KR101604912B1 - Method for manufacturing nano metal line - Google Patents

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Abstract

나노 금속 라인 생성 방법은 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 포함하는 몰드(mold)를 형성하는 단계; 열증착(thermal evaporator) 기법을 이용하여 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 금속을 증착시키는 단계; 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역을 제외한 나머지 영역에 증착된 금속을 제거하는 단계; 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 포함하는 상기 몰드를 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅(imprinting)하는 단계; 및 상기 몰드를 제거하여 상기 기판에 상기 금속으로 형성된 나노 금속 라인 패턴을 생성하는 단계를 포함한다.A method of producing a nano metal line, comprising: forming a mold including a surface having a predetermined pattern engraved; Depositing a metal on the surface engraved with the predetermined pattern using a thermal evaporator technique; Removing a metal deposited on a region other than a region where the predetermined pattern is engraved; Imprinting the mold on a surface of a substrate to be transferred, the metal including a metal deposited in an area where the predetermined pattern is engraved; And removing the mold to produce a nano-metal line pattern formed of the metal on the substrate.

Description

나노 금속 라인 생성 방법{METHOD FOR MANUFACTURING NANO METAL LINE}METHOD FOR MANUFACTURING NANO METAL LINE [0002]

본 발명은 나노 금속 라인을 생성하는 방법 및 이를 이용하여 제작된 나노 금속 라인에 관한 것으로서, 구체적으로, 나노 임프린팅(nano imprinting) 기법을 이용하여 금속으로 나노 금속 라인 패턴을 생성하는 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a nano metal line and a nano metal line manufactured using the same and more specifically to a technique for producing a nano metal line pattern from a metal using a nano imprinting technique .

기존의 금속 라인 패턴을 생성하는 기술은 간접적인 전사 방식 및 직접적인 전사 방식으로 나뉠 수 있다. 예를 들어, 간접적인 전사 방식은 기판에 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지를 도포하고, 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지가 도포된 기판에 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프를 이용하여 열경화성 수지가 도포된 기판에 1차 패턴을 형성한다(자외선 경화성 수지가 도포된 기판에 1차 패턴을 형성하는 경우, 미리 설정된 패턴이 양각된 쿼츠(quartz) 스탬프를 이용함). 그 다음, 기판에 수직 식각 공정을 통하여 잔여층을 제거하고, 잔여층이 제거된 기판에 진공증착 또는 기상증착 방식 등을 통하여 금속 박막을 증착함으로써, 금속 라인 패턴을 생성한다.Techniques for generating existing metal line patterns can be divided into an indirect transfer method and a direct transfer method. For example, in the indirect transfer method, a thermosetting resin or an ultraviolet ray-curable resin is applied to a substrate, and a thermosetting resin or an ultraviolet ray-curable resin is applied to the substrate to which the thermosetting resin is applied (Using a quartz stamp in which a predetermined pattern is embossed when a primary pattern is formed on a substrate coated with an ultraviolet curable resin). Then, the remaining layer is removed by a vertical etching process on the substrate, and a metal thin film is deposited on the substrate from which the remaining layer has been removed by vacuum evaporation or vapor deposition.

그러나, 이와 같은 간접적인 전사 방식은 추가적으로 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지 제거 작업이 필요하기 때문에, 수직 식각 공정을 포함한 2번의 고분자 물질 제거 공정이 수행되어야 하므로, 공정 소요 시간이 긴 단점이 있다. 또한, 경화성 수지가 도포된 기판을 이용하는 경우, 경화성 수지의 물성변화에 따라 추가 Oxygen에 의한 클리닝 과정의 문제가 발생한다.However, since the indirect transfer method requires addition of a thermosetting resin or ultraviolet ray-curable resin removing operation, the process of removing the polymeric material twice including the vertical etching process must be performed, which requires a long processing time. Further, in the case of using a substrate coated with a curable resin, there arises a problem of a cleaning process by additional oxygens due to changes in physical properties of the curable resin.

다른 예를 들어, 직접적인 전사 방식은 기판에 금속 라인으로 구성하고자 하는 금속 물질의 용액을 도포한 후, 스탬프 또는 폴리머 몰드(polymer mold)로 금속 물질의 용액이 도포된 기판을 가압함으로써, 패턴을 형성한다.As another example, a direct transfer method may include forming a pattern by applying a solution of a metal material to be configured as a metal line to a substrate, and then pressing the substrate to which the solution of the metal material is applied with a stamp or polymer mold do.

이와 같은 직접적인 전사 방식은 패턴이 형성되는 과정에서 잔여층에 따른 식각 공정이 필요하기 때문에, 1번의 물질 제거 공정이 수행되어야 한다. 이 때, 스탬프 또는 폴리머 몰드로 기판을 가압하는 과정에서 형성되는 잔여층이 온도, 압력 및 자외선 등의 변수에 따라 일정하지 않기 때문에, 물질 제거 공정이 복잡한 문제점이 있다. 또한, 잔여층이 식각되어야 하기 때문에, 다양한 금속 물질을 사용하지 못하는 단점이 있다.Since the direct transfer method requires an etching process according to the remaining layer in the process of forming a pattern, a single material removal process must be performed. At this time, since the residual layer formed in pressing the substrate with the stamp or the polymer mold is not constant depending on variables such as temperature, pressure and ultraviolet ray, there is a problem that the material removing process is complicated. Further, since the remaining layer must be etched, there is a disadvantage that various metal materials can not be used.

이에, 본 명세서에서는 식각 공정을 생략하여 공정 소요 시간을 줄이며, 다양한 패턴 형태 및 나노 사이즈의 구현이 가능한 나노 금속 라인 생성 기술을 제안한다.
Accordingly, the present invention proposes a nano metal line generation technology capable of reducing the time required for the etching process, and various patterns and nano sizes.

본 발명의 실시예들은 식각 공정을 생략하여 공정 소요 시간을 줄이며, 다양한 패턴 형태 및 나노 사이즈의 구현이 가능한 나노 금속 라인을 생성하는 방법 및 이를 이용하여 제작된 나노 금속 라인을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a method of generating a nano metal line capable of realizing various pattern shapes and nano sizes by reducing the time required for the etching process, and a nano metal line manufactured using the method.

또한, 본 발명의 실시예들은 몰드(mold)의 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 전사 대상이 되는 기판에 임프린팅(imprinting)함으로써, 나노 금속 라인을 생성하는 방법 및 이를 이용하여 제작된 나노 금속 라인을 제공한다.In addition, embodiments of the present invention are directed to a method of generating a nano metal line by imprinting a metal deposited on an area where a predetermined pattern of a mold is engraved on a substrate to be transferred, ≪ / RTI >

특히, 본 발명의 실시예들은 간단한 공정을 통하여, 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 금속을 증착하는 방법을 제공한다.In particular, embodiments of the present invention provide a method of depositing metal in a region where a predetermined pattern is engraved through a simple process.

본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 방법은 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 포함하는 몰드(mold)를 형성하는 단계; 열증착(thermal evaporator) 기법을 이용하여 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 금속을 증착시키는 단계; 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역을 제외한 나머지 영역에 증착된 금속을 제거하는 단계; 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 포함하는 상기 몰드를 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅(imprinting)하는 단계; 및 상기 몰드를 제거하여 상기 기판에 상기 금속으로 형성된 나노 금속 라인 패턴을 생성하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of forming a nano-metal line, the method comprising: forming a mold including a surface having a predetermined pattern formed thereon; Depositing a metal on the surface engraved with the predetermined pattern using a thermal evaporator technique; Removing a metal deposited on a region other than a region where the predetermined pattern is engraved; Imprinting the mold on a surface of a substrate to be transferred, the metal including a metal deposited in an area where the predetermined pattern is engraved; And removing the mold to produce a nano-metal line pattern formed of the metal on the substrate.

