KR101621555B1 - Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101621555B1
KR101621555B1 KR1020090127469A KR20090127469A KR101621555B1 KR 101621555 B1 KR101621555 B1 KR 101621555B1 KR 1020090127469 A KR1020090127469 A KR 1020090127469A KR 20090127469 A KR20090127469 A KR 20090127469A KR 101621555 B1 KR101621555 B1 KR 101621555B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring
power supply
data
line
data line
Prior art date
Application number
KR1020090127469A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110070607A (en
Inventor
신아람
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090127469A priority Critical patent/KR101621555B1/en
Publication of KR20110070607A publication Critical patent/KR20110070607A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101621555B1 publication Critical patent/KR101621555B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118—Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807—CMOS gate arrays
    • H01L2027/11868—Macro-architecture
    • H01L2027/11874—Layout specification, i.e. inner core region
    • H01L2027/11879—Data lines (buses)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터가 배치된 화소 영역의 비투과 영역에 배치된 발광다이오드를 포함하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same. An organic light emitting diode display device of the present invention includes: a substrate; Gate wirings, data wirings, and power supply wirings that are arranged on the substrate in a crossing manner to define pixel regions; A switching thin film transistor and a driving thin film transistor arranged in a region where the gate wiring and the data wiring, the gate wiring and the power supply wiring intersect each other; And a light emitting diode arranged in a non-transmissive region of a pixel region in which the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are disposed, wherein the data line arranged in parallel along the pixel region includes a first data line having a narrow wiring width, And a second data line formed so as to be wider than the first data line and overlapped with the first data line, wherein the power line wiring arranged in parallel along the pixel region includes a first power line wiring having a narrow wiring width, And a second power supply wiring which is formed to be wider than one power supply wiring and which overlaps with the first power supply wiring.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본원 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display.

최근, 유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형으로 액정표시장치와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 단순한 공정을 거쳐 제조될 수 있어 가격 경쟁력을 키울 수 있다. 또한, 유기발광다이오드 표시장치는 저전압 구동, 높은 발광효율, 넓은 시야각을 가짐에 따라, 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.In recent years, organic light emitting diode display devices are self-luminous and require no backlight such as a liquid crystal display device, so that they can be made light and thin, and they can be manufactured through a simple process, thereby enhancing price competitiveness. In addition, organic light emitting diode display devices are rapidly advancing as next generation displays because they have low voltage driving, high luminous efficiency and wide viewing angles.

유기발광다이오드 표시장치는 광을 발생하는 유기발광다이오드 소자와 상기 유기발광다이오드의 구동을 제어하는 구동소자, 예컨대 박막트랜지스터를 포함한다. 여기서, 구동소자는 유기발광다이오드 소자를 개별적으로 구동하므로 유기발광다이오드 소자에 낮은 전류를 인가하더라도 유기발광다이오드 소자는 동일한 휘도를 나타낼 수 있다. The organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode device that generates light and a driving device, such as a thin film transistor, that controls driving of the organic light emitting diode. Here, since the driving elements individually drive the organic light emitting diode elements, the organic light emitting diode elements can exhibit the same luminance even when a low current is applied to the organic light emitting diode elements.

이로써, 유기발광다이오드 표시장치는 구동소자를 구비함으로써, 저소비 전 력, 고정세, 대형화에 유리할 뿐만 아니라, 유기발광다이오드 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있다.Thus, the organic light emitting diode display device is advantageous in terms of low power consumption, fixed size, and large size by providing a driving element, and the lifetime of the organic light emitting diode display device can be improved.

그러나 유기발광다이오드 표시장치는 상기 유기층에서 제공된 광을 상기 구동소자가 형성된 기판을 통해 사용자에게 영상을 제공함에 따라 개구율이 감소되는 문제점이 있었다. However, the organic light emitting diode display has a problem that the aperture ratio is reduced as the image provided to the user through the substrate on which the driving element is formed is supplied to the light provided in the organic layer.

유기발광다이오드 표시장치는 개구율을 증가시키기 위해, 구동 소자의 크기를 줄일 경우 구동 소자의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있어, 상기 구동 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 예컨대, 구동소자의 전기적 특성은 채널의 길이에 대비한 채널의 너비와 비례하기 때문이다.In the organic light emitting diode display device, if the size of the driving device is reduced in order to increase the aperture ratio, the electric characteristics of the driving device are degraded. Therefore, there is a limit in reducing the size of the driving device. For example, the electrical characteristics of the driving device are proportional to the width of the channel relative to the channel length.

