KR101580827B1 - Organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상부 발광 방식 유기전계발광소자에 관한 것으로, 외부광을 차단할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a top emission type organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device capable of blocking external light.

본 발명은 OLED의 빛의 투과방향에 염료계 편광판을 부착하는 것을 특징으로 한다. 이를 통해, 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하는 동시에 높은 투과율을 가져, OLED의 휘도 향상 및 소비전력을 감소시키는 효과를 갖는다. The present invention is characterized by attaching a dye-based polarizing plate to the light transmission direction of the OLED. As a result, external light incident from the outside is blocked, and at the same time a high transmittance is obtained, thereby improving the brightness and power consumption of the OLED.

또한, 뱅크를 블랙재질로 형성함으로써 투과율이 향상됨에 따라 향상되는 반사율에 의해 콘트라스트가 저하되는 것을 방지하는 효과를 갖는다. Further, since the bank is made of a black material, it has an effect of preventing the contrast from being lowered due to the improved reflectivity as the transmittance is improved.

유기전계발광소자, 외부광, 염료계 편광판, 뱅크 Organic electroluminescent device, external light, dye-based polarizer, bank

Description

유기전계발광소자 및 이의 제조방법{Organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method for fabricating the same,

본 발명은 상부 발광 방식 유기전계발광소자에 관한 것으로, 외부광을 차단할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a top emission type organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device capable of blocking external light.

최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electro-luminescence device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.Until recently, CRT (cathode ray tube) was mainly used as a display device. However, in recent years, flat panel displays such as a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display device (LCD), and an organic electro-luminescence device (OLED) Display devices have been widely studied and used.

위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. Of the above flat panel display devices, an organic electroluminescent element (hereinafter referred to as OLED) is a self-luminous element and can be lightweight and thin because it does not require a backlight used in a liquid crystal display device which is a non-light emitting element.

그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요 소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다. In addition, it has a better viewing angle and contrast ratio than liquid crystal display devices, is advantageous in terms of power consumption, can be driven by DC low voltage, has a fast response speed, is resistant to external impacts due to its solid internal components, It has wide advantages.

특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다. Particularly, since the manufacturing process is simple, it is advantageous in that the production cost can be saved more than the conventional liquid crystal display device.

이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어 지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터와 전류를 흘려보내주는 구동 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터에 한 프레임 동안 전압을 유지해 주는 캐패시터가 화소 별로 위치하도록 한다. OLEDs having such characteristics are largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In a passive matrix type, a device is formed in a matrix form while crossing signal lines, whereas an active matrix type is a pixel A thin film transistor which is a switching element for on / off switching, a driving thin film transistor for flowing a current, and a capacitor for holding a voltage for one frame in a driving thin film transistor are provided for each pixel.

최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다. In recent years, passive matrix type has many limitations such as resolution, power consumption and lifetime, and active matrix type OLED capable of realizing high resolution and large screen is actively being studied.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, OLED는 하부 발광방식이다. 1 schematically shows a cross section of a general active matrix type OLED, wherein the OLED is a bottom emission type.

도시한 바와 같이, OLED(10)는 제 1 기판(1)과, 제 1 기판(1)과 마주하는 제 2 기판(2)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(1, 2)은 서로 이격되어 있고, 이의 가장자리부는 실패턴(seal pattern : 20)을 통해 봉지되어 합착된다. As shown, the OLED 10 comprises a first substrate 1 and a second substrate 2 facing the first substrate 1, and the first and second substrates 1, And the edge portions thereof are sealed and adhered via a seal pattern 20.

이를 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(1)의 상부에는 각 화소영역(P) 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(11)과, 유기발광층(13)과, 제 2 전극(15)이 순차적으로 형성되어 있다. 제 1 전극(11)은 구동 박막트랜지스터(DTr)와 전기적으로 연결된다. A driving TFT DTr is formed on the first substrate 1 for each pixel region P and a first electrode 11 constituting the organic light emitting diode E, An organic light emitting layer 13, and a second electrode 15 are sequentially formed. The first electrode 11 is electrically connected to the driving thin film transistor DTr.

이와 같은 경우에, 제 1 전극(11)은 투명한 도전성물질로 이루어지며, 제 2 전극(15)은 불투명한 도전성물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(13)에서 발광된 빛은 제 1 전극(11) 방향으로 방출되게 된다.In such a case, the first electrode 11 may be made of a transparent conductive material, and the second electrode 15 may be made of an opaque conductive material. Accordingly, light emitted from the organic light emitting layer 13 is emitted toward the first electrode 11.

그리고, 제 2 기판(2)의 내부면에는 외부로부터 침투된 수분을 제거하는 흡습제(17)가 형성된다. On the inner surface of the second substrate 2, a moisture absorbent 17 for removing moisture permeated from the outside is formed.

한편, 이러한 OLED(10)는 외부광의 세기에 따라 콘트라스트가 크게 감소하는 단점이 있다. 따라서, 외부광에 의한 콘트라스트의 저하를 방지하기 위하여 외부광 차단용 편광판(50)을 OLED(10)에 부착하는 것이 일반적이다. On the other hand, the OLED 10 has a disadvantage that the contrast is greatly reduced according to the intensity of external light. Therefore, it is general to attach an external light blocking polarizing plate 50 to the OLED 10 in order to prevent the contrast caused by external light from deteriorating.

즉, OLED(10)는 유기발광층(13)을 통해 발광된 빛의 투과방향에 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하는 편광판(50)을 형성함으로써, 콘트라스트를 향상시키게 된다. That is, the OLED 10 improves the contrast by forming the polarizing plate 50 that shields the external light incident from the outside in the transmission direction of the light emitted through the organic light emitting layer 13.

이러한 편광판(50)은 외부광을 차단하기 위한 원편광판으로, 외부로부터 OLED(10)로 입사되는 외부광은 원편광판(50)을 통해 입사되고, 입사된 외부광은 제 1 전극(11)에 의해 반사되어 그의 편광방향이 바뀌게 된다. The polarizing plate 50 is a circularly polarizing plate for shielding external light. The external light incident from the outside to the OLED 10 is incident through the circularly polarizing plate 50, and the incident external light is incident on the first electrode 11 And the direction of polarization thereof is changed.

따라서, 입사된 외부광은 원편광판(50)을 투과하지 못하게 되어 외부로 나오지 못하고 소멸 간섭을 일으키게 된다. Therefore, the incident external light can not transmit through the circularly polarizing plate 50 and can not exit to the outside, causing extinction interference.

이로 인하여, 외부광을 차단시킴으로써 콘트라스트를 향상시키게 된다. As a result, the contrast is improved by blocking external light.

그러나, 전술한 바와 같이 OLED(10)에 부착되는 원편광판(50)은 편광자인 요 오드를 흡수한 PVA(poly vinyl alcohol)를 강한 장력으로 연신하여 제작하게 되는데, 요오드는 가시광선 영역의 빛 흡수능력을 부여하기 위해 높은 이색성을 가지므로, 낮은 투과율을 갖게 된다. However, as described above, the circularly polarizing plate 50 attached to the OLED 10 is fabricated by stretching polyvinyl alcohol (PVA) absorbing iodine, which is a polarizer, with a strong tension. The iodine absorbs light in the visible light region It has a high dichroism to give ability, so it has low transmittance.

