KR101579976B1 - Organic Light Emitting Display and Monitoring Method of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 기판 상에 위치하고 복수의 서브 픽셀과 동일하게 형성되며 복수의 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀에 연결된 배선들에 공통으로 연결된 하나의 모니터링 픽셀부; 모니터링 픽셀부에 연결된 선들에 공통으로 연결된 복수의 모니터링 패드부; 및 기판 상에 위치하고 표시부와 인접하며 외부로부터 공급된 에이징신호를 복수의 서브 픽셀 및 모니터링 픽셀부에 공급하도록 연결된 복수의 에이징 패드부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.An embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus comprising: a substrate; A display unit including a plurality of subpixels positioned on a substrate; A monitoring pixel portion located on the substrate and formed identically to the plurality of subpixels and connected in common to the wirings connected to one of the plurality of subpixels; A plurality of monitoring pad portions commonly connected to lines connected to the monitoring pixel portion; And a plurality of aging pad portions located on the substrate and adjacent to the display portion and connected to supply aging signals supplied from the outside to the plurality of sub pixels and the monitoring pixel portion.
유기전계발광표시장치, 모니터링, 패드 Organic electroluminescent display device, monitoring pad
Description
본 발명의 실시예는 유기전계발광표시장치 및 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to an organic light emitting display and a method of monitoring the organic light emitting display.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic electroluminescent device used in an organic electroluminescent display device is a self-luminous device in which a light emitting layer is formed between two electrodes located on a substrate.
유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.The organic light emitting display device may be a top emission type, a bottom emission type or a dual emission type depending on a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.
유기전계발광표시장치는 증착공정과 식각공정 등을 병행하는 제조공정을 통해 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광다이오드 등을 포함하는 복수의 서브 픽셀이 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된다.In the organic electroluminescent display device, a plurality of sub-pixels including a transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode are formed in a matrix on a substrate through a manufacturing process in which a deposition process and an etching process are performed in parallel.
위와 같은 공정을 통해 제조된 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 형성된 복수의 서브 픽셀을 포함하는 패널에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.In the organic light emitting display manufactured through the above process, when a scan signal, a data signal, a power supply, and the like are supplied to a panel including a plurality of sub-pixels formed in a matrix form, the selected sub-pixel emits light, have.
패널에 형성된 서브 픽셀을 구성하는 소자들은 고유 물질 특성, 구조 및 제조 공정 등에 의해 고유 특성(발광 특성, 열화 특성 등)을 갖는데, 이는 패널에 지대한 영향을 미치는 요소가 된다. 따라서, 종래에는 패널의 수명 및 표시품질을 향상시키고자 패널에 포함된 서브 픽셀에 에이징을 실시하였다. 그러나 종래 구조의 경우, 모든 패널에 동일한 에이징신호를 공급하는 방법으로 에이징을 실시하였다. 즉, 패널에 형성된 서브 픽셀의 소자 특성을 기반으로 에이징을 실시할 수 없어 패널의 수명 및 표시품질을 원하는 스펙으로 제품화하는데 어려움이 있었다. 또한, 종래 구조의 경우, 에이징에 의해 서브 픽셀에 포함된 소자의 성능 개선 여부를 확인하기 위해 밀봉된 패널을 분해하는 과정(디캡)을 실시해야 하는 어려움이 있었다.The elements constituting the subpixel formed on the panel have intrinsic characteristics (luminescence characteristics, deterioration characteristics, etc.) due to intrinsic material properties, structures, and manufacturing processes, which are factors that greatly affect the panel. Accordingly, conventionally, in order to improve the lifetime and the display quality of the panel, the subpixel included in the panel is aged. However, in the case of the conventional structure, aging was performed by supplying the same aging signal to all the panels. That is, since aging can not be performed based on the device characteristics of the subpixels formed on the panel, it has been difficult to commercialize the lifetime and the display quality of the panel to a desired specification. In addition, in the conventional structure, there is a difficulty in performing a process of decomposing a sealed panel (decap) to check whether the performance of an element included in the subpixel is improved by aging.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 패널에 형성된 서브 픽셀의 소자 특성(발광 특성, 열화 특성 등)을 기반으로 에이징을 실시하여 유기전계발광표시장치의 수명 및 표시품질을 원하는 스펙으로 제품화하는 것이다.According to an embodiment of the present invention for solving the above-described problems of the background art, aging is performed based on element characteristics (light emission characteristics, deterioration characteristics, etc.) of subpixels formed on a panel, To the desired specification.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 기판 상에 위치하고 복수의 서브 픽셀과 동일하게 형성되며 복수의 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀에 연결된 배선들에 공통으로 연결된 하나의 모니터링 픽셀부; 모니터링 픽셀부에 연결된 선들에 공통으로 연결된 복수의 모니터링 패드부; 및 기판 상에 위치하고 표시부와 인접하며 외부로부터 공급된 에이징신호를 복수의 서브 픽셀 및 모니터링 픽셀부에 공급하도록 연결된 복수의 에이징 패드부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a substrate; A display unit including a plurality of subpixels positioned on a substrate; A monitoring pixel portion located on the substrate and formed identically to the plurality of subpixels and connected in common to the wirings connected to one of the plurality of subpixels; A plurality of monitoring pad portions commonly connected to lines connected to the monitoring pixel portion; And a plurality of aging pad portions located on the substrate and adjacent to the display portion and connected to supply aging signals supplied from the outside to the plurality of sub pixels and the monitoring pixel portion.
모니터링 픽셀부는, 스캔배선을 통해 공급된 스캔신호에 의해 턴온되어 데이터배선을 통해 공급된 데이터신호를 전달하는 트랜지스터와, 데이터신호를 저장하는 커패시터와, 커패시터에 저장된 데이터신호에 의해 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 구동에 의해 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The monitoring pixel section includes a transistor that is turned on by the scan signal supplied through the scan wiring and transfers the data signal supplied through the data line, a capacitor that stores the data signal, a drive transistor that is driven by the data signal stored in the capacitor, And an organic light emitting diode that emits light by driving the driving transistor.