따라서, 종래 유기발광다이오드 표시장치는 구동소자를 구비하여 유기발광다이오드 표시장치의 화질 특성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있으나, 상기 구동소자에 의해 유기발광다이오드 표시장치의 개구율이 저하되는 문제점이 있었다.Therefore, the conventional organic light emitting diode display device has a driving device to improve the image quality and electrical characteristics of the organic light emitting diode display device, but the aperture ratio of the organic light emitting diode display device is reduced by the driving device.

본 발명은 유기발광다이오드의 화소 영역을 구획하는 배선들의 폭을 최소화하여 화소 개구율을 향상시킨 유기발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.The present invention provides an organic light emitting diode having an improved pixel aperture ratio by minimizing the width of wirings for defining pixel regions of an organic light emitting diode, and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터가 배치된 화소 영역의 비투과 영역에 배치된 발광다이오드를 포함하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a substrate; Gate wirings, data wirings, and power supply wirings that are arranged on the substrate in a crossing manner to define pixel regions; A switching thin film transistor and a driving thin film transistor arranged in a region where the gate wiring and the data wiring, the gate wiring and the power supply wiring intersect each other; And a light emitting diode arranged in a non-transmissive region of a pixel region in which the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are disposed, wherein the data line arranged in parallel along the pixel region includes a first data line having a narrow wiring width, And a second data line formed so as to be wider than the first data line and overlapped with the first data line, wherein the power line wiring arranged in parallel along the pixel region includes a first power line wiring having a narrow wiring width, And a second power supply wiring which is formed to be wider than one power supply wiring and which overlaps with the first power supply wiring.

또한, 본 발명의 유기발광다이오드 제조방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질 실리콘막 및 도핑된 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 이를 패터닝하여 상기 게이트 전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 제 1 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선을 형성하는 단계; 상기 제 1 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 2 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선과 각각 오버랩되는 제 2 소스/드레인 전극, 제 2 데이터 배선 및 제 2 전원 배선을 형성하여 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 전원 배선을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막 및 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화막이 형성된 기판 상에 애노드 전극, 유기층 및 캐소드 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode, including: forming a gate electrode on a substrate; Forming an active layer on the gate electrode by patterning a gate insulating layer, an amorphous silicon layer, and a doped silicon layer sequentially on a substrate having the gate electrode formed thereon; Forming a first metal film on the substrate on which the active layer is formed, and then performing a mask process to form a first source / drain electrode, a first data line, and a first power line; A second source / drain electrode, a second source / drain electrode, a second source / drain electrode, a first source / drain electrode, a first source / drain electrode, Drain electrode, a second data line, and a second power line to form a source / drain electrode, a data line, and a power line; Forming a protective film and a planarizing film on the substrate on which the source / drain electrodes are formed; And forming an organic light emitting diode composed of an anode electrode, an organic layer, and a cathode electrode on the substrate on which the planarizing film is formed.

본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 화소 구역을 구획하는 배선들의 폭을 최소로 하여 화소 개구율을 향상시킨 효과가 있다.The organic light emitting diode display device of the present invention has an effect of improving the pixel aperture ratio by minimizing the width of the lines dividing the pixel region.

또한, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 특별한 공정 추가 없이 배선 구조를 폭이 서로 다른 이중층 배선을 형성하여 화소 영역의 개구율을 향상시킨 효과가 있다.In addition, the organic light emitting diode display of the present invention has an effect of improving the aperture ratio of the pixel region by forming a double layer wiring having a different wiring structure without adding a special process.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display device according to the present invention.

도 1은 설명의 편의상 도면에서 상기 다수의 화소들 중 하나의 화소만을 확대하여 도시하였다.FIG. 1 is an enlarged view of only one pixel of the plurality of pixels for convenience of explanation.

도 1을 참조하면, 유기발광다이오드 표시장치는 영상을 표시하기 위해 정의된 다수 개의 화소들과 상기 각 화소에 서로 전기적으로 연결된 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)와 유기발광다이오드 소자부(도 2의 140, 160, 170)를 포함한다.1, an organic light emitting diode (OLED) display device includes a plurality of pixels defined for displaying an image, driving elements (S-Tr, D-Tr, Cp) electrically connected to the pixels, And an element portion (140, 160, 170 in Fig. 2).

또한, 상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)와 상기 유기발광다이오드 소자부(140, 160, 170)로 전기적 신호를 제공하는 다수의 배선(101, 102, 103)들이 배치되어 있다. 예컨대, 다수의 배선(101, 102, 103)들은 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102), 상기 데이터 배선(102)과 평행하는 전원배선(103)을 포함한다.A plurality of wirings 101, 102, and 103 for providing an electric signal to the driving element portions (S-Tr, D-Tr, Cp) and the organic light emitting diode element portions 140, have. For example, the plurality of wirings 101, 102, and 103 include gate wirings 101 and data wirings 102, which define pixel regions, and power supply wirings 103 parallel to the data wirings 102, .

