KR101563634B1 - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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KR101563634B1 KR1020140054339A KR20140054339A KR101563634B1 KR 101563634 B1 KR101563634 B1 KR 101563634B1 KR 1020140054339 A KR1020140054339 A KR 1020140054339A KR 20140054339 A KR20140054339 A KR 20140054339A KR 101563634 B1 KR101563634 B1 KR 101563634B1
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송상준
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피에스케이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device. The substrate processing device comprises a process chamber, a substrate support unit, a gas supply unit, a terminal detecting device, a plasma source, and so on. The terminal detecting device determines whether a process ends by detecting emissive light through a light detecting unit with a light receiving unit. The light receiving unit receives the emissive light from an optimum detecting location by controlling a light receiving location. Therefore, reliability for terminal detection is enhanced.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for processing a substrate using plasma.

반도체 공정 등의 박막을 식각(etching)시키는 공정 시, 종점 검출 장치로 원하는 두께로 식각되었음을 감지 한다.During the process of etching a thin film in a semiconductor process or the like, it is sensed that the end-point detection apparatus has etched to a desired thickness.

일반적으로 종점 검출 방법으로 분광분석이나 질량분석 방법 등이 사용되고 있는데, 장치가 간편하고 감도가 높은 분광분석이 널리 사용되며, 분광분석의 경우, 종점 검출 장치(End Point Detection)내 광 검출기를 이용하여 장치 내에서 플라스마를 이용한 기판 처리시 발생하는 방사광의 발광강도를 측정한다.In general, spectroscopic analysis and mass spectrometry are used as the end point detection method. A simple and highly sensitive spectroscopic analysis is widely used. In the case of spectroscopic analysis, a photodetector in an end point detection apparatus is used The emission intensity of the radiation generated in the processing of the substrate using the plasma in the apparatus is measured.

플라스마를 이용한 기판 처리시 사용되는 가스들에 대한 반응으로 생성되는 종점 검출용 활성종들의 종류에 따라 상이한 파장을 가지는 방사광이 발생하며, 방사광의 파장에 따라 상이한 위치에서 가장 강한 방사광이 발생된다. 또한, 개개의 장비 또는 장비의 노후 정도에 따라 가장 강한 방사광이 발생되는 위치가 상이하다. 방사광의 강도가 강할수록 종점 검출에 대한 신뢰도가 향상된다.Depending on the kinds of active species for endpoint detection generated by the reaction of the gases used in the substrate processing using the plasma, radiation having a different wavelength is generated, and the strongest radiation is generated at different positions depending on the wavelength of the radiation. Also, the position where the strongest radiation is generated depends on the degree of aging of the individual equipment or equipment. The stronger the intensity of the emitted light is, the more reliable the end point detection is.

종래, 종점 검출 장치는 장비의 외벽에 고정되고 수광부는 공점 검출 장치 내부에 고정되도록 제공되는데, 이로 인해 각각의 장비별, 노후 정도 또는 상이한 파장을 가지는 방사광의 생성위치 등에 따라 적절하게 광 검출기의 수광부의 위치를 조절할 수 없다.Conventionally, the end point detection device is fixed to the outer wall of the equipment, and the light receiving portion is provided to be fixed inside the hollow detection device. Accordingly, the light receiving portion of the photodetector, appropriately depending on the equipment, the generation position of the synchrotron radiation having different wavelengths, Can not be adjusted.

본 발명은 기판 처리 공정시, 플라스마로 인가되는 가스의 종류에 따라 공정 챔버 내에서 발생하는 다양한 파장대역의 방사광을 검출할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of detecting radiation in various wavelength bands occurring in a process chamber according to the kind of gas applied to the plasma in a substrate processing process.

또한, 본 발명은 기판 처리 공정시, 방사광의 발생 위치를 정확히 지향하여 종점 검출의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of improving the reliability of end point detection by accurately orienting the generation position of emitted light during a substrate processing step.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부, 상기 공정 가스를 플라스마로 여기 시키는 플라스마 소스 및 상기 공정 챔버 내에서 공정 처리시 발생되는 방사광을 검출하여 그 강도를 측정하여 공정 완료 여부를 결정하는 종점 검출 장치를 가지되, 상기 종점 검출 장치는, 상기 방사광을 수광하는 수광부를 가지고 상기 방사광을 검출하는 광 검출부를 포함하고, 상기 수광부는, 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버내 영역을 조절할 수 있도록 제공된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber having a space formed therein, a substrate support unit disposed inside the process chamber and supporting the substrate, a gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber, And an end point detection device for detecting the radiation intensity generated during the process process in the process chamber and measuring the intensity thereof to determine whether or not the process has been completed. And a photodetector for detecting the radiation with a light-receiving portion, wherein the light-receiving portion is provided so as to adjust an area in the process chamber for detecting the radiation.

상기 구동기는, 상기 기판의 상면과 평행하고 상기 종점 검출 장치가 상기 공정 챔버내 영역을 마주보는 방향과 수직인 축을 기준으로 또는 상기 기판의 상면과 수직인 축을 기준으로 상기 수광부를 회전시키도록 제공된다.The driver is provided to rotate the light receiving unit based on an axis that is parallel to an upper surface of the substrate and perpendicular to a direction in which the end point detecting device faces the area in the process chamber, or on an axis perpendicular to an upper surface of the substrate .

