KR101605132B1 - 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)에 있어서, 하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 수광면(10A)의 간격 ε1은, 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 이면(10B)의 간격 ε2와 대략 동일하다.
Description
본 발명은, 태양 전지를 구비하는 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는, 깨끗하고 무궁무진하게 공급되는 태양광을 직접 전기로 변환할 수 있으므로, 새로운 에너지원으로서 기대되고 있다.
일반적으로, 태양 전지 1매당 출력은 수W 정도이다. 따라서, 가옥이나 빌딩 등의 전원으로서 태양 전지를 사용하는 경우에는, 복수의 태양 전지를 배선재에 의해 서로 접속함으로써 출력을 높인 태양 전지 모듈이 사용된다. 구체적으로는, 태양 전지의 수광면 상에는 제1 배선재가 접속된다. 태양 전지의 이면 상에는 제2 배선재가 접속된다. 제1 배선재는, 태양 전지의 일방측의 태양 전지에 접속된다. 제2 배선재는, 태양 전지의 타방측의 태양 전지에 접속된다.
여기서, 수광면 상에 형성된 복수의 수광면측 세선 전극과 이면 상에 형성된 복수의 이면측 세선 전극을 갖는 태양 전지가 알려져 있다(특허문헌 1 참조). 이와 같은 태양 전지에서는, 복수의 수광면측 세선 전극 각각의 일부는 제1 배선재에 파고 들어간다. 복수의 이면측 세선 전극 각각의 일부는 제2 배선재에 파고 들어간다. 구체적으로는, 각 배선재는 코어재를 피복하는 도전성의 피복층을 갖고 있고, 각 세선 전극은 각 배선재의 피복층에 파고 들어간다.
상술한 태양 전지에서는, 수광 면적을 확대하는 관점에서 복수의 수광면측 세선 전극 각각의 선 폭은 가는 것이 바람직하다. 전기 저항을 저감시키는 관점에서 이면측 세선 전극 각각의 선 폭이 굵거나, 혹은 개수가 많은 것이 바람직하다. 그로 인해, 제1 배선재 및 제2 배선재를 태양 전지에 가압하면, 이면과 제2 배선재의 코어재와의 간격은, 수광면과 제1 배선재의 코어재와의 간격보다도 커진다. 그 결과, 온도 변화에 따라서 제2 배선재의 코어재에 발생하는 신축력의 태양 전지에 대한 영향이 커져, 태양 전지에 휨이 발생한다는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기한 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 태양 전지의 휨을 억제 가능한 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 특징에 관한 태양 전지 모듈은, 수광면 상에 형성되는 복수의 수광면측 세선 전극과, 수광면과 반대측의 이면 상에 형성되는 복수의 이면측 세선 전극을 갖는 태양 전지와, 수광면 상에 접속되는 제1 배선재와, 이면 상에 접속되는 제2 배선재를 구비하고, 제1 배선재는, 도전성의 제1 코어재와, 제1 코어재의 표면 상에 형성되는 도전성의 제1 피복층을 갖고, 제2 배선재는, 도전성의 제2 코어재와, 제2 코어재의 표면 상에 형성되는 도전성의 제2 피복층을 갖고 있고, 수광면과 제1 코어재의 간격은, 이면과 제2 코어재의 간격과 대략 동일한 것을 요지로 한다.
본 발명의 특징에 관한 태양 전지 모듈에 따르면, 태양 전지는, 제1 배선재의 제1 코어재 및 제2 배선재의 제2 코어재 각각으로부터 대략 동일한 응력을 받는다. 그로 인해, 제1 코어재로부터 태양 전지에 가해지는 응력과, 제2 코어재로부터 태양 전지에 가해지는 응력을 상쇄시킬 수 있다. 그 결과, 태양 전지에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 특징에 관한 태양 전지 모듈에 있어서, 복수의 수광면측 세선 전극은, 제1 피복층에 파고 들어감으로써 제1 배선재에 접속되는 복수의 제1 접속 부분을 포함하고, 복수의 이면측 세선 전극은, 제2 피복층에 파고 들어감으로써 제2 배선재에 접속되는 제2 접속 부분을 포함하고 있고, 평면으로부터 볼 때, 복수의 제1 접속 부분의 총 면적은, 복수의 제2 접속 부분의 총 면적보다도 작아도 된다.
본 발명의 특징에 관한 태양 전지 모듈에 있어서, 복수의 수광면측 세선 전극의 높이는, 복수의 이면측 세선 전극의 높이보다도 크고, 복수의 제1 접속 부분의 제1 피복층에의 파고 들어감 깊이는, 복수의 제2 접속 부분의 제2 피복층에의 파고 들어감 깊이보다도 커도 된다.
