KR101626295B1 - Fabricating method of sensor strip using selective electroless plating - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a method for manufacturing a sensor strip using selective electroless plating which covers a portion which should not be plated (a portion where a pattern is not formed) and performs selective electroless plating by a direct method to form a conductive pattern. The method for manufacturing a sensor strip using selective electroless plating comprises: (A) a step (S100) of printing a plating prevention layer (20) on a portion which should not be plated on a nonconductive substrate (10) using insulative ink; and (B) an electroless plating step (S200) of directly performing selective plating (30) on a portion except the plating prevention layer (20) on the substrate (10). The (B) step comprises: (B2) a grease removing step (S220) of removing a foreign substance to facilitate plating layer formation on the substrate (10) except the plating prevention layer (20); (B3) a catalyst giving step (S230) of giving activation of a catalyst to a portion to be plated on the substrate (10) except the plating prevention layer (20); and (B4) a copper plating step (S240) of immersing the substrate (10) in a plating solution to selectively form a pattern of a selective plating layer (30) on the portion except the plating prevention layer (20). The grease removing step (B2) is performed in treatment liquid of 0.1-20% alkali metallic salt. The catalyst giving step (B3) comprises a step of giving ions as a catalyst and a reducing step. The step of giving ions is performed while maintaining catalyst treatment liquid in a pH level of 1-4.

Description

선택적 무전해 도금을 이용한 센서 스트립 제조 방법{FABRICATING METHOD OF SENSOR STRIP USING SELECTIVE ELECTROLESS PLATING}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a sensor strip using selective electroless plating,

본 발명은 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 센서 스트립 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 무전해 도금 방식으로 바이오 센서 등의 센서 단자를 포함하는 센서 스트립을 형성하기 위한 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 센서 스트립 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method using electroless plating and a method of manufacturing a sensor strip using the electroless plating method. More particularly, the present invention relates to a method of forming a sensor strip including a sensor terminal such as a biosensor A pattern forming method using plating, and a sensor strip manufacturing method using the same.

일반적으로, 혈당 측정기와 같은 바이오 센서 등의 센서는, PET나 PI 등의 비도전성 필름의 기재 상에 일측 단자와 타측 단자가 소정 거리만큼 이격되어 형성되고, 이들을 직접 혹은 측정용 칩과 연결하는 박막의 도막을 포함하는 스트립이 형성되어 지는바, 그 스트립의 형성 방법에는 인쇄 방식과 구리 등의 전도체로 박막을 형성하고 불필요한 부분을 에칭하는 무전해 도금 방식이 있다. Generally, a sensor such as a biosensor, such as a blood glucose meter, is formed on a substrate of a non-conductive film such as PET or PI by a predetermined distance between one terminal and the other terminal, A strip including a coated film is formed. The strip is formed by a printing method, an electroless plating method in which a thin film is formed of a conductor such as copper, and an unnecessary portion is etched.

그런데 인쇄 방식은, 도막의 두께나 전기전도도에 대한 편차가 심하여 (10% 이상임) 정밀한 바이오 센서의 제작에 문제가 되며, 반면 무전해 도금 방식은 편차는 작아지나 에칭으로 인한 생산성이 떨어진다는 문제점이 있었다. However, the printing method is problematic in the production of a precise biosensor due to a large variation in the thickness and electric conductivity of the coating film (10% or more), while the electroless plating method has a problem that the deviation is small, there was.

한편, 일정 패턴의 전도층이 박막으로 형성되도록 하는 선택 도금 방법이 있는바, 이러한 선택 도금 방식에는 패턴이 형성되어야 할 부위에 미리 인쇄방식의 배선층이나 시드층을 형성하고 배선층이나 시드층 상에 무전해 도금층이 형성되도록 하는 제1 및 제2 종래기술과, 인쇄 배선층이나 시드층 없이 직접 PET 등의 기재 상에 직접 무전해 도금이 형성되도록 하되, 패턴이 형성되어야 할 부위의 표면을 레이저나 인쇄등의 방식으로 표면개질하여, 시드층 없이도 원하는 부위만의 선택적 도금이 가능하도록 하는 제3 종래기술이 있다. On the other hand, there is a selective plating method in which a conductive layer of a predetermined pattern is formed as a thin film. In such a selective plating method, a wiring type wiring layer or a seed layer is formed in advance in a region where a pattern is to be formed, And a method for directly forming electroless plating on a substrate such as PET directly without a printed wiring layer or a seed layer, wherein a surface of a region where a pattern is to be formed is formed by laser or printing To thereby enable selective plating of only a desired region without a seed layer.

즉, 상기 제1 종래기술로는, 대한민국 특허 제1371327호와 같은 것이 있다. 즉, 도 1에서 보시는 바와 같이, 상기 제1 종래기술에 따른 디지타이저 기판은 기판(10); 도전성 잉크 또는 도전성 페이스트의 프린팅 방법에 의해 상기 기판상에 형성되는 제1 배선층(20); 상기 제1 배선층을 포함하는 기판 전면을 덮도록 기판상에 프린팅 방식에 의해 형성되되, 제1 배선층이 하기 제2 배선층과 전기적으로 연결되도록 상기 제1 배선층의 일부분이 노출되는 개구부(35)가 형성된 제1 절연층(30); 상기 제1 절연층 상부에 도전성 잉크 또는 도전성 페이스트의 프린팅 방법에 의해 형성되며, 상기 개구부(35)에 배선층의 일부분이 연결되는 제2 배선층(40); 상기 개구부 내부에 전도성 재료가 충진되어 상기 제1 배선층과 제2배선층을 통전시켜주는 비아; 및 상기 제2 배선층 상부를 포함하는 기판 전면을 덮도록 형성되는 보호층(60);을 포함하여 이루어지되, 상기 제1 배선층(20) 또는 제2 배선층(40) 상에는 추가적으로 무전해 금속 도금층(50)이 형성되어, 상기 제1 배선층상에 추가적으로 형성된 무전해 금속 도금층상에 제1 절연층이 형성되거나, 또는, 상기 제2 배선층 상에 추가적으로 형성된 무전해 금속 도금층상에 보호층이 형성되어 진다.That is, the first conventional technique is the same as that of Korean Patent No. 1371327. That is, as shown in FIG. 1, the digitizer substrate according to the first prior art includes a substrate 10; A first wiring layer (20) formed on the substrate by a printing method of a conductive ink or a conductive paste; The first wiring layer is formed on the substrate by a printing method so as to cover the entire surface of the substrate including the first wiring layer and an opening 35 is formed in which a portion of the first wiring layer is exposed so that the first wiring layer is electrically connected to the second wiring layer A first insulating layer (30); A second wiring layer 40 formed on the first insulating layer by a printing method of conductive ink or conductive paste, and a part of the wiring layer is connected to the opening 35; A via filled with a conductive material in the opening to electrically conduct the first wiring layer and the second wiring layer; And a protection layer 60 formed to cover the entire surface of the substrate including the upper portion of the second wiring layer. The first wiring layer 20 or the second wiring layer 40 may further include an electroless metal plating layer 50 A first insulating layer is formed on the electroless metal plating layer formed additionally on the first wiring layer or a protective layer is formed on the electroless metal plating layer formed additionally on the second wiring layer.

한편, 상기 제2 종래기술로서 대한민국 특허 제1380599호의 기술은, 도 2에서 보듯이, 터치활성영역(A)과 터치활성영역 외곽의 터치비활성영역(B)을 포함하는 기판(10); 상기 기판의 터치활성영역과 터치비활성영역 각각의 상부에 형성되며, 투명전극으로 이루어지는 제1 배선층(40); 상기 터치비활성영역상의 제1 배선층상에 형성되는 제1 무전해도금층(50); 상기 제1 무전해도금층(50) 상에 형성되는 제2 무전해도금층(60); 및 상기 터치비활성영역상의 제1 배선층의 측면에 인쇄방식에 의해 형성되는 절연층(80);을 포함하여 이루어진다. 상기 제2 종래기술에서 상기 절연층이 제1 배선층의 측면에 형성되게 되면, 상기 제1 배선층의 상부에 형성되는 무전해도금층이 투명전극층인 제1 배선층의 측벽면으로 무너지게 되거나, 또는 과도하게 상기 측벽면까지 무전해도금층이 형성되지 않고, 상기 제1 배선층의 상부면에만 고르게 무전해도금층이 형성될 수 있는 장점이 있다. 아울러, 상기 제2 종래기술은 상기 제1 배선층상에 무전해도금층을 형성하기 전에, 상기 제1 배선층의 상부에 무전해 금속 도금층을 형성하기 위한 시드 금속층을 형성시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 일반적으로 ITO, IZO 등과 같은 금속산화물로 이루어진 배선층상에 무전해도금을 하는 경우에, 상기 시드금속층을 형성하지 않고 무전해도금을 하는 경우에는 밀착력이 저하되어서 배선층의 멸실 등, 신뢰성에 문제를 나타낼 여지가 있어, 상기 제2 종래기술에서는 상기 투명전극 재료층 상부에 시드금속층을 형성함으로써, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있다. 상기 시드 금속층에는 Au, Ag, Pt, Cu, Ni, Fe, Pd, Co 또는 이들의 합금에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 팔라듐 염을 사용할 수 있다.
Meanwhile, as a second conventional technique, Korean Patent No. 1380599 discloses a substrate 10 including a touch active region A and a touch inactive region B outside the touch active region, as shown in FIG. 2; A first wiring layer (40) formed on each of the touch active region and the touch inactive region of the substrate and made of a transparent electrode; A first electroless plating layer (50) formed on the first wiring layer on the touch inactive region; A second electroless plating layer 60 formed on the first electroless plating layer 50; And an insulating layer (80) formed on the side of the first wiring layer on the touch inactive region by a printing method. When the insulating layer is formed on the side surface of the first wiring layer in the second prior art, the electroless plating layer formed on the first wiring layer is broken by the sidewall of the first wiring layer which is the transparent electrode layer, There is an advantage that an electroless plating layer can be formed evenly on the upper surface of the first wiring layer without forming an electroless plating layer to the side wall surface. The second conventional technique may further include forming a seed metal layer for forming an electroless metal plating layer on the first wiring layer before forming the electroless plating layer on the first wiring layer . Generally, when electroless plating is performed on a wiring layer made of a metal oxide such as ITO or IZO, when the electroless plating is performed without forming the seed metal layer, the adhesion is lowered, which causes a problem of reliability such as destruction of the wiring layer In the second conventional technique, a seed metal layer is formed on the transparent electrode material layer to solve the above problems. The seed metal layer may be selected from Au, Ag, Pt, Cu, Ni, Fe, Pd, Co, or an alloy thereof.

