KR101575655B1 - 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것으로서, 발광 소자; 상기 발광 소자가 안착되는 기판; 상기 기판에 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 열전도 반사층; 및 상기 발광 소자와 이격되도록 상기 열전도 반사층의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛을 변환하는 반사형 광변환물질;을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.
이러한, 종래의 발광 소자 패키지는 발광 소자에서 발생된 빛의 파장을 다양하게 변환하여 백색광이나 다양한 색상의 광들을 구현할 수 있는 형광체나 양자점(Quantum Dot: QD) 등의 광변환물질들이 사용될 수 있다.
그러나, 이러한 광변환물질들, 특히 양자점은 수마이크로에서 수십마이크로 크기의 양자 특성을 갖는 미세한 입자들로 이루어져서 열이나 수분에 민감하고, 이로 인하여 발광 소자에서 발생되는 고온의 열에 의해 광변환특성이 쉽게 사라지거나 나빠지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 양자점과 같은 광변환물질을 열원인 발광 소자로부터 이격시키고, 열전도가 용이하도록 금속재질의 반사컵부에 일정한 두께로 도포된 반사형 광변환물질을 이용하여 변질되기 쉬운 광변환물질을 열로부터 보호할 수 있으며, 이외에도 투광성 봉지재나 투과형 광변환물질인 형광체를 조합하여 수분이나 각종 이물질로부터 광변환물질을 보호하고, 다양한 형태의 광변환 조합을 가능하여 광학적 성능을 향상시킬 수 있게 하는 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자가 안착되는 기판; 상기 기판에 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 열전도 반사층; 및 상기 발광 소자와 이격되도록 상기 열전도 반사층의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛을 변환하는 반사형 광변환물질;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 열전도 반사층은, 상기 반사형 광변환물질에서 광변환된 빛을 반사시키도록 반사 각도로 경사지게 형성되는 반사컵부; 및 상기 반사컵부와 열적으로 연결되고, 상기 반사형 광변환물질에서 발생되어 상기 반사컵부로 전달된 열을 외부로 방열시킬 수 있도록 외기에 노출되는 노출면이 형성되는 방열부;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 반사컵부는 봉지재의 내벽을 따라 설치되는 알루미늄 재질의 고반사체이고, 상기 방열부는 상기 봉지재의 상면을 따라 설치되는 구리 재질의 고방열체일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 반사형 광변환물질의 출광면은 외기에 노출되고, 상기 발광 소자의 외표면에 투광성 단열층이 형성되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 열전도 반사층은 절연 접착층에 의해 상기 기판에 접착되는 제 1 두께의 금속층일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 열전도 반사층은 상기 반사형 광변환물질에서 광변환된 빛을 반사시키도록 반사 각도로 경사지게 형성되는 반사컵부가 형성되고, 상기 반사컵부의 내벽을 따라 일정한 두께의 상기 반사형 광변환물질이 도포되며, 상기 반사형 광변환물질을 덮어서 수분이나 열기로부터 보호할 수 있도록 상기 반사컵부의 내부에 투광성 봉지재가 충전되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 투광성 봉지재의 상면의 일부분 또는 전면에 걸쳐서 적어도 투과형 광변환물질 또는 역뿔형 반사체가 설치되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 반사형 광변환물질은 양자점이고, 상기 투과형 광변환물질은 형광체일 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 발광 소자; 상기 발광 소자가 안착되는 기판; 상기 기판에 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 열전도 반사층; 상기 발광 소자와 이격되도록 상기 열전도 반사층의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛을 변환하는 반사형 광변환물질; 및 상기 반사형 광변환물질에서 변환된 빛의 광경로에 배치되는 도광판;을 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 변질되기 쉬운 광변환물질을 열로부터 보호할 수 있으며, 수분이나 각종 이물질로부터 광변환물질을 보호하고, 다양한 형태의 광변환 조합을 가능하여 광학적 성능을 향상시켜서 제품의 성능을 개선하며, 제품의 내구성 및 생산성을 크게 향상시킬 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 부품 조립 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 부품 조립 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 부품 분해 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 부품 조립 단면도이다.
먼저, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 발광 소자(10)와, 기판(20)과, 열전도 반사층(30) 및 반사형 광변환물질(40)을 포함할 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(10)는, 제 1 패드와 제 2 패드를 갖고, 상기 기판(20)과 본딩 매체를 이용하여 각각 전기적으로 연결되는 플립칩(flip chip) 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.
