KR101606454B1 - Apparatus for forming a thin layer on a substrate - Google Patents

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Abstract

박막 형성 장치에서 제1 및 제2 공정 모듈은 기판의 제1 면 및 제2 면 상에 각각 박막을 형성하기 위하여 구비된다. 상기 제1 및 제2 공정 모듈들 사이에는 상기 기판을 반전시켜 이송하는 반전 모듈이 구비된다. 상기 반전 모듈은 회전축에 연결된 반전 암을 포함하며, 상기 반전 암은 상기 기판을 수납하는 공간을 갖고 물레방아 형태로 회전하여 상기 기판을 반전 및 이송한다.

Figure R1020090100556

In the thin film forming apparatus, the first and second process modules are provided for forming thin films on the first and second surfaces of the substrate, respectively. And an inversion module for inverting and transferring the substrate is provided between the first and second process modules. The inverting module includes an inverting arm connected to a rotating shaft, and the inverting arm rotates in the form of a spinning wheel with a space for accommodating the substrate to invert and transport the substrate.

Figure R1020090100556

Description

기판 상에 박막을 형성하는 장치 {Apparatus for forming a thin layer on a substrate}[0001] Apparatus for forming a thin film on a substrate [0002]

본 발명의 실시예들은 기판 상에 박막을 형성하는 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판의 제1 면과 제2 면 상에 박막을 형성하도록 구성된 박막 형성 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention are directed to an apparatus for forming a thin film on a substrate. And more particularly, to a thin film forming apparatus configured to form a thin film on a first surface and a second surface of a substrate.

태양전지 기술에서 p-n 접합에 사용되는 p 영역과 n 영역의 성질에 따라 동종접합(homojunction) 및 이종접합(heterojunction)으로 나눌 수 있는데, 이중 이종접합은 서로 다른 결정구조 또는 서로 다른 물질로 결합된 경우를 의미한다.In solar cell technology, homojunctions and heterojunctions can be divided into two types depending on the properties of p and n regions used for pn junctions. .

특히, 상기 이종접합 태양전지의 경우 실리콘 웨이퍼와 같은 기판의 제1 면 또는 전면 상에 에미터(emitter)로서 사용되는 비정질 실리콘(a-Si)과 투명 전극으로서 인듐 틴 산화물(indium tin oxide; ITO) 및 금속 배선을 형성하며, 상기 기판의 제2 면 또는 후면에는 하부 전극으로서 알루미늄 또는 ITO 막이 형성될 수 있다.Particularly, in the case of the heterojunction solar cell, amorphous silicon (a-Si) used as an emitter on a first surface or a front surface of a substrate such as a silicon wafer and indium tin oxide (ITO ) And a metal wiring, and an aluminum or ITO film may be formed as a lower electrode on the second surface or the rear surface of the substrate.

또한, 광변환 효율을 향상시키기 위한 HIT(heterojunction with intrinsic thin film) 셀 태양전지의 경우 n 형의 결정질 실리콘 기판과 p 형의 비정질 실리 콘막 사이에 인트린식(intrinsic) 비정질 실리콘막이 형성될 수 있으며, 하부 전극과 실리콘 기판 사이에 인트린식 비정질 실리콘막과 후면 전계(back surface field; BSF) 형성을 위한 n 형의 비정질 실리콘막이 형성될 수 있다.Also, in the case of HIT (heterojunction with intrinsic thin film) solar cell for improving the light conversion efficiency, an intrinsic amorphous silicon film may be formed between the n-type crystalline silicon substrate and the p-type amorphous silicon film, An intrinsic amorphous silicon film and an n-type amorphous silicon film for forming a back surface field (BSF) may be formed between the lower electrode and the silicon substrate.

상기와 같이 이종접합 태양전지의 제조 공정에서는 실리콘 기판의 전면과 후면에 다양한 박막들을 형성하기 위하여 상기 기판을 반전시키기 위한 장치가 요구된다. 즉, 상기 기판의 제1 면 상에 인트린식 비정질 실리콘막, p 형의 비정질 실리콘막, 투명 전극막, 금속막을 형성하는 박막 형성 장치와, 상기 제1 면 상에 박막들이 형성된 기판을 반전시키는 장치와, 상기 반전된 기판을 이송하는 장치, 상기 기판의 제2 면 상에 인트린식 비정질 실리콘막, n 형의 비정질 실리콘막, 후면 전극막, 금속막을 형성하기 위한 박막 형성 장치, 등이 요구된다.In the manufacturing process of the heterojunction solar cell as described above, a device for inverting the substrate is required to form various thin films on the front and rear surfaces of the silicon substrate. That is, a thin film forming apparatus for forming an intrinsic amorphous silicon film, a p-type amorphous silicon film, a transparent electrode film, and a metal film on the first surface of the substrate, a device for inverting the substrate on which the thin films are formed on the first surface, An apparatus for transferring the inverted substrate, an intrinsic amorphous silicon film, an n-type amorphous silicon film, a rear electrode film, a thin film forming apparatus for forming a metal film, and the like on the second surface of the substrate.