상기 나머지 영역에 증착된 금속을 제거하는 단계는 상기 나머지 영역에 에탄올을 도포하여, 상기 나머지 영역에 증착된 금속을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.The step of removing the deposited metal in the remaining region may include applying ethanol to the remaining region to separate the deposited metal in the remaining region.

상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 상기 금속을 증착시키는 단계는 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역 및 상기 나머지 영역에 대해 동일한 두께로 상기 금속을 증착시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of depositing the metal on the surface having the predetermined pattern engraved includes the step of depositing the metal with the same thickness for the region where the predetermined pattern is engraved and the remaining region with the predetermined pattern engraved can do.

상기 몰드를 형성하는 단계는 실레인(silane) 계열의 자기조립단분자막(Self-Assembled Monolayers; SAMs) 용액으로 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다.The forming of the mold may further include coating a surface of the predetermined pattern with a silane-based self-assembled monolayers (SAMs) solution.

상기 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액으로 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 코팅하는 단계는 상기 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액을 기상상태로 변화시켜 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 증착시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of coating the surface of the pre-formed pattern with the silane-based self-assembled monolayer solution may be performed by changing the silane-based self-assembled monolayer solution to a vapor state and depositing the predetermined pattern on the surface engraved with the predetermined pattern . ≪ / RTI >

상기 몰드를 상기 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅하는 단계는 상기 기판의 표면 중 상기 몰드가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 다아이 워터(DI water) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스핀 코팅(spin coating)을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step of imprinting the mold on the surface of the substrate to be transferred may include spin coating (spin coating) using at least one of ethanol or DI water on the surface of the substrate on which the mold is imprinted, coating on the substrate.

상기 몰드를 상기 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅하는 단계는 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속이 상기 기판을 향하도록, 상기 기판에 상기 몰드를 배열하는 단계; 상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 단계; 및 상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 열처리를 수행하는 단계를 포함할 수 있다.The step of imprinting the mold on the surface of the substrate to be transferred includes arranging the mold on the substrate such that the metal deposited on the region where the predetermined pattern is engraved faces the substrate. Performing a preset pressing process on the substrate and the mold; And performing a predetermined heat treatment on the substrate and the mold.

상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 단계는 상기 스핀 코팅이 수행된 기판의 표면에 존재하는 상기 에탄올 또는 상기 디아이 워터 중 적어도 어느 하나에 의한 모세관 형상을 이용하여, 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역으로부터 추출하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the step of performing the preset pressing processing on the substrate and the mold uses a capillary shape formed by at least one of the ethanol or the diatomic water present on the surface of the substrate on which the spin coating is performed, And extracting the deposited metal in the engraved region from the engraved region of the predetermined pattern.

상기 몰드를 상기 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅하는 단계는 상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 진공처리를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step of imprinting the mold on the surface of the substrate to be transferred may further include the step of performing a predetermined vacuum process on the substrate and the mold.

상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 열처리를 수행하는 단계는 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속의 확산을 유도하여 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속과 상기 기판 사이의 결합력을 발생시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of performing a predetermined heat treatment on the substrate and the mold may include a step of inducing diffusion of the metal deposited on the area where the predetermined pattern is engraved so that the bonding force between the metal deposited on the area where the predetermined pattern is engraved and the substrate And generating a signal.

상기 몰드가 임프린팅되는 표면에 상기 에탄올 또는 상기 디아이 워터 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스핀 코팅을 수행하는 단계는 상기 기판의 표면에 자외선/오존(Ultraviolet ray/Ozone; UVO) 처리 또는 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나를 수행하는 단계; 및 상기 자외선/오존 처리 또는 상기 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나가 수행된 상기 기판의 표면을 질소 가스를 이용하여 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step of spin-coating the surface of the mold with imprinting using at least one of the ethanol and the DI water may be performed by applying ultraviolet ray / ozone (UVO) treatment or ultrasonic cleaning treatment to the surface of the substrate Performing at least one of the steps; And drying the surface of the substrate on which the ultraviolet / ozone process or the ultrasonic cleaning process has been performed using nitrogen gas.

상기 몰드를 형성하는 단계는 상기 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프를 이용하여, 상기 몰드 중 폴리우레탄아크레이트(Polyurethane Acrylate; PUA)로 형성된 적어도 일부분 및 폴리디메틸실옥산(Polydimethylsiloxane; PDMS)으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the forming of the mold comprises using at least a portion formed of polyurethane acrylate (PUA) and at least a portion of polydimethylsiloxane (PDMS) formed in the mold using a stamp embossed with the predetermined pattern For example,

상기 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계는 실가드(sylgard) 184 A 및 실가드 184 B를 미리 설정된 비율에 따라 혼합하여 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.The step of producing at least a portion formed of the polyurethane acrate and at least a portion formed of the polydimethylsiloxane comprises mixing the sylgard 184 A and the sealant 184 B according to a predetermined ratio to form the polydimethylsiloxane And creating at least a portion of the formed.

상기 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계는 상기 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프에 상기 폴리우레탄아크레이트를 도포하는 단계; 상기 폴리우레탄아크레이트가 도포된 상기 스탬프에 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 배치하는 단계; 및 상기 폴리우레탄아크레이트가 도포된 상기 스탬프 및 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the step of producing at least a portion formed of polyurethane acrylate and at least a portion formed of polydimethylsiloxane comprises: applying the polyurethane acrylate to a stamp embossed with the predetermined pattern; Disposing at least a portion formed of the polydimethylsiloxane in the stamp to which the polyurethane acrylate is applied; And performing a pre-set pressure treatment on at least a portion of the stamp coated with the polyurethane acrylate and the polydimethylsiloxane.

본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인은 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 나노 금속 라인 패턴을 포함하고, 상기 나노 금속 라인 패턴은 열증착(thermal evaporator) 기법을 이용하여 몰드(mold)의 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속이 상기 기판의 표면에 임프린팅(imprinting)되어 생성된다.A nano metal line according to an embodiment of the present invention includes a substrate; And a nano metal line pattern formed on the substrate, wherein the nano metal line pattern is formed by depositing a metal deposited on a region where a predetermined pattern of a mold is engraved using a thermal evaporator technique, And is imprinted on the surface of the substrate.

본 발명의 실시예들은 식각 공정을 생략하여 공정 소요 시간을 줄이며, 다양한 패턴 형태 및 나노 사이즈의 구현이 가능한 나노 금속 라인을 생성하는 방법 및 이를 이용하여 제작된 나노 금속 라인을 제공할 수 있다.Embodiments of the present invention can provide a method of generating a nano metal line capable of realizing various pattern shapes and nano size by reducing the time required for etching by omitting the etching process and a nano metal line manufactured using the method.

또한, 본 발명의 실시예들은 몰드의 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 전사 대상이 되는 기판에 임프린팅함으로써, 나노 금속 라인을 생성하는 방법 및 이를 이용하여 제작된 나노 금속 라인을 제공할 수 있다.In addition, embodiments of the present invention provide a method of generating a nano metal line by imprinting a metal deposited on an area where a predetermined pattern of a mold is engraved on a substrate to be transferred, and a nano metal line manufactured using the method can do.

특히, 본 발명의 실시예들은 간단한 공정을 통하여, 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 금속을 증착하는 방법을 제공할 수 있다.
In particular, embodiments of the present invention can provide a method of depositing metal in a region where a predetermined pattern is engraved through a simple process.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 방법을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 몰드를 생성하는 과정을 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 기판 및 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 과정을 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 방법을 나타낸 플로우 차트이다.1 is a view of a nanometal line according to one embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a method of generating a nano metal line according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view illustrating a process of generating the mold shown in FIG. 2 in detail.
FIG. 4 is a view illustrating a process of performing a predetermined pressing process on the substrate and the mold shown in FIG. 2. Referring to FIG.
5 is a flowchart illustrating a method of generating a nano metal line according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In addition, the same reference numerals shown in the drawings denote the same members.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인을 나타낸 도면이다.1 is a view of a nanometal line according to an embodiment of the present invention.

