KR101564291B1 - Composition of a silver alloy target for a sputtering process - Google Patents
Composition of a silver alloy target for a sputtering process Download PDFInfo
- Publication number
- KR101564291B1 KR101564291B1 KR1020130148650A KR20130148650A KR101564291B1 KR 101564291 B1 KR101564291 B1 KR 101564291B1 KR 1020130148650 A KR1020130148650 A KR 1020130148650A KR 20130148650 A KR20130148650 A KR 20130148650A KR 101564291 B1 KR101564291 B1 KR 101564291B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silver alloy
- alloy target
- silver
- indium
- sputtering process
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물은 0.4 내지 2.0 중량 %의 팔라듐(palladium; Pd), 0.05 내지 0.6 중량 %의 인듐(Indium; In) 및 나머지 은(silver; Ag)과 불가피한 불순물을 포함한다.The silver alloy target composition for the sputtering process contains palladium (Pd) in an amount of 0.4 to 2.0% by weight, indium (In) and silver (Ag) in an amount of 0.05 to 0.6% by weight and unavoidable impurities.
Description
본 발명은 스퍼터링 공정용 타겟 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO)와 같은 투명 도전막과 전기적으로 연결되는 도전성 구조물을 스퍼터링 공정을 통하여 형성할 때 이용되는 스퍼터링 공정용 타겟 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a target composition for a sputtering process. More particularly, the present invention relates to a target composition for a sputtering process used in forming a conductive structure electrically connected to a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) through a sputtering process.
일반적으로, 유기 EL 소자는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재된 유기 발광층을 포함한다. 상기 양극과 음극 사이에 전압이 인가될 경우, 양극으로부터는 정공이, 음극으로부터 전자가 각각 유기 유기 발광층으로 이동한다. 그리고 유기 발광층에서 정공과 전자가 결합할 때에 광이 발생한다.Generally, an organic EL element includes an anode, a cathode, and an organic light-emitting layer interposed between the anode and the cathode. When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes move from the anode and electrons move from the cathode to the organic organic light emitting layer, respectively. Light is generated when holes and electrons are combined in the organic light emitting layer.
상기 양극 또는 음극과 같은 전극들은 투명한 전도성 물질로 이루어진다. 예를 들면, 상기 전도성 물질은 인듐주석산화물(indium-tin-oxide; ITO)로 이루어질 수 있다. 또한 상기 양극 또는 음극에 전기를 인가하는 전극 패드가 형성된다. 상기 전극 패드는 우수한 전도성을 갖는 금속, 예를 들면 은 합금(silver alloy)으로 이루어질 수 있다. The electrodes such as the anode or the cathode are made of a transparent conductive material. For example, the conductive material may be made of indium-tin-oxide (ITO). And an electrode pad for applying electricity to the anode or the cathode is formed. The electrode pad may be made of a metal having a good conductivity, for example, a silver alloy.
상기 ITO 물질로 이루어진 전극 및 상기 은 합금으로 이루어진 전극 패드를 형성하기 위하여 습식 식각이 수행될 경우, 상기 은 합금 및 ITO 간에 우수한 식각 선택비가 요구된다. 상기 전극들 및 전극 패드 사이에 우수한 접착력이 요구된다. 나아가, 상기 전극 패드 형성후 후속하는 고온 공정에서 상기 전극 패드에 포함된 은 이온의 마이그레션(migration)으로 인한 응집(agglomeration)이 발생하여 그레인(grain)이 조대해지는 문제를 해결하여야 한다.When wet etching is performed to form an electrode made of the ITO material and an electrode pad made of the silver alloy, an excellent etching selectivity ratio between the silver alloy and the ITO is required. Excellent adhesion between the electrodes and the electrode pad is required. In addition, agglomeration due to migration of silver ions included in the electrode pad occurs in a subsequent high-temperature process after the electrode pad is formed, so that the problem of coarse grains must be solved.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 하지막 간의 개선된 접착력 및 보다 치밀한 그레인을 가질 수 있는 도전성 구조물을 형성하기 위하여 스퍼터링 공정에 사용되는 스퍼터링 공정용 타겟의 조성물을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems and provide a composition for a target for a sputtering process used in a sputtering process to form an electrically conductive structure having an improved adhesive force and a more dense grain.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물은 0.4 내지 2.0 중량 %의 팔라듐(palladium; Pd), 0.1 내지 0.6 중량 %의 인듐(Indium; In) 및 나머지 은(silver; Ag)과 불가피한 불순물을 포함한다. 여기서, 스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물은 20 내지 50 ㎛ 범위의 평균 그레인 크기를 가질 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a silver alloy target composition for a sputtering process, which comprises 0.4 to 2.0% by weight of palladium (Pd), 0.1 to 0.6% by weight of indium (In) silver (Ag) and unavoidable impurities. Here, the silver alloy target composition for a sputtering process may have an average grain size in the range of 20 to 50 mu m.