즉, 상기 박막 형성 장치들 사이에서 기판을 반전시키고 이송하기 위하여 기판 반전 장치와 기판 이송 장치가 별도로 요구되므로 전체적인 장치의 가격과 크기가 증가된다. 또한, 상기 박막 형성 장치들 사이에서 상기 기판을 이송하는데 많은 시간이 소요되므로 태양전지의 제조 비용이 증가될 수 있다.That is, since the substrate reversing device and the substrate transfer device are separately required for reversing and transferring the substrates between the thin film forming devices, the overall device cost and size are increased. In addition, since it takes a long time to transfer the substrate between the thin film forming apparatuses, the manufacturing cost of the solar cell can be increased.

본 발명의 실시예들은 상술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 기판의 반전과 이송을 용이하게 수행할 수 있는 박막 형성 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a thin film forming apparatus capable of easily carrying out substrate reversal and transfer in order to solve the above-mentioned problems.

본 발명의 실시예들에 따르면, 박막 형성 장치는 기판의 제1 면 상에 박막을 형성하기 위한 적어도 하나의 공정 챔버를 포함하는 제1 공정 모듈과, 상기 기판의 제2 면 상에 박막을 형성하기 위한 적어도 하나의 공정 챔버를 포함하는 제2 공정 모듈과, 상기 제1 및 제2 공정 모듈들 사이를 연결하며 상기 제1 및 제2 공정 모듈들 사이에서 상기 기판을 반전시켜 이송하는 반전 모듈을 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a thin film forming apparatus includes a first process module including at least one process chamber for forming a thin film on a first side of a substrate, and a second process module for forming a thin film on the second side of the substrate A second process module including at least one process chamber for transferring the substrate between the first process module and the second process module, and a reversing module connecting between the first and second process modules, .

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반전 모듈은 상기 제1 및 제2 공정 모듈들이 배열된 제1 수평 방향에 대하여 수직하는 제2 수평 방향으로 배치된 회전축과, 상기 회전축에 결합되며 상기 기판을 수납하기 위한 공간을 갖는 적어도 하나의 반전 암과, 상기 회전축과 연결되어 상기 기판을 반전 및 이송하기 위하여 상기 반전 암을 회전시키는 회전 구동부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the reversing module includes a rotation axis disposed in a second horizontal direction perpendicular to a first horizontal direction in which the first and second process modules are arranged, And a rotation driving unit connected to the rotation shaft to rotate the reversing arm for reversing and transporting the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반전 암은 상기 회전축에 결합되어 상기 제1 수평 방향으로 연장하며 상기 기판의 제1 모서리가 수납되는 제1 채널을 갖는 채널 베이스와, 상기 채널 베이스로부터 연장하며 상기 제1 모서리에 인접하며 서로 마주하는 상기 기판의 제2 모서리들이 각각 수납되는 제2 채널을 갖는 한 쌍의 채널 암들을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the reversing arm may include a channel base coupled to the rotation axis and having a first channel extending in the first horizontal direction and receiving a first edge of the substrate, And a pair of channel arms having a second channel adjacent to the first edge and each receiving second corners of the substrate facing each other.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 채널들 각각은 상기 기판의 제1 면과 제2 면을 각각 지지하기 위한 제1 지지면과 제2 지지면 및 상기 제1 및 제2 지지면들 사이에 구비된 알파벳 ‘V’자 형태의 측면을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each of the first and second channels includes a first support surface and a second support surface for respectively supporting a first surface and a second surface of the substrate, Quot; V " -shaped sides provided between the faces.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 채널 암들 각각의 자유단 부위에는 상기 기판의 반입 및 반출을 위한 개구가 형성될 수 있으며, 상기 개구는 상기 기판이 반입될 때 상기 기판을 상기 제1 지지면으로 안내하기 위하여 경사면을 갖는 제1 돌출부와 상기 기판이 반전될 때 상기 기판이 상기 제2 지지면으로부터 벗어나는 것을 방지하기 위하여 상기 제1 돌출부와 마주하도록 구비되는 제2 돌출부에 의해 한정될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an opening for carrying in and carrying out the substrate may be formed at a free end of each of the channel arms, A first protrusion having an inclined surface for guiding and a second protrusion provided to face the first protrusion to prevent the substrate from deviating from the second supporting surface when the substrate is inverted.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 채널들 각각의 제2 지지면에는 상기 기판이 반전될 때 상기 기판의 충격을 흡수하기 위한 완충 부재가 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a buffer member for absorbing the impact of the substrate when the substrate is inverted may be disposed on a second support surface of each of the second channels.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판의 제1 면과 제2 면 상에 각각 박막을 형성하는 제1 및 제2 공정 모듈들 사이에서 상기 기판은 반전 모듈에 의해 반전과 이송이 이루어질 수 있다. 특히, 상기 반전 모듈은 회전축과 반전 암을 이용하여 상기 기판을 180ㅀ 회전시킴으로써 반전과 이송을 동시에 수행할 수 있다.According to embodiments of the present invention as described above, between the first and second process modules, each of which forms a thin film on a first side and a second side of a substrate, the substrate is reversed and transported by an inversion module Lt; / RTI > Particularly, the reversing module can simultaneously perform the reversal and the conveyance by rotating the substrate 180 ° using the rotation axis and the reversing arm.