한편, 도시하지 않았지만, 상기 패드 이외에도 펌프나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태일 수 있고, 이외에도, 단자에 본딩 와이어가 적용되거나, 부분적으로 제 1 단자 또는 제 2 단자에만 본딩 와이어가 적용되는 발광 소자나, 수평형, 수직형 발광 소자 등이 모두 적용될 수 있다.
또한, 제 1 패드와 제 2 패드는 도 1에 도시된 사각판 형상 이외에 다양한 형상으로 변형될 수 있고, 예컨대 하나의 암 상에 다수 핑거들이 구비된 핑거 구조나 범프 구조 등을 가질 수도 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(10)는, 상기 기판(20)에 1개가 설치될 수도 있고, 이외에도 도시하지 않았지만, 상기 기판(20)에 복수개가 설치되는 것도 가능하다.
이외에도, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(10)는, 본딩 와이어를 이용하여 상기 기판(20)과 전기적으로 연결되는 수평형 또는 수직형 발광 소자일 수 있다.
이러한, 상기 발광 소자(10)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(10)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 열전도 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.
여기서, 상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 기판(20)은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 제 1 전극(21)이 설치되고, 타측 방향에 제 2 전극(22)이 설치되며, 상기 발광 소자(10)가 안착될 수 있도록 안착면이 형성되는 금속 재질의 리드 프레임일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 기판(20)은, 상기 발광 소자(10)를 지지하거나 수용할 수 있는 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.
예를 들어서, 상기 기판(20)은, 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 재질이 적용될 수 있으며, 천공되거나 절곡된 플레이트 형태일 수 있다.
또한, 반사율을 극대화할 수 있도록 그 표면이 반사도가 우수한 적어도 은(Ag), 은(Ag) 도금층, 은(Ag) 합금, 은(Ag) 합금층, 알루미늄(Al), 알루미늄(Al) 합금, 알루미늄(Al) 합금층, 구리(Cu), 구리(Cu) 합금, 구리(Cu) 도금층, 구리(Cu) 합금층, 백금(Pt), 백금(Pt) 합금, 백금(Pt) 합금층, 금(Au), 금(Au) 도금층, 금(Au) 합금층, 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 로듐(Rh) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.
이외에도, 상기 기판(20)은 도 1 및 도 2에 도시된 리드 프레임을 대신하여 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)이 적용될 수 있다. 또한, 상기 기판(20)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.
이외에도, 상기 기판(20) 대신, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있다.
또한, 상기 기판(20)은, 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 열전도 반사층(30)은, 상기 기판(20) 위에 몰딩 성형된 봉지재(50)의 상방에 형성될 수 있는 것으로서, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자(10)의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 구조체일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 열전도 반사층(30)은 크게, 반사컵부(31) 및 방열부(32)를 포함할 수 있다.
예컨데, 상기 반사컵부(31)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사형 광변환물질(40)에서 광변환된 빛을 반사시키도록 반사 각도(K)로 경사지게 형성되는 것으로서, 상기 반사형 광변환물질(40) 방향으로 보다 많은 양의 빛을 반사시키리 수 있도록 상기 봉지재(50)의 경사진 내벽을 따라 경사지게 설치되는 알루미늄 재질의 고반사체일 수 있다.
그러나, 이러한 상기 반사컵부(31)의 재질은 반드시 알루미늄에 국한되지 않고, 이외에도 반사율이 우수한 은이나, 백금이나, 크롬이나, 백색/은색/금색 도료나, 구리 등 각종 고반사율의 재질이 적용되거나 열전도성 재질 위에 코팅될 수 있다.
또한, 예컨데 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 방열부(32)는, 상기 반사컵부(31)와 열적으로 연결되는 것으로서, 상기 반사형 광변환물질(40)에서 발생되어 상기 반사컵부(31)로 전달된 열을 외부로 방열시킬 수 있도록 외기에 노출되는 노출면이 형성되는 구조체일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 방열부(32)는 상기 봉지재(50)의 상면을 따라 설치되는 구리 재질의 고방열체일 수 있다.
그러나, 이러한 상기 방열부(32)의 재질은 반드시 구리에 국한되지 않고, 이외에도 방열성이 우수한 철이나, 알루미늄이나, 금이나, 은이나, 주석이나, 아연이나, 백금이나, 세라믹 등 각종 고방열성 재질이 적용되거나 코팅될 수 있다.