그러나, 상기 제1 및 제2 종래기술은 모두, 제1 및 제2 배선층을 형성한 후에 그 위에, 혹은 시드층을 매개로 그 위에, 무전해 금속 도금층을 형성하게 되므로 공정이 복잡해지며, 전체 센서의 두께도 두꺼우지는 문제점이 있다.
However, in both of the first and second prior arts described above, the process becomes complicated because the electroless metal plating layer is formed thereon or after the first and second wiring layers are formed therebetween or through the seed layer, There is a problem in that the thickness of the light guide plate is too large.

제3 종래기술 (대한민국 특허 제1468074호) 은, 도 3에서 보듯이, 절연성 합성수지 재질의 연성필름을 준비하는 단계(S 110); 상기 연성필름의 표면에 노즐을 배열하여 산성 또는 알칼리성을 갖는 용액을 10㎚ 내지 10㎛ 범위의 입자로 압축분사하되, 분사압력은 0.5 내지 10㎫, 분사량은 0.1 내지 5ℓ/분, 분사각은 40 내지 85°의 범위에서 조절되어, 이물질을 제거하면서 표면을 개질하는 단계(S 120); 상기 연성필름을 산 용액에 침지하는 프리딥 단계(S 130); 상기 연성필름을 수세 후 표면에 음이온 형태의 촉매를 흡착시키는 단계(S 140); 상기 연성필름에 흡착된 촉매를 활성화하며 무전해도금에 의해 도금층을 형성하는 단계(S 150); 로 이루어지는 직접 도금에 의한 도전성 박막소재의 제조방법을 제공한다.
The third prior art (Korean Patent No. 1468074), as shown in FIG. 3, comprises the steps of preparing a flexible film of insulating synthetic resin (S 110); The nozzle is arranged on the surface of the flexible film to pressurize a solution having an acidic or alkaline property into particles having a particle size in the range of 10 nm to 10 mu m with an injection pressure of 0.5 to 10 MPa, an injection amount of 0.1 to 5 L / To 85 [deg.] So as to modify the surface while removing foreign matter (S 120); A pre-dipping step (S 130) of immersing the flexible film in an acid solution; (S 140) adsorbing an anion-type catalyst on the surface of the flexible film after washing with water; Activating a catalyst adsorbed on the flexible film and forming a plating layer by electroless plating (S 150); The present invention also provides a method of manufacturing a conductive thin film material by direct plating.

이상의 제3 종래기술은 사전에 배선패턴이나 시드층을 형성하지 않아도 된다는 장점은 있으나, 여전히 사전에 기재 필름의 표면을 개질하여야 하는 단계를 필요로 하므로, 공정이 그만큼 추가되고, 전체 공정이 복잡해 진다는 단점이 존재한다.
Although the third prior art described above has an advantage that it is unnecessary to form a wiring pattern or a seed layer in advance, it still requires a step of previously modifying the surface of the base film, so that the process is added so much that the whole process becomes complicated There are disadvantages.

대한민국 특허 제1371327호(명칭 : 프린팅 기술을 이용한 적층형 디지타이저 및 이의 제조방법)Korean Patent No. 1371327 (Name: Multilayer type digitizer using printing technology and its manufacturing method) 대한민국 특허 제1380599호(명칭 : 복수의 도금층을 포함하는 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법)Korean Patent No. 1380599 (name: touch screen panel including plural plated layers and manufacturing method thereof) 대한민국 특허 제1468074호(명칭 : 직접 도금에 의한 도전성 박막소재 및 이의 제조방법)Korean Patent No. 1468074 (Title: Conductive Thin Film Material by Direct Plating and Manufacturing Method Thereof)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 도금이 되어서는 아니될 부분 (패턴이 형성되지 않는 부위) 을 가리고 직접 방식에 의한 무전해 선택 도금을 행하여, 도전성 패턴을 형성하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electroless electroless plating method for forming a conductive pattern by performing electroless selective plating by a direct method by covering a portion which should not be plated And a method of forming a pattern using the same.

아울러, 본 발명은 상기 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법을 이용한 센서 스트립 제조 방법을 제공한다.
In addition, the present invention provides a method of manufacturing a sensor strip using the pattern forming method using the electroless plating.

이상의 목적 및 다른 추가적인 목적들이, 첨부되는 청구항들에 의해 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서, 당업자들에게 명백히 인식될 수 있을 것이다.
These and other objects of the present invention will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention by the appended claims.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법은, (A) 비도전성 기판(10) 상의, 도전성 패턴이 형성되어서는 안 되는 부위에 절연 잉크로 도금방지층(20)을 인쇄하는 단계(S100); 및 (B) 상기 기판(10) 상의 도금방지층(20)을 제외한 부분에 선택적인 도금(30)을 직접 행하는 무전해 도금 단계(S200); 를 포함하되, 상기 (B) 단계는, (B2) 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상에 도금층 형성이 잘 되도록 이물질을 제거하는 탈지 단계(S220); (B3) 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상의 도금하고자 하는 부분에 촉매의 활성을 부여하는 촉매 부여 단계(S230); 및 (B4) 상기 기판(10)을 도금용액에 침지하여 상기 도금방지층(20)을 제외한 부분에 선택적인 도금층(30)의 패턴이 선택적으로 형성되도록 하는 동도금 단계(S240); 로 이루어지되, 상기 탈지 단계(B2)는, 0.1~20% 알칼리금속염의 처리액에서 수행하고, 상기 촉매부여 단계(B3)는, 촉매로서의 이온 부여 단계와 환원 단계로 이루어지며, 상기 이온 부여 단계는, 촉매처리액의 pH를 1~4로 유지하면서 수행하는 것을 특징으로 한다.In accordance with an aspect of the present invention, there is provided a pattern forming method using selective electroless plating, comprising the steps of: (A) coating a portion of a non-conductive substrate on which a conductive pattern should not be formed with insulating ink, Printing the preventing layer 20 (S100); (B) an electroless plating step (S200) of directly performing a selective plating (30) on a portion of the substrate (10) other than the plating preventing layer (20); (B2) a degreasing step (S220) for removing foreign substances on the substrate (10) except for the anti-plating layer (20) so that a plating layer can be formed easily; (B3) a catalyst applying step (S230) for imparting catalytic activity to a portion to be plated on the substrate (10) except for the anti-plating layer (20); And (B4) a copper plating step (S240) of dipping the substrate (10) in a plating solution to selectively form a pattern of the plating layer (30) except for the plating preventing layer (20); , Wherein the degreasing step (B2) is performed in a treatment solution of an alkali metal salt of 0.1 to 20%, the catalyst applying step (B3) comprises an ion applying step as a catalyst and a reducing step, Is carried out while maintaining the pH of the catalyst treatment liquid at 1 to 4.

바람직하게는, 상기 (B2) 단계는, 순수 80~99.9중량% 및 알칼리금속염 0.1~20중량%의 혼합액을 15~60℃의 처리액에서 1~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the step (B2) is performed by immersing a mixed solution of 80 to 99.9% by weight of pure water and 0.1 to 20% by weight of an alkali metal salt in a treatment solution at 15 to 60 ° C for 1 to 10 minutes.

또한 바람직하게는, 상기 이온 부여 단계는, 팔라듐 이온 부여 단계이며, 팔라듐 이온공급 용액 10~300 중량부 및 pH 조절제 0~30 중량부를 순수에 혼합하되 전체로서 1000중량부로 맞추어 pH 1~4로 유지한 촉매처리액에 15~60℃의 온도에서 기판을 3~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the ion imparting step is a palladium ion applying step, wherein 10 to 300 parts by weight of a palladium ion supplying solution and 0 to 30 parts by weight of a pH adjusting agent are mixed with pure water, And immersing the substrate in a catalytic treatment liquid at a temperature of 15 to 60 DEG C for 3 to 10 minutes.

더욱 바람직하게는, 상기 팔라듐 이온공급 용액은, 황산팔라듐을 황산에 용해시킨 황산팔라듐 용액으로서, 황산팔라듐 0.1~5 중량부, 황산 10~60중량부, 순수 78~63중량부를 혼합한 것을 특징으로 한다.More preferably, the palladium ion supply solution is a palladium sulfate solution in which palladium sulfate is dissolved in sulfuric acid, wherein 0.1 to 5 parts by weight of palladium sulfate, 10 to 60 parts by weight of sulfuric acid, and 78 to 63 parts by weight of pure water are mixed do.