즉, 이러한 요오드계 편광판(50)은 투과율이 42 ~ 43% 밖에 되지 않아, 편광판(50)을 통과하는 과정에서 빛의 50%가 손실되는 문제점을 야기하게 된다. That is, the iodine-based polarizer 50 has a transmittance of only 42% to 43%, which causes a problem that 50% of the light is lost during the passage through the polarizer 50.

이로 인하여, OLED(10)의 휘도가 감소되는 문제가 발생하게 된다. As a result, the brightness of the OLED 10 is reduced.

이에, 휘도를 향상시키기 위하여, 소비전력을 증가시키게 되는데, 이렇게 OLED(10)의 소비전력 증가는 OLED(10)의 수명을 감소시키는 문제로 이어지게 된다. Thus, in order to improve the brightness, the power consumption is increased. The increase in the power consumption of the OLED 10 leads to a problem of reducing the lifetime of the OLED 10.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, OLED의 휘도를 향상시키고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is a first object of the present invention to improve the brightness of an OLED.

이로 인하여, OLED의 소비전력을 감소시키고, OLED의 수명을 향상시키는 것을 제 2 목적으로 한다. Accordingly, it is a second object to reduce the power consumption of the OLED and to improve the lifetime of the OLED.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 제 1 기판 상에 형성된 구동 박막트랜지스터와 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터와; 상기 구동 박막트랜지스터 상부에 형성되어, 상기 구동 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 제 1 및 제 2 전극과 제 1 및 제 2 전극 사이에 구비된 유기발광층으로 이루어진 유기전계발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 이격되어 합착된 제 2 기판과; 상기 제 1 및 제 2 기판 중 빛이 투과되는 방향에 위치하는 기판의 외측에 형성되는 염료계(dyestuff) 편광판을 포함하며, 상기 제 1 전극의 가장자리를 따라 형성되는 뱅크(bank)는 흑색인 유기전계발광소자를 제공한다. In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a liquid crystal display device including a driving thin film transistor formed on a first substrate and color filters of red (R), green (G), and blue (B) An organic light emitting diode formed on the driving thin film transistor and electrically connected to the driving thin film transistor, the organic light emitting diode including first and second electrodes and an organic light emitting layer provided between the first and second electrodes; A second substrate spaced apart from the first substrate; And a dyestuff polarizing plate formed on the first substrate and the second substrate, the dyestuff polarizing plate being disposed outside the substrate, the bank being formed along the edge of the first electrode, An electroluminescent device is provided.

이때, 상기 염료계 편광판은 가시광선 파장 대역 380 ~ 780nm에서 주흡수 파장 대역이 500 ~ 640nm이며, 380 ~ 450nm의 가시광선 파장 대역과 660 ~ 720nm의 가시광선 파장 대역은 상기 주흡수 파장 대역에 비해 높은 투과율을 가지며, 상기 염료계 편광판은 53 ~ 59%의 투과율을 갖는다. At this time, the dye-based polarizing plate has a main absorption wavelength band of 500 to 640 nm in a visible light wavelength band of 380 to 780 nm, a visible light wavelength band of 380 to 450 nm and a visible light wavelength band of 660 to 720 nm Has a high transmittance, and the dye-based polarizer has a transmittance of 53 to 59%.

또한, 상기 뱅크는 유기절연재질인 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 선택된 하나로 이루어 진다. The bank may be formed of one selected from an organic insulating material such as black resin, graphite powder, gravure ink, black spray, and black enamel.

또한, 본 발명은 화소영역을 포함하는 제 1 기판의 일면에 구동 박막트랜지스터와 상기 각 화소영역 별로 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 각 화소영역 내에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역을 둘러싸며, 흑색의 블랙재료로 뱅크를 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부로 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상부로 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착시키는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 기판 중 빛이 투과되는 방향에 위치하는 기판의 외측에 염료계(dyestuff) 편광판을 부착하는 단계를 포함하는 유기전계발광소 자 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: forming a driving TFT on one surface of a first substrate including a pixel region and color filters of red (R), green (G), and blue (B) Forming a first electrode in each pixel region, the first electrode being electrically connected to the driving thin film transistor; Forming banks with a black black material surrounding each of the pixel regions; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; Forming a second electrode over the organic light emitting layer; Attaching the first substrate and the second substrate together; And attaching a dyestuff polarizing plate to the outside of the substrate positioned in a direction in which light is transmitted through the first and second substrates.

여기서, 상기 염료계 편광판은 가시광선 파장 대역 380 ~ 780nm에서 주흡수 파장 대역이 500 ~ 640nm이며, 380 ~ 450nm의 가시광선 파장 대역과 660 ~ 720nm의 가시광선 파장 대역은 상기 주흡수 파장 대역에 비해 높은 투과율을 가지며, 상기 뱅크는 유기절연재질인 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 선택된 하나로 형성한다. Here, the dye-based polarizing plate has a main absorption wavelength band of 500 to 640 nm in a visible light wavelength band of 380 to 780 nm, a visible light wavelength band of 380 to 450 nm and a visible light wavelength band of 660 to 720 nm in comparison with the main absorption wavelength band And the bank has a high transmittance, and the bank is formed of one selected from organic insulating black resin, graphite powder, gravure ink, black spray, and black enamel.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 OLED의 빛의 투과방향에 염료계 편광판을 부착함으로써, 이를 통해, 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하는 동시에 높은 투과율을 가져, OLED의 휘도 향상 및 소비전력을 감소시키는 효과를 갖는다. As described above, according to the present invention, by attaching the dye-based polarizing plate to the light transmission direction of the OLED, external light incident from the outside is blocked and a high transmittance is obtained, .

또한, 뱅크를 블랙재질로 형성함으로써 투과율이 향상됨에 따라 향상되는 반사율에 의해 콘트라스트가 저하되는 것을 방지하는 효과를 갖는다. Further, since the bank is made of a black material, it has an effect of preventing the contrast from being lowered due to the improved reflectivity as the transmittance is improved.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an OLED according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG.

한편, OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 하부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다. Meanwhile, the OLED 100 is divided into a top emission type and a bottom emission type according to the transmission direction of the emitted light. Hereinafter, the bottom emission type will be described as an example of the present invention.

그리고, 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 구동영역(DA) 그리고 뱅크(221)가 형성되는 영역을 비화소영역(NA), 컬러필터(223)이 형성되는 영역을 발광영역(PA)이라 정의한다.For convenience of explanation, the region where the driving thin film transistor DTr is formed is referred to as a driving region DA, the region where the bank 221 is formed is referred to as a non-pixel region NA, a region where the color filter 223 is formed Emitting region PA.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 하부발광 방식 유기전계발광소자(100)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(101)과, 제 1 기판(101)과 마주하며 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(102)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 서로 이격되어 있고, 이의 가장자리부는 실패턴(seal pattern : 120)을 통해 봉지되어 합착된다. A lower substrate 100 according to the present invention includes a first substrate 101 on which a driving and switching thin film transistor DTr and an organic light emitting diode E are formed, The first substrate 101 and the second substrate 102 are spaced apart from each other and the edges of the first and second substrates 101 and 102 face each other with a seal pattern 120 And then they are joined together.

