KR101613864B1 - Metal organic chemical vapour deposition reaction apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic metal chemical vapor deposition apparatus. A reaction space forming unit is installed in a chamber. Pollution in a reactor can be minimized by forming a reaction space in a substrate accommodating chamber. At the same time, cleaning a part where reaction is intensively generated by a lid separator detachably installed to a heat shielding lid, can be facilitated. Also, the pollution of the lid separator is firstly prevented by providing little gas to the rid separator. The cleaning or replacement of the expensive heat shielding lid can be carried out at a minimal cost. So, economic efficiency can be achieved.

Description

유기금속화학기상증착장치{METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION REACTION APPARATUS}Technical Field [0001] The present invention relates to a metal organic chemical vapor deposition apparatus,

본 발명은 유기금속화학기상증착장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 증착장치의 반응기 내부의 오염을 최소화함과 동시에 반응기 내부의 반응공간에서 오염이 집중적으로 발생하는 부분을 용이하게 세정할 수 있고 반응가스의 안정적 흐름으로 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 유기금속화학기상증착장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organometallic chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to an apparatus for minimizing contamination inside a reactor of a deposition apparatus, and to easily clean a portion where contamination is intensively generated in a reaction space inside a reactor, And more particularly, to an organometallic chemical vapor deposition apparatus capable of improving uniformity of a thin film by a stable flow of gas.

다양한 산업분야에서 고효율의 발광다이오드(LED)가 점차 사용됨에 따라서, 품질이나 성능의 저하 없이 대량으로 생산할 수 있는 장비가 요구되고 있다. 이러한 발광 다이오드의 제조에 유기금속증착 반응기가 널리 사용되고 있다. As high efficiency light emitting diodes (LEDs) are increasingly used in various industrial fields, there is a demand for equipment capable of mass production without deteriorating quality or performance. Organometallic deposition reactors are widely used for the production of such light emitting diodes.

유기금속화학기상증착(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치는 3족알킬(유기금속원료가스) 및 5족 반응가스와 고순도 캐리어 가스와의 혼합가스를 반응실내에 공급하여 가열된 기판 위에서 열 분해하여 화합물 반도체 결정을 성장시키는 장치이다. 이러한 유기금속화학기상증착장치는 서셉터에 기판을 장착하여 상부로부터 가스를 주입하여 기판 상부에 반도체 결정을 성장시킨다.The metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) apparatus supplies a mixed gas of a Group 3 alkyl (organic metal source gas) and a Group 5 reaction gas and a high purity carrier gas to a reaction chamber, Thereby growing compound semiconductor crystals. In such an organometallic chemical vapor deposition apparatus, a substrate is mounted on a susceptor and a gas is injected from above to grow a semiconductor crystal on the substrate.

종래의 유기금속증착화학기상증착장치로서 한국특허 제1026058호에 개시된 바와 같은 유기금속화학기상증착장치가 제안되고 있다. 도 1에 나타낸 종래의 유기금속화학기상증착장치에 있어서는, 챔버 본체와, 화학물질 전달모듈, 진공시스템, 샤워헤드 조립체를 구비하여, 샤워헤드조립체를 통해 반응가스가 챔버내의 반응공간으로 공급되고, 상기 챔버내의 반응공간에서 원격플라즈마에 의해 기판상에 박막이 증착되는 구조이다. As a conventional organometallic vapor deposition chemical vapor deposition apparatus, an organometallic chemical vapor deposition apparatus as disclosed in Korean Patent No. 1026058 has been proposed. In the conventional metal organic chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, a chamber body, a chemical substance delivery module, a vacuum system, and a showerhead assembly are provided so that the reaction gas is supplied to the reaction space in the chamber through the showerhead assembly, And a thin film is deposited on the substrate by a remote plasma in the reaction space in the chamber.

그러나, 상기 종래기술에 의한 유기금속화학기상증착증착장치에 있어서는, 챔버내부로 공급된 반응가스가 챔버의 리드(lid) 내부면 및 챔버 측벽의 내부면에 부착되어 챔버 내부가 오염될 염려가 높다. 그리고, 증착 공정이 완료된 후 상기 기판을 교체하기 위하여 챔버를 개방하는 경우 진동이나 충격 등으로 인해 상기 챔버의 내측면에 부착되어 있는 기생증착으로 인한 불순물(particle)들이 기판상으로 떨어져 기판을 오염시킨다. However, in the above-mentioned related art metal-organic chemical vapor deposition apparatus, the reaction gas supplied into the chamber adheres to the inner surface of the lid of the chamber and the inner surface of the chamber side wall, . When the chamber is opened to replace the substrate after the deposition process is completed, particles due to parasitic deposition adhered to the inner surface of the chamber due to vibration, shock, or the like may fall onto the substrate and contaminate the substrate .

또한, 기판에 박막을 균일하게 증착하기 위해서는 샤워헤드 조립체의 가스 분사홀의 주위에 증착된 이상 박막을 주기적으로 세정해주어야 하는데, 이 경우 매번 장치를 다운(Down)시킨 후, 챔버 리드에서 샤워헤드 조립체를 분해하여 세정하기 때문에 장비의 가동률이 저하된다는 문제점이 있다.In order to uniformly deposit the thin film on the substrate, it is necessary to periodically clean the abnormal thin film deposited around the gas injection hole of the showerhead assembly. In this case, after the apparatus is down each time, the showerhead assembly There is a problem in that the operation rate of the equipment is lowered.

더욱이, 세정을 마친 후에도, 챔버 내부에 발생한 수증기 및 불순물을 제거하고, 안정된 공정압력 및 공정온도를 형성하는 과정을 거쳐야 한다. 또한 더미(Dummy) 기판에 실제 증착공정을 수행하여 박막 균일도나 파티클의 오염도를 확인하는 과정을 거쳐야 하기 때문에, 많은 시간이 소요되고, 이에 따라 시간당 생산량(Throughput)의 감소를 초래하게 된다.Furthermore, even after the cleaning is finished, the process of removing steam and impurities generated in the chamber and forming a stable process pressure and a process temperature must be performed. In addition, since the actual deposition process is performed on the dummy substrate to check the uniformity of the thin film or the contamination degree of the particles, it takes a lot of time, thereby reducing the throughput per hour.