복수의 모니터링 패드부는, 트랜지스터의 게이트, 소오스 및 드레인에 연결된 트랜지스터 패드부와, 구동 트랜지스터의 게이트, 소오스 및 드레인에 연결된 구동 트랜지스터 패드부와, 유기 발광다이오드의 애노드에 연결된 유기 발광다이오드 패드부를 포함할 수 있다.The plurality of monitoring pads include transistor pad portions connected to gates, sources and drains of the transistors, driving transistor pad portions connected to gates, sources and drains of the driving transistors, and organic light emitting diode pad portions connected to the anodes of the organic light emitting diodes .
모니터링 픽셀부는, 제1스캔배선에 게이트가 연결되고 데이터배선에 일단이 연결되며 제1노드에 타단이 연결된 제1트랜지스터와, 제1노드와 제2노드 사이에 연결된 커패시터와, 제2노드에 게이트가 연결되고 제1전원배선에 일단이 연결되며 제3노드에 타단이 연결된 구동 트랜지스터와, 제3스캔배선에 게이트가 연결되고 제1노드에 일단이 연결되며 제3전원배선에 타단이 연결된 제2트랜지스터와, 제2스캔배선에 게이트가 연결되고 제2노드에 일단이 연결되며 제3노드에 타단이 연결된 제3트랜지스터와, 제3스캔배선에 게이트가 연결되고 제3노드에 일단이 연결된 제4트랜지스터와, 제4트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The monitoring pixel portion includes a first transistor having a gate connected to the first scan wiring and one end connected to the data wiring and connected at the other end to the first node, a capacitor connected between the first node and the second node, And a third node connected to the third node, a gate connected to the third scan line, a first node connected to the first node, and a second node connected to the third power line, A third transistor having a gate connected to the second scan wiring, one end connected to the second node and the other end connected to the third node, and a fourth transistor having a gate connected to the third scan wiring, And an organic light emitting diode having a first electrode connected to the other end of the fourth transistor and a second electrode connected to the second power supply line.
복수의 모니터링 패드부는, 제1트랜지스터의 게이트에 연결된 제1패드부와, 제1노드에 연결된 제2패드부와, 제3전원배선에 연결된 제3패드부와, 제2노드에 연결된 제4패드부와, 제3트랜지스터의 게이트에 연결된 제5패드부와, 제4트랜지스터의 게이트에 연결된 제6패드부와, 유기 발광다이오드의 제1전극에 연결된 제7패드부와, 데이터배선에 연결된 제8패드부와, 제3노드에 연결된 제9패드부와, 제1전원배선에 연결된 제10패드부를 포함할 수 있다.The plurality of monitoring pads includes a first pad connected to the gate of the first transistor, a second pad coupled to the first node, a third pad connected to the third power supply line, a fourth pad connected to the second node, A fifth pad portion connected to the gate of the third transistor, a sixth pad portion connected to the gate of the fourth transistor, a seventh pad portion connected to the first electrode of the organic light emitting diode, A ninth pad portion connected to the third node, and a tenth pad portion connected to the first power supply wiring.
모니터링 픽셀부는, 표시부와 복수의 에이징 패드부 사이 영역에 위치할 수 있다.The monitoring pixel portion may be located in a region between the display portion and the plurality of aging pad portions.
한편, 다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 표시부에 포함된 복수의 서브 픽셀 및 모니터링 픽셀부에 연결된 배선부들에 구동신호를 공급하여 복수의 서브 픽셀 및 상기 모니터링 픽셀부를 구동하는 단계; 모니터링 픽셀부에 연결된 복수의 모니터링 패드부를 통해 표시부에 포함된 복수의 서브 픽셀의 제1구동 특성을 추출하는 단계; 표시부에 포함된 복수의 서브 픽셀 및 모니터링 픽셀부에 연결된 복수의 에이징 패드부에 에이징신호를 공급하여 복수의 서브 픽셀 및 모니터링 픽셀부를 에이징하는 단계; 모니터링 픽셀부에 연결된 복수의 모니터링 패드부를 통해 표시부에 포함된 복수의 서브 픽셀의 제2구동 특성을 추출하는 단계; 및 제1구동 특성과 제2구동 특성을 비교하여 에이징신호의 최적 조건을 산출하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving a plasma display panel, comprising: driving a plurality of subpixels and a monitoring pixel unit by supplying a driving signal to a plurality of subpixels included in a display unit and wiring units connected to the monitoring pixel unit; Extracting a first driving characteristic of a plurality of sub-pixels included in the display unit through a plurality of monitoring pad units connected to the monitoring pixel unit; Aging a plurality of subpixels and a monitoring pixel portion by supplying an aging signal to a plurality of subpixels included in the display portion and a plurality of aging pad portions connected to the monitoring pixel portion; Extracting a second driving characteristic of a plurality of sub-pixels included in the display unit through a plurality of monitoring pad units connected to the monitoring pixel unit; And comparing the first driving characteristic and the second driving characteristic to calculate an optimal condition of the aging signal.
에이징 단계는, 복수의 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터의 게이트, 소오스 및 드레인에 전압을 공급하여 실시할 수 있다.The aging step can be performed by supplying a voltage to the gate, the source, and the drain of the transistor included in the plurality of subpixels.
에이징 단계는, 복수의 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터를 턴온 하고, 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극에 과전류를 공급하여 실시할 수 있다.The aging step may be carried out by turning on the driving transistors included in the plurality of subpixels and supplying an overcurrent to the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode.