더욱 바람직하게는, 상기 팔라듐 이온공급 용액은, 황산팔라듐 0.1~5 중량부, 황산 10~60중량부, 롯셀염 1~10 중량부를 순수 78~63중량부에 혼합한 것을 특징으로 한다.More preferably, the palladium ion supply solution is prepared by mixing 0.1 to 5 parts by weight of palladium sulfate, 10 to 60 parts by weight of sulfuric acid, and 1 to 10 parts by weight of Rochelle salt in 78 to 63 parts by weight of pure water.

또한 바람직하게는, 상기 팔라듐 이온 부여 단계는, 팔라듐 이온공급 용액 10~300 중량부, pH 조절제 0.1~30 중량부 및 붕산 0.1~50중량부를 순수에 혼합하되 전체로서 1000중량부로 맞추어 pH 1~4로 유지한 촉매처리액에 15~60℃의 온도에서 기판을 3~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the palladium ion application step is performed by mixing 10 to 300 parts by weight of a palladium ion supply solution, 0.1 to 30 parts by weight of a pH adjuster, and 0.1 to 50 parts by weight of boric acid in pure water, The substrate is immersed for 3 to 10 minutes at a temperature of 15 to 60 캜.

또한 바람직하게는, 상기 환원 단계는, 환원이온용액 1~50 ml 및 pH 조절제 1~50 ml를 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L의 비율로 맞춘 15~30℃의 용액에 기판을 1~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the reducing step is performed by mixing 1 to 50 ml of the reducing ion solution and 1 to 50 ml of the pH adjusting agent in pure water, adding 1 to 10 ml of the substrate to the solution at 15 to 30 ° C, Followed by immersion for a minute.

더욱 바람직하게는, 상기 환원이온용액은, DMAB(dimethylamine borane) 0.05~0.5중량%, 붕산 0.05~5중량% 및 나머지 순수를 혼합한 15~30℃의 용액에 기판을 1~5분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 한다.More preferably, the reducing ion solution is prepared by immersing the substrate in a solution of DMAB (dimethylamine borane) 0.05 to 0.5% by weight, boric acid 0.05 to 5% by weight, and remaining pure water at 15 to 30 ° C for 1 to 5 minutes .

또한 바람직하게는, 상기 (B4) 단계는, 동이온공급원 20~200ml, pH조절제 50~200ml 및 환원제 1~50ml 를 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L가 되도록 혼합한 도금액을 15~35℃로 유지하면서 여기에 기판을 10~60분간 침지하여 수행하며, 상기 동이온공급원은, 황산구리(CuSO4) 10~30중량% 및 황산 1~15중량%를 나머지 중량%의 순수에 혼합한 용액이며, 상기 pH조절제(B)는, 수산화물 10~30중량% 를 나머지 중량%의 순수에 혼합한 것을 특징으로 한다.Preferably, in the step (B4), 20 to 200 ml of a copper ion source, 50 to 200 ml of a pH adjusting agent and 1 to 50 ml of a reducing agent are mixed in pure water, And the substrate is immersed therein for 10 to 60 minutes while the copper ion source is a solution obtained by mixing 10 to 30% by weight of copper sulfate (CuSO 4 ) and 1 to 15% by weight of sulfuric acid in pure water of the remaining weight% The pH adjusting agent (B) is characterized in that 10 to 30% by weight of hydroxides are mixed with the remaining weight% of pure water.

더욱 바람직하게는, 상기 도금액에는, 0.1~30ml의 폴리피롤리돈(polypyrrolidone)류의 안정제 및 0.1~30ml 의 알킬벤젠 술폰산염(alkylbenzene sulfonate)류의 첨가제가 추가되며, 상기 동이온공급원은, 황산구리(CuSO4) 10~30중량% 및 황산 1~15중량% 외에도 착화제로서 글루콘산 0.1~5중량% 및 롯셀염 1~10중량%가 추가되면서 나머지 중량%의 순수가 혼합되어 이루어지며, 상기 pH조절제는, NaOH 10~30중량% 외에도 광택제로서 황산니켈(NiSO4) 1~10중량% 및 착화제로서 롯셀염 10~30중량%가 추가되면서 나머지 중량%의 순수가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.More preferably, the plating solution is added with 0.1 to 30 ml of a polypyrrolidone stabilizer and 0.1 to 30 ml of an alkylbenzene sulfonate additive, and the copper ion source is CuSO 4 4 ) 10 to 30% by weight of sulfuric acid and 1 to 15% by weight of sulfuric acid, 0.1 to 5% by weight of gluconic acid as a complexing agent and 1 to 10% by weight of Rochelle salt are added, (NiSO 4 ) as a brightener and 10-30 wt% of Rochelle salt as a complexing agent are added in addition to 10-30 wt% of NaOH, and the balance of pure water is mixed.

또한 바람직하게는, 상기 절연 잉크는, 알키드 수지(alkyd resin) 25~35 중량%, 멜라민 수지(melamine resine) 5~15 중량%, 무기충전제(inorganic filler) 5~15 중량%, 실리카 파우더(silica powder) 10~20 중량% 및 석유나프타(petroleum naphtha) 15~25 중량% 를 혼합한 것을 특징으로 한다.Preferably, the insulating ink comprises 25 to 35% by weight of an alkyd resin, 5 to 15% by weight of a melamine resin, 5 to 15% by weight of an inorganic filler, 10 to 20% by weight of powder and 15 to 25% by weight of petroleum naphtha.

상기 절연 잉크는, 알키드 수지(alkyd resin) 25~35 중량%, 멜라민 수지(melamine resine) 5~15 중량%, 무기충전제(inorganic filler) 5~15 중량%, 실리카 파우더(silica powder) 10~20 중량% 및 석유나프타(petroleum naphtha) 15~25 중량%에, 5 중량% 미만의 자일렌 수지(xylene resin), 5 중량% 미만의 에폭시 수지(epoxy resine), 3 중량% 미만의 소포(anti-forming) 실리콘 및 5 중량% 미만의 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(propylene glycol monoethyl ether acetate)를 추가한 것을 특징으로 한다.Wherein the insulating ink comprises 25 to 35 wt% of an alkyd resin, 5 to 15 wt% of a melamine resin, 5 to 15 wt% of an inorganic filler, 10 to 20 wt% of a silica powder, Less than 5% by weight xylene resin, less than 5% by weight epoxy resin, less than 3% by weight antioxidant in 15-25% by weight and petroleum naphtha, forming silicone and less than 5% by weight of propylene glycol monoethyl ether acetate.

또한 바람직하게는, 상기 (B2) 단계 이전에, (B1) 레이저 가공이나 화학적 방법에 의해, 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상에 도금이 잘 되도록 요철을 형성하는 전처리 단계(S210); 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, before the step (B2), (B1) a pre-treatment step (S210) of forming irregularities on the substrate (10) excluding the anti-plating layer (20) ); And further comprising:

또한 바람직하게는, 상기 (B) 단계 이후에, (C) 상기 선택적 무전해 도금이 형성된 기판의 전극을 제외한 부분에 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계(S300);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include forming an insulating film on a portion of the substrate on which the selective electroless plating is formed after the step (B), except for the electrode (S300).

또한 바람직하게는, 상기 (C) 단계 이후에, (D) 상기 절연막이 형성되지 않은 전극 부위의 변색 및 부식 방지와 신뢰성을 향상시키기 위해, 금이나 은 또는 이들의 화합물로서 피복하는 피복전극 형성 단계(S400); 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, after the step (C), (D) a step of forming a coated electrode which is coated with gold or silver or a compound thereof to improve discoloration and corrosion prevention and reliability of the electrode part where the insulating film is not formed (S400); And further comprising:

가장 바람직하게는, 상기 (D) 단계는, 상기 전극 부위에 니켈을 도금하고 다시 그 위에 금을 도금하는 것을 특징으로 한다.
Most preferably, in the step (D), nickel is plated on the electrode portion, and gold is further plated on the nickel portion.

한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법을 이용한 센서 스트립 제조 방법은, 상기 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법을 이용한 센서 스트립 제조 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a sensor strip using a pattern forming method using selective electroless plating, to provide.

바람직하게는, 상기 센서는 바이오 센서일 수 있다.
Preferably, the sensor may be a biosensor.

본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 센서 스트립 제조 방법에 따르면, 아주 간단한 방식으로 도전성 패턴을 비도전성 필름 상에 선택적으로 초박형으로 형성할 수 있다.According to the pattern formation method using selective electroless plating and the method of manufacturing a sensor strip using the electroless plating according to the present invention, it is possible to selectively form the conductive pattern on the nonconductive film in a very simple manner.

나아가, 상기 도전성 스트립 중에서 전극이 아닌 부위는 보호층으로 피복하고, 상기 패턴의 전극의 노출 부위는 금이나 기타 산화가 잘 되지 않는 금속이나 그들의 합금으로 피복하여 센서의 내구성을 유지할 수 있게 된다.Furthermore, a portion of the conductive strips not covered with the electrode is covered with a protective layer, and the exposed portion of the patterned electrode is coated with a metal or an alloy thereof, which is not easily oxidized with gold, so that the durability of the sensor can be maintained.

