimide film. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
상기 전도성 박막은 상기 박형 필름 위에 진공 증착법으로 성장시키는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 전도 노이즈 흡수체.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the conductive thin film is formed on the thin film by a vacuum evaporation method.
상기 전도성 박막은 100 Ω의 면저항을 갖는 Fe304 박막인 것임을 특징으로 하는 박막형 전도 노이즈 흡수체.
The method of claim 2,
Wherein the conductive thin film is a Fe 3 O 4 thin film having a sheet resistance of 100 OMEGA.
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| KR1020140193569A KR101644714B1 (en) | 2014-12-30 | 2014-12-30 | Thin film conduction noise absorber |
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|---|---|---|---|---|
| KR920009276A (en) | 1990-10-27 | 1992-05-28 | 장성덕 | Harmful Electromagnetic Wave Absorber |
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2014
- 2014-12-30 KR KR1020140193569A patent/KR101644714B1/en active IP Right Grant
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|---|
| 전자파 흡수체용 고투자율 자성 시트 개발 연구보고서(충북대학교, 김성수, 2011년 발표) |
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