복수의 모니터링 패드부는, 모니터링 픽셀부에 포함된 모든 소자 및 배선에 연결될 수 있다.A plurality of monitoring pad portions may be connected to all elements and wiring included in the monitoring pixel portion.
본 발명의 실시예는, 패널에 형성된 서브 픽셀의 소자 특성(발광 특성, 열화 특성 등)을 기반으로 에이징을 실시하여 유기전계발광표시장치의 수명 및 표시품질을 원하는 스펙으로 제품화할 수 있는 효과가 있다.The embodiment of the present invention is effective for aging the subpixel formed on the panel based on the element characteristics (light emission characteristics, deterioration characteristics, and the like), thereby enabling the lifetime and display quality of the organic light emitting display to be commercialized into a desired specification have.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 복수의 서브 픽셀(SP)을 포함하는 표시부(AA), 모니터링 픽셀부(MP), 복수의 모니터링 패드부(MM), 복수의 에이징 패드부(AM), 구동부(DRV) 및 기판 패드부(PM)를 포함할 수 있다.1, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display unit AA including a plurality of sub pixels SP, a monitoring pixel unit MP, a plurality of monitoring pad units MM, A plurality of aging pad portions AM, a driver DRV, and a substrate pad portion PM.
표시부(AA)는 매트릭스형태로 형성된 복수의 서브 픽셀(SP)을 포함하며 이 영역은 표시영역으로 정의 될 수 있다. 여기서, 표시부(AA) 외의 영역은 비표시영역으로 정의될 수 있다.The display portion AA includes a plurality of subpixels SP formed in a matrix form, and this region can be defined as a display region. Here, a region other than the display portion AA can be defined as a non-display region.
표시부(AA)에 형성된 복수의 서브 픽셀(SP)은 스캔배선을 통해 공급된 스캔신호에 의해 턴온되어 데이터배선을 통해 공급된 데이터신호를 전달하는 트랜지스터와, 데이터신호를 저장하는 커패시터와, 커패시터에 저장된 데이터신호에 의해 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 구동에 의해 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The plurality of subpixels SP formed on the display unit AA includes a transistor that is turned on by the scan signal supplied through the scan wiring and transmits a data signal supplied through the data wiring, a capacitor that stores the data signal, A driving transistor driven by a stored data signal, and an organic light emitting diode emitting light by driving the driving transistor.
모니터링 픽셀부(MP)는 기판(ST) 상에 위치하고 복수의 서브 픽셀(SP)과 동일하게 형성되며 복수의 서브 픽셀(SP) 중 하나의 서브 픽셀에 연결된 배선들에 공통으로 연결된다. 즉, 모니터링 픽셀부(MP)는 스캔배선을 통해 공급된 스캔신호에 의해 턴온되어 데이터배선을 통해 공급된 데이터신호를 전달하는 트랜지스터와, 데이터신호를 저장하는 커패시터와, 커패시터에 저장된 데이터신호에 의해 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 구동에 의해 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다. 이러한 모니터링 픽셀부(MP)는 표시부(AA)와 복수의 에이징 패드부(AM) 사이 영역 또는 표시부(AA)와 인접하는 영역에 위치할 수 있다.The monitoring pixel portion MP is connected to wirings which are located on the substrate ST and which are formed identically to the plurality of subpixels SP and which are connected to one subpixel of the plurality of subpixels SP. That is, the monitoring pixel unit MP includes a transistor that is turned on by a scan signal supplied through a scan wiring and transfers a data signal supplied through a data wiring, a capacitor that stores a data signal, A driving transistor to be driven, and an organic light emitting diode to emit light by driving the driving transistor. The monitoring pixel unit MP may be located in a region between the display unit AA and a plurality of aging pad units AM or an area adjacent to the display unit AA.
복수의 모니터링 패드부(MM)는 모니터링 픽셀부(MP)에 연결된 배선들에 공통으로 연결된다. 복수의 모니터링 패드부(MM)는 트랜지스터의 게이트, 소오스 및 드레인에 연결된 트랜지스터 패드부와, 구동 트랜지스터의 게이트, 소오스 및 드레인에 연결된 구동 트랜지스터 패드부와, 유기 발광다이오드의 애노드에 연결된 유기 발광다이오드 패드부를 포함할 수 있다. 트랜지스터 패드부는 스위칭 트랜지스터를 모니터링 하도록 연결되고 구동 트랜지스터 패드부는 구동 트랜지스터를 모니터링 하도록 연결되며 유기 발광다이오드 패드부는 유기 발광다오드를 모니터링 하도록 연결된다.A plurality of monitoring pad units (MM) are connected in common to wirings connected to the monitoring pixel unit (MP). The plurality of monitoring pad units MM includes a transistor pad portion connected to the gate, source, and drain of the transistor, a driving transistor pad portion connected to the gate, source, and drain of the driving transistor, and an organic light emitting diode pad Section. The transistor pad portion is connected to monitor the switching transistor and the driving transistor pad portion is connected to monitor the driving transistor and the organic light emitting diode pad portion is connected to monitor the organic light emitting diode.
복수의 에이징 패드부(AM)는 표시부(AA)와 인접하는 기판(ST) 상에 위치한다. 복수의 에이징 패드부(AM)는 외부로부터 공급된 에이징신호가 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)에 모두 공급되도록 연결될 수 있다.The plurality of aging pad portions AM are located on the substrate ST adjacent to the display portion AA. The plurality of aging pad portions AM may be connected such that an aging signal supplied from the outside is supplied to both the plurality of sub-pixels SP and the monitoring pixel portion MP.
