KR101640636B1 - New heterocyclic compounds and organic electronic device using the same - Google Patents

Abstract

본 발명은 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 신규 화합물은 유기 전자 소자의 효율, 구동 전압 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a novel heterocyclic compound and an organic electronic device using the same. The novel compound according to the present invention can greatly improve the efficiency, driving voltage and lifetime of the organic electronic device.

Description

신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW HETEROCYCLIC COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a novel heterocyclic compound and an organic electronic device using the heterocyclic compound.

본 출원은 2012년 5월 31일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0058942호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of Korean Patent Application No. 10-2012-0058942 filed on May 31, 2012, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel heterocyclic compound and an organic electronic device using the same.

유기 전자 소자란 정공 및/또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전기 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.An organic electronic device means an element requiring charge exchange between an electrode and an organic material using holes and / or electrons. The organic electronic device can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electric device. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor that interfaces with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.

유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자소자 들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor, and the like. These devices may be used as a hole injecting or transporting material, an electron injecting or transporting material, need. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail. However, in the organic electronic devices, hole injecting or transporting materials, electron injecting or transporting materials, or light emitting materials act on a similar principle.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-emission, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.

유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.As a material used in an organic light emitting device, a pure organic material or a complex in which an organic material and a metal form a complex is mostly used. Depending on the application, a hole injecting material, a hole transporting material, a light emitting material, an electron transporting material, . As the hole injecting material and the hole transporting material, an organic material having a p-type property, that is, an organic material that is easily oxidized and electrochemically stable at the time of oxidation is mainly used. On the other hand, as an electron injecting material or an electron transporting material, an organic material having an n-type property, that is, an organic material that is easily reduced and electrochemically stable when being reduced is mainly used. As the light emitting layer material, a material having both a p-type property and an n-type property, that is, a material having both a stable form in oxidation and in a reduced state is preferable, and a material having a high luminous efficiency for converting an exciton into light desirable.

위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.In addition to the above, it is preferable that the material used in the organic light emitting device further has the following properties.

저전압 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자 내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 전자수송층 물질로 주로 사용되는 Alq₃의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물들의 HOMO 네너지 준위에 비하여 HOMO 에너지 준위가 높기 때문에 고효율 및 장수명의 특성을 갖는 유기 발광 소자의 제조에 어려움이 있다.In order to obtain a highly efficient organic light emitting device capable of driving at a low voltage, holes or electrons injected into the organic light emitting element must be smoothly transferred to the light emitting layer, and injected holes and electrons should not escape from the light emitting layer. For this purpose, the material used in the organic light emitting device should have an appropriate band gap and a HOMO or LUMO energy level. In the case of Alq ₃ , which is mainly used as an electron transporting layer material, the HOMO energy level is higher than the HOMO energy level of organic materials used as a light emitting layer material, so that it is difficult to manufacture an organic light emitting device having high efficiency and long life characteristics.

이외에도 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광소자에서 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.In addition, materials used in organic light emitting devices should have excellent chemical stability, charge mobility, and interface characteristics with electrodes or adjacent layers. That is, the material used in the organic light emitting device should have little deformation of the material due to moisture or oxygen. In addition, by having appropriate hole or electron mobility, it is necessary to maximize the formation of excitons by balancing the density of holes and electrons in the light emitting layer of the organic light emitting device. And, for the stability of the device, the interface with the electrode including the metal or the metal oxide should be good.

따라서, 유기 발광 소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 상기와 같은 요건을 갖춘 유기물의 개발이 요구 되고 있으며, 이와 같은 물질 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.Therefore, in order for the organic light emitting device to fully exhibit the above-described excellent characteristics, development of organic materials having the above-mentioned requirements is required, and the necessity of developing such materials is the same in other organic electronic devices described above.

대한민국 공개특허공보 제10-2003-0067773호Korean Patent Publication No. 10-2003-0067773

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 사용 가능한 물질에 요구되는 조건, 예컨대 적절한 에너지 준위, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성 등을 만족시켜, 유기 전자 소자의 효율, 구동전압 및 수명을 크게 향상시킬 수 있는 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same, Which can greatly improve the efficiency, driving voltage and lifetime of an organic electronic device, and an organic electronic device using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R₁과 R₂가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R₂과 R₃가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R₃과 R₄가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R₅과 R₆가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R₆과 R₇가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R₇과 R₈가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하고,R ₁ and R ₂ may be bonded to each other to form an aromatic ring, or R ₂ and R ₃ may bond to each other to form an aromatic ring, or R ₃ and R ₄ may bond to each other to form an aromatic ring, or R ₅ and R ₆ are bonded to form an aromatic ring, or R ₆ and R ₇ are bonded to each other to form a ring, or bonded to each other is R ₇ and R ₈ form a ring with each other,

R₁ 내지 R₈ 중 방향족 고리를 형성하지 않는 기, R₁과 R₂가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R₂과 R₃가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R₃과 R₄가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R₅과 R₆가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R₆과 R₇가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R₇과 R₈ 가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, 및 R₉ 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 이고, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고,R ₁ To R ₈ groups of which do not form an aromatic ring, R ₁ and R ₂ is a substituent substituted on the aromatic ring formed by bonding to each other, R ₂ and R ₃ is a substituent substituted on the aromatic ring formed by bonding to each other, R ₃ and R ₄ is a substituent substituted on the aromatic ring formed by bonding to each other, R ₅ and R ₆ is a substituent substituted on the aromatic ring formed by bonding to each other, R ₆ and R ₇ is a substituent substituted on the aromatic ring formed by bonding to each other, and R ₇ R ₈ Wherein at least one of R < ₉ > is - (L) p- (Y) q, wherein p is an integer from 0 to 10, q is an integer from 1 to 10,

나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C_1-50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_{3 -50}의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C_{2 -50}의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C_2-50의 헤테로아릴기이고,Each of which is independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A substituted or unsubstituted C _1-50 alkyl group; Cycloalkyl substituted or unsubstituted C _{3 -50;} Alkoxy group, a substituted or unsubstituted C _{1 -50;} A substituted or unsubstituted C _{1 -50} alkylthio group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} aryloxy group; A substituted or unsubstituted C _{2 -50} alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} arylamine group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-50 heteroaryl group having O, N, S or P as a hetero atom,

L은 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 C_{2 -50}의 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C_{13 -50}의 플루오레닐렌기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C_{2 -50}의 헤테로아릴렌기이고,L is a substituted or unsubstituted C _{6 -50} arylene group; Substituted or unsubstituted alkenylene group of _{2 -50} C ring; A substituted or unsubstituted C _{13 -50} fluorenylene group; Or a substituted or unsubstituted C _{2 -50} heteroarylene group having O, N, S or P as a hetero atom,