상기와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링용 은합금 타겟을 이용하여 스퍼터링 공정으로 형성된 도전성 구조물은 치밀한 결정립을 가지고 이에 따른 우수한 내열성 및 내식성을 가질 수 있다. 이에 따른 식각액을 이용하는 식각 공정에서 우수한 식각 선택비를 가질 수 있다. 나아가, 상기 은합금 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 통하여 형성된 도전성 구조물은 하지막인 ITO막 간에 우수한 접착력을 가질 수 있다. The conductive structure formed by the sputtering process using the silver alloy target for sputtering according to the preferred embodiment of the present invention may have dense crystal grains and thus have excellent heat resistance and corrosion resistance. Accordingly, it is possible to have an excellent etch selectivity in the etching process using the etching solution. Furthermore, the conductive structure formed through the sputtering process using the silver alloy target can have an excellent adhesive force between the underlying ITO film.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that
도 1은 은(Ag) 및 팔라듐(Pd)의 상변태도(phase diagram)이다.
도 2는 은(Ag) 및 인듐(In)의 상변태도(phase diagram)이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예 및 비교예 1과 2에 따른 은합금 타겟에 대한 사진들이다.1 is a phase diagram of silver (Ag) and palladium (Pd).
FIG. 2 is a phase diagram of silver (Ag) and indium (In).
3 is a photograph of a silver alloy target according to an embodiment of the present invention and Comparative Examples 1 and 2.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the accompanying drawings, the sizes and the quantities of objects are shown enlarged or reduced in size in order to clarify the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "comprising", and the like are intended to specify that there is a feature, step, function, element, or combination of features disclosed in the specification, Quot; or " an " or < / RTI > combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물Silver alloy target composition for sputtering process
스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물은 0.4 내지 2.0 중량 %의 팔라듐(palladium, Pd), 0.05 내지 0.6 중량 %의 인듐(Indium; In) 및 나머지 은(silver; Ag)과 불가피한 불순물을 포함한다.The silver alloy target composition for the sputtering process comprises 0.4 to 2.0 wt% palladium (Pd), 0.05 to 0.6 wt% of indium (In), and the balance silver (Ag) and unavoidable impurities.
도1은 은(Ag) 및 팔라듐(Pd)의 상변태도(phase diagram)이다.1 is a phase diagram of silver (Ag) and palladium (Pd).