구동부(DRV)는 외부로부터 공급된 신호에 대응하여 스캔신호를 생성할 수 있 는 스캔구동부와 외부로부터 공급된 신호에 대응하여 데이터신호를 생성할 수 있는 데이터구동부를 포함할 수 있다. 스캔구동부는 생성된 스캔신호를 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)에 공급할 수 있다. 그리고 데이터구동부는 생성된 데이터신호를 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)에 공급할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 스캔구동부와 데이터구동부가 하나의 칩으로 형성된 것을 일례로 하였지만, 스캔구동부와 데이터구동부는 기판(ST) 상에 각각 구분되어 위치할 수 있다.The driving unit DRV may include a scan driver capable of generating a scan signal in response to a signal supplied from the outside and a data driver capable of generating a data signal corresponding to a signal supplied from the outside. The scan driver may supply the generated scan signals to the plurality of sub-pixels SP and the monitoring pixel unit MP. The data driver may supply the generated data signal to the plurality of sub-pixels SP and the monitoring pixel unit MP. In an embodiment of the present invention, the scan driver and the data driver are formed as a single chip. However, the scan driver and the data driver may be separately disposed on the substrate ST.
기판 패드부(PM)는 기판(ST)과 외부회로기판을 연결하는 패드일 수 있으며, 외부회로기판은 기판 패드부(PM)를 통해 각종 구동신호 등을 기판(ST)에 형성된 소자들에 공급할 수 있다.The substrate pad portion PM may be a pad for connecting the substrate ST to an external circuit board and the external circuit substrate may supply various driving signals or the like to the elements formed on the substrate ST through the substrate pad portion PM .
이하, 서브 픽셀(SP)의 다양한 회로 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, various circuit configurations of the sub-pixel SP will be described.
도 2는 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.2 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 2T1C structure.
도 2를 참조하면, 2T(Transistor)1C(capacitor) 구조를 갖는 서브 픽셀은 스캔배선(SCAN)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 트랜지스터(STFT)와, 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제1전원배선(VDD)과 제1노드(A) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 구동 트랜지스터(DTFT)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, in a sub-pixel having a 2T (transistor) 1C structure, a gate is connected to a scan line SCAN, one end is connected to a data line DATA, and the other end is connected to a first node A. A driving transistor DTFT having a gate connected to the first node A and one end connected to the first power supply line VDD and a driving transistor DTFT connected between the first power supply line VDD and the first node A, And an organic light emitting diode (OLED) having a first electrode connected to the other end of the driving transistor DTFT and a second electrode connected to the second power supply line VSS.
여기서, 트랜지스터(STFT)는 스캔배선(SCAN)을 통해 공급된 스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 커패시터(CST)는 트랜지스터(STFT)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동하면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.Here, the transistor STFT is turned on by the scan signal supplied through the scan line SCAN and transmits the data signal supplied through the data line DATA. And the capacitor CST stores the data signal supplied through the transistor STFT. The driving transistor DTFT is driven in response to the data signal stored in the capacitor CST. When the driving transistor DTFT is driven, the organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power supply line VDD.
도 3은 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.3 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 3T1C structure.
도 3을 참조하면, 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제3전원배선(VREF)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제1전원배선(VDD)과 제1노드(A) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 구동 트랜지스터(DTFT)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, a sub-pixel having a 3T1C structure includes a first transistor STFT1 having a gate connected to a first scan line SCAN1, a first end connected to a data line DATA, A second transistor STFT2 whose gate is connected to the second scan line SCAN2 and whose one end is connected to the third power supply line VREF and whose other end is connected to the first node A, A driving transistor DTFT having a gate connected to the first power supply line VDD and one end connected to the first power supply line VDD, a capacitor CST connected between the first power supply line VDD and the first node A, And an organic light emitting diode (OLED) having a first electrode connected to the other end of the first power supply line DTFT and a second electrode connected to the second power supply line VSS.
여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)을 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 커패시터(CST)는 트랜지스터(STFT)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동하면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.The first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan line SCAN1 and transmits the data signal supplied through the data line DATA. The second transistor STFT2 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 and transfers the reference voltage supplied through the third power supply line VREF. The capacitor CST stores the data signal supplied through the transistor STFT. The driving transistor DTFT is driven in response to the data signal stored in the capacitor CST. When the driving transistor DTFT is driven, the organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power supply line VDD.
도 4는 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.4 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 4T2C structure.
도 4를 참조하면, 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제1전원배선(VDD) 사이에 연결된 제1커패시터(CST1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 제2커패시터(CST2)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3트랜지스터(STFT3)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.4, a sub-pixel having a 4T2C structure includes a first transistor STFT1 having a gate connected to a first scan line SCAN1, one end connected to a data line DATA and the other end connected to a first node A, A first capacitor CST1 connected between the first node A and the first power supply line VDD and a second capacitor CST2 connected between the first node A and the second node B, A driving transistor DTFT having a gate connected to the second node B and having one end connected to the first power supply line VDD and the other end connected to the third node C, A second transistor STFT2 having a gate connected to one end connected to the second node B and one end connected to the third node C and a gate connected to the third scan line SCAN3, And an organic light emitting diode (OLED) having a first electrode connected to the other terminal of the third transistor STFT3 and a second electrode connected to the second power supply line VSSThere.
여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제1커패시터(CST1)는 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전압과 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 전압의 차전압을 유지한다. 그리고 제2커패시터(CST2)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호와 제1커패시터(CST1)에 유지된 전압에 의한 데이터신호를 저장한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배 선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 제2커패시터(CST2)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 제3트랜지스터(STFT3)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어한다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제3트랜지스터(STFT3)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.The first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan line SCAN1 and transmits the data signal supplied through the data line DATA. The first capacitor CST1 maintains the difference voltage between the voltage supplied through the first power supply line VDD and the voltage supplied through the first transistor STFT1. The second capacitor CST2 stores a data signal supplied through the first transistor STFT1 and a data signal based on the voltage held in the first capacitor CST1. The second transistor STFT2 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 to control the threshold voltage of the driving transistor DTFT. The driving transistor DTFT is driven in response to the data signal stored in the second capacitor CST2. The third transistor STFT3 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan line SCAN3 and controls the current flowing through the drive transistor DTFT. The organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power supply line VDD when the driving transistor DTFT is driven and the third transistor STFT3 is turned on.