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 기판 지지 유닛에 더미 기판을 제공하는 단계, 상기 더미 기판을 플라스마를 이용하여 처리하는 공정 중 상기 수광부의 위치를 제 1 위치부터 제 2 위치까지 이동하여 상기 공정 챔버 내의 영역별 방사광을 측정하는 단계, 상기 공정 챔버 내에서 방사광의 강도가 최대인 영역을 향하도록 상기 수광부의 위치를 고정시키는 단계, 상기 공정 챔버 외부로 상기 더미 기판을 반출하는 단계, 상기 기판 지지 유닛에 처리 기판을 제공하는 단계, 플라스마를 이용하여 상기 기판을 처리 하는 공정 중 상기 방사광의 강도를 측정하여 상기 기판 공정처리의 종료시점을 판단하는 단계 및 상기 종료 시점에서 공정을 종료하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 위치는, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 제 1 영역을 바라보는 위치이고, 상기 제 2 위치는, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 제 2 영역을 바라보는 위치이다.The present invention also provides a substrate processing method. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus, comprising the steps of: providing a dummy substrate to the substrate supporting unit; processing the dummy substrate using plasma Moving the position of the light receiving portion from a first position to a second position to measure a region-specific radiation in the process chamber, fixing the position of the light-receiving portion in the process chamber such that the position of the light- , Carrying out the dummy substrate out of the process chamber, providing a process substrate to the substrate support unit, measuring the intensity of the emitted light during the process of processing the substrate using the plasma, Determining a time point and ending the process at the end point, wherein the first Value, and the light receiving part is located facing the inside the first region of the process chamber, for detecting said radiation, the second position is a position at which the light-receiving section facing the inside second region of the process chamber, for detecting the emitted light.

상기 제 1 영역은, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 상부 영역과 하부 영역 중 하나이고, 상기 제 2 영역은, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 중 다른 하나일 수 있다.The first region may be one of an upper region and a lower region in the process chamber in which the light-receiving unit detects the radiation, and the second region may be the other of the upper region and the lower region.

또한, 상기 종점 검출 장치에서 상기 공정 챔버를 마주보는 방향으로 바라볼 때, 상기 제 1 영역은, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 좌측 또는 우측 영역 중 하나의 영역이고, 상기 제 2 영역은, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 좌측 또는 우측 영역 중 다른 하나의 영역일 수 있다.Further, when the process chamber is viewed in the direction opposite to the end point detection device, the first region is one of the left and right regions in the process chamber in which the light-receiving portion detects the radiation, The region may be the other one of the left or right regions in the process chamber in which the light receiving portion detects the radiation.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 수광부의 위치가 조절 가능하게 제공됨으로써, 기판 처리 공정시, 공정 챔버 내에서 발생하는 다양한 파장대역의 방사광을 검출할 수 있고, 따라서 방사광의 발생 위치를 정확히 지향하여 종점 검출의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the embodiments of the present invention can adjust the position of the light receiving unit so that it is possible to detect the radiation of various wavelength bands occurring in the process chamber during the substrate processing process, It is possible to improve the reliability of the end point detection by accurately aiming the generation position.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 광검출부를 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 간략히 나타낸 순서도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 4 are views for explaining the optical detector of FIG.
5 is a flowchart briefly showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판(10)은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the substrate 10 may be a semiconductor wafer. However, the present invention is not limited to this, and the substrate 10 may be another type of substrate such as a glass substrate.

또한, 본 발명의 실시예에서 기판 처리 장치는 플라스마를 이용하여 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.Further, in the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may be an apparatus for performing a process such as deposition or etching using plasma.

이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급부(300), 종점 검출 장치(400), 플라스마 소스(500), 배기 라인(600) 및 배플(700)을 가진다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a process chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, an end point detection unit 400, a plasma source 500, an exhaust line 600, And a baffle 700.

공정 챔버(100)는 처리실(120)과 플라스마 발생실(140)을 가진다. The process chamber 100 has a process chamber 120 and a plasma generation chamber 140.

처리실(120)은 플라스마에 의해 기판(10)이 처리되는 공간을 제공한다. 처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 기판 유입구(미도시) 및 방사광 검출구(124)가 형성된다.The process chamber 120 provides a space in which the substrate 10 is processed by the plasma. The treatment chamber 120 has a space in which an upper portion is opened. The treatment chamber 120 may be provided in a substantially cylindrical shape. A substrate inlet (not shown) and a radiation detector 124 are formed on the side wall of the process chamber 120.

기판(10)은 기판 유입구(미도시)를 통하여 처리실(120) 내부로 출입한다. 기판 유입구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다.The substrate 10 enters and exits the processing chamber 120 through a substrate inlet (not shown). The substrate inlet (not shown) may be opened or closed by an opening / closing member such as a door (not shown).

플라스마를 이용한 기판(10) 처리시 발생되는 방사광은 방사광 검출구(124)를 통해 종점 검출 장치(400)에 의해 검출된다.The radiation emitted during the processing of the substrate 10 using the plasma is detected by the end point detection apparatus 400 through the radiation detection port 124.

처리실(120)의 바닥면에는 개구(122)가 형성된다. 개구(122)는 기판 지지 유닛(200)의 둘레에 제공될 수 있다. 개구(122)에는 배기 라인(600)이 연결된다. 배기 라인(600)에는 진공 펌프(미도시)가 설치된다. 진공 펌프(미도시)는 처리실(120) 내 압력을 공정 압력으로 조절한다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 라인(600)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다.An opening 122 is formed in the bottom surface of the processing chamber 120. An opening 122 may be provided around the substrate support unit 200. An exhaust line (600) is connected to the opening (122). The exhaust line 600 is provided with a vacuum pump (not shown). A vacuum pump (not shown) adjusts the pressure in the processing chamber 120 to a process pressure. Residual gas and reaction by-products in the process chamber 120 are discharged to the outside of the process chamber 120 through the exhaust line 600.