본 발명의 특징에 관한 태양 전지 모듈의 제조 방법은, 광전 변환부를 갖는 태양 전지를 구비하는 태양 전지 모듈의 제조 방법이며, 광전 변환부의 수광면 상에 복수의 수광면측 세선 전극을 형성함과 함께, 광전 변환부의 수광면과 반대측의 이면 상에 복수의 이면측 세선 전극을 형성함으로써, 태양 전지를 형성하는 공정 A와, 제1 코어재와 제1 코어재의 표면 상에 형성되는 제1 피복층을 갖는 제1 배선재를, 수광면에 가압하는 공정 B와, 제2 코어재와 제2 코어재의 표면 상에 형성되는 제2 피복층을 갖는 제2 배선재를, 이면에 가압하는 공정 C를 구비하고, 공정 B 및 공정 C에서는, 수광면과 제1 코어재의 간격과, 이면과 제2 코어재의 간격을 대략 동일하게 하는 것을 요지로 한다.
본 발명에 따르면, 태양 전지의 휨을 억제 가능한 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)의 측면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지(10)의 평면도이다.
도 3은, 도 2의 (a)의 A-A선에 있어서의 확대 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지(10)의 확대도이다.
도 5는, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지 스트링(1)을 수광면측으로부터 본 평면도이다.
도 6은, 도 5의 B-B선에 있어서의 확대 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지(10)의 평면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지(10)의 평면도이다.
도 3은, 도 2의 (a)의 A-A선에 있어서의 확대 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지(10)의 확대도이다.
도 5는, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지 스트링(1)을 수광면측으로부터 본 평면도이다.
도 6은, 도 5의 B-B선에 있어서의 확대 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지(10)의 평면도이다.
도면을 사용하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사 부분에는, 동일 또는 유사 부호를 부여하고 있다. 도면은 모식적인 것이고, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 것에 유의해야 한다. 따라서, 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
(태양 전지 모듈의 개략 구성)
본 발명의 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)의 개략 구성에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)의 측면도이다.
태양 전지 모듈(100)은, 태양 전지 스트링(1), 수광면측 보호재(2), 이면측 보호재(3) 및 밀봉재(4)를 구비한다. 태양 전지 모듈(100)은, 수광면측 보호재(2)와 이면측 보호재(3) 사이에, 태양 전지 스트링(1)을 밀봉함으로써 구성된다.
태양 전지 스트링(1)은, 복수의 태양 전지(10), 접속용 배선재(20) 및 취출용 배선재(21)를 구비한다. 태양 전지 스트링(1)은, 배열 방향에 따라서 배열된 복수의 태양 전지(10)를 접속용 배선재(20)에 의해 서로 접속함으로써 구성된다.
태양 전지(10)는, 태양광이 입사하는 수광면(10A)과, 수광면의 반대측에 형성된 이면(10B)을 갖는다(도 2 참조). 수광면과 이면은, 태양 전지(10)의 주면이다. 태양 전지(10)의 수광면 상 및 이면 상에는 집전 전극이 형성된다. 태양 전지(10)의 구성에 대해서는 후술한다.
접속용 배선재(20)는, 복수의 태양 전지(10)를 서로 전기적으로 접속하기 위한 배선재이다. 구체적으로는, 접속용 배선재(20)는, 하나의 태양 전지(10)의 수광면과, 하나의 태양 전지에 인접하는 다른 태양 전지(10)의 이면에 접착된다. 이에 의해, 하나의 태양 전지(10)와 다른 태양 전지(10)가 전기적으로 접속된다. 접속용 배선재(20)의 구성에 대해서는 후술한다.
취출용 배선재(21)는, 태양 전지 스트링(1)으로부터 전류를 취출하기 위한 배선재이다. 구체적으로는, 취출용 배선재(21)는, 태양 전지 스트링(1)의 양단부에 위치하는 태양 전지(10)의 수광면 또는 이면에 접착된다. 도시하지 않지만, 취출용 배선재(21)는, 태양 전지 모듈(100)의 외부로 인출되어 있어도 된다. 취출용 배선재(21)는, 다른 태양 전지 스트링(1)에 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 취출용 배선재(21)의 구성은, 접속용 배선재(20)의 구성과 마찬가지이다.
수광면측 보호재(2)는, 밀봉재(4)의 수광면측에 배치되어 있는 수광면측 보호재(2)는, 태양 전지 모듈(100)의 표면을 보호한다. 수광면측 보호재(2)로서는, 투광성 및 차수성(遮水性)을 갖는 유리, 투광성 플라스틱 등을 사용할 수 있다.
이면측 보호재(3)는, 밀봉재(4)의 이면측에 배치되어 있다. 이면측 보호재(3)는 태양 전지 모듈(100)의 배면을 보호한다. 이면측 보호재(3)로서는, PET(Polyethylene Terephthalate) 등의 수지 필름, Al박을 수지 필름으로 샌드위치한 구조를 갖는 적층 필름 등을 사용할 수 있다.