도 1의 (a)를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인은 기판(110) 및 기판(110) 상에 형성되는 나노 금속 라인 패턴(120)을 포함한다.Referring to FIG. 1A, a nanometal line according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110 and a nanometal line pattern 120 formed on the substrate 110.

기판(110)은 폴리이미드(PolyImide; PTI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET) 또는 폴리에테르설폰 (PolyeEtherSulfone; PES) 등과 같은 다양한 재료로 형성될 수 있다.The substrate 110 may be formed of various materials such as polyimide (PTI), polyethylene terephthalate (PET), or polyether sulfone (PES).

본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 패턴(120)은 열증착(thermal evaporator) 기법을 이용하여 몰드의 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속이 기판(110)의 표면에 임프린팅되어 생성되기 때문에, 다양한 패턴 형태 및 나노 사이즈로 구현될 수 있으며, 짧은 공정 소요 시간을 가질 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 2를 참조하여 기재하기로 한다.The nano metal line pattern 120 according to an exemplary embodiment of the present invention is formed by imprinting a metal deposited on a surface of a predetermined pattern of a mold in a region where a predetermined pattern of a mold is engraved on a surface of the substrate 110 using a thermal evaporator technique It can be implemented in various pattern shapes and nano sizes, and can have a short process time. A detailed description thereof will be described with reference to Fig.

또한, 도 1의 (b)를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인은 기판(110) 및 복수의 나노 금속 라인 패턴들(120, 130)을 포함함으로써, 적층형 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인은 복수의 나노 금속 라인 패턴들(120, 130)이 기판(110) 상에 수직 방향으로 순서대로 적층됨으로써, 적층형 구조를 가질 수 있다. 이 때, 복수의 나노 금속 라인 패턴들(120, 130) 각각은 위에서 상술한 나노 금속 라인 패턴(120)을 생성하는 공정을 통하여 형성될 수 있다. 도면에는 복수의 나노 금속 라인 패턴들(120, 130)이 두 개인 경우에 한하여 도시하였지만, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 복수의 나노 금속 라인 패턴들(120, 130)의 개수는 다양한 개수로 형성될 수 있다.
1 (b), a nano metal line according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110 and a plurality of nano metal line patterns 120 and 130, have. For example, a nano metal line may have a stacked structure by stacking a plurality of nano metal line patterns 120 and 130 in sequence in the vertical direction on the substrate 110. At this time, each of the plurality of nano metal line patterns 120 and 130 may be formed through a process of generating the nano metal line pattern 120 described above. Although the figure shows only two nano metal line patterns 120 and 130, the number of the plurality of nano metal line patterns 120 and 130 is not limited to this, .

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 방법을 나타낸 도면이다.2 is a view illustrating a method of generating a nano metal line according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 표면을 포함하는 몰드(210)를 형성한다. 이 때, 미리 설정된 패턴(211)의 형태는 아래에서 생성되는 나노 금속 라인 패턴의 형태를 결정할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 3을 참조하여 기재하기로 한다.Referring to FIG. 2, a nanometal line generation system according to an embodiment of the present invention forms a mold 210 including a surface on which a predetermined pattern 211 is engraved. At this time, the shape of the predetermined pattern 211 can determine the shape of the nanometal line pattern generated below. A detailed description thereof will be described with reference to Fig.

이어서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 열증착 기법을 이용하여 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 표면에 금속(220)을 증착시킨다. 구체적으로, 나노 금속 라인 생성 시스템은 열증착 기법을 이용하여, 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 표면 중 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212) 및 나머지 영역(213)에 대해 동일한 두께로 금속(220)을 증착시킬 수 있다. 이 때, 금속(220)은 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212) 및 나머지 영역(213)에 대해 미리 설정된 속도에 따라 증착됨으로써, 동일한 두께를 형성할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드(210)의 표면에 손상을 입히지 않고, 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212) 및 나머지 영역(213) 각각에 대해 50-100nm의 두께를 형성하도록 0.1nm/sec의 속도로 알루미늄과 같은 금속(220)을 증착시킬 수 있다. 여기서, 금속(220)은 알루미늄에 제한되거나 한정되지 않고, 생성될 나노 금속 라인의 목적에 따라 다양한 금속성 재료가 이용될 수 있다Next, the nano metal line generation system deposits the metal 220 on the surface engraved with the predetermined pattern 211 using a thermal evaporation technique. Specifically, the nano metal line generation system uses a thermal evaporation technique to form a predetermined pattern 211 of the predetermined pattern 211 with the same thickness The metal 220 can be deposited. At this time, the metal 220 may be deposited in accordance with a predetermined speed with respect to the region 212 and the remaining region 213 in which the predetermined pattern 211 is engraved, thereby forming the same thickness. For example, the nano metal line generation system may be configured such that a predetermined pattern 211 has a thickness of 50-100 nm for each of the recessed area 212 and the remaining area 213 without damaging the surface of the mold 210 A metal such as aluminum 220 may be deposited at a rate of 0.1 nm / sec. Here, the metal 220 is not limited to or limited to aluminum, and various metallic materials may be used depending on the purpose of the nano metal line to be produced

그 다음, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 표면 중 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 증착된 금속(221)만이 잔여하도록, 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)을 제외한 나머지 영역(213)에 증착된 금속(222)을 제거한다. 구체적으로, 나노 금속 라인 생성 시스템은 나머지 영역(213)에 에탄올을 도포하여, 나머지 영역(213)에 증착된 금속(222)을 몰드(210)로부터 분리하고, 분리된 금속(222)을 밀어냄으로써, 나머지 영역(213)에 증착된 금속(222)을 제거할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 주사기 바늘을 이용하여 소량의 에탄올을 나머지 영역(213)과 금속(222) 사이의 틈새에 도포한 후, 5-10분 동안 방치시킴으로써, 부력에 의해 나머지 영역(213)에 증착된 금속(222)이 나머지 영역(213)으로부터 분리되도록 할 수 있다.The nano metal line generation system then sets the predetermined pattern 211 so that only the metal 221 deposited in the area 212 where the predetermined pattern 211 is engraved among the surfaces engraved with the predetermined pattern 211 remains. The deposited metal 222 is removed from the remaining region 213 except for the indented region 212. Specifically, the nano metal line generation system applies ethanol to the remaining region 213, separates the metal 222 deposited in the remaining region 213 from the mold 210, and pushes the separated metal 222 , The metal 222 deposited in the remaining region 213 can be removed. For example, the nano metal line generation system can apply a small amount of ethanol to the gap between the remaining region 213 and the metal 222 using a syringe needle, and then leave it for 5-10 minutes, The metal 222 deposited on the first region 213 can be separated from the remaining region 213.

그 다음, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 증착된 금속(221)을 포함하는 몰드(210)를 전사 대상이 되는 기판(230)의 표면에 임프린팅한다.The nano metal line generation system then imprintes the mold 210 on the surface of the substrate 230 to be transferred, including the metal 221 deposited in the area 212 where the predetermined pattern 211 is embossed do.

이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드(210)를 기판(230)의 표면에 임프린팅하기 이전에, 기판(230)의 표면 중 몰드(210)가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 다아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)를 이용하여 스핀 코팅을 수행할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면 중 몰드(210)가 임프린팅되는 표면에 500RPM의 스핀 코팅을 5초 동안 수행하거나, 2000RPM의 스핀 코팅을 1초 동안 수행함으로써, 에탄올 또는 다아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)를 얇게 도포할 수 있다.The nano metal line generation system may include a method in which the mold 210 is imprinted on the surface of the substrate 230 before imprinting the mold 210 on the surface of the substrate 230, At least one of them 231 may be used to perform spin coating. For example, the nano metal line generation system may be configured to perform spin coating of 500 RPM for 5 seconds on the surface of the substrate 230 on which the mold 210 is imprinted, or spin coating of 2000 RPM for 1 second, Or at least one of the multi-eye (231) can be thinly coated.