그리고, 제 2 기판(102)의 내부면에는 외부로부터 침투된 수분을 제거하는 흡습제(117)가 형성된다. On the inner surface of the second substrate 102, a moisture absorbent 117 for removing water permeated from the outside is formed.

여기서, 제 1 기판(101) 상에는 반도체층(201)이 형성되는데, 반도체층(201)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(201a) 그리고 액티브영역(201a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(201b, 201c)으로 구성된다. A semiconductor layer 201 is formed on the first substrate 101. The semiconductor layer 201 is made of silicon and has a central portion on both sides of the active region 201a and the active region 201a forming a channel. And doped source and drain regions 201b and 201c.

이러한 반도체층(201) 상부로는 게이트절연막(203)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 203 is formed on the semiconductor layer 201.

게이트절연막(203) 상부로는 반도체층(201)의 액티브영역(201a)에 대응하여 게이트전극(205)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다. On the gate insulating film 203, a gate electrode 205 corresponding to the active region 201a of the semiconductor layer 201 and a gate wiring extending in one direction (not shown) are formed.

또한, 게이트전극(205)과 게이트배선(미도시) 상부 전면에 제 1 층간절연 막(207a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(207a)과 그 하부의 게이트절연막(203)은 액티브영역(201a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 구비한다. A first interlayer insulating film 207a is formed on the entire upper surface of the gate electrode 205 and the gate wiring (not shown). At this time, the first interlayer insulating film 207a and the gate insulating film 203 below the first interlayer insulating film 207a, And first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b that respectively expose the source and drain regions 201b and 201c located on both sides of the semiconductor layer 201a.

다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 포함하는 제 1 층간절연막(207a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(201b, 201c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(211, 213)이 형성되어 있다. Next, upper portions of the first interlayer insulating film 207a including the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b are separated from each other by the source and the drain, which are exposed through the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b, And source and drain electrodes 211 and 213 which are in contact with the drain regions 201b and 201c, respectively.

이때, 소스 및 드레인 전극(211, 213)과 이들 전극(211, 213)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 포함하는 반도체층(201)과 반도체층(201) 상부에 형성된 게이트절연막(203) 및 게이트전극(205)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.At this time, the semiconductor layer 201 including the source and drain electrodes 211 and 213 and the source and drain regions 201b and 201c in contact with the electrodes 211 and 213 and the gate insulating film 201 formed on the semiconductor layer 201 The gate electrode 203 and the gate electrode 205 constitute a driving thin film transistor DTr.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다. At this time, although not shown in the drawing, data lines (not shown) are formed which cross the gate wiring (not shown) and define the pixel region P. The switching thin film transistor (not shown) has the same structure as the driving thin film transistor DTr and is connected to the driving thin film transistor DTr.

그리고, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 도면에서는 반도체층(201)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다. The switching and driving thin film transistor (not shown) DTr is shown as an example of a top gate type in which the semiconductor layer 201 is a polysilicon semiconductor layer. As a variation thereof, the amorphous Or may be formed of a bottom gate type made of silicon nitride.

그리고, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)가 형성되는 영역인 구 동영역(DA)의 일측의 발광영역(PA)에는 제 1 층간절연막(207a) 상부에 각 화소영역(P) 별로 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러필터(123)가 형성되어 있다. In the light emitting area PA on one side of the driving area DA where the switching and driving thin film transistors (not shown) are formed, the first interlayer insulating film 207a is provided with red (R), green (G), and blue (B) color filters 123 are formed.

따라서, 본 발명의 OLED(100)는 각 화소영역(P) 별로 R, G, B 컬러를 발하게 되어, 풀컬러를 구현하게 된다. Accordingly, the OLED 100 of the present invention emits R, G, and B colors for each pixel region P, thereby realizing full color.

그리고, 소스 및 드레인전극(211, 213)과 R, G, B 컬러필터(123) 상부로 드레인전극(213)을 노출시키는 드레인콘택홀(215)을 갖는 제 2 층간절연막(207b)이 형성되어 있다. A second interlayer insulating film 207b having drain contact holes 215 exposing the drain electrodes 213 is formed on the source and drain electrodes 211 and 213 and the R, G and B color filters 123 have.

또한, 제 2 층간절연막(207b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다. The first electrode 111, the organic light emitting layer 113 and the second electrode 115 constituting the organic electroluminescent diode E are sequentially formed on the second interlayer insulating film 207b, Respectively.

제 1, 2 전극(111, 115)과 그 사이에 형성된 유기발광층(113)은 유기전계발광 다이오드(E)를 이루게 된다.The first and second electrodes 111 and 115 and the organic light emitting layer 113 formed therebetween form an organic light emitting diode E.

제 1 전극(111)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(213)과 연결된다.The first electrode 111 is connected to the drain electrode 213 of the driving thin film transistor DTr.

이와 같은 경우에, 제 1 전극(111)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하는 것이 바람직하다.In such a case, it is preferable that the first electrode 111 is formed of indium-tin-oxide (ITO) which is a relatively high work function value to serve as an anode electrode.

그리고, 제 2 전극(115)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진다.The second electrode 115 is made of aluminum (Al) or an aluminum alloy (AlNd), which is a metal material having a relatively low work function value, in order to serve as a cathode.

따라서, 유기발광층(113)에서 발광된 빛은 제 1 전극(111)을 향해 방출되는 하부 발광방식으로 구동된다. Accordingly, the light emitted from the organic light emitting layer 113 is driven by the lower light emitting method, which is emitted toward the first electrode 111.

그리고, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.A hole injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron transporting layer may be used to increase the efficiency of light emission. And may be composed of multiple layers of an electron transporting layer and an electron injection layer.

이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(115)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.When a predetermined voltage is applied to the first electrode 111 and the second electrode 115 in accordance with a selected color signal, the OLED 100 emits a positive voltage, which is injected from the first electrode 111, The excited electrons are transported to the organic light emitting layer 113 to form an exciton. When the excitons transit from the excited state to the ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(111)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다. At this time, the emitted light passes through the transparent first electrode 111 and exits to the outside, so that the OLED 100 realizes an arbitrary image.

한편, 제 1 전극(111)은 각 화소영역(P)별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(111) 사이의 비화소영역(NA)에는 뱅크(bank : 221)가 위치한다. The first electrode 111 is formed for each pixel region P and a bank 221 is formed in the non-pixel region NA between the first electrodes 111 formed for each pixel region P do.

즉, 뱅크(221)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(221)를 각 화소영역 별 경계부로 하여 제 1 전극(111)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다. That is, the banks 221 are formed in a matrix type of a grid structure as a whole on the substrate 101, and the first electrodes 111 are divided into the pixel regions P with the banks 221 as boundary portions for the respective pixel regions Respectively.

특히, 본 발명의 뱅크(221)는 외부로부터 입사되는 일부 외부광을 흡수하기 위하여, 빛의 흡수가 잘되는 블랙재료(black material)로 이루어지는 것을 특징으 로 한다. 이에 대해 차후 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. In particular, the bank 221 of the present invention is characterized in that it is made of a black material which absorbs light to absorb some external light incident from the outside. Let me take a closer look at this later.