도 1을 참조하면, 상기 팔라듐(Pd)은 고온에서 수증기가 공급될 경우, 은합금 타겟 내에 포함된 은(Ag) 이온의 마이그레이션을 억제한다. 예를 들면, 상기 200°(=473 K)과 같은 고온에서 어닐링 공정이 수행될 경우 은-팔라듐 간의 조성비에 무관하게 안정적으로 하나의 상(phase)을 유지할 수 있다. 따라서, 상기 팔라듐 원소는 상기 은 이온의 마이그레이션을 억제함으로써 상기 은합금 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 통하여 형성된 도전성 구조물은 고온 조건에서도 치밀한 그레인(fine grain)을 유지할 수 있다. 이로써 상기 도전성 구조물은 우수한 내열성 및 염산과 같은 식각액에 대한 우수한 내식성을 가질 수 있다.Referring to FIG. 1, the palladium (Pd) inhibits the migration of silver (Ag) ions contained in a silver alloy target when steam is supplied at a high temperature. For example, when the annealing process is performed at a high temperature such as 200 ° (= 473 K), one phase can be stably maintained regardless of the composition ratio between -Palladium. Accordingly, the palladium element inhibits the migration of the silver ions, so that the conductive structure formed through the sputtering process using the silver alloy target can maintain fine grains even under high temperature conditions. As a result, the conductive structure can have excellent heat resistance and excellent corrosion resistance to an etchant such as hydrochloric acid.
한편, 상기 팔라듐이 0.4 중량 % 미만의 질량비를 가질 경우, 상술한 팔라듐의 특성을 발휘할 수 없으며, 반면에 상기 팔라듐이 2.0 중량 % 초과하는 질량비를 가질 경우 상기 도전성 구조물의 전기 저항이 악화되며 나아가 내열성 및 내식성이 악화될 수 있다. 따라서, 상기 팔라듐은 상기 은합금 타겟의 전체 질량 대비 0.4 내지 2.0 중량 %의 질량비를 가질 수 있다.
On the other hand, when the palladium has a mass ratio of less than 0.4% by weight, the above-described properties of palladium can not be exhibited. On the other hand, when the mass ratio of the palladium exceeds 2.0% by weight, the electrical resistance of the conductive structure deteriorates, And the corrosion resistance may be deteriorated. Accordingly, the palladium may have a mass ratio of 0.4 to 2.0 wt% based on the total mass of the silver alloy target.
도2는 은(Ag) 및 인듐(In)의 상변태도(phase diagram)이다.FIG. 2 is a phase diagram of silver (Ag) and indium (In).
도2를 참조하면, 상기 인듐(In)은 상기 은합금 타겟의 결정핵으로 기능할 수 있다. 즉, 후속하는 어닐링 공정에서 인듐 원소을 결정핵으로 하여 그레인이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 은합금 타겟은 치밀한 그레인을 가질 수 있으며 표면 조도를 낮출 수 있다. 결과적으로 상기 인듐은 상기 은합금 타겟의 조대화(coarse)를 억제하면서 내열성을 개선할 수 있다.Referring to FIG. 2, the indium (In) may function as a crystal nucleus of the silver alloy target. That is, in the subsequent annealing process, a grain may be formed with the indium element as a crystal nucleus. Therefore, the silver alloy target can have a dense grain, and the surface roughness can be lowered. As a result, the indium can improve the heat resistance while suppressing the coarsening of the silver alloy target.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 은(Ag) 및 상기 인듐(In)은 그 조성비 및 온도에 따라 금속간상(intermetallic phase; IMP)을 가짐을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 은합금 타겟은 치밀한 그레인 조직을 구비할 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 2, the silver (Ag) and the indium (In) have an intermetallic phase (IMP) according to their composition ratios and temperatures. Therefore, the silver alloy target may have a dense grain structure.
한편, 상기 인듐이 0.05 중량 % 미만의 질량비를 가질 경우, 상술한 인듐의 특성을 발휘할 수 없으며, 반면에 상기 인듐이 0.6 중량 % 초과하는 질량비를 가질 경우 상기 도전성 구조물의 전기 저항이 악화되며 나아가 내열성이 악화될 수 있다. 따라서, 상기 인듐은 상기 은합금 타겟의 전체 질량 대비 0.05 내지 0.6 중량 %의 질량비를 가질 수 있다.On the other hand, when the indium has a mass ratio of less than 0.05% by weight, the above indium properties can not be exhibited. On the other hand, when the indium is in a mass ratio exceeding 0.6% by weight, the electrical resistance of the conductive structure deteriorates, Can be exacerbated. Accordingly, the indium may have a mass ratio of 0.05 to 0.6% by weight based on the total weight of the silver alloy target.