상기와 같이 기판의 반전과 이송의 두 가지 기능이 하나로 통합됨으로써 상기 박막 형성 장치의 크기와 가격이 크게 감소될 수 있으며, 또한 상기 박막 형성 장치를 이용하여 이종접합 태양전지를 제조하는 경우, 상기 태양전지의 제조 비용 을 크게 절감할 수 있다.As described above, when the two functions of the substrate inversion and transport are integrated into one, the size and the price of the thin film forming apparatus can be greatly reduced. In addition, when the heterojunction solar cell is manufactured using the thin film forming apparatus, The manufacturing cost of the battery can be greatly reduced.

이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반전 모듈을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 1 is a schematic structural view for explaining a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a reversal module shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 장치(100)는 기판(10) 상에 다양한 박막들을 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 이종접합 태양전지를 제조하기 위한 기판(10) 상에 다양한 막들을 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 상기 기판(10)으로는 n 형의 결정질 실리콘 기판이 사용될 수 있다. 도시된 바에 의하면 사각 형태의 기판(10)이 사용되고 있으나, 기판(10)의 형태는 다소 변경될 수 있다. 예를 들면, 원형의 실리콘 기판이 사용될 수도 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a thin film forming apparatus 100 according to an embodiment of the present invention can be used to form various thin films on a substrate 10. For example, it can be used to form various films on a substrate 10 for producing a heterojunction solar cell. As the substrate 10, an n-type crystalline silicon substrate may be used. Although the rectangular shaped substrate 10 is shown, the shape of the substrate 10 may be somewhat modified. For example, a circular silicon substrate may be used.

상기 박막 형성 장치(100)는 상기 기판(10)의 제1 면 또는 전면 상에 박막을 형성하기 위한 제1 공정 모듈(110), 상기 기판(10)의 제2 면 또는 후면 상에 박막을 형성하기 위한 제2 공정 모듈(130), 상기 제1 및 제2 공정 모듈들(110, 130) 사이에서 상기 기판(10)을 반전시켜 이송하기 위한 반전 모듈(150) 등을 포함할 수 있다.The thin film forming apparatus 100 may include a first process module 110 for forming a thin film on a first side or a front side of the substrate 10, a thin film formation process on a second side or rear side of the substrate 10, And a reversing module 150 for reversing and transferring the substrate 10 between the first and second processing modules 110 and 130. The second processing module 130 may be a microprocessor,

상기 제1 공정 모듈(110)은 적어도 하나의 공정 챔버를 포함할 수 있다. 예 를 들면, 상기 제1 공정 모듈(110)은 도시된 바와 같이 4개의 공정 챔버들(112, 114, 116, 118)을 포함할 수 있다. 각각의 공정 챔버들은 화학기상증착, 물리기상증착 등의 방법을 이용하여 상기 기판(10)의 제1 면 상에 박막을 형성하기 위하여 구비될 수 있다.The first process module 110 may include at least one process chamber. For example, the first process module 110 may include four process chambers 112, 114, 116, 118 as shown. Each of the process chambers may be provided to form a thin film on the first side of the substrate 10 using a method such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or the like.

예를 들면, 상기 제1 공정 모듈(110)은 상기 기판(10) 상에 불순물을 포함하지 않는 인트린식 비정질 실리콘막을 형성하기 위한 제1 공정 챔버(112)와, 상기 인트린식 비정질 실리콘막 상에 p 형의 비정질 실리콘막을 형성하기 위한 제2 공정 챔버(114)와, 상기 p 형의 비정질 실리콘막 상에 전면 전극으로서 사용되는 투명 전도성 산화막, 예를 들면, 인듐 틴 산화막(ITO)을 형성하기 위한 제3 공정 챔버(116)와, 상기 투명 전도성 산화막 상에 전면 배선 형성을 위한 금속막을 형성하는 제4 공정 챔버(118)를 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 공정 챔버들(112, 114, 116, 118) 각각은 본 발명의 기술분야에서 일반적으로 알려진 통상의 화학기상증착, 플라즈마 강화 화학기상증착 또는 물리기상증착을 수행하도록 구성될 수 있으며, 이들 각각에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.For example, the first process module 110 may include a first process chamber 112 for forming an intrinsic amorphous silicon film that does not contain impurities on the substrate 10, and a second process chamber 112 on the intrinsic amorphous silicon film a second process chamber 114 for forming a p-type amorphous silicon film, and a second process chamber 114 for forming a transparent conductive oxide film used as a front electrode on the p-type amorphous silicon film, for example, an indium tin oxide (ITO) A third process chamber 116 and a fourth process chamber 118 for forming a metal film for forming a front wiring on the transparent conductive oxide film. Each of the first, second, third, and fourth process chambers 112, 114, 116, 118 may be conventional chemical vapor deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, or physical vapor deposition And a detailed description thereof will be omitted.

상기 제1 공정 모듈(110)은 클러스터 형태를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 공정 챔버들(112, 114, 116, 118)은 제1 이송 챔버(120)의 주위에 배치될 수 있으며, 상기 제1 이송 챔버(120) 내에는 상기 기판(10)을 이송하기 위한 제1 이송 로봇(122)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 공정 모듈(110)은 상기 제1 이송 챔버(120)로 기판(10)을 로드하기 위한 로드 챔버(124)를 더 포함할 수 있다.The first process module 110 may have a cluster configuration. That is, the first, second, third, and fourth process chambers 112, 114, 116, 118 may be disposed around the first transfer chamber 120, A first transfer robot 122 for transferring the substrate 10 may be disposed. The first process module 110 may further include a load chamber 124 for loading the substrate 10 into the first transfer chamber 120.