Y는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_{3 -50}의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C_{2 -50}의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 C_13-50의 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C_{2 -50}의 헤테로아릴기이고,Y is hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; Alkyl substituted or unsubstituted C _{1 -50;} Cycloalkyl substituted or unsubstituted C _{3 -50;} Alkoxy group, a substituted or unsubstituted C _{1 -50;} A substituted or unsubstituted C _{1 -50} alkylthio group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} aryloxy group; A substituted or unsubstituted C _{2 -50} alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted C _13-50 fluorenyl group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} arylamine group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} aryl group; Or a heteroatom Thoreau O, N, S, or a substituted or heterocyclic unsubstituted C _{2 -50} aryl group having from P,

L 또는 Y가 2 이상 존재하는 경우 이들은 서로 같거나 상이하고, 전술한 치환기들은 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있다.When two or more of L or Y are present, they are the same or different from each other, and the above-mentioned substituents may form a condensed ring of aliphatic, aromatic, aliphatic hetero or aromatic hetero with a group adjacent to each other or may form a spiro bond.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면은, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electronic device including a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, And at least one layer contains the compound of the formula (1).

본 발명에 따른 신규한 헤테로환 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 화합물을 유기물 층의 재료로서 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다.The novel heterocyclic compound according to the present invention can be used as an organic material layer material of an organic electronic device including an organic light emitting device. The organic electronic device including the organic light emitting device using the compound according to the present invention as a material of the organic material layer exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage and lifetime.

도 1은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6) 및 음극(7)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, a cathode 2, a hole injecting layer 3, a hole transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron transporting layer 6 and a cathode 7 It is.

이하 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 측면은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 관한 것이다.One aspect of the present invention relates to a compound represented by the above formula (1).

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The compound represented by the formula (1) may be represented by any one of the following formulas (2) to (7).

상기 화학식 1에서 있어서, R₁과 R₂가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.In the above formula (1), when R ₁ and R ₂ are bonded to each other to form an aromatic ring, they may be represented by the following formula (2).

[화학식 2](2)

상기 화학식 1에서 있어서, R₂과 R₃가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.In the above formula (1), when R ₂ and R ₃ are bonded to each other to form an aromatic ring, they may be represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

상기 화학식 1에서 있어서, R₃과 R₄가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.In the above formula (1), when R ₃ and R ₄ are bonded to each other to form an aromatic ring, they may be represented by the following formula (4).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

상기 화학식 1에서 있어서, R₅과 R₆가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.In the above formula (1), when R ₅ and R ₆ are bonded to each other to form an aromatic ring, they may be represented by the following formula (5).

[화학식 5][Chemical Formula 5]

상기 화학식 1에서 있어서, R₆과 R₇가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 6로 표시될 수 있다.In the above formula (1), when R ₆ and R ₇ are bonded to each other to form an aromatic ring, they may be represented by the following formula (6).

[화학식 6][Chemical Formula 6]

상기 화학식 1에서 있어서, R₇과 R₈가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 7로 표시될 수 있다.In the above formula (1), when R ₇ and R ₈ are bonded to each other to form an aromatic ring, they may be represented by the following formula (7).

[화학식 7](7)

상기 화학식 2 내지 화학식 7 에 있어서, R₁ 내지 R₁₅ 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 로 표시되는 기이며, 여기서 L, Y, p 및 q는상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, 나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_{3 -50}의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C_{1 -50}의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C_2-50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C_{6 -50}의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C_{2 -50}의 헤테로아릴기이다.Wherein at least one of R ₁ to R ₁₅ is a group represented by - (L) p- (Y) q, wherein L, Y, p and q are as defined in the above formula , And the remainder are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; Alkyl substituted or unsubstituted C _{1 -50;} Cycloalkyl substituted or unsubstituted C _{3 -50;} Alkoxy group, a substituted or unsubstituted C _{1 -50;} A substituted or unsubstituted C _{1 -50} alkylthio group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} aryloxy group; A substituted or unsubstituted C _2-50 alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} arylamine group; A substituted or unsubstituted C _{6 -50} aryl group; Or a heteroaryl group of cattle heteroatom O, N, a substituted or unsubstituted C _{2 -50} having the S or P.

상기 화학식 1 내지 화학식 7의 치환기를 상세히 설명하면 다음과 같다.The substituents of the above formulas (1) to (7) will be described in detail.

상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알킬기의 탄소수는 1-50인 것이 바람직하고, 1-30인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.The number of carbon atoms of the alkyl group of the above Chemical Formulas 1 to 7 is preferably 1-50, more preferably 1-30, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, A heptyl group, a hexyl group, a heptyl group and the like, but are not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 시클로알킬기의 탄소수는 3-50인 것이 바람직하고, 3-40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In addition, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by any one of formulas (1) to (7) is preferably 3-50, more preferably 3-40, and specifically includes, but is not limited to, cyclopentyl group or cyclohexyl group.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알킬티옥시기 및 알콕시기의 탄소수는 1-50인 것이 바람직하고, 1-40인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the alkylthioxy groups and the alkoxy groups of the general formulas (1) to (7) preferably have 1-50 carbon atoms, and more preferably 1-40 carbon atoms.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알케닐기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하며, 구제척으로 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하나 이들에 한정되지 않는다.The number of carbon atoms of the alkenyl group of the above formulas (1) to (7) is preferably from 2 to 50, more preferably from 2 to 40, and more preferably from 2 to 40, such as stilbenyl, styrenyl, Is preferably a group-substituted alkenyl group, but is not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 6-50인 것이 바람직하고, 6-40인 것이 더욱 바람직하다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 바이페닐기 및 터페닐기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기 및 크라이세닐기 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.In addition, the aryl group of the above formulas (1) to (7) may be monocyclic or polycyclic, and the number of carbon atoms is preferably 6-50, more preferably 6-40. Examples of the monocyclic aryl group include a phenyl group, a biphenyl group and a terphenyl group. Examples of the polycyclic aryl group include a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group and a klycenyl group , The scope of the present invention is not limited to these examples.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 헤테로아릴기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하며, 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 옥사졸기, 벤조퀴놀린기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 카바졸기, 벤조카바졸기 및 아크리딜기 등이 있으며, 하기 구조식과 같은 화합물들이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The heteroaryl group of the above formulas (1) to (7) preferably has 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 40 carbon atoms, and O, N, S or P as a heteroatom. Examples of the heterocyclic group include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, an oxazole group, a benzoquinoline group, a pyridyl group, a pyrazinyl group, , An isoquinoline group, a carbazole group, a benzocarbazole group and an acridyl group, and compounds such as the following structural formulas are preferable, but not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.Examples of the halogen group of the above formulas (1) to (7) include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 아릴아민기의 탄소수는 6-50인 것이 바람직하고, 6-40인 것이 더욱 바람직하며, 구제척으로 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸 아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기 및 트리페닐아민기 등이 있으나. 이들에 한정되는 것은 아니다.In addition, the arylamine group of the above formulas (1) to (7) preferably has 6 to 50 carbon atoms, more preferably 6 to 40 carbon atoms, and the phenylamine group, the naphthylamine group, Methyl-naphthylamine group, a 2-methyl-biphenylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, A ditolylamine group, a phenyltolylamine group, and a triphenylamine group. But are not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 플루오레닐기의 탄소수는 13~50인 것이 바람직하고, 13~40인 것이 더욱 바람직하며, 구제척으로 하기 구조식의 화합물인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In addition, the number of carbon atoms of the fluorenyl groups represented by the formulas (1) to (7) is preferably from 13 to 50, more preferably from 13 to 40, and is preferably a compound having the following structural formula, but is not limited thereto .