또한, 상기 반사컵부(31)와 상기 방열부(32)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 분리되어 단순히 접촉될 수 있고, 이외에도 서로 동일한 재질로 일체형으로 이루어질 수 있다. 예컨데, 상기 반사컵부(31)와 상기 방열부(32)는 일체형 금속 패널을 상기 반사컵부(31)가 절곡되도록 프레스 가공하여 이루어질 수 있다.
이외에도, 상기 반사컵부(31)와 상기 방열부(32)는 서로 접촉되거나, 서로 접착되거나, 용접되거나, 식각되는 등 매우 다양한 방법으로 제작될 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사형 광변환물질(40)은, 상기 발광 소자(10)와 이격되도록 상기 열전도 반사층(30)의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 제 1 광(L1)을 파장이 변환된 제 2 광(L2)으로 변환하는 양자점(Quantum Dot: QD)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 반사형이란 입광면을 통해서 입광된 빛이 반사되어 다시 입광면을 통해 출광되는 것으로서, 입광면을 통해서 입광된 빛이 그 반대편 출광면을 통해서 출광되는 투과형과는 서로 대비되는 개념일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 양자점(Quantum Dot: QD)은 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm) 및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있는 광학적 특성을 갖을 수 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 고온의 열이 상기 반사형 광변환물질(40)로 전달되는 것을 최대한 방지할 수 있도록 상기 발광 소자(10)와 상기 반사형 광변환물질(40)은 에어갭이 형성될 수 있다.
즉, 상기 반사형 광변환물질(40)은 외기에 노출될 수 있다.
아울러, 상기 발광 소자(10) 역시, 상기 반사형 광변환물질(40) 방향으로의 열전달을 최대한 억제할 수 있도록 그 외표면에 투광성 단열층(60)이 형성될 수 있다.
여기서, 상기 투광성 단열층(60)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무, 폴리이미드 수지, 폴리이소이미드, 폴리아이소이미드, 이소시아네이트계 수지, 멜라민계 수지, 에세톤계 수지, 페논계 수지, 고분자 수지, UV 경화제 등 광결합성 경화 촉진제 등 각종 열가소성 또는 열경화성 경화제 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 절연성 및 내열성을 갖는 모든 종류의 수지 재질이 적용될 수 있다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 작동 과정을 설명하면, 먼저 상기 발광 소자(10)에서 발생된 제 1 광(L1)은 상기 투광성 단열층(60)을 통과하여 상기 반사형 광변환물질(40)에 도달될 수 있다.
이 때, 상기 발광 소자(10)에서 발생되는 고온이 열은 상기 투광성 단열층(60)에 의해 상기 반사형 광변환물질(40) 방향으로 전도되지 않고, 상기 기판(10) 방향으로 전도되어 외부로 방열될 수 있다.
이어서, 상기 반사형 광변환물질(40)에 도달된 상기 제 1 광(L1)은 입광면을 통해 입광되고, 예컨데, 양자점에 의해 파장이 변환될 수 있다.
이어서, 파장이 변환된 제 2 광(L2)은 상기 열전도 반사층(30)의 상기 반사컵부(31)에 의해 반사되어 다시 입광면을 통해서 상방으로 반사될 수 있다.
이 때, 상방으로 반사된 상기 제 2 광(L2), 예컨데 적색광 또는 녹색광은 상기 발광 소자(10)에서 상방으로 발산된 제 1 광(L1), 예컨데 청색광과 혼합되면서 전체적으로 백색광이 구현될 수 있다.
이 때, 상기 반사형 광변환물질(40)에서 발생될 수 있는 나머지 열은 상기 열전도 반사층(30)의 상기 방열부(32)에 의해 전도되어 상기 노출면을 통해 외기로 쉽게 자연 방열되거나 송풍기 등으로 강제 방열될 수 있다.
그러므로, 양자점과 같이 변질되기 쉬운 광변환물질(40)을 반사형으로 구성하여 열원인 상기 발광 소자(10)로부터 이격시키고, 열전도가 용이하도록 금속재질의 상기 반사컵부(31)에 일정한 두께로 도포된 반사형 광변환물질(40)을 이용하여 변질되기 쉬운 양자점이나 형광체 등의 광변환물질을 열로부터 보호할 수 있다.
여기서, 상기 반사형 광변환물질(40)은 반드시 양자점에만 국한되지 않고 형광체나 기타 모든 광변환물질에 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)의 열전도 반사층(30)은 그 노출면에 방열핀(P)이 설치될 수 있다.