상기 제2 공정 모듈(130)은 상기 기판(10)의 제2 면 또는 후면 상에 박막을 형성하기 위한 적어도 하나의 공정 챔버를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 공정 모듈(130)은 상기 제1 공정 모듈(110)과 유사하게 4개의 공정 챔버들(132, 134, 136, 138)을 포함할 수 있다.The second process module 130 may include at least one process chamber for forming a thin film on a second side or a rear side of the substrate 10. For example, the second process module 130 may include four process chambers 132, 134, 136, 138 similar to the first process module 110.

일 예로서, 상기 제2 공정 모듈(130)은 인트린식 비정질 실리콘막을 형성하기 위한 제5 공정 챔버(132)와, 상기 인트린식 비정질 실리콘막 상에 n 형의 비정질 실리콘막을 형성하기 위한 제6 공정 챔버(134)와, 상기 n 형의 비정질 실리콘막 상에 후면 전극으로서 사용되는 투명 전도성 산화막, 예를 들면, 인듐 틴 산화막(ITO)을 형성하기 위한 제7 공정 챔버(136)와, 상기 투명 전도성 산화막 상에 후면 배선 형성을 위한 금속막을 형성하는 제8 공정 챔버(138)를 포함할 수 있다.For example, the second process module 130 may include a fifth process chamber 132 for forming an intrinsic amorphous silicon film, a sixth process for forming an n-type amorphous silicon film on the intrinsic amorphous silicon film, A seventh process chamber 136 for forming a transparent conductive oxide film, for example, an indium tin oxide film (ITO), which is used as a rear electrode on the n-type amorphous silicon film; And an eighth process chamber 138 for forming a metal film for forming a rear wiring on the oxide film.

또한, 상기 제2 공정 모듈(130)은 제1 공정 모듈(110)과 유사하게 제2 이송 챔버(140)와 제2 이송 로봇(142)을 포함하는 클러스터 형태를 가질 수 있으며, 또한 상기 기판(10)을 언로드하기 위한 언로드 챔버(144)를 더 포함할 수 있다.The second process module 130 may have a cluster shape including a second transfer chamber 140 and a second transfer robot 142 similar to the first process module 110, And an unloading chamber 144 for unloading the unloading chamber.

상술한 바에 따르면, 제1 및 제2 공정 모듈들(110, 130)이 각각 클러스터 형태로 구성되고 있으나, 제1 및 제2 공정 모듈들(110, 130) 각각의 구성에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않을 것이며, 이들은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있을 것이다.Although the first and second process modules 110 and 130 are each configured as a cluster type, the scope of the present invention is not limited by the configuration of each of the first and second process modules 110 and 130 It will be understood that they may be varied in many ways as desired.

상기 반전 모듈(150)은 제1 및 제2 공정 모듈들(110, 130) 사이에서 기판(10)을 반전시킴과 동시에 이송하기 위하여 구비될 수 있다. 즉, 상기 반전 모듈(150)은 제1 및 제2 이송 챔버들(120, 140) 사이를 연결할 수 있으며, 제1 이송 로봇(122)에 의해 전달된 기판(10)을 반전시켜 제2 이송 로봇(142)으로 전달할 수 있다.The inversion module 150 may be provided for inverting and transferring the substrate 10 between the first and second process modules 110 and 130. That is, the reversing module 150 can connect between the first and second transfer chambers 120 and 140, reverses the substrate 10 transferred by the first transfer robot 122, (142).

상기 반전 모듈(150)은 상기 제1 및 제2 이송 챔버들(110, 130) 사이에 연결된 반전 챔버(152)와 상기 반전 챔버(152) 내에서 상기 기판(10)을 반전 및 이송하기 위한 반전 로봇을 포함할 수 있다. 특히, 상기 반전 로봇은 상기 제1 및 제2 공정 모듈들(110, 130)이 배열된 제1 수평 방향에 대하여 수직하는 제2 수평 방향으로 배치된 회전축(154)과, 상기 회전축(154)에 결합되며 상기 기판(10)을 수납하기 위한 공간을 갖는 적어도 하나의 반전 암(160) 및 상기 회전축(154)과 연결되어 상기 기판(10)을 반전 및 이송하기 위하여 상기 반전 암(160)을 회전시키는 회전 구동부(156)를 포함할 수 있다.The inversion module 150 includes an inversion chamber 152 connected between the first and second transfer chambers 110 and 130 and an inversion chamber 152 for inverting and transferring the substrate 10 in the inversion chamber 152. [ A robot may be included. In particular, the reversing robot includes a rotation axis 154 disposed in a second horizontal direction perpendicular to the first horizontal direction in which the first and second process modules 110 and 130 are arranged, At least one inverting arm 160 coupled to the rotating shaft 154 and having a space for receiving the substrate 10 and at least one rotating arm 160 coupled to the rotating shaft 154 to rotate the inverting arm 160 to invert and transport the substrate 10, And a rotation driving unit 156 for driving the motor.

