KR101627012B1

KR101627012B1 - Sputtering target

Info

Publication number: KR101627012B1
Application number: KR1020127015590A
Authority: KR
Inventors: 요시카즈 구마하라
Original assignee: 제이엑스금속주식회사
Priority date: 2011-01-26
Filing date: 2011-08-04
Publication date: 2016-06-03
Also published as: TWI510660B; KR20140139140A; CN102791904A; JP5364173B2; WO2012101850A1; JPWO2012101850A1; TW201231700A; KR20120108981A; CN102791904B

Abstract

중앙의 타깃 부위가 평탄한 스퍼터면을 구비하고, 양단의 타깃 부위가 경사진 스퍼터면을 구비하고 있는 전체가 직사각형인 스퍼터링 타깃으로서, 상기 양단의 타깃 부위의 최대 두께는 중앙의 타깃 부위의 두께보다 크고, 그 양단의 타깃 부위의 스퍼터면은 최대 두께부로부터 타깃 중앙을 향하여 아래 방향으로 경사진 각도 α 의 경사면과 그 각도 α 의 경사면과 마주 보는 각도 β 의 경사면을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃. 타깃의 사용 효율이 높고, 또한 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 가 양호한 타깃을 제공한다.A sputtering target according to any one of claims 1 to 3, wherein a center portion of the sputtering target has a flat sputtering surface, and a target portion at both ends has an inclined sputtering surface, wherein a maximum thickness of the target portions at both ends is larger than a thickness of the centering target portion , And the sputter surface of the target portion at both ends thereof has an inclined surface of an angle? Inclined downward from the maximum thickness portion toward the center of the target and an inclined surface of an angle? Opposing the inclined surface of the angle? . The use efficiency of the target is high and the target is provided with a good uniformity (film thickness uniformity) of the film through the sputter life.

Description

스퍼터링 타깃{SPUTTERING TARGET}Sputtering target {SPUTTERING TARGET}

본 발명은 스퍼터링법에 의해 박막을 형성할 때에 사용되는 스퍼터링 타깃으로서, 타깃의 사용 효율이 높고, 또한 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (uniformity)(막두께의 균일성) 가 양호한 타깃을 제공한다.The present invention is a sputtering target used when a thin film is formed by a sputtering method. The sputtering target provides a target having a high use efficiency of a target and a good uniformity (film thickness uniformity) of the film through sputter life .

스퍼터링에 의한 박막의 형성 방법은, 각종 전자ㆍ전기 부품 등의 제조에 광범위하게 사용되고 있다. 스퍼터링법은, 양극이 되는 기판과 음극이 되는 타깃을 대향시키고, 불활성 가스 분위기 하에서 이들 기판과 타깃 사이에 고전압을 인가하여 전장 (電場) 을 발생시키는 것으로서, 이 때 전리된 전자와 불활성 가스가 충돌하여 플라즈마가 형성되고, 이 플라즈마 중의 양이온이 타깃 표면에 충돌하여 타깃 구성 원자를 치기 시작하고, 이 뛰쳐나온 원자가 대향하는 기판 표면에 부착되어 막이 형성된다는 원리를 이용한 것이다.A method of forming a thin film by sputtering is widely used in the production of various electronic and electrical parts. In the sputtering method, a substrate serving as an anode is opposed to a target serving as a cathode, and a high voltage is applied between the substrate and the target under an inert gas atmosphere to generate an electric field. At this time, A plasma is formed, a cation in the plasma collides with the target surface to start to hit the target constituent atoms, and the ejected atoms adhere to the surface of the opposing substrate to form a film.

현재, 스퍼터링의 상당수는, 이른바 마그네트론 스퍼터링이라고 불리고 있는 방법이 사용되고 있다. 마그네트론 스퍼터링법은, 타깃 뒤쪽에 자석을 세팅하고 타깃 표면에 전계와 수직 방향으로 자계를 발생시켜 스퍼터링을 실시하는 방법으로서, 이와 같은 직교 전자계 공간 내에서는 플라즈마의 안정화 및 고밀도화가 가능하고, 스퍼터 속도를 크게 할 수 있다는 특징을 갖고 있다.At present, a large number of sputtering methods are used, which is so-called magnetron sputtering. The magnetron sputtering method is a method of sputtering by setting a magnet behind a target and generating a magnetic field in a direction perpendicular to the electric field on a target surface. In such an orthogonal electromagnetic field space, plasma can be stabilized and densified, It can be increased.

일반적으로, 마그네트론 스퍼터링은 자계 중에 전자를 잡아 효율적으로 스퍼터 가스를 전리시키지만, 마그넷의 구조나 종류, 나아가서는 스퍼터 조건, 타깃의 재질, 타깃의 형상, 스퍼터 장치의 종류 등에 따라, 스퍼터링 중의 타깃의 침식 (이로젼) 이 되는 방식이 상이하여, 균일한 이로젼이 되지 않는다. 이것은 마그네트론 스퍼터링법에 한정되지 않고, 다른 스퍼터링법에 있어서도 마찬가지이다.Generally speaking, magnetron sputtering is effective in sputtering electrons by grabbing electrons in a magnetic field. However, depending on the structure and kind of the magnet, the sputter conditions, the target material, the shape of the target, the type of the sputtering apparatus, (Erosion) are different from each other, so that a uniform erosion does not occur. This is not limited to the magnetron sputtering method, and the same applies to other sputtering methods.

타깃은 가장 깊게 이로젼된 곳이 한계에 이르렀을 때가 수명이 되어, 신규 타깃과 교환된다. 일반적으로, 타깃은 평판상 또는 원통형으로 형성되어 있다. 또, 타깃이 국소적으로 깊게 이로젼되면, 스퍼터링이 균일하게 일어나지 않아, 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 가 악화된다는 문제도 발생하게 된다.The target becomes the life when the deepest transition is reached, and is exchanged with the new target. Generally, the target is formed in a flat or cylindrical shape. If the target is locally deeply sputtered, the sputtering does not occur uniformly, and there arises a problem that the uniformity (film thickness uniformity) of the film is deteriorated.