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에서 특별한 설명이 없는 경우, "치환 또는 비치환된"이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나, 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.The term "substituted or unsubstituted" in the above Chemical Formulas (1) to (7) means that the substituted or unsubstituted aryl group is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of deuterium, halogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, aryl, heteroaryl, Means a group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a fluorine, fluorenyl, and nitrile group, or has no substituent.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에 있어서, R1 내지 R15 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 표시되는 기이고, 여기서 p와 q는 동시에 0은 아니고, L은 아릴렌기, 플루오레닐렌기, 알케닐렌기 또는 헤테로아릴렌기이고, Y는 중수소, 불소, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 실릴기, 아릴기, 플로오레닐기 또는 헤테로아릴기인 것이 바람직하다.In the above Chemical Formulas 1 to 7, at least one of R 1 to R 15 is a group represented by - (L) p- (Y) q, wherein p and q are not simultaneously 0, L is an arylene group, Y is preferably a deuterium, fluorine, nitrile group, alkyl group, cycloalkyl group, silyl group, aryl group, fluorenyl group or heteroaryl group.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알케닐기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하다.The number of carbon atoms of the alkenyl group of the above formulas (1) to (7) is preferably 2-50, more preferably 2-40.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 플루오레닐렌기의 탄소수는 13~50인 것이 바람직하고, 13~40인 것이 더욱 바람직하다.The number of carbon atoms of the fluorenylene group of the above formulas (1) to (7) is preferably from 13 to 50, more preferably from 13 to 40.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 아릴렌기의 탄소수는 6-50인 것이 바람직하고, 6-40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프탈렌닐기, 바이나프탈렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 페난트레닐렌 및 파이레닐렌기가 바람직하나 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of carbon atoms of the arylene group represented by any one of formulas (1) to (7) is preferably 6-50, more preferably 6-40, and specifically, a phenylene group, a biphenylene group, a naphthalenylene group, a binaphthalene group, , A chlorenylene group, a phenanthrenylene group and a pyrenylene group are preferable, but not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 헤테로아릴렌기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하며, 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 것이 바람직하며, 구체적으로 이미다졸릴렌기, 옥사졸릴렌기, 티아졸릴렌기, 트리아질렌기, 피리딜렌기, 피리미딜렌기, 퀴놀릴렌기, 카바졸릴렌기, 인돌리질렌기 및 티오페닐렌기가 바람직하나 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of carbon atoms of the heteroarylene group of the above formulas (1) to (7) is preferably 2-50, more preferably 2-40, and it is preferable that the heteroarylene group has O, N, S or P as a heteroatom, An imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, a thiazolylene group, a triazylene group, a pyridylene group, a pyrimidylene group, a quinolylene group, a carbazolylene group,

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물은 하기 화합물들이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.The compounds represented by the formulas (1) to (7) include, but are not limited to, the following compounds.

본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일반적인 제조방법은 다음과 같다.The general method for preparing the compound represented by the formula (1) according to the present invention is as follows.

1) Pd 촉매 존재하에서, 할로겐기(F, Cl, Br, I)와 나이트로기(-NO₂)가 치환되어 있는 화합물 1-A과 보로닉산 또는 보론에스터가 치환되어 있는 화합물 1-B를 반응시켜, 나이트로기(-NO₂)가 치환되어 있는 화합물 1-C를 제조하는 단계.1) A compound 1-A in which a halogen group (F, Cl, Br, I) and a nitro group (-NO ₂ ) are substituted and a compound 1-B in which a boronic acid or a boron ester is substituted, To produce a compound 1-C in which a nitro group (-NO ₂ ) is substituted.

2) 상기 1)단계에서 제조된 NO₂가 치환되어 화합물 1-C를, Na₂S₂O₄를 이용하여 환원시켜, NH₂가 치환된 화합물 1-D를 제조하는 단계.2) Reduction of compound 1-C with Na ₂ S ₂ O ₄ by substituting NO ₂ prepared in step 1) to prepare compound 1-D substituted with NH ₂ .

3) 상기 2)단계에서 제조된 NH₂가 치환된 화합물 1-D와 아실클로라이드(acyl chloride) 화합물(R₉-COCl)을 반응시켜, 아마이드(amide)를 포함하는 화합물 1-E를 제조하는 단계3) Compound 1-E containing an amide is prepared by reacting the NH ₂ -substituted compound 1-D prepared in the above 2) with an acyl chloride compound (R ₉ -COCl) step

4) 상기 3)단계에서 제조된 아마이드를 포함하는 화합물 1-E를, POCl₃를 이용하여 화합물 1-F (화학식 1로 표시되는 화합물)를 제조하는 단계를 포함하여 이루어지며, 하기 반응식 1로 표시될 수 있으나, 상기 화학식 1로 표시 되는 화합물의 제조 방법이 하기 반응식 1로만 한정되는 것은 아니다.4) A process for producing compound 1-F (compound represented by formula (I)) by reacting compound 1-E containing amide prepared in step 3) with POCl ₃ , However, the method of preparing the compound represented by Formula 1 is not limited to the following Reaction Scheme 1.