또한, 종래의 유기금속화학기상증착장치에 있어서는, 상부의 샤워헤드조립체로부터 반응가스를 공급하는데, 이 경우 반응가스의 흐름이 원활하지 못하여, 서셉터 상에 안착된 다수의 기판상에 증착되는 박막의 균일도가 저해되는 문제점이 있었다.
In addition, in the conventional metalorganic chemical vapor deposition apparatus, the reaction gas is supplied from the upper showerhead assembly. In this case, the flow of the reaction gas is not smooth and the thin film deposited on the plurality of substrates placed on the susceptor And thus the uniformity of the film is deteriorated.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 본 발명의 목적은 증착장치의 반응기 내부의 오염을 최소화함과 동시에 반응기 내부의 반응공간에서 오염이 집중적으로 발생하는 부분을 용이하게 세정할 수 있는 유기금속화학기상증착장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to minimize the contamination of the inside of a reactor of a deposition apparatus and to easily clean a portion where contamination is intensively generated in a reaction space inside a reactor The present invention also provides an organic metal chemical vapor deposition apparatus.

또한, 본 발명의 다른 목적은 반응이 집중적으로 발생하는 서셉터와 마주보는 위치에 설치된 리드분리판으로 미량의 가스를 제공하여 리드분리판의 오염을 방지하는 유기금속화학기상증착장치를 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide an organometallic chemical vapor deposition apparatus for preventing contamination of a lead separator plate by providing a trace amount of gas to a lead separator plate provided at a position facing a susceptor in which reactions are concentrated .

또한, 본 발명은 리드분리판에서 분사된 가스가 공정가스제공부의 노즐로부터 수평으로 진행하는 공정가스를 위에서 눌러줌으로써, 기판의 박막성장속도를 조절할 수 있는 유기금속화학기상증착장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
It is another object of the present invention to provide an organometallic chemical vapor deposition apparatus capable of controlling a growth rate of a thin film of a substrate by pressing a process gas that horizontally proceeds from a nozzle of a process gas supply unit, For other purposes.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기금속화학기상증착장치는, 기판수용챔버와, 상기 기판수용챔버 내부에 배치되고, 기판이 안착되며 안착된 상기 기판을 가열하는 서셉터부와, 반응가스공급원에 연결되어 상기 기판수용챔버내부로 반응가스를 공급하는 가스공급부와, 상기 가스공급부와 배기홀에 연결되며 상기 기판수용챔버 내부에 반응공간을 형성하는 반응공간형성유닛과, 상기 서셉터부의 상부에 배치되며 상기 반응공간형성유닛에 설치되는 열차폐리드 및 상기 서셉터부와 마주보는 위치에서 상기 열차폐리드에 분리가능하게 설치된 리드분리판을 포함하는 것을 특징으로 한다. In accordance with another aspect of the present invention, there is provided an organometallic chemical vapor deposition apparatus including a substrate accommodating chamber, a susceptor disposed inside the substrate accommodating chamber, for heating the substrate on which the substrate is mounted, A reaction space forming unit connected to the reaction gas supply source and supplying a reaction gas into the substrate accommodating chamber; a reaction space forming unit connected to the gas supply unit and the exhaust hole and forming a reaction space in the substrate accommodating chamber; And a lead separator provided on the reaction space forming unit and detachably attached to the heat shield at a position facing the susceptor unit.

상기 가스공급부는 상기 기판수용챔버의 측벽에 설치되고, 상기 반응공간형성유닛은 복수의 가스안내판을 구비하여 반응가스의 수평 플로우를 형성하는 것을 특징으로 한다. The gas supply unit is installed on a side wall of the substrate accommodating chamber, and the reaction space forming unit includes a plurality of gas guide plates to form a horizontal flow of the reaction gas.

상기 열차폐리드는 상기 리드분리판과 상기 서셉터부의 히터블럭과의 사이에 수직플로우를 형성하는 누름가스가 공급되는 가스유로를 구비하는 것을 특징으로 한다. And the heat shielding reed includes a gas flow path for supplying pressurized gas to form a vertical flow between the lead separator and the heater block of the susceptor.

상기 리드분리판은 상기 히터블럭의 가장자리 부분으로부터 상기 히터블럭의 중앙부분으로 갈수록 상기 히터블럭과의 거리가 좁아지는 것을 특징으로 한다. And the distance from the heater block to the center portion of the heater block is narrowed from the edge portion of the heater block to the center portion of the heater block.

상기 리드분리판은 다공성 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. And the lead separator has a porous structure.

상기 리드분리판에는 상기 가스유로와 연통되는 복수의 가스관통홀을 구비하는 것을 특징으로 한다. And the lead separating plate is provided with a plurality of gas through holes communicating with the gas passages.

상기 복수의 가스안내판 각각은 상기 공급부로부터 상기 서셉터부를 향하여 경사져 형성되며, 상기 복수의 가스안내판은 최상단의 가스안내판의 경사각도가 가장 크고, 하부로 갈수록 점차 경사각도가 감소하도록 설치되는 것을 특징으로 한다.
Wherein each of the plurality of gas guide plates is formed to be inclined from the supply portion toward the susceptor portion and the plurality of gas guide plates are provided such that the inclination angle of the uppermost gas guide plate is the largest and the inclination angle gradually decreases toward the bottom, do.

상술한 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 반응공간형성유닛을 설치하여 기판수용챔버 내부에 반응공간을 형성하여 반응기 내부의 오염을 최소화함과 동시에 반응이 집중적으로 발생하는 서셉터와 마주보는 위치에서 열차폐리드에 탈착가능하게 설치된 리드분리판에 의해 반응이 집중적으로 발생하는 부분의 세정을 용이하게 할 수 있다. According to the present invention having the above-described configuration, a reaction space forming unit is provided to form a reaction space in the substrate accommodating chamber to minimize contamination inside the reactor, and at the same time, It is possible to facilitate the cleaning of the portion where the reaction is intensively generated by the lead separator provided detachably to the closed lead.

또한, 상기 리드분리판에 미량의 가스를 제공하여 리드분리판의 오염을 일차적으로 방지하여 고가의 열차폐리드를 최소한의 비용으로 세정 또는 교체할 수 있어 경제적이다.In addition, it is economical to provide a small amount of gas to the lead separator plate to prevent contamination of the lead separator plate, and to clean or replace the expensive lead-acid reed lead at a minimum cost.