나아가, 상기 은합금 타겟을 이용한 스퍼터링 공정으로 ITO 막 상에 도전성 구조물이 형성될 경우 상기 ITO 막 및 도전성 구조물 모두 인듐 원소를 함유함에 따라 상기 ITO 막 및 도전성 구조물 간의 접착력이 개선될 수 있다.Further, when a conductive structure is formed on the ITO film by the sputtering process using the silver alloy target, the adhesion between the ITO film and the conductive structure can be improved by containing the indium element in both the ITO film and the conductive structure.
상기 은(Ag)은 상기 은합금 타겟을 이용하여 스퍼터링 공정으로 형성된 도전성 구조물에 대하여 매우 낮은 비저항 즉, 우수한 전기전도도를 부여할 수 있다.The silver (Ag) can impart a very low specific resistance, that is, excellent electric conductivity, to the conductive structure formed by the sputtering process using the silver alloy target.
한편, 상기 불가피한 불순물은, 비스무스(Bi), 철(Fe), 망간(Mn), 니켈(Ni) 등이 0.001 중량% 미만의 중량비로 상기 은합금 타겟이 혼합될 수 있다.
On the other hand, the unavoidable impurities may be mixed with the silver alloy target in a weight ratio of less than 0.001% by weight of bismuth (Bi), iron (Fe), manganese (Mn), nickel (Ni)
스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물의 제조 방법Method for producing silver alloy target composition for sputtering process
먼저, 순도 99.99% 이상의 은(silver, Ag), 순도 99.99% 이상의 팔라듐(Pd) 및 순도 99.99% 이상의 인듐(In)을 준비한다.First, silver (Ag) having a purity of 99.99% or more, palladium (Pd) having a purity of 99.99% or more, and indium (In) having a purity of 99.99% or more are prepared.
상기 은(Ag)을 용해시키고, 용해된 은(Ag) 내에 팔라듐 및 인듐을 추가적인 혼입시킨다. 이후, 팔라듐 및 인듐을 은(Ag) 내에 용해시킨다. 상기 용해 공정은 불활성 가스 분위기에서 수행될 수 있다. 상기 용해 공정은 유도 가열로에서 수행될 수 있다. 또한 상기 팔라듐은 0.4 내지 2.0 중량 %의 질량비로 조절되며, 상기 인듐은 0.05 내지 0.6 중량 %의 질량비로 조절된다. 이로써 팔라듐, 인듐 및 은을 포함하는 은합금 잉곳이 형성된다. The silver (Ag) is dissolved and palladium and indium are further incorporated into the dissolved silver (Ag). Then, palladium and indium are dissolved in silver (Ag). The dissolution step may be performed in an inert gas atmosphere. The dissolution process may be performed in an induction furnace. The palladium is controlled to a mass ratio of 0.4 to 2.0 wt%, and the indium is controlled to a mass ratio of 0.05 to 0.6 wt%. Whereby a silver alloy ingot including palladium, indium and silver is formed.
이어서, 상기 은합금 잉곳을 가열하여 열간 압연 공정이 수행된다. 상기 열간 압연 공정은 400 내지 700°C의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 열간 압연 공정의 패스 스케쥴은 적절히 조절될 수 있다. Then, the silver alloy ingot is heated and a hot rolling step is performed. The hot rolling process may be performed at a temperature of 400 to 700 ° C. The pass schedule of the hot rolling process can be appropriately adjusted.
이후 급냉 공정이 수행된다. 상기 급냉 공정은 200 내지 1,000°C/min 의 냉각 속도로 진행될 수 있다. 상기 급냉 공정은 물샤워를 이용하여 수행될 수 있다.Thereafter, the quenching process is performed. The quenching process may be carried out at a cooling rate of 200 to 1,000 ° C / min. The quenching process may be performed using a water shower.