밀봉재(4)는, 수광면측 보호재(2)와 이면측 보호재(3) 사이에서 태양 전지 스트링(1)을 밀봉한다. 밀봉재(4)로서는, EVA, EEA, PVB, 실리콘, 우레탄, 아크릴, 에폭시 등의 투광성의 수지를 사용할 수 있다.
또한, 이상과 같은 구성을 갖는 태양 전지 모듈(100)의 외주에는, Al 프레임(도시하지 않음)을 설치할 수 있다.
(태양 전지의 구성)
다음에, 태양 전지(10)의 구성에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2의 (a)는, 태양 전지(10)를 수광면측으로부터 본 평면도이다. 도 2의 (b)는, 태양 전지(10)를 이면측으로부터 본 평면도이다.
태양 전지(10)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 광전 변환부(25), 수광면측 세선 전극(30A) 및 이면측 세선 전극(30B)을 구비한다. 본 실시 형태에서는, 하나의 접속용 배선재(20)가, 수광면(10A) 중 영역 R1에 접착된다. 다른 접속용 배선재(20)가, 이면(10B) 중 영역 R2에 접착된다.
광전 변환부(25)는, 태양광을 받음으로써 광 생성 캐리어를 생성한다. 광 생성 캐리어란, 태양광이 광전 변환부(25)에 흡수되어 생성되는 정공과 전자를 말한다. 광전 변환부(25)는, 내부에 n형 영역과 p형 영역을 갖고 있고, n형 영역과 p형 영역의 계면에서 반도체 접합이 형성된다. 광전 변환부(25)는, 단결정 Si, 다결정 Si 등의 결정계 반도체 재료, GaAs, InP 등의 화합물 반도체 재료 등의 반도체 재료 등에 의해 구성되는 반도체 기판을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 광전 변환부(25)는, 단결정 실리콘 기판과 비정질 실리콘층 사이에 실질적으로 진성의 비정질 실리콘층을 끼움으로써 헤테로 결합 계면의 특성을 개선한 구조, 소위 HIT 구조를 갖고 있어도 된다.
수광면측 세선 전극(30A)은, 광전 변환부(25)로부터 광 생성 캐리어를 수집하는 수집 전극으로서 작용한다. 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 수광면측 세선 전극(30A)은, 수광면(10A) 상에 있어서, 배열 방향에 대략 직교하는 직교 방향을 따라 형성된다. 수광면측 세선 전극(30A)은, 광전 변환부(25)의 수광면 대략 전역에 걸쳐서 M개(M은 자연수) 형성된다. 수광면측 세선 전극(30A)은, 도전성 페이스트를 사용하여 형성할 수 있다.
이면측 세선 전극(30B)은, 광전 변환부(25)로부터 광 생성 캐리어를 수집하는 수집 전극으로서 작용한다. 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 이면측 세선 전극(30B)은, 이면(10B) 상에 있어서, 직교 방향을 따라 형성된다. 이면측 세선 전극(30B)은, 광전 변환부(25)의 수광면 대략 전역에 걸쳐서 N개(N은 M보다 큰 자연수) 형성된다. 이면측 세선 전극(30B)은, 수광면측 세선 전극(30A)과 같은 재료에 의해 형성할 수 있다.
(세선 전극의 구성)
수광면측 세선 전극(30A) 및 이면측 세선 전극(30B)의 구성에 대하여, 도 3 및 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 3은, 도 2의 (a)의 A-A선에 있어서의 확대 단면도이다. 도 4의 (a)는, 수광면(10A)의 확대도이다. 도 4의 (b)는, 이면(10B)의 확대도이다.
수광면측 세선 전극(30A)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 배열 방향에 있어서, 이면측 세선 전극(30B)보다도 가늘게 형성된다. 구체적으로는, 수광면측 세선 전극(30A)의 선 폭 α1은, 이면측 세선 전극(30B)의 선 폭 β1보다도 작다. 또한, 수광면측 세선 전극(30A)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 수광면(10A)에 대략 수직인 방향에 있어서, 이면측 세선 전극(30B)보다도 높게 형성된다. 구체적으로는, 수광면측 세선 전극(30A)의 높이 α2는 이면측 세선 전극(30B)의 높이 β2보다도 크다. 이는, 개수가 적은 수광면측 세선 전극(30A)의 전기 저항을 저감시키는 것을 목적으로 하여, 수광면측 세선 전극(30A)의 단면적의 확대를 도모했기 때문이다.