그리고, OLED(100)는 빛의 투과방향인 제 1 기판(101)의 외측에 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하고자 편광판(150)을 부착하는데, 특히, 본 발명의 OLED(100)에 부착되는 편광판(150)은 염료계(dyestuff) 편광판인 것을 특징으로 한다. The OLED 100 attaches the polarizer 150 to the outside of the first substrate 101, which is the direction of light transmission, in order to block external light incident from the outside. In particular, The polarizer 150 is a dyestuff polarizer.

여기서, 염료계 편광판(150)에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 염료계 편광판(150)은 외부광을 차단하기 위한 원편광판으로, 외부로부터 OLED(100)로 입사되는 외부광은 염료계 편광판(150)을 통해 입사되고, 입사된 외부광은 제 1 전극(111)에 의해 반사되어 그의 편광방향이 바뀌게 된다. The dye-based polarizing plate 150 is a circularly polarizing plate for shielding external light. The external light incident from the outside to the OLED 100 passes through the dye-based polarizing plate 150 And the incident external light is reflected by the first electrode 111 to change its polarization direction.

따라서, 입사된 외부광은 염료계 편광판(150)을 투과하지 못하게 되어 외부로 나오지 못하고 소멸 간섭을 일으키게 된다. Therefore, the incident external light can not transmit through the dye-based polarizer 150 and can not exit to the outside, causing extinction interference.

이로 인하여, 외부광을 차단시킴으로써 콘트라스트를 향상시키게 된다.As a result, the contrast is improved by blocking external light.

염료계 편광판(150)은 적색(R)과 청색(B)의 가시광선의 투과율이 요오드계 편광판(도 1의 50)에 비해 높은 특징을 가진다. The dye-based polarizing plate 150 has a characteristic that the transmittance of visible light of red (R) and blue (B) is higher than that of the iodine polarizing plate (50 of FIG. 1).

이에, 아래 요오드계 편광판(도 1의 50)과 본 발명의 실시예에 따른 염료계 편광판(150)의 색좌표 및 색재현율을 비교한 표(1)를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. Hereinafter, the color coordinate and color reproduction ratio of the iodine-based polarizer (50 in FIG. 1) and the dye-based polarizer 150 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to Table (1).

요오드계 편광판Iodine polarizer 염료계 편광판Dye-based polarizer xx yy xx yy 청색(Blue)Blue 0.1320.132 0.07510.0751 0.13440.1344 0.06540.0654 녹색(Green)Green 0.21260.2126 0.6990.699 0.20730.2073 0.6950.695 적색(Red)Red (Red) 0.67380.6738 0.32380.3238 0.67750.6775 0.31970.3197 색재현율(%)Color recall (%) 100.5(x, y)100.5 (x, y) 104.5(u', v')104.5 (u ', v') 102.2(x, y)102.2 (x, y) 111.4(u', v')111.4 (u ', v')

표(1)Table (1)

표(1)을 참조하면, 요오드계 편광판(도 1의 50)을 투과한 빛과 본 발명의 실시예에 따른 염료계 편광판(150)을 투과한 빛은 유사한 색좌표를 갖는 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 1, it is confirmed that the light transmitted through the iodine polarizer (50 in FIG. 1) and the light transmitted through the dye-based polarizer 150 according to the embodiment of the present invention have similar color coordinates.

특히, 염료계 편광판(150)은 요오드계 편광판(도 1의 50)에 비해 색재현율이 x, y 는 1.7% 그리고 u', v'은 6.9% 이상 증가하게 되는 효과를 갖게 된다. In particular, the dye-based polarizing plate 150 has an effect of increasing the color reproduction rate of x, y by 1.7% and u 'and v' by 6.9% or more as compared with the iodine polarizer (50 in FIG. 1).

따라서, OLED(100)에 외부광 차단을 위해 요오드계 편광판(도 1의 50) 외에 염료계 편광판(150)을 사용하여도, OLED(100)로부터 출사되는 빛의 색감에 영향을 미치지 않으며, 색재현율 또한 향상됨을 알 수 있다. Therefore, even if the dye-based polarizing plate 150 is used in addition to the iodine polarizer (50 in FIG. 1) for blocking external light to the OLED 100, the color of the light emitted from the OLED 100 is not affected, The recall rate is also improved.

또한, 염료계 편광판(150) 또한 요오드계 편광판(도 1의 50)과 마찬가지로, 외부광을 차단하기 위한 원편광판으로, 외부로부터 OLED(100)로 입사되는 외부광은 염료계 편광판(150)을 통해 입사되고, 입사된 외부광은 제 1 전극(111)에 의해 반사되어 그의 편광방향이 바뀌게 된다. In addition, the dye-based polarizing plate 150 is a circular polarizing plate for shielding external light similarly to the iodine polarizing plate (50 in FIG. 1), and external light incident from the outside to the OLED 100 passes through the dye- And the incident external light is reflected by the first electrode 111 to change its polarization direction.

따라서, 입사된 외부광은 염료계 편광판(150)을 투과하지 못하게 되어 외부로 나오지 못하고 소멸 간섭을 일으키게 된다. Therefore, the incident external light can not transmit through the dye-based polarizer 150 and can not exit to the outside, causing extinction interference.

따라서, 외부광에 의한 OLED(100)의 콘트라스트의 저하를 방지하고 향상시키게 된다. Therefore, the contrast of the OLED 100 due to external light is prevented from being lowered and improved.

그리고, 도 4에 도시한 바와 같이, 염료계 편광판(150)은 가시광선 파장 대역 380 ~ 780nm에서 주흡수 파장 대역이 500 ~ 640nm로, 염료계 편광판(150)은 주로 녹색(G)의 가시광선을 흡수하여, 380 ~ 450nm의 적색(R)의 가시광선과 660 ~ 720nm의 청색(B)의 가시광선 파장 대역은 주흡수 파장 대역에 비해 높은 투과율을 갖는 것을 확인할 수 있다.4, the dye-based polarizing plate 150 has a main absorption wavelength band of 500 to 640 nm in a visible light wavelength band of 380 to 780 nm and a dye-based polarizing plate 150 mainly of a visible light And the visible light band of 380 to 450 nm and the visible light wave band of 660 to 720 nm of blue (B) have a higher transmittance than that of the main absorption wavelength band.

따라서, 염료형 편광판(150)은 약 53 ~ 59%의 투과율을 갖게 되고, 이는 기존의 요오드계 편광판(도 1의 50)에 비해 약 11 ~ 16% 이상 투과율이 향상됨을 알 수 있다. Accordingly, the dye-type polarizing plate 150 has a transmittance of about 53 to 59%, which means that the transmittance is improved by about 11 to 16% or more as compared with the conventional iodine polarizing plate (50 of FIG. 1).