일 예로서, 상기 제1 이송 로봇(122)에 의해 상기 기판(10)이 상기 반전 암(160) 내의 공간(160A)에 수납된 후, 상기 반전 암(160)은 상기 기판(10)을 반전시키고 상기 제2 이송 로봇(142)에 인접한 위치로 이송하기 위하여 상기 회전 구동부(156)에 의해 180ㅀ 회전될 수 있다. 상기 반전된 기판(10)은 제2 이송 로봇(142)에 의해 제2 공정 모듈(130)의 공정 챔버들(132, 134, 136, 138) 중 하나로 이송될 수 있다.For example, after the substrate 10 is accommodated in the space 160A in the inverting arm 160 by the first transfer robot 122, the inverting arm 160 inverts the substrate 10 And may be rotated 180 degrees by the rotation driving unit 156 to transfer the wafer W to a position adjacent to the second transfer robot 142. The inverted substrate 10 may be transferred to one of the process chambers 132, 134, 136, and 138 of the second process module 130 by the second transfer robot 142.

도 3은 도 2에 도시된 반전 암을 설명하기 위한 개략적인 평면도이며, 도 4는 도 3에 도시된 반전 암을 설명하기 위한 측면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 Ⅴ-Ⅴ 라인을 따라 절개된 단면도이며, 도 6은 도 3에 도시된 Ⅵ-Ⅵ 라인을 따라 절개된 단면도이다.Fig. 3 is a schematic plan view for explaining the reversing arm shown in Fig. 2, Fig. 4 is a side view for explaining the reversing arm shown in Fig. 3, and Fig. 5 is a sectional view taken along the line V- And FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI shown in FIG.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 상기 반전 암(160)은 상기 회전축(154)에 결합되어 상기 회전축(154)이 연장하는 방향 즉 상기 제1 수평 방향으로 연장하는 채널 베이스(162)와 상기 채널 베이스(162)로부터 연장하는 한 쌍의 채널 암들(164)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 채널 암들(164)은 상기 채널 베이스(162)의 양측 단부들로부터 상기 제1 수평 방향에 대하여 수직하는 방향으로 각각 연장할 수 있다.3 to 6, the reversing arm 160 is coupled to the rotation shaft 154 and includes a channel base 162 extending in the direction of the rotation axis 154, that is, the first horizontal direction, And a pair of channel arms 164 extending from the base 162. In particular, the channel arms 164 may extend from both ends of the channel base 162 in a direction perpendicular to the first horizontal direction.

상기 채널 베이스(162)는 제1 채널(162A)을 가질 수 있으며, 각각의 채널 암(164)은 제2 채널(164A)을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 채널(162A, 164A)은 상기 기판(10)을 수납하는 공간(160A)으로서 기능할 수 있다. 특히, 상기 제1 채널(162A)에는 상기 기판(10)의 제1 모서리가 수납될 수 있으며, 상기 제2 채널들(164A)에는 상기 제1 모서리에 인접하며 서로 마주하는 상기 기판의 제2 모서리들이 수납될 수 있다.The channel base 162 may have a first channel 162A and each channel arm 164 may have a second channel 164A. The first and second channels 162A and 164A may function as a space 160A for accommodating the substrate 10. In particular, the first channel 162A may receive a first edge of the substrate 10, and the second channels 164A may include a second edge 162A adjacent the first edge, Can be accommodated.

상기 제1 및 제2 채널들(162A, 164A) 각각은 상기 기판(10)의 제1 면의 모서리들을 지지하기 위한 제1 지지면(162B, 164B)과 상기 기판(10)의 제2 면의 모서리들을 지지하기 위한 제2 지지면(162C, 164C)을 각각 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 지지면들(162B, 164B, 162C, 164C) 사이에 구비된 측면을 가질 수 있으며, 상기 측면은 알파벳 ‘V’자 형태를 가질 수 있다. 즉, 상기 측면은 서로 반대 방향으로 경사진 두 개의 경사 측면들(162D, 162E, 164D, 164E)을 포함할 수 있으며, 상기 경사 측면들(162D, 162E, 164D, 164E)은 상기 기판(10)이 반입될 때 상기 기판(10)을 상기 제1 지지면들(162B, 164B) 상으로 안내하며 상기 기판(10)이 반전될 때 상기 기판(10)을 상기 제2 지지면들(162C, 164C) 상으로 안내하기 위하여 구비 될 수 있다.Each of the first and second channels 162A and 164A includes a first support surface 162B and a second support surface 164B for supporting the edges of the first surface of the substrate 10, And second support surfaces 162C and 164C for supporting the corners, respectively. Also, it may have a side surface provided between the first and second support surfaces 162B, 164B, 162C, and 164C, and the side surface may have an alphabet 'V' shape. That is, the side surfaces may include two inclined sides 162D, 162E, 164D, 164E inclined in opposite directions, and the inclined side surfaces 162D, 162E, 164D, And guides the substrate 10 onto the second support surfaces 162C and 164C when the substrate 10 is inverted and guides the substrate 10 on the second support surfaces 162C and 164C when the substrate 10 is inverted. And the like.