[반응식 1] [Reaction Scheme 1]

상기 반응식 1에서 R₁ 내지 R₉은 상기 화학식 1에서 정의한 R₁ 내지 R₉과 같다.In the above Reaction Scheme 1, R ₁ to R ₉ are the same as R ₁ to R ₉ defined in Chemical Formula (1).

본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 상기 일반적인 제조방법과 본 명세서의 실시예를 참고하여 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 용이하게 제조할 수 있다.Those skilled in the art will readily prepare the compound represented by Formula 1 with reference to the above general production method and the examples of the present specification.

본 발명의 두 번째 측면은 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전기소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자에 관한 것이다.A second aspect of the present invention is an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, To a compound represented by the general formula (4).

본 발명의 유기 전기 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물, 즉 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물들을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic electroluminescent device of the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that one or more of the organic layers includes the compounds of the present invention, i.e., the compounds of the above Chemical Formulas 1 to 7.

이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, the organic light emitting device will be described.

본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기 발광 소자 중 유기물층은 1층으로 이루어진 단층 구조일 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조일 수도 있다. 본 발명의 유기발광소자의 유기물층이 다층 구조인 경우, 이는 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 등이 적층된 구조일 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. 예컨대 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 도 1에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자수송층(6), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 도 1과 같은 구조의 유기발광소자를 통상 정방향 구조의 유기발광소자라고 하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고 역방향 구조의 유기발광소자도 포함한다. 즉, 본 발명의 유기발광소자는 기판, 음극, 전자수송층, 유기발광층, 정공수송층, 정공주입층 및 양극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode, a second electrode, and one or more organic layers disposed between the first electrode and the second electrode. In the organic light emitting device of the present invention, the organic layer may have a single layer structure or a multi-layer structure in which two or more organic layers are stacked. When the organic material layer of the organic light emitting diode of the present invention has a multilayer structure, it may have a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include a smaller number of organic layers. For example, the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIG. 1, but the present invention is not limited thereto. 1 shows an organic light emitting device in which a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 3, a hole transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron transporting layer 6 and a cathode 7 are sequentially laminated Structure is illustrated. The organic light emitting device having the structure as shown in FIG. 1 is generally referred to as an organic light emitting device having a normal structure. However, the present invention is not limited to this and includes an organic light emitting device having a reverse structure. That is, the organic light emitting device of the present invention may have a structure in which a substrate, a cathode, an electron transport layer, an organic light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode are sequentially stacked.

상기 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자주입층 및 전자수송층을 포함하고, 이 전자주입층 및 전자수송층이 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device, the organic material layer may include an electron injection layer and an electron transport layer, and the electron injection layer and the electron transport layer may include the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 7.

또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include the compounds represented by the above Chemical Formulas 1 to 7.

또한, 상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 이 정공주입층 및 정공수송층이 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The organic layer may include a hole injecting layer and a hole transporting layer, and the hole injecting layer and the hole transporting layer may include the compounds represented by the above Chemical Formulas 1 to 7.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 전술한 바와 같이 역방향 구조의 유기 발광 소자를 제작하기 위하여 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention can be manufactured using conventional organic electroluminescent device manufacturing methods and materials, except that the above-described compounds of the formulas (1) to (7) are used for one or more layers of the organic electroluminescent device organic layers . For example, the organic light emitting device according to the present invention may be formed by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal oxide or a metal oxide having conductivity on the substrate, To form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer is formed on the anode, and a material which can be used as a cathode is deposited thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device may be fabricated by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate in order to fabricate an organic light emitting device having a reverse structure as described above.

상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀코팅, 딥코팅, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. The compounds of Chemical Formulas 1 to 7 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the production of an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO₂:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO _2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO₂/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO ₂ / Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.

상기 정공수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 화합물; 카바졸 계열의 화합물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌 계열의 화합물; 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injecting layer to the light emitting layer and having high mobility to holes is suitable. Specific examples thereof include arylamine-based compounds; Carbazole-based compounds; Anthracene-based compounds; Pyrene-based compounds; A conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq₃); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; 비스-메틸-8-히드록시퀴놀린 파라페닐페놀 알루미늄 착물(bAlq); 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq ₃ ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; Bis-methyl-8-hydroxyquinoline paraphenyl phenol aluminum complex (bAlq); 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Anthracene-based compounds; Pyrene-based compounds; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq₃를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌계열의 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 피리딜계열의 화합물; 페난트롤린 계열의 화합물; 퀴놀린 계열의 화합물; 퀴나졸린 계열의 화합물 등이 있으며, 또한 이들의 화합물들이 금속 또는 금속화합물과 도핑하여 전자 수송 층을 형성할 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq ₃ ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes; Anthracene-based compounds; Pyrene-based compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Pyridyl-based compounds; Phenanthroline compounds; Quinoline series compounds; Quinazoline-based compounds, and the like, and these compounds may be doped with a metal or a metal compound to form an electron transport layer, but the present invention is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

본 발명에 따른 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물은 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compounds of formulas (1) to (7) according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organophotoreceptors, organic transistors and the like.

상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물들의 제조 방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 제조예 및 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 제조예 및 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The method for preparing the compounds of the formulas (1) to (7) and the production of the organic light emitting device using the same will be described in detail in the following Production Examples and Examples. However, the following Preparation Examples and Examples are for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

<< 실시예Example >>

<< 제조예Manufacturing example 1> 1>

(1) 화합물 A-4의 제조(1) Preparation of Compound A-4

[화합물 A-1][Compound A-1]

1-클로로-2-니트로벤젠(1-Chloro-2-nitrobenzene, 47.28g, 300mmol)와 2-나프틸보론산(2-naphthylboronic acid, 54.2g, 315mmol)을 THF(600mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(500mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐((Pd(PPh₃)₄, 2 mol%, 6.9g)을 넣은 후 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-1(59.8g, 수율 80%)을 제조하였다.2-Naphthylboronic acid (54.2 g, 315 mmol) and 1-chloro-2-nitrobenzene (47.28 g, 300 mmol) were dissolved in THF (600 mL) was added K ₂ CO ₃ aqueous solution (500mL) and tetrakistriphenylphosphine palladium pinot _{((Pd (PPh 3) 4} , 2 mol%, 6.9g) and then into the mixture was refluxed and stirred at 65 ℃ for 15 hours to room temperature The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-1 (59.8 g, yield 80%).