따라서, 상기 방열핀(P)을 이용하여 외기와의 접촉 면적을 늘릴 수 있고, 이로 인해 열교환을 용이하게 하여 방열성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
이러한, 상기 방열핀(P)은 도 3에 반드시 국한되지 않고, 매우 다양한 형상의 방열뿔, 방열돌기, 방열홈, 방열홀 등이 모두 적용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)를 나타내는 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)의 열전도 반사층(30)은, 절연 접착층(70)에 의해 상기 기판(20)에 접착되는 제 1 두께(T1)의 일체형 금속층(33)일 수 있다. 여기서, 도 1 및 도 2의 봉지재(50)는 생략될 수 있다.
또한, 상기 절연 접착층(70)은 상기 기판(20)과의 쇼트나 통전을 방지할 수 있도록 상기 기판(20)의 안착면을 제외한 나머지 일부분에 설치되는 절연성 접착 재질의 접착층일 수 있다.
더욱 구체적으로는, 상기 절연성 접착 재질은, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무, 폴리이미드 수지, 폴리이소이미드, 폴리아이소이미드, 이소시아네이트계 수지, 멜라민계 수지, 에세톤계 수지, 페논계 수지, 고분자 수지, UV 경화제 등 광결합성 경화 촉진제 등 각종 열가소성 또는 열경화성 경화제 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 절연성 및 내열성을 갖는 모든 종류의 접착제가 적용될 수 있다.
여기서, 상기 절연 접착층(70)은 상기 열전도 반사층(30)의 하면에 미리 도포되거나, 이외에도 상기 기판(20)의 상면에 도포 또는 디스펜싱될 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 열전도 반사층(30)은 상기 반사형 광변환물질(40)에서 광변환된 빛을 반사시키도록 반사 각도(K)로 경사지게 형성되는 반사컵부(31)가 형성되고, 상기 반사컵부(31)의 내벽을 따라 일정한 두께(T)의 상기 반사형 광변환물질(40)이 도포되며, 상기 반사형 광변환물질(40)을 덮어서 수분이나 열기로부터 보호할 수 있도록 상기 반사컵부(31)의 내부에 투광성 봉지재(80)가 충전될 수 있다.
여기서, 상기 투광성 봉지재(80)에는 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 확산 또는 산란시킬 수 있도록 금속 알갱이나, 기포 등 각종 확산물(81)이 포함될 수 있다.
또한, 상기 투광성 봉지재(50)의 상면의 중심 부분에 홈을 만들고, 그 홈에 상기 제 1 광(L1)을 파장이 다른 제 3 광(L3)으로 변환하는 투과형 광변환물질(90)을 설치할 수 있다.
여기서, 상기 투과형 광변환물질(90)은 예컨데, 형광체일 수 있다.
이러한 상기 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:Eu
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.
또한, 상기 형광체의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다.
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치할 수 있다.
따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)의 작동 과정을 설명하면, 먼저 상기 발광 소자(10)에서 발생된 제 1 광(L1)은 상기 투광성 봉지재(80)을 통과하여 상기 반사형 광변환물질(40)에 도달될 수 있다.
이 때, 상기 발광 소자(10)에서 발생되는 고온이 열은 상기 투광성 봉지재(80)에 의해 상기 반사형 광변환물질(40) 방향으로 전도되지 않고, 상기 기판(10) 방향으로 전도되어 외부로 방열될 수 있다.
이어서, 상기 반사형 광변환물질(40)에 도달된 상기 제 1 광(L1)은 입광면을 통해 입광되고, 예컨데, 양자점에 의해 파장이 변환될 수 있다.
이어서, 파장이 변환된 제 2 광(L2)은 상기 열전도 반사층(30)의 상기 금속층(33)에 의해 반사되어 다시 입광면을 통해서 상방으로 반사될 수 있다.
이 때, 상방으로 반사된 상기 제 2 광(L2), 예컨데 적색광은 상기 발광 소자(10)에서 상방으로 발산되어 상기 투과형 광변환물질(90)을 통해 광변환된 제 3 광(L3), 예컨데 녹색광 및 광변환되지 않고 상기 투과형 광변환물질(90)을 그대로 통과한 상기 발광 소자(10)의 제 1 광(L1), 예컨데 청색광과 혼합되면서 전체적으로 백색광이 구현될 수 있다.
이 때, 상기 반사형 광변환물질(40) 및 상기 투과형 광변환물질(90)에서 발생될 수 있는 나머지 열은 상기 열전도 반사층(30)의 상기 금속층(33)에 의해 전도되어 상기 노출면을 통해 외기로 쉽게 자연 방열되거나 송풍기 등으로 강제 방열될 수 있다.