또한, 타깃은 두께가 남아 있음에도 불구하고, 수명을 맞이하는 경우가 있다. 이것은 타깃 라이프 도중에, 성막 프로세스 중에서 정해진 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 나 공정 로스율과 같은 관리값이 어느 설정 허용값을 초과하는 것과 같은 경우이다. 이러한 때에는, 동일한 타깃을 계속해서 사용하면, 허용값을 초과해 버리기 때문에, 타깃에 남은 두께가 있어도 신규 타깃과 교환된다. 요컨대, 타깃의 수명은 본래보다 짧은 것이 된다.In addition, although the target remains thick, the life of the target may be shortened. This is the case where, during the target life, a management value such as uniformity (film thickness uniformity) and a process loss rate of a film determined in the film forming process exceeds a certain allowable value. At this time, if the same target is continuously used, the tolerance is exceeded, so even if there is a remaining thickness of the target, it is exchanged with the new target. In short, the lifetime of the target becomes shorter than originally intended.

이와 같은 점에서, 타깃의 이로젼면의 구조, 백킹 플레이트의 구조, 그리고 타깃과 백킹 플레이트의 조립체의 구조에 여러 가지 연구가 집중되고 있다. 예를 들어, 하기 특허문헌 1 에서는 직육면체의 다분할 타깃에서 이로젼을 받는 분할 타깃에 높낮이차가 있는 경우에, 높이가 높은 타깃의 면으로부터 높이가 낮은 면을 향하여 경사면으로 한 타깃이 제안되어 있다.In this regard, various studies have been focused on the structure of the target's erosion face, the structure of the backing plate, and the structure of the target and backing plate assembly. For example, the following Patent Document 1 proposes a target having a slope in a direction from a face of a high-height target to a face of a low height, when the divided target receiving the erosion has a height difference in a rectangular parallelepiped multi-split target.

또, 하기 특허문헌 2 에서는, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타깃재의 인접부에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타깃재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타깃재의 두께와 거의 동일한 두께를 갖는 수평 부분을 형성함과 함께 상기 수평 부분의 폭이 1 ㎜ 이상이고, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타깃재에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타깃재의 수평 부분으로부터 상부 타깃면으로 연속되는 경사 부분을 형성하고, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타깃재의 경사 부분과 수평 부분이 이루는 각도가 30°이상 45°이하인 스퍼터링 타깃이 제안되어 있다.Further, in Patent Document 2, a horizontal portion having a thickness substantially equal to the thickness of the divided target material having a small thickness is formed at the adjacent portion of the divided target material having a thicker thickness in the adjacent portion of the adjacent divided target materials, And forming a sloped portion continuous from the horizontal portion of the divided target material having the greater thickness to the upper target surface in the divided target material having the thicker side and having the width of the horizontal portion of 1 mm or more, An angle formed by the inclined portion and the horizontal portion of the divided target material on the thicker side is 30 degrees or more and 45 degrees or less.

상기 특허문헌 1 및 특허문헌 2 는 모두 단부 타깃재에는, 중앙부에 걸쳐 경사가 형성되어 있다. 그러나, 이와 같은 경사가 있으면, 스퍼터링에 의해 성막을 실시했을 때에, 막의 유니포미티에 문제가 발생하는 경우가 있었다. 구체적으로는, 기판면 내의 막두께 분포가, 경사를 갖지 않는 타깃재를 사용하여 성막한 경우와 비교하여 악화되는 현상을 볼 수 있었다.In both of Patent Documents 1 and 2, the end target material is formed with an inclination over the central portion. However, if such a slope is present, a problem may occur in the uniformity of the film when the film is formed by sputtering. Specifically, a phenomenon in which the film thickness distribution in the substrate surface is deteriorated as compared with the case where the target material is formed using a target material having no inclination.

그 결과, 이 막두께 분포의 악화에 수반하여, 막의 면적 저항 (시트 저항) 이나 투과율에도 분포의 악화가 발생하여, 타깃재를 ITO (Indium Tin Oxide) 로 하여 투명 도전막을 형성하여, LCD 나 PDP 등의 표시 디바이스를 제작하거나 한 경우에는 표시 특성에 불균일성이 발생하여, 대형 표시 디바이스에는 적당하지 않았다.As a result, with the deterioration of the film thickness distribution, the distribution becomes worse even with the area resistance (sheet resistance) and the transmittance of the film, and a transparent conductive film is formed using ITO (Indium Tin Oxide) Or the like is produced, non-uniformity occurs in display characteristics, which is not suitable for a large-sized display device.

일본 특허공보 제3760652호Japanese Patent Publication No. 3760652 일본 특허공보 제4318439호Japanese Patent Publication No. 4318439

본 발명은 상기와 같은 문제 또는 결점을 감안하여 이루어진 것으로서, 스퍼터링법에 의해 박막을 형성할 때에 사용되는 스퍼터링 타깃으로서, 경사 부분을 갖는 타깃재라 하더라도, 막의 유니포미티가 악화되지 않는 형상의 타깃재를 제안하는 것으로, 타깃의 사용 효율이 높고, 또한 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 가 양호한 타깃을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above problems or disadvantages, and it is an object of the present invention to provide a sputtering target used when a thin film is formed by sputtering, and a target material having a shape in which the uniformity of the film is not deteriorated The object of the present invention is to provide a target having a high use efficiency of the target and a good uniformity of the film (uniformity of the film thickness) through the sputter life.

상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명자는 스퍼터링용 타깃의 형상과 이로젼을 예상한 타깃 형상으로 하고, 그 타깃을 사용하여 스퍼터링함으로써, 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 를 양호하게 함과 함께, 파티클의 발생이 적고, 나아가서는 타깃의 수명을 길게 할 수 있다는 지견을 얻었다. 또한, 본 명세서에서 사용하는 「고사용 효율 타깃」은, 이와 같이 이로젼을 상정한 형상을 갖는 타깃을 의미하는 것이다.In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have found that the uniformity of the film thickness (uniformity of film thickness) can be improved by sputtering by using the target shape of the target for sputtering and the target shape anticipating the erosion, And the generation of particles is less, and the life of the target can be lengthened. As used herein, the " high-efficiency target " means a target having a shape assumed to have such an erosion.