MS:[M]⁺=249MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 249

[화합물 A-2][Compound A-2]

상기 화합물 A-1(74.78g, 300mmol)을 THF(600mL)에 녹인 후, 2M Na₂S₂O₄ 수용액(600mL)을 첨가하고 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 A-2(46g, 수율 70%)를 제조하였다.The compound A-1 (74.78 g, 300 mmol) was dissolved in THF (600 mL), followed by addition of 2M Na ₂ S ₂ O ₄ aqueous solution (600 mL), and the mixture was refluxed at 65 ° C for 15 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized with hexane to obtain Compound A-2 (46 g, yield 70%).

MS:[M+H]⁺=220MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 220

[화합물 A-3][Compound A-3]

상기 화합물 A-2(36.2g, 165mmol)을 THF(400mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(300mL)을 첨가하고, 4-브로모벤조일 클로라이드(4-bromobenzoyl chloride, 36.3g, 165mmol)을 THF(300mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-3(49.6g, 수율 74%)를 제조하였다.After the compound A-2 (36.2g, 165mmol) dissolved in _{THF (400mL), 2M K 2} CO 3 aqueous solution (300mL) was added, and 4-bromobenzoyl chloride (4-bromobenzoyl chloride, 36.3g, 165mmol) In THF (300 mL) was added slowly and stirred for 3 hours. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-3 (49.6 g, yield 74%).

MS:[M+H]+=403MS: [M + H] &lt; + &gt; = 403

[화합물 A-4][Compound A-4]

상기 화합물 A-3(49.6g, 123mmol)을 CHCl₃(50mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 37.8mL)에 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl₃(1L)에 묽힌 후 천천히 2M K₂CO₃ 수용액(1L)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-4(23g, 수율 46.7%)를 얻었다.The above compound A-3 (49.6 g, 123 mmol) was added to CHCl ₃ (50 mL) and phosphorous oxychloride (37.8 mL), and the mixture was refluxed for 10 hours. The reaction mixture was diluted with CHCl ₃ (1 L), slowly added dropwise to a 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (1 L), and stirred for 30 minutes. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-4 (23 g, yield 46.7%).

MS:[M]+=400MS: [M] &lt; + &gt; = 400

(2) 화합물 A-6 제조(2) Preparation of Compound A-6

[화합물 A-5][Compound A-5]

상기 화합물 A-2(36.2g, 165mmol)을 THF(400mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(300mL)을 첨가하고, 3-브로모벤조일 클로라이드(3-bromobenzoyl chloride, 36.3g, 165mmol)을 THF(300mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-3(46g, 수율 70%)를 제조하였다.The compound A-2 (36.2g, 165mmol) was dissolved in _{THF (400mL), 2M K 2} CO 3 was added to an aqueous solution (300mL) and 3-bromo-benzoyl chloride (3-bromobenzoyl chloride, 36.3g, 165mmol) In THF (300 mL) was added slowly and stirred for 3 hours. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-3 (46 g, yield 70%).

MS:[M+H]+=403MS: [M + H] &lt; + &gt; = 403

[화합물 A-6][Compound A-6]

상기 화합물 A-3(25, 60mmol)을 CHCl₃(30mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 20mL)에 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl₃(500mL)에 묽힌 후 천천히 2M K₂CO₃ 수용액(500mL)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-4(11g, 수율 45%)를 얻었다.The compound A-3 (25, 60 mmol) was added to CHCl ₃ (30 mL) and phosphorous oxychloride (20 mL), and the mixture was refluxed for 10 hours. The reaction mixture was diluted with CHCl ₃ (500 mL), slowly added dropwise to a 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (500 mL), and stirred for 30 minutes. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-4 (11 g, yield 45%).

MS:[M]+=384MS: [M] &lt; + &gt; = 384

(3) 화합물 A-10의 제조(3) Preparation of Compound A-10

[화합물 A-7][Compound A-7]

1,4-디클로로-2-니트로벤젠(1,4-Dichloro-2-nitrobenzene, 100g, 520mmol)와 2-나프틸보론산(2-naphthylboronic acid, 94g, 547mmol)을 THF(600mL)에 녹인후, 2M K₂CO₃ 수용액(500mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(Pd(PPh₃)₄, 2mol%, 12g)을 넣은 후 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-7(66g, 수율 45%)을 제조하였다.After dissolving 1,4-dichloro-2-nitrobenzene (100 g, 520 mmol) and 2-naphthylboronic acid (94 g, 547 mmol) in THF (600 mL) was added aqueous 2M K ₂ CO ₃ (500mL) and stirred at reflux for 15 hours, insert 65 ℃ tetrakis triphenyl phosphino palladium _{(Pd (PPh 3) 4,} 2mol%, 12g). The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-7 (66 g, yield 45%).

MS:[M]⁺=283MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 283

[화합물 A-8][Compound A-8]

상기 화합물 A-7(66g, 233mmol)을 THF(600mL)에 녹인 후, 2M Na₂S₂O₄ 수용액(600mL)을 첨가하고 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 A-8(31.7g, 수율 53%)를 제조하였다.The compound A-7 (66 g, 233 mmol) was dissolved in THF (600 mL), followed by addition of a 2M Na ₂ S ₂ O ₄ aqueous solution (600 mL) and the mixture was refluxed at 65 ° C for 15 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized with hexane to obtain Compound A-8 (31.7 g, yield 53%).

MS:[M+H]⁺=253MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 253

[화합물 A-9][Compound A-9]

상기 화합물 A-8(31.7g, 125mmol)을 THF(300mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(200mL)을 첨가하고, 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride, 15.56g, 125mmol)을 THF(150mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-9(39g, 수율 87%)를 제조하였다.The compound A-8 (31.7 g, 125 mmol) was dissolved in THF (300 mL), 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (200 mL) was added, benzoyl chloride (15.56 g, 125 mmol) The dissolved solution was slowly added and stirred for 3 hours. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-9 (39 g, yield 87%).

MS:[M+H]+=357MS: [M + H] &lt; + &gt; = 357

[화합물 A-10][Compound A-10]

상기 화합물 A-9(39g, 108mmol)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 50mL)를 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl₃(1L)에 묽힌 후 천천히 2M K₂CO₃ 수용액(1L)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-10(25g, 수율 68%)를 얻었다.Compound A-9 (39 g, 108 mmol) and phosphorous oxychloride (50 mL) were added, and the mixture was refluxed for 10 hours. The reaction mixture was diluted with CHCl ₃ (1 L), slowly added dropwise to a 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (1 L), and stirred for 30 minutes. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-10 (25 g, yield 68%).