이와 같이, 스핀 코팅을 수행하는 이유는 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 금속(221)이 증착되는 과정에서, 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 금속(221)이 미리 설정된 패턴(211)의 음각된 실제 깊이보다 낮은 두께로 증착되기 때문이다. 따라서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면 중 몰드(210)가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)를 도포함으로써, 기판(230)에 금속(221)이 임프린팅되는 과정에서, 모세관 현상에 의해 금속(221)이 몰드(210)의 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)으로부터 추출되어 기판(230) 쪽으로 내려오도록 할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 4를 참조하여 기재하기로 한다.The reason why the spin coating is performed is that the metal 211 is deposited on the region 212 where the predetermined pattern 211 is depressed in the process of depositing the metal 221 in the region 212 in which the predetermined pattern 211 is depressed 221 are deposited with a thickness lower than the actual depressed depth of the preset pattern 211. [ Therefore, the nano metal line generation system can be realized by applying at least one of ethanol or DI water 231 to the surface of the substrate 230 on which the mold 210 is imprinted, During the imprinting process, the capillary phenomenon causes the metal 221 to be extracted from the area 212 where the predetermined pattern 211 of the mold 210 has been engraved to come down toward the substrate 230. A detailed description thereof will be described with reference to FIG.

이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면 중 몰드(210)가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)를 이용하여 스핀 코팅을 수행하기 이전에, 기판(230)을 준비하는 공정을 수행할 수도 있다. 구체적으로, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면에 자외선/오존(Ultraviolet ray/Ozone; UVO) 처리 또는 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나를 수행하고, 자외선/오존 처리 또는 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나가 수행된 기판(230)의 표면을 질소 가스를 이용하여 건조할 수 있다.In this case, before the nano metal line generation system performs spin coating using at least one of ethanol or DIA water 231 on the surface of the substrate 230 on which the mold 210 is imprinted, 230 may be prepared. Specifically, the nano metal line generation system may be configured to perform at least one of ultraviolet ray / ozone (UVO) processing or ultrasonic cleaning processing on the surface of the substrate 230, and at least one of ultraviolet / ozone processing and ultrasonic cleaning processing The surface of the substrate 230 on which any one of them is performed can be dried using nitrogen gas.

예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면에 자외선/오존 처리를 3000초 동안 수행한 후, 소니게이트를 통해 아세톤, 메탄올 및 디아이 워터 순서로 각각 10분 동안 초음파 세척을 수행할 수 있다. 이와 같은 자외선/오존 처리 및 초음파 세척 처리를 통하여, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면에 존재하는 유기물을 제거할 수 있고, 기판(230)의 표면 에너지를 증가시킬 수 있다.For example, the nano metal line generation system may perform ultraviolet / ozone treatment on the surface of the substrate 230 for 3000 seconds, then ultrasonically clean through the Sony gate for 10 minutes each in the order of acetone, methanol and dianhydride . Through the ultraviolet / ozone treatment and the ultrasonic cleaning treatment, the nano metal line generating system can remove organic substances existing on the surface of the substrate 230 and increase the surface energy of the substrate 230.

미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 증착된 금속(221)을 포함하는 몰드(210)를 전사 대상이 되는 기판(230)의 표면에 임프린팅하는 구체적인 공정은 다음과 같다.A specific process for imprinting the mold 210 including the metal 221 deposited on the area 212 in which the preset pattern 211 is engraved on the surface of the substrate 230 to be transferred is as follows.

나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 증착된 금속(221)이 기판(230)을 향하도록, 기판에(230)에 몰드(210)를 배열할 수 있다. 이어서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230) 및 몰드(210)에 미리 설정된 가압처리를 수행하고(240), 미리 설정된 열처리를 수행할 수 있다(250). 이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230) 및 몰드(210)에 미리 설정된 진공처리를 수행할 수 있다.The nano metal line generation system can arrange the mold 210 on the substrate 230 so that the metal 221 deposited on the area 212 where the predetermined pattern 211 is engraved faces the substrate 230 . Next, the nano metal line generation system may perform predetermined press processing (240) on the substrate 230 and the mold 210, and perform a predetermined heat treatment (250). At this time, the nano metal line generating system may perform a preset vacuum process on the substrate 230 and the mold 210.

예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 증착된 금속(221)이 기판(230)을 향하도록, 미리 설정된 위치에 기초하여 기판(230)에 몰드(210)를 배열한 이후, 기판(230) 및 몰드(210)에 10분 동안 10atm의 압력으로 가압처리를 수행할 수 있다(240). 이 때, 가압처리가 수행됨(240)에 따라, 기판(230)의 표면에 스핀 코팅된 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)는 몰드(210)에 흡수되고, 몰드(210) 외부로 빠져나가기 때문에, 금속(221)이 증착된 공간에만 일부 존재할 수 있다.For example, the nano metal line generation system may be configured to generate a nano metal line on the substrate 230 based on a predetermined position, such that the metal 221 deposited in the area 212 where the predetermined pattern 211 is engraved faces the substrate 230 After arranging the mold 210, the substrate 230 and the mold 210 may be subjected to a pressure treatment at a pressure of 10 atm for 10 minutes (240). At this time, at least one of the ethanol or DI water 233 which is spin-coated on the surface of the substrate 230 is absorbed by the mold 210 and exited to the outside of the mold 210 The metal 221 may be partially present only in the deposited space.

이어서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)의 표면 중 몰드(210)가 임프린팅되는 표면에 존재하는 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)가 제거되도록, 기판(230) 및 몰드(210)를 데시케이터(desicator)에 넣어 5분 동안 진공상태를 유지할 수 있다. 그 다음, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230) 및 몰드(210)에 30분 동안 100도 이상의 온도로 열처리를 수행함으로써(250), 미리 설정된 패턴(211)이 음각된 영역(212)에 증착된 금속(221)의 확산을 유도하여, 금속(221)과 기판(230) 사이의 결합력을 발생시킬 수 있다. 이 때, 몰드(210)에 흡수된 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나(231)는 열처리 과정에서도 제거될 수 있다.The nano metal line generation system then includes a substrate 230 and a mold 210 to remove at least one of ethanol or diatomic water 231 present on the surface of the substrate 230 on which the mold 210 is imprinted. ) Can be placed in a desicator to maintain a vacuum for 5 minutes. The nano metal line generation system then applies heat treatment to the substrate 230 and the mold 210 at a temperature of 100 degrees or more for a period of 30 minutes to form a predetermined pattern 211 in the recessed area 212, It is possible to induce the diffusion of the metal 221 and to generate the bonding force between the metal 221 and the substrate 230. At this time, at least one of the ethanol or the DI water absorbed in the mold 210 can be removed in the heat treatment process.

이와 같이, 나노 금속 라인 생성 시스템은 고온 고압을 이용하지 않고, 저온 저압을 이용하기 때문에, 몰드(210)의 변형이 발생되지 않을 수 있다.As described above, since the nano metal line generation system does not use high temperature and high pressure but uses low temperature and low pressure, deformation of the mold 210 may not occur.

그 후, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드(210)를 제거하여 기판(230)에 금속(221)으로 형성된 나노 금속 라인 패턴을 생성한다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드(210)를 기판(230)으로부터 분리함으로써, 기판(230)에 금속(221)만을 잔여시킬 수 있다.The nano metal line generation system then removes the mold 210 to produce a nano metal line pattern formed of metal 221 on the substrate 230. For example, the nanometal line generation system can leave only the metal 221 on the substrate 230 by separating the mold 210 from the substrate 230.