본 발명은 상기 지견에 기초하여,The present invention, based on the above knowledge,

1) 중앙의 타깃 부위가 평탄한 스퍼터면을 구비하고, 양단의 타깃 부위가 경사진 스퍼터면을 구비하고 있는 전체가 직사각형인 스퍼터링 타깃으로서, 상기 양단의 타깃 부위의 최대 두께는 중앙의 타깃 부위의 두께보다 크고, 그 양단의 타깃 부위의 스퍼터면은 최대 두께부로부터 타깃 중앙을 향하여 아래 방향으로 경사진 각도 α 의 경사면과 그 각도 α 의 경사면과 마주 보는 각도 β 의 경사면을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃, 을 제공한다.1) A sputtering target having a rectangular shape in which a central target portion has a flat sputter surface and a target portion at both ends has a tilted sputter surface, wherein the maximum thickness of the target portions at both ends is a thickness And the sputter surface of the target portion at both ends thereof has an inclined surface having an angle? Inclined downward from the maximum thickness portion toward the center of the target and an inclined surface having an angle? Opposing the inclined surface having the angle? Sputtering target.

또, 본 발명은,Further, according to the present invention,

2) 상기 각도 α 는, 0.3 ∼ 45°인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 스퍼터링 타깃,2) The sputtering target according to 1) above, wherein the angle [alpha] is 0.3 to 45 [deg.],

3) 상기 각도 β 는, 상기 각도 α 의 30 ∼ 80 ％ 인 것을 특징으로 하는 상기 1) 또는 2) 에 기재된 스퍼터링 타깃,3) The sputtering target according to 1) or 2) above, wherein the angle? Is 30 to 80% of the angle?

4) 상기 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면은, 직선으로 접합되고, 그 접합 위치의 타깃 두께는, 중앙의 타깃 부위의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 3) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 타깃, 을 제공한다. 4) The method according to any one of 1) to 3) above, wherein the inclined surface of the angle? And the inclined surface of the angle? Are joined in a straight line and the target thickness of the bonding position is thinner than the thickness of the central target portion The disclosed sputtering target is provided.

또, 본 발명은,Further, according to the present invention,

5) 상기 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면 사이에, 평탄면 (P) 을 갖는 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 3) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 타깃,5) The sputtering target according to any one of 1) to 3) above, wherein the sputtering target has a flat surface (P) between the inclined surface of the angle? And the inclined surface of the angle?

6) 평탄면 (P) 의 타깃 두께는, 상기 중앙의 타깃 부위의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 상기 5) 에 기재된 스퍼터링 타깃,6) The sputtering target according to 5) above, wherein the target thickness of the flat surface (P) is thinner than the thickness of the central target portion,

7) 평탄면 (P) 의 길이 L3 이, 각도 α 의 경사면의 길이 L1 및 각도 β 의 경사면의 길이 L2 보다 짧은 것을 특징으로 하는 상기 6) 에 기재된 스퍼터링 타깃, 을 제공한다. 7) The sputtering target described in 6) above, wherein the length L3 of the flat surface P is shorter than the length L1 of the inclined plane of angle alpha and the length L2 of the inclined plane of angle beta.

8) 상기 L1 과 L2 와 L3 의 합계 길이는, 직사각형 타깃의 전체 길이의 25 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 상기 7) 에 기재된 스퍼터링 타깃, 을 제공한다.8) The sputtering target according to 7) above, wherein the total length of L1, L2 and L3 is 25% or less of the total length of the rectangular target.

또, 본 발명은,Further, according to the present invention,

9) 타깃이 분할 타깃인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 8) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 타깃,(9) The sputtering target according to any one of (1) to (8) above, wherein the target is a split target,

10) 양단의 타깃 부위가, 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면을 갖는 일체의 타깃인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 9) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 타깃,10) The sputtering target according to any one of 1) to 9) above, wherein the target portion at both ends is an integral target having an inclined surface at an angle? And an inclined surface at an angle?

11) 평탄부를 갖는 양단의 타깃 부위, 각도 α 의 경사면을 갖는 타깃 부위, 각도 β 의 경사면을 갖는 타깃 부위, 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면 사이에 평탄면 (P) 을 갖는 타깃 부위, 평탄한 스퍼터면을 구비하는 중앙의 타깃 부위의 1 개 또는 복수 개가 분할 타깃인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 10) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 타깃,11) a target portion at both ends having a flat portion, a target portion having a slope of angle?, A target portion having a slope of angle?, A target portion having a flat surface P between the slope of angle? And the slope of angle? The sputtering target according to any one of 1) to 10) above, wherein one or more of the center target regions provided with the sputter faces are divided targets.

12) 스퍼터링 후의 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±10 ％ 미만의 범위 내인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 11) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 타깃, 을 제공한다.(12) The sputtering target according to any one of (1) to (11) above, characterized in that the film thickness uniformity in the entire substrate surface after sputtering is within a range of less than ± 10%.

본 발명의 스퍼터링법에 의해 박막을 형성할 때에 사용되는 스퍼터링 타깃으로서, 경사 부분을 갖는 타깃재라 하더라도, 막의 유니포미티가 악화되지 않는 형상의 타깃재를 제안하는 것으로, 타깃의 사용 효율이 높고, 또한 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 가 양호하다는 우수한 효과를 갖는다.As a sputtering target used when a thin film is formed by the sputtering method of the present invention, a target material having a shape in which the uniformity of the film does not deteriorate even if the target material has an inclined portion is proposed, And has an excellent effect that the uniformity (film thickness uniformity) of the film is good through the sputter life.

도 1 은 실시예 (평탄면 (P) 없음) 의 타깃의 평면도 (일부), C-C 단면도, A-A 단면도, B-B 단면도이다.
도 2 는 실시예 (평탄면 (P) 있음) 의 타깃의 평면도 (일부), C-C 단면도, A-A 단면도, B-B 단면도이다.
도 3 은 비교예의 타깃의 평면도 (일부), C-C 단면도, A-A 단면도, B-B 단면도이다.1 is a plan view (partial), CC section, AA section and BB section of a target of the embodiment (no flat surface P).
2 is a plan view (partial), CC section, AA section and BB section of the target of the embodiment (with flat surface P).
Fig. 3 is a plan view (partial), CC section, AA section and BB section of the target of the comparative example.