이를 통해, OLED(100)의 유기발광층(113)에서 발하는 빛은 외부로 많이 방출되게 할 수 있어, OLED(100) 전체적인 휘도를 향상시키게 되는 효과를 갖게 된다. As a result, light emitted from the organic light emitting layer 113 of the OLED 100 can be emitted to the outside, thereby improving the brightness of the OLED 100 as a whole.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 사람의 시감효과는 가시광선 중 550nm의 파장이 최대의 시감효과를 가지며, 이를 중심으로 하여, 단파장 방향과 장파장 방향으로 갈수록 양방향 공히 시감효과가 급속히 낮아진다. In more detail, the spectral effect of a human being has a maximum spectral effect at a wavelength of 550 nm, and the visual effect is rapidly lowered both in the short wavelength direction and in the long wavelength direction.

즉, 550nm 파장의 시감효과를 10이라 정의하면, 400 ~ 460nm 및 660 ~ 700nm 파장대역의 시감효과는 0.5 이하로 무시할 정도로 되며, 470 ~ 510nm 및 620 ~ 660nm 파장대역의 시감효과는 0.5 ~ 4.0정도에 해당한다.That is, when the spectral effect of the wavelength of 550 nm is defined as 10, the spectral effect of the wavelength band of 400 to 460 nm and 660 to 700 nm is negligible to 0.5 or less, and the spectral effect of the wavelength band of 470 to 510 nm and 620 to 660 nm is 0.5 to 4.0 .

다시 말하면, 가시광선 전 파장 중 510 ~ 620nm 파장대역의 시감효과가 최대의 영역으로 이외의 파장 대역에 비하여 시감효과는 2.5배 내지 100배이 이르게 된다. In other words, the luminosity effect in the wavelength band of 510 to 620 nm is the largest in the entire wavelength of the visible light, and the luminosity effect is 2.5 to 100 times that of the other wavelength band.

따라서, 시감효과가 현저히 낮거나 무시할만한 파장대역 즉, 400 ~ 500nm 및 640 ~ 700nm 파장대역의 광투과율을 시감효과에 반비례하여 상대적으로 높임으로써, 가시광선 전 파장의 투과율이 42 ~ 42%에서 53 ~ 59%로 높이게 되는 것이다.Therefore, the transmittance of visible light ray wavelength is 42 ~ 42% at 53 ~ 42%, by relatively increasing the light transmittance in the wavelength range of 400 ~ 500nm and 640 ~ 700nm in inverse proportion to the luminosity effect, To 59%.

이렇게, OLED(100)의 휘도를 향상시키게 됨으로써, 소비전력을 낮출 수 있는데, 아래 표(2)은 동일 휘도 시의 시뮬레이션에 의해 요오드계 편광판(도 1의 50)을 부착한 OLED(도 1의 10)의 소비전력과 본 발명의 실시예에 따른 염료계 편광판(150)을 부착한 OLED(100)의 소비전력을 비교한 결과표이다. 1) in which an iodine polarizer (50 in FIG. 1) is attached by simulation at the same luminance, as shown in the following Table (2). In this case, the luminance of the OLED 100 is improved, 10 and the power consumption of the OLED 100 equipped with the dye-based polarizer 150 according to the embodiment of the present invention.

여기서, OLED(100)는 컬러필터(223)에 의해 RGB 풀 컬러와 RGB 풀컬러에 백색의 컬러를 발하는 백(W) 컬러필터를 부가하는 WRGB 풀컬러로 나뉘어 구분할 수 있다. Here, the OLED 100 can be divided into RGB full color by the color filter 223 and WRGB full color which adds a white color filter that emits white color to RGB full color.

소비전력Power Consumption WRGB 풀 컬러WRGB full color RGB 풀 컬러RGB full color 편광판 삭제 OLEDRemove polarizer OLED 23.923.9 52.352.3 요오드계 편광판 OLEDIodine polarizer OLED 55.655.6 121.5121.5 염료계 편광판 OLEDDye-based polarizer OLED 39.639.6 98.898.8

표(2)Table (2)

표(2)을 참조할 경우, 편광판을 삭제한 OLED의 소비전력이 편광판을 부착한 OLED에 비해 낮은 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 2, it can be seen that the power consumption of the OLED from which the polarizer is removed is lower than that of the OLED with the polarizer.

그러나, 편광판을 삭제할 경우, 외부광에 의한 콘트라스트가 저하되는 문제점을 야기하게 됨으로써, 이를 방지하기 위하여 외부광 차단용 편광판을 부착하는 것이 바람직하다. However, when the polarizing plate is removed, there arises a problem that the contrast due to the external light is lowered. To prevent this, it is desirable to attach an external light blocking polarizing plate.

특히, 외부광 차단용 편광판 중에서도 요오드계 편광판(도 1의 50)을 부착한 OLED(도 1의 10)에 비해 염료계 편광판(150)을 부착한 OLED(100)의 소비전력이 WRGB 일때는 29%, RGB 일때는 17% 낮은 것을 확인할 수 있다. Particularly, when the power consumption of the OLED 100 having the dye-based polarizing plate 150 attached thereto is WRGB as compared with the OLED (10 of FIG. 1) to which the iodine polarizer (50 of FIG. 1) %, And when it is RGB, it is 17% lower.

이는, 염료계 편광판(150)이 요오드계 편광판(도 1의 50)에 비해 투과율이 높아, 휘도가 높기 때문이다. This is because the transmittance of the dye-based polarizing plate 150 is higher than that of the iodine-based polarizing plate (50 of FIG. 1) and the brightness is high.

즉, 본 발명의 OLED(100)는 기존의 요오드계 편광판(도 1의 50)을 부착하였을 때와 동일한 외부광 반사율을 갖는 동시에, 높은 투과율을 가지고, 소비전력 또한 낮은 것을 확인할 수 있다. That is, it can be seen that the OLED 100 of the present invention has the same external light reflectance as the conventional iodine polarizer (50 of FIG. 1), high transmittance, and low power consumption.

한편, 이렇게 투과율이 향상되면 OLED(100)로 입사된 외부광이 OLED(100)의 내부로 입사되어, 제 2 전극(115) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 및 드레인전극(211, 213) 그리고 게이트전극(205) 등에 의해 반사되는 반사율 또한 증가하게 된다. When the transmittance is improved, external light incident on the OLED 100 is incident on the OLED 100 and the source and drain electrodes 211 and 213 of the second electrode 115 and the driving thin film transistor DTr, The reflectivity of the gate electrode 205 and the like is also increased.

OLED(100)의 반사율이 증가하게 되면, OLED(100)의 콘트라스트가 저하되는 문제점을 야기하게 된다. If the reflectance of the OLED 100 is increased, the contrast of the OLED 100 is lowered.

이에, 본 발명은 각 화소영역(P) 별로 형성된 뱅크(bank : 221)를 통해, 반사광을 흡수시킴으로써, 반사율이 증가하는 것을 방지할 수 있다. Thus, the present invention can prevent the reflectance from increasing by absorbing the reflected light through the bank (221) formed for each pixel region (P).

도 5는 편광판에 의해 OLED 반사율의 변화를 나타낸 그래프이며, 아래 표(3)은 이를 정리한 결과표이다.5 is a graph showing a change in OLED reflectance by a polarizing plate, and Table 3 below is a table summarizing the results.