이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 형성된 나노 금속 라인 패턴을 저항 메모리 소자에서 이용하기 위하여, 기판(230)에 전사된 금속(221)의 비저항을 낮추도록 금속(221)에 미리 설정된 열처리를 수행할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(230)에 전사된 금속(221)에 질소분위기 아래 30분 동안 180도의 온도로 열처리를 수행함으로써, 금속(221)의 비저항을 저항 메모리 소자에 포함되는 저항변화 물질층의 비저항 보다 낮출 수 있다.At this time, in order to use the formed nano metal line pattern in the resistive memory device, the nano metal line generation system performs a predetermined heat treatment on the metal 221 to lower the resistivity of the metal 221 transferred to the substrate 230 . For example, the nano metal line generation system may perform a heat treatment on the metal 221 transferred to the substrate 230 under a nitrogen atmosphere at a temperature of 180 degrees for 30 minutes, so that the resistivity of the metal 221 is included in the resistance memory element Resistance can be lowered than the resistivity of the resistance change material layer.

따라서, 위에서 상술한 과정을 거쳐 생성된 나노 금속 라인 패턴은 저항 메모리 소자의 상부 전극 또는 하부 전극 중 적어도 어느 하나로 이용될 수 있다. 이 때, 상부 전극을 생성하는 경우, 전사 대상이 되는 기판(230)은 저항변화 물질층이 될 수 있고, 하부 전극을 생성하는 경우, 전사 대상이 되는 기판(230)은 실리콘, 실리콘옥사이드 또는 폴리머 유연기판 등의 기판일 수 있다.Accordingly, the nano metal line pattern generated through the above-described process can be used as at least one of the upper electrode and the lower electrode of the resistance memory element. In this case, when the upper electrode is formed, the substrate 230 to be transferred may be a resistance change material layer, and when the lower electrode is to be formed, the substrate 230 to be transferred may be silicon, silicon oxide, A flexible substrate, or the like.

이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 시스템은 마이크로 사이즈에서 나노 사이즈까지 다양한 사이즈 및 다양한 패턴 형태의 나노 금속 라인 패턴을 짧은 공정 소요 시간을 갖고 생성할 수 있다. 또한, 이와 같은 방법을 통하여 복수의 나노 금속 라인 패턴들 각각을 순서대로 적층되도록 형성함으로써, 적층형 구조의 나노 금속 라인이 형성될 수 있다.
As described above, the nano metal line generation system according to an embodiment of the present invention can generate nano metal line patterns of various sizes and various pattern shapes from micro size to nano size with a short process time. Also, by forming each of the plurality of nano metal line patterns in this order by stacking in this manner, a nano metal line of a stacked structure can be formed.

도 3은 도 2에 도시된 몰드를 생성하는 과정을 구체적으로 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a view illustrating a process of generating the mold shown in FIG. 2 in detail.

도 3을 참조하면, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(311)이 양각된 스탬프(310)를 이용하여, 몰드(320) 중 폴리우레탄아크레이트(Polyurethane Acrylate; PUA)로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산(Polydimethylsiloxane; PDMS)으로 형성된 적어도 일부분(322)을 직접적인 임프린팅 방식을 이용하여 생성할 수 있다. 이 때, 미리 설정된 패턴(311)이 양각된 스탬프(310)는 e-beam 리소그라피 공정을 통하여 미리 설정된 패턴(311)이 양각으로 패터닝될 수 있다.3, the nano metal line generation system includes at least a portion 321 of polyurethane acrylate (PUA) formed in the mold 320, using a stamp 310 with a predetermined pattern 311 embossed. ) And at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane (PDMS) can be produced using a direct imprinting method. At this time, the predetermined pattern 311 is embossed, and the predetermined pattern 311 may be patterned in an embossed manner through the e-beam lithography process.

여기서, 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321)은 몰드(310)의 미리 설정된 패턴(311)을 형성하기 위한 폴리머 레진 역할을 할 수 있고, 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)은 몰드(320)의 임프린팅 과정에서 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321)이 면적에 따른 압력에 버틸 수 있도록, 면적에 따른 압력을 균일하게 전달하는 유연기판 역할을 할 수 있다. 이와 같이, 몰드(320)는 폴리머(polymer) 소재로 형성될 수 있다.Wherein at least a portion 321 formed of polyurethane acrate may serve as a polymeric resin to form a predetermined pattern 311 of mold 310 and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane may serve as a mold It may serve as a flexible substrate that uniformly transfers pressure according to the area so that at least a portion 321 formed of polyurethane acrate in the imprinting process of the substrate 320 can withstand the pressure according to the area. As such, the mold 320 may be formed of a polymer material.

폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 생성하는 구체적인 과정은 다음과 같다. 우선, 나노 금속 라인 생성 시스템은 실가드(sylgard) 184 A 및 실가드 184 B를 미리 설정된 비율에 따라 혼합하여 미리 설정된 사이즈의 페트리디쉬(petri dish)에 부어 주조함으로써, 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 생성할 수 있다. 이 때, 미리 설정된 비율은 실가드 184 A를 3으로, 실가드 184 B를 1으로 혼합하는 비율일 수 있고, 미리 설정된 사이즈의 페트리디쉬는 4인치의 페트리디쉬일 수 있다. 이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 온도로 유지되는 핫플레이트를 이용하여 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 경화시킬 수 있다. 예를 들어, 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)은 100도의 온도로 유지되는 핫플레이트에 접촉되어 경화될 수 있다.The specific procedure for producing at least a portion 321 formed of polyurethane acrylate and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane is as follows. First, the nano metal line production system mixes a sylgard 184 A and a seal guard 184 B according to a preset ratio and pours it into a petri dish of a preset size to produce at least the polymethylsiloxane formed A portion 322 can be generated. At this time, the predetermined ratio may be a ratio of mixing the seal guard 184 A to 3 and the seal guard 184 B to 1, and the petri dish of the preset size may be a petri dish of 4 inches. At this time, the nanometal line generation system may cure at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane using a hot plate maintained at a predetermined temperature. For example, at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane may be cured by contacting a hot plate maintained at a temperature of 100 degrees.

그 다음, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴(311)이 양각된 스탬프(310)에 폴리우레탄아크레이트를 도포할 수 있다. 예를 들어, 폴리우레탄아크레이트는 스탬프(310)에 1ml의 양이 도포될 수 있다.The nano metal line generation system may then apply a polyurethane arc rate to the stamp 310 with a predetermined pattern 311 embossed. For example, the polyurethane acrate may be applied to the stamp 310 in an amount of 1 ml.

이어서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트가 도포된 스탬프에 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 배치하고, 폴리우레탄아크레이트가 도포된 스탬프(310) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)에 미리 설정된 가압처리를 수행함으로써(330), 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트가 도포된 스탬프(310) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)에 10분 동안 10atm의 압력으로 가압처리를 수행할 수 있다(330).Next, the nanometal line generation system is configured to place at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane in a polyurethane acrylate-applied stamp and to form a stamp 310 coated with polyurethane acrylate and a polydimethylsiloxane formed with polydimethylsiloxane At least a portion 321 formed of a polyurethane acrate and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane may be produced by performing a pre-set pressurization process 330 on at least a portion 322. [ For example, the nano metal line generation system may perform pressurization at a pressure of 10 atm for 10 minutes on at least a portion 322 of polyurethane acrate coated stamp 310 and polydimethylsiloxane 330 ).

이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)에 미리 설정된 진공처리를 수행할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321)에 포함되는 공기 또는 몰드(310)의 미리 설정된 패턴(311)에 포함되는 공기가 제거되도록, 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 데시케이터에 넣어 30분 동안 진공 상태를 유지할 수 있다.At this point, the nanometal line generation system may perform a pre-set vacuum treatment on at least a portion 321 formed of polyurethane acrate and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane. For example, the nano metal line generation system may be configured to remove air contained in at least a portion 321 formed of a polyurethane acrate or air contained in a predetermined pattern 311 of the mold 310, At least a portion 321 formed and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane may be placed in a desiccator to maintain a vacuum for 30 minutes.