본 발명의 스퍼터링 타깃은, 전체 형상은 평면적으로 볼 때 직사각형 (장방형) 의 타깃이다. 이 타깃 중앙의 타깃 부위는, 평탄한 스퍼터면을 갖는다. 양단의 타깃 부위는 타깃의 제작과 취급의 편리함 때문에, 최외부의 일부를 평탄한 것으로 하지만, 그것에 계속되는 부분은 경사진 스퍼터면으로 한다. 후술하는 도 1, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 평면적으로 볼 때, 전체가 직사각형인 스퍼터링 타깃이다.In the sputtering target of the present invention, the overall shape is a rectangular (rectangular) target in plan view. The target portion in the center of the target has a flat sputter surface. The target portions at both ends are made flat at the outermost part due to the convenience of manufacture and handling of the target, but the subsequent portion is made of the inclined sputter face. As shown in Figs. 1 and 2, which will be described later, the sputtering target is a rectangular target in a plan view.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 상기 양단의 타깃 부위의 최대 두께는 중앙의 타깃 부위의 두께보다 크게 하고, 그 양단의 타깃 부위의 스퍼터면은 최대 두께부로부터 타깃 중앙을 향하여 아래 방향으로 경사진 각도 α 의 경사면 (4) 과 그 각도 α 의 경사면과 마주 보는 각도 β 의 경사면 (5) 을 형성한다. 이와 같이 각도 α 의 경사면에 대향하는 위치에 각도 β 의 경사면을 형성한다는 발상은 매우 참신한 것이며, 종래 기술에는 존재하지 않아 기본 발명이라고 할 수 있는 것이다.As shown in Fig. 1, the maximum thickness of the target portions at both ends is larger than the thickness of the central target portion, and the sputtering surfaces of the target portions at both ends of the sputtering target portions at both ends thereof are inclined at an angle? And an inclined surface 5 having an angle? Opposite to the inclined surface of the angle? Are formed. The idea of forming the inclined surface of the angle? At the position opposite to the inclined surface of the angle? Is very novel and does not exist in the prior art, so it can be said that it is the basic invention.

본 발명의 타깃은, 통상적으로 마그네트론 스퍼터링용 타깃으로서 사용된다. 마그네트론 스퍼터링에서는, 스퍼터링 효율을 높이기 위해, 타깃의 배면에 배치한 마그넷을 배치하는데, 마그넷의 배치 혹은 자력선의 강도에 따라 이로젼을 강하게 받는 부분과 받지 않는 부분이 발생한다. The target of the present invention is typically used as a target for magnetron sputtering. In magnetron sputtering, in order to increase sputtering efficiency, a magnet disposed on the back surface of the target is disposed, and a part strongly receiving the erosion and a part not receiving the erosion occur depending on the arrangement of the magnet or the strength of the magnetic force lines.

이것은 스퍼터링 장치에 의존하지만, 본 발명의 타깃은, 이것에 대응할 수 있어, 안정적인 스퍼터링이 가능하고, 막의 유니포미티를 보다 균일하게 할 수 있는 구조를 가질 필요가 있다.This is dependent on the sputtering apparatus, but the target of the present invention is required to have a structure capable of coping with this, capable of stable sputtering, and making the uniformity of the film more uniform.

한편, 상기와 같이 이로젼을 강하게 받는 부분과 받지 않는 부분이 발생하는데, 이로젼을 강하게 받은 지점이 타깃의 수명을 다루게 된다. On the other hand, as described above, portions where the erosion is strongly received and portions that are not received are generated, and the point where the erosion is strongly received deals with the lifetime of the target.

그러나, 이와 같은 경우라 하더라도, 타깃 전체의 이용 효율은 항상 높일 필요가 요구된다. 종래의 스퍼터링 타깃에서는 타깃의 이로젼을 강하게 받는 부위를 두껍게 하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 이 경우에는, 타깃과 기판 간의 거리가 일정하지 않기 때문에, 특히 스퍼터링 초기에 있어서 막의 유니포미티가 안정되지 않는다는 문제가 있다.However, even in such a case, it is necessary to always increase the utilization efficiency of the entire target. In the conventional sputtering target, it has been proposed to thicken a region strongly receiving the rejection of the target. However, in this case, since the distance between the target and the substrate is not constant, there is a problem that the uniformity of the film is not stabilized particularly at the initial stage of sputtering.

이와 같은 점에서, 본원 발명에 있어서는, 타깃은 스퍼터링에 의해 이로젼을 받는 부위가 두꺼워지도록 함과 함께, 막의 유니포미티를 보다 균일하게 하기 위해 상기와 같은 경사면을 제작한다. In view of the above, in the present invention, in the present invention, the target to be subjected to the erosion is thickened by sputtering, and the inclined surface as described above is made so as to make the uniformity of the film more uniform.

그러나, 타깃의 이로젼면에 형성된 경사 각도 α 의 경사면 (4) 으로부터 스퍼터에 의해 쫓겨난 입자는, 타깃 길이 방향의 중앙부에 보다 많이 집중되게 된다.However, the particles ejected by the sputter from the inclined surface 4 of the inclination angle? Formed on the erosion face of the target become more concentrated in the central portion in the target longitudinal direction.

이 때문에, 그 영역에 있어서 기판 상에 형성되는 막의 막두께는, 다른 영역과 비교하여 두꺼워지고, 반대로 경사면 (4) 에 대향하는 위치 (후술하는 타깃의 경사면의 바로 위의 위치) 의 막두께는 얇아진다. 이로써, 막두께가 얇은 곳과 두꺼운 곳이 생겨 막두께가 불균일해져 유니포미티가 악화된다.Therefore, the film thickness of the film formed on the substrate in the region is thicker than that of the other regions, and on the contrary, the film thickness of the position opposite to the inclined plane 4 (position immediately above the inclined surface of the target to be described later) Thin. This results in thinner and thicker film thicknesses, resulting in nonuniform film thicknesses and worsening uniformity.