도 5는 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.5 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 5T1C structure.
도 5를 참조하면, 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제1노드(A)에 일단이 연결되며 제3전원배선(VREF)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.5, a sub-pixel having a 5T1C structure includes a first transistor STFT1 having a gate connected to the first scan line SCAN1, one end connected to the data line DATA, and the other end connected to the first node A, A capacitor CST connected between the first node A and the second node B and having a gate connected to the second node B and one end connected to the first power supply line VDD, A driving transistor DTFT having a gate connected to the third scan line SCAN3 and having one end connected to the first node A and the other end connected to the third power supply line VREF; A third transistor STFT2 having a gate connected to the second scan line SCAN2 and having one end connected to the second node B and the other end connected to the third node C, A fourth transistor STFT4 whose gate is connected to the scan line SCAN3 and whose one end is connected to the third node C and a fourth transistor STFT4 whose first electrode is connected to the other end of the fourth transistor STFT4, And an organic light emitting diode (OLED) having a second electrode coupled to a second power source (VSS).
여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔 신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)를 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 그리고 커패시터(CST)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 제3트랜지스터(STFT3)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 제4트랜지스터(STFT4)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어 한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제4트랜지스터(STFT4)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.The first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan line SCAN1 and transmits the data signal supplied through the data line DATA. The second transistor STFT2 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan line SCAN3 and transfers the reference voltage supplied through the third power line VREF. The capacitor CST stores the data signal supplied through the first transistor STFT1. The third transistor STFT3 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 to control the threshold voltage of the driving transistor DTFT. The driving transistor DTFT is driven in response to the data signal stored in the capacitor CST. The fourth transistor STFT4 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan line SCAN3 and controls the current flowing through the drive transistor DTFT. The organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power supply line VDD when the driving transistor DTFT is driven and the fourth transistor STFT4 is turned on.
도 6은 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.6 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 5T2C structure.
도 6을 참조하면, 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제1전원배선(VDD) 사이에 연결된 제1커패시터(CST1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 제2커패시터(CST2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트 연결되고 제3전원배선(VREF)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되 며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.6, a sub-pixel having a 5T2C structure includes a first transistor STFT1 having a gate connected to a first scan line SCAN1, one end connected to a data line DATA and the other end connected to a first node A, A first capacitor CST1 connected between the first node A and the first power supply line VDD and a second capacitor CST2 connected between the first node A and the second node B, A second transistor STFT2 gated to the second scan line SCAN2 and having one end connected to the third power supply line VREF and the other end connected to the first node A, A driving transistor DTFT having a gate connected to the first power supply line VDD and one end connected to the third node C and a gate connected to the second scan line SCAN2, A third transistor STFT3 having one end connected to the third node C and the other end connected to the third node C and a fourth transistor STFT3 having a gate connected to the third scan line SCAN3, (STFT4 And an organic light emitting diode (OLED) having a first electrode connected to the other terminal of the fourth transistor STFT4 and a second electrode connected to the second power supply line VSS.
여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)를 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 제1커패시터(CST1)는 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전압과 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 전압의 차전압을 유지한다. 그리고 제2커패시터(CST2)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호와 제1커패시터(CST1)에 유지된 전압에 의한 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 제2커패시터(CST2)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 제3트랜지스터(STFT4)는 제2스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 제4트랜지스터(STFT4)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어 한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제4트랜지스터(STFT4)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.The first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan line SCAN1 and transmits the data signal supplied through the data line DATA. The second transistor STFT2 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 and transfers the reference voltage supplied through the third power supply line VREF. The first capacitor CST1 maintains the difference voltage between the voltage supplied through the first power supply line VDD and the voltage supplied through the first transistor STFT1. The second capacitor CST2 stores a data signal supplied through the first transistor STFT1 and a data signal based on the voltage held in the first capacitor CST1. The driving transistor DTFT is driven in response to the data signal stored in the second capacitor CST2. The third transistor STFT4 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN3 and controls the threshold voltage of the driving transistor DTFT. The fourth transistor STFT4 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan line SCAN3 and controls the current flowing through the drive transistor DTFT. The organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power supply line VDD when the driving transistor DTFT is driven and the fourth transistor STFT4 is turned on.
이상 서브 픽셀의 회로 구성은 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명한 것과 같이 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 그러나, 이는 실시예의 일례를 설명하기 위한 것일 뿐, 서브 픽셀의 회로 구성은 도 2 내지 도 6에 한정되지 않는다.The circuit configuration of the above subpixels can be configured in various ways as described with reference to Figs. 2 to 6. However, this is for the purpose of illustrating an example of the embodiment, and the circuit configuration of the subpixel is not limited to those of Figs.
한편, 기판(ST) 상에 형성된 복수의 에이징 패드부(AM)는 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자 중 스위칭 동작을 수행하는 트랜지스터(STFT)의 게이트, 소오스 및 드레인에 전압을 공급하여 에이징을 실시할 수 있다. 또한, 복수의 에이징 패드부(AM)는 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자 중 유기 발광다이오드(OLED)에 과전류를 공급하여 에이징을 실시할 수 있다. 복수의 에이징 패드부(AM)를 통해 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자를 에이징하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.On the other hand, the plurality of aging pad portions AM formed on the substrate ST supplies a voltage to the gate, the source, and the drain of the transistor (STFT) performing the switching operation among the elements included in the subpixel SP, . In addition, the plurality of aging pad portions AM can supply an overcurrent to the organic light emitting diode OLED among the elements included in the subpixel SP to perform aging. When the elements included in the sub-pixel SP are aged through the plurality of aging pad portions AM, the following effects can be obtained.