또한, 본 발명은 리드분리사판에서 분사된 가스가 공정가스제공부의 노즐로부터 수평으로 진행하는 공정가스를 위에서 눌러줌으로써, 기판의 박막성장속도를 조절할 수 있다. Further, the present invention can control the thin film growth rate of the substrate by pushing the process gas, which is horizontally advanced from the nozzle of the process gas providing portion, above the gas ejected from the lead separating swash plate.

아울러, 본 발명은 서셉터와 마주보는 위치에 설치된 리드분리판을 서셉터의 온도분포에 상응하도록 설치하여, 기판상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시키고, 리드분리판의 가스유로를 통해 반응가스를 수직으로 위에서 눌러줌으로써 기판의 박막 성장속도를 향상시킬 수 있다.
The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a lead separator disposed at a position facing a susceptor so as to correspond to a temperature distribution of a susceptor, improving uniformity of a thin film deposited on a substrate, The thin film growth rate of the substrate can be improved.

도 1은 종래의 화학 기상 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기금속화학기상증착장치의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 A부분의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서의 공정가스와 누름가스의 흐름도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에서, 열차폐리드와 리드분리판의 구조의 일예를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에서, 열차폐리드와 리드분리판의 구조의 다른예를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에서, 열차폐리드와 리드분리판의 구조의 또 다른예를 도시한 것이다.1 is a view for explaining a conventional chemical vapor deposition apparatus.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an apparatus for vapor-depositing an organometallic compound according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
Fig. 3 schematically shows an enlarged view of a portion A in Fig.
4 schematically shows a flow chart of a process gas and a pressurizing gas in an embodiment of the present invention.
Fig. 5 shows an example of the structure of a heat shielding lid and a lid separating plate in an embodiment of the present invention.
Fig. 6 shows another example of the structure of the heat shielding lid and the lid separating plate in an embodiment of the present invention.
7 shows another example of the structure of the heat shielding lid and the lid separating plate in the embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기금속화학기상증착장치에 대해 설명하기로 한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an apparatus for depositing an MOCVD according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 유기금속화학기상증착장치(1)는 기판수용챔버(10)와, 서셉터부(20)와, 가스공급부(30)와, 반응공간형성유닛(40)과, 열차폐리드(70)와, 리드분리판(80)을 구비한다. 2, the organometallic chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present invention includes a substrate accommodating chamber 10, a susceptor 20, a gas supply unit 30, a reaction space forming unit 40 (70), and a lead separator plate (80).

상기 기판수용챔버(10)는 챔버의 상부를 덮는 챔버리드(11)와, 상기 챔버리드(11)에 체결되며 챔버의 측부를 덮는 외부벽부(12)와, 챔버의 하부 바닥면을 형성하는 바닥플랜지부(13)를 구비한다. The substrate accommodating chamber 10 includes a chamber lid 11 covering an upper portion of the chamber, an outer wall portion 12 fastened to the chamber lid 11 and covering a side portion of the chamber, And a flange portion (13).

상기 챔버리드(11)는 상기 외부벽부(12)에 볼트 등의 체결수단을 통해 분리가능하게 체결될 수 있으며, 상기 챔버리드(11)에는 냉각유로(11a)를 형성할 수 있다. 상기 냉각유로(11a)에는 냉각수 또는 냉각가스 등 냉각매체가 유동되도록 구성되어, 상기 기판수용챔버(10) 내의 증착공정에서 발생하는 고온의 열에 의해 가열된 상기 기판수용챔버(10)를 냉각시키도록 구성된다.
The chamber lid 11 can be detachably fastened to the outer wall portion 12 through a fastening means such as a bolt or the like and a cooling channel 11a can be formed in the chamber lid 11. [ The cooling passage 11a is configured to allow a cooling medium such as cooling water or a cooling gas to flow so as to cool the substrate accommodating chamber 10 heated by the high temperature heat generated in the deposition process in the substrate accommodating chamber 10 .

상기 외부벽부(12)는 상기 챔버리드(11)에 체결되며, 상기 기판수용챔버(10)의 측부를 덮도록 구성된다. 상기 외부벽부(12)에는 배기홀(14)이 형성되며, 상기 배기홀(14)은 가스배기라인(도시하지 않음)에 연결되어, 증착공정의 완료후에 상기 반응공간형성유닛(40)에 잔류하는 반응가스를 상기 배기홀(14)과 상기 가스배기라인(도시하지 않음)을 통해 상기 기판수용챔버(10)의 외부로 배출하도록 구성된다. The outer wall portion 12 is fastened to the chamber lid 11 and is configured to cover the side of the substrate accommodating chamber 10. An exhaust hole 14 is formed in the outer wall portion 12 and the exhaust hole 14 is connected to a gas exhaust line (not shown), so that after the completion of the deposition process, To the outside of the substrate accommodating chamber (10) through the exhaust hole (14) and the gas exhaust line (not shown).

또한, 상기 외부벽부(12)의 내부에는 내부벽부(12a)를 더욱 구비할 수 있다. 상기 내부벽부(12)에는 상기 반응공간형성유닛(40)이 삽입 관통하여 설치되어, 상기 반응공간형성유닛(40)이 안정적으로 설치될 수 있도록 구성된다. In addition, the inner wall 12a may be further provided in the outer wall 12. The reaction space forming unit 40 is inserted through the inner wall part 12 so that the reaction space forming unit 40 can be stably installed.

상기 기판수용챔버의 하부에는 바닥플랜지부(13)가 마련된다. 상기 바닥플랜지부(13)에는 냉각유로(13a)를 형성할 수 있다. 상기 냉각유로(13a)에는 냉각수 또는 냉각가스 등 냉각매체가 유동되도록 구성되어, 상기 기판수용챔버(10) 내의 증착공정에서 발생하는 고온의 열에 의해 가열된 상기 기판수용챔버(10)를 냉각시키도록 구성된다.
A bottom flange portion 13 is provided under the substrate accommodating chamber. A cooling flow path 13a can be formed in the bottom flange portion 13. The cooling passage 13a is formed so that a cooling medium such as cooling water or a cooling gas flows to cool the substrate accommodating chamber 10 heated by the high temperature heat generated in the deposition process in the substrate accommodating chamber 10 .