그러므로, 양자점과 같이 변질되기 쉬운 광변환물질(40)을 반사형으로 구성하고, 형광체와 같은 광변환물질은 투과형으로 구성하여 광학적 성능을 향상시키고, 변질되기 쉬운 양자점이나 형광체 등의 광변환물질을 열이나 수분이나 각종 이물질로부터 보호할 수 있다.
여기서, 상기 투과형 광변환물질(90)은 반드시 형광체에만 국한되지 않고 제 2의 양자점이나 기타 모든 광변환물질에 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)를 나타내는 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 열전도 반사층(30)은, 절연 접착층(70)에 의해 상기 기판(20)에 접착되는 제 1 두께(T1)의 일체형 금속층(33)이고, 상기 투광성 봉지재(50)의 상면의 전면에 걸쳐서 적어도 상기 제 1 광(L1)을 파장이 다른 제 3 광(L3)으로 변환 또는 제 2 광(L2)을 파장이 다른 제 3 광(L3)으로 변환하는 투과형 광변환물질(90)이 설치될 수 있다.
따라서, 상기 투과형 광변환물질(90)이나 상기 반사형 광변환물질(40)에 의해 광변환되지 않고 그대로 반사되거나 통과한 상기 제 1 광(L1)과, 그렇지 않고 광변환된 상기 제 2 광(L2) 및 상기 제 3 광(L3)이 서로 혼합되면서 광학적으로 매우 다양한 색상의 광들이 구현될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)를 나타내는 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)의 투광성 봉지재(50)의 상면의 중심 부분에 홈을 형성하고, 그 홈에 역뿔형 반사체(91)를 설치할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)는 상기 발광 소자(10)에서 발생되어 수직 상방으로 통과되는 빛의 양을 제한할 수 있는 것으로서, 상기 역뿔형 반사체(91)를 이용하여 상기 발광 소자(10)에서 수직 상방으로 발산되는 빛의 전부 또는 일부를 상기 반사형 광변환물질(40) 방향으로 반사시킬 수 있다.
이러한, 상기 역뿔형 반사체(91)는 반사도가 우수한 알루미늄, 은, 백금, 크롬, 구리 등의 금속 또는 수지나 반사 알갱이들이 포함된 반사 봉지재 재질로 이루어질 수 있고, 부분적으로 빛을 통과시킬 있도록 반투광성 재질로 이루어지는 것도 가능하다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 발광 소자(10)와, 상기 발광 소자(10)가 안착되는 기판(20)과, 상기 기판(20)의 상방에 형성되고, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자(10)의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 열전도 반사층(30)과, 상기 발광 소자(10)와 이격되도록 상기 열전도 반사층(30)의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 제 1 광(L1)을 파장이 변환된 제 2 광(L2)으로 변환하는 반사형 광변환물질(40) 및 상기 반사형 광변환물질(40)에서 변환된 빛의 광경로에 배치되는 도광판(110)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 발광 소자(10)와, 상기 기판(20)과, 상기 열전도 반사층(30) 및 상기 반사형 광변환물질(40)은, 도 1 내지 도 5에 도시된 본 발명의 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)(200)(300)(400)들의 구성 요소들과 그 구성 및 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.
또한, 상기 도광판(110)은, 상기 반사형 광변환물질(40)에서 변환된 빛을 유도할 수 있도록 투광성 재질로 제작될 수 있는 광학 부재일 수 있다.
이러한, 상기 도광판(110)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛 또는 상기 반사형 광변환물질(40)에서 변환된 빛의 광경로에 설치되어, 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.
이러한, 상기 도광판(110)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(110)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.
여기서, 도시하지 않았지만, 상기 도광판(110)의 상방에는 각종 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다. 또한, 상기 도광판(110)의 상방에는 LCD 패널 등 각종 디스플레이 패널이 설치될 수 있다.
