KR101588895B1 - Organic Light Emitting Diode Display Device - Google Patents
Organic Light Emitting Diode Display Device Download PDFInfo
- Publication number
- KR101588895B1 KR101588895B1 KR1020090072435A KR20090072435A KR101588895B1 KR 101588895 B1 KR101588895 B1 KR 101588895B1 KR 1020090072435 A KR1020090072435 A KR 1020090072435A KR 20090072435 A KR20090072435 A KR 20090072435A KR 101588895 B1 KR101588895 B1 KR 101588895B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- thickness
- hole transporting
- hole
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공수송층 및 상기 정공수송층 상에 위치하며, 정공수송물질를 포함하는 발광층을 포함하며, 상기 제 1 전극의 두께, 상기 정공수송층의 두께 또는 상기 제 1 전극의 두께와 상기 정공수송층의 두께의 합은 상기 정공수송물질의 두께와 반비례하여 증감하며, 상기 제 1 전극, 정공수송층 및 발광층의 전체 두께는 상기 정공수송물질의 두께와 관계없이 동일할 수 있다.The present invention provides a light emitting device comprising a substrate, a first electrode disposed on the substrate, a hole transporting layer disposed on the first electrode, and a light emitting layer disposed on the hole transporting layer and including a hole transporting material, The thickness of the hole transport layer or the thickness of the first electrode and the thickness of the hole transport layer is inversely proportional to the thickness of the hole transport material, and the total thickness of the first electrode, the hole transport layer, It can be the same regardless of the thickness of the material.
유기전계발광표시장치 Organic electroluminescent display device
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 발광층에 정공수송물질 또는 전자수송물질을 포함하면서 휘도, 효율 및 색좌표가 저하되는 것을 방지하고 수명 특성을 2배 이상 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescence display device, and more particularly, to an organic electroluminescence display device that includes a hole transporting material or an electron transporting material in a light emitting layer and prevents degradation of luminance, efficiency and color coordinates, Emitting display device.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the importance of flat panel displays (FPDs) has been increasing with the development of multimedia. In response to this, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an organic light emitting diode display device A variety of planar displays, such as a liquid crystal display, are being put into practical use.
특히, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Particularly, the organic light emitting display device has a response speed of 1 ms or less, a high response speed, low power consumption, and self light emission. In addition, there is no problem in the viewing angle, which is advantageous as a moving picture display medium regardless of the size of the apparatus. In addition, since it can be manufactured at a low temperature and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology, it is attracting attention as a next generation flat panel display device.
이러한 유기전계발광표시장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, EML), 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)이 개재된 구조로 이루어진다.The organic light emitting display includes a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transporting layer Layer, ETL) and an electron injection layer (EIL) are interposed.
그러나, 이러한 구조의 유기전계발광표시장치는 구동전압 및 발광효율은 상승될 수 있으나, 수명 특성이 저하되는 문제점이 있다.However, although the driving voltage and the light emitting efficiency of the organic light emitting display device having such a structure can be increased, there is a problem that the lifetime characteristics are degraded.
따라서, 본 발명은 발광층에 정공수송물질 또는 전자수송물질을 포함하면서 휘도, 효율 및 색좌표가 저하되는 것을 방지하고 수명 특성을 2배 이상 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공한다.Accordingly, the present invention provides an organic electroluminescent display device including a hole transporting material or an electron transporting material in a light emitting layer, which can prevent degradation of luminance, efficiency, and color coordinates, and can improve lifetime characteristics more than twice.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공수송층 및 상기 정공수송층 상에 위치하며, 정공수송물질를 포함하는 발광층을 포함하며, 상기 제 1 전극의 두께, 상기 정공수송층의 두께 또는 상기 제 1 전극의 두께와 상기 정공수송층의 두께의 합은 상기 정공수송물질의 두께와 반비례하여 증감하며, 상기 제 1 전극, 정공수송층 및 발광층의 전체 두께는 상기 정공수송물질의 두께와 관계없이 동일할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a substrate, a first electrode disposed on the substrate, a hole transport layer disposed on the first electrode, Wherein a sum of a thickness of the first electrode, a thickness of the hole transporting layer, or a thickness of the first electrode and a thickness of the hole transporting layer is inversely proportional to a thickness of the hole transporting material And the total thickness of the first electrode, the hole transporting layer, and the light emitting layer may be the same regardless of the thickness of the hole transporting material.