그 후, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)에 미리 설정된 자외선처리를 수행하여 경화시킬 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분(321) 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분(322)을 7cm의 거리의 365nm 파장을 갖는 자외선에 3시간 동안 노출시킴으로써, 경화시킬 수 있다.The nano metal line generation system can then be cured by performing a pre-set ultraviolet treatment on at least a portion 321 formed of polyurethane acrate and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane. For example, the nanometallic line generation system can be made by exposing at least a portion 321 formed of polyurethane acrylate and at least a portion 322 formed of polydimethylsiloxane to ultraviolet light having a wavelength of 365 nm at a distance of 7 cm for 3 hours, It can be cured.

또한, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드(320)의 표면 에너지를 낮추기 위하여, 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 표면을 실레인(silane) 계열의 자기조립단분자막(Self-Assembled Monolayers; SAMs) 용액으로 코팅할 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 trichloro(1H, 2H, 2H-perfluorooctyl) 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액 0.5ml이 담긴 페트리디쉬에 대해, 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 표면을 마주보도록 데시케이터 내부에 배치한 후, 0.8bar의 진공상태를 6시간 동안 유지함으로써, 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액을 기상상태로 변화시켜 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 표면에 증착시킬 수 있다.In order to lower the surface energy of the mold 320, the nano metal line generation system may also include a step of forming a surface on which the predetermined pattern 311 of the mold 320 is engraved by using a silane series of Self-Assembled Monolayers ; SAMs) solution. For example, the nano-metal line generation system may be configured such that for a petri dish containing 0.5 ml of a self-assembled monolayer solution of trichloro (1H, 2H, 2H-perfluorooctyl) silane series, the preset pattern 311 of the mold 320, The autoclaved monolayer solution of the silane series is changed to a gaseous state by maintaining the vacuum state at 0.8 bar for 6 hours so that the predetermined pattern 311 of the mold 320 ) Can be deposited on the engraved surface.

이와 같은 공정을 거친, 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 표면의 표면 에너지는 코팅된 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액에 의해 낮춰지기 때문에, 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 표면에 증착되는 금속은 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 표면으로부터 쉽게 분리될 수 있다. 따라서, 위에서 상술한, 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 영역을 제외한 나머지 영역에 증착된 금속을 제거하는 과정 및 몰드(320)의 미리 설정된 패턴(311)이 음각된 영역에 증착된 금속을 기판의 표면에 임프린팅하는 과정은 용이하게 수행될 수 있다.
Since the surface energy of the surface of the mold 320 on which the predetermined pattern 311 of the mold 320 is formed is lowered by the self-assembled monolayer solution of the coated silane series, The metal deposited on the engraved surface can be easily separated from the engraved surface by a predetermined pattern 311 of the mold 320. Accordingly, the process of removing the metal deposited on the remaining region except for the area where the predetermined pattern 311 of the mold 320 is engraved, and the process of removing the metal on the predetermined pattern 311 of the mold 320, Imprinting the deposited metal on the surface of the substrate can be easily performed.

도 4는 도 2에 도시된 기판 및 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 과정을 구체적으로 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a view illustrating a process of performing a predetermined pressing process on the substrate and the mold shown in FIG. 2. Referring to FIG.

도 4를 참조하면, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판(410)의 표면 중 몰드(420)가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 다아이 워터 중 적어도 어느 하나(411)를 이용하여 스핀 코팅을 수행함으로써, 기판(410) 및 몰드(420)에 미리 설정된 가압처리를 수행(430)하는 과정에서 모세관 현상을 이용할 수 있다.4, the nano metal line generating system performs spin coating using at least one of ethanol or dyes 411 on the surface of the substrate 410 on which the mold 420 is imprinted, The capillary phenomenon may be used in the process of performing the pressurizing process 430 preset on the substrate 410 and the mold 420.

예를 들어, 몰드(420)의 미리 설정된 패턴(421)이 음각된 영역(422)에는 금속(423)이 미리 설정된 패턴(421)이 음각된 영역(422)의 실제 깊이 보다 낮은 두께로 잔여하고 있을 수 있다. 만약, 기판(410) 및 몰드(420)에 미리 설정된 가압처리가 수행(430)되면, 기판(410)의 표면 중 몰드(420)가 임프린팅되는 표면에 스핀 코팅된 에탄올 또는 다아이 워터 중 적어도 어느 하나(411)는 미리 설정된 패턴(421)이 음각된 영역(422)에 주입되고, 미리 설정된 패턴(421)이 음각된 영역(422)에 주입된 일부를 제외한 나머지는 몰드(420)에 흡수되고 몰드(420) 외부로 빠져나갈 수 있다.For example, in the area 422 where the predetermined pattern 421 of the mold 420 is engraved, the metal 423 remains at a thickness lower than the actual depth of the area 422 in which the predetermined pattern 421 is engraved Can be. If a preset pressing process is performed on the substrate 410 and the mold 420, the surface of the substrate 410 on which the mold 420 is imprinted is coated with at least one of spin-coated ethanol or multi- Any one of the patterns 411 is absorbed into the mold 420 except for a part where the predetermined pattern 421 is injected into the recessed area 422 and the predetermined pattern 421 is injected into the recessed area 422. [ And out of the mold 420.

이 때, 미리 설정된 패턴(421)이 음각된 영역(422)에 주입된 에탄올 또는 다아이 워터 중 적어도 어느 하나(411)는 금속(423)과 기판(410) 사이에서 모세관 현상에 의한 결합력을 발생시킬 수 있다. 따라서, 금속(423)은 몰드(420)의 미리 설정된 패턴(421)이 음각된 영역(422)으로부터 추출되어 기판(410) 쪽으로 내려올 수 있다.At this time, at least one of the ethanol (411) injected into the region 422 in which the predetermined pattern 421 is engraved is generated between the metal 423 and the substrate 410 by the capillary phenomenon . The metal 423 can be extracted from the engraved area 422 and down to the substrate 410. The pre-

이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드(420)에 채워진 금속(423)을 기판(410)에 임프린팅하는 과정에서, 기판(410)의 표면 중 몰드(420)가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나(411)를 이용하여 스핀 코팅을 수행함으로써, 모세관 현상을 이용할 수 있다.
As described above, in the nano metal line generation system according to the embodiment of the present invention, during the imprinting of the metal 423 filled in the mold 420 onto the substrate 410, Capillary phenomenon can be used by performing spin coating using at least one of ethanol or DIA water 411 on the surface to be imprinted.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 방법을 나타낸 플로우 차트이다.5 is a flowchart illustrating a method of generating a nano metal line according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 포함하는 몰드(mold)를 형성한다(510).Referring to FIG. 5, a nanometal line generation system according to an exemplary embodiment of the present invention forms a mold 510 including a surface on which a predetermined pattern is engraved.

구체적으로, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프를 이용하여, 몰드 중 폴리우레탄아크레이트(Polyurethane Acrylate; PUA)로 형성된 적어도 일부분 및 폴리디메틸실옥산(Polydimethylsiloxane; PDMS)으로 형성된 적어도 일부분을 생성할 수 있다.Specifically, the nano metal line generation system uses at least a portion of the mold formed of polyurethane acrylate (PUA) and at least a portion of polydimethylsiloxane (PDMS) Can be generated.