수광면측 세선 전극(30A)은, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 영역 R1 내에 형성되어 있다. 수광면측 세선 전극(30A)은, 후공정에 있어서 하나의 접속용 배선재(20)에 접속되는 제1 접속 부분(30ACON)을 갖는다. 수광면(10A)의 평면으로부터 볼 때, 1개의 제1 접속 부분(30ACON)의 면적 SA1은, 하기 수학식 1에 의해 구해진다. 영역 R1의 폭은 γ이다.
따라서, M개의 수광면측 세선 전극(30A)이 갖는 M개의 제1 접속 부분(30ACON)의 총 면적 SAALL은, 하기 수학식 2에 의해 구해진다.
이면측 세선 전극(30B)은, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 영역 R2 내에 형성되어 있다. 이면측 세선 전극(30B)은, 후공정에 있어서 다른 접속용 배선재(20)에 접속되는 제2 접속 부분(30BCON)을 갖는다. 이면(10B)의 평면으로부터 볼 때, 1개의 제2 접속 부분(30BCON)의 면적 SB1은, 하기 수학식 3에 의해 구해진다. 단, 영역 R2의 폭은 γ이다.
따라서, N개의 이면측 세선 전극(30B)이 갖는 N개의 제2 접속 부분(30BCON)의 총 면적 SBALL은, 하기 수학식 4에 의해 구해진다.
총 면적 SAALL과 총 면적 SBALL을 비교하면, N＞M, 또한, β1＞α1이므로, 총 면적 SAALL＜총 면적 SBALL이 성립한다.
(태양 전지 스트링의 구성)
태양 전지 스트링(1)의 구성에 대하여, 도 5 및 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 5는, 태양 전지 스트링(1)을 수광면측으로부터 본 평면도이다. 도 6은, 도 5의 B-B선에 있어서의 확대 단면도이다. 도 5의 B-B선은, 접속용 배선재(20)의 중심선인 것으로 한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 하나의 접속용 배선재(20)는, 수광면(10A)(영역 R1) 상에 접속된다. 다른 접속용 배선재(20)는, 이면(10B)(영역 R2) 상에 접속된다.
접속용 배선재(20)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 코어재(20A)와 피복층(20B)을 갖는다. 코어재(20A)는, 예를 들어, 박판형 또는 꼬임선형의 구리, 은, 금, 주석, 니켈, 알루미늄, 혹은 이들 합금 등의 전기 저항이 낮은 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 피복층(20B)은, 코어재(20A)의 표면을 덮도록 형성된다. 피복층(20B)은, 무연 땜납(예를 들어, SnAg3 .0Cu0 .5) 등의 도전성 재료에 의해 구성된다.
접속용 배선재(20)는, 수지 접착제(40)에 의해 수광면(10A) 또는 이면(10B)에 접착된다. 수지 접착제(40)는, 무연 땜납의 융점(약 200℃) 이하의 온도에서 경화되는 것이 바람직하다. 수지 접착제(40)로서는, 예를 들어, 아크릴 수지, 유연성이 높은 폴리우레탄계 등의 열경화성 수지 접착제 외에, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 혹은 우레탄 수지에 경화제를 혼합시킨 2액 반응계 접착제 등을 사용할 수 있다. 또한, 수지 접착제(40)는, 복수의 도전성 입자를 포함한다. 도전성 입자로서는, 니켈, 금 코팅을 갖는 니켈 등을 사용할 수 있다.
제1 접속 부분(30ACON)은, 하나의 접속용 배선재(20)의 피복층(20B)에 파고 들어감으로써, 하나의 접속용 배선재(20)와 기계적 또한 전기적으로 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 접속 부분(30BCON)은, 다른 접속용 배선재(20)의 피복층(20B)에 파고 들어감으로써, 다른 접속용 배선재(20)와 기계적 또한 전기적으로 접속되어 있다. 제1 접속 부분(30ACON)의 파고 들어감 깊이 δ1은, 제2 접속 부분(30BCON)의 파고 들어감 깊이 δ2보다도 큰 것에 유의해야 한다.
하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 수광면(10A)의 간격 ε1은, 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 이면(10B)의 간격 ε2와 대략 동일하다. 그로 인해, 도 6에 도시한 바와 같이, 태양 전지(10)의 중립면(P)은, 광전 변환부(25)의 중심면에 나타난다. 중립면(P)은, 태양 전지(10)가 상하로 휜 경우에 있어서도 인장 응력 또는 압축 응력이 작용하지 않는 가상면이다. 본 실시 형태에서는, 중립면(P)이 광전 변환부(25)의 중심면에 나타나므로, 태양 전지(10)는, 하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A) 및 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A) 각각으로부터 대략 동일한 응력을 받는다.