상기 기판수용챔버 내부에는 기판이 안착되는 서셉터부(20)가 배치된다. A susceptor portion 20 on which a substrate is placed is disposed in the substrate accommodating chamber.

상기 서셉터부(20)는, 기판이 안착되고 가열되는 히터블럭(21)과, 상기 히터블럭(21)을 지지하며 회전시키는 샤프트(22)와, 씰링부(23)와, 상기 히터블럭(21)을 가열하는 유도가열부(24)를 포함한다. The susceptor unit 20 includes a heater block 21 on which a substrate is placed and heated, a shaft 22 for supporting and rotating the heater block 21, a sealing unit 23, 21) for heating the heating portion (24).

상기 히터블럭(21)은 상부면에 복수의 기판이 안착될 수 있도록 복수의 홈이 마련되어 있다. The heater block 21 has a plurality of grooves on the upper surface thereof so that a plurality of substrates can be seated.

상기 샤프트(22)는 일끝단은 상기 히터블럭(21)에 연결되고, 타끝단은 상기 기판수용챔버(10)의 상기 바닥플랜지부(13)를 관통하여 상기 기판수용챔버(10)의 외부에 배치된 회전구동부(도시하지 않음)에 연결되어, 상기 회전블럭(21)을 지지하면서 회전시키도록 구성되어 있다. 상기 샤프트(22)의 내부에는 열전쌍(도시하지 않음)이 설치되어 상기 유도가열부(24)에 의해 가열되는 상기 히터블럭(21)의 온도를 측정하여 제어할 수 있도록 구성된다. One end of the shaft 22 is connected to the heater block 21 and the other end is connected to the outside of the substrate accommodating chamber 10 through the bottom flange portion 13 of the substrate accommodating chamber 10 (Not shown) arranged to rotate the rotary block 21 while supporting the rotary block 21. A thermocouple (not shown) is provided inside the shaft 22 to measure and control the temperature of the heater block 21 heated by the induction heating portion 24. [

상기 샤프트(22)와 상기 기판수용챔버(10)의 상기 바닥플랜지부(13) 사이에는 씰링부(23)가 마련되어, 회전하는 상기 샤프트(22)와 상기 바닥플랜지부(13) 사이의 공간을 밀봉하도록 구성된다. 상기 씰링부(23)에는 유체씨일이 충진되며, 본 실시예에 있어서 상기 유체씨일은 마그네틱의 자력에 의해 외부와의 공극을 기밀하게 밀봉하는 자성유체씨일로 구성될 수 있다.A sealing portion 23 is provided between the shaft 22 and the bottom flange portion 13 of the substrate accommodating chamber 10 so that a space between the rotating shaft 22 and the bottom flange portion 13 . The sealing portion 23 is filled with a fluid seal. In this embodiment, the fluid seal may be formed of a magnetic fluid seal sealing the air gap with the outside by the magnetic force of the magnet.

또한, 상기 씰링부(23)의 상부에는 상기 샤프트(22)를 둘러싸며 증착공정 과정에서 발생하는 고온의 열이 상기 반응기 챔버(10) 및 상기 씰링부(23)로 전달되는 것을 방지하는 단열부(26)를 더욱 설치할 수 있다. The upper part of the sealing part 23 surrounds the shaft 22 and prevents heat of high temperature generated during the deposition process from being transmitted to the reactor chamber 10 and the sealing part 23. [ (26) can be further provided.

상기 유도가열부(24)는, 예를 들면 상기 히터블럭(21)을 둘러싸는 인덕션 코일로 형성되어, 상기 유도가열부(24)의 내측에 배치된 상기 히터블럭(21)을 가열하도록 구성된다. The induction heating portion 24 is formed, for example, of an induction coil surrounding the heater block 21 so as to heat the heater block 21 disposed inside the induction heating portion 24 .

상기 유도가열부(24)와 상기 히터블럭(21)과의 사이에는 열적 배리어부재(25)를 더욱 구비할 수 있다. 상기 열적 배리어부재(25)는 상기 유도가열부(24)에 의해 가열된 상기 히터블럭(21) 의 고온의 열이 상기 기판수용챔버(10) 내부로 전달되는 것을 방지하도록 구성된다. 본 실시예에 있어서, 상기 열적 배리어부재(25)는 예를 들면 고온에 안정적이고 열반사율이 높은 질화붕소의 재질로 형성될 수 있다.
A thermal barrier member 25 may further be provided between the induction heating member 24 and the heater block 21. [ The thermal barrier member 25 is configured to prevent the high temperature heat of the heater block 21 heated by the induction heating portion 24 from being transferred into the substrate accommodating chamber 10. In this embodiment, the thermal barrier member 25 may be formed of, for example, boron nitride which is stable at high temperature and has high heat reflectance.

한편, 상기 기판수용챔버의 일측에는 가스공급부(30)가 설치된다. 상기 가스공급부(30)는 복수의 가스공급라인(도시하지 않음)에 각각 연결되는 복수의 가스공급포트(31, 32, 33)를 구비하며, 상기 복수의 가스공급라인에는 복수의 가스공급원(도시하지 않음)으로부터 반응가스 또는 누름가스가 공급된다.Meanwhile, a gas supply unit 30 is installed on one side of the substrate accommodating chamber. The gas supply unit 30 has a plurality of gas supply ports 31, 32, and 33 connected to a plurality of gas supply lines (not shown), respectively. The plurality of gas supply lines include a plurality of gas supply sources The reaction gas or the pressurized gas is supplied.

상기 복수의 가스공급포트(31, 32, 33)는, 예를 들면 Ⅲ족, Ⅴ족 반응가스(G1, G2)가 각각 공급되는 반응가스공급라인에 연결되는 반응가스공급포트(31, 32)와, 상기 반응가스공급포트(31, 32)의 상부에 마련되며 상기 반응가스의 열적 대류를 방지하고 상기 반응가스가 상기 기판상에 안정적으로 공급되도록 상기 반응가스를 누르는 누름가스(G3)가 공급되는 누름가스공급포트(33)로 구성될 수 있다. The plurality of gas supply ports 31, 32 and 33 are provided with reaction gas supply ports 31 and 32 connected to reaction gas supply lines to which, for example, group III and group V reaction gases G1 and G2 are respectively supplied, And a pressurization gas (G3) provided at an upper portion of the reaction gas supply ports (31, 32) for preventing thermal convection of the reaction gas and pressing the reaction gas to stably supply the reaction gas onto the substrate And a pressurized gas supply port 33 for supplying pressurized gas.