상기 공정들을 통하여 획득된 압연판에 대하여 교정 공정, 프라이즈 공정과 같은 후속 공정이 수행됨에 따라 은합금 타겟이 제조된다.A silver alloy target is produced as a subsequent process such as a calibration process and a plying process is performed on the rolled plate obtained through the above processes.
상기 은합금 타겟은 치밀한 그레인 조직을 가짐에 따라 개선된 내식성, 내열성 및 낮아진 비저항 값을 가질 수 있다.
The silver alloy target may have improved corrosion resistance, heat resistance, and reduced specific resistance as it has a dense grain structure.
실시예Example
순도 99.99 질량％ 이상의 은(Ag), 첨가 원료로서 순도 99.9 질량％ 이상의 팔라듐(Pd) 및 인듐(In)을 준비하고, 흑연 도가니에서 고주파 유도 용해로에 장전하였다. 상기 용해 공정은, 은(Ag)를 먼저 용해시켰다. 이 후 팔라듐, 인듐을 첨가 원소를 추가하하여 합금 용탕을 형성하였다. 이때, 상기 팔라뮴은 1.90중량%, 상기 인듐은 0.54중량%의 중량비를 갖도록 조절하였다. (Ag) having a purity of 99.99 mass% or more, palladium (Pd) and indium (In) having a purity of 99.9 mass% or more as an additive material were prepared and loaded in a high frequency induction melting furnace in a graphite crucible. In the dissolution step, silver (Ag) was first dissolved. After that, palladium and indium were added to form an alloy melt. At this time, the palladium and the indium were adjusted to have a weight ratio of 1.90 wt% and 0.54 wt%, respectively.
상기 합금 용탕을 유도 가열에 의한 충분히 교반하고, 이어서 주철제의 주형으로 은합금 잉곳을 제조하였다.The alloy melt was sufficiently stirred by induction heating, and subsequently a silver alloy ingot was produced as a cast iron mold.
이후, 상기 은합금 잉곳을 700 ℃ 까지 가열하고, X 방향 및 Y 방향으로 압연을 반복하여 신장시켰다. Thereafter, the silver alloy ingot was heated to 700 DEG C, and rolled in the X direction and the Y direction was repeatedly stretched.
상기 열간 압연 공정 후, 압연판을 300°C/min. 의 냉각 속도로 급냉시켰다.After the hot rolling process, the rolled plate was heated at 300 ° C / min. Lt; / RTI >
상기 급냉 공정 후, 압연판을 롤러 레벨러를 이용하여 가공함으로써 스퍼터링용 은합금 타겟을 제조하였다.
After the quenching step, the rolled plate was processed using a roller leveler to produce a silver alloy target for sputtering.
비교예1Comparative Example 1
순도 99.99 질량％ 이상의 은(Ag), 첨가 원료로서 순도 99.9 질량％ 이상의 팔라듐(Pd)을 준비하고, 상기 팔라뮴은 1.91중량%의 중량비를 갖도록 조절하였다. 이때 인듐(In)은 첨가되지 않은 점을 제외하고는 실시예와 동일한 조건으로 스터퍼링용 은합금 타겟을 제조하였다.
Silver (Ag) having a purity of 99.99% by mass or more and palladium (Pd) having a purity of 99.9% by mass or more as an additive material were prepared and the palladium was adjusted to have a weight ratio of 1.91% by weight. A silver alloy target for stuffering was produced under the same conditions as in Example except that indium (In) was not added at this time.
비교예2Comparative Example 2
순도 99.99 질량％ 이상의 은(Ag), 첨가 원료로서 순도 99.9 질량％ 이상의 팔라듐(Pd) 및 구리(Cu)을 준비하고, 상기 팔라뮴은 1.90중량% 및 상기 구리(Cu)는 0.51중량%의 중량비를 갖도록 조절하였다. 이때 인듐(In) 대신에 구리(Cu)가 첨가된 점을 제외하고는 실시예와 동일한 조건으로 스터퍼링용 은합금 타겟을 제조하였다.