MS:[M]+=339MS: [M] &lt; + &gt; = 339

(4) 화합물 A-16의 제조(4) Preparation of Compound A-16

[화합물 A-11][Compound A-11]

1-브로모-2-니트로벤젠(1-Bromo-2-nitrobenzene, 58.5g, 290mmol)와 6-히드록시-2-나프탈렌보론산 피나콜 에스테르(6-hydroxy-2-naphthaleneboronic acid pinacol ester, 87g, 322mmol)을 THF(500mL)에 녹인후, 2M K₂CO₃ 수용액(300mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(Pd(PPh₃)₄, 2mol%, 7.4g)을 넣은 후 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-11(70g, 수율 91%)을 제조하였다.(1-Bromo-2-nitrobenzene, 58.5 g, 290 mmol) and 6-hydroxy-2-naphthaleneboronic acid pinacol ester (87 g, , 322 mmol) was dissolved in THF (500 mL), and 2M K ₂ CO ₃ aqueous solution (300 mL) was added thereto. Tetraquistriphenylphosphinopalladium (Pd (PPh ₃ ) ₄ , 2 mol% Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 65 C. &lt; / RTI &gt; The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-11 (70 g, yield 91%).

MS:[M+H]⁺=265MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 265

[화합물 A-12][Compound A-12]

상기 화합물 A-11(70g, 263mmol)을 에탄올(500mL)에 녹인 후, 2M Na₂S₂O₄ 수용액(500mL)을 첨가하고 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 A-12(23g, 수율 37%)를 제조하였다.The compound A-11 (70 g, 263 mmol) was dissolved in ethanol (500 mL), 2M Na ₂ S ₂ O ₄ aqueous solution (500 mL) was added, and the mixture was refluxed at 65 ° C for 15 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from hexane to obtain Compound A-12 (23 g, yield 37%).

MS:[M+H]⁺=235MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 235

[화합물 A-13][Compound A-13]

상기 화합물 A-12(23, 98mmol)을 THF(200mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(150mL)을 첨가하고, 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride, 27.4g, 196mmol)을 THF(150mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-13(40g, 수율 92%)를 제조하였다.The compound A-12 (23, 98 mmol) was dissolved in THF (200 mL), and 2M K ₂ CO ₃ aqueous solution (150 mL) was added. Benzoyl chloride (27.4 g, 196 mmol) was dissolved in 150 mL of THF The solution was slowly added and stirred for 3 hours. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-13 (40 g, yield 92%).

MS:[M+H]⁺=443MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 443

[화합물 A-14][Compound A-14]

상기 화합물 A-13(40g, 90mmol)과 포타슘 하이드록사이드(potassium hydroxide, 25g, 450mmol)을 에탄올(500mL)에 넣은 후 2시간동안 교반하였다. 에탄올을 감압농축한 후 물(300mL)을 넣고 CHCl₃(300mL)로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-14(28g, 수율 91%)를 제조하였다.The compound A-13 (40 g, 90 mmol) and potassium hydroxide (25 g, 450 mmol) were added to ethanol (500 mL) and stirred for 2 hours. The ethanol was concentrated under reduced pressure, and water (300 mL) was added thereto. The mixture was extracted with CHCl ₃ (300 mL), dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-14 (28 g, yield 91%).

MS:MS:[M+H]⁺=339MS: MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 339

[화합물 A-15][Compound A-15]

상기 화합물 A-14(28g, 82.5mmol)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 50mL)를 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl₃(1L)에 묽힌 후 천천히 2M 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 수용액(1L)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-10(18g, 수율 67%)를 얻었다.The above compound A-14 (28 g, 82.5 mmol) and phosphorous oxychloride (50 mL) were added, and the mixture was refluxed for 10 hours. The reaction mixture was diluted with CHCl ₃ (1 L), slowly added dropwise to a 2 M aqueous solution of potassium carbonate (1 L), and stirred for 30 minutes. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-10 (18 g, yield 67%).

MS:[M+H]⁺=321MS: [M + H] &lt; ⁺ &gt; = 321

[화합물 A-16][Compound A-16]

상기 화합물 A-15(18g, 56mmol)과 노나플루오로부탄 설포닐 플루오라이드(nonafluorobutane sulfonyl fluoride, 12.7g, 42mmol) 및 포타슘 카보네이트(potassium carbonate, 12g, 84mmol)을 아세토니트릴(acetonitrile, 200mL)에 넣어 5시간 동안 교반하였다. 반응물을 필터한 후, 아세토니트릴(acetonitrile)을 감압농축한 후 물(200mL)을 넣고 CHCl₃(200mL)로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-16(30g, 수율 90%)를 얻었다.The compound A-15 (18 g, 56 mmol), nonafluorobutane sulfonyl fluoride (12.7 g, 42 mmol) and potassium carbonate (12 g, 84 mmol) were placed in acetonitrile And stirred for 5 hours. The reaction mixture was filtered, and acetonitrile was concentrated under reduced pressure. Water (200 mL) was added thereto, and the mixture was extracted with CHCl ₃ (200 mL), dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-16 (30 g, yield 90%).

MS:[M]⁺=603MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 603

<< 실시예Example 1> 하기 화합물 1-32의 제조 1> Preparation of the following compound 1-32

화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 (4-비페닐)보론산((4-Biphenyl)boronic acid, 2.83g, 14.3mmol)을 THF(70mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(30mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-32(5.4g, 수율 85%)을 제조하였다.Compound A-4 (5g, 13.0mmol) and (4-biphenylyl) boronic acid ((4-Biphenyl) boronic acid , 2.83g, 14.3mmol) of was dispersed in _{THF (70mL), 2M K 2} CO 3 After adding an aqueous solution (30mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered, and then dried to obtain Compound 1-32 (5.4 g, yield 85%).

MS: [M]⁺=457MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 457

<< 실시예Example 2> 하기 화합물 1-8의 제조 2> Preparation of the following compounds 1-8

화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-8(6.3g, 수율 80%)을 제조하였다.(5 g, 13.0 mmol) and 10- (naphthalene-2-yl) anthracene-9-ylboronic acid (5.21 g, 14.96 mmol) THF (100 mL), and 2M K ₂ CO ₃ After adding an aqueous solution (50mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-8 (6.3 g, yield 80%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 3> 하기 화합물 1-9의 제조 3> Preparation of the following compounds 1-9

화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-yl boronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-9(5.9g, 수율 75%)을 제조하였다.(5 g, 13.0 mmol) and 10- (naphthalen-1-yl) anthracene-9-yl boronic acid (10- ) Was dispersed in THF (100 mL), and 2M K ₂ CO ₃ After adding an aqueous solution (50mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-9 (5.9 g, yield 75%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 4> 하기 화합물 1-166의 제조 4> Preparation of the following compound 1-166

