KR101564592B1 - Gas supply unit and thin film deposition apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가스공급부는 기판을 향해 공정가스를 공급하는 공정가스공급채널, 상기 기판을 향해 활성화된 공정가스를 공급하는 활성화채널, 상기 활성화채널에 구비되어 상기 활성화채널로 공정가스를 공급하며, 상기 공급된 공정가스를 활성화시킬 수 있는 가스활성화유닛 및 잔류가스를 배기하는 적어도 하나의 배기채널을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the gas supply unit. A gas supply unit according to the present invention includes a process gas supply channel for supplying a process gas toward a substrate, an activation channel for supplying a process gas activated toward the substrate, a process gas supply unit for supplying a process gas to the activation channel, A gas activation unit capable of activating the supplied process gas, and at least one exhaust channel for exhausting the residual gas.

Description

가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치 {Gas supply unit and thin film deposition apparatus having the same}[0001] The present invention relates to a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the gas supply unit,

본 발명은 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 원자층증착법에 의해 박막을 증착하는 장치에 있어서 박막의 품질을 향상시키면서 기판의 손상을 방지하고, 나아가 기판 처리량(throughput)을 향상시킬 수 있는 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the same, and more particularly, to an apparatus for depositing a thin film by an atomic layer deposition method, in which damage to the substrate is prevented while improving the quality of the thin film, And a thin film deposition apparatus having the gas supply unit.

반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, '기판'이라 함) 상에 박막을 형성하기 위한 증착법으로종래에 화학기상증착법(CVD ;Chemical Vapor Deposition) 등이 많이 사용되었으나, 최근 들어원자층증착법(ALD ;Atomic Layer Deposition)의 기술이 각광받고 있다.Conventionally, chemical vapor deposition (CVD) has been widely used as a deposition method for forming a thin film on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a substrate). Recently, atomic layer deposition (ALD) Layer Deposition) technology is attracting attention.

박막증착법 중 원자층증착법에 관한 기본 개념을 도면을 참조하여 살펴보면 다음과 같다. 도 15를 참조하여원자층증착법의 기본 개념에 대해서 살펴보면, 원자층증착법은먼저 기판상에 원료를 포함하는 원료가스를 분사한 후 불활성 퍼지 가스를 분사한다. 이어서 미반응 물질을 배기하여 기판상에 단일 원자층을 흡착시키고, 상기 원료와 반응하는 반응물을 포함하는 반응가스를 분사한 후 불활성 퍼지 가스 분사 및 미반응 물질/부산물 배기를 통해 기판상에 단일 원자층을 형성하게 된다.The basic concept of the atomic layer deposition method in the thin film deposition method will be described with reference to the drawings. Referring to FIG. 15, a basic concept of the atomic layer deposition method will be described. In the atomic layer deposition method, a raw material gas containing a raw material is first sprayed on a substrate, and then an inert purge gas is sprayed. Subsequently, the unreacted material is exhausted to adsorb a single atomic layer on the substrate, a reactive gas containing a reactant reacting with the raw material is sprayed, and then inert gas is injected through the inert purge gas and unreacted material / Layer.

원자층증착법에 사용되는 종래 박막증착장치는 원료가스, 반응가스, 퍼지가스 등의 각종 가스를 기판 면에 주입하는 방향 및 방식에 따라 다양한 종류가 존재한다. 그런데, 원자층증착법에 의한 박막증착장치는 우수한 품질의 박막과 기판 처리량(throughput)을 모두 만족시킬 수 없는 문제점을 수반한다. 즉, 우수한 품질의 박막을 달성하는 경우에 기판 처리량(throughput)이 현저히 떨어지는 단점이 있었으며, 반면에 기판 처리량을 향상시키는 경우에는 박막의 품질이 떨어지는 단점을 수반한다. 나아가, 기판 처리량을 향상시키기 위하여 플라즈마와 같은 가스활성화유닛을 사용하는 경우에 기판에 이온이 직접 공급되어 기판의 손상을 가져오거나 또는 기판 이외의 영역에 불필요한 박막이 증착되는 등의 문제점을 수반한다.In the conventional thin film deposition apparatus used in the atomic layer deposition method, various kinds exist depending on the direction and manner of injecting various gases such as a source gas, a reactive gas, a purge gas, etc. onto the substrate surface. However, the thin film deposition apparatus using the atomic layer deposition method has a problem in that it can not satisfy both the thin film having excellent quality and the throughput of the substrate. That is, when the thin film of excellent quality is achieved, there is a disadvantage that the throughput of the substrate is remarkably low. On the other hand, when the throughput of the substrate is increased, the quality of the thin film is deteriorated. Further, when a gas activating unit such as a plasma is used to improve the throughput of the substrate, ions are directly supplied to the substrate to cause damage to the substrate, or an unnecessary thin film is deposited in an area other than the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판 처리량(throughput)을 현저히 향상시키면서 박막의 우수한 품질을 유지할 수 있는 박막증착장치를 제공하는데 목적이 있다. 나아가, 본 발명은 활성화가스를 공급하는 경우에 기판의 손상을 방지하면서 기판 이외의 불필요한 영역에 박막이 증착되지 않도록 하는 박막증착장치를 제공하는데 목적이 있다.또한, 본 발명은 각종 공정가스를 공급하는 가스공급부의 부피를 감소시켜 박막증착장치의 전체 설치면적(footprint)을 줄일 수 있는 박막증착장치를 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus capable of maintaining a good quality of a thin film while significantly improving substrate throughput in order to solve the above problems. It is another object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus that prevents damage to a substrate while supplying an activating gas while preventing a thin film from being deposited in an unnecessary region other than the substrate. And to reduce the total footprint of the thin film deposition apparatus by reducing the volume of the gas supply unit.

상기와 같은 본 발명의 목적은 기판을 향해 공정가스를 공급하는 공정가스공급채널, 상기 기판을 향해 활성화된 공정가스를 공급하는 활성화채널, 상기 활성화채널에 구비되어 상기 활성화채널로 공정가스를 공급하며, 상기 공급된 공정가스를 활성화시킬 수 있는 가스활성화유닛 및 잔류가스를 배기하는 적어도 하나의 배기채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급부에 의해 달성된다.It is an object of the present invention to provide a process gas supply system for supplying a process gas to a substrate, a process gas supply channel for supplying a process gas toward the substrate, an activation channel for supplying a process gas activated toward the substrate, , A gas activation unit capable of activating the supplied process gas, and at least one exhaust channel for exhausting the residual gas.

여기서, 상기 가스활성화유닛은 상기 활성화채널에 구비되는 플라즈마전극으로 이루어질 수 있다. 상기 플라즈마전극은 상기 공정가스가 상기 플라즈마전극과열교환을 하며 유동하는 연결유로와 상기 공정가스를 공급하도록 상기 연결유로와 연결되는 분사구를 포함할 수 있다.Here, the gas activation unit may include a plasma electrode provided on the activation channel. The plasma electrode may include a connection path through which the process gas flows in heat exchange with the plasma electrode, and an injection port connected to the connection path to supply the process gas.

이 경우, 상기 분사구에서 공급되는 공정가스는 상기 활성화채널에 수직 하게 공급될 수 있다. 또한, 상기 가스활성화유닛은 상기 활성화채널의 하부에 구비될 수 있다.In this case, the process gas supplied from the injection port may be supplied perpendicularly to the activation channel. Further, the gas activation unit may be provided under the activation channel.

한편, 상기 활성화채널은 상부가 막히고 하부가 개방되어 상기 공정가스를 상기 기판을 향해 공급할 수 있다.On the other hand, the activation channel may be closed at the top and open at the bottom to supply the process gas toward the substrate.

나아가, 박막공급창치는 전술한 가스공급부를 적어도 하나 구비할 수 있다.Furthermore, the thin film supply window may have at least one of the above-described gas supply portions.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면 기판 또는 가스공급부가 직선경로를 따라 이동하는 중에 공정가스를 비롯한 각종 가스를 공급함으로써 기판 표면에 증착이 균일하게 이루어지도록 하여 우수한 품질의 박막을 제공할 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, various gases including a process gas are supplied while the substrate or the gas supply unit moves along a straight path, so that the deposition is uniformly performed on the surface of the substrate, thereby providing a thin film of excellent quality.

또한, 본 발명에 따른 가스공급부는 가스활성화유닛 중에 플라즈마발생부를 구비하여 라디칼을 제공함으로써 박막의 품질을 향상시키며 증착 시간을 단축할 수 있다. 특히, 라디칼을 제공하는 경우에, 챔버 상부에서 플라즈마 발생부가 구비된 채널로 라디칼을 발생시키는 반응가스를 직접 공급하지 않고 반응가스를 공급하는 채널에서 분사된 반응가스가 플라즈마 발생부가 구비된 채널의 하부로 공급되는 방식을 채용하여 기판의 손상을 방지하면서 우수한 품질의 박막을 제공하는 것이 가능해진다.Further, the gas supply unit according to the present invention may include a plasma generating unit in the gas activation unit to improve the quality of the thin film and shorten the deposition time by providing radicals. Particularly, in the case of providing the radical, the reaction gas injected from the channel for supplying the reaction gas without directly supplying the reaction gas for generating the radical from the upper part of the chamber to the channel provided with the plasma generating part, It is possible to provide a thin film of excellent quality while preventing the substrate from being damaged.

또한, 본 발명에 따른 가스공급부는 플라즈마발생부가 구비된 채널로 반응 가스를 공급하는 경우에 상기 반응가스를 공급하는 채널을 별도로 구비하지 않고 상기 가스활성화유닛에 의해 반응가스를 공급하여 상기 반응가스를 공급하는 채널을 생략함으로써 상기 가스공급부의 부피를 감소시킬 수 있게 된다. 또한, 이에 의해 동일한 부피의 박막증착장치에 구비할 수 있는 가스공급부의 숫자를 늘릴 수 있으며, 또는 박막증착장치의 전체 설치면적을 줄일 수 있다.Further, the gas supply unit according to the present invention may be configured such that, when supplying the reaction gas to the channel provided with the plasma generation unit, the reaction gas is supplied by the gas activation unit without separately providing a channel for supplying the reaction gas, The volume of the gas supply unit can be reduced by omitting the supply channel. In addition, the number of gas supply units that can be provided in the thin film deposition apparatus of the same volume can be increased, or the total installation area of the thin film deposition apparatus can be reduced.

도 1은 일 실시 예에 따른 박막증착장치를 도시한 측단면도,
도 2는 일 실시 예에 따른 가스공급부의 구성을 도시한 측단면도,
도 3은 도 2에서 반응가스의 활성화 단계를 도시한 개략도,
도 4는 다른 실시 예에 따른 가스공급부의 구성을 도시한 측단면도,
도 5는 도 4에서 반응가스공급채널을 확대해서 보여주는 일부 측단면도,
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 선에 따른 단면도,
도 7내지 도 13은 다른 실시 예에 따른 가스공급부의 구성을 도시한 측단면도,
도 14은 본 발명에 따른 박막증착장치의기본 개념을 도시한 개략도,
도 15는 종래 ALD 장치의 기본 개념을 도시하는 개략도이다.1 is a side sectional view showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment,
2 is a side cross-sectional view showing the configuration of a gas supply unit according to an embodiment,
FIG. 3 is a schematic view showing an activation step of the reaction gas in FIG. 2,
4 is a side cross-sectional view showing a configuration of a gas supply unit according to another embodiment,
Fig. 5 is a partial side sectional view showing an enlarged view of the reaction gas supply channel in Fig. 4,
6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in Fig. 5,
FIGS. 7 to 13 are side cross-sectional views illustrating the configuration of a gas supply unit according to another embodiment;
14 is a schematic view showing a basic concept of a thin film deposition apparatus according to the present invention,
15 is a schematic diagram showing the basic concept of a conventional ALD apparatus.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 박막증착장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a thin film deposition apparatus according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일 실시 예에 따른 박막증착장치(1000)의 내부 구성을 도시하기 위한 측단면도이다.FIG. 1 is a side cross-sectional view illustrating an internal structure of a thin film deposition apparatus 1000 according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 박막증착장치(1000)는 내부에 소정의 공간을 구비하여 기판이 내부에 수용되어 증착 작업이 수행되는 챔버(110)와 기판을 인입 및 인출하는 기판인입인출수단(미도시)을 구비한다. 한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 챔버(110)의 일측에 연결되어 진공 또는 대기압 상태로 전환이 가능한 로드록실 및 증착을 진행할 기판이 적재되어 있는 복수 개의 보트와 증착이 완료된 기판을 적재하는 복수 개의 보트를 더 구비할 수 있다.Referring to FIG. 1, a thin film deposition apparatus 1000 includes a chamber 110 having a predetermined space therein, in which a substrate is accommodated and a deposition operation is performed, and substrate inlet / outlet means (not shown) ). Although not shown in the drawing, a load lock chamber connected to one side of the chamber 110 and capable of switching to a vacuum or atmospheric pressure state, and a plurality of boats on which a substrate to be vapor deposited is mounted, and a plurality of You can have more boats.