(태양 전지 모듈의 제조 방법)
본 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
(태양 전지의 형성 공정)
우선, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법 등의 인쇄법을 사용하여, 에폭시계 열경화형의 은 페이스트를, 광전 변환부(25)의 수광면 상 및 이면 상에 소정의 패턴으로 배치한다. 소정의 패턴은, 예를 들어, 도 2에 도시한 패턴이다. 계속해서, 은 페이스트를 소정 조건에서 건조시킴으로써 수광면측 세선 전극(30A) 및 이면측 세선 전극(30B)을 형성한다. 이에 의해, 태양 전지(10)가 형성된다.
(태양 전지 스트링의 형성 공정)
다음에, 복수의 태양 전지(10)를 접속용 배선재(20)에 의해 서로 전기적으로 접속한다. 계속해서, 양단부에 위치하는 태양 전지(10)에 취출용 배선재(21)를 접속한다. 이에 의해, 태양 전지 스트링(1)이 형성된다.
구체적으로는, 영역 R1 상에 수지 접착제(40)를 통하여 하나의 접속용 배선재(20)를 배치한다. 배치된 하나의 접속용 배선재(20)를 태양 전지(10)의 수광면(10A)에 가압하면서 가열한다. 이에 의해, 수광면측 세선 전극(30A)의 제1 접속 부분(30ACON)은, 하나의 접속용 배선재(20)의 피복층(20B)에 파고 들어간다. 또한, 영역 R2 상에 수지 접착제(40)를 통하여 다른 접속용 배선재(20)를 배치한다. 배치된 다른 접속용 배선재(20)를 태양 전지(10)의 이면(10B)에 가압하면서 가열한다. 이에 의해, 이면측 세선 전극(30B)의 제2 접속 부분(30BCON)은, 다른 접속용 배선재(20)의 피복층(20B)에 파고 들어간다. 하나의 접속용 배선재(20) 및 다른 접속용 배선재(20) 각각의 접속은, 동시에 실행되어도 되고, 또한 따로따로 실행되어도 된다.
여기서, 본 공정에서는, 하나의 접속용 배선재(20) 및 다른 접속용 배선재(20) 각각을 가압하는 힘을 조정함으로써, 하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 수광면(10A)의 간격 ε1을, 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 이면(10B)의 간격 ε2와 대략 동일하게 한다. 즉, 본 실시 형태에서는, 수광면측 세선 전극(30A)의 높이 α2가 이면측 세선 전극(30B)의 높이 β2보다 크기 때문에, 제1 접속 부분(30ACON)의 파고 들어감 깊이 δ1을, 제2 접속 부분(30BCON)의 파고 들어감 깊이 δ2보다도 크게 한다. 이와 같은 조정은, 다음 2요소의 변경에 의해 실행된다.
(1) 접속 부분의 총 면적
M개의 제1 접속 부분(30ACON)의 총 면적 SAALL을 작게 할수록, 제1 접속 부분(30ACON)을 피복층(20B)에 파고 들어가게 할 수 있다. 즉, M개의 제1 접속 부분(30ACON)의 총 면적 SAALL을 작게 할수록, 간격 ε1을 작게 할 수 있다. 마찬가지로, N개의 제2 접속 부분(30BCON)의 총 면적 SBALL을 작게 할수록, 제2 접속 부분(30BCON)을 피복층(20B)에 파고 들어가게 할 수 있다. 즉, N개의 제2 접속 부분(30BCON)의 총 면적 SBALL을 작게 할수록, 간격 ε2를 작게 할 수 있다.
총 면적 SAALL 및 총 면적 SBALL의 변경은, 선 폭 α1 및 선 폭 β1의 변경 외에, 제1 접속 부분(30ACON) 및 제2 접속 부분(30BCON)의 정상부의 형상 변경에 따라서도 가능하다.
(2) 접속용 배선재의 각 접속 부분에 대한 압력
하나의 접속용 배선재(20)의 제1 접속 부분(30ACON)에 대한 압력을 크게 할수록, 제1 접속 부분(30ACON)을 피복층(20B)에 파고 들어가게 할 수 있다. 즉, 하나의 접속용 배선재(20)의 제1 접속 부분(30ACON)에 대한 압력을 크게 할수록, 간격 ε1을 작게 할 수 있다. 다른 접속용 배선재(20)의 제2 접속 부분(30BCON)에 대한 압력을 크게 할수록, 제2 접속 부분(30BCON)을 피복층(20B)에 파고 들어가게 할 수 있다. 즉, 다른 접속용 배선재(20)의 제2 접속 부분(30BCON)에 대한 압력을 크게 할수록, 간격 ε2를 작게 할 수 있다.
하나의 접속용 배선재(20)의 제1 접속 부분(30ACON)에 대한 압력은, 하나의 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘을 조정함으로써 변경 가능하다. 다른 접속용 배선재(20)의 제2 접속 부분(30BCON)에 대한 압력은, 다른 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘을 조정함으로써 변경 가능하다.