상기 복수의 가스공급포트(31, 32, 33)는 각각 가스가이드블럭(35)에 연결되며 각각의 가스가이드블럭(35)의 끝단에는 공급된 반응가스(G1, G2)와 누름가스(G3)를 상기 기판수용챔버(10)의 내부로 안내하고 분사하기 위한 복수의 가스안내판(45)이 설치된다.
The plurality of gas supply ports 31, 32 and 33 are respectively connected to the gas guide block 35. The reaction gases G1 and G2 and the pressurized gas G3 supplied to the ends of the respective gas guide blocks 35, A plurality of gas guide plates 45 for guiding and injecting gas into the substrate accommodating chamber 10 are installed.

한편, 본 발명에 의한 유기금속화학기상증착장치(1)는 상기 기판수용챔버(10)의 내부에 설치되는 반응공간형성유닛(40)을 더욱 구비한다. 상기 반응공간형성유닛(40)을 설치함으로써, 상기 기판수용챔버(10)내에 반응공간(41)을 형성하여, 챔버 내의 반응공간을 최소화하고 이로 인해 챔버내의 오염을 최소화할 수 있다. Meanwhile, the apparatus for depositing organometallic chemical vapor 1 according to the present invention further includes a reaction space forming unit 40 installed inside the substrate accommodating chamber 10. By providing the reaction space forming unit 40, the reaction space 41 can be formed in the substrate accommodating chamber 10 to minimize the reaction space in the chamber, thereby minimizing contamination in the chamber.

상기 반응공간형성유닛(40)은 상기 챔버리드(11)에 대응하는 측에 설치되는 상부판(도시하지 않음)과, 측부판(도시하지 않음)와, 상기 서셉터부에 대응하는 측에 설치되는 하부판(도시하지 않음)을 포함하며, 상기 반응공간형성유닛에 반응가스가 공급되는 측과 상기 배기홀(14)에 연통되는 측이 개구된다.The reaction space forming unit 40 includes an upper plate (not shown) provided on the side corresponding to the chamber lid 11, a side plate (not shown) And a side communicating with the exhaust hole 14 is opened at the side where the reaction gas is supplied to the reaction space forming unit.

상기 반응공간형성유닛(40)의 일측은 상기 기판수용챔버(10)의 내부벽부를 관통하여 상기 복수의 가스공급포트(31, 32, 33)가 삽입되어 설치되는 가스가이드블럭(35)에 체결되고, 타측은 상기 외부벽부(12)에 형성된 배기홀(14)에 연통하도록 구성된다. One side of the reaction space forming unit 40 is fastened to the gas guide block 35 through which the plurality of gas supply ports 31, 32 and 33 are inserted through the inner wall of the substrate accommodating chamber 10 , And the other side communicates with the exhaust hole (14) formed in the outer wall portion (12).

상기 반응공간형성유닛(40)의 상기 상부판에는 상기 히터블럭(21)에 마주보는 측에 열차폐리드(70)를 설치한다. On the upper plate of the reaction space forming unit (40), a heat shielding lid (70) is provided on the side facing the heater block (21).

상기 하부판은 상기 히터블럭(21)의 상부면에 대응하는 위치에 개구를 갖도록 구성된다. 즉, 상기 하부판의 개구의 위치는 상기 히터블럭(21)의 끝단의 위치 또는 기판이 안착되는 위치에 형성되어, 상기 하부판(43)의 개구의 위치에서 상기 반응가스 및/또는 누름가스가 기판상에 공급되도록 구성될 수 있다.
The lower plate is configured to have an opening at a position corresponding to the upper surface of the heater block (21). That is, the position of the opening of the lower plate is formed at the position of the end of the heater block 21 or the position where the substrate is seated, so that the reaction gas and / As shown in FIG.

또한, 상기 반응공간형성유닛(40)은 복수의 가스안내판(45)을 구비한다. 상기 가스안내판(45)은 상기 반응공간형성유닛(40) 내에서 상기 가스공급부(30)측에 설치되어 공급되는 반응가스 및/또는 누름가스를 기판상으로 안정적으로 안내하도록 구성된다. In addition, the reaction space forming unit 40 includes a plurality of gas guide plates 45. The gas guide plate 45 is configured to stably guide the reaction gas and / or the pressurized gas supplied to the gas supply unit 30 side in the reaction space forming unit 40 on the substrate.

또한, 상기 복수의 가스안내판(45)의 타끝단, 즉 가스안내판(45)의 상기 서셉터부(20)측을 향한 끝단은 상기 열차폐리드(70)의 하부에 위치되도록 구성되는 것이 바람직하다.The other end of the plurality of gas guide plates 45, that is, the end of the gas guide plate 45 toward the susceptor 20 may be positioned below the heat shield 70 .

또한, 상기 복수의 가스안내판(45) 각각은 상기 가스가이드블럭(35)측으로부터 상기 서셉터부(20)를 향하여 경사져 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 복수의 가스안내판(45)의 경사각도는 서로 다르게 형성될 수 있다. Each of the plurality of gas guide plates 45 is preferably formed to be inclined from the gas guide block 35 toward the susceptor 20. In addition, the inclination angles of the gas guide plates 45 may be different from each other.

예를 들면, 최상단의 가스안내판의 경사각도가 가장 크고, 그 하부로 갈수록 점차 경사각도가 감소하도록 설치하여, 상기 가스안내판들(45)에 의해 형성되는 가스안내로가 상기 기판을 향하여 점차 감소하도록 형성함으로써, 공급되는 가스의 흐름을 상기 기판상을 향하여 안정적으로 이루어지도록 구성할 수 있다. For example, the inclination angle of the uppermost gas guide plate is the largest, and the inclination angle is gradually decreased toward the lower part, so that the gas guide path formed by the gas guide plates 45 gradually decreases toward the substrate The flow of the supplied gas can be stably made toward the substrate.