상기 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구조는 상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)와 유기발광다이오드 소자부(140, 160, 170)가 형성되어 있는 비투과 영역과 상기 비투과 영역 외에 평탄화막(130) 상에 아무것도 형성하지 않은 투과영역으로 구분할 수 있다.The pixel structure of the organic light emitting diode display device of the present invention includes a non-transmissive region where the driving element portions (S-Tr, D-Tr, Cp) and the organic light emitting diode element portions 140, And a transmissive region on the planarizing film 130 where nothing is formed.

상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)는 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)의 교차영역, 즉 화소에 배치된다. 상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)는 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr), 구동 박막트랜지스터(D-Tr) 및 캐패시터(Cp)를 포함할 수 있다. The driving element sections (S-Tr, D-Tr, and Cp) are arranged in a crossing region of the gate wiring 101 and the data wiring 102, that is, The driving element units S-Tr, D-Tr, and Cp may include a switching thin film transistor S-Tr, a driving thin film transistor D-Tr, and a capacitor Cp.

상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)는 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)는 게이트 전극(111), 액티브층(112), 소스/드레인 전극(117,118)들로 구성되어 있다.The switching thin film transistor S-Tr is electrically connected to the gate wiring 101 and the data wiring 102. The switching thin film transistor S-Tr includes a gate electrode 111, an active layer 112, and source / drain electrodes 117 and 118.

상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)와 상기 전원 배선(103)과 전기적으로 연결되어 있다.The driving thin film transistor (D-Tr) is electrically connected to the switching thin film transistor (S-Tr) and the power source wiring (103).

상기 캐패시터(Cp)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)와 상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 상기 캐패시터(Cp)는 상기 전원 배선(103)과 전기적으로 연결되어 있다.The capacitor Cp is electrically connected to the switching thin film transistor S-Tr and the driving thin film transistor D-Tr. Also, the capacitor Cp is electrically connected to the power supply wiring 103.

상기 캐패시터(Cp)는 상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)의 게이트 전극과 연결된 제 1 스토리지 전극(131)과 상기 전원 배선(103)과 전기적으로 연결된 제 2 스토리지 전극(132)을 포함한다.The capacitor Cp includes a first storage electrode 131 connected to the gate electrode of the driving thin film transistor D-Tr and a second storage electrode 132 electrically connected to the power supply line 103.

본 발명에서는 유기발광다이오드에 비투과 영역과 투과 영역을 구분하여 화소 영역의 일부에 유기발광다이오드가 형성되지 않은 투과 영역을 형성하였다.In the present invention, a transmissive region in which an organic light emitting diode is not formed is formed in a part of a pixel region by dividing a non-transmissive region and a transmissive region in the organic light emitting diode.

또한, 본 발명의 유기발광다이오드의 화소 개구율을 향상시키기 위해 데이터 배선(102)과 전원 배선(103)의 구조를 제 1 데이터 배선(102a)과 제 2 데이터 배선(102b)으로 형성하였다.Further, in order to improve the pixel aperture ratio of the organic light emitting diode of the present invention, the structures of the data line 102 and the power line 103 are formed as the first data line 102a and the second data line 102b.

상기 제 1 데이터 배선(102a)은 MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, Al 및 이를 이용한 합금과 구리(Cu) 및 이를 이용한 합금 등의 도전성 금속으로 형성하고, 제 2 데이터 배선(102b)은 상기 제 1 데이터 배선(102b)과 오버랩되면서 투명성 도전물 질(ITO, ITZO, IZO)로 형성하였다.The first data line 102a is formed of a conductive metal such as MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, Al, and an alloy using the same and copper or an alloy using the same. (ITO, ITZO, IZO) while overlapping with the first data line 102b.

특히, 제 1 데이터 배선(102a)의 폭은 노광 장비에 의해 패터닝할 수 있는 최소폭으로 형성한다. 따라서, 상기 제 1 데이터 배선(102a)의 폭은 2㎛ 이하의 값을 갖는다.In particular, the width of the first data line 102a is formed to a minimum width that can be patterned by the exposure equipment. Therefore, the width of the first data line 102a is 2 mu m or less.

상기 제 1 데이터 배선(102a)과 오버랩되는 제 2 데이터 배선(102b)은 상기 제 1 데이터 배선(102a)의 폭보다 넓은 값을 갖는다. 하지만, 상기 제 2 데이터 배선(102b)은 투명성 도전물질로 형성되기 때문에 개구율에 영향을 주지 않는다.The second data line 102b overlapping the first data line 102a has a width wider than the width of the first data line 102a. However, since the second data line 102b is formed of a transparent conductive material, it does not affect the aperture ratio.