구체적으로, 박막증착장치(1000)는 내부에 소정의 공간을 구비하는챔버(110)와, 상기 챔버(110) 내부에 구비되어 기판(W)이 안착 되는 기판지지부(150)와,가스공급부(200)를 구비할 수 있다. 여기서, 상기 가스공급부(200)는 상기 기판(W)을 향해 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 공정가스공급채널(도 2 참조, 210, 230)과 상기 공정가스를 활성화시키는 가스활성화유닛(도 2 참조, 300)을 구비하는 활성화채널(도 2 참조, 240)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 가스공급부(200)는 상기 기판지지부(150)와 소정 간격을 두고 구비되어 상기 기판지지부(150)와 상대 이동하도록 구성될 수 있다. 한편,기판(W)을 챔버(110) 내부로 인입시키거나, 또는 챔버(110) 내부에서 인출시키는 기판인입인출수단을 포함할 수 있다.The thin film deposition apparatus 1000 includes a chamber 110 having a predetermined space therein, a substrate supporter 150 disposed inside the chamber 110 to support the substrate W, a gas supply unit 200 may be provided. Here, the gas supply unit 200 includes at least one process gas supply channel (see FIG. 2, 210 and 230) for supplying a process gas toward the substrate W and a gas activation unit for activating the process gas (See FIG. 2, 240) having an active channel 300 (see FIG. 2). The gas supply unit 200 may be spaced apart from the substrate support unit 150 to be movable relative to the substrate support unit 150. The substrate W may include a substrate drawing-out means for drawing the substrate W into the chamber 110 or drawing the substrate W out of the chamber 110.

챔버(110)는 내부에 기판(W)을 수용하여 기판에 대한 증착 작업 등을 수행하며, 각종 구성요소를 구비할 수 있는 공간을 제공한다. 나아가, 내부의 공기를 배기하는 펌프(미도시)와 같은 진공장비에 의해 내부를 진공상태로 유지하여 증착 작업 등과 같은 기판 처리 작업을 수행할 수 있는 환경을 제공한다.The chamber 110 accommodates the substrate W therein to perform a deposition operation on the substrate, and provides a space for providing various components. Furthermore, it provides an environment in which a substrate processing operation such as a deposition operation or the like can be performed by keeping the inside in a vacuum state by a vacuum equipment such as a pump (not shown) for exhausting air inside.

챔버(110)는 구체적으로 내부에 소정의 공간을 구비하며 상부가 개구된 챔버몸체(130)와 챔버몸체(130)의 개구된 상부를 개폐하는 챔버리드(120)를 포함한다. 챔버몸체(130)의 일측에는 기판(W)이 챔버(110)의 내부로 인입 및 인출되는 개구부(134)를 구비한다.The chamber 110 includes a chamber body 130 having an upper opening and a chamber lid 120 for opening and closing an opened upper portion of the chamber body 130. One side of the chamber body 130 has an opening 134 through which the substrate W is drawn into and drawn out of the chamber 110.

본실시예에서기판인입인출수단은챔버(110)에 연결되어 챔버(110) 내부로 기판을 인입하거나 또는 증착이 완료된 기판(W)을 챔버(110) 외부로 인출하는 역할을 하게 된다. 기판(W)이 대형화되는 경우에 기판인입인출수단은 기판(W)을 챔버(110) 내부로 인입하는 기판 인입부와 기판(W)을 챔버(110) 외부로 인출하는 기판 인출부를 별개로 구비할 수 있다.The substrate withdrawing and withdrawing means is connected to the chamber 110 to pull the substrate into the chamber 110 or to draw the substrate W having been deposited to the outside of the chamber 110. When the substrate W is increased in size, the substrate drawing-out means includes a substrate drawing portion for drawing the substrate W into the chamber 110 and a substrate drawing portion for drawing the substrate W out of the chamber 110 separately can do.

한편, 챔버(110)의 챔버리드(120)에는 공정가스 및 퍼지가스 중에 적어도 하나를 공급하는 가스공급부(200)를 구비하는 바, 이에 대해서는 이후에 상세히 살펴본다.Meanwhile, the chamber lid 120 of the chamber 110 is provided with a gas supply unit 200 for supplying at least one of a process gas and a purge gas, which will be described in detail later.

챔버(110)의 내부에는 기판(W)이 안착되는 기판지지부(150)가 구비된다. 기판지지부(150)는 가스공급부(200)와 상대이동을 하도록 구비된다. 즉, 상기 기판지지부(150)와 상기 가스공급부(200) 중에 적어도 하나가 다른 하나에 대해 평행한 방향으로 소정거리 상대 이동하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 가스공급부(200) 및 기판지지부(150)가 모두 상대 이동하도록 구성되거나, 또는 상기 가스공급부(200) 및 기판지지부(150) 중에 어느 하나가 다른 하나에 대해 상대 이동하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가스공급부(200)는 고정되고 기판지지부(150)가 이동을 하거나 또는 기판지지부(150)와 가스공급부(200)가 모두 이동하도록 구성될 수 있다.In the chamber 110, a substrate support 150 on which the substrate W is mounted is provided. The substrate support 150 is provided to move relative to the gas supply 200. That is, at least one of the substrate support part 150 and the gas supply part 200 may be configured to move relative to the other at a predetermined distance. For example, the gas supply unit 200 and the substrate support unit 150 may be configured to move relative to each other, or one of the gas supply unit 200 and the substrate support unit 150 may be configured to move relative to the other . For example, the gas supply unit 200 may be fixed and configured such that the substrate support unit 150 moves or both the substrate support unit 150 and the gas supply unit 200 move.

그런데, 기판(W)이 대형화, 대면적화 되는 경우에 챔버(110) 내부에서 기판(W)이 이동하기 위해서는 챔버(110)의 대형화를 필요로 하며, 이는 장치 전체의 설치면적(footprint)을 늘리는 요인으로 작용한다. 따라서, 본 실시예에서는 대형화, 대면적화된 기판(W)에 대해서도 증착작업이 가능하도록 증착작업 중에 기판(W)이 고정되고 가스공급부(200)가 기판(W)에 대해 이동을 하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가스공급부(200)는 기판(W)에 대해 평행한 방향으로 소정거리 직선 이동 가능하게 구비될 수 있다. 한편, 이와 같이 기판(W)이 직선경로를 따라 상대 이동하게 되면, 기판의 표면 영역이 모두 동일한 속도로 이동하게 되므로 증착 작업을 수행하는 중에 증착 두께가 달라질 우려가 없게 된다.However, in order to move the substrate W within the chamber 110 when the substrate W is enlarged or enlarged, it is necessary to increase the size of the chamber 110, which increases the footprint of the entire apparatus . Therefore, in this embodiment, the substrate W may be fixed during the deposition operation so that the deposition operation can be performed on the enlarged or large-sized substrate W, and the gas supply unit 200 may be configured to move with respect to the substrate W have. For example, the gas supply unit 200 may be provided so as to be movable linearly at a predetermined distance in a direction parallel to the substrate W. On the other hand, when the substrate W moves relatively along the linear path, the surface area of the substrate moves all at the same speed, so that there is no possibility that the thickness of the deposition varies during the deposition operation.

한편 기판지지부(150)의 하부에는 기판(W)을 가열하는 가열부(170)를 구비할 수 있다. 가열부(170)는 기판(W)을 지지하는 기판지지부(150)에서 소정거리 이격된 하부에 구비되어 기판(W)을 가열하게 된다.Meanwhile, a heating unit 170 for heating the substrate W may be provided below the substrate supporting unit 150. The heating unit 170 is provided at a lower portion spaced apart from the substrate supporting unit 150 for supporting the substrate W to heat the substrate W. [

구체적으로 가열부(170)는 기판지지부(150)의 이동경로를 따라 구비된다. 가열부(170)는 예를 들어 적어도 하나 이상의 가열플레이트(172)와 상기 가열플레이트(172)를 지지하는 지지부(174)를 포함하여 구성될 수 있다. 가열플레이트(172)는 기판(W)을 가열하기 위하여 기판(W)을 지지하는 기판지지부(150)에서 소정거리 이격되어 구비된다. 이하, 도면을 참조하여 가스공급부(200)에 대해서 상세하게 살펴본다.Specifically, the heating unit 170 is provided along the movement path of the substrate supporting unit 150. The heating portion 170 may include at least one heating plate 172 and a supporting portion 174 for supporting the heating plate 172. The heating plate 172 is spaced a predetermined distance from the substrate support 150 that supports the substrate W to heat the substrate W. Hereinafter, the gas supply unit 200 will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1에서 가스공급부(200)를 확대해서 도시한 단면도로서, 가스공급부(200)의 구체적인 구성을 도시한다. 이하, 가스공급부의 구성에 대해서 상세히 살펴보도록 한다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the gas supply unit 200 in FIG. 1, showing a specific configuration of the gas supply unit 200. Hereinafter, the configuration of the gas supply unit will be described in detail.

도 2를 참조하면, 가스공급부(200)는 기판(W)을 향해 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 공정가스공급채널(210, 230)과, 상기 공정가스를 활성화시키는 가스활성화유닛(300)을 구비하는 활성화채널(240)을 구비할 수 있다.2, the gas supply unit 200 includes at least one process gas supply channel 210 and 230 for supplying a process gas toward the substrate W, and a gas activation unit 300 for activating the process gas (Not shown).

본 실시 예에서 설명하는 가스활성화유닛(300)은 공정가스를활성화시켜활성화원자또는라디칼형태의공정가스를공급하게된다. 여기서, 가스활성화유닛(300)은 플라즈마발생부, 초고주파발생부, 자외선 조사부, 레이저 조사부 중 어느 하나의 형태로 제공될수있다. The gas activation unit 300 described in this embodiment activates the process gas to supply the process gas in the form of activated atoms or radicals. Here, the gas activating unit 300 may be provided in any one of a plasma generating unit, a microwave generating unit, an ultraviolet irradiating unit, and a laser irradiating unit.

여기서, 가스활성화유닛(300)이 초고주파 발생부 형태로 마련되는 경우, 초고주파 발생부는 109 Hz 이상의 초고주파를 이용하여 공정가스를 활성화시킨다. 초고주파 발생부가 초고주파를 인가하게 되면, 공정가스가활성화원자 또는 라디칼 상태로 전환되어 기판(W) 방향으로 분사될수있다.Here, when the gas activation unit 300 is provided in the form of a very high frequency generator, the very high frequency generator activates the process gas by using a very high frequency of 10 9 Hz or more. When the very high frequency generator is applied with a very high frequency, the process gas can be converted into an activated atom or a radical state and sprayed toward the substrate W.

또한, 가스활성화유닛(300)이 자외선 조사부 형태로 마련되는 경우, 자외선 조사부에 의해 조사된 자외선에 의해 공정가스가활성화 원자 또는 라디칼 상태로 전환되어 기판(W) 방향으로 분사될 수 있다.When the gas activating unit 300 is provided in the form of an ultraviolet ray irradiating unit, the ultraviolet ray irradiated by the ultraviolet ray irradiating unit can convert the process gas into an activated atom or a radical and be injected toward the substrate W.

또한, 가스활성화유닛(300)이 레이저 조사부 형태로 마련되는 경우, 레이저 조사부에 의해 조사된 레이저에 의해 공정가스가 활성화 원자 또는 라디칼 상태로 전환되어 기판(W) 방향으로 분사될 수 있다.Further, when the gas activating unit 300 is provided in the form of a laser irradiating unit, the process gas can be converted into an activated atom or a radical state by the laser irradiated by the laser irradiating unit and sprayed toward the substrate W.

이하에서는 가스활성화유닛(300)으로 플라즈마발생부를 상정하여 설명한다.가스활성화유닛(300)으로 플라즈마발생부를 구비하는 경우에 활성화채널(240)의 일측 내벽에 전원이 공급되는 플라즈마전극(310)이 구비되고, 활성화채널(240)의 타측 내벽이 접지되어 접지전극의 역할을 할 수 있다. 이 경우, 활성화채널(240)의 일측 내벽에 차폐부재(312)를 포함하고, 차폐부재(312)에 의해 플라즈마전극(310)을 지지할 수 있다. 차폐부재(312)에 의해 플라즈마전극(310)과 가스공급부(200)가 전기적으로 분리되어 플라즈마전극(310)이가스공급부(200)로부터 전기적으로 차폐된다. 이 경우, 차폐부재(312)는 플라즈마전극(310)을 전기적으로 차폐할 뿐만 아니라, 플라즈마전극(310)을 지지하는 지지부의 역할도 하게 된다.Hereinafter, a plasma generating unit is assumed as the gas activating unit 300. When the plasma generating unit is provided as the gas activating unit 300, the plasma electrode 310 to which power is supplied to one inner wall of the activating channel 240 And the other inner wall of the activation channel 240 may be grounded to serve as a ground electrode. In this case, the shielding member 312 may be included on the inner wall of one side of the activation channel 240, and the plasma electrode 310 may be supported by the shielding member 312. The plasma electrode 310 and the gas supply unit 200 are electrically separated by the shielding member 312 so that the plasma electrode 310 is electrically shielded from the gas supply unit 200. In this case, the shielding member 312 not only shields the plasma electrode 310 electrically, but also serves as a support for supporting the plasma electrode 310.