WRGBWRGB RGBRGB 편광판Polarizer 편광판 삭제Remove polarizer 요오드계 편광판Iodine polarizer 염료계 편광판Dye-based polarizer 편광판 삭제Remove polarizer 요오드계 편광판Iodine polarizer 염료계 편광판Dye-based polarizer 반사율(%)reflectivity(%) 22.422.4 4.44.4 14.314.3 13.113.1 4.44.4 9.09.0

표(3)Table (3)

도 5의 그래프와 표(3)을 참조하면, 편광판이 삭제된 OLED에 비해 편광판을 부착하는 OLED의 반사율이 감소하는 것을 확인할 수 있다. Referring to the graph of FIG. 5 and the table (3), it can be seen that the reflectance of the OLED to which the polarizer is attached decreases as compared with the OLED in which the polarizer is removed.

이로 인하여, 편광판을 OLED에 부착함으로써, 반사광에 의해 콘트라스트의 저하를 방지할 수 있음을 알 수 있다. As a result, it can be seen that by attaching the polarizing plate to the OLED, deterioration of contrast can be prevented by reflected light.

그러나, 염료계 편광판(150)은 적색과 청색의 파장 대역에서 투과율이 높기 때문에, 반사율이 요오드계 편광판(도 1의 50)에 비해 높게 나타나게 된다. However, since the dye-based polarizing plate 150 has a high transmittance in the red and blue wavelength bands, the reflectance is higher than that of the iodine-based polarizing plate (50 in Fig. 1).

따라서, 염료계 편광판(150)을 통해 OLED(100)의 반사율에 의한 콘트라스트의 저하를 방지하기에는 다소 무리가 있음을 확인할 수 있다.Therefore, it can be confirmed that it is somewhat difficult to prevent a decrease in contrast due to the reflectance of the OLED 100 through the dye-based polarizer 150.

이에, 본 발명은 각 화소영역(P) 별로 형성된 뱅크(bank : 221)를 외부광으로부터 OLED(100)의 전극(소스 및 드레인전극(211, 213), 게이트전극(205), 제 2 전극(115) 등)에 의해 반사되는 빛을 흡수하기 위하여, 빛의 흡수가 잘되는 블랙재료(black material)로 형성하는 것을 특징으로 한다. A bank (bank) 221 formed for each pixel region P is connected to the electrode (source and drain electrodes 211 and 213, the gate electrode 205, and the second electrode) of the OLED 100 115, and the like), a light-absorbing black material is used.

즉, 일반적인 형태의 뱅크(221)는 흰색 또는 베이지색으로 반사도가 높으나, 본 발명의 뱅크(221)는 빛을 흡수할 수 있는 블랙재료로 구성함으로써, OLED(100)의 전극에 의해 반사되는 빛을 흡수하게 된다. The bank 221 of the present invention is formed of a black material capable of absorbing light so that the light reflected by the electrode of the OLED 100 .

여기서, 블랙재료는 흑색의 수지라면 어느 것이든 사용될 수 있으나, 유전율이 높은 블랙재료는 유기전계발광 다이오드(E)의 제 1 전극(111) 및 차후 설명할 제 2 전극(115)과의 전기적 쇼트(short)를 발생시킬 수 있다. The black material having a high dielectric constant is electrically connected to the first electrode 111 of the organic electroluminescent diode E and the second electrode 115 to be described later, (short) can be generated.

따라서, 바람직하게는 유전율이 낮은 감광성의 유기절연재질인 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 하나를 사용한다.Therefore, preferably, one of a black resin, a graphite powder, a gravure ink, a black spray, and a black enamel which is a photosensitive organic insulating material having a low dielectric constant is used.

따라서, 본 발명의 OLED(100)는 염료계 편광판(150)에 의해 외부광을 흡수 및 비반사 시키며, OLED(100) 내부로 입사된 일부 외부광이 OLED(100)의 전극(211, 213, 205, 115)에 의해 반사되는 빛은 흑색의 뱅크(221)에 의해 흡수되어, 본 발명의 OLED(100)의 콘트라스트를 향상시키게 된다.Accordingly, the OLED 100 according to the present invention absorbs and reflects external light by the dye-based polarizer 150, and some external light incident into the OLED 100 passes through the electrodes 211, 213, 205, and 115 are absorbed by the black bank 221, thereby improving the contrast of the OLED 100 of the present invention.

도 6a ~ 6g는 본 발명의 실시예에 따른 하부 발광방식 OLED의 유기전계발광 다이오드 기판의 제조 단계별 단면도이다. 6A to 6G are cross-sectional views illustrating steps of fabricating an organic light emitting diode substrate of a bottom emission OLED according to an embodiment of the present invention.

도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성하는데, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 반도체층(201)과 반도체층(201) 상부에 형성된 게이트절연막(203) 및 게이트전극(205) 그리고 게이트전극(205) 상부에 형성된 제 1 층간절연막(207a) 및 소스 및 드레인전극(211, 213)으로 이루어진다. 6A, a driving thin film transistor DTr is formed on a substrate 101. The driving thin film transistor DTr includes a semiconductor layer 201 and a gate insulating film 203 formed on the semiconductor layer 201, And a gate electrode 205, a first interlayer insulating film 207a formed on the gate electrode 205, and source and drain electrodes 211 and 213.

그리고, 소스 및 드레인전극(211, 213)과 두 전극(211, 213) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(207a) 상부로, 각 화소영역 별로 적(R), 녹(G), 청(B)의 색을 발하는 컬러필터(223)가 형성되어 있으며, 드레인전극(213)을 노출하는 드레인콘택홀(215)을 갖는 제 2 층간절연막(207b)이 형성되어 있다.The red (R), green (G), and blue (B) regions are formed on the first interlayer insulating film 207a exposed between the source and drain electrodes 211 and 213 and the two electrodes 211 and 213, And a second interlayer insulating film 207b having a drain contact hole 215 exposing the drain electrode 213 are formed on the second interlayer insulating film 207. [

도면상에 도시하지는 않았지만 이의 형성방법에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 비정질실리콘을 증착한 후, 포토레지스트의 도포, 마스크를 통한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상 및 현상후 남아 있는 포토레지스트 외부로 노출된 비정질실리콘층의 식각 및 남아 있는 포토레지스트의 애싱(ashing) 또는 스트립(strip) 등의 마스크 공정을 통한 패터닝이라 칭하는 일련의 공정을 진행하여 반도체층(201)을 형성한다. Although not shown in the drawing, a method of forming the amorphous silicon layer will be described in more detail. After deposition of the amorphous silicon layer, the photoresist layer may be formed by applying a photoresist, exposing through a mask, developing the exposed photoresist, A series of processes called patterning through a mask process such as etching of the silicon layer and ashing or strip of the remaining photoresist is performed to form the semiconductor layer 201. [

이때, 반도체층(201)의 탈수소 과정을 거쳐 열처리에 의해 폴리실리콘으로 결정화하는 공정을 더욱 포함한다. At this time, the semiconductor layer 201 is further subjected to a dehydrogenation process and then crystallized into polysilicon by heat treatment.

다음으로 반도체층(201)이 형성된 기판(101) 상에 제 1 절연물질 및 제 1 금속층을 차례대로 증착한 후, 앞서 설명한 바와 같이 마스크 공정을 통해 반도체층(201)의 중앙부에 제 1 절연물질을 게이트절연막(203)으로 형성한다. Next, a first insulating material and a first metal layer are sequentially deposited on the substrate 101 on which the semiconductor layer 201 is formed, and then a first insulating material is deposited on the central portion of the semiconductor layer 201 through a mask process, A gate insulating film 203 is formed.