또한, 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방을 이용한 센서 스트립 제조 방법에 따르면, 아주 간단한 방식으로 도전성 패턴을 비도전성 필름 상에 초박형으로 형성하면서, 균일한 두께 및 전기전도도를 유지할 수 있어, 한층 신뢰도가 높은 바이오 센서의 제조가 가능하게 할 수 있다.
According to the method of manufacturing a sensor strip using a pattern forming chamber using selective electroless plating according to the present invention, it is possible to form a conductive pattern on a non-conductive film in a very simple manner while maintaining a uniform thickness and electrical conductivity Therefore, it is possible to manufacture a biosensor with higher reliability.

이외에, 본 발명의 추가적인 특징 및 장점들은 이하의 설명을 통해 더욱 명확히 될 것이다.
In addition, additional features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description.

도 1은 제1 종래기술에 따른 디지타이저 기판의 제조공정에 따라 형성되는 기판의 단면도.
도 2는 제2 종래기술에 따라 제조된 터치 스크린 패널의 단면도.
도 3은 제3 종래기술에 따른 직접 도금에 의한 도전성 박막 소재의 제조방법을 나타낸 순서도.
도 4는 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법의 각 단계를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법의 무전해 도금 단계의 상세 단계를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법의 순서도.
도 7은 본 발명에 따른 절연층 및 피복전극 형성 공정의 상세 단계를 나타내는 도면.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명에 따른 실험예들의 조성비 및 도금 결과 사진.
도 9a 내지 도 9g는 본 발명에 따른 실험예들과 대비되는 비교예들의 조성비 및 도금 결과 사진.1 is a cross-sectional view of a substrate formed according to a manufacturing process of a digitizer substrate according to a first prior art;
2 is a cross-sectional view of a touch screen panel manufactured in accordance with the second prior art;
3 is a flowchart showing a method of manufacturing a conductive thin film material by direct plating according to the third prior art.
4 is a view showing each step of a pattern formation method using selective electroless plating according to the present invention.
5 is a view showing detailed steps of an electroless plating step of a pattern formation method using selective electroless plating according to the present invention.
6 is a flowchart of a pattern formation method using selective electroless plating according to the present invention.
7 is a view showing detailed steps of an insulating layer and a covered electrode forming step according to the present invention.
8A to 8F are photographs of compositional ratios and plating results of the experimental examples according to the present invention.
9A to 9G are photographs of the composition ratio and the plating result of the comparative examples in comparison with the experimental examples according to the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 센서 스트립 제조 방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method for forming a pattern using selective electroless plating according to a preferred embodiment of the present invention and a method for manufacturing a sensor strip using the electroless plating will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 상세한 설명에 앞서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서에서, 후술하는 실시예 및 실시 형태들은 예시로서 제한적이지 않은 것으로 고려되어야 하며, 본 발명은 여기에 주어진 상세로 제한되는 것이 아니라 첨부된 청구항의 범위 및 동등물 내에서 치환 및 균등한 다른 실시예로 변경될 수도 있다.
In the present specification, the following embodiments and embodiments are to be considered as illustrative and not restrictive, and the invention is not to be limited to the details given herein but is to be accorded the scope of the appended claims and their equivalents, May be changed to an example.

도 4는 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법의 각 단계를 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법의 무전해 도금 단계의 상세 단계를 나타내는 도면이며, 도 6은 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법의 순서도이다.FIG. 4 is a view showing each step of a pattern forming method using selective electroless plating according to the present invention, and FIG. 5 is a view showing detailed steps of electroless plating step of a pattern forming method using selective electroless plating according to the present invention And FIG. 6 is a flowchart of a pattern formation method using selective electroless plating according to the present invention.

한편, 도 7은 본 발명에 따른 절연층 및 피복전극 형성 공정의 상세 단계를 나타내는 도면이고, 도 8a 내지 도 8f는 본 발명에 따른 실험예들의 조성비 및 도금 결과 사진이며, 도 9a 내지 도 9g는 본 발명에 따른 실험예들과 대비되는 비교예들의 조성비 및 도금 결과 사진이다.
FIGS. 8A to 8F are photographs of compositional ratios and plating results of the experimental examples according to the present invention. FIGS. 9A to 9G are cross- FIG. 7 is a photograph of a composition ratio and a plating result of Comparative Examples in comparison with Experimental Examples according to the present invention. FIG.

먼저, 본 발명에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 센서 스트립 제조 방법은, 도 4의 (a) 내지 (d) 에 도시된 바와 같이, 도금방지층 인쇄 단계, 무전해 도금 단계, 절연막 형성 단계 및 피복전극 형성 단계를 포함하는바, 이하에서 도 6을 참조하면서, 각 단계별로 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
4 (a) to 4 (d), a pattern forming method using selective electroless plating according to the present invention and a method of manufacturing a sensor strip using the electroless plating according to the present invention, An insulating film forming step and a coated electrode forming step. Hereinafter, referring to FIG. 6, each step will be described in detail.

<< 도금방지층Plating prevention layer 인쇄 단계( Printing step ( S100S100 )) >>

먼저, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, PET 나 PI 등의 기판(10) 상의, 도전성 패턴이 형성되어서는 안 되는 부위에 도금방지층(20)을 인쇄하게 된다. First, as shown in Fig. 4A, the anti-plating layer 20 is printed on a portion of the substrate 10 such as PET or PI where the conductive pattern should not be formed.

상기 도금방지층 형성에 사용되는 잉크는, 절연(IR) 잉크로서, 일례로 알키드 수지(alkyd resin) 25~35 중량%, 멜라민 수지(melamine resine) 5~15 중량%, 무기충전제(inorganic filler) 5~15 중량%, 실리카 파우더(silica powder) 10~20 중량% 및 석유나프타(petroleum naphtha) 15~25 중량% 를 혼합한 절연 잉크를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 여기에 5 중량% 미만의 자일렌 수지(xylene resin), 5 중량% 미만의 에폭시 수지(epoxy resine), 3 중량% 미만의 소포(anti-forming) 실리콘 및/또는 5 중량% 미만의 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(propylene glycol monoethyl ether acetate)를 추가할 수도 있다. 다만, 상기 도금방지층 형성에 사용되는 잉크는, 반드시 이에 한정될 필요는 없고, 일반적인 절연(IR) 잉크면 족하나, 상기 성분비로서 행할 때에 바람직하며, 더욱이 상기 미량의 일부 첨가제를 첨가할 때에 더욱 바람직하다.
The ink used for forming the anti-plating layer is an insulating (IR) ink, for example, 25 to 35 wt% of an alkyd resin, 5 to 15 wt% of a melamine resin, inorganic filler 5 To 15% by weight of silica powder, 10 to 20% by weight of silica powder and 15 to 25% by weight of petroleum naphtha may be used. Preferably, less than 5% by weight of xylene resin, less than 5% by weight of epoxy resin, less than 3% by weight of anti-forming silicone and / or less than 5% Of propylene glycol monoethyl ether acetate may be added. However, the ink used for forming the anti-plating layer is not necessarily limited to this, and is generally used as an insulating (IR) ink. However, it is preferable when the ink is used as the component ratio, and more preferably when adding a small amount of the additive Do.

<< 무전해Electroless 도금 단계( Plating step ( S200S200 )) >>

상기 무전해 도금 단계는, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10) 상의 도금방지층(20)을 제외한 부분에 선택적인 도금(30)을 직접 행하는 단계로서, 더 구체적으로는 도 5의 (a) 에서 (f) 까지를 참조하여 설명한다. The electroless plating step is a step of directly performing a selective plating 30 on a portion of the substrate 10 other than the plating prevention layer 20, as shown in FIG. 4 (b), more specifically, 5 (a) to 5 (f).

일반적인 무전해 도금 단계는, 전처리 단계, 탈지 단계, 에칭 단계, 촉매 부여 단계, 및 동도금 단계를 포함하나, 본 발명에 관한 무전해 도금 단계는, 도 5에 도시된 바와 같이, 에칭 단계를 생략한다.
The general electroless plating step includes a pre-treatment step, a degreasing step, an etching step, a catalyst applying step, and a copper plating step, but the electroless plating step according to the present invention omits the etching step as shown in FIG. 5 .

구체적으로, 상기 전처리 단계는, 도 5의 (a)에서 보는 바와 같이, 공지된 레이저 가공이나 화학적 방법에 의해, 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상에 도금이 잘 되도록 요철을 형성하는 등, 표면 개질을 행하는 단계이다. 다만, 본 발명에서 본 전처리 단계는 필수적인 것은 아니다.
Specifically, as shown in FIG. 5A, the pretreatment step may be performed by forming a concavo-convex pattern on the substrate 10 excluding the anti-plating layer 20 by well-known laser processing or chemical method And the surface is modified. However, the present pretreatment step is not essential.

다음, 상기 탈지 단계는, 도 5의 (b)에서 보는 바와 같이, 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상에 도금층 형성이 잘 되도록 이물질(특히 유기물)을 제거하고 탈지 하이드로필릭(hydrophilic) 첨가제를 추가하여 기판에 친수성기를 도입하는 단계이다.Next, in the degreasing step, as shown in FIG. 5 (b), foreign substances (especially organic substances) are removed to form a plating layer on the substrate 10 except for the anti-plating layer 20, and then a degreasing hydrophilic ) Additive is added to introduce a hydrophilic group into the substrate.