도 7은 스위칭 트랜지스터에 대한 에이징 전 후의 소스 드레인 전압을 나타낸 그래프이고, 도 8은 유기 발광다이오드에 대한 에이징 전 후의 휘도를 나타낸 그래프이다.FIG. 7 is a graph showing the source drain voltage before and after aging for the switching transistor, and FIG. 8 is a graph showing the luminance before and after aging for the organic light emitting diode.
도 7을 참조하면, 스위칭 트랜지스터(STFT)의 게이트, 소오스 및 드레인에 에이징(예를 들면, vg: off, Vds: very high voltage를 일정 시간 인가해줌)을 실시하면, 스위칭 트랜지스터(STFT)가 오프 동작시 발생하는 누설 전류가 감소할 수 있음을 알 수 있다. 이로 인해, 스위칭 트랜지스터(STFT)의 채널부 결함 문제는 치유될 수 있다.Referring to FIG. 7, when the gate, source, and drain of the switching transistor STFT are aged (for example, vg: off and Vds: very high voltage is applied for a predetermined time), the switching transistor STFT is turned off It can be seen that the leakage current generated during operation can be reduced. As a result, the channel region defect problem of the switching transistor STFT can be healed.
도 8을 참조하면, 유기 발광다이오드(OLED)에 에이징(예를 들면, 구동 트랜지스터를 턴온시킨 후 제1전원배선과 제2전원배선 간에 전압을 강하게 인가하여 유기 발광다이오드의 양단에 높은 전류가 흐를 수 있도록함)을 실시하면, 초기 구동 시 유기 발광다이오드(OLED)의 휘도가 드랍(drop)되는 문제가 개선될 수 있음을 알 수 있다. 이로 인해, 유기 발광다이오드(OLED)에 의한 수명 저하 또는 잔상 발생 문제는 치유될 수 있다.Referring to FIG. 8, after aging the organic light emitting diode OLED (for example, by turning on the driving transistor and then applying a strong voltage between the first power supply line and the second power supply line, a high current flows to both ends of the organic light emitting diode It is understood that the problem that the luminance of the organic light emitting diode OLED drops during the initial driving can be improved. As a result, the life-span degradation caused by the organic light-emitting diode (OLED) or the afterglow problem can be healed.
이하, 표시부(AA)에 포함된 서브 픽셀(SP)이 5T1C 구조 인것을 일례로 모니터링 픽셀부(MP)와 모니터링 픽셀부(MP)에 연결된 복수의 모니터링 패드부(MM)에 대해 설명한다.Hereinafter, a plurality of monitoring pad units (MM) connected to the monitoring pixel unit MP and the monitoring pixel unit MP will be described as an example of the 5T1C structure of the subpixels SP included in the display unit AA.
도 9는 모니터링 픽셀부 및 복수의 모니터링 패드부의 회로 구성도 이다.9 is a circuit diagram of the monitoring pixel portion and the plurality of monitoring pad portions.
도 9를 참조하면, 모니터링 픽셀부(MP)는, 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제1노드(A)에 일단이 연결되며 제3전원배선(VREF)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.9, a monitoring pixel unit MP includes a first transistor (a first transistor) having a gate connected to a first scan line SCAN1, one end connected to a data line DATA, and the other end connected to a first node A A capacitor CST connected between the first node A and the second node B and a gate connected to the second node B and one end connected to the first power supply line VDD, A driving transistor DTFT connected to the third node C and a gate connected to the third scan line SCAN3 and having one end connected to the first node A and the other end connected to the third power supply line VREF A third transistor STFT2 having a gate connected to the second scan line SCAN2 and having one end connected to the second node B and the other end connected to the third node C, A fourth transistor STFT4 whose gate is connected to the third scan line SCAN3 and whose one end is connected to the third node C and a fourth transistor STFT4 whose first electrode is connected to the other end of the fourth transistor STFT4, )on And an organic light emitting diode (OLED) to which a second electrode is connected.
그리고, 복수의 모니터링 패드부(MM)는, 제1트랜지스터(STFT1)의 게이트에 연결된 제1패드부(PAD1)와, 제1노드(A)에 연결된 제2패드부(PAD2)와, 제3전원배선(VREF)에 연결된 제3패드부(PAD3)와, 제2노드(B)에 연결된 제4패드부(PAD4)와, 제3트랜지스터(STFT3)의 게이트에 연결된 제5패드부(PAD5)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 게이트에 연결된 제6패드부(PAD6)와, 유기 발광다이오드(OLED)의 제1전극에 연결된 제7패드부(PAD7)와, 데이터배선(DATA)에 연결된 제8패드부(PAD8)와, 제3노드(C)에 연결된 제9패드부(PAD9)와, 제1전원배선(VDD)에 연결된 제10패드부(PAD10)를 포함할 수 있다.The plurality of monitoring pad units MM includes a first pad unit PAD1 connected to the gate of the first transistor STFT1, a second pad unit PAD2 connected to the first node A, A third pad portion PAD3 connected to the power supply line VREF, a fourth pad portion PAD4 connected to the second node B and a fifth pad portion PAD5 connected to the gate of the third transistor STFT3. A sixth pad portion PAD6 connected to the gate of the fourth transistor STFT4, a seventh pad portion PAD7 connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, A ninth pad portion PAD9 connected to the third node C and a tenth pad portion PAD10 connected to the first power source line VDD.