상기 채널 암들(164) 각각의 자유단 부위에는 상기 기판(10)의 반입 및 반출을 위한 개구(164F)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 개구(164F)의 폭은 상기 제1 및 제2 지지면들(162B, 164B, 162C, 164C) 사이의 폭보다 작게 형성되는 것이 바람직하다. 이는 상기 반전 암(160)에 수납된 기판(10)이 상기 반전 암(160)으로부터 이탈되는 것을 방지하기 위함이다.Openings 164F for loading and unloading the substrate 10 may be formed at the free ends of the channel arms 164, respectively. At this time, the width of the opening 164F is preferably smaller than the width between the first and second support surfaces 162B, 164B, 162C, and 164C. This is to prevent the substrate 10 accommodated in the inverting arm 160 from being detached from the inverting arm 160.

상기 개구(164F)는 채널 암들(164)의 제1 지지면(164B)에 인접하는 제1 돌출부(164G)와 상기 제2 지지면(164C)에 인접하는 제2 돌출부(164H)에 의해 정의될 수 있다. 특히, 상기 제1 돌출부(164G)는 상기 기판(10)이 반입될 때 상기 기판(10)을 상기 제1 지지면들(162B, 164B) 상으로 안내하기 위하여 경사면(164J)을 가질 수 있으며, 상기 제2 돌출부(164H)는 상기 기판(10)이 반전될 때 상기 기판(10)이 원심력에 의해 상기 제2 지지면들(162C, 164C)로부터 벗어나는 것을 방지하기 위하여 상기 제1 돌출부(164G)와 마주하도록 구비될 수 있다. 상기 제2 돌출부(164H)는 경사면을 가질 필요는 없으나 상기 제1 돌출부(164G)와 유사한 형상을 가질 수 있다.The opening 164F is defined by a first projection 164G adjacent the first support surface 164B of the channel arms 164 and a second projection 164H adjacent the second support surface 164C . In particular, the first protrusion 164G may have an inclined surface 164J to guide the substrate 10 onto the first support surfaces 162B and 164B when the substrate 10 is loaded, The second protrusion 164H may be formed on the first protrusion 164G to prevent the substrate 10 from deviating from the second support surfaces 162C and 164C by centrifugal force when the substrate 10 is inverted. As shown in FIG. The second projection 164H need not have an inclined surface but may have a shape similar to the first projection 164G.

한편, 상기 반전 암(160)은 상기 채널 베이스(162)와 채널 암들(164)로 구분되어 있으나, 상기 채널 베이스(162)와 상기 채널 암들(164)은 도시된 바와 같이 하나의 몸체 즉 일체로 형성될 수 있다.The reversing arm 160 is divided into the channel base 162 and the channel arms 164 while the channel base 162 and the channel arms 164 are integrally formed with one body .

도 7 내지 도 9는 도 3에 도시된 반전 암을 이용한 기판의 반전 및 이송을 설명하기 위한 개략도들이다.FIGS. 7 to 9 are schematic views for explaining the inversion and transfer of the substrate using the reversing arm shown in FIG.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 상기 기판(10)의 제1 모서리는 상기 반전 암(160)의 회전에 의해 상기 제1 채널(162A)의 경사 측면들(162D, 162E)을 따라 이동할 수 있으며, 상기 제1 모서리에 대향하는 제3 모서리는 상기 회전에 의해 상기 제2 채널(164A)의 제1 지지면들(164B)로부터 제2 지지면들(164C) 상으로 회전될 수 있다.7 to 9, the first edge of the substrate 10 may move along the oblique sides 162D and 162E of the first channel 162A by the rotation of the reversing arm 160 , And a third edge opposite the first edge can be rotated from the first support surfaces 164B of the second channel 164A onto the second support surfaces 164C by the rotation.

도 3에는 도시되지 않았으나, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이 상기 제2 채널(164A)의 제2 지지면들(164C) 각각에는 상기 기판(10)의 제3 모서리가 상기 제2 지지면들(164C)과 부딪힘에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 완충 부재(166)가 구비될 수 있다. 상기 완충 부재(166)로는 탄성을 갖는 고무 또는 고분자 수지로 이루어질 수 있으며, 블록 또는 필름의 형태로 사용될 수 있다.Although not shown in FIG. 3, on each of the second support surfaces 164C of the second channel 164A, a third edge of the substrate 10 is fixed to the second support surface 164A, A buffer member 166 may be provided to prevent the buffer member 166 from being damaged by collision with the buffer member 164C. The buffer member 166 may be made of rubber or polymer resin having elasticity, and may be used in the form of a block or a film.

상기와 같이 상기 기판(10)의 제1 모서리가 회전에 의해 상기 제1 채널(162A)의 경사 측면들(162D, 162E)을 따라 이동할 수 있으며, 제3 모서리의 충격을 상기 완충 부재(166)로 흡수할 수 있도록 함으로써 상기 기판(10)의 반전과 이송이 모두 안정적으로 이루어질 수 있다.The first edge of the substrate 10 can be moved along the inclined side surfaces 162D and 162E of the first channel 162A by rotation and the shock of the third edge can be transmitted to the buffer member 166. [ So that the substrate 10 can be stably reversed and transported.

도 10은 도 2에 도시된 반전 모듈의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 10 is a schematic configuration diagram for explaining another example of the inversion module shown in FIG. 2. FIG.