따라서, 결과적으로 상기 데이터 배선(102)에 의해 가려지는 부분은 상기 제 1 데이터 배선(102a)이기 때문에 화소 영역의 개구율이 크게 형성된다.As a result, since the portion covered by the data line 102 is the first data line 102a, the aperture ratio of the pixel region is formed to be large.

또한, 상기 데이터 배선(102)과 화소 영역을 사이에 두고 나란하게 형성된 전원 배선(103)도 제 1 전원 배선(103a)과 제 2 전원 배선(103b)으로 형성하고, 상기 데이터 배선(102)의 구조와 동일하게 제 1 전원 배선(103a)은 도전성 금속으로 형성하고 제 2 전원 배선(103b)은 투명성 도전물질로 형성한다.The power supply wiring 103 formed in parallel with the data wiring 102 and the pixel region is also formed by the first power supply wiring 103a and the second power supply wiring 103b, The first power supply wiring 103a is formed of a conductive metal and the second power supply wiring 103b is formed of a transparent conductive material.

상기 제 1 전원 배선(103a)의 폭도 노광 장비에 의해 패터닝 될 수 있는 최소 선폭을 갖도록(2㎛ 내외) 하고, 상기 제 2 전원 배선(103b)은 상기 제 1 전원 배선(103a)보다 넓은 폭(4㎛ 이상)을 갖도록 형성한다.The width of the first power source wiring 103a is set to a minimum width (about 2 mu m) that can be patterned by the exposure equipment and the second power source wiring 103b is wider than the first power source wiring 103a 4 mu m or more).

따라서, 화소 영역에 형성되는 전원 배선(103)은 데이터 배선(102)과 마찬가지로 제 1 전원 배선(103a)에 의해서만 가려지기 때문에 화소 영역의 개구율을 향상시킬 수 있다.Therefore, since the power supply wiring 103 formed in the pixel region is covered only by the first power supply wiring 103a like the data wiring 102, the aperture ratio of the pixel region can be improved.

또한, 상기 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)의 선폭이 좁게 형성되지만, 상기 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a) 상에는 각각 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)이 각각 형성되어 있어 배선의 저항은 상승하지 않는다.Although the first data line 102a and the first power line 103a are narrowed in line width, the second data line 102b is formed on the first data line 102a and the first power line 103a, And the second power supply wiring 103b are formed, respectively, so that the resistance of the wiring does not rise.

따라서, 상기 데이터 배선(102)에 공급되는 데이터 신호의 지연은 발생되지 않고, 상기 전원 배선(103)에 공급되는 전원 전압은 크게 강하되지 않는다.Therefore, the delay of the data signal supplied to the data wiring 102 is not generated, and the power supply voltage supplied to the power supply wiring 103 is not greatly lowered.

또한, 상기 데이터 배선(102)과 전원 배선(103)의 저항을 낮추기 위해 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)은 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)을 각각 완전히 덮는 구조로 형성할 수 있다. 하지만, 상기 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)은 투명성 도전물질로 형성되기 때문에 개구율에 영향을 주지 않는다.The second data line 102b and the second power line 103b are connected to the first data line 102a and the first power line 103a in order to lower the resistance between the data line 102 and the power line 103. [ As shown in Fig. However, since the second data line 102b and the second power line 103b are formed of a transparent conductive material, the aperture ratio is not affected.

상기 유기발광다이오드 표시장치의 구동 원리를 살펴보면 다음과 같다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)는 상기 게이트 배선(101)에 제공된 선택 신호에 따라 온/오프(On/Off) 된다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)의 온/오프(On/Off)에 의해 조정된 전기적 신호, 예컨대 상기 데이터 배선(102)에서 제공된 데이터 신호는 상기 유기발광다이오드 소자부(도 2의 140, 160, 170)에 인가되어, 상기 유기발광다이오드 소자부(도 2의 140, 160, 170)에 흐르는 전류량을 조절하여, 상기 유기발광다이오드 소자부(140, 160, 170)에 형성되는 휘도를 조절하여 영상을 표시한다.The driving principle of the organic light emitting diode display will be described below. The switching thin film transistor S-Tr is turned on / off according to a selection signal provided to the gate wiring 101. An electric signal adjusted by on / off of the switching thin film transistor (S-Tr), for example, a data signal provided from the data wiring 102, is applied to the organic light emitting diode And 170 to adjust the amount of current flowing through the organic light emitting diode device unit 140, 160, and 170 to adjust the brightness of the organic light emitting diode device units 140, 160, and 170 Display the image.