본 실시 예에서 가스공급부(200)는 상기 기판(W)을 향해 원료가스를 공급하는 원료가스공급채널 또는 제1 공급채널(210)과, 상기 기판(W)을 향해 반응가스를 공급하는 반응가스공급채널 또는 제2 공급채널(230)을 구비할 수 있으며, 나아가 상기 제2 공급채널(230)에서 공급되는 반응가스가 상기 활성화채널(240)로 공급되도록 구성된다. 즉, 가스활성화유닛(300)이 구비된 활성화채널(240)로 반응가스를 직접 공급하는 것이 아니라 제2 공급채널(230)에서 공급되는 반응가스가 활성화채널(240)로 유입 또는 공급되도록 하는 소위 '간접공급' 방식을 채택하고 있다. 본 실시 예에서 상기와 같이 가스활성화유닛(300)으로 반응가스를 공급하는 경우에 간접공급방식을 채택하는 이유는 다음과 같다.In this embodiment, the gas supply unit 200 includes a source gas supply channel or a first supply channel 210 for supplying a source gas toward the substrate W, a reaction gas A supply channel or a second supply channel 230 and the reaction gas supplied from the second supply channel 230 is supplied to the activation channel 240. That is, the reaction gas is not directly supplied to the activation channel 240 provided with the gas activation unit 300, but the reaction gas supplied from the second supply channel 230 is supplied or supplied to the activation channel 240 'Indirect supply' method is adopted. The reason why the indirect supply system is adopted when the reaction gas is supplied to the gas activation unit 300 as described above in the present embodiment is as follows.

일반적으로 가스활성화유닛을 활용하여 공정가스를 활성화시켜 기판에 대한 증착을 수행하는 장치의 경우, 상기 가스활성화유닛이 구비된 공간, 영역 또는 채널 등으로 공정가스 중에 하나, 예를 들어 O2와 같은 반응가스를 직접 공급하게 된다. 이 경우, 반응가스는 상기 가스활성화유닛에 의해 활성화되어 하부의 기판을 향해 공급되어 증착공정이 수행된다.One of the process gas generally for devices that by utilizing gas activation unit to activate the process gas to perform the deposition on the substrate, and the gas activated the unit is provided with space, region or channel, such as, for example, such as O 2 The reaction gas is directly supplied. In this case, the reactive gas is activated by the gas activating unit and supplied toward the lower substrate to perform the deposition process.

그런데, 종래 장치의 구성에 따르면 가스활성화유닛이 구비된 공간, 영역 또는 채널 등으로 반응가스가 직접 공급되므로 반응가스가 활성화되는 경우에 가스활성화유닛 및/또는 상기 가스활성화유닛이 구비된 영역의 내벽 등에 원하지 않는 막이 형성될 수 있다. 이러한 막이 형성되는 경우에 가스활성화유닛의 효율을 현저히 떨어뜨릴 수 있으므로 상기 원하지 않는 영역에 증착된 막을 주기적으로 제거할 필요가 있으며, 이는 증착장치의 유지보수에 소요되는 시간 및 비용을 늘리게 된다. 또한, 종래 장치의 경우에 가스활성화유닛에 의해 반응가스가 활성화되면 플라즈마가 형성되는데, 상기 플라즈마는 라디칼 상태뿐만 아니라 이온 상태의 반응가스를 포함하게 되어, 상기 이온상태의 반응가스에 의해 기판(W)이 손상을 받을 우려가 있다. 따라서, 본 실시 예에 따른 가스공급부(200)는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 가스활성화유닛(300)을 구비하는 경우에 가스활성화유닛(300)이 장착된 활성화채널(240)로 직접 반응가스를 공급하지 않으며, 반응가스를 공급하는 제2 공급채널(230)에서 공급된 반응가스가 활성화채널(240)로 유입 또는 공급되도록 한다.However, according to the configuration of the conventional device, since the reaction gas is directly supplied to the space, the area, or the channel provided with the gas activating unit, when the reactive gas is activated, the gas activating unit and / An undesired film may be formed on the surface. It is necessary to periodically remove the film deposited in the undesired region because the efficiency of the gas activation unit can be significantly lowered when such a film is formed, which increases the time and cost of maintenance of the deposition apparatus. In the case of the conventional apparatus, when the reaction gas is activated by the gas activation unit, a plasma is formed. The plasma includes a reactive gas in an ionic state as well as a radical state, ) May be damaged. Accordingly, in order to solve the above-described problems, the gas supply unit 200 according to the present embodiment is provided with the gas activation unit 300, So that the reactant gas supplied from the second supply channel 230 for supplying the reactant gas flows into or is supplied to the activation channel 240.

구체적으로, 활성화채널(240)은 상부가 밀폐되고 하부의 기판(W)을 향해 개방된 개구부를 가질 수 있다. 이 경우, 활성화채널(240)의 상부는 챔버리드(120)의 개구부를 밀폐하는 커버(202)에 의해 차폐될 수 있다. 한편, 가스공급부(200)에서 상기 제2 공급채널(230)과 상기 활성화채널(240)은 서로 이웃하여 구비될 수 있다. 즉, 활성화채널(240)과 이웃하여 제2 공급채널(230)을 구비하고, 제2 공급채널(230)의 하부를 통해 공급된 반응가스가 이웃한 활성화채널(240)로 유입되도록 한다. 활성화채널(240)은 전술한 바와 같이, 상기 기판(W)을 향해 개방되어 있으며, 도면에 도시된 바와 같이 상기 활성화채널(240)의 하부에 개구부(242)를 구비하고, 상기 개구부(242)를 통해 상기 제2 공급채널(230)에서 공급되는 공정가스가 상기 활성화채널(240)로 공급되어 가스활성화유닛(300)에 의해 활성화된다. 나아가, 상기 가스활성화유닛(300)에 의해 활성화된 공정가스가 상기 활성화채널(240)을 통해 기판(W) 상으로 공급되어, 상기 기판(W) 및 가스공급부(200) 사이에서 유동하는 비활성 공정가스를 활성화시키게된다.Specifically, the activation channel 240 may have an opening that is closed at the top and open toward the bottom substrate W. In this case, the upper portion of the activation channel 240 may be shielded by a cover 202 that seals the opening of the chamber lid 120. Meanwhile, in the gas supply unit 200, the second supply channel 230 and the activation channel 240 may be adjacent to each other. That is, the second supply channel 230 is adjacent to the activation channel 240, so that the reaction gas supplied through the lower portion of the second supply channel 230 flows into the neighboring activation channel 240. The activation channel 240 is open toward the substrate W and has an opening 242 at the bottom of the activation channel 240 as shown in the figure, The process gas supplied from the second supply channel 230 is supplied to the activation channel 240 and is activated by the gas activation unit 300. Further, a process gas activated by the gas activation unit 300 is supplied onto the substrate W through the activation channel 240, and is subjected to an inactive process Thereby activating the gas.

도 3은 본 실시 예에 따른 가스공급부(200)에서 반응가스가 활성화되는 반응과정을 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시한 개략도이다.3 is a schematic view schematically illustrating the reaction process of activating the reaction gas in the gas supply unit 200 according to the present embodiment for convenience of explanation.

도 3을 참조하면, 이웃한 제2 공급채널(230)에서 공급된 반응가스, 예를 들어 O2 가스는 기판(W)의 상부를 따라 유동하는 중에 활성화채널(240)의 하부에 형성된 개구부(242)를 통하여 활성화채널(240)의 내부로 유입된다. 활성화채널(240)의 내부로 유입된 O2 가스는 가스활성화유닛(300)에 의해 활성화되어 이온 또는 라디칼 상태로 전환된다. 이와 같이 이온 또는 라디칼 상태로 전환된 O2 가스는 이웃한 O2 가스에도 영향을 미치어 이웃한 비활성화된 O2 가스도 이온 또는 라디칼 상태로 전환시키게 된다. 따라서, 가스활성화유닛(300)에 인접한 영역(A)에서는 가스활성화유닛(300)에 의해 직접 활성화된 O2 가스가 존재하게 되며, 가스활성화유닛(300)에서 다소 이격된 영역(B), 예를 들어 활성화채널(240)의 하부 영역, 또는 활성화채널(240)과 기판(W) 사이의 영역에는 활성화된 가스에 의해 간접적으로 활성화된 O2 가스가 존재하게 된다. 따라서, 기판(W)을 향해서 반응가스가 공급되는 경우에 이온에 의한 손상을 줄이어 기판(W)의 손상을 방지하는 것이 가능해진다. 한편, 본 실시예와 같은 구성에서는 활성화채널(240)로 직접 반응가스가 공급되지 않으므로 가스활성화유닛(300) 등에 증착되는 막을 최대한 줄일 수 있다. 결국, 본 실시 예에서는 종래 장치의 가스공급부의 가스활성화유닛에 발생할 수 있는 문제점을 해결할 수 있게 된다. 이하, 도 2를 참조하여 가스공급부(200)의 구체적인 구성에 대해서 살펴보기로 한다.3, a reactive gas, for example, O 2 gas, supplied from a neighboring second supply channel 230 flows through an opening (not shown) formed in the lower portion of the activation channel 240 242 to the interior of the activation channel 240. The O 2 gas introduced into the activation channel 240 is activated by the gas activation unit 300 to be converted into an ionic or radical state. The O 2 gas thus converted to an ionic or radical state also affects the neighboring O 2 gas, thereby converting the neighboring inactivated O 2 gas to an ionic or radical state. Therefore, in the region A adjacent to the gas activation unit 300, O 2 gas directly activated by the gas activation unit 300 is present, and the region B, which is slightly spaced from the gas activation unit 300, The O 2 gas indirectly activated by the activated gas is present in the lower region of the activation channel 240 or in the region between the activation channel 240 and the substrate W. [ Therefore, when the reaction gas is supplied toward the substrate W, it is possible to prevent damage to the substrate W by reducing the damage caused by the ions. On the other hand, since the reactive gas is not directly supplied to the activation channel 240 in the structure similar to the present embodiment, the film deposited on the gas activation unit 300 or the like can be minimized. As a result, this embodiment can solve the problems that may occur in the gas activation unit of the gas supply unit of the conventional apparatus. Hereinafter, a specific configuration of the gas supply unit 200 will be described with reference to FIG.

도 2를 참조하면, 가스공급부(200)는 챔버리드(120)의 개구부를 밀폐하는 커버(202)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the gas supply unit 200 includes a cover 202 for sealing the opening of the chamber lid 120.

커버(202)는 챔버리드(120)의 상부에 구비되며, 챔버리드(120)의 개구부를 밀폐하는 역할을 하게 된다. 따라서, 도면에는 도시되지 않았지만 커버(202)와 챔버리드(120) 사이에는 밀폐를 위한 가스킷(미도시)을 구비할 수 있다. 커버(202)에는 이후 상세히 살펴보는 공정가스공급채널(210, 230)로 공정가스를 공급하거나, 또는 배기 되는 가스를 위한 각종 라인을 구비할 수 있다.The cover 202 is provided at an upper portion of the chamber lid 120 to seal the opening of the chamber lid 120. Therefore, although not shown in the drawings, a gasket (not shown) may be provided between the cover 202 and the chamber lid 120 for sealing. The cover 202 may be supplied with process gas to the process gas supply channels 210 and 230, which will be described in detail later, or may have various lines for gas to be exhausted.