본원 발명은, 경사면 (4) 과 마주 보도록 각도 β 의 새로운 경사면 (5) 을 형성한다. 이 때문에, 각도 β 로 형성된 경사면 (5) 으로부터 쫓겨난 입자는, 경사면 (4) 에 대향하는 위치에 도달하기 때문에, 비교예에서 막두께가 얇아지는 부분을 보충하게 되어, 기판면 내 전체에서 유니포미티가 양호한 막이 얻어진다.The present invention forms a new oblique surface (5) with an angle? Facing the oblique surface (4). Therefore, the particles ejected from the sloped surface 5 formed at the angle? Reach the position opposite to the sloped surface 4, so that the thinned portion in the comparative example is supplemented, A film having good formicity is obtained.

상기 각도 α 의 경사면 (4) 과 각도 β 의 경사면 (5) 은, 직선으로 접합되게 되지만, 각도 β 의 경사면 (5) 은, 중앙의 타깃 부위의 평탄한 면의 레벨이 높낮이의 출발점이 되기 때문에, 직선의 접합 위치에 있어서의 타깃 두께는, 중앙의 타깃 부위의 두께보다 얇아진다.The inclined surface 4 of the angle? And the inclined surface 5 of the angle? Are joined in a straight line. However, since the inclined surface 5 at the angle? Becomes the starting point of the level of the flat surface of the central target portion, The thickness of the target at the joining position of the straight line becomes thinner than the thickness of the central target portion.

각도 α 는 0.3 ∼ 45°인 것이 바람직하다. 각도 α 가 45°를 초과하면, 각도 β 를 형성해도 유니포미티의 균일성은 그다지 향상되지 않는다. 또, 각도 β 는 각도 α 의 30 ∼ 80 ％ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 즉, α × 0.3 ＜ β ＜ α × 0.8 로 하는 것이 바람직하다. 각도 β 가 α 의 30 ％ 미만이면, 막두께가 얇아지는 부분을 충분히 보충하기 어려워진다. 80 ％ 를 초과하면, 경사면 (4) 과 경사면 (5) 의 중간 부분에서의 막두께가 얇아지는 경향이 있다.The angle? Is preferably 0.3 to 45 degrees. If the angle [alpha] exceeds 45 [deg.], Uniformity of the uniformity does not improve much even if the angle [beta] is formed. It is preferable that the angle? Is in the range of 30 to 80% of the angle?. That is, it is preferable that? X0.3 <? <? X0.8. If the angle? Is less than 30% of?, It is difficult to sufficiently replenish the thinned portion. If it exceeds 80%, the film thickness at the middle portion between the inclined plane 4 and the inclined plane 5 tends to be thin.

상기 스퍼터링 타깃의 경사 각도 α 의 경사면 (4) 과 경사 각도 β 의 경사면 (5) 과의 사이에, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 평탄면 (P) 을 형성할 수도 있다. 상기와 같이 각도 β 의 경사면 (5) 은, 중앙의 타깃 부위의 평탄한 면의 레벨이 높낮이의 출발점이 되기 때문에, 이것에 접속되는 평탄면 (P) 의 두께는, 상기 중앙의 타깃 부위의 두께보다 얇아진다.A planar surface P may be formed between the inclined plane 4 of the inclination angle? Of the sputtering target and the inclined plane 5 of the inclination angle? As shown in Fig. As described above, since the level of the flat surface of the central target portion becomes the starting point of the height, the sloped surface 5 at the angle? Is set to be larger than the thickness of the center target portion Thin.

평탄면 (P) 의 길이 L3 은, 각도 α 의 경사면 L1 의 길이 및 각도 β 의 경사면 L2 의 길이보다 짧게 하는 것이, 본원 발명의 스퍼터링 타깃에 있어서, 유니포미티의 균일성을 유지하기 위한 바람직한 조건이다. 또, 상기 L1 과 L2 와 L3 의 합계 길이는, 직사각형 타깃의 전체 길이의 25 ％ 이하인 것이 바람직하다. 그러나, 이 조건은 바람직한 조건이며, 이 이외의 조건을 선택할 수도 있다.It is preferable that the length L3 of the flat surface P is made shorter than the length of the sloped surface L2 of the angle? And the length of the sloped surface L2 of the angle?. In the sputtering target of the present invention, to be. It is preferable that the total length of L1, L2 and L3 is 25% or less of the total length of the rectangular target. However, this condition is a preferable condition, and other conditions may be selected.

스퍼터링 타깃은, 전체를 일체형의 타깃으로 할 수 있는데, 분할 타깃으로 할 수도 있다. 분할 타깃으로 하는 경우, 몇 가지의 형태가 가능한데, 양단의 타깃 부위만을 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면을 갖는 일체의 타깃 (분할되어 있지 않은 타깃) 으로 제작하고, 다른 것은 적절히 분할된 타깃으로 할 수 있다. 이 형태가 대표적인 스퍼터링 타깃의 예이다.The entire sputtering target may be an integral target, but it may be a divided target. In the case of a split target, several shapes are possible, in which only the target portions at both ends are made of an integral target (unpartitioned target) having inclined faces of angle? And inclined faces of angle?, And the other is a properly divided target can do. This form is an example of a representative sputtering target.

또, 평탄부를 갖는 양단의 타깃 부위, 각도 α 의 경사면 (4) 을 갖는 타깃 부위, 각도 β 의 경사면 (5) 을 갖는 타깃 부위, 각도 α 의 경사면 (4) 과 각도 β 의 경사면 (5) 사이에 평탄면 (P) 을 갖는 타깃 부위, 평탄한 스퍼터면을 구비하는 중앙의 타깃 부위의 1 개 또는 복수 개를 분할 타깃으로 할 수도 있다.A target portion having an inclined face 4 at an angle?, A target portion having an inclined face 5 at an angle?, An inclined face 4 at an angle? And an inclined face 5 having an angle? A target portion having a planar surface P, and a central target portion having a flat sputter surface may be divided into a plurality of targets.