구체적으로는, 알칼리금속염 1~200g (바람직하게는 5~160g)을 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L가 되도록 혼합한 알칼리금속염 용액을 15~60℃ 로 유지하면서, 여기에 기판을 1~10분간 (바람직하게는, 1~5분간) 침지하여 수행한다.Concretely, the alkali metal salt solution, which is mixed with 1 to 200 g (preferably 5 to 160 g) of the alkali metal salt in pure water and mixed so that the total solution becomes 1 L, is held at 15 to 60 캜, Followed by immersion for a minute (preferably, for 1 to 5 minutes).

이때, 상기 알칼리금속염은 KOH 혹은 NaOH 등이 가능하며, 바람직하게는 KOH가 좋다.At this time, the alkali metal salt may be KOH or NaOH, preferably KOH.

바람직하게는, 상기 탈지를 위한 알칼리금속염 용액에는, 알칼리금속염 용액 1L에 대해, 알칼리아민 (일례로, monoethanolamine) 1~100ml 및/또는 계면활성제 (일례로, mono ethylene glycol) 1~50ml를 추가로 혼합할 수 있다.
Preferably, 1 to 100 ml of an alkali amine (for example, monoethanolamine) and / or 1 to 50 ml of a surfactant (for example, mono ethylene glycol) are added to 1 liter of the alkali metal salt solution for the degreasing alkali metal salt solution Can be mixed.

이후, 상술한 촉매부여 단계는, 촉매로서의 팔라듐 이온 부여 단계와 환원 단계로 이루어지는바, 먼저, 팔라듐 이온 부여 단계는, 도 5의 (c)에서 보는 바와 같이, 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상의 도금하고자 하는 부분에 팔라듐 촉매의 활성을 부여하여 미도금 및 과도금을 방지하는 단계로서, 분말상의 황산팔라듐이나 염화팔라듐과 같은 팔라듐염을 묽은 황산과 같은 묽은 산 용액에 용해시킨 팔라듐 이온 공급액 10~300g (바람직하게는 40~150g) 및 수산화물(바람직하게는, NaOH) 0~30g을 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L가 되도록 혼합하고 15~60℃로 유지하는 촉매처리액에 기판을 3~10분간 침지하여 수행하게 된다. 5 (c), the palladium ion application step is carried out in such a manner that the palladium ions are applied to the substrate except for the anti-plating layer 20, (10), the step of applying a palladium catalyst to the portion to be plated to prevent unplated and over-plating is characterized in that a palladium salt such as palladium sulfate or palladium chloride in powder form is dissolved in a dilute acid solution such as dilute sulfuric acid (10 to 300 g, preferably 40 to 150 g) and 0 to 30 g of hydroxide (preferably, NaOH) are mixed in pure water so that the total solution becomes 1 L, and the mixture is maintained at 15 to 60 ° C. The substrate is immersed for 3 to 10 minutes.

이때, 상기 팔라듐 이온 공급액은, 황산팔라듐과 같은 팔라듐염 0.1~5 중량부, 황산이나 염산 10~60중량부, 순수 78~63중량부를 혼합한 액이며, 여기에 1~10중량부의 롯셀염을 혼합하기도 한다.The palladium ion supply liquid is a solution obtained by mixing 0.1 to 5 parts by weight of a palladium salt such as palladium sulfate, 10 to 60 parts by weight of sulfuric acid or hydrochloric acid, and 78 to 63 parts by weight of pure water, and 1 to 10 parts by weight of Rochelle salt It also mixes.

아울러, 상기 촉매처리액에는, 촉매처리액 1L에 대해 붕산 0~50g을 추가로 혼합하기도 한다.Further, 0 to 50 g of boric acid may be further added to 1 L of the catalyst treatment solution in the above catalyst treatment solution.

중요한 점은, 상기 촉매처리액의 pH가 1~4로 유지되어야 하는바, 상기 촉매처리액의 pH를 1로 유지하는 경우에는 상기 수산화물(바람직하게는, NaOH)이 들어가지 않아도 되며, 한편, 상기 팔라듐 이온 공급액과 상기 수산화물의 비율을 맞추어 상기 촉매처리액의 pH가 4를 넘지 않도록 하여야 한다.
Importantly, the pH of the catalyst treatment liquid must be maintained at 1 to 4. When the pH of the catalyst treatment solution is maintained at 1, the hydroxide (preferably, NaOH) may not be added. On the other hand, The pH of the catalyst treatment solution should not exceed 4 by adjusting the ratio of the palladium ion supply solution and the hydroxide.

다음, 상기 환원 단계는, 도 5의 (d)에서 보는 바와 같이, 상기 촉매로서의 이온 흡착된 팔라듐 이온을 환원시키는 단계인바, 결국, 상기 촉매 이온 부여 단계 및 상기 환원 단계는, 기판의 도금하고자 하는 부위에 팔라듐 촉매를 흡착시켜 감수성을 부여하고 팔라듐 촉매를 활성화하여 시드(Seed) 역할을 수행할 수 있게 하는 단계이다.5 (d), the reducing step is a step of reducing the ion-adsorbed palladium ions as the catalyst, and consequently, the catalytic ion supplying step and the reducing step are steps of To allow the palladium catalyst to be adsorbed to the surface, thereby activating the palladium catalyst to perform a seed function.

상기 환원 단계는, 구체적으로 환원 이온 용액 1~50ml (바람직하게는 2~10ml)와 pH 조절제(일례로 붕산) 1~50g (바람직하게는 2~10g)를 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L가 되도록 혼합한 처리액을 15~30℃ 로 유지하면서, 여기에 기판을 1~10분간 침지하여 수행한다.Specifically, 1 to 50 ml (preferably 2 to 10 ml) of a reducing ion solution and 1 to 50 g (preferably 2 to 10 g) of a pH adjusting agent (for example, boric acid) are mixed in pure water, And the substrate is immersed in this for 1 to 10 minutes while maintaining the treatment liquid at 15 to 30 캜.

이때, 상기 환원 이온 용액은, 붕소화합물 (예를들어, DMAB(dimethylamine borane, 아민보론, 붕소나트륨, 등) 5~30중량% (바람직하게는 10~20중량%) 및 순수70~95중량% (바람직하게는 80~90중량%)를 혼합한 용액이다.
At this time, the reducing ion solution may contain 5 to 30% by weight (preferably 10 to 20% by weight) of a boron compound (for example, dimethylamine borane, amine boron, sodium boron and the like) and 70 to 95% (Preferably 80 to 90% by weight).

이후, 상기 동도금 단계는, 도 5의 (e) 및 (f)에서 보는 바와 같이, 동이온공급원(A) 20~200ml, pH조절제(B) 50~200ml 및 환원제(일례로, 포르말린) 1~50ml 를 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L가 되도록 혼합한 도금액을 15~35℃로 유지하면서 여기에 기판을 10~60분간 침지하여 수행하게 된다.5 (e) and FIG. 5 (f), the copper plating step is carried out by mixing 20 to 200 ml of the copper ion source A, 50 to 200 ml of the pH adjusting agent B and 1 to 200 ml of a reducing agent (for example, formalin) And the substrate is immersed in the plating solution for 10 to 60 minutes while maintaining the plating solution at 15 to 35 ° C.

상기 동이온공급원(A)은, 황산구리(CuSO4) 10~30중량% 및 황산 1~15중량%를 나머지 중량%의 순수에 혼합한 용액이며, 경우에 따라 착화제로서 글루콘산 0.1~5중량% 및/또는 롯셀염 1~10중량%가 추가될 수 있는바, 이때 순수의 함량은 그만큼 줄어들게 된다.The copper ion source A is a solution obtained by mixing 10 to 30% by weight of copper sulfate (CuSO 4 ) and 1 to 15% by weight of sulfuric acid in the remaining pure water by weight, and if necessary, 0.1 to 5 wt% % And / or Rochelle's salt of 1 to 10% by weight, and the content of pure water is reduced accordingly.

상기 pH조절제(B)는, 수산화물(바람직하게는, NaOH) 10~30중량% 를 나머지 중량%의 순수에 혼합하되, 경우에 따라 광택제로서 황산니켈(NiSO4) 1~10중량% 및/또는 착화제로서 롯셀염 10~30중량%를 추가할 수 있는바, 역시 이때 순수의 함량은 그만큼 줄어들게 된다.The pH adjusting agent (B) may be prepared by mixing 10 to 30% by weight of a hydroxide (preferably NaOH) into the remaining pure water by weight, optionally adding 1 to 10% by weight of nickel sulfate (NiSO 4 ) 10 to 30% by weight of Rochelle salt can be added as a complexing agent, and the content of pure water is reduced accordingly.

한편, 상기 도금액에는, 폴리피롤리돈(polypyrrolidone)류의 안정제(M)가 0.1~30ml 만큼 추가될 수 있는바, 일례로 'polypyrrolidone K-30' 0.01~5중량%가 나머지 중량%의 순수에 혼합되어 사용될 수 있다.Meanwhile, 0.1 to 30 ml of polypyrrolidone stabilizer (M) may be added to the plating solution. For example, 0.01 to 5% by weight of 'polypyrrolidone K-30' is mixed with the remaining weight% of pure water Can be used.

추가적으로, 상기 도금액에는, 'alkylbenzene sulfonate류의 첨가제(S)가 0.1~30ml 만큼 추가될 수 있는바, 일례로 'Dodecylbenzenesulfonic acid, sodium salt' 0.01~5중량%가 나머지 중량%의 순수에 혼합되어 사용될 수 있다.In addition, 0.1 to 30 ml of an alkylbenzene sulfonate additive (S) may be added to the plating solution. For example, 0.01 to 5% by weight of 'Dodecylbenzenesulfonic acid, sodium salt' .