상기 캐패시터(Cp)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)에서 상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)로 다음 전기적 신호가 인가될 때까지 이미 인가된 상기 전기적 신호를 일정 시간 유지하여, 화질의 균일성을 유지한다.The capacitor Cp maintains the electrical signal already applied until the next electrical signal is applied from the switching thin film transistor S-Tr to the driving thin film transistor D-Tr for a predetermined time, Lt; / RTI >

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 발광다이오드 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.2A to 2C are diagrams illustrating a manufacturing process of a light emitting diode display device of the present invention.

도 1의 A-A'선과 B-B' 선을 절단한 단면을 중심으로 설명한다.The cross section taken along line A-A 'and line B-B' in FIG. 1 will be mainly described.

도 2a를 참조하면, 절연기판(100) 상에는 다수의 화소 영역들이 정의되어 있다.Referring to FIG. 2A, a plurality of pixel regions are defined on an insulating substrate 100.

상기 절연기판(100) 상에는 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr) 영역에 게이트 전극(111)을 형성한다. 그런 다음, 상기 절연기판(100) 상에 게이트 절연막(110), 비정질 실리콘막과 도핑된(n+ or p+) 비정질 실리콘막을 순차적으로 형성한다.A metal film is formed on the insulating substrate 100, and then a mask process is performed to form a gate electrode 111 in a switching thin film transistor (S-Tr) region. Then, a gate insulating layer 110 and an amorphous silicon layer doped with an amorphous silicon layer are sequentially formed on the insulating substrate 100.

상기와 같이, 도핑된 비정질 실리콘막이 형성되면, 마스크 공정을 진행하여 상기 게이트 전극(111) 상부에 채널층(112a)과 오믹콘택층(112b)으로 구성된 액티브층(112)을 형성한다. 이때 상기 채널층(112a)은 경우에 따라서는 레이저 열처리를 진행하여 폴리 실리콘막으로 형성할 수 있고, 상기 오믹콘택층(112b)은 이온 주입 공정에 의해 소스/드레인 전극이 형성될 영역에 도핑처리로 오믹콘택층 역할을 하는 저저항 접촉층을 형성할 수 있다.When the doped amorphous silicon layer is formed as described above, an active layer 112 composed of a channel layer 112a and an ohmic contact layer 112b is formed on the gate electrode 111 by performing a mask process. At this time, the channel layer 112a may be formed as a polysilicon film by performing laser heat treatment according to circumstances, and the ohmic contact layer 112b may be doped to a region where a source / drain electrode is to be formed by an ion implantation process A low resistance contact layer serving as an ohmic contact layer can be formed.

상기와 같이, 절연기판(100) 상에 액티브층(112)이 형성되면 도 2b에 도시된 바와 같이, 제 1 금속막을 절연기판(100) 상에 형성한다. 그런 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 1 소스 전극(117a), 제 1 드레인 전극(118a), 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a)들을 형성한다. 상기 제 1 금속막은 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 은, 금 등 도전율이 높은 금속을 사용할 수 있 다.As described above, when the active layer 112 is formed on the insulating substrate 100, a first metal film is formed on the insulating substrate 100, as shown in FIG. 2B. Then, the mask process is performed to form the first source electrode 117a, the first drain electrode 118a, the first data line 102a, and the first power line 103a. The first metal film may be a metal having high conductivity, such as aluminum, copper, molybdenum, titanium, tungsten, silver, or gold.

상기 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a)은 노광 장비에 의해 구현할 수 있는 최소 패턴으로 형성하여 배선 폭이 2㎛ 내외가 되도록 한다.The first data line 102a and the first power line 103a are formed in a minimum pattern that can be realized by the exposure equipment so that the wiring width is about 2 탆.

상기 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a)의 폭이 2㎛ 내외가 되는 영역을 화소 영역과 대응되는 영역에서만 할 수 있다.A region where the width of the first data line 102a and the first power line 103a is about 2 占 퐉 can be made only in a region corresponding to the pixel region.

상기와 같이 제 1 소스 전극(117a), 제 1 드레인 전극(118a), 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a) 들이 절연기판(100) 상에 형성되면, 제 2 금속막을 절연기판(100) 상에 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 2 소스 전극(117b), 제 2 드레인 전극(118b), 제 2 데이터 배선(102b) 및 제 2 전원 배선(103b)을 형성하여, 소스/드레인 전극(117, 118), 데이터 배선(102) 및 전원 배선(103)을 형성한다. 상기 제 2 금속막은 투명성 도전물질인 ITO, ITZO, IZO와 같은 물질을 사용할 수 있다.When the first source electrode 117a, the first drain electrode 118a, the first data line 102a and the first power source line 103a are formed on the insulating substrate 100 as described above, A second source electrode 117b, a second drain electrode 118b, a second data line 102b and a second power line 103b are formed on the substrate 100 by performing a mask process, Source / drain electrodes 117 and 118, a data wiring 102, and a power supply wiring 103 are formed. The second metal film may be a transparent conductive material such as ITO, ITZO or IZO.