본 발명의 스퍼터링 타깃의 재료로서, 인듐, 주석, 알루미늄, 구리, 탄탈, 티탄, 니켈, 코발트, 루테늄, 텅스텐, 로듐, 혹은 이들의 합금 또는 산화물 등에 적용할 수 있다. 특히, ITO (인듐과 주석의 산화물) 등의 표시재용 타깃의 제작에 바람직하다.The material of the sputtering target of the present invention can be applied to indium, tin, aluminum, copper, tantalum, titanium, nickel, cobalt, ruthenium, tungsten, rhodium or their alloys or oxides. In particular, it is preferable for the production of targets for display materials such as ITO (indium and tin oxide).

본 발명의 이로젼 프로파일 타깃의 제조시에는, 미리 평판상의 타깃을 스퍼터링하고, 그 때의 이로젼 형상 및 깊이를 조사하여, 그것에 기초하여 타깃의 두께를 조절할 수 있다. In producing the erosion profile target of the present invention, the flat target may be sputtered in advance, the shape and depth of the erosion at that time may be examined, and the thickness of the target may be adjusted based thereon.

이로써, 타깃의 재료 종류에 따라 변화한다는 이로젼의 상이가 있더라도, 고유의 타깃 이로젼에 따라 고사용 효율 타깃을 용이하게 제조할 수 있다.This makes it possible to easily manufacture a high-efficiency target according to the inherent target ion, even if there is a difference in erosion that changes depending on the type of the target material.

본 발명의 타깃은 제작이 용이함과 함께, 그 타깃의 수명을 길게 할 수 있는 이점이 있다. 또, 스퍼터 초기 및 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 를 양호하게 할 수 있으며, 또한 파티클의 발생이 적다는 우수한 효과를 갖는다. 또한, 타깃의 재료의 종류에 따라 변화한다는 이로젼의 상이가 있더라도, 고유의 타깃 이로젼에 따라 고사용 효율 타깃을 용이하게 제조할 수 있는 큰 효과를 갖는다.The target of the present invention is advantageous in that it is easy to manufacture and the life of the target can be prolonged. In addition, the uniformity of the film (uniformity of film thickness) can be improved through the sputter initiation and the sputter life, and the excellent effect that the generation of particles is small is also obtained. Further, even if there is a difference in erosion that changes depending on the kind of the target material, it has a great effect that the high-efficiency target can be easily manufactured in accordance with the inherent target ionization.

실시예Example

다음으로, 본 발명의 실시예와 비교예를 가지고 본 발명의 특징을 설명한다. 또한, 이하의 예는 발명을 용이하게 이해할 수 있게 하기 위한 것으로서, 본 발명은 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상에 기초하는 다른 예 또는 변형은 당연히 본 발명에 포함되는 것이다.Next, the characteristics of the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples of the present invention. In addition, the following examples are provided to facilitate understanding of the invention, and the present invention is not limited to these examples. That is, other examples or modifications based on the technical idea of the present invention are naturally included in the present invention.

도 1 에 나타내는 백킹 플레이트 상에 타깃을 설치하였다. 이 경우, 백킹 플레이트에는 구리제 백킹 플레이트를 사용하였지만, 다른 재료로 제작해도 된다.A target was provided on the backing plate shown in Fig. In this case, although a backing plate made of copper is used for the backing plate, other materials may be used.

타깃에는 ITO (인듐주석 산화물) 를 사용하였다. 도 1 에는 타깃 백킹 플레이트 조립체의 평면도 (일부), C-C 단면도, A-A 단면도, B-B 단면도를 나타낸다. 이 도 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 의 타깃 백킹 플레이트 조립체의 백킹 플레이트는, 평면적으로 볼 때 직사각형 (장방형) 이다. ITO (indium tin oxide) was used as a target. 1 is a plan view (partial), C-C cross-sectional view, A-A cross-sectional view, and B-B cross-sectional view of a target backing plate assembly. As shown in Fig. 1, the backing plate of the target backing plate assembly of the first embodiment is rectangular (rectangular) in plan view.

이 경우, 분할 타깃을 사용하고 있다.In this case, the split target is used.

(실시예와 비교예) (Examples and Comparative Examples)

1500 × 1850 ㎜ 사이즈의 기판에 대향하여, 200 × 2300 ㎜ 사이즈의 ITO 타깃을 8 개 배열시키고, 막두께 40 ㎚ 를 목표로 하여 성막을 실시하였다.Eight ITO targets of 200 x 2300 mm in size were arranged opposite to a substrate of 1500 x 1850 mm in size, and film formation was performed with a target film thickness of 40 nm.

본 실시예에서는, 기판은 타깃에 정지 대향시켜 성막하는 예를 나타냈지만, 본 발명의 타깃은, 기판이 타깃 상을 통과하여 성막되는 방식에서도 유효하다.In the present embodiment, an example is shown in which the substrate is formed by stopping the target oppositely to the target. However, the target of the present invention is also effective in a manner in which the substrate is formed through the target phase.

성막 후, 기판 상의 막이 부착되어 있지 않은 부분과 부착되어 있는 부분의 단차를 촉침식 단차계로 측정하고, 기판면 내 9 점의 단차의 분포로부터 막두께 유니포미티를 평가하였다. 이 결과를 표 1 에 나타낸다.After the film formation, the step difference between the portion on which the film was not adhered and the portion where the film on which the film was not adhered was measured by a stylus step, and the film thickness uniformity was evaluated from the distribution of step differences at nine points in the substrate surface. The results are shown in Table 1.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1 은, 경사면 (4) 의 각도 α 가 0.76°이고, 각도 β 의 경사면 (5) 을 갖지 않는 것이지만, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±12 ％ 가 되어, 불량이 되었다.In Comparative Example 1, the inclination angle? Of the inclined plane 4 was 0.76 占 and the inclined plane 5 at the angle? Was not provided, but the film thickness uniformity of the entire surface in the substrate was ± 12%, which was defective.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

비교예 2 는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 2.29°이고, 각도 β 의 경사면 (5) 을 갖지 않는 것이지만, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±15 ％ 가 되어, 불량이 되었다.In Comparative Example 2, the inclination angle? Of the inclined plane 4 is 2.29 占 and the inclined plane 5 is not inclined at the angle?, But the film thickness uniformity in the entire plane of the substrate becomes 占 5% and becomes defective.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