구체적으로 커버(202)에는 원료가스(또는 '제1 공정가스')를 공급하기 위한 제1 공급라인(410)을 구비할 수 있다. 제1 공급라인(410)은 원료가스 공급원(미도시)과 연결되어 원료가스를 후술하는 가스공급부(200)의 제1 공급채널(210)로 공급하게 된다. 나아가, 커버(202)에는 반응가스(또는 '제2 공정가스')를 공급하기 위한 제2 공급라인(430)을 더 구비할 수 있다. 제2 공급라인(430)은 반응가스 공급원(미도시)과 연결되어 반응가스를 제2 공급채널(230)을 향해서 공급할 수 있다. 또한, 커버(202)에는 공정가스공급채널(210, 230)에서 공급된 공정가스를 배기하기 위한 배기라인(420, 440)을 더 구비할 수 있다. 상기 배기라인(420, 440)은 펌핑부(미도시)와 연결되어 펌핑부의 펌핑에 의해 챔버(110) 내부의 잔류가스를 배기하게 된다.Specifically, the cover 202 may be provided with a first supply line 410 for supplying a source gas (or 'first process gas'). The first supply line 410 is connected to a source gas supply source (not shown) to supply the source gas to the first supply channel 210 of the gas supply unit 200, which will be described later. Further, the cover 202 may further include a second supply line 430 for supplying a reactive gas (or a 'second process gas'). The second supply line 430 may be connected to a reactive gas supply source (not shown) to supply the reactive gas toward the second supply channel 230. The cover 202 may further include exhaust lines 420 and 440 for exhausting the process gas supplied from the process gas supply channels 210 and 230. The exhaust lines 420 and 440 are connected to a pumping unit (not shown) to exhaust the residual gas inside the chamber 110 by pumping the pumping unit.

전술한 바와 같이, 가스공급부(200)는 공정가스, 즉, 원료가스 및/또는 반응가스를 공급하기 위한 공정가스공급채널(210, 230)을 구비하게 된다. 공정가스공급채널(210, 230)은 가스공급부(200)에 적어도 하나 구비되며, 바람직하게 복수 개 구비 될 수 있다. 상기 공정가스공급채널은 원료가스를 공급하는 적어도 하나의 제1 공급채널(210)과 반응가스를 공급하는 적어도 하나의 제2 공급채널(230)을 구비할 수 있다. 또한, 가스공급부(200)는 상기 기판(W) 및 가스공급부(200) 사이에서 유동하는 잔류가스를 배기하는 배기채널(220, 250)을 더 구비할 수 있다.As described above, the gas supply unit 200 is provided with process gas supply channels 210 and 230 for supplying a process gas, that is, a source gas and / or a reaction gas. At least one of the process gas supply channels 210 and 230 may be provided in the gas supply unit 200, and preferably, a plurality of process gas supply channels 210 and 230 may be provided. The process gas supply channel may include at least one first supply channel 210 for supplying a source gas and at least one second supply channel 230 for supplying a reactive gas. The gas supply unit 200 may further include exhaust channels 220 and 250 for exhausting the residual gas flowing between the substrate W and the gas supply unit 200.

본 실시 예에 따른 가스공급부(200)는 중앙에 원료가스를 공급하는 상기 제1 공급채널(210)을 구비하고, 제1 공급채널(210)을 중심으로 대칭적으로 구성될 수 있다. 구체적으로 제1 공급유닛(212)을 구비하고, 상기 제1 공급유닛(212)의 내측에 제1 공급채널(210)을 구비할 수 있다.The gas supply unit 200 according to the present embodiment includes the first supply channel 210 for supplying the source gas to the center and may be configured symmetrically about the first supply channel 210. Specifically, a first supply unit 212 may be provided, and a first supply channel 210 may be provided inside the first supply unit 212.

이러한 구성은 기판(W)과 가스공급부(200)의 상대적인 이동이 소정거리를 왕복하는 왕복운동인 경우에 유리하다. 예를 들어, 기판(W)이 소정 길이의 직선경로를 구비한 이동경로를 따라 왕복운동 하는 경우에 가스공급부(200)를 하나 구비하는 경우에도 상기 가스공급부(200)의 하부를 따라 이동하는 기판(W)에 충분한 증착이 이루어질 수 있다. 또한, 기판(W)이 일방향 및 상기 일방향에 반대되는 반대방향으로 왕복운동 하는 경우에 어느 방향으로 이동하는 중에도 증착이 이루어지도록 가스공급부(200)는 중앙부의 제1 공급채널(210)을 중심으로 대칭적으로 구성되는 것이 유리하다.This configuration is advantageous in the case where the relative movement of the substrate W and the gas supply part 200 is a reciprocating motion reciprocating a predetermined distance. For example, even when the substrate W reciprocates along a movement path having a straight path of a predetermined length, even if the gas supply unit 200 is provided, the substrate W moves along the lower portion of the gas supply unit 200, (W) can be sufficiently deposited. In addition, when the substrate W reciprocates in one direction and the opposite direction to the one direction, the gas supply unit 200 may be disposed at the center of the first supply channel 210 It is advantageous to be symmetrically constructed.

제1 공급채널(210)은 전술한 제1 공급라인(410)에서 원료가스를 공급받아 하부의 기판(W)을 향해 공급하게 된다. 한편, 가스공급부(200)는 상기 제1 공급채널(210)의 양측으로 원료가스를 배기하는 한 쌍의 제1 배기채널(220)을 구비할 수 있다. 제1 공급채널(210)에서 공급된 원료가스가 후술하는 반응가스와 혼합되는 것을 방지하기 위하여 제1 공급채널(210)을 중심으로 한 쌍의 제1 배기채널(220)을 대칭적으로 구비하게 된다.The first supply channel 210 supplies the raw material gas to the lower substrate W through the first supply line 410 described above. The gas supply unit 200 may include a pair of first exhaust channels 220 for exhausting the raw material gas to both sides of the first supply channel 210. In order to prevent the source gas supplied from the first supply channel 210 from being mixed with the reaction gas to be described later, a pair of first exhaust channels 220 symmetrically provided around the first supply channel 210 do.

상기 제1 배기채널(220)에 인접해서 반응가스를 공급하는 제2 공급채널(230)을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 제2 공급채널(230)은 전술한 제1 공급채널(210)을 중심으로 대칭적으로 구비된다. 상기 제2 공급채널(230)은 전술한 제2 공급라인(430)에서 반응가스를 공급받아 하부의 기판(W)을 향해서 공급하게 된다. 구체적으로 제2 공급유닛(232)을 구비하고, 상기 제2 공급유닛(232)의 내측에 제2 공급채널(230)을 구비할 수 있다.And a second supply channel 230 for supplying the reaction gas adjacent to the first exhaust channel 220. Here, the second supply channel 230 is provided symmetrically with respect to the first supply channel 210 described above. The second supply channel 230 is supplied with the reaction gas from the second supply line 430 toward the lower substrate W. Specifically, a second supply unit 232 may be provided, and a second supply channel 230 may be provided inside the second supply unit 232.

이 경우, 전술한 제1 배기채널(220)은 제1 공급유닛(212)과 제2 공급유닛(232) 사이의 공간에 구비된다. 즉, 제1 배기채널(220)을 위한 별도의 유닛을 필요로 하지 않게 되어 가스공급부를 구성하는 재료비를 줄일 수 있으며 나아가 전체 부피도 줄일 수 있다.In this case, the first exhaust channel 220 is provided in the space between the first supply unit 212 and the second supply unit 232. That is, no separate unit for the first exhaust channel 220 is required, so that the material cost of the gas supply unit can be reduced, and the total volume can be reduced.

또한, 가스공급부(200)는 상기 제2 공급채널(230)에 이웃해서 활성화채널(240)을 구비할 수 있다. 활성화채널(240)은 상부가 밀폐되고 하부에 개구부(242)가 형성되어 기판(W)을 향해 열린 형상을 가지게 된다. 활성화채널(240)은 전술한 바와 같이 반응가스를 활성화시키는 가스활성화유닛(300)을 구비하며, 이웃한 제2 공급채널(230)에서 공급되는 반응가스가 하부의 개구부(242)를 통하여 활성화채널(240)로 유입되어 활성화된 반응가스를 제공하게 된다. 이러한 활성화채널(240)의 구성 및 동작에 대해서는 이미 상술하였으므로 반복적인 설명은 생략한다.따라서, 상기 가스공급부(200)는 상기 제1 공급채널(210)을 중심으로 잔류가스를 배기하는 제1 배기채널(220), 반응가스를 공급하는 제2 공급채널(230)이 대칭적으로 구비되고, 상기 제2 공급채널(230)에 이웃하여 상기 활성화채널(240)을 구비하게 된다.한편, 상기 활성화채널은 도면에 도시되지는 않았지만 전술한 제1 공급채널과 제2 공급채널 사이, 즉, 활성화채널은 제1 공급유닛과 제2 공급유닛 사이에 구비될 수도 있다.In addition, the gas supply unit 200 may include an activation channel 240 adjacent to the second supply channel 230. The activation channel 240 has an upper portion closed and an opening portion 242 formed at the lower portion thereof to have an open shape toward the substrate W. [ The activation channel 240 includes the gas activation unit 300 for activating the reaction gas as described above and the reaction gas supplied from the neighboring second supply channel 230 is supplied to the activation channel 240 through the lower opening 242, (240) to provide an activated reaction gas. Since the configuration and operation of the activation channel 240 have already been described in detail, the repetitive description will be omitted. Therefore, the gas supply unit 200 includes the first exhaust channel 210 for exhausting the residual gas around the first supply channel 210, A channel 220 and a second supply channel 230 for supplying a reaction gas are symmetrically provided and the activation channel 240 is provided adjacent to the second supply channel 230. Meanwhile, The channel may be provided between the first supply channel and the second supply channel, that is, between the first supply unit and the second supply unit, not shown in the drawings.

한편, 상기 가스공급부(200)는 상기 활성화채널(240)의 외주에 잔류가스 또는 반응가스를 배기하는 제2 배기채널(250)을 더 구비할 수 있다. 제2 공급채널(230)에서 공급되는 반응가스는 활성화채널(240)의 하부를 통해 활성화채널(240)로 유입되거나, 또는 활성화채널(240)을 지나쳐 가스공급부(200)의 가장자리로 공급될 수 있다. 가스공급부(200)에서 반응가스가 외부로 유출되면 기판(W)과 가스공급부(200)가 상대이동에 의해 증착을 수행하는 경우에 후속하는 증착공정의 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 가스공급부(200)의 가장자리, 즉, 활성화채널(240)의 바깥쪽에 제2 배기채널(250)을 더 구비하여 잔류가스, 즉 공급된 반응가스를 배기하게 된다.The gas supply unit 200 may further include a second exhaust channel 250 for exhausting a residual gas or a reactive gas to the periphery of the activation channel 240. The reaction gas supplied from the second supply channel 230 flows into the activation channel 240 through the lower part of the activation channel 240 or may be supplied to the edge of the gas supply part 200 through the activation channel 240 have. If the reaction gas flows out to the outside from the gas supply unit 200, the efficiency of the subsequent deposition process may be lowered when the substrate W and the gas supply unit 200 perform deposition by relative movement. Accordingly, the second exhaust channel 250 is further provided at the edge of the gas supply unit 200, that is, outside the activation channel 240 to exhaust the residual gas, i.e., the supplied reaction gas.

결국, 가스공급부(200)는 중앙부에 위치하여 원료가스를 공급하는 제1 공급채널(210)을 중심으로 대칭적으로 구비되며, 차례대로 제1 배기채널(220), 반응가스를 공급하는 제2 공급채널(230), 가스활성화유닛(300)을 구비하여 반응가스를 활성화시키는 활성화채널(240) 및 제2 배기채널(250)을 구비하게 된다.As a result, the gas supply unit 200 is symmetrically disposed around the first supply channel 210 for supplying the raw material gas at a central portion thereof. The gas supply unit 200 includes a first exhaust channel 220, A supply channel 230 and a gas activation unit 300 to provide an activation channel 240 and a second exhaust channel 250 for activating the reaction gas.

상기 제1 공급채널(210)에서 공급된 원료가스는 기판(W) 상부에 단일 원자층을 형성하고 제1 배기채널(220)을 통하여 배기 된다. 이어서, 제2 공급채널(230)을 통해 기판(W)을 향해 공급된 반응가스는 기판(W) 상부를 따라 이동하여 이웃한 활성화채널(240)의 개구부(242)를 통하여 활성화채널(240)로 유입된다. 활성화채널(240)로 유입된 반응가스는 가스활성화유닛(300)에 의해 활성화되며, 순차적인 반응에 의해 활성화채널(240) 하부의 반응가스도 활성화되어 결국 기판(W)의 원료가스와 반응하여 단일 원자층의 박막을 형성시키게 된다. 활성화채널(240)을 지나친 잔류가스는 제2 배기채널(250)에 의해 배기 된다.The raw material gas supplied from the first supply channel 210 forms a single atomic layer on the substrate W and is exhausted through the first exhaust channel 220. The reactive gas supplied toward the substrate W through the second supply channel 230 moves along the upper surface of the substrate W to be supplied to the activation channel 240 through the opening 242 of the adjacent activation channel 240. [ Lt; / RTI > The reaction gas introduced into the activation channel 240 is activated by the gas activation unit 300 and the reaction gas under the activation channel 240 is also activated by the sequential reaction so that the reaction gas reacts with the source gas of the substrate W Thereby forming a thin film of a single atomic layer. Residual gas past the activation channel 240 is exhausted by the second exhaust channel 250.