그리하여, 도 5의 (e)에서 보는 바와 같이, 팔라듐 흡착 표면에 구리 이온이 환원되어 1차 구리층이 생성되며, 도 5의 (f)에서 보는 바와 같이, 1차 구리층을 촉매로 하여 연쇄적으로 구리 이온이 환원되어 2차 및 3차의 구리층이 형성됨으로써 무전해 구리 도금이 생성된다.
5 (e), copper ions are reduced on the palladium-adsorbed surface to produce a primary copper layer. As shown in FIG. 5 (f), the primary copper layer is used as a catalyst The copper ions are reduced to form secondary and tertiary copper layers, resulting in electroless copper plating.

본 발명에서, 가장 중요한 점은, 이러한 구리 도금이 도금방지층 상에는 형성이 되지 않아야 하며, 역으로 도금방지층을 제외한 기판에는 도금이 균일하게 형성되어야 한다는 '선택적 도금'이 핵심인데, 이는 탈지 단계에서의 알칼리금속염의 함량 및 촉매 부여 단계에서의 pH가 가장 중요하다. 일반적인 촉매 부여 단계는, pH 10~12의 알칼리 용액에서 수행하는 것이나, 본 발명은 pH 1~4의 강산성 용액에서 수행하게 된다. 추가적으로, 이는 탈지단계에서의 알칼리 금속염의 함량이 0.1~20중량%를 벗어나지 않아야 함을 전제로 한다.In the present invention, the most important point is that such copper plating should not be formed on the plating prevention layer, and conversely, the 'selective plating' that the plating should be uniformly formed on the substrate except for the plating prevention layer is essential. The content of the alkali metal salt and the pH in the catalyst application step are most important. The general catalyst application step is carried out in an alkali solution of pH 10 to 12, but the present invention is carried out in a strong acid solution of pH 1 to 4. In addition, it is premised that the content of alkali metal salt in the degreasing step should not exceed 0.1 to 20% by weight.

이를 확인하는 사진 및 실험예들을 이하 도 6 및 도 8a 내지 도 8f를 참조하여, 그리고 이와 대비되는 비교예들을 도 9a 내지 도 9g를 참조하여 상술한다.
Photographs and experimental examples confirming this will be described below with reference to FIG. 6 and FIGS. 8A to 8F, and comparative examples with reference to FIGS. 9A to 9G.

실험예Experimental Example 1 One

상기 탈지 단계를, KOH 5g 을 순수 995ml에 용해한 0.5% 알칼리금속염 용액을 실온으로 유지하면서, 여기에 기판을 1분간 침지하여 수행하고, The degreasing step was carried out by immersing the substrate for 1 minute while maintaining the 0.5% alkali metal salt solution in which 5 g of KOH was dissolved in 995 ml of pure water at room temperature,

상기 촉매부여 단계를, 팔라듐 이온 공급액 150ml, 25% NaOH 10ml, 붕산 1g을 순수 839ml에 혼합하여 pH를 1로 맞추고 실온에서 5분간 침지하여 수행하고 (이때, 상기 팔라듐 이온 공급액은, 황산팔라듐 1중량%, 황산 20중량%, 롯셀염 5중량% 및 순수 74중량%를 혼합한 것임),The catalyst application step was carried out by mixing 150 ml of a palladium ion feed solution, 10 ml of 25% NaOH and 1 g of boric acid into 839 ml of pure water, adjusting the pH to 1 and immersing the mixture at room temperature for 5 minutes %, Sulfuric acid 20 wt%, Rochelle salt 5 wt%, and pure water 74 wt%),

상기 환원 단계는, 환원 이온 용액 5ml, 붕산 5g 을 순수 990ml에 혼합한 처리액을 실온으로 유지하면서, 여기에 기판을 5분간 침지하여 수행하였으며 (이때, 상기 환원 이온 용액은, DMAB 10중량% 및 순수 90중량%를 혼합한 것임), The reducing step was carried out by immersing the substrate for 5 minutes in a treating solution prepared by mixing 5 ml of a reducing ionic solution and 5 g of boric acid in 990 ml of pure water at room temperature, 90% by weight pure water)

상기 동도금 단계는, 동이온공급원(A) 30ml, pH조절제(B) 62ml, 안정제(M) 1 ml, 첨가제(S) 1 ml, 환원제(포르말린) 5 ml 를 순수 901 ml에 혼합한 도금액을 실온으로 유지하면서 여기에 기판을 15분간 침지하여 수행하였다 (이때, 상기 동이온공급원(A)은, 황산구리(CuSO4) 19중량%, 황산 5중량%, 글루콘산 2중량%, 롯셀염 3중량% 및 순수 71중량%를 혼합한 용액이며, 상기 pH조절제(B)는, NaOH 14중량%, 광택제로서 황산니켈(NiSO4) 3중량%, 착화제로서 롯셀염 19중량% 및 순수 64중량%를 혼합한 것이고, 상기 안정제(M)는 'polypyrrolidone K-30' 0.1중량% 및 순수 99.9중량%를 혼합한 것이며, 상기 첨가제(S)는 'Dodecylbenzenesulfonic acid, sodium salt' 0.1중량% 및 순수 99.9중량%를 혼합한 것임).In the copper plating step, a plating solution obtained by mixing 30 ml of the copper ion source A, 62 ml of the pH adjuster (B), 1 ml of the stabilizer (M), 1 ml of the additive (S) and 5 ml of the reducing agent (formalin) (CuSO 4 ), 5 wt% of sulfuric acid, 2 wt% of gluconic acid, 3 wt% of Rochelle's salt, and the substrate was immersed therein for 15 minutes. And 19% by weight of pure water as a complexing agent and 64% by weight of pure water as a complexing agent. The pH adjusting agent (B) is a solution containing 14% by weight of NaOH, 3% by weight of nickel sulfate (NiSO 4 ) 0.1% by weight of dodecylbenzenesulfonic acid, sodium salt and 99.9% by weight of pure water, and the stabilizer (M) is a mixture of 0.1% by weight of polypyrrolidone K-30 and 99.9% by weight of pure water, Lt; / RTI &gt;

실험예1의 결과는, 다음 <표 2> 및 도 8a에 나타나 있다. 반짝이는 부분의 도금 부분과 그렇지 않은 도금방지층의 구별이 확실하며, 선택적 도금이 성공적으로 이루어졌음을 확인할 수 있다.
The results of Experimental Example 1 are shown in the following Table 2 and FIG. 8A. It can be seen that the plating part of the sparkling part is distinguished from the non-plating prevention layer and the selective plating is successfully performed.

실험예Experimental Example 2 2

탈지 단계에서 1% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 2로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 8b에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 8b에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 성공적으로 이루어졌음을 확인할 수 있다.
Except that 1% alkali metal salt was used in the degreasing step, and the pH was maintained at 2 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 8B. As shown in Table 2 and FIG. 8B, it can be confirmed that the selective plating was successfully performed.

실험예Experimental Example 3 3

탈지 단계에서 5% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 3으로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 8c에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 8c에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 성공적으로 이루어졌음을 확인할 수 있다.
Except that 5% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 3 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 8C. As shown in Table 2 and FIG. 8C, it can be confirmed that the selective plating was successfully performed.

실험예Experimental Example 4 4

탈지 단계에서 5% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 4로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 8d에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 8d에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 성공적으로 이루어졌음을 확인할 수 있다.
Except that 5% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 4 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 8D. As shown in Table 2 and FIG. 8D, it can be confirmed that the selective plating was successfully performed.

실험예Experimental Example 5 5

탈지 단계에서 20% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 1로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다 (처리액의 온도 및 처리 시간이 다소 달라졌으나, 큰 변수는 아님). 구체적인 함량은 도 8e에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 8e에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 성공적으로 이루어졌음을 확인할 수 있다.
The results are almost the same as those of Experimental Example 1, except that 20% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 1 in the catalyst-imparting step (the temperature and treatment time of the treating solution were somewhat different, Not a variable). The specific content is as shown in FIG. 8E. As shown in Table 2 and FIG. 8E, it can be confirmed that the selective plating was successfully performed.

실험예Experimental Example 6 6

탈지 단계에서 20% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 3으로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다 (처리 시간이 다소 달라졌으나, 큰 변수는 아님). 구체적인 함량은 도 8f에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 8f에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 성공적으로 이루어졌음을 확인할 수 있다.
Except that 20% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 3 in the catalyst-feeding step (almost the same as in Experimental Example 1). The specific content is as shown in FIG. 8F, and it can be confirmed that the selective plating has been successfully performed, as shown in Table 2 and FIG. 8F.

비교예Comparative Example 1 One

탈지 단계에서 50% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 2로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 비슷하다. 구체적인 함량은 도 9a에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9a에 나타나 있는 바와 같이, 도금방지층에도 도금이 되어 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 50% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 2 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 9A. As shown in Table 2 and FIG. 9A, it can be confirmed that the plating prevention layer is also plated and the selective plating fails.

비교예Comparative Example 2 2

탈지 단계에서 30% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 4로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 비슷하다. 구체적인 함량은 도 9b에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9b에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 30% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 4 in the catalyst addition step. The specific content is as shown in FIG. 9B, and it can be confirmed that the selective plating has failed as shown in Table 2 and FIG. 9B.