Palladium (Pd) and copper (Cu) having a purity of 99.9% by mass or more were prepared as an additive material and the palladium was 1.90% by weight and the copper (Cu) was 0.51% by weight . A silver alloy target for stuffering was produced under the same conditions as those of the example except that copper (Cu) was added instead of indium (In).
스퍼터링 공정용 은합금 타겟의 평가Evaluation of silver alloy target for sputtering process
상술한 실시예 및 비교예1 과 2에 대한 그레인 사이즈를 측정한다. 이에 대한 수치는 아래의 표1에 기재된다.The grain sizes for the above-described Examples and Comparative Examples 1 and 2 are measured. The values are shown in Table 1 below.
(μΩ㎝)Resistivity
(μΩcm)
Comparative Example 1
Comparative Example 2
Example
도 3은 본 발명의 일 실시예 및 비교예1과 2에 따른 은합금 타겟에 대한 사진들이다.3 is a photograph of a silver alloy target according to an embodiment of the present invention and Comparative Examples 1 and 2.
도 3 및 표1에서와 같이 실시예에 따른 비교예1 및 2에 비하여 작은 평균 그레인 사이즈(26㎛)를 가짐을 확인할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 은합금 타겟은 치밀한 조직을 가진다. 이때, 일반적으로 알려진 직경측정법에 따라서, 평균 그레인 사이즈는 그레인을 완전 구형으로 가정한 상태에서 그레인의 평균 직경에 해당한다.As shown in FIG. 3 and Table 1, it can be confirmed that the average grain size (26 μm) is smaller than that of Comparative Examples 1 and 2 according to the embodiment. Therefore, the silver alloy target according to the embodiment has a dense structure. At this time, according to a generally known diameter measurement method, the average grain size corresponds to the average diameter of the grain assuming that the grain is completely spherical.
한편, 상기 비저항값은 상기 스퍼터링용 은합금 타겟들을 이용하여 스퍼터링 공정을 수행하여 기판 상에 도전성 구조물을 형성하였다. 상기 스퍼터링 공정은, DC1000 W의 전원으로 타겟 및 기판간 거리를 50mm , 아르곤 가스압은 0.5P로 조절된 조건에서 수행되었다. 이후, 상기 도전성 구조물에 대하여 500°의 온도에서 어닐링 공정이 수행되었다.On the other hand, the resistivity value was subjected to a sputtering process using the silver alloy targets for sputtering to form a conductive structure on the substrate. The sputtering process was performed under the condition that the distance between the target and the substrate was set to 50 mm and the argon gas pressure was adjusted to 0.5 P by a DC 1000 W power source. Thereafter, an annealing process was performed on the conductive structure at a temperature of 500 °.
표1에서와 같이 실시예에 따른 도전성 구조물은 매우 낮은 비저항(2.7μΩ㎝) 값을 가짐을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 스터링용 은합금 타겟을 이용하는 스퍼터링 공정에 형성된 도전성 구조물은 우수한 전기전도도를 가짐을 확인할 수 있다. As shown in Table 1, it can be seen that the conductive structure according to the embodiment has a very low resistivity (2.7 mu OMEGA cm) value. Therefore, it can be confirmed that the conductive structure formed in the sputtering process using the silver alloy target for stirling has excellent electric conductivity.
본 발명에 따른 스퍼터링용 은합금 타겟은 유기 발광 디스플레이에 포함된 전극 패드와 같은 도전성 구조물을 스퍼터링 공정으로 형성하는 경우 적용될 수 있다.The silver alloy target for sputtering according to the present invention can be applied when a conductive structure such as an electrode pad included in an organic light emitting display is formed by a sputtering process.