도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 모니터링 패드부(MM)는 모니터링 픽셀부(MP)에 포함된 소자와 이에 연결된 배선들에 연결된다. 그리고 모니터링 픽셀부(MP)는 표시부(AA)에 위치하는 서브 픽셀(SP) 중 하나의 서브 픽셀에 연결된 배선들에 공통으로 연결된다. 이에 따라, 복수의 에이징 패드부(AM)를 통해 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자를 에이징하면 서브 픽셀(SP)과 연결된 모니터링 픽셀부(MP) 또한 동일한 조건으로 에이징된다.As shown in FIG. 9, the plurality of monitoring pad units MM are connected to elements included in the monitoring pixel unit MP and wirings connected thereto. The monitoring pixel portion MP is connected in common to the wirings connected to one of the subpixels SP located in the display portion AA. Accordingly, when an element included in the sub-pixel SP is aged through the plurality of aging pad portions AM, the monitoring pixel portion MP connected to the sub-pixel SP is also aged under the same condition.
일반적으로 서브 픽셀(SP)에 에이징을 실시하고 나면 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자의 성능(휘도, 수명 등)은 개선될 수 있다. 종래에는 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자의 성능 개선 여부를 확인하기 위해 밀봉된 패널을 분해하는 과정(디캡)을 실시해야 했다. 그러나, 본원 발명의 경우 동일한 조건으로 에이징 되는 모니터링 픽셀부(MP)에 복수의 모니터링 패드부(MM)가 연결되어 있어 이를 통해 에이징 전 후의 소자 성능 또는 상태를 검사할 수 있다. 복수의 모니터링 패드부(MM)를 통해 에이징 전 후의 소자 성능 또는 상태를 검사할 때에는 측정장비를 이용할 수 있다.In general, when aging is performed on the sub-pixel SP, the performance (brightness, lifetime, etc.) of the element included in the sub-pixel SP can be improved. Conventionally, in order to check whether the performance of the elements included in the sub-pixel SP is improved, it is necessary to perform a process of decomposing the sealed panel (decap). However, in the case of the present invention, a plurality of monitoring pad units (MM) are connected to the monitoring pixel unit (MP) aged under the same condition, so that the device performance or state before and after aging can be inspected. Measurement equipment can be used to inspect the device performance or state before and after aging through a plurality of monitoring pad units (MM).
한편, 에이징 전 후의 소자 성능 또는 상태를 검사한 과정을 실시하면, 패널의 특성 별로 에이징을 실시할 수 있도록 에이징신호의 최적조건을 산출할 수 있게 된다. 또한, 패널을 장기 구동한 후 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자의 열화 특성 파악이 용이하다. 그리고 서브 픽셀(SP)과 동일한 조건으로 구동하는 모니터링 픽셀부(MP)를 통해 각 패널의 특성을 정확히 모니터링할 수 있다.On the other hand, if the device performance or state before and after aging is inspected, the optimum condition of the aging signal can be calculated so that aging can be performed according to the characteristics of the panel. It is also easy to grasp the degradation characteristics of the elements included in the subpixel SP after the panel is driven for a long period of time. Further, the characteristics of each panel can be accurately monitored through a monitoring pixel unit (MP) driven under the same condition as the sub-pixel (SP).
이하, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of monitoring an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법의 흐름도 이다.10 is a flowchart illustrating a method of monitoring an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법은 다음과 같다.Referring to FIG. 10, a method of monitoring an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention is as follows.
먼저, 표시부(AA)에 포함된 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)에 연결된 배선부들에 구동신호를 공급하여 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)를 구동하는 단계(S101)를 실시한다.First, a driving signal is supplied to a plurality of sub-pixels SP included in the display unit AA and wiring units connected to the monitoring pixel unit MP to drive the plurality of sub-pixels SP and the monitoring pixel unit MP A step S101 is carried out.
이 단계는 구동부(DRV)를 통해 공급된 구동신호가 배선부들에 공급됨에 따라 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)가 초기 구동을 하는 단계이다.This step is a step in which a plurality of sub-pixels SP and a monitoring pixel portion MP are initially driven as the driving signals supplied through the driving portion DRV are supplied to the wiring portions.
다음, 모니터링 픽셀부(MP)에 연결된 복수의 모니터링 패드부(MM)를 통해 표시부(AA)에 포함된 복수의 서브 픽셀(SP)의 제1구동 특성을 추출하는 단계(S103)를 실시한다.Next, a step S103 of extracting a first driving characteristic of a plurality of sub-pixels SP included in the display unit AA is performed through a plurality of monitoring pad units MM connected to the monitoring pixel unit MP.
이 단계는 복수의 모니터링 패드부(MM)를 통해 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)가 에이징 되기 전의 구동 특성을 추출하는 단계이다.This step is a step of extracting the driving characteristics before the plurality of sub-pixels SP and the monitoring pixel portion MP are aged through the plurality of monitoring pad portions MM.
다음, 표시부(AA)에 포함된 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)에 연결된 복수의 에이징 패드부(AM)에 에이징신호를 공급하여 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)를 에이징하는 단계(S105)를 실시한다.Next, an aging signal is supplied to a plurality of subpixels SP included in the display unit AA and a plurality of aging pad units AM connected to the monitoring pixel unit MP to generate a plurality of subpixels SP, (S105) is performed.
이 단계는 복수의 에이징 패드부(AM)를 통해 공급된 에이징신호가 배선부들에 공급됨에 따라 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)이 동일한 조건 하에 에이징되는 단계이다. 이 단계에서는, 복수의 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터의 게이트, 소오스 및 드레인에 전압을 공급하여 스위칭 트랜지스터(SFTFT)를 에이징할 수 있다. 또한, 이 단계에서는, 복수의 서브 픽셀(SP)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)를 턴온 하고, 유기 발광다이오드(OLED)의 제1전극과 제2전극에 과전류를 공급하여 유기 발광다이오드(OLED)를 에이징할 수 있다. 이 단계에 의해, 스위칭 트랜지스터(STFT)는 오프 동작시 누설 전류가 감소하는 문제로 인한 채널부 결함 문제가 치유될 수 있다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 초기 구동 휘도가 드랍(drop)되는 문제로 인한 수명 저하 또는 잔상 발생 문제가 치유될 수 있다.This step is a step in which a plurality of sub-pixels SP and a monitoring pixel portion MP are aged under the same condition as an aging signal supplied through a plurality of aging pad portions AM is supplied to the wiring portions. In this step, the switching transistor (SFTFT) can be aged by supplying a voltage to the gate, source, and drain of the transistor included in the plurality of subpixels (SP). In this step, the driving transistor DTFT included in the plurality of sub-pixels SP is turned on and an overcurrent is supplied to the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode OLED, thereby driving the organic light emitting diode OLED. Can be aged. By this step, the channel region defect problem due to the problem that the leakage current decreases in the OFF operation of the switching transistor STFT can be healed. In addition, the organic light emitting diode (OLED) can be remedied by a problem that the initial driving luminance is dropped, or the life-time degradation or after-image generation problem.