플라스마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라스마가 발생되는 공간을 제공한다. 플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 외부에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에 위치되며 처리실(120)에 결합된다. 플라스마 발생실(140)은 방전실(142) 및 확산실(144)을 가진다. 방전실(142) 및 확산실(144)은 상하 방향으로 순차적으로 제공된다. 방전실(142)은 내부에 상부 및 하부가 개방된 공간을 가진다. 방전실(142)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 방전실(142) 내에서 가스로부터 플라스마가 발생된다. 확산실(144)은 방전실(142)에서 발생된 플라스마를 처리실(120)로 공급한다. 확산실(144) 내 공간은 아래로 갈수록 점진적으로 넓어지는 부분을 가진다. 확산실(144)의 하단은 처리실(120)의 상단과 결합되며, 이들 사이에는 외부와의 밀폐를 위해 실링 부재(미도시)가 제공된다.The plasma generating chamber 140 provides a space from which the plasma is generated from the process gas. The plasma generation chamber 140 is located outside the process chamber 120. According to one example, the plasma generating chamber 140 is located at the top of the processing chamber 120 and is coupled to the processing chamber 120. The plasma generation chamber 140 has a discharge chamber 142 and a diffusion chamber 144. The discharge chamber 142 and the diffusion chamber 144 are sequentially provided in the vertical direction. The discharge chamber (142) has a space in which the upper part and the lower part are opened. The discharge chamber 142 may be provided in a substantially cylindrical shape. Plasma is generated from the gas in the discharge chamber 142. The diffusion chamber 144 supplies the plasma generated in the discharge chamber 142 to the processing chamber 120. The space in the diffusion chamber 144 has a gradually widening portion as it goes downward. The lower end of the diffusion chamber 144 is engaged with the upper end of the processing chamber 120, and a sealing member (not shown) is provided between the diffusion chamber 144 and the processing chamber 120 for sealing against the outside.

공정 챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 공정 챔버(100)는 접지라인(160)을 통해 접지될 수 있다.The process chamber 100 is provided with a conductive material. The process chamber 100 may be grounded via a ground line 160.

기판 지지 유닛(200)은 기판(10)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지판(220)과 지지축(240)을 가진다. The substrate support unit 200 supports the substrate 10. The substrate support unit 200 has a support plate 220 and a support shaft 240.

지지판(220)은 처리실(120)내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(220)은 지지축(240)에 의해 지지된다. 기판(10)은 지지판(220)의 상면에 놓인다. 지지판(220)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(10)은 정전기력 또는 기구적 클램프에 의해 지지판(220)에 지지될 수 있다. The support plate 220 is disposed in the treatment chamber 120 and is provided in a disc shape. The support plate 220 is supported by a support shaft 240. The substrate 10 is placed on the upper surface of the support plate 220. An electrode (not shown) is provided inside the support plate 220, and the substrate 10 can be supported on the support plate 220 by an electrostatic force or a mechanical clamp.

가스 공급부(300)는 방전실(142)의 상부에 제공될 수 있다. 가스 공급부(300)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 가스 공급부(300)는 가스 공급라인(320), 가스 저장부(340) 그리고 가스 포트(360)를 가진다. The gas supply part 300 may be provided at an upper part of the discharge chamber 142. One or a plurality of gas supply units 300 may be provided. The gas supply unit 300 has a gas supply line 320, a gas storage unit 340, and a gas port 360.

가스 공급라인(320)은 가스 포트(360)에 연결된다. 가스 포트(360)는 방전실(142)의 상부에 결합된다. 가스 포트(360)를 통해 공급된 가스는 방전실(142)로 유입되고, 방전실(142)에서 플라스마로 여기 된다.The gas supply line 320 is connected to the gas port 360. The gas port 360 is coupled to the upper portion of the discharge chamber 142. The gas supplied through the gas port 360 flows into the discharge chamber 142 and is excited into the plasma in the discharge chamber 142.

종점 검출 장치(400)는 공정 챔버(100) 내에서 공정 처리시 발생되는 방사광을 검출하여 그 강도를 측정하여 공정 완료 여부를 결정한다. 종점 검출 장치(400)는 광검출부(420), 구동기(440), 종점 제어부(460), 입력/표시부(480) 및 연결/전원부(490)를 가진다. 종점 검출 장치(400)는 공정 챔버(100) 외벽에 부착하여 고정되게 제공된다.The end point detection apparatus 400 detects the radiation emitted during the process in the process chamber 100 and measures the intensity thereof to determine whether the process has been completed. The end point detection apparatus 400 includes a light detection unit 420, a driver 440, an end point control unit 460, an input / display unit 480, and a connection / power unit 490. The end point detection device 400 is attached and fixed to the outer wall of the process chamber 100.

도 2는 도 1의 광검출부(420)를 설명하기 위한 도면이다. 광검출부(420)는 수광부(422)가 수광한 방사광을 검출하고 그 발광 강도를 측정하여 그 데이터를 종점 제어부(460)로 전송한다. 도 2를 참고하면, 광검출부(420)는 수광부(422), 각도 센서(미도시) 및 위치 제어부(424)를 포함한다.2 is a view for explaining the optical detector 420 of FIG. The light detection unit 420 detects the radiation light received by the light receiving unit 422, measures the light emission intensity, and transmits the data to the end point control unit 460. 2, the light detecting unit 420 includes a light receiving unit 422, an angle sensor (not shown), and a position control unit 424.