한편, 전술한 실시에 및 후술하는 실시 예에 따른 가스공급부(200)는 아르곤(Ar) 등의 불활성가스로 구성된 퍼지가스를 공급하지 않는다는 점에 특징이 있다. 즉,도 14에 도시된 바와 같이 박막증착장치는 기판상에 원료를 포함하는 원료가스를 분사한 후 불활성 퍼지 가스의 공급없이 단순히 배기를 통해 미반응 잔류가스를 배기한다. 이에 의해, 기판상에 단일 원자층을 흡착시키고, 상기 원료와 반응하는 오존(O3) 같은 반응물을 포함하는 반응가스를 분사한 후 불활성 퍼지 가스의 공급 없이 단순히 배기를 통해 미반응 물질/부산물을 배기하여 기판상에 단일 원자층을 형성하게 된다. 따라서, 단순히 배기공정에 의해 잔류가스를 배기하고 반응가스와 원료가스의 혼합을 방지하게 되어 별도의 퍼지가스 공급이 필요 없게 된다.On the other hand, the gas supply unit 200 according to the above-described embodiment and the following embodiments is characterized in that it does not supply purge gas composed of an inert gas such as argon (Ar). That is, as shown in FIG. 14, the thin film deposition apparatus ejects a source gas containing a raw material on a substrate, and then exhausts the unreacted residual gas through the exhaust without simply supplying an inert purge gas. By this, a single atomic layer is adsorbed on the substrate, a reactive gas including a reactant such as ozone (O 3 ) reacting with the raw material is injected, and then unreacted material / by-product And then exhausted to form a single atomic layer on the substrate. Therefore, the residual gas is simply exhausted by the exhaust process and mixing of the reaction gas and the source gas is prevented, so that it is not necessary to supply the purge gas separately.

상기와 같은 구성을 가지는 박막증착장치(1000)의 제어방법에 대해서 살펴보면 다음과 같다.A control method of the thin film deposition apparatus 1000 having the above structure will be described as follows.

먼저, 박막증착장치(1000)는 가스공급부(200)에 의해 기판(W) 상으로 원료가스를 공급하여 상기 기판(W) 상에 상기 원료가스가 흡착된다. 이 경우, 상기 원료가스는 가스공급부(200)의 제1 공급채널(210)을 통해 기판(W) 상으로 공급된다. 기판(W) 상으로 공급된 원료가스는 상기 기판(W)에 흡착된다. 상기 기판(W)에 흡착되지 않은 원료가스는 가스공급부(200)의 제1 배기채널(220)에 의해 외부로 배기된다.First, a thin film deposition apparatus 1000 supplies a source gas onto a substrate W by a gas supply unit 200, and the source gas is adsorbed on the substrate W. In this case, the source gas is supplied onto the substrate W through the first supply channel 210 of the gas supply unit 200. The raw material gas supplied onto the substrate W is adsorbed on the substrate W. The raw gas not adsorbed to the substrate W is exhausted to the outside by the first exhaust channel 220 of the gas supply unit 200.

한편, 상기 가스공급부(200)에서 상기 기판(W) 상으로 반응가스를 공급한다. 이 경우, 반응가스는 가스공급부(200)의 제2 공급채널(230)에서 기판(W) 상으로 공급된다. 전술한 바와 같이 반응가스는 기판(W)으로 공급되어 기판(W)과 가스공급부(200) 사이를 따라 유동하며, 일부는 활성화채널(240)로 유입된다.Meanwhile, the reaction gas is supplied from the gas supply unit 200 onto the substrate W. In this case, the reaction gas is supplied onto the substrate W from the second supply channel 230 of the gas supply unit 200. As described above, the reaction gas is supplied to the substrate W and flows along the space between the substrate W and the gas supply part 200, and a part thereof flows into the activation channel 240.

여기서, 상기 기판(W) 상으로 분사되어 상기 기판(W) 및 가스공급부(200) 사이에서 유동하는 반응가스는 활성화된다. 상기 활성화단계는 상기 가스공급부(200)에 구비된 가스활성화유닛(300)에 의해 반응가스를 1차적으로 활성화시키는 제1 활성화 단계와 상기 제1 활성화 단계에서 활성화된 반응가스가 상기 기판(W) 및 상기 가스공급부(200) 사이에서 유동하는 반응가스를 2차적으로 활성화시키는 제2 활성화 단계를 포함한다. 즉, 제1 활성화 단계에서는 활성화채널(240)로 유입된 반응가스를 가스활성화유닛(300)에 의해 직접 활성화시키게 된다. 이어서, 상기 제2 활성화단계에서는 상기 제1 활성화단계에서 활성화된 반응가스가 상기 기판(W) 및 상기 가스공급부(200) 사이에서 유동하는 비활성화된 반응가스를 간접적으로 활성화시키게 된다.Here, the reactive gas injected onto the substrate W and flowing between the substrate W and the gas supply unit 200 is activated. The activation step may include a first activation step of first activating the reaction gas by the gas activation unit 300 provided in the gas supply unit 200 and a second activation step of activating the reaction gas activated in the first activation step, And a second activating step of secondarily activating the reaction gas flowing between the gas supply part (200). That is, in the first activation step, the reactive gas introduced into the activation channel 240 is directly activated by the gas activation unit 300. In the second activation step, the reactant gas activated in the first activation step indirectly activates the deactivated reactant gas flowing between the substrate W and the gas supply unit 200.

이어서, 상기 2차적으로 간접적으로 활성화된 반응가스가 상기 기판(W)에 흡착된 원료가스와 화학반응 하여 단일 원자층의 박막을 증착하게 된다. 상기 박막이 증착된 후에 잔류하는 가스는 제2 배기채널(250)에 의해 배기 되다. 한편, 상기 각 단계에서 상기 기판(W) 및 가스공급부(200) 중에 적어도 하나는 다른 하나에 대해 상대 이동하게 된다.Next, the secondary indirectly activated reaction gas chemically reacts with the raw material gas adsorbed on the substrate W to deposit a thin film of a single atomic layer. The remaining gas after the thin film is deposited is exhausted by the second exhaust channel 250. At least one of the substrate W and the gas supply unit 200 is moved relative to the other substrate W in each step.

한편, 가스공급부(200)는 박막증착장치에복수개 구비될 수 있으며, 이 경우 박막증착장치의 협소한 내부공간으로 인해 상기 가스공급부는 그 부피 또는 너비가 작을수록 설치에 유리하다. 또한, 가스공급부의 부피를 작게 할수록 박막증착장치의 설치면적도 줄일 수 있게 되어 유리하다. 그런데, 전술한 실시 예에 따른 가스공급부는 원료가스를 공급하는 제1 공급채널(210), 반응가스를 공급하는 제2 공급채널(230) 및 활성화된 반응가스를 공급하는 활성화채널(240)을 구비하게 된다. 상기와 같은 공급채널 또는 활성화채널 중에서 일부를 생략하는 것이 가능하다면 가스공급부의 부피 또는 너비를 줄이는 것이 가능해지므로, 가스공급부의 소형화를 달성할 수 있게 된다. 이하에서는 도면을 참조하여 상기와 같은 목적을 달성할 수 있는 가스공급부에 대해서 살펴보기로 한다.The gas supply unit 200 may be provided in a plurality of the thin film deposition apparatuses. In this case, the smaller the volume or width of the gas supply unit is, the more favorable the installation is because of the narrow internal space of the thin film deposition apparatus. Further, as the volume of the gas supply unit is reduced, the installation area of the thin film deposition apparatus is also advantageously reduced. However, the gas supply unit according to the above-described embodiment includes the first supply channel 210 for supplying the source gas, the second supply channel 230 for supplying the reaction gas, and the activation channel 240 for supplying the activated reaction gas . If it is possible to omit a part of the supply channel or the activation channel as described above, it is possible to reduce the volume or width of the gas supply unit, thereby achieving miniaturization of the gas supply unit. Hereinafter, a gas supply unit capable of achieving the above object with reference to the drawings will be described.

도 4는 다른 실시 예에 따른 가스공급부(200)의 구성을 도시한 측단면도이다.4 is a side cross-sectional view showing the configuration of the gas supply unit 200 according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 가스공급부(200)는 기판을 향해 공정가스를 공급하는 공정가스공급채널(210), 상기 기판을 향해 활성화된 공정가스를 공급하는 활성화채널(240), 상기 활성화채널(240)에 구비되어 상기 활성화채널(240)로 공정가스를 공급하며, 상기 공급된 공정가스를 활성화시킬 수 있는 가스활성화유닛(1300) 및잔류가스를 배기하는 적어도 하나의 배기채널(220, 250)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the gas supply unit 200 includes a process gas supply channel 210 for supplying a process gas toward a substrate, an activation channel 240 for supplying a process gas activated toward the substrate, A gas activation unit 1300 for supplying the process gas to the activation channel 240 and capable of activating the supplied process gas and at least one exhaust channel 220 and 250 for exhausting the residual gas, .

본 실시 예에 따른 가스공급부(200)는 전술한 실시 예와 비교하여 반응가스를 공급하는 제2 공급채널 및 활성화된 반응가스를 공급하는 활성화채널을 각각 구비하는 것이 아니라, 반응가스를 공급하며 나아가 상기 공급된 반응가스를 활성화시키는 활성화채널을 구비하게 된다. 따라서, 본 실시 예에 따른 가스공급부는 전술한 실시 예와 비교하여 반응가스를 공급하는 제2 공급채널을 포함하는 제2 공급유닛을 생략하는 것이 가능하므로 가스공급부의 부피 및 너비를 줄일 수 있고, 이에 의해 동일한 부피의 박막증착장치에서 가스공급부를 더 많이 구비하거나 또는 박막증착장치의 부피를 줄이어 설치면적을 줄일 수 있다.The gas supply unit 200 according to the present embodiment is not provided with the second supply channel for supplying the reactive gas and the activation channel for supplying the activated reaction gas as compared with the above embodiment, And an activation channel for activating the supplied reaction gas. Therefore, it is possible to omit the second supply unit including the second supply channel for supplying the reaction gas as compared with the above-described embodiment, so that the gas supply unit according to the present embodiment can reduce the volume and the width of the gas supply unit, Thus, it is possible to provide more gas supply units in the thin film deposition apparatus of the same volume, or reduce the installation area by reducing the volume of the thin film deposition apparatus.

도 5는 도 4에서 활성화채널(240)을 확대해서 도시한 일부 확대도이며, 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 선에 따른 단면도이다.FIG. 5 is a partially enlarged view showing an enlarged view of the activation channel 240 in FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 가스활성화유닛(1300)은 상기 활성화채널(240)에 구비되는 플라즈마전극(1310)으로 이루어질 수 있다. 상기 플라즈마전극(1310)은 AC(alternative current) 전원을 인가받도록 구성될 수 있다. 상기 플라즈마전극(1310)과 대향하는 활성화채널(240)의 타측 내벽이 접지되어 접지전극의 역할을 하며, 차폐부재(1312)에 의해 상기 플라즈마전극(1310)을 차폐하는 구성은 전술한 실시 예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.5 and 6, the gas activation unit 1300 may include a plasma electrode 1310 provided in the activation channel 240. The plasma electrode 1310 may be configured to receive an AC (Alternative Current) power. The other inner wall of the activation channel 240 facing the plasma electrode 1310 is grounded to serve as a ground electrode and the plasma electrode 1310 is shielded by the shielding member 1312, Repeated descriptions are omitted because they are similar.

본 실시 예에 따른 가스공급부(200)에서 상기 플라즈마전극(1310)에 의해 구성되는 가스활성화유닛(1300)은 반응가스를 활성화할 뿐만 아니라 반응가스를 활성화채널(240)로 공급하는 역할을 하게 된다. 따라서, 가스공급부에 반응가스를 공급하는 채널을 별도로 구비할 필요가 없으며, 나아가 가스활성화유닛(1300)에서 반응가스를 공급하게 되어 반응가스를 플라즈마화시키는 효율을 보다 향상시킬 수 있다.The gas activation unit 1300 constituted by the plasma electrode 1310 in the gas supply unit 200 according to the present embodiment serves not only to activate the reactive gas but also to supply the reactive gas to the activation channel 240 . Therefore, it is not necessary to separately provide a channel for supplying the reaction gas to the gas supply unit, and further, the reaction gas is supplied by the gas activation unit 1300, and the efficiency of plasmatization of the reaction gas can be further improved.