특히, 상기 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)들은 각각 상기 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)의 폭보다 넓게 형성하여(4㎛ 이상) 오버랩되도록 한다.Particularly, the second data line 102b and the second power line 103b are formed to be wider than the width of the first data line 102a and the first power line 103a (more than 4 μm), respectively .

본 발명에서는 화소 영역을 따라 양측에 나란히 형성되는 데이터 배선(102)과 전원 배선(103) 중에서 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)은 개구율에 영향을 미치지 않는다. 따라서, 2㎛ 내외의 폭으로 형성되는 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)에 의해 종래 화소 영역보다 큰 개구율 특성을 구현할 수 있다.In the present invention, the second data line 102b and the second power line 103b among the data line 102 and the power line 103 formed on both sides along the pixel region do not affect the aperture ratio. Therefore, the first data line 102a and the first power line 103a formed to have a width of about 2 mu m can realize the aperture ratio characteristic larger than the conventional pixel region.

상기와 같이, 소스/드레인 전극(117, 118), 데이터 배선(102) 및 전원 배선(103)이 절연기판(100) 상에 형성되면, 도 2c에 도시한 바와 같이, 절연기판(100) 상에 보호막(120)과 평탄화막(130)을 형성한다. 상기 보호막(120)은 산화실리콘막 또는 질화실리콘막일 수 있다.As described above, when the source / drain electrodes 117 and 118, the data wiring 102, and the power supply wiring 103 are formed on the insulating substrate 100, The protective film 120 and the planarization film 130 are formed. The protective film 120 may be a silicon oxide film or a silicon nitride film.

상기 보호막(120)상에 평탄화를 위해 형성된 평탄화막(130)은 유기계 절연막으로 이루어질 수 있다. 예컨대 상기 평탄화막(130)은 아크릴계 수지(Acryl-based resin), 우레탄 수지(Urethane resin), 폴리이미드계 수지(Polyimide-based resin), 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 실리콘계 수지(Silicone-based resin) 및 폴리 페놀 수지등 일 수 있다.The planarization layer 130 formed on the passivation layer 120 for planarization may be formed of an organic insulation layer. For example, the planarization layer 130 may be formed of an acrylic-based resin, a Urethane resin, a polyimide-based resin, a benzocyclobutene resin (BCB), a silicone resin ) And polyphenol resin.

이후, 상기 보호막(120) 및 상기 평탄화막(130)은 상기 드레인 전극(118)의 일부 등을 노출하는 콘택홀 공정을 진행하고, 계속해서 금속막을 형성한 다음 마스크 공정을 진행하여 애노드 전극(140)을 형성한다. 상기 애노드 전극(140)은 광을 반사시킬 수 있다. 상기 애노드 전극(140)은 후술될 캐소드 전극(170)에 비해 일함수가 큰 도전물질로 이루어질 수 있다. Thereafter, the passivation layer 120 and the planarization layer 130 are subjected to a contact hole process to expose a part of the drain electrode 118, and then a metal layer is formed. Then, the mask process is performed to form the anode electrode 140 ). The anode electrode 140 may reflect light. The anode electrode 140 may be made of a conductive material having a larger work function than the cathode electrode 170 to be described later.

상기 애노드 전극(140)은 두 개의 금속층으로 형성할 수 있는데, 하부 금속층은 Al, AlNd, Ag 및 Mo 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, 상부 금속층은 하부 금속층에 비해 큰 내식성을 가지며, 상기 캐소드 전극(170)에 비해 일함수가 큰 도전물질로 이루어질 수 있다.The anode electrode 140 may be formed of two metal layers, and the lower metal layer may be made of any one of Al, AlNd, Ag, and Mo, the upper metal layer has greater corrosion resistance than the lower metal layer, ) Of a conductive material having a large work function.

그런 다음, 상기 애노드 전극(140) 상에 유기층(160)을 형성한다. 상기 유기층은 전하주입층, 전하수송층, 전하수송층 및 전하주입층을 포함할 수 있다.Then, an organic layer 160 is formed on the anode electrode 140. The organic layer may include a charge injection layer, a charge transport layer, a charge transport layer, and a charge injection layer.