그리고 게이트절연막(203)을 하부층으로 하여 제 1 금속층을 게이트전극(205)으로 형성한다. The first metal layer is formed as a gate electrode 205 with the gate insulating film 203 as a lower layer.

여기서, 제 1 절연물질은 무기절연물질인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(Si02) 중 어느 하나인 것이 바람직하다. Here, the first insulating material is preferably any of an inorganic insulating material is silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (Si0 2) one.

그리고, 제 1 금속층은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 등의 금속 물질 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 단일층 또는 이중층으로 하는 것이 바람직하다.The first metal layer may be formed by depositing one or more materials selected from metal materials such as aluminum (Al) or an aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), nickel (Ni), tungsten .

다음으로 반도체층(201)이 형성된 기판(101)에 있어서, 게이트전극(205) 및 게이트배선(미도시) 외부로 노출된 게이트절연막(203)을 식각하여 제거한 후, 기판(101) 상에 적정 도즈량을 갖는 이온주입에 의해 n+ 또는 p+ 도핑을 실시한다. Next, the gate electrode 205 and the gate insulating film 203 exposed to the outside of the gate wiring (not shown) are etched and removed on the substrate 101 on which the semiconductor layer 201 is formed, N + or p + doping is performed by ion implantation with a dose amount.

이때, 반도체층(201)에 있어서 게이트전극(205)에 의해 이온주입이 블록킹된 부분은 액티브층(201a)을 형성하게 되고, 그 외의 이온주입된 액티브 영역은 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 형성하게 된다.At this time, in the semiconductor layer 201, the portion where the ion implantation is blocked by the gate electrode 205 forms the active layer 201a, and the other ion-implanted active region is the source and drain regions 201b and 201c. .

이로써 액티브영역(201a)과 소스 및 드레인영역(201b, 201c)으로 이루어진 반도체층(201)을 완성하게 된다. As a result, the semiconductor layer 201 including the active region 201a and the source and drain regions 201b and 201c is completed.

다음으로 게이트전극(205)을 포함하여 노출된 소스 및 드레인영역(201b, 201c) 상부로 무기절연물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써, 게이트전극(205) 양측의 소스 및 드레인영역(201b, 201c) 일부를 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 갖는 제 1 층간절연막(207a)을 형성한다. Next, the inorganic insulating material is deposited on the exposed source and drain regions 201b and 201c including the gate electrode 205, and the mask process is performed to pattern the source and drain regions 201b and 201c on both sides of the gate electrode 205 The first interlayer insulating film 207a having the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b exposing a part of the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b is formed.

다음으로 제 1 층간절연막(207a)이 형성된 기판의 전면에 적(R), 녹(G), 청(B)의 색을 발하는 유기물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써, 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터(223)를 형성한다. Next, an organic material that emits red (R), green (G), and blue (B) colors is deposited on the entire surface of the substrate on which the first interlayer insulating film 207a is formed, , Green (G) and blue (B) color filters 223 are formed.

다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 갖는 제 1 층간절연막(207a)이 형성된 기판(101) 전면에 금속물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 통해 각각 소스 및 드레인영역(201b, 201c)과 접촉하는 소스 및 드레인전극(211, 213)을 형성한다. Next, a metal material is deposited on the entire surface of the substrate 101 on which the first interlayer insulating film 207a having the first and second semiconductor layer contact holes 209a and 209b is formed, and the mask process is performed to perform patterning, The source and drain electrodes 211 and 213 are formed to contact the source and drain regions 201b and 201c through the layer contact holes 209a and 209b, respectively.

이때, 소스 및 드레인전극(211, 213)은 게이트전극(205)을 사이에 두고 서로 이격하게 위치한다.At this time, the source and drain electrodes 211 and 213 are spaced apart from each other with the gate electrode 205 therebetween.

다음으로 소스 및 드레인전극(211, 213)이 형성된 기판(101) 전면에 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하고 마스크공정을 통해 패터닝함으로써, 기판(101) 전면에 제 2 층간절연막(207b)을 형성한다. An organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) is applied to the entire surface of the substrate 101 on which the source and drain electrodes 211 and 213 are formed and patterned through a mask process to form the substrate 101 A second interlayer insulating film 207b is formed on the entire surface.

이때, 제 2 층간절연막(207b)은 드레인전극(213)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(215)을 가진다. At this time, the second interlayer insulating film 207b has a drain electrode contact hole 215 exposing the drain electrode 213.

다음으로, 도 6b에 도시한 바와 같이, 제 2 층간절연막(207b)의 상부로는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 일 구성요소로써 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(111)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 6B, a first electrode 111 constituting an anode is formed as an element constituting the organic electroluminescent diode E on the second interlayer insulating film 207b do.

다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 제 1 전극(111)의 상부에 감광성 유기절연재질 예를 들면 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 하나를 도포하고 이를 패터닝함으로써 제 1 전극(111) 상부로 뱅크(221)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 6C, one of a photosensitive organic insulating material such as black resin, graphite powder, gravure ink, black spray, and black enamel is applied to the top of the first electrode 111 And the bank 221 is formed on the first electrode 111 by patterning the same.

뱅크(221)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 화소영역 간을 구분하게 된다.The banks 221 are formed in a matrix type of a lattice structure as a whole on the substrate 101 to distinguish between pixel regions.

특히, 본 발명의 뱅크(221)는 빛을 흡수할 수 있는 블랙재료로 구성함으로써, OLED(100) 내부로 입사된 일부 외부광이 OLED(100)의 전극(211, 213, 205)에 의해 반사되는 빛은 흑색의 뱅크(221)에 의해 흡수하게 된다. Particularly, since the bank 221 of the present invention is made of a black material capable of absorbing light, a part of external light incident into the OLED 100 is reflected by the electrodes 211, 213, and 205 of the OLED 100 The light is absorbed by the black bank 221.

다음으로, 도 6d에 도시한 바와 같이 뱅크(221) 상부에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(113)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 6D, the organic light emitting layer 113 is formed by applying or vapor-depositing an organic light emitting material onto the banks 221.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수도 있다.Although not shown in the drawing, the organic light emitting layer 113 may be formed of a single layer made of a light emitting material. In order to increase the light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transporting layer, layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

다음으로, 도 6e에 도시한 바와 같이 유기발광층(113) 상부에 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착한 제 2 전극(115)을 형성함으로써, 유기전계발광 다이오드(E)를 완성하게 된다. Next, as shown in FIG. 6E, a second electrode 115, on which a transparent conductive material is thickly deposited, is formed on a semitransparent metal film thinly deposited with a metal material having a low work function on the organic light emitting layer 113, Thereby completing the electroluminescent diode (E).

다음으로, 도 6f에 도시한 바와 같이, 유기전계발광 다이오드(E) 상부에 제 2 기판(102)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 6F, the second substrate 102 is formed on the organic electroluminescent diode E.