구체적으로, 상기 플라즈마전극(1310)은상기 공정가스가 유동하는 연결유로(1400)와 상기 공정가스를 공급하도록 상기 연결유로(1400)와 연결되는 분사구(1410)를 포함할 수 있다. 상기 연결유로(1400)는 반응가스를 공급하는 전술한 제2 공급라인(430)과 연결되어 반응가스가 그 내부를 따라 유동하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 연결유로(1400)를 따라 유동하는 반응가스는 상대적으로 플라즈마전극(1310)에 비해 낮은 온도를 가질 수 있다. 즉, 플라즈마전극(1310)에 소정의 전원이 인가되어 반응가스를 활성화시키는 경우에 상기 플라즈마전극(1310)은 상대적으로 높은 온도로 상승하게 되므로 상기 연결유로(1400)를 따라 유동하는 반응가스는 상기 플라즈마전극(1310)과 비교하여 상대적으로 더 낮은 온도를 가질 수 있다. 따라서, 상대적으로 더 낮은 온도를 가지는 반응가스를 더 높은 온도의 플라즈마전극(1310)과 열교환을 하게 되어 상기 플라즈마전극(1310)을 냉각시키는 역할을 할 수 있다. 결과적으로, 플라즈마전극(1310)은 상기 열교환에 의해 온도가 낮아지게 되어 냉각되며, 반대로 반응가스는 상기 열교환에 의해 온도가 높아지게 되며, 이는 상기 반응가스를 기판을 향해 분사하는 경우에 반응성을 높이게 되어 증착효율을 향상시키게 된다.Specifically, the plasma electrode 1310 may include a connection channel 1400 through which the process gas flows and an injection port 1410 connected to the connection channel 1400 to supply the process gas. The connection channel 1400 may be connected to the second supply line 430, which supplies the reaction gas, so that the reaction gas flows along the inside thereof. In this case, the reaction gas flowing along the connection channel 1400 may have a relatively lower temperature than the plasma electrode 1310. That is, when a predetermined power source is applied to the plasma electrode 1310 to activate the reactive gas, the plasma electrode 1310 rises to a relatively high temperature, so that the reactive gas flowing along the connection path 1400 is And may have a relatively lower temperature compared to the plasma electrode 1310. [ Accordingly, the reaction gas having a relatively lower temperature may exchange heat with the plasma electrode 1310 having a higher temperature to cool the plasma electrode 1310. As a result, the temperature of the plasma electrode 1310 is lowered by the heat exchange, and the temperature of the reaction gas is lowered by the heat exchange. On the contrary, the temperature of the reaction gas is increased by the heat exchange, Thereby improving the deposition efficiency.

한편, 비록 도면에는 도시되지 않았지만 반응가스와 플라즈마전극(1310)의 열교환을 보다 효율적으로 수행하기 위하여 상기 반응가스가 상기 플라즈마전극(1310)의 연결유로(1400)로 유입되기 전에 상기 반응가스를 냉각시키는 냉각수단을 구비할 수 있다. 이러한 냉각수단은 상기 반응가스가 유동하는 유로를 따라 구비되는 냉각핀 등과 같이 다양하게 구현될 수 있다. 상기 냉각수단에 의해 반응가스를 냉각시켜 상기 반응가스의 온도를 더 낮추게 됨으로써 상기 연결유로(1400)를 따라 상기 반응가스가 유동하는 경우에 상기 플라즈마전극(1310)과의 열교환을 보다 효율적으로 수행할 수 있다.In order to more efficiently perform the heat exchange between the reaction gas and the plasma electrode 1310, although not shown in the drawing, the reaction gas is cooled (cooled) before the reaction gas flows into the connection channel 1400 of the plasma electrode 1310 And a cooling means for cooling the cooling water. The cooling means may be variously implemented as a cooling fin provided along a flow path through which the reaction gas flows. The temperature of the reaction gas is further lowered by cooling the reaction gas by the cooling means so that heat exchange with the plasma electrode 1310 is more efficiently performed when the reaction gas flows along the connection path 1400 .

상기 연결유로(1400)를 통해 유동하며 상기 플라즈마전극(1310)과 열교환을 하여 상대적을 가열된 반응가스는 상기 플라즈마전극(1310)에 구비된 분사구(1410)를 통해 활성화채널(240)의 내측으로 분사된다. 이 경우, 상기 분사구(1410)에서 공급되는 공정가스는 상기 활성화채널(240)에 대략 수직하게 공급될 수 있다. 즉, 상기 분사구(1410)를 통해 공급되는 상기 반응가스는 상기 활성화채널(240)의 길이방향에 대해 대략 수직하게 공급될 수 있다. 이는 도 3에 대한 설명에서 설명한 바와 같이 반응가스가 활성화된 경우에 이온에 의한 기판의 손상을 방지하고 나아가 불필요한 영역의 증착을 방지하기 위함이다. 즉, 플라즈마전극(1310)을 통해 공급되는 반응가스가 활성화채널(240)의 길이방향에 평행하게 공급된다면 종래 박막증착장치의 경우와 같이 상기 활성화채널(240)의 상부에서 하부를 향해 공급되는 경우와 유사할 것이며, 전술한 문제점을 해결할 수 없게 된다. 따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여 본 실시 예에서는 플라즈마전극(1310)에서 반응가스를 공급하는 경우에 상기 활성화채널(240)의 길이방향에 대해 대략 수직하게 공급한다.The relatively heated reaction gas which flows through the connection channel 1400 and exchanges heat with the plasma electrode 1310 is injected into the activation channel 240 through the injection port 1410 provided in the plasma electrode 1310 . In this case, the process gas supplied from the injection port 1410 may be supplied substantially perpendicular to the activation channel 240. That is, the reaction gas supplied through the injection port 1410 may be supplied substantially perpendicular to the longitudinal direction of the activation channel 240. This is to prevent the substrate from being damaged by ions when the reactive gas is activated as described in the description of FIG. 3, and further to prevent deposition of unnecessary regions. That is, if the reactive gas supplied through the plasma electrode 1310 is supplied in parallel to the longitudinal direction of the activation channel 240, as in the case of the conventional thin film deposition apparatus, And the above-described problem can not be solved. Therefore, in order to solve the above problem, in the present embodiment, when the reaction gas is supplied from the plasma electrode 1310, it is supplied substantially perpendicularly to the longitudinal direction of the activation channel 240.

상기와 같이 플라즈마전극(1310)에서 반응가스가 활성화채널(240)에 대략 수직하게 공급되면, 상기 반응가스의 흐름은 상기 플라즈마전극(1310)과 대향하는 활성화채널(240)의 내벽과 부딪히게 된다. 이 경우, 상기 반응가스의 일부는 상기 활성화채널(240)의 상부를 향해 그 흐름이 꺽이게 되며, 다른 일부는 상기 활성화채널(240)의 하부를 향해 그 흐름이 꺽이게 된다. 상기 활성화채널(240)은 전술한 실시예와 유사하게 상부가 막히고 하부가 개방되어 상기 반응가스를 상기 기판을 향해 공급하게 된다. 따라서, 상기 활성화채널(240)의 상부를 향해 공급된 반응가스는 상기 활성화채널(240)의 상부를 채우고 아래쪽으로 내려오게 되어 결국 플라즈마전극(1310)에 의해 활성화된다. 한편, 상기 활성화채널(240)의 하부를 향해 공급된 반응가스는 배기채널(220, 250)에 의해 외부로 배기 되거나 또는 상기 활성화채널(240)의 하단부와 기판 사이에 공간에서 활성화될 수 있다. 이는 전술한 바와 같이 상기 플라즈마전극(1310)에 의해 1차적으로 또는 직접적으로 이온 또는 라디칼화된 반응가스에 의해 2차적으로 또는 간접적으로 활성화되는 것을 의미한다.As described above, when the reactive gas is supplied substantially perpendicularly to the activation channel 240 in the plasma electrode 1310, the flow of the reactive gas collides with the inner wall of the activation channel 240 opposed to the plasma electrode 1310 . In this case, a part of the reaction gas flows in a direction toward the upper part of the activation channel 240, and a part of the reaction gas flows in the lower part of the activation channel 240. The activation channel 240 is closed at the top and opened at the bottom to supply the reaction gas toward the substrate, similarly to the above-described embodiment. Therefore, the reactive gas supplied toward the upper portion of the activation channel 240 fills the upper portion of the activation channel 240 and is lowered downward, and is eventually activated by the plasma electrode 1310. The reactive gas supplied toward the lower portion of the activation channel 240 may be exhausted to the outside by the exhaust channels 220 and 250 or may be activated in space between the lower end of the activation channel 240 and the substrate. This means that the plasma electrode 1310 is activated primarily or indirectly by the ionized or radicalized reaction gas, as described above.

한편, 상기 가스활성화유닛(1300)을 상기 활성화채널(240)에 구비하는 경우에 상기 활성화채널(240)의 하부에 구비할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성화채널(240)의 길이방향을 따라 대략 중앙부에서 아래쪽에 구비할 수 있다. 상기와 같은 구성에 의해 상기 가스활성화유닛(1300)에 의해 공급되는 라디칼의 양을 늘릴 수 있다. 예를 들어, 상기 가스활성화유닛(1300)을 상기 활성화채널(240)의 상부에 구비한다면 반응가스를 활성화시켜 라디칼 상태로 전환 시킨다고 하여도 상기 활성화채널(240)을 따라 라디칼 등이 이동하는 중에 라디칼 상태를 유지하지 못하게 된다. 이는 상기 라디칼 상태를 유지하는 시간이 극히 짧기 때문이다. 따라서, 상기 가스활성화유닛(1300)을 상기 활성화채널(240)의 하부에 구비하게 되면 상기 가스활성화유닛(1300)과 상기 기판의 거리가 상대적으로 짧아지게 되어 반응가스를 라디칼 상태로 전환시킨 경우에도 상기 라디칼을 상기 기판을 향해 공급할 수 있게 된다.한편, 잔류가스를 배기하는 배기채널, 즉, 제1 배기채널(220)과 제2 배기채널(250)에 대해서는 전술한 실시 예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.Meanwhile, when the gas activation unit 1300 is provided in the activation channel 240, the activation channel 240 may be provided below the activation channel 240. For example, it may be provided at a substantially central portion along the longitudinal direction of the activation channel 240. With this configuration, the amount of radicals supplied by the gas activation unit 1300 can be increased. For example, if the gas activating unit 1300 is provided on the activation channel 240, even if the reactant gas is activated and converted to a radical state, radicals move along the activation channel 240, The state can not be maintained. This is because the time for maintaining the radical state is extremely short. Therefore, if the gas activating unit 1300 is provided below the activation channel 240, the distance between the gas activating unit 1300 and the substrate is relatively shortened so that even when the reactive gas is converted to the radical state The first exhaust channel 220 and the second exhaust channel 250, which are similar to the above-described embodiments, are used for repeatedly supplying the exhaust gas, The description is omitted.

한편, 원자층증착법은 기판상에 트리메틸알루미늄(TMA ;TriMethylAluminium (CH3)3Al, 이하 'TMA' 함)같은 원료가스를 분사하여 기판에 단일 원자층을 흡착시키고, 상기 원료와 반응하는 오존(O3) 같은 반응물을 포함하는 반응가스를 분사하여기판에 단일 원자층(Al-O)을 형성하게 된다. 따라서, 원자층증착법에서는 공급되는 공정가스의 양을 조절하는 것이 중요하며, 특히 원료가스인 상기 TMA의 공급량을 조절하는 것이 중요하다. 즉, 원자층증착법은 단일증착공정에 의해 단일 원자층을 형성하게 되며, 이러한 증착공정을 반복하여 원하는 두께의 박막을 형성하게 된다. 만약, 한번의 증착공정에 의해 단일 원자층 대신에 복수의 원자층이 형성된다면 박막의 품질을 보장할 수 없고, 나아가 증착공정의 횟수에 따른 박막의 두께를 조절하는 것이 곤란해진다. 이와 같이 단일 원자층을 형성하기 위해서는 원료가스인 TMA를 공급하는 경우에 상기 TMA의 공급양이증착공정 중에 필요한 공급유량 이상으로 공급되지 않도록 하는 것이 중요하다. 상기 TMA의 양이 상기 공급유량 이상으로 공급되면 기판 상에 복수의 원자층이 형성될 수 있으며, 이는 단일 원자층이 아니라 복수 원자층의 박막을 형성하기 때문이다.Meanwhile, the atomic layer deposition is trimethyl aluminum on a substrate (TMA; TriMethylAluminium (CH 3) 3 Al, hereinafter 'TMA' hereinafter) by spraying the raw material gas such as to adsorb a single atomic layer on the substrate, the ozone to react with the starting material ( O 3 ) is sprayed to form a single atomic layer (Al-O) on the substrate. Accordingly, in the atomic layer deposition method, it is important to regulate the amount of the process gas to be supplied, and in particular, it is important to control the supply amount of the TMA which is the source gas. That is, atomic layer deposition forms a single atomic layer by a single deposition process, and this deposition process is repeated to form a thin film of desired thickness. If a plurality of atomic layers are formed instead of a single atomic layer by a single deposition process, the quality of the thin film can not be ensured and it is difficult to control the thickness of the thin film according to the number of times of the deposition process. In order to form the single atom layer, it is important that the supply amount of the TMA is not supplied more than the supply flow rate required during the deposition process in the case of supplying the raw material gas TMA. If the amount of TMA is supplied above the supply flow rate, a plurality of atomic layers may be formed on the substrate, because it forms a thin film of a multi-atomic layer instead of a single atomic layer.