예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 실가드(sylgard) 184 A 및 실가드 184 B를 미리 설정된 비율에 따라 혼합하여 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하고, 미리 설정된 온도로 유지되는 핫플레이트를 이용하여 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 경화시킨 후, 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프에 폴리우레탄아크레이트를 도포하고, 폴리우레탄아크레이트가 도포된 스탬프에 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 배치하여, 폴리우레탄아크레이트가 도포된 스탬프 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분에 미리 설정된 가압처리를 수행함으로써, 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성할 수 있다.For example, the nano metal line generation system mixes a sylgard 184 A and a seal guard 184 B in a predetermined ratio to produce at least a portion formed of polydimethylsiloxane, and a hot plate , At least a portion of the polydimethylsiloxane is cured, a polyurethane acrylate is applied to a stamp embossed with a predetermined pattern, and at least a portion of the polyurethane acrylate-coated stamp At least a portion formed of a polyurethane acrylate and at least a portion formed of polydimethylsiloxane can be produced by performing a preliminarily set pressing process on at least a portion formed of a polyurethane acrylate coated stamp and polydimethylsiloxane have.

이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분에 미리 설정된 진공처리를 수행할 수 있다. 또한, 나노 금속 라인 생성 시스템은 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분에 미리 설정된 자외선처리를 수행하여 경화시킬 수 있다.At this time, the nanometal line generation system may perform a pre-set vacuum treatment on at least a portion formed of at least a portion formed of polyurethane acrylate and polydimethylsiloxane. In addition, the nano metal line generation system can be cured by performing a predetermined ultraviolet treatment on at least a part formed of polyurethane acrylate and at least a part formed of polydimethylsiloxane.

또한, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드에 증착되는 금속이 쉽게 분리되도록, 몰드의 미리 설정된 패턴이 음각된 표면의 표면 에너지를 낮출 수 있다. 예를 들어, 나노 금속 라인 생성 시스템은 실레인(silane) 계열의 자기조립단분자막(Self-Assembled Monolayers; SAMs) 용액으로 몰드의 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 코팅함으로써, 미리 설정된 패턴이 음각된 표면의 표면 에너지를 낮출 수 있다. 이 때, 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액은 기상상태로 변화되어 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 증착됨으로써, 코팅될 수 있다.In addition, the nanometal line generation system can reduce the surface energy of the engraved surface to a predetermined pattern of the mold so that the metal deposited on the mold is easily separated. For example, the nano metal line generation system may be formed by coating a surface of a predetermined pattern of a mold with an engraved self-assembled monolayers (SAMs) solution of a silane series, Can be reduced. At this time, the self-assembled monolayer solution of the silane series is changed into a vapor phase state, and a predetermined pattern is deposited on the engraved surface to be coated.

이어서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 열증착(thermal evaporator) 기법을 이용하여 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 금속을 증착시킨다(520). 이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 미리 설정된 패턴이 음각된 영역 및 나머지 영역에 대해 동일한 두께로 금속을 증착시킬 수 있다. 예를 들어, 금속은 미리 설정된 패턴이 음각된 영역 및 나머지 영역에 대해 미리 설정된 속도에 따라 증착됨으로써, 동일한 두께를 형성할 수 있다.The nano metal line generation system then deposits a metal on a surface engraved with a predetermined pattern using a thermal evaporation technique (520). At this time, the nano metal line generation system can deposit the metal with the same thickness for the region where the predetermined pattern of the predetermined pattern is engraved, and for the remaining region. For example, the metal may be deposited according to a pre-set velocity for the region where the predetermined pattern is engraved and the remaining region, thereby forming the same thickness.

그 다음, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 미리 설정된 패턴이 음각된 영역을 제외한 나머지 영역에 증착된 금속을 제거한다(530). 이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 미리 설정된 패턴이 음각된 영역을 제외한 나머지 영역에 에탄올을 도포하여 나머지 영역에 증착된 금속을 분리하고, 분리된 금속을 밀어냄으로써, 나머지 영역에 증착된 금속을 제거할 수 있다.Next, the nano metal line generation system removes the deposited metal (530) in the remaining area except the area where the predetermined pattern is engraved on the surface on which the predetermined pattern is engraved. At this time, the nano metal line generation system applies ethanol to regions other than the regions where the predetermined pattern is engraved among the surfaces engraved with the predetermined pattern, separates the deposited metal in the remaining region, pushes the separated metal, It is possible to remove the deposited metal in the remaining region.

그 다음, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 포함하는 몰드를 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅(imprinting)한다(540).Next, the nano metal line generation system imprints (540) the mold including the metal deposited on the area where the predetermined pattern is engraved, to the surface of the substrate to be transferred.

이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드를 기판의 표면에 임프린팅하기 이전에, 전사 대상이 되는 기판의 표면 중 몰드가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스핀 코팅(spin coating)을 수행할 수 있다. 이와 같이, 나노 금속 라인 생성 시스템은 스핀 코팅을 수행함으로써, 몰드가 임프린팅되는 과정(540)에서 모세관 현상을 이용할 수 있다.In this case, before the imprinting of the mold on the surface of the substrate, the nano metal line generating system may be formed by spin coating (at least one of ethanol or DI water) on the surface of the substrate, spin coating can be performed. As such, the nano metal line generation system can utilize capillary action in the process of imprinting the mold (540) by performing spin coating.

또한, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판의 표면 중 몰드가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스핀 코팅을 수행하기 이전에, 기판의 표면에 자외선/오존(Ultraviolet ray/Ozone; UVO) 처리 또는 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나를 수행하고, 자외선/오존 처리 또는 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나가 수행된 기판의 표면을 질소 가스를 이용하여 건조할 수 있다.In addition, the nano metal line generation system may be configured such that before the spin coating is performed using at least one of ethanol and a DI water on the surface of the substrate on which the mold is imprinted, ultraviolet ray / ozone ; UVO) or ultrasonic cleaning, and the surface of the substrate on which at least one of ultraviolet / ozone treatment or ultrasonic cleaning treatment is performed can be dried using nitrogen gas.

구체적으로, 몰드를 기판의 표면에 임프린팅하는 과정(540)에서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속이 기판을 향하도록, 기판에 몰드를 배열하고, 기판 및 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하며, 기판 및 몰드에 미리 설정된 열처리를 수행함으로써, 기판에 몰드를 임프린팅할 수 있다. 이 때, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판 및 몰드에 미리 설정된 진공처리를 수행할 수도 있다.In particular, in a step 540 of imprinting a mold onto the surface of a substrate, the nano metal line generation system arranges the mold on the substrate such that the metal deposited on the region where the predetermined pattern is engraved faces the substrate, The mold can be imprinted on the substrate by performing a preliminarily set pressing process on the mold and performing a predetermined heat treatment on the substrate and the mold. At this time, the nano metal line generation system may perform a preset vacuum process for the substrate and the mold.

여기서, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판 및 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행함으로써, 스핀 코팅이 수행된 기판의 표면에 존재하는 에탄올 또는 디아이 워터 중 적어도 어느 하나에 의한 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속과 기판 사이의 모세관 현상을 이용하여, 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 몰드의 미리 설정된 패턴이 음각된 영역으로부터 추출할 수 있다.Here, the nano-metal line generation system is a system in which a predetermined pattern of at least one of ethanol or diatomic water present on the surface of a substrate on which spin coating has been performed is deposited on a substrate and a mold, Using the capillary phenomenon between the metal and the substrate, a metal deposited in a region where a predetermined pattern is engraved can be extracted from a region where a predetermined pattern of the mold is engraved.

또한, 나노 금속 라인 생성 시스템은 기판 및 몰드에 미리 설정된 열처리를 수행함으로써, 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속의 확산을 유도하여 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속과 기판 사이의 결합력을 발생시킬 수 있다.In addition, the nano metal line generating system may perform a predetermined heat treatment on the substrate and the mold to induce diffusion of the deposited metal in the region where the predetermined pattern is engraved, A bonding force can be generated.

그 후, 나노 금속 라인 생성 시스템은 몰드를 제거하여 기판에 금속으로 형성된 나노 금속 라인 패턴을 생성한다(550).
The nanometal line generation system then removes the mold to produce a nanometal line pattern formed of metal on the substrate (550).