상기 발광층의 두께는 상기 정공수송물질의 두께와 비례하여 증감할 수 있다.The thickness of the light emitting layer can be increased or decreased in proportion to the thickness of the hole transporting material.
상기 발광층의 두께는 4 내지 100nm일 수 있다.The thickness of the light emitting layer may be 4 to 100 nm.
상기 발광층의 두께는 20 내지 50nm일 수 있다.The thickness of the light emitting layer may be 20 to 50 nm.
상기 정공수송물질의 두께는 2 내지 50nm일 수 있다.The thickness of the hole transporting material may be 2 to 50 nm.
상기 정공수송물질의 두께는 10 내지 25nm일 수 있다.The thickness of the hole transporting material may be 10 to 25 nm.
상기 발광층은 하나 이상의 전자수송물질을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer may further include one or more electron transporting materials.
상기 정공수송층은 정공주입층을 포함하며, 상기 정공수송물질은 상기 정공수송층 또는 정공주입층과 동일한 재료일 수 있다.The hole transport layer may include a hole injection layer, and the hole transport material may be the same material as the hole transport layer or the hole injection layer.
상기 정공수송물질은 3차 아민계 재료를 포함할 수 있다.The hole transport material may include a tertiary amine based material.
상기 3차 아민계 재료는 NPB일 수 있다.The tertiary amine based material may be NPB.
본 발명의 유기전계발광표시장치는 발광층에 정공수송물질 또는 전자수송물질을 포함하면서 휘도, 효율 및 색좌표가 저하되는 것을 방지하고 수명 특성을 2배 이상 향상시킬 수 있는 이점이 있다. The organic electroluminescent display device of the present invention has an advantage that the luminance, efficiency and color coordinates can be prevented from deteriorating and lifetime characteristics can be improved more than two times by including a hole transporting material or an electron transporting material in the light emitting layer.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 액티브 매트릭스 구조 또는 패시브 매트릭스 구조일 수 있으나, 본 실시 예에서는 액티브 매트릭스 구조로 이루어진 유기전계발광표시장치를 예로 설명한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention may have an active matrix structure or a passive matrix structure. In this embodiment, an organic light emitting display device having an active matrix structure will be described.
보다 자세하게는, 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어진 기판(100) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105)은 기판(100)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다.More specifically, the
버퍼층(105) 상에 반도체층(110)이 위치한다. 반도체층(110)은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 반도체층(110) 상에 반도체층(110)을 덮는 게이트 절연막(115)이 위치한다. 게이트 절연막(115)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다.The
게이트 절연막(115) 상에 반도체층(110)의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극(120)이 위치한다. 게이트 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금일 수 있다. 게이트 전극(120) 상에 게이트 전극(120)을 덮는 층간 절연막(125)이 위치한다. 층간 절연막(125)은 게이트 절연막(115)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다.A
층간 절연막(125) 상에 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)이 위치한다. 여기서, 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)은 게이트 절연막(115) 및 층간 절연막(125)을 관통하는 콘택홀(130a, 130b)을 통해 반도체층(110)에 연결될 수 있다. 그리고, 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)은 몰리브덴(Mo), 알루미 늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 등으로 이루어질 수 있다. A
본 발명의 일 실시예에서는 반도체층 상부에 게이트 전극이 위치하는 탑(Top) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)를 개시하였지만, 이와는 달리 게이트 전극이 반도체층 하부에 위치하는 바텀(Bottom) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)일 수도 있다.In an embodiment of the present invention, a top gate type thin film transistor (TFT) in which a gate electrode is disposed on a semiconductor layer is disclosed. Alternatively, a bottom gate type thin film transistor (TFT).