상기 유기층(160)이 절연기판(100) 상에 형성되면, 화소 영역에 캐소드 전극(170)을 형성한다. 상기 캐소드 전극(170)은 상기 애노드 전극(140)보다 작은 일함수를 갖는 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 다시 말해, 상기 캐소드 전극(170)은 캐소드 전극일 수 있다. 예컨대, 상기 캐소드 전극(170)은 ITO, IZO, Ag, Mg, Ca, Al 및 Ba등으로 이루어진 단일막 또는 이중막으로 이루어질 수 있다. When the organic layer 160 is formed on the insulating substrate 100, a cathode electrode 170 is formed in the pixel region. The cathode electrode 170 may be formed of a transparent conductive film having a work function smaller than that of the anode electrode 140. In other words, the cathode electrode 170 may be a cathode electrode. For example, the cathode 170 may be formed of a single layer or a double layer of ITO, IZO, Ag, Mg, Ca, Al, and Ba.

또한, 상기에서는 유기발광다이오드를 중심으로 설명하였지만, E-ink 또는 액정표시장치와 같은 평판형 표시장치에서 형성되는 배선들에도 적용할 수 있다.Although the organic light emitting diode has been described above, the present invention can also be applied to wirings formed in a flat panel display device such as an E-ink or a liquid crystal display device.

예를 들어, 액정표시장치의 하부 또는 상부 기판 상에 배선을 형성할 때, 노광 장비에 의해 구현할 수 있는 최소 폭을 갖는 배선으로 형성하고, 그 상부층에는 투명성 도전물질로 형성된 2차 배선을 오버랩되도록 형성하여 화소 개구율을 향상시킬 수 있다.For example, when a wiring is formed on a lower or upper substrate of a liquid crystal display device, the wiring may be formed of wiring having a minimum width that can be realized by an exposure apparatus, and a second wiring formed of a transparent conductive material And the pixel aperture ratio can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display device according to the present invention.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 발광다이오드 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.2A to 2C are diagrams illustrating a manufacturing process of a light emitting diode display device of the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명)(Description of Reference Numbers to Main Parts of the Drawings)

100 : 절연기판 101 : 게이트 배선100: Insulation substrate 101: Gate wiring

102 : 데이터 배선 103 : 전원 배선102: data wiring 103: power wiring

120: 보호막 130 : 평탄화막120: protective film 130: planarization film

140 : 애노드 전극 160 : 유기층140: anode electrode 160: organic layer

170 : 캐소드 전극 S-Tr : 스위칭 박막트랜지스터170: cathode electrode S-Tr: switching thin film transistor

D-Tr : 구동 박막트랜지스터 Cp : 캐패시터D-Tr: driving thin film transistor Cp: capacitor

Claims (9)

기판;Board; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선;Gate wirings, data wirings, and power supply wirings that are arranged on the substrate in a crossing manner to define pixel regions; 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 상기 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 및A switching thin film transistor and a driving thin film transistor arranged in a region where the gate wiring, the data wiring, the gate wiring and the power supply wiring cross each other; And 상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터가 배치된 화소 영역의 비투과 영역에 배치된 발광다이오드를 포함하고,And a light emitting diode disposed in a non-transmissive region of a pixel region where the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are disposed, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓고, 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고,Wherein the data wiring arranged parallel to the pixel region has a first data wiring having a narrow wiring width and a second data wiring having a width wider than the one data wiring and overlapping the first data wiring, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓고, 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 포함하고,Wherein the power supply wiring arranged parallel to the pixel region includes a first power supply wiring having a narrow wiring width and a second power supply wiring having a width wider than the first power supply wiring and overlapping the first power supply wiring, 상기 제 2 데이터 배선과 상기 제 2 전원 배선은 상기 제 1 데이터 배선과 상기 제 1 전원 배선을 각각 완전히 덮을 수 있는 유기발광다이오드 표시장치.Wherein the second data line and the second power line can completely cover the first data line and the first power line, respectively. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 데이터 배선과 제 1 전원 배선의 선폭은 2㎛인 유기발광다이오드 표시장치.And the line width of the first data line and the first power line is 2 占 퐉. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 데이터 배선은 MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 이를 이용한 합금들 중 어느 하나의 금속을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.Wherein the first data line includes a metal selected from the group consisting of MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, aluminum (Al), copper (Cu), and alloys thereof. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 데이터 배선은 ITO, ITZO 또는 IZO 중 어느 하나의 금속을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.And the second data line includes any one of ITO, ITZO, and IZO. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 전원 배선은 MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 이를 이용한 합금들 중 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.Wherein the first power supply line includes any one of MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, Al, Cu and alloys using the same. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 전원 배선은 ITO, ITZO 또는 IZO 중 어느 하나의 금속을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.Wherein the second power supply wiring includes any one of ITO, ITZO, and IZO. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 데이터 배선과 제 2 전원 배선의 선폭은 4㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.And the line width of the second data line and the second power line is 4 占 퐉 or more. 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질 실리콘막 및 도핑된 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 이를 패터닝하여 상기 게이트 전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계;Forming an active layer on the gate electrode by patterning a gate insulating layer, an amorphous silicon layer, and a doped silicon layer sequentially on a substrate having the gate electrode formed thereon; 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 제 1 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선을 형성하는 단계;Forming a first metal film on the substrate on which the active layer is formed, and then performing a mask process to form a first source / drain electrode, a first data line, and a first power line; 상기 제 1 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 2 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선과 각각 오버랩되는 제 2 소스/드레인 전극, 제 2 데이터 배선 및 제 2 전원 배선을 형성하여 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 전원 배선을 형성하는 단계;A second source / drain electrode, a second source / drain electrode, a second source / drain electrode, a first source / drain electrode, a first source / drain electrode, Drain electrode, a second data line, and a second power line to form a source / drain electrode, a data line, and a power line; 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막 및 평탄화막을 형성하는 단계; 및Forming a protective film and a planarizing film on the substrate on which the source / drain electrodes are formed; And 상기 평탄화막이 형성된 기판 상에 애노드 전극, 유기층 및 캐소드 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.And forming an organic light emitting diode including an anode electrode, an organic layer, and a cathode electrode on the substrate on which the planarization layer is formed. 기판;Board; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선;Gate wirings, data wirings, and power supply wirings that are arranged on the substrate in a crossing manner to define pixel regions; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하고,And a switching thin film transistor and a driving thin film transistor arranged in a region where the gate wiring and the data wiring, the gate wiring and the power supply wiring cross each other, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓고, 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고,Wherein the data wiring arranged parallel to the pixel region has a first data wiring having a narrow wiring width and a second data wiring having a width wider than the one data wiring and overlapping the first data wiring, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓고, 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 포함하고,Wherein the power supply wiring arranged parallel to the pixel region includes a first power supply wiring having a narrow wiring width and a second power supply wiring having a width wider than the first power supply wiring and overlapping the first power supply wiring, 상기 제 2 데이터 배선과 상기 제 2 전원 배선은 상기 제 1 데이터 배선과 상기 제 1 전원 배선을 각각 완전히 덮을 수 있는 표시장치.Wherein the second data line and the second power line can completely cover the first data line and the first power line, respectively.
KR1020090127469A 2009-12-18 2009-12-18 Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same KR101621555B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090127469A KR101621555B1 (en) 2009-12-18 2009-12-18 Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090127469A KR101621555B1 (en) 2009-12-18 2009-12-18 Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110070607A KR20110070607A (en) 2011-06-24
KR101621555B1 true KR101621555B1 (en) 2016-05-17