비교예Comparative Example 3 3

탈지 단계에서 30% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 6으로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 9c에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9c에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 30% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 6 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 9c, and it can be confirmed that the selective plating has failed as shown in Table 2 and FIG. 9c.

비교예Comparative Example 4 4

탈지 단계에서 50% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 6으로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 9d에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9d에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 50% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 6 in the catalyst feeding step. The specific content is as shown in FIG. 9d, and it can be confirmed that selective plating has failed as shown in Table 2 and FIG. 9d.

비교예Comparative Example 5 5

탈지 단계에서 5% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 10으로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 9e에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9e에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 5% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 10 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 9E, and it can be confirmed that selective plating has failed as shown in Table 2 and FIG. 9E.

비교예Comparative Example 6 6

탈지 단계에서 10% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 11로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 9f에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9f에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 10% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 11 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 9F, and it can be confirmed that selective plating has failed as shown in <Table 2> and FIG. 9F.

비교예Comparative Example 7 7

탈지 단계에서 5% 알칼리금속염을 사용하고, 촉매부여 단계에서 pH를 12로 유지하였다는 점을 제외하고는, 대부분 실험예 1과 거의 동일하다. 구체적인 함량은 도 9g에서 보는 바와 같으며, 역시 <표 2> 및 도 9g에 나타나 있는 바와 같이, 선택적 도금이 실패하였음을 확인할 수 있다.
Except that 5% alkali metal salt was used in the degreasing step and the pH was maintained at 12 in the catalyst application step. The specific content is as shown in FIG. 9g, and it can be confirmed that selective plating has failed as shown in Table 2 and FIG. 9g.

<< 절연막 형성 단계(Insulating film forming step ( S300S300 )) >>

이제, 선택적 무전해 도금이 형성된 기판의 전극을 제외한 부분에 절연막을 형성하게 된다.Now, the insulating film is formed on the portion of the substrate on which the electroless plating is formed except the electrode.

절연막 형성 단계는, 도 4의 (c)와 도 7의 (a)에서 보는 바와 같이, 상기 기판의 전극 부분을 제외한 부분에 절연 잉크로서 절연막을 형성하는바, 공지된 일반적인 절연막 형성 공정과 동일하게 수행한다.
As shown in FIGS. 4C and 7A, in the insulating film forming step, an insulating film is formed as an insulating ink in a portion excluding the electrode portion of the substrate, and in the same manner as the general insulating film forming step known in the art .

<< 피복전극 형성 단계(Coated electrode formation step ( S400S400 )) >>

마지막으로 상기 피복전극 형성 단계는, 도 4의 (d)와 도 7의 (b) 및 (c)에서 보는 바와 같이, 상기 절연막이 형성되지 않은 전극 부위의 변색 및 부식 방지와 신뢰성을 향상시키기 위해, 금이나 은 또는 이들의 화합물로서 피복하는 단계로서, 일반적인 전극 무전해 도금 방식을 사용하면 된다. Finally, as shown in FIG. 4 (d) and FIG. 7 (b) and FIG. 7 (c), in order to prevent discoloration and corrosion of the electrode portion where no insulating film is formed and to improve reliability , Gold, silver, or a compound thereof, a general electrode electroless plating method may be used.

일례로, 도 7의 (b)에서 보는 바와 같이, 상기 절연막이 형성되지 않은 전극 부위의 동도금 층 상에 니켈 도금을 형성하고, 도 7의 (c)에서 보는 바와 같이, 상기 절연막이 형성되지 않은 전극 부위의 니켈 도금층 상에 무전해 금도금을 형성하면 되는바, 이는 금속층에만 도금층을 형성하는 주지의 기술을 사용하면 된다. For example, as shown in FIG. 7B, nickel plating is formed on the copper plating layer of the electrode portion where the insulating film is not formed, and as shown in FIG. 7C, Electroless gold plating may be formed on the nickel plating layer at the electrode site, which may be accomplished by a well-known technique of forming a plating layer only on the metal layer.

그리하여, 피복된 금도금층으로 인하여, 도금된 전극 분위의 변색 및 부식을 방지한다.
Thus, the coated gold-plated layer prevents discoloration and corrosion of the plated electrode pouch.

이상의 실험예 및 비교예에 따른 실험과 그 결과를 <표 1> 및 <표 2>에 도시한다.
Experiments and results according to the above-mentioned Experimental Examples and Comparative Examples are shown in <Table 1> and <Table 2>.

Figure 112016001628222-pat00001
Figure 112016001628222-pat00001

Figure 112016001628222-pat00002
Figure 112016001628222-pat00002

상기 <표 1> 및 <표 2>에서, 적색 박스 안이 실험예이고, 그 외에는 비교예인바, 실험예1 내지 실험예6의 경우에는, 탈지 단계의 농도 및 촉매 단계의 pH가 적정 범위 내에 있는 경우의 실험예이고, 비교예1, 비교예2 비교예4는 탈지 단계의 농도가 적정 범위를 벗어난 경우의 비교예이며 (비교예4는 모두 벗어난 경우임), 비교예3, 비교예5 내지 비교예7은 촉매 단계의 pH가 적정 범위를 벗어난 경우의 비교예이다.
In the case of Examples 1 to 6, which are comparative examples, the concentration of the degreasing step and the pH of the catalyst step are within an appropriate range in Table 1 and Table 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 Comparative Example 4 are Comparative Examples in which the concentration of the degreasing step is out of the appropriate range (Comparative Example 4 is all deviated), Comparative Example 3, Comparative Examples 5 and 6, Comparative Example 7 is a comparative example in which the pH of the catalyst step is out of the appropriate range.

이상에서는 본 발명의 일실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Of course.

Claims (18)