소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b) 상에 패시베이션막(140)이 위치한다. 패시베이션막(140)은 실리콘산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다. The
패시베이션막(140) 상에 양극인 제 1 전극(150)이 위치한다. 제 1 전극(150)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전막으로 이루어질 수 있다. 특히, 전면발광일 경우에는 제 1 전극(150)에 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금으로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있다. A
제 1 전극(150) 상에 인접하는 제 1 전극들을 절연시키기 위하여 뱅크층(155)이 위치한다. 뱅크층(155)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 뱅크층(155)에는 제 1 전극(150)을 노출시키는 개구부(157)가 위치할 수 있다.A
그리고, 뱅크층(155)을 포함하는 기판(100) 상에 발광층(160)이 위치할 수 있다. 그리고, 발광층(160)은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The
발광층(160) 상에 음극인 제 2 전극(170)이 위치한다. 제 2 전극(170)은 일함수가 낮은 금속들로 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등을 사용할 수 있으며, 전면발광일 때에는 빛이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께로 이루어질 수 있고, 배면발광일 때에는 빛을 제 1 전극(150) 방향으로 반사시킬 수 있도록 충분한 두께로 이루어질 수 있다.A
하기에서 전술한 유기전계발광표시장치에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the organic light emitting display will be described in detail.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면이다. 2 is a view illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치(200)는 양극(210), 정공수송층(220), 발광층(230), 전자수송층(240) 및 음극(250)이 차례로 적층된 구조로 이루어질 수 있다.2, an organic
보다 자세하게는, 양극(210)은 전술한 바와 같이, 일함수가 높은 ITO와 같은 물질로 이루어질 수 있다. More specifically, the
정공수송층(220)은 정공의 주입 또는 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
정공수송층(220)은 정공주입층을 더 포함할 수 있다. 정공주입층은 제 1 전극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The
발광층(230)은 적색, 녹색 및 청색 발광층으로 나뉠수 있다. 발광층(230)이 적색인 경우에는, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
발광층(230)이 녹색인 경우에는, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.And a phosphorescent material including a dopant material including Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium), which includes a host material including CBP or mCP when the
발광층(230)이 청색인 경우에는, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the
전자수송층(240)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The
전자수송층(240)은 전자주입층을 더 포함할 수 있다. 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, LiF, Li, Ba 및 BaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
음극(250)은 일함수가 낮은 금속들로 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등으로 이루어질 수 있다.The
특히, 본 발명의 일 실시 예에서는 전술한 발광층(230)에 정공수송물질(235)을 더 포함할 수 있다. 이러한 정공수송물질(235)은 발광층(230) 내에 정공의 주입을 용이하게 하는 역할을 할 수 있다.In particular, in one embodiment of the present invention, the
정공수송물질(235)은 5,11-di-naphthyl-5,11-dihydroindolo[3,2-b]carbazole 또는 2,8-dimethyl-5,11-dinaphthyl-5,11-dihydroindolo[3,2-b]carbazole로 이루어질 수 있다. 보다 바람직하게는 정공수송물질(235)은 3차 아민계 물질로 이루어질 수 있으며, NPB(N,N'-di-1-naphthyl-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)로 이루어질 수 있다. 또한, 정공수송물질(235)은 전술한 정공수송층(220)과 동일한 물질을 포함할 수도 있다.The
한편, 본 발명의 일 실시 예에서, 제 1 전극인 양극(210)의 두께(T4) 또는 정공수송층(220)의 두께(T3)는 정공수송물질(235)의 두께(T1)와 반비례하여 증감할 수 있다. 여기서, 발광층(230)의 두께(T2), 정공수송층(220)의 두께(T3) 및 양극(210)의 두께(T4)의 전체 두께(T0)는 항상 동일할 수 있다. On the other hand, in one embodiment of the present invention, the thickness (T 1) of the thickness of the first electrode anode (210) (T 4) or the thickness of the hole transport layer (220), (T 3) is a
보다 자세하게는, 발광층(230) 내에 정공수송물질(235)의 두께(T1)가 약 1nm정도 증가하면, 양극(210)의 두께(T4) 또는 정공수송층(220)의 두께(T3) 중 어느 하나 또는 양극(210)의 두께(T4)와 정공수송층(220)의 두께(T3)의 합이 약 1nm정도 감소될 수 있다. More specifically, when the thickness T 1 of the