수광부(422)는 플라스마를 이용하여 기판 처리시 발생하는 방사광을 수광한다. 수광부(422)는 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 영역을 조절할 수 있도록 제공된다. 예를 들면, 수광부(422)는 제 1 위치(P1)에서 제 2 위치(P2)까지 기판(10)의 상면과 평행하고 종점 검출 장치(400)가 공정 챔버(100)내 영역을 마주보는 방향과 수직인 축을 기준으로 회전이 가능하도록 제공될 수 있다. 제 1 위치(P1)는 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100) 내 제 1 영역(A1)을 바라보는 수광부(422)의 위치이고, 제 2 위치(P2)는 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 제 2 영역(A2)을 바라보는 수광부(422)의 위치이다. 제 1 영역(A1)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 상부 영역과 하부 영역 중 하나이고, 제 2 영역(A2)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 상부 영역과 하부 영역 중 다른 하나이다.The light receiving unit 422 receives the radiation generated during the substrate processing by using the plasma. The light receiving portion 422 is provided so as to adjust the region in the process chamber 100 that detects the radiation. For example, the light-receiving portion 422 is parallel to the upper surface of the substrate 10 from the first position P1 to the second position P2, and the end-point detecting device 400 is disposed in a direction facing the region in the process chamber 100 And can rotate about a vertical axis. The first position P1 is the position of the light receiving portion 422 that looks at the first region A1 in the process chamber 100 where the light receiving portion 422 detects the radiation and the second position P2 is the position of the light receiving portion 422, Is the position of the light receiving section 422 looking at the second area A2 in the process chamber 100 for detecting the radiation. The first region A1 is one of an upper region and a lower region in the process chamber 100 in which the light receiving unit 422 detects the radiation and the second region A2 is a process chamber in which the light receiving unit 422 detects the radiation 100). ≪ / RTI >

도 3 및 도 4는 도 1의 광검출부(420)의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 3 and 4 are views showing another embodiment of the optical detector 420 of FIG.

도 3을 참고하면, 수광부(422)는 제 1 위치(P1)에서 제 2 위치(P2)까지 기판(10)의 상면과 수직인 축을 기준으로 회전이 가능하도록 제공될 수 있다. 이 경우, 종점 검출 장치(400)에서 공정 챔버(100)를 마주보는 방향으로 바라볼 때, 제 1 영역(A1)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 좌측 또는 우측 영역 중 하나이고, 제 2 영역(A2)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 좌측 또는 우측 영역 중 다른 하나이다.3, the light receiving portion 422 may be provided so as to be rotatable about an axis perpendicular to the upper surface of the substrate 10 from the first position P1 to the second position P2. In this case, when the process chamber 100 is viewed in the direction facing the end point detecting apparatus 400, the first region A1 is a region where the light receiving unit 422 is located in the left or right region And the second region A2 is the other one of the left or right regions in the process chamber 100 where the light receiving portion 422 detects the radiation.

도 4를 참고하면, 수광부(422)는 제 1 위치(P1)에서 제 2 위치(P2)까지 상하 방향으로 직선 운동이 가능하도록 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 위치(P1)는 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100) 내 제 1 영역(A1)을 바라보는 수광부(422)의 위치이고, 제 2 위치(P2)는 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 제 2 영역(P2)을 바라보는 수광부(422)의 위치이다. 제 1 영역(A1)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 상부 영역과 하부 영역 중 하나이고, 제 2 영역(A2)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 상부 영역과 하부 영역 중 다른 하나이다. 비록, 도 4에서는 상하 방향의 직선 운동에 대하여만 도시하고 있으나, 수광부(422)는 좌우 방향으로 직선 운동하도록 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 영역(A1)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 좌측 또는 우측 영역 중 하나이고, 제 2 영역(A2)은 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100)내 좌측 또는 우측 영역 중 다른 하나이다. 상술한 바와 같이, 수광부(422)가 수광 위치를 변경할 수 있도록 제공됨으로써, 수광부(422)를 적절한 종점 검출 위치에 고정시킬 수 있어 최적의 검출 위치로부터 방사광을 수광할 수 있게 된다. 따라서, 종점 검출에 대한 신뢰도를 향상 시킬 수 있다.4, the light receiving portion 422 may be provided so as to be linearly movable in the up-and-down direction from the first position P1 to the second position P2. In this case, the first position P1 is the position of the light receiving portion 422 facing the first region A1 in the process chamber 100 where the light receiving portion 422 detects the radiation, and the second position P2 is the position of the light receiving portion 422, (422) is a position of the light receiving portion 422 looking at the second region (P2) in the process chamber (100) in which the radiation is detected. The first region A1 is one of an upper region and a lower region in the process chamber 100 in which the light receiving unit 422 detects the radiation and the second region A2 is a process chamber in which the light receiving unit 422 detects the radiation 100). ≪ / RTI > Although FIG. 4 shows only the linear motion in the vertical direction, the light receiving portion 422 can be provided to move linearly in the left-right direction. In this case, the first region A1 is one of the left or right regions in the process chamber 100 in which the light-receiving unit 422 detects the radiation, and the second region A2 is a process in which the light-receiving unit 422 detects the radiation Is the other one of the left or right regions in the chamber 100. As described above, since the light-receiving unit 422 is provided so as to change the light-receiving position, the light-receiving unit 422 can be fixed to the appropriate end-point detection position, and the radiation can be received from the optimum detection position. Therefore, the reliability of the end point detection can be improved.

위치 센서(미도시)는 수광부(422)의 위치를 측정하여 그 값을 나타내는 신호를 위치 제어부(424) 및 입력/표시부(480)에 전달한다.The position sensor (not shown) measures the position of the light receiving unit 422 and transmits a signal indicating the value to the position control unit 424 and the input / display unit 480.