하나의 접속용 배선재(20)의 접속과 다른 접속용 배선재(20)의 접속을 따로따로 행하는 경우에는, 하나의 접속용 배선재(20) 및 다른 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘을 독립적으로 제어할 수 있다. 하나의 접속용 배선재(20)의 접속과 다른 접속용 배선재(20)의 접속을 동시에 행하는 경우에는, 하나의 접속용 배선재(20) 및 다른 접속용 배선재(20) 각각을 가압하는 힘은 동일해진다.
(모듈화 공정)
다음에, 유리 기판(수광면측 보호재(2)) 상에, EVA(밀봉재(4)) 시트, 태양 전지 스트링(1), EVA(밀봉재(4)) 시트 및 PET 시트(이면측 보호재(3))를 순차 적층하여 적층체로 한다.
다음에, 상기 적층체를, 진공 분위기에 있어서 가열 압착함으로써 임시 압착한 후, 소정 조건에서 가열함으로써 EVA를 경화시킨다. 이상에 의해, 태양 전지 모듈(100)이 제작된다. 태양 전지 모듈(100)에는, 단자 박스나 Al 프레임 등을 설치할 수 있다. 취출용 배선재(21)의 일단부는 단자 박스 내에 저장된다.
(작용 및 효과)
본 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)에 있어서, 하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 수광면(10A)의 간격 ε1은, 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)와 이면(10B)의 간격 ε2와 대략 동일하다.
따라서, 태양 전지(10)는, 하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A) 및 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A) 각각으로부터 대략 동일한 응력을 받는다. 그로 인해, 하나의 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)로부터 태양 전지(10)에 가해지는 응력과, 다른 접속용 배선재(20)의 코어재(20A)로부터 태양 전지(10)에 가해지는 응력을 상쇄시킬 수 있다. 그 결과, 태양 전지(10)에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
구체적으로는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 태양 전지(10)와 2개의 코어재(20A) 각각의 간격이 동일한 경우, 태양 전지(10)의 단부에 발생하는 모멘트 M1과 모멘트 M2가 평형을 이루므로, 태양 전지(10)에 휨은 발생하지 않는다. 한편, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 태양 전지(10)와 2개의 코어재(20A) 각각의 간격이 상이한 경우, 태양 전지(10)의 단부에 발생하는 모멘트 M1과 모멘트 M2는 평형을 이루지 않으므로, 태양 전지(10)에 휨이 발생한다.
본 실시 형태에 관한 태양 전지(10)에 있어서, M개의 제1 접속 부분(30ACON)의 총 면적 SAALL은, N개의 제2 접속 부분(30BCON)의 총 면적 SBALL보다도 작다. 또한, 수광면측 세선 전극(30A)은, 이면측 세선 전극(30B)보다도 높다. 이와 같은 태양 전지(10)에서는, 간격 ε1과 간격 ε2가 다르기 쉽기 때문에, 태양 전지(10)에 특히 휨이 발생하기 쉽다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 태양 전지 모듈(100)의 제조 방법에서는, 간격 ε1과 간격 ε2가 동일해지도록, 총 면적 SAALL, 총 면적 SBALL 및 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘을 조정하고 있다. 따라서, 태양 전지(10)의 구조가 휨이 발생하기 쉬운 구조라도, 적절하게 태양 전지(10) 휨을 억제할 수 있다.