여기서, 스위칭 트랜지스터(SFTFT)를 에이징하기 위한 초기 조건으로는 vg: off, Vds: very high voltage를 일정 시간 인가해줄 수 있고, 유기 발광다이오드(OLED)를 에이징하기 위한 초기 조건으로는 구동 트랜지스터(DTFT)를 턴온시킨 후 제1전원배선(VDD)과 제2전원배선(VSS) 간에 전압을 강하게 인가하여 유기 발광다이오드(OLED)의 양단에 높은 전류가 흐를 수 있도록 할 수 있다.Herein, as an initial condition for aging the switching transistor SFTFT, vg: off and Vds: very high voltage can be applied for a predetermined time. As an initial condition for aging the organic light emitting diode OLED, It is possible to apply a strong voltage between the first power supply line VDD and the second power supply line VSS so that a high current flows to both ends of the organic light emitting diode OLED.
다음, 모니터링 픽셀부(MP)에 연결된 복수의 모니터링 패드부(MM)를 통해 표시부(AA)에 포함된 복수의 서브 픽셀(SP)의 제2구동 특성을 추출하는 단계(S107)를 실시한다.Next, a second driving characteristic of a plurality of sub-pixels SP included in the display unit AA is extracted (S107) through a plurality of monitoring pad units MM connected to the monitoring pixel unit MP.
이 단계는 복수의 모니터링 패드부(MM)를 통해 복수의 서브 픽셀(SP) 및 모니터링 픽셀부(MP)가 에이징 된 후의 구동 특성을 추출하는 단계이다.This step is a step of extracting the driving characteristics after the plurality of sub-pixels SP and the monitoring pixel portion MP are aged through the plurality of monitoring pad portions MM.
다음, 제1구동 특성과 제2구동 특성을 비교하여 에이징신호의 최적 조건을 산출하는 단계(S109)를 실시한다.Next, a comparison is made between the first drive characteristic and the second drive characteristic to calculate an optimum condition of the aging signal (S109).
이 단계는 에이징 전 후의 소자 성능 또는 상태를 검사하여 패널의 특성 별로 에이징을 실시할 수 있도록 에이징신호의 최적조건을 산출하는 단계이다.This step is a step of calculating the optimum condition of the aging signal so as to perform aging according to the characteristics of the panel by examining the device performance or state before and after aging.
이상 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법은 에이징신호의 최적조건을 산출할 수 있을 뿐만 아니라, 패널을 장기 구동한 후 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자의 열화 특성 파악에 용이성을 줄 수 있다. 또한, 서브 픽셀(SP)과 동일한 조건으로 구동하는 모니터링 픽셀부(MP)를 통해 각 패널의 특성을 정확히 니터링할 수 있다.The method of monitoring an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention can not only calculate the optimum condition of an aging signal but also determine the deterioration characteristics of a device included in the subpixel SP It can give ease. In addition, the characteristics of each panel can be precisely monitored through the monitoring pixel unit MP driven under the same condition as the sub-pixel SP.
이상 본 발명의 실시예는 패널에 형성된 서브 픽셀의 소자 특성(발광 특성, 열화 특성 등)을 기반으로 에이징을 실시하여 유기전계발광표시장치의 수명 및 표시품질을 원하는 스펙으로 제품화할 수 있는 효과가 있다.As described above, the embodiment of the present invention has an effect of aging the organic light emitting display device based on the device characteristics (light emission characteristics, deterioration characteristics, etc.) of the subpixels formed on the panel, have.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.FIG. 1 is a schematic plan view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 2는 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.2 is a circuit diagram of a sub-pixel having a 2T1C structure.
도 3은 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.3 is a circuit diagram of a sub-pixel having a 3T1C structure.
도 4는 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.4 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 4T2C structure.
도 5는 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.5 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel having a 5T1C structure.
도 6은 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.6 is a circuit diagram of a sub-pixel having a 5T2C structure.
도 7은 스위칭 트랜지스터에 대한 에이징 전 후의 소스 드레인 전압을 나타낸 그래프.7 is a graph showing the source-drain voltage before and after aging for the switching transistor.
도 8은 유기 발광다이오드에 대한 에이징 전 후의 휘도를 나타낸 그래프.8 is a graph showing the luminance before and after aging for an organic light emitting diode.
도 9는 모니터링 픽셀부 및 복수의 모니터링 패드부의 회로 구성도.9 is a circuit configuration diagram of a monitoring pixel portion and a plurality of monitoring pad portions.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 모니터링 방법의 흐름도.10 is a flow chart of a method of monitoring an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
ST: 기판 AA: 표시부ST: Substrate AA: Display portion
SP: 복수의 서브 픽셀 MP: 모니터링 픽셀부SP: plural sub-pixels MP: monitoring pixel portion
DRV: 구동부 MM: 복수의 모니터링 패드부DRV: driving part MM: plural monitoring pad parts
AM: 복수의 에이징 패드부 PM: 기판 패드부AM: a plurality of aging pad portions PM: substrate pad portions
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