위치 제어부(424)는 위치 센서를 통해 전달된 수광부(422)의 위치 및 각 위치별 종점 검출용 방사광의 발광 강도를 이용하여 수광부(422)가 방사광을 수광하는 공정 챔버(100)내부의 각 영역별 발광 강도를 비교하여 수광부(422)가 수광하기 가장 적절한 영역을 향하도록 구동기(440)를 제어하여 수광부(422)를 위치시킨다. 일반적으로 수광하기 가장 적절한 영역은 종점 검출용 방사광의 발광 강도가 최대인 곳이다.The position control unit 424 controls the position of the light receiving unit 422 in each region in the process chamber 100 receiving the radiation by using the position of the light receiving unit 422 transmitted through the position sensor and the light emission intensity of the end- The driver 440 is controlled to position the light receiving portion 422 so that the light receiving portion 422 faces the most suitable region for receiving light. Generally, the most suitable region for receiving light is where emission intensity of the end point detection radiation is maximum.

구동기(440)는 수광부(422)를 제 1 위치(P1)에서 제 2 위치(P2)로 이동시키는 구동력을 발생시킨다. 구동기(440)는 스테핑 모터(미도시)를 포함할 수 있다. 구동기(440)는 스테핑 모터(미도시)를 이용함으로써, 수광부(422)를 일정 각도 또는 일정 거리 간격으로 이동시킬 수 있다. 구동기(440)는 광 검출부(420)의 내부 또는 외부에 제공될 수 있다.The driver 440 generates a driving force for moving the light receiving portion 422 from the first position P1 to the second position P2. The driver 440 may include a stepping motor (not shown). The driving unit 440 can move the light receiving unit 422 at a predetermined angle or at a constant distance by using a stepping motor (not shown). The driver 440 may be provided inside or outside the optical detector 420.

다시 도 1을 참고하면, 종점 제어부(460)는 플라스마를 이용한 기판(10) 처리 공정 중 광 검출부(420)를 통해 검출된 방사광에 의해 기판 처리 공정의 종점 여부를 판단한다. 광검출부(420)를 통해 기판(10) 처리의 종점시 발생되는 발광 강도가 검출된 경우, 종점 제어부(460)는 연결/전원부(490)를 통해 기판 처리 장치의 각 파트들로 공정 종료 신호를 전달한다.Referring to FIG. 1 again, the end point control unit 460 determines whether or not the end of the substrate processing process is caused by the radiation detected through the optical detection unit 420 during the process of processing the substrate 10 using plasma. When the light emission intensity generated at the end of the processing of the substrate 10 is detected through the optical detection unit 420, the end point control unit 460 outputs a process end signal to the respective parts of the substrate processing apparatus via the connection / .

입력/표시부(480)는 위치 센서를 통해 측정된 수광부(480)의 위치를 표시한다. 입력/표시부(480)는 종점 제어부(460)에서 판단한 종점 여부를 표시한다. 사용자는 입력/표시부(480)에 설정 위치를 입력함으로써 수광부(422)를 원하는 위치에 고정시킬 수 있다.The input / display unit 480 displays the position of the light receiving unit 480 measured through the position sensor. The input / display unit 480 displays the end point determined by the end point control unit 460. The user can fix the light receiving portion 422 at a desired position by inputting the setting position in the input / display portion 480. [

연결/전원부(490)는 종점 검출 장치의 각 파트에 전원을 인가한다. 연결/전원부(490)는 종점 제어부(460)에서 출력된 공정 종료 신호를 기판 처리 장치의 각 파트들에 전달함으로써, 플라스마를 이용한 기판(10) 처리 공정을 종료시킨다.The connection / power supply unit 490 applies power to each part of the end point detection device. The connection / power supply unit 490 transmits the process end signal output from the end point control unit 460 to the respective parts of the substrate processing apparatus, thereby terminating the substrate processing process using the plasma.

플라스마 소스(500)는 방전실(142)에서 가스 공급 유닛(300)에 의해 공급된 가스로부터 플라스마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라스마 소스(500)는 유도 결합형 플라스마 소스일 수 있다. 플라스마 소스(500)는 안테나(520)와 전원(540)을 가진다.The plasma source 500 generates a plasma from the gas supplied by the gas supply unit 300 in the discharge chamber 142. According to one example, the plasma source 500 may be an inductively coupled plasma source. The plasma source 500 has an antenna 520 and a power source 540.

안테나(520)는 방전실(142)의 외부에 제공되며 방전실(142)의 측면을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(520)의 일단은 전원(540)에 연결되고, 타단은 접지된다.The antenna 520 is provided outside the discharge chamber 142 and is provided to surround the side of the discharge chamber 142 plural times. One end of the antenna 520 is connected to the power source 540, and the other end is grounded.

전원(540)은 안테나(520)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(540)은 안테나(520)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. The power supply 540 applies power to the antenna 520. According to an example, the power source 540 may apply high frequency power to the antenna 520. [