(그 밖의 실시 형태)
본 발명은 상기한 실시 형태에 의해 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 본 발명을 한정하는 것이라고 이해해서는 안 된다. 이 개시로부터 당업자에게는 다양한 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명백해질 것이다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 태양 전지(10)에 접속되는 2개의 접속용 배선재(20)에 대하여 설명하였지만, 태양 전지(10)에 하나의 접속용 배선재(20)와 하나의 취출용 배선재(21)가 접속되는 경우에 있어서도 본 발명은 유효하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 수광면측 세선 전극(30A)의 선 폭 α1은, 이면측 세선 전극(30B)의 선 폭 β1보다도 작은 것으로 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 선 폭 α1은, 선 폭 β1과 같아도 된다. 선 폭 α1은, 선 폭 β1보다 커도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 수광면측 세선 전극(30A)의 높이 α2는, 이면측 세선 전극(30B)의 높이 β2보다도 큰 것으로 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 높이 α2는, 높이 β2와 같아도 된다. 높이 α2는, 높이 β2보다 작아도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 수광면측 세선 전극(30A)의 개수 M은, 이면측 세선 전극(30B)의 개수 N보다도 적은 것으로 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 개수 M은, 개수 N과 같아도 된다. 개수 M은, 개수 N보다 많아도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 태양 전지(10)는, 수집 전극으로서 복수개의 수광면측 세선 전극(30A) 및 복수개의 이면측 세선 전극(30B)을 갖는 것으로 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 태양 전지(10)는, 연결선(50)을 더 가져도 된다. 연결선(50)은, 복수개의 수광면측 세선 전극(30A)끼리, 또는 복수개의 이면측 세선 전극(30B)끼리를 서로 전기적으로 접속한다. 구체적으로는, 도 8에 도시한 바와 같이, 연결선(50)의 형상 및 개수에 제한은 없다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 복수개의 수광면측 세선 전극(30A) 및 복수개의 이면측 세선 전극(30B)은 직교 방향을 따라 형성되는 것으로 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 복수개의 수광면측 세선 전극(30A) 및 복수개의 이면측 세선 전극(30B)의 형상 및 치수 등을 특정하는 것은 아니다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 간격 ε1과 간격 ε2가 동일해지도록, 총 면적SAALL, 총 면적 SBALL 및 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘을 조정하는 것으로 하였지만, 이들 중 적어도 하나를 조정하면 된다. 즉, 총 면적 SAALL 및 총 면적 SBALL을 고정값으로 하는 경우에는, 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘만을 조정하면 된다. 접속용 배선재(20)를 가압하는 힘을 고정값으로 하는 경우에는, 총 면적 SAALL 및 총 면적 SBALL 중 적어도 한쪽을 조정하면 된다.
이와 같이, 본 발명은 여기서는 기재하고 있지 않은 다양한 실시 형태 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기의 설명으로부터 타당한 특허청구범위에 관한 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.
<실시예>
이하, 본 발명에 관한 태양 전지 모듈에 사용하는 태양 전지의 실시예에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 하기의 실시예에 나타낸 것에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 변경하지 않는 범위에 있어서, 적절히 변경하여 실시할 수 있는 것이다.
우선, 한 변이 125㎜인 치수의 사각형의 광전 변환부의 수광면 상에, 에폭시계 열경화형의 은 페이스트를 사용하여, 스크린 인쇄법에 의해 수광면측 세선 전극(선 폭 70㎛, 높이 50㎛, 피치 2.2㎜)을 형성하였다. 접속용 배선재가 접속되는 제1 접속 부분의 총 면적은 11.55㎟이었다.
다음에, 광전 변환부의 이면 상에, 에폭시계 열경화형의 은 페이스트를 사용하여, 스크린 인쇄법에 의해 이면측 세선 전극(선 폭 105㎛, 높이 20㎛, 피치 0.55㎜)을 형성하였다. 접속용 배선재가 접속되는 제2 접속 부분의 총 면적은, 69.62㎟(제1 접속 부분의 총 면적의 약 6배)이었다.
다음에, 태양 전지의 수광면 상 및 이면 상에, 테이프 형상의 수지 접착제에 의해, 접속용 배선재(선 폭 1㎜)를 3개씩 접착하였다. 구체적으로는, 접속용 배선재를 200℃로 가열하면서 2㎫로 약 20초간 가압하였다. 접속용 배선재로서는, 200μ 두께의 동박의 표면을 40㎛ 두께의 땜납층에 의해 피복한 것을 사용하였다.
이때, 제1 접속 부분에 가해지는 압력은 85.8㎫로 되고, 제2 접속 부분에 가해지는 압력은 14.2㎫(85.8㎫의 약 6분의 1)로 되었다. 또한, 제1 접속 부분은 접속용 배선재에 25㎛ 파고 들어갔다. 제2 접속 부분은 접속용 배선재에 1㎛ 파고 들어갔다. 그 결과, 수광면과 동박의 간격과, 이면과 동박의 간격은，모두 20㎛로 되었다.
이상과 같이 접속용 배선재가 접속된 태양 전지에는 휨이 관측되지 않았다. 이는, 수광면과 동박의 간격과, 이면과 동박의 간격을 동일하게 하였으므로, 2개의 동박으로부터 태양 전지에 가해지는 응력을 상쇄할 수 있었기 때문이다.
또한, 일본 특허 출원 제2008-321527호(2008년 12월 17일 출원)의 전체 내용이, 참조에 의해, 본원 명세서에 포함되어 있다.
<산업상 이용가능성>
이상과 같이, 본 발명에 관한 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법은, 태양 전지의 휨을 억제할 수 있으므로, 태양 전지의 제조 분야에 있어서 유용하다.