도 10을 참조하면, 도시된 반전 모듈(250)은 회전축(254)에 연결된 다수의 반전 암들(260)을 포함할 수 있다. 상기 반전 암들(260)은 상기 회전축(254)과 연결된 회전 구동부(미도시)에 의해 물레방아 형태로 회전될 수 있으며, 이에 의해 기판(10)의 반전 및 이송이 이루어질 수 있다. 각각의 반전 암(160)은 도 3 내지 도 6을 참조하여 기 설명된 바와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 10, the illustrated inversion module 250 may include a plurality of inversion arms 260 coupled to a rotation axis 254. The inverting arms 260 may be rotated in a spinning manner by a rotation driving unit (not shown) connected to the rotating shaft 254, thereby reversing and transferring the substrate 10. Each of the inverting arms 160 is the same as that described above with reference to FIGS. 3 to 6, so that detailed description thereof will be omitted.

상기 반전 모듈(250)의 경우 다수의 반전 암들(260)을 포함하기 때문에 상기 제1 공정 모듈(110)과 제2 공정 모듈(130) 사이에서 공정 시간을 조절하기 위하여 기판들(10)을 임시 수납하는 버퍼 모듈로서 기능할 수도 있다.In order to control the process time between the first process module 110 and the second process module 130, the substrate 10 may be temporarily placed in the reversing module 250, And may function as a buffer module for storing data.

또한, 상기 회전축(254)과 반전 암들(260)이 위치되는 반전 챔버(미도시)로는 다양한 가스가 공급될 수 있으며, 진공 시스템(미도시)에 의해 진공 배기될 수 있다. 예를 들면, 상기 반전 챔버 내에 위치된 기판들(10)의 온도를 조절하기 위하여 냉각 가스가 공급될 수도 있으며 상기 반전 챔버 내부로 유입된 파티클들을 제거하기 위하여 세정 가스가 공급될 수도 있다. 상기 냉각 가스와 세정 가스로는 정화된 에어, 질소 또는 불활성 가스가 사용될 수 있다.Various gases may be supplied to the reversing chamber (not shown) where the rotary shaft 254 and the reversing arms 260 are positioned, and may be evacuated by a vacuum system (not shown). For example, a cooling gas may be supplied to regulate the temperature of the substrates 10 positioned in the reversing chamber, and a cleaning gas may be supplied to remove the particles introduced into the reversing chamber. As the cooling gas and the cleaning gas, purified air, nitrogen, or an inert gas may be used.

다시 도 1을 참조하면, 상기 로드 챔버(124)와 언로드 챔버(144) 각각에는 별도의 기판 이송 모듈(미도시)이 연결될 수 있다. 즉, 다수의 기판들(10)이 수납된 카세트로부터 상기 기판들(10)을 상기 로드 챔버(124)로 이송하고, 박막 형성 공정이 완료된 기판들(10)을 상기 언로드 챔버(144)로부터 빈 카세트에 수납하기 위하여 기판 이송 모듈들이 상기 로드 챔버(124)와 언로드 챔버(144)에 연결될 수 있다.Referring again to FIG. 1, a separate substrate transfer module (not shown) may be connected to each of the load chamber 124 and the unload chamber 144. That is, the substrates 10 are transferred from the cassette containing the plurality of substrates 10 to the load chamber 124, and the substrates 10 having completed the thin film forming process are removed from the unload chamber 144 The substrate transfer modules may be connected to the load chamber 124 and the unload chamber 144 for storage in a cassette.

그러나, 상기와는 다르게 상기 로드 챔버(124)와 언로드 챔버(144)는 하나의 기판 이송 모듈과 연결될 수도 있다. 이 경우, 상기 로드 챔버(124)와 언로드 챔버(144)는 서로 인접하게 위치되는 것이 바람직하다.However, unlike the above, the load chamber 124 and the unloading chamber 144 may be connected to one substrate transfer module. In this case, it is preferable that the load chamber 124 and the unloading chamber 144 are positioned adjacent to each other.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판의 제1 면과 제2 면 상 에 각각 박막을 형성하는 제1 및 제2 공정 모듈들 사이에서 상기 기판은 반전 모듈에 의해 반전과 이송이 이루어질 수 있다. 특히, 상기 반전 모듈은 반전 암의 회전을 이용하여 기판의 반전과 이송을 동시에 수행할 수 있다.According to embodiments of the present invention as described above, between the first and second process modules, each of which forms a thin film on a first side and a second side of a substrate, the substrate is reversed and transported by an inversion module Lt; / RTI > In particular, the inversion module can simultaneously perform the inversion and transfer of the substrate using the rotation of the inversion arm.

상기와 같이 매우 간단한 구조의 반전 암을 이용하여 기판의 반전과 이송의 두 가지 기능을 하나로 통합함으로써 상기 박막 형성 장치의 크기와 가격을 크게 감소시킬 수 있으며, 또한 상기 박막 형성 장치를 이용하여 이종접합 태양전지를 제조하는 경우, 상기 태양전지의 제조 비용을 크게 절감할 수 있다.The size and the price of the thin film forming apparatus can be greatly reduced by integrating the two functions of substrate reversal and transfer by using the reversal arm having a very simple structure as described above. In addition, by using the thin film forming apparatus, In manufacturing a solar cell, the manufacturing cost of the solar cell can be greatly reduced.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 반전 모듈을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic block diagram illustrating the inversion module shown in FIG.

도 3은 도 2에 도시된 반전 암을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.Fig. 3 is a schematic plan view for explaining the reversing arm shown in Fig. 2. Fig.