배플(700)은 확산실(144)의 하단에 제공된다. 배플(700)은 원판 형상으로 제공된다. 배플(700)은 확산실(144) 하단의 내측 직경보다 큰 직경으로 제공된다. 배플(700)은 접지된다. 일 예에 의하면, 배플(700)은 챔버(100)에 접촉되도록 제공되어, 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 선택적으로, 배플(700)은 별도의 접지 라인에 직접 연결될 수 있다. 배플(700)에는 그 상단부터 하단까지 연장되는 분사 홀들(미도시)이 형성된다. 분사 홀들(미도시)은 배플(700)의 각 영역에 대체로 동일한 밀도로, 그리고 동일한 직경으로 형성될 수 있다. 선택적으로 분사 홀들(미도시)은 배플(700)의 영역에 따라 상이한 직경으로 형성될 수 있다. 플라스마는 분사 홀들(미도시)을 통해 확산실(144)에서 처리실(120)내로 공급된다. 선택적으로, 배플(700)은 제공되지 않을 수 있다.
The baffle 700 is provided at the lower end of the diffusion chamber 144. The baffle 700 is provided in a disc shape. The baffle 700 is provided with a diameter larger than the inner diameter of the lower end of the diffusion chamber 144. The baffle 700 is grounded. According to one example, the baffle 700 may be provided to contact the chamber 100, and may be grounded through the chamber 100. Alternatively, the baffle 700 may be connected directly to a separate ground line. In the baffle 700, ejection holes (not shown) extending from the upper end to the lower end are formed. The injection holes (not shown) may be formed in each region of the baffle 700 at substantially the same density and with the same diameter. Optionally, the ejection holes (not shown) may be formed with different diameters depending on the area of the baffle 700. The plasma is supplied into the processing chamber 120 from the diffusion chamber 144 through the injection holes (not shown). Optionally, the baffle 700 may not be provided.

이하, 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

도 5는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 간략히 나타낸 순서도이다. 도 1, 도 2 및 도 5를 참고하면, 기판 처리 방법은 기판 지지 유닛(200)에 더미 기판을 제공하는 단계(S1), 더미 기판을 플라스마를 이용하여 처리하는 공정 중 수광부(422)의 위치를 제 1 위치(P1)부터 제 2 위치(P2)까지 이동하여 공정 챔버(100) 내의 영역별 방사광을 측정하는 단계(S2), 공정 챔버(100) 내에서 방사광의 강도가 최대인 영역을 향하도록 수광부(422)의 위치를 고정시키는 단계(S3), 공정 챔버(100) 외부로 더미 기판을 반출하는 단계(S4), 기판 지지 유닛(200)에 처리 기판(10)을 제공하는 단계(S5), 플라스마를 이용하여 처리 기판(10)을 처리 하는 공정 중 방사광의 강도를 측정하여 처리 기판 공정처리의 종료시점을 판단하는 단계(S6) 및 종료 시점에서 공정을 종료하는 단계(S7)를 포함한다.5 is a flowchart briefly showing a substrate processing method for processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1, 2, and 5, the substrate processing method includes a step S1 of providing a dummy substrate to the substrate supporting unit 200, a step S2 of positioning the light receiving portion 422 in a process of processing the dummy substrate using plasma, (S2) moving the first region (P1) from the first position (P1) to the second position (P2) to measure the radiation of each region in the process chamber (100) A step S4 of moving the dummy substrate out of the process chamber 100 and a step S5 of providing the process substrate 10 to the substrate support unit 200 (Step S6) of measuring the intensity of the emitted light during the process of processing the processed substrate 10 using the plasma to determine the end point of the processed substrate process, and terminating the process at the end point (step S7) do.

더미 기판을 제공하는 단계(S1)에서, 더미 기판은 처리 기판(10)을 플라스마로 처리하는 공정 전 수광부(422)가 방사광을 수광하는 공정 챔버(100)내에서 가장 적절한 방사광의 발생위치를 찾기 위한 플라스마 처리에 제공되는 기판이다. 더미 기판은 기판 지지 유닛(200)의 처리 기판(10)이 제공될 위치에 놓인다.In the step S1 of providing the dummy substrate, the dummy substrate is used to determine the position where the most suitable light is generated in the process chamber 100 in which the light-receiving portion 422 before the process of treating the process substrate 10 with plasma receives the radiation Lt; RTI ID = 0.0 > plasma < / RTI > The dummy substrate is placed at a position where the processing substrate 10 of the substrate supporting unit 200 is to be provided.

공정 챔버(100) 내의 영역별 방사광을 측정하는 단계(S2)에서, 더미 기판을 플라스마를 이용하여 처리하는 공정은 처리 기판(10)을 플라스마를 이용하여 처리하는 공정과 동일한 종류 및 양의 가스 및 플라스마가 사용된다. 제 1 위치(P1)는, 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100) 내 제 1 영역(A1)을 바라보는 위치이고, 제 2 위치(P2)는, 수광부(422)가 방사광을 검출하는 공정 챔버(100) 내 제 2 영역(A2)을 바라보는 위치이다. 상술한 바와 같이, 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)은 공정 챔버의 서로 상이한 영역이고, 수광부(422)는 일정 축을 기준으로 회전하거나 직선 이동 함으로써, 제 1 위치(P1)와 제 2 위치(P2) 간에 이동된다. 방사광의 측정은 수광부(422)가 제 1 위치(P1)와 제 2 위치(P2)간을 이동하는 동안 제 1 영역(A1) 부터 제 2 영역(A2)에 대하여 수행된다. 구동기(440)는 스테핑 모터(미도시)를 포함할 수 있다. 따라서, 수광부(422)는 제 1 위치(P1)에서 제 2 위치(P2)까지 일정 간격으로 나누어 이동됨으로써, 방사광은 광검출부(420)에 의해 일정 간격을 가지고 측정된다. 이 경우, 방사광의 측정은 위치 제어부(424)에 의해 자동으로 수행될 수 있다.In the step S2 of measuring the area-specific radiation in the process chamber 100, the process of treating the dummy substrate with plasma is performed by using the same type and amount of gas and the same process as the process of treating the process substrate 10 using plasma Plasma is used. The first position P1 is a position where the light receiving section 422 looks at the first area A1 in the process chamber 100 in which the radiation is detected and the second position P2 is a position where the light receiving section 422 detects the radiation And the second region A2 in the process chamber 100 to be detected. As described above, the first region A1 and the second region A2 are different from each other in the process chamber, and the light receiving section 422 rotates or linearly moves with respect to a certain axis, 2 position (P2). The measurement of the radiation is performed from the first area A1 to the second area A2 while the light receiving part 422 moves between the first position P1 and the second position P2. The driver 440 may include a stepping motor (not shown). Accordingly, the light-receiving unit 422 is moved at a predetermined interval from the first position P1 to the second position P2, so that the radiation is measured at a predetermined interval by the optical detector 420. [ In this case, the measurement of the radiation can be automatically performed by the position control unit 424. [