1: 태양 전지 스트링
2: 수광면측 보호재
3: 이면측 보호재
4: 밀봉재
10: 태양 전지
10A: 수광면
10B: 이면
20: 접속용 배선재
20A: 코어재
20B: 피복층
21: 취출용 배선재
25: 광전 변환부
30A: 수광면측 세선 전극
30ACON: 제1 접속 부분
30B: 이면측 세선 전극
30BCON: 제2 접속 부분
40: 수지 접착제
50: 연결선
100: 태양 전지 모듈
2: 수광면측 보호재
3: 이면측 보호재
4: 밀봉재
10: 태양 전지
10A: 수광면
10B: 이면
20: 접속용 배선재
20A: 코어재
20B: 피복층
21: 취출용 배선재
25: 광전 변환부
30A: 수광면측 세선 전극
30ACON: 제1 접속 부분
30B: 이면측 세선 전극
30BCON: 제2 접속 부분
40: 수지 접착제
50: 연결선
100: 태양 전지 모듈
Claims (4)
- 수광면 상에 형성되는 복수의 수광면측 세선 전극 및 상기 수광면과 반대측의 이면 상에 형성되는 복수의 이면측 세선 전극을 갖는 태양 전지와,
상기 수광면 상에 접속되는 제1 배선재와,
상기 이면 상에 접속되는 제2 배선재를 구비하고,
상기 제1 배선재는, 도전성의 제1 코어재와, 상기 제1 코어재의 표면 상에 형성되는 도전성의 제1 피복층을 갖고,
상기 제2 배선재는, 도전성의 제2 코어재와, 상기 제2 코어재의 표면 상에 형성되는 도전성의 제2 피복층을 갖고,
상기 수광면측 세선 전극 중 상기 제1 배선재와 접속되는 영역의 면적은, 상기 이면측 세선 전극 중 상기 제2 배선재와 접속되는 영역의 면적보다 작고,
상기 수광면과 상기 제1 코어재의 간격은, 상기 이면과 상기 제2 코어재의 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈. - 제1항에 있어서, 상기 복수의 수광면측 세선 전극은, 상기 제1 피복층에 파고 들어감으로써 상기 제1 배선재에 접속되는 복수의 제1 접속 부분을 포함하고,
상기 복수의 이면측 세선 전극은, 상기 제2 피복층에 파고 들어감으로써 상기 제2 배선재에 접속되는 제2 접속 부분을 포함하고 있고,
평면으로부터 볼 때, 상기 복수의 제1 접속 부분의 총 면적은, 상기 복수의 제2 접속 부분의 총 면적보다도 작은 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈. - 제2항에 있어서, 상기 복수의 수광면측 세선 전극의 높이는, 상기 복수의 이면측 세선 전극의 높이보다도 크고,
상기 복수의 제1 접속 부분의 상기 제1 피복층에의 파고 들어감 깊이는, 상기 복수의 제2 접속 부분의 상기 제2 피복층에의 파고 들어감 깊이보다도 큰 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈. - 광전 변환부를 갖는 태양 전지를 구비하는 태양 전지 모듈의 제조 방법이며,
상기 광전 변환부의 수광면 상에 복수의 수광면측 세선 전극을 형성함과 함께, 상기 광전 변환부의 상기 수광면과 반대측의 이면 상에 복수의 이면측 세선 전극을 형성함으로써, 상기 태양 전지를 형성하는 공정 A와,
제1 코어재와 상기 제1 코어재의 표면 상에 형성되는 제1 피복층을 갖는 제1 배선재를, 상기 수광면에 가압하는 공정 B와,
제2 코어재와 상기 제2 코어재의 표면 상에 형성되는 제2 피복층을 갖는 제2 배선재를, 상기 이면에 가압하는 공정 C를 구비하고,
상기 수광면측 세선 전극 중 상기 제1 배선재와 접속되는 영역의 면적은, 상기 이면측 세선 전극 중 상기 제2 배선재와 접속되는 영역의 면적보다 작고,
상기 공정 B 및 상기 공정 C에서는, 상기 수광면과 상기 제1 코어재의 간격과, 상기 이면과 상기 제2 코어재의 간격을 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20160036378A (ko) * | 2014-09-25 | 2016-04-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5306112B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-10-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP5602498B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-10-08 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
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| KR101969032B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2019-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| JP6065912B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2017-01-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2018125505A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 半導体デバイス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085225A (ja) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2008205045A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2008235354A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2008294366A (ja) | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6081017A (en) * | 1998-05-28 | 2000-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Self-biased solar cell and module adopting the same |
| JP4425246B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-03-03 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置および光起電力装置の製造方法 |
| JP5025135B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
| TWI487124B (zh) * | 2006-08-25 | 2015-06-01 | Sanyo Electric Co | 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法 |
| JP4294048B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2009-07-08 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP2008205137A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP5306112B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-10-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP5602498B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-10-08 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085225A (ja) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2008205045A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2008235354A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2008294366A (ja) | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160036378A (ko) * | 2014-09-25 | 2016-04-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| KR102273018B1 (ko) | 2014-09-25 | 2021-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
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