따라서, 발광층(230)의 두께(T2)는 정공수송물질(235)의 두께(T1)와 비례하여 증감할 수 있다. 그리고, 발광층(230)의 두께(T2), 정공수송층(220)의 두께(T3) 및 양극(210)의 두께(T4)의 전체 두께(T0)는 정공수송물질(235)의 두께(T2)와 관계없이 항상 동일하게 유지될 수 있다.Therefore, the thickness T 2 of the
이는, 호스트 물질과 도펀트 물질로 이루어진 발광층(230)에 정공수송물질(235)을 더 포함하게 되면, 정공수송물질(235)이 정공의 주입을 용이하게 하기 때문에, 발광층(230) 내에서 전자와 정공이 여기자를 형성하여 발광하는 발광영역이 전자수송층(240)의 계면쪽으로 상승하게 된다. This is because if the
따라서, 발광층(230) 하부에 위치한 정공수송층(220)의 두께(T3) 또는 양극(210)의 두께(T4)를 정공수송물질(235)의 두께(T1)의 증감에 따라 반비례하여 증감시키면, 발광층(230) 내의 발광영역이 발광층(230)의 중심부에 위치하게 된다. 이로 인해, 유기전계발광표시장치의 휘도, 효율 및 수명특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The thickness T 3 of the
이를 위해, 발광층(230)의 두께(T2)는 4 내지 100nm일 수 있으며, 바람직하게는 20 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 발광층(230)의 두께(T2)가 4nm 이상, 바람직하게는 20nm 이상이면, 발광층(230) 내의 발광영역이 정공수송층(220) 또는 전자수송층(240)으로 치우치지 않고 발광층(230)의 중심부에서 발광되기 용이한 이점이 있고, 발광층(230)의 두께(T2)가 100nm 이하, 바람직하게는 50nm 이하이면, 발광층(230)의 두께(T2)가 너무 두꺼워 정공과 전자를 발광층(230)의 중심부까지 이동시키는데 구동전압이 증가하고, 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있따.For this, the thickness (T 2 ) of the
이때, 정공수송물질(235)의 두께(T1)는 2 내지 50nm일 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 25nm일 수 있다. 여기서, 정공수송물질(235)의 두께(T1)가 2nm 이상, 바람직하게는 10nm 이상이면, 정공수송물질(235)이 발광층(230)으로의 정공 주입을 용이하게 하여 구동전압 및 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 정공수송물 질(235)의 두께(T1)가 50nm 이하, 바람직하게는 25nm 이하이면, 발광층(230)으로의 정공 주입이 너무 용이하여 발광영역이 전자수송층(240)에 인접하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.At this time, the thickness T 1 of the
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는, 발광층에 정공수송물질을 포함하면서 정공수송층 또는 양극의 두께를 정공수송물질의 두께에 반비례하여 증감시킴으로써, 발광영역이 발광층의 중심부에 위치시킬 수 있고, 이로 인해, 휘도, 발광효율 및 수명특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, the organic light emitting display according to one embodiment of the present invention includes a hole transporting material in the light emitting layer, and increases or decreases the thickness of the hole transporting layer or the anode in inverse proportion to the thickness of the hole transporting material, So that it is advantageous that the luminance, the luminous efficiency and the life characteristic can be improved.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면이다. 3 is a view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치(300)는 양극(310), 정공수송층(320), 발광층(330), 전자수송층(340) 및 음극(350)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 본 실시 예의 구조는 전술한 실시 예의 구조와 유사하며, 발광층(330)의 물질만 상이하므로 이에 대해서만 설명하기로 한다. 3, the
본 실시 예의 발광층(330)은 전술한 정공수송물질(335)을 포함하며, 전자수송물질(336)을 더 포함할 수 있다. 전자수송물질(336)은 발광층(330) 내로의 전자의 주입을 용이하게 하는 역할을 할 수 있다.The
보다 자세하게는, 앞서 설명한 실시 예는 정공수송물질 또는 전자수송물질인지에 관계없이 호스트에 정공수송물질을 더 포함하는 발광층을 개시하였지만, 본 실시 예는 전자수송물질(336)인 호스트에 정공수송물질(335)을 포함하는 발광층(330)일 수 있다. 이때, 양 실시 예는 도펀트를 포함해도 되고 포함하지 않을 수도 있다.More specifically, although the embodiment described above discloses a light emitting layer that further includes a hole transporting material in the host, regardless of whether it is a hole transporting material or an electron transporting material, And a
여기서, 전자수송물질(336)은 Alq3(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum) 또는 BAlq(bis(8-hydroxyquinolato)-(4-phenylphenolato)aluminum)일 수 있다. 또한, 전자수송물질(336)은 전술한 전자수송층 또는 전자주입층과 동일한 물질일 수도 있다. Here, the electron transporting material 336 may be Alq 3 (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum) or BAlq (bis (8-hydroxyquinolato) - (4-phenylphenolato) aluminum). Further, the electron transporting material 336 may be the same material as the aforementioned electron transporting layer or electron injecting layer.