수광부(422)의 위치를 고정시키는 단계(S3)에서는, 위치 제어부(424)는 측정된 수광부(422)의 각 위치별 방사광의 발광 강도에 따라 수광부(422)를 가장 발광 강도가 강한 위치에 고정시키도록 구동기(440)를 제어할 수 있다. 또는 사용자가 입력/표시부(480)에 수광부(422)의 각도 또는 좌표를 입력함으로써 수광부(422)를 입력한 위치에 고정시킬 수 있다.In the step S3 of fixing the position of the light receiving portion 422, the position control portion 424 controls the light receiving portion 422 to be fixed at a position where the light emitting intensity is strongest in accordance with the light emitting intensity of each position of the measured light receiving portion 422 The driver 440 can be controlled. Or the user can fix the light receiving portion 422 at the input position by inputting the angle or coordinates of the light receiving portion 422 to the input / display portion 480. [

공정 챔버(100) 외부로 더미 기판을 반출하는 단계(S4) 및 기판 지지 유닛(200)에 처리 기판(10)을 제공하는 단계(S5)에서, 처리 기판(10)은 기판 지지 유닛(200) 상부의 더미 기판이 위치했던 위치와 동일한 위치에 놓인다.The processing substrate 10 is transferred from the substrate supporting unit 200 to the substrate supporting unit 200 in the step S4 of carrying out the dummy substrate out of the processing chamber 100 and the step S5 of providing the processing substrate 10 to the substrate supporting unit 200. [ Is placed at the same position as the position where the upper dummy substrate is located.

방사광의 강도를 측정하여 처리 기판 공정처리의 종료시점을 판단하는 단계(S6)에서는, 광검출부(420)는 수광부(422)의 위치를 고정시키는 단계(S3)에서 고정된 위치에서 방사광의 발광 강도를 측정한다. 광검출부(420)가 종점을 나타내는 발광강도를 가지는 방사광을 측정한 경우 종점 제어부(460)가 종점 여부를 판단하고 연결/전원부(490)를 통해 종료 신호를 기판 처리 장치의 각 부분에 전송한다.In the step S6 of determining the end point of the processing substrate processing by measuring the intensity of the emitted light, the photodetector 420 detects the emission intensity of the emitted light at the fixed position in the step S3 of fixing the position of the light receiving section 422 . When the photodetector 420 measures the emission light having the emission intensity indicating the end point, the end point control unit 460 determines whether or not the end point exists and transmits the end signal to each part of the substrate processing apparatus through the connection / power supply unit 490.

상술한 바와 같이, 처리 기판(10)을 플라스마를 이용하여 공정 처리하기 전에, 미리 더미 기판을 이용하여 적절한 종점 검출 위치를 특정함으로써, 최적의 검출 위치를 결정할 수 있게 되고, 따라서, 종점 검출에 대한 신뢰도를 향상 시킬 수 있다.As described above, before the process substrate 10 is subjected to process processing using plasma, an optimum detection position can be determined by specifying an appropriate end detection position in advance using a dummy substrate, and therefore, Reliability can be improved.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover further embodiments.

10: 기판
100: 공정 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급부
400: 종점 검출 장치
500: 플라스마 소스
600: 배기 라인
700: 배플10: substrate
100: Process chamber
200: substrate holding unit
300: gas supply part
400: End point detection device
500: plasma source
600: Exhaust line
700: Baffle