(A) 비도전성 기판(10) 상의, 도전성 패턴이 형성되어서는 안 되는 부위에 절연 잉크로 도금방지층(20)을 인쇄하는 단계(S100); 및
(B) 상기 기판(10) 상의 도금방지층(20)을 제외한 부분에 선택적인 도금(30)을 직접 행하는 무전해 도금 단계(S200);
를 포함하되,
상기 (B) 단계는,
(B2) 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상에 도금층 형성이 잘 되도록 이물질을 제거하고 탈지 하이드로필릭 첨가제를 추가하여 기판에 친수성기를 도입하는 탈지 단계(S220);
(B3) 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상의 도금하고자 하는 부분에 촉매의 활성을 부여하는 촉매 부여 단계(S230); 및
(B4) 상기 기판(10)을 도금용액에 침지하여 상기 도금방지층(20)을 제외한 부분에 선택적인 도금층(30)의 패턴이 선택적으로 형성되도록 하는 동도금 단계(S240);
로 이루어지되,
상기 절연 잉크는, 알키드 수지(alkyd resin) 25~35 중량%, 멜라민 수지(melamine resine) 5~15 중량%, 무기충전제(inorganic filler) 5~15 중량%, 실리카 파우더(silica powder) 10~20 중량% 및 석유나프타(petroleum naphtha) 15~25 중량% 를 혼합한 것이며,
상기 탈지 단계(B2)는, 0.1~20% 알칼리금속염의 처리액에서 수행하고,
상기 촉매부여 단계(B3)는, 촉매로서의 이온 부여 단계와 환원 단계로 이루어지며,
상기 이온 부여 단계는, 촉매처리액의 pH를 1~4로 유지하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.(A) printing (S100) the anti-plating layer 20 on the non-conductive substrate 10 with the insulating ink on a portion where the conductive pattern should not be formed; And
(B) an electroless plating step (S200) of directly performing a selective plating (30) on a portion of the substrate (10) other than the plating preventing layer (20);
, &Lt; / RTI &
The step (B)
(B2) a degassing step (S220) of removing a foreign substance so that a plating layer can be formed on the substrate (10) except for the anti-plating layer (20) and adding a degreasing hydrolytic additive to introduce a hydrophilic group into the substrate;
(B3) a catalyst applying step (S230) for imparting catalytic activity to a portion to be plated on the substrate (10) except for the anti-plating layer (20); And
(B4) a copper plating step (S240) of dipping the substrate (10) in a plating solution to selectively form a pattern of a plating layer (30) except for the plating preventing layer (20);
Lt; / RTI &gt;
Wherein the insulating ink comprises 25 to 35 wt% of an alkyd resin, 5 to 15 wt% of a melamine resin, 5 to 15 wt% of an inorganic filler, 10 to 20 wt% of a silica powder, By weight and 15 to 25% by weight of petroleum naphtha,
The degreasing step (B2) is carried out in a treatment liquid of 0.1 to 20% alkali metal salt,
The catalyst application step (B3) comprises an ion application step as a catalyst and a reduction step,
Wherein the ion implantation step is carried out while maintaining the pH of the catalyst treatment solution at 1 to 4. 제 1 항에 있어서,
상기 (B2) 단계는,
순수 80~99.9중량% 및 알칼리금속염 0.1~20중량%의 혼합액을 15~60℃의 처리액에서 1~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
The step (B2)
Wherein a mixed solution of 80 to 99.9% by weight of pure water and 0.1 to 20% by weight of an alkali metal salt is immersed in a treatment solution at 15 to 60 ° C for 1 to 10 minutes. 제 1 항에 있어서,
상기 이온 부여 단계는, 팔라듐 이온 부여 단계이며, 팔라듐 이온공급 용액 10~300 중량부 및 pH 조절제 0~30 중량부를 순수에 혼합하되 전체로서 1000중량부로 맞추어 pH 1~4로 유지한 촉매처리액에 15~60℃의 온도에서 기판을 3~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
The ion applying step is a step of supplying palladium ions, wherein 10 to 300 parts by weight of a palladium ion supplying solution and 0 to 30 parts by weight of a pH adjusting agent are mixed with pure water, and the mixture is adjusted to 1000 parts by weight as a whole to maintain a pH of 1 to 4, Wherein the substrate is immersed at a temperature of 15 to 60 DEG C for 3 to 10 minutes to perform patterning using selective electroless plating. 제 3 항에 있어서,
상기 팔라듐 이온공급 용액은, 황산팔라듐을 황산에 용해시킨 황산팔라듐 용액으로서, 황산팔라듐 0.1~5 중량부, 황산 10~60중량부, 순수 78~63중량부를 혼합한 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method of claim 3,
Wherein the palladium ion supply solution is a palladium sulfate solution in which palladium sulfate is dissolved in sulfuric acid, wherein 0.1 to 5 parts by weight of palladium sulfate, 10 to 60 parts by weight of sulfuric acid, and 78 to 63 parts by weight of pure water are mixed &Lt; / RTI &gt; 제 4 항에 있어서,
상기 팔라듐 이온공급 용액은, 황산팔라듐 0.1~5 중량부, 황산 10~60중량부, 롯셀염 1~10 중량부를 순수 78~63중량부에 혼합한 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the palladium ion supply solution is prepared by mixing 0.1 to 5 parts by weight of palladium sulfate, 10 to 60 parts by weight of sulfuric acid, and 1 to 10 parts by weight of Rochelle salt in 78 to 63 parts by weight of pure water. Way. 제 3 항에 있어서,
상기 팔라듐 이온 부여 단계는, 팔라듐 이온공급 용액 10~300 중량부, pH 조절제 0.1~30 중량부 및 붕산 0.1~50중량부를 순수에 혼합하되 전체로서 1000중량부로 맞추어 pH 1~4로 유지한 촉매처리액에 15~60℃의 온도에서 기판을 3~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method of claim 3,
The palladium ion application step may be performed by adding 10 to 300 parts by weight of a palladium ion supply solution, 0.1 to 30 parts by weight of a pH adjusting agent and 0.1 to 50 parts by weight of boric acid to pure water, adjusting the total weight to 1000 parts by weight, Wherein the substrate is immersed in the solution at a temperature of 15 to 60 DEG C for 3 to 10 minutes. 제 1 항에 있어서,
상기 환원 단계는,
환원이온용액 1~50 ml 및 pH 조절제 1~50 ml를 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L의 비율로 맞춘 15~30℃의 용액에 기판을 1~10분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
The reducing step comprises:
And 1 to 50 ml of a reducing ionic solution and 1 to 50 ml of a pH adjusting agent are mixed in pure water and the substrate is immersed in a solution at 15 to 30 ° C for 1 to 10 minutes at a ratio of 1 L of the total solution, Pattern formation method using electroless plating. 제 7 항에 있어서,
상기 환원이온용액은, DMAB(dimethylamine borane) 0.05~0.5중량%, 붕산 0.05~5중량% 및 나머지 순수를 혼합한 15~30℃의 용액에 기판을 1~5분간 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the reducing ion solution is performed by immersing the substrate in a solution at 15 to 30 캜 in which 0.05 to 0.5% by weight of DMAB (dimethylamine borane), 0.05 to 5% by weight of boric acid and the remaining pure water are mixed, for 1 to 5 minutes Method for pattern formation using selective electroless plating. 제 1 항에 있어서,
상기 (B4) 단계는, 동이온공급원 20~200ml, pH조절제 50~200ml 및 환원제 1~50ml 를 순수에 혼합하되, 전체 용액이 1L가 되도록 혼합한 도금액을 15~35℃로 유지하면서 여기에 기판을 10~60분간 침지하여 수행하며,
상기 동이온공급원은, 황산구리(CuSO4) 10~30중량% 및 황산 1~15중량%를 나머지 중량%의 순수에 혼합한 용액이며,
상기 pH조절제는, 수산화물 10~30중량% 를 나머지 중량%의 순수에 혼합한 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
In the step (B4), 20 to 200 ml of the copper ion source, 50 to 200 ml of the pH adjusting agent, and 1 to 50 ml of the reducing agent are mixed in pure water. While the plating solution is mixed at a temperature of 15 to 35 ° C, For 10 to 60 minutes,
The copper ion supply source is a solution obtained by mixing 10 to 30% by weight of copper sulfate (CuSO 4 ) and 1 to 15% by weight of sulfuric acid in the remaining pure water,
Wherein the pH adjusting agent is prepared by mixing 10 to 30% by weight of hydroxide with pure water of the remaining weight%. 제 9 항에 있어서,
상기 도금액에는, 0.1~30ml의 폴리피롤리돈(polypyrrolidone)류의 안정제 및 0.1~30ml 의 알킬벤젠 술폰산염(alkylbenzene sulfonate)류의 첨가제가 추가되며,
상기 동이온공급원은, 황산구리(CuSO4) 10~30중량% 및 황산 1~15중량% 외에도 착화제로서 글루콘산 0.1~5중량% 및 롯셀염 1~10중량%가 추가되면서 나머지 중량%의 순수가 혼합되어 이루어지며,
상기 pH조절제는, NaOH 10~30중량% 외에도 광택제로서 황산니켈(NiSO4) 1~10중량% 및 착화제로서 롯셀염 10~30중량%가 추가되면서 나머지 중량%의 순수가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.10. The method of claim 9,
To the plating solution, 0.1 to 30 ml of a stabilizer of polypyrrolidone type and 0.1 to 30 ml of an alkylbenzene sulfonate additive are added,
In addition to 10 to 30% by weight of copper sulfate (CuSO 4 ) and 1 to 15% by weight of sulfuric acid, the copper ion source is added with 0.1 to 5% by weight of gluconic acid as a complexing agent and 1 to 10% by weight of Rochelle salt, Are mixed,
In addition to 10-30% by weight of NaOH, 1 to 10% by weight of nickel sulfate (NiSO 4 ) as a brightener and 10-30% by weight of Rochelle salt as a complexing agent are added to the pH adjusting agent, Wherein the pattern is formed by selective electroless plating. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 절연 잉크는, 알키드 수지(alkyd resin) 25~35 중량%, 멜라민 수지(melamine resine) 5~15 중량%, 무기충전제(inorganic filler) 5~15 중량%, 실리카 파우더(silica powder) 10~20 중량% 및 석유나프타(petroleum naphtha) 15~25 중량%에, 5 중량% 미만의 자일렌 수지(xylene resin), 5 중량% 미만의 에폭시 수지(epoxy resine), 3 중량% 미만의 소포(anti-forming) 실리콘 및 5 중량% 미만의 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(propylene glycol monoethyl ether acetate)를 추가한 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the insulating ink comprises 25 to 35 wt% of an alkyd resin, 5 to 15 wt% of a melamine resin, 5 to 15 wt% of an inorganic filler, 10 to 20 wt% of a silica powder, Less than 5% by weight xylene resin, less than 5% by weight epoxy resin, less than 3% by weight antioxidant in 15-25% by weight and petroleum naphtha, forming silicone and less than 5% by weight of propylene glycol monoethyl ether acetate are added to the pattern forming method. 제 1 항에 있어서,
상기 (B2) 단계 이전에,
(B1) 레이저 가공이나 화학적 방법에 의해, 상기 도금방지층(20)을 제외한 기판(10) 상에 도금이 잘 되도록 요철을 형성하는 전처리 단계(S210);
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
Prior to the step (B2)
(B1) a preprocessing step (S210) of forming irregularities on the substrate (10) excluding the anti-plating layer (20) by laser processing or chemical method so as to be well plated;
Wherein the pattern is formed by selective electroless plating. 제 1 항에 있어서,
상기 (B) 단계 이후에,
(C) 상기 선택적 무전해 도금이 형성된 기판의 전극을 제외한 부분에 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계(S300);
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
After the step (B)
(C) forming an insulating film on a portion of the substrate on which the selective electroless plating is formed, excluding an electrode (S300);
Wherein the pattern is formed by selective electroless plating. 제 14 항에 있어서,
상기 (C) 단계 이후에,
(D) 상기 절연막이 형성되지 않은 전극 부위의 변색 및 부식 방지와 신뢰성을 향상시키기 위해, 금이나 은 또는 이들의 화합물로서 피복하는 피복전극 형성 단계(S400);
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.15. The method of claim 14,
After the step (C)
(D) a step (S400) of forming a covered electrode to cover the electrode portion where the insulating film is not formed, as gold or silver or a compound thereof to improve discoloration and corrosion prevention and reliability;
Wherein the pattern is formed by selective electroless plating. 제 15 항에 있어서,
상기 (D) 단계는, 상기 전극 부위에 니켈을 도금하고 다시 그 위에 금을 도금하는 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the step (D) comprises plating nickel on the electrode and plating gold thereon. 제1항 내지 제10항, 제12항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 따른 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법을 이용한 센서 스트립 제조 방법.A method of fabricating a sensor strip using a pattern forming method using selective electroless plating according to any one of claims 1 to 10 and 12 to 16. 제 17 항에 있어서,
상기 센서는 바이오 센서인 것을 특징으로 하는 선택적 무전해 도금을 이용한 패턴 형성 방법을 이용한 센서 스트립 제조 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the sensor is a biosensor. 2. The method of claim 1, wherein the sensor is a biosensor.
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