비교예 3 은, 경사면 (4) 의 각도 α 가 0.76°이고, 각도 β 가 0.19°(0.25 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건인 하한값에서 일탈하고 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±11 ％ 가 되어, 불량이 되었다.The comparative example 3 has the inclined surface 5 having the angle? Of the inclined plane 4 of 0.76 占 and the angle? Of 0.19 占 (0.25?). The ratio between the angle? And the angle? Deviates from the lower limit value, which is a preferred condition of the present invention. As a result, the film thickness uniformity of the entire substrate surface became ± 11%, and the result was defective.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

비교예 4 는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 0.76°이고, 각도 β 가 0.72°(0.94 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건인 상한값에서 일탈하고 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±10 ％ 가 되어, 불량이 되었다.The comparative example 4 has the inclined surface 5 whose angle? Of the inclined plane 4 is 0.76 占 and the angle? Is 0.72 占 (0.94?). The ratio between the angle? And the angle? Deviates from the upper limit value which is a preferable condition of the present invention. As a result, the film thickness uniformity in the whole substrate surface became ± 10%, and the result was defective.

(비교예 5) (Comparative Example 5)

비교예 5 는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 2.29°이고, 각도 β 가 0.57°(0.25 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건인 하한값에서 일탈하고 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±13 ％ 가 되어, 불량이 되었다.The comparative example 5 has the inclined surface 5 having the angle? Of the inclined plane 4 of 2.29 占 and the angle? Of 0.57 占 (0.25?). The ratio between the angle? And the angle? Deviates from the lower limit value, which is a preferred condition of the present invention. As a result, the film thickness uniformity in the entire substrate surface became ± 13%, resulting in failure.

(비교예 6) (Comparative Example 6)

비교예 6 은, 경사면 (4) 의 각도 α 가 2.29°이고, 각도 β 가 1.91°(0.83 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건인 상한값에서 일탈하고 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±14 ％ 가 되어, 불량이 되었다.The comparative example 6 has the inclined surface 5 having the angle? Of the inclined plane 4 of 2.29 占 and the angle? Of 1.91 占 (0.83?). The ratio between the angle? And the angle? Deviates from the upper limit value which is a preferable condition of the present invention. As a result, the film thickness uniformity of the entire substrate surface became ± 14%, resulting in failure.

(실시예 1)(Example 1)

이상의 비교예에 대해, 실시예 1 에서는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 0.76°이고, 각도 β 가 0.29°(0.38 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건의 범위에 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±6 ％ 가 되어, 양호한 결과가 되었다.With respect to the above-described comparative example, in Example 1, the inclined plane 5 having the angle? Of the inclined plane 4 is 0.76 占 and the angle? Is 0.29 占 (0.38?). The ratio of the angle? To the angle? Is in the range of preferable conditions of the present invention. As a result, the film thickness uniformity in the entire substrate surface was ± 6%, which was a good result.

(실시예 2) (Example 2)

실시예 2 에서는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 0.76°이고, 각도 β 가 0.57 (0.75 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건의 범위에 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±4 ％ 가 되어, 양호한 결과가 되었다.In the second embodiment, the inclined surface 5 has an inclination angle? Of 0.76 deg. And an inclination angle? Of 0.57 (0.75?). The ratio of the angle? To the angle? Is in the range of preferable conditions of the present invention. As a result, the film thickness uniformity of the entire substrate surface was ± 4%, which was a good result.

(실시예 3) (Example 3)

실시예 3 에서는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 2.29°이고, 각도 β 가 0.72 (0.31 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건의 범위에 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±7 ％ 가 되어, 양호한 결과가 되었다.The third embodiment has the inclined surface 5 having the angle? Of the inclined plane 4 of 2.29 占 and the angle? Of 0.72 (0.31?). The ratio of the angle? To the angle? Is in the range of preferable conditions of the present invention. As a result, the film thickness uniformity in the entire substrate surface was ± 7%, and a good result was obtained.

(실시예 4) (Example 4)

실시예 4 에서는, 경사면 (4) 의 각도 α 가 2.29°이고, 각도 β 가 1.43 (0.63 α) 인 경사면 (5) 을 갖는 것이다. 이 각도 β 와 각도 α 의 비는, 본원 발명의 바람직한 조건의 범위에 있다. 이 결과, 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±6 ％ 가 되어, 양호한 결과가 되었다.In Example 4, the inclined plane 5 has an inclination angle? Of 2.29 占 and an inclination angle? Of 1.43 (0.63?). The ratio of the angle? To the angle? Is in the range of preferable conditions of the present invention. As a result, the film thickness uniformity in the entire substrate surface was ± 6%, which was a good result.

상기와 같이, 비교예에서는 어느 조건에서도 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±10 ％ 이상이었다.As described above, in all the comparative examples, the film thickness uniformity in the entire substrate surface was ± 10% or more under all conditions.

이에 대해, 실시예에서는 어느 조건에서도 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±10 ％ 미만으로, 양호한 결과가 되었다.On the other hand, the film thickness uniformity of the entire substrate surface was less than ± 10% under all conditions in the Examples, and good results were obtained.

상기와 같이, 도 3 에 나타내는, 종래 기술인 스퍼터링 타깃에서는, 높은 사용 효율을 얻기 위해, 이로젼 깊이에 따라 상이한 판두께의 타깃을 조합하여 제작되고, 그 때, 스퍼터링면의 일부에 경사면이 형성되기 때문에, 막의 유니포미티에 문제가 발생하는 경우가 있었다.As described above, in the conventional sputtering target shown in Fig. 3, in order to obtain a high use efficiency, targets having different plate thicknesses are combined according to the etch depth, and a sloped surface is formed on a part of the sputtering surface As a result, there has been a case where a problem occurs in the uniformity of the film.

그러나, 본 발명의 타깃에서는, 상기와 같이, 고사용 효율이라는 특성을 저해하지 않고, 유니포미티가 양호한 막이 얻는 것이 가능해졌다.However, in the target of the present invention, it is made possible to obtain a film having good uniformity without inhibiting the characteristic of high efficiency of use as described above.