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 공정 가스를 플라스마로 여기 시키는 플라스마 소스; 및
상기 공정 챔버 내에서 공정 처리시 발생되는 방사광을 검출하여 그 강도를 측정하여 공정 완료 여부를 결정하는 종점 검출 장치;를 가지되,
상기 종점 검출 장치는,
상기 방사광을 수광하는 수광부;를 가지고 상기 방사광을 검출하는 광 검출부; 및
상기 수광부의 위치를 변경하는 구동기;를 포함하고,
상기 수광부는 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버내 영역을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 구동기는 상기 기판의 상면과 평행하고 상기 종점 검출 장치가 상기 공정 챔버내 영역을 마주보는 방향과 수직인 축을 기준으로 상기 수광부를 회전시키는 기판 처리 장치.A process chamber in which a space is formed;
A substrate support unit positioned within the process chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber;
A plasma source for exciting the process gas to a plasma; And
And an end detector for detecting the radiation emitted during the process in the process chamber and measuring the intensity of the radiation to determine whether the process has been completed,
The end point detection device includes:
A photodetector for detecting the emitted light, the photodetector comprising: a photodetector for receiving the emitted light; And
And a driver for changing a position of the light receiving unit,
Wherein the light receiving unit is provided to adjust an area in the process chamber for detecting the radiation,
Wherein the actuator rotates the light receiving unit in parallel with an upper surface of the substrate and with an axis perpendicular to a direction in which the end point detecting device faces the area in the process chamber. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 공정 가스를 플라스마로 여기 시키는 플라스마 소스; 및
상기 공정 챔버 내에서 공정 처리시 발생되는 방사광을 검출하여 그 강도를 측정하여 공정 완료 여부를 결정하는 종점 검출 장치;를 가지되,
상기 종점 검출 장치는,
상기 방사광을 수광하는 수광부;를 가지고 상기 방사광을 검출하는 광 검출부; 및
상기 수광부의 위치를 변경하는 구동기를 포함하고,
상기 수광부는 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버내 영역을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 구동기는 상기 기판의 상면과 수직인 축을 기준으로 상기 수광부를 회전시키는 기판 처리 장치.A process chamber in which a space is formed;
A substrate support unit positioned within the process chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber;
A plasma source for exciting the process gas to a plasma; And
And an end detector for detecting the radiation emitted during the process in the process chamber and measuring the intensity of the radiation to determine whether the process has been completed,
The end point detection device includes:
A photodetector for detecting the emitted light, the photodetector comprising: a photodetector for receiving the emitted light; And
And a driver for changing a position of the light receiving unit,
Wherein the light receiving unit is provided to adjust an area in the process chamber for detecting the radiation,
Wherein the driver rotates the light receiving unit based on an axis perpendicular to an upper surface of the substrate. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 구동기는 스테핑 모터를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the actuator comprises a stepping motor. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 공정 가스를 플라스마로 여기 시키는 플라스마 소스; 및
상기 공정 챔버 내에서 공정 처리시 발생되는 방사광을 검출하여 그 강도를 측정하여 공정 완료 여부를 결정하는 종점 검출 장치;를 가지되,
상기 종점 검출 장치는,
상기 방사광을 수광하는 수광부;를 가지고 상기 방사광을 검출하는 광 검출부;를 포함하고,
상기 수광부는, 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버내 영역을 조절할 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판 지지 유닛에 더미 기판을 제공하는 단계;
상기 더미 기판을 플라스마를 이용하여 처리하는 공정 중 상기 수광부의 위치를 제 1 위치부터 제 2 위치까지 이동하여 상기 공정 챔버 내의 영역별 방사광을 측정하는 단계;
상기 공정 챔버 내에서 방사광의 강도가 최대인 영역을 향하도록 상기 수광부의 위치를 고정시키는 단계;
상기 공정 챔버 외부로 상기 더미 기판을 반출하는 단계;
상기 기판 지지 유닛에 처리 기판을 제공하는 단계;
플라스마를 이용하여 상기 기판을 처리 하는 공정 중 상기 방사광의 강도를 측정하여 상기 기판 공정처리의 종료시점을 판단하는 단계; 및
상기 종료 시점에서 공정을 종료하는 단계;를 포함하되,
상기 제 1 위치는, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 제 1 영역을 바라보는 위치이고,
상기 제 2 위치는, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 제 2 영역을 바라보는 위치인 기판 처리 방법.A process chamber in which a space is formed;
A substrate support unit positioned within the process chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber;
A plasma source for exciting the process gas to a plasma; And
And an end detector for detecting the radiation emitted during the process in the process chamber and measuring the intensity of the radiation to determine whether the process has been completed,
The end point detection device includes:
And a light receiving unit for receiving the emitted light, and a light detecting unit for detecting the emitted light,
Wherein the light receiving unit includes a substrate processing apparatus provided to adjust an area in the process chamber for detecting the emitted light,
Providing a dummy substrate to the substrate support unit;
Moving the position of the light receiving unit from the first position to the second position in a process of processing the dummy substrate using plasma, and measuring the radiation of each region in the process chamber;
Fixing the position of the light receiving portion so as to face the region where the intensity of the radiation is maximum in the process chamber;
Moving the dummy substrate out of the process chamber;
Providing a processing substrate to the substrate support unit;
Measuring an intensity of the emitted light during a process of processing the substrate using a plasma to determine an end point of the substrate process; And
And terminating the process at the end point,
Wherein the first position is a position where the light receiving unit looks at a first region in the process chamber in which the radiation is detected,
Wherein the second position is a position where the light receiving unit looks at a second region in the process chamber from which the radiation is detected. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 영역은, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 상부 영역과 하부 영역 중 하나이고,
상기 제 2 영역은, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 중 다른 하나인 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the first region is one of an upper region and a lower region in the process chamber in which the light-receiving unit detects the radiation,
Wherein the second region is one of the upper region and the lower region. 제 6 항에 있어서,
상기 종점 검출 장치에서 상기 공정 챔버를 마주보는 방향으로 바라볼 때,
상기 제 1 영역은, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 좌측 또는 우측 영역 중 하나의 영역이고,
상기 제 2 영역은, 상기 수광부가 상기 방사광을 검출하는 상기 공정 챔버 내 좌측 또는 우측 영역 중 다른 하나의 영역인 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
When viewed in a direction opposite to the process chamber in the end point detection device,
Wherein the first region is one of a left side region and a right side region in the process chamber in which the light receiving portion detects the radiation,
Wherein the second region is the other one of the left or right regions in the process chamber in which the light receiving portion detects the radiation. 제 6 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 수광부의 위치를 제어하고 스테핑 모터를 가지는 구동기를 더 포함하되,
상기 수광부의 위치를 제 1 위치부터 제 2 위치까지 이동하여 상기 공정 챔버 내의 영역별 방사광을 측정하는 단계;에 있어서, 상기 스테핑 모터에 의해 상기 수광부의 위치가 변경되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
The substrate processing apparatus may further include a driver having a stepping motor to control the position of the light receiving unit,
And moving the position of the light receiving unit from a first position to a second position to measure radiation light for each region in the process chamber, wherein the position of the light receiving unit is changed by the stepping motor.
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