상기 TMA를 상기 공급유량 이하로 공급하기 위해서는 상기 원료가스인 TMA를 공급하는 원료가스 공급원 또는 제1 공급라인을 조절해야 한다. 그런데, 상기 TMA는 가압되어 증기압에 의해 공급되므로 공급되는 양을 상기 공급유량 이하로 줄이는 것이 곤란할 수 있다. 나아가, 원자층증착법에 의한 박막증착장치의 경우, 기판(W)을 향해 공급된 원료가스와 반응가스가 직접적으로 서로 혼합되지 않도록 하는 것이 중요하다. 따라서, 이하에서는 상기 원료가스인 TMA의 공급량을 조절할 수 있으며 나아가 원료가스와 반응가스의 혼합을 방지하기 위하여 공정가스의 분사방향을 조절할 수 있는 공정가스가이드부를 구비한 실시 예를 살펴보기로 한다.In order to supply the TMA below the supply flow rate, the source gas supply source or the first supply line for supplying the raw material gas TMA must be adjusted. However, since the TMA is pressurized and supplied by the vapor pressure, it may be difficult to reduce the supply amount to less than the supply flow rate. Furthermore, in the case of a thin film deposition apparatus by atomic layer deposition, it is important that the source gas and the reactive gas supplied toward the substrate W are not directly mixed with each other. Accordingly, an embodiment having a process gas guide unit capable of adjusting the supply amount of the raw material gas TMA and controlling the injection direction of the process gas to prevent mixing of the source gas and the reaction gas will be described below.

상기 공정가스가이드부는 원료가스의 분사방향을 조절하는 제1 가이드부(500, 도 7 참조)와 반응가스의 분사방향을 조절하는 제2 가이드부(600, 도 9 참조) 중에 적어도 하나를 구비할 수 있다. 이하, 구체적으로 살펴본다.The process gas guide portion may include at least one of a first guide portion 500 (see FIG. 7) for adjusting the injection direction of the raw material gas and a second guide portion 600 (see FIG. 9) . Hereinafter, the present invention will be described in detail.

도 7은다른 실시 예에 따른 가스공급부의 구성을 도시한 측단면도이다. 전술한 실시예들과 비교하여 제1 공급채널(210)의 하부에 제1 가이드부(500)를 더 구비한다는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 살펴본다.7 is a side cross-sectional view showing a configuration of a gas supply unit according to another embodiment. There is a difference in that the first guide part 500 is further provided below the first supply channel 210 as compared with the above-described embodiments. Hereinafter, the differences will be mainly discussed.

도 7을 참조하면, 본 실시 예에 따른 가스공급부(200)는 기판(W)에 대한 원료가스의 분사량 또는 공급량을 조절할 수 있도록 상기 원료가스의 분사방향을 조절할 수 있는 제1 가이드부(500)를 더 구비할 수 있다.Referring to FIG. 7, the gas supply unit 200 according to the present embodiment includes a first guide unit 500 capable of adjusting the injection direction of the raw material gas so as to adjust the injection amount or the supply amount of the raw material gas to the substrate W, As shown in FIG.

예를 들어, 제1 공급채널(210)의 길이는 상기 제1 배기채널(220)의 길이에 비해 더 짧을 수 있으며 제1 가이드부(500)는 상기 제1 공급채널(210)을 포함하는 제1 공급유닛(212)의 하부에 제1 공급채널(210)에 수직하게 구비될 수 있다. 이 경우, 공급된 원료가스를 배기하는 제1 배기채널(220)은 제1 공급채널(210)의 양측에 구비되며, 제1 가이드부(500)와 제1 배기채널(220)의 내벽 사이에 소정의 크기를 가지는 공급슬릿(505)을 형성하게 된다. 따라서, 제1 공급채널(210)을 통해 공급된 원료가스는 제1 가이드부(500)에 의해 그 방향이 절곡되며, 상대적으로 많은 양이 제1 배기채널(220)을 통해 배기 되며, 상대적으로 적은 양이 상기 공급슬릿(505)을 통해 하부의 기판(W)을 향해 공급된다. 결국, 제1 공급유닛(212)의 하부에 제1 가이드부(500)를 구비하여 기판(W)을 향해 공급되는 원료가스의 분사방향을 조절하여 원료가스의 공급량을 줄이는 것이 가능해진다.For example, the length of the first supply channel 210 may be shorter than the length of the first exhaust channel 220, and the first guide unit 500 may include a first supply channel 210, 1 supply unit 212 in a direction perpendicular to the first supply channel 210. In this case, the first exhaust channel 220 for exhausting the supplied raw material gas is provided on both sides of the first supply channel 210 and between the first guide unit 500 and the inner wall of the first exhaust channel 220 Thereby forming a supply slit 505 having a predetermined size. Accordingly, the raw material gas supplied through the first supply channel 210 is bent in the direction by the first guide unit 500, and a relatively large amount of the raw gas is exhausted through the first exhaust channel 220, A small amount is supplied toward the lower substrate W through the supply slit 505. [ As a result, the first guide unit 500 is provided below the first supply unit 212 to adjust the injection direction of the raw material gas fed toward the substrate W, thereby reducing the supply amount of the raw material gas.

한편, 도 8은다른 실시 예에 따른 제1 가이드부(510)의 구성을 도시한 도면이다. 전술한 도 7의 실시 예와 비교하여 제1 가이드부(510)가 제1 공급유닛(212)에서 이격되어 제1 배기채널(220)의 단부에 형성된다는 점에서 차이가 있다. 이 경우, 제1 가이드부(510)는 상기 제1 배기채널(220)의 단부에서 제1 공급채널(210)을 향해 연장된 형태를 가질 수 있다.8 is a view showing a configuration of the first guide unit 510 according to another embodiment. There is a difference in that the first guide portion 510 is formed at the end of the first exhaust channel 220 at a distance from the first supply unit 212 as compared with the embodiment of FIG. In this case, the first guide portion 510 may extend from the end of the first exhaust channel 220 toward the first supply channel 210.

도 8을 참조하면, 제1 공급채널(210)의 길이는 상기 제1 배기채널(220)의 길이에 비해 더 짧을 수 있으며, 상기 제1 가이드부(510)는 상기 제1 배기채널(220)에서 제1 공급채널(210)을 향해 돌출 형성될 수 있다. 한 쌍의 제1 가이드부(510)가 상기 제1 배기채널(220)에서 각각 제1 공급채널(210)을 향해 돌출 형성되며, 상기 한 쌍의 제1 가이드부(510) 사이가 원료가스를 공급하는 공급슬릿(512)의 역할을 하게 된다. 따라서, 제1 공급채널(210)에서 공급된 원료가스는 제1 공급채널(210)과 제1 가이드부(510) 사이의 공간으로 확산 되며, 상대적으로 대부분의 양은 제1 배기채널(220)을 통하여 배기 되며, 상대적으로 적은 양이 상기 공급슬릿(512)을 통해 기판(W)으로 공급된다.8, the length of the first supply channel 210 may be shorter than the length of the first exhaust channel 220, and the first guide unit 510 may include a first exhaust channel 220, The first supply channel 210 may be formed to protrude from the first supply channel 210. A pair of first guide portions 510 protrude from the first exhaust channel 220 toward the first supply channel 210 and a space between the pair of first guide portions 510 is filled with the raw material gas And serves as a feeding slit 512 for feeding. The raw material gas supplied from the first supply channel 210 is diffused into the space between the first supply channel 210 and the first guide unit 510 and a relatively large amount of the raw gas is supplied to the first exhaust channel 220 And a relatively small amount is supplied to the substrate W through the supply slit 512. [

한편, 전술한 제1 가이드부(500, 510)는 상기 제1 공급채널(210)을 형성하는 제1 공급유닛(212)에 일체로 형성되거나, 또는 별개의 부재로 구비되어 상기 제1 공급유닛(212)에 연결되도록 구성될 수 있다.The first guide units 500 and 510 may be integrally formed with the first supply unit 212 forming the first supply channel 210 or may be formed as separate members, (Not shown).

도 9는 반응가스와 원료가스의 혼합을 방지하며 반응가스 및/또는 원료가스의 분사방향을 가이드하는 다른 실시 예에 따른 가스공급부의 구성을 도시한다. 상기 각 도면에서 상기 가스공급부(200)는 활성화채널(240)에서 공급되는 반응가스가 원료가스와 혼합되지 않도록 하며, 나아가 상기 반응가스가 제2 배기채널(250)을 향하도록 가이드하는제2 가이드부(600)를 더 구비할 수 있다. 상기 도면 중에 도 9 내지 도 11은 각각 도 2, 도 7 및 도 8의가스공급부에제2 가이드부(600)를 더 구비한 실시예를 도시한다. 나아가, 도 12는 원료가스와 반응가스가 직접적으로 서로 혼합되지 않도록 하기 위하여 제1 공급채널(210)의 길이가 제1 배기채널(220)의 길이에 비해 상대적으로 짧게 구성되며, 나아가 제2 가이드부(600)를 구비한 실시 예를 도시한다.Fig. 9 shows a configuration of a gas supply unit according to another embodiment for preventing the mixing of the reaction gas and the source gas and guiding the injection direction of the reaction gas and / or the source gas. In each of the drawings, the gas supply unit 200 prevents the reaction gas supplied from the activation channel 240 from being mixed with the raw material gas, and further guides the reaction gas toward the second exhaust channel 250. (600). 9 to 11 show an embodiment in which the second guide part 600 is further provided in the gas supply part of Figs. 2, 7 and 8, respectively. 12, the length of the first supply channel 210 is set to be shorter than the length of the first exhaust channel 220 so that the raw gas and the reactive gas are not directly mixed with each other. Further, Section 600. In the embodiment shown in FIG.

도 9 내지 도 12를 참조하면, 제2 가이드부(600)는 반응가스를 공급하는 활성화채널(240)의 단부에 구비되며, 활성화채널(240)에서 공급된 반응가스의 유로가 제2 배기채널(250)을 향하도록 가이드하게 된다.9 to 12, the second guide unit 600 is provided at the end of the activation channel 240 for supplying the reaction gas, and the flow channel of the reaction gas supplied from the activation channel 240 is provided at the second exhaust channel As shown in FIG.

구체적으로, 제2 가이드부(600)는 활성화채널(240)을 형성하는 일측 내벽에서 제2 배기채널(250)을 향해 돌출 형성될 수 있다. 이에 의해, 활성화채널(240)에서 공급되는 반응가스는 원료가스와 혼합되지 않고 제2 배기채널(250)을 향하게 된다. 상기 제2 가이드부(600)는 상기 활성화채널(240)을 형성하는 일측 내벽에 일체로 형성되거나, 또는 별개의 부재로 구비될 수 있다. 한편, 도 10 및 도 11에서 제1 가이드부(500, 510)에 대해서는 이미 설명하였으므로 반복적인 설명은 생략한다.Specifically, the second guide portion 600 may protrude from the one inner wall forming the activation channel 240 toward the second exhaust channel 250. Thus, the reactive gas supplied from the activation channel 240 is directed to the second exhaust channel 250 without being mixed with the raw material gas. The second guide part 600 may be integrally formed on one inner wall forming the activation channel 240, or may be formed as a separate member. In FIGS. 10 and 11, the first guide portions 500 and 510 have already been described, and a repetitive description thereof will be omitted.

도 13은 또 다른 실시 예에 따른 가스공급부(200)를 도시한 측단면도이다. 전술한 실시 예들에 따른 가스공급부와 비교해보면 원료가스를 배기하는 제1 배기채널(220)이 한 쌍이 아니라 하나만 구비된다는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점을 중심으로 설명한다.13 is a side sectional view showing a gas supply unit 200 according to another embodiment. Compared with the gas supply unit according to the above-described embodiments, there is a difference in that only one but not one pair of the first exhaust channels 220 for exhausting the raw material gas is provided. Hereinafter, differences will be mainly described.