또한, 상기 가스안내판(45)을 경사지게 형성하고, 상하로 인접하는 가스안내판에 의해 가스안내로를 형성함으로써 공급되는 가스들이 기판 상부의 반응공간 이전에 혼합되어 기상반응하고 기생증착하는 것을 방지하고 반응가스의 소모량을 줄일 수 있다. In addition, the gas guide plate 45 is inclined, and the gas guide paths are formed by vertically adjoining gas guide plates to prevent gas supplied before the reaction space above the substrate from vapor-phase reaction and parasitic deposition, The consumption of gas can be reduced.

또한, 상기 가스가이드블럭(35)의 하부에는 노즐위치조절부(도시하지 않음)를 설치하여, 상기 가스가이드블럭(35)에 설치된 복수의 가스안내판(45)의 위치를 상기 서셉터부(20)측을 향하여 전후로 이동시켜 상기 반응가스 및/또는 누름가스의 기판상의 공급위치를 조절할 수 있다.
A plurality of gas guide plates 45 provided on the gas guide block 35 may be disposed on the lower portion of the gas guide block 35 to position the susceptor 20 To adjust the supply position of the reaction gas and / or pushing gas on the substrate.

상술한 바와 같이, 상기 기판수용챔버(10)의 측벽에 설치된 상기 가스공급부(30) 및 상기 가스안내판(45)에 의해 상기 반응공간형성유닛(40) 내에서 반응가스의 수평 플로우를 형성할 수 있다. The horizontal flow of the reaction gas can be formed in the reaction space forming unit 40 by the gas supply unit 30 and the gas guide plate 45 provided on the side wall of the substrate accommodating chamber 10, have.

또한, 가스공급라인의 상단에 위치한 누름가스는 Ⅲ족, Ⅴ족 반응가스를 상단에서 누름으로써, Ⅲ족, Ⅴ족 반응가스와 누름가스의 Flow Ratio값을 적절히 조절함으로써 박막 성장률이 현저히 개선될 수 있다.
In addition, the pressurization gas located at the upper end of the gas supply line can significantly improve the thin film growth rate by appropriately controlling the Flow Ratio values of the Group III and Group V reaction gases and the pressurized gas by pressing the Group III or Group V reaction gas at the top have.

상기 반응공간형성유닛(40)의 상기 상부판에는 열차폐리드(70)를 설치할 수 있다. 상기 열차폐리드(70)는, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 히터블럭(21)에 대향하는 위치에 설치되며, 상기 상부판보다 두껍고, 상기 히터블럭(21)의 상부면을 향하여 돌출되어, 상기 히터블럭(21)에 안착된 기판 위의 반응공간을 더욱 작게 형성할 수 있다. The heat shielding lid 70 may be provided on the upper plate of the reaction space forming unit 40. 2 and 3, the heat shielding lid 70 is provided at a position facing the heater block 21, and is thicker than the upper plate, and faces the upper surface of the heater block 21 So that the reaction space on the substrate mounted on the heater block 21 can be further reduced.

또한, 상기 열차폐리드(70)는 상기 반응공간형성유닛(40)의 상부판과 일체형으로 체결되며, 교체가 용이하도록 상기 상부판과 분리가능하게 구성될 수 있다. 또한, 상기 열차폐리드(70)는, 예를 들면 고온에 안정적이고 열반사율이 높은 질화붕소의 재질로 형성될 수 있다. The heat shielding lid 70 is integrated with the upper plate of the reaction space forming unit 40, and can be detachably attached to the upper plate for easy replacement. Further, the heat shielding lid 70 may be formed of, for example, a boron nitride material which is stable at high temperatures and has high heat reflectivity.

상기 기판수용챔버(10) 내부의 온도는 1600℃ 정도의 고온에 이르기 때문에 상기 히터블럭(21)을 감싸고 있는 열적 배리어부재(25)와 상기 열차폐리드(70)를 질화붕소 소재를 이용함으로 고온에 안정적으로 구성한다. Since the temperature inside the substrate accommodating chamber 10 reaches a high temperature of about 1600 ° C, the thermal barrier member 25 surrounding the heater block 21 and the heat shielding lid 70 are made of a boron nitride material, .

이로써, 열반사율이 높은 상기 열차폐리드(70)에 의해 기판을 효율적으로 가열함과 동시에 기판의 가열에 소요되는 소비전력을 효율적으로 저감시킬 수 있다. 또한, 기판상에 박막이 성장하는 과정에서 증착공정의 화학적 반응에 의해 부산물이 집중적으로 발생하는 위치에 상기 열차폐리드를 설치하여 부품의 교체주기를 연장함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있다.
Thus, the heat shielding lid 70 having a high heat reflectance can efficiently heat the substrate, and at the same time, the power consumption required for heating the substrate can be efficiently reduced. In addition, it is possible to improve the throughput by extending the replacement cycle of parts by installing the heat shielding reed at a position where byproducts are intensively generated by the chemical reaction in the process of growing the thin film on the substrate.

한편, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 챔버리드(11)와 상기 열차폐리드(70)에는 후술하는 반응공간형성유닛(40)내에서 기판상에 증착되는 박막을 광학적으로 측정하기 위한 광학센서(도시하지 않음)의 광측정 통로로서 기능하는 센서튜브(79)가 설치되어 있다. 여기서, 상기 센서튜브(79)에는 퍼지가스(81)를 도입하여 상기 반응공간형성유닛(40)으로부터 반응가스가 상기 센서튜브(79)로 배출되는 것을 방지하도록 구성된다.
5, the chamber lid 11 and the heat shielding lid 70 are provided with an optical sensor (not shown) for optically measuring a thin film deposited on a substrate in a reaction space forming unit 40 And a sensor tube 79 functioning as a light measuring passage of a sensor (not shown). A purge gas 81 is introduced into the sensor tube 79 to prevent the reaction gas from being discharged from the reaction space forming unit 40 to the sensor tube 79.

상기 열차폐리드(70)는 하면에는 리드분리판(80)이 상기 열차폐리드(70)에 분리가능하게 설치된다. 상기 리드분리판(180)은 상기 히터블럭(21)과 마주보는 위치에서 상기 열차폐리드(70)의 하면에 설치된 것이 바람직하다. The lower surface of the heat-shielding lid 70 is detachably attached to the heat-shielding lid 70. It is preferable that the lead separator 180 is installed on a lower surface of the heat shield 70 at a position facing the heater block 21.