상기와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 앞서 설명한 실시 예의 발광층에 전자수송물질을 포함함으로써, 발광층으로의 전자의 주입을 용이하게 하여, 유기전계발광표시장치의 구동전압, 효율 및 수명 특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, the organic electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention includes the electron transporting material in the light emitting layer of the above-described embodiment, thereby facilitating the injection of electrons into the light emitting layer, , The efficiency and the life characteristic can be improved.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a preferred embodiment will be described to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are illustrative of the present invention, but the present invention is not limited to the following examples.
<실시예 1>≪ Example 1 >
유리기판 상에 제 1 전극으로 ITO를 50nm의 두께로 적층하고, 정공수송층으로 NPD를 70nm의 두께로 적층하고, 발광층으로는 호스트인 CBP 15nm와 도펀트인 spiro-DPVBi 1.5nm를 공증착하고, 전자수송층으로 Alq3를 20nm의 두께로 적층하고, 제 2 전극으로 Al을 100nm의 두께로 형성하여 소자를 제작하였다.ITO was laminated as a first electrode on the glass substrate to a thickness of 50 nm and NPD was laminated to a thickness of 70 nm as a hole transport layer. A 15 nm thick CBP as a host and a 1.5 nm spiro-DPVBi dopant as a luminescent layer were deposited, , Alq 3 was laminated to a thickness of 20 nm, and Al was formed to a thickness of 100 nm as a second electrode.
<실시예 2>≪ Example 2 >
전술한 실시예 1과 동일한 조건 하에, 호스트인 CBP 15nm와 정공수송물질인 NPB 15nm를 공증착하면서 도펀트로 spiro-DPVBi을 1.5nm로 도핑하여 발광층을 형성한 것만을 달리하여 소자를 제작하였다. DPPBBi was doped with 1.5 nm of a dopant to form a light emitting layer under the same conditions as in Example 1, except that 15 nm of CBP as a host and 15 nm of NPB as a hole transporting material were co-deposited.
<실시예 3>≪ Example 3 >
전술한 실시예 2와 동일한 조건 하에, 정공수송층으로 NPD를 55nm의 두께로 형성한 것만을 달리하여 소자를 제작하였다. Except that the hole transport layer was formed to have a thickness of 55 nm under the same conditions as in Example 2 described above.
전술한 비교예, 실시예 1 내지 실시예 3에 따라 제작된 소자의 구동전압, 휘도, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하여 하기 표 1에 나타내었고, 실시예 1 내지 3에 따라 제작된 소자의 수명 그래프를 도 4에 나타내었다. The driving voltage, luminance, efficiency, color coordinates and lifetime of the devices manufactured according to the above-described Comparative Examples and Examples 1 to 3 were measured and shown in the following Table 1, and the lifetime The graph is shown in Fig.