Claims (2)
0.05 내지 0.6 중량 %의 인듐(Indium; In); 및
나머지 은(silver; Ag)과 불가피한 불순물을 포함하고,
20 내지 50 ㎛ 범위의 평균 그레인 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물.0.4 to 2.0% by weight of palladium (Pd);
0.05 to 0.6% by weight of indium (In); And
The remainder contains silver (Ag) and unavoidable impurities,
≪ / RTI > has an average grain size in the range of 20 to 50 < RTI ID = 0.0 > um. ≪ / RTI >
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130148650A KR101564291B1 (en) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | Composition of a silver alloy target for a sputtering process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130148650A KR101564291B1 (en) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | Composition of a silver alloy target for a sputtering process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150063819A KR20150063819A (en) | 2015-06-10 |
| KR101564291B1 true KR101564291B1 (en) | 2015-10-29 |
Family
ID=53505503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130148650A KR101564291B1 (en) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | Composition of a silver alloy target for a sputtering process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101564291B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006252746A (en) | 2003-12-10 | 2006-09-21 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Silver alloy for reflection film |
| WO2006132410A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Silver alloy for electrode, wiring and electromagnetic shielding |
| JP2008171884A (en) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Toyota Central R&D Labs Inc | Method of forming electrode |
-
2013
- 2013-12-02 KR KR1020130148650A patent/KR101564291B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006252746A (en) | 2003-12-10 | 2006-09-21 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Silver alloy for reflection film |
| WO2006132410A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Silver alloy for electrode, wiring and electromagnetic shielding |
| JP2008171884A (en) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Toyota Central R&D Labs Inc | Method of forming electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150063819A (en) | 2015-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102892908B (en) | Copper alloy for electronic device, method for producing copper alloy for electronic device, and copper alloy rolled material for electronic device | |
| JP5612147B2 (en) | Silver alloy sputtering target for forming conductive film and method for producing the same | |
| JP5320642B2 (en) | Copper alloy manufacturing method and copper alloy | |
| EP2803754B1 (en) | Silver-alloy sputtering target for conductive-film formation, and method for producing same | |
| JP4885274B2 (en) | Amorphous composite oxide film, crystalline composite oxide film, method for producing amorphous composite oxide film, and method for producing crystalline composite oxide film | |
| KR101679562B1 (en) | silver alloy composition forming conductive membrane and manufacturing method of it | |
| JP2010103331A (en) | Sputtering target for forming wiring film for thin-film transistor | |
| JP2013133489A (en) | Cu ALLOY SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METAL THIN FILM | |
| TW202130826A (en) | Copper alloy, copper alloy plastic-processed material, component for electronic and electric devices, terminal, bus bar, and heat dissipation substrate | |
| JP2013060655A (en) | Laminated wiring film for electronic component and sputtering target material for forming coating layer | |
| JP4815194B2 (en) | Conductive thin film, alloy target material for protective layer thereof, and manufacturing method thereof | |
| EP2937444B1 (en) | Ag-in alloy sputtering target | |
| JP2010074017A (en) | Wiring film for thin-film transistor having excellent adhesion and sputtering target for forming the same | |
| JP4916206B2 (en) | Cu-Cr-Si alloy and Cu-Cr-Si alloy foil for electric and electronic parts | |
| CN105473760B (en) | Diaphragm formation sputtering target and stacking wiring film | |
| TWI654323B (en) | Copper alloy sputtering target and manufacturing method of copper alloy sputtering target | |
| JP6011700B2 (en) | Cu alloy sputtering target and method for producing the same | |
| JP2013082960A (en) | Titanium-copper, method for production thereof, and wrought copper product and electronic device using the titanium-copper | |
| KR101564291B1 (en) | Composition of a silver alloy target for a sputtering process | |
| KR20150085236A (en) | Composition of a silver alloy target for a sputtering process | |
| JP6398594B2 (en) | Sputtering target | |
| JP5125112B2 (en) | Wiring and electrode for liquid crystal display device free from thermal defect and sputtering target for forming them | |
| JP2019131850A (en) | Laminated film and Ag alloy sputtering target | |
| KR20100045274A (en) | High electrical conductivity and heat resistance aluminum alloys | |
| TW202130827A (en) | Copper alloy, copper alloy plastic working material, electronic/electrical device component, terminal, busbar, heat-dissipating board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180917 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191028 Year of fee payment: 5 |