반응가스(G1, G2)가 기판(W)에 증착되는 과정에서 일부의 반응가스는 누름가스(G3)가 눌러줌에도 불구하고 상부로 이동되면서, 상기 열차폐리드(70)의 하면에 증착되는 경우가 있다. 이때, 고가의 열차폐리드(70)중 반응가스가 집중적으로 증착되는 부분에 상기 리드분리판(80)을 분리가능하게 설치하여, 세정이 필요할 경우에 상기 리드분리판(80)을 분리하여 세정함으로써 고가의 장비인 상기 열차폐리드(70)의 세정에 소요되는 비용과 시간을 절감할 수 있다.
The reaction gases G1 and G2 are deposited on the substrate W while some of the reactive gases are deposited on the lower surface of the heat shielding lid 70 while the push gas G3 is pressed upward There is a case. At this time, the reed separator plate 80 is detachably installed in a portion where the reactive gas is concentrated in the expensive reheater 70, so that the reed separator plate 80 is separated and cleaned The cost and time required for cleaning the heat-shielding lid 70, which is expensive equipment, can be saved.

상기 리드분리판(80)은 열반사율이 높은 재질, 예컨대, 질화붕소(Boron Nitride), SiC, 흑연(Graphite), 세라믹(Ceramics) 또는 석영 등의 재질로 이루어질 수 있다. The lead separator 80 may be made of a material having a high heat reflectance such as boron nitride, SiC, graphite, ceramics, or quartz.

상기 리드분리판(180)은 도 5에 나타낸 바와 같이, 평판형 구조를 가질 수 있지만, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이 다양한 구조를 가질 수 있다.
As shown in FIG. 5, the lead separator 180 may have a plate-like structure, but may have various structures as shown in FIG. 6 and FIG.

도 6 및 도 7은 본 발명의 열차폐리드(70)와 리드분리판(80)의 다른 예를 나타내는 도면이다. 6 and 7 are views showing another example of the heat shielding lid 70 and the lid separating plate 80 of the present invention.

도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 열차폐리드(70)에는 반응가스(G1, G2)가 상기 열차폐리드(70)에 증착되는 것을 방지하기 위해 열차폐리드(70)로 직접적으로 미량의 누름가스(G4)를 공급하는 가스유로(72)가 구비된다.6 and 7, in order to prevent the reaction gases G1 and G2 from being deposited on the heat-shielding leads 70, the heat-shielding leads 70 are directly connected to the heat- And a gas passage 72 for supplying a pressurizing gas G4 of the gas.

상기 가스유로(72)는 수직누름가스공급관(34)을 통해 수직누름가스공급포트(34)에 연결되며, 상기 수직누름가스공급포트(34)는 상기 가스공급부(30)의 누름가스를 공급하는 반응가스공급포트(33)의 상부에 설치된다. The gas channel 72 is connected to the vertical push gas supply port 34 through the vertical push gas supply pipe 34 and the vertical push gas supply port 34 is connected to the press gas supply port 34 And is installed on the upper part of the reaction gas supply port 33.

상기 가스유로(72)는 상기 열차폐리드(70)내에서 절곡되어 상기 리드분리판(80)에 연결되며, 상기 가스유로(72)를 통해 공급되는 누름가스(G4)는 상기 리드분리판(80)을 관통하여 상기 히터블럭(21) 상부의 반응공간을 향하여 수직으로 분사된다. The gas passage 72 is bent in the heat shield 70 to be connected to the lead separator 80 and the pressurized gas G4 supplied through the gas passage 72 is connected to the lead separator 80 and is sprayed vertically toward the reaction space above the heater block 21.

이로써, 상기 누름가스(G4)에 의해 상기 히터블럭(21)의 상부에 수직플로우를 형성하여, 상기 반응가스(G1, G2)가 상기 열차폐리드(70) 및 상기 리드분리판(80)에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 수직플로우를 형성하는 상기 누름가스(G4)의 주입량을 조절하여 수평플로우를 형성하는 상기 누름가스(G3) 및 상기 반응가스(G1, G2)를 상부로부터 수직으로 눌러줌으로써 기판상에 증착되는 박막의 성장속도를 조절할 수 있다.
A vertical flow is formed on the heater block 21 by the pushing gas G4 so that the reaction gases G1 and G2 are supplied to the heat shield 70 and the lead separator 80 Deposition can be prevented. The pressurization gas G3 and the reaction gases G1 and G2 forming the horizontal flow are vertically pressed from above by adjusting the injection amount of the pressurizing gas G4 forming the vertical flow, The growth rate of the thin film can be controlled.

또한, 상기 열차폐리드(70)에는 안착홈(71)을 설치하고, 상기 안착홈(71)은 단턱진 구조로 형성되어 상기 리드분리판(80)이 안착되면서 상기 리드분리판(80)과 상기 열차폐리드(70)와의 사이에 상기 누름가스(G4)가 퍼져 유동하는 공간을 형성할 수 있다.
The heat shielding lid 70 is provided with a seating groove 71 and the seating groove 71 is formed in a stepped structure so that the lead separating plate 80 is seated, It is possible to form a space in which the pushing gas G4 spreads between the heat shield 70 and the heat shield 70 so as to flow.

상기 리드분리판(80)은 상기 히터블럭(21)의 온도 분포에 상응하는 형상으로 설치되는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 본 실시예에 있어서 상기 리드분리판(80)은 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 원추형 형상을 가질 수 있다. The lead separator 80 may be formed in a shape corresponding to the temperature distribution of the heater block 21. To this end, the lead separator plate 80 may have a conical shape as shown in Figs. 6 and 7 in this embodiment.

상기 유도가열부(24)에 의해 가열된 상기 히터블럭(21)은 가장자리부분이 중앙부분보다 상대적으로 온도가 높다. 상기 히터블럭(21)의 이러한 온도분포를 고려하여, 상기 리드분리판(80)을 원추형 형상으로 구성하여 상기 리드분리판(80)과 상기 히터블럭(21)과의 거리를 상기 히터블럭(21) 의 가장자리 부분에서 서셉터(130)의 중앙부분으로 갈수록 좁혀, 기판상에 증착되는 박막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
The edge portion of the heater block 21 heated by the induction heating portion 24 is relatively higher in temperature than the center portion. The lead separating plate 80 may be formed in a conical shape in consideration of the temperature distribution of the heater block 21 so that the distance between the lead separating plate 80 and the heater block 21 is larger than the distance between the heater block 21 To the central portion of the susceptor 130, so that the uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved.