(V)Driving voltage
(V)
(cd/A)Luminance
(cd / A)
(lm/W)efficiency
(lm / W)
상기 표 1 및 도 4를 참조하면, 정공수송물질을 포함하지 않는 실시예 1에 비해 정공수송물질을 포함하는 실시예 2는 구동전압이 감소하고 수명이 증가되지만 휘도, 효율 및 색좌표가 저하되는 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 and FIG. 4, in Example 2 including the hole transporting material, the driving voltage is decreased and the lifetime is increased, but the luminance, efficiency and color coordinates are lowered Able to know.
이에 반해, 정공수송물질을 포함하면서 정공수송층의 두께를 감소시킨 실시예 3은 실시예 2에서 나타나는 휘도, 효율 및 색좌표가 저하되는 것을 방지하면서 수명이 2배 이상 향상되는 결과를 보여주는 것을 알 수 있다.On the contrary, Example 3 in which the thickness of the hole transport layer including the hole transport material is reduced shows that the lifetime is improved by more than two times while preventing the luminance, efficiency and color coordinates appearing in Example 2 from being degraded .
상기와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 유기전계발광표시장치는 발광층에 정공수송물질 또는 전자수송물질을 포함하면서 휘도, 효율 및 색좌표가 저하되는 것을 방지하고 수명 특성을 2배 이상 향상시킬 수 있는 이점이 있다. As described above, the organic light emitting display device according to the embodiments of the present invention includes a hole transporting material or an electron transporting material in the light emitting layer to prevent degradation of luminance, efficiency, and color coordinates, There is an advantage.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
도 1 내지 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면.1 and 2 are views showing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면.3 is a view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따라 제작된 소자의 수명 특성을 나타낸 그래프.4 is a graph showing lifetime characteristics of devices fabricated according to Examples 1 to 3 of the present invention.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090072435A KR101588895B1 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Organic Light Emitting Diode Display Device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090072435A KR101588895B1 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Organic Light Emitting Diode Display Device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110014863A KR20110014863A (en) | 2011-02-14 |
| KR101588895B1 true KR101588895B1 (en) | 2016-01-27 |
Family
ID=43773856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090072435A KR101588895B1 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Organic Light Emitting Diode Display Device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101588895B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332031A (en) | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its formation method |
| JP2007043104A (en) | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and electronic apparatus |
| JP2007520470A (en) | 2004-03-19 | 2007-07-26 | エルジー・ケム・リミテッド | Novel hole injection or transport material and organic light emitting device using the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101027942B (en) * | 2004-09-24 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | Light emitting device |
-
2009
- 2009-08-06 KR KR1020090072435A patent/KR101588895B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007520470A (en) | 2004-03-19 | 2007-07-26 | エルジー・ケム・リミテッド | Novel hole injection or transport material and organic light emitting device using the same |
| JP2006332031A (en) | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its formation method |
| JP2007043104A (en) | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110014863A (en) | 2011-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102470303B1 (en) | Organic electroluminescent device and display device including the same | |
| CN106560935B (en) | Organic electroluminescent device | |
| US9761823B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102645366B1 (en) | Organic light emitting diode and display device comprising the same | |
| US9923030B2 (en) | Organic light-emitting device | |
| KR20100072644A (en) | Organic light emitting diode device | |
| KR20160100007A (en) | Display device | |
| KR101668030B1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same | |
| EP2448034B1 (en) | Method of manufacturing an organic light emitting device | |
| KR20160039766A (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same | |
| TWI624049B (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR101469486B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR101941084B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Device | |
| KR101398242B1 (en) | Organic Light Emitting Device | |
| KR101596969B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Device | |
| KR101002004B1 (en) | Organic Light Emitting Display | |
| KR20090035896A (en) | Organic light emitting display | |
| KR20110056715A (en) | Organic light emitting diode device | |
| KR101588895B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device | |
| KR101589748B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device | |
| KR100894649B1 (en) | Organic Light Emitting Device | |
| KR101615764B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device | |
| KR102000980B1 (en) | Organic Light Emitting Diode and Organic Light Emitting Display Device using the same | |
| KR101589744B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Device | |
| KR101739127B1 (en) | Organic Light Emitting Display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181226 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191212 Year of fee payment: 5 |