도 4는 도 3에 도시된 반전 암을 설명하기 위한 측면도이다.4 is a side view for explaining the reversing arm shown in Fig.

도 5는 도 3에 도시된 Ⅴ-Ⅴ 라인을 따라 절개된 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line V-V shown in Fig.

도 6은 도 3에 도시된 Ⅵ-Ⅵ 라인을 따라 절개된 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI shown in Fig.

도 7 내지 도 9는 도 3에 도시된 반전 암을 이용한 기판의 반전 및 이송을 설명하기 위한 개략도들이다.FIGS. 7 to 9 are schematic views for explaining the inversion and transfer of the substrate using the reversing arm shown in FIG.

도 10은 도 2에 도시된 반전 모듈의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 10 is a schematic configuration diagram for explaining another example of the inversion module shown in FIG. 2. FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

10 : 기판 100 : 박막 형성 장치10: substrate 100: thin film forming apparatus

110, 130 : 공정 모듈 150 : 반전 모듈110, 130: Process module 150: Inversion module

152 : 반전 챔버 154 : 회전축152: inverting chamber 154: rotating shaft

156 : 회전 구동부 160 : 반전 암156: rotation driving unit 160:

162 : 채널 베이스 164 : 채널 암162: channel base 164: channel arm

Claims (6)

삭제delete 삭제delete 기판의 제1 면 상에 박막을 형성하기 위한 적어도 하나의 공정 챔버를 포함하는 제1 공정 모듈과, 상기 기판의 제2 면 상에 박막을 형성하기 위한 적어도 하나의 공정 챔버를 포함하는 제2 공정 모듈; 및 상기 제1 및 제2 공정 모듈들 사이를 연결하며 상기 제1 및 제2 공정 모듈들 사이에서 상기 기판을 반전시켜 이송하는 반전 모듈을 포함하고, A first process module including at least one process chamber for forming a thin film on a first side of a substrate and a second process comprising at least one process chamber for forming a thin film on a second side of the substrate module; And an inversion module that connects between the first and second process modules and inverts and transports the substrate between the first and second process modules, 상기 반전 모듈은, 상기 제1 및 제2 공정 모듈들이 배열된 제1 수평 방향에 대하여 수직하는 제2 수평 방향으로 배치된 회전축과, 상기 회전축에 결합되며 상기 기판을 수납하기 위한 공간을 갖는 적어도 하나의 반전 암 및 상기 회전축과 연결되어 상기 기판을 반전 및 이송하기 위하여 상기 반전 암을 회전시키는 회전 구동부를 포함하며, Wherein the inverting module comprises a rotation axis arranged in a second horizontal direction perpendicular to the first horizontal direction in which the first and second process modules are arranged and at least one rotation shaft coupled to the rotation axis and having a space for accommodating the substrate, And a rotation driving unit connected to the rotation axis to rotate the inverting arm to invert and transfer the substrate, 상기 반전 암은,The reversible arm 상기 회전축에 결합되어 상기 제1 수평 방향으로 연장하며 상기 기판의 제1 모서리가 수납되는 제1 채널을 갖는 채널 베이스; 및A channel base coupled to the rotating shaft and extending in the first horizontal direction and having a first channel in which a first edge of the substrate is received; And 상기 채널 베이스로부터 연장하며 상기 제1 모서리에 인접하며 서로 마주하는 상기 기판의 제2 모서리들이 각각 수납되는 제2 채널을 갖는 한 쌍의 채널 암들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.And a pair of channel arms extending from the channel base and having a second channel adjacent to the first edge and each receiving second corners of the substrate facing each other. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널들 각각은 상기 기판의 제1 면과 제2 면을 각각 지지하기 위한 제1 지지면과 제2 지지면 및 상기 제1 및 제2 지지면들 사이에 구비된 알파벳 ‘V’자 형태의 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.4. The apparatus of claim 3, wherein each of the first and second channels includes a first support surface and a second support surface for respectively supporting a first surface and a second surface of the substrate, And a side surface of the letter " V " 제4항에 있어서, 상기 채널 암들 각각의 자유단 부위에는 상기 기판의 반입 및 반출을 위한 개구가 형성되어 있으며,[5] The apparatus of claim 4, wherein openings for carrying in and carrying out the substrate are formed at free ends of the channel arms, 상기 개구는 상기 기판이 반입될 때 상기 기판을 상기 제1 지지면으로 안내하기 위하여 경사면을 갖는 제1 돌출부와 상기 기판이 반전될 때 상기 기판이 상기 제2 지지면으로부터 벗어나는 것을 방지하기 위하여 상기 제1 돌출부와 마주하도록 구비되는 제2 돌출부에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.The opening having a first projection having an inclined surface for guiding the substrate to the first support surface when the substrate is loaded and a second projection having an inclined surface to prevent the substrate from deviating from the second support surface when the substrate is inverted, And a second protrusion provided to face the first protrusion. 제4항에 있어서, 상기 제2 채널들 각각의 제2 지지면에는 상기 기판이 반전될 때 상기 기판의 충격을 흡수하기 위한 완충 부재가 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.The thin film forming apparatus according to claim 4, wherein a buffer member for absorbing the impact of the substrate is disposed on the second support surface of each of the second channels when the substrate is inverted.
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