또한, 상기 리드분리판(80)은, 도 6에 나타낸 바와 같이, 다공질 재질로 이루어져, 상기 누름가스(G4)가 상기 리드분리판(80)을 용이하게 관통할 수 있도록 구성될 수 있고, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 가스유로(72)와 연통하는 복수의 가스관통홀(85)이 마련된 구조를 가질 수 있다.
6, the lead separator 80 may be made of a porous material so that the pushing gas G4 can easily pass through the lead separator 80, A plurality of gas through holes 85 communicating with the gas channel 72 may be provided as shown in FIG.

본 발명의 실시예에 따른 유기금속화학기상증착장치(1)는 상기와 같은 구조를 가져, 열차폐리드(70)의 오염을 방지하여, 열차폐리드(70)의 세정 및 교체주기를 연장시킬 수 있다. The organometallic chemical vapor deposition apparatus 1 according to the embodiment of the present invention has the above-described structure to prevent contamination of the heat shield 70 and to extend the cycle of cleaning and replacement of the heat shield 70 .

또한, 상기 열차폐리드(70)를 세정하는 경우에 열차폐리드(70) 전체를 세정하는 것이 아니라 열차폐리드(70)에서 리드분리판(80)만을 분리하여 세정함으로써 반응공간(41)을 깨끗하게 하여 연속공정의 균일한 데이터를 확보할 수 있고, 아울러, 유기금속화학기상증착장치(1)의 가동시간을 향상할 수 있다. When the heat shield 70 is cleaned, not only the entire heat shield 70 is cleaned but only the lead shield 80 is removed from the heat shield 70 to clean the reaction space 41 The uniform data of the continuous process can be ensured and the operation time of the organometallic chemical vapor deposition apparatus 1 can be improved.

또한, 본 발명은 열차폐리드(70)로 제공되는 누름가스(G4)의 주입량을 조절하여, 라미나플로우(laminar flow) 방식의 반응가스의 수평흐름에 수직플로우를 형성하여 박막의 성장속도를 향상시킬 수 있다.
The present invention also provides a method of controlling the growth rate of a thin film by forming a vertical flow in a horizontal flow of a reaction gas of a laminar flow type by controlling an injection amount of a push gas (G4) Can be improved.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

1: 유기금속화학기상증착장치 10: 챔버
20: 서셉터부 21 : 히터블럭
24: 유도가열부 30 : 가스공급부
40 : 반응공간형성유닛
70 : 열차폐리드
80 : 리드분리판1: Organometallic chemical vapor deposition apparatus 10: Chamber
20: susceptor part 21: heater block
24: Induction heating part 30: Gas supply part
40: reaction space forming unit
70: Thermal Leads
80: lead separator plate

Claims (7)

기판수용챔버와,
상기 기판수용챔버 내부에 배치되고, 기판이 안착되며 안착된 상기 기판을 가열하는 서셉터부와,
반응가스공급원에 연결되어 상기 기판수용챔버내부로 반응가스를 공급하는 가스공급부와,
상기 서셉터의 상부에서 상기 가스공급부와 배기홀에 연통되도록 설치되며 상부판과 측부판과 하부판을 구비하여 상기 기판수용챔버 내부에 반응공간을 형성하는 반응공간형성유닛과,
상기 서셉터부의 상부에 배치되며 상기 반응공간형성유닛의 상부판에 연결되어 설치되는 열차폐리드 및
상기 서셉터부와 마주보는 위치에서 상기 열차폐리드에 분리가능하게 설치된 리드분리판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
A substrate accommodating chamber,
A susceptor portion disposed in the substrate accommodating chamber for heating the substrate on which the substrate is seated and seated,
A gas supply unit connected to the reaction gas supply source and supplying the reaction gas into the substrate accommodating chamber,
A reaction space forming unit provided at an upper portion of the susceptor so as to communicate with the gas supply unit and the exhaust hole and having a top plate, a side plate and a bottom plate to form a reaction space in the substrate accommodating chamber,
A heat shielding lead disposed above the susceptor and connected to an upper plate of the reaction space forming unit,
And a lead separator provided on the heat shield at a position facing the susceptor so as to be detachable from the heat shield.
제 1 항에 있어서,
상기 가스공급부는 상기 기판수용챔버의 측벽에 설치되고, 상기 반응공간형성유닛은 복수의 가스안내판을 구비하여 반응가스의 수평 플로우를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gas supply unit is installed on a side wall of the substrate accommodating chamber, and the reaction space forming unit includes a plurality of gas guide plates to form a horizontal flow of the reaction gas.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열차폐리드는 상기 리드분리판과 상기 서셉터부의 히터블럭과의 사이에 수직플로우를 형성하는 누름가스가 공급되는 가스유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heat shielding reed comprises a gas flow path for supplying pressurized gas to form a vertical flow between the lead separating plate and the heater block of the susceptor.
제 3 항에 있어서,
상기 리드분리판은 상기 히터블럭의 가장자리 부분으로부터 상기 히터블럭의 중앙부분으로 갈수록 상기 히터블럭과의 거리가 좁아지는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
The method of claim 3,
Wherein the distance from the edge of the heater block to the center of the heater block is narrower than the distance from the heater block to the center of the heater block.
제 3 항에 있어서,
상기 리드분리판은 다공성 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
The method of claim 3,
Wherein the lead separator has a porous structure.
제 3 항에 있어서,
상기 리드분리판에는 상기 가스유로와 연통되는 복수의 가스관통홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
The method of claim 3,
Wherein the lead separator plate has a plurality of gas through holes communicating with the gas flow channels.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 가스안내판 각각은 상기 가스공급부로부터 상기 서셉터부를 향하여 경사져 형성되며,
상기 복수의 가스안내판은 최상단의 가스안내판의 경사각도가 가장 크고, 하부로 갈수록 점차 경사각도가 감소하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.




3. The method of claim 2,
Wherein each of the plurality of gas guide plates is formed to be inclined from the gas supply unit toward the susceptor unit,
Wherein the plurality of gas guide plates are installed such that the inclination angle of the uppermost gas guide plate is the largest and the inclination angle gradually decreases toward the bottom.




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