Family

ID=44402089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090127469A KR101621555B1 (en) 2009-12-18 2009-12-18 Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101621555B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102014169B1 (en) 2012-07-30 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR101954978B1 (en) 2012-09-06 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102122518B1 (en) * 2012-12-21 2020-06-15 엘지디스플레이 주식회사 Transparent Organic Light Emitting Diode Display Having Hight Transmittance And Method For Manufacturing The Same
KR102035496B1 (en) * 2012-12-31 2019-10-23 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780711B1 (en) 2001-07-28 2007-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Tft-lcd and manufacturing method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780711B1 (en) 2001-07-28 2007-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Tft-lcd and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110070607A (en) 2011-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106328689B (en) Thin film transistor substrate and display device including the same
EP3176826B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
JP3990374B2 (en) Organic electroluminescence display
US9035854B2 (en) Organic light emitting diode display device and fabrication method thereof
KR100521277B1 (en) Flat Panel Display with Anode electrode layer as Power Supply Layer and Fabrication Method thereof
KR102395917B1 (en) Display device and manufacturing method thereof
US8866706B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method of the same
KR20150061772A (en) Display Panel For Display Device
KR20140007688A (en) Method for repairing short defect, the display apparatus manufactured by the repairing method and the organic light emitting display apparatus by the repairing method
US8686409B2 (en) Method of repairing short circuit defect, and display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured according to the repairing method
US7612377B2 (en) Thin film transistor array panel with enhanced storage capacitors
US20140159033A1 (en) Array substrate and method of fabricating the same
US6744217B2 (en) Organic electro luminescence device
KR20210016111A (en) Display device
KR20130071996A (en) Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
JP4203369B2 (en) Active matrix organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
KR20060019099A (en) Organic light emitting display and fabricating method therefor
KR101621555B1 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR102468858B1 (en) Substrate for display and display including the same
US20140027761A1 (en) Thin film transistor substrate, display thereof and manufacturing method thereof
KR20210016786A (en) Display device
KR20090092484A (en) Organic Light Emitting Display
KR100796599B1 (en) Organic electroluminescence display device and fabrication method for the same
KR101362161B1 (en) Thin Film Transistor Substrate And Manufacturing Method Thereof
KR100742373B1 (en) Flat Panel Display and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190417

Year of fee payment: 4