제 2 기판(102)은 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 제 1 기판(101)과 서로 이격되어 씰패턴(도 2의 120)을 사이에 두고 진공합착 된다. The second substrate 102 is vacuum-bonded to the first substrate 101 in a vacuum or an inert gas atmosphere with the seal pattern (120 in FIG. 2) therebetween.

다음으로 도 6g에 도시한 바와 같이, 빛의 투과방향인 제 1 기판(101)의 외측으로 외부광의 반사를 최소화하기 위한 염료계(dyestuff) 편광판(150)을 부착함으로써, 외부광의 반사율을 최소화한 OLED(100)를 완성하게 된다.Next, as shown in FIG. 6G, by attaching a dyestuff polarizing plate 150 for minimizing the reflection of external light to the outside of the first substrate 101 in the direction of light transmission, the reflectance of external light is minimized Thereby completing the OLED 100.

여기서, 염료계 편광판(150)은 요오드계 편광판(도 1의 50)에 비해 투과율이 커, 휘도를 향상시키게 되고, 소비전력을 낮추는 효과를 가져온다. Here, the dye-based polarizing plate 150 has a higher transmittance than the iodine-based polarizing plate (50 in FIG. 1), thereby improving the brightness and lowering the power consumption.

전술한 바와 같이, 본 발명의 OLED(100)는 염료계 편광판(150)을 통해 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하는 동시에 높은 투과율을 가져, OLED(100)의 휘도 향상 및 소비전력을 감소시키는 효과를 갖는다. As described above, the OLED 100 of the present invention blocks external light incident from the outside through the dye-based polarizer 150 and has a high transmittance, thereby improving the luminance of the OLED 100 and reducing power consumption .

또한, 뱅크(221)를 블랙재질로 형성함으로써 투과율이 향상됨에 따라 향상되는 반사율에 의해 콘트라스트가 저하되는 것을 방지하는 효과를 갖는다. Further, by forming the bank 221 from a black material, it is possible to prevent the contrast from being lowered due to the increased reflectivity as the transmittance is improved.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 schematically shows a cross-section of a general active matrix type OLED;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view schematically illustrating an OLED according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view of part of Fig.

도 4의 염료계 편광판의 가시광선의 투과율을 나타낸 그래프.4 is a graph showing the transmittance of the visible light ray of the dye-based polarizing plate.

도 5는 편광판에 의해 OLED 반사율의 변화를 나타낸 그래프.5 is a graph showing changes in OLED reflectance by a polarizing plate.

도 6a ~ 6g는 본 발명의 실시예에 따른 하부 발광방식 OLED의 유기전계발광 다이오드 기판의 제조 단계별 단면도. 6A to 6G are cross-sectional views illustrating steps of fabricating an organic light emitting diode substrate of a bottom emission OLED according to an embodiment of the present invention.

Claims (7)

화소영역을 포함하는 제 1 기판 상에 배치된 구동 박막트랜지스터와 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터와; (R), green (G), and blue (B) color filters arranged on a first substrate including a pixel region; 상기 구동 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 제 1 및 제 2 전극과 제 1 및 제 2 전극 사이에 구비된 유기발광층으로 이루어진 유기전계발광 다이오드와; An organic light emitting diode electrically connected to the driving thin film transistor, the organic light emitting diode including first and second electrodes and an organic light emitting layer provided between the first and second electrodes; 상기 제 1 기판과 이격되어 합착된 제 2 기판과; A second substrate spaced apart from the first substrate; 상기 제 1 및 제 2 기판 중 빛이 투과되는 방향에 위치하는 기판의 외측에 배치되는 염료계(dyestuff) 편광판과;A dyestuff polarizing plate disposed on the outer side of the first and second substrates in a light transmission direction; 상기 화소영역을 둘러싸며, 흑색을 갖는 뱅크(bank)를 포함하고,A bank (bank) surrounding the pixel region and having a black color, 상기 제 1 전극은 상기 화소영역에 배치되며, 상기 뱅크는 상기 제 1 전극의 가장자리를 덮으며 배치되는 유기전계발광소자.Wherein the first electrode is disposed in the pixel region, and the bank covers the edge of the first electrode. 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 염료계 편광판은 가시광선 파장 대역 380 ~ 780nm에서 주흡수 파장 대역이 500 ~ 640nm이며, 380 ~ 450nm의 가시광선 파장 대역과 660 ~ 720nm의 가시광선 파장 대역은 상기 주흡수 파장 대역에 비해 큰 투과율을 갖는 유기전계발광소자.The dye-based polarizing plate has a main absorption wavelength band of 500 to 640 nm in a visible light wavelength band of 380 to 780 nm, a visible light wavelength band of 380 to 450 nm and a visible light wavelength band of 660 to 720 nm, Lt; / RTI > 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 염료계 편광판은 53 ~ 59%의 투과율을 갖는 유기전계발광소자. Wherein the dye-based polarizing plate has a transmittance of 53 to 59%. 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 뱅크는 유기절연재질인 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 선택된 하나로 이루어지는 유기전계발광소자.Wherein the bank comprises one selected from the group consisting of a black resin, an organic insulating material, a graphite powder, a gravure ink, a black spray, and a black enamel. 화소영역을 포함하는 제 1 기판의 일면에 구동 박막트랜지스터와 상기 각 화소영역 별로 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터를 형성하는 단계와; Forming red (R), green (G), and blue (B) color filters for each of the pixel regions on the first substrate including the pixel region; 상기 구동 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 화소영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode in the pixel region, the first electrode being electrically connected to the driving thin film transistor; 상기 제 1 전극의 가장자리를 덮으며 상기 화소영역을 둘러싸며, 흑색의 블랙재료로 뱅크를 형성하는 단계와;Forming a bank with a black black material covering an edge of the first electrode and surrounding the pixel region; 상기 제 1 전극 상부로 유기발광층을 형성하는 단계와; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; 상기 유기발광층 상부로 제 2 전극을 형성하는 단계와; Forming a second electrode over the organic light emitting layer; 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착시키는 단계와; Attaching the first substrate and the second substrate together; 상기 제 1 및 제 2 기판 중 빛이 투과되는 방향에 위치하는 기판의 외측에 염료계(dyestuff) 편광판을 부착하는 단계A step of attaching a dyestuff polarizing plate to the outside of the substrate positioned in a direction in which light is transmitted among the first and second substrates 를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법. Gt; < / RTI > 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5, 상기 염료계 편광판은 가시광선 파장 대역 380 ~ 780nm에서 주흡수 파장 대역이 500 ~ 640nm이며, 380 ~ 450nm의 가시광선 파장 대역과 660 ~ 720nm의 가시광선 파장 대역은 상기 주흡수 파장 대역에 비해 큰 투과율을 갖는 유기전계발광소자 제조방법.The dye-based polarizing plate has a main absorption wavelength band of 500 to 640 nm in a visible light wavelength band of 380 to 780 nm, a visible light wavelength band of 380 to 450 nm and a visible light wavelength band of 660 to 720 nm, Gt; < / RTI > 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5, 상기 뱅크는 유기절연재질인 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 선택된 하나로 형성하는 유기전계발광소자 제조방법.Wherein the bank is formed of one selected from organic resin black resin, graphite powder, gravure ink, black spray, and black enamel.
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