현재, TFT-LCD 에서는 기판 사이즈가 3 m × 3 m 에 가까운 제 10 세대 라인이 양산 가동되고 있다. 이와 같은 초대형의 기판에 대해 불과 40 ㎚ 정도의 박막을 균일하게 형성하는 것은 매우 어렵지만, 본원 발명의 타깃을 사용함으로써 그 문제의 해결을 도모할 수 있다. 본원 발명은, 특히 타깃의 전체 길이가 2 m 를 초과하는 제 6 세대 라인 이상에서 유효하다.Currently, the tenth generation line with a substrate size of 3 m 3 m is being mass-produced in TFT-LCD. It is very difficult to uniformly form a thin film of only about 40 nm on such a very large substrate, but the problem can be solved by using the target of the present invention. The present invention is particularly effective in a sixth generation line or more where the total length of the target exceeds 2 m.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 타깃 백킹 플레이트 조립체는, 그 타깃의 수명을 길게 할 수 있음과 함께, 스퍼터 라이프를 통하여 막의 유니포미티 (막두께의 균일성) 를 양호하게 할 수 있으며, 또한 타깃의 재료의 종류에 따라 변화한다는 이로젼의 상이가 있더라도, 고유의 타깃 이로젼에 따른 타깃을 용이하게 제조할 수 있는 효과를 갖기 때문에, 다양한 재료에 사용할 수 있는 타깃 백킹 플레이트 조립체로서 유용하다.The target backing plate assembly of the present invention can prolong the life of the target and improve the uniformity (uniformity of the film thickness) of the film through the sputter life. In addition, It is useful as a target backing plate assembly which can be used for various materials because it has the effect of easily manufacturing a target according to the inherent target strain.

1 : 타깃
2 : 타깃의 평탄부
3 : 분할 타깃의 분할부
4 : 타깃의 이로젼면에 형성된 각도 α 를 갖는 경사면
5 : 타깃의 이로젼면에 형성된 각도 β 를 갖는 경사면
6 : 평판상 백킹 플레이트1: Target
2: Flatness of the target
3: Partition of divided target
4: a slope having an angle alpha formed on the erosion face of the target
5: a slope having an angle beta formed on the erosion face of the target
6: Flat plate backing plate

Claims

중앙의 타깃 부위가 평탄한 스퍼터면을 구비하고, 양단의 타깃 부위가 경사진 스퍼터면을 구비하고 있는 전체가 직사각형인 스퍼터링 타깃으로서, 상기 양단의 타깃 부위의 최대 두께는 중앙의 타깃 부위의 두께보다 크고, 그 양단의 타깃 부위의 스퍼터면은 최대 두께부로부터 타깃 중앙을 향하여 아래 방향으로 경사진 각도 α 의 경사면과 그 각도 α 의 경사면과 마주 보는 각도 β 의 경사면을 구비하고 있고, 상기 각도 β 는 상기 각도 α 의 31 ∼ 75 ％ 이고,
상기 각도 α 의 경사면과 상기 각도 β 의 경사면은 직선으로 접합되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.A sputtering target according to any one of claims 1 to 3, wherein a center portion of the sputtering target has a flat sputtering surface, and a target portion at both ends has an inclined sputtering surface, wherein a maximum thickness of the target portions at both ends is larger than a thickness of the centering target portion , The sputter surface of the target portion at both ends thereof has an inclined surface of an angle? Inclined downward from the maximum thickness portion toward the center of the target and an inclined surface of an angle? Opposing the inclined surface of the angle? 31 to 75% of the angle?
Wherein the inclined surface of the angle? And the inclined surface of the angle? Are joined in a straight line.

제 1 항에 있어서,
상기 각도 α 는, 0.76 ~ 2.29° 인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.The method according to claim 1,
Wherein the angle [alpha] is in the range of 0.76 to 2.29 [deg.].

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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면 간의 직선으로 접합되는 접합 위치의 타깃 두께는, 중앙의 타깃 부위의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a target thickness of a joining position joined by a straight line between the inclined face of the angle? And the inclined face of the angle? Is thinner than a thickness of the center target region.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면 사이에, 평탄면 (P) 을 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.3. The method according to claim 1 or 2,
And a flat surface (P) between the inclined surface of the angle? And the inclined surface of the angle?.

제 6 항에 있어서,
평탄면 (P) 의 타깃 두께는, 상기 중앙의 타깃 부위의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.The method according to claim 6,
Wherein the target thickness of the flat surface (P) is thinner than the thickness of the central target portion.

제 7 항에 있어서,
평탄면 (P) 의 길이 L3 이, 각도 α 의 경사면의 길이 L1 및 각도 β 의 경사면의 길이 L2 보다 짧은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.8. The method of claim 7,
And the length L3 of the flat surface P is shorter than the length L1 of the inclined plane of the angle alpha and the length L2 of the inclined plane of the angle beta.

제 8 항에 있어서,
상기 L1 과 L2 와 L3 의 합계 길이는, 직사각형 타깃의 전체 길이의 25 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.9. The method of claim 8,
Wherein the total length of L1, L2 and L3 is 25% or less of the total length of the rectangular target.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
타깃이 분할 타깃인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the target is a split target.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
양단의 타깃 부위가, 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면을 갖는 일체의 타깃인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the target portion at both ends is an integral target having an inclined face at an angle? And an inclined face at an angle?.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
평탄부를 갖는 양단의 타깃 부위, 각도 α 의 경사면을 갖는 타깃 부위, 각도 β 의 경사면을 갖는 타깃 부위, 각도 α 의 경사면과 각도 β 의 경사면 사이에 평탄면 (P) 을 갖는 타깃 부위, 평탄한 스퍼터면을 구비하는 중앙의 타깃 부위의 1 개 또는 복수 개가 분할 타깃인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.3. The method according to claim 1 or 2,
A target portion having a flat surface (P) between the inclined surface of the angle? And the inclined surface of the angle?, A target portion having a flat surface Wherein one or more of the central target portions provided with the sputtering targets are divided targets.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
스퍼터링 후의 기판면 내 전체의 막두께 유니포미티가 ±10 ％ 미만의 범위 내인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the film thickness uniformity of the whole of the inside of the substrate surface after sputtering is within a range of less than +/- 10%.