화합물 A-6(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-166(6.15g, 수율 78%)을 제조하였다.(5 g, 13.0 mmol) and 10- (naphthalene-2-yl) anthracene-9-ylboronic acid (5.21 g, 14.96 mmol) Was dispersed in THF (100 mL), and 2M K ₂ CO ₃ After adding an aqueous solution (50mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-166 (6.15 g, yield 78%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 5> 하기 화합물 1-167의 제조 5> Preparation of the following compounds 1-167

화합물 A-6(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-167(5.83g, 수율 74%)을 제조하였다.10- (naphthalene-1-yl) anthracene-9-ylboronic acid (5.21 g, 14.96 mmol) was added to a solution of Compound A-6 (5 g, 13.0 mmol) Was dispersed in THF (100 mL), and 2M K ₂ CO ₃ After adding an aqueous solution (50mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered, and then dried to obtain Compound 1-167 (5.83 g, yield 74%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 6> 하기 화합물 1-68의 제조 6> Preparation of the following compounds 1-68

화합물 A-6(5g, 14.7mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.63g, 16.2mmol)을 디옥산(dioxane, 100mL)에 분산시키고, 2M K₃PO₄ 수용액(30mL)을 첨가하고 Pd(PtBu₃)₂(0.15g, 2mol%)을 넣은 후 20시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-68(6.33g, 수율 71%)을 제조하였다.10- (naphthalene-1-yl) anthracene-9-ylboronic acid (5.63 g, 16.2 mmol) was added to a solution of Compound A-6 (5 g, 14.7 mmol) Was dispersed in dioxane (100 mL), and 2M K ₃ PO ₄ Aqueous solution (30 mL) was added, Pd (P t Bu ₃ ) ₂ (0.15 g, 2 mol%) was added, and the mixture was refluxed for 20 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-68 (6.33 g, yield 71%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 7> 하기 화합물 1-69의 제조 Preparation of the following compounds 1-69

화합물 A-6(5g, 14.7mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.63g, 16.2mmol)을 디옥산(dioxane, 100mL)에 분산시키고, 2M K₃PO₄ 수용액(30mL)을 첨가하고 Pd(PtBu₃)₂(0.15g, 2mol%)을 넣은 후 22시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-69(6.06g, 수율 68%)을 제조하였다.10- (naphthalene-2-yl) anthracene-9-ylboronic acid (5.63 g, 16.2 mmol) was added to a solution of Compound A-6 (5 g, 14.7 mmol) Was dispersed in dioxane (100 mL), and 2M K ₃ PO ₄ Aqueous solution (30 mL) was added, Pd (P t Bu ₃ ) ₂ (0.15 g, 2 mol%) was added, and the mixture was refluxed for 22 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered, and dried to obtain Compound 1-69 (6.06 g, yield 68%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 8> 하기 화합물 1-107의 제조 Preparation of the following compounds 1-107

화합물 A-6(5g, 14.7mmol)과 (5.08g, 16.2mmol)을 디옥산(dioxane, 100 mL)에 분산시키고, 2M K₃PO₄ 수용액(30 mL)을 첨가하고 Pd(PtBu₃)₂(0.15g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-107(6.99g, 수율 83%)을 제조하였다.Compound A-6 (5 g, 14.7 mmol) and (5.08 g, 16.2 mmol) were dispersed in dioxane (100 mL) and 2M K ₃ PO ₄ Aqueous solution (30 mL) was added, Pd (P t Bu ₃ ) ₂ (0.15 g, 2 mol%) was added, and the mixture was refluxed for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to obtain Compound 1-107 (6.99 g, yield 83%).

MS: [M]⁺=573MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 573

<< 실시예Example 9> 하기 화합물 1-126의 제조 Preparation of the following compound 1-126

화합물 A-16(10g, 16.5mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid (6.35g, 18.23mmol)을 THF(150mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(75mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.38g, 2mol%)을 넣은 후 23시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-126(7.51g, 수율 75%)을 제조하였다.(10 g, 16.5 mmol) and 10- (naphthalene-2-yl) anthracene-9-ylboronic acid (6.35 g, 18.23 mmol) Was dispersed in THF (150 mL), and 2M K ₂ CO ₃ After adding an aqueous solution (75mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.38g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 23 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-126 (7.51 g, yield 75%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 10> 하기 화합물 1-125의 제조 Preparation of the following compounds 1-125

화합물 A-16(10g, 16.5mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 6.35g, 18.23mmol)을 THF(150mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(75mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.38g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-125(7.71g, 수율 77%)을 제조하였다.(10 g, 16.5 mmol) and 10- (naphthalene-1-yl) anthracene-9-ylboronic acid (6.35 g, 18.23 mmol) Was dispersed in THF (150 mL), and 2M K ₂ CO ₃ After adding an aqueous solution (75mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.38g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-125 (7.71 g, yield 77%).

MS: [M]⁺=607MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 607

<< 실시예Example 11> 하기 화합물 1-173의 제조 Preparation of the following compound 1-173

화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 상기 보로네이트 화합물(5.64g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-173(6.08g, 수율 82%)을 제조하였다.Compound A-4 (5g, 13.0mmol) and the boronate compound (5.64g, 14.96mmol) of was dispersed in _{THF (100mL), 2M K 2} CO 3 After adding an aqueous solution (50mL) and insert the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-173 (6.08 g, yield 82%).

MS: [M]⁺=571MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 571

<< 실시예Example 12> 하기 화합물 1-171의 제조 Preparation of the following compound 1-171

[화합물 A-17][Compound A-17]

화합물 A-2(10g, 45.6mmol)을 THF(100mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(70mL)을 첨가하고, 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, 4.63g, 22.8mmol)을 THF(50mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-17(11.39g, 수율 88%)를 제조하였다.Compound A-2 (10 g, 45.6 mmol) was dissolved in THF (100 mL), 2M K ₂ CO ₃ aqueous solution (70 mL) was added, and isophthaloyl chloride (4.63 g, 22.8 mmol) ) Was added slowly and stirred for 3 hours. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-17 (11.39 g, yield 88%).

MS:[M+H]+=568MS: [M + H] &lt; + &gt; = 568

[화합물 1-171][Compound 1-171]

상기 화합물 A-17(11.39g, 20.2mmol)을 CHCl₃(20mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 15mL)에 넣은 후 8시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl₃(500mL)에 묽힌 후 천천히 2M K₂CO₃ 수용액(500mL)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 1-171(5.38g, 수율 50.1%)를 얻었다.The compound A-17 (11.39 g, 20.2 mmol) was added to CHCl ₃ (20 mL) and phosphorous oxychloride (15 mL), and the mixture was refluxed for 8 hours. The reaction mixture was diluted with CHCl ₃ (500 mL), slowly added dropwise to a 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (500 mL), and stirred for 30 minutes. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound 1-171 (5.38 g, yield 50.1%).