도 13을 참조하면, 가스공급부(200)는 상기 원료가스를 공급하는 제1 공급채널(210)을 구비하고, 상기 제1 공급채널(210)의 양측 중 일측에 제1 배기채널(220)을 구비하며, 이 경우 상기 제1 배기채널(220)은 상기 제1 공급채널(210) 및 활성화채널(240) 사이에 구비된다. 보다 상세하게는 제1 공급채널(210)을 포함하는 제1 공급유닛(212)과 활성화채널(240) 사이에 제1 배기채널(220)이 구비된다. 나아가, 반응가스를 공급하여 활성화시키는 활성화채널(240)과, 상기 활성화채널(240)의 일측에 배치되어 잔류가스를 배기하는 제2 배기채널(250)을 구비한다. 이 경우, 상기 제1 배기채널(220)의 단부는 제1 공급채널(210)의 단부와 연통될 수 있다. 또한, 상기 활성화채널(240)과 제2 배기채널(250)은 제1 공급채널(210)에 대해 대칭적으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 13, the gas supply unit 200 includes a first supply channel 210 for supplying the source gas, and a first exhaust channel 220 is formed on one side of the first supply channel 210 In this case, the first exhaust channel 220 is provided between the first supply channel 210 and the activation channel 240. More specifically, a first exhaust channel 220 is provided between the first supply unit 212 including the first supply channel 210 and the activation channel 240. Further, an activation channel 240 for supplying and activating the reaction gas and a second exhaust channel 250 disposed at one side of the activation channel 240 for exhausting the residual gas are provided. In this case, the end of the first exhaust channel 220 may communicate with the end of the first supply channel 210. In addition, the activation channel 240 and the second exhaust channel 250 may be disposed symmetrically with respect to the first supply channel 210.

구체적으로, 공정가스 중의 하나인 원료가스를 공급하는 제1 공급채널(210)의 일측에 원료가스를 배기하는 제1 배기채널(220)을 구비한다. 즉, 전술한 실시 예들과 달리 본 실시 예에서는 제1 공급채널(210)의 양측에 한 쌍의 배기채널을 구비하는 것이 아니라, 제1 공급채널(210)의 일측에만 제1 배기채널(220)을 구비한다. 도면에서는 제1 공급채널(210)의 우측에 제1 배기채널(220)이 구비된 것으로 도시되지만, 이에 한정되지 않으며 제1 공급채널(210)의 좌측에도 구비될 수 있음은 물론이다.Specifically, the first exhaust channel 220 for exhausting the raw material gas is provided at one side of the first supply channel 210 for supplying the raw material gas, which is one of the process gases. That is, unlike the above-described embodiments, instead of providing a pair of exhaust channels on both sides of the first supply channel 210, the first exhaust channel 220 may be provided only on one side of the first supply channel 210, Respectively. Although it is shown in the drawing that the first exhaust channel 220 is provided on the right side of the first supply channel 210, the present invention is not limited thereto and may be provided on the left side of the first supply channel 210.

한편, 상기 제1 공급채널(210)과 적어도 하나의 활성화채널(240)은 서로 접하여 구비될 수 있다. 즉, 제1 배기채널(220)을 하나만 구비하는 경우에 상기 제1 배기채널(220)이 구비되지 않은 쪽을 살펴보면, 제1 공급채널(210)과 활성화채널(240)이 서로 접하여 구비된다. 또한, 전술한 제1 배기채널(220)이 구비되지 않은 상기 제1 공급채널(210)의 타측, 즉, 상기 제1 공급채널(210)의 타측과 활성화채널(240) 사이에는 잔류가스를 배기하는 배기부가 구비되지 않는다. 이와 같이 제1 공급채널(210)의 일측에만 배기채널을 구비하게 되면 가스공급부(200)의 전체 구성을 보다 단순화할 수 있으며, 이에 따라 가스공급부(200)의 전체 체적을 줄일 수 있는 장점이 있다.Meanwhile, the first supply channel 210 and the at least one activation channel 240 may be in contact with each other. That is, when only one first exhaust channel 220 is provided, the first exhaust channel 220 is not provided, and the first supply channel 210 and the activation channel 240 are in contact with each other. The residual gas is exhausted between the other side of the first supply channel 210 where the first exhaust channel 220 is not provided, that is, the other side of the first supply channel 210 and the activation channel 240. Is not provided. If the exhaust channel is provided only on one side of the first supply channel 210, the overall configuration of the gas supply unit 200 can be further simplified, thereby reducing the overall volume of the gas supply unit 200 .

그런데, 상기와 같은 구성에서는 제1 공급채널(210)의 일측, 예를 들어 도면에 도시된 바와 같이 제1 공급채널(210)의 오른쪽에만 제1 배기채널(220)이 구비되므로 기판(W)의 이동방향에 따라 원료가스의 배기가 원활하지 않을 수 있다. 즉, 도 13과 같은 구성에서 가스공급부(200)가 왼쪽으로 이동하는 경우(기판(W)이 오른쪽으로 이동하는 경우)에는 제1 공급채널(210)에서 공급되는 원료가스가 상대적으로 제1 배기채널(220)로 원활하게 배기 된다. 반면에, 가스공급부(200)가 오른쪽으로 이동하는 경우(기판(W)이 왼쪽으로 이동하는 경우)에는 제1 공급채널(210)에서 공급되는 원료가스가 상대적으로 제1 배기채널(220)로 원활하게 배기 되지 않게 된다. 따라서, 본 실시 예에서는 제1 공급채널(210)에서 공급되는 원료가스의 유동방향을 전환시켜주는 다른 실시 예에 따른 제1가이드부(520)를 구비할 수 있다.The first exhaust channel 220 is provided only on the right side of the first supply channel 210 as shown in the drawing, for example, The exhaust of the raw material gas may not be smooth depending on the moving direction of the raw material gas. 13, when the gas supply unit 200 is moved to the left (when the substrate W moves to the right), the source gas supplied from the first supply channel 210 is relatively discharged from the first exhaust And is smoothly exhausted to the channel 220. On the other hand, when the gas supply unit 200 moves to the right (when the substrate W moves to the left), the raw material gas supplied from the first supply channel 210 relatively moves to the first exhaust channel 220 The exhaust gas can not be exhausted smoothly. Accordingly, in the present embodiment, the first guide part 520 may be provided according to another embodiment for changing the flow direction of the raw material gas supplied from the first supply channel 210.

전술한 도 7 및 도 8의 제1 가이드부와 비교하여 도 13에 도시된 상기 제1 가이드부(520)는 제1 공급채널(210)을 형성하는 제1 공급유닛(212)의 단부에서 제1 배기채널(220)을 향하여 수직한 방향으로 또는 소정각도로 기울어지도록 연장 형성된다는 점에서 차이가 있다. 도면에서는 제1 가이드부(520)가 제1 공급채널(210)의 단부에서제1 배기채널(220)을 향해 수직한 방향으로 연장 형성된 것으로 도시되지만 이에 한정되지 않으며 상방 또는 하방을 향해 기울어지도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 가이드부(520)의 기울어진 각도에 따라 원료가스가 공급되는 방향, 또는 원료가스가 기판(W)을 향해 공급되는 각도를 조절할 수 있다. 상기 제1 가이드부(520)는 상기 제1 공급채널(210)을 형성하는 제1 공급유닛(212)에 일체로 형성되거나, 또는 별개의 부재로 구비되어 상기 제1 공급유닛(212)에 연결되도록 구성될 수 있다.7 and 8, the first guide part 520 shown in FIG. 13 is formed at the end of the first supply unit 212 forming the first supply channel 210, 1 exhaust channel 220 in a vertical direction or at an angle. Although the first guide unit 520 is shown extending from the end of the first supply channel 210 in the vertical direction toward the first exhaust channel 220, the first guide unit 520 is not limited to this, and may be formed to be inclined upward or downward . Therefore, the direction in which the raw material gas is supplied or the angle at which the raw material gas is supplied toward the substrate W can be adjusted according to the inclined angle of the first guide portion 520. The first guide part 520 may be integrally formed with the first supply unit 212 forming the first supply channel 210 or may be formed as a separate member so as to be connected to the first supply unit 212 Lt; / RTI >

상기 제1 공급채널(210)에서 공급되는 원료가스는 상기 제1 가이드부(520)에 의해 유동방향이 제1 배기채널(220)을 향하도록 전환되며, 상대적으로 많은 양이 제1 배기채널(220)로 배기 되며, 상대적으로 적은 양이 기판(W)을 향해 공급된다. 결국, 제1 가이드부(520)에 의해 원료가스의 유동방향을 전환시켜 배기채널에 의한 배기를 보다 원활히 수행할 수 있을 뿐만 아니라, 나아가 기판을 향해 공급되는 원료가스의 양을 줄여 보다 정확한 증착공정을 수행할 수 있게 된다. 한편, 전술한 제1 가이드부(520)는 제1 공급유닛(212)에서 이격되어 제1 배기채널(220)의 단부에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 배기채널(220)의 단부에서 제1 공급채널(210)을 향해 연장된 형태를 가질 수 있다.The raw material gas supplied from the first supply channel 210 is switched by the first guide unit 520 so that the flow direction is directed toward the first exhaust channel 220, 220, and a relatively small amount is supplied toward the substrate W. As a result, the flow direction of the raw material gas can be changed by the first guide unit 520 so that the exhaust gas can be more smoothly discharged. Further, the amount of the raw material gas supplied toward the substrate can be reduced, . ≪ / RTI > Meanwhile, the first guide unit 520 may be formed at an end of the first exhaust channel 220, spaced apart from the first supply unit 212. [ In this case, it may have a shape extending from the end of the first exhaust channel 220 toward the first supply channel 210.

한편, 상기와 같은 구성에서 가스공급부(200)는 중앙에 원료가스를 공급하는 제1 공급채널(210)과, 잔류가스를 배기하는 제1 배기채널(220)을 구비하고, 상기 제1 공급채널(210)과 제1 배기채널(220)을 중심으로 대칭적으로 구성될 수 있다. 즉, 반응가스를 공급하고 활성화시키도록 가스활성화유닛(300)을 구비하는 활성화채널(240) 및 제2 배기채널(250)에 대해서는 전술한 실시 예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다. 나아가, 본 가스공급부(200)도 전술한 제2 가이드부(600)를 구비할 수 있다. 상기 제2 가이드부(600)에 대해서는 이미 상술하였으므로 반복적인 설명은 생략한다.The gas supply unit 200 includes a first supply channel 210 for supplying a raw material gas to the center and a first exhaust channel 220 for exhausting residual gas, The first exhaust gas channel 210 and the first exhaust gas channel 220 may be symmetrically arranged. That is, the activation channel 240 and the second exhaust channel 250 having the gas activation unit 300 for supplying and activating the reaction gas are similar to those in the above-described embodiment, so repetitive description will be omitted. Further, the present gas supply unit 200 may include the second guide unit 600 described above. Since the second guide part 600 has been described above, repetitive description will be omitted.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You can do it. It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.

110...챔버 200...가스공급부
210...제1 공급채널 220...제1 배기채널
230...제2 공급채널 240...활성화채널
250...제2 배기채널 300...가스활성화유닛
500...제1 가이드부 600...제2 가이드부
1000...박막증착장치110 ... chamber 200 ... gas supply section
210 ... first supply channel 220 ... first exhaust channel
230 ... second supply channel 240 ... active channel
250 ... second exhaust channel 300 ... gas activation unit
500 ... first guide part 600 ... second guide part
1000 ... Thin Film Deposition Device

Claims (5)

기판을 향해 원료가스를 공급하는 원료가스공급채널;
상부가 막히고 하부가 개방되어 상기 기판을 향해 반응가스의 라디칼을 공급하는 활성화채널;
상기 활성화채널에 구비되어 상기 활성화채널로 반응가스를 공급하며, 상기 공급된 반응가스를 활성화시켜 상기 라디칼을 생성시키는 플라즈마 전극; 및
잔류가스를 배기하는 적어도 하나의 배기채널;을 포함하고,
상기 플라즈마전극은 상기 반응가스가 상기 플라즈마전극과 열교환을 통해 상기 플라즈마전극을 냉각시키며 유동하는 연결유로와 상기 반응가스를 공급하도록 상기 연결유로와 연결되는 분사구를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.A raw material gas supply channel for supplying a raw material gas toward the substrate;
An activation channel that closes the top and opens the bottom to supply radicals of the reaction gas toward the substrate;
A plasma electrode provided in the activation channel to supply a reaction gas to the activation channel and activate the supplied reaction gas to generate the radical; And
And at least one exhaust channel for exhausting the residual gas,
Wherein the plasma electrode comprises a connection channel through which the reaction gas cools the plasma electrode through heat exchange with the plasma electrode and an injection port connected to the connection channel to supply the reaction gas. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 분사구에서 공급되는 반응가스는 상기 활성화채널에 수직하게 공급되는 것을 특징으로 하는 가스공급부.The method according to claim 1,
Wherein the reaction gas supplied from the injection port is supplied perpendicularly to the activation channel. 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 전극은 상기 활성화채널의 하부에 구비되는 것을 특징으로 하는 가스공급부.

The method according to claim 1,
Wherein the plasma electrode is provided under the activation channel.

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