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 상기 발광 소자 패키지(100)(200)(300)(400)(500)를 포함하는 조명 장치 또는 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치 또는 디스플레이 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 발광 소자
20: 기판
21: 제 1 전극
22: 제 2 전극
30: 열전도 반사층
31: 반사컵부
32: 방열부
33: 금속층
40: 반사형 광변환물질
L1: 제 1 광
L2: 제 2 광
L3: 제 3 광
K: 반사 각도
P: 방열핀
50: 봉지재
60: 투광성 단열층
70: 절연 접착층
T1: 제 1 두께
T: 두께
80: 투광성 봉지재
81: 확산물
90: 투과형 광변환물질
91: 역뿔형 반사체
100: 발광 소자 패키지
110: 도광판
1000: 백라이트 유닛
20: 기판
21: 제 1 전극
22: 제 2 전극
30: 열전도 반사층
31: 반사컵부
32: 방열부
33: 금속층
40: 반사형 광변환물질
L1: 제 1 광
L2: 제 2 광
L3: 제 3 광
K: 반사 각도
P: 방열핀
50: 봉지재
60: 투광성 단열층
70: 절연 접착층
T1: 제 1 두께
T: 두께
80: 투광성 봉지재
81: 확산물
90: 투과형 광변환물질
91: 역뿔형 반사체
100: 발광 소자 패키지
110: 도광판
1000: 백라이트 유닛
Claims (9)
- 발광 소자;
상기 발광 소자가 안착되는 기판;
상기 기판 위에 몰딩 성형되어 형성되는 봉지재;
상기 봉지재의 상방에 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 열전도 반사층; 및
상기 발광 소자와 이격되도록 상기 열전도 반사층의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛을 변환하는 반사형 광변환물질;을 포함하고,
상기 열전도 반사층은,
상기 반사형 광변환물질에서 광변환된 빛을 반사시키도록 반사 각도로 경사지게 형성되고, 상기 봉지재의 내벽을 따라 설치되는 반사컵부; 및
상기 반사컵부와 열적으로 연결되고, 상기 반사형 광변환물질에서 발생되어 상기 반사컵부로 전달된 열을 외부로 방열시킬 수 있도록 외기에 노출되는 노출면이 형성되고, 상기 봉지재의 상면을 따라 설치되는 방열부;를 포함하고,
상기 열전도 반사층은 상기 반사컵부의 내벽을 따라 일정한 두께의 상기 반사형 광변환물질이 도포되며,
상기 반사형 광변환물질을 덮어서 수분이나 열기로부터 보호할 수 있도록 상기 반사컵부의 내부에 투광성 봉지재가 충전되고,
상기 투광성 봉지재의 상면의 일부분에 역뿔형 반사체가 설치되는 것인, 발광 소자 패키지. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사컵부는 알루미늄 재질의 고반사체이고, 상기 방열부는 구리 재질의 고방열체인, 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자의 외표면에 투광성 단열층이 형성되는 것인, 발광 소자 패키지. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 투광성 봉지재의 상면의 일부분 또는 전면에 걸쳐서 투과형 광변환물질이 설치되는 것인, 발광 소자 패키지. - 제 7 항에 있어서,
상기 반사형 광변환물질은 양자점이고,
상기 투과형 광변환물질은 형광체인, 발광 소자 패키지. - 발광 소자;
상기 발광 소자가 안착되는 기판;
상기 기판 위에 몰딩 성형되어 형성되는 봉지재;
상기 봉지재의 상방에 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 발광 소자의 광경로에 설치되며, 열전도성 재질로 이루어지는 열전도 반사층;
상기 발광 소자와 이격되도록 상기 열전도 반사층의 적어도 일부 내벽면을 따라 형성되고, 상기 발광 소자에서 발생된 빛을 변환하는 반사형 광변환물질; 및
상기 반사형 광변환물질에서 변환된 빛의 광경로에 배치되는 도광판;을 포함하고,
상기 열전도 반사층은,
상기 반사형 광변환물질에서 광변환된 빛을 반사시키도록 반사 각도로 경사지게 형성되고, 상기 봉지재의 내벽을 따라 설치되는 반사컵부; 및
상기 반사컵부와 열적으로 연결되고, 상기 반사형 광변환물질에서 발생되어 상기 반사컵부로 전달된 열을 외부로 방열시킬 수 있도록 외기에 노출되는 노출면이 형성되고, 상기 봉지재의 상면을 따라 설치되는 방열부;를 포함하고,
상기 열전도 반사층은 상기 반사컵부의 내벽을 따라 일정한 두께의 상기 반사형 광변환물질이 도포되며,
상기 반사형 광변환물질을 덮어서 수분이나 열기로부터 보호할 수 있도록 상기 반사컵부의 내부에 투광성 봉지재가 충전되고,
상기 투광성 봉지재의 상면의 일부분에 역뿔형 반사체가 설치되는 것인, 백라이트 유닛.
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|---|---|---|---|
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