MS:[M]+=532MS: [M] &lt; + &gt; = 532

<< 실시예Example 13> 하기 화합물 1-172의 제조 Preparation of the following compound 1-172

[화합물 A-18][Compound A-18]

화합물 A-2(10g, 45.6mmol)을 THF(100mL)에 녹인 후, 2M K₂CO₃ 수용액(70mL)을 첨가하고, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, 63g, 22.8mmol)을 THF(50mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-18(11.65, 수율 90%)를 제조하였다.Compound A-2 (10 g, 45.6 mmol) was dissolved in THF (100 mL), 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (70 mL) was added, terephthaloyl chloride (63 g, 22.8 mmol) Was slowly added and stirred for 3 hours. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound A-18 (11.65, yield 90%).

MS:[M+H]+=568MS: [M + H] &lt; + &gt; = 568

[화합물 1-172][Compound 1-172]

상기 화합물 A-18(11.65g, 20.5mmol)을 CHCl₃(20mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 15mL)에 넣은 후 14시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl₃(500mL)에 묽힌 후 천천히 2M K₂CO₃ 수용액(500mL)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 1-172(5.12g, 수율 47%)를 얻었다.The compound A-18 (11.65 g, 20.5 mmol) was added to CHCl ₃ (20 mL) and phosphorous oxychloride (15 mL), and the mixture was refluxed for 14 hours. The reaction mixture was diluted with CHCl ₃ (500 mL), slowly added dropwise to a 2M aqueous K ₂ CO ₃ solution (500 mL), and stirred for 30 minutes. The water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethanol to obtain Compound 1-172 (5.12 g, yield 47%).

MS:[M]+=532MS: [M] &lt; + &gt; = 532

<< 실시예Example 14> 하기 화합물 1-203의 제조 Preparation of the following compound 1-203

화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 화합물 A-18 (4.60g, 14.3mmol)을 THF(70 mL)에 분산시키고, 2M K₂CO₃ 수용액(30 mL)을 첨가하고 Pd(PPh₃)₄(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-203(6.3g, 수율 83%)을 제조하였다.Compound A-4 (5g, 13.0mmol) and the compound A-18 (4.60g, 14.3mmol) of was dispersed in THF (70 mL), 2M K 2 CO 3 After adding an aqueous solution (30 mL) and put the _{Pd (PPh 3) 4 (0.3g} , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered, and then dried to give Compound 1-203 (6.3 g, yield 83%).

MS: [M]⁺=581MS: [M] ^&lt; ⁺ & gt ^; = 581

<< 실험예Experimental Example 1-1> 1-1>

ITO(indium tin oxide)가 500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) having a thickness of 500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. At this time, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water filtered by a filter of Millipore Co. was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT)를 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. On this ITO transparent electrode, hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following chemical formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 100 Å to form a hole injection layer.

상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 상기 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(1,200Å)를 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. (1, naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (1,200 Å) of the above formula, which is a material for transporting holes, was vacuum deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer .

이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 200Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 20:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, the following BH and BD were vacuum deposited on the hole transport layer at a weight ratio of 20: 1 at a thickness of 200 ANGSTROM to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 화합물 1-8과 하기 화합물 LiQ (Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 300Å 두께로 진공 증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다.Compound 1-8 and LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum deposited on the light emitting layer at a weight ratio of 1: 1 to a thickness of 300 Å to form an electron injection and transport layer.

[LiQ][LiQ]

상기 전자주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. Lithium fluoride (LiF) and aluminum having a thickness of 2000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a cathode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10^-7 ~ 5 × 10^-8 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.The deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the lithium fluoride at the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec. ^-7 to 5 x 10 &lt; ^-8 &gt; torr to produce an organic light emitting device.

<< 비교예Comparative Example 1> 1>

상기 실험예 1-1에서, 화합물 1-8 대신 하기 화학식 ET-A의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1 과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Experimental Example 1-1 except that the compound of the following formula (ET-A) was used in place of the compound 1-8 in Experimental Example 1-1.

[ET-A][ET-A]

<< 실험예Experimental Example 1-2 내지 1-8> 1-2 to 1-8>

상기 실험예 1-1에서, 화학식 1-1의 화합물 대신 표 2에 나타낸 각각의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Experimental Example 1-1 except that each compound shown in Table 2 was used instead of the compound of Formula 1-1 in Experimental Example 1-1.

실험예 1-1 내지 1-8 및 비교예 1에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.The results shown in Table 1 were obtained when current was applied to the organic light-emitting devices fabricated in Experimental Examples 1-1 to 1-8 and Comparative Example 1.

[표 1][Table 1]

본 발명에 따른 신규한 헤테로환 화합물은 유기전기소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 본 발명에 따른 유기전기소자는 효율 상승, 구동전압하강, 안정성 상승등에서 우수한 특성을 나타낸다.The novel heterocyclic compound according to the present invention can be used as a material for an organic material layer of an organic electronic device, and the organic electronic device according to the present invention exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage drop, stability, and the like.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물:

A compound selected from the group consisting of:

제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 3에 기재된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.An organic electroluminescent device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes the compound according to claim 3 . 청구항 4에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 및 전자수송층을 포함하고, 이 전자주입층 및 전자수송층이 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.5. The organic electronic device according to claim 4, wherein the organic material layer includes an electron injection layer and an electron transport layer, and the electron injection layer and the electron transport layer comprise the compound. 청구항 4에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.5. The organic electronic device according to claim 4, wherein the organic layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer comprises the compound. 청구항 4에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.5. The organic electroluminescent device according to claim 4, wherein the organic material layer comprises at least one of a hole injecting layer, a hole transporting layer, and a layer simultaneously injecting holes and transporting holes, wherein one of the layers contains the compound Organic electronic device. 청구항 4에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층이, 알칼리금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 또는 알칼리 토금속 화합물 또는 이들의 조합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 4, wherein the organic compound layer containing the compound further comprises an alkali metal, an alkali metal compound, an alkaline earth metal or an alkaline earth metal compound or a combination thereof. 청구항 4에 있어서, 상기 유기 전기 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 유기 전자 소자.5. The organic electronic device according to claim 4, wherein the organic electroluminescent device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphorescent device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.

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