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

Claims (15)

미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 포함하는 몰드(mold)를 형성하는 단계;
열증착(thermal evaporator) 기법을 이용하여 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 금속을 증착시키는 단계;
상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역을 제외한 나머지 영역에 증착된 금속을 제거하는 단계;
상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 포함하는 상기 몰드를 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅(imprinting)하는 단계; 및
상기 몰드를 제거하여 상기 기판에 상기 금속으로 형성된 나노 금속 라인 패턴을 생성하는 단계
를 포함하고,
상기 몰드를 상기 전사 대상이 되는 기판의 표면에 임프린팅하는 단계는
상기 기판의 표면 중 상기 몰드가 임프린팅되는 표면에 에탄올 또는 디아이 워터(DI water) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스핀 코팅(spin coating)을 수행하는 단계;
상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속이 상기 기판을 향하도록, 상기 기판에 상기 몰드를 배열하는 단계;
상기 스핀 코팅이 수행된 기판의 표면에 존재하는 상기 에탄올 또는 상기 디아이 워터 중 적어도 어느 하나에 의한 모세관 현상을 이용하여, 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속을 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역으로부터 추출하도록 상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 단계; 및
상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 열처리를 수행하는 단계
를 포함하고,
상기 나머지 영역에 증착된 금속을 제거하는 단계는
상기 나머지 영역에 증착된 금속이 부력에 의하여 상기 나머지 영역으로부터 분리되도록 상기 나머지 영역과 상기 금속 사이에 에탄올을 도포하여, 상기 나머지 영역에 증착된 금속을 분리하는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.Forming a mold including a surface having a predetermined pattern embossed thereon;
Depositing a metal on the surface engraved with the predetermined pattern using a thermal evaporator technique;
Removing a metal deposited on a region other than a region where the predetermined pattern is engraved;
Imprinting the mold on a surface of a substrate to be transferred, the metal including a metal deposited in an area where the predetermined pattern is engraved; And
Removing the mold to produce a nano metal line pattern formed of the metal on the substrate
Lt; / RTI >
Imprinting the mold on the surface of the substrate to be transferred
Performing spin coating using at least one of ethanol or DI water on a surface of the substrate on which the mold is imprinted;
Arranging the mold on the substrate such that the metal deposited on the region where the predetermined pattern is engraved faces the substrate;
Wherein the predetermined pattern is formed by using a capillary phenomenon caused by at least one of the ethanol and the diatomic water existing on the surface of the substrate on which the spin coating has been performed, Performing a preset pressing process on the substrate and the mold so as to extract from the region; And
Performing a predetermined heat treatment on the substrate and the mold
Lt; / RTI >
The step of removing the deposited metal in the remaining region
Applying ethanol between the remaining region and the metal so that the deposited metal in the remaining region is separated from the remaining region by buoyancy, and separating the deposited metal in the remaining region
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 상기 금속을 증착시키는 단계는
상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면 중 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역 및 상기 나머지 영역에 대해 동일한 두께로 상기 금속을 증착시키는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.The method according to claim 1,
The step of depositing the metal on a surface engraved with the predetermined pattern
Depositing the metal with the same thickness for the remaining region and the region where the predetermined pattern is engraved among the surfaces engraved with the predetermined pattern
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 제1항에 있어서,
상기 몰드를 형성하는 단계는
실레인(silane) 계열의 자기조립단분자막(Self-Assembled Monolayers; SAMs) 용액으로 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 코팅하는 단계
를 더 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.The method according to claim 1,
The step of forming the mold
Coating a surface of the predetermined pattern with the self-assembled monolayers (SAMs) solution of the silane series,
≪ / RTI > 제4항에 있어서,
상기 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액으로 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면을 코팅하는 단계는
상기 실레인 계열의 자기조립단분자막 용액을 기상상태로 변화시켜 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 표면에 증착시키는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.5. The method of claim 4,
The step of coating the engraved surface of the predetermined pattern with the silane-based self-assembled monolayer solution
A step of depositing the silane-based self-assembled monolayer film solution on the surface of the predetermined pattern by changing the solution into a vapor state,
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 단계는
상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 진공처리를 수행하는 단계
를 더 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.The method according to claim 1,
The step of performing the preset pressing processing on the substrate and the mold
Performing a predetermined vacuum process on the substrate and the mold
≪ / RTI > 제1항에 있어서,
상기 기판 및 상기 몰드에 미리 설정된 열처리를 수행하는 단계는
상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속의 확산을 유도하여 상기 미리 설정된 패턴이 음각된 영역에 증착된 금속과 상기 기판 사이의 결합력을 발생시키는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.The method according to claim 1,
The step of performing a predetermined heat treatment on the substrate and the mold
Generating a bonding force between the metal deposited on the region where the predetermined pattern is engraved and the substrate by inducing diffusion of the deposited metal in the region where the predetermined pattern is engraved
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 제1항에 있어서,
상기 몰드가 임프린팅되는 표면에 상기 에탄올 또는 상기 디아이 워터 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스핀 코팅을 수행하는 단계는
상기 기판의 표면에 자외선/오존(Ultraviolet ray/Ozone; UVO) 처리 또는 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나를 수행하는 단계; 및
상기 자외선/오존 처리 또는 상기 초음파 세척 처리 중 적어도 어느 하나가 수행된 상기 기판의 표면을 질소 가스를 이용하여 건조하는 단계
를 더 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.The method according to claim 1,
The step of performing spin coating using at least one of the ethanol or the dianhydride on the surface on which the mold is imprinted
Performing at least one of ultraviolet ray / ozone (UVO) processing and ultrasonic cleaning processing on the surface of the substrate; And
Drying the surface of the substrate on which at least one of the ultraviolet / ozone treatment or the ultrasonic cleaning treatment has been performed using nitrogen gas
≪ / RTI > 제1항에 있어서,
상기 몰드를 형성하는 단계는
상기 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프를 이용하여, 상기 몰드 중 폴리우레탄아크레이트(Polyurethane Acrylate; PUA)로 형성된 적어도 일부분 및 폴리디메틸실옥산(Polydimethylsiloxane; PDMS)으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.The method according to claim 1,
The step of forming the mold
Producing at least a portion of the mold formed of polyurethane acrylate (PUA) and polydimethylsiloxane (PDMS) using a stamp with the predetermined pattern embossed,
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 제12항에 있어서,
상기 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계는
실가드(sylgard) 184 A 및 실가드 184 B를 미리 설정된 비율에 따라 혼합하여 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.13. The method of claim 12,
The step of producing at least a portion formed of the polyurethane acrylate and at least a portion formed of the polydimethylsiloxane
Mixing the sylgard 184 A and the seal guard 184 B in a predetermined proportion to produce at least a portion of the polydimethylsiloxane
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 제13항에 있어서,
상기 폴리우레탄아크레이트로 형성된 적어도 일부분 및 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 생성하는 단계는
상기 미리 설정된 패턴이 양각된 스탬프에 상기 폴리우레탄아크레이트를 도포하는 단계;
상기 폴리우레탄아크레이트가 도포된 상기 스탬프에 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분을 배치하는 단계; 및
상기 폴리우레탄아크레이트가 도포된 상기 스탬프 및 상기 폴리디메틸실옥산으로 형성된 적어도 일부분에 미리 설정된 가압처리를 수행하는 단계
를 포함하는 나노 금속 라인 생성 방법.14. The method of claim 13,
The step of producing at least a portion formed of the polyurethane acrylate and at least a portion formed of the polydimethylsiloxane
Applying the polyurethane arc rate to a stamp on which the predetermined pattern is embossed;
Disposing at least a portion formed of the polydimethylsiloxane in the stamp to which the polyurethane acrylate is applied; And
Performing a pre-set pressure treatment on at least a portion formed of the stamp and the polydimethylsiloxane to which the polyurethane acrylate is applied
/ RTI > wherein the nanostructured metal nanoparticles